JP2021164141A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルタ特性の向上を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供する。
【解決手段】高周波モジュールは、実装基板と、フィルタ（第１フィルタ１１）と、共通インダクタＬ１と、を備える。実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。フィルタは、複数の直列腕共振子１０４及び複数の並列腕共振子１０５を有し、第１主面に配置されている。実装基板は、接地に用いられるグランド端子を第２主面に有している。共通インダクタＬ１の第１端は、複数の並列腕共振子１０５のすべてと接続されている。共通インダクタＬ１の第２端は、グランド端子に接続されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には実装基板とフィルタとを備える高周波モジュール及び通信装置に関する。

従来、第１のフィルタチップと、第２のフィルタチップと、を備える分波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に開示された分波装置は、デュプレクサとフィルタとを備えるトリプレクサである。第１のフィルタチップは、デュプレクサを含む。第２のフィルタチップは、フィルタを含む。

特許文献１には、回路基板上に実装された第１フィルタチップ及び第２フィルタチップの概略配置が示されている。

国際公開第２０１６／０５６３７７号

高周波モジュールにおいては、実装基板と、実装基板に実装されたフィルタと、を備える場合に、フィルタのフィルタ特性が低下してしまうことがあった。

本発明は上記課題に鑑みてなされ、フィルタ特性の向上を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、フィルタと、共通インダクタと、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有し、前記第１主面に配置されている。前記実装基板は、接地に用いられるグランド端子を前記第２主面に有している。前記共通インダクタの第１端は、前記複数の並列腕共振子のすべてと接続されており、前記共通インダクタの第２端は、前記グランド端子に接続されている。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、フィルタと、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記フィルタは、第１入出力端子、第２入出力端子及び複数のグランド端子を有し、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記実装基板は、接地に用いられるグランド端子を前記第２主面に有し、前記第１主面と前記第２主面との間にビア導体を有している。前記ビア導体の第１端は、前記複数のグランド端子のすべてと接続されており、前記ビア導体の第２端は、前記グランド端子に接続されている。

本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、前記高周波モジュールを通る高周波信号を処理する信号処理回路と、を備える。

本発明によると、フィルタ特性の向上を図ることができる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュール及び通信装置の構成を説明する模式的な回路図である。 図２は、同上の高周波モジュールが備える第１フィルタの構成を説明する回路図である。 図３は、同上の第１フィルタを実装する実装基板の構成を説明する図である。 図４は、実施形態１に係る共通インダクタと接続されていない第１フィルタ及び当該第１フィルタの等価回路それぞれのフィルタ通過特性を示す図である。 図５は、同上の共通インダクタに接続されている第１フィルタ及び当該第１フィルタの等価回路それぞれのフィルタ通過特性を示す図である。 図６は、実施形態１の変形例１に係る第１フィルタの構成を説明する回路図である。 図７は、実施形態１の変形例２に係る第１フィルタの構成を説明する回路図である。 図８は、実施形態１の変形例３に係る第１フィルタの構成を説明する回路図である。 図９は、実施形態１の変形例４に係る第１フィルタの構成を説明する回路図である。 図１０は、実施形態２に係る高周波モジュールが備える実装基板の構成を説明する図である。 図１１は、同上の実装基板の平面図である。 図１２は、同上の実装基板の一部破断した平面図である。 図１３は、同上の実装基板の一部破断した側面図である。 図１４は、同上の実装基板の一部破断した断面図である。 図１５Ａは、同上の実装基板の平面図である。図１５Ｂは、同上の実装基板を示し、図１３のＢ−Ｂ線断面図である。図１５Ｃは、同上の実装基板を示し、図１３のＣ−Ｃ線断面図である。図１５Ｄは、同上の実装基板を示し、実装基板の第１主面側から第２主面を透視した平面図である。 図１６は、実施形態２に係る高周波モジュールにおける第１フィルタ、第２フィルタ及び第３フィルタのフィルタ通過特性の説明図である。 図１７は、実施形態２に係るフィルタの回路図である。 図１８は、同上の高周波モジュールにおける第１フィルタのフィルタ通過特性と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタのフィルタ通過特性と、を示すグラフである。 図１９は、同上の高周波モジュールにおける第１フィルタの第１入出力端子−第２入出力端子間のアイソレーション特性と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタの第１入出力端子−第２入出力端子間のアイソレーション特性と、を示すグラフである。 図２０は、実施形態２の変形例１に係る高周波モジュールの回路図である。 図２１は、実施形態２の変形例２に係る高周波モジュールの回路図である。 図２２は、実施形態２の変形例３に係る高周波モジュールが備える実装基板の平面図である。 図２３は、同上の実装基板の一部破断した平面図である。 図２４は、同上の実装基板の斜視図である。 図２５Ａは、同上の実装基板の平面図である。図２５Ｂは、同上の実装基板の横断面図である。図２５Ｃは、同上の実装基板の別の横断面図である。図２５Ｄは、同上の実装基板を示し、実装基板の第１主面側から第２主面を透視した平面図である。 図２６は、実施形態２の変形例３の更なる変形例に係るフィルタの回路図である。 図２７は、実施形態２の変形例４に係る高周波モジュールが備える実装基板の一部破断した平面図である。 図２８は、同上の実装基板の一部透視した斜視図である。 図２９は、実施形態２の変形例５に係る高周波モジュールが備える実装基板の平面図である。

以下の実施形態等において参照する図１〜図２９は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
以下、本実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５００について、図１〜図５を用いて説明する。

（１）高周波モジュールの全体構成
本実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置５００に用いられる。通信装置５００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

また、高周波モジュール１は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）通信に対応可能なモジュールである。

高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路３から入力された送信信号を増幅してアンテナ４に出力するように構成されている。また、高周波モジュール１は、アンテナ４から入力された受信信号を増幅して信号処理回路３に出力するように構成されている。信号処理回路３は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置５００の構成要素である。実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置５００が備える信号処理回路３によって制御される。通信装置５００は、高周波モジュール１と、信号処理回路３と、を備える。通信装置５００は、アンテナ４を更に備える。信号処理回路３は、アンテナ４を介して受信した信号（受信信号）、及びアンテナ４を介して送信する信号（送信信号）を処理する。

（２）高周波モジュールの各構成要素
以下、本実施形態に係る高周波モジュール１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

本実施形態に係る高周波モジュール１は、図１、図３に示すように、フィルタ１０と、第１処理部２０と、第２処理部３０と、第３処理部４０と、実装基板６０と、を備える。なお、実装基板６０は、アンテナ端子Ｔ１を有する。

アンテナ端子Ｔ１は、図１に示すように、アンテナ４に電気的に接続されている。

フィルタ１０は、マルチプレクサである。本実施形態では、フィルタ１０は、３つのフィルタ（第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３）を含む（図１参照）。第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３の各々は、例えば、弾性波フィルタであり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。なお、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３は、ＳＡＷにフィルタに限定されない。複数のフィルタはＳＡＷ以外、例えばＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。または、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３の各々は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）等を含んで構成されてもよい。また、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３の各々は、ＬＣ共振回路等により構成されてもよい。本実施形態では、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２は、１チップ化されたフィルタ装置１０ａ（図１、図３参照）を構成している。

第１フィルタ１１は、第１処理部２０に接続されている。第２フィルタ１２は、第２処理部３０に接続されている。第３フィルタ１３は、第３処理部４０に接続されている。

第１フィルタ１１は、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタを含む。本実施形態では、第１フィルタ１１は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の周波数帯の信号を通過させる。例えば、所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している。すなわち、第１フィルタ１１は、２．４ＧＨｚ帯の信号を通過させる。２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域は、２．４００ＧＨｚ〜２．４８３ＧＨｚである。

第２フィルタ１２は、上記所定通過帯域よりも低周波数側に通過帯域を有するミッドバンド用フィルタ、上記所定通過帯域よりも高周波数側に通過帯域を有するミッドバンド用フィルタ、又は上記所定通過帯域よりも低周波数側の通過帯域と上記所定通過帯域よりも高周波数側の通過帯域との双方を有するミッドバンド用フィルタである。言い換えると、第２フィルタ１２は、上記所定通過帯域の高周波数側と低周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有するフィルタである。

本実施形態では、第２フィルタ１２は、ＬＴＥ規格の周波数帯の信号、又は５Ｇ規格の周波数帯の周波数の信号を通過させる。本実施形態では、ＬＴＥ規格の周波数帯として、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ４０、及びＢａｎｄ４１が用いられる。すなわち、第２フィルタ１２は、Ｂａｎｄ３の信号、Ｂａｎｄ４０の信号及びＢａｎｄ４１の信号をそれぞれ通過させる。ここで、Ｂａｎｄ３の周波数帯は１．８ＧＨｚであり、Ｂａｎｄ４０の周波数帯は２．３ＧＨｚであり、Ｂａｎｄ４１の周波数帯は２．５ＧＨｚである。そのため、Ｗｉ−Ｆｉ通信の周波数帯は、Ｂａｎｄ４０とＢａｎｄ４１との間に存在する。そこで、第２フィルタ１２は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の周波数帯の信号が通過しないように構成されている。

第３フィルタ１３は、ＵＨＢ（Ultra High Band）を通過帯域とするフィルタである。すなわち、第３フィルタは、上記所定通過帯域及び第２フィルタの通過帯域の双方よりも高周波数側に通過帯域を有するウルトラハイバンド（ＵＨＢ）用フィルタである。

本実施形態では、第３フィルタ１３は、ＵＨＢの周波数帯の信号を通過させる。本実施形態では、ＵＨＢの周波数帯として、Ｂａｎｄ４２（３．５ＧＨｚ帯）及びＢａｎｄ５２（３．３ＧＨｚ帯）が用いられる。すなわち、第３フィルタ１３は、Ｂａｎｄ４２の信号、及びＢａｎｄ５２の信号を通過させる。

第１処理部２０は、第１スイッチ２１と、フィルタ２２，２３と、パワーアンプ２４と、ローノイズアンプ２５と、を含んでいる。

第１スイッチ２１は、図１に示すように、共通端子２１１と、複数（図示例では２つ）の選択端子２１２，２１３と、を有する。共通端子２１１は、第１フィルタ１１と電気的に接続されている。選択端子２１２は、フィルタ２２に電気的に接続されている。選択端子２１３は、フィルタ２３に電気的に接続されている。

第１スイッチ２１は、選択端子２１２，２１３のうち一方の選択端子を共通端子２１１の接続先として選択可能なスイッチである。つまり、第１スイッチ２１は、フィルタ２２及びフィルタ２３と第１フィルタ１１とを選択的に接続可能なスイッチである。

第１スイッチ２１は、例えば、信号処理回路３によって制御される。第１スイッチ２１は、信号処理回路３のＲＦ信号処理回路５からの制御信号にしたがって、選択端子２１２及び選択端子２１３のうち１つの選択端子と共通端子２１１と、を電気的に接続する。

フィルタ２２，２３は、例えば、弾性波フィルタであり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。なお、フィルタ２２，２３は、ＳＡＷにフィルタに限定されない。フィルタ２２，２３はＳＡＷ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。または、フィルタ２２，２３は、ＦＢＡＲ等を含んで構成されてもよい。また、フィルタ２２，２３は、ＬＣ共振回路等により構成されてもよい。

フィルタ２２は、Ｗｉ−Ｆｉ通信によりアンテナ４から送信する信号（送信信号）を通過させる。フィルタ２３は、Ｗｉ−Ｆｉ通信によりアンテナ４が受信した信号（受信信号）を通過させる。

パワーアンプ２４は、アンテナ４から送信する信号（送信信号）を増幅する。パワーアンプ２４の入力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。パワーアンプ２４の出力端子は、フィルタ２２に電気的に接続されている。パワーアンプ２４は、信号処理回路３から出力された信号を増幅する。パワーアンプ２４は、増幅した送信信号を、フィルタ２２に出力する。

ローノイズアンプ２５は、アンテナ４が受信した信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ２５の入力端子は、フィルタ２３に電気的に接続されている。ローノイズアンプ２５の出力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。ローノイズアンプ２５は、第１フィルタ１１及びフィルタ２３を通過した信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ２５は、増幅した受信信号を信号処理回路３に出力する。

第２処理部３０は、第２スイッチ３１と、フィルタ３２，３３，３４と、第３スイッチ３５と、第４スイッチ３６と、パワーアンプ３７と、ローノイズアンプ３８と、を含んでいる。

第２スイッチ３１は、図１に示すように、共通端子３１１と、複数（図示例では３つ）の選択端子３１２，３１３，３１４と、を有する。共通端子３１１は、第２フィルタ１２と電気的に接続されている。選択端子３１２は、フィルタ３２に電気的に接続されている。選択端子３１３は、フィルタ３３に電気的に接続されている。選択端子３１４は、フィルタ３４に電気的に接続されている。

第２スイッチ３１は、選択端子３１２，３１３，３１４のうち少なくとも１つの選択端子を共通端子３１１の接続先として選択可能なスイッチである。つまり、第２スイッチ３１は、フィルタ３２、フィルタ３３及びフィルタ３４と第２フィルタ１２とを選択的に接続可能なスイッチである。

第２スイッチ３１は、例えば、信号処理回路３によって制御される。第２スイッチ３１は、信号処理回路３のＲＦ信号処理回路５からの制御信号にしたがって、選択端子３１２、選択端子３１３及び選択端子３１４のうち１つの選択端子と共通端子３１１と、を電気的に接続する。

フィルタ３２，３３，３４は、例えば、弾性波フィルタであり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。なお、フィルタ３２，３３，３４は、ＳＡＷにフィルタに限定されない。フィルタ３２，３３，３４はＳＡＷ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。または、フィルタ３２，３３，３４は、ＦＢＡＲ等を含んで構成されてもよい。また、フィルタ３２，３３，３４は、ＬＣ共振回路等により構成されてもよい。

フィルタ３２〜３４のそれぞれは、デュプレクサである。フィルタ３２〜３４のそれぞれは、第２スイッチ３１の複数の選択端子３１２〜３１４に一対一に電気的に接続されている。フィルタ３２〜３４のそれぞれは、第３スイッチ３５の複数（図示例では３つ）の選択端子３５２〜３５４に一対一に電気的に接続されている。フィルタ３２〜３４のそれぞれは、第４スイッチ３６の複数（図示例では３つ）の選択端子３６２〜３６４に一対一に電気的に接続されている。

フィルタ３２は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ１の信号（送信信号）及びアンテナ４が受信するＢａｎｄ１の信号（受信信号）を通過させる。フィルタ３３は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ７の信号（送信信号）及びアンテナ４が受信するＢａｎｄ７の信号（受信信号）を通過させる。フィルタ３４は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ８の信号（送信信号）及びアンテナ４が受信するＢａｎｄ８の信号（受信信号）を通過させる。

第３スイッチ３５は、図１に示すように、共通端子３５１と、複数（図示例では３つ）の選択端子３５２，３５３，３５４と、を有する。共通端子３５１は、パワーアンプ３７と電気的に接続されている。選択端子３５２は、フィルタ３２に電気的に接続されている。選択端子３５３は、フィルタ３３に電気的に接続されている。選択端子３５４は、フィルタ３４に電気的に接続されている。

第３スイッチ３５は、選択端子３５２，３５３，３５４のうち１つの選択端子を共通端子３５１の接続先として選択可能なスイッチである。つまり、第３スイッチ３５は、フィルタ３２、フィルタ３３及びフィルタ３４とパワーアンプ３７とを選択的に接続可能なスイッチである。

第３スイッチ３５は、例えば、信号処理回路３によって制御される。第３スイッチ３５は、信号処理回路３のＲＦ信号処理回路５からの制御信号にしたがって、選択端子３５２、選択端子３５３及び選択端子３５４のうち１つの選択端子と共通端子３５１と、を電気的に接続する。

第４スイッチ３６は、図１に示すように、共通端子３６１と、複数（図示例では３つ）の選択端子３６２，３６３，３６４と、を有する。共通端子３６１は、ローノイズアンプ３８と電気的に接続されている。選択端子３６２は、フィルタ３２に電気的に接続されている。選択端子３６３は、フィルタ３３に電気的に接続されている。選択端子３６４は、フィルタ３４に電気的に接続されている。

第４スイッチ３６は、選択端子３６２，３６３，３６４のうち１つの選択端子を共通端子３６１の接続先として選択可能なスイッチである。つまり、第４スイッチ３６は、フィルタ３２、フィルタ３３及びフィルタ３４とローノイズアンプ３８とを選択的に接続可能なスイッチである。

第４スイッチ３６は、例えば、信号処理回路３によって制御される。第４スイッチ３６は、信号処理回路３のＲＦ信号処理回路５からの制御信号にしたがって、選択端子３６２、選択端子３６３及び選択端子３６４のうち１つの選択端子と共通端子３６１と、を電気的に接続する。

パワーアンプ３７は、アンテナ４から送信する信号（送信信号）を増幅する。パワーアンプ３７の入力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。パワーアンプ３７の出力端子は、第３スイッチ３５の共通端子３５１に電気的に接続されている。パワーアンプ３７は、信号処理回路３から出力された信号を増幅する。パワーアンプ３７は、増幅した送信信号を、第３スイッチ３５を介して、フィルタ３２〜３４のうちパワーアンプ３７と電気的に接続されている１つのフィルタに出力する。

ローノイズアンプ３８は、アンテナ４が受信した信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ３８の入力端子は、第４スイッチ３６の共通端子３６１に電気的に接続されている。ローノイズアンプ３８の出力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。ローノイズアンプ３８は、第２フィルタ１２、及びフィルタ３２〜３４のうちローノイズアンプ３８と電気的に接続されたフィルタを通過した信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ３８は、増幅した受信信号を信号処理回路３に出力する。

第３処理部４０は、フィルタ４１，４４〜４７と、第５スイッチ４２と、第６スイッチ４３と、パワーアンプ４８，５０と、ローノイズアンプ４９，５１と、を含んでいる。

フィルタ４１，４４〜４７は、例えば、弾性波フィルタであり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。なお、複数のフィルタ４１，４４〜４７は、ＳＡＷにフィルタに限定されない。複数のフィルタはＳＡＷ以外、例えばＢＡＷフィルタであってもよい。または、複数の４１，４４〜４７は、ＦＢＡＲ等を含んで構成されてもよい。また、フィルタ４１，４４〜４７は、ＬＣ共振回路等により構成されてもよい。

フィルタ４１は、デュプレクサである。フィルタ４１は、第３フィルタ１３に電気的に接続されている。フィルタ４１は、第５スイッチ４２の共通端子４２１に電気的に接続されている。フィルタ４１は、第６スイッチ４３の共通端子４２１に電気的に接続されている。

フィルタ４１は、第３フィルタ１３を通過したＢａｎｄ４２の信号を、第５スイッチ４２の共通端子４２１に出力する。フィルタ４１は、第５スイッチ４２から受け取ったＢａｎｄ４２の信号を、第３フィルタ１３に出力する。フィルタ４１は、第３フィルタ１３を通過したＢａｎｄ５２の信号を、第６スイッチ４３の共通端子４３１に出力する。フィルタ４１は、第６スイッチ４３から受け取ったＢａｎｄ５２の信号を、第３フィルタ１３に出力する。

第５スイッチ４２は、図１に示すように、共通端子４２１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４２２，４２３と、を有する。共通端子４２１は、フィルタ４１と電気的に接続されている。選択端子４２２は、フィルタ４４に電気的に接続されている。選択端子４２３は、フィルタ４５に電気的に接続されている。

第５スイッチ４２は、選択端子４２２，４２３のうち１つの選択端子を共通端子４２１の接続先として選択可能なスイッチである。つまり、第５スイッチ４２は、フィルタ４４及びフィルタ４５とフィルタ４１とを選択的に接続可能なスイッチである。

第５スイッチ４２は、例えば、信号処理回路３によって制御される。第５スイッチ４２は、信号処理回路３のＲＦ信号処理回路５からの制御信号にしたがって、選択端子４２２２及び選択端子４２３のうち１つの選択端子と共通端子４２１と、を電気的に接続する。

第６スイッチ４３は、図１に示すように、共通端子４３１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４３２，４３３と、を有する。共通端子４３１は、フィルタ４１と電気的に接続されている。選択端子４３２は、フィルタ４６に電気的に接続されている。選択端子４３３は、フィルタ４７に電気的に接続されている。

第６スイッチ４３は、選択端子４３２，４３３のうち１つの選択端子を共通端子４３１の接続先として選択可能なスイッチである。つまり、第６スイッチ４３は、フィルタ４６及びフィルタ４７とフィルタ４１とを選択的に接続可能なスイッチである。

第６スイッチ４３は、例えば、信号処理回路３によって制御される。第６スイッチ４３は、信号処理回路３のＲＦ信号処理回路５からの制御信号にしたがって、選択端子４３２２及び選択端子４３３のうち１つの選択端子と共通端子４３１と、を電気的に接続する。

フィルタ４４は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ４２の信号（送信信号）を通過させる。例えば、フィルタ４４は、信号処理回路３から出力されたＢａｎｄ４２の信号を、第５スイッチ４２の共通端子４２１を介してフィルタ４１に出力する。

フィルタ４５は、アンテナ４が受信したＢａｎｄ４２の信号（受信信号）を通過させる。例えば、フィルタ４５は、第３フィルタ１３を通過したＢａｎｄ４２の信号を、ローノイズアンプ４９に出力する。

フィルタ４６は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ５２の信号（送信信号）を通過させる。例えば、フィルタ４６は、信号処理回路３から出力されたＢａｎｄ５２の信号を、第６スイッチ４３の共通端子４３１を介してフィルタ４１に出力する。

フィルタ４７は、アンテナ４が受信したＢａｎｄ５２の信号（受信信号）を通過させる。例えば、フィルタ４７は、第３フィルタ１３を通過したＢａｎｄ５２の信号を、ローノイズアンプ５１に出力する。

パワーアンプ４８は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ４２の信号（送信信号）を増幅する。パワーアンプ４８の入力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。パワーアンプ４８の出力端子は、フィルタ４４に電気的に接続されている。パワーアンプ４８は、信号処理回路３から出力された信号を増幅する。パワーアンプ４８は、増幅した送信信号を、フィルタ４４に出力する。

ローノイズアンプ４９は、アンテナ４が受信したＢａｎｄ４２の信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ４９の入力端子は、フィルタ４５に電気的に接続されている。ローノイズアンプ４９の出力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。ローノイズアンプ４９は、フィルタ４５を通過したＢａｎｄ４２の信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ４９は、増幅した受信信号を信号処理回路３に出力する。

パワーアンプ５０は、アンテナ４から送信するＢａｎｄ５２の信号（送信信号）を増幅する。パワーアンプ５０の入力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。パワーアンプ５０の出力端子は、フィルタ４６に電気的に接続されている。パワーアンプ５０は、信号処理回路３から出力された信号を増幅する。パワーアンプ５０は、増幅した送信信号を、フィルタ４６に出力する。

ローノイズアンプ５１は、アンテナ４が受信したＢａｎｄ５２の信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ５１の入力端子は、フィルタ４７に電気的に接続されている。ローノイズアンプ５１の出力端子は、信号処理回路３に電気的に接続されている。ローノイズアンプ５１は、フィルタ４７を通過したＢａｎｄ５２の信号（受信信号）を増幅する。ローノイズアンプ５１は、増幅した受信信号を信号処理回路３に出力する。

本実施形態では、第１フィルタ１１に電気的に接続されている共通インダクタＬ１を備える。共通インダクタＬ１のインダクタンスは、例えば、０．０１ｎＨである。

なお、高周波モジュール１は、第１フィルタ１１と、後述する入出力端子７１２（図３参照）との間に電気的に接続された第１整合回路を備えていてもよい。第１整合回路は、例えば、入出力端子７１２において第１フィルタ１１側とは反対側に接続される回路と、第１フィルタ１１と、のインピーダンスを整合させるための回路である。

同様に、高周波モジュール１は、第２フィルタ１２と、外部接続端子７１１との間に電気的に接続された整合回路を備えていてもよい。高周波モジュール１は、第３フィルタ１３と、外部接続端子７１１との間に電気的に接続された整合回路を備えていてもよい。

ここで、第１フィルタ１１の回路構成について、説明する。

第１フィルタ１１は、図２に示すように、第１入出力端子１０１と、第２入出力端子１０２と、複数（図示例では、２つ）のグランド端子１０３と、複数（図示例では、５つ）の直列腕共振子１０４と、複数（図示例では４つ）の並列腕共振子１０５と、を含む。すなわち、第１フィルタ１１は、ラダー型フィルタである。

複数の直列腕共振子１０４は、第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２とを結ぶ第１経路１０６に設けられる。複数の並列腕共振子１０５は、第１経路１０６上の複数（４つ）のノードＮ１，Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４とグランド端子１０３とを結ぶ複数（図示例では４つ）の第２経路１０７，１０８，１０９，１１０上に１つずつ設けられる。

第２経路１０７〜１１０の各々の両端のうち第１端は、第１経路１０６に接続されている。第２経路１０７，１０８の各々の両端のうち第２端は、１つに束ねられて２つのグランド端子１０３のうち一方のグランド端子１０３に接続されている。第２経路１０９，１１０の各々の両端のうち第２端は、１つに束ねられて２つのグランド端子１０３のうち他方のグランド端子１０３に接続されている。複数のグランド端子１０３は、１つの共通インダクタＬ１に接続されている。すなわち、第２経路１０７〜１１０の各々の両端のうち第２端は、１つに束ねられて共通インダクタＬ１に接続されている。

共通インダクタＬ１の第１端は、複数のグランド端子１０３のすべてと接続点Ｔ１０で接続されている。すなわち、共通インダクタＬ１の第１端は、複数の並列腕共振子１０５のすべてと接続されている。共通インダクタの第２端は、高周波モジュール１が備える端子であって接地に用いられるグランド端子７１３に接続されている。すなわち、共通インダクタの第２端は、接地される。ここで、共通インダクタＬ１の第１端は、接続点Ｔ１０に相当する。

つまり、複数（４つ）の並列腕共振子１０５の各々は、共通のインダクタ素子である共通インダクタＬ１を介して接地される。

次に、高周波モジュール１の構造について説明する。

実装基板６０は、図３に示すように、厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面６１と第２主面６２と、を有する。第１主面６１には、第１フィルタ１１を含むフィルタ装置１０ａ及び第３フィルタ１３が配置されている（図３参照）。なお、第１処理部２０、第２処理部３０、及び第３処理部４０は、実装基板６０に配置されてもよいし、他の実装基板に配置されてもよい。本実施形態では、第１処理部２０、第２処理部３０、及び第３処理部４０は、他の実装基板に配置されている。

高周波モジュール１は、複数（図示例では６つ）の電子部品１６を更に備える。複数の電子部品１６は、実装基板６０の第１主面６１に配置されている。複数の電子部品１６は、高周波モジュール１に用いられる電子部品を含む。

実装基板６０は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）、樹脂基板である。ここにおいて、実装基板６０は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板６０の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板６０の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板６０の有するビア導体６００等を介して電気的に接続されている。

実装基板６０は、プリント配線板、ＬＴＣＣ基板に限らず、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板６０の第１主面６１あり、第２面が実装基板６０の第２主面６２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

実装基板６０は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で、多角形状である。例えば、実装基板６０は、厚さ方向Ｄ１からの平面視で、四角形状である。実装基板６０は、複数の外部接続端子７１１を有している。実装基板６０は、複数の外部接続端子７１１によりマザー基板に接続されている。複数の外部接続端子７１１は、アンテナ端子Ｔ１、入出力端子７１２と、グランド端子７１３とを含む。アンテナ端子Ｔ１は、第１フィルタ１１の第１入出力端子１０１に接続されている。実装基板６０の入出力端子７１２は、第１フィルタ１１の第２入出力端子１０２に接続されている。実装基板６０のグランド端子７１３は、第１フィルタ１１の複数のグランド端子１０３に接続されている。

実装基板６０は、第１ランド電極６７１、第２ランド電極６７２、及び複数の第３ランド電極６７３と、を有している。第１ランド電極６７１、第２ランド電極６７２及び複数の第３ランド電極６７３の各々の形状は、実装基板６０の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、円形状である。

第１ランド電極６７１は、アンテナ端子Ｔ１（外部接続端子７１１）に接続されている。第１ランド電極６７１は、第１入出力端子１０１に接続されている。したがって、第１入出力端子１０１は、第１ランド電極６７１を介してアンテナ端子Ｔ１に接続されている。

第２ランド電極６７２は、第２入出力端子１０２に接続されている。複数の第３ランド電極６７３は、複数のグランド端子１０３それぞれに接続されている。第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２とのうち一方のランド電極が、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板６０の第１主面６１の角部６０ａに配置されている。ここでは、第２ランド電極６７２が角部６０ａに配置されている。なお、第１ランド電極６７１が、角部６０ａに配置されてもよい。

実装基板６０は、図３に示すように、複数のビア導体６００を含む。複数のビア導体６００は、ビア導体６０１と、複数（図示例では、２つ）のビア導体６１０と、を含む。実装基板６０は、ビア導体６５０，６５１を、含む。実装基板６０は、複数の導電層のうち１つの導電層（第１導電層）に配線部を含む。すなわち、実装基板６０は、第１主面６１と第２主面６２との間に、第１配線部６３０を含む。実装基板６０は、第１導電層とは異なる第２導電層に第２配線部６５５を含む。すなわち、実装基板６０は、第１主面６１と第２主面６２との間に、第１配線部６３０を含む。ここで、第２導電層は、第１導電層と第２主面６２との間に配置されている。したがって、第１配線部６３０と第２配線部６５５とは、互いに異なる導電層に含まれている。より詳細には、第２配線部６５５は、第１配線部６３０よりも厚さ方向Ｄ１において第２主面６２側に配置されている。

ビア導体６０１の一端は、第２ランド電極６７２に接続されている。ビア導体６０１の他端は、入出力端子７１２（外部接続端子７１１）に接続されている。つまり、ビア導体６０１は、第２ランド電極６７２を介して、第１フィルタ１１の第２入出力端子１０２と実装基板６０の入出力端子７１２とを接続している。

複数のビア導体６１０は、複数の第３ランド電極６７３に一対一に接続されている。つまり、複数のビア導体６１０は、第１フィルタ１１の複数のグランド端子１０３にそれぞれ接続されている。複数のビア導体６１０は、第１配線部６３０に接続されている。すなわち、第１配線部６３０は、複数のビア導体６１０の各々を介して、複数のグランド端子１０３にそれぞれ接続されている。

ビア導体６５０の第１端は、複数のグランド端子１０３のすべてと接続されている。具体的には、ビア導体６５０の第１端は、第１配線部６３０に接続されている。ビア導体６５０の第２端は、グランド端子７１３に接続されている。具体的には、ビア導体６５０の第２端は、第２配線部６５５に接続されている。

ビア導体６５１の第１端は、第２配線部６５５に接続されている。ビア導体６５１の第２端は、実装基板６０のグランド端子７１３に接続されている。具体的には、ビア導体６５１の第２端は、導電層であるグランド層６６０を介してグランド端子７１３に接続されている。ここで、グランド層６６０は、複数の導電層のうち第２主面６２に最も近い導電層である。

上述したように、共通インダクタＬ１の第１端は複数の並列腕共振子１０５のすべてと接続されており、共通インダクタの第２端はグランド端子７１３に接続されている。また、ビア導体６５０の第１端は複数のグランド端子１０３のすべてと接続されており、ビア導体６５０の第２端は、第２配線部６５５及びビア導体６５１を介してグランド端子７１３に接続されている。すなわち、共通インダクタＬ１は、少なくともビア導体６５０を含んでいる。本実施形態では、共通インダクタＬ１は、ビア導体６５０，６５１及び第２配線部６５５を含んでいる。

（３）通信装置
本実施形態に係る通信装置５００は、図１に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ４と、信号処理回路３と、を備える。通信装置５００は、アンテナ４を介して信号の送受信を行う。

信号処理回路３は、高周波モジュール１を通る信号を処理する。信号処理回路３は、例えば、ＲＦ信号処理回路５と、ベースバンド信号処理回路６と、を含む。

ベースバンド信号処理回路６は、図１に示すように、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、ＲＦ信号処理回路５に電気的に接続されている。ベースバンド信号処理回路６は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号処理回路６は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号として生成される。

ＲＦ信号処理回路５は、図１に示すように、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波モジュール１とベースバンド信号処理回路６との間に設けられている。ＲＦ信号処理回路５は、ベースバンド信号処理回路６からの送信信号に対して信号処理を行う機能と、アンテナ４で受信された受信信号に対して信号処理を行う機能とを有する。ＲＦ信号処理回路５は、マルチバンド対応の処理回路であり、複数の通信バンドの送信信号を生成して増幅することが可能である。

なお、通信装置５００では、ベースバンド信号処理回路６は必須の構成要素ではない。

（４）利点
以上、説明したように本実施形態の高周波モジュール１は、実装基板６０と、フィルタ（第１フィルタ１１）と、共通インダクタＬ１と、を備える。実装基板６０は、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。フィルタは、複数の直列腕共振子１０４及び複数の並列腕共振子１０５を有し、第１主面６１に配置されている。実装基板６０は、接地に用いられるグランド端子７１３を第２主面６２に有している。共通インダクタＬ１の第１端は、複数の並列腕共振子１０５のすべてと接続されている。共通インダクタＬ１の第２端は、グランド端子７１３に接続されている。

また、高周波モジュール１は、実装基板６０と、フィルタ（第１フィルタ１１）と、を備える。実装基板６０は、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。フィルタは、第１入出力端子１０１、第２入出力端子１０２及び複数のグランド端子１０３を有し、実装基板６０の第１主面６１に配置されている。実装基板６０は、接地に用いられるグランド端子７１３を第２主面６２に有し、第１主面６１と第２主面６２との間にビア導体６５０を有している。ビア導体６５０の第１端は、複数のグランド端子１０３のすべてと接続されている。ビア導体６５０の第２端は、グランド端子７１３に接続されている。

ビア導体６５０のインダクタンス成分は、共通インダクタＬ１のインダクタンス成分に寄与している。そのため、ビア導体６５０は、共通インダクタＬ１の一部として共通インダクタＬ１に含まれている。

図４に、共通インダクタＬ１に接続されていない第１フィルタ１１の等価回路のフィルタ通過特性（周波数特性）と、共通インダクタＬ１に接続されていない第１フィルタ１１のフィルタ通過特性（周波数特性）と、を示す。図４のグラフＧ１は、共通インダクタＬ１に接続されていない第１フィルタ１１の周波数特性の等価回路を表している。図４のグラフＧ２は、共通インダクタＬ１に接続されていない第１フィルタ１１の周波数特性を表している。図４でのグラフの縦軸は通過特性［ｄＢ］とし、横軸は周波数［ＧＨｚ］である。

グラフＧ２によると、等価回路は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯（２．４００ＧＨｚ〜２．４８３ＧＨｚ）で信号を通過させ、２．４ＧＨ帯の低周波数側付近の周波数帯（例えば、２．３ＧＨｚ〜２．３８ＧＨｚ）では、不要な信号を減衰させている。

一方、グラフＧ１によると、共通インダクタＬ１に接続されていない第１フィルタ１１は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯（２．４００ＧＨｚ〜２．４８３ＧＨｚ）で信号を通過させている。しかしながら、等価回路のように不要な信号を減衰させるべき周波数帯、例えば２．４ＧＨ帯の低周波数側付近の周波数帯（例えば、２．３ＧＨｚ〜２．３８ＧＨｚ）では、不要な信号は減衰していない。そのため、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯での通信の品質が低下する可能性がある。

図５に、共通インダクタＬ１と第１フィルタ１１とを含む等価回路のフィルタ通過特性（周波数特性）と、共通インダクタＬ１に接続されている第１フィルタ１１とのフィルタ通過特性（周波数特性）と、を示す。図５のグラフＧ１１は、共通インダクタＬ１に接続されている第１フィルタ１１の周波数特性を表している。図５のグラフＧ１２は、共通インダクタＬ１に接続されている第１フィルタ１１の等価回路の周波数特性を表している。図４でのグラフの縦軸は通過特性［ｄＢ］とし、横軸は周波数［ＧＨｚ］である。なお、図５に示す周波数特性は、第１フィルタ１１と共通インダクタＬ１とを含む構成での特性である。

グラフＧ１２によると、等価回路は、共通インダクタＬ１が接続されていない第１フィルタ１１の等価回路と同様に、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯（２．４００ＧＨｚ〜２．４８３ＧＨｚ）で信号を通過させ、２．４ＧＨ帯の低周波数側付近の周波数帯（例えば、２．３ＧＨｚ〜２．３８ＧＨｚ）では、不要な信号を減衰させている。

グラフＧ１１によると、共通インダクタＬ１に接続されている第１フィルタ１１は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯（２．４００ＧＨｚ〜２．４８３ＧＨｚ）で信号を通過させている。さらに、等価回路のように不要な信号を減衰させるべき周波数帯、例えば２．４ＧＨ帯の低周波数側付近の周波数帯（例えば、２．３ＧＨｚ〜２．３８ＧＨｚ）においては、不要な信号を減衰させている。そのため、Ｗｉ−Ｆｉ通信の２．４ＧＨｚ帯での通信の品質の低下を抑えることができる。すなわち、フィルタ特性の向上を図ることができる。

（５）変形例
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。

（５．１）変形例１
上記実施形態では、複数の並列腕共振子１０５のうち２つずつを束ねて、互いに異なるグランド端子１０３に接続する構成としたが、この構成に限定されない。

複数の並列腕共振子１０５のそれぞれは、互いに異なるグランド端子１０３に接続されてもよい。この場合、第１フィルタ１１は、並列腕共振子１０５の個数と同数のグランド端子１０３を有する。

例えば、図６に示すように、第２経路１０７，１０８，１０９，１１０上に一対一に設けられた複数（４つ）の並列腕共振子１０５は、複数のグランド端子１０３に一対一に接続されてもよい。この場合、複数のグランド端子１０３のすべては、共通インダクタＬ１の第１端に接続点Ｔ１０で接続されている。つまり、複数のグランド端子１０３は、１つに束ねられて共通インダクタＬ１に接続されている。

なお、第２経路１０７，１０８の組と、第２経路１０９，１１０の組とのうち一方の組は、実施形態と同様に１つに束ねられて、１つのグランド端子１０３に接続されてもよい。

（５．２）変形例２
第１フィルタ１１は、第２経路１０７〜１１０の各々に、並列腕共振子１０５と直列接続されているインダクタを備えてもよい。

例えば、第１フィルタ１１は、複数の並列腕共振子１０５のうち１つの並列腕共振子１０５ａと直列接続されているインダクタＬ１０を、更に備えてもよい（図７参照）。

この場合、インダクタＬ１０は、並列腕共振子１０５ａの端部であって複数の直列腕共振子が接続されている経路（第１経路１０６）上に接続されている端部（ノードＮ１との接続点）と、共通インダクタＬ１の第１端（例えば接続点Ｔ１０）との間の経路（第２経路１０７）上に配置されている。本変形例では、インダクタＬ１０は、並列腕共振子１０５ａとグランド端子１０３との間に配置されている。

なお、第２経路１０７，１０８の組と、第２経路１０９，１１０の組とのうち少なくとも１つの組は、実施形態と同様に１つに束ねられて、１つのグランド端子１０３に接続されてもよい。

（５．３）変形例３
第１フィルタ１１は、複数の並列腕共振子１０５から１つの並列腕共振子１０５を除く残りの並列腕共振子１０５のうち２つ以上の並列腕共振子１０５と直列接続されているインダクタＬ１１を、更に備えてもよい。

例えば、第１フィルタ１１は、複数の並列腕共振子１０５から１つの並列腕共振子１０５を除く残りの並列腕共振子１０５のうち２つ以上（ここでは、２つ）の並列腕共振子１０５（１０５ａ，１０５ｂ）と直列接続されているインダクタＬ１１を備えてもよい（図８参照）。

この場合、インダクタＬ１１は、２つ以上の並列腕共振子１０５ａ、１０５ｂのそれぞれの端部であって複数の直列腕共振子１０４が接続されている経路（第１経路１０６）上にそれぞれ接続されている端部（ここでは、ノードＮ１，Ｎ２のそれぞれとの接続点）と、共通インダクタＬ１の第１端との間の経路（第２経路１０７，１０８）上に配置されている。本変形例では、インダクタＬ１１は、第２経路１０７と第２経路１０８との接続点Ｔ２０とグランド端子１０３との間に配置されている。

なお、インダクタＬ１１に接続されていない複数の第２経路（ここでは、第２経路１０９，１１０）のうち少なくとも２つの第２経路は、１つに束ねられて、１つのグランド端子１０３に接続されてもよい。

（５．４）変形例４
変形例１と変形例２とを組み合わせてもよい。

例えば、第１フィルタ１１は、２つの並列腕共振子１０５ａ，１０５ｂと接続されているインダクタＬ１１と、並列腕共振子１０５ｃ，１０５ｄのそれぞれと直列接続されている２つのインダクタＬ１０を、更に備えてもよい（図９参照）。

なお、インダクタＬ１０に接続されている複数の第２経路（ここでは、第２経路１０９，１１０）のうち少なくとも２つの第２経路は、１つに束ねられて、１つのグランド端子１０３に接続されてもよい。

（５．５）変形例５
上記実施形態において、フィルタ１０は、３つのフィルタ（第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３）を含む構成としたが、この構成に限定されない。

フィルタ１０は、２つのフィルタ（第１フィルタ１１、第２フィルタ１２）を含む構成であってもよい。

（５．６）変形例６
上記実施形態において、第３フィルタ１３は、ウルトラハイバンド用フィルタとする構成としたが、この構成に限定されない。第３フィルタ１３は、第１フィルタ１１の所定通過帯域及び第２フィルタ１２の通過帯域の双方よりも低周波数側に通過帯域を有するフィルタであってもよい。すなわち、第３フィルタ１３は、第１フィルタ１１の所定通過帯域及び第２フィルタ１２の通過帯域の双方よりも高周波数側又は低周波数側に通過帯域を有するフィルタである。

または、第３フィルタ１３の通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ通信の５ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応してもよい。

（５．７）変形例７
上記実施形態において、高周波モジュール１は、アンテナ端子Ｔ１と、フィルタ１０と、第１処理部２０と、第２処理部３０と、第３処理部４０と、実装基板６０と、を備える構成としたが、この構成に限定されない。

高周波モジュール１は、フィルタ１０と、実装基板６０と、を備える構成であってもよい。または、高周波モジュール１は、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２を含むフィルタ装置１０ａと、実装基板６０と、を備える構成であってもよい。または、高周波モジュール１は、フィルタ１０の第１フィルタ１１と、第１フィルタ１１が配置された実装基板６０とを備える構成であってもよい。すなわち、高周波モジュール１は、少なくとも第１フィルタ１１と実装基板６０と、を備える構成であればよい。

（実施形態２）
本実施形態２では、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１フィルタ１１の第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２との間に、複数のビア導体を有する点が、実施形態１と異なっている。

以下、本実施形態２の高周波モジュール１Ａについて図１０〜図１９を参照して説明する。なお、実施形態１と同様の構成要素については、適宜省略する。

以下、本実施形態２に係る高周波モジュール１Ａについて説明する。なお、本実施形態２の通信装置５００は、本実施形態２の高周波モジュール１Ａ及び実施形態１で説明した信号処理回路３を備えることで実現される。

実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、実装基板６０Ａと、第１フィルタ１１と、を備える。実装基板６０Ａは、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。第１フィルタ１１は、第１入出力端子１０１及び第２入出力端子１０２を有し、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている。実装基板６０Ａは、第１ランド電極６７１と、第２ランド電極６７２と、グランド端子７１３（外部接続端子７１１）と、複数（例えば、５つ）のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６７１は、第１入出力端子１０１に接続されている。第２ランド電極６７２は、第２入出力端子１０２に接続されている。グランド端子７１３は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子７１３３に接続されている。複数のビア導体６４５は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２との間に位置している（図１０参照）。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、フィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

（１）構成
第１フィルタ１１は、実施形態１と同様に、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタである。第１フィルタ１１の所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している。所定通過帯域は、例えば、２４００ＭＨｚ−２４８３ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。

第２フィルタ１２は、例えば、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも低周波数側に通過帯域を有する。所定通過帯域よりも低周波数側の通過帯域は、例えば、１７１０ＭＨｚ−２３７０ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。第２フィルタ１２は、例えば、ミッドバンド用フィルタである。第２フィルタ１２は、例えば、バンドエリミネーションフィルタであり、第１フィルタ１１の所定通過帯域に阻止帯域を有し、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも高周波数側にも通過帯域を有する。所定通過帯域よりも高周波数側の通過帯域は、例えば、２４９６ＭＨｚ〜２６９０ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。第２フィルタ１２は、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも低周波数側と高周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有していればよい。

また、第３フィルタ１３は、例えば、第１フィルタ１１の所定通過帯域よりも高周波数側に通過帯域を有する。第３フィルタ１３は、例えば、ウルトラハイバンド（ＵＨＢ）用フィルタである。第３フィルタ１３の通過帯域は、例えば、３３００ＭＨｚ〜５０００ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。第３フィルタ１３の通過帯域は、３３００ＭＨｚ〜５０００ＭＨｚの周波数帯域に含まれていればよく、例えば、３４００ＭＨｚ−３６００ＭＨｚであってもよい。第３フィルタ１３の通過帯域は、第２フィルタ１２の通過帯域よりも高周波数側にある。図１６には、第１フィルタ１１のフィルタ特性を実線Ａ１で模式的に示し、第２フィルタ１２のフィルタ特性を破線Ｂ１で示し、第３フィルタ１３のフィルタ特性を一点鎖線Ｃ１で模式的に示してある。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａでは、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とを含む１つのフィルタ装置１０ａと、第３フィルタ１３と、が実装基板６０Ａに実装されている。高周波モジュール１Ａは、図１７に示すように、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２と第３フィルタ１３とを含むマルチプレクサを構成している。ここにおいて、第２フィルタ１２は、第１入出力端子１２１と、第２入出力端子１２２と、を有する。また、第３フィルタ１３は、第１入出力端子１３１と、第２入出力端子１３２と、を有する。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａは、複数の外部接続端子７１１を備える。複数の外部接続端子７１１は、アンテナ端子Ｔ１、入出力端子７１２，７１４，７１５と、複数のグランド端子７１３とを含む（図１０、図１５Ｄ参照）。アンテナ端子Ｔ１は、第１フィルタ１１の第１入出力端子１０１と、第２フィルタ１２の第１入出力端子１２１と、第３フィルタ１３の第１入出力端子１３１とが接続されている。入出力端子７１２は、第１フィルタ１１の第２入出力端子１０２が接続されている。入出力端子７１４は、第２フィルタ１２の第２入出力端子１２２が接続されている。入出力端子７１５は、第３フィルタ１３の第２入出力端子１３２が接続されている。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａは、実施形態１と同様に、第１フィルタ１１の第２入出力端子１０２と入出力端子７１２との間に接続された第１整合回路を備えていてもよい。

また、高周波モジュール１Ａは、第２フィルタ１２の第２入出力端子１２２と入出力端子７１４との間に接続された整合回路１５２を備える。整合回路１５２は、例えば、入出力端子７１４において第２フィルタ１２側とは反対側に接続される回路と、第２フィルタ１２と、のインピーダンスを整合させるための回路である。

また、高周波モジュール１Ａは、第３フィルタ１３の第２入出力端子１３２と入出力端子７１５との間に接続された整合回路１５３を備える。整合回路１５３は、例えば、入出力端子７１５において第３フィルタ１３側とは反対側に接続される回路と、第３フィルタ１３と、のインピーダンスを整合させるための回路である。

（２）構造
ここでは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａの構造、特に実施形態２に係る実装基板６０Ａの構造について説明する。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａは、図１０及び図１１に示すように、フィルタ１０と、複数（図示例では６つ）の電子部品１６と、実装基板６０Ａと、を備える。実装基板６０Ａは、アンテナ端子Ｔ１を有する。フィルタ１０は、実施形態１と同様に、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、第３フィルタ１３と、を含む。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａでは、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、第３フィルタ１３と、複数の電子部品１６とが、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている。複数の電子部品１６は、整合回路１４１，１４２，１５２，１５３の構成要素（インダクタ、キャパシタ等）を含む。

実装基板６０Ａは、図１０及び図１３に示すように、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。実装基板６０Ａは、例えば、複数（例えば、２０層）の誘電体層及び複数（例えば、２０層）の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、第１ランド電極６７１と、第２ランド電極６７２と、複数の第３ランド電極６７３と、グランド端子７１３と、グランド層６６０と、を含む。実装基板６０Ａは、図１５Ｄに示すように、グランド端子７１３を複数（例えば、９個）有している。本実施形態２の高周波モジュール１Ａでは、複数のグランド端子７１３とグランド層６６０とが、実装基板６０Ａの有する複数（例えば、１５個）のビア導体６５２（図１０、及び図１３参照）により接続されている。

実装基板６０Ａの第１主面６１及び第２主面６２は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板６０Ａにおける第１主面６１は、例えば、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板６０Ａにおける第２主面６２は、例えば、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板６０Ａの第１主面６１及び第２主面６２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板６０Ａは、正方形状であるが、これに限らず、例えば、長方形状であってもよいし、四角形以外の多角形状であってもよい。

第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び複数の電子部品１６は、実装基板６０Ａに実装されている。ここにおいて、実装基板６０Ａに実装されているとは、実装基板６０Ａに配置されていること（機械的に接続されていること）と、実装基板６０Ａ（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。本実施形態の高周波モジュール１Ａは、実装基板６０Ａ内に設けられる回路素子を含んでもよい。

第１フィルタ１１は、第１入出力端子１０１、第２入出力端子１０２、及び複数（ここでは、２つ）のグランド端子１０３を有する。また、複数の電子部品１６は、表面実装型のインダクタ又は表面実装型のキャパシタであり、２つの電極を有する。これらに対し、実装基板６０Ａは、図１０及び１２に示すように、複数のグランド端子１０３にそれぞれ接続される複数（ここでは、２つ）の第３ランド電極６７３を更に有する。また、実装基板６０Ａは、複数（６個）の電子部品１６の各々に対して、電子部品１６の２つの電極が接続される２つのランド電極を有している。つまり、実装基板６０Ａは、１２個のランド電極を有している。なお、複数（１２個）のランド電極の各々の形状は、第１ランド電極６７１、第２ランド電極６７２及び複数の第３ランド電極６７３の各々の形状と同様に、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、四角形状である。

本実施形態２の実装基板６０Ａでは、図１５Ａに示すように、第２ランド電極６７２が、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板６０Ａの第１主面６１の１つの角部６０ａ（図１０参照）に配置されている。また、実装基板６０Ａでは、複数の第３ランド電極６７３と、第２ランド電極６７２とが、実装基板６０Ａの平面視において、実装基板６０Ａの外周に沿った方向で並んでいる。本実施形態２の実装基板６０Ａでは、図１１に示すように、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６７１の中心と第２ランド電極６７２の中心とを結ぶ直線ＤＡ１を１つの対角線とする直角四辺形ＳＱ１の４つの頂点に、第１ランド電極６７１、第２ランド電極６７２、複数の第３ランド電極６７３が１つずつ位置している。複数の第３ランド電極６７３の各々の中心については、直角四辺形ＳＱ１の頂点と一致しているが、これに限らず、変位していてもよい。

第１フィルタ１１は、図１４に示すように、圧電性基板１１５と、複数（例えば、９つ）のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１１６と、第１入出力端子１０１と、第２入出力端子１０２と、２つのグランド端子１０３と、を有する。圧電性基板１１５は、互いに対向する第１主面１１０１及び第２主面１１０２を有する。ＩＤＴ電極１１６は、圧電性基板１１５の第１主面１１０１上に設けられている。圧電性基板１１５１は、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。

また、第１フィルタ１１は、パッケージ構造の構成要素として、スペーサ層１１８と、カバー部材１１９と、第１入出力端子１０１と、第２入出力端子１０２と、２つのグランド端子１０３と、を有している。

スペーサ層１１８及びカバー部材１１９は、圧電性基板１１５の第１主面１１０１側に設けられる。スペーサ層１１８は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数のＩＤＴ電極１１６を囲んでいる。実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、スペーサ層１１８は、矩形枠状である。スペーサ層１１８は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１１８の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。カバー部材１１９は、平板状である。カバー部材１１９は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において圧電性基板１１５に対向するようにスペーサ層１１８上に配置されている。カバー部材１１９は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において複数のＩＤＴ電極１１６と重複し、かつ、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において複数のＩＤＴ電極１１６から離れている。カバー部材１１９は、電気絶縁性を有する。カバー部材１１９の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド等である。第１フィルタ１１は、圧電性基板１１５とスペーサ層１１８とカバー部材１１９とで囲まれた空間１１７を有する。第１フィルタ１１では、空間１１７には、気体が入っている。気体は、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。

第１フィルタ１１における、第１入出力端子１０１と、第２入出力端子１０２と、２つのグランド端子１０３とは、カバー部材１１９から露出している。第１入出力端子１０１と、第２入出力端子１０２と、２つのグランド端子１０３との各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。

第２フィルタ１２は、図１０及び図１１に示すように、第１入出力端子１２１及び第２入出力端子１２２を有する。実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とで圧電性基板１１５が共用されており、１パッケージのフィルタ装置１０ａが、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている。フィルタ１０が実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されるとは、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２が実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されていることを意味する。ここにおいて、フィルタ装置１０ａは、実装基板６０Ａの第１主面６１に実装されている。

フィルタ装置１０ａは、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長方形状である。フィルタ装置１０ａでは、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長手方向の半分が第１フィルタ１１を構成し、残りの部分が第２フィルタ１２を構成している。実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視での、フィルタ装置１０ａにおける第１フィルタ１１の占有面積と第２フィルタ１２の占有面積との比率は１：１であるが、これに限らない。第１フィルタ１１では、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、フィルタ装置１０ａの２つの長辺のうち一方の長辺に沿って第２入出力端子１０２とグランド端子１０３ａとが並んでおり、他方の長辺に沿ってグランド端子１０３ｂと第１入出力端子１０１とが並んでおり、２つの短辺のうちの一方の短辺に沿って第２入出力端子１０２と、グランド端子１０３ｂとが並んでいる。また、第１フィルタ１１では、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、フィルタ装置１０ａの４つの角部のうち１つの角部に第２入出力端子１０２が位置している。

第３フィルタ１３は、図１１及び図１７に示すように、第１入出力端子１３１及び第２入出力端子１３２を有する。第３フィルタ１３は、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている。ここにおいて、第３フィルタ１３は、実装基板６０Ａの第１主面６１に実装されている。第３フィルタ１３は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、長方形状であり、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２から離れている。

複数の電子部品１６は、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている。ここにおいて、複数の電子部品１６は、実装基板６０Ａの第１主面６１に実装されている。

上述のように、本実施形態２の実装基板６０Ａは、第１ランド電極６７１と、第２ランド電極６７２と、グランド端子７１３と、複数（例えば、５つ）のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６７１は、第１入出力端子１０１に接続されている。第２ランド電極６７２は、第２入出力端子１０２に接続されている。グランド端子７１３は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子７１３に接続されている。

複数のビア導体６４５の各々は、円柱状である。複数のビア導体６４５の各々は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１に沿って配置されている。複数のビア導体６４５の各々は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、円形状である。

実装基板６０Ａは、図１０に示すように、第３ランド電極６７３に接続されたビア導体６４３と、第３ランド電極６１３ａに接続されたビア導体６４４と、２つのビア導体６４３，６４４と５つのビア導体６４５とを接続している内層配線部６４６と、を有する。これにより、第１フィルタ１１の２つのグランド端子１０３は、５個のビア導体６４５に電気的に接続されている。内層配線部６４６は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において、ビア導体６４３と、ビア導体６４４と、５個のビア導体６４５と、に重なっている。内層配線部６４６は、５個のビア導体６４５を実装基板６０Ａの第１主面６１側において接続している。

また、実装基板６０Ａは、５個のビア導体６４５を実装基板６０Ａの第２主面６２側において接続している第１配線部６３０（以下、内層配線部６３０という）を有する。内層配線部６３０は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において、５個のビア導体６４５に重なっている。

実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、図１５Ｄに示すように、グランド端子７１３を複数（９個）有している。複数のグランド端子７１３の各々の表面は、第２主面６２の一部を構成している。

実装基板６０Ａは、複数（５個）のビア導体６４５と複数（９個）のグランド端子７１３とに接続されているグランド層６６０を更に備える。グランド層６６０は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において、５個のビア導体６４５と９個のグランド端子７１３との間に位置している。

グランド層６６０は、厚さ方向Ｄ１からの平面視において、５個のビア導体６４５及び９個のグランド端子７１３に重なっている。実装基板６０Ａでは、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において、グランド層６６０と第２主面６２との距離が、グランド層６６０と第１主面６１との距離よりも短い。実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において、５個のビア導体６４５の各々の長さは、第１主面６１と第２主面６２との距離よりも短く、グランド層６６０と第２主面６２との距離よりも長い。５個のビア導体６４５の各々の長さは、ビア導体６４３及びビア導体６４４の長さよりも長い。実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、５個のビア導体６４５の長さが互いに同じであるが、異なっていてもよい。５個のビア導体６４５とグランド層６６０とは、内層配線部６３０に接続されたビア導体６５０と、ビア導体６５０に接続された第２配線部６５５（以下、内層配線部６５５という）と、内層配線部６５５に接続されたビア導体６５１とを介して電気的に接続されている。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａでは、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、グランド層６６０の面積が、フィルタ１０の面積よりも大きい。グランド層６６０は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、アンテナ端子Ｔ１、入出力端子７１２，７１４，７１５に重ならない。

本実施形態１の高周波モジュール１Ａは、複数のビア導体６４５とは異なり、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１においてグランド層６６０とグランド端子７１３との間に位置しグランド層６６０とグランド端子７１３とを接続しているビア導体６５２を更に備える。本実施形態２の高周波モジュール１Ａは、９個のグランド端子７１３のうち実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１の平面視で真ん中に位置するグランド端子７１３の大きさが、他の８個のグランド端子７１３の大きさよりも大きい。真ん中に位置するグランド端子７１３とグランド層６６０とは複数（例えば、７個）のビア導体６５２により接続され、他の８のグランド端子７１３とグランド層６６０とは１個のビア導体６５２により接続されている。

複数のビア導体６４５は、図１２に示すように、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２との間に位置している。「第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２との間に位置している」とは、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、複数のビア導体６４５それぞれの中心が、第１ランド電極６７１の中心と第２ランド電極６７２の中心とを結ぶ直線ＤＡ１を１つの対角線とする直角四辺形ＳＱ１の内側にある。ここで、複数のビア導体６４５のうち直線ＤＡ１上にないビア導体６４５に関しては、第１ランド電極６７１の中心とビア導体６４５の中心と第２ランド電極６７２の中心とを頂点とする仮想三角形において、ビア導体６４５の中心に対応する頂点での頂角αが９０度よりも大きく１８０度よりも小さい。複数のビア導体６４５のうち、ビア導体６４３の最も近いビア導体６４５及びビア導体６４４に最も近いビア導体６４５は、実施形態１のビア導体６１０に相当する。

複数のビア導体６４５のうち隣り合う２つのビア導体６４５間の距離は、所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である。所定通過帯域は、例えば、２４００ＭＨｚ〜２４８３ＭＨｚの周波数帯域に含まれる。所定通過帯域の中心周波数は、例えば、２４４１．５ＭＨｚである。

実装基板６０Ａは、図１０、図１４及び図１５Ａ〜図１５Ｃに示すように、第１ランド電極６７１に接続されている第１配線部６４１と、第２ランド電極６７２に接続されている第２配線部６４２と、を更に備える。第２配線部６４２は、実施形態１のビア導体６００（６０１）に相当する。複数のビア導体６４５は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１配線部６４１と第２配線部６４２との間に位置している（図１５Ｂ参照）。第１配線部６４１は、複数の配線用ビア導体と、複数の内層配線部と、を含む。第２配線部６４２は、第２ランド電極６７２と入出力端子７１２とを接続している配線用ビア導体を含む。

本実施形態２の高周波モジュール１Ａは、樹脂層７を更に備える（図１４参照）。樹脂層７は、実装基板６０Ａの第１主面６１側において実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている複数の回路素子を覆っている。ここにおいて、樹脂層７は、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている複数の回路素子を封止している。実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている複数の回路素子は、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第３フィルタ１３及び複数の電子部品１６を含む。樹脂層７は、樹脂を含む。樹脂層７は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

また、本実施形態２の高周波モジュール１Ａは、シールド層を更に備えてもよい。シールド層の材料は、例えば、金属である。シールド層は、例えば、樹脂層７の主面及び外周面と、実装基板６０Ａの外周面と、を覆う。

（３）高周波モジュールの特性
図１８は、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａにおける第１フィルタ１１のフィルタ通過特性Ａ１１と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタのフィルタ通過特性Ａ１２と、を示すグラフである。比較例に係る高周波モジュールは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａの複数のビア導体６４５を備えていない点で、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと相違する。

図１８から、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、比較例に係る高周波モジュールと比べて、第１フィルタ１１の所定通過帯域の低周波数側及び高周波数側において高減衰となるフィルタ通過特性を得られることが分かる。

図１９は、実施形態２に係る高周波モジュールにおける第１フィルタ１１の第１入出力端子−第２入出力端子間のアイソレーション特性Ｂ１１と、比較例に係る高周波モジュールにおける第１フィルタの第１入出力端子−第２入出力端子間のアイソレーション特性Ｂ１２と、を示すグラフである。

図１９から、実施形態１に係る高周波モジュール１Ａでは、比較例に係る高周波モジュールと比べて、第１フィルタ１１の所定通過帯域を含む少なくとも１．７ＧＨｚ−２．８ＧＨｚの周波数帯域において第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２との間のアイソレーションを向上できることが分かる。

（４）利点
実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、実装基板６０Ａと、第１フィルタ１１と、を備える。実装基板６０Ａは、互いに対向する第１主面６１及び第２主面６２を有する。第１フィルタ１１は、第１入出力端子１０１及び第２入出力端子１０２を有し、実装基板６０Ａの第１主面６１に配置されている。実装基板６０Ａは、第１ランド電極６７１と、第２ランド電極６７２と、グランド端子７１３と、複数のビア導体６４５と、を有する。第１ランド電極６７１は、第１入出力端子１０１に接続されている。第２ランド電極６７２は、第２入出力端子１０２に接続されている。グランド端子７１３は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置している。複数のビア導体６４５は、第１主面６１と第２主面６２との間に配置されており、グランド端子７１３に接続されている。複数のビア導体６４５は、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２との間に位置している。

実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、第１フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

ここにおいて、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、第１フィルタ１１の第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２との間のアイソレーションが向上し、第１フィルタ１１のフィルタ特性が向上する。実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、複数のビア導体６４５を備えることによって、第１フィルタ１１の第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２との、実装基板６０Ａを介しての電磁界結合を抑制できる。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａは、アイソレーションを向上でき、高減衰なフィルタ特性を実現できる。

また、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、複数のビア導体６４５が、実装基板６０Ａの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１配線部６４１と第２配線部６４２との間に位置している。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、第１配線部６４１と第２配線部６４２との電磁界結合を抑制でき、フィルタ特性の更なる向上を図れる。

また、実施形態２に係る通信装置５００は、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと、信号処理回路３と、を備える。信号処理回路３は、高周波モジュール１Ａの第１フィルタ１１を通過する高周波信号を信号処理する。

実施形態２に係る通信装置５００は、高周波モジュール１Ａを備えるので、第１フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図れる。

信号処理回路３を構成する複数の電子部品は、例えば、高周波モジュール１Ａが実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。

（５）変形例
（５．１）変形例１
実施形態２の変形例１に係る高周波モジュール１について、図２０を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例１に係る高周波モジュール１は、第３フィルタ１３として、衛星測位システム（ＧＮＳＳ）のＬ５帯に対応するバンドパスフィルタを採用している点で、実施形態２に係る高周波モジュール１と相違する。Ｌ５帯は、１１６４．４ＭＨｚ−１１８７．９５ＭＨｚである。第３フィルタ１３は、ＧＮＳＳのＬ５帯に限らず、Ｌ１帯に対応するバンドパスフィルタであってもよい。Ｌ１帯は、１５５９ＭＨｚ−１６０６ＭＨｚである。また、第３フィルタ１３は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の５ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応していてもよい。Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の５ＧＨｚ帯の周波数帯域は、５１５０ＭＨｚ−７１２５ＭＨｚである。

また、変形例１に係る高周波モジュール１は、複数（４つ）の整合回路１４０，１４２，１５２，１５３を備えていない点でも、実施形態１に係る高周波モジュールと相違する。

（５．２）変形例２
実施形態２の変形例２に係る高周波モジュール１について、図２１を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例２に係る高周波モジュール１は、第３フィルタ１３として、第１フィルタ１１よりも低周波数側に通過帯域を有するローパスフィルタを採用している点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。本変形例２の第３フィルタ１３の通過帯域は、例えば、６１７ＭＨｚ−９６０ＭＨｚである。

また、変形例２に係る高周波モジュール１は、複数（４つ）の整合回路１４０，１４２，１５２，１５３を備えていない点でも、実施形態１に係る高周波モジュールと相違する。

（５．３）変形例３
変形例３に係る高周波モジュール１Ｂについて、図２２〜図２５Ｄを参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａにおける実装基板６０Ａの代わりに、実装基板６０Ｂを備える点で、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと相違する。変形例３に係る高周波モジュール１Ｂに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

また、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、電子部品１６を７つ備える点で、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと相違する。変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａにおける第３フィルタ１３を備えていないが、これに相当するＬＣフィルタを電子部品１６及び実装基板６０Ｂで形成してある。

図２２及び図２３に示すように、実装基板６０Ｂ上に配置される第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び複数の電子部品１６のレイアウトが、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａとは相違する。

高周波モジュール１Ｂでは、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板６０Ｂは、長方形状である。高周波モジュール１Ｂでは、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１フィルタ１１が、実装基板６０Ｂの第１主面６１の４つの角部から離れて配置されている。以下では、説明の便宜上、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板６０Ｂの第１主面６１の４つの角部に関して、図２２の右上の角部を第１角部と称し、左上の角部を第２角部と称し、左下の角部を第３角部と称し、右下の角部を第４角部と称する。

高周波モジュール１Ｂでは、第１フィルタ１１は、第２入出力端子１０２とグランド端子１０３（１０３ｂ）とが、実装基板６０Ｂの２つの長辺のうち一方の長辺（第１角部と第２角部との間の長辺）の近傍で、この長辺に沿った方向において並んでいる。また、高周波モジュール１Ｂでは、第２入出力端子１０２とグランド端子１０３（１０３ａ）とが、実装基板６０Ｂの２つの短辺のうち一方の短辺（第１角部と第４角部との間の短辺）の近傍で、この短辺に沿った方向において並んでいる。

実装基板６０Ｂでは、実装基板６０Ｂの第２主面６２の４つの角部のうち第１主面６１の第１角部に実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１において重なる角部に、入出力端子７１２（外部接続端子７１１）が配置されている。これにより、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１において、第１フィルタ１１の第２入出力端子１０２と入出力端子７１２とが重ならない。

高周波モジュール１Ｂでは、第２配線部６４２は、図２４及び図２５Ａ〜図２５Ｃに示すように、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１に沿って配置されている２つの配線用ビア導体６４２１，６４２３と、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１に直交する面に沿って配置されている内層導体部６４２２と、を含む。高周波モジュール１Ｂでは、第２ランド電極６７２が配線用ビア導体６４２１に接続され、配線用ビア導体６４２１が内層導体部６４２２に接続され、内層導体部６４２２が配線用ビア導体６４２３に接続され、配線用ビア導体６４２３が入出力端子７１２（図２４及び図２５Ｄ参照）に接続されている。実施形態２に係る高周波モジュール１Ａでは、第２配線部６４２が直線状であるのに対し、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂでは、第２配線部６４２は、クランク状の形状となっている。

実装基板６０Ｂは、グランド層６６０（以下、第１グランド層６６０ともいう）とは別の第２グランド層６６３を更に有する。第２グランド層６６３は、実装基板６０Ｂの第１主面６１と内層導体部６４２２との間に配置されている。第２グランド層６６３は、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、内層導体部６４２２に重なっている。第２グランド層６６３は、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、入出力端子７１２にも重なっている。

変形例３に係る高周波モジュール１Ｂでは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと同様、複数のビア導体６４５が、実装基板６０Ｂの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２との間に位置している。これにより、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、第１フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

また、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、第２グランド層６６３を有しているので、第２配線部６４２と第１配線部６４１との間のアイソレーションの向上を図れ、第１フィルタ１１の第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２との間のアイソレーションの向上を図れる。

変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、例えば、図１に示す通信装置５００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。

変形例３の更なる変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、図２６を参照して説明する。更なる変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、複数の電子部品１６を備えていない点で、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂと相違する。また、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂでは、マルチプレクサがトリプレクサであるのに対し、変形例３の変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、マルチプレクサが、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２と含むダイプレクサである。変形例３の変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、例えば、図１に示した実施形態１に係る通信装置５００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。この場合、通信装置５００は、第３処理部４０を備えていない。

（５．４）変形例４
変形例４に係る高周波モジュール１Ｃについて、図２７及び図２８を参照して説明する。変形例４に係る高周波モジュール１Ｃは、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂにおける実装基板６０Ｂの代わりに、実装基板６０Ｃを備える点で、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂと相違する。変形例４に係る高周波モジュール１Ｃに関し、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実装基板６０Ｃは、第１主面６１と第２主面６２とをつないでいる４つの側面６３，６４，６５，６６を有する。実装基板６０Ｃは、実装基板６０Ｂと比べて、グランド層６６０のサイズが大きく、グランド層６６０の外周縁が、４つの側面６３，６４，６５，６６に至っている。高周波モジュール１Ｃは、４つの側面６３，６４，６５，６６のうち第２配線部６４２に近い２つの側面６３，６４の各々に配置されグランド層６６０につながっている２つの側面グランド層８３，８４を更に備える。

また、高周波モジュール１Ｃは、側面６５，６６の各々に配置されグランド層６６０につながっている２つの側面グランド層８５，８６を更に備える。

変形例４に係る高周波モジュール１Ｃでは、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと同様、複数のビア導体６４５が、実装基板６０Ｃの厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ランド電極６７１と第２ランド電極６７２との間に位置している。これにより、変形例４に係る高周波モジュール１Ｃは、第１フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

また、変形例４に係る高周波モジュール１Ｃは、第２配線部６４２に近い２つの側面６３，６４の各々に配置されグランド層６６０につながっている２つの側面グランド層８３，８４を更に備えるので、第１入出力端子１０１と第２入出力端子１０２との間のアイソレーションの向上を図ることが可能となる。

変形例４に係る高周波モジュール１Ｃは、例えば、図１に示す通信装置５００の備える高周波モジュール１の代わりに用いることができる。

（５．５）変形例５
変形例５に係る高周波モジュール１Ｄについて、図２９を参照して説明する。変形例５に係る高周波モジュール１Ｄに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１Ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、変形例５に係る高周波モジュール１Ｄは、例えば、実施形態２に係る通信装置５００の高周波モジュール１Ａの代わりに用いることができる。

変形例５に係る高周波モジュール１Ｄは、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２とが１パッケージ化されておらず、互いに離れている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

変形例５に係る高周波モジュール１Ｄでは、第１フィルタ１１のフィルタ特性の向上を図れるだけでなく、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の配置の自由度が高くなる。

なお、変形例５に係る高周波モジュール１Ｄは、例えば、実施形態１に係る通信装置５００の高周波モジュール１の代わりに用いてもよい。

（その他の変形例）
上記の実施形態１〜２及び各変形例は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１〜２及び各変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

また、第１フィルタ１１、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３は、弾性表面波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

第１フィルタ１１は、パッケージ構造を有していないベアチップであってもよい。また、第１フィルタ１１は、弾性表面波を利用する弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷフィルタであってもよい。また、第１フィルタ１１は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。

第１フィルタ１１の圧電性基板１１５は、圧電基板に限らず、例えば、圧電体層を含む積層型基板でもよい。

積層型基板は、例えば、支持基板と、支持基板上に設けられた低音速膜と、低音速膜上に設けられた圧電体層と、を有する。

支持基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。低音速膜は、支持基板の第１主面上に設けられている。

圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレート又はリチウムニオベイトである。低音速膜は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。支持基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、支持基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、支持基板を伝搬するバルク波は、支持基板を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。支持基板の材料は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

積層型基板は、支持基板と低音速膜との間に設けられている高音速膜を更に有していてもよい。高音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。高音速膜の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。

積層型基板は、例えば、低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、積層型基板は、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。誘電体膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。また、第１フィルタ１１は、圧電性基板１１５上に設けられて複数のＩＤＴ電極１１６を覆っている保護膜を更に備えていてもよい。保護膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。

高周波モジュール１（１Ａ）は、少なくとも、実装基板６０（６０Ａ）と、第１フィルタ１１と、を備えていればよく、第２フィルタ１２及び第３フィルタ１３は、必須ではない。

また、高周波モジュール１（１Ａ）は、第１処理部２０において、パワーアンプを含む送信経路とローノイズアンプを含む受信経路とのうち一方を有していればよく、第２処理部３０及び第３処理部は、必須ではない。

（まとめ）
以上説明したように、第１の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）と、フィルタ（例えば第１フィルタ１１）と、共通インダクタ（Ｌ１）と、を備える。実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、互いに対向する第１主面（６１）及び第２主面（６２）を有する。フィルタは、複数の直列腕共振子（１０４）及び複数の並列腕共振子（１０５）を有し、第１主面（６１；）に配置されている。実装基板（６０；）は、接地に用いられるグランド端子（７１３）を第２主面（６２；）に有している。共通インダクタ（Ｌ１）の第１端は、複数の並列腕共振子（１０５）のすべてと接続されている。共通インダクタ（Ｌ１）の第２端は、グランド端子（７１３）に接続されている。

この構成によると、フィルタ特性の向上を図ることができる。

第２の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１の態様において、共通インダクタ（Ｌ１）は、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）に設けられたビア導体（６５０）を含む。ビア導体（６５０）の第１端は、複数の並列腕共振子（１０５）のすべてと接続されている。ビア導体（６５０）の第２端は、グランド端子（７１３）に接続されている。

この構成によると、複数の並列腕共振子（１０５）のすべては、１つのビア導体（６５０）を介してグランド端子（７１３）に接続されることができる。

第３の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２の態様において、共通インダクタ（Ｌ１）は、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）に設けられた、ビア導体（６５０）としての第１ビア導体とは異なる第２ビア導体（例えば、ビア導体６５１）と、配線部（例えば、第２配線部６５５）と、を更に含む。第１ビア導体の第２端は、第２ビア導体の第１端と配線部を介して接続されている。第２ビア導体の第２端は、グランド端子（７１３）に接続されている。

この構成によると、ビア導体（６５０）である第１ビア導体は、第２ビア導体及び配線部（第２配線部６５５）を介してグランド端子（７１３）に接続されることができる。

第４の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１〜第３のいずれかの態様において、複数の並列腕共振子（１０５）のうち１つの並列腕共振子（１０５）と直列接続されているインダクタ（Ｌ１０）を、更に備える。インダクタ（Ｌ１０）は、上記１つの並列腕共振子（１０５）の端部であって複数の直列腕共振子（１０４）が接続されている経路（例えば、第１経路１０６）上に接続されている端部と、共通インダクタ（Ｌ１）の第１端との間の経路（例えば第２経路１０７）上に配置されている。

この構成によると、複数の並列腕共振子（１０５）のうち１つの並列腕共振子（１０５）と直列接続されているインダクタ（Ｌ１０）を、更に備える場合であっても、フィルタを通過する信号を用いた通信の品質の低下を抑えることができる。また、インダクタ（Ｌ１０）を備えることで、フィルタのフィルタ特性をより良くすることができる。

第５の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１〜第３のいずれかの態様において、インダクタ（Ｌ１１）を、更に備える。インダクタ（Ｌ１１）は、複数の並列腕共振子（１０５）から１つの並列腕共振子（１０５）を除く残りの並列腕共振子（１０５）のうち２つ以上の並列腕共振子（１０５）と直列接続されている。インダクタ（Ｌ１１）は、上記２つ以上の並列腕共振子（１０５）のそれぞれの端部であって複数の直列腕共振子（１０４）が接続されている経路（例えば、第１経路１０６）上にそれぞれ接続されている端部と、共通インダクタ（Ｌ１）の第１端との間の経路上に配置されている。

この構成によると、複数の並列腕共振子（１０５）から１つの並列腕共振子（１０５）を除く残りの並列腕共振子（１０５）のうち２つ以上の並列腕共振子（１０５）と直列接続されているインダクタ（Ｌ１１）を備える場合であっても、フィルタを通過する信号を用いた通信の品質の低下を抑えることができる。また、インダクタ（Ｌ１１）を備えることで、フィルタのフィルタ特性をより良くすることができる。

第６の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）と、フィルタ（第１フィルタ１１）と、を備える。実装基板（６０；）は、互いに対向する第１主面（６１）及び第２主面（６２）を有する。フィルタは、第１入出力端子（１０１）、第２入出力端子（１０２）及び複数のグランド端子（１０３）を有し、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）に配置されている。実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、接地に用いられるグランド端子（７１３）を第２主面（６２）に有し、第１主面（６１）と第２主面（６２）との間にビア導体（６５０）を有している。ビア導体（６５０）の第１端は、複数のグランド端子（１０３）のすべてと接続されている。ビア導体（６５０）の第２端は、グランド端子（７１３）に接続されている。

この構成によると、すなわち、フィルタ特性の向上を図ることができる。

第７の態様の高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第６の態様において、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に、ビア導体（６５０）とは異なる別のビア導体（６５１）と、配線部（例えば、第２配線部６５５）と、を更に含む。ビア導体（６５０）の第２端は、別のビア導体（６５１）の第１端と配線部を介して接続されている。別のビア導体（６５１）の第２端は、グランド端子（７１３）に接続されている。

この構成によると、ビア導体（６５０）は、別のビア導体（６５１）及び配線部（第２配線部６５５）を介してグランド端子（７１３）に接続されることができる。

第８の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第６又は第７の態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１ランド電極（６７１）と、第２ランド電極（６７２）と、複数の第２ビア導体（例えば、ビア導体６４５）と、を更に有している。第１ランド電極（６７１）は、第１入出力端子（１０１）に接続されている。第２ランド電極（６７２）は、第２入出力端子（１０２）に接続されている。複数の第２ビア導体は、第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に配置され、ビア導体（６５０）としての第１ビア導体とは異なる。複数の第２ビア導体は、グランド端子（７１３）に接続されている。複数の第２ビア導体は、実装基板（６０；６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１ランド電極（６７１）と第２ランド電極（６７２）との間に位置している。

この構成によると、フィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

第９の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第８の態様において、フィルタは、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタ（例えば、第１フィルタ１１）を含む。

第１０の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第９の態様において、所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している。

第１１の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第９又は第１０の態様において、フィルタは、複数の直列腕共振子（１０４）と複数の並列腕共振子（１０５）とを有するラダー型フィルタである。

この構成によると、減衰特性の向上を図ることが可能となる。

第１２の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１１の態様において、複数の並列腕共振子（１０５）のうち１つの並列腕共振子（１０５）と直列接続されているインダクタ（Ｌ１０）を、更に備える。インダクタ（Ｌ１０）は、上記１つの並列腕共振子（１０５）の端部であって複数の直列腕共振子（１０４）が接続されている経路（例えば、第１経路１０６）上に接続されている端部と、ビア導体（６５０）の第１端との間の経路（例えば、第２経路１０７）上に配置されている。

この構成によると、複数の並列腕共振子（１０５）のうち１つの並列腕共振子（１０５）と直列接続されているインダクタ（Ｌ１０）を、更に備える場合であっても、フィルタを通過する信号を用いた通信の品質の低下を抑えることができる。また、インダクタ（Ｌ１０）を備えることで、フィルタのフィルタ特性をより良くすることができる。

第１３の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第１１の態様において、インダクタ（Ｌ１１）を、更に備える。インダクタ（Ｌ１１）は、複数の並列腕共振子（１０５）から１つの並列腕共振子（１０５）を除く残りの並列腕共振子（１０５）のうち２つ以上の並列腕共振子（１０５）と直列接続されている。インダクタ（Ｌ１１）は、２つ以上の並列腕共振子（１０５）のそれぞれの端部であって複数の直列腕共振子（１０４）が接続されている経路（例えば、第１経路１０６）上にそれぞれ接続されている端部と、ビア導体（６５０）の第１端との間の経路上に配置されている。

この構成によると、複数の並列腕共振子（１０５）から１つの並列腕共振子（１０５）を除く残りの並列腕共振子（１０５）のうち２つ以上の並列腕共振子（１０５）と直列接続されているインダクタ（Ｌ１１）を備える場合であっても、フィルタを通過する信号を用いた通信の品質の低下を抑えることができる。また、インダクタ（Ｌ１１）を備えることで、フィルタのフィルタ特性をより良くすることができる。

第１４の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第９〜第１３のいずれかの態様において、フィルタである第１フィルタ（１１）とは別に、第２フィルタ（１２）を更に備える。第２フィルタ（１２）は、上記所定通過帯域の高周波数側と低周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有するフィルタである。

この構成によると、第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）とを含むマルチプレクサとして用いる場合に、第１フィルタ（１１）のフィルタ特性が第２フィルタ（１２）のフィルタ特性に影響するのを抑制することが可能となる。

第１５の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１４の態様において、第３フィルタ（１３）を更に備える。第３フィルタ（１３）は、フィルタ（第１フィルタ１１）の所定通過帯域及び第２フィルタ（１２）の通過帯域よりも高周波数側又は低周波数側に通過帯域を有するフィルタである。

この構成によると、第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３）とを含むマルチプレクサとして用いる場合に、第１フィルタ（１１）のフィルタ特性が第２フィルタ（１２）及び第３フィルタ（１３）それぞれのフィルタ特性に影響するのを抑制することが可能となる。

第１６の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第９〜第１５のいずれかの態様において、複数の第２ビア導体のうち隣り合う２つの第２ビア導体の距離は、所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である。

この構成によると、フィルタの第１入出力端子（１０１）と第２入出力端子（１０２）との間のアイソレーションを向上させることができる。

第１７の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第８〜第１６のいずれかの態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、多角形状である。実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１ランド電極（６７１）と第２ランド電極（６７２）とのうち一方のランド電極が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）の角部（６０ａ）に配置されている。

この構成によると、第１ランド電極（６７１）と第２ランド電極（６７２）とのうち実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）の角部（６０ａ）に配置されている一方のランド電極が、他方のランド電極と電磁界結合されにくくなる。

第１８の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第８〜第１７のいずれかの態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１ランド電極（６７１）に接続されている第１配線部（６４１）と、第２ランド電極（６７２）に接続されている第２配線部（６４２）と、を更に有する。複数の第２ビア導体は、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１配線部（６４１）と第２配線部（６４２）との間に位置している。

この構成によると、複数の第２ビア導体によって第１配線部（６４１）と第２配線部（６４２）との電磁界結合を抑制でき、フィルタ特性の更なる向上を図れる。

第１９の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１８の態様において、第１配線部（６４１）の少なくとも一部は、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に位置している。第２配線部（６４２）の少なくとも一部は、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に位置している。

この構成によると、フィルタのフィルタ特性の向上を図ることができる。

第２０の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１８の態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、複数の第２ビア導体とグランド端子（７１３）とに接続されているグランド層（６６０）を更に有する。グランド層（６６０）は、厚さ方向（Ｄ１）において、複数の第２ビア導体とグランド端子（７１３）との間に位置している。グランド層（６６０）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、複数の第２ビア導体及びグランド端子（７１３）に重なっている。

この構成によると、グランド電位を与えられるグランド層（６６０）の、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の厚さ方向（Ｄ１）に直交する断面の断面積を大きくできる。これにより、グランド層の抵抗値を小さくし、グランド端子（７１３３）の電位の変動を抑制することが可能となる。

第２１の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２０の態様において、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、グランド層（６６０）の面積が、フィルタの面積よりも大きい。

この構成によると、フィルタ特性の向上を図ることができる。

第２２の態様の高周波モジュール（１Ｃ）では、第２０又は第２１の態様において、第２配線部（６４２）は、厚さ方向（Ｄ１）に沿って配置されている配線用ビア導体（６４２１，６４２３）と、厚さ方向（Ｄ１）に直交する面に沿って配置されている内層導体部（６４２２）と、を含む。実装基板（６０Ｃ）は、グランド層（６６０）である第１グランド層とは別の第２グランド層（６６３）を更に有する。第２グランド層（６６３）は、第１主面（６１）と内層導体部（６４２２）との間に配置されている。第２グランド層（６６３）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、内層導体部（６４２２）に重なっている。

この構成によると、第２配線部（６４２）と第１配線部（６４１）との間のアイソレーションの向上を図れ、フィルタ（第１フィルタ１１）の第１入出力端子（１０１）と第２入出力端子（１０２）との間のアイソレーションの向上を図れる。

第２３の態様の高周波モジュール（１Ｃ）では、第２２の態様において、実装基板（６０Ｃ）は、第１主面（６１）と第２主面（６２）とをつないでいる４つの側面（６３，６４，６５，６６）を有する。高周波モジュール（１Ｃ）は、４つの側面（６３，６４，６５，６６）のうち第２配線部（６４２）に近い２つの側面（６３，６４）の各々に配置され、グランド層（６６０）につながっている２つの側面グランド層（８３，８４）を更に有する。

この構成によると、フィルタ（第１フィルタ１１）の第１入出力端子（１０１）と第２入出力端子（１０２）との間のアイソレーションを更に向上させることが可能となる。

第２４の態様の通信装置（５００）では、第１〜第２３のいずれかの態様の高周波モジュール（１；）と、高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）を通る高周波信号を処理する信号処理回路（３）と、を備える。

この構成によると、フィルタを通過する信号を用いた通信の品質の低下を抑えることができる。

第２５の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第１〜第５のいずれかの態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１ランド電極（６７１）と、第２ランド電極（６７２）と、複数の第２ビア導体（例えば、ビア導体６４５）と、を更に有している。第１ランド電極（６７１）は、第１入出力端子（１０１）に接続されている。第２ランド電極（６７２）は、第２入出力端子（１０２）に接続されている。複数の第２ビア導体は、第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に配置される。複数の第２ビア導体は、グランド端子（７１３）に接続されている。複数の第２ビア導体は、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１ランド電極（６７１）と第２ランド電極（６７２）との間に位置している。

この構成によると、フィルタ特性の向上を図ることが可能となる。

第２６の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２５の態様において、フィルタは、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタ（例えば、第１フィルタ１１）を含む。

第２７の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２６の態様において、所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している。

第２８の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２６又は第２７の態様において、バンドパスフィルタは、複数の直列腕共振子（１０４）と複数の並列腕共振子（１０５）とを有するラダー型フィルタである。

この構成によると、減衰特性の向上を図ることが可能となる。

第２９の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第２８の態様において、フィルタである第１フィルタ（１１）とは別に、第２フィルタ（１２）を更に備える。第２フィルタ（１２）は、上記所定通過帯域の高周波数側と低周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有するフィルタである。

この構成によると、第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）とを含むマルチプレクサとして用いる場合に、第１フィルタ（１１）のフィルタ特性が第２フィルタ（１２）のフィルタ特性に影響するのを抑制することが可能となる。

第３０の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）は、第２９の態様において、第３フィルタ（１３）を更に備える。第３フィルタ（１３）は、フィルタ（第１フィルタ１１）の所定通過帯域及び第２フィルタ（１２）の通過帯域よりも高周波数側又は低周波数側に通過帯域を有するフィルタである。

この構成によると、第１フィルタ（１１）と第２フィルタ（１２）と第３フィルタ（１３）とを含むマルチプレクサとして用いる場合に、第１フィルタ（１１）のフィルタ特性が第２フィルタ（１２）及び第３フィルタ（１３）それぞれのフィルタ特性に影響するのを抑制することが可能となる。

第３１の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２６〜第３０のいずれかの態様において、複数の第２ビア導体のうち隣り合う２つの第２ビア導体の距離は、所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である。

この構成によると、フィルタの第１入出力端子（１０１）と第２入出力端子（１０２）との間のアイソレーションを向上させることができる。

第３２の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２５〜第３１のいずれかの態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、多角形状である。実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１ランド電極（６７１）と第２ランド電極（６７２）とのうち一方のランド電極が、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）の角部（６０ａ）に配置されている。

この構成によると、第１ランド電極（６７１）と第２ランド電極（６７２）とのうち実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）の角部（６０ａ）に配置されている一方のランド電極が、他方のランド電極と電磁界結合されにくくなる。

第３３の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第２５〜第３２のいずれかの態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、第１ランド電極（６７１）に接続されている第１配線部（６４１）と、第２ランド電極（６７２）に接続されている第２配線部（６４２）と、を更に有する。複数の第２ビア導体は、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１配線部（６４１）と第２配線部（６４２）との間に位置している。

この構成によると、複数の第２ビア導体によって第１配線部（６４１）と第２配線部（６４２）との電磁界結合を抑制でき、フィルタ特性の更なる向上を図れる。

第３４の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第３３の態様において、第１配線部（６４１）の少なくとも一部は、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に位置している。第２配線部（６４２）の少なくとも一部は、実装基板（６０；）の第１主面（６１）と第２主面（６２）との間に位置している。

この構成によると、フィルタのフィルタ特性の向上を図ることができる。

第３５の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第３３の態様において、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）は、複数の第２ビア導体とグランド端子（７１３）とに接続されているグランド層（６６０）を更に有する。グランド層（６６０）は、厚さ方向（Ｄ１）において、複数の第２ビア導体とグランド端子（７１３）との間に位置している。グランド層（６６０）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、複数の第２ビア導体及びグランド端子（７１３）に重なっている。

この構成によると、グランド電位を与えられるグランド層（６６０）の、実装基板（６０Ａ；６０Ｂ；６０Ｃ）の厚さ方向（Ｄ１）に直交する断面の断面積を大きくできる。これにより、グランド層の抵抗値を小さくし、グランド端子（７１３３）の電位の変動を抑制することが可能となる。

第３６の態様の高周波モジュール（１Ａ；１Ｂ；１Ｃ；１Ｄ）では、第３５の態様において、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、グランド層（６６０）の面積が、フィルタの面積よりも大きい。

この構成によると、フィルタ特性の向上を図ることができる。

第３７の態様の高周波モジュール（１Ｃ）では、第３５又は第３６の態様において、第２配線部（６４２）は、厚さ方向（Ｄ１）に沿って配置されている配線用ビア導体（６４２１，６４２３）と、厚さ方向（Ｄ１）に直交する面に沿って配置されている内層導体部（６４２２）と、を含む。実装基板（６０Ｃ）は、グランド層（６６０）である第１グランド層とは別の第２グランド層（６６３）を更に有する。第２グランド層（６６３）は、第１主面（６１）と内層導体部（６４２２）との間に配置されている。第２グランド層（６６３）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、内層導体部（６４２２）に重なっている。

この構成によると、第２配線部（６４２）と第１配線部（６４１）との間のアイソレーションの向上を図れ、フィルタ（第１フィルタ１１）の第１入出力端子（１０１）と第２入出力端子（１０２）との間のアイソレーションの向上を図れる。

第３８の態様の高周波モジュール（１Ｃ）では、第３７の態様において、実装基板（６０Ｃ）は、第１主面（６１）と第２主面（６２）とをつないでいる４つの側面（６３，６４，６５，６６）を有する。高周波モジュール（１Ｃ）は、４つの側面（６３，６４，６５，６６）のうち第２配線部（６４２）に近い２つの側面（６３，６４）の各々に配置され、グランド層（６６０）につながっている２つの側面グランド層（８３，８４）を更に有する。

この構成によると、フィルタ（第１フィルタ１１）の第１入出力端子（１０１）と第２入出力端子（１０２）との間のアイソレーションを更に向上させることが可能となる。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 高周波モジュール
３ 信号処理回路
４ アンテナ
５ ＲＦ信号処理回路
６ ベースバンド信号処理回路
７ 樹脂層
１０ フィルタ
１０ａ フィルタ装置
１１ 第１フィルタ（フィルタ）
１２ 第２フィルタ
１３ 第３フィルタ
１６ 電子部品
２０ 第１処理部
２１ 第１スイッチ
２２ フィルタ
２３ フィルタ
２４ パワーアンプ
２５ ローノイズアンプ
３０ 第２処理部
３１ 第２スイッチ
３２，３３，３４ フィルタ
３５ 第３スイッチ
３６ 第４スイッチ
３７，４８，５０ パワーアンプ
３８，４９，５１ ローノイズアンプ
４０ 第３処理部
４１，４４，４５，４６，４７ フィルタ
４２ 第５スイッチ
４３ 第６スイッチ
６０，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ 実装基板
６０ａ 角部
６１ 第１主面
６２ 第２主面
６３，６４，６５，６６ 側面
８３，８４，８５，８６ 側面グランド層
１０１ 第１入出力端子
１０２ 第２入出力端子
１０３，１０３ａ，１０３ｂ グランド端子
１０４ 直列腕共振子
１０５，１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃ、１０５ｄ 並列腕共振子
１０６ 第１経路
１０７，１０８，１０９，１１０ 第２経路
１１５ 圧電性基板
１１６ ＩＤＴ電極
１１７ 空間
１１８ スペーサ層
１１９ カバー部材
１２１ 第１入出力端子
１２２ 第２入出力端子
１３１ 第１入出力端子
１３２ 第２入出力端子
１４０，１４１，１４２，１５２，１５３ 整合回路
２１１，３１１，３５１，３６１，４２１，４３１ 共通端子
２１２，２１３ 選択端子
３１２，３１３，３１４，３５２，３５３，３５４，３６２，３６３，３６４，４２２，４２３，４３２，４３３ 選択端子
５００ 通信装置
６００，６０１，６１０，６４３，６４４，６４５，６５０，６５１，６５２ ビア導体
６１３ａ 第３ランド電極
６３０ 第１配線部（内層配線部）
６４１ 第１配線部
６４２ 第２配線部
６４６ 内層配線部
６５５ 第２配線部（内層配線部）
６６０ グランド層（第１グランド層）
６６３ 第２グランド層
６７１ 第１ランド電極
６７２ 第２ランド電極
６７３ 第３ランド電極
７１１ 外部接続端子
７１２，７１４，７１５ 入出力端子
７１３ グランド端子
１１０１ 第１主面
１１０２ 第２主面
１１５１ 圧電性基板
４２２２ 選択端子
４３２２ 選択端子
６４２１ 配線用ビア導体
６４２２ 内層導体部
６４２３ 配線用ビア導体
７１３３ グランド端子
Ｔ１ アンテナ端子

Claims (24)

1. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を有し、前記第１主面に配置されているフィルタと、
   共通インダクタと、を備え、
   前記実装基板は、接地に用いられるグランド端子を前記第２主面に有しており、
   前記共通インダクタの第１端は、前記複数の並列腕共振子のすべてと接続されており、前記共通インダクタの第２端は、前記グランド端子に接続されている、
   高周波モジュール。
2. 前記共通インダクタは、前記実装基板に設けられたビア導体を含み、
   前記ビア導体の第１端は、前記複数の並列腕共振子のすべてと接続されており、前記ビア導体の第２端は、前記グランド端子に接続されている、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記共通インダクタは、前記実装基板に設けられた、前記ビア導体としての第１ビア導体とは異なる第２ビア導体と、配線部と、を更に含み、
   前記第１ビア導体の前記第２端は、前記第２ビア導体の第１端と前記配線部を介して接続されており、
   前記第２ビア導体の第２端は、前記グランド端子に接続されている、
   請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 前記複数の並列腕共振子のうち１つの並列腕共振子と直列接続されているインダクタを、更に備え、
   前記インダクタは、前記１つの並列腕共振子の端部であって前記複数の直列腕共振子が接続されている経路上に接続されている端部と、前記共通インダクタの前記第１端との間の経路上に配置されている、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載に記載の高周波モジュール。
5. 前記複数の並列腕共振子から１つの並列腕共振子を除く残りの並列腕共振子のうち２つ以上の並列腕共振子と直列接続されているインダクタを、更に備え、
   前記インダクタは、前記２つ以上の並列腕共振子のそれぞれの端部であって前記複数の直列腕共振子が接続されている経路上にそれぞれ接続されている端部と、前記共通インダクタの前記第１端との間の経路上に配置されている、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載に記載の高周波モジュール。
6. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   第１入出力端子、第２入出力端子及び複数のグランド端子を有し、前記実装基板の前記第１主面に配置されているフィルタと、を備え、
   前記実装基板は、接地に用いられるグランド端子を前記第２主面に有し、前記第１主面と前記第２主面との間にビア導体を有しており、
   前記ビア導体の第１端は、前記複数のグランド端子のすべてと接続されており、前記ビア導体の第２端は、前記グランド端子に接続されている、
   高周波モジュール。
7. 前記実装基板は、前記第１主面と前記第２主面との間に、前記ビア導体とは異なる別のビア導体と、配線部と、を更に含み、
   前記ビア導体の前記第２端は、前記別のビア導体の第１端と前記配線部を介して接続されており、
   前記別のビア導体の第２端は、前記グランド端子に接続されている、
   請求項６に記載の高周波モジュール。
8. 前記実装基板は、
   前記第１入出力端子に接続されている第１ランド電極と、
   前記第２入出力端子に接続されている第２ランド電極と、
   前記実装基板の厚さ方向において前記第１主面よりも前記第２主面側に位置しているグランド端子と、
   前記第１主面と前記第２主面との間に配置され、前記ビア導体としての第１ビア導体とは異なる複数の第２ビア導体と、を更に有しており、
   前記複数の第２ビア導体は、
   前記グランド端子に接続されており、
   前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１ランド電極と前記第２ランド電極との間に位置している、
   請求項６又は７に記載の高周波モジュール。
9. 前記フィルタは、所定通過帯域を有するバンドパスフィルタを含む、
   請求項８に記載の高周波モジュール。
10. 前記所定通過帯域は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）の２．４ＧＨｚ帯の周波数帯域に対応している、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
11. 前記フィルタは、複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とを有するラダー型フィルタである、
    請求項９又は１０に記載の高周波モジュール。
12. 前記複数の並列腕共振子のうち１つの並列腕共振子と直列接続されているインダクタを、更に備え、
    前記インダクタは、前記１つの並列腕共振子の端部であって前記複数の直列腕共振子が接続されている経路上に接続されている端部と、前記ビア導体の前記第１端との間の経路上に配置されている、
    請求項１１に記載に記載の高周波モジュール。
13. 前記複数の並列腕共振子から１つの並列腕共振子を除く残りの並列腕共振子のうち２つ以上の並列腕共振子と直列接続されているインダクタを、更に備え、
    前記インダクタは、前記２つ以上の並列腕共振子のそれぞれの端部であって前記複数の直列腕共振子が接続されている経路上にそれぞれ接続されている端部と、前記ビア導体の前記第１端との間の経路上に配置されている、
    請求項１１に記載に記載の高周波モジュール。
14. 前記フィルタである第１フィルタとは別に、前記所定通過帯域の高周波数側と低周波数側との少なくとも一方に通過帯域を有する第２フィルタを、更に備える、
    請求項９〜１３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
15. 前記第１フィルタの前記所定通過帯域及び前記第２フィルタの通過帯域よりも高周波数側又は低周波数側に通過帯域を有する第３フィルタを、更に備える、
    請求項１４に記載の高周波モジュール。
16. 前記複数の第２ビア導体のうち隣り合う２つの第２ビア導体の距離は、前記所定通過帯域の中心周波数の電波の波長の４分の１以下である、
    請求項９〜１５のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
17. 前記実装基板は、前記厚さ方向からの平面視で、多角形状であり、
    前記第１ランド電極と前記第２ランド電極とのうち一方のランド電極が、前記厚さ方向からの平面視において、前記実装基板の前記第１主面の角部に配置されている、
    請求項８〜１６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
18. 前記実装基板は、
    前記第１ランド電極に接続されている第１配線部と、
    前記第２ランド電極に接続されている第２配線部と、を更に有し、
    前記複数の第２ビア導体は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第１配線部と前記第２配線部との間に位置している、
    請求項８〜１７のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
19. 前記第１配線部の少なくとも一部は、前記実装基板の前記第１主面と前記第２主面との間に位置しており、
    前記第２配線部の少なくとも一部は、前記実装基板の前記第１主面と前記第２主面との間に位置している、
    請求項１８に記載の高周波モジュール。
20. 前記実装基板は、前記複数の第２ビア導体と前記グランド端子とに接続されているグランド層を更に有し、
    前記グランド層は、前記厚さ方向において、前記複数の第２ビア導体と前記グランド端子との間に位置しており、
    前記グランド層は、前記厚さ方向からの平面視において、前記複数の第２ビア導体及び前記グランド端子に重なっている、
    請求項１８に記載の高周波モジュール。
21. 前記厚さ方向からの平面視において、前記グランド層の面積が、前記フィルタの面積よりも大きい、
    請求項２０に記載の高周波モジュール。
22. 前記第２配線部は、前記厚さ方向に沿って配置されているビア導体と、前記厚さ方向に直交する面に沿って配置されている内層導体部と、を含み、
    前記実装基板は、前記グランド層である第１グランド層とは別の第２グランド層を更に有し、
    前記第２グランド層は、
    前記第１主面と前記内層導体部との間に配置されており、
    前記厚さ方向からの平面視において、前記内層導体部に重なっている、
    請求項２０又は２１に記載の高周波モジュール。
23. 前記実装基板は、前記第１主面と前記第２主面とをつないでいる４つの側面を有し、
    前記高周波モジュールは、
    前記４つの側面のうち前記第２配線部に近い２つの側面の各々に配置され、前記グランド層につながっている２つの側面グランド層を更に有する、
    請求項２２に記載の高周波モジュール。
24. 請求項１〜２３のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
    前記高周波モジュールを通る高周波信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    通信装置。

Images