WO2019054025A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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貴紀 伊藤
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module provided with a laminated substrate on which a filter is mounted.
  • Patent Document 1 a filter unit connected between the first external connection terminal and the second external connection terminal, a matching circuit connected between the first external connection terminal and the filter unit, and a filter unit A high frequency module is shown with an inductor connected to ground.
  • the matching circuit is mounted on the laminated substrate as a mountable circuit element, and the inductor is formed in the inner layer of the laminated substrate.
  • the attenuation characteristic of the filter section is improved by using a coupling circuit in which the matching circuit and the inductor are inductively coupled or capacitively coupled.
  • the mountable circuit element is used as the matching circuit. This is because, for example, the inductance value as the matching element can be increased and the insertion loss can be reduced by using the mounting type circuit element.
  • the mounting type circuit element there is a problem that a sufficient amount of coupling can not be obtained when the mounted circuit element is combined with an inductor formed in the inner layer of the laminated substrate in order to improve the attenuation characteristics of the filter.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and provides a high frequency module that can suppress deterioration of insertion loss in a matching circuit and can easily obtain a coupled circuit for improving attenuation characteristics.
  • the purpose is
  • a high frequency module comprises a laminated substrate formed by laminating a plurality of insulator layers, a first terminal and a second terminal provided on the laminated substrate, and a first terminal A filter connected between the first terminal and the second terminal, a matching circuit connected between the first terminal and the filter, and an inductor provided as a conductor pattern on the laminated substrate and connected between the filter and the ground
  • the matching circuit includes a mounted circuit portion provided as an individual component on the laminated substrate, and a layered circuit provided as a conductor pattern on the laminated substrate.
  • the layer circuitry is electromagnetically coupled to the inductor.
  • a high frequency module comprises a first terminal, a second terminal, a filter connected between the first terminal and the second terminal, and a terminal connected between the first terminal and the filter.
  • a matching circuit an inductor connected to the filter and the ground, and a laminated substrate provided with the filter, the matching circuit, and the inductor.
  • the filter is mounted on a laminated substrate.
  • the matching circuit includes a mounted circuit unit mounted on the laminated substrate, and a layered circuit unit formed in at least one of the inner layer and the outer layer of the laminated substrate.
  • the inductor is formed in at least one of the inner layer and the outer layer of the laminated substrate.
  • the layer circuitry is electromagnetically coupled to the inductor.
  • the matching circuit and the inductor can not be electromagnetically coupled, or when electromagnetic coupling can be performed but the coupling coefficient can not be sufficiently obtained, a coupled circuit is formed by using the layer circuit portion for electromagnetic coupling.
  • the coupling factor can be increased to the extent that Therefore, the deterioration of the insertion loss can be suppressed, and the coupling circuit can be easily obtained.
  • “provided as an individual component on a laminated substrate” refers to being mounted as an individual chip component on a laminated substrate instead of being patterned as a conductor pattern on the laminated substrate.
  • “provided as a conductor pattern on a laminated substrate” means not to be mounted on a laminated substrate as individual chip components but to be patterned as a conductive pattern on a laminated substrate.
  • the distance between the layer circuit portion and the inductor is shorter than the distance between the mounted circuit portion and the inductor.
  • the coupling coefficient between the layer circuit portion and the inductor be higher than the coupling coefficient between the mounting circuit portion and the inductor.
  • the coupling circuit is more likely to be formed between the layer circuit portion and the inductor than between the mounted circuit portion and the inductor. Therefore, even if the coupling between the mounting circuit portion and the inductor becomes weak due to a large distance between the mounting circuit portion and the inductor, for example, the coupling circuit is unlikely to disappear due to the layer circuit portion and the inductor. That is, the formation of the coupling circuit can be performed more easily.
  • the output terminal further includes at least one other inductor connected between the filter and the ground and different from the inductor, the first terminal is an output terminal from which a high frequency signal is output, and the second terminal is a high frequency signal.
  • the inductor is an input terminal to which a signal is input, and the inductor is the one closest to the second terminal among a plurality of inductors including the inductor and the at least one other inductor.
  • the high frequency module according to the present invention enhances the attenuation characteristic by combining the high frequency signal propagating in the coupling circuit with the high frequency signal propagating through the filter and canceling it.
  • the strength of the high frequency signal propagating in the coupling circuit is enhanced as compared with the case where the second and third inductors and the matching circuit are coupled to the second terminal. Therefore, the high frequency signal propagating through the filter can be easily cancelled, and the attenuation characteristic can be more reliably enhanced.
  • the filter may be a transmission filter that filters transmission signals.
  • the layer circuit portion and the inductor overlap each other in plan view.
  • the layer circuit portion and the inductor can be more strongly coupled as compared with the case where the layer circuit portion and the inductor do not overlap at all in plan view. Therefore, the matching circuit and the inductor can be efficiently electromagnetically coupled.
  • the layer circuit portion and the inductor be connected to the ground by a common via conductor.
  • the structure of the present invention can be realized with less space than when the layer circuit portion and the inductor are connected by separate via conductors. Therefore, the high frequency module can be miniaturized.
  • the high frequency module includes a third terminal, and the filter includes a first filter portion connected between the first terminal and the second terminal, and between the first terminal and the third terminal. And a second filter unit connected.
  • the insertion loss of the matching circuit included in the high frequency module can be reduced, and the coupling circuit between the matching circuit and the inductor can be easily obtained.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a high frequency module according to an embodiment of the present invention.
  • the high frequency module 10 includes terminals P1 and P2, a filter 20, a matching circuit 40, and inductors 50 and 60.
  • the high frequency module 10 is connected to an antenna element (not shown) or the like through the terminal P1.
  • the filter 20 is a filter that filters the high frequency signal input from the terminal P2 in a predetermined band. At this time, the high frequency signal is input to the filter 20 via the terminal P2 which is an input terminal, and is output to the terminal P1 which is an output terminal.
  • the filter 20 is connected between the terminal P1 and the terminal P2.
  • the filter 20 includes series arm resonators 201-205 and parallel arm resonators 211-214.
  • the series arm resonators 201 to 205 are provided on paths connecting the terminals P1 and P2, respectively.
  • the parallel arm resonators 211 to 214 are respectively provided on the path connecting the node on the path connecting the terminals P1 and P2 to the ground.
  • the parallel arm resonators 211 to 213 are connected to the ground via the inductor 50.
  • the parallel arm resonator 214 is connected to the ground via the inductor 60.
  • the matching circuit 40 is provided on a path connecting a node on the path connecting the terminal P1 and the filter 20 to the ground.
  • the element value (inductance) of the matching circuit 40 is set to an element value that achieves impedance matching between the filter and the antenna element or the like connected to the terminal P1.
  • the matching circuit 40 is composed of an inductor 41 and an inductor 42 connected in series with each other.
  • the matching circuit 40 performs electromagnetic field coupling with the inductor 60 using electromagnetic field coupling as indicated by the broken line arrows between the inductor 42 and the inductor 60. That is, matching circuit 40 is inductively coupled to inductor 60 or capacitively coupled to at least a portion of each of the conductors that make up inductor 60.
  • a circuit is formed between matching circuit 40 and inductor 60.
  • an inductive coupling circuit having mutual inductance is formed between the matching circuit 40 and the inductor 60 so that the high-frequency signal It will propagate.
  • the high frequency signal propagating between the terminal P1 and the terminal P2 is indicated by the terminal P2, the inductor 60 and the dotted arrow in addition to the main propagation path having the terminal P2, the filter 20 and the terminal P1 as propagation paths. It propagates through the inductive coupling circuit, the matching circuit 40, and the secondary propagation path whose terminal P1 is the propagation path.
  • the high frequency signal propagated and output between the terminal P1 and the terminal P2 is a high frequency signal in which the high frequency signal propagating on the main propagation path and the high frequency signal propagating on the sub propagation path are combined.
  • the amplitude and the phase of the high frequency signal propagating through the sub propagation path, not the main propagation path passing through the filter 20 are adjusted, the amplitude and the phase of the high frequency signal in the pass band of the filter 20 are almost affected.
  • the above attenuation characteristics can be adjusted.
  • the amplitude and phase of the high frequency signal propagating in the secondary propagation path can be adjusted by the coupling coefficient and the direction of coupling between the coupled matching circuit 40 and the inductor 60. Therefore, if the matching circuit 40 and the inductor 60 are electromagnetically coupled, the coupling coefficient and direction thereof can be adjusted to obtain the high frequency module 10 provided with the filter 20 having excellent attenuation characteristics outside the pass band.
  • the inductor 60 closest to the terminal P2 which is an input terminal among the inductors 50 and 60 that the matching circuit 40 is electromagnetically coupled.
  • “closest” means “closest in electric circuit”.
  • the high frequency signal propagating between the two terminals connected via the filter is attenuated as it passes through the inside of the filter.
  • the high frequency signal input from the terminal P2 is attenuated each time it passes through the series arm resonators 201 to 205 and the parallel arm resonators 211 to 214 included in the filter 20, to the terminal P1. Will be output.
  • the high frequency signal is attenuated when passing through the parallel arm resonator 213 than when passing through the parallel arm resonator 214. That is, the high frequency signal propagating from the parallel arm resonator 213 to the inductor is a weaker signal than the high frequency signal propagating from the parallel arm resonator 214 to the inductor.
  • the inductor 60 closest to the terminal P2 is electromagnetically coupled to the matching circuit 40
  • the strength of the high frequency signal propagating through the sub-propagation path is stronger than when the inductor 50 is electromagnetically coupled to the matching circuit 40. Therefore, the high frequency signal propagating through the main propagation path can be more reliably canceled, and the attenuation characteristic can be more reliably improved.
  • the terminal P1 may be an input terminal and the terminal P2 may be an output terminal.
  • the matching circuit 40 be provided between the terminal P2 which is an output terminal and the filter 20, and that the matching circuit 40 be coupled to the inductor electromagnetic field closest to the terminal P1.
  • matching circuit 40 may be provided in series on the path connecting terminal P1 and filter 20.
  • the configuration of the present invention can be realized by capacitively coupling the capacitor of the matching circuit 40 and a part of the linear conductor constituting the inductor 60.
  • the high frequency module 10 having the circuit configuration as described above is realized by using the following structure according to the present embodiment.
  • the present invention by forming the matching circuit 40 from the inductors 41 and 42 different from each other as described below, it is possible to suppress the deterioration of the insertion loss and to easily obtain the coupling circuit for improving the attenuation characteristics. To solve the problem of.
  • FIG. 2 is a side conceptual view showing the main structure of the high frequency module 10. As shown in FIG.
  • the high frequency module 10 includes a laminated substrate 100, a filter 20 and a mounting circuit element 410.
  • the laminated substrate 100 is formed by laminating a plurality of dielectric layers. Predetermined conductor patterns are formed on the first main surface 100F and the inner layer of the multilayer substrate 100. By these conductor patterns, an electrode pad 102 on which the filter 20 is mounted, an electrode pad 103 on which the mounting type circuit element 410 is mounted, a wiring conductor including via conductors 111 to 113, and inductors 42 and 60 are formed. There is.
  • the inductors 42, 60 are composed of linear conductors 42A to 42C, 60A, 60B and an interlayer connection conductor CN.
  • a linear conductor 42A forming one end of the inductor 42 is connected to the electrode pad 103 via the via conductor 113, and a linear conductor 42C forming the other end is on the inner layer of the laminated substrate 100 via the via conductor 111. It is connected to the formed ground pattern GND.
  • a linear conductor 60A forming one end of the inductor 60 is connected to the electrode pad 102 via the via conductor 112, and a linear conductor 60B forming the other end is on the inner layer of the laminated substrate 100 via the via conductor 111. It is connected to the formed ground pattern GND.
  • a plurality of external connection electrodes are formed on the second major surface 100S of the laminated substrate 100.
  • the terminals P1 and P2 are configured by these external connection electrodes.
  • the filter 20 is, for example, an elastic wave element of a WLP (Wafer Level Package: wafer level package) structure having a piezoelectric substrate provided with an IDT (Inter Digital Transducer) electrode.
  • the series arm resonators 201 to 205 and the parallel arm resonators 211 to 214 are configured by the IDT electrodes.
  • the filter 20 having such a structure is mounted on the first major surface 100 F of the laminated substrate 100 via the bumps 222 and the electrode pads 102. Thus, the filter 20 is electrically connected to the terminals P1 and P2.
  • the mounted circuit element 410 is an element that constitutes the inductor 41.
  • the mounting type circuit element 410 includes a rectangular parallelepiped housing made of an insulating material, and a spiral electrode to be the inductor 41 is provided in the housing.
  • the spiral electrode extends along the outer periphery of the housing and is formed of a linear conductor and an interlayer connection conductor.
  • the linear conductors in each layer are connected to form a single linear conductor by means of interlayer connection conductors. Both ends of the spiral electrode are connected to external connection electrodes formed on opposite end surfaces of the casing.
  • the mountable circuit element 410 is mounted on the first major surface 100 F of the laminated substrate 100 via the electrode pad 103. That is, the mountable circuit element 410 is connected to the inductor 42 via the electrode pad 103 and the via conductor 113.
  • the main feature of the present embodiment is that the matching circuit 40 is composed of two inductors, the inductor 41 consisting of the mounted circuit element 410 and the inductor 42 in the inner layer of the laminated substrate 100, and the inductor 42 It is electromagnetically coupled to the inductor 60.
  • the high frequency module having the above features, it is possible to suppress the deterioration of the insertion loss and to make it easy to obtain the coupling circuit.
  • the inductors electromagnetically coupled to the matching circuit are provided in the inner and outer layers of the laminated substrate, no major problem occurs. This is because the inductor is provided to correct the characteristics of the filter and can function with a relatively small inductor value. That is, since it is not necessary to significantly extend the conductor constituting the inductor, it can be provided in the inner and outer layers of the laminated substrate without deteriorating the insertion loss so much.
  • the matching circuit provided as a mounting type circuit element and the inductor provided in the inner and outer layers of the laminated substrate are electromagnetically coupled as described above, coupling between the matching circuit and the inductor is sufficiently obtained. It may not be. For example, when the distance between the matching circuit and the inductor increases, it becomes difficult to couple the magnetic flux generated by the matching circuit and the inductor, and the coupling coefficient between the two tends to be low. In that case, it becomes difficult to obtain a coupling coefficient sufficient to form the coupling circuit.
  • the matching circuit is provided in each of the mounted circuit portion mounted on the laminated substrate and the layered circuit portion formed in the inner and outer layers of the laminated substrate.
  • the inductor 41 is mounted on the multilayer substrate 100 as the "mounted circuit portion" in the present invention, and the inductor 42 is stacked as the "layer circuit portion" in the present invention It is provided in the inner layer of the substrate 100.
  • the inductor value of the inductor 41 among the inductors 41 and 42 is increased to realize the required element value, the insertion loss is not easily deteriorated.
  • the inductor 60 and the inductor 41 can not be electromagnetically coupled, or when the inductor 60 and the inductor 41 can be electromagnetically coupled but the coupling coefficient is not sufficiently obtained, the inductor 60 and the inductor 42 can be electromagnetically coupled. If field coupling is performed, coupling that can form a coupled circuit can be obtained.
  • FIG. 3 is a plan view of the high frequency module 10 shown in FIG. 2 as viewed in plan from the side of the first main surface 100F of the laminated substrate 100.
  • another circuit element 70 may be disposed around the filter 20.
  • the circuit element 70 when the circuit element 70 is in the vicinity of the inductor 60, it is difficult to reduce the distance between the mounted circuit element 410 and the inductor 60. In such a case, it becomes difficult for the inductor 60 and the inductor 41 to be electromagnetically coupled, and there is a possibility that a coupling circuit can not be formed between the matching circuit 40 and the inductor 60.
  • the coupling coefficient can be increased to such an extent that a coupled circuit is formed between the matching circuit 40 and the inductor 60. Since the inductor 42 is formed on the inner and outer layers of the multilayer substrate 100 like the inductor 60, the distance from the inductor 60 can be easily shortened as compared with the mounted circuit element 410 (inductor 41) mounted on the multilayer substrate 100. . Therefore, if the inductor 42 is used for electromagnetic field coupling with the inductor 60, the coupling coefficient between the matching circuit 40 and the inductor 60 can be easily increased.
  • inductor 42 for electromagnetic field coupling between matching circuit 40 and inductor 60 to compensate for the insufficient coupling coefficient, it becomes easy to form a sub-propagation path reliably between matching circuit 40 and inductor 60.
  • the high frequency module 10 which has the said characteristic, it becomes easy to obtain the coupling circuit of the matching circuit 40 and the inductor 60 in the state which insertion loss does not deteriorate easily.
  • the inductor 41 configured of the mounted circuit element 410 may be electromagnetically coupled to the inductor 60 together with the inductor 42. Even in this case, there is no change in that the inductor 41 can be used to realize the required element value and the inductor 42 can be used to supplement the coupling coefficient between the matching circuit 40 and the inductor 60. That is, the present invention is characterized in that only the layer circuit portion in the matching circuit 40 is electromagnetically coupled, but at least the layer circuit portion is electromagnetically coupled.
  • inductor 42 and inductor 60 may be provided on first main surface 100F and second main surface 100S, at least a part of which is the outer layer of laminated substrate 100. Even in this case, as described above, the effects of the present invention are not hindered.
  • the mounting type circuit element 410 may be any element that can be mounted on the laminated substrate 100, and may be an insertion mounting type circuit element using a lead wire or the like in addition to the surface mounting type circuit element as illustrated. Regardless of which circuit element is used, the effect of easily achieving the required element value with relatively small insertion loss can be realized.
  • the distance between the inductor 42 and the inductor 60 is shorter than the distance between the inductor 41 and the inductor 60. Therefore, the coupling coefficient between the inductor 42 and the inductor 60 is higher than the coupling coefficient between the inductor 41 and the inductor 60.
  • the shortest distance between the conductor pattern forming inductor 41 and the conductor pattern forming inductor 60 can be defined as the distance between inductor 41 and inductor 60.
  • the high frequency signal propagating in the path connecting the inductor 42 and the inductor 60 is greater than the high frequency signal propagating in the path connecting the inductor 41 and the inductor 60. That is, the coupling circuit between matching circuit 40 and inductor 60 is more likely to be formed between inductors 42 and 60 than between inductors 41 and 60.
  • the inductor 42 and the inductor 60 tend to hold the coupled circuit. That is, even if the distance between the mounting circuit element 410 and the inductor 60 is large, the sub-propagation path is unlikely to disappear. Therefore, the formation of the coupling circuit between the matching circuit 40 and the inductor 60 can be easily performed without being bound by the arrangement of the mounted circuit element 410.
  • inductor 42 and the inductor 60 overlap each other in plan view.
  • FIG. 4 is a perspective view of an essential part of the high frequency module 10 shown in FIG. 2, as viewed from the side of the first major surface 100 F of the laminated substrate 100.
  • (A) is a figure which shows the filter 20, the mounting type
  • (B) is the figure which extracted inductors 42 and 60 and those circumferences from (A).
  • a part of the linear conductor 42C constituting the inductor 42 overlaps a part of the linear conductors 60A and 60B constituting the inductor 60.
  • the coupling between the magnetic flux generated in the inductor 42 and the magnetic flux generated in the inductor 60 tends to be tight as compared with the case where the inductor 42 and the inductor 60 do not overlap each other. This is because part of the linear conductor in which magnetic flux is generated in the inductor 42 overlaps with part of linear conductor in which the magnetic flux is generated in the inductor 60 in plan view.
  • the magnetic flux generated by the two linear conductors can be more strongly coupled, and the coupling coefficient can be easily increased. That is, even if the inductor value of the inductors 42 and 60 is relatively low, it is easy to obtain coupling sufficient for forming the sub-propagation path, so that the inductor 42 and the inductor 60 can be efficiently coupled. Therefore, the coupling between matching circuit 40 and inductor 60 can be realized more efficiently.
  • At least a part of the linear conductors 42A, 42B, 42C constituting the inductor 42 is a linear conductor 60A constituting the inductor 60 in a plurality of insulator layers including the inner layer and the outer layer of the multilayer substrate 100. , 60B are formed in a separate layer.
  • the inductor 42 and the inductor 60 to be electromagnetically coupled are not linear linear conductors, but helical linear conductors composed of linear conductors and interlayer connection conductors. Is preferred. Since the inductors 42 and 60 are formed in the inner and outer layers of the laminated substrate 100, the space to be formed is limited. When forming an inductor in such a limited space, it is easier to form a denser conductor by using a spiral linear conductor than by using a linear linear conductor, and generate a stronger magnetic flux. be able to. Therefore, the coupling between the inductor 42 and the inductor 60 can be made stronger.
  • the inductor 42 and the inductor 60 are connected to the ground pattern GND in the inner layer of the laminated substrate 100 by the common via conductor 111.
  • the number of parts to be used can be reduced as compared with the case where each of the inductors 42 and 60 is connected to the ground pattern GND with a separate via conductor. Therefore, the structure of the present invention can be realized with less space, and miniaturization of the high frequency module 10 can be expected.
  • the high frequency module 10 having the above circuit configuration and structure can be applied to a circuit configuration including a plurality of filters such as a duplexer.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit design of a high frequency module 10A having a duplexer configuration.
  • the high frequency module 10A shown in the figure further includes a terminal P3.
  • the high frequency module 10 is different in that the filter 21 connected between the terminal P1 and the terminal P2 includes two filter parts.
  • the filter 21 is configured to include the transmission filter unit 22 and the reception filter unit 23.
  • the transmission filter unit 22 is a filter unit that filters the transmission signal generated by the transmission circuit in the transmission passband. At this time, the transmission signal is input to the transmission filter unit 22 via the terminal P2, which is a transmission side terminal, and is output to the terminal P1.
  • the circuit configuration of the transmission filter unit 22 is the same as that of the filter 20 in the high frequency module 10.
  • the reception filter unit 23 is a filter unit that filters a reception signal received from an antenna element (not shown) or the like in a reception pass band.
  • the reception passband is a frequency band different from the transmission passband, and is set to fall within the attenuation band range outside the transmission passband.
  • the reception signal is input from the terminal P1 to the reception filter unit 23, and is output to the terminal P3 which is a reception side terminal.
  • the reception filter unit 23 is connected between the terminal P1 and the terminal P3.
  • the reception filter unit 23 includes a series arm resonator 231 and longitudinally coupled resonators 251 and 252.
  • the series arm resonator 231 and the longitudinally coupled resonators 251 and 252 are provided on paths connecting the terminal P1 and the terminal P3, respectively, and are connected in series with each other.
  • the matching circuit 40 and the inductor 60 are electromagnetically coupled to form a sub-propagation path for propagating a high frequency signal. As a result, it is possible to adjust the coupling coefficient between the matching circuit 40 and the inductor 60 to improve the attenuation characteristic of the filter section.
  • the isolation between the terminal P2 and the terminal P3 is obtained.
  • the high frequency module according to the present invention can be applied not only to a duplexer configuration but also to a high frequency module having a multiplexer configuration including three or more filters. Also in this case, a high frequency module with excellent isolation characteristics can be obtained by forming the side propagation path by the electromagnetic field coupling as described above.

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Abstract

高周波モジュール（１０）は、複数の絶縁体層が積層されてなる積層基板と、積層基板に設けられた第１端子（Ｐ１）および第２端子（Ｐ２）と、第１端子（Ｐ１）と第２端子（Ｐ２）との間に接続されたフィルタ（２０）と、第１端子（Ｐ１）とフィルタ（２０）との間に接続された整合回路（４０）と、積層基板に導体パターンとして設けられ、フィルタ（２０）とグランドとの間に接続されたインダクタ（６０）と、を備える。整合回路（４０）は、積層基板に個別部品として設けられた実装型回路部（４１）と、積層基板に導体パターンとして設けられた層回路（４２）と、を含む。層回路部（４２）は、インダクタ（６０）と電磁界結合されている。

Description

高周波モジュール
　本発明は、フィルタが実装された積層基板を備える高周波モジュールに関する。
　特許文献１には、第１外部接続端子と第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、第１外部接続端子とフィルタ部との間に接続された整合回路と、フィルタ部とグランドとの間に接続されたインダクタとを備える、高周波モジュールが示されている。整合回路は実装型回路素子として積層基板に実装され、インダクタは積層基板の内層に形成されている。整合回路とインダクタとを誘導性結合または容量性結合させた結合回路を用いて、フィルタ部の減衰特性を向上させている。
国際公開第２０１５／０１９９８０号
　上記の通り、特許文献に１に記載されている構成においては、整合回路として実装型回路素子が用いられている。これは、実装型回路素子を用いると、例えば整合素子としてのインダクタンス値を大きくして、かつ挿入損失を小さくすることができるからである。しかしながら、フィルタの減衰特性を向上させるために、当該実装型回路素子と積層基板の内層に形成されているインダクタとを結合させる場合、十分な結合量を得ることができない、という問題がある。
　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、整合回路における挿入損失の劣化を抑制でき、かつ、減衰特性を改善するための結合回路を得やすい高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一局面に従う高周波モジュールは、複数の絶縁体層が積層されてなる積層基板と、積層基板に設けられた第１端子および第２端子と、第１端子と第２端子との間に接続されたフィルタと、第１端子とフィルタとの間に接続された整合回路と、積層基板に導体パターンとして設けられ、フィルタとグランドとの間に接続されたインダクタとを備える。整合回路は、積層基板に個別部品として設けられた実装型回路部と、積層基板に導体パターンとして設けられた層回路とを含む。層回路部は、インダクタと電磁界結合されている。
　本発明の別の局面に従う高周波モジュールは、第１端子と、第２端子と、第１端子と第２端子との間に接続されたフィルタと、第１端子とフィルタとの間に接続された整合回路と、フィルタとグランドとに接続されたインダクタと、フィルタと整合回路とインダクタとが設けられた積層基板とを備える。フィルタは、積層基板に実装されている。整合回路は、積層基板に実装された実装型回路部と、積層基板の内層および外層のうち少なくとも一方に形成された層回路部とを含む。インダクタは、積層基板の内層および外層のうち少なくとも一方に形成されている。層回路部は、インダクタと電磁界結合されている。
　上記構成によれば、整合回路に大きな素子値が必要となった場合には、実装型回路部の素子値を大きくすれば挿入損失が増加しにくい。また、整合回路とインダクタとが電磁界結合できない場合や、電磁界結合はできるがその結合係数が充分に得られない場合には、層回路部を電磁界結合に用いることで、結合回路が形成される程度まで結合係数を高めることができる。従って、挿入損失の劣化を抑制でき、かつ、結合回路も得やすくなる。なお、本明細書等において、「積層基板に個別部品として設けられる」とは、積層基板に導体パターンとしてパターニングされるのではなく、積層基板に個別のチップ部品として実装されることを指す。一方、本明細書等において、「積層基板に導体パターンとして設けられる」とは、積層基板に個別のチップ部品として実装されるのではなく、積層基板に導体パターンとしてパターニングされることを指す。
　また、上記層回路部と上記インダクタとの距離は、上記実装型回路部と上記インダクタとの距離より短いと好ましい。
　すなわち、上記層回路部と上記インダクタとの結合係数が、上記実装型回路部と上記インダクタとの結合係数より高いと好ましい。
　上記構成によれば、実装型回路部とインダクタとの間よりも、層回路部とインダクタとの間のほうに、結合回路が形成されやすくなる。そのため、実装型回路部とインダクタとの距離が大きく離れるなどして実装型回路部とインダクタとの結合が微弱となっても、層回路部とインダクタとにより結合回路が消滅しにくくなる。すなわち、結合回路の形成をより容易に行える。
　また、上記フィルタとグランドとの間に接続されており、上記インダクタとは異なる少なくとも一つの他のインダクタをさらに備え、第１端子は高周波信号が出力される出力端子であり、第２端子は高周波信号が入力される入力端子であり、上記インダクタは、当該インダクタと上記少なくとも一つの他のインダクタとを含む複数のインダクタのうち第２端子に最も近いインダクタであると好ましい。
　本発明に係る高周波モジュールは、上記結合回路を伝搬する高周波信号を、フィルタを経由して伝搬する高周波信号と合成して打ち消すことで減衰特性を高めている。
　上記構成によれば、第２端子に２番目や３番目に近いインダクタと整合回路とを結合させる場合と比べて、上記結合回路を伝搬する高周波信号の強さが強まる。従って、フィルタを経由して伝搬する高周波信号を打ち消しやすくなり、より確実に減衰特性を高めることができる。
　このとき、上記フィルタは送信信号をフィルタリングする送信用フィルタであってもよい。
　また、上記層回路部の少なくとも一部と上記インダクタとは、平面視したときに互いに重なると好ましい。
　上記構成によれば、層回路部とインダクタとが平面視して全く重ならない場合に比べて、層回路部とインダクタとが強固に結合しやすい。従って、整合回路とインダクタとを効率よく電磁界結合させることができる。
　さらに、上記層回路部と上記インダクタとは、共通のビア導体によりグランドに接続されていると好ましい。
　上記構成によれば、層回路部とインダクタとがそれぞれ別個のビア導体により接続される場合に比べて、より少ないスペースで本発明の構造を実現することができる。従って、高周波モジュールを小型化することができる。
　さらに、上記高周波モジュールは第３端子を備え、上記フィルタは上記第１端子と上記第２端子との間に接続された第１フィルタ部と、上記第１端子と上記第３端子との間に接続された第２フィルタ部とを含んでもよい。
　上記構成によれば、第２端子と第３端子との間のアイソレーション特性が優れた高周波モジュールを得ることができる。
　本発明に係る高周波モジュールによれば、高周波モジュールが備える整合回路の挿入損失を低減し、かつ、整合回路とインダクタとの間の結合回路を得やすくなる。
実施の形態に係る高周波モジュールの回路設計を示す回路図である。 実施の形態に係る高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。 実施の形態に係る高周波モジュールを平面視した平面視図である。 実施の形態に係る高周波モジュールの要部を斜視した斜視図であり、（Ａ）は積層基板に実装された素子、および、それらの素子と接続されたインダクタを示す図であり、（Ｂ）は（Ａ）からインダクタとその周囲を抜き出した図である。 実施の形態に係る高周波モジュールをデュプレクサ構成に適用した場合の回路設計を示す回路図である。
　以下、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールについて、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態に示される材料、形状、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立の請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　〔１．回路構成〕
　図１は、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成を示す回路図である。同図に示すように、高周波モジュール１０は、端子Ｐ１、Ｐ２とフィルタ２０と整合回路４０とインダクタ５０、６０とを備える。高周波モジュール１０は端子Ｐ１を介してアンテナ素子（不図示）等に接続される。
　フィルタ２０は端子Ｐ２から入力された高周波信号を、所定の帯域でフィルタリングするフィルタである。このとき高周波信号は、入力端子である端子Ｐ２を経由してフィルタ２０へ入力され、出力端子である端子Ｐ１へ出力される。
　フィルタ２０は端子Ｐ１と端子Ｐ２との間に接続されている。フィルタ２０は直列腕共振子２０１～２０５と並列腕共振子２１１～２１４とを備える。直列腕共振子２０１～２０５は、端子Ｐ１と端子Ｐ２とを結ぶ経路上にそれぞれ設けられている。並列腕共振子２１１～２１４は、端子Ｐ１と端子Ｐ２とを結ぶ経路上のノードと、グランドとを結ぶ経路上にそれぞれ設けられている。並列腕共振子２１１～２１３はインダクタ５０を介してグランドに接続されている。また、並列腕共振子２１４はインダクタ６０を介してグランドに接続されている。
　整合回路４０は、端子Ｐ１とフィルタ２０とを結ぶ経路上のノードとグランドとを結ぶ経路上に設けられている。整合回路４０の素子値（インダクタンス）は、端子Ｐ１に接続されるアンテナ素子等とフィルタ２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。整合回路４０は、互いに直列に接続されたインダクタ４１とインダクタ４２から構成されている。
　このとき、インダクタ４２とインダクタ６０との破線矢印で示すような電磁界結合を用いて、整合回路４０はインダクタ６０に対して電磁界結合をしている。すなわち、整合回路４０は、インダクタ６０に対して誘導性結合しているか、または、インダクタ６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。
　上記構成とすることで、整合回路４０とインダクタ６０との間には回路が形成される。例えば、整合回路４０とインダクタ６０とが誘導性結合した場合には、整合回路４０とインダクタ６０との間に相互インダクタンスを有する誘導性結合回路が形成されて、当該誘導性結合回路を高周波信号が伝搬するようになる。これにより、端子Ｐ１と端子Ｐ２との間を伝搬する高周波信号は、端子Ｐ２、フィルタ２０、端子Ｐ１を伝搬経路とする主伝搬経路に加えて、端子Ｐ２、インダクタ６０、点線矢印で示された誘導性結合回路、整合回路４０、および、端子Ｐ１を伝搬経路とする副伝搬経路を通じて伝搬する。
　従って、端子Ｐ１と端子Ｐ２との間を伝搬して出力される高周波信号は、主伝搬経路を伝搬する高周波信号と副伝搬経路を伝搬する高周波信号とが合成された高周波信号となる。
　このとき、主伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相と副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相との関係によっては、各伝搬経路を伝搬する高周波信号同士が合成される際に互いに打ち消しあって減衰される。そのため、各伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相の調整の仕方によっては、端子Ｐ１と端子Ｐ２との間にあるフィルタ２０が通過帯域とする周波数帯域外の減衰特性も調整することができる。
　ここで、フィルタ２０を経由する主伝搬経路ではなく、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相を調整すれば、フィルタ２０の通過帯域にある高周波信号の振幅や位相に殆ど影響を与えることなく、上記減衰特性を調整できる。
　副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相は、結合した整合回路４０とインダクタ６０との結合係数や結合の向きにより調整できる。従って、整合回路４０とインダクタ６０とを電磁界結合させれば、その結合係数や向きを調整して通過帯域外の減衰特性が優れたフィルタ２０を備える高周波モジュール１０を得られるようになる。
　さらにこのとき、整合回路４０が電磁界結合しているのは、インダクタ５０、６０のうち入力端子である端子Ｐ２に最も近いインダクタ６０である。なお、本明細書における「最も近い」とは「電気回路的に最も近い」ことを指す。
　フィルタを介して接続された２つの端子の間を伝搬する高周波信号はフィルタの内部を通過するに従って減衰される。具体的には、本実施形態において端子Ｐ２から入力された高周波信号は、フィルタ２０が備える直列腕共振子２０１～２０５および並列腕共振子２１１～２１４を通過するたびに減衰されながら、端子Ｐ１へと出力されることとなる。
　例えば高周波信号は、並列腕共振子２１３を通過するときには並列腕共振子２１４を通過するときより減衰される。すなわち、並列腕共振子２１３からインダクタへと伝搬する高周波信号は、並列腕共振子２１４からインダクタへと伝搬する高周波信号より弱い信号となる。
　端子Ｐ２に最も近いインダクタ６０を整合回路４０と電磁界結合させると、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の強さが、インダクタ５０を整合回路４０と電磁界結合させるときに比べて強くなる。従って、主伝搬経路を伝搬する高周波信号をより確実に打ち消せるようになり、減衰特性もより確実に向上させることができる。
　なお、端子Ｐ１が入力端子であり、端子Ｐ２が出力端子でもよい。その場合には、整合回路４０を出力端子である端子Ｐ２とフィルタ２０との間に設け、かつ、整合回路４０を端子Ｐ１に最も近いインダクタ電磁界結合させることが好ましい。
　また、図示していないが、整合回路４０は端子Ｐ１とフィルタ２０とを結ぶ経路上に直列に設けられていてもよい。
　さらに、整合回路４０にはインダクタの代わりに直列接続されたキャパシタを用いることも可能である。その場合には、整合回路４０のキャパシタとインダクタ６０を構成する線状導体の一部とを容量性結合させれば、本発明の構成を実現することができる。
　以上のような回路構成を有する高周波モジュール１０を、本実施の形態は次に示すような構造を用いて実現している。本発明は、以下で示すように整合回路４０を互いに異なる形態のインダクタ４１、４２から構成することで、挿入損失の劣化を抑制でき、かつ、減衰特性を改善するための結合回路を得やすくする、という課題を解決するものである。
　〔２．構造〕
　図２は、高周波モジュール１０の主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール１０は積層基板１００、フィルタ２０および実装型回路素子４１０を備える。
　積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の第１主面１００Ｆおよび内層には、所定の導体パターンが形成されている。これらの導体パターンにより、フィルタ２０が実装される電極パッド１０２、実装型回路素子４１０が実装される電極パッド１０３やビア導体１１１～１１３を含む配線導体、および、インダクタ４２、６０等が形成されている。
　インダクタ４２、６０は線状導体４２Ａ～４２Ｃ、６０Ａ、６０Ｂと、層間接続導体ＣＮとから構成されている。インダクタ４２の一方端を形成する線状導体４２Ａはビア導体１１３を介して電極パッド１０３に接続されており、他方端を形成する線状導体４２Ｃはビア導体１１１を介して積層基板１００の内層に形成されたグランドパターンＧＮＤに接続されている。インダクタ６０の一方端を形成する線状導体６０Ａはビア導体１１２を介して電極パッド１０２に接続されており、他方端を形成する線状導体６０Ｂはビア導体１１１を介して積層基板１００の内層に形成されたグランドパターンＧＮＤに接続されている。
　また、積層基板１００の第２主面１００Ｓには、外部接続用電極（不図示）が複数個形成されている。これらの外部接続用電極により、端子Ｐ１、Ｐ２が構成される。
　フィルタ２０は例えば、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられた圧電基板を有するＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ：ウエハレベルパッケージ）構造の弾性波素子からなる。このＩＤＴ電極により直列腕共振子２０１～２０５および並列腕共振子２１１～２１４が構成されている。
　このような構造を有するフィルタ２０はバンプ２２２および電極パッド１０２を介して、積層基板１００の第１主面１００Ｆに実装されている。これにより、フィルタ２０は端子Ｐ１、Ｐ２と電気的に接続される。
　実装型回路素子４１０は、インダクタ４１を構成する素子である。実装型回路素子４１０は、絶縁性材料からなる直方体形状の筐体を備え、該筐体の内部にインダクタ４１となるスパイラル電極が設けられる。スパイラル電極は筐体の外周に沿って伸長し、線状導体と層間接続導体から形成されている。各層の線状導体は、層間接続導体によって一本の線状導体になるように接続されている。スパイラル電極の両端は、筐体の対向する両端面に形成された外部接続電極に接続されている。
　実装型回路素子４１０は電極パッド１０３を介して積層基板１００の第１主面１００Ｆに実装されている。すなわち、実装型回路素子４１０は電極パッド１０３とビア導体１１３とを介してインダクタ４２に接続されている。
　（１．主要構造）
　本実施の形態の主要な特徴は、この実装型回路素子４１０からなるインダクタ４１と積層基板１００の内層にあるインダクタ４２との２つのインダクタから整合回路４０が構成されていることと、インダクタ４２がインダクタ６０と電磁界結合していることにある。
　上記特徴を有する高周波モジュールでは、挿入損失の劣化を抑制し、かつ、結合回路を得やすくすることが可能となる。
　一方、整合回路と電磁界結合されるインダクタは積層基板の内外層に設けても大きな問題は生じない。これは、当該インダクタがフィルタの特性を補正するために設けられており、比較的小さなインダクタ値で機能できるためである。すなわち、インダクタを構成する導体を大幅に伸長する必要がないため、挿入損失をそれほど劣化させることなく積層基板の内外層に設けることができる。
　このように実装型回路素子として設けられた整合回路と積層基板の内外層に設けられたインダクタとを上記のように電磁界結合させようとすると、整合回路とインダクタとの結合が充分に得られない場合がある。例えば、整合回路とインダクタとの距離が離れてしまうと、整合回路とインダクタとで生じる磁束が結合しにくくなり、両者の結合係数が低くなりやすい。その場合、上記結合回路を形成するのに充分な結合係数を得にくくなってしまう。
　これに対して、本発明に係る高周波モジュールは、整合回路を積層基板に実装される実装型回路部と積層基板の内外層に形成される層回路部それぞれに設けて、層回路部の整合回路をインダクタと電磁界結合させていることで、上記問題を解消している。
　具体的には、整合回路４０を構成するインダクタ４１、４２のうちインダクタ４１は本発明における「実装型回路部」として積層基板１００に実装され、インダクタ４２は本発明における「層回路部」として積層基板１００の内層に設けられている。ここで、整合回路４０に比較的大きな素子値が必要となった場合、インダクタ４１、４２のうちインダクタ４１のインダクタ値を大きくして必要な素子値を実現すれば、挿入損失が劣化しにくい。
　また、インダクタ６０とインダクタ４１とが電磁界結合できない場合や、インダクタ６０とインダクタ４１とが電磁界結合はできるがその結合係数が充分に得られない場合にも、インダクタ６０とインダクタ４２とを電磁界結合させておけば結合回路が形成できる程度の結合を得られる。
　図３は、図２に示す高周波モジュール１０を積層基板１００の第１主面１００Ｆ側から平面視した平面視図である。同図に示すように、フィルタ２０の周囲には他の回路素子７０が配置されることもある。このとき回路素子７０がインダクタ６０の付近にあった場合には、実装型回路素子４１０とインダクタ６０との間の距離を近づけることが困難となる。このような場合、インダクタ６０とインダクタ４１とは電磁界結合しにくくなり、整合回路４０とインダクタ６０との間に結合回路が形成できない恐れがある。
　そこで、インダクタ４２とインダクタ６０とを結合させておけば、整合回路４０とインダクタ６０との間に結合回路が形成される程度まで結合係数を高めることができる。インダクタ４２は、インダクタ６０と同じく積層基板１００の内外層に形成されているため、積層基板１００に実装されている実装型回路素子４１０（インダクタ４１）に比べて、インダクタ６０との距離を縮めやすい。従って、インダクタ４２をインダクタ６０との電磁界結合に用いれば、整合回路４０とインダクタ６０との結合係数を高めやすくなる。
　すなわち、インダクタ４２を整合回路４０とインダクタ６０との電磁界結合に用いて不足している結合係数を補うことで、整合回路４０とインダクタ６０との間に副伝搬経路を確実に形成しやすくなる。
　以上より、上記特徴を有する高周波モジュール１０によれば、挿入損失が劣化しにくい状態で、整合回路４０とインダクタ６０との結合回路を得やすくなる。
　なおこのとき、インダクタ４２と共に、実装型回路素子４１０から構成されるインダクタ４１がインダクタ６０と電磁界結合していてもよい。この場合であっても、インダクタ４１を必要な素子値の実現に用いることや、インダクタ４２を整合回路４０とインダクタ６０との間の結合係数の補充に用いることができることに変わりはない。すなわち本発明は、整合回路４０中の層回路部のみが電磁界結合している点を特徴としているのではなく、少なくとも層回路部は電磁界結合している点を特徴とするものである。
　また、インダクタ４２およびインダクタ６０は、その少なくとも一部が積層基板１００の外層である第１主面１００Ｆや第２主面１００Ｓに設けられていてもよい。この場合であっても、上記のように本発明の効果を妨げるものではない。
　さらに、実装型回路素子４１０は積層基板１００に実装可能な素子であればよく、図示したような表面実装型の回路素子のほか、リード線等を用いた挿入実装型の回路素子などでもよい。いずれの回路素子を用いても、比較的小さい挿入損失で必要な素子値を実現しやすい、という効果を実現できる。
　以下、本実施形態が備えるその他の特徴について解説する。
　（２．その他の構造）
　高周波モジュール１０において、インダクタ４２とインダクタ６０との間の距離は、インダクタ４１とインダクタ６０との間の距離より短い。そのため、インダクタ４２とインダクタ６０との結合係数は、インダクタ４１とインダクタ６０との結合係数より高くなっている。インダクタ４１を構成する導体パターンとインダクタ６０を構成する導体パターンとの間の最短距離を、インダクタ４１とインダクタ６０との間の距離と定めることができる。
　上記のような構造によれば、インダクタ４１とインダクタ６０とを結ぶ経路を伝搬する高周波信号より、インダクタ４２とインダクタ６０とを結ぶ経路を伝搬する高周波信号の方が増加する。すなわち、整合回路４０とインダクタ６０との間の結合回路が、インダクタ４１とインダクタ６０との間より、インダクタ４２とインダクタ６０との間の方に形成されやすくなる。
　この場合、インダクタ４１とインダクタ６０との結合係数が微弱となっても、インダクタ４２とインダクタ６０により結合回路が保持されやすい。すなわち、実装型回路素子４１０とインダクタ６０との距離が大きく離れても副伝搬経路が消滅しにくい。従って、整合回路４０とインダクタ６０との間の結合回路の形成を、より実装型回路素子４１０の配置に縛られず、容易に行えるようになる。
　また、インダクタ４２とインダクタ６０とは、平面視したときにその少なくとも一部が互いに重なっている。
　図４は、図２に示す高周波モジュール１０の要部を、積層基板１００の第１主面１００Ｆ側から斜視した斜視図である。（Ａ）はフィルタ２０、実装型回路素子４１０、インダクタ４２、６０等を示す図であり、（Ｂ）は（Ａ）からインダクタ４２、６０とそれらの周囲を抜き出した図である。
　同図に示すように、インダクタ４２を構成する線状導体４２Ｃの一部は、インダクタ６０を構成する線状導体６０Ａ、６０Ｂの一部と重なっている。
　上記のような構造によれば、インダクタ４２とインダクタ６０とが互いに重ならないときに比べて、インダクタ４２にて生じる磁束とインダクタ６０にて生じる磁束との結合が密になりやすい。なぜならば、平面視したときに、インダクタ４２において磁束が生じる線状導体の一部が、インダクタ６０において磁束が生じる線状導体の一部と重なるためである。
　この場合、両線状導体で生じる磁束がより強固に結合しやすく、結合係数が高まりやすい。すなわち、インダクタ４２、６０のインダクタ値が比較的低くても、副伝搬経路の形成に充分な結合を得やすくなるため、効率よくインダクタ４２とインダクタ６０とを結合させることができる。従って、整合回路４０とインダクタ６０との結合もより効率よく実現できる。
　なお、この場合、インダクタ４２を構成する線状導体４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃのうち少なくとも一部は、積層基板１００の内層および外層を含む複数の絶縁体層において、インダクタ６０を構成する線状導体６０Ａ、６０Ｂが形成された層とは別個の層に形成されている。
　また図４（Ｂ）に示すように、電磁界結合させるインダクタ４２およびインダクタ６０は、直線状の線状導体ではなく、線状導体と層間接続導体とで構成された螺旋状の線状導体であることが好ましい。インダクタ４２、６０は積層基板１００の内外層に形成されるため、形成するスペースが限られる。そのように限られたスペースの中でインダクタを形成する場合には、直線状の線状導体を用いるより螺旋状の線状導体を用いるほうが導体を密に構成しやすく、より強い磁束を発生させることができる。従って、インダクタ４２とインダクタ６０との結合をより強固にすることができる。
　さらに図２に示すように、インダクタ４２とインダクタ６０とは共通のビア導体１１１により積層基板１００の内層にあるグランドパターンＧＮＤに接続されている。
　上記のような構造によれば、インダクタ４２、６０それぞれを別個のビア導体でグランドパターンＧＮＤに接続する場合に比べて、使用する部品の点数を減少させることができる。従って、より少ないスペースで本発明の構造を実現できるようになり、高周波モジュール１０の小型化が見込める。
　以上のような回路構成および構造からなる高周波モジュール１０は、デュプレクサなど複数のフィルタを備える回路構成にも適用することができる。
　図５は、デュプレクサ構成からなる高周波モジュール１０Ａの回路設計を示す回路図である。同図に示す高周波モジュール１０Ａは、高周波モジュール１０に比べて、さらに端子Ｐ３を備えている。さらに、端子Ｐ１と端子Ｐ２との間に接続されたフィルタ２１には２つのフィルタ部が含まれる点が、高周波モジュール１０とは異なっている。
　高周波モジュール１０Ａにおいて、フィルタ２１は送信用フィルタ部２２と受信用フィルタ部２３とを含んで構成される。
　送信用フィルタ部２２は送信回路で生成された送信信号を、送信通過帯域でフィルタリングするフィルタ部である。このとき送信信号は、送信側端子である端子Ｐ２を経由して送信用フィルタ部２２へ入力され、端子Ｐ１へ出力される。なお、送信用フィルタ部２２の回路構成は、高周波モジュール１０におけるフィルタ２０と同じである。
　受信用フィルタ部２３はアンテナ素子（不図示）等から受信した受信信号を受信通過帯域でフィルタリングするフィルタ部である。受信通過帯域は送信通過帯域とは異なる周波数帯域であり、送信通過帯域外の減衰帯域範囲内となるように設定されている。このとき受信信号は、端子Ｐ１から受信用フィルタ部２３へと入力され、受信側端子である端子Ｐ３へと出力される。
　受信用フィルタ部２３は端子Ｐ１と端子Ｐ３との間に接続されている。受信用フィルタ部２３は直列腕共振子２３１と縦結合型共振子２５１、２５２とを備える。直列腕共振子２３１および縦結合型共振子２５１、２５２は、端子Ｐ１と端子Ｐ３とを結ぶ経路上にそれぞれ設けられており、互いに直列に接続されている。
　高周波モジュール１０と同様に、高周波モジュール１０Ａでは整合回路４０とインダクタと６０が電磁界結合され、高周波信号を伝搬する副伝搬経路が形成されている。これにより、整合回路４０とインダクタ６０との結合係数を調整して、フィルタ部の減衰特性を向上させることが可能となる。
　特に、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相を、受信通過帯域の高周波信号と合成されたときに打ち消しあう振幅および位相に調整すれば、端子Ｐ２と端子Ｐ３との間のアイソレーションが強まる。従って、本発明に係る高周波モジュールをデュプレクサ構成に適用すれば、各フィルタ部間のアイソレーション特性が優れた高周波モジュールを得られる。
　なお、本発明に係る高周波モジュールは、デュプレクサ構成のみではなく、３つ以上のフィルタを備えるマルチプレクサ構成の高周波モジュールにも適用できる。その場合にも、上記のような電磁界結合による副伝搬経路を形成することにより、アイソレーション特性の優れた高周波モジュールを得ることができる。
　１０，１０Ａ　高周波モジュール、２０，２１　フィルタ、２２，２３　フィルタ部、４０　整合回路、４１，４２，５０，６０　インダクタ、４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ，６０Ａ，６０Ｂ　線状導体、１００　積層基板、１００Ｆ　第１主面、１００Ｓ　第２主面、１０２，１０３　電極パッド、１１１，１１２，１１３　ビア導体、２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２３１　直列腕共振子、２１１，２１２，２１３，２１４　並列腕共振子、２２２　バンプ、２５１，２５２　縦結合型共振子、４１０　実装型回路素子、ＣＮ　層間接続導体、ＧＮＤ　グランドパターン、Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３　端子。

Claims (8)

  1. 　複数の絶縁体層が積層されてなる積層基板と、
    　前記積層基板に設けられた第１端子および第２端子と、
    　前記第１端子と前記第２端子との間に接続されたフィルタと、
    　前記第１端子と前記フィルタとの間に接続された整合回路と、
    　前記積層基板に導体パターンとして設けられ、前記フィルタとグランドとの間に接続されたインダクタと、
    を備え、
    　前記整合回路は、
    　前記積層基板に個別部品として設けられた実装型回路部と、
    　前記積層基板に導体パターンとして設けられた層回路部と、を含み、
    　前記層回路部は、前記インダクタと電磁界結合された、
    高周波モジュール。
  2. 　前記層回路部と前記インダクタとの間の距離が、前記実装型回路部と前記インダクタとの間の距離より短い、請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記層回路部と前記インダクタとの結合係数が、前記実装型回路部と前記インダクタとの結合係数より高い、請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記フィルタとグランドとの間に接続されており、前記インダクタとは異なる少なくとも一つの他のインダクタをさらに備え、
    　前記第１端子は高周波信号が出力される出力端子であり、
    　前記第２端子は高周波信号が入力される入力端子であり、
    　前記インダクタは、前記インダクタと前記少なくとも一つの他のインダクタとを含む複数のインダクタのうち前記第２端子に最も近いインダクタである、
    　請求項１～３のいずれかに記載の高周波モジュール。
  5. 　前記フィルタは送信信号をフィルタリングする送信用フィルタである、請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記層回路部の少なくとも一部は、前記積層基板の前記複数の絶縁体層のうち、前記インダクタが形成された層とは別個の層に形成されており、
    　前記層回路部の少なくとも一部と前記インダクタとは、平面視したときに互いに重なる、請求項１～５のいずれかに記載の高周波モジュール。
  7. 　前記層回路部と前記インダクタとは、共通のビア導体によりグランドに接続されている、請求項１～６のいずれかに記載の高周波モジュール。
  8. 　第３端子をさらに備え、
    　前記フィルタは
    　　前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１フィルタ部と、
    　　前記第１端子と前記第３端子との間に接続された第２フィルタ部と、
    　を含む、請求項１～７のいずれかに記載の高周波モジュール。
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