WO2017110639A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2017110639A1
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直也 松本
修一 小野寺
上野　晃一
真也 溝口
正英 武部
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株式会社村田製作所
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    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver

Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module for filtering a signal transmitted and received by an antenna.
  • patent document 1 it is a reactance filter in which the cutoff region is suppressed, and an input terminal for applying an input signal, an output terminal for outputting an output signal, and a signal path between the input terminal and the output terminal At least one series resonator connected to the parallel resonator, a parallel resonator connected between the signal path and a terminal for applying a reference potential, and an inductor connected in series to the parallel resonator
  • a reactance filter is disclosed.
  • a capacitor is connected to a terminal between at least one parallel resonator and an inductor, and is connected to an output terminal by another terminal.
  • a circuit of the reactance filter is connected as a transmission filter in the duplexer device, so that isolation in the reception band of the duplexer device can be improved.
  • another signal path in which the input terminal and the output terminal of the transmission filter are capacitively coupled is formed in parallel with the signal path of the transmission filter, so that the amplitude and phase of the signal propagating through the other signal path can be reduced.
  • the leakage signal from the transmission filter can be canceled by adjusting. Isolation is separation between the transmission filter and the reception filter in the high-frequency module, and particularly refers to suppression of a leakage signal from the transmission filter in the reception band.
  • the filter of Patent Document 1 when applied to a transmission filter of a high-frequency module such as a duplexer, a capacitor is connected between the connection point of the parallel resonator and the inductor and the output terminal, so that the isolation characteristic is Although improved, there is a problem that the value of the inductor connected in series with the parallel resonator is rate-determined by the improvement of the isolation characteristic, and it is difficult to control the attenuation pole.
  • the attenuation pole refers to a location (frequency position) where a specific frequency is locally attenuated (suppressed) in the frequency characteristics.
  • the present invention has been made in view of such problems, and is a high-frequency module having a transmission filter and a reception filter, which can enhance isolation and can easily control the attenuation pole.
  • the purpose is to provide modules.
  • a high-frequency module includes an antenna terminal, a transmission terminal, a reception terminal, a reception filter connected between the antenna terminal and the reception terminal, A transmission filter connected between an antenna terminal and the transmission terminal, a first element connected between the antenna terminal and the transmission filter, and a series connection between the transmission terminal and the transmission filter The first element and the second element are capacitively coupled.
  • the first element connected between the antenna terminal and the transmission filter and the second element connected in series between the transmission terminal and the transmission filter are capacitively coupled. Leakage signals are canceled and isolation is increased.
  • the second element is not an inductor connected in series to the parallel resonator but an element connected in series between the transmission terminal and the transmission filter, the value of the second element may be determined by improvement in isolation characteristics. rare. That is, by adjusting the value of the inductor connected in series with the parallel resonator included in the transmission filter, the attenuation pole can be controlled with little influence on securing the isolation. Therefore, a high-frequency module having a transmission filter and a reception filter, which can enhance isolation and can easily control the attenuation pole, is realized.
  • the first element includes a wiring connecting the antenna terminal and the transmission filter, a first inductor connected between a connection point between the antenna terminal and the transmission filter and a ground, and the first inductor. Wiring, a first capacitor connected between the connection point and the ground, and a wiring connected to the first capacitor, the second element being the transmission terminal And a wiring connecting the transmission filter, a second inductor connected between the transmission terminal and the transmission filter, a wiring connected to the second inductor, a connection between the transmission terminal and the transmission filter
  • the second capacitor may be at least one of a wiring connected to the second capacitor and the second capacitor.
  • first element may be a wiring connecting the first inductor and the ground
  • second element may be the second inductor
  • a substrate on which the reception filter and the transmission filter are mounted is provided, a conductive pattern is formed on the substrate, and the first element and the second element are capacitively coupled via the conductive pattern. It may be.
  • the first element is disposed at a position overlapping the first region in the conductor pattern when the substrate is viewed in plan, and the second element is disposed in the conductor pattern when the substrate is viewed in plan. You may arrange
  • capacitive coupling between the first element and the second element can be easily realized by positioning the first element and the second element above or below the conductor pattern.
  • the conductor pattern may be connected to the ground by a conductor having an inductor component.
  • the conductor having the inductor component may be a via that connects the conductor pattern and the ground.
  • the path and density can be adjusted, so that the coupling strength and phase between the first element and the second element can be adjusted and the isolation can be optimized.
  • the substrate is a multilayer substrate configured by laminating a plurality of wiring layers, and the conductor pattern is formed in a wiring layer excluding the uppermost layer and the lowermost layer of the plurality of wiring layers,
  • One of the first element and the second element is provided in a wiring layer above the wiring layer on which the conductor pattern is formed, among the plurality of wiring layers, and the other of the first element and the second element. May be provided in a wiring layer below the wiring layer on which the conductor pattern is formed, among the plurality of wiring layers.
  • one of the first element and the second element is provided in the upper layer of the conductor pattern, and the other of the first element and the second element is provided in the lower layer of the conductor pattern. Is suppressed from being directly magnetically coupled, and is capacitively coupled through the conductor pattern without fail. Further, it is possible to adjust the strength of capacitive coupling between the first element and the second element by adjusting the state of the conductor pattern (shape, size, ground connection state, etc.).
  • one of the first element and the second element may be a chip inductor provided in the uppermost wiring layer among the plurality of wiring layers.
  • one of the first element and the second element is a chip inductor provided on the outer surface of the substrate, the strength of capacitive coupling between the first element and the second element can be easily achieved by replacing the chip inductor. Can be adjusted.
  • the conductor pattern may have a third region in which at least one opening is formed.
  • the third region may be provided at a position that does not overlap with either the first region or the second region when the substrate is viewed in plan.
  • the first element and the second element are ensured to face the region excluding the opening in the conductor pattern, so that the capacitive coupling between the first element and the second element is provided by providing the opening. Is suppressed, and the first element and the second element are suppressed from being unnecessarily magnetically coupled.
  • the third region may be located between the first region and the second region when the substrate is viewed in plan. Thereby, when the substrate is viewed in plan, the first region and the second region are located so as to sandwich the third region including the opening formed in the conductor pattern. Since the current flowing between them flows near the opening and is reliably affected by the opening, the strength of capacitive coupling between the first element and the second element can be easily adjusted by adjusting the layout of the opening. Can be adjusted.
  • a plurality of openings may be formed in a mesh shape.
  • the first element may be arranged at a position overlapping the edge of the conductor pattern when the substrate is viewed in plan.
  • the first element is coupled to a portion of the conductor pattern where the density of the current flowing from the second element to the ground via the conductor pattern is high, so that the coupling strength between the first element and the second element is enhanced. Is done.
  • the first region may be located between the via and the second region when the substrate is viewed in plan.
  • the first element is located at a location that intersects the current flowing from the second element to the ground via the conductor pattern, so that the coupling between the first element and the second element is promoted. Is done.
  • a high-frequency module having a transmission filter and a reception filter, which can enhance isolation and can easily control an attenuation pole.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic diagram illustrating an example of the layout of the high-frequency module illustrated in FIG. 1.
  • 2B is a cross-sectional view of the high-frequency module obtained by cutting along a plane passing through line IIB-IIB in FIG. 2A.
  • FIG. 3A is a diagram showing a specific example of the layout of elements related to capacitive coupling shown in FIGS. 2A and 2B.
  • FIG. 3B is a diagram showing a distribution of current density in the layout shown in FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a graph showing simulation results for the isolation characteristics of the high-frequency module of the present embodiment having the layout shown in FIG. 3A.
  • FIG. 3A is a schematic diagram illustrating an example of the layout of the high-frequency module illustrated in FIG. 1.
  • 2B is a cross-sectional view of the high-frequency module obtained by cutting along a plane passing through line IIB-IIB in
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example (first modification) of adjusting the position and number of vias provided in the conductor pattern of the high-frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating another example (second modification) of the positional relationship between the conductor pattern of the high-frequency module and the first element in the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating another example (third modification) of the conductor pattern of the high-frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a structure of a high-frequency module in a modification (fourth modification) of the embodiment.
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency module 10 according to the embodiment.
  • the high-frequency module 10 is a module for filtering signals transmitted and received by an antenna (not shown), and includes an antenna (Ant) terminal 11, a transmission (Tx) terminal 12, a reception (Rx) terminal 13, a transmission filter 14, A reception filter 15, a first element 16, a second element 17, a conductor pattern 18, and a via 19 are provided.
  • the high-frequency module 10 is typically a duplexer that is mounted on a single board as described later.
  • the high frequency module 10 according to the present invention is not limited to a duplexer, and may be a module including a transmission filter and a reception filter.
  • the substrate is, for example, a multilayer substrate configured by laminating a plurality of insulator layers, and specifically, is LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) or the like.
  • the wiring pattern, terminal (electrode), and conductor pattern formed on the substrate are formed of silver, copper, aluminum, or the like.
  • the antenna terminal 11 is a terminal connected to the antenna, for example, an electrode formed on a substrate.
  • the antenna terminal 11 is typically connected to an antenna for transmission / reception via a wiring pattern or a high frequency switch.
  • the transmission terminal 12 is a terminal for inputting a signal transmitted by an antenna, and is, for example, an electrode formed on a substrate.
  • the transmission terminal 12 is typically connected to the output terminal of the power amplifier via a wiring pattern or a high frequency switch.
  • the reception terminal 13 is a terminal for outputting a signal received by the antenna, and is, for example, an electrode formed on a substrate.
  • the reception terminal 13 is typically connected to the input terminal of the low noise amplifier via a wiring pattern or a high frequency switch.
  • the transmission filter 14 is a filter that is connected between the antenna terminal 11 and the transmission terminal 12 and passes a signal component in the transmission band among signals input from the transmission terminal 12.
  • the transmission filter 14 includes a plurality of series resonators. It is a ladder type SAW (surface acoustic wave) filter composed of a plurality of parallel resonators.
  • the reception filter 15 is connected between the antenna terminal 11 and the reception terminal 13, and is a filter that passes a signal component in the reception band among signals input from the antenna terminal 11, and is, for example, a SAW filter.
  • the transmission filter 14 and the reception filter 15 are not limited to SAW filters, but may be other types of filters (for example, an LC filter, a cavity resonator filter, etc.) as long as the filters have characteristics that pass the transmission band and the reception band, respectively.
  • the transmission filter 14 and the reception filter 15 are low-pass filters, high-pass filters, or band-pass filters.
  • the first element 16 is an element connected between the antenna terminal 11 and the transmission filter 14.
  • the first element 16 is connected between the antenna terminal 11 and a connection point between the transmission filter 14 and the reception filter 15.
  • a wiring connecting the antenna terminal 11 and the transmission filter 14, a first inductor of a shunt connected between the connection point of the antenna terminal 11 and the transmission filter 14 and the ground 5, and the first inductor are connected.
  • the wiring connected to the first inductor is, for example, a wiring connected between the antenna terminal 11 to which the first inductor of the shunt is connected and the transmission filter 14, and a connection point between the antenna terminal 11 and the transmission filter 14. And a wiring connected between the first inductor and the ground 5.
  • the wiring connected to the first capacitor is, for example, a wiring connected between the antenna terminal 11 to which the first capacitor of the shunt is connected and the transmission filter 14, and a connection point between the antenna terminal 11 and the transmission filter 14. And a wiring connected between the first capacitor and the ground 5.
  • the first element 16 includes a first inductor 16 a for shunt connected between the connection point between the antenna terminal 11 and the transmission filter 14 and the ground 5, and the first inductor 16 a and the ground 5. And a wiring 16b for connecting the two.
  • the first inductor 16a may also serve as an element for impedance matching between the antenna and the high-frequency module 10.
  • the second element 17 is an element connected in series between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, for example, a wiring connecting the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, and the connection between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14. At least one of a second inductor connected in between, a wiring connected to the second inductor, a second capacitor connected between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, or a wiring connected to the second capacitor It is.
  • the wiring connected to the second inductor is, for example, a wiring connected between the transmission filter 14 and the second inductor or a wiring connected between the second inductor and the transmission terminal 12.
  • the wiring connected to the second capacitor is, for example, a wiring connected between the transmission filter 14 and the second capacitor or a wiring connected between the second capacitor and the transmission terminal 12.
  • the second element 17 is a second inductor connected between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14.
  • the conductor pattern 18 is a pattern formed on a substrate on which the high-frequency module is mounted.
  • the conductor pattern 18 is a solid layer formed on any wiring layer of the multilayer substrate.
  • the via 19 is an example of a conductor having an inductor component for connecting the conductor pattern 18 to the ground 5.
  • the via 19 is a via connecting the conductor pattern 18 formed on different wiring layers in the multilayer substrate and the ground 5. .
  • the first element 16 and the second element 17 are capacitively coupled.
  • the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b of the first element 16) and the second element 17 are a conductor pattern 18 connected to the ground 5 by a conductor (via 19) having an inductor component. It is capacitively coupled through.
  • the conductor pattern 18 can also be called a weak ground pattern having a constant inductor component between the conductor pattern 18 and the ground 5.
  • FIG. 2A is a schematic diagram showing an example of the layout of the high-frequency module 10 shown in FIG.
  • a layout in plan view of the high-frequency module mounted on the multilayer substrate 20 is shown.
  • a portion indicated by a broken line is a portion hidden by the mounting component, or a portion formed in the inner layer or the lowermost wiring layer excluding the uppermost layer of the multilayer substrate 20.
  • the transmission filter 14 and the reception filter 15 are realized as one package component and mounted on the upper surface of the multilayer substrate 20.
  • the first inductor 16 a is realized as a chip component and mounted on the upper surface of the multilayer substrate 20.
  • the antenna terminal 11 and the transmission terminal 12 are mounted on the upper surface of the multilayer substrate 20 and used for connection with other components.
  • the elements related to capacitive coupling are formed in the inner wiring layer (each different wiring layer) of the multilayer substrate 20.
  • the position where the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b constituting the first element 16) overlaps the first region 18a in the conductor pattern 18 when the multilayer substrate 20 is viewed in plan view.
  • the second element 17 is disposed at a position overlapping the second region 18b in the conductor pattern 18 when the multilayer substrate 20 is viewed in plan view.
  • the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b constituting the first element 16) and the second element 17 have a region overlapping the conductor pattern 18 when the multilayer substrate 20 is viewed in plan view. As a result, capacitive coupling is achieved.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view of the high-frequency module 10 obtained by cutting along a plane passing through the line IIB-IIB in FIG. 2A.
  • the second element 17 formed in the inner wiring layer of the multilayer substrate 20 is indicated by a broken line, although it is not located at the cut surface passing through the IIB-IIB line.
  • the multilayer substrate 20 includes an uppermost layer 20a, a second layer 20b, a third layer 20c, a fourth layer 20d, and a fifth layer from the uppermost layer (front surface) to the lowermost layer (back surface). 20e and the wiring layer of the lowermost layer 20f.
  • the wiring layers of the uppermost layer 20a, the second layer 20b, the third layer 20c, the fourth layer 20d, the fifth layer 20e, and the lowermost layer 20f are respectively the upper surface of the first insulator layer 21a and the second insulator layer.
  • the first insulator layer 21a, the second insulator layer 21b, the third insulator layer 21c, the fourth insulator layer 21d, and the fifth insulator layer 21e are laminated structures constituting the multilayer substrate 20, For example, an insulating substrate made of LTCC, alumina, glass epoxy or the like and capable of wiring on both sides.
  • the conductor pattern 18 is formed as a solid layer in a partial region of the fourth layer 20d, and is connected to the ground 5 which is an electrode formed in the lowermost layer 20f via the via 19.
  • the wiring 16b constituting the first element 16 is formed at the position of the fifth layer 20e immediately below the conductor pattern 18, and the first inductor 16a mounted on the uppermost layer 20a and the ground 5 and via formed on the lowermost layer 20f. Connected with.
  • the second element 17 constitutes an inductor formed by laminating an annular wiring pattern on the second layer 20b and the third layer 20c immediately above the conductor pattern 18, and both terminals are wiring patterns of the uppermost layer 20a. And connected with vias.
  • the second element 17 connected in series therebetween is capacitively coupled through the conductor pattern 18.
  • the second element 17 is not an inductor connected in series to the parallel resonator in the transmission filter 14 but an element connected in series between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, the value thereof is the isolation characteristic. Almost never limited by improvement. That is, by adjusting the value of the inductor connected in series with the parallel resonator included in the transmission filter 14, the attenuation pole can be controlled with little influence on securing the isolation.
  • the conductor pattern 18 used for capacitive coupling between the first element 16 and the second element 17 is connected to the ground 5 by a conductor (via 19) having an inductor component.
  • a conductor via 19 having an inductor component.
  • the multilayer substrate 20 is a multilayer substrate formed by laminating a plurality of wiring layers (the uppermost layer 20a to the lowermost layer 20f), and the conductor pattern 18 includes the uppermost layer 20a and the lowermost layer among the plurality of wiring layers.
  • the wiring layers in this case, the fourth layer 20d) except 20f are formed.
  • One of the first element 16 and the second element 17 (here, the second element 17) is more than the wiring layer (here, the fourth layer 20d) in which the conductor pattern 18 is formed among the plurality of wiring layers.
  • the wiring layer (here, the second layer 20b and the third layer 20c) below the wiring layer (here, the fourth layer 20d) on which the conductor pattern 18 is formed is provided.
  • one of the first element 16 and the second element 17 is provided in the upper layer of the conductor pattern 18, and the other of the first element 16 and the second element 17 is provided in the lower layer of the conductor pattern 18.
  • the element 16 and the second element 17 are prevented from being directly magnetically coupled and are surely capacitively coupled via the conductor pattern 18. That is, if both the first element 16 and the second element 17 are provided in one of the upper layer and the lower layer of the conductor pattern 18 (for example, both the first element 16 and the second element 17 are provided in the same wiring layer). In this case, the magnetic coupling between the first element 16 and the second element 17 becomes strong, and appropriate capacitive coupling is not ensured.
  • the first element 16 is sandwiched between the conductor patterns 18. By providing the element 16 and the second element 17, unnecessary magnetic field coupling is suppressed, and appropriate capacitive coupling is ensured.
  • FIG. 3A is a diagram showing a specific example of the layout of elements (wiring 16b constituting the first element 16, second element 17 and conductor pattern 18) related to the capacitive coupling shown in FIGS. 2A and 2B.
  • a symbol diagram of the high-frequency module 10 shown in FIG. 1 is shown on the left side, and elements related to capacitive coupling (the wiring 16b constituting the first element 16, the second element 17, and the conductor pattern are shown on the right side.
  • a specific example of the layout 18) is shown, and the correspondence between the location in the symbol diagram and the location in the layout is indicated by a broken line and a dashed circle.
  • a perspective layout of elements related to capacitive coupling (the wiring 16b, the second element 17 and the conductor pattern 18 constituting the first element 16) is shown. ing.
  • FIG. 3B is a diagram showing a distribution of current density in the layout shown in FIG. 3A.
  • an element related to capacitive coupling when a high frequency current is applied to the terminal 17a with the terminal 17a of the second element 17 (the terminal of the second element 17 connected to the transmission terminal 12) as an excitation point is used.
  • the distribution of the density (mA / m 2 ) of the current flowing through (the wiring 16b, the second element 17 and the conductor pattern 18 constituting the first element 16) is shown.
  • a darker color portion indicates a higher current density.
  • the current supplied to the terminal 17a of the second element 17 flows to the via 19 and the wiring 16b through the conductor pattern 18. From this, it can be seen that the wiring 16b constituting the first element 16 and the second element 17 are capacitively coupled via the conductor pattern 18 by the layout as shown in this figure.
  • the first region 18a of the conductor pattern 18 that overlaps the first element 16 (here, the wiring 16b) is the second region of the conductor pattern 18 that overlaps the second element 17. It can be seen that it is preferably located between 18b and via 19. As a result, when the multilayer substrate 20 is viewed in plan, the first element 16 is located at a location that intersects the current flowing from the second element 17 through the conductor pattern 18 to the ground 5. The coupling between 16 and the second element 17 is promoted.
  • FIG. 4 is a graph showing simulation results for the isolation characteristics of the high-frequency module 10 of the present embodiment having the layout shown in FIG. 3A.
  • the vertical axis represents isolation, that is, the ratio (suppression ratio) of the intensity of the signal observed at the receiving terminal 13 to the intensity of the signal input from the transmitting terminal 12.
  • the horizontal axis represents the frequency, the left side (low frequency side) of the peak appearing in the center is the transmission band, and the right side (high frequency side) is the reception band.
  • the frequencies and suppression ratios of five markers (points M1 to M4 and M8 in the graph) in the isolation characteristics of the high-frequency module 10 of the present embodiment are shown.
  • the isolation of the high-frequency module 10 of the present embodiment is higher than the isolation of the high-frequency module of the reference example in the reception band
  • the high-frequency module 10 of the present embodiment For example, the capacitive coupling between the first element 16 and the second element 17 ensures higher isolation than the high frequency module of the reference example that does not have such a capacitive coupling.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of adjusting the position and number of vias 19 provided in the conductor pattern 18 of the high-frequency module 10 in the above embodiment (first modification).
  • the wiring 16b constituting the first element 16 extends between the two vias 19a and 19b when the multilayer substrate 20 is viewed in plan.
  • the via 19a has the same role as the via 19 according to the specific example shown in FIGS. 3A and 3B, that is, a conductor pattern that overlaps the first element 16 (here, the wiring 16b) when the multilayer substrate 20 is viewed in plan.
  • the 18 first regions 18 a have a role of being positioned between the second region 18 b of the conductor pattern 18 overlapping the second element 17 and the via 19 a.
  • the first element 16 is located at a location that intersects the current flowing from the second element 17 through the conductor pattern 18 to the ground 5. The coupling between 16 and the second element 17 is promoted.
  • the via 19b adjusts the inductor component (coupling strength with the ground) between the conductor pattern 18 and the ground 5, and the path and density of the current flowing from the second element 17 to the ground 5 via the conductor pattern 18. It is used to adjust.
  • the coupling strength and phase between the first element 16 and the second element 17 are adjusted, thereby leaking from the transmission filter 14. Isolation can be optimized by canceling the signal.
  • FIG. 6 shows another example of the positional relationship between the conductor pattern 18 of the high-frequency module 10 and the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b constituting the first element 16) in the above embodiment (second modification).
  • the first element 16 (here, the wiring 16b) is when the multilayer substrate 20 is viewed in plan view.
  • the conductor pattern 18 is disposed at a position overlapping the edge 18c. More specifically, the wiring 16b extends so as to be bent at approximately 90 degrees along one corner of the rectangular conductor pattern 18 when the multilayer substrate 20 is viewed in plan.
  • the edge portion 18c of the conductor pattern 18 flows through a portion closer to the outer edge than the center of the conductor pattern 18, or a portion located on the inner side within a predetermined distance from the outer edge of the conductor pattern 18, or the conductor pattern 18. This is a location close to the outer edge, which is known in advance that the current density is greater than a predetermined value.
  • the first element 16 (here, the wiring 16b) is arranged at a position overlapping the edge 18c of the conductor pattern 18, so that the first element Among them, since the second element is coupled to a portion where the density of current flowing from the second element to the ground via the conductor pattern is high, the coupling strength between the first element and the second element is enhanced.
  • FIG. 7 is a diagram showing another example (third modification) of the conductor pattern of the high-frequency module 10 in the above embodiment.
  • the conductor pattern 180 has a third region 18d in which the opening 30 is formed.
  • the opening 30 is a portion where a part of the solid layer is removed (that is, a gap), but in the multilayer substrate 20, the upper third insulating layer 21c and / or the lower fourth insulating layer 21d. Filled state.
  • the layout (position, size, shape, etc.) of the opening 30 As described above, the path of the current flowing around the opening 30 is affected, and the capacitance between the first element 16 and the second element 17 is affected. Since the strength of the coupling is adjusted, it is possible to optimize the amplitude and phase of the signal that cancels the leakage signal from the transmission filter 14 and realize high isolation.
  • the third region 18d is provided at a position that does not overlap with either the first region 18a or the second region 18b when the multilayer substrate 20 is viewed in plan. “The third region 18d does not overlap with any of the first region 18a and the second region 18b when the multilayer substrate 20 is viewed in plan” is included in the third region 18d in the plan view of the multilayer substrate 20.
  • the opening 30 has a portion that does not overlap with the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b of the first element 16) included in the first region 18a, and the second element 17 included in the second region 18b.
  • the third region 18d does not overlap with either the first region 18a or the second region 18b when the multilayer substrate 20 is viewed in plan, the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b of the first element 16). ) And the second element 17 are ensured to face a region of the conductor pattern 180 excluding the opening 30, and thus the capacitance between the first element 16 and the second element 17 is provided by providing the opening 30.
  • bonding is weakened is suppressed, and it is suppressed that a 1st element and a 2nd element couple
  • the third region 18d is located between the first region 18a and the second region 18b when the multilayer substrate 20 is viewed in plan. “The third region 18d is located between the first region 18a and the second region 18b when the multilayer substrate 20 is viewed in plan” is included in the first region 18a in the plan view of the multilayer substrate 20.
  • the segment connecting the arbitrary portion of the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b of the first element 16) and the arbitrary portion of the second element 17 included in the second region 18b includes the third region. It means that a line segment crossing the opening 30 included in 18d is included.
  • the third region 18d is positioned between the first region 18a and the second region 18b, the first region 18a and the second region 18b are arranged so as to sandwich the third region 18d including the opening 30. Therefore, the current that flows between the first region 18a and the second region 18b flows near the opening 30 and is reliably influenced by the opening 30, so the layout of the opening 30 is adjusted. Thus, the strength of capacitive coupling between the first element 16 and the second element 17 can be easily adjusted.
  • FIG. 8 is a diagram showing a structure of the high-frequency module 10a in the modified example (fourth modified example) of the above embodiment.
  • a cross-sectional view and a perspective view of an element related to capacitive coupling (a wiring 16b constituting the first element 16, a chip inductor 171 and a conductor pattern 181 as the second element) in the multilayer substrate 120 are shown. It is shown.
  • the high-frequency module 10a according to the present modification includes (1) a point that the multilayer substrate 120 includes three insulating layers (first insulating layer 121a to third insulating layer 121c), and (2) the conductor pattern 181.
  • a plurality of openings 31 are formed in a mesh shape, and (3) the chip inductor 171 is used as the second element.
  • the other configurations are basically the same as those of the high-frequency module 10 in the above embodiment.
  • a different point from the high frequency module 10 in the said embodiment is demonstrated.
  • the multilayer substrate 120 is composed of three insulator layers (first insulator layer 121a to third insulator layer 121c).
  • One of the first element and the second element (here, the chip inductor 171 as the second element) is provided in the uppermost wiring layer (that is, on the first insulator layer 121a).
  • the chip inductor 171 As the second element
  • the strength of capacitive coupling between the first element and the second element can be easily adjusted.
  • the conductor pattern 181 is formed on the second insulator layer 121b, and a plurality of openings 31 are formed in a mesh shape in the third region 18d located at the center of the conductor pattern 181.
  • the plurality of openings 31 are configured by 16 openings 31 arranged in a lattice pattern, but the plurality of openings 31 are not limited to such shapes and numbers, What is necessary is just to be comprised by the opening parts of arbitrary shapes and numbers for implement
  • the outer shape of the conductor pattern 181 is not changed, so that the peripheral wiring pattern is affected (the layout must be changed). Instead, the strength of capacitive coupling between the first element 16 (strictly speaking, the wiring 16b of the first element 16) and the chip inductor 171 as the second element can be adjusted. Furthermore, the effect of suppressing unnecessary magnetic field coupling between the first element 16 and the second element (chip inductor 171) is enhanced as compared with the case where the third region 18d is configured by one large gap.
  • the conductor pattern 181 is connected to the ground 5a formed on the lower surface of the third insulator layer 121c through the via 19d connected to the mesh conductor that partitions the opening 31. Further, the wiring 16b constituting the first element 16 is connected to the ground 5a through the via 19c.
  • the high-frequency module according to the present invention has been described based on the embodiments and the modified examples, but the present invention is not limited to these embodiments and modified examples. Without departing from the gist of the present invention, various modifications conceived by those skilled in the art are made in the embodiments and modifications, and other forms constructed by combining some components in the embodiments or modifications are also possible. Are included within the scope of the present invention.
  • the first element 16 to be capacitively coupled is only the wiring 16b constituting the first element 16, but is not limited to this, and the antenna terminal 11 and the transmission filter 14 Any element may be used as long as it is an element connected between them.
  • the first element to be capacitively coupled is a wiring for connecting the antenna terminal 11 and the transmission filter 14, and a shunt for connection between the connection point between the antenna terminal 11 and the transmission filter 14 and the ground 5.
  • an element that can cancel the leakage signal of the transmission filter 14 by a certain level or more may be appropriately selected by simulation or the like.
  • the second element 17 to be capacitively coupled is an inductor, but is not limited thereto, and is an element connected in series between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14. Any element may be used. That is, the second element to be capacitively coupled is connected to the wiring connecting the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, the second inductor connected between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, and the second inductor. Or at least one of a second capacitor connected between the transmission terminal 12 and the transmission filter 14, or a wiring connected to the second capacitor.
  • an element that can cancel the leakage signal of the transmission filter 14 by a certain level or more may be appropriately selected by simulation or the like.
  • the inductor constituting the second element 17 has a laminated structure including a plurality of wiring layers constituting the multilayer substrate 20, but is not limited to such a structure, and the wiring element is formed on one wiring layer. It may be formed or may be a chip component mounted on the uppermost layer 20a.
  • the antenna terminal 11 is one antenna terminal, but may be composed of a plurality of terminals connected to each of a plurality of antennas.
  • the first element 16 and the second element 17 are capacitively coupled via the conductor pattern 18, but may be directly capacitively coupled without the conductor pattern 18.
  • the first element 16 and the second element 17 may be directly capacitively coupled by forming the first element 16 and the second element 17 so as to face different wiring layers of the multilayer substrate 20.
  • the elements related to capacitive coupling are arranged from the upper layer to the lower layer, the second element 17 and the conductor.
  • the pattern 18 and the wiring 16b are formed in different wiring layers in the order of the multilayer substrate 20, but the structure is not limited thereto.
  • the first element 16 and the second element 17 may be formed in the same wiring layer, and the conductor pattern 18 may be formed in a wiring layer different from the wiring layer.
  • the conductor pattern 18 has a substantially rectangular shape when the multilayer substrate 20 is viewed in plan view. It may be formed in any shape. About the shape of the conductor pattern 18, what is necessary is just to form in the shape suitable for carrying out the capacitive coupling of the 1st element 16 and the 2nd element 17 by simulation etc. suitably.
  • the transmission filter 14 and the reception filter 15 are housed as one package part, but are not limited to such a configuration, and may be separate circuits.
  • the high-frequency module 10 is realized using the multilayer substrate 20, but may be realized using a single-layer substrate.
  • the package component and the chip component may be mounted on the surface of the single layer substrate, and the first element and the second element may be capacitively coupled using the front surface wiring layer and the back surface wiring layer of the single layer substrate.
  • the present invention is a high-frequency module that filters signals transmitted and received by an antenna, in particular, a high-frequency module that can enhance isolation and easily control the attenuation pole, such as a duplexer configured with a SAW filter. Available.

Landscapes

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Abstract

アンテナで送受信される信号をフィルタリングする高周波モジュール（１０）であって、アンテナ端子（１１）と、送信端子（１２）と、受信端子（１３）と、アンテナ端子（１１）と受信端子（１３）との間に接続された受信フィルタ（１５）と、アンテナ端子（１１）と送信端子（１２）との間に接続された送信フィルタ（１４）と、アンテナ端子（１１）と送信フィルタ（１４）との間に接続される第１素子（１６）と、送信端子（１２）と送信フィルタ（１４）との間に直列に接続される第２素子（１７）とを備え、第１素子（１６）と第２素子（１７）とは、容量結合している。

Description

高周波モジュール
　本発明は、アンテナで送受信される信号をフィルタリングする高周波モジュールに関する。
　近年、携帯電話に代表される無線機器の普及により、デュプレクサに代表される、送信フィルタと受信フィルタとをもつ高周波モジュールに対する要求仕様が高まっており、各種技術が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１では、遮断域が抑制されたリアクタンスフィルタであって、入力信号を印加するための入力端子と、出力信号を出力するための出力端子と、入力端子と出力端子との間の信号路に接続された少なくとも１つの直列共振器と、信号路と基準電位を印加するための端子との間に接続された並列共振器と、並列共振器に対して直列に接続されたインダクタとを含むリアクタンスフィルタが開示されている。ここで、特徴的な点として、コンデンサが、少なくとも１つの並列共振器とインダクタとの間で端子に接続されており、別の端子によって出力端子に接続されている。このようなリアクタンスフィルタにより、デュプレクサデバイスでリアクタンスフィルタの回路を送信フィルタとして接続することにより、デュプレクサデバイスの受信帯域におけるアイソレーションを改善することができるというものである。これは、送信フィルタの信号経路と並列して、送信フィルタの入力端子と出力端子とが容量結合された別の信号経路が形成されるので、別の信号経路を伝搬する信号の振幅及び位相を調整することで、送信フィルタからの漏れ信号をキャンセルすることができるからである。なお、アイソレーションとは、高周波モジュールにおける送信フィルタと受信フィルタとの間の分離であり、特に、送信フィルタからの漏れ信号の受信帯域における抑圧をいう。
特表２０１４－５０１４６７号公報
　しかしながら特許文献１のフィルタでは、デュプレクサ等の高周波モジュールの送信フィルタに適用した場合には、並列共振器とインダクタとの接続点と出力端子との間に容量が接続されるので、アイソレーション特性が改善されるものの、並列共振器と直列に接続されたインダクタの値がアイソレーション特性の改善に律速され、減衰極の制御が難しいという問題がある。なお、減衰極とは、周波数特性において特定の周波数が局所的に減衰（抑圧）される箇所（周波数位置）をいう。
　そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、送信フィルタと受信フィルタとをもつ高周波モジュールであって、アイソレーションを高めることでき、かつ、減衰極の制御が容易な高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る高周波モジュールは、アンテナ端子と、送信端子と、受信端子と、前記アンテナ端子と前記受信端子との間に接続された受信フィルタと、前記アンテナ端子と前記送信端子との間に接続された送信フィルタと、前記アンテナ端子と前記送信フィルタとの間に接続される第１素子と、前記送信端子と前記送信フィルタとの間に直列に接続される第２素子とを備え、前記第１素子と前記第２素子とは、容量結合している。
　これにより、アンテナ端子と送信フィルタとの間に接続される第１素子と、送信端子と送信フィルタとの間に直列に接続される第２素子とは容量結合しているので、送信フィルタからの漏れ信号がキャンセルされ、アイソレーションが高められる。そして、第２素子は、並列共振子に直列接続されたインダクタではなく、送信端子と送信フィルタとの間に直列に接続される素子なので、その値がアイソレーション特性の改善に律速されることがほとんどない。つまり、送信フィルタが有する並列共振子に直列接続されたインダクタの値を調整することで、アイソレーションの確保にはほとんど影響を与えることなく、減衰極を制御できる。よって、送信フィルタと受信フィルタとをもつ高周波モジュールであって、アイソレーションを高めることでき、かつ、減衰極の制御が容易な高周波モジュールが実現される。
　ここで、前記第１素子は、前記アンテナ端子と前記送信フィルタとを接続する配線、前記アンテナ端子と前記送信フィルタとの接続点とグランドとの間に接続される第１インダクタ、前記第１インダクタと接続される配線、前記接続点と前記グランドとの間に接続される第１キャパシタ、及び、前記第１キャパシタと接続される配線の少なくとも一つであり、前記第２素子は、前記送信端子と前記送信フィルタとを接続する配線、前記送信端子と前記送信フィルタとの間に接続される第２インダクタ、前記第２インダクタと接続される配線、前記送信端子と前記送信フィルタとの間に接続される第２キャパシタ、及び、前記第２キャパシタと接続される配線の少なくとも一つであってもよい。
　これにより、容量結合の対象となる第１素子及び第２素子として、配線、インダクタ及びキャパシタの少なくとも一つから選択して用いることができる。
　また、前記第１素子は、前記第１インダクタと前記グランドとを接続する配線であり、前記第２素子は、前記第２インダクタであってもよい。
　これにより、第１素子として、第１インダクタとグランドとを接続する配線を選択し、第２素子として、第２インダクタを選択することで、いずれも配線パターンで容易に実現されるので、簡易に、アイソレーションを高め、かつ、減衰極の制御が容易な高周波モジュールを実現できる。
　また、前記受信フィルタ及び前記送信フィルタが実装される基板を備え、前記基板には、導体パターンが形成され、前記第１素子と前記第２素子とは、前記導体パターンを介して、容量結合していてもよい。例えば、前記第１素子は、前記基板を平面視したときに、前記導体パターンにおける第１領域と重なる位置に配置され、前記第２素子は、前記基板を平面視したときに、前記導体パターンにおける第２領域と重なる位置に配置されていてもよい。
　これにより、導体パターンの上方又は下方に第１素子及び第２素子を位置させることで、容易に、第１素子と第２素子との容量結合を実現できる。
　また、前記導体パターンは、インダクタ成分をもつ導体によって、グランドと接続されていてもよい。例えば、前記インダクタ成分をもつ導体は、前記導体パターンと前記グランドとを接続するビアであってもよい。
　これにより、導体パターンに設けるインダクタ成分をもつ導体の位置及び数を調整することで、導体パターンとグランドとの結合度、並びに、第２素子から導体パターンを介してグランドに流れる電流の導体パターンにおける経路及び密度を調整することでき、その結果、第１素子と第２素子との結合強度及び位相が調整され、アイソレーションが最適化され得る。
　また、前記基板は、複数の配線層が積層されて構成される多層基板であり、前記導体パターンは、前記複数の配線層のうちの最上層と最下層とを除く配線層に形成され、前記第１素子及び前記第２素子の一方は、前記複数の配線層のうち、前記導体パターンが形成された配線層よりも上層の配線層に設けられ、前記第１素子及び前記第２素子の他方は、前記複数の配線層のうち、前記導体パターンが形成された配線層よりも下層の配線層に設けられてもよい。
　これにより、導体パターンの上層には第１素子及び第２素子の一方が設けられ、導体パターンの下層には第１素子及び第２素子の他方が設けられるので、第１素子と第２素子とは、直接、磁界結合されてしまうことが抑制され、確実に導体パターンを介して容量結合される。また、導体パターンの状態（形状、サイズ、グランドとの接続状態等）を調整することで、第１素子と第２素子との容量結合の強度を調整することが可能になる。
　また、前記第１素子及び前記第２素子の一方は、前記複数の配線層のうち、最上層の配線層に設けられたチップインダクタであってもよい。これにより、第１素子及び第２素子の一方は、基板の外表面に設けられるチップインダクタであるので、チップインダクタを取り換えることで、第１素子と第２素子との容量結合の強度を容易に調整できる。
　また、前記導体パターンは、少なくとも一つの開口部が形成された第３領域を有してもよい。これにより、導体パターンに形成される開口部のレイアウトを調整することで、開口部の周囲を流れる電流の経路が影響を受け、第１素子と第２素子との容量結合の強度が調整されるので、送信フィルタからの漏れ信号をキャンセルさせる信号の振幅及び位相を最適化させて高いアイソレーションを実現することが可能になる。
　また、前記第３領域は、前記基板を平面視したときに、前記第１領域及び前記第２領域のいずれとも重複しない位置に設けられてもよい。これにより、第１素子及び第２素子は、導体パターンのうち、開口部を除く領域と対向することが確保されるので、開口部を設けたことによって第１素子と第２素子との容量結合が弱められてしまうという不具合の発生が抑制され、かつ、第１素子と第２素子とが不要に磁界結合してしまうことが抑制される。
　また、前記第３領域は、前記基板を平面視したときに、前記第１領域と前記第２領域との間に位置してもよい。これにより、基板を平面視したときに、導体パターンに形成された開口部を含む第３領域を挟むように第１領域と第２領域とが位置するので、第１領域と第２領域との間で流れる電流は開口部の近くを流れることになり、確実に開口部の影響を受けるので、開口部のレイアウトを調整することで、第１素子と第２素子との容量結合の強度を容易に調整できる。
　また、前記第３領域には、メッシュ状に複数の開口部が形成されていてもよい。これにより、第３領域におけるメッシュ状態を調整することで、導体パターンの外形を変えることがないので、周辺の配線パターンに影響を与える（レイアウトの変更を強いる）ことなく、第１素子と第２素子との容量結合の強度を調整できる。さらに、第３領域を一つの大きな空隙で構成した場合に比べ、第１素子と第２素子との不要な磁界結合の抑制効果が高められる。
　また、前記第１素子は、前記基板を平面視したときに、前記導体パターンの縁部と重なる位置に配置されていてもよい。
　これにより、第１素子が、導体パターンのうち、第２素子から導体パターンを介してグランドに流れる電流の密度が高い箇所と結合されるので、第１素子と第２素子との結合強度が増強される。
　また、前記第１領域は、前記基板を平面視したときに、前記ビアと前記第２領域との間に位置してもよい。
　これにより、基板を平面視したときに、第１素子が、第２素子から導体パターンを介してグランドに流れる電流と交差する箇所に位置するので、第１素子と第２素子との結合が促進される。
　本発明により、送信フィルタと受信フィルタとをもつ高周波モジュールであって、アイソレーションを高めることでき、かつ、減衰極の制御が容易な高周波モジュールが提供される。
図１は、実施の形態における高周波モジュールの回路図である。 図２Ａは、図１に示された高周波モジュールのレイアウトの一例を示す模式図である。 図２Ｂは、図２ＡのIIＢ－IIＢ線を通る面で切断して得られる高周波モジュールの断面図である。 図３Ａは、図２Ａ及び図２Ｂに示される容量結合に関連する素子のレイアウトの具体例を示す図である。 図３Ｂは、図３Ａに示されたレイアウトにおける電流密度の分布を示す図である。 図４は、図３Ａに示されたレイアウトをもつ本実施の形態の高周波モジュールのアイソレーション特性についてのシミュレーション結果を示すグラフである。 図５は、実施の形態における高周波モジュールの導体パターンに設けるビアの位置及び数の調整例（第１変形例）を示す図である。 図６は、実施の形態における高周波モジュールの導体パターンと第１素子との位置関係の別の例（第２変形例）を示す図である。 図７は、実施の形態における高周波モジュールの導体パターンの別の例（第３変形例）を示す図である。 図８は、実施の形態の変形例（第４変形例）における高周波モジュールの構造を示す図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
　図１は、実施の形態における高周波モジュール１０の回路図である。この高周波モジュール１０は、アンテナ（図示せず）で送受信される信号をフィルタリングするモジュールであって、アンテナ（Ａｎｔ）端子１１、送信（Ｔｘ）端子１２、受信（Ｒｘ）端子１３、送信フィルタ１４、受信フィルタ１５、第１素子１６、第２素子１７、導体パターン１８、及び、ビア１９を備える。なお、高周波モジュール１０は、典型的には、後述するような一つの基板に実装されるデュプレクサである。ただし、本発明に係る高周波モジュール１０は、デュプレクサに限られず、送信フィルタ及び受信フィルタを備えるモジュールであればよい。基板は、例えば、複数の絶縁体層が積層されて構成される多層基板であり、具体的には、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics；低温同時焼成セラミックス）等である。また、基板に形成される配線パターン、端子（電極）及び導体パターンは、銀、銅又はアルミニウム等で形成される。
　アンテナ端子１１は、アンテナと接続される端子であり、例えば、基板上に形成される電極である。アンテナ端子１１は、典型的には、配線パターン又は高周波スイッチ等を介して、送受信用のアンテナに接続される。
　送信端子１２は、アンテナで送信する信号を入力するための端子であり、例えば、基板上に形成される電極である。送信端子１２は、典型的には、配線パターン又は高周波スイッチ等を介して、パワーアンプの出力端子に接続される。
　受信端子１３は、アンテナで受信された信号を出力するための端子であり、例えば、基板上に形成される電極である。受信端子１３は、典型的には、配線パターン又は高周波スイッチ等を介して、低雑音アンプの入力端子に接続される。
　送信フィルタ１４は、アンテナ端子１１と送信端子１２との間に接続され、送信端子１２から入力された信号のうち、送信帯域の信号成分を通過させるフィルタであり、例えば、複数の直列共振子と複数の並列共振子とから構成されるラダー形ＳＡＷ（表面弾性波）フィルタである。
　受信フィルタ１５は、アンテナ端子１１と受信端子１３との間に接続され、アンテナ端子１１から入力された信号のうち、受信帯域の信号成分を通過させるフィルタであり、例えば、ＳＡＷフィルタである。
　なお、送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５は、ＳＡＷフィルタに限られず、それぞれ、送信帯域及び受信帯域を通過させる特性を有するフィルタであれば、他の種類のフィルタ（例えば、ＬＣフィルタ、空洞共振器フィルタ、ヘリカルフィルタ、誘電体フィルタ等）であってもよい。また、機能的には、送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５は、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、又は、バンドパスフィルタである。
　第１素子１６は、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４との間に接続される素子である。例えば、第１素子１６は、アンテナ端子１１と、送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５の接続点と、の間に接続される。また、例えば、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４とを接続する配線、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４との接続点とグランド５との間に接続されるシャントの第１インダクタ、第１インダクタと接続される配線、接続点とグランド５との間に接続されるシャントの第１キャパシタ、及び、第１キャパシタと接続される配線の少なくとも一つである。
　第１インダクタと接続される配線とは、例えば、シャントの第１インダクタが接続されているアンテナ端子１１と送信フィルタ１４との間に接続されている配線、アンテナ端子１１及び送信フィルタ１４の接続点と第１インダクタとの間に接続されている配線や、第１インダクタとグランド５との間に接続されている配線である。第１キャパシタと接続される配線とは、例えば、シャントの第１キャパシタが接続されているアンテナ端子１１と送信フィルタ１４との間に接続されている配線、アンテナ端子１１及び送信フィルタ１４の接続点と第１キャパシタとの間に接続されている配線や、第１キャパシタとグランド５との間に接続されている配線である。本実施の形態では、第１素子１６は、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４との接続点とグランド５との間に接続されるシャント用の第１インダクタ１６ａ、及び、第１インダクタ１６ａとグランド５とを接続する配線１６ｂを含む。なお、第１インダクタ１６ａは、アンテナと高周波モジュール１０とのインピーダンス整合のための素子を兼ねていてもよい。
　第２素子１７は、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に直列に接続される素子であり、例えば、送信端子１２と送信フィルタ１４とを接続する配線、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に接続される第２インダクタ、第２インダクタと接続される配線、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に接続される第２キャパシタ、又は、第２キャパシタと接続される配線の少なくとも一つである。第２インダクタと接続される配線とは、例えば、送信フィルタ１４と第２インダクタとの間に接続されている配線や第２インダクタと送信端子１２との間に接続されている配線である。第２キャパシタと接続される配線とは、例えば、送信フィルタ１４と第２キャパシタとの間に接続されている配線や第２キャパシタと送信端子１２との間に接続されている配線である。本実施の形態では、第２素子１７は、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に接続される第２インダクタである。
　導体パターン１８は、この高周波モジュールが実装される基板に形成されるパターンであり、例えば、多層基板のいずれかの配線層に形成されるベタ層である。
　ビア１９は、導体パターン１８をグランド５に接続するためのインダクタ成分をもつ導体の一例であり、例えば、多層基板における異なる配線層に形成された導体パターン１８とグランド５とを接続するビアである。
　ここで、特徴的なことは、第１素子１６と第２素子１７とが容量結合している点である。本実施の形態では、第１素子１６（厳密には、第１素子１６の配線１６ｂ）と第２素子１７とは、インダクタ成分をもつ導体（ビア１９）によってグランド５に接続された導体パターン１８を介して、容量結合している。なお、導体パターン１８は、グランド５との間に一定のインダクタ成分をもつ弱いグランドパターンと呼ぶこともできる。
　図２Ａは、図１に示された高周波モジュール１０のレイアウトの一例を示す模式図である。ここでは、多層基板２０に実装された高周波モジュールを平面視したレイアウトが示されている。破線で示された箇所は、実装部品によって隠された箇所、又は、多層基板２０の最上層を除く内層又は最下層の配線層に形成された箇所である。
　本図に示されるように、送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５は、一つのパッケージ部品として実現され、多層基板２０の上面に実装されている。また、第１インダクタ１６ａは、チップ部品として実現され、多層基板２０の上面に実装されている。アンテナ端子１１及び送信端子１２は、多層基板２０の上面に実装され、他の部品との接続に用いられる。
　また、容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子１７及び導体パターン１８）は、多層基板２０の内層の配線層（それぞれ、異なる配線層）に形成されている。本図に示されるように、第１素子１６（厳密には、第１素子１６を構成する配線１６ｂ）は、多層基板２０を平面視したときに、導体パターン１８における第１領域１８ａと重なる位置に配置され、第２素子１７は、多層基板２０を平面視したときに、導体パターン１８における第２領域１８ｂと重なる位置に配置されている。つまり、第１素子１６（厳密には、第１素子１６を構成する配線１６ｂ）及び第２素子１７は、多層基板２０を平面視したときに、導体パターン１８と重なる領域を有しており、これによって、容量結合している。
　図２Ｂは、図２ＡのIIＢ－IIＢ線を通る面で切断して得られる高周波モジュール１０の断面図である。なお、本図では、IIＢ－IIＢ線を通る切断面には位置しないが、多層基板２０の内層の配線層に形成された第２素子１７については、破線で示されている。
　本図に示されるように、多層基板２０は、最上層（表面）から最下層（裏面）に向けて、最上層２０ａ、第２層２０ｂ、第３層２０ｃ、第４層２０ｄ、第５層２０ｅ、及び、最下層２０ｆの配線層を有する。最上層２０ａ、第２層２０ｂ、第３層２０ｃ、第４層２０ｄ、第５層２０ｅ、及び、最下層２０ｆの配線層は、それぞれ、第１絶縁体層２１ａの上面、第２絶縁体層２１ｂの上面、第３絶縁体層２１ｃの上面、第４絶縁体層２１ｄの上面、第５絶縁体層２１ｅの上面、及び、第５絶縁体層２１ｅの下面に形成される配線層である。第１絶縁体層２１ａ、第２絶縁体層２１ｂ、第３絶縁体層２１ｃ、第４絶縁体層２１ｄ、及び、第５絶縁体層２１ｅは、多層基板２０を構成する積層構造体であり、例えば、ＬＴＣＣ、アルミナ、ガラスエポキシ等からなる両面に配線が可能な絶縁基板である。
　導体パターン１８は、第４層２０ｄの一部の領域にベタ層として形成され、ビア１９を介して、最下層２０ｆに形成された電極であるグランド５に接続されている。
　第１素子１６を構成する配線１６ｂは、導体パターン１８の直下の第５層２０ｅの位置に形成され、最上層２０ａに実装された第１インダクタ１６ａ及び最下層２０ｆに形成されたグランド５とビアで接続されている。
　第２素子１７は、導体パターン１８の直上の第２層２０ｂ及び第３層２０ｃに、環状の配線パターンが積層されて形成されたインダクタを構成しており、両端子が最上層２０ａの配線パターンとビアで接続されている。
　図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、本実施の形態における高周波モジュール１０では、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４との間に接続される第１素子１６と、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に直列に接続される第２素子１７とは、導体パターン１８を介して、容量結合している。これにより、送信フィルタ１４の信号経路と並列して、送信フィルタ１４の入力端子と出力端子とが容量結合された別の信号経路が形成され、送信フィルタ１４からの漏れ信号がキャンセルされるので、アイソレーションが高められる。そして、第２素子１７は、送信フィルタ１４における並列共振子に直列接続されたインダクタではなく、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に直列に接続される素子なので、その値がアイソレーション特性の改善に律速されることがほとんどない。つまり、送信フィルタ１４が有する並列共振子に直列接続されたインダクタの値を調整することで、アイソレーションの確保にはほとんど影響を与えることなく、減衰極を制御できる。
　また、第１素子１６と第２素子１７との容量結合に用いられる導体パターン１８は、インダクタ成分をもつ導体（ビア１９）によって、グランド５と接続されている。これにより、導体パターン１８に設けるビア１９の位置及び数を調整することで、導体パターン１８とグランド５との結合度、並びに、第２素子１７から導体パターン１８を介してグランド５に流れる電流の導体パターン１８における経路及び密度を調整することができ、その結果、第１素子１６と第２素子１７との結合強度及び位相が調整され、アイソレーションが最適化され得る。
　また、多層基板２０は、複数の配線層（最上層２０ａ～最下層２０ｆ）が積層されて構成される多層基板であり、導体パターン１８は、複数の配線層のうちの最上層２０ａと最下層２０ｆとを除く配線層（ここでは、第４層２０ｄ）に形成されている。そして、第１素子１６及び第２素子１７の一方（ここでは、第２素子１７）は、複数の配線層のうち、導体パターン１８が形成された配線層（ここでは、第４層２０ｄ）よりも上層の配線層（ここでは、第２層２０ｂ及び第３層２０ｃ）に設けられ、第１素子１６及び第２素子１７の他方（ここでは、第１素子１６を構成する配線１６ｂ）は、複数の配線層のうち、導体パターン１８が形成された配線層（ここでは、第４層２０ｄ）よりも下層の配線層（ここでは、第５層２０ｅ）に設けられている。
　これにより、導体パターン１８の上層には第１素子１６及び第２素子１７の一方が設けられ、導体パターン１８の下層には第１素子１６及び第２素子１７の他方が設けられるので、第１素子１６と第２素子１７とは、直接、磁界結合されてしまうことが抑制され、確実に導体パターン１８を介して容量結合される。つまり、もし導体パターン１８の上層及び下層の一方に第１素子１６及び第２素子１７の両方が設けられた（例えば、同一の配線層に第１素子１６及び第２素子１７の両方が設けられた）場合には、第１素子１６及び第２素子１７の磁界結合が強くなってしまい、適切な容量結合が確保されないが、本実施の形態のように、導体パターン１８を挟むように第１素子１６及び第２素子１７が設けられることで、不要な磁界結合が抑制され、適切な容量結合が確保される。
　また、導体パターン１８の状態（形状、サイズ、グランドとの接続状態等）を調整することで、第１素子１６と第２素子１７との容量結合の強度を調整することが可能になる。
　図３Ａは、図２Ａ及び図２Ｂに示される容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子１７及び導体パターン１８）のレイアウトの具体例を示す図である。本図では、左側に、図１に示された高周波モジュール１０のシンボル図が示され、右側に、容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子１７及び導体パターン１８）のレイアウトの具体例が示され、さらに、シンボル図における箇所とレイアウトにおける箇所との対応が破線及び破線の丸印で示されている。本図のレイアウトでは、多層基板２０を平面視したときの、容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子１７及び導体パターン１８）の透視的なレイアウトが示されている。
　図３Ｂは、図３Ａに示されたレイアウトにおける電流密度の分布を示す図である。ここでは、第２素子１７の端子１７ａ（送信端子１２に接続される側の第２素子１７の端子）を励起ポイントとして、この端子１７ａに高周波電流を印加した場合における、容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子１７及び導体パターン１８）に流れる電流の密度（ｍＡ／ｍ２）の分布が示されている。濃い色の箇所ほど電流の密度が高いことを示している。
　本図に示されるように、第２素子１７の端子１７ａに供給された電流は、導体パターン１８を介してビア１９及び配線１６ｂに流れる。このことから、本図に示されるようなレイアウトにより、第１素子１６を構成する配線１６ｂと第２素子１７とが導体パターン１８を介して容量結合されていることが分かる。
　また、本図に示されるように、第２素子１７の端子１７ａに供給された電流は、導体パターン１８を流れる際に、高い電流密度で、導体パターン１８の縁部を通り、ビア１９に向けて流れている。このことから、多層基板２０を平面視したときに、第１素子１６（ここでは、配線１６ｂ）と重なる導体パターン１８の第１領域１８ａが、第２素子１７と重なる導体パターン１８の第２領域１８ｂと、ビア１９との間に位置するのが好ましいことが分かる。これにより、多層基板２０を平面視したときに、第１素子１６が、第２素子１７から導体パターン１８を介してグランド５に流れる電流と交差する箇所に位置することになるので、第１素子１６と第２素子１７との結合が促進される。
　図４は、図３Ａに示されたレイアウトをもつ本実施の形態の高周波モジュール１０のアイソレーション特性についてのシミュレーション結果を示すグラフである。ここでは、比較のために、本実施の形態の高周波モジュール１０のアイソレーション特性（実線）と、本実施の形態のような容量結合を備えない参考例としての高周波モジュールのアイソレーション特性（破線）とが重ねて示されている。縦軸は、アイソレーション、つまり、送信端子１２から入力された信号の強度に対する受信端子１３で観測された信号の強度の比（抑圧比）である。横軸は、周波数であり、中央に現れたピークの左側（低周波側）が送信帯域であり、右側（高周波側）が受信帯域である。グラフの右横には、本実施の形態の高周波モジュール１０のアイソレーション特性における５つのマーカ（グラフ中の点Ｍ１～Ｍ４、Ｍ８）の周波数と抑圧比が示されている。
　本図において、受信帯域において、本実施の形態の高周波モジュール１０のアイソレーションが参考例の高周波モジュールのアイソレーションよりも高くなっていることから分かるように、本実施の形態の高周波モジュール１０によれば、第１素子１６と第２素子１７との容量結合によって、このような容量結合を有しない参考例の高周波モジュールに比べ、より高いアイソレーションが確保される。
　図５は、上記実施の形態における高周波モジュール１０の導体パターン１８に設けるビア１９の位置及び数の調整例（第１変形例）を示す図である。
　この調整例では、導体パターン１８とグランド５とを接続するビアとして、一つのビア１９だけが設けられた図２Ａと異なり、２つの（ビア１９ａ及び１９ｂ）が設けられている。そして、第１素子１６を構成する配線１６ｂは、多層基板２０を平面視したときに、２つのビア１９ａ及び１９ｂの間を延在している。
　ビア１９ａは、図３Ａ及び図３Ｂに示される具体例に係るビア１９と同様の役割、つまり、多層基板２０を平面視したときに、第１素子１６（ここでは、配線１６ｂ）と重なる導体パターン１８の第１領域１８ａを、第２素子１７と重なる導体パターン１８の第２領域１８ｂと、ビア１９ａとの間に位置させる役割をもっている。これにより、多層基板２０を平面視したときに、第１素子１６が、第２素子１７から導体パターン１８を介してグランド５に流れる電流と交差する箇所に位置することになるので、第１素子１６と第２素子１７との結合が促進される。
　また、ビア１９ｂは、導体パターン１８とグランド５との間のインダクタ成分（グランドとの結合強度）を調整したり、第２素子１７から導体パターン１８を介してグランド５に流れる電流の経路及び密度を調整したりするのに用いられる。
　このように、導体パターン１８に設けるビア１９ａ及び１９ｂの位置及び数を調整することで、第１素子１６と第２素子１７との結合強度及び位相を調整し、これによって送信フィルタ１４からの漏れ信号をキャンセルさせてアイソレーションを最適化することができる。
　図６は、上記実施の形態における高周波モジュール１０の導体パターン１８と第１素子１６（厳密には、第１素子１６を構成する配線１６ｂ）との位置関係の別の例（第２変形例）を示す図である。
　本変形例では、第１素子１６（ここでは、配線１６ｂ）と重なる導体パターン１８の第１領域１８ａにおいて、第１素子１６（ここでは、配線１６ｂ）は、多層基板２０を平面視したときに、導体パターン１８の縁部１８ｃと重なる位置に配置されている。より詳しくは、配線１６ｂは、多層基板２０を平面視したときに、矩形状の導体パターン１８の一つの角に沿って略９０度で曲がるように延在している。なお、導体パターン１８の縁部１８ｃとは、導体パターン１８の中心よりも外縁に近い箇所、あるいは、導体パターン１８の外縁から所定距離範囲内で内側に位置する箇所、あるいは、導体パターン１８を流れる電流の密度が所定値より大きくなることが予め判明している外縁に近い箇所である。
　このように、多層基板２０を平面視したときに、第１素子１６（ここでは、配線１６ｂ）を導体パターン１８の縁部１８ｃと重なる位置に配置することにより、第１素子が、導体パターンのうち、第２素子から導体パターンを介してグランドに流れる電流の密度が高い箇所と結合されるので、第１素子と第２素子との結合強度が増強される。
　図７は、上記実施の形態における高周波モジュール１０の導体パターンの別の例（第３変形例）を示す図である。
　本変形例では、図７に示されるように、導体パターン１８０は、開口部３０が形成された第３領域１８ｄを有する。開口部３０は、ベタ層の一部が切除された箇所（つまり、空隙）であるが、多層基板２０中では、上層の第３絶縁体層２１ｃ及び／又は下層の第４絶縁体層２１ｄで充填された状態となる。
　このような開口部３０のレイアウト（位置、大きさ、形状等）を調整することで、開口部３０の周囲を流れる電流の経路が影響を受け、第１素子１６と第２素子１７との容量結合の強度が調整されるので、送信フィルタ１４からの漏れ信号をキャンセルさせる信号の振幅及び位相を最適化させて高いアイソレーションを実現することが可能になる。
　また、本変形例では、第３領域１８ｄは、多層基板２０を平面視したときに、第１領域１８ａ及び第２領域１８ｂのいずれとも重複しない位置に設けられている。なお、「多層基板２０を平面視したときに第３領域１８ｄが第１領域１８ａ及び第２領域１８ｂのいずれとも重複しない」とは、多層基板２０の平面視において、第３領域１８ｄに含まれる開口部３０に、第１領域１８ａに含まれる第１素子１６（厳密には、第１素子１６の配線１６ｂ）と重複しない箇所が存在し、かつ、第２領域１８ｂに含まれる第２素子１７と重複しない箇所が存在すればよいことを意味する。つまり、開口部３０の少なくとも一部が第１素子１６の配線１６ｂ及び第２素子１７のいずれにも重複しなければよい。ただし、好ましくは、本変形例のように、開口部３０のいずれの箇所も第１素子１６の配線１６ｂ及び第２素子１７のいずれとも重複しないのが好ましい。
　このように、多層基板２０を平面視したときに第３領域１８ｄが第１領域１８ａ及び第２領域１８ｂのいずれとも重複しないので、第１素子１６（厳密には、第１素子１６の配線１６ｂ）及び第２素子１７は、導体パターン１８０のうち、開口部３０を除く領域と対向することが確保されるので、開口部３０を設けたことによって第１素子１６と第２素子１７との容量結合が弱められてしまうという不具合の発生が抑制され、かつ、第１素子と第２素子とが不要に磁界結合してしまうことが抑制される。
　また、本変形例では、第３領域１８ｄは、多層基板２０を平面視したときに、第１領域１８ａと第２領域１８ｂとの間に位置している。なお、「多層基板２０を平面視したときに第３領域１８ｄが第１領域１８ａと第２領域１８ｂとの間に位置する」とは、多層基板２０の平面視において、第１領域１８ａに含まれる第１素子１６（厳密には、第１素子１６の配線１６ｂ）における任意の箇所と、第２領域１８ｂに含まれる第２素子１７における任意の箇所とを結ぶ線分には、第３領域１８ｄに含まれる開口部３０を横切る線分が含まれることを意味する。
　このように、第３領域１８ｄが第１領域１８ａと第２領域１８ｂとの間に位置することで、開口部３０を含む第３領域１８ｄを挟むように第１領域１８ａと第２領域１８ｂとが位置するので、第１領域１８ａと第２領域１８ｂとの間で流れる電流は開口部３０の近くを流れることになり、確実に開口部３０の影響を受けるので、開口部３０のレイアウトを調整することで、第１素子１６と第２素子１７との容量結合の強度を容易に調整できる。
　図８は、上記実施の形態の変形例（第４変形例）における高周波モジュール１０ａの構造を示す図である。ここでは、高周波モジュール１０ａのうち、容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子としてのチップインダクタ１７１及び導体パターン１８１）の多層基板１２０における断面図及び斜視図が示されている。本変形例における高周波モジュール１０ａは、（１）多層基板１２０が３層の絶縁体層（第１絶縁体層１２１ａ～第３絶縁体層１２１ｃ）で構成される点、（２）導体パターン１８１の第３領域１８ｄには、メッシュ状に複数の開口部３１が形成されている点、及び、（３）第２素子としてチップインダクタ１７１が用いられている点で、上記実施の形態における高周波モジュール１０と異なり、他の構成については、基本的に、上記実施の形態における高周波モジュール１０と同じである。以下、上記実施の形態における高周波モジュール１０と異なる点を説明する。
　本変形例では、多層基板１２０は、３層の絶縁体層（第１絶縁体層１２１ａ～第３絶縁体層１２１ｃ）で構成される。
　また、第１素子及び第２素子の一方（ここでは、第２素子としてのチップインダクタ１７１）は、最上層の配線層（つまり、第１絶縁体層１２１ａ上）に設けられている。これにより、チップインダクタ１７１を取り換えることで、第１素子と第２素子との容量結合の強度を容易に調整できる。
　また、導体パターン１８１は、第２絶縁体層１２１ｂ上に形成され、導体パターン１８１の中央に位置する第３領域１８ｄには、メッシュ状に複数の開口部３１が形成されている。なお、本変形例では、複数の開口部３１として、格子状に並んだ１６個の開口部３１で構成されているが、複数の開口部３１としては、このような形状及び数に限られず、送信フィルタ１４からの漏れ信号をキャンセルするのに適した容量結合を実現するための任意の形状及び数の開口部で構成されればよい。
　このように、本変形例では、第３領域１８ｄにおけるメッシュ状態を調整することで、導体パターン１８１の外形を変えることがないので、周辺の配線パターンに影響を与える（レイアウトの変更を強いる）ことなく、第１素子１６（厳密には、第１素子１６の配線１６ｂ）と第２素子としてのチップインダクタ１７１との容量結合の強度を調整できる。さらに、第３領域１８ｄを一つの大きな空隙で構成した場合に比べ、第１素子１６と第２素子（チップインダクタ１７１）との不要な磁界結合の抑制効果が高められる。
　なお、本変形例では、導体パターン１８１は、開口部３１を区切るメッシュ導体と接続されたビア１９ｄを介して、第３絶縁体層１２１ｃの下面に形成されたグランド５ａと接続されている。また、第１素子１６を構成する配線１６ｂは、ビア１９ｃを介して、グランド５ａと接続されている。
　以上、本発明に係る高周波モジュールについて、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態及び変形例に限定されない。本発明の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態及び変形例に施したものや、実施の形態又は変形例における一部の構成要素を組み合わせて構築される別の形態も、本発明の範囲内に含まれる。
　例えば、上記実施の形態等では、容量結合の対象となる第１素子１６は、第１素子１６を構成する配線１６ｂだけであったが、これに限られず、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４との間に接続される素子であれば、任意の素子でよい。つまり、容量結合の対象となる第１素子は、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４とを接続する配線、アンテナ端子１１と送信フィルタ１４との接続点とグランド５との間に接続されるシャント用の第１インダクタ、第１インダクタと接続される配線、接続点とグランド５との間に接続されるシャント用の第１キャパシタ、及び、第１キャパシタと接続される配線の少なくとも一つであってもよい。容量結合の対象となる第１素子については、シミュレーション等によって、送信フィルタ１４の漏れ信号を一定以上キャンセルできる素子を適宜、選択すればよい。
　同様に、上記実施の形態等では、容量結合の対象となる第２素子１７は、インダクタであったが、これに限られず、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に直列に接続される素子であれば、任意の素子でよい。つまり、容量結合の対象となる第２素子は、送信端子１２と送信フィルタ１４とを接続する配線、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に接続される第２インダクタ、第２インダクタと接続される配線、送信端子１２と送信フィルタ１４との間に接続される第２キャパシタ、又は、第２キャパシタと接続される配線の少なくとも一つであってもよい。容量結合の対象となる第２素子については、シミュレーション等によって、送信フィルタ１４の漏れ信号を一定以上キャンセルできる素子を適宜、選択すればよい。
　また、上記実施の形態等では、第２素子１７を構成するインダクタは、多層基板２０を構成する複数の配線層による積層構造を有したが、このような構造に限られず、一つの配線層に形成されてもよいし、最上層２０ａに実装されたチップ部品であってもよい。
　また、上記実施の形態等では、アンテナ端子１１は、１個のアンテナ端子であったが、複数のアンテナのそれぞれに接続される複数の端子で構成されてもよい。
　また、上記実施の形態等では、第１素子１６及び第２素子１７は、導体パターン１８を介して容量結合されたが、導体パターン１８を介さずに、直接、容量結合されてもよい。例えば、第１素子１６及び第２素子１７が多層基板２０の異なる配線層に対向するように形成されることで、第１素子１６及び第２素子１７が直接、容量結合されてもよい。
　また、上記実施の形態等では、容量結合に関連する素子（第１素子１６を構成する配線１６ｂ、第２素子１７及び導体パターン１８）は、上層から下層に向けて、第２素子１７、導体パターン１８、配線１６ｂの順に、多層基板２０の異なる配線層に形成されたが、このような構造に限られない。逆の順で形成されてもよいし、第１素子１６及び第２素子１７が同一の配線層に形成され、その配線層とは異なる配線層に導体パターン１８が形成されてもよい。
　また、上記実施の形態等では、導体パターン１８は、多層基板２０を平面視したときに、略矩形形状を有したが、このような形状に限られず、円形、帯状形状、枝分かれした配線パターン等の任意の形状で形成されてもよい。導体パターン１８の形状については、適宜、シミュレーション等によって、第１素子１６及び第２素子１７を容量結合するのに適した形状に形成すればよい。
　また、上記実施の形態等では、送信フィルタ１４及び受信フィルタ１５は、一つのパッケージ部品として収納されていたが、このような構成に限られず、別体の回路であってもよい。
　また、上記実施の形態等では、高周波モジュール１０は、多層基板２０を用いて実現されたが、単層基板を用いて実現されてもよい。パッケージ部品及びチップ部品を単層基板の表面に実装し、その単層基板の表面配線層と裏面配線層とを利用して第１素子と第２素子とを容量結合させればよい。
　本発明は、アンテナで送受信される信号をフィルタリングする高周波モジュールとして、特に、アイソレーションを高めることでき、かつ、減衰極の制御が容易な高周波モジュールとして、例えば、ＳＡＷフィルタで構成されるデュプレクサ等に利用できる。
　５、５ａ　グランド
　１０、１０ａ　高周波モジュール
　１１　アンテナ端子
　１２　送信端子
　１３　受信端子
　１４　送信フィルタ
　１５　受信フィルタ
　１６　第１素子
　１６ａ　第１インダクタ
　１６ｂ　配線
　１７、１７１　第２素子
　１７ａ　端子（励起ポイント）
　１８、１８０、１８１　導体パターン
　１８ａ　第１領域
　１８ｂ　第２領域
　１８ｃ　縁部
　１８ｄ　第３領域
　１９、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ　ビア
　２０、１２０　多層基板
　２０ａ　最上層（配線層）
　２０ｂ　第２層（配線層）
　２０ｃ　第３層（配線層）
　２０ｄ　第４層（配線層）
　２０ｅ　第５層（配線層）
　２０ｆ　最下層（配線層）
　２１ａ、１２１ａ　第１絶縁体層
　２１ｂ、１２１ｂ　第２絶縁体層
　２１ｃ、１２１ｃ　第３絶縁体層
　２１ｄ　第４絶縁体層
　２１ｅ　第５絶縁体層
　３０、３１　開口部

Claims (15)

  1. 　アンテナ端子と、
    　送信端子と、
    　受信端子と、
    　前記アンテナ端子と前記受信端子との間に接続された受信フィルタと、
    　前記アンテナ端子と前記送信端子との間に接続された送信フィルタと、
    　前記アンテナ端子と前記送信フィルタとの間に接続される第１素子と、
    　前記送信端子と前記送信フィルタとの間に直列に接続される第２素子とを備え、
    　前記第１素子と前記第２素子とは、容量結合している
    　高周波モジュール。
  2. 　前記第１素子は、前記アンテナ端子と前記送信フィルタとを接続する配線、前記アンテナ端子と前記送信フィルタとの接続点とグランドとの間に接続される第１インダクタ、前記第１インダクタと接続される配線、前記接続点と前記グランドとの間に接続される第１キャパシタ、及び、前記第１キャパシタと接続される配線の少なくとも一つであり、
    　前記第２素子は、前記送信端子と前記送信フィルタとを接続する配線、前記送信端子と前記送信フィルタとの間に接続される第２インダクタ、前記第２インダクタと接続される配線、前記送信端子と前記送信フィルタとの間に接続される第２キャパシタ、及び、前記第２キャパシタと接続される配線の少なくとも一つである
    　請求項１記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１素子は、前記第１インダクタと前記グランドとを接続する配線であり、
    　前記第２素子は、前記第２インダクタである
    　請求項２記載の高周波モジュール。
  4. 　前記受信フィルタ及び前記送信フィルタが実装される基板を備え、
    　前記基板には、導体パターンが形成され、
    　前記第１素子と前記第２素子とは、前記導体パターンを介して、容量結合している
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１素子は、前記基板を平面視したときに、前記導体パターンにおける第１領域と重なる位置に配置され、
    　前記第２素子は、前記基板を平面視したときに、前記導体パターンにおける第２領域と重なる位置に配置されている
    　請求項４記載の高周波モジュール。
  6. 　前記導体パターンは、インダクタ成分をもつ導体によって、グランドと接続されている
    　請求項５記載の高周波モジュール。
  7. 　前記インダクタ成分をもつ導体は、前記導体パターンと前記グランドとを接続するビアである
    　請求項６記載の高周波モジュール。
  8. 　前記基板は、複数の配線層が積層されて構成される多層基板であり、
    　前記導体パターンは、前記複数の配線層のうちの最上層と最下層とを除く配線層に形成され、
    　前記第１素子及び前記第２素子の一方は、前記複数の配線層のうち、前記導体パターンが形成された配線層よりも上層の配線層に設けられ、
    　前記第１素子及び前記第２素子の他方は、前記複数の配線層のうち、前記導体パターンが形成された配線層よりも下層の配線層に設けられている
    　請求項６又は７記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第１素子及び前記第２素子の一方は、前記複数の配線層のうち、最上層の配線層に設けられたチップインダクタである
    　請求項８記載の高周波モジュール。
  10. 　前記導体パターンは、少なくとも一つの開口部が形成された第３領域を有する
    　請求項８又は９記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第３領域は、前記基板を平面視したときに、前記第１領域及び前記第２領域のいずれとも重複しない位置に設けられている
    　請求項１０記載の高周波モジュール。
  12. 　前記第３領域は、前記基板を平面視したときに、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する
    　請求項１０又は１１記載の高周波モジュール。
  13. 　前記第３領域には、メッシュ状に複数の開口部が形成されている
    　請求項１０～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記第１素子は、前記基板を平面視したときに、前記導体パターンの縁部と重なる位置に配置されている
    　請求項７記載の高周波モジュール。
  15. 　前記第１領域は、前記基板を平面視したときに、前記ビアと前記第２領域との間に位置する
    　請求項１４記載の高周波モジュール。
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