JP6187583B2 - 高周波モジュール - Google Patents
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Description
図1に示す高周波モジュール11は、シリーズ接続型の整合素子41,42を備える。なお、整合素子41,42の一方は、省略することができる。
図2に示す高周波モジュール12は、シャント接続型の整合素子43,44を備える。なお、整合素子43,44の一方は、省略することができる。
図3に示す高周波モジュール13は、シリーズ接続型の整合素子41およびシャント接続型の整合素子44を備える。
図4に示す高周波モジュール14は、シャント接続型の整合素子43およびシリーズ接続型の整合素子42を備える。
図9は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール101は、積層基板100、フィルタ基板200、カバー層290、側面カバー層291、実装型回路素子430を備える。
図11は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図11に示す高周波モジュール101Aは、インダクタ43Lが、実装型回路素子で実現されず、積層基板100内に形成された電極パターンによって実現される。フィルタ部21の構成は、図9、図10に示した高周波モジュール101と同じであり、説明は省略する。
図12は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図12に示す高周波モジュール101Bは、所謂CSP(Chip Sized Package)構造で実現されている。
20,21:フィルタ部、
201−208:SAW共振子、
301−305:接続導体、
41,42:(シリーズ接続型の)整合素子、
43,44:(シャント接続型の)整合素子、
41L,42L,43L,44L:インダクタ、
41C,42C,43C,44C:キャパシタ、
401,402:接続ライン、
P1:第1外部接続端子、
P2:第2外部接続端子、
P21,P21’:第1端子、
P22:第2端子、
P31,P32:第3端子、
P23:第4端子、
P24:第5端子、
100:積層基板、
100S:天面、
100R:底面、
200:フィルタ基板、
280:フィルタ実装用基板、
281:バンプ導体、
282:外部接続用バンプ導体、
283:モールド樹脂、
290:カバー層、
291:側面カバー層、
292:密閉空間、
293:接続電極、
294:実装用電極、
430:実装型回路素子
Claims (14)
- 第1外部接続端子と、
第2外部接続端子と、
前記第1外部接続端子と前記第2外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第1外部接続端子もしくは前記第2外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合素子と、
を備えた高周波モジュールであって、
前記フィルタ部は、
前記第1外部接続端子に接続する第1端子と、
前記第2外部接続端子に接続する第2端子と、
前記第1端子と前記第2端子との間に直列接続された複数のフィルタ素子と、
前記複数のフィルタ素子の一方端のフィルタ素子と前記第1端子とを接続する一方端の接続部、前記複数のフィルタ素子の他方端のフィルタ素子と前記第2端子とを接続する他方端の接続部、隣り合うフィルタ素子間を接続する中間の接続部と、
を備え、
前記接続部の少なくとも一つと前記整合素子とが誘導性結合もしくは容量性結合されており、
前記第1外部接続端子と前記第2外部接続端子との間に、前記フィルタ部を伝搬経路とする主伝送経路と、
前記誘導性結合もしくは前記容量性結合によって形成され、前記誘導性結合もしくは前記容量性結合によって、伝搬される高周波信号の振幅および位相が調整される副伝搬経路と、を有する、
高周波モジュール。 - 互いに前記誘導性結合もしくは前記容量性結合する前記接続部と前記整合素子は、
前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項1に記載の高周波モジュール。 - 互いに前記誘導性結合もしくは前記容量性結合する前記接続部と前記整合素子は、
前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項2に記載の高周波モジュール。 - 前記整合素子は、前記第1外部接続端子と前記第1端子との間に直列接続されるか、もしくは、前記第2外部接続端子と前記第2端子との間に直列接続される、シリーズ接続型の整合素子である、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記整合素子は、前記第1外部接続端子と前記第1端子とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるか、もしくは、前記第2外部接続端子と前記第2端子とを接続する接続ラインとグランドの間に接続される、シャント接続型の整合素子である、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記接続部は線状導体パターンからなる、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の高周波モジュール。
- 前記接続部の少なくとも1つおよび前記整合素子のみが誘導性結合または容量性結合している、
請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 第3端子と、第2のフィルタ部とを備え、
前記第2のフィルタ部は、前記第1端子および該第1端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、前記第3端子との間に接続されている、
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記フィルタ部を構成するIDT電極および前記接続部が第1主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第1主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
前記第1主面から突出し、前記平板状のカバー層を貫通する形状の接続電極と、
前記整合素子が実装または形成された積層基板と、を備え、
前記フィルタ基板は、前記第1主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置され、
前記フィルタ基板は、前記接続電極を介して前記積層基板に接続されている、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記整合素子は、前記積層基板の実装面に実装される実装型素子であり、
前記整合素子と前記接続部とは、互いに電磁界結合する位置に配置されている、
請求項9に記載の高周波モジュール。 - 前記整合素子は、
直方体形状の筐体と、
該筐体内に形成され、平面視して略長方形の外周形を有するスパイラル導体と、
を備え、
前記整合素子は、前記筐体の長辺が前記フィルタ基板の前記第1主面における第1辺に平行になるように、配置されている、
請求項10に記載の高周波モジュール。 - 前記整合素子は、
前記積層基板の実装面または内部に形成された導体パターンからなり、
該導体パターンと前記接続部は、平面視して少なくとも一部が重なっている、
請求項9に記載の高周波モジュール。 - 前記フィルタ部を構成するIDT電極および前記接続部が第1主面に形成された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第1主面側に配置され、該フィルタ基板を前記第1主面側で実装した平板状のフィルタ実装用基板と、を備え、
前記整合素子は、前記フィルタ実装用基板に形成されている、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高周波モジュール。 - 前記整合素子に誘導性結合もしくは容量性結合する前記接続部と前記整合素子との間には、前記接続部および前記整合素子と異なる電極は、配置されていない、
請求項9乃至請求項13のいずれかに記載の高周波モジュール。
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