CN105453428B - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

本发明的高频模块(11)包括：滤波器部(20)，第一、第二外部连接端子(P1、P2)。滤波器部(20)包括第一、第二端子(P21、P22)和多个SAW谐振器(201‑208)。多个SAW谐振器(201‑208)通过连接导体相连接。在第一端子(P21)和第一外部连接端子(P1)之间连接有匹配元件(41)，在第二端子(P22)和第二外部连接端子(P2)之间连接有匹配元件(42)。匹配元件(41、42)中的至少一个与在将至少一个SAW谐振器介于其间的位置上的连接导体(301、302、303、304、305)中的至少一个产生电感性耦合或电容性耦合。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具有多个滤波器元件的高频模块。
背景技术
为了只让所需的频率的高频信号通过并使该所需频率以外的高频信号衰减，具有无线通信功能的便携设备等中设有滤波电路。
例如，专利文献1中记载了具有多个SAW滤波器的滤波电路。具体地说，在专利文献1的滤波电路的输入端子和输出端子之间串联连接有多个SAW滤波器。在连接被串联连接的各SAW滤波器的连接线和接地之间还分别连接有SAW滤波器。
为了改善通带以外的衰减特性，专利文献1中所记载的滤波电路将电感或电感与电容的串联电路(称为校正电路)与SAW滤波器的串联电路並列连接。这时调整校正电路，从而使得通过由SAW滤波器组构成的电路部传送的通带以外的高频信号(抑制对象信号)和通过校正电路传送的抑制对象信号的振幅一致而相位相反。基于此，抑制对象信号在由SAW滤波器组构成的电路部和校正电路之间的连接点被抵消，不会从输出端子输出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2012-109818号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，在上述结构中，除了由主要具有滤波器功能的SAW滤波器组构成的电路部以外，还必须仅仅为了改善衰减特性而设置由电感或电感与电容的串联电路构成的校正电路。
因此，滤波电路的构成元件增多，滤波电路变得大型化，不适合要求小型化的当前的便携终端等。
本发明旨在提供具有通带以外的衰减特性优异的小型滤波电路的高频模块。
解决技术问题的手段
本发明涉及包括第一外部连接端子，第二外部连接端子，连接在第一外部连接端子和第二外部连接端子之间的滤波器部，连接在第一外部连接端子或第二外部连接端子中的至少一个与滤波器部之间的匹配元件的高频模块，并具有如下特征。
滤波器部包括与第一外部连接端子连接的第一端子，与第二外部连接端子连接的第二端子，以及串联连接在第一端子和第二端子之间的多个滤波器元件。将多个滤波器元件中一端的滤波器元件与第一端子相连接的一端的连接部、将多个滤波器元件中另一端的滤波器元件与第二端子相连接的另一端的连接部、以及将相邻的滤波器元件之间相连接的中间的连接部中的至少一个与匹配元件之间被电感性耦合或电容性耦合。
在这种结构中，除了通过多个滤波器部传送高频信号的主传送路径以外，还形成通过由连接部和匹配元件产生的电感性耦合或电容性耦合的路径的副传送路径。副传送路径由电感性耦合或电容性耦合的耦合度形成与主传送路径不同的振幅特性和相位特性，通过调整副传送路径的振幅特性和相位特性，可以调整高频模块的传输特性。基于此，即使不另外设置电感和电容，也能调整高频模块的传输特性，例如可以改善衰减特性。
此外，本发明的高频模块优选地具有如下结构。互相电感性耦合或电容性耦合的连接部和匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得滤波器部的通带以外的阻抗改变。
如这种结构所示，通过适当调整耦合形态和耦合度，可以不使带通特性改变而使通过带以外的特性即衰减特性改变。
此外，本发明的高频模块优选地具有如下结构。互相电感性耦合或电容性耦合的连接部和匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得滤波器部的通带以外的衰减极点频率改变。
作为衰减特性的调整方式，在这种结构中衰减极点频率被调整。
此外，本发明的高频模块中，匹配元件可以是串联连接在第一外部连接端子和第一端子之间、或者串联连接在第二外部连接端子和第二端子之间的串联连接型匹配元件。
此外，本发明的高频模块中，匹配元件可以是连接在将第一外部连接端子和第一端子相互连接的连接线与接地之间、或者连接在将第二外部连接端子和第二端子相互连接的连接线与接地之间的并联连接型匹配元件。
这些结构中，示出了匹配元件的具体连接形态。通过适当地确定这些连接形态，可以在适当地进行滤波器部和外部电路之间的阻抗匹配的同时，适当地进行上述的衰减特性调整。
此外，本发明的高频模块中连接部优选由线形导体图案来形成。
在这种结构中，连接部能以简单的构造实现，可以将滤波器部和高频模块形成小型。
此外，本发明的高频模块中包括第三端子和第二滤波器部，第二滤波器部可以被连接在将第一端子和该第一端子所连接的滤波器元件的连接线与第三端子之间。
这种结构可以实现将第一端子作为共用端子、且将第二端子和第三端子作为独立端子的合成分波器。
此外，本发明的高频模块也可以是如下的结构。高频模块包括在其第一主面上形成了构成滤波器部的IDT电极以及连接部的平板状的滤波器基板，与该滤波器基板的第一主面隔开间隔地对置的平板状的覆盖层，具有从第一主面突出且贯通覆盖层的形状的连接电极，以及安装或形成了匹配元件的叠层基板。滤波器基板被配置成使其第一主面侧面朝向叠层基板的安装面。滤波器基板经由连接电极连接到叠层基板。
在这种结构中，高频模块可以用由WLP(Wafer Level Package：晶片级封装)构成的滤波器部和叠层基板来实现。基于此，可以将高频模块形成为小型。
此外，本发明的高频模块也可以为如下的结构。匹配元件是安装于叠层基板的安装面的安装型元件。连接部被设置在滤波器基板的第一主面的第一边附近。安装型元件被安装在滤波器基板的第一边附近。
这种结构表现出在匹配元件为安装型元件时使用WLP的高频模块的具体结构例。通过这种结构，可以确实地实现匹配元件和连接部之间的耦合。
此外，本发明的高频模块优选地具有如下结构。匹配元件包括长方体形状的壳体和在该壳体内形成的俯视观察时由大致成矩形的周边外形构成的螺旋形导体。匹配元件被配置成使得壳体的长边与滤波器基板的第一边平行。
这种结构便于获得匹配元件和连接部之间的耦合，也容易调整到所需的耦合量。
此外，本发明的高频模块也可以是如下的结构。匹配元件由在叠层基板的安装面或内部形成的导体图案来构成，俯视观察时，该导体图案和连接部至少有一部分相重叠。
这种结构中，示出了匹配元件由叠层基板上形成的导体图案构成时使用WLP的高频模块的具体结构例。这种结构可以确实地实现匹配元件和连接部之间的耦合。此外，由于不是匹配元件作为安装型电路元件安装在叠层基板上的形态，因而，不需要用于安装该匹配元件的平面空间，可以减小高频模块的平面形状。
此外，本发明的高频模块也可以是如下的结构。高频模块包括在第一主面上形成了构成滤波器部的IDT电极以及连接部的平板状的滤波器基板，设置在该滤波器基板的第一主面侧且安装了该滤波器基板的第一主面侧的平板状的滤波器安装用基板。匹配元件被形成于该滤波器安装用基板。
这种结构示出了以CSP(Chip Sized Package：芯片尺寸封装)来实现高频模块的情况。
根据本发明，可以实现包括具有优异的通带以外的衰减特性的小型滤波电路的高频模块。
附图说明
图1是表示根据本发明实施方式的高频模块的第一电路例的电路框图。
图2是表示根据本发明实施方式的高频模块的第二电路例的电路框图。
图3是表示根据本发明实施方式的高频模块的第三电路例的电路框图。
图4是表示根据本发明实施方式的高频模块的第四电路例的电路框图。
图5是表示图1至图4所示的高频模块的匹配元件的具体例的电路图。
图6是表示使匹配元件与连接导体的耦合度改变时高频模块的带通特性变化的曲线图。
图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
图8是表示使匹配元件与连接导体的耦合度改变时高频模块的第二外部连接端子和第三外部连接端子之间的隔离变化的曲线图。
图9是表示高频模块的第一结构的主要结构的立体概念图。
图10是表示高频模块的第一结构的主要结构的俯视概念图。
图11是表示高频模块的第二结构的主要结构的立体概念图。
图12是表示高频模块的第三结构的主要结构的立体概念图。
具体实施方式
参照附图说明本发明实施方式的高频模块。图1是表示根据本发明实施方式的高频模块的第一电路例的电路框图。图2是表示根据本发明实施方式的高频模块的第二电路例的电路框图。图3是表示根据本发明实施方式的高频模块的第三电路例的电路框图。图4是表示根据本发明实施方式的高频模块的第四电路例的电路框图。图5(A)、图5(B)、图5(C)、图5(D)是表示第一外部连接端子侧的匹配元件的具体例的电路图。图5(E)、图5(F)、图5(G)、图5(H)是表示第二外部连接端子侧的匹配元件的具体例的电路图。
首先，对于图1至图4分别示出的高频模块11、12、13、14共同的电路结构进行说明。
高频模块11、12、13、14包括第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2和滤波器部20。滤波器部20连接在第一外部连接端子P1和第二外部连接端子P2之间。
滤波器部20包括第一端子P21和第二端子P22。第一端子P21经由后述的串联连接型匹配元件或并联连接型匹配元件连接到第一外部连接端子P1。第二端子P22经由后述的串联连接型匹配元件或并联连接型匹配元件连接到第二外部连接端子P2。
滤波器部20包括多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206、207、208(以下，统一说明多个SAW谐振器时简称为多个SAW谐振器201-208)。这些SAW谐振器相当于本发明的“滤波器元件”。
多个SAW谐振器201-208各自具有谐振频率，各自单独地充当具有带通特性的带通滤波器(BPF)。多个SAW谐振器201-208串联连接在第一端子P21和第二端子P22之间。
更具体地说，SAW谐振器201的一端经由连接导体301连接到第一端子P21。SAW谐振器201的另一端连接到SAW谐振器202的一端。
SAW谐振器202的另一端经由连接导体302连接到SAW谐振器203的一端。SAW谐振器203的另一端连接到SAW谐振器204的一端。
SAW谐振器204的另一端经由连接导体303连接到SAW谐振器205的一端。SAW谐振器205的另一端连接到SAW谐振器206的一端。
SAW谐振器206的另一端经由连接导体304连接到SAW谐振器207的一端。SAW谐振器207的另一端连接到SAW谐振器208的一端。
SAW谐振器208的另一端经由连接导体305连接到第二端子P22。
再有，这里特意地不将SAW谐振器201和202之间、SAW谐振器203和204之间、SAW谐振器205和206之间、SAW谐振器207和208之间的连接称为连接导体，但是在以规定长度的传输线进行连接时可以看作为连接导体。并且，这些连接导体相当于本发明的“连接部”。
滤波器部20通过将这些SAW谐振器201-208的带通特性和衰减特性组合，实现作为滤波器部20所需的带通特性和通带以外的衰减特性。
对于这样的高频模块11、12、13、14的共通电路结构，各高频模块具体以如下所示的电路结构来构成。
(第一电路例)
图1所示的高频模块11包括串联连接型匹配元件41、42。再有，匹配元件41和42中的一个可以省略。
匹配元件41连接在滤波器部20的第一端子P21和第一外部连接端子P1之间。具体地说，匹配元件41是如图5(A)所示的串联连接在第一端子P21和第一外部连接端子P1之间的电感41L，或者是如图5(B)所示的串联连接在第一端子P21和第一外部连接端子P1之间的电容41C。匹配元件41的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第一外部连接端子P1侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配元件42连接在滤波器部20的第二端子P22和第二外部连接端子P2之间。具体地说，匹配元件42是如图5(E)所示的串联连接在第二端子P22和第二外部连接端子P2之间的电感42L，或者是如图5(F)所示的串联连接在第二端子P22和第二外部连接端子P2之间的电容42C。匹配元件42的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第二外部连接端子P2侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，如图1的点线箭头所示，匹配元件41和42中的至少一个与滤波器部20的连接导体301、302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。在此情况下，在其间至少有一个SAW谐振器的位置上的匹配元件和连接导体彼此之间耦合。
更具体地说，匹配元件41与连接导体302、303、304、305中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件41为电感41L，则电感41L与连接导体302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件41为电容41C，则电容41C与连接导体302、303、304、305中的至少一个电容性耦合。
匹配元件42与连接导体301、302、303、304中的至少一个耦合。如果匹配元件42为电感42L，则电感42L与连接导体301、302、303、304中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件42为电容42C，则电容42C与连接导体301、302、303、304中的至少一个电容性耦合。
通过设置成这样的结构，耦合的连接导体和匹配元件被高频地连接。例如，在匹配元件41为电感41L且电感41L与连接导体304电感性耦合的情况下，在电感41L(匹配元件41)和连接导体304之间构成具有互感M的电感性耦合电路。基于此，高频信号在第一外部连接端子P1和第二外部连接端子P2之间不是仅通过以滤波器部20为传送路径的主传送路径进行传送，高频信号的一部分还通过以电感41L(匹配元件41)、电感性耦合电路和连接导体304为传送路径的副传送路径进行传送。
基于此，作为高频模块11，具有由主传送路径的传输特性和副传送路径的传输特性合成的合成传输特性。
这里，通过调整相耦合的匹配元件和连接导体的耦合形态和耦合度，可以调整经副传送路径传送的高频信号的振幅和相位。换言之，可以调整副传送路径的传输特性。所谓传输特性例如就是指衰减特性(振幅特性)和相位特性。
并且，通过对这种耦合形态和耦合度进行调整，可以做到仅会对通带以外的衰减特性带来因设置副传送路径而产生的影响，对于高频模块11可通过的高频信号(所需的高频信号)的频带的传输特性几乎没有影响。
而且，通过这样调整副传送路径的传输特性，可以调整高频模块11的传输特性。例如，如后文所述可以调整通带以外的衰减特性。
在此情况下，由于不再另外需要现有结构那样的用于调整高频滤波器的传输特性的电感和电容，能够以简单的结构实现具有所需衰减特性的高频滤波器。基于此，可以将高频滤波器形成为小型。
此外，利用因上述的耦合而产生的互感分量，可以使电感41L(匹配元件21)的有效电感值增大。因此，也可以使电感41L的线路长度更短。
(第二电路例)
图2所示的高频模块12包括并联连接型匹配元件43、44。再有，可以省略匹配元件43和44中的一个。
匹配元件43连接在将滤波器部20的第一端子P21和第一外部连接端子P1相互连接的连接线401和接地之间。具体地说，匹配元件43是如图5(C)所示的连接在将第一端子P21和第一外部连接端子P1相互连接的连接线401与接地之间的电感43L，或者是如图5(D)所示的连接在将第一端子P21和第一外部连接端子P1相互连接的连接线401与接地之间的电容43C。匹配元件43的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第一外部连接端子P1侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配元件44连接在将滤波器部20的第二端子P22和第二外部连接端子P2相互连接的连接线402与接地之间。具体地说，匹配元件44是如图5(G)所示的连接在将第二端子P22和第二外部连接端子P2相互连接的连接线402与接地之间的电感44L，或者是如图5(H)所示的连接在将第二端子P22和第二外部连接端子P2相互连接的连接线402与接之间的电容44C。匹配元件44的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第二外部连接端子P2侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
此外，如图2的点线箭头所示，匹配元件43和44中的至少一个与滤波器部20的连接导体301、302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。在此情况下，在其间至少有一个SAW谐振器的位置上的匹配元件和连接导体之间彼此耦合。
更具体地说，匹配元件43与连接导体302、303、304、305中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件43为电感43L，则电感43L与连接导体302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件43为电容43C，则电容43C同连接导体302、303、304、305中的至少一个电容性耦合。
匹配元件44与连接导体301、302、303、304中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件44为电感44L，则电感44L与连接导体301、302、303、304中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件44为电容44C，则电容44C与连接导体301、302、303、304中的至少一个电容性耦合。
通过设置成这样的结构，耦合的连接导体和匹配元件被高频地连接。例如，在匹配元件44为电容44C、且电容44C和连接导体301之间电容性耦合的情况下，在电容44C(匹配元件44)和连接导体301之间构成具有耦合电容CM的电容性耦合电路。基于此，在第一外部连接端子P1和第二外部连接端子P2之间，高频信号不仅通过以滤波器部20为传送路径的主传送路径进行传送，高频信号的一部分也在以连接导体301、电容性耦合电路和电容44C(匹配元件44)为传送路径的副传送路径上进行传送。
基于此，作为高频模块12，具有由主传送路径的传输特性和副传送路径的传输特性合成的合成传输特性。
与上述的高频模块11一样，这种结构的高频模块12可以用比现有结构简单的结构来实现所需的衰减特性。
(第三电路例)
图3所示的高频模块13包括串联连接型匹配元件41和并联连接型匹配元件44。
匹配元件41连接在滤波器部20的第一端子P21和第一外部连接端子P1之间。具体地说，匹配元件41是如图5(A)所示的串联连接在第一端子P21和第一外部连接端子P1之间的电感41L，或者是如图5(B)所示的串联连接在第一端子P21和第一外部连接端子P1之间的电容41C。匹配元件41的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第一外部连接端子P1侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配元件44连接在将滤波器部20的第二端子P22和第二外部连接端子P2相互连接的连接线402与接地之间。具体地说，匹配元件44是如图5(G)所示的连接在将第二端子P22和第二外部连接端子P2相互连接的连接线402与接地之间的电感44L，或者是如图5(H)所示的连接在将第二端子P22和第二外部连接端子P2相互连接的连接线402与接地之间的电容44C。匹配元件44的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第二外部连接端子P2侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，如图3的点线箭头所示，匹配元件41和44中的至少一个与滤波器部20的连接导体301、302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。在此情况下，在其间至少有一个SAW谐振器的位置上的匹配元件和连接导体彼此之间耦合。
更具体地说，匹配元件41与连接导体302、303、304、305中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件41电感41L，则电感41L与连接导体302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件41为电容41C，则电容41C与连接导体302、303、304、305中的至少一个电容性耦合。
匹配元件44与连接导体301、302、303、304中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件44为电感44L，则电感44L与连接导体301、302、303、304中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件44为电容44C，则电容44C与连接导体301、302、303、304中的至少一个电容性耦合。
基于此，作为高频模块13，具有由经由滤波器部20的主传送路径的传输特性和经由耦合部的副传送路径的传输特性合成的合成传输特性。与上述的高频模块11、12一样，这种结构的高频模块13可以用比现有结构简单的结构实现所需的衰减特性。
(第四电路例)
图4所示的高频模块14包括并联连接型匹配元件42和串联连接型匹配元件43。
匹配元件42连接在滤波器部20的第二端子P22和第二外部连接端子P2之间。具体地说，匹配元件42是如图5(E)所示的串联连接在第二端子P22和第二外部连接端子P2之间的电感42L，或者是如图5(F)所示的串联连接在第二端子P22和第二外部连接端子P2之间的电容42C。匹配元件42的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第二外部连接端子P2侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
匹配元件43连接在将滤波器部20的第一端子P21和第一外部连接端子P1相互连接的连接线401与接地之间。具体地说，匹配元件43是如图5(C)所示的连接在将第一端子P21和第一外部连接端子P1相互连接的连接线401与接地之间的电感43L，或者是如图5(D)所示的连接在将第一端子P21和第一外部连接端子P1相互连接的连接线401与接地之间的电容43C。匹配元件43的元件值(电感量或电容量)被设定为实现连接于第一外部连接端子P1侧的电路和滤波器部20之间的阻抗匹配的元件值。
并且，如图4的点线箭头所示，匹配元件42和43中的至少一方同滤波器部20的连接导体301、302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。在此情况下，在其间至少有一个SAW谐振器的位置上的匹配元件和连接导体彼此之间耦合。
更具体地说，匹配元件42与连接导体301、302、303、304中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件42为电感42L，则电感42L与连接导体301、302、303、304中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件42为电容42C，则电容42C与连接导体301、302、303、304中的至少一个电容性耦合。
匹配元件43与连接导体302、303、304、305中的至少一个耦合。例如，如果匹配元件43为电感43L，则电感43L与连接导体302、303、304、305中的至少一个电感性耦合或电容性耦合。如果匹配元件43为电容43C，则电容43C与连接导体302、303、304、305中的至少一个电容性耦合。
基于此，作为高频模块14，成为具有由经由滤波器部20的主传送路径的传输特性和经由耦合部的副传送路径的传输特性合成的合成传输特性。与上述的高频模块11、12、13一样，这种结构的高频模块14可以用比现有结构简单的结构实现所需的衰减特性。
图6是表示使匹配元件与连接导体的耦合度改变时高频模块带通特性变化的曲线图。图6的横轴表示频率，图6的纵轴表示从第一外部连接端子P1到第二外部连接端子P2传送的信号的衰减量。图6所示的点线的特性表示与实线的特性相比电感性耦合弱、且电容性耦合强的情况。图6所示的虚线的特性表示与实线的特性相比电感性耦合强、且电容性耦合弱的情况。再有，图6的特性示出了在滤波器部20的SAW谐振器202、203的连接位置与结地之间连接SAW谐振器、在SAW谐振器204、205的连接位置与接地之间连接SAW谐振器、在SAW谐振器206、207的连接位置与接地之间连接SAW谐振器的梯形结构的情况。再有，本实施方式的高频模块是以800MHz频帯为通带的带通滤波器。
如图6所示，电感性耦合越强、电容性耦合越弱，则在通带的高频侧出现的衰减极点的频率就越高。另一方面，电感性耦合越弱、电容性耦合越强，则在通带的高频侧出现的衰减极点的频率就越低。再有，图6中的衰减极点的频率就是指位于频率轴的大致中央处的峰值频率。
此外，通过适当地设定电感性耦合和电容性耦合，可以使通带的高频侧的衰减特性改变。例如，虽然电容性耦合越强、电感性耦合越弱，则通带附近的衰减量就变小，但是可以在衰减极点频率上取得较大的衰减量。此外，电容性耦合越弱、电感性耦合越强，则可以在通带附近取得更大的衰减量。
而且，如图6所示，通带的频率位置、频带和插入损耗不受电感性耦合和电容性耦合强度的影响，几乎没有变化。
因此，通过用本实施方式的结构适当地调整耦合形态和耦合度，可以不使通带特性变化而将高频侧的衰减特性调整到所需的特性。换言之，可以实现具有所需的带通特性和衰减特性的高频模块。
作为具体的适用例，由这种结构形成的高频模块可以用于图7所示的双工器结构。图7是由双工器结构构成的高频模块的等效电路图。
高频模块101包括滤波器部21、第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2以及兼用滤波器部21的第三端子P31、P32的第三外部连接端子。作为具体的适用例，第一外部连接端子P1连接到天线。第二外部连接端子P2连接到发送电路。第三外部连接端子(第三端子P31、P32)连接到接收电路。
滤波器21包括第一端子P21’，第二端子P22，第三端子P31、P32，第四端子P23和第五端子P24。
第一端子P21’经由连接线401连接到第一外部连接端子P1。在连接线401和接地之间连接有与上述匹配元件相对应的电感43L。第二端子P22经由连接线402连接到第二外部连接端子P2。
在第一端子P21’和第二端子P22之间串联连接有多个SAW谐振器201、202、203、204、205、206。
更具体地说，SAW谐振器201的一端经由连接导体301连接到第一端子P21’。SAW谐振器201的另一端连接到SAW谐振器202的一端。SAW谐振器202的另一端经由连接导体302连接到SAW谐振器203的一端。SAW谐振器203的另一端连接到SAW谐振器204的一端。SAW谐振器204的另一端经由连接导体303连接到SAW谐振器205的一端。SAW谐振器205的另一端连接到SAW谐振器206的一端。SAW谐振器206的另一端经由连接导体304连接到第二端子P22。
另外，在SAW谐振器202和SAW谐振器203的连接点亦即在连接导体302的规定位置上连接SAW谐振器211的一端，该SAW谐振器211的另一端连接到第四端子P23。第四端子P23经由电感50接地。
SAW谐振器204和SAW谐振器205的连接点亦即连接导体303的规定位置与SAW谐振器212的一端连接，SAW谐振器212的另一端连接到第五端子P24。SAW谐振器206和第二端子P22的连接点亦即连接导体304的规定位置与SAW谐振器213的一端连接，SAW谐振器213的另一端连接到第五端子P24。第五端子P24经由电感60接地。
通过这种结构，滤波器部21在第一端子P21’和第二端子P22之间将这些SAW谐振器201-208、211、212、213的带通特性和衰减特性组合，从而实现滤波器部21的第一、第二端子之间所需的第一带通特性和第一通带以外的第一衰减特性。
在第一端子P21’和第三端子P31、P32之间串联连接有SAW谐振器221和纵向耦合型SAW谐振器231、232。通过这种结构，滤波器部21在第一端子P21’和第三端子P31、P32之间将这些SAW谐振器221、231、232的带通特性和衰减特性组合，从而实现滤波器部21的第一端子和第三端子之间所需的第二带通特性和第二通带以外的第二衰减特性。第二通带是与第一通带不同的频带，第二通带被设定成在第一通带以外的衰减带范围内。
基于此，滤波器部21具有将第一端子P21’作为共用端子、将第二端子P22和第三端子P31、P32分别作为独立端子的双工器的功能。
此外，高频模块101中，连接导体302、303、304中的任一个与电感43L之间电感性耦合。而且，通过调整其耦合度可以调整第一衰减特性。
这里，使用本实施方式的结构，可以调整成在第一衰减特性中取得较大的衰减量的频带的带宽和衰减量，从而覆盖第二通带。这可以通过调整与电感43L耦合的连接导体302、303、304的选择，并且调整相耦合的连接导体和电感43L的耦合度，就能实现。
图8是表示使匹配元件和连接导体的耦合度改变时高频模块的第二外部连接端子和第三外部连接端子之间的隔离变化的曲线图。图8的横轴表示频率，图8的纵轴表示隔离量。如图8中所示，隔离量越低，则第二端子和第三端子之间就越强地被隔离。图8所示的点线的特性表示与实线的特性相比电感性耦合更弱、电容性耦合更强的情况。图8所示的虚线的特性表示与实线的特性相比电感性耦合更强、电容性耦合更弱的情况。
如图8所示，通过调整电感性耦合和电容性耦合，可以调整接收电路Rx(第三端子侧)的通带的隔离量和隔离特性。并且，如图8所示，即使对电感性耦合和电容性耦合进行调整，发送电路Tx(第二端子侧)的通带的隔离量和隔离特性也几乎没有变化。
这样，可以利用高频模块101的结构适当地调整第二端子和第三端子之间的隔离特性。也就是说，可以使发送电路和接收电路之间的隔离特性最优化。
由以上那样的结构构成的高频模块可以实现如下所示的构造。再有，以下说明在构造上实现由上述的双工器结构构成的高频模块101的例子。
(第一构造)
图9是表示高频模块的主要构造的立体概念图。高频模块101包括基板100、滤波器基板200、覆盖层290、侧面覆盖层291和安装型电路元件430。
叠层基板100通过层叠多个电介质层而成。在叠层基板100的表面100S和内层，形成有规定图案的电极，并且除了高频模块101的滤波器部21以外还形成有布线图案和电感50、60。在叠层基板100的底面100R形成有外部连接用电极，利用这些外部连接用电极来实现上述的第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2和第三外部连接端子。
滤波器部21由滤波器基板200、覆盖层290、侧面覆盖层291、连接电极293和安装用电极294形成。
滤波器基板200由平板状压电基板构成。在滤波器基板200的第一主面上形成有滤波电极。滤波电极例如由所谓IDT电极构成。这样，通过在压电基板的主面上形成IDT电极，可以实现上述各SAW谐振器。此外，在滤波器基板200的第一主面上形成有实现包括连接导体304的各连接导体的电极图案。在滤波器基板200的第一主面侧，设置有平板状的覆盖层290。覆盖层290由平板状绝缘性材料构成，并且俯视观察时以与滤波器基板200相同的形状来形成。此外，俯视观察时，覆盖层290被配置成与滤波器基板200重叠，并被设置成与滤波器基板200的第一主面隔开预定距离的间隔。
在滤波器基板200的第一主面和覆盖层290之间，设有侧面覆盖层291。侧面覆盖层291也由绝缘性材料构成，并且俯视观察时仅在从外周边向内侧的规定宽度范围内覆盖滤波器基板200和覆盖层290的整个周边来形成。也就是说，覆盖层290为中央有开口的框形构造。
这样，通过设置覆盖层290和侧面覆盖层291，滤波器基板200的第一主面的形成了滤波电极的区域被滤波器基板200、覆盖层290和侧面覆盖层291置于密闭空间292内。基于此，可以改善SAW谐振器的谐振特性，精确地实现滤波器所需的特性。
连接电极293形成为如下形状：即、其一端与滤波器基板200的第一主面相连接，另一端露出于覆盖层290的与滤波器基板200侧相反侧的面。在此情况下，连接电极293被形成为贯通侧面覆盖层291和覆盖层290。连接电极293的一端与滤波器基板200的第一主面上形成的电极图案相连接。
安装用电极294与连接电极293的另一端连接，以从覆盖层290的与滤波器基板200侧相反侧的面突出的形状来形成。通过设置多组连接电极293和安装用电极294，实现上述滤波器部21的第一端子P21’、第二端子P22、第三端子P31和P32、第四端子P23以及第5端子P24。再有，连接电极293的另一端也可以用焊锡或金等材料来形成突起，通过该突起与安装用电极294连接。
由于以上那样的结构，滤波器部21可以成为所谓WLP(Wafer Level Package：晶片级封装)的构造，可以将滤波器部21形成为小型。
而且，这种WLP构造的滤波器部21被安装在叠层基板100的顶面(安装面)100S上。基于此，滤波器部21与第一外部连接端子P1、第二外部连接端子P2和第三外部连接端子相连接。
电感43L由安装型电路元件430来实现。具体地说，安装型电路元件430包括由绝缘性材料构成的长方体形状的壳体，在该壳体的内部形成了由电感43L的螺旋形电极。螺旋形电极沿壳体的外周延伸，其一部分由被分断开的管状线形电极和层间连接电极来实现。各层的线形电极由层间连接电极连接成一根线形电极。螺旋形电极的两端与壳体的相对的两个端面上所形成的外部连接电极连接。
由这种结构形成的安装型电路元件430与滤波器部21一样被安装在叠层基板100的顶面(安装面)100S。这里，滤波器部21的第一端子P21’和第一外部连接端子P1之间的连接线被形成在叠层基板100的顶面100S和内部，接地电极被形成在叠层基板100的内部，与安装型电路元件430的安装用焊盘(land)连接。基于此，可以实现电感43L连接在将滤波器部21的第一端子P21’和第一外部连接端子P1相互连接的连接线与接地之间的构造。
而且，通过将实现电感43L的安装型电路元件430靠近地设置于WLP构造的滤波器部21，可以获得电感43L与滤波器部21的规定连接导体之间的电感性耦合。
构成滤波器部21的电极图案成为例如图10所示的构造。图10是表示高频模块的主要构造的俯视概念图。具体地说，在滤波器基板200的第一主面上形成有构成SAW谐振器201-206、211、212、213、221的IDT电极，构成纵向耦合型SAW谐振器231、232的IDT电极，以及构成各连接导体的电极图案。并且，还形成有构成各端子P21’、P22、P23、P24的焊盘电极。这些IDT电极、构成连接导体电极图案和焊盘电极以规定的图案结构来形成，从而实现图7所示的电路结构。
在此情况下，构成连接导体304的电极图案在滤波器基板200的第一端边附近形成沿着该第一端边延伸的形状。
而且，安装型电路元件430被安装在靠近该滤波器基板200的第一端边的位置。基于此，由于安装型电路元件430的由螺旋形电极构成的电感43L与由线形的电极图案构成的连接导体304接近，因此，可以如图10的粗虚线箭头所示那样，产生电感性耦合。通过设置成这样的结构，可以不用另外设置衰减特性调整用的元件，就能实现具有所需的衰减特性的高频模块101。
这里，如图10的细虚线箭头所示那样，使安装型电路元件430的配置位置在叠层基板100的顶面100S上变化。基于此，可以调整安装型电路元件430的由螺旋形电极构成的电感43L与由线形的电极图案构成的连接导体304之间的距离，以及对置而延伸的电极的长度。通过这种结构，可以调整电感43L和连接导体304之间的电感性耦合，并可以通过调整衰减特性来精确地实现所需的衰减特性。
再有，图10中示出了将安装型电路元件430的长边侧面和滤波器基板200的第一端边配置成互相平行的示例。然而，也可以将安装型电路元件430的短边侧面(形成有外部连接电极的端面)和滤波器基板200的第一端边配置成互相平行。但是，通过将安装型电路元件430的长边侧面和滤波器基板200的第一端边配置成互相平行，可以较易实现更强的电感性耦合。
此外，图10示出了对安装型电路元件430进行安装从而使得螺旋形电极的中心轴与顶面100S正交的示例，然而也可以对安装型电路元件430进行安装从而使得螺旋形电极的中心轴与顶面100S平行。
(第二构造)
图11是表示高频模块的主要构造的立体概念图。图11所示的高频模块101A的电感43L不用由安装型电路元件来实现，而是通过在叠层基板100内形成的电极图案来实现。滤波器部21的结构与图9、图10所示的高频模块101相同，省略其说明。
由螺旋形电极的电极图案构成的电感43L被形成在叠层基板100的内部。螺旋形电极通过在构成叠层体100的多个电介质层中形成的一部分被分断开的管状的线形电极和层间连接电极来实现。各电介质层的线形电极由层间连接电极在叠层方向上连接，并被连接成一根线形电极。通过这种结构，可以实现中心轴沿着叠层方向的螺旋形电极。构成电感43L的螺旋形电极的一端经由通孔导体431V与焊盘电极连接，该焊盘电极安装有成为滤波器部21的第一端子P21’的安装用电极294。焊盘电极被形成于叠层基板100的顶面100S。构成电感43L的螺旋形电极的另一端经由通孔导体432V与内部接地图案连接，该内部接地图案被形成于叠层基板100内的底面100R附近。
并且，俯视观察时，构成电感43L的螺旋形电极被形成为至少一部分与构成滤波器部21的连接导体304的电极图案相重合。
通过这种结构，如图11的粗虚线箭头所示那样，在叠层基板100内的由螺旋形电极构成的电感43L和滤波器基板200的第一主面上形成的由线形的电极图案构成的连接导体304之间可以产生电感性耦合。在此情况下，可以使构成电感43L的螺旋形电极与构成滤波器部21的连接导体304的电极图案之间的距离，以及该螺旋形电极与电极图案重叠的面积改变，从而调整电感43L和连接导体304的耦合度。基于此，与上述的第一构造一样，可以调整高频模块101A的衰减特性，并可以更精确地实现所需的衰减特性。
此外，由于本实施方式中电感43L不是安装型电路元件，所以在叠层基板100的顶面100S可以不设用于安装该安装型电路元件的区域。基于此，可以减小俯视观察叠层基板100时的面积，并可以减小高频模块101A的平面面积。
(第三构造)
图12是表示高频模块的主要构造的立体概念图。图12所示的高频模块101B以所谓CSP(Chip Sized Package：芯片尺寸封装)构造来实现。
高频模块101B包括滤波器基板200。滤波器基板200上形成有如上述实现滤波器部21的滤波电极和构成包括连接导体304的各连接导体的电极图案。
高频模块101B还包括滤波器安装用基板280。滤波器安装用基板280由例如氧化铝基板构成，其俯视观察时的面积比滤波器基板200大规定的量。
滤波器基板200利用突起导体281安装于滤波器安装用基板280，从而使其第一主面位于滤波器安装用基板280一侧。外部连接用突起导体282被形成在与滤波器安装用基板280的与滤波器基板200的安装面相反侧的面上。
除了高频模块101B(作为电路结构与高频模块101相同)的滤波器部21以外，滤波器安装用基板280上形成有电路图案和电感43L。
滤波器安装用基板280的安装了滤波器基板200的面上涂覆有模塑树脂283。基于此，可以防止构成滤波电极和连接导体的电极图案暴露于外部环境，可以改善SAW谐振器的谐振特性，并可以精确地实现作为滤波器所需的特性。
这里，俯视观察时，将滤波器安装用基板280上形成的构成电感43L的电极图案和滤波器基板200上形成的实现连接导体304的电极图案设置成至少有一部分重叠。基于此，如图12所示，可以在构成电感43L的电极图案和实现连接导体304的电极图案之间产生电感性耦合。特别是在本实施方式的结构中，可以缩短构成电感43L的电极图案和实现连接导体304的电极图案之间的间隔(距离)，因此容易实现更强的电感性耦合。
此外，由于高频模块101B整体为CSP构造，所以可以小型且薄型地实现高频模块101B。
再有，上述的各实现构造中，示出了利用电感作为匹配元件的示例，然而在匹配元件为电容时也能以同样的构造实现。例如，如果是第一构造，可以使用安装型的叠层电容元件。如果是第二构造，可以通过形成为使在叠层基板100内的不同的层互相对置的多个平板电极来实现电容器。此外，如果是第三构造，可以通过滤波器安装用基板280上形成的电极图案来实现电容器。
此外，如上所述，与匹配元件耦合的连接导体至少使一个SAW谐振器介于其间即可，但是介于其间的SAW谐振器越多，则可以对衰减特性产生越大的影响。例如，在第一构造(参照图9)中，如果滤波器基板200与安装型电路元件430之间的位置关系相同，则使介于其间的SAW谐振器越多的匹配元件和连接导体之间耦合，则可以对衰减特性产生越大的影响。
符号说明
11、12、13、14、101、101A、101B：高频模块；
20、21：滤波器部；
201-208：SAW谐振器；
301-305：连接导体；
41、42：(串联连接型的)匹配元件；
43、44：(并联连接型的)匹配元件；
41L、42L、43L、44L：电感；
41C、42C、43C、44C：电容；
401、402：连接线；
P1：第一外部连接端子；
P2：第二外部连接端子；
P21、P21’：第一端子；
P22：第二端子；
P31、P32：第三端子；
P23：第四端子；
P24：第五端子；
100：叠层基板；
100S：顶面；
100R：底面；
200：滤波器基板；
280：滤波器安装用基板；
281：突起导体；
282：外部连接用突起导体；
283：模塑树脂；
290：覆盖层；
291：侧面覆盖层；
292：密闭空间；
293：连接电极；
294：安装用电极；
430：安装型电路元件。

Claims (12)

1.一种高频模块，其特征在于，包括：
第一外部连接端子；
第二外部连接端子；
连接在所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子之间的滤波器部；以及
连接在所述第一外部连接端子或所述第二外部连接端子中的至少一个与所述滤波器部之间的匹配元件，
所述滤波器部包括：
连接于所述第一外部连接端子的第一端子；
连接于所述第二外部连接端子的第二端子；
串联连接在所述第一端子和所述第二端子之间的多个滤波器元件；以及
将多个所述滤波器元件的一端的滤波器元件与所述第一端子相连接的一端的连接部，将多个所述滤波器元件的另一端的滤波器元件与所述第二端子相连接的另一端的连接部，和将相邻的滤波器元件相连接的中间连接部，
所述连接部中的至少一个与所述匹配元件之间被电感性耦合或电容性耦合，
在所述第一外部连接端子与所述第二外部连接端子之间，形成通过所述滤波器部传送高频信号的主传送路径，并且还形成经由所述电感性耦合或电容性耦合的路径来调整振幅特性和相位特性的副传送路径。
2.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
互相电感性耦合或电容性耦合的所述连接部和所述匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得所述滤波器部的通带以外的阻抗改变。
3.如权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
互相电感性耦合或电容性耦合的所述连接部和所述匹配元件中，产生电感性耦合或电容性耦合从而使得所述滤波器部通带以外的衰减频率改变。
4.如权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件是串联连接在所述第一外部连接端子和所述第一端子之间、或者所述第二外部连接端子和所述第二端子之间的串联连接型匹配元件。
5.如权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件是连接在将所述第一外部连接端子和所述第一端子相互连接的连接线与接地之间、或者连接在将所述第二外部连接端子和所述第二端子相互连接的连接线与接地之间的并联连接型匹配元件。
6.如权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述连接部由线形导体图案构成。
7.如权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其特征在于，
包括第三端子和第二滤波器部，
所述第二滤波器部连接在将所述第一端子和连接于该第一端子的滤波器元件相互连接的连接线与所述第三端子之间。
8.如权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其特征在于，
包括：在第一主面上形成了构成所述滤波器部的IDT电极和所述连接部的平板状的滤波器基板；
与所述滤波器基板的所述第一主面隔开间隔地对置的平板状的覆盖层；
具有从所述第一主面突出且贯通所述覆盖层的形状的连接电极；以及
安装或形成了所述匹配元件的叠层基板，
所述滤波器基板被配置成使所述第一主面侧面朝向所述叠层基板的安装面，
所述滤波器基板经由所述连接电极连接到所述叠层基板。
9.如权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件是安装于所述叠层基板的安装面的安装型元件，
所述连接部被配置在所述滤波器基板的所述第一主面的第一边附近，
所述安装型元件被安装在所述滤波器基板的所述第一边附近。
10.如权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件包括：
长方体形状的壳体；以及
形成于所述壳体内、且俯视观察时由大致成矩形的外周形状构成的螺旋形导体，
所述匹配元件被配置成使所述壳体的长边与所述滤波器基板的所述第一边平行。
11.如权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件由在所述叠层基板的安装面或内部所形成的导体图案来构成，
俯视观察时，所述导体图案和所述连接部至少有一部分重叠。
12.如权利要求1至3中任一项所述的高频模块，其特征在于，
包括：在第一主面上形成了构成所述滤波器部的IDT电极和所述连接部的平板状的滤波器基板；以及
配置在所述滤波器基板的所述第一主面侧、且安装有所述滤波器基板的所述第一主面侧的平板状的滤波器安装用基板，
所述匹配元件被形成于所述滤波器安装用基板。
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