CN108432133B - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

高频模块(100)具备：SAW滤波器(100A)，包括压电基板(21)和在压电基板(21)上形成的电极图案(23)；模块基板(20)；树脂部件(29)，覆盖SAW滤波器(100A)；以及布线图案(282)，与电极图案(23)连接且形成于树脂部件(29)，电极图案(23)和布线图案(282)进行电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及具有弹性表面波滤波器的高频模块。
背景技术
以往，在配置于移动体通信设备的前端部的带通滤波器等广泛地使用了弹性表面波滤波器。另外，为了与多模/多频带等复合化对应，而实际使用具备多个弹性表面波滤波器的复用器。对该弹性表面波滤波器要求了使通带内的高频信号低损失地通过，且高衰减地切断通带外的高频信号的功能。
专利文献1公开了具备内置有具有电感功能的内部布线图案的层叠基板和在该层叠基板上配置的WLP型(Wafer Level Package：晶圆级封装)的弹性表面波滤波器的高频模块的结构。图6是专利文献1所记载的高频模块的剖面结构图。该图所记载的高频模块800具备层叠基板820和弹性表面波滤波器801。弹性表面波滤波器801具备滤波器基板810、覆盖层813以及连接电极812。在滤波器基板810的表面形成有构成滤波器部811的IDT(InterDigital Transducer：叉指换能器)电极，并配置为该表面面向层叠基板820的安装面。在弹性表面波滤波器801的覆盖层813内，电感814被图案形成，通过内部布线图案对层叠基板820形成电感822。在上述构成中，电感814和电感822进行电感耦合。由此，能够使弹性表面波滤波器801的通带外的衰减特性提高。
专利文献1:日本特开2015－33080号公报
然而，在专利文献1所记载的高频模块中，存在如下的问题：在实现包括弹性表面波滤波器内的电极布线以及IDT电极的电极图案与层叠基板的内部布线图案的电感耦合的情况下，弹性表面波滤波器的电极图案与层叠基板的距离较大，所以不能得到充分的电感耦合。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高的小型的高频模块。
为了实现上述目的，本发明的一个方式的高频模块具备：模块基板；弹性表面波滤波器，配置在上述模块基板的主面上，包括压电基板和在该压电基板上形成的电极图案；树脂部件，覆盖上述弹性表面波滤波器；以及布线图案，与上述电极图案连接且形成于上述树脂部件，上述电极图案和上述布线图案进行电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合。
由此，能够通过狭窄间隙使包括弹性表面波滤波器的IDT电极以及连接该IDT电极的布线电极图案的电极图案和形成于与弹性表面波滤波器接触的树脂部件的布线图案进行耦合。因此，与上述电极图案和模块基板的内部布线图案的耦合相比，能够省空间地确保较强的耦合。通过由该较强的耦合形成的通带外的信号传播路径，能够增大通带外的衰减量。因此，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高并且小型化。
另外，也可以在俯视上述主面的情况下，上述布线图案在上述树脂部件形成为与上述电极图案的一部分重叠。
由此，与基板内布线和弹性表面波滤波器的电极图案耦合的情况相比，能够通过更窄的间隙使弹性表面波滤波器的电极图案和在树脂部件形成的布线图案耦合。因此，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性更加提高，并且促进小型化。
另外，也可以在对上述模块基板进行剖视的情况下，上述布线图案与上述电极图案的距离小于上述主面与上述电极图案的距离。
由此，能够使上述电极图案与上述布线图案的耦合比该电极图案与在模块基板形成的布线图案的耦合更强。因此，与使模块基板的布线图案和上述电极图案耦合的结构相比，能够省空间地确保较强的耦合。
另外，上述布线图案可以是与上述弹性表面波滤波器的输入输出端子以及接地端子连接的分流型电感，上述布线图案和上述电极图案可以进行电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合。
特别是，在通过上述电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合形成的分流型电感流通的信号传播路径对于增大通带外的衰减量有效。因此，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高。
另外，上述电极图案和上述布线图案可以经由上述模块基板的第一内部布线图案以及贯通上述树脂部件的第一柱状导体连接，上述布线图案和上述接地端子经由贯通上述树脂部件的第二柱状导体以及上述模块基板的第二内部布线图案连接。
通过使用第一内部布线图案、第二内部布线图案、第一柱状导体以及第二柱状导体，能够将布线图案配置在树脂部件的任意的位置。换句话说，能够使电极图案与布线图案的配置关系最佳化。因此，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高并且小型化。
另外，也可以上述弹性表面波滤波器还包括：支承部件，在上述压电基板的表面上形成为包围上述电极图案；以及盖部件，形成在上述支承部件上，覆盖上述电极图案以便与上述支承部件和上述压电基板一起构成中空空间，在上述主面的垂直方向依次配置有上述模块基板、上述盖部件、上述压电基板以及上述布线图案。
根据上述构成，在具有WLP结构的弹性表面波滤波器的情况下，能够隔着压电基板使电极图案和布线图案对置。换句话说，能够使用于电极图案与布线图案的耦合的间隙最小地成为压电基板的厚度。因此，对于使促进小型化的WLP型的弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高有效。
另外，可以在上述盖部件的与上述模块基板对置的面或者与上述压电基板对置的面形成有被接地的屏蔽电极。
由此，在WLP型的弹性表面波滤波器的电极图案与在模块基板形成的内部布线图案之间配置有屏蔽电极，所以能够抑制弹性表面波滤波器与内部布线图案的不必要的相互干扰。另外，不需要在模块基板形成用于抑制相互干扰的屏蔽电极，所以能够使模块基板省面积化。因此，能够使高频模块小型化。
另外，可以在俯视上述模块基板的情况下，上述屏蔽电极形成为与上述电极图案的至少一部分重叠。
由此，能够更有效地抑制电极图案的一部分与在模块基板形成的内部布线图案的不必要的相互干扰。
另外，可以在俯视上述模块基板的情况下，上述屏蔽电极形成为与上述模块基板中的第三内部布线图案以及上述电极图案的重复区域重叠。
由此，在俯视时的电极图案与第三内部布线图案的重复区域插入有屏蔽电极，所以能够高精度地抑制电极图案与第三内部布线图案的不必要的相互干扰。
另外，也可以上述第三内部布线图案是与上述电极图案连接，且与上述弹性表面波滤波器的并联谐振器以及接地端子连接的电感，通过上述屏蔽电极，抑制了上述第三内部布线图案与上述电极图案的电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合。
与并联谐振器连接的第三内部布线图案通过与谐振器一起形成谐振电路，从而具有在通带外生成衰减极的功能。在具有该功能的状态下，若第三内部布线图案进一步与电极图案耦合，则存在阻碍上述衰减极的生成功能的情况。对于此，通过在电极图案与第三内部布线图案之间配置有屏蔽电极，能够抑制通带外的衰减特性的劣化。
发明效果
根据本发明的高频模块，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高并且小型化。
附图说明
图1是实施方式1的高频模块的电路构成图。
图2是实施方式1的高频模块的剖面结构图。
图3是实施方式1的高频模块的俯视透视图。
图4是实施方式2的高频模块的电路构成图。
图5是实施方式2的高频模块的剖面结构图。
图6是专利文献1所记载的高频模块的剖面结构图。
具体实施方式
以下，使用实施方式以及其附图对本发明的实施方式详细地进行说明。此外，以下说明的实施方式均示出全面的或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构件、构件的配置以及连接方式等是一个例子，并不意图限定本发明。以下的实施方式中的构件中独立技术方案中没有记载的构件被描述为任意的构件。另外，附图所示的构件的大小或者大小的比不一定严密。
(实施方式1)
[1.1高频模块的电路结构]
图1是实施方式1的高频模块100的电路结构图。该图所示的高频模块100由弹性表面波(Surface Acoustic Wave，以下记载为SAW)滤波器100A、与SAW滤波器100A连接的电感131L、132L、141L以及142L、输入端子101、以及输出端子102构成。
SAW滤波器100A构成阶梯型的带通滤波器，具备串联谐振器111s、112s和113s以及并联谐振器121p和122p。串联谐振器111s～113s在滤波器输入端子101A与滤波器输出端子102A之间相互串联连接。另外，并联谐振器121p以及122p在串联谐振器111s～113s的各连接点与滤波器基准端子103A以及104A之间相互并联连接。
电感131L连接在滤波器基准端子103A与接地端子之间，电感132L连接在滤波器基准端子104A与接地端子之间。电感131L以及132L分别通过构成SAW滤波器100A的电容分量和LC谐振电路，从而具有在SAW滤波器100A的通带外生成衰减极的功能。
电感141L连接在连接输入端子101和滤波器输入端子101A的布线与接地之间，电感142L连接在连接输出端子102和滤波器输出端子102A的布线与接地之间。电感141L具有取得与输入端子101连接的周边电路(例如天线电路)和SAW滤波器100A的阻抗匹配的功能，电感142L具有取得与输出端子102连接的电路(例如放大电路)和SAW滤波器100A的阻抗匹配的功能。
此外，SAW滤波器100A的结构可以不是阶梯型，是具有纵向耦合类型等谐振器的其他结构即可。另外，与SAW滤波器100A连接的电感以及电容器的连接方式也不限定于上述方式。
[1.2高频模块的结构]
图2是实施方式1的高频模块100的剖面结构图。如图2所示，高频模块100具备模块基板20、SAW滤波器100A、树脂部件29以及布线图案282。
SAW滤波器100A包括压电基板21和在压电基板21上形成的电极图案23。电极图案23包括具有梳形形状的IDT(InterDigital Transducer)电极22和连接IDT电极22的连接布线151。图1所示的各谐振器由IDT电极22以及压电基板21构成。
本实施方式的SAW滤波器100A具有WLP(Wafer Level Package)结构，由压电基板21、电极图案23、在压电基板21的表面上形成为包围电极图案23的支承部件24、在支承部件24上形成且覆盖电极图案23以便与支承部件24和压电基板21一起构成中空空间的盖部件25构成。通过该构成，在高频模块100中，在模块基板20的垂直方向(z轴向)上依次配置有模块基板20、盖部件25、压电基板21以及布线图案282。
模块基板20是层叠有多个层而成的多层基板，例如，举出了陶瓷多层基板以及PCB基板等。在模块基板20的表面形成有与作为SAW滤波器100A的滤波器输入端子101A发挥作用的块形接头261连接的表面电极271、与作为SAW滤波器100A的滤波器输出端子102A发挥作用的块形接头262连接的表面电极272以及与作为SAW滤波器100A的滤波器基准端子(未图示)发挥作用的块形接头263连接的表面电极273。另外，在模块基板20的背面形成有输入端子101以及输出端子102。输入端子101经由通孔导体201与表面电极271连接，输出端子102经由通孔导体202以及内部布线图案205与表面电极272连接。
树脂部件29覆盖配置在模块基板20上的SAW滤波器100A。作为树脂部件29的材料，例如，举出了热固性的环氧树脂等树脂。此外，环氧树脂也可以含有SiO2等无机填料。
布线图案282与电极图案23连接，形成在树脂部件29的表面。更具体而言，布线图案282经由柱状导体281、内部布线图案205(第一内部布线图案)、表面电极272以及块形接头262与电极图案23连接。柱状导体281是在模块基板20的垂直方向(z轴向)贯通了树脂部件29的第一柱状导体，例如，由Cu柱构成。并且，布线图案282经由柱状导体283以及模块基板20的通孔导体203(第二内部布线图案)与接地电极204连接。柱状导体283是在模块基板20的垂直方向(z轴向)贯通了树脂部件29的第二柱状导体，例如，由Cu柱构成。
这里，布线图案282具有电感分量，例如，构成图1的电感142L。换句话说，布线图案282是与SAW滤波器100A的输出端子102以及接地端子连接的分流型电感142L。
此外，布线图案282也可以不形成在树脂部件29的表面，也可以形成在树脂部件29的内部。换句话说，布线图案282与电极图案23连接，形成在树脂部件29即可。
另外，如图2所示，布线图案282与电极图案23的距离D1小于模块基板20与电极图案23的距离D2。
图3是实施方式1的高频模块100的俯视透视图。该图是从树脂部件29的顶面(z轴正方向)观察高频模块100的透视图。具体而言，在该图表示有布线图案282和透视树脂部件29以及压电基板21的电极图案23。
在SAW滤波器100A中，在压电基板21的表面(z轴负方向侧的主面)布局有图3所示这样的电极图案23。电极图案23包括串联谐振器111s、112s和113s以及相当于并联谐振器121p和122p的IDT电极22、连接串联谐振器111s和112s的连接布线151以及连接串联谐振器112s和113s的连接布线152。电极图案23的各构成元件通过高频电流流通而存在具有电感分量或者电容分量的情况。例如，IDT电极22主要具有电容分量，连接布线151以及152主要具有电感分量。
布线图案282在俯视模块基板20的情况下配置为与SAW滤波器100A重叠。更具体而言，布线图案282在树脂部件29形成为与电极图案23的一部分重叠。这里，布线图案282具有弯曲形状部(折回形状部)。该弯曲形状部通过高频电流流经布线图案282而作为电感发挥作用。在本实施方式中，上述弯曲形状部相当于图1中的电感142L。
在本实施方式中，布线图案282的弯曲形状部和电极图案23的连接布线151在从树脂部件29的顶面(z轴正方向)观察的情况下重叠。
根据上述构成，能够通过仅经由树脂部件29的窄间隙使布线图案282的弯曲形状部和连接布线151电感耦合(图1的C2)(电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合)。该情况下，作为高频信号传播的信号路径，除了从输入端子101经由各串联谐振器、连接布线151以及152向输出端子102传播的主信号路径以外，还新形成有从输入端子101向连接布线151、与连接布线151电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合的电感142L传播的副信号路径。这里，能够通过调整布线图案282的弯曲形状部与连接布线151的电感耦合C2(电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合)的耦合度，来调整通过主信号路径的通带外的信号分量与通过副信号路径的通带外的信号分量的振幅以及相位的关系。由此，能够抵消通带外的信号分量。
此外，作为调整上述电感耦合以及上述电容耦合的耦合度的方法，举出(1)变更布线图案282与连接布线151之间的树脂部件29的厚度、以及(2)改变对置的布线图案282以及连接布线151的面积以及长度。该情况下，布线图案282与连接布线151之间的树脂部件29的厚度越厚，耦合度越低。另外，对置的布线图案282以及连接布线151越长以及面积越大，耦合度越高。
由此，与使电极图案23和模块基板20的内部布线图案耦合的情况相比，能够省空间地确保较强的耦合。通过由该较强的耦合形成的通带外的信号传播路径，能够使SAW滤波器100A的通带外的衰减量提高。因此，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高并且小型化。
此外，作为使电感耦合以及电容耦合的至少一方产生的构成元件的组，除了布线图案282的弯曲形状部以及连接布线151的组以外，也可以是布线图案282的弯曲形状部以及连接布线152的组(图1的C1)。
另外，优选流经布线图案282的电流的方向与流经和布线图案282重叠的电极图案23的部分的电流的方向是相同的。
由此，能够加强由布线图案282生成的磁场与由电极图案23的部分生成的磁场的耦合。因此，能够使SAW滤波器100A的通带外的衰减特性进一步提高。
另外，布线图案282与电极图案23的耦合并不局限于电感耦合，也可以是电容耦合。由此，产生上述耦合的组例如也可以是布线图案282以及IDT电极22的组。并且，与布线图案282耦合的电极图案23的部分也可以是将IDT电极22和连接布线复合的部分。
此外，布线图案282并不局限于如上述那样具有弯曲形状部。作为具有电感分量的形状，也可以是螺旋形状以及直线形状等。另外，也可以是适当地具有电容分量的形状。
此外，在本实施方式中，例示出用于通过与一个SAW滤波器100A连接的输入输出端子间的构件彼此的耦合，来使SAW滤波器100A的通带外的衰减量提高的结构，但并不局限于此。本发明的高频模块也可以是双工器以及双滤波器所代表的具有多个SAW滤波器的结构。该情况下，例如，通过使一个SAW滤波器的电极图案与和另一个SAW滤波器连接的布线图案耦合，能够使多个滤波器间的隔离提高。
(实施方式2)
相对于实施方式1的高频模块具有使SAW滤波器的电极图案和布线图案积极地耦合的结构，实施方式2的高频模块具有实施方式1的结构以及排除SAW滤波器的电极图案与布线图案的耦合的结构。以下，对于本实施方式的高频模块，省略与实施方式1的高频模块相同的点的说明，以不同点为中心进行说明。
[2.1高频模块的电路结构]
图4是实施方式2的高频模块500的电路结构图。该图所示的高频模块500由SAW滤波器500A、与SAW滤波器500A连接的电感131L、132L、141L以及142L、输入端子101、以及输出端子102构成。
[2.2高频模块的结构]
图5是实施方式2的高频模块500的剖面结构图。图5所示，高频模块500具备模块基板50、SAW滤波器500A、树脂部件59以及布线图案582。
SAW滤波器500A包括压电基板51和在压电基板51上形成的电极图案53。电极图案53包括具有梳形形状的IDT电极52和连接IDT电极52的连接布线151。图4所示的各谐振器由IDT电极52以及压电基板51构成。
本实施方式的SAW滤波器500A具有WLP结构，由压电基板51、电极图案53、支承部件54以及盖部件551构成。在盖部件551的与压电基板51对置的面(背面)形成有被接地的屏蔽电极552。盖部件551和屏蔽电极552构成盖55。盖部件551例如由厚度是45μm的包括聚酰亚胺膜、或者环氧树脂、聚氨酯、苯酚、聚酯、BCB以及PBO的至少一个的材料构成。屏蔽电极552由铜、铝、银、或者金等导电性金属材料构成，例如通过蒸镀或者打印在盖部件551的表面或者背面形成。
通过上述构成，在高频模块500中，在模块基板50的垂直方向(z轴向)上依次配置有模块基板50、盖部件551、压电基板51以及布线图案582。
根据上述构成，在WLP型的SAW滤波器500A的电极图案53与在模块基板50形成的内部布线图案之间配置有屏蔽电极552，所以能够抑制SAW滤波器500A与该内部布线图案的不必要的相互干扰。另外，不需要在模块基板50形成用于抑制相互干扰的屏蔽电极552，所以能够将模块基板50省面积化。因此，能够使高频模块500小型化。
模块基板50是层叠有多个层而成的多层基板，例如，举出陶瓷多层基板以及PCB基板等。在模块基板50的表面形成有与作为SAW滤波器500A的滤波器基准端子104A发挥作用的块形接头561连接的表面电极571、与作为SAW滤波器500A的滤波器输出端子102A发挥作用的块形接头562连接的表面电极572以及与作为SAW滤波器500A的其他的滤波器基准端子(未图示)发挥作用的块形接头563连接的表面电极573。
表面电极571经由在模块基板50内形成的通孔导体501以及内部布线图案502与接地电极503连接。通孔导体501以及内部布线图案502是作为层叠型线圈发挥作用的第三内部布线图案，相当于图4中的电感132L。换句话说，第三内部布线图案与电极图案53连接，且是与SAW滤波器500A的并联谐振器122p以及接地端子连接的电感132L。
在模块基板50的背面形成有输入端子101(未图示)以及输出端子102。输出端子102经由通孔导体507以及内部布线图案506与表面电极572连接。
树脂部件59覆盖配置在模块基板50上的SAW滤波器500A。
布线图案582与电极图案53连接，形成于树脂部件59的表面。更具体而言，布线图案582经由柱状导体581、内部布线图案506(第一内部布线图案)、表面电极572以及块形接头562与电极图案53连接。并且，布线图案582经由柱状导体583以及模块基板50的通孔导体504(第二内部布线图案)与接地电极505连接。柱状导体581以及583例如由Cu柱构成。
这里，布线图案582具有电感分量，例如，构成图4的电感142L。换句话说，布线图案582是与SAW滤波器500A的输出端子102以及接地端子连接的分流型电感142L。
此外，布线图案582也可以不形成在树脂部件59的表面，可以形成在树脂部件59的内部。
另外，如图5所示，布线图案582与电极图案53的距离D1小于模块基板50与电极图案53的距离D2。
另外，布线图案582在俯视模块基板50的情况下，配置为与SAW滤波器500A重叠。更具体而言，布线图案582在树脂部件59形成为与电极图案53的一部分重叠。这里，布线图案582也可以具有弯曲形状部(折叠形状部)。该弯曲形状部通过高频电流流经布线图案582作为电感发挥作用。该弯曲形状部相当于图4中的电感142L。
在本实施方式中，布线图案582的弯曲形状部与电极图案53的连接布线151在从树脂部件59的顶面(z轴正方向)观察的情况下重叠。
根据上述构成，能够通过仅经由树脂部件59的窄间隙使布线图案582的弯曲形状部和连接布线151电感耦合(图4的C2)(电感耦合、电容耦合、或者、电感耦合和电容耦合)。
由此，与使电极图案53和模块基板50的内部布线图案耦合的情况相比，能够省空间地确保较强的耦合。通过由该较强的耦合形成的通带外的信号传播路径，能够使SAW滤波器500A的通带外的衰减量提高。因此，能够使弹性表面波滤波器的通带外的衰减特性提高并且小型化。
并且，在俯视模块基板50的情况下，屏蔽电极552形成为与电极图案53的一部分亦即连接布线151重叠。
通过第三内部布线图案(电感132L)构成SAW滤波器500A的电容分量和LC谐振电路，而在SAW滤波器500A的通带外生成衰减极。除此以外，若电感132L与连接布线151电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合，则存在造成在通带外的规定的频率区域生成的衰减极的衰减量变小、或者衰减极移位等负面影响的情况。
与此相对，在本实施方式的高频模块500中，在俯视模块基板50的情况下，形成为屏蔽电极552和连接布线151重叠，所以能够抑制连接布线151与第三内部布线图案(电感132L)的电感耦合(图4的C3)以及电容耦合的至少一方。因此，能够更有效地抑制电极图案53与模块基板50的内部布线图案的不必要的相互干扰，能够抑制SAW滤波器500A的特性劣化。
另外，在本实施方式中，在俯视模块基板50的情况下，形成为第三内部布线图案(电感132L)以及电极图案53的重复区域(电感132L与连接布线151的重复区域)与屏蔽电极552重叠。
由此，在上述俯视时的电极图案53与第三内部布线图案的重复区域插入有屏蔽电极552，所以能够高精度地抑制电极图案53与第三内部布线图案的不必要的相互干扰。
此外，作为使电感耦合以及电容耦合的至少一方产生的构件的组，除了布线图案582的弯曲形状部以及连接布线151的组以外，也可以是布线图案582的弯曲形状部以及连接布线152的组。
另外，作为抑制电感耦合以及电容耦合的至少一方的构件的组，除了电感132L以及连接布线151的组以外，也可以是电感131L以及连接布线152的组。
另外，优选流经布线图案582的电流的方向与流经和布线图案582重叠的电极图案53的部分的电流的方向是相同的。由此，能够加强由布线图案582生成的磁场与由电极图案53的部分生成的磁场的耦合。因此，能够进一步提高SAW滤波器500A的通带外的衰减特性。
另外，布线图案582与电极图案53的耦合并不局限于电感耦合，也可以是电容耦合。由此，产生上述耦合的组例如也可以是布线图案582以及IDT电极52的组。
另外，在第三内部布线图案与电极图案53之间抑制的耦合并不局限于电感耦合，也可以是电容耦合。由此，抑制了上述耦合的组例如也可以是第三内部布线图案以及IDT电极52的组。
此外，屏蔽电极552既可以形成于盖部件551的与压电基板51对置的整个面(背面)，或者，也可以形成于该背面的一部分。另外，屏蔽电极552既可以形成于盖部件551的与模块基板50对置的整个面(表面)，或者，也可以形成于该表面的一部分。
(其他的实施方式等)
以上，举出实施方式1以及2对本发明的实施方式的高频模块进行了说明，但本发明的高频模块并不局限于上述实施方式。组合上述实施方式中的任意的构件而实现的其它的实施方式、对于上述实施方式在不脱离本发明的主旨的范围内实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本公开的高频模块的各种设备也包含于本发明。
另外，在上述实施方式的高频模块中，也可以在连接附图所公开的各电路元件以及信号路径的路径之间插入有其它的高频电路元件以及布线等。
工业上的可利用性
本发明作为配置在与多频带/多模对应的前端部的高频模块，能够广泛地利用于移动电话等通信设备。
附图标记说明
20、50...模块基板；21、51...压电基板；22、52...IDT电极；23、53...电极图案；24、54...支承部件；25、551...盖部件；29、59...树脂部件；55...盖；100、500、800...高频模块；100A、500A、801...弹性表面波(SAW)滤波器；101...输入端子；101A...滤波器输入端子；102...输出端子；102A...滤波器输出端子；103A、104A...滤波器基准端子；111s、112s、113s...串联谐振器；121p、122p...并联谐振器；131L、132L、141L、142L、814、822...电感；151、152...连接布线；201、202、203、501、504、507...通孔导体；204、503、505...接地电极；205、502、506...内部布线图案；261、262、263、561、562、563...块形接头；271、272、273、571、572、573...表面电极；281、283、581、583...柱状导体；282、582...布线图案；552...屏蔽电极；810...滤波器基板；811...滤波器部；812...连接电极；813...覆盖层；820...层叠基板。

Claims (10)

1.一种高频模块，具备：
模块基板；
弹性表面波滤波器，配置在上述模块基板的主面上，包括压电基板和在该压电基板上形成的电极图案；
树脂部件，覆盖上述弹性表面波滤波器；以及
布线图案，与上述电极图案连接且形成于上述树脂部件，
上述电极图案与上述布线图案进行电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合，
上述布线图案在上述模块基板的厚度方向上配置于与上述模块基板相对于上述电极图案的相反侧。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
在俯视上述主面的情况下，上述布线图案在上述树脂部件上形成为与上述电极图案的一部分重叠。
3.根据权利要求1或者2所述的高频模块，其中，
在对上述模块基板进行剖视的情况下，上述布线图案与上述电极图案的距离小于上述主面与上述电极图案的距离。
4.根据权利要求1或者2所述的高频模块，其中，
上述布线图案是与上述弹性表面波滤波器的输入输出端子以及接地端子连接的分流型电感，
上述布线图案与上述电极图案进行电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
上述电极图案与上述布线图案经由贯通上述模块基板的第一内部布线图案以及上述树脂部件的第一柱状导体连接，
上述布线图案与上述接地端子经由贯通上述树脂部件的第二柱状导体以及上述模块基板的第二内部布线图案连接。
6.根据权利要求1或者2所述的高频模块，其中，
上述弹性表面波滤波器还包括：支承部件，在上述压电基板的表面上形成为包围上述电极图案；以及盖部件，形成在上述支承部件上，且覆盖上述电极图案以便与上述支承部件以及上述压电基板一起构成中空空间，
在上述主面的垂直方向上依次配置有上述模块基板、上述盖部件、上述压电基板以及上述布线图案。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
在上述盖部件的与上述模块基板对置的面或者与上述压电基板对置的面形成有接地的屏蔽电极。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
在俯视上述模块基板的情况下，上述屏蔽电极形成为与上述电极图案的至少一部分重叠。
9.根据权利要求7或者8所述的高频模块，其中，
在俯视上述模块基板的情况下，上述屏蔽电极形成为与上述模块基板的第三内部布线图案以及上述电极图案的重复区域重叠。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
上述第三内部布线图案是与上述电极图案连接，并与上述弹性表面波滤波器的并联谐振器以及接地端子连接的电感，
通过上述屏蔽电极，抑制了上述第三内部布线图案与上述电极图案的电感耦合、电容耦合、或者电感耦合和电容耦合。
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