JP2003198325A - 分波器、通信装置 - Google Patents
分波器、通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 送信用弾性表面波フィルタまたは受信用弾性
表面波フィルタの帯域内特性を劣化させることなく、送
信側スプリアス特性を改善できる分波器を提供する。 【解決手段】 多層構造セラミック基板１上に受信用弾
性表面波フィルタ２及び送信用弾性表面波フィルタ３を
固定する。受信用弾性表面波フィルタ２に接続された少
なくとも１つの整合素子８を多層構造セラミック基板１
内部に形成する。送信用弾性表面波フィルタ３に接続さ
れたローパスフィルタ９を、多層構造セラミック基板１
内部に形成する。多層構造セラミック基板１内部で、ロ
ーパスフィルタ９のグランドを他の回路素子のグランド
と分離する。
表面波フィルタの帯域内特性を劣化させることなく、送
信側スプリアス特性を改善できる分波器を提供する。 【解決手段】 多層構造セラミック基板１上に受信用弾
性表面波フィルタ２及び送信用弾性表面波フィルタ３を
固定する。受信用弾性表面波フィルタ２に接続された少
なくとも１つの整合素子８を多層構造セラミック基板１
内部に形成する。送信用弾性表面波フィルタ３に接続さ
れたローパスフィルタ９を、多層構造セラミック基板１
内部に形成する。多層構造セラミック基板１内部で、ロ
ーパスフィルタ９のグランドを他の回路素子のグランド
と分離する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波フィル
タをパッケージである多層構造セラミック基板に収納し
た分波器、及びそれを有する通信装置に関するものであ
る。
タをパッケージである多層構造セラミック基板に収納し
た分波器、及びそれを有する通信装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】分波器は、携帯電話等においてアンテナ
と送信パワーアンプとの間に接続される電子部品であ
る。分波器としては、通過帯域が高くなるほど小型化を
図れるので、弾性表面波フィルタを用いたものが知られ
ている。分波器では、パワーアンプで発生した不要信号
である２倍・３倍の高調波信号を除去する能力、すなわ
ち送信側スプリアス特性が必要とされ、この要求は次第
に厳しくなってきている。
と送信パワーアンプとの間に接続される電子部品であ
る。分波器としては、通過帯域が高くなるほど小型化を
図れるので、弾性表面波フィルタを用いたものが知られ
ている。分波器では、パワーアンプで発生した不要信号
である２倍・３倍の高調波信号を除去する能力、すなわ
ち送信側スプリアス特性が必要とされ、この要求は次第
に厳しくなってきている。
【０００３】このような状況の中、分波器に用いる送信
用弾性表面波フィルタにＬＣ素子からなるフィルタを接
続することで、スプリアス特性を改善できるといった発
明が報告されている。その例として、特開平６−９０１
２８号公報（特許文献１．）に記載のデュプレクサや、
特開平９−９８０４６号公報（特許文献２．）に記載の
分波器が挙げられる。
用弾性表面波フィルタにＬＣ素子からなるフィルタを接
続することで、スプリアス特性を改善できるといった発
明が報告されている。その例として、特開平６−９０１
２８号公報（特許文献１．）に記載のデュプレクサや、
特開平９−９８０４６号公報（特許文献２．）に記載の
分波器が挙げられる。
【０００４】一方、トランジスタ技術１９８７年６月号
（ＣＱ出版社、非特許文献１．）に述べられているよう
に、高周波アナログ回路を実現する場合は、ベタアース
と呼ばれる面積が大きく電位の安定したグランド層を回
路中に設け、すべての回路素子のグランドをベタアース
に接続するという方法が一般的に用いられている。
（ＣＱ出版社、非特許文献１．）に述べられているよう
に、高周波アナログ回路を実現する場合は、ベタアース
と呼ばれる面積が大きく電位の安定したグランド層を回
路中に設け、すべての回路素子のグランドをベタアース
に接続するという方法が一般的に用いられている。
【０００５】分波器の場合も例外ではなく、弾性表面波
フィルタ、整合素子、ＬＣ素子からなるフィルタの各グ
ランドを多層構造セラミック基板内部に設けられたグラ
ンド層へ接続することが一般的に行われている。
フィルタ、整合素子、ＬＣ素子からなるフィルタの各グ
ランドを多層構造セラミック基板内部に設けられたグラ
ンド層へ接続することが一般的に行われている。
【０００６】
【特許文献１．】特開平６−９０１２８号公報（公開日
平成６年３月２９日）
平成６年３月２９日）
【０００７】
【特許文献２．】特開平９−９８０４６号公報（公開日
平成９年４月８日）
平成９年４月８日）
【０００８】
【非特許文献１．】トランジスタ技術１９８７年６月号
（公開 昭和６２年）
（公開 昭和６２年）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来、送信側スプリア
ス特性を改善する場合、弾性表面波フィルタ、整合素
子、及びＬＣ素子からなるフィルタの特性を調整する事
で最適な設計条件を求めていた。
ス特性を改善する場合、弾性表面波フィルタ、整合素
子、及びＬＣ素子からなるフィルタの特性を調整する事
で最適な設計条件を求めていた。
【００１０】しかし、更なる改善が必要となった場合は
送信用弾性表面波フィルタまたは受信用弾性表面波フィ
ルタの通過帯域内特性を犠牲にする等の方策を取らざる
を得ないというのが実状であり、送信側スプリアス特性
の改善には限界があったという問題を生じている。
送信用弾性表面波フィルタまたは受信用弾性表面波フィ
ルタの通過帯域内特性を犠牲にする等の方策を取らざる
を得ないというのが実状であり、送信側スプリアス特性
の改善には限界があったという問題を生じている。
【００１１】スプリアス特性を改善するためには、次に
２つの方法が考えられた。第一の方法は、送信用弾性表
面波フィルタの容量比（直列ＩＤＴ容量と並列ＩＤＴ容
量の比）を大きくしてスプリアス特性を改善する方法で
あるが、この方法では、当然ながら送信用弾性表面波フ
ィルタの通過帯域特性も影響を受けることになる。通過
帯域でのマッチングを取るために容量比はある範囲内に
て設計する必要があり、容量比を大きくすると通過帯域
が容量性に落ち込みＶＳＷＲ・ロスが悪化する。第二の
方法は、ローパスフィルタの並列容量を大きくして２
ｆ、３ｆでの減衰量を稼ぐ方法であるが、この方法で
は、送信用弾性表面波フィルタの通過帯域におけるロー
パスフィルタの利得を悪化させてしまい、結果的に送信
用弾性表面波フィルタのロスが劣化する。
２つの方法が考えられた。第一の方法は、送信用弾性表
面波フィルタの容量比（直列ＩＤＴ容量と並列ＩＤＴ容
量の比）を大きくしてスプリアス特性を改善する方法で
あるが、この方法では、当然ながら送信用弾性表面波フ
ィルタの通過帯域特性も影響を受けることになる。通過
帯域でのマッチングを取るために容量比はある範囲内に
て設計する必要があり、容量比を大きくすると通過帯域
が容量性に落ち込みＶＳＷＲ・ロスが悪化する。第二の
方法は、ローパスフィルタの並列容量を大きくして２
ｆ、３ｆでの減衰量を稼ぐ方法であるが、この方法で
は、送信用弾性表面波フィルタの通過帯域におけるロー
パスフィルタの利得を悪化させてしまい、結果的に送信
用弾性表面波フィルタのロスが劣化する。
【００１２】本発明は、送信側スプリアス特性を改善で
きる分波器、及びそれを用いた通信装置を提供すること
である。
きる分波器、及びそれを用いた通信装置を提供すること
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の分波器は、以上
の課題を解決するために、受信用弾性表面波フィルタ
と、送信用弾性表面波フィルタと、受信用弾性表面波フ
ィルタに接続された少なくとも一つの整合素子と、送信
用弾性表面波フィルタに接続された、インダクタンス要
素及びキャパシタンス要素の少なくとも一方を備えるフ
ィルタとを有する分波器であって、上記フィルタのグラ
ンドが他の回路素子のグランドとは別体に分離して設け
られていることを特徴としている。
の課題を解決するために、受信用弾性表面波フィルタ
と、送信用弾性表面波フィルタと、受信用弾性表面波フ
ィルタに接続された少なくとも一つの整合素子と、送信
用弾性表面波フィルタに接続された、インダクタンス要
素及びキャパシタンス要素の少なくとも一方を備えるフ
ィルタとを有する分波器であって、上記フィルタのグラ
ンドが他の回路素子のグランドとは別体に分離して設け
られていることを特徴としている。
【００１４】上記構成によれば、受信用弾性表面波フィ
ルタと、送信用弾性表面波フィルタと、受信用弾性表面
波フィルタに接続された少なくとも一つの整合素子とを
有することで、分波機能を発揮できる。
ルタと、送信用弾性表面波フィルタと、受信用弾性表面
波フィルタに接続された少なくとも一つの整合素子とを
有することで、分波機能を発揮できる。
【００１５】また、上記構成では、送信用弾性表面波フ
ィルタに接続された上記フィルタを有することによっ
て、送信側スプリアス特性を改善でき、さらに、上記フ
ィルタのグランドを他の回路素子のグランドと完全に分
離し、上記フィルタのグランド専用の外部端子を設ける
ことにより、送信側スプリアス特性をより一層改善でき
る。
ィルタに接続された上記フィルタを有することによっ
て、送信側スプリアス特性を改善でき、さらに、上記フ
ィルタのグランドを他の回路素子のグランドと完全に分
離し、上記フィルタのグランド専用の外部端子を設ける
ことにより、送信側スプリアス特性をより一層改善でき
る。
【００１６】この結果、上記構成では、受信側および送
信側の帯域特性に影響を与えず、送信側のスプリアス特
性を改善した分波器を提供できる。
信側の帯域特性に影響を与えず、送信側のスプリアス特
性を改善した分波器を提供できる。
【００１７】上記分波器においては、前記フィルタは、
直列に接続されたインダクタンス要素を挟むようにグラ
ンドと接続されたキャパシタンス要素からなるπ型回路
であり、該直列に接続されたインダクタンス要素に対し
て並列に、他のキャパシタンス要素が接続されているロ
ーパスフィルタであることが好ましい。
直列に接続されたインダクタンス要素を挟むようにグラ
ンドと接続されたキャパシタンス要素からなるπ型回路
であり、該直列に接続されたインダクタンス要素に対し
て並列に、他のキャパシタンス要素が接続されているロ
ーパスフィルタであることが好ましい。
【００１８】上記分波器では、前記フィルタは、互いに
直列に接続された２つのインダクタンス要素の間に対し
て、互いに直列に接続されたキャパシタンス要素と他の
インダクタンス要素とが並列に接続されているローパス
フィルタであってもよい。
直列に接続された２つのインダクタンス要素の間に対し
て、互いに直列に接続されたキャパシタンス要素と他の
インダクタンス要素とが並列に接続されているローパス
フィルタであってもよい。
【００１９】上記構成では、前記フィルタを、直列に接
続されたインダクタンス要素を挟むようにグランドと接
続されたキャパシタンス要素からなるπ型回路であり、
該直列に接続されたインダクタンス要素に対して並列
に、他のキャパシタンス要素が接続されているローパス
フィルタ、または、互いに直列に接続された２つのイン
ダクタンス要素の間に対して、互いに直列に接続された
キャパシタンス要素と他のインダクタンス要素とが並列
に接続されているローパスフィルタとすることで、ロー
パスフィルタ特性にリップを形成でき、そのリップを送
信用弾性表面波フィルタの通過帯域に略一致させること
により、上記フィルタが送信用弾性表面波フィルタの通
過帯域の特性を損なうことを抑制できる。
続されたインダクタンス要素を挟むようにグランドと接
続されたキャパシタンス要素からなるπ型回路であり、
該直列に接続されたインダクタンス要素に対して並列
に、他のキャパシタンス要素が接続されているローパス
フィルタ、または、互いに直列に接続された２つのイン
ダクタンス要素の間に対して、互いに直列に接続された
キャパシタンス要素と他のインダクタンス要素とが並列
に接続されているローパスフィルタとすることで、ロー
パスフィルタ特性にリップを形成でき、そのリップを送
信用弾性表面波フィルタの通過帯域に略一致させること
により、上記フィルタが送信用弾性表面波フィルタの通
過帯域の特性を損なうことを抑制できる。
【００２０】上記分波器においては、前記受信用弾性表
面波フィルタ及び送信用弾性表面波フィルタがセラミッ
ク基板上に載置されていることが望ましい。上記構成で
は、セラミック基板上に受信用弾性表面波フィルタ及び
送信用弾性表面波フィルタを載置しているので、堅牢性
に優れ、取り扱いが容易となる。
面波フィルタ及び送信用弾性表面波フィルタがセラミッ
ク基板上に載置されていることが望ましい。上記構成で
は、セラミック基板上に受信用弾性表面波フィルタ及び
送信用弾性表面波フィルタを載置しているので、堅牢性
に優れ、取り扱いが容易となる。
【００２１】上記分波器では、前記セラミック基板が多
層構造であることが好ましい。上記構成によれば、セラ
ミック基板を多層構造としたことで、整合素子や上記フ
ィルタを多層構造内に形成できて、小型化を図ることが
可能となる。
層構造であることが好ましい。上記構成によれば、セラ
ミック基板を多層構造としたことで、整合素子や上記フ
ィルタを多層構造内に形成できて、小型化を図ることが
可能となる。
【００２２】上記分波器においては、前記多層構造であ
るセラミック基板の内部に前記フィルタが形成されてい
ることが望ましい。上記構成によれば、セラミック基板
の内部に上記フィルタを形成したので、上記フィルタを
外付けした場合と比べて、製造が容易となり、かつ、送
信用弾性表面波フィルタとフィルタとを互いに近接させ
ることができて、送信側のスプリアス特性の改善に寄与
できる。
るセラミック基板の内部に前記フィルタが形成されてい
ることが望ましい。上記構成によれば、セラミック基板
の内部に上記フィルタを形成したので、上記フィルタを
外付けした場合と比べて、製造が容易となり、かつ、送
信用弾性表面波フィルタとフィルタとを互いに近接させ
ることができて、送信側のスプリアス特性の改善に寄与
できる。
【００２３】上記分波器では、前記受信用弾性表面波フ
ィルタのグランドと、送信用弾性表面波フィルタのグラ
ンドとが互いに分離されていることことが好ましい。
ィルタのグランドと、送信用弾性表面波フィルタのグラ
ンドとが互いに分離されていることことが好ましい。
【００２４】本発明の通信機器は、上記の何れかに記載
の分波器を搭載したことを特徴としている。上記構成に
よれば、送信側のスプリアス特性が改善された分波器を
有するので、通信特性を改善できる。
の分波器を搭載したことを特徴としている。上記構成に
よれば、送信側のスプリアス特性が改善された分波器を
有するので、通信特性を改善できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の分波器における実施の各
形態について図１ないし図２０に基づいて説明すれば、
以下の通りである。
形態について図１ないし図２０に基づいて説明すれば、
以下の通りである。
【００２６】本発明の分波器における実施の第一形態で
は、図１及び図２に示すように、多層構造セラミック基
板１の表面上に、受信用弾性表面波フィルタ（以下、Ｒ
ｘＳＡＷフィルタという）２、及び送信用弾性表面波フ
ィルタ（以下、ＴｘＳＡＷフィルタという）３がフェー
スダウンボンディング等の方法で固定され、半田または
金バンプ５等で電気的に多層構造セラミック基板１に対
し接続されている。
は、図１及び図２に示すように、多層構造セラミック基
板１の表面上に、受信用弾性表面波フィルタ（以下、Ｒ
ｘＳＡＷフィルタという）２、及び送信用弾性表面波フ
ィルタ（以下、ＴｘＳＡＷフィルタという）３がフェー
スダウンボンディング等の方法で固定され、半田または
金バンプ５等で電気的に多層構造セラミック基板１に対
し接続されている。
【００２７】上記分波器においては、ＲｘＳＡＷフィル
タ２、及びＴｘＳＡＷフィルタ３を、全面的に覆って気
密封止する、樹脂または金属などからなる封止部材４が
設けられ、また、各ＳＡＷフィルタ２、３により、分波
機能を有する分波部が形成されている。
タ２、及びＴｘＳＡＷフィルタ３を、全面的に覆って気
密封止する、樹脂または金属などからなる封止部材４が
設けられ、また、各ＳＡＷフィルタ２、３により、分波
機能を有する分波部が形成されている。
【００２８】ＳＡＷフィルタ２、３は、図示しないが、
圧電体基板上に、一つまたは複数のくし型電極部（イン
ターデジタルトランスデューサ、以下、ＩＤＴと略記す
る）と、ＩＤＴを左右（弾性表面波（以下、ＳＡＷと略
記する）の伝搬方向）から挟む２つの反射器とを、例え
ばＳＡＷの伝搬方向に沿って有するものである。
圧電体基板上に、一つまたは複数のくし型電極部（イン
ターデジタルトランスデューサ、以下、ＩＤＴと略記す
る）と、ＩＤＴを左右（弾性表面波（以下、ＳＡＷと略
記する）の伝搬方向）から挟む２つの反射器とを、例え
ばＳＡＷの伝搬方向に沿って有するものである。
【００２９】上記ＩＤＴは、アルミニウム等の金属薄膜
により形成されており、入力した電気信号（交流）をＳ
ＡＷ（弾性エネルギー）に変換して圧電体基板上に伝搬
させ、伝搬したＳＡＷを電気信号に変換して出力するＳ
ＡＷ変換部として機能するものである。上記反射器は、
伝搬してきたＳＡＷを来た方向に反射する機能を有する
ものである。
により形成されており、入力した電気信号（交流）をＳ
ＡＷ（弾性エネルギー）に変換して圧電体基板上に伝搬
させ、伝搬したＳＡＷを電気信号に変換して出力するＳ
ＡＷ変換部として機能するものである。上記反射器は、
伝搬してきたＳＡＷを来た方向に反射する機能を有する
ものである。
【００３０】このようなＩＤＴでは、各すだれ状電極指
の長さや幅、隣り合う各すだれ状電極指の間隔、互いの
すだれ状電極指間での入り組んだ状態の対面長さを示す
交叉幅を、それぞれ設定することにより信号変換特性
や、通過帯域の設定が可能となっている。また、反射器
においては、各反射器電極指の幅や間隔を調整すること
により反射特性の設定が可能となっている。
の長さや幅、隣り合う各すだれ状電極指の間隔、互いの
すだれ状電極指間での入り組んだ状態の対面長さを示す
交叉幅を、それぞれ設定することにより信号変換特性
や、通過帯域の設定が可能となっている。また、反射器
においては、各反射器電極指の幅や間隔を調整すること
により反射特性の設定が可能となっている。
【００３１】上記多層構造セラミック基板１では、Ｒｘ
ＳＡＷフィルタ２、及びＴｘＳＡＷフィルタ３の載置面
に対して反対面の周辺部に沿って、アンテナ端子１１、
受信用のＲｘ端子１２及び送信用のＴｘ端子１３がそれ
ぞれ設けられている。
ＳＡＷフィルタ２、及びＴｘＳＡＷフィルタ３の載置面
に対して反対面の周辺部に沿って、アンテナ端子１１、
受信用のＲｘ端子１２及び送信用のＴｘ端子１３がそれ
ぞれ設けられている。
【００３２】さらに、上記多層構造セラミック基板１に
は、Ｒｘ用外部グランド端子７−１に接続された内部グ
ランド層６−１と、Ｔｘ用外部グランド端子７−２に接
続された内部グランド層６−２とがそれぞれ別体にて内
蔵されている。Ｒｘ用外部グランド端子７−１と、Ｔｘ
用外部グランド端子７−２とは、多層構造セラミック基
板１が実装されるプリント板等の上、つまり多層構造セ
ラミック基板１と異なる位置で、ＡＮＴ用の外部グラン
ド端子７−３と接続されている。
は、Ｒｘ用外部グランド端子７−１に接続された内部グ
ランド層６−１と、Ｔｘ用外部グランド端子７−２に接
続された内部グランド層６−２とがそれぞれ別体にて内
蔵されている。Ｒｘ用外部グランド端子７−１と、Ｔｘ
用外部グランド端子７−２とは、多層構造セラミック基
板１が実装されるプリント板等の上、つまり多層構造セ
ラミック基板１と異なる位置で、ＡＮＴ用の外部グラン
ド端子７−３と接続されている。
【００３３】また、分波器には、アンテナ端子１１と、
ＲｘＳＡＷフィルタ２との間に、インピーダンス整合の
ための整合素子８が、多層構造セラミック基板１に内蔵
されて設けられている。上記整合素子８は、後述するよ
うに、例えばインダクタンス要素であるマイクロストリ
ップ線路にて構成されている。
ＲｘＳＡＷフィルタ２との間に、インピーダンス整合の
ための整合素子８が、多層構造セラミック基板１に内蔵
されて設けられている。上記整合素子８は、後述するよ
うに、例えばインダクタンス要素であるマイクロストリ
ップ線路にて構成されている。
【００３４】さらに、分波器においては、ＴｘＳＡＷフ
ィルタ３と、Ｔｘ端子１３との間に、ＴｘＳＡＷフィル
タ３の通過帯域を超える周波数の信号を低減するため
の、ＬＣ素子からなるローパスフィルタ９が、多層構造
セラミック基板１に内蔵されて設けられている。
ィルタ３と、Ｔｘ端子１３との間に、ＴｘＳＡＷフィル
タ３の通過帯域を超える周波数の信号を低減するため
の、ＬＣ素子からなるローパスフィルタ９が、多層構造
セラミック基板１に内蔵されて設けられている。
【００３５】上記ローパスフィルタ９は、ローパスフィ
ルタ特性にリップを形成し、そのリップがＴｘＳＡＷフ
ィルタ３の通過帯域に一致するように設定されているこ
とが望ましい。これにより、上記ローパスフィルタ９を
設けても、ＴｘＳＡＷフィルタ３の通過帯域の特性劣化
を回避できる。
ルタ特性にリップを形成し、そのリップがＴｘＳＡＷフ
ィルタ３の通過帯域に一致するように設定されているこ
とが望ましい。これにより、上記ローパスフィルタ９を
設けても、ＴｘＳＡＷフィルタ３の通過帯域の特性劣化
を回避できる。
【００３６】上記ローパスフィルタ９としては、図８
（ａ）に示すように、直列に接続されたインダクタンス
要素Ｌ1、Ｌ2を挟むようにグランドと接続された各キャ
パシタンス要素９ｂ、９ｃからなるπ型回路であり、該
直列に接続されたインダクタンス要素Ｌ1、Ｌ2に対して
並列に、他のキャパシタンス要素９ａが接続されている
ローパスフィルタが挙げられる。上記π型回路は、上記
のような３次に限定されず、５次、７次であってもよ
い。
（ａ）に示すように、直列に接続されたインダクタンス
要素Ｌ1、Ｌ2を挟むようにグランドと接続された各キャ
パシタンス要素９ｂ、９ｃからなるπ型回路であり、該
直列に接続されたインダクタンス要素Ｌ1、Ｌ2に対して
並列に、他のキャパシタンス要素９ａが接続されている
ローパスフィルタが挙げられる。上記π型回路は、上記
のような３次に限定されず、５次、７次であってもよ
い。
【００３７】前記ローパスフィルタ９は、上記に限定さ
れるものではなく、例えば図８（ｂ）に示すように、互
いに直列に接続された２つの各インダクタンス要素９
ｄ、９ｅの間に対して、互いに直列に接続されたキャパ
シタンス要素９ｆと他のインダクタンス要素９ｇとが、
並列に接続されているＴ型回路のローパスフィルタであ
ってもよい。
れるものではなく、例えば図８（ｂ）に示すように、互
いに直列に接続された２つの各インダクタンス要素９
ｄ、９ｅの間に対して、互いに直列に接続されたキャパ
シタンス要素９ｆと他のインダクタンス要素９ｇとが、
並列に接続されているＴ型回路のローパスフィルタであ
ってもよい。
【００３８】そして、本発明の分波器では、ローパスフ
ィルタ９のグランドを、ＲｘＳＡＷフィルタ２、ＴｘＳ
ＡＷフィルタ３及び整合素子８などの他の回路素子にお
ける各内部グランド層６−１、６−２と多層構造セラミ
ック基板１内部で分離し、ローパスフィルタ９のグラン
ドは多層構造セラミック基板１底部に、各外部グランド
端子７−１、７−２と別体に設けられたローパスフィル
タ専用の外部グランド端子１０に接続されている。
ィルタ９のグランドを、ＲｘＳＡＷフィルタ２、ＴｘＳ
ＡＷフィルタ３及び整合素子８などの他の回路素子にお
ける各内部グランド層６−１、６−２と多層構造セラミ
ック基板１内部で分離し、ローパスフィルタ９のグラン
ドは多層構造セラミック基板１底部に、各外部グランド
端子７−１、７−２と別体に設けられたローパスフィル
タ専用の外部グランド端子１０に接続されている。
【００３９】なお、図１では便宜上、送信用と受信用の
弾性表面波フィルタを個別に用いた例を示したが、受信
用と送信用との各弾性表面波フィルタが１チップ化され
た場合にも適用できる。
弾性表面波フィルタを個別に用いた例を示したが、受信
用と送信用との各弾性表面波フィルタが１チップ化され
た場合にも適用できる。
【００４０】図２に本発明の分波器のグランド電極接続
方法を、また図３に従来一般的に行なわれてきたグラン
ド電極の接続方法を示す。従来例の図３に示す分波器で
は、各弾性表面波フィルタ２２、２３、整合素子２８、
ローパスフィルタ２９の各グランドを多層構造セラミッ
ク基板２１内部に設けられたグランド層２６へ接続し、
さらに、このグランド層２６を多層構造セラミック基板
２１底部に設けられた外部グランド端子２７へ接続して
いた。
方法を、また図３に従来一般的に行なわれてきたグラン
ド電極の接続方法を示す。従来例の図３に示す分波器で
は、各弾性表面波フィルタ２２、２３、整合素子２８、
ローパスフィルタ２９の各グランドを多層構造セラミッ
ク基板２１内部に設けられたグランド層２６へ接続し、
さらに、このグランド層２６を多層構造セラミック基板
２１底部に設けられた外部グランド端子２７へ接続して
いた。
【００４１】本発明では、図２に示すように、ローパス
フィルタ９のグランドと他の回路素子のグランドとをパ
ッケージである多層構造セラミック基板１内部で分離す
ることにより、上記両グランド間における電気的な相互
干渉を減少させることができ、送信側スプリアス特性を
従来と比べて改善できる。
フィルタ９のグランドと他の回路素子のグランドとをパ
ッケージである多層構造セラミック基板１内部で分離す
ることにより、上記両グランド間における電気的な相互
干渉を減少させることができ、送信側スプリアス特性を
従来と比べて改善できる。
【００４２】図４は、本発明の分波器と従来例の分波器
とにおける、分波器帯域内の挿入損失（送信帯８２４Ｍ
Ｈｚ〜８４９ＭＨｚ、受信帯８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨ
ｚ）を比較した結果を示している。図中、本発明を実線
にて、従来例を破線にて示した。本発明の構成とするこ
とで、送信帯（ＴｘＳＡＷフィルタ３）、受信帯（Ｒｘ
ＳＡＷフィルタ２）共に帯域内での特性変化（挿入損失
の劣化と相手側減衰量の劣化）がないことが分かる。
とにおける、分波器帯域内の挿入損失（送信帯８２４Ｍ
Ｈｚ〜８４９ＭＨｚ、受信帯８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨ
ｚ）を比較した結果を示している。図中、本発明を実線
にて、従来例を破線にて示した。本発明の構成とするこ
とで、送信帯（ＴｘＳＡＷフィルタ３）、受信帯（Ｒｘ
ＳＡＷフィルタ２）共に帯域内での特性変化（挿入損失
の劣化と相手側減衰量の劣化）がないことが分かる。
【００４３】また、図５は本発明の分波器と従来例の分
波器とにおける、送信帯域のスプリアス特性を示してい
る。図中、本発明を実線にて、従来例を破線にて示し
た。問題となるのは、２倍波（１６４８ＭＨｚ〜１６９
８ＭＨｚ）、３倍波（２４７２ＭＨｚ〜２５４７ＭＨ
ｚ）であり、本発明の構成とすることで、２倍波では、
３３ｄＢから４０ｄＢへ、３倍波では、１５ｄＢから１
８ｄＢへ改善されていることが分かる。上記の各結果に
より、本発明は、分波器の送信帯域・受信帯域に影響を
与えずにスプリアス特性を改善できることが分かる。
波器とにおける、送信帯域のスプリアス特性を示してい
る。図中、本発明を実線にて、従来例を破線にて示し
た。問題となるのは、２倍波（１６４８ＭＨｚ〜１６９
８ＭＨｚ）、３倍波（２４７２ＭＨｚ〜２５４７ＭＨ
ｚ）であり、本発明の構成とすることで、２倍波では、
３３ｄＢから４０ｄＢへ、３倍波では、１５ｄＢから１
８ｄＢへ改善されていることが分かる。上記の各結果に
より、本発明は、分波器の送信帯域・受信帯域に影響を
与えずにスプリアス特性を改善できることが分かる。
【００４４】また、本発明の実施の第二形態における分
波器は、図６及び図７に示すように、多層構造セラミッ
ク基板１５は各ＳＡＷフィルタ２、３を格納するキャビ
ティ１５ａを有するものである。各ＳＡＷフィルタ２、
３はそのキャビティ１５ａ内にフェースダウンボンディ
ング等の方法で固定され、半田または金バンプ５などで
電気的に多層構造セラミック基板１５に接続され、蓋材
１４により上記キャビティ１５ａ内に気密封止されてい
る。その他の構成については、実施の第一形態と同様で
あり、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省い
た。
波器は、図６及び図７に示すように、多層構造セラミッ
ク基板１５は各ＳＡＷフィルタ２、３を格納するキャビ
ティ１５ａを有するものである。各ＳＡＷフィルタ２、
３はそのキャビティ１５ａ内にフェースダウンボンディ
ング等の方法で固定され、半田または金バンプ５などで
電気的に多層構造セラミック基板１５に接続され、蓋材
１４により上記キャビティ１５ａ内に気密封止されてい
る。その他の構成については、実施の第一形態と同様で
あり、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省い
た。
【００４５】さらに、実施の第二形態の多層構造セラミ
ック基板１５が各ＳＡＷフィルタ２、３を格納するキャ
ビティ１５ａを有する構造は、各ＳＡＷフィルタ２、３
を接着剤等の部材で多層構造セラミック基板１５に固定
し、ワイヤーボンディングで電気的接続を行う場合にも
適用できる。
ック基板１５が各ＳＡＷフィルタ２、３を格納するキャ
ビティ１５ａを有する構造は、各ＳＡＷフィルタ２、３
を接着剤等の部材で多層構造セラミック基板１５に固定
し、ワイヤーボンディングで電気的接続を行う場合にも
適用できる。
【００４６】次に、上記多層構造セラミック基板１、１
５について説明する。ただし、多層構造セラミック基板
１、１５は互いに同一の多層構造を有しているので、一
方の多層構造セラミック基板１についてのみ説明する。
５について説明する。ただし、多層構造セラミック基板
１、１５は互いに同一の多層構造を有しているので、一
方の多層構造セラミック基板１についてのみ説明する。
【００４７】多層構造セラミック基板１は、例えば図８
（ａ）に示すように、ローパスフィルタ９として、直列
のコイルＬ1、Ｌ2（インダクタンス要素）と、それに対
し並列なコンデンサ（キャパシタンス要素）９ａと、一
方をアースに設置されている各コンデンサ（キャパシタ
ンス要素）９ｂ、９ｃとを有している。上記コンデンサ
９ｂの他方は、コイルＬ1、Ｌ2のＴｘＳＡＷフィルタ３
側の端子に接続されている。上記コンデンサ９ｃの他方
は、コイルＬ1、Ｌ2のＴｘ端子１３側の端子に接続され
ている。
（ａ）に示すように、ローパスフィルタ９として、直列
のコイルＬ1、Ｌ2（インダクタンス要素）と、それに対
し並列なコンデンサ（キャパシタンス要素）９ａと、一
方をアースに設置されている各コンデンサ（キャパシタ
ンス要素）９ｂ、９ｃとを有している。上記コンデンサ
９ｂの他方は、コイルＬ1、Ｌ2のＴｘＳＡＷフィルタ３
側の端子に接続されている。上記コンデンサ９ｃの他方
は、コイルＬ1、Ｌ2のＴｘ端子１３側の端子に接続され
ている。
【００４８】前記多層構造セラミック基板１は、その厚
さ方向に沿って例えば１２層の各誘電体層１ａ〜１ｍを
有し、それらの上下（厚さ方向）の間にそれぞれ配置さ
れた、銅またはタングステンからなる各導体層パターン
を備えている。
さ方向に沿って例えば１２層の各誘電体層１ａ〜１ｍを
有し、それらの上下（厚さ方向）の間にそれぞれ配置さ
れた、銅またはタングステンからなる各導体層パターン
を備えている。
【００４９】各誘電体層１ａ〜１ｍは、Ａｌ2Ｏ3のよう
な酸化物系のセラミックなどの絶縁体からなる、略長方
形板状のグリーンシートの表面に、導体層パターンを印
刷などにより形成し、各グリーンシートをそれらの厚さ
方向に互に積層し焼成して形成されている。
な酸化物系のセラミックなどの絶縁体からなる、略長方
形板状のグリーンシートの表面に、導体層パターンを印
刷などにより形成し、各グリーンシートをそれらの厚さ
方向に互に積層し焼成して形成されている。
【００５０】各誘電体層１ａ〜１ｍ間の電気的な接続
は、各誘電体層１ａ〜１ｍに厚さ方向に穿設されたビア
ホールや、各誘電体層１ａ〜１ｍの側面部を介して行わ
れる。ここで、多層構造セラミック基板１は整合素子８
やローパスフィルタ９の形状や、種類によりその層数を
増減させてもよい。
は、各誘電体層１ａ〜１ｍに厚さ方向に穿設されたビア
ホールや、各誘電体層１ａ〜１ｍの側面部を介して行わ
れる。ここで、多層構造セラミック基板１は整合素子８
やローパスフィルタ９の形状や、種類によりその層数を
増減させてもよい。
【００５１】図９ないし図２０に、多層構造セラミック
基板１の、それぞれ相異なる導体層パターンを有する１
２枚の各誘電体層１ａ〜１ｍの平面図をそれぞれ示す。
基板１の、それぞれ相異なる導体層パターンを有する１
２枚の各誘電体層１ａ〜１ｍの平面図をそれぞれ示す。
【００５２】図９に示すように、第１の誘電体層１ａに
は、その周辺部に沿って、アンテナ（ＡＮＴ）端子１
１、Ｒｘ端子１２及びＴｘ端子１３、並びにそれらの間
には、外部グランド（Ｇｎｄ）端子７−１、７−２、１
０がそれぞれ形成されている。
は、その周辺部に沿って、アンテナ（ＡＮＴ）端子１
１、Ｒｘ端子１２及びＴｘ端子１３、並びにそれらの間
には、外部グランド（Ｇｎｄ）端子７−１、７−２、１
０がそれぞれ形成されている。
【００５３】アンテナ（ＡＮＴ）端子１１は、第１の誘
電体層１ａにおける長辺部の中央部に設けられている。
Ｒｘ端子１２は、第１の誘電体層１ａにおける短辺部の
中央部に設けられている。Ｔｘ端子１３は、第１の誘電
体層１ａにおける、Ｒｘ端子１２のある短辺部に対向す
る短辺部の中央部に設けられている。ローパスフィルタ
９用の外部グランド端子１０は、Ｔｘ端子１３に近接し
た位置に設けられている。
電体層１ａにおける長辺部の中央部に設けられている。
Ｒｘ端子１２は、第１の誘電体層１ａにおける短辺部の
中央部に設けられている。Ｔｘ端子１３は、第１の誘電
体層１ａにおける、Ｒｘ端子１２のある短辺部に対向す
る短辺部の中央部に設けられている。ローパスフィルタ
９用の外部グランド端子１０は、Ｔｘ端子１３に近接し
た位置に設けられている。
【００５４】図１０に示すように、第２の誘電体層１ｂ
は、その表面積の半分程度の面積にて、ローパスフィル
タ９用の、各コンデンサ９ｂ、９ｃを形成するための内
部グランド層（ｂ）をＴｘ端子側にて有している。内部
グランド層（ｂ）は、各接点Ｉを介して各外部グランド
端子１０に接続されている。また、第２の誘電体層１ｂ
には、内部グランド層（ｂ）と異なる位置に、ＲｘＳＡ
Ｗフィルタ２や、整合素子８のための第１の内部グラン
ド層６−１が、第２の誘電体層１ｂにおける表面積の半
分程度の面積にて形成されている。
は、その表面積の半分程度の面積にて、ローパスフィル
タ９用の、各コンデンサ９ｂ、９ｃを形成するための内
部グランド層（ｂ）をＴｘ端子側にて有している。内部
グランド層（ｂ）は、各接点Ｉを介して各外部グランド
端子１０に接続されている。また、第２の誘電体層１ｂ
には、内部グランド層（ｂ）と異なる位置に、ＲｘＳＡ
Ｗフィルタ２や、整合素子８のための第１の内部グラン
ド層６−１が、第２の誘電体層１ｂにおける表面積の半
分程度の面積にて形成されている。
【００５５】図１１に示すように、第３の誘電体層１ｃ
においては、内部グランド層（ｂ）に対向する位置に、
コンデンサ９ｂ用の内部導電層（ａ）と、コンデンサ９
ｃ用の内部導電層（ｄ）とがそれぞれ形成されている。
内部導電層（ｄ）は、Ｔｘ端子１３に接続されている。
内部導電層（ａ）は、ビアホール１ｎを介してＴｘＳＡ
Ｗフィルタ３に接続されている。
においては、内部グランド層（ｂ）に対向する位置に、
コンデンサ９ｂ用の内部導電層（ａ）と、コンデンサ９
ｃ用の内部導電層（ｄ）とがそれぞれ形成されている。
内部導電層（ｄ）は、Ｔｘ端子１３に接続されている。
内部導電層（ａ）は、ビアホール１ｎを介してＴｘＳＡ
Ｗフィルタ３に接続されている。
【００５６】図１２に示すように、第４の誘電体層１ｄ
では、内部導電層（ｄ）に対向する位置に他の内部グラ
ンド層（ｂ）と、内部導電層（ａ）に対向する位置に内
部導電層（ｃ）とがそれぞれ形成されている。
では、内部導電層（ｄ）に対向する位置に他の内部グラ
ンド層（ｂ）と、内部導電層（ａ）に対向する位置に内
部導電層（ｃ）とがそれぞれ形成されている。
【００５７】図１３に示すように、第５の誘電体層１ｅ
のＲｘ端子側には、整合素子８の一部であるマイクロス
トリップ線路８ａが、線路長を確保するために折れ曲が
って形成されている。よって、マイクロストリップ線路
８ａは、ローパスフィルタ９が形成された位置の対向位
置とは相違する位置に形成されている。マイクロストリ
ップ線路８ａの一端は、ＡＮＴ端子に接続されている。
マイクロストリップ線路８ａの他端は、ビアホール１ｐ
を介して後述する他層のマイクロストリップ線路８ｂに
接続されている。
のＲｘ端子側には、整合素子８の一部であるマイクロス
トリップ線路８ａが、線路長を確保するために折れ曲が
って形成されている。よって、マイクロストリップ線路
８ａは、ローパスフィルタ９が形成された位置の対向位
置とは相違する位置に形成されている。マイクロストリ
ップ線路８ａの一端は、ＡＮＴ端子に接続されている。
マイクロストリップ線路８ａの他端は、ビアホール１ｐ
を介して後述する他層のマイクロストリップ線路８ｂに
接続されている。
【００５８】図１４に示すように、第６の誘電体層１ｆ
では、第２の誘電体層１ｂにおける第１の内部グランド
層６−１に対向する位置に第２の内部グランド層６−１
が設けられている。よって、前述のマイクロストリップ
線路８ａは、第１の内部グランド層６−１と、第２の内
部グランド層６−１とにより多層構造セラミック基板１
の厚さ方向にて挟まれている。
では、第２の誘電体層１ｂにおける第１の内部グランド
層６−１に対向する位置に第２の内部グランド層６−１
が設けられている。よって、前述のマイクロストリップ
線路８ａは、第１の内部グランド層６−１と、第２の内
部グランド層６−１とにより多層構造セラミック基板１
の厚さ方向にて挟まれている。
【００５９】図１５に示すように、第７の誘電体層１ｇ
においては、Ｔｘ端子側に前述のコイルＬ2が、第２の
誘電体層１ｂの内部グランド層（ｂ）が形成された面の
対向面内にて作製されている。コイルＬ2の一端は、Ｔ
ｘ端子に接続され、その他端は、ビアホール１ｑを介し
て、他層のコイルＬ1に接続されている。
においては、Ｔｘ端子側に前述のコイルＬ2が、第２の
誘電体層１ｂの内部グランド層（ｂ）が形成された面の
対向面内にて作製されている。コイルＬ2の一端は、Ｔ
ｘ端子に接続され、その他端は、ビアホール１ｑを介し
て、他層のコイルＬ1に接続されている。
【００６０】図１６に示すように、第８の誘電体層１ｈ
では、上記コイルＬ1がコイルＬ2の形成位置に沿って巻
くように設けられている。上記コイルＬ1の一端は、ビ
アホール１ｑを介して、コイルＬ2に接続され、他端
は、ビアホール１ｎを介して、ＴｘＳＡＷフィルタ３の
入力側に接続されている。
では、上記コイルＬ1がコイルＬ2の形成位置に沿って巻
くように設けられている。上記コイルＬ1の一端は、ビ
アホール１ｑを介して、コイルＬ2に接続され、他端
は、ビアホール１ｎを介して、ＴｘＳＡＷフィルタ３の
入力側に接続されている。
【００６１】図１７に示すように、第９の誘電体層１ｉ
には、整合素子８の他のマイクロストリップ線路８ｂ
が、マイクロストリップ線路８ａに対向する位置に形成
されている。マイクロストリップ線路８ｂの一端は、ビ
アホール１ｐを介して、マイクロストリップ線路８ａに
接続され、他端は、ビアホール１ｔを介して、ＲｘＳＡ
Ｗフィルタ２の入力側に接続されている。
には、整合素子８の他のマイクロストリップ線路８ｂ
が、マイクロストリップ線路８ａに対向する位置に形成
されている。マイクロストリップ線路８ｂの一端は、ビ
アホール１ｐを介して、マイクロストリップ線路８ａに
接続され、他端は、ビアホール１ｔを介して、ＲｘＳＡ
Ｗフィルタ２の入力側に接続されている。
【００６２】図１８に示すように、第１０の誘電体層１
ｊでは、Ｒｘ端子側に、第３の内部グランド層６−１
が、第６の誘電体層１ｆにおける第２の内部グランド層
６−１との間で前述のマイクロストリップ線路８ｂを多
層構造セラミック基板１の厚さ方向にて挟むように形成
されている。
ｊでは、Ｒｘ端子側に、第３の内部グランド層６−１
が、第６の誘電体層１ｆにおける第２の内部グランド層
６−１との間で前述のマイクロストリップ線路８ｂを多
層構造セラミック基板１の厚さ方向にて挟むように形成
されている。
【００６３】図１９に示すように、第１１の誘電体層１
ｋにおいては、ＲｘＳＡＷフィルタ２の出力用配線１ｕ
が、一端をＲｘＳＡＷフィルタ２の出力端子に、他端を
ビアホール１ｓに接続されて設けられている。ＲｘＳＡ
Ｗフィルタ２の入力用配線１ｖが、一端をＲｘＳＡＷフ
ィルタ２の入力端子に、他端をビアホール１ｔに接続さ
れて設けられている。
ｋにおいては、ＲｘＳＡＷフィルタ２の出力用配線１ｕ
が、一端をＲｘＳＡＷフィルタ２の出力端子に、他端を
ビアホール１ｓに接続されて設けられている。ＲｘＳＡ
Ｗフィルタ２の入力用配線１ｖが、一端をＲｘＳＡＷフ
ィルタ２の入力端子に、他端をビアホール１ｔに接続さ
れて設けられている。
【００６４】また、ＴｘＳＡＷフィルタ３の出力用配線
１ｗが、一端をＴｘＳＡＷフィルタ３の出力端子に、他
端をビアホール１ｒに接続されて設けられている。Ｔｘ
ＳＡＷフィルタ３の入力用配線１ｘが、一端をＴｘＳＡ
Ｗフィルタ３の入力端子に、他端をビアホール１ｎに接
続されて設けられている。
１ｗが、一端をＴｘＳＡＷフィルタ３の出力端子に、他
端をビアホール１ｒに接続されて設けられている。Ｔｘ
ＳＡＷフィルタ３の入力用配線１ｘが、一端をＴｘＳＡ
Ｗフィルタ３の入力端子に、他端をビアホール１ｎに接
続されて設けられている。
【００６５】図２０に示すように、第１２の誘電体層１
ｍには、ＲｘＳＡＷフィルタ２とＴｘＳＡＷフィルタ３
との電磁的な相互干渉を防止するためのシールドリング
１ｙが多層構造セラミック基板１の周辺部に沿って形成
されている。シールドリング１ｙは、ビアホール１ｚで
第１１の誘電体層１ｋに形成された第３の内部グランド
層６−１に接続されている。
ｍには、ＲｘＳＡＷフィルタ２とＴｘＳＡＷフィルタ３
との電磁的な相互干渉を防止するためのシールドリング
１ｙが多層構造セラミック基板１の周辺部に沿って形成
されている。シールドリング１ｙは、ビアホール１ｚで
第１１の誘電体層１ｋに形成された第３の内部グランド
層６−１に接続されている。
【００６６】このように整合素子８とローパスフィルタ
９とを、互に厚さ方向にて対面する位置から外して設け
ることによって、ローパスフィルタ９のグランドと他素
子のグランドとをパッケージである多層構造セラミック
基板１内部で分離することによる効果をより向上でき
る。
９とを、互に厚さ方向にて対面する位置から外して設け
ることによって、ローパスフィルタ９のグランドと他素
子のグランドとをパッケージである多層構造セラミック
基板１内部で分離することによる効果をより向上でき
る。
【００６７】また、整合素子８とローパスフィルタ９と
を、それぞれ互に異なる層に設けることによっても、ロ
ーパスフィルタ９のグランドと他素子のグランドとをパ
ッケージである多層構造セラミック基板１内部で分離す
ることによる効果をより改善できる。なお、上記では、
ローパスフィルタ９を、インダクタンス要素とキャパシ
タンス要素との双方を用いて構成した例を挙げたが、上
記各要素の何れか一方を用いて構成することもできる。
を、それぞれ互に異なる層に設けることによっても、ロ
ーパスフィルタ９のグランドと他素子のグランドとをパ
ッケージである多層構造セラミック基板１内部で分離す
ることによる効果をより改善できる。なお、上記では、
ローパスフィルタ９を、インダクタンス要素とキャパシ
タンス要素との双方を用いて構成した例を挙げたが、上
記各要素の何れか一方を用いて構成することもできる。
【００６８】続いて、図２１を参照しながら、本発明の
分波器を搭載した通信装置１００について説明する。上
記通信装置１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）
として、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐ
フィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０
４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ
１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄロ
ーカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature co
mpensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振
器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１
４を備えて構成されている。Ｒｘ段間フィルタ１０４か
らミキサ１０５へは、図２１に二本線で示したように、
バランス性を確保するために各平衡信号にて送信するこ
とが好ましい。
分波器を搭載した通信装置１００について説明する。上
記通信装置１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）
として、アンテナ１０１、アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐ
フィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０
４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ
１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄロ
ーカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature co
mpensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振
器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１
４を備えて構成されている。Ｒｘ段間フィルタ１０４か
らミキサ１０５へは、図２１に二本線で示したように、
バランス性を確保するために各平衡信号にて送信するこ
とが好ましい。
【００６９】また、上記通信装置１００は、送信を行う
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用すると共に、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１
２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ
１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic powe
r control （自動出力制御））１２７を備えて構成され
ている。
トランシーバ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１
および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２
を共用すると共に、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１
２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ
１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic powe
r control （自動出力制御））１２７を備えて構成され
ている。
【００７０】そして、上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐ
フィルタ１０２には、上述した本実施の各形態に記載の
分波器が好適に利用できる。
フィルタ１０２には、上述した本実施の各形態に記載の
分波器が好適に利用できる。
【００７１】よって、上記通信装置は、用いた分波器が
多機能化や小型化されており、さらに良好な伝送特性を
備えていることにより、良好な送受信機能と共に小型化
を図れるものとなっている。
多機能化や小型化されており、さらに良好な伝送特性を
備えていることにより、良好な送受信機能と共に小型化
を図れるものとなっている。
【００７２】
【発明の効果】本発明の分波器は、以上のように、受信
用弾性表面波フィルタと、送信用弾性表面波フィルタ
と、受信用弾性表面波フィルタに接続された少なくとも
一つの整合素子と、送信用弾性表面波フィルタに接続さ
れたフィルタとを有する分波器であって、上記フィルタ
としては、直列に接続されたインダクタンス要素を挟む
ようにグランドと接続されたキャパシタンス要素からな
るπ型回路であり、該直列に接続されたインダクタンス
要素に対して並列に、他のキャパシタンス要素が接続さ
れているローパスフィルタ、若しくは、互いに直列に接
続された２つのインダクタンス要素の間に対して、互い
に直列に接続されたキャパシタンス要素と他のインダク
タンス要素とが、並列に接続されているローパスフィル
タが挙げられ、上記フィルタのグランドが他の回路素子
のグランドとは別体に分離して設けられている構成であ
る。
用弾性表面波フィルタと、送信用弾性表面波フィルタ
と、受信用弾性表面波フィルタに接続された少なくとも
一つの整合素子と、送信用弾性表面波フィルタに接続さ
れたフィルタとを有する分波器であって、上記フィルタ
としては、直列に接続されたインダクタンス要素を挟む
ようにグランドと接続されたキャパシタンス要素からな
るπ型回路であり、該直列に接続されたインダクタンス
要素に対して並列に、他のキャパシタンス要素が接続さ
れているローパスフィルタ、若しくは、互いに直列に接
続された２つのインダクタンス要素の間に対して、互い
に直列に接続されたキャパシタンス要素と他のインダク
タンス要素とが、並列に接続されているローパスフィル
タが挙げられ、上記フィルタのグランドが他の回路素子
のグランドとは別体に分離して設けられている構成であ
る。
【００７３】それゆえ、上記構成は、上記ローパスフィ
ルタといったフィルタのグランドが他の回路素子のグラ
ンドとは別体に分離して設けられているので、送信用弾
性表面波フィルタまたは受信用弾性表面波フィルタの帯
域内特性を劣化させることなく、送信側スプリアス特性
の改善を行うことができるという効果を奏する。
ルタといったフィルタのグランドが他の回路素子のグラ
ンドとは別体に分離して設けられているので、送信用弾
性表面波フィルタまたは受信用弾性表面波フィルタの帯
域内特性を劣化させることなく、送信側スプリアス特性
の改善を行うことができるという効果を奏する。
【図１】本発明の実施の第一形態にかかる分波器の概略
断面図である。
断面図である。
【図２】上記分波器におけるグランド電極接続方法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図３】従来の分波器におけるグランド電極接続方法を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】本発明と従来例との各分波器の帯域特性をそれ
ぞれ示すグラフである。
ぞれ示すグラフである。
【図５】本発明と従来例との各分波器の送信側スプリア
ス特性をそれぞれ示すグラフである。
ス特性をそれぞれ示すグラフである。
【図６】本発明の実施の第二形態にかかる分波器の概略
断面図である。
断面図である。
【図７】上記分波器の多層構造セラミックス基板の概略
断面図である。
断面図である。
【図８】上記分波器の回路ブロック図であり、（ａ）
は、実施の第一形態に係るローパスフィルタを含むもの
であり、（ｂ）は上記ローパスフィルタの一変形例を示
すものである。
は、実施の第一形態に係るローパスフィルタを含むもの
であり、（ｂ）は上記ローパスフィルタの一変形例を示
すものである。
【図９】上記多層構造セラミックス基板における第１の
誘電体層の平面図である。
誘電体層の平面図である。
【図１０】上記多層構造セラミックス基板における第２
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１１】上記多層構造セラミックス基板における第３
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１２】上記多層構造セラミックス基板における第４
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１３】上記多層構造セラミックス基板における第５
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１４】上記多層構造セラミックス基板における第６
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１５】上記多層構造セラミックス基板における第７
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１６】上記多層構造セラミックス基板における第８
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１７】上記多層構造セラミックス基板における第９
の誘電体層の平面図である。
の誘電体層の平面図である。
【図１８】上記多層構造セラミックス基板における第１
０の誘電体層の平面図である。
０の誘電体層の平面図である。
【図１９】上記多層構造セラミックス基板における第１
１の誘電体層の平面図である。
１の誘電体層の平面図である。
【図２０】上記多層構造セラミックス基板における第１
２の誘電体層の平面図である。
２の誘電体層の平面図である。
【図２１】本発明の通信装置の要部回路ブロック図であ
る。
る。
１、１５ 多層構造セラミックス基板
２ ＲｘＳＡＷフィルタ（受信用弾性表面波フィル
タ） ３ ＴｘＳＡＷフィルタ（送信用弾性表面波フィル
タ） ４ 封止部材 ５ バンプ ６−１ 内部グランド層 ６−２ 内部グランド層 ７−１ 外部グランド端子 ７−２ 外部グランド端子 ８ 整合素子 ９ ローパスフィルタ １０ ローパスフィルタ用の外部グランド端子 １１ アンテナ（ＡＮＴ）端子 １２ Ｒｘ端子（受信端子） １３ Ｔｘ端子（送信端子） １４ 蓋材
タ） ３ ＴｘＳＡＷフィルタ（送信用弾性表面波フィル
タ） ４ 封止部材 ５ バンプ ６−１ 内部グランド層 ６−２ 内部グランド層 ７−１ 外部グランド端子 ７−２ 外部グランド端子 ８ 整合素子 ９ ローパスフィルタ １０ ローパスフィルタ用の外部グランド端子 １１ アンテナ（ＡＮＴ）端子 １２ Ｒｘ端子（受信端子） １３ Ｔｘ端子（送信端子） １４ 蓋材
Claims (8)
- 【請求項１】受信用弾性表面波フィルタと、送信用弾性
表面波フィルタと、受信用弾性表面波フィルタに接続さ
れた少なくとも一つの整合素子と、送信用弾性表面波フ
ィルタに接続された、インダクタンス要素及びキャパシ
タンス要素の少なくとも一方を備えるフィルタとを有す
る分波器であって、 上記フィルタのグランドが他の回路素子のグランドとは
別体に分離して設けられていることを特徴とする分波
器。 - 【請求項２】前記フィルタは、直列に接続されたインダ
クタンス要素を挟むようにグランドと接続されたキャパ
シタンス要素からなるπ型回路であり、該直列に接続さ
れたインダクタンス要素に対して並列に、他のキャパシ
タンス要素が接続されているローパスフィルタであるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の分波器。 - 【請求項３】前記フィルタは、互いに直列に接続された
２つのインダクタンス要素の間に対して、互いに直列に
接続されたキャパシタンス要素と他のインダクタンス要
素とが、並列に接続されているローパスフィルタである
ことを特徴とする、請求項１に記載の分波器。 - 【請求項４】前記受信用弾性表面波フィルタ及び送信用
弾性表面波フィルタがセラミック基板上に載置されてい
ることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記
載の分波器。 - 【請求項５】前記セラミック基板が多層構造であること
を特徴とする請求項４に記載の分波器。 - 【請求項６】前記多層構造であるセラミック基板の内部
に前記フィルタが形成されていることを特徴とする請求
項４または５に記載の分波器。 - 【請求項７】前記受信用弾性表面波フィルタのグランド
と、送信用弾性表面波フィルタのグランドとが互いに分
離されていることを特徴とする請求項１ないし６の何れ
か１項に記載の分波器。 - 【請求項８】請求項１ないし７の何れか１項に記載の分
波器を搭載したことを特徴とする通信機器。
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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