JP3363870B2 - 弾性表面波分波器 - Google Patents
弾性表面波分波器Info
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- JP3363870B2 JP3363870B2 JP2000157563A JP2000157563A JP3363870B2 JP 3363870 B2 JP3363870 B2 JP 3363870B2 JP 2000157563 A JP2000157563 A JP 2000157563A JP 2000157563 A JP2000157563 A JP 2000157563A JP 3363870 B2 JP3363870 B2 JP 3363870B2
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- surface acoustic
- package substrate
- saw
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の小型
移動体通信機器に用いられ、高周波（Radio frequenc
y；RF）フィルタとして弾性表面波（Surface Acoustic
Wave；SAW）共振器型フィルタ（以下、SAWフィルタとい
う。）を用いた弾性表面波分波器（以下、SAW分波器と
いう。）に関するものである。
移動体通信機器に用いられ、高周波（Radio frequenc
y；RF）フィルタとして弾性表面波（Surface Acoustic
Wave；SAW）共振器型フィルタ（以下、SAWフィルタとい
う。）を用いた弾性表面波分波器（以下、SAW分波器と
いう。）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話等に代表されるような小
型で軽量な移動体通信機器端末の開発が急速に進められ
ている。このことに伴い、このような通信機器端末に用
いられる送信フィルタ及び受信フィルタを備えた分波器
等の小型化及び高性能化も求められている。小型化の分
波器としてはSAWフィルタを用いて構成されたSAW分波器
が挙げられ、移動体通信機器端末の小型化に対して大き
く寄与する。また、このSAW分波器においては、小型化
だけでなく、通過帯域の挿入損失が小さいこと、及び減
衰帯域の減衰量が大きいという特性が求められる。その
ために、例えば、SAW分波器の梯子型回路構成を有するS
AWフィルタにおいては、並列腕SAW共振器と接地電位と
をボンディングワイヤによって接続する構成が提案され
ていた。このような構成は、SAWフィルタチップをSAW分
波器パッケージに搭載した際に、SAWフィルタチップに
おける並列腕SAW共振器の一端に接続される端子とSAW分
波器パッケージにおける接地端子とをボンディングワイ
ヤを用いて接続することにより実現されており、その結
果、SAWフィルタと接地電位との間にインダクタンス成
分を設けることが可能となり、SAW分波器の小型化を維
持しながら、周波数特性における減衰帯域での減衰量を
確保していた。
型で軽量な移動体通信機器端末の開発が急速に進められ
ている。このことに伴い、このような通信機器端末に用
いられる送信フィルタ及び受信フィルタを備えた分波器
等の小型化及び高性能化も求められている。小型化の分
波器としてはSAWフィルタを用いて構成されたSAW分波器
が挙げられ、移動体通信機器端末の小型化に対して大き
く寄与する。また、このSAW分波器においては、小型化
だけでなく、通過帯域の挿入損失が小さいこと、及び減
衰帯域の減衰量が大きいという特性が求められる。その
ために、例えば、SAW分波器の梯子型回路構成を有するS
AWフィルタにおいては、並列腕SAW共振器と接地電位と
をボンディングワイヤによって接続する構成が提案され
ていた。このような構成は、SAWフィルタチップをSAW分
波器パッケージに搭載した際に、SAWフィルタチップに
おける並列腕SAW共振器の一端に接続される端子とSAW分
波器パッケージにおける接地端子とをボンディングワイ
ヤを用いて接続することにより実現されており、その結
果、SAWフィルタと接地電位との間にインダクタンス成
分を設けることが可能となり、SAW分波器の小型化を維
持しながら、周波数特性における減衰帯域での減衰量を
確保していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、SAW分
波器等のデバイス自体が小型化されるのに伴い、上述し
たようなワイヤボンディングによるインダクタンス成分
の確保や調整が難しくなってきている。また、特に、低
域側の通過周波数帯域を有するSAWフィルタにおいては
インダクタンス成分を確保あるいは調整することがSAW
分波器全体の周波数特性を左右することを考慮すると、
SAW分波器パッケージ自体の小型化を可能な限り維持し
ながら、SAWフィルタにおいて、いかにして所望のイン
ダクタンス成分を確保又は調整するかということが、SA
W分波器における周波数特性をより向上させるために必
要な技術となる。
波器等のデバイス自体が小型化されるのに伴い、上述し
たようなワイヤボンディングによるインダクタンス成分
の確保や調整が難しくなってきている。また、特に、低
域側の通過周波数帯域を有するSAWフィルタにおいては
インダクタンス成分を確保あるいは調整することがSAW
分波器全体の周波数特性を左右することを考慮すると、
SAW分波器パッケージ自体の小型化を可能な限り維持し
ながら、SAWフィルタにおいて、いかにして所望のイン
ダクタンス成分を確保又は調整するかということが、SA
W分波器における周波数特性をより向上させるために必
要な技術となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１通過周波
数帯域帯域を有する第１弾性表面波フィルタと、第１通
過周波数帯域よりも低い第２通過周波数帯域を有し、直
列腕弾性表面波共振器及び並列腕弾性表面波共振器を含
む第２弾性表面波フィルタとが多層パッケージ基板に搭
載されたを備えた弾性表面波分波器において、多層パッ
ケージ基板は第１〜第３パッケージ基板から構成されて
おり、第１パッケージ基板上には電極パッドが形成され
ており、第２パッケージ基板上には、第１パッケージ基
板上の電極パッドと接続され、かつ第２パッケージ基板
の中央領域に延在する第１接地電位パターンが形成され
ており、第３パッケージ基板上には第２接地電位パター
ンが形成されており、第２弾性表面波フィルタにおける
並列腕弾性表面波共振器の一端は、第１パッケージ基板
上の電極パッドと第１及び第２接地電位パターンとを介
して接地電位に接続されたSAW分波器を提供することに
より、SAW分波器の周波数特性をより向上させることが
できるものである。
数帯域帯域を有する第１弾性表面波フィルタと、第１通
過周波数帯域よりも低い第２通過周波数帯域を有し、直
列腕弾性表面波共振器及び並列腕弾性表面波共振器を含
む第２弾性表面波フィルタとが多層パッケージ基板に搭
載されたを備えた弾性表面波分波器において、多層パッ
ケージ基板は第１〜第３パッケージ基板から構成されて
おり、第１パッケージ基板上には電極パッドが形成され
ており、第２パッケージ基板上には、第１パッケージ基
板上の電極パッドと接続され、かつ第２パッケージ基板
の中央領域に延在する第１接地電位パターンが形成され
ており、第３パッケージ基板上には第２接地電位パター
ンが形成されており、第２弾性表面波フィルタにおける
並列腕弾性表面波共振器の一端は、第１パッケージ基板
上の電極パッドと第１及び第２接地電位パターンとを介
して接地電位に接続されたSAW分波器を提供することに
より、SAW分波器の周波数特性をより向上させることが
できるものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明における実施の形態を、以
下に図面を参照しながら説明する。
下に図面を参照しながら説明する。
【０００６】まず、本発明の第１の実施の形態における
SAW分波器について説明する。図１は、本発明の第１の
実施の形態におけるSAW分波器の構成例を概略的に示し
たブロック図である。本発明におけるSAW分波器１００
は、アンテナ端整合回路１０３、送信用SAWフィルタ１
０４、送信入力整合回路１０５、分波線路１０７、受信
用SAWフィルタ１０８、受信出力整合回路１０９を備え
ている。アンテナ端子１０２とノードＮ１との間にはア
ンテナ端整合回路１０３が接続されている。ノードＮ１
と送信端子１０６との間には、送信用SAWフィルタ１０
４及び送信入力整合回路１０５が接続されている。一
方、ノードＮ１と受信端子１１０との間には、分波線路
１０７、受信用SAWフィルタ１０８及び受信出力整合回
路１０９が接続されている。また、SAW分波器を携帯電
話等の移動体通信用機器に組み込んだ場合には、送信端
子１０６に電力増幅器１１１が、受信端子１１０には受
信回路１１２がそれぞれ接続される。ここで、例とし
て、互いに異なる通過周波数帯域を有する二つのSAWフ
ィルタ（送信用SAWフィルタ１０４及び受信用SAWフィル
タ１０８）のうち、送信用SAWフィルタ１０４の回路構
成を図２に示す。
SAW分波器について説明する。図１は、本発明の第１の
実施の形態におけるSAW分波器の構成例を概略的に示し
たブロック図である。本発明におけるSAW分波器１００
は、アンテナ端整合回路１０３、送信用SAWフィルタ１
０４、送信入力整合回路１０５、分波線路１０７、受信
用SAWフィルタ１０８、受信出力整合回路１０９を備え
ている。アンテナ端子１０２とノードＮ１との間にはア
ンテナ端整合回路１０３が接続されている。ノードＮ１
と送信端子１０６との間には、送信用SAWフィルタ１０
４及び送信入力整合回路１０５が接続されている。一
方、ノードＮ１と受信端子１１０との間には、分波線路
１０７、受信用SAWフィルタ１０８及び受信出力整合回
路１０９が接続されている。また、SAW分波器を携帯電
話等の移動体通信用機器に組み込んだ場合には、送信端
子１０６に電力増幅器１１１が、受信端子１１０には受
信回路１１２がそれぞれ接続される。ここで、例とし
て、互いに異なる通過周波数帯域を有する二つのSAWフ
ィルタ（送信用SAWフィルタ１０４及び受信用SAWフィル
タ１０８）のうち、送信用SAWフィルタ１０４の回路構
成を図２に示す。
【０００７】図２において、入力端子２０１Ａ及び２０
１Ｂと出力端子２０２Ａ及び２０２Ｂとの間には、直列
腕SAW共振器２０３〜２０５が直列に接続されている。
直列腕SAW共振器２０３及び２０４の間のノードＮ２と
ノードＮ４との間には並列腕SAW共振器２０６が、直列
腕SAW共振器２０４及び２０５の間のノードＮ３とノー
ドＮ４との間には並列腕SAW共振器２０７がそれぞれ接
続されている。また、ノードＮ４とノード５との間には
ボンディングワイヤによるインダクタンス回路２０８及
び本発明の特徴であるSAW分波器パッケージに形成され
たインダクタンス回路２０９が接続されている。
１Ｂと出力端子２０２Ａ及び２０２Ｂとの間には、直列
腕SAW共振器２０３〜２０５が直列に接続されている。
直列腕SAW共振器２０３及び２０４の間のノードＮ２と
ノードＮ４との間には並列腕SAW共振器２０６が、直列
腕SAW共振器２０４及び２０５の間のノードＮ３とノー
ドＮ４との間には並列腕SAW共振器２０７がそれぞれ接
続されている。また、ノードＮ４とノード５との間には
ボンディングワイヤによるインダクタンス回路２０８及
び本発明の特徴であるSAW分波器パッケージに形成され
たインダクタンス回路２０９が接続されている。
【０００８】次に、図３及び図４を用いて、主に本発明
の特徴であるインダクタンス回路２０９の構造を、SAW
分波器１００及びSAW分波器パッケージの構造と共に説
明する。
の特徴であるインダクタンス回路２０９の構造を、SAW
分波器１００及びSAW分波器パッケージの構造と共に説
明する。
【０００９】図３及び図４は、送信用SAWフィルタ１０
４及び受信用SAWフィルタ１０８を実装するための多層
構造を有するSAW分波器パッケージ基板の平面図であ
る。そして、本発明の多層構造を有するSAW分波器パッ
ケージ基板の中でも、送信入力整合回路１０５、分波線
路１０７、受信出力整合回路１０９等が形成された各パ
ッケージ基板（第１〜第４パッケージ基板）について図
３及び図４を用いて説明する。SAW分波器パッケージと
しては、図４（ｂ）に示されている第４パッケージ基板
３００Ｄを最下層に配置し、その上に第３パッケージ基
板３００Ｃ、第２パッケージ基板３００Ｂ、第１パッケ
ージ基板３００Ａを順次積層し、図８に示されるよう
な、最上層として、第１パッケージ基板３００Ａの上
に、SAWフィルタチップ（送信用SAWフィルタ及び受信用
SAWフィルタ）を封止するための封止用キャップ３００
Ｅを積層する。この封止用キャップ３００Ｅの構造につ
いては、第２の実施の形態において説明する。
４及び受信用SAWフィルタ１０８を実装するための多層
構造を有するSAW分波器パッケージ基板の平面図であ
る。そして、本発明の多層構造を有するSAW分波器パッ
ケージ基板の中でも、送信入力整合回路１０５、分波線
路１０７、受信出力整合回路１０９等が形成された各パ
ッケージ基板（第１〜第４パッケージ基板）について図
３及び図４を用いて説明する。SAW分波器パッケージと
しては、図４（ｂ）に示されている第４パッケージ基板
３００Ｄを最下層に配置し、その上に第３パッケージ基
板３００Ｃ、第２パッケージ基板３００Ｂ、第１パッケ
ージ基板３００Ａを順次積層し、図８に示されるよう
な、最上層として、第１パッケージ基板３００Ａの上
に、SAWフィルタチップ（送信用SAWフィルタ及び受信用
SAWフィルタ）を封止するための封止用キャップ３００
Ｅを積層する。この封止用キャップ３００Ｅの構造につ
いては、第２の実施の形態において説明する。
【００１０】図３（ａ）に示すように、第１パッケージ
基板３００Ａの中央部には、SAWフィルタチップを内臓
するために必要なキャビティ（開口部）３０１が設けら
れている。キャビティ３０１の周辺には、SAWフィルタ
チップとSAW分波器パッケージとの接続を得るために電
極パッド３０２Ａ〜３０２Ｋが形成されている。ここ
で、電極パッド３０２Ａ〜３０２Ｆは送信用SAWフィル
タ１０４と接続され、電極パッド３０２Ｇ〜３０２Ｋは
受信用SAWフィルタ１０８と接続される。電極パッド３
０２Ｃ〜３０２Ｊには、第２パッケージ基板３００Ｂと
の接続を得るためのスルーホール３０３Ｃ〜３０３Ｌが
形成されている。電極パッド３０２Ａにはストリップラ
イン３０４が接続されるように形成されており、その途
中には、後述する第２パッケージ基板３００Ｂ上に形成
された接地電位パターン３０９Ａとの接続を得るための
スルーホール３０３Ａが形成されている。
基板３００Ａの中央部には、SAWフィルタチップを内臓
するために必要なキャビティ（開口部）３０１が設けら
れている。キャビティ３０１の周辺には、SAWフィルタ
チップとSAW分波器パッケージとの接続を得るために電
極パッド３０２Ａ〜３０２Ｋが形成されている。ここ
で、電極パッド３０２Ａ〜３０２Ｆは送信用SAWフィル
タ１０４と接続され、電極パッド３０２Ｇ〜３０２Ｋは
受信用SAWフィルタ１０８と接続される。電極パッド３
０２Ｃ〜３０２Ｊには、第２パッケージ基板３００Ｂと
の接続を得るためのスルーホール３０３Ｃ〜３０３Ｌが
形成されている。電極パッド３０２Ａにはストリップラ
イン３０４が接続されるように形成されており、その途
中には、後述する第２パッケージ基板３００Ｂ上に形成
された接地電位パターン３０９Ａとの接続を得るための
スルーホール３０３Ａが形成されている。
【００１１】電極パッド３０２Ｂとアンテナ端子１０２
との間には、アンテナ端整合回路１０３に相当するスト
リップライン３０５が形成されており、インダクタンス
成分を有する整合回路として機能する。また、ストリッ
プライン３０５の途中には、後述する第３パッケージ基
板３００Ｃに設けられた分波線路１０７との接続を得る
ためのスルーホール３０３Ｂが設けられている。そし
て、このスルーホール３０３Ｂが図１に示されたSAW分
波器のブロック図におけるノードＮ１に対応する。電極
パッド３０３Ｅと送信端子１０６との間には、インダク
タンス成分としてのストリップライン３０６が設けられ
ている。そして、送信端子１０６にはキャパシタンス成
分を有するオープンスタブ３０７が接続されている。ま
た、電極パッド３０２Ｅには、後述する第３パッケージ
基板３００Ｃ上に形成されたオープンスタブ３１７との
接続をとるためのスルーホール３０３Ｅが形成されてい
る。電極パッド３０２Ｋと受信端子１１０との間には、
インダクタンス成分を有する受信出力整合回路の一部と
してのストリップライン３０８が設けられている。
との間には、アンテナ端整合回路１０３に相当するスト
リップライン３０５が形成されており、インダクタンス
成分を有する整合回路として機能する。また、ストリッ
プライン３０５の途中には、後述する第３パッケージ基
板３００Ｃに設けられた分波線路１０７との接続を得る
ためのスルーホール３０３Ｂが設けられている。そし
て、このスルーホール３０３Ｂが図１に示されたSAW分
波器のブロック図におけるノードＮ１に対応する。電極
パッド３０３Ｅと送信端子１０６との間には、インダク
タンス成分としてのストリップライン３０６が設けられ
ている。そして、送信端子１０６にはキャパシタンス成
分を有するオープンスタブ３０７が接続されている。ま
た、電極パッド３０２Ｅには、後述する第３パッケージ
基板３００Ｃ上に形成されたオープンスタブ３１７との
接続をとるためのスルーホール３０３Ｅが形成されてい
る。電極パッド３０２Ｋと受信端子１１０との間には、
インダクタンス成分を有する受信出力整合回路の一部と
してのストリップライン３０８が設けられている。
【００１２】次に、第２パッケージ基板３００Ｂの構成
について図３（ｂ）を参照しながら説明する。第２パッ
ケージ基板３００Ｂの周辺にはキャスタレーション端子
３１４Ａ〜３１４Ｌが形成されている。そして、第２パ
ッケージ基板３００Ｂ上には接地電位パターン３０９Ａ
及び３０９Ｂが形成されている。ここで、接地電位パタ
ーン３０９Ａは、キャスタレーション端子３１４Ａ〜３
１４Ｌに接続されずに、かつSAWフィルタチップを搭載
する領域３１５に延在するように形成されている。そし
て、その延在領域３１５には第３パッケージ基板３００
Ｃを介して第４パッケージ基板３００Ｄとの接続を得る
ための複数のスルーホール３１０が形成されている。接
地電位パターン３０９Ａのうち前述した延在領域３１５
以外の領域に存在する接続点３１１Ａ〜３１１Ｄは、第
１パッケージ基板３００Ａに形成されたスルーホール３
０３Ａ、３０３Ｃ、３０３Ｄ、３０３Ｆとの接続をそれ
ぞれ得るためのものである。一方、接地電位パターン３
０９Ｂは、キャスタレーション端子３１４Ｂ及び３１４
Ｃ、３１４Ｅ及び３１４Ｆに接続されるように形成され
ている。接地電位パターン３０９Ｂ上の接続点３１１Ｅ
〜３１１Ｉは、第１パッケージ基板３００Ａに形成され
たスルーホール３０３Ｇ、３０３Ｉ〜３０３Ｋ、３０３
Ｌとの接続を得るためのものである。また、第２パッケ
ージ基板３００Ｂにおいて、接地電位パターン３０９Ａ
及び３０９Ｂが形成された領域以外の領域には、第３パ
ッケージ基板３００Ｃ上の分波線路１０７との接続を得
るためのスルーホール３１２及び３１３が形成されてい
る。
について図３（ｂ）を参照しながら説明する。第２パッ
ケージ基板３００Ｂの周辺にはキャスタレーション端子
３１４Ａ〜３１４Ｌが形成されている。そして、第２パ
ッケージ基板３００Ｂ上には接地電位パターン３０９Ａ
及び３０９Ｂが形成されている。ここで、接地電位パタ
ーン３０９Ａは、キャスタレーション端子３１４Ａ〜３
１４Ｌに接続されずに、かつSAWフィルタチップを搭載
する領域３１５に延在するように形成されている。そし
て、その延在領域３１５には第３パッケージ基板３００
Ｃを介して第４パッケージ基板３００Ｄとの接続を得る
ための複数のスルーホール３１０が形成されている。接
地電位パターン３０９Ａのうち前述した延在領域３１５
以外の領域に存在する接続点３１１Ａ〜３１１Ｄは、第
１パッケージ基板３００Ａに形成されたスルーホール３
０３Ａ、３０３Ｃ、３０３Ｄ、３０３Ｆとの接続をそれ
ぞれ得るためのものである。一方、接地電位パターン３
０９Ｂは、キャスタレーション端子３１４Ｂ及び３１４
Ｃ、３１４Ｅ及び３１４Ｆに接続されるように形成され
ている。接地電位パターン３０９Ｂ上の接続点３１１Ｅ
〜３１１Ｉは、第１パッケージ基板３００Ａに形成され
たスルーホール３０３Ｇ、３０３Ｉ〜３０３Ｋ、３０３
Ｌとの接続を得るためのものである。また、第２パッケ
ージ基板３００Ｂにおいて、接地電位パターン３０９Ａ
及び３０９Ｂが形成された領域以外の領域には、第３パ
ッケージ基板３００Ｃ上の分波線路１０７との接続を得
るためのスルーホール３１２及び３１３が形成されてい
る。
【００１３】続いて、第３パッケージ基板３００Ｃの構
造について図４（ａ）を参照しながら説明する。第３パ
ッケージ基板３００Ｃの周辺には、キャスタレーション
端子３２２Ａ〜３２２Ｌが形成されている。第３パッケ
ージ基板３００Ｃ上の接続点３２０及び３２１は、それ
ぞれ第１パッケージ基板３００Ａ上のストリップライン
３０５との接続及び電極パッド３０２Ｈとの接続を得る
ためのものである。そして、接続点３２０と３２１との
間には、両者を結ぶ分波線路１０７が設けられている。
キャスタレーション端子３２２Ａはアンテナ端子１０２
として使用されるものであり、このキャスタレーション
端子３２２Ａに対してはキャパシタンス成分を有するオ
ープンスタブ３１６が接続されるように形成されてい
る。キャスタレーション端子３２２Ｄは受信端子として
使用されるものであり、このキャスタレーション端子３
２２Ｄに対してはキャパシタンス成分を有するオープン
スタブ３１８が接続されるように形成されている。第３
パッケージ基板３００Ｃにおける接続点３２６に対して
は、オープンスタブ３１７が接続されている。キャスタ
レーション端子３２２Ｂ及び３２２Ｃ、３２２Ｅ及び３
２２Ｆは、その側面部分に導電性物質を塗布することに
よって、キャスタレーション端子３１４Ｂ及び３１４
Ｃ、３１４Ｅ及び３１４Ｆを介して接地電位パターン３
０９Ｂに接続される。
造について図４（ａ）を参照しながら説明する。第３パ
ッケージ基板３００Ｃの周辺には、キャスタレーション
端子３２２Ａ〜３２２Ｌが形成されている。第３パッケ
ージ基板３００Ｃ上の接続点３２０及び３２１は、それ
ぞれ第１パッケージ基板３００Ａ上のストリップライン
３０５との接続及び電極パッド３０２Ｈとの接続を得る
ためのものである。そして、接続点３２０と３２１との
間には、両者を結ぶ分波線路１０７が設けられている。
キャスタレーション端子３２２Ａはアンテナ端子１０２
として使用されるものであり、このキャスタレーション
端子３２２Ａに対してはキャパシタンス成分を有するオ
ープンスタブ３１６が接続されるように形成されてい
る。キャスタレーション端子３２２Ｄは受信端子として
使用されるものであり、このキャスタレーション端子３
２２Ｄに対してはキャパシタンス成分を有するオープン
スタブ３１８が接続されるように形成されている。第３
パッケージ基板３００Ｃにおける接続点３２６に対して
は、オープンスタブ３１７が接続されている。キャスタ
レーション端子３２２Ｂ及び３２２Ｃ、３２２Ｅ及び３
２２Ｆは、その側面部分に導電性物質を塗布することに
よって、キャスタレーション端子３１４Ｂ及び３１４
Ｃ、３１４Ｅ及び３１４Ｆを介して接地電位パターン３
０９Ｂに接続される。
【００１４】最後に、第４パッケージ基板３００Ｄの構
造について図４（ｂ）を参照しながら説明する。第４パ
ッケージ基板３００Ｄの周辺には、キャスタレーション
端子３２５Ａ〜３２５Ｌが設けられている。また、これ
らのキャスタレーション端子３２５Ａ〜３２５Ｌのそれ
ぞれの近傍の領域には、パッド部３３０Ａ〜３３０Ｌが
設けられている。第４パッケージ基板３００Ｄには接地
電位パターン３２４がほぼ全面に亘って、かつキャスタ
レーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３２５Ｅ〜３２
５Ｉ、３２５Ｋ及び３２５Ｌに接続されるように形成さ
れている。そして、第４パッケージ基板３００Ｄの中央
領域には、前述した第２パッケージ基板３００Ｂ上の接
地電位パターン３０９Ａと第４パッケージ基板の接地電
位パターン３２４とを接続することを可能とする複数の
スルーホール３２３が形成されている。また、接地電位
パターン３２４には、第４パッケージ基板３００Ｄのキ
ャスタレーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３２５Ｅ
及び３２５Ｆ、第２パッケージ基板３００Ｂのキャスタ
レーション端子３１４Ｂ及び３１４Ｃ、３１４Ｅ及び３
１４Ｆ、第３パッケージ基板３００Ｃのキャスタレーシ
ョン端子３２２Ｂ及び３２２Ｃ、３２２Ｅ及び３２２Ｆ
の各々の側面部分に塗布された導電性物質を介して、第
２パッケージ基板３００Ｂの接地電位パターン３０９Ｂ
が接続されることになる。また、キャスタレーション端
子３２５Ａ、３２５Ｄ、３２５Ｊは、それぞれアンテナ
端子１０２、受信端子１１０、送信端子１０６として使
用される端子である。
造について図４（ｂ）を参照しながら説明する。第４パ
ッケージ基板３００Ｄの周辺には、キャスタレーション
端子３２５Ａ〜３２５Ｌが設けられている。また、これ
らのキャスタレーション端子３２５Ａ〜３２５Ｌのそれ
ぞれの近傍の領域には、パッド部３３０Ａ〜３３０Ｌが
設けられている。第４パッケージ基板３００Ｄには接地
電位パターン３２４がほぼ全面に亘って、かつキャスタ
レーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３２５Ｅ〜３２
５Ｉ、３２５Ｋ及び３２５Ｌに接続されるように形成さ
れている。そして、第４パッケージ基板３００Ｄの中央
領域には、前述した第２パッケージ基板３００Ｂ上の接
地電位パターン３０９Ａと第４パッケージ基板の接地電
位パターン３２４とを接続することを可能とする複数の
スルーホール３２３が形成されている。また、接地電位
パターン３２４には、第４パッケージ基板３００Ｄのキ
ャスタレーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３２５Ｅ
及び３２５Ｆ、第２パッケージ基板３００Ｂのキャスタ
レーション端子３１４Ｂ及び３１４Ｃ、３１４Ｅ及び３
１４Ｆ、第３パッケージ基板３００Ｃのキャスタレーシ
ョン端子３２２Ｂ及び３２２Ｃ、３２２Ｅ及び３２２Ｆ
の各々の側面部分に塗布された導電性物質を介して、第
２パッケージ基板３００Ｂの接地電位パターン３０９Ｂ
が接続されることになる。また、キャスタレーション端
子３２５Ａ、３２５Ｄ、３２５Ｊは、それぞれアンテナ
端子１０２、受信端子１１０、送信端子１０６として使
用される端子である。
【００１５】以上のように構成された第１〜第４パッケ
ージ基板３００Ａ〜３００Ｄを積層して組み立て、キャ
ビティ内部にSAWフィルタチップを搭載したSAW分波器１
００について以下に説明する。
ージ基板３００Ａ〜３００Ｄを積層して組み立て、キャ
ビティ内部にSAWフィルタチップを搭載したSAW分波器１
００について以下に説明する。
【００１６】まず、図２における並列腕SAW共振器２０
６及び２０７と接地電位との間に接続されるインダクタ
ンス回路２０８及び２０９の構成について説明する。SA
Wフィルタチップは、第１パッケージ基板３００Ａのキ
ャビティ３０１の内部であって、かつ第２パッケージ基
板３００Ｂにおける接地電位パターンの延在領域３１５
上に搭載される。そして、SAWフィルタチップにおける
低域側の通過周波数帯域を有するSAWフィルタ（本実施
例の場合、送信用SAWフィルタ１０４）の並列腕SAW共振
器２０６及び２０７が接続されているノードＮ４と、第
１パッケージ基板３００Ａ上の電極パッド３０２Ｃ又は
３０２Ｆとがボンディングワイヤを用いて接続される。
その結果、このボンディングワイヤによるインダクタン
ス成分を有するインダクタンス回路２０８がノードＮ４
と接地電位との間に形成される。
６及び２０７と接地電位との間に接続されるインダクタ
ンス回路２０８及び２０９の構成について説明する。SA
Wフィルタチップは、第１パッケージ基板３００Ａのキ
ャビティ３０１の内部であって、かつ第２パッケージ基
板３００Ｂにおける接地電位パターンの延在領域３１５
上に搭載される。そして、SAWフィルタチップにおける
低域側の通過周波数帯域を有するSAWフィルタ（本実施
例の場合、送信用SAWフィルタ１０４）の並列腕SAW共振
器２０６及び２０７が接続されているノードＮ４と、第
１パッケージ基板３００Ａ上の電極パッド３０２Ｃ又は
３０２Ｆとがボンディングワイヤを用いて接続される。
その結果、このボンディングワイヤによるインダクタン
ス成分を有するインダクタンス回路２０８がノードＮ４
と接地電位との間に形成される。
【００１７】さらに、電極パッド３０２Ｃ又は３０２Ｆ
は、スルーホール３０３Ｃ又は３０３Ｆ、第２パッケー
ジ基板３００Ｂ上の接地電位パターン３０９Ａ、複数の
スルーホール３１０、第４パッケージ基板３００Ｄに形
成された接地電位パターン３２４、接地端子としてのキ
ャスタレーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３２５Ｅ
〜３２５Ｉ、３２５Ｋ及び３２５Ｌを順次介すことによ
って接地電位に接続されている。すなわち、第２パッケ
ージ基板３００Ｂ上の接地電位パターン３０９Ａを接地
電位に接続させるのを、第２パッケージ基板３００Ｂ周
辺のキャスタレーション端子３１４Ｂ及び３１４Ｃ、３
１４Ｅ〜３１４Ｉ、３１４Ｋ及び３１４Ｌを介してでは
なく、第２及び第３パッケージ基板３００Ｂ及び３００
Ｃの中央領域に形成された複数のスルーホール３１０と
接地電位パターン３２４を介して行っている。その結
果、ワイヤボンディングされた電極パッド３０２Ｃ又は
３０２Ｆから接地電位までの距離を可能な限り大きくす
ることができるので、送信用SAWフィルタ１０４におけ
るノードＮ４と接地電位との間に、インダクタンス回路
２０８とは別個に新たなインダクタンス成分を有するイ
ンダクタンス回路２０９を付加することができる。
は、スルーホール３０３Ｃ又は３０３Ｆ、第２パッケー
ジ基板３００Ｂ上の接地電位パターン３０９Ａ、複数の
スルーホール３１０、第４パッケージ基板３００Ｄに形
成された接地電位パターン３２４、接地端子としてのキ
ャスタレーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３２５Ｅ
〜３２５Ｉ、３２５Ｋ及び３２５Ｌを順次介すことによ
って接地電位に接続されている。すなわち、第２パッケ
ージ基板３００Ｂ上の接地電位パターン３０９Ａを接地
電位に接続させるのを、第２パッケージ基板３００Ｂ周
辺のキャスタレーション端子３１４Ｂ及び３１４Ｃ、３
１４Ｅ〜３１４Ｉ、３１４Ｋ及び３１４Ｌを介してでは
なく、第２及び第３パッケージ基板３００Ｂ及び３００
Ｃの中央領域に形成された複数のスルーホール３１０と
接地電位パターン３２４を介して行っている。その結
果、ワイヤボンディングされた電極パッド３０２Ｃ又は
３０２Ｆから接地電位までの距離を可能な限り大きくす
ることができるので、送信用SAWフィルタ１０４におけ
るノードＮ４と接地電位との間に、インダクタンス回路
２０８とは別個に新たなインダクタンス成分を有するイ
ンダクタンス回路２０９を付加することができる。
【００１８】以上のように構成されたインダクタンス回
路２０９を備えたSAW分波器１００の送信用SAWフィルタ
１０４の周波数特性を、従来におけるSAW分波器の送信
用SAWフィルタの周波数特性と比較しながら以下に説明
する。図８は従来におけるSAW分波器の送信用SAWフィル
タの周波数特性を示す図であり、図９は本発明の第１の
実施の形態におけるSAW分波器の送信用SAWフィルタ１０
４の周波数特性を示す図である。両方の図とも、横軸に
周波数（MHz）を、縦軸に減衰量（dB）をとっている。
ここで、両方の周波数特性を比較すると、送信用SAWフ
ィルタの高域側の減衰領域（周波数が約870MHz〜約920M
Hz）、すなわち、受信用SAWフィルタの通過帯域におい
て、本発明の第１の実施の形態における送信用SAWフィ
ルタ１０４の減衰量が大きくなっていることが明らかで
ある。例えば、周波数が894MHzの時の減衰量を見ると、
従来の送信用SAWフィルタにおける減衰量は42.295dBで
あるが、本発明の第１の実施の形態の送信用SAWフィル
タ１０４における減衰量は44.429dBとなっており、上述
したインダクタンス回路２０９を設けることによって、
2.134dBの減衰量を増加させることができる。
路２０９を備えたSAW分波器１００の送信用SAWフィルタ
１０４の周波数特性を、従来におけるSAW分波器の送信
用SAWフィルタの周波数特性と比較しながら以下に説明
する。図８は従来におけるSAW分波器の送信用SAWフィル
タの周波数特性を示す図であり、図９は本発明の第１の
実施の形態におけるSAW分波器の送信用SAWフィルタ１０
４の周波数特性を示す図である。両方の図とも、横軸に
周波数（MHz）を、縦軸に減衰量（dB）をとっている。
ここで、両方の周波数特性を比較すると、送信用SAWフ
ィルタの高域側の減衰領域（周波数が約870MHz〜約920M
Hz）、すなわち、受信用SAWフィルタの通過帯域におい
て、本発明の第１の実施の形態における送信用SAWフィ
ルタ１０４の減衰量が大きくなっていることが明らかで
ある。例えば、周波数が894MHzの時の減衰量を見ると、
従来の送信用SAWフィルタにおける減衰量は42.295dBで
あるが、本発明の第１の実施の形態の送信用SAWフィル
タ１０４における減衰量は44.429dBとなっており、上述
したインダクタンス回路２０９を設けることによって、
2.134dBの減衰量を増加させることができる。
【００１９】また、本発明においては、電極パッド３０
２Ａからはスルーホール３０３Ａを介してマイクロスト
リップライン３２７が設けられている。このマイクロス
トリップライン３２７は、例えば、キャビティ３０１の
一辺に沿って、約0.2ｍｍの幅を有するように形成され
ている。従って、上述したように送信用SAWフィルタ１
０４と第１パッケージ基板３００Ａとを接続するボンデ
ィングワイヤを電極パッド３０２Ｃ又は３０２Ｆに接続
させるのではなく、このマイクロストリップライン３２
７上の所望の位置に接続させることが可能となる。その
結果、ボンディングワイヤをマイクロストリップライン
３２７上のどの位置に接続させるかによって、インダク
タンス回路２０９が有するインダクタンス成分の大きさ
を所望のSAW分波器特性が得られるように調整すること
が可能となる。さらに、本発明においては、第２〜第４
パッケージ基板に設けられたスルーホール３１０、３１
９、３２３の数を増減させることによって、インダクタ
ンス回路２０９の合成インダクタンス値を調節すること
も可能である。すなわち、スルーホール３１０、３１
９、３２３の数を増加させるとインダクタンス回路２０
９の合成インダクタンス値は小さくなり、逆にスルーホ
ール３１０、３１９、３２３の数を減少させるとインダ
クタンス回路２０９の合成インダクタンス値は大きくな
る。
２Ａからはスルーホール３０３Ａを介してマイクロスト
リップライン３２７が設けられている。このマイクロス
トリップライン３２７は、例えば、キャビティ３０１の
一辺に沿って、約0.2ｍｍの幅を有するように形成され
ている。従って、上述したように送信用SAWフィルタ１
０４と第１パッケージ基板３００Ａとを接続するボンデ
ィングワイヤを電極パッド３０２Ｃ又は３０２Ｆに接続
させるのではなく、このマイクロストリップライン３２
７上の所望の位置に接続させることが可能となる。その
結果、ボンディングワイヤをマイクロストリップライン
３２７上のどの位置に接続させるかによって、インダク
タンス回路２０９が有するインダクタンス成分の大きさ
を所望のSAW分波器特性が得られるように調整すること
が可能となる。さらに、本発明においては、第２〜第４
パッケージ基板に設けられたスルーホール３１０、３１
９、３２３の数を増減させることによって、インダクタ
ンス回路２０９の合成インダクタンス値を調節すること
も可能である。すなわち、スルーホール３１０、３１
９、３２３の数を増加させるとインダクタンス回路２０
９の合成インダクタンス値は小さくなり、逆にスルーホ
ール３１０、３１９、３２３の数を減少させるとインダ
クタンス回路２０９の合成インダクタンス値は大きくな
る。
【００２０】次に、図１における送信入力整合回路１０
５の構成について説明する。送信入力整合回路１０５
は、送信端子１０６及び電極パッド３０２Ｅの間に接続
されたストリップライン３０６と、送信端子１０６に接
続されたオープンスタブ３０７と、電極パッド３０２Ｅ
にスルーホール３０３Ｅ及を介して接続されたオープン
スタブ３１７とで構成される。電極パッド３０２Ｅは、
キャビティ３０１内に配置されたSAWフィルタチップの
送信用SAWフィルタ１０４の入力端子２０１Ａに接続さ
れる。そして、送信入力整合回路１０５の等価回路を示
すと図５のような回路構成になる。つまり、ストリップ
ライン３０６は送信端子１０６と送信用SAWフィルタ１
０４との間においてインダクタンス成分を形成し、オー
プンスタブ３０７及び３１７はストリップライン３０６
と接地電位との間においてキャパシタンス成分を形成す
る。また、送信端子１０６は、第２パッケージ基板３０
０Ｂのキャスタレーション端子３１４Ｊ及び第３パッケ
ージ基板３００Ｃのキャスタレーション端子３２２Ｊの
側面部分に塗布された導電性物質を介して、第４パッケ
ージ基板３００Ｄのキャスタレーション端子３２５Ｊに
接続される。そして、SAW分波器を実装基板に搭載する
際に、第４パッケージ基板３００Ｄのキャスタレーショ
ン端子３２５Ｊ及びパッド部３３０Ｊに半田を供給す
る。その結果、SAW分波器の送信端子１０６を、実装基
板を介して、電力増幅器１１１に接続させることが可能
となる。
５の構成について説明する。送信入力整合回路１０５
は、送信端子１０６及び電極パッド３０２Ｅの間に接続
されたストリップライン３０６と、送信端子１０６に接
続されたオープンスタブ３０７と、電極パッド３０２Ｅ
にスルーホール３０３Ｅ及を介して接続されたオープン
スタブ３１７とで構成される。電極パッド３０２Ｅは、
キャビティ３０１内に配置されたSAWフィルタチップの
送信用SAWフィルタ１０４の入力端子２０１Ａに接続さ
れる。そして、送信入力整合回路１０５の等価回路を示
すと図５のような回路構成になる。つまり、ストリップ
ライン３０６は送信端子１０６と送信用SAWフィルタ１
０４との間においてインダクタンス成分を形成し、オー
プンスタブ３０７及び３１７はストリップライン３０６
と接地電位との間においてキャパシタンス成分を形成す
る。また、送信端子１０６は、第２パッケージ基板３０
０Ｂのキャスタレーション端子３１４Ｊ及び第３パッケ
ージ基板３００Ｃのキャスタレーション端子３２２Ｊの
側面部分に塗布された導電性物質を介して、第４パッケ
ージ基板３００Ｄのキャスタレーション端子３２５Ｊに
接続される。そして、SAW分波器を実装基板に搭載する
際に、第４パッケージ基板３００Ｄのキャスタレーショ
ン端子３２５Ｊ及びパッド部３３０Ｊに半田を供給す
る。その結果、SAW分波器の送信端子１０６を、実装基
板を介して、電力増幅器１１１に接続させることが可能
となる。
【００２１】次に、図１におけるアンテナ端整合回路１
０３の構成について説明する。アンテナ端整合回路１０
３は、第１パッケージ基板３００Ａ上に形成されたスト
リップライン３０５と、第３パッケージ基板３００Ｃ上
に形成されたオープンスタブ３１６とによって構成され
る。つまり、ストリップライン３０５はインダクタンス
成分を、オープンスタブ３１６はキャパシタンス成分を
それぞれ形成する。そして、ストリップライン３０５
は、一方では電極パッド３０２Ｂを介してボンディング
ワイヤによって送信用SAWフィルタ１０４に接続され、
他方ではスルーホール３０３Ｂ、第３パッケージ基板３
００Ｃ上の分波線路１０７、スルーホール３０３Ｈ、電
極パッド３０２Ｈ及びボンディングワイヤを介して受信
用SAWフィルタ１０８に接続される。従って、アンテナ
端整合回路１０３の回路構成は図６に示すようになる。
また、アンテナ端子１０２は、第２パッケージ基板３０
０Ｂのキャスタレーション端子３１４及び第３パッケー
ジ基板３００Ｃのキャスタレーション端子３２２Ａの側
面部分に塗布された導電性物質を介して、第４パッケー
ジ基板３００Ｄのキャスタレーション端子３２５Ａ及び
パッド部３３０Ａに接続される。
０３の構成について説明する。アンテナ端整合回路１０
３は、第１パッケージ基板３００Ａ上に形成されたスト
リップライン３０５と、第３パッケージ基板３００Ｃ上
に形成されたオープンスタブ３１６とによって構成され
る。つまり、ストリップライン３０５はインダクタンス
成分を、オープンスタブ３１６はキャパシタンス成分を
それぞれ形成する。そして、ストリップライン３０５
は、一方では電極パッド３０２Ｂを介してボンディング
ワイヤによって送信用SAWフィルタ１０４に接続され、
他方ではスルーホール３０３Ｂ、第３パッケージ基板３
００Ｃ上の分波線路１０７、スルーホール３０３Ｈ、電
極パッド３０２Ｈ及びボンディングワイヤを介して受信
用SAWフィルタ１０８に接続される。従って、アンテナ
端整合回路１０３の回路構成は図６に示すようになる。
また、アンテナ端子１０２は、第２パッケージ基板３０
０Ｂのキャスタレーション端子３１４及び第３パッケー
ジ基板３００Ｃのキャスタレーション端子３２２Ａの側
面部分に塗布された導電性物質を介して、第４パッケー
ジ基板３００Ｄのキャスタレーション端子３２５Ａ及び
パッド部３３０Ａに接続される。
【００２２】次に、図１における受信出力整合回路１０
９の構成について説明する。受信出力整合回路１０９
は、第１パッケージ基板３００Ａ上に形成されたストリ
ップライン３０８と、第３パッケージ基板３００Ｃ上に
形成されたオープンスタブ３１８とで構成される。つま
り、ストリップライン３０８はインダクタンス成分を、
オープンスタブ３１８はキャパシタンス成分をそれぞれ
形成する。従って、受信出力整合回路１０９の回路構成
は図７に示すようになる。そして、ストリップライン３
０８が接続されている電極パッド３０２Ｋは受信用SAW
フィルタ１０８に接続される。受信端子１１０は、第２
パッケージ基板３００Ｂのキャスタレーション端子３１
４Ｄ及び第３パッケージ基板３００Ｃのキャスタレーシ
ョン端子３２２Ｄの側面部分に塗布された導電性物質を
介して、第４パッケージ基板３００Ｄのキャスタレーシ
ョン端子３２５Ｄに接続される。そして、SAW分波器を
実装基板に搭載する際に、第４パッケージ基板３００Ｄ
のキャスタレーション端子３２５Ｄ及びパッド部３３０
Ｄに半田を供給する。その結果、SAW分波器の受信端子
１１０を、実装基板を介して、受信回路１１２に接続さ
せることが可能となる。
９の構成について説明する。受信出力整合回路１０９
は、第１パッケージ基板３００Ａ上に形成されたストリ
ップライン３０８と、第３パッケージ基板３００Ｃ上に
形成されたオープンスタブ３１８とで構成される。つま
り、ストリップライン３０８はインダクタンス成分を、
オープンスタブ３１８はキャパシタンス成分をそれぞれ
形成する。従って、受信出力整合回路１０９の回路構成
は図７に示すようになる。そして、ストリップライン３
０８が接続されている電極パッド３０２Ｋは受信用SAW
フィルタ１０８に接続される。受信端子１１０は、第２
パッケージ基板３００Ｂのキャスタレーション端子３１
４Ｄ及び第３パッケージ基板３００Ｃのキャスタレーシ
ョン端子３２２Ｄの側面部分に塗布された導電性物質を
介して、第４パッケージ基板３００Ｄのキャスタレーシ
ョン端子３２５Ｄに接続される。そして、SAW分波器を
実装基板に搭載する際に、第４パッケージ基板３００Ｄ
のキャスタレーション端子３２５Ｄ及びパッド部３３０
Ｄに半田を供給する。その結果、SAW分波器の受信端子
１１０を、実装基板を介して、受信回路１１２に接続さ
せることが可能となる。
【００２３】以上のように、本発明の第１の実施の形態
におけるSAW分波器によれば、低域側の通過周波数帯域
を有する送信用SAWフィルタ１０４内の並列腕SAW共振器
２０６及び２０７と接続された第１パッケージ基板３０
０Ａの電極パッド３０２Ｃ又は３０２Ｆを、第２及び第
３パッケージ基板３００Ｂ及び３００Ｃに設けられた複
数のスルーホール３１０及び３１９を介して、第４パッ
ケージ基板３００Ｄに形成された接地電位パターン３２
４に接続させるので、送信用SAWフィルタ１０４におい
て新たなインダクタンス回路２０９を付加することがで
きる。その結果、SAW分波器１００における通過周波数
帯域外での減衰量を大きくすることができ、SAW分波器
１００の周波数特性を向上させることができる。また、
スルーホール３０３Ａにはストリップライン３２７を接
続させるように設け、送信用SAWフィルタ１０４内の並
列腕SAW共振器２０６及び２０７とのボンディングワイ
ヤによる接続をストリップライン３２７を介して行うよ
うにするので、その接続位置によってインダクタンス回
路２０９のインダクタンス値を調整することが可能とな
る。その結果、所望の周波数特性を有するSAW分波器を
容易に実現することができる。
におけるSAW分波器によれば、低域側の通過周波数帯域
を有する送信用SAWフィルタ１０４内の並列腕SAW共振器
２０６及び２０７と接続された第１パッケージ基板３０
０Ａの電極パッド３０２Ｃ又は３０２Ｆを、第２及び第
３パッケージ基板３００Ｂ及び３００Ｃに設けられた複
数のスルーホール３１０及び３１９を介して、第４パッ
ケージ基板３００Ｄに形成された接地電位パターン３２
４に接続させるので、送信用SAWフィルタ１０４におい
て新たなインダクタンス回路２０９を付加することがで
きる。その結果、SAW分波器１００における通過周波数
帯域外での減衰量を大きくすることができ、SAW分波器
１００の周波数特性を向上させることができる。また、
スルーホール３０３Ａにはストリップライン３２７を接
続させるように設け、送信用SAWフィルタ１０４内の並
列腕SAW共振器２０６及び２０７とのボンディングワイ
ヤによる接続をストリップライン３２７を介して行うよ
うにするので、その接続位置によってインダクタンス回
路２０９のインダクタンス値を調整することが可能とな
る。その結果、所望の周波数特性を有するSAW分波器を
容易に実現することができる。
【００２４】次に、本発明の第２の実施の形態における
SAW分波器について説明する。
SAW分波器について説明する。
【００２５】本発明の第２の実施の形態におけるSAW分
波器は、第１の実施の形態に係るSAW分波器において、
封止用パッケージ基板のほぼ全面に亘って導電パターン
３２９を形成し、この導電パターン３２９を接地電位に
接続させていることを特徴としている。
波器は、第１の実施の形態に係るSAW分波器において、
封止用パッケージ基板のほぼ全面に亘って導電パターン
３２９を形成し、この導電パターン３２９を接地電位に
接続させていることを特徴としている。
【００２６】まず、図１０（ａ）において、第１パッケ
ージ基板３００Ａ上に配置される第５パッケージ基板３
００Ｅの構造を示す。この第５パッケージ基板３００Ｆ
の周辺にはキャスタレーション端子３３１Ａ〜３３１Ｌ
が形成されており、また中央部にはSAWフィルタチップ
を内蔵するためにキャビティ３３３が設けられている。
第５パッケージ基板３００Ｅ上には、キャスタレーショ
ン端子３３１Ｂ及び３３１Ｃ、３３１Ｅ〜３３１Ｉ、３
３１Ｋ及び３３１Ｌに接続されるように、導電パターン
３３２が形成されている。
ージ基板３００Ａ上に配置される第５パッケージ基板３
００Ｅの構造を示す。この第５パッケージ基板３００Ｆ
の周辺にはキャスタレーション端子３３１Ａ〜３３１Ｌ
が形成されており、また中央部にはSAWフィルタチップ
を内蔵するためにキャビティ３３３が設けられている。
第５パッケージ基板３００Ｅ上には、キャスタレーショ
ン端子３３１Ｂ及び３３１Ｃ、３３１Ｅ〜３３１Ｉ、３
３１Ｋ及び３３１Ｌに接続されるように、導電パターン
３３２が形成されている。
【００２７】そして、この第５パッケージ基板３００Ｅ
の上には封止用キャップ３００Ｆが配置されるが、その
構造を図１０（ｂ）に示す。この封止用キャップ３００
Ｆは第１パッケージ基板３００Ａ上に配置され、その封
止用キャップ３００Ｆの周辺には、アンテナ端子１０
２、送信端子１０６、受信端子１１０等の封止を避ける
ように加工された凹部３２８Ａ〜３２８Ｄが形成されて
いる。また、封止用キャップ３００Ｆは、第５パッケー
ジ基板３００Ｅ上に導電性樹脂を塗布することによっ
て、第５パッケージ基板３００Ｅ上に配置される。
の上には封止用キャップ３００Ｆが配置されるが、その
構造を図１０（ｂ）に示す。この封止用キャップ３００
Ｆは第１パッケージ基板３００Ａ上に配置され、その封
止用キャップ３００Ｆの周辺には、アンテナ端子１０
２、送信端子１０６、受信端子１１０等の封止を避ける
ように加工された凹部３２８Ａ〜３２８Ｄが形成されて
いる。また、封止用キャップ３００Ｆは、第５パッケー
ジ基板３００Ｅ上に導電性樹脂を塗布することによっ
て、第５パッケージ基板３００Ｅ上に配置される。
【００２８】さらに、第４パッケージ基板３００Ｄにお
けるキャスタレーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３
２５Ｅ及び３２５Ｆ、３２５Ｈ及び３２５Ｉ、３２５Ｋ
及び３２５Ｌと、それらの形成位置に対応する第１〜第
３パッケージ基板３００Ａ〜３００Ｃにおけるキャスタ
レーション端子の側面部分に導電性物質を塗布すること
によって、封止用キャップ３００Ｆの導電パターン３２
９と、第４パッケージ基板３００Ｄの接地電位パターン
３２４とを接続させることができる。
けるキャスタレーション端子３２５Ｂ及び３２５Ｃ、３
２５Ｅ及び３２５Ｆ、３２５Ｈ及び３２５Ｉ、３２５Ｋ
及び３２５Ｌと、それらの形成位置に対応する第１〜第
３パッケージ基板３００Ａ〜３００Ｃにおけるキャスタ
レーション端子の側面部分に導電性物質を塗布すること
によって、封止用キャップ３００Ｆの導電パターン３２
９と、第４パッケージ基板３００Ｄの接地電位パターン
３２４とを接続させることができる。
【００２９】従って、導電パターン３２９を接地電位と
することが可能となる。つまり、SAW分波器１００内部
の送受信用SAWフィルタ１０４及び１０８、送信入力整
合回路１０５、分波線路１０７、受信出力整合回路１０
９、アンテナ端整合回路１０３の各回路を接地電位と接
続された導電性のパターンによって囲ることができる。
その結果、ノイズ等の外的信号が、SAW分波器１００内
部の送受信用SAWフィルタ１０４及び１０８、送信入力
整合回路１０５、分波線路１０７、受信出力整合回路１
０９、アンテナ端整合回路１０３の各回に対して与える
影響を抑制することができ、SAW分波器１００における
通過周波数帯域外での減衰量を良好に維持することがで
きる。
することが可能となる。つまり、SAW分波器１００内部
の送受信用SAWフィルタ１０４及び１０８、送信入力整
合回路１０５、分波線路１０７、受信出力整合回路１０
９、アンテナ端整合回路１０３の各回路を接地電位と接
続された導電性のパターンによって囲ることができる。
その結果、ノイズ等の外的信号が、SAW分波器１００内
部の送受信用SAWフィルタ１０４及び１０８、送信入力
整合回路１０５、分波線路１０７、受信出力整合回路１
０９、アンテナ端整合回路１０３の各回に対して与える
影響を抑制することができ、SAW分波器１００における
通過周波数帯域外での減衰量を良好に維持することがで
きる。
【００３０】
【発明の効果】本発明における分波器によれば、第１通
過周波数帯域帯域を有する第１弾性表面波フィルタと、
第１通過周波数帯域よりも低い第２通過周波数帯域を有
し、直列腕弾性表面波共振器及び並列腕弾性表面波共振
器を含む第２弾性表面波フィルタとが多層パッケージ基
板に搭載されたを備えた弾性表面波分波器において、多
層パッケージ基板を第１〜第３パッケージ基板を用いて
構成し、第１パッケージ基板上には電極パッドを形成
し、第２パッケージ基板上には、第１パッケージ基板上
の電極パッドと接続され、かつ第２パッケージ基板の中
央領域に延在する第１接地電位パターンを形成し、第３
パッケージ基板上には第２接地電位パターンを形成し、
第２弾性表面波フィルタにおける並列腕弾性表面波共振
器の一端を、第１パッケージ基板上の電極パッドと第１
及び第２接地電位パターンとを介して接地電位に接続さ
せることにより、SAW分波器の周波数特性をより向上さ
せることができる。
過周波数帯域帯域を有する第１弾性表面波フィルタと、
第１通過周波数帯域よりも低い第２通過周波数帯域を有
し、直列腕弾性表面波共振器及び並列腕弾性表面波共振
器を含む第２弾性表面波フィルタとが多層パッケージ基
板に搭載されたを備えた弾性表面波分波器において、多
層パッケージ基板を第１〜第３パッケージ基板を用いて
構成し、第１パッケージ基板上には電極パッドを形成
し、第２パッケージ基板上には、第１パッケージ基板上
の電極パッドと接続され、かつ第２パッケージ基板の中
央領域に延在する第１接地電位パターンを形成し、第３
パッケージ基板上には第２接地電位パターンを形成し、
第２弾性表面波フィルタにおける並列腕弾性表面波共振
器の一端を、第１パッケージ基板上の電極パッドと第１
及び第２接地電位パターンとを介して接地電位に接続さ
せることにより、SAW分波器の周波数特性をより向上さ
せることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるSAW分波器
の構成例を概略的に示したブロック図である。
の構成例を概略的に示したブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における低域側の通
過周波数帯域を有する送信用SAWフィルタの回路構成を
示す図である。
過周波数帯域を有する送信用SAWフィルタの回路構成を
示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるSAW分波器
パッケージ基板の平面図である。
パッケージ基板の平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるSAW分波器
パッケージ基板の平面図である。
パッケージ基板の平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における送信入力整
合回路の回路図である。
合回路の回路図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態におけるアンテナ端
整合回路の回路図である。
整合回路の回路図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態における受信出力整
合回路の回路図である。
合回路の回路図である。
【図８】本発明の従来におけるSAW分波器の周波数特性
を示す図である。
を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態におけるSAW分波器
の周波数特性を示す図である。
の周波数特性を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態におけるSAW分波
器の封止用キャップ及びSAW分波器パッケージ基板の平
面図である。
器の封止用キャップ及びSAW分波器パッケージ基板の平
面図である。
100：SAW分波器
101：アンテナ
102：アンテナ端子
103：アンテナ端整合回路
104：送信用SAWフィルタ
105：送信入力整合回路
106：送信端子
107：分波線路
108：受信用SAWフィルタ
109：受信出力整合回路
110：受信端子
111：電力増幅器
112：受信回路
201A，201B：入力端子
202A，202B：出力端子
203〜205：直列腕SAW共振器
206，207：並列腕SAW共振器
208，209：インダクタンス回路
300A〜300E：第１〜第５パッケージ基板
300F：封止用キャップ
301，333：キャビティ
302A〜302K：電極パッド
303A〜303L，310，312，313：スルーホール
304，305，306，308：ストリップライン
07，316，317，318：オープンスタブ
09A，309B，324：接地電位パターン
11A〜311I，320，321，326：接続点
14A〜314L，322A〜322L，325A〜325L，331A〜331L：キ
ャスタレーション端子 27：マイクロストリップライン 28A〜328D：凹部 329，332：導電パターン 330：パッド部
ャスタレーション端子 27：マイクロストリップライン 28A〜328D：凹部 329，332：導電パターン 330：パッド部
Claims (7)
- 【請求項１】 第１通過周波数帯域帯域を有する第１弾
性表面波フィルタと、前記第１通過周波数帯域よりも低
い第２通過周波数帯域を有し、直列腕弾性表面波共振器
及び並列腕弾性表面波共振器を含む第２弾性表面波フィ
ルタとが多層パッケージ基板に搭載されたを備えた弾性
表面波分波器において、 前記多層パッケージ基板は第１〜第３パッケージ基板か
ら構成されており、 前記第１パッケージ基板上には電極パッドが形成されて
おり、 前記第２パッケージ基板上には、前記電極パッドと接続
され、かつ前記第２パッケージ基板の中央領域に延在す
る第１接地電位パターンが形成されており、 前記第３パッケージ基板上には、第２接地電位パターン
が形成されており、 前記第２弾性表面波フィルタにおける前記並列腕弾性表
面波共振器の一端は、前記電極パッド、前記第１及び第
２接地電位パターンを介して接地電位に接続されること
を特徴とする弾性表面波分波器。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波分波器におい
て、 前記第１パッケージ基板上には前記電極パッドに接続さ
れるストリップラインが形成されており、 前記第２弾性表面波フィルタにおける前記並列腕弾性表
面波共振器の一端は、金属線によって前記ストリップラ
インに接続されていることを特徴とする弾性表面波分波
器。 - 【請求項３】 請求項１記載の弾性表面波分波器におい
て、 前記第２パッケージ基板には複数のスルーホールが形成
されており、 前記第１及び第２接地電位パターンは、前記複数のスル
ーホール内に供給された導電性物質によって接続されて
いることを特徴とする弾性表面波分波器。 - 【請求項４】 請求項１記載の弾性表面波分波器におい
て、 前記第２接地電位パターンは、前記第３パッケージ基板
の実質的に全面に亘って形成されていることを特徴とす
る弾性表面波分波器。 - 【請求項５】 請求項４記載の弾性表面波分波器におい
て、 前記第１パッケージ基板上に配置される封止キャップを
有しており、 前記封止キャップ上には導電性物質が実質的に全面に亘
って供給されていることを特徴とする弾性表面波分波
器。 - 【請求項６】 請求項１記載の弾性表面波分波器におい
て、 前記第１パッケージ基板上には、前記第２弾性表面波フ
ィルタ接続され、かつインダクタンス成分を提供するス
トリップラインが形成されており、 前記第２パッケージ基板上には、前記第２弾性表面波フ
ィルタ接続され、かつキャパシタ成分を提供するオープ
ンスタブが形成されていることを特徴とする弾性表面波
分波器。 - 【請求項７】 請求項１記載の弾性表面波分波器におい
て、 前記第１パッケージ基板上には、前記第１弾性表面波フ
ィルタ接続され、かつインダクタンス成分を提供するス
トリップラインが形成されており、 前記第２パッケージ基板上には、前記第１弾性表面波フ
ィルタ接続され、かつキャパシタ成分を提供するオープ
ンスタブが形成されていることを特徴とする弾性表面波
分波器。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000157563A JP3363870B2 (ja) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | 弾性表面波分波器 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000157563A JP3363870B2 (ja) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | 弾性表面波分波器 |
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|---|---|
| JP2001339273A JP2001339273A (ja) | 2001-12-07 |
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Family
ID=18662176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP3614369B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2005-01-26 | 沖電気工業株式会社 | 有極型ｓａｗフィルタ |
| JP3973915B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 株式会社日立メディアエレクトロニクス | 高周波フィルタ、高周波回路、アンテナ共用器及び無線端末 |
| US6690251B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
| US7746292B2 (en) | 2001-04-11 | 2010-06-29 | Kyocera Wireless Corp. | Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| JP3509773B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2004-03-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
| JP3900013B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2007-04-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波分波器、通信装置 |
| JP4000960B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2007-10-31 | 株式会社村田製作所 | 分波器、通信装置 |
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| US7180467B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-20 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for dual-band antenna matching |
| EP1365509B1 (en) * | 2002-05-16 | 2007-05-16 | TDK Corporation | Antenna duplexer |
| JP2003347963A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-05 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高周波複合部品 |
| KR20040052286A (ko) * | 2002-12-16 | 2004-06-23 | 삼성전기주식회사 | 고주파 복합 부품 |
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| JP3967289B2 (ja) | 2003-04-30 | 2007-08-29 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器及び電子装置 |
| US20040227585A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-18 | Norio Taniguchi | Surface acoustic wave branching filter |
| US7023297B2 (en) | 2003-05-14 | 2006-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave branching filter |
| US7720443B2 (en) | 2003-06-02 | 2010-05-18 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for filtering time division multiple access telephone communications |
| JP2005124139A (ja) | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | 分波器、通信機 |
| US7123883B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-10-17 | Nokia Corporation | Systems and methods that employ a balanced duplexer |
| CN100530958C (zh) * | 2003-10-16 | 2009-08-19 | 京瓷株式会社 | 复合型分波电路、用其的芯片零件、高频模块及无线通信设备 |
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-
2000
- 2000-05-29 JP JP2000157563A patent/JP3363870B2/ja not_active Expired - Lifetime
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