JP6508920B2 - 弾性波デバイスおよび送受信デバイス - Google Patents
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Description
11−13 層
16−18 貫通ビア
20−23 導電層
25−28 シールド層
30、32 チップ
31 空隙
34 封止部
35 開口
36 バンプ
38 電極
39 環状電極
34 封止部
50、52 フィルタ
Claims (11)
- 各々が弾性波素子を有し通過帯域が重ならない複数のフィルタが形成された弾性波チップと、
上面に前記弾性波チップが搭載された多層基板と、
前記多層基板の下面に形成され、前記複数のフィルタのグランド電極に電気的に接続された第1グランド端子と、
前記多層基板の下面に形成された第2グランド端子と、
前記多層基板の前記下面に形成され、前記複数のフィルタの信号電極にそれぞれ接続された複数の信号端子と、
前記多層基板の前記上面と、前記下面と、前記下面と前記上面との間と、の少なくとも1つの面に前記複数のフィルタと重なるように形成され、前記第1グランド端子と前記多層基板内、前記多層基板の上面および下面並びに前記弾性波チップのいずれにおいても電気的に接続せず、前記第2グランド端子と電気的に接続されたシールド層と、
前記少なくとも1つの面に形成され、前記グランド電極と前記第1グランド端子とを電気的に接続する第1配線と、
前記少なくとも1つの面に形成され、前記複数のフィルタの信号電極と前記複数の信号端子とをそれぞれ接続する複数の第2配線と、
を具備し、
前記少なくとも1つの面において、前記シールド層は前記第1配線および前記複数の第2配線を各々囲み、前記第1配線および前記複数の第2配線の各々の間に設けられていることを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記シールド層は開口を有し、前記第1グランド端子と前記複数のフィルタのグランド電極とは前記開口内に形成された配線を介し電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記シールド層は前記多層基板の前記上面に形成されていることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。
- 前記多層基板の上面に形成され、前記グランド電極に接合されたパッドを具備し、
前記シールド層は開口を有し、前記パッドは、前記開口内に形成されていることを特徴とする請求項3記載の弾性波デバイス。 - 前記シールド層は、前記多層基板の内部に形成された導電層のうち最も上の導電層に設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記弾性波チップは複数の弾性波チップを含み、
前記複数のフィルタはそれぞれ前記複数の弾性波チップに形成され、
前記シールド層は、前記複数の弾性波チップの間の領域に重なるように形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記多層基板の上面に形成され、前記弾性波チップを囲む環状電極を具備し、
前記環状電極は、前記多層基板内において前記シールド層と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記複数のフィルタは送信フィルタおよび受信フィルタであり、
前記弾性波チップは、前記送信フィルタが形成された送信フィルタチップと前記受信フィルタが形成された受信フィルタチップとを含み、
前記複数の信号端子は、送信端子、受信端子および共通端子を含み、
前記送信フィルタは前記共通端子と前記送信端子との間に電気的に接続され、前記受信フィルタは前記共通端子と前記受信端子との間に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記送信フィルタは、前記共通端子と前記送信端子との間に直列に接続され前記弾性波素子である第1直列共振器と、前記共通端子と前記送信端子との間に並列に接続され前記弾性波素子である第1並列共振器と、を備え、
前記第1並列共振器のグランド側の端子は前記グランド電極に電気的に接続され、
前記受信フィルタは、前記共通端子と前記受信端子との間に直列に接続され前記弾性波素子である第2直列共振器と、前記共通端子と前記受信端子との間に並列に接続され前記弾性波素子である第2並列共振器と、を備え、
前記第2並列共振器のグランド側の端子は前記グランド電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項8記載の弾性波デバイス。 - 前記第1グランド端子は、前記送信フィルタのグランド電極に電気的に接続された第3グランド端子と、前記受信フィルタのグランド電極に電気的に接続された第4グランド端子と、を含み、
前記第1配線は、前記送信フィルタのグランド電極と前記第3グランド端子とを電気的に接続する第3配線と、前記受信フィルタのグランド電極と前記第4グランド端子とを電気的に接続する第4配線と、を含み、
前記少なくとも1つの面において、前記シールド層は前記第3配線および前記第4配線を各々囲み、前記第3配線と前記第4配線との間に設けられている請求項8または9記載の弾性波デバイス。 - 前記第1グランド端子および前記第2グランド端子がそれぞれ実装基板のグランドに独立して接続されるように請求項1から10のいずれか一項記載の弾性波デバイスが実装されたことを特徴とする送受信デバイス。
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JP4518870B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置および通信装置 |
DE102005032058B4 (de) * | 2005-07-08 | 2016-12-29 | Epcos Ag | HF-Filter mit verbesserter Gegenbandunterdrückung |
JP4585431B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2010-11-24 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器 |
WO2007145049A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波分波器 |
JP5146019B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 高周波モジュールとこれを用いた電子機器 |
JP5144379B2 (ja) | 2008-06-09 | 2013-02-13 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
JP2011171540A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | モジュールの製造方法 |
WO2013011649A1 (ja) * | 2011-07-20 | 2013-01-24 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
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