JP2005151287A - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】 共振器の搭載された電子部品において、伝送線路の引き回しによる周波数特性の悪化を防止する。
【解決手段】 一方端が第１の主面１４ａに、他方端が第２の主面１４ｂに開口した第１のスルーホール２３ａ、および一方端が第２の主面１４ａに開口して第１のスルーホール２３ａと接続され、他方端が位相整合回路１３に接続された第２のスルーホール２３ｂが形成され、第１のスルーホール２３ａに位置する外部接続端子を含む複数の外部接続端子が第１の主面１４ａに形成された実装基板１４と、第２の主面１４ｂに搭載されるとともに第２の主面１４ｂにおいてバンプ２１により第２のスルーホール２３ｂと接続された第１のフィルタ１１と、第２の主面１４ｂに搭載されるとともに第２の主面１４ｂにおいてバンプ２１を介して位相整合回路１３と接続された第２のフィルタ１２とを有する構成とする。
【選択図】 図５

Description

本発明は電子部品に関し、特に共振器が用いられた電子部品に関するものである。
今日、目覚ましい普及を見せている携帯電話に代表される移動体通信機器は、小型化が急速に進められている。それに伴って、移動体通信機器に使用される部品には、小型化および高性能化が要求されている。
このような移動体通信機器における送信信号と受信信号との分岐、生成を行うために、分波器（電子部品）が用いられている。分波器は、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ、あるいはこれらの組み合わせにより構成されたものがあるが、一層の小型化および高性能化を達成するために、相互に異なる帯域中心周波数を有する２つのフィルタ（共振器）から構成されたものがある。
ここで、異なる帯域中心周波数を有する２つのフィルタを使用した分波器の機能的な構成を図９に示す。図９に示す分波器（電子部品）１０では、第２のフィルタ１２に位相整合回路１３が装荷され、双方のフィルタ１１，１２のインピーダンス特性について位相の変化によって整合がとられている。そして、共通端子Ｃから延びた分岐点Ａに対して、第１のフィルタ１１と位相整合回路１３が接続されている。また、第１のフィルタ１１と第２のフィルタ１２には、分波された信号の入出力端子Ｓ１，Ｓ２がそれぞれ接続されている。
図９の分波器の構造を図１０に示す。図１０において、分波器は、５層からなり第１のフィルタ１１と第２のフィルタ１２とが搭載された実装基板１４と、フィルタ１１，１２を包囲するようにして取り付けられた枠体１５と、枠体１５に固定されてフィルタ１１，１２を封止するシールド蓋１６とを備えている。
実装基板１４には、第１の主面１４ａに共通端子Ｃ、入出力端子Ｓ１，Ｓ２（入出力端子Ｓ１は図示せず）およびグランド端子（図示せず）が形成され、第２の主面１４ｂにフィルタ１１，１２が実装されている。また、実装基板１４には、位相整合回路１３を積層方向から挟むようにして２つのグランド層１７ａ，１７ｂが形成されている。さらに、実装基板１４には、一方端が第１の主面１４ａに開口し、他方端が第２の主面１４ｂに開口して内部に導体が配されたスルーホール１８が形成されている。そして、スルーホール１８の第１の主面１４ａは共通端子Ｃが位置しており、第２の主面１４ｂはボンディングパッドを介してボンディングワイヤ１９により第１のフィルタ１１と接続されている。さらに、前述した位相整合回路１３の一方側はこのようなスルーホール１８の途中位置、すなわち分岐点Ａに接続され、他方側は第２のフィルタ１２に接続されている。
なお、位相整合回路を有する分波器におけるフィルタの接続については、たとえば特開２００２−２３７７３９号公報に記載されている。
特開２００２−２３７７３９号公報
以上に説明した分波器においては、共通端子Ｃから２つのフィルタ１１，１２へ分岐される分岐点Ａの位置が第１のフィルタ１１から物理的に離れた構造となる。これを等価回路で示すと、図１１のように、第１のフィルタ１１と分岐点Ａとの間に寄生電気長成分を含んでしまい、整合性にずれが生じて周波数特性が悪化する。
そして、このような伝送線路の引き回しに起因する周波数特性の悪化は、分波器のみならず、広く共振器の搭載された電子部品に共通のものである。
そこで、本発明は、共振器の搭載された電子部品において、伝送線路の引き回しによる周波数特性の悪化を防止することのできる技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品は、一方端が第１の主面に開口するとともに他方端が前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面に開口したスルーホールが形成され、前記スルーホールに位置する外部接続端子を含む複数の外部接続端子が第１の主面に形成された実装基板と、前記実装基板の前記第２の主面に搭載されるとともに前記第２の主面において電気的接続手段により前記スルーホールと接続され、所定の帯域中心周波数を有する共振器と、を有することを特徴とする。
また、上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品は、一方端が第１の主面に開口するとともに他方端が前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面に開口した第１のスルーホール、および一方端が前記第２の主面に開口して前記第１のスルーホールと接続されるとともに他方端が位相整合回路に接続された第２のスルーホールが形成され、前記第１のスルーホールに位置する外部接続端子を含む複数の外部接続端子が第１の主面に形成された実装基板と、前記実装基板の前記第２の主面に搭載されるとともに前記第２の主面において電気的接続手段により前記第１のスルーホールまたは前記第２のスルーホールと接続され、所定の帯域中心周波数を有する第１の共振器と、同じく前記実装基板の前記第２の主面に搭載されるとともに前記第２の主面において電気的接続手段を介して前記位相整合回路と接続され、前記第１の共振器とは異なる帯域中心周波数を有する第２の共振器と、を有することを特徴とする。
本発明の好ましい形態において、前記第１の主面に形成された前記外部接続端子は共通端子、グランド端子および入出力端子の少なくとも何れか一種類であり、前記スルーホールまたは前記第１のスルーホールに位置する外部接続端子はこれらの端子の何れかであることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記電気的接続手段は、バンプまたはボンディングワイヤであることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記共振器、または前記第１の共振器および前記第２の共振器は、圧電膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電共振器であることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記共振器、または前記第１の共振器および前記第２の共振器は、圧電体の表面を伝搬する弾性表面波により所定の共振周波数の信号を得る弾性表面波共振器であることを特徴とする。
本発明のさらに好ましい形態において、前記電子部品は、滴下された樹脂により前記共振器、または前記第１の共振器および前記第２の共振器がシールドされたチップサイズパッケージ構造を有することを特徴とする。
本発明によれば以下の効果を奏することができる。
すなわち、本発明によれば、外部接続端子につながるスルーホールに対して第２の主面において共振器が電気的接続手段により接続されているので、外部接続端子から共振器までの信号の伝送経路が短くなって信号の伝達ロスが軽減され、伝送線路の引き回しによる周波数特性の悪化を防止することが可能になる。
また、本発明によれば、第１の主面において外部接続端子につながる第１のスルーホールが第２の主面において第２のスルーホールとつながり、第１の共振器は第２の主面において第１のスルーホールまたは第２のスルーホールと電気的に接続されている。そして、第２のスルーホールが、第２の共振器と接続された位相整合回路と接続されているので、外部接続端子から第１の共振器までの信号の伝送経路が短くなって信号の伝達ロスが軽減され、伝送線路の引き回しによる周波数特性の悪化を防止することが可能になる。
特に、外部接続端子として共通端子を適用した場合には、共通端子からの分岐点の位置から第１のフィルタまでの伝送線路の長さを短くすることができて当該伝送線路の引き回しによる寄生電気長成分が非常に小さくなるので、周波数特性の悪化が防止され、より優れた整合性を得ることが可能になる。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における電子部品の一例を示す断面図、図２は図１の電子部品を構成する実装基板を示す平面図、図３は本発明の実施の形態１における電子部品の他の一例を示す断面図、図４は本発明の実施の形態１における電子部品のさらに他の一例を示す断面図である。
図１および図２に示す電子部品１０は、実装基板１４と、この実装基板１４に搭載された共振器２０を有している。この共振器２０は、図示しない下部電極と上部電極とに交流電圧を印加することによる圧電効果で圧電膜の内部を伝搬するバルク波により所定の帯域中心周波数の信号が得られる圧電型の共振器である。このような共振器２０の電極にはスタッドバンプやメッキバンプなどのバンプ（電気的接続手段）２１が形成されており、バンプ２１を介してフェースダウンボンディングにより実装基板１４の第２の主面１４ｂに実装されている。
実装基板１４には、第１の主面１４ａに外部接続端子である入出力端子Ｓ１，Ｓ２が形成され、前述のように第２の主面１４ｂに共振器２０が実装されている。また、実装基板１４には、一方端が第１の主面１４ａに開口し、他方端が第２の主面１４ｂに開口して内部に導体が配された２つのスルーホール１８ａ，１８ｂが形成されている。なお、図１において、第１の主面１４ａには、グランド端子（図示せず）も設けられている。
スルーホール１８ａにおける第１の主面１４ａの開口位置には入出力端子Ｓ１が、スルーホール１８ｂにおける第１の主面１４ａの開口位置には入出力端子Ｓ２が、それぞれ形成されており、各スルーホール１８ａ，１８ｂにおける第２の主面１４ｂの開口位置はバンプ２１により共振器２０と接続されている。
なお、電子部品１０には、スルーホール１８ａ，１８ｂ以外に位置する外部接続端子を形成することもできる。また、外部接続端子の種類は前述したものに限定されるものではない。
そして、実装基板１４に搭載された共振器２０は滴下された樹脂２２によりシールドされ、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造となっている。
このように、本実施の形態の電子部品１０によれば、外部接続端子である入出力端子Ｓ１，Ｓ２につながるスルーホール１８ａ，１８ｂに対して第２の主面１４ｂにおいて共振器２０がバンプ２１により接続されているので、入出力端子Ｓ１，Ｓ２から共振器２０までの信号の伝送経路が短くなる。これにより、信号の伝達ロスが軽減されるので、伝送線路の引き回しによる周波数特性の悪化を防止することが可能になる。
特に、図示するように、バンプ２１をスルーホール１８ａ，１８ｂの真上に位置させると、伝送経路が最短となり、伝達ロスを一層小さくすることができる。
ここで、以上の説明においては外部接続端子として入出力端子Ｓ１，Ｓ２が適用されているが、図３に示すように、グランド端子Ｇであってもよい。これによれば、寄生リアクタンス（インダクタンス）が減少して、通過特性および通過阻止特性が改善される。
また、図４に示すように、共振器２０と実装基板１４とはボンディングワイヤ（電気的接続手段）１９で接続してもよい。なお、図４において、実装基板１４はたとえば２層からなり、搭載された共振器２０を包囲するようにして枠体１５が取り付けられている。そして、枠体１５には、共振器２０を封止するシールド蓋１６が固定されている。
（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２における電子部品の一例を示す断面図、図６は図５の電子部品を構成する実装基板を示す平面図、図７は図５の電子部品を構成する実装基板に形成された位相整合回路を示す平面図、図８は本発明の実施の形態２における電子部品の他の一例を示す断面図である。
図示する電子部品も、前述した実施の形態１における電子部品１０の特徴を備えたもの、つまり、外部接続端子につながるスルーホールに対し、第２の主面において共振器としてのフィルタがバンプにより接続されたものである。
そして、図５、図６および図７に示すように、本実施の形態の電子部品１０は、相互に異なる帯域中心周波数を有する送信側フィルタとしての第１のフィルタ（第１の共振器）１１および受信側フィルタとしての第２のフィルタ（第２の共振器）１２を使用した分波器であることから、当該特徴を備えつつも、以下に説明するような分波器に特有の構成を備えている。
なお、本実施の形態の電子部品１０の機能的な構成は既に説明した図９に示すものと同様になっている。また、フィルタ１１，１２には、実施の形態１における共振器と同様、圧電型共振器が用いられている。
分波器である電子部品１０は、たとえば４層からなり第１のフィルタ１１と第２のフィルタ１２とが搭載された実装基板１４と、フィルタ１１，１２に滴下されてこれらをシールドする樹脂２２とを備え、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）構造となっている。
実装基板１４には、第１の主面１４ａに外部接続端子としての共通端子Ｃ、入出力端子Ｓ１，Ｓ２およびグランド端子（図示せず）が形成され、第２の主面１４ｂにフィルタ１１，１２が実装されている。また、実装基板１４には、位相整合回路１３を積層方向から挟むようにして２つのグランド層１７ａ，１７ｂが形成されている。
このような実装基板１４には、一方端が第１の主面１４ａに開口し、他方端が第２の主面１４ｂに開口して内部に導体が配された第１のスルーホール２３ａ、および一方端が第２の主面１４ｂに開口して第１のスルーホール２３ａと接続されるとともに他方端が位相整合回路１３に接続された第２のスルーホール２３ｂが形成されている。また、第１のスルーホール２３ａの第１の主面１４ａの開口位置には外部接続端子である共通端子Ｃが形成されている。さらに実装基板１４には、一方端が第１の主面１４ａに開口し、他方端が第２の主面１４ｂに開口して内部に導体が配されたスルーホール２４、および一方端が第２の主面１４ｂに開口し、他方端が位相整合回路１３と接続されたスルーホール２５が形成されており、スルーホール２４における第１の主面１４ａの開口位置には入出力端子Ｓ２が形成されている。
なお、電子部品１０には、スルーホール２３ａ，２３ｂ，２４以外に位置する外部接続端子を形成することもできる。また、外部接続端子の種類は、前述したものに限定されるものではない。
そして、第２のスルーホール２３ｂにおける第２の主面１４ｂの開口位置はバンプ（電気的接続手段）２１により第１のフィルタ１１と接続されている。また、スルーホール２４における第２の主面１４ｂの開口位置はバンプ２１により第２のフィルタ１２と接続されている。さらに、一方端が第２のスルーホール２３ｂと接続された位相整合回路１３の他方端は、スルーホール２５およびバンプ２１を介して第２のフィルタ１２と接続されている。したがって、図９に示す分岐点Ａは、図５においては、第２のスルーホール２３ｂにおける第２の主面１４ｂの開口位置となっている。
なお、図５に示す場合には、第１のフィルタ１１は第２のスルーホール２３ｂと接続されているが、第１のスルーホール２３ａと接続するようにしてもよい。この場合には、分岐点Ａは、第１のスルーホール２３ａにおける第２の主面１４ｂの開口位置となる。
このような構造の電子部品１０によれば、第１の主面１４ａにおいて外部接続端子である共通端子Ｃにつながる第１のスルーホール２３ａが第２の主面１４ｂにおいて第２のスルーホール２３ｂとつながり、第１のフィルタ１１は第２の主面１４ｂにおいて第１のスルーホール２３ａまたは第２のスルーホール２３ｂと電気的に接続されている。そして、第２のスルーホール２３ｂが、第２のフィルタ１２と接続された位相整合回路１３と接続されている。したがって、共通端子Ｃからの分岐点Ａの位置から第１のフィルタ１１までの伝送線路の長さを短くすることができて当該伝送線路の寄生電気長成分は非常に小さくなるので、伝送線路の引き回しによる周波数特性の悪化が防止され、より優れた整合性を得ることが可能になる。
特に、図示するように、バンプ２１をスルーホール１８ａ，１８ｂの真上に位置させると、伝送経路が最短となり、伝達ロスを一層小さくでき、寄生電気長成分をより小さくすることができる。
ここで、フィルタ１１，１２は樹脂２２を滴下して封止するのではなく、図８に示すように、フィルタ１１，１２を包囲する枠体１５を実装基板１４に取り付け、この枠体１５にシールド蓋１６を固定して、フィルタ１１，１２を気密封止するようにしてもよい。
また、フィルタ１１，１２と実装基板１４との電気的接続手段としてはボンディングワイヤを用いてもよい。この場合には、寄生電気長成分はバンプに換えて用いられたボンディングワイヤのワイヤ長のみとなり、同様に優れた整合性を得ることができる。
さらに、以上の説明においては、共振器２０やフィルタ１１，１２として圧電共振器が適用されているが、圧電体の表面を伝搬する弾性表面波により所定の共振周波数の信号を得る弾性表面波共振器を適用することもできる。
本発明の実施の形態１における電子部品の一例を示す断面図である。 図１の電子部品を構成する実装基板を示す平面図である。 本発明の実施の形態１における電子部品の他の一例を示す断面図ある。 本発明の実施の形態１における電子部品のさらに他の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態２における電子部品の一例を示す断面図である。 図５の電子部品を構成する実装基板を示す平面図である。 図５の電子部品を構成する実装基板に形成された位相整合回路を示す平面図である。 本発明の実施の形態２における電子部品の他の一例を示す断面図である。 分波器の機能的な構成を示すブロック図である。 従来の分波器を示す断面図である。 図１１の分波器の機能的な構成を寄生電気長成分とともに示すブロック図である。
符号の説明
１０ 電子部品
１１，１２ フィルタ
１３ 位相整合回路
１４ 実装基板
１４ａ 第１の主面
１４ｂ 第２の主面
１５ 枠体
１６ シールド蓋
１７ａ，１７ｂ グランド層
１８，１８ａ，１８ｂ スルーホール
１９ ボンディングワイヤ
２０ 共振器
２１ バンプ
２２ 樹脂
２３ａ 第１のスルーホール
２３ｂ 第２のスルーホール
２４，２５ スルーホール
Ａ 分岐点
Ｃ 共通端子
Ｇ グランド端子
Ｓ１，Ｓ２ 入出力端子

Claims (7)

  1. 一方端が第１の主面に開口するとともに他方端が前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面に開口したスルーホールが形成され、前記スルーホールに位置する外部接続端子を含む複数の外部接続端子が第１の主面に形成された実装基板と、
    前記実装基板の前記第２の主面に搭載されるとともに前記第２の主面において電気的接続手段により前記スルーホールと接続され、所定の帯域中心周波数を有する共振器と、
    を有することを特徴とする電子部品。
  2. 一方端が第１の主面に開口するとともに他方端が前記第１の主面の反対側に位置する第２の主面に開口した第１のスルーホール、および一方端が前記第２の主面に開口して前記第１のスルーホールと接続されるとともに他方端が位相整合回路に接続された第２のスルーホールが形成され、前記第１のスルーホールに位置する外部接続端子を含む複数の外部接続端子が第１の主面に形成された実装基板と、
    前記実装基板の前記第２の主面に搭載されるとともに前記第２の主面において電気的接続手段により前記第１のスルーホールまたは前記第２のスルーホールと接続され、所定の帯域中心周波数を有する第１の共振器と、
    同じく前記実装基板の前記第２の主面に搭載されるとともに前記第２の主面において電気的接続手段を介して前記位相整合回路と接続され、前記第１の共振器とは異なる帯域中心周波数を有する第２の共振器と、
    を有することを特徴とする電子部品。
  3. 前記第１の主面に形成された前記外部接続端子は共通端子、グランド端子および入出力端子の少なくとも何れか一種類であり、前記スルーホールまたは前記第１のスルーホールに位置する外部接続端子はこれらの端子の何れかであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
  4. 前記電気的接続手段は、バンプまたはボンディングワイヤであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の電子部品。
  5. 前記共振器、または前記第１の共振器および前記第２の共振器は、圧電膜の内部を伝搬するバルク波により所定の共振周波数の信号を得る圧電共振器であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電子部品。
  6. 前記共振器、または前記第１の共振器および前記第２の共振器は、圧電体の表面を伝搬する弾性表面波により所定の共振周波数の信号を得る弾性表面波共振器であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の電子部品。
  7. 前記電子部品は、滴下された樹脂により前記共振器、または前記第１の共振器および前記第２の共振器がシールドされたチップサイズパッケージ構造を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載の電子部品。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009104251A1 (ja) * 2008-02-20 2009-08-27 富士通株式会社 フィルタ、分波器、通信モジュール、および通信装置
JP2009290606A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Kyocera Corp 分波器および無線通信機器
JP2009296508A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Fujitsu Media Device Kk 分波器
JP2016096439A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、送受信デバイスおよび移動体通信機
US11817846B2 (en) 2016-09-27 2023-11-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60229821D1 (de) * 2001-09-25 2008-12-24 Tdk Corp Gehäuse für integrierte Schaltung
KR20110077781A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 삼성전기주식회사 듀플렉서 소자 및 그 제조방법
JP2013145932A (ja) * 2010-05-07 2013-07-25 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
DE102010055649B4 (de) * 2010-12-22 2015-07-16 Epcos Ag Duplexer und Verfahren zum Herstellen eines Duplexers
JP5510695B1 (ja) * 2012-09-25 2014-06-04 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69718693T2 (de) * 1996-03-08 2003-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren
JP3554133B2 (ja) * 1997-04-10 2004-08-18 松下電器産業株式会社 弾性表面波フィルタ
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
US6509813B2 (en) * 2001-01-16 2003-01-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a conductive mirror
JP3532158B2 (ja) 2001-02-09 2004-05-31 富士通株式会社 分波器デバイス
JP4000960B2 (ja) * 2001-10-19 2007-10-31 株式会社村田製作所 分波器、通信装置
JP2003249840A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
KR20030082420A (ko) * 2002-04-15 2003-10-22 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고주파 디바이스 및 통신 장치
DE20221966U1 (de) * 2002-06-06 2010-02-25 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk
KR100486627B1 (ko) * 2003-02-21 2005-05-03 엘지전자 주식회사 반도체 패키지
US7023297B2 (en) * 2003-05-14 2006-04-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave branching filter
US6822537B1 (en) * 2003-05-14 2004-11-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave branching filter

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009104251A1 (ja) * 2008-02-20 2009-08-27 富士通株式会社 フィルタ、分波器、通信モジュール、および通信装置
US8367941B2 (en) 2008-02-20 2013-02-05 Taiyo Yuden Co., Ltd. Filter, branching filter, communication module, and communication equipment
JP5583977B2 (ja) * 2008-02-20 2014-09-03 太陽誘電株式会社 フィルタ、分波器、通信モジュール、および通信装置
JP2009290606A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Kyocera Corp 分波器および無線通信機器
JP2009296508A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Fujitsu Media Device Kk 分波器
JP2016096439A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、送受信デバイスおよび移動体通信機
US11817846B2 (en) 2016-09-27 2023-11-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component

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