JP2004328676A - 分波器及び電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い帯域外抑圧度を有する小型の分波器を提供する提供する。
【解決手段】異なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタ１２、１３と、該２つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路１１とをパッケージ１２０に収容し、前記弾性表面波フィルタのチップ１２９をフェースダウン状態でパッケージのダイアタッチ層１２２に実装し、前記ダイアタッチ層及び前記ダイアタッチ層の下層に、インダクタンスを形成するグランド線路パターン１４７、１５４；１４８、１４９、１５０、１５５を有する。
【選択図】 図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波フィルタを用いた分波器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、移動体通信システムの発展に伴って携帯電話、携帯情報端末等が急速に普及しており、これら端末の小型・高性能化の競争が各メーカ間で行なわれている。また、携帯電話のシステムも、アナログとディジタルの両方が用いられ、使用周波数も８００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯と１．５ＧＨｚ〜２．０ＧＨｚ帯と多岐にわたっている。
【０００３】
近年の携帯電話器の開発では、システムの多様化によりデュアルモード（アナログとディジタルの併用、ディジタルの時間分割変調方式（ＴＤＭＡ）とコード分割変調方式（ＣＤＭＡ）との併用、又はデュアルバンド（８００ＭＨｚ帯と１．９ＧＨｚ帯、９００ＭＨｚ帯と１．８ＧＨｚ帯又は１．５ＧＨｚ帯の併用）化を行なうことで、端末を高機能化することが行なわれている。これらに用いられるフィルタなどの部品も高機能化が求められ、いろいろな開発がなされている。他方、多機能化以外に小型且つ低コスト化の要求も当然のように求められている。
【０００４】
高機能端末におけるアンテナ分波器は、誘電体又は少なくとも一方に誘電体を用いた弾性表面波との複合分波器、あるいは弾性表面波デバイスのみで構成されたものがある。誘電体分波器は、サイズが大きいために、携帯端末機器の小型化や薄型化が非常に難しい。また、片方に弾性表面波分波器を用いる場合でも誘電体デバイスのサイズが小型・薄型化を難しくしている。
【０００５】
従来の弾性表面波フィルタを用いた分波器デバイスは、プリント板上に個別のフィルタと位相整合用回路を搭載したモジュール型のものや、多層セラミックパッケージに送信及び受信用フィルタチップを搭載し位相整合用回路をパッケージ内に設けた一体型のものがある。これらは、誘電体分波器に比べ体積が１／３から１／１５程度であり、また高さ方向だけでみると１／２から１／３程度の小型薄型化が可能となる。この弾性表面波デバイスを用い且つデバイスサイズを小型にすることで、誘電体デバイスと同等のコストにすることが可能となっている。
【０００６】
今後、更なる小型化が要求されているが、その小型化のためには、特許文献１に記載したような多層セラミクスパッケージを用いた構造を用いること、さらにはひとつのチップ上に２つのフィルタを形成することやワイヤ接続を用いないフリップチップ実装技術の適用等が今後行われることは必須である。いずれの場合においても２つの弾性表面波フィルタを搭載する気密封止可能なパッケージと２つのフィルタを用いて分波器を構成する場合の位相整合用回路は必要となる。
【０００７】
更なる小型化をするためには、弾性表面波フィルタのチップとパッケージの接続は、ワイヤボンディング方式からフェイスダウン方式にする必要がある。
ワイヤボンディング方式は、ワイヤボンディングパッドの面積分とワイヤとキャップの接触防止のため、外形と高さが大きくなってしまう欠点がある。そこで、特許文献２や特許文献３に記載の技術が提案されているが、分波器デバイスで重要な相手側帯域の抑圧に関しては何ら考慮されていない（約−４０〜−５０ｄＢは必要）。これは、並列共振器とグランドとの間のインダクタンス（並列共振器のグランド・インダクタンス）について考慮していないためである。
【０００８】
特許文献４は、グランド層に挟まれた位相整合用の線路パターンが２層にわたって引き回されており、ストリップラインの特性インピーダンスを外部回路の特性インピーダンスよりも大きくしたものである。しかし、この方式では、特性インピーダンスを外部回路よりも高く保つために、ストリップラインとこの上下に有るグランドとの間隔を離さなければならず、小型化に反している。また、位相整合用の線路を挟むグランドは、フッドパッドよりも上方に設けられているため、パッケージの高さを低くする考慮がなされていない。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−１２６２１３号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６６２３号公報
【特許文献３】
特開２００３−１０１３８５号公報
【特許文献４】
特開平８−１８３９３号公報
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は分波器において、帯域外抑圧度を向上させつつ小型化を可能にすることを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、請求項１に記載のように、異なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタと、該２つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とをパッケージに収容した分波器において、前記弾性表面波フィルタのチップをフェースダウン状態でパッケージのダイアタッチ層に実装し、前記ダイアタッチ層及び前記ダイアタッチ層の下層に、インダクタンスを形成するグランド線路パターンを有する。ダイアタッチ層及びダイアタッチ層の下層に、グランド線路パターンを設けたので、線路長の長いグランド線路を形成することができるため、ワイヤがなくても大きなインダクタンスを実装することが可能である。これにより、小型且つ高性能な分波器デバイスを実現することができる。
【００１１】
また、請求項１記載の分波器は、好ましくは請求項２に記載のように、前記ダイアタッチ層と前記下層に設けられたグランド線路パターンとが、前記パッケージ内に設けられたビアを介して直列に接続された構成を含む。二層にわたり引き回された線路長の長いグランド線路を形成することができるため、ワイヤがなくても大きなインダクタンスを実装することが可能である。これにより、小型且つ高性能な分波器デバイスを実現することができる。
【００１２】
また、請求項１記載の分波器は、好ましくは請求項３に記載のように、前記グランド線路パターンの線路長と線路幅の少なくとも一方が異なる。グランド配線の線路長又は線路幅を異ならせることにより、各グランド配線のインダクタンスの大きさを調整することができるとともに、帯域外抑圧度を向上させることができる。
【００１３】
また、請求項１又は２記載の分波器は、好ましくは請求項４に記載のように、前記弾性表面波フィルタは直列共振器と並列共振器とを複数段接続した構成を有し、２つの段に共通に設けられた並列共振器に接続されるグランド配線パターンは、その他の並列共振器に接続されるグランド配線パターンよりも長い。この構成により、抑圧度を向上させることができる。
【００１４】
請求項１から４のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項５に記載のように、前記パッケージは更に、前記位相整合用回路を構成する第１の位相整合用線路パターンが形成された層を有し、前記グランド配線パターンは、前記第１の位相整合用線路パターンの上を通る位置に配置されている。第１の位相整合用線路パターンがグランド配線パターンで覆われるため、位相整合用回路の特性インピーダンスが安定する。これにより、フィルタのマッチングが向上する。
【００１５】
請求項１から４のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項６に記載のように、前記パッケージは更に、前記位相整合用回路を構成する第１の位相整合用線路パターンが形成された第１の位相整合用パターン層と、前記第１の層よりも下段に位置し、前記位相整合用回路を構成する第２の位相整合用線路パターンが形成された第２の位相整合用パターン層と、前記第１及び第２の位相整合用パターン層を挟むように設けられ、それぞれグランドパターンが形成された第１のグランド層、第２のグランド層及び第３のグランド層とを有し、前記第１及び第２のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔と、前記第２及び前記第３のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔とが異なる。位相整合用回路の特性インピーダンスを調整できるので、マッチングを向上させることができる。
【００１６】
請求項６に記載の分波器において、好ましくは請求項７に記載のように、前記第１及び第２のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔は、前記第２及び前記第３のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔よりも短い。この構成により位相整合用線路の特性インピーダンスが安定化するため、線路内での余分は反射が低減できるので、挿入損失を向上できる。
【００１７】
請求項６又は７に記載の分波器において、好ましくは請求項８に記載のように、前記位相整合用線路の特性インピーダンスが、前記分波器に接続される外部回路の特性インピーダンスよりも小さい。これにより、位相整合用線路の特性インピーダンスの変動を少なくすることがでるので、位相整合用線路の特性インピーダンスが安定化する。これにより、線路内での余分は反射を低減することができるので、挿入損失を向上できる。
【００１８】
請求項６から８のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項９に記載のように、前記第１及び第２の位相整合用パターン層のそれぞれ形成された位相整合用線路パターンは、直交する部分を含む。この構成により、位相整合用線路同士の干渉を防止することができる。
【００１９】
請求項６から９のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項１０に記載のように、前記第２の位相整合用線路パターンは、前記第１の位相整合用線路パターンよりも長い。これにより、位相整合用回路の特性インピーダンスを安定させることができる。
【００２０】
請求項６から１０のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項１１に記載のように、前記ダイアタッチ層と前記第１の位相整合用配線パターン層の間に前記第１のグランド層が配置されている。第１のグランド層に形成されたグランドパターンがダイアタッチ層の送信線路及び受信線路と、位相整合用回路を遮断するため、アイソレーションが大幅に向上する。
【００２１】
請求項１から１１のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項１２に記載のように、前記グランド線路パターンは、受信側のグランド線路パターンを有し、前記受信側のグランド線路パターンは、前記パッケージのキャップ搭載層に形成されたグランドパターンと、最下層に形成されたフットパッドだけで共通化されている。受信フィルタは並列共振器のグランドを共通化した後に、インダクタンスを持つと、減衰極が低周波側にできるため抑圧が悪くなってしまう。このため、フットパッドで共通化すれば、グランド共通化後は、ほとんどインダクタンスを持たないため、抑圧を向上させることができる。
【００２２】
請求項１から１２のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項１３に記載のように、前記グランド線路パターンは、送信側のグランド線路パターンを含み、前記送信側のグランド線路パターンと前記受信側のグランド線路パターンは、最下層に形成されたフットパッドだけで共通化されている。この構成により、アイソレーションを向上させることができる。
【００２３】
請求項１から１３のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項１４に記載のように、前記チップを搭載する前記ダイアタッチ層は、前記チップの回路形成面の外側に配置されたパッドに接続するフリップチップボンディングパッドを有する。これにより、線路の引き回しが容易となる。
【００２４】
請求項１から１４のいずれかに記載の分波器において、好ましくは請求項１５に記載のように、前記位相整合用回路は前記パッケージの複数の層に形成された配線パターンを有し、当該配線パターンの両端は前記パッケージ内の所定の層上で対角の位置に配置されている。この配置により、位相整合用回路の線路の引き回しが容易となる。
【００２５】
本発明はまた、請求項１６に記載のように、異なる帯域中心周波数を有する第１及び第２の弾性表面波フィルタが形成された一つのチップをパッケージに収容した分波器において、前記第１の弾性表面波フィルタを形成する共振器と、前記第２の弾性表面波フィルタを形成する共振器とは、弾性表面波の伝搬方向に横並びに配置され、前記チップは前記横並びに配置された前記第１及び第２の弾性表面波フィルタを挟み込むように設けられたパッドを有する。各パンプを離して配置させることができるため、アイソレーションが向上する。
【００２６】
本発明はまた、請求項１７に記載のように、アンテナと、これに接続される分波器と、該分波器に接続される送信系及び受信系回路とを具備し、前記分波器は、請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の分波器である電子装置を含む。
【００２７】
【発明の実施の形態】
初めに、分波器の基本構成について説明する。図１（ａ）は、分波器の回路構成の概念図、図１（ｂ）は分波器の周波数特性を示す図である。なお、図１（ｂ）の横軸は周波数（右に向かって周波数が高くなる）、縦軸は通過強度（上に向かって高くなる）である。
【００２８】
図１（ａ）に示すように、分波器１００は２つのフィルタ１２（Ｆ１）、１３（Ｆ２）、位相整合用回路１１、共通端子１４、送信側端子１５及び受信側端子１６を有する。共通端子１４は、アンテナを通して電波を送受信する外部回路を接続する端子である。送信側端子１５は、分波器１００の外部に設けられる送信用回路を接続するためのもので、所望の中心周波数を持つ信号（送信信号）を送信用回路から分波器１００に出力する端子である。受信側端子１６は、分波器１００の外部に設けられた受信用回路を接続するたものもので、所望の中心周波数を持つ受信信号を分波器１００から受信用回路に出力する端子である。フィルタ１２、１３と位相整合用回路１１とは、多層のセラミックパッケージ内に納められる。フィルタ１２と１３はそれぞれ弾性表面波フィルタで構成され、互いに異なる通過帯域中心周波数Ｆ１、Ｆ２を持つ。例えば、フィルタ１２は送信用フィルタであり、フィルタ１３は受信用フィルタである（以下、フィルタ１２と１３を夫々送信用フィルタ及び受信用フィルタを称する場合がある）。この場合、例えばＦ２＞Ｆ１であり、１．９ＧＨｚ帯の分波器では、Ｆ１とＦ２の周波数差は約１００ＭＨｚである。
【００２９】
位相整合用回路１１は、フィルタ１２、１３のフィルタ特性を互いに劣化させないようにするために設けられている。今、共通端子１４からフィルタ１２を見た場合の特性インピーダンスをＺ１、フィルタ１３を見た場合の特性インピーダンスをＺ２とする。位相整合用回路１１の作用により、共通端子１４から入力する信号の周波数がＦ１の場合はフィルタ１２側の特性インピーダンスＺ１は共通端子１４の特性インピーダンス値と一致し、フィルタ１３側の特性インピーダンスは無限大であってかつ反射係数は１となる。また、信号の周波数がＦ２の場合はフィルタ１２側の特性インピーダンスは無限大かつ反射係数は１、フィルタ１３の特性インピーダンスＺ２は共通端子１４の特性インピーダンスと一致する。
【００３０】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００３１】
図２は、本発明の一実施形態に係る分波器を説明するための図であって、フィルタチップを搭載したパッケージの断面図を示している。図３（ａ）は、キャップを取り外した分波器の平面図、同図（ｂ）はフィルタチップの接続面を示す図である。
【００３２】
図２に示すように、分波器１００は積層パッケージ１２０、キャップ１２８、フィルタチップ１２９、位相整合用線路パターン１３２、１３３、接続路（サイドキャステレーション）１３５を有する。
【００３３】
積層パッケージ１２０は、６つの層１２１〜１２６を図示するように積層した多層構造を有する。層１２１はキャップ搭載層である。層１２２はダイアタッチ層である。層１２３はグランド層である。層１２４は位相整合用線路パターン層である。層１２５はグランド層である。層１２６は位相整合用線路パターン層／フットパッド層である。
【００３４】
積層パッケージ１２０の各層１２１〜１２６は、誘電率（ε）が８〜９．５程度のアルミナセラミック又はガラスセラミックの材料で形成されている。積層パッケージ１２０の寸法は、例えば約３．８ｍｍ×３．８ｍｍ×１．４ｍｍである。１．４ｍｍはパッケージの高さ（厚み）である。
【００３５】
フィルタチップ１２９は、圧電基板上に弾性表面波共振器を形成するくし型電極や反射器、及びこれらを相互に結合する配線パターンを形成したものである。フィルタチップ１２９は、図１に示す２つのフィルタ１２及び１３を形成する。例えば、送信側フィルタ１２をラダー型弾性表面波フィルタで構成し、受信側フィルタ１３をラダー型弾性表面波フィルタで構成する。ラダー型弾性表面波フィルタは複数の弾性表面波共振器を含む。ラダー型弾性表面波フィルタは、１ポート弾性表面波共振器を梯子型に接続したものである。図３（ａ）、（ｂ）では弾性表面波共振器を模式的に示してあり、送信側フィルタ１２を構成する弾性表面波共振器を送信側共振器１３８として示し、受信側フィルタ１３を構成する弾性表面波共振器を受信側共振器１３７として示してある。フィルタチップ１２９の圧電基板としては、例えば、ＬｉＴａＯ_３（例えば４２°Ｙカット−Ｘ伝搬）などの圧電単結晶を用いることができる。圧電基板上に形成されるくし型電極、反射器、及び配線パターンは導電材料で形成される。例えば、圧電基板上にＡｌを主成分とする合金（Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ等）及びその多層膜（Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ／Ｃｕ／Ａｌ、Ａｌ／Ｍｇ／Ａｌ、Ａｌ−Ｍｇ／Ｍｇ／Ａｌ−Ｍｇ等）をスパッタにより形成し、露光、エッチングにより電極及び配線のパターンを形成する。なお、送信用フィルタ１２と受信用フィルタ１３とをそれぞれ別々の圧電基板上に形成する構成であってもよい。
【００３６】
キャップ搭載層１２１は、パッケージ内部に階段状部分を形成する。この階段状の空間が、フィルタチップ１２９を収容するキャビティを形成している。フィルタチップ１２９は、このキャビティ内にフェイスダウン状態で実装される（フリップチップ実装）。
【００３７】
キャップ搭載層１２１上には、キャップ１２８取り付けられている。キャップ１２８は、フィルタチップ１２９を密封封止する。キャップ１２８はＡｕメッキあるいはＮｉメッキなどの金属材料で作られている。また、積層パッケージ１２０の側面には、半円状の溝１３５_１〜１３５_１２が形成されている（以下、溝を総称するときには、溝１３５という）。図示する例では、この溝１３５は一側面当り３つ形成されている。これらの溝は、キャップ搭載層１２１から位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２７まで連続している。溝１３５には導電層が設けられ、接続路（サイドキャステレーション）を構成する（以下、接続路も参照番号１３５で示す）。接続路１３５は層間の導通を形成するとともに、外部接続端子としても用いることができる。
【００３８】
ダイアタッチ層１２２は、フィルタチップ１２９の実装表面を提供するとともに、後述するように、各種配線パターンを形成するための領域を提供する。フィルタチップ１２９はパッド上に設けられたバンプ１３１を用いて、ダイアタッチ層１２２上に設けられたパッドに接続される。バンプ１３１には、例えばＡｕバンプを用いることができる。
【００３９】
グランド層１２３、１２５の各上面には、グランドパターン（ＧＮＤ）１３４が形成されている。グランドパターン１３４は、各グランド層１２３、１２５の大部分を覆うベタのグランドである。
【００４０】
位相整合用線路パターン層１２４、１２６の各上面にはそれぞれ、位相整合用線路パターン１３２、１３３が形成されている。これらのパターンは、図１に示す位相整合用回路１１を構成する。位相整合用線路パターン１３２、１３３を２層にわたり引き回すことで、パッケージを小型化しても充分なインダクタンス値を得ることができる。位相整合用線路パターン１３２、１３３は、例えば約８０〜１２０μｍの幅を有し、グランドパターン１３４等とともにストリップ線路構造を形成する。また、位相整合用パターン１３２、１３３は、例えば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）などを主成分とする導電材料で作製されている。位相整合用線路パターン１３２、１３３は、位相整合用線路パターン層１２４、１２６上に導電膜を形成し、これをパターン印刷などの手法でパターニングすることで形成される。
【００４１】
フットパッド１２７は、外部接続端子であり、パッケージの最下層に設けられ、図１に示した共通端子１４、送信側端子１５、受信側端子１６に相当する部分である。パッケージの最下層は、位相整合用線路パターン／フットパット層１２６である。フットパッド１２７は接続路１３５や積層パッケージ１２０内に形成されたビアを介して、分波器内部の回路に接続されている。また、フットパッド１２７は、分波器内部の回路に接続されないフットパッドを含むものであってもよい。
【００４２】
図３（ａ）に示すように、図キャップ１２８を外すと、フィルタチップ１２９、キャップ搭載層１２１及びダイアタッチ層１２２の一部が現れる。図３（ａ）に示すフィルタチップ１２９は、フェースダウンした状態で上から透視したものである。キャップ搭載層１２１上には、ＣｕにＮｉとＡｕをメッキした導電材料等で形成されたシールリング１３６が形成されている。キャップ１２８はシールリング１３６上に搭載される。また、キャップ搭載層１２１は、中央に開口部１３９を有する。この開口部１３９は、フィルタチップ１２９を収容するキャビティを形成する。シールリング１３６は、積層パッケージ１２０の各側面の中央に位置する合計４つの接続路１３５_２、１３５_５、１３５_８、１３５_１１と接続路１３５_１２を除く、各接続路１３５に接続されている。
【００４３】
図４は、図２に示す分波器１００の積層パッケージ１２０を分解した各層を示す図であって、同図（ａ）はキャップ搭載層１２１を、同図（ｂ）はダイアタッチ層１２２を、同図（ｃ）はグランド層１２３を、同図（ｄ）は位相整合用配線パターン層１２４を、同図（ｅ）はグランド層１２５を、同図（ｆ）は位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６（上面）、同図（ｇ）は位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６（下面）をそれぞれ示している。また、図５は、図４（ｂ）に示すダイアタッチ層１２２を拡大して図示したものである。
【００４４】
図４（ａ）のキャップ搭載層１２１は、その中央部に上述した開口部１３９を有し、キャップ１２８を外すことにより、開口部１３９が見えるように構成されている。キャップ搭載層１２１には、シールリング１３６が形成されている。
【００４５】
図４（ｂ）及び図５に示すダイアタッチ層１２２の上には、フィルタチップ１２９をフェースダウン状態で実装する。
【００４６】
ここで、説明の都合上、図４（ｇ）に示す位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６の底面を説明する。この底面は、分波器１００の実装面である。分波器１００の実装面を配線基板（図示省略）上に設けて、分波器１００を配線基板上に実装する。図４（ｇ）に示すように、この実装面には、接続路１３５_２、１３５_８、１３５_１１（図４（ａ）参照）にそれぞれ接続される送信用フッドパッド１２７_１、受信用フットパッド１２７_２及び共通端子用フッドパッド１２７_３が形成されている。各フットパッドはフットキャステレーションともいう。各フットパッド１２７_１、１２７_２、１２７_３は外部接続端子として機能し、配線基板上の対応する電極に接触して電気的接続が形成される。送信用フットパッド１２７_１は、分波器１００の送信側端子１５である（図１参照）。受信用フットパッド１２７_２は、分波器１００の受信側端子１６である。共通端子用フットパッド１２７_３は、分波器１００の共通端子１４である。
【００４７】
図４（ｂ）及び図５に戻り、ダイアタッチ層１２２の上側の面には、信号パターン１４１、１４２、１４３、グランドパターン１４４、１４５、１４６、１４７、１４８、１４９、１５０が設けられている。フィルタチップ１２９は、バンプ１３１が設けられた一方の面が、ダイアタッチ層１２２の一方の面に対向するように配置され、バンプ１３１が信号パターン１４１〜１４３、グランドパターン１４４〜１４９の所定の位置に電気的に接続される。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、フリップチップボンディングパッドの配置が、チップの外側に位置していることによって、線路の引き回しが容易となる。
【００４８】
更に、図４（ｂ）及び図５を参照してダイアタッチ層１２２を更に説明するが、併せて図６も参照する。図６は、分波器１００の回路図である。図示するように、送信側フィルタ１２は、複数の送信側共振器（１ポート弾性表面波共振器）１３８をラダー型に４段接続した構成である。直列腕には４つの共振器Ｓ１〜Ｓ４が設けられ、並列腕には２つの共振器Ｐ１、Ｐ２が設けられている。並列腕の共振器Ｐ１は直列腕の共振器Ｓ１とＳ２で共用されている。同様に、並列腕の共振器Ｐ２は直列腕の共振器Ｓ３とＳ４で共用されている。受信側フィルタ１３は、複数の送信側共振器（１ポート弾性表面波共振器）１３７をラダー型に５段接続した構成である。直列腕には４つの共振器Ｓ１１〜Ｓ１４が設けられ、並列腕には４つの共振器Ｐ１１〜Ｐ１４が設けられている。並列腕の共振器Ｐ１４は、直列腕の共振器Ｓ１３とＳ１４で共用されている。Ｌ２１とＬ２２はそれぞれ共振器Ｐ１とＰ２に直列に接続されたインダクタンス、Ｌ２３はＬ２１とＬ２２をグランドに接続するインダクタンスである。またＬ１〜Ｌ４はそれぞれ並列腕の共振器Ｐ１１〜Ｐ１４に直列に接続されたインダクタンスで、共振器Ｐ１１〜Ｐ１４はこれらを介してグランドに直接接続されている。なお、Ｃ１〜Ｃ３は寄生容量である。
【００４９】
図４（ｂ）及び図５に再び戻り、送信端子用パターン１４１は、接続路１３５_２を介して、最下層の位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６の送信用フットパッド１２７_１に接続されている。受信端子用パターン１４２は、接続路１３５_８を介して、最下層の位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６の受信用フットパッド１２７_２に接続されている。共通端子用パターン１４３は、接続路１３５_１１を介して、位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６の共通端子用パットに接続されている。グランド配線パターン１４４は、受信用フィルタ１３用のグランドであって、接続路１３５_３を介して、図４（ａ）のシールリング１３６及び図４（ｇ）のグランドパターン１５３に接続されている。グランド配線パターン１４４及び接続路１３５_３により、並列腕の共振器Ｐ１１をグランドに接続するグランド配線のインダクタンスＬ１が形成される。
【００５０】
グランド配線パターン１４５は、受信側フィルタ１３のグランドであって、接続路１３５_４を介して、図４（ａ）のシールリング１３６及び図４（ｇ）のグランドパターン１５３に接続されている。グランド配線パターン１４５及び接続路１３５_４により、共振器Ｐ１２をグランドに接続するグランド配線のインダクタンスＬ２が形成される。
【００５１】
グランド配線パターン１４６は、受信側フィルタ１３のグランドであって、接続路１３５_５を介して、図４（ｇ）のグランドパターン１５３に接続されている。グランド配線パターン１４６及び接続路１３５_５により、共振器Ｐ１３をグランドに接続するグランド配線のインダクタンスＬ３が形成される。
【００５２】
グランド配線パターン１４７は、ビア６１_９を介して、図４（ｃ）に示すダイアタッチ層１２２の下層に設けられたグランド層１２３のグランド配線パターン１５４に接続され、このグランド配線パターン１５４は、接続路１３５_６を介して、図４（ａ）のシールリング１３６及び図４（ｇ）のグランドパターン１５３に接続されている。グランド配線パターン１４７、１５４は、受信フィルタ用のグランド配線である。グランド配線パターン１４７、１５４、ビア６１_９及び接続路１３５_６により、並列腕の共振器Ｐ１４をグランドに接続するグランド配線のインダクタンスＬ４が形成される。この共振器Ｐ１４は、電気的には２つの共振器を物理的に１つにまとめたものなので、インダクタンスＬ４をインダクタンスＬ１〜Ｌ３よりも大きくすることで、帯域外抑圧度を大きくすることができる。例えば、並列腕の共振器２個を１個にまとめたＰ１４には、１．３〜１．８ｎＨ程度の大きなインダクタンスＬ４を、並列腕の共振器をまとめていないＰ１１からＰ１３には、０．４〜０．７ｎＨ程度の小さなインダクタンスを設けると、抑圧が向上する。
【００５３】
このように、フィルタチップ１２９をダイアタッチ層１２２にフェースダウン状態で実装し、ダイアタッチ層１２２及びダイアタッチ層１２２の下層のグランド層１２３で受信側フィルタ１３をグランドに接続するグランド配線のインダクタンス（上記の例ではＬ４）を形成するようにしたので、線路長の長いグランド配線を形成することができるため、ワイヤがなくても大きなインダクタンスを実装することが可能である。なお、インダクタンスＬ１〜Ｌ４については、更に後述する。
【００５４】
グランド配線パターン１４８は、送信用フィルタ１２のグランドであって、一方はフィルタチップ１２９に接続され、他方はグランド配線パターン１５０に接続される。このグランド配線パターン１４８は、並列腕の共振器Ｐ２をグランドに接続するグランド配線のインダクタンスＬ２１を形成する。
【００５５】
グランド配線パターン１４９も、送信用フィルタ１２のグランドであって、一方はフィルタチップ１２９に接続され、他方はグランドの配線パターン１５０に接続される。このグランド配線パターン１４９は、グランド配線のインダクタンスＬ２２を形成する。グランド配線パターン１４８、１４９は共通化後に、グランド配線パターン１５０に接続されている。グランド配線パターン１５０は、ビア６０_４を介して、図４（ｃ）のグランド層１２３に形成されたグランド配線パターン１５５に接続されている。グランド配線パターン１５５は、接続路１３５_{１ ２}を介して、図４（ｇ）のグランドパターン１５３に接続されている。グランド配線パターン１５０、１５５、ビア６０_４及び接続路１３５_{１ ２}により、グランド配線のインダクタンスＬ２３が形成されている。
【００５６】
このように、フィルタチップ１２９をダイアタッチ層１２２にフェースダウン状態で実装し、ダイアタッチ層１２２及びダイアタッチ層１２２の下層のグランド層１２３でグランド配線のインダクタンスＬ２１〜Ｌ２３を形成するようにしたので、線路長の長いグランド配線を形成することができるため、ワイヤがなくても大きなインダクタンスを実装することが可能である。
【００５７】
各グランド配線の線路長及び／又は線路幅を異ならせることにより、各グランド配線のインダクタンスの大きさを調整するようにしてもよい。
【００５８】
図４（ｄ）の位相整合用配線パターン層１２４上には、上述した位相整合用線路パターン１３２が形成されている。位相整合用パターン１３２は、所望の長さを確保するために、単なる直線ラインではなく、同一平面上で適当に折れ曲がった直線状の線路から構成されている。位相整合用線路パターン１３２の上下に位置するグランド層１２３、１２５に形成されたグランドパターン１５１、１５２（図２のグランド層１３４）がストリップ線路のグランドを形成する。
【００５９】
位相整合用線路パターン１３２の一端は、ビア６０_３を介して、図４（ｃ）のグランド層１２３、ダイアタッチ層１２２の共通端子用線路パターン１４３に導かれている。この共通端子用線路パターン１４３の一端は、フィルタチップ１２９と接続され、他方は接続路１３５_１１を介して、最下層である位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６の共通端子用フットパッド１２７_３に接続されている。位相整合用線路パターン１３２の他端は、ビア６０_２を介して、図４（ｅ）のグランド層１２５、図４（ｆ）の位相整合用線路パターン層／フットパッド層１２６の位相整合用線路パターン１３３の一端に導かれている。位相整合用線路パターン１３３の他端は、ビア６０_１を介して、図４（ｅ）のグランド層１２５、図４（ｄ）の位相整合用線路パターン層１２４、図４（ｃ）のグランド層１２３、図４（ｂ）のダイアタッチ層１２２の線路パターン１５６に導かれフィルタチップ１２９に接続される。
【００６０】
図４（ｄ）と（ｆ）に示すように、上段の位相整合用線路パターン１３２と、下段の位相整合用線路パターン１３３とは、直交している部分を含んでいるとよい。これにより、位相整合用線路同士の干渉を防止することができる。また、上段の位相整合用線路パターン１３２よりも、下段の位相整合用線路パターン１３３の方を長くすることによって、特性インピーダンスが安定する。
【００６１】
図４（ａ）に示すキャップ搭載層のシールリング（ＧＮＤ）１３６と、図４（ｃ）及び図４（ｅ）に示すグランドパターン１５１、１５２とは、接続路１３５_１、１３５_７、１３５_９、１３５_１０を介して接続されている。図４（ａ）に示すキャップ搭載層のシールリング（ＧＮＤ）１３６と、図４（ｇ）に示すグランドパターン１５３とは、接続路１３５_１、１３５_３、１３５_４、１３５_６、１３５_７、１３５_９、１３５_１０を介して接続されている。図４（ｃ）のグランド層１２３のグランドパターン１５１と、図４（ｅ）のグランド層１２５のグランドパターン１５２とは、ビア６１_１〜６１_８を介して接続されている。図４（ｅ）のグランド層１２５のグランドパターン１５２と、図４（ｇ）の位相整合用線路パターン／フットパッド層２６のグランドパターン１５３とは、ビア６１_２、６１_３、６１_６、６１_７を介して接続されている。
【００６２】
ダイアタッチ層１２２及びグランド層１２３に形成されたグランド配線パターン１４７、１５４は、位相整合用線路パターン層１２４に形成された位相整合用線路パターン１３２上に配置されている。これにより、位相整合用回路１１は上からグランドで覆われるため、位相整合用回路の特性インピーダンスが安定する。
【００６３】
ここで、図６に示す分波器における受信側フィルタ１３のインダクタンスＬ１〜Ｌ４について、図７を用いて説明する。
【００６４】
図７（ａ）は従来の分波器における受信側の回路図であり、図７（ｂ）は本実施形態に係る分波器１００の受信側の回路図を示している。図７（ｂ）は、図６の受信側の回路に対応するものである。図７（ａ）において、符号１４は共通端子、１５は受信側端子、３２はストリップライン（位相整合用線路）、３７は受信側の共振器を示している。また、図７（ｂ）において、符号１４は共通端子、１５は受信側端子、１３２、１３３はストリップライン（位相整合用線路）、１３７は受信側の共振器を示している。図７（ａ）に示すように、従来の分波器では、グランド共通化後にインダクタンスＬが形成されている。他方、同図（ｂ）に示すように、本実施形態に係る分波器１００では、グランド共通化前にインダクタンスＬ１〜Ｌ４が形成されており、グランド共通化後にはほとんどインダクタンスが存在しない。このようなインダクタンスの配置により、本実施形態は従来構成では得られない以下の効果を奏する。
【００６５】
図８は、本実施形態に係る分波器１００の受信側フィルタ１３のフィルタ特性を示した図である。図８の▲１▼に示すように、グランド共通化後にインダクタンスがある従来の分波器では、抑圧が悪くなる。他方、図８の▲２▼に示すように、グランドＬ１〜Ｌ４を共通化した後にインダクタンスがない本実施形態に係る分波器１００では、抑圧が向上する。特に、低域側の抑圧度は飛躍的に改善する。
【００６６】
図２に示す構成では、３つのグランドパターン１３４の隣接するグランドパターン１３４間の距離はほぼ等しい。これに対し、以下に本実施形態の変形例として説明するように、これらの間隔が異なるようにすることで、格別の効果を得ることができる。
【００６７】
図９は、本発明の本実施形態に係る分波器を変形した構成を示す断面図である。なお、図中、前述した構成要素と同一のものには同一符号を付してある。図９に示すように、分波器２００は、積層パッケージ２２０、フィルタチップ１２９、位相整合用線路パターン１３２、１３３及びキャップ１２８を有する。積層パッケージ２２０は、前述した６つの層１２１〜１２６が図示するように積層されている。位相整合用線路パターン１３２、１３３は、各位相整合用線路パターン層１２４、１２６上にそれぞれ形成され、かつ直列に接続されている。これにより、位相整合に必要な大きさのインダクタンス値を得ることができる。
【００６８】
ここで、位相整合用線路の特性インピーダンスを安定させるため、位相整合用線路の上下をグランドで挟む必要がある。しかし、グランドは、フットパッド１２７から高さ方向に遠ざかる程、フットパッドグランドよりもインダクタンスを持ったグランドとなってしまうため、特性インピーダンスの変動が大きくなる。この変動は、位相整合用線路パターンの上下グランド１３４の間隔を狭める程、小さくなることが分かった。
【００６９】
図１０は、ストリップラインの間隔に応じた特性インピーダンスの変動を説明するための図である。横軸はストリップラインの長さを、縦軸は特性インピーダンスを示す。図１０に示すように、ストリップライン下段は、位相整合用線路の特性インピーダンスの変動が小さい。他方、ストリップライン上段は、位相整合用線路の特性インピーダンスの変動が大きい。このため、上段のグランド間隔を、下段のグランド間隔よりも狭めることによって、位相整合用線路の特性インピーダンスが安定化すると共に、上下段の特性インピーダンスの差が小さくなることが分かった。位相整合用線路の特性インピーダンスが安定化すると、線路内での余分な反射が低減でき、挿入損失向上につながる。
【００７０】
このような見地から、図９に示す分波器２００では、上段と中段のグランド層１３４間の距離をＨ１とし、中断と下段のグランド層１３４間の距離をＨ２としたときに、Ｈ１＜Ｈ２となるように構成されている。
【００７１】
また、図１０は、位相整合用線路１３２、１３３の特性インピーダンスは、外部回路の特性インピーダンスよりも小さい方が、すなわち５０Ωよりも小さい方が、変動が少ないことを示している。特性インピーダンスを５０Ωよりも小さくするということは、位相整合用線路１３２、１３３の上下グランド層１３４の間隔を狭めるということであり、パッケージの小型化にもなる。
【００７２】
なお、図１０の長さが約７ｍｍ〜１０ｍｍにある特性インピーダンスの変動は、測定装置のプローブの影響によるもので、実際には特性インピーダンスは安定していると考えられる。
【００７３】
次に、位相整合用回路１１を構成する位相整合用線路パターン１３２、１３３の特性インピーダンスについて説明する。図１１（ａ）は分波器１００のフィルタ特性を示す図、同図（ｂ）は受信側端子１６（受信ポート）の反射特性を示す図である。図１１（ａ）の横軸は周波数、縦軸は挿入損失を示している。図中、▲１▼は位相整合用線路の特性インピーダンスが外部回路の特性インピーダンスよりも高い場合を示し、図中▲２▼は位相整合用線路の特性インピーダンスが外部回路の特性インピーダンスよりも低い場合を示している。
【００７４】
図１１（ａ）に示すように、位相整合用線路パターン１３２、１３３の特性インピーダンスが、受信側端子１６に接続される外部回路の特性インピーダンスよりも高いと、低い場合よりも分波器１００の挿入損失が向上する。また、図１１（ｂ）に示すように、位相整合用線路の特性インピーダンスが外部回路の特性インピーダンスよりも低い場合、通過帯域の輪が縮まり、インピーダンスマッチングが向上する。
【００７５】
積層パッケージ１２０は以下に説明するように、端子間のアイソレーションが優れている。図１２に、各信号間のパッケージ単体アイソレーション（チップを搭載していない状態）を示す。図１２（ａ）は送信側端子１５と共通端子１４との間のアイソレーション、図１２（ｂ）は共通端子１４と受信側端子１６との間のアイソレーション、及び図１２（ｃ）は送信側端子１５と受信側端子１６との間のアイソレーションを示す。各図において、▲１▼はダイアタッチ層に形成される送信用の信号パターン１４１（図４（ｂ））及び受信用の信号パターン１４２と、位相整合用回路パターン１３２、１３３との間にグランドがない場合（比較例）のアイソレーションを示し、▲２▼はこれらの間にグランドパターン１３４（図４（ｃ）のグランドパターン１５１）が設けられている場合のアイソレーション（本実施形態）を示す。グランドパターン１３４はダイアタッチ層１２２の送信線路１４１及び受信線路１４２と、位相整合用線路パターン１３２、１３３とを電気的に遮断しているので、アイソレーションが大幅に向上する。
【００７６】
図１３は、本実施形態に係る分波器１００の積層パッケージを分解した各層を示す図であって、（ａ）はキャップ搭載層、（ｂ）はダイアタッチ層、（ｃ）はグランド層、（ｄ）はフットパッド層を示している。なお、図４で示した位相整合用線路パターン層１２４、グランド層１２５は省略して図示している。図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は図３や図４で既に示しているが、以下に述べる説明の都合上、図１３として再度図示している。図１３に示すように、分波器１００では、送信用グランドと受信用グランドがフットパッドのみで共通化されている。図１３（ｃ）に示す送信用グランドパターン１５５は接続路１３５_１２に接続され、この接続路１３５_１２はフットパッド面に形成されたグランドパターン１５３にのみ接続され、図１３（ａ）に示すキャップ搭載層１２１のシールリング１３６には接続されていない（左下の破線部分）。つまり、送信用グランドパターン１５５はフットパッド面にあるグランドパターン１５３のみで受信用グランドと共通化されている。この結果、送信と受信間のアイソレーションが図１４のように向上する（矢印部）。図１４では、比較例として、図１３（ａ）の接続路１３５_１２とシールリング１３６が接続しているときのアイソレーション特性（送信端子から受信端子への通過特性）を載せている。図１４のグラフの横軸は周波数、縦軸は挿入損失（抑圧度）を示している
更に、本実施形態に係る分波器１００では、図３に示すように、送信側フィルタ１２を形成する共振器１３８と、受信側フィルタ１３を形成する共振器１３７とは、弾性表面波の伝搬方向に横並びに配置され、フィルタチップ１２９は、横並びに配置された前記第１及び第２の弾性表面波フィルタ１２と１３を挟み込むように設けられたバンプ（パッド）１３１を有する。この配置により、フィルタチップ１２９上のバンプ１３１を離して設けることができるため、送受信間のアイソレーションを向上させることができる。なお、フィルタチップ１２９に発生するバルク波の影響を避けるため、例えば、フィルタチップ１２９の裏面（回路形成面に対向する面）が適当な荒さを持っていることが好ましい。この荒い裏面でバルク波が乱反射し、送信側フィルタ１２と受信側フィルタ１３との間の干渉を軽減することができる。
【００７７】
また、図５に示すように、ダイアタッチ層１２２の送信線路１４１、受信線路１４２、位相整合用回路１１の入口と出口部分の線路が、平行もしくはほぼ平行に配置されているので、フィルタチップ１２９上のバンプを離して配置することができ、アイソレーションが向上する。また、位相整合用回路１１の入口と出口のフリップチップボンディングパッドが、対角もしくはほぼ対角の位置にあることによって、位相整合用回路の線路の引き回しが容易となる。
【００７８】
以上説明した本発明の一実施形態によれば、分波器１００は、異なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタ１２、１３と、該２つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路１１とをパッケージ１２０に収容した分波器において、前記弾性表面波フィルタのチップ１２９をフェースダウン状態でパッケージのダイアタッチ層１２２に実装し、ダイアタッチ層１２２及びダイアタッチ層の下層であるグランド層１２３に、インダクタンスＬ４、Ｌ２１〜Ｌ２３を形成するグランド線路パターン１４７、１５４；１４８、１４９、１５０、１５５を有する。線路長の長いグランド線路を形成することができるため、ワイヤがなくても大きなインダクタンスを実装することが可能である。これにより、小型且つ高性能な分波器デバイスを実現することができる。このようなグランド線路は、２つの弾性表面波フィルタ１２、１３の何れか一方又は両方に適用することができる。
【００７９】
また、分波器１００は、ダイアタッチ層１２２とこの下層であるグランド層１２３に設けられたグランド線路パターン１４７、１５４；１４８、１４９、１５０、１５５とが、積層パッケージ１２０内に設けられたビア６０_３、６０_２、６０_１を介して直列に接続されているので、二層にわたり引き回された線路長の充分に長いグランド線路を形成することができる。
【００８０】
図１５（ａ）は、分波器１００の送信フィルタと受信フィルタの周波数特性を示し、図１５（ｂ）はアイソレーション特性（送信端子から受信端子への通過特性）を示す。分波器１００は、帯域外抑圧度が高く挿入損失が小さく、かつ小型である。同様の特性が、前述した分波器２００でも得られる。
【００８１】
図１６は、上記分波器１００又は２００を備えた電子装置のブロック図である。この電子装置は携帯電話であって、図１６はその送受信系を示している。携帯電話の音声処理系などその他の構成は、便宜上省略してある。
【００８２】
携帯電話は、ＲＦ部２７０、変調器２７１及びＩＦ（中間周波数）部２７２を有する。ＲＦ部はアンテナ２７３、分波器２７４、ローノイズアンプ２８３、段間フィルタ２８４、ミキサ（乗算器）２７５、局部発振器２７６、段間フィルタ２７７、ミキサ（乗算器）２７８、段間フィルタ２７９及びパワーアンプ２８０を有する。音声処理系からの音声信号は変調器２７１で変調され、ＲＦ部２７０のミキサ２７８で局部発振器２７６の発振信号を用いて周波数変換（混合）される。ミキサ２７８の出力は段間フィルタ２７９及びパワーアンプ２８０を通り、分波器２７４に与えられる。
【００８３】
分波器２７４は、送信フィルタ２７４_１と、受信フィルタ２７４_２と、図示を省略してある位相整合用回路とを有する分波器１００又は２００である。パワーアンプ２８０からの送信信号は、分波器２７４を通りアンテナ２７３に供給される。アンテナ２７３からの受信信号は、分波器２７４の受信フィルタ２７４_２を通り、ローノイズアンプ２８３、段間フィルタ２８４を経て、ミキサ２７５に与えられる。ミキサ２７５は、局部発振器２７６の発振周波数を段間フィルタ２７７を介して受け取り、受信信号の周波数を変換して、ＩＦ部２７２に出力する。ＩＦ部２７２は、この信号をＩＦフィルタ２８１を介して受け取り、復調器２８２で復調して図示しない音声処理系に復調した音声信号を出力する。
【００８４】
図１６に示す通信装置は本発明の分波器を具備しているため、優れたフィルタ特性を持った小型の通信装置を提供することができる。
【００８５】
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００８６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高い帯域外抑圧度を有する小型の分波器を提供することができる。
【００８７】
【図面の簡単な説明】
【図１】分波器の基本構成を示す図（ａ）及び分波器の周波数特性を示す図（ｂ）である。
【図２】本発明の一実施形態に係る分波器パッケージの縦断面図である。
【図３】図２に示す分波器を説明するための図であって、（ａ）は、キャップを取り外した分波器の平面図、同図（ｂ）は、フィルタチップの接続面を示す図である。
【図４】図２に示す分波器の積層パッケージを分解した各層を示す図である。
【図５】図２（ｂ）に示したダイアタッチ層を拡大して示した図である。
【図６】図２に示す分波器の電気的な等価モデルを示す。
【図７】（ａ）は従来の分波器における受信側の回路図、（ｂ）は図２に示す分波器の受信側の回路図を示している。
【図８】図２に示す分波器の受信側フィルタのフィルタ特性を示した図である。
【図９】図２に示す分波器の変形例の断面図である。
【図１０】ストリップラインの間隔に応じた特性インピーダンスの変動を説明するための図である。
【図１１】図２に示す分波器を説明するための図であって、（ａ）はこの分波器のフィルタ特性を示す図、（ｂ）は受信ポートの反射特性を示す図である。
【図１２】図２に示す分波器における各信号間のパッケージ単体アイソレーションを示す図である。
【図１３】図２に示す分波器の積層パッケージを分解した各層を示す図である。
【図１４】図２に示す分波器のフィルタ特性を示す図である。
【図１５】図２に示す分波器のフィルタ特性を示す図である。
【図１６】第８実施形態に係る電子装置のブロック図である。
【符号の説明】
１００ 分波器
１２０ 積層パッケージ
１２８ キャップ
１２９ フィルタチップ
１３２、１３３ 位相整合用線路パターン
１３４ グランドパターン
１３５ 接続路

Claims (17)

1. 異なる帯域中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタと、該２つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とをパッケージに収容した分波器において、
   前記弾性表面波フィルタのチップをフェースダウン状態でパッケージのダイアタッチ層に実装し、前記ダイアタッチ層及び前記ダイアタッチ層の下層に、インダクタンスを形成するグランド線路パターンを有することを特徴とする分波器。
2. 前記分波器は、前記ダイアタッチ層と前記下層に設けられたグランド線路パターンとが、前記パッケージ内に設けられたビアを介して直列に接続された構成を含むことを特徴とする請求項１記載の分波器。
3. 前記グランド線路パターンは、線路長と線路幅の少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の分波器。
4. 前記弾性表面波フィルタは直列共振器と並列共振器とを複数段接続した構成を有し、
   ２つの段に共通に設けられた並列共振器に接続されるグランド配線パターンは、その他の並列共振器に接続されるグランド配線パターンよりも長いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の分波器。
5. 前記パッケージは更に、前記位相整合用回路を構成する第１の位相整合用線路パターンが形成された層を有し、
   前記グランド配線パターンは、前記第１の位相整合用線路パターンの上を通る位置に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の分波器。
6. 前記パッケージは更に、前記位相整合用回路を構成する第１の位相整合用線路パターンが形成された第１の位相整合用パターン層と、
   前記第１の層よりも下段に位置し、前記位相整合用回路を構成する第２の位相整合用線路パターンが形成された第２の位相整合用パターン層と、
   前記第１及び第２の位相整合用パターン層を挟むように設けられ、それぞれグランドパターンが形成された第１のグランド層、第２のグランド層及び第３のグランド層とを有し、
   前記第１及び第２のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔と、前記第２及び前記第３のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔とが異なることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の分波器。
7. 前記第１及び第２のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔は、前記第２及び前記第３のグランド層に形成されたグランドパターンの間隔よりも短いことを特徴とする請求項６記載の分波器。
8. 前記位相整合用線路の特性インピーダンスは、前記分波器に接続される外部回路の特性インピーダンスよりも小さいことを特徴とする請求項６又は請求項７記載の分波器。
9. 前記第１及び第２の位相整合用パターン層のそれぞれ形成された位相整合用線路パターンは、直交する部分を含むことを特徴とする請求項６から請求項８記載の分波器。
10. 前記第２の位相整合用線路パターンは、前記第１の位相整合用線路パターンよりも長いことを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか一項に記載の分波器。
11. 前記ダイアタッチ層と前記第１の位相整合用配線パターン層の間に前記第１のグランド層が配置されていることを特徴とする請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の分波器。
12. 前記グランド線路パターンは、受信側のグランド線路パターンを有し、
    前記受信側のグランド線路パターンは、前記パッケージのキャップ搭載層に形成されたグランドパターンと、最下層に形成されたフットパッドだけで共通化されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の分波器。
13. 前記グランド線路パターンは、送信側のグランド線路パターンを含み、
    前記送信側のグランド線路パターンと前記受信側のグランド線路パターンは、最下層に形成されたフットパッドだけで共通化されていることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の分波器。
14. 前記チップを搭載する前記ダイアタッチ層は、前記チップの回路形成面の外側に配置されたパッドに接続するフリップチップボンディングパッドを有することを特徴とする請求項１から請求項１３記載のいずれか一項に記載の分波器。
15. 前記位相整合用回路は、前記パッケージの複数の層に形成された配線パターンを有し、当該配線パターンの両端は、前記パッケージ内の所定の層上で対角の位置に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の分波器。
16. 異なる帯域中心周波数を有する第１及び第２の弾性表面波フィルタが形成された一つのチップをパッケージに収容した分波器において、
    前記第１の弾性表面波フィルタを形成する共振器と、前記第２の弾性表面波フィルタを形成する共振器とは、弾性表面波の伝搬方向に横並びに配置され、
    前記チップは、前記横並びに配置された前記第１及び第２の弾性表面波フィルタを挟み込むように設けられたパッドを有することを特徴とする分波器。
17. アンテナと、これに接続される分波器と、該分波器に接続される送信系及び受信系回路とを具備し、前記分波器は、請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の分波器であることを特徴とする電子装置。

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