JP2002290204A - ラダー型弾性表面波フィルタ - Google Patents
ラダー型弾性表面波フィルタInfo
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- JP2002290204A JP2002290204A JP2001091455A JP2001091455A JP2002290204A JP 2002290204 A JP2002290204 A JP 2002290204A JP 2001091455 A JP2001091455 A JP 2001091455A JP 2001091455 A JP2001091455 A JP 2001091455A JP 2002290204 A JP2002290204 A JP 2002290204A
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- wave filter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ラダー型弾性表面波フィルタの帯域幅を拡大
する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に一端子対弾性表面波共振子
を梯子状に複数個配設して構成するラダー型弾性表面波
フィルタであって、並列腕に配置された前記一端子対弾
性表面波共振子の中でインピーダンスの最も小さな共振
子に他より大きなインダクタンスを直列接続してラダー
型弾性表面波フィルタを構成する。
する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に一端子対弾性表面波共振子
を梯子状に複数個配設して構成するラダー型弾性表面波
フィルタであって、並列腕に配置された前記一端子対弾
性表面波共振子の中でインピーダンスの最も小さな共振
子に他より大きなインダクタンスを直列接続してラダー
型弾性表面波フィルタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波フィルタ
に関し、特に帯域幅を拡大したラダー型弾性表面波フィ
ルタに関する。
に関し、特に帯域幅を拡大したラダー型弾性表面波フィ
ルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡ
Ｗフィルタと称す）は通信分野で広く利用され、高性
能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に
携帯電話機等に多く用いられている。携帯電話機のＲＦ
段に用いられるＳＡＷフィルタの１つにラダー型弾性表
面波フィルタ（以下、ラダー型ＳＡＷフィルタと称す）
があり、その特徴は急峻な減衰傾度を有すること、挿入
損失が小さいこと等があげられる。最近、ＣＤＭＡ移動
通信システム（例えば、ｃｄｍａＯｎｅ）において、携
帯端末機用のＲＦフィルタとして従来の帯域幅より広い
ＳＡＷフィルタが要求されている。例えば、受信用ＲＦ
フィルタの通過帯域幅には８３２〜８７０ＭＨｚ、送信
用ＲＦフィルタとして８８７〜９２５ＭＨｚ、即ち、送
受信とも３８ＭＨｚの帯域幅が要求されている。
Ｗフィルタと称す）は通信分野で広く利用され、高性
能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に
携帯電話機等に多く用いられている。携帯電話機のＲＦ
段に用いられるＳＡＷフィルタの１つにラダー型弾性表
面波フィルタ（以下、ラダー型ＳＡＷフィルタと称す）
があり、その特徴は急峻な減衰傾度を有すること、挿入
損失が小さいこと等があげられる。最近、ＣＤＭＡ移動
通信システム（例えば、ｃｄｍａＯｎｅ）において、携
帯端末機用のＲＦフィルタとして従来の帯域幅より広い
ＳＡＷフィルタが要求されている。例えば、受信用ＲＦ
フィルタの通過帯域幅には８３２〜８７０ＭＨｚ、送信
用ＲＦフィルタとして８８７〜９２５ＭＨｚ、即ち、送
受信とも３８ＭＨｚの帯域幅が要求されている。
【０００３】図７（ａ）はラダー型フィルタの基本区間
を示す回路で、並列腕の共振子Ｚｐと直列腕の共振子Ｚ
ｓとから構成され、それぞれの腕のリアクタンス曲線は
同図（ｂ）のように設定される。即ち、並列腕共振子Ｚ
ｐの反共振周波数と直列腕共振子Ｚｓの共振周波数とを
ほぼ一致するように設定すると、その周波数を中心周波
数として、図７（ｂ）に示すようにバンドパスフィルタ
Ｆが形成され、並列腕共振子Ｚｐの共振周波数と直列腕
共振子Ｚｓの反共振周波数とに減衰極が形成され、減衰
傾度の急峻なフィルタが得られる。図７（ｃ）に示すラ
ダー型フィルタは、同図（ａ）に示す基本区間を４区間
インピーダンスが整合するように縦続接続した回路構成
であり、直列腕のインピーダンスＸｓは２Ｚｓ、並列腕
のインピーダンスＸｐ、Ｘｐ２はそれぞれＺｐ、Ｚｐ／
２となる。そして、図７（ｃ）の各共振子を同図（ｄ）
に示す一端子対弾性表面波共振子（以下、ＳＡＷ共振子
と称す）で置換したラダー型フィルタが、所謂ラダー型
ＳＡＷフィルタである。
を示す回路で、並列腕の共振子Ｚｐと直列腕の共振子Ｚ
ｓとから構成され、それぞれの腕のリアクタンス曲線は
同図（ｂ）のように設定される。即ち、並列腕共振子Ｚ
ｐの反共振周波数と直列腕共振子Ｚｓの共振周波数とを
ほぼ一致するように設定すると、その周波数を中心周波
数として、図７（ｂ）に示すようにバンドパスフィルタ
Ｆが形成され、並列腕共振子Ｚｐの共振周波数と直列腕
共振子Ｚｓの反共振周波数とに減衰極が形成され、減衰
傾度の急峻なフィルタが得られる。図７（ｃ）に示すラ
ダー型フィルタは、同図（ａ）に示す基本区間を４区間
インピーダンスが整合するように縦続接続した回路構成
であり、直列腕のインピーダンスＸｓは２Ｚｓ、並列腕
のインピーダンスＸｐ、Ｘｐ２はそれぞれＺｐ、Ｚｐ／
２となる。そして、図７（ｃ）の各共振子を同図（ｄ）
に示す一端子対弾性表面波共振子（以下、ＳＡＷ共振子
と称す）で置換したラダー型フィルタが、所謂ラダー型
ＳＡＷフィルタである。
【０００４】ＳＡＷ共振子は図７（ｄ）に示すように圧
電基板１０の主面上に表面波の伝搬方向に沿って、ＩＤ
Ｔ電極１１を配置すると共にその両側にグレーティング
反射器（以下、反射器と称す）１２ａ、１２ｂを配設し
て構成される。ＩＤＴ電極１１は互いに間挿し合う複数
の電極指を有する一対のくし型電極から形成される。実
用に供されているラダー型ＳＡＷフィルタは、図７
（ｄ）に示すようなＳＡＷ共振子を一枚の圧電基板上に
表面波の伝搬方向に沿って複数個配置し、各共振子を同
一圧電基板上に形成したリード電極にて図７（ｃ）に示
すように梯子状に接続して構成する。その際、各ＳＡＷ
共振子に要求されるインピーダンスの違いはＩＤＴ電極
の電極指対数、交差幅等で調整する。
電基板１０の主面上に表面波の伝搬方向に沿って、ＩＤ
Ｔ電極１１を配置すると共にその両側にグレーティング
反射器（以下、反射器と称す）１２ａ、１２ｂを配設し
て構成される。ＩＤＴ電極１１は互いに間挿し合う複数
の電極指を有する一対のくし型電極から形成される。実
用に供されているラダー型ＳＡＷフィルタは、図７
（ｄ）に示すようなＳＡＷ共振子を一枚の圧電基板上に
表面波の伝搬方向に沿って複数個配置し、各共振子を同
一圧電基板上に形成したリード電極にて図７（ｃ）に示
すように梯子状に接続して構成する。その際、各ＳＡＷ
共振子に要求されるインピーダンスの違いはＩＤＴ電極
の電極指対数、交差幅等で調整する。
【０００５】図８（ａ）はｃｄｍａＯｎｅ端末機のＲＦ
用ラダー型ＳＡＷフィルタに用いられる５素子構成の回
路図で、図７（ｃ）に示したラダー回路の並列腕共振子
にインダクタンスをそれぞれ直列に付加して、通過域の
拡大を図った回路構成である。実際には、例えば特開平
５−１８３３８０号公報に開示されているように、ボン
ディングワイヤを通常よりも長く、あるいはコイル状に
変形させるなどして、これをインダクタンスとして用い
る例や、セラミックパッケージ上にマイクロストリップ
・ラインを形成し、これをインダクタンスとして用いた
ものもある。図８（ｂ）、（ｃ）に示す通過域特性及び
減衰域特性は、圧電基板には４２°回転ＹカットＸ伝搬
ＬｉＴａＯ３を用い、アルミニウム電極膜厚を4150Å、
ＳＡＷ共振子Ｘｓの波長λ1を4.20μm、ＩＤＴ電極対数
を48対、交差幅を76μm、反射器の本数をそれぞれ132本
と、ＳＡＷ共振子Ｘｐの波長λ2を4.43μm、ＩＤＴ電極
対数を76対、交差幅を78μm、反射器の本数をそれぞれ1
04本と、ＳＡＷ共振子Ｘｐ２の波長λ2を4.43μm、ＩＤ
Ｔ電極対数を126対、交差幅を94μm、反射器の本数をそ
れぞれ54本として、シミュレーションにより求めた特性
である。なお、並列腕のＳＡＷ共振子に直列接続するイ
ンダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の値は、それぞれ0.5nH
と設定した場合でる。
用ラダー型ＳＡＷフィルタに用いられる５素子構成の回
路図で、図７（ｃ）に示したラダー回路の並列腕共振子
にインダクタンスをそれぞれ直列に付加して、通過域の
拡大を図った回路構成である。実際には、例えば特開平
５−１８３３８０号公報に開示されているように、ボン
ディングワイヤを通常よりも長く、あるいはコイル状に
変形させるなどして、これをインダクタンスとして用い
る例や、セラミックパッケージ上にマイクロストリップ
・ラインを形成し、これをインダクタンスとして用いた
ものもある。図８（ｂ）、（ｃ）に示す通過域特性及び
減衰域特性は、圧電基板には４２°回転ＹカットＸ伝搬
ＬｉＴａＯ３を用い、アルミニウム電極膜厚を4150Å、
ＳＡＷ共振子Ｘｓの波長λ1を4.20μm、ＩＤＴ電極対数
を48対、交差幅を76μm、反射器の本数をそれぞれ132本
と、ＳＡＷ共振子Ｘｐの波長λ2を4.43μm、ＩＤＴ電極
対数を76対、交差幅を78μm、反射器の本数をそれぞれ1
04本と、ＳＡＷ共振子Ｘｐ２の波長λ2を4.43μm、ＩＤ
Ｔ電極対数を126対、交差幅を94μm、反射器の本数をそ
れぞれ54本として、シミュレーションにより求めた特性
である。なお、並列腕のＳＡＷ共振子に直列接続するイ
ンダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の値は、それぞれ0.5nH
と設定した場合でる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８
（ｂ）に示した通過域特性から明らかなように、3.4ｄ
Ｂにおける通過帯域幅（以下、帯域幅と称す）は45.76M
Hzであった。ｃｄｍａＯｎｅ用のＲＦフィルタに求めら
れる帯域幅は、温度特性、製造時の偏差、経年変化等を
考慮すると46MHz以上が望ましく、図８（ｂ）に示した
通過帯域特性では帯域幅が狭いという問題があった。並
列のＳＡＷ共振子に直列接続するインダクタンス値を大
きくすれば広帯域化が図られるが、最近のＳＡＷフィル
タのさらなる小型化要求では、パッケージ内に形成する
インダクタンス値の大きさには自ずから大きさには限界
がある。本発明は上記問題を解決するためになされたも
のであって、46MHz以上の帯域幅を有するラダー型ＳＡ
Ｗフィルタを提供することを目的とする。
（ｂ）に示した通過域特性から明らかなように、3.4ｄ
Ｂにおける通過帯域幅（以下、帯域幅と称す）は45.76M
Hzであった。ｃｄｍａＯｎｅ用のＲＦフィルタに求めら
れる帯域幅は、温度特性、製造時の偏差、経年変化等を
考慮すると46MHz以上が望ましく、図８（ｂ）に示した
通過帯域特性では帯域幅が狭いという問題があった。並
列のＳＡＷ共振子に直列接続するインダクタンス値を大
きくすれば広帯域化が図られるが、最近のＳＡＷフィル
タのさらなる小型化要求では、パッケージ内に形成する
インダクタンス値の大きさには自ずから大きさには限界
がある。本発明は上記問題を解決するためになされたも
のであって、46MHz以上の帯域幅を有するラダー型ＳＡ
Ｗフィルタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るラダー型弾性表面波フィルタの請求項１
記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿
ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配
置して形成する一端子対弾性表面波共振子を梯子状に複
数個配設し、該圧電基板をパッケージ内に収容して構成
するラダー型弾性表面波フィルタにおいて、並列腕に配
置された前記一端子対弾性表面波共振子の中でインピー
ダンスの最も小さな共振子に他のインダクタンスより大
きなインダクタンスを直列接続したことを特徴とするラ
ダー型弾性表面波フィルタである。請求項２記載の発明
は、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ
電極とその両側にグレーティング反射器を配置して形成
する一端子対弾性表面波共振子を梯子状に複数個配設
し、該圧電基板をパッケージ内に収容して構成するラダ
ー型弾性表面波フィルタにおいて、並列腕に配置された
前記一端子対弾性表面波共振子の中でインピーダンスの
最も小さな共振子にのみインダクタンスを直列接続した
ことを特徴とするラダー型弾性表面波フィルタである。
請求項３記載の発明は、前記インダクタンスをストリッ
プラインあるいは、マイクロストリップ・ラインにて形
成したことを特徴とする請求項１または２に記載のラダ
ー型弾性表面波フィルタである。請求項４記載の発明
は、前記インダクタンスをボンディングワイヤにて形成
したことを特徴とする請求項１乃至３に記載のラダー型
弾性表面波フィルタである。
に本発明に係るラダー型弾性表面波フィルタの請求項１
記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿
ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配
置して形成する一端子対弾性表面波共振子を梯子状に複
数個配設し、該圧電基板をパッケージ内に収容して構成
するラダー型弾性表面波フィルタにおいて、並列腕に配
置された前記一端子対弾性表面波共振子の中でインピー
ダンスの最も小さな共振子に他のインダクタンスより大
きなインダクタンスを直列接続したことを特徴とするラ
ダー型弾性表面波フィルタである。請求項２記載の発明
は、圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ
電極とその両側にグレーティング反射器を配置して形成
する一端子対弾性表面波共振子を梯子状に複数個配設
し、該圧電基板をパッケージ内に収容して構成するラダ
ー型弾性表面波フィルタにおいて、並列腕に配置された
前記一端子対弾性表面波共振子の中でインピーダンスの
最も小さな共振子にのみインダクタンスを直列接続した
ことを特徴とするラダー型弾性表面波フィルタである。
請求項３記載の発明は、前記インダクタンスをストリッ
プラインあるいは、マイクロストリップ・ラインにて形
成したことを特徴とする請求項１または２に記載のラダ
ー型弾性表面波フィルタである。請求項４記載の発明
は、前記インダクタンスをボンディングワイヤにて形成
したことを特徴とする請求項１乃至３に記載のラダー型
弾性表面波フィルタである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るラ
ダー型ＳＡＷフィルタの構成を示す図である。圧電基板
上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極とその両側に
反射器を配置して形成するＳＡＷ共振子を梯子状に複数
個（図１の実施例は５素子タイプ）配設し、該圧電基板
をパッケージ内に収容して構成するラダー型ＳＡＷフィ
ルタであって、並列腕に配置された３つのＳＡＷ共振子
に、パッケージ内の底部あるいはパッケージ内の外周部
分に形成したストリップライン、あるいはマイクロスト
リップ・ラインが呈するインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ
３を直列接続して構成したフィルタである。即ち、ラダ
ー型ＳＡＷフィルタにおける直列腕はリアクタンスＸ
ｓ、Ｘｓを有する２つのＳＡＷ共振子から構成され、並
列腕は図中左端から順にリアクタンスＸｐ、Ｘｐ２、Ｘ
ｐを有する３つのＳＡＷ共振子にそれぞれインダクタン
スＬ１、Ｌ２、Ｌ３が直列接続された回路から構成され
ている。ここで本願発明者は、３個のインダクタンスの
合計値を1.5nHのままとして、並列腕ＳＡＷ共振子Ｘ
ｐ、Ｘｐ２、Ｘｐに直列接続するインダクタンスの値を
種々組み合わせ、シミュレーションを行った。例えば、
インダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の値をそれぞれ0.4n
H、0.4nH、0.7nHと設定したときの通過域特性を図９に
示す。帯域幅は45.37ＭＨｚであり、要求の46MHz以上を
実現できなかった。次に、インダクタンスＬ１、Ｌ２、
Ｌ３の値をそれぞれ0.1nH、0.2nH、1.2nHと設定したと
きの通過域特性を図１０に示す。この場合の帯域幅は4
4.71MHzと逆に狭くなった。そこで並列腕の３つのＳＡ
Ｗ共振子Ｘｐ、Ｘｐ２、Ｘｐのインピーダンスの大小は
前述したように、Ｘｐ２＝Ｘｐ／２と、中央のＳＡＷ共
振子のインピーダンスが両側のＳＡＷ共振子のインピー
ダンスの半分となっていることに着目した。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るラ
ダー型ＳＡＷフィルタの構成を示す図である。圧電基板
上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極とその両側に
反射器を配置して形成するＳＡＷ共振子を梯子状に複数
個（図１の実施例は５素子タイプ）配設し、該圧電基板
をパッケージ内に収容して構成するラダー型ＳＡＷフィ
ルタであって、並列腕に配置された３つのＳＡＷ共振子
に、パッケージ内の底部あるいはパッケージ内の外周部
分に形成したストリップライン、あるいはマイクロスト
リップ・ラインが呈するインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ
３を直列接続して構成したフィルタである。即ち、ラダ
ー型ＳＡＷフィルタにおける直列腕はリアクタンスＸ
ｓ、Ｘｓを有する２つのＳＡＷ共振子から構成され、並
列腕は図中左端から順にリアクタンスＸｐ、Ｘｐ２、Ｘ
ｐを有する３つのＳＡＷ共振子にそれぞれインダクタン
スＬ１、Ｌ２、Ｌ３が直列接続された回路から構成され
ている。ここで本願発明者は、３個のインダクタンスの
合計値を1.5nHのままとして、並列腕ＳＡＷ共振子Ｘ
ｐ、Ｘｐ２、Ｘｐに直列接続するインダクタンスの値を
種々組み合わせ、シミュレーションを行った。例えば、
インダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の値をそれぞれ0.4n
H、0.4nH、0.7nHと設定したときの通過域特性を図９に
示す。帯域幅は45.37ＭＨｚであり、要求の46MHz以上を
実現できなかった。次に、インダクタンスＬ１、Ｌ２、
Ｌ３の値をそれぞれ0.1nH、0.2nH、1.2nHと設定したと
きの通過域特性を図１０に示す。この場合の帯域幅は4
4.71MHzと逆に狭くなった。そこで並列腕の３つのＳＡ
Ｗ共振子Ｘｐ、Ｘｐ２、Ｘｐのインピーダンスの大小は
前述したように、Ｘｐ２＝Ｘｐ／２と、中央のＳＡＷ共
振子のインピーダンスが両側のＳＡＷ共振子のインピー
ダンスの半分となっていることに着目した。
【０００９】本発明の特徴はマイクロストリップ・ライ
ンが呈するインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の大きさを
並列腕のＳＡＷ共振子のインピーダンスに対応して、イ
ンピーダンスの大きな両側のＳＡＷ共振子Ｘｐには小さ
なインダクタンスＬ１、Ｌ３を、インピーダンスの小さ
な中央のＳＡＷ共振子Ｘｐ２には大きなインダクタンス
Ｌ２を接続するように設定したことである。
ンが呈するインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の大きさを
並列腕のＳＡＷ共振子のインピーダンスに対応して、イ
ンピーダンスの大きな両側のＳＡＷ共振子Ｘｐには小さ
なインダクタンスＬ１、Ｌ３を、インピーダンスの小さ
な中央のＳＡＷ共振子Ｘｐ２には大きなインダクタンス
Ｌ２を接続するように設定したことである。
【００１０】図２（ａ）、（ｂ）はシミュレーションに
より求めた５素子ラダー型ＳＡＷフィルタの通過域特性
と、減衰域特性とである。圧電基板及び各ＳＡＷ共振子
の定数は図８で説明したものと同一のものを用い、イン
ダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の大きさをそれぞれ0.4n
H、0.7nH、0.4nHとした場合の特性である。図２（ｂ）
から明らかなように帯域幅は46.29MHzと、要求される帯
域幅４６ＭＨｚより広くなっていることが分かる。
より求めた５素子ラダー型ＳＡＷフィルタの通過域特性
と、減衰域特性とである。圧電基板及び各ＳＡＷ共振子
の定数は図８で説明したものと同一のものを用い、イン
ダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３の大きさをそれぞれ0.4n
H、0.7nH、0.4nHとした場合の特性である。図２（ｂ）
から明らかなように帯域幅は46.29MHzと、要求される帯
域幅４６ＭＨｚより広くなっていることが分かる。
【００１１】図３は並列腕に接続されるインダクタンス
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を0.3nH、0.9nH、0.3nHと設定した場
合の通過域特性である。図から明らかなように46.61MHz
と要求帯域幅４６ＭＨｚより拡大していることが分か
る。また、図４はインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３を0.
1nH、1.2nH、0.2nHと設定した場合の通過域特性であ
る。この場合も帯域幅は46.81MHzとさらに要求帯域幅よ
り広くなっていることが判明した。
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３を0.3nH、0.9nH、0.3nHと設定した場
合の通過域特性である。図から明らかなように46.61MHz
と要求帯域幅４６ＭＨｚより拡大していることが分か
る。また、図４はインダクタンスＬ１、Ｌ２、Ｌ３を0.
1nH、1.2nH、0.2nHと設定した場合の通過域特性であ
る。この場合も帯域幅は46.81MHzとさらに要求帯域幅よ
り広くなっていることが判明した。
【００１２】図５は、図８（ｂ）に示した従来のラダー
型ＳＡＷフィルタの通過域特性（破線）と、図４に示し
た本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの通過域特性
（実線）とを重ね書きした図であり、帯域幅が拡大して
いることが明らかである。図には示していないが、減衰
量も若干改善されていることが判明した。
型ＳＡＷフィルタの通過域特性（破線）と、図４に示し
た本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの通過域特性
（実線）とを重ね書きした図であり、帯域幅が拡大して
いることが明らかである。図には示していないが、減衰
量も若干改善されていることが判明した。
【００１３】図６（ａ）は並列腕の中央のＳＡＷ共振子
Ｘｐ２にのみインダクタンスＬ２を直列接続した実施例
であり、同図（ｂ）はその通過域特性である。この実施
例の場合、帯域幅は46.73MHzと要求の46MHzより広くで
きることが分かった。このように、並列腕のインピーダ
ンスの小さなＳＡＷ共振子に大きなインダクタンスを接
続することにより、帯域幅が拡大することが判明した。
Ｘｐ２にのみインダクタンスＬ２を直列接続した実施例
であり、同図（ｂ）はその通過域特性である。この実施
例の場合、帯域幅は46.73MHzと要求の46MHzより広くで
きることが分かった。このように、並列腕のインピーダ
ンスの小さなＳＡＷ共振子に大きなインダクタンスを接
続することにより、帯域幅が拡大することが判明した。
【００１４】以上では５素子タイプのラダー型ＳＡＷフ
ィルタについて説明したが、本発明はこれのみに限定す
るものではなく、さらに多くのＳＡＷ共振子を用いたラ
ダー型ＳＡＷフィルタにも適用できることは説明するま
でもない。尚、上記の例ではインダクタンスをマイクロ
ストリップ・ラインにて実現したものを示したが、ボン
ディングワイヤを通常よりも長くするか、あるいはコイ
ル状に加工することにより、インダクタンスを実現した
ものであってもよい。
ィルタについて説明したが、本発明はこれのみに限定す
るものではなく、さらに多くのＳＡＷ共振子を用いたラ
ダー型ＳＡＷフィルタにも適用できることは説明するま
でもない。尚、上記の例ではインダクタンスをマイクロ
ストリップ・ラインにて実現したものを示したが、ボン
ディングワイヤを通常よりも長くするか、あるいはコイ
ル状に加工することにより、インダクタンスを実現した
ものであってもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、請求項１に記載の発明は通過帯域幅を拡大できる
という優れた効果を表す。請求項２に記載の発明はイン
ピーダンスの小さなＳＡＷ共振子にのみインダクタンス
を直列接続した場合も、広帯域化が図られるという優れ
た効果を表す。請求項３に記載の発明は中央のＳＡＷ共
振子に接続するボンディングワイヤを長くすれば帯域幅
の拡大が図られるという利点がある。請求項４に記載の
発明はパッケージの内底部あるいは内周辺部にマイクロ
ストリップ・ラインを形成して帯域幅を拡大するので、
小型化には適している。
ので、請求項１に記載の発明は通過帯域幅を拡大できる
という優れた効果を表す。請求項２に記載の発明はイン
ピーダンスの小さなＳＡＷ共振子にのみインダクタンス
を直列接続した場合も、広帯域化が図られるという優れ
た効果を表す。請求項３に記載の発明は中央のＳＡＷ共
振子に接続するボンディングワイヤを長くすれば帯域幅
の拡大が図られるという利点がある。請求項４に記載の
発明はパッケージの内底部あるいは内周辺部にマイクロ
ストリップ・ラインを形成して帯域幅を拡大するので、
小型化には適している。
【図１】本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの構成を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図２】本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの、
（ａ）は通過域特性、（ｂ）は減衰域特性である。
（ａ）は通過域特性、（ｂ）は減衰域特性である。
【図３】本発明に係る他のパラメータを用いたラダー型
ＳＡＷフィルタの通過域特性である。
ＳＡＷフィルタの通過域特性である。
【図４】本発明に係る他のパラメータを用いたラダー型
ＳＡＷフィルタの通過域特性である。
ＳＡＷフィルタの通過域特性である。
【図５】本発明に係るラダー型ＳＡＷフィルタの特性
と、従来のラダー型ＳＡＷフィルタの特性とを重ね書き
した図である。
と、従来のラダー型ＳＡＷフィルタの特性とを重ね書き
した図である。
【図６】（ａ）は本発明に係る他の実施例の構成を示す
回路図、（ｂ）はその通過域特性を示す図である。
回路図、（ｂ）はその通過域特性を示す図である。
【図７】（ａ）はラダー型フィルタの基本区間を示す
図、（ｂ）はそれぞれの共振子のリアクタンス特性とフ
ィルタ特性を示す図、（ｃ）は５素子ラダー型ＳＡＷフ
ィルタの構成を示す回路図、（ｄ）はＳＡＷ共振子の構
成を示す図である。
図、（ｂ）はそれぞれの共振子のリアクタンス特性とフ
ィルタ特性を示す図、（ｃ）は５素子ラダー型ＳＡＷフ
ィルタの構成を示す回路図、（ｄ）はＳＡＷ共振子の構
成を示す図である。
【図８】（ａ）は従来のラダー型ＳＡＷフィルタの構成
を示す回路図、（ｂ）はその通過域特性を示す図、
（ｃ）は減衰域を示す図である。
を示す回路図、（ｂ）はその通過域特性を示す図、
（ｃ）は減衰域を示す図である。
【図９】従来のラダー型ＳＡＷフィルタの通過域特性を
示す図である。
示す図である。
【図１０】従来のラダー型ＳＡＷフィルタの通過域特性
を示す図である。
を示す図である。
Ｘｓ・・直列腕のＳＡＷ共振子 Ｘｐ、Ｘｐ２・・並列腕のＳＡＷ共振子 Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３・・並列腕のＳＡＷ共振子にそれぞれ
直列接続されたインダクタンス
直列接続されたインダクタンス
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿
ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配
置して形成する一端子対弾性表面波共振子を梯子状に複
数個配設し、該圧電基板をパッケージ内に収容して構成
するラダー型弾性表面波フィルタにおいて、 並列腕に配置された前記一端子対弾性表面波共振子の中
でインピーダンスの最も小さな共振子に他のインダクタ
ンスより大きなインダクタンスを直列接続したことを特
徴とするラダー型弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 圧電基板上に弾性表面波の伝搬方向に沿
ってＩＤＴ電極とその両側にグレーティング反射器を配
置して形成する一端子対弾性表面波共振子を梯子状に複
数個配設し、該圧電基板をパッケージ内に収容して構成
するラダー型弾性表面波フィルタにおいて、 並列腕に配置された前記一端子対弾性表面波共振子の中
でインピーダンスの最も小さな共振子にのみインダクタ
ンスを直列接続したことを特徴とするラダー型弾性表面
波フィルタ。 - 【請求項３】 前記インダクタンスをストリップライン
あるいは、マイクロストリップ・ラインにて形成したこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のラダー型弾性
表面波フィルタ。 - 【請求項４】 前記インダクタンスをボンディングワイ
ヤにて形成したことを特徴とする請求項１乃至３に記載
のラダー型弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001091455A JP2002290204A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ラダー型弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001091455A JP2002290204A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ラダー型弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002290204A true JP2002290204A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18946066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001091455A Withdrawn JP2002290204A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ラダー型弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002290204A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053731B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-05-30 | Fujitsu Media Devices, Limited | Duplexer using surface acoustic wave filters |
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| JPWO2015119177A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | 可変フィルタ回路および無線通信装置 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001091455A patent/JP2002290204A/ja not_active Withdrawn
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