JPH11251861A - 縦結合多重モードｓａｗフィルタ - Google Patents
縦結合多重モードｓａｗフィルタInfo
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- JPH11251861A JPH11251861A JP6954898A JP6954898A JPH11251861A JP H11251861 A JPH11251861 A JP H11251861A JP 6954898 A JP6954898 A JP 6954898A JP 6954898 A JP6954898 A JP 6954898A JP H11251861 A JPH11251861 A JP H11251861A
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Abstract
近傍の高周波側に生じる減衰量の劣化を改善する手段を
得る。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
複数のＩＤＴ電極とその両側に反射器を配置して構成す
る縦結合多重モードＳＡＷにおいて、入力ＩＤＴ電極と
出力ＩＤＴ電極との間にリアクタンス素子を配設した縦
結合多重モードＳＡＷフィルタ。
Description
ＡＷフィルタに関し、特に縦結合多重モードＳＡＷフィ
ルタに特有な通過帯域近傍の高周波側に生ずる減衰傾度
の劣化を改善した縦結合多重モードＳＡＷフィルタに関
する。
で用いられ、高性能、小型、量産性等の特徴を有するこ
とから携帯電話等の普及の一翼を担っている。図７は従
来の１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタ（以
下、二重モードＳＡＷフィルタと称す）の電極パターン
の構成を示す模式的平面図であって、圧電基板１１の主
面上に表面波の伝搬方向に沿って３つのＩＤＴ電極１
２、１３、１４を近接配置すると共に、ＩＤＴ電極１
２、１３、１４の両側に反射器１５ａ、１５ｂを配設し
たものである。ＩＤＴ電極１２、１３、１４はそれぞれ
互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対のくし形
電極により構成され、ＩＤＴ電極１２の一方のくし形電
極は入力端子INに接続し、他方のくし形電極は接地す
る。そして、ＩＤＴ電極１３、１４の一方のくし形電極
は互いに連結して出力端子OUTに接続すると共に、他方
のくし形電極はそれぞれ接地する。
作は、周知のように、ＩＤＴ電極１２、１３、１４によ
って励起される複数の表面波が反射器１５ａ、１５ｂの
間に閉じ込められ、ＩＤＴ電極１２、１３、１４の間で
音響結合を生ずる結果、１次と３次の２の縦共振モード
が強勢に励振されるため、適当な終端を施すことにより
これらの２つのモードを利用した二重モードＳＡＷフィ
ルタとして動作する。なお、該二重モードＳＡＷフィル
タの通過帯域幅は１次共振モードと３次共振モードとの
周波数差で決まることは周知のことである。
LiTaO3を用いて、フィルタの中心周波数を836.5ＭＨ
ｚ、入力ＩＤＴ電極１２の電極対数を17.5対、出力ＩＤ
Ｔ電極１３、１４の電極対数をそれぞれ11.5対、グレー
ティング反射器１５ａ、１５ｂの本数をそれぞれ250
本、電極にアルミニウム合金を用いて膜厚を6％λ（λ
は励起される表面波の波長）とした場合の二重モードＳ
ＡＷフィルタの濾波特性は図８のようになる。
従来の二重モードフィルタにおいては、図８に示した濾
波特性から明らかなように通過帯域近傍の高周波側の図
中矢印Ａで示す阻止域減衰量が劣化しており、低周波側
と同等の減衰量が得られてない。即ち、図８の濾波特性
において、１ｄＢ通過帯域幅の中心周波数をF0とする
と、F0−45MHzの低周波側では減衰量が約20dB得られる
のに対して、F0＋45MHzの高周波側ではその減衰量は約8
dBである。このように従来の二重モードフィルタでは、
通過帯域近傍の低周波側の減衰量に比べて通過帯域近傍
の高周波側おける減衰量は約１０dB程度であり大きく劣
化している。このような二重モードフィルタを携帯電話
等のRFフィルタに用いる場合、高周波側にて減衰量が不
十分であるという問題があった。本発明は上述したよう
な二重モードＳＡＷフィルタの問題を解決するためにな
されたものであって、広帯域であると共に通過帯域近傍
の高周波側における阻止減衰量を大幅に改善したフィル
タを提供することを目的とする。
に本発明に係る縦結合多重モードＳＡＷフィルタの請求
項１記載の発明は、圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿
って複数のＩＤＴ電極とその両側に反射器を配置して構
成する縦結合多重モードＳＡＷにおいて、入力ＩＤＴ電
極と出力ＩＤＴ電極との間にリアクタンス素子を挿入接
続したことを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィル
タである。請求項２記載の発明は、前記縦結合多重モー
ドＳＡＷフィルタの通過域近傍の高周波側において減衰
量が劣化した周波数領域に減衰極が形成されるよう前記
リアクタンス素子の値を設定したことを特徴とする請求
項１記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタである。請
求項３記載の発明は、前記リアクタンス素子の値を １０ｎＨ≦ Ｘ ≦２４０ｎＨ としたことを特徴とする請求項１または２記載の縦結合
多重モードＳＡＷフィルタである。請求項４記載の発明
は、前記リアクタンス素子の値を ０．１ｐＦ≦ Ｘ ＜１．０ｐＦ としたことを特徴とする請求項１または２記載の縦結合
多重モードＳＡＷフィルタである。請求項５記載の発明
は、前記リアクタンス素子が前記ＩＤＴ電極と同一基板
上に前記ＩＤＴ電極と同一プロセスにて形成した導電性
パターンであることを特徴とする請求項１乃至４記載の
縦結合多重モードＳＡＷフィルタである。請求項６記載
の発明は、前記フィルタ素子を保持するパッケージ内に
前記リアクタンス素子を形成することを特徴とする請求
項２乃至４記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタであ
る。
形態に基づいて詳細に説明する。二重モードＳＡＷフィ
ルタにおいて、通過帯域近傍の高周波側の減衰量が低周
波側のそれに比べて著しく劣るのは、圧電基板上に配置
した複数のＩＤＴ電極間のトランスバーサル特性に起因
して必然的に発生する特性であり、これを根本的に解消
する手段は未だ見出されていない。
側の減衰量を改善した二重モードＳＡＷフィルタの電極
パターンの構成を示す平面図である。同図に示すように
圧電基板１の主面上に表面波の伝搬方向に沿って３つの
ＩＤＴ電極２、３、４を近接配置すると共に、ＩＤＴ電
極２、３、４の両側に反射器５ａ、５ｂを配設し、前記
ＩＤＴ電極２、３、４はそれぞれ互いに間挿し合う複数
本の電極指を有する一対のくし形電極により構成され、
ＩＤＴ電極２の一方のくし形電極は入力端子INに接続
し、他方のくし形電極は接地する。一方、ＩＤＴ電極
３、４の一方のくし形電極は互いに連結して出力端子OU
Tに接続すると共に、他方のくし形電極はそれぞれ接地
する点については従来と同様な構成である。
力端子IN側に接続するくし形電極と、ＩＤＴ電極３、４
の出力端子OUTに接続するくし形電極とからそれぞれリ
ード電極６ａ、６ｂを延在し、該リード電極を圧電基板
上に形成したリアクタンス素子７に接続する点にある。
ここで、リアクタンス素子７はＩＤＴ電極と同じ材料に
て同じプロセスで構成した導電性パターンであって、容
量が必要であればＩＤＴ型電極等の構成とすればよく、
インダクタンスが必要であれば渦巻き状等の周知の平面
コイル構造を適宜採用する。
作は、周知のように、ＩＤＴ電極２、３、４によって励
起される複数の表面波が反射器５ａ、５ｂの間に閉じ込
められ、ＩＤＴ電極２、３、４の間で音響結合を生ずる
結果、１次と３次の２の縦共振モードが強勢に励振され
るため、適当な終端を施すことによりこれらの２つのモ
ードを利用した二重モードＳＡＷフィルタとして動作す
る。
ククリスタルフィルタ等において、入出力端子間に並列
に容量を挿入して、減衰極を形成することが知られてい
る。本願発明者はこの知見に基づき、図１に示す構成の
二重モードＳＡＷフィルタにおいても、入出力端子（IN
−OUT）間に並列にリアクタンス素子７を挿入すれば二
重モードＳＡＷフィルタの濾波特性上に減衰極が形成さ
れ、この減衰極によって二重モードＳＡＷフィルタ特有
の通過域より高域側の阻止域における減衰量の改善が可
能となるとの推測に基づき種々の実験を行った。
を用い、フィルタの中心周波数を900MHz、入力ＩＤＴ電
極２の電極対数を１７．５対、出力ＩＤＴ電極３、４の
電極対数をそれぞれ１１．５対、グレーティング反射器
５ａ、５ｂの本数を２５０本、電極にアルミニウム合金
を用いてその膜厚を６％λとして、入出力ＩＤＴ電極間
に挿入するリアクタンス素子７を種々の値に設定して実
験をおこなったところ、例えばリアクタンス素子として
容量値0.3pFの容量を挿入接続した場合の二重モードＳ
ＡＷフィルタの濾波特性は図３に示す通りである。
て、F0＋45MHz近傍の阻止減衰量と入出力間に挿入する
リアクタンス素子７の値との関係は図２のようになっ
た。横軸を容量値（pF）とし、縦軸を阻止減衰量（dB）
とした。図２から明らかなように通過帯域が良好な状態
を維持しつつ、 F0＋45MHz近傍の周波数領域での減衰量
が大きく改善されるのはリアクタンス値が容量成分とな
った場合であり、容量Cが値は0.1pF≦C＜1.0pFで特に良
好な減衰特性が得られることが分かった。また、300MHz
帯、1.5GHz帯の周波数でも同様の検討を行った結果、周
波数帯によらず容量Cの値は上記範囲内であることを確
認した。
周波側の減衰量及び急峻度が、従来の二重モードＳＡＷ
フィルタに比べて大幅に改善されていることが分かる。
このように通過帯域近傍の高周波側の減衰量及び急峻度
が改善されたフィルタであれば、通過帯域近傍において
高減衰量が要求される携帯電話等のＲＦフィルタの要求
を満たすことができる。
と同一機能を果たす部分は同じ符号を付し、その説明は
省略する。入力ＩＤＴ電極２の両側のＩＤＴ電極８、９
の構成を、図１に示したＩＤＴ電極３、４の極性と１８
０度変えたものある。図４に示す電極パターンの二重モ
ードＳＡＷフィルタについて、リアクタンス素子７を容
量あるいはインダクタンスとした場合に、二重モードＳ
ＡＷフィルタの濾波特性上に減衰極を形成するかどうか
実験的に調べた。その結果、この場合はリアクタンス素
子７がインダクタンスであればフィルタの特性上に減衰
極が形成されることが分かった。
を用い、フィルタの中心周波数を836MHz、入力ＩＤＴ電
極２の電極対数を18.5対、出力ＩＤＴ電極３、４の電極
対数をそれぞれ11.5対、グレーティング反射器５ａ、５
ｂの本数を250本、電極にアルミニウム合金を用いてそ
の膜厚を６％λ、入出力ＩＤＴ電極間に挿入するインダ
クタンとして、例えばリアクタンス素子の値を140nHと
した場合の二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性は図６
に示す通りである。
素子７の値と、フィルタの阻止減衰量との関係を実験的
に求めると図５のようになる。同図において、横軸はイ
ンダクタンス（nH）であり、縦軸はF0＋45MHzにおける
減衰量である。二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域を
良好な状態に保ちながら、中心周波数F0に対しF0−45MH
zからF0＋45MHzまでの範囲内で阻止減衰量が大きくなる
インダクタンスLの値は、10nH≦L≦240nHであることが
分かった。
周波側の減衰量及び急峻度が、従来の二重モードＳＡＷ
フィルタに比べて大幅に改善されていることが分かる。
このように通過帯域近傍の高周波側の減衰量及び減衰傾
度が大きなRFフィルタであれば、携帯電話等のＲＦフィ
ルタとして、その要求する規格を満たすことができる。
３、４との間に形成するリアクタンス素子７を二重モー
ドＳＡＷフィルタを形成した同一圧電基板上ではなく、
前記フィルタを保持するパッケージ内に形成しても同様
な効果が得られることは明白である。
る１次−３次縦結合二重モードＳＡＷフィルタを例とし
て説明したが、本発明はこれのみに限定されるものでは
なく、ＩＤＴ電極を複数個用いて構成する縦結合多重モ
ードＳＡＷフィルタに適用できることはいうまでもな
い。たた、以上でも説明したように入出力端子に発生す
る極性により、入出力端子に挿入するリアクタンスを容
量にするかインダクタンスにするかが決まることにな
る。
トX伝搬LiTaO3を例に説明したが、他の切断角度例えば4
2゜YカットX伝搬LiTaO3等に適用できることは云うまで
もない。また、圧電基板はタンタル酸リチウムに限るも
のではなく、64゜YカットX伝搬LiNbO3、45゜XカットZ伝
搬四硼酸リチウム（Li2B4O7） 、ＳＴカット水晶、ラン
ガサイト等の如何なる圧電材料にも適用できることは云
うまでもない。また、上記１次−３次縦結合二重モード
ＳＡＷフィルタを縦続して、さらに減衰量を多くするこ
とも可能である。
で、縦結合多重モードＳＡＷフィルタにおいて通過帯域
近傍の高周波側における阻止減衰量と減衰傾度度とを大
幅に改善することが可能となり、このようなＲＦフィル
タを無線通信機器のＲＦフィルタとして用いれば無線機
の特性を改善する上で著しい効果を発揮する。
タの電極パターンの構成を示す図である。
過帯域近傍の高周波側における阻止減衰量との関係を示
す図である。
モードＳＡＷフィルタの濾波特性図である。
ィルタの電極構成を示す図である。
過帯域近傍の高周波側における阻止減衰量との関係を示
す図である。
合二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性である。
ルタの電極構成を示す図である。
ルタの濾波特性例である。
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
複数のＩＤＴ電極とその両側に反射器を配置して構成す
る縦結合多重モードＳＡＷにおいて、入力ＩＤＴ電極と
出力ＩＤＴ電極との間にリアクタンス素子を挿入接続し
たことを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィルタ。 - 【請求項２】 前記縦結合多重モードＳＡＷフィルタの
通過域近傍の高周波側において減衰量が劣化した周波数
領域に減衰極が形成されるよう前記リアクタンス素子の
値を設定したことを特徴とする請求項１記載の縦結合多
重モードＳＡＷフィルタ。 - 【請求項３】 前記リアクタンス素子の値を １０ｎＨ≦ Ｘ ≦２４０ｎＨ としたことを特徴とする請求項１または２記載の縦結合
多重モードＳＡＷフィルタ。 - 【請求項４】 前記リアクタンス素子の値を ０．１ｐＦ≦ Ｘ ＜１．０ｐＦ としたことを特徴とする請求項１または２記載の縦結合
多重モードＳＡＷフィルタ。 - 【請求項５】 前記リアクタンス素子が前記ＩＤＴ電極
と同一基板上に前記ＩＤＴ電極と同一プロセスにて形成
した導電性パターンであることを特徴とする請求項１乃
至４記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ。 - 【請求項６】 前記フィルタ素子を保持するパッケージ
内に前記リアクタンス素子を形成することを特徴とする
請求項１乃至４記載の縦結合多重モードＳＡＷフィル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06954898A JP3890731B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 縦結合多重モードｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251861A true JPH11251861A (ja) | 1999-09-17 |
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|---|---|---|---|
| JP06954898A Expired - Fee Related JP3890731B2 (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 縦結合多重モードｓａｗフィルタ |
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|---|---|
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6891450B2 (en) | 2001-05-31 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter, balanced type filter and communication device |
| KR100503957B1 (ko) * | 2001-08-14 | 2005-07-26 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 표면파 장치 |
| US6967427B2 (en) | 2002-03-18 | 2005-11-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and communication apparatus incorporating the same |
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| US8174339B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-05-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Duplexer, substrate for duplexer, and electronic apparatus |
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-
1998
- 1998-03-04 JP JP06954898A patent/JP3890731B2/ja not_active Expired - Fee Related
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