KR100552482B1

KR100552482B1 - Ｒｆ 듀플렉서

Info

Publication number: KR100552482B1
Application number: KR1020030085687A
Authority: KR
Inventors: 박윤권; 김종석; 송인상; 김덕환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2003-11-28
Filing date: 2003-11-28
Publication date: 2006-02-15
Also published as: KR20050051996A; US20050195047A1; US7253704B2

Abstract

컴팩트하며 고성능의 RF 듀플렉서가 개시된다. 본 발명에 의한 RF 듀플렉서는 직병렬로 연결된 복수개의 공진소자를 구비하며, 제1 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제1 필터, 직병렬로 연결된 복수개의 공진소자를 구비하며, 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제2 필터, 제1 및 제2 필터의 병렬 공진소자들과 각각 직렬 연결되며, 기판상에 형성되는 복수개의 인덕터, 기판상에 형성되며, 제1 및 제2 필터에서 신호 간섭을 방지하는 위상 변조기 및 제1 및 제2 필터를 지지하고, 제1 및 제2 필터의 단자들과 기판의 단자들을 전기적으로 연결하기 위해, 기판상의 소정 위치에 형성되는 복수개의 범프(Bump)로 구성되는 지지부를 포함하여 구성된다. 본 발명에 의하면, 튜닝 인덕터를 기판 패드의 범프 주변에 형성함으로써 듀플렉서의 면적을 줄일 수 있을 뿐만아니라, 와이어 본딩 공정이 없기 때문에 보다 안정성이 향상된 RF 듀플렉서를 구현할 수 있다.

RF 듀플렉서, FBAR 밴드 패스 필터, 튜닝 인덕터, 범프(Bump)

Description

ＲＦ 듀플렉서{Radio frequency duplexer}

도 1은 일반적인 듀플렉서의 개략적 구조를 나타내는 도면,

도 2는 Agilent Technologies Co.가 제공하는 듀플렉서의 구조를 나타내는 도면,

도 3a는 본 발명에서 사용하는 튜닝 인덕터를 포함하는 밴드 패스 필터의 구성을 나타내는 도면,

도 3b 도 3a의 튜닝 인덕턴스에 대한 밴드 패스 필터의 감쇄 특성을 나타낸 그래프,

도 4는 본 발명에 의한 듀플렉서의 구조를 나타내는 도면,

도 5a는 튜닝 인덕터 및 범프의 배치 형태를 보이는 도면,

도 5b는 도 5a의 범프에 대응하는 필터의 전극 단자의 배치 형태를 보이는 도면, 그리고

도 6은 본 발명에 의한 듀플렉서의 단면도이다.

본 발명은 RF 듀플렉서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 송수신단 밴드패스 필터의 튜닝(Tuning) 인덕터가 PCB 기판의 연결전극 주변에 형성된 컴팩트한 RF 듀플렉스 및 그 제조방법에 관한 것이다.

듀플렉서(Duplexer)는 필터(Filter)를 복합적으로 이용하는 대표적인 소자의 한 종류로써, 주파수 분할(FDD)방식으로 구현되는 통신 시스템에서 하나의 안테나를 통하여 송신되는 신호 및 수신되는 신호를 적절하게 분기함으로써, 같은 안테나를 효율적으로 공유할 수 있도록 하는 역할을 하는 소자이다.

상기 듀플렉서의 기본 구조는 안테나를 제외하고 크게 송신단 필터 및 수신단 필터로 이루어 진다. 송신단 필터는 송신하고자 하는 주파수만을 통과시켜주는 밴드 패스 필터(Band Pass Filter), 수신단 필터는 수신하고자 하는 주파수만을 통과시켜주는 밴드 패스 필터로써, 듀플렉서는 상기 송신단 필터 및 수신단 필터에서 패스되는 주파수를 달리 조정함으로써, 하나의 안테나로 송수신이 이루어 질수 있도록 한다.

한편, 휴대전화로 대표되는 이동통신기기의 급속한 보급에 의해, 이러한 기기에서 사용되는 듀플렉서를 구현하기 위하여, 상기 송신단 필터 및 수신단 필터의 역할을 하는 소형경량의 필터의 수요가 급격하게 증대하고 있다. 특히 박막 용적 탄성 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator, 이하 'FBAR'이라 함) 듀플렉서는, RF 능동 소자들과 자유로운 결합이 가능하여 초경량 초경박이고 반도체 공정을 이용하여 대량 생산이 가능하며, MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)와의 결합이 용이하기 때문에 이동 통신 단말기로 많이 사용되고 있다. 또한, 필터의 주요한 특성인 높은 품질계수(Quality Factor: Q)값을 구현하는 것이 가능하고, 마이크 로주파수 대역에서도 사용이 가능하며, 특히 PCS(Personal Communication System)와 DCS(Digital Cordless System) 대역까지도 구현할 수 있는 장점을 가지고 있다.

한편, 상기 송신단 필터 및 수신단 필터를 통해 송수신되는 신호의 주파수는 그 차이가 미미하므로, 상호간의 간섭에 의해 민감하게 반응하게 되는바, 상기 송신단 필터 및 수신단 필터를 격리시켜서 상호간섭을 방지하는 위상 변조기를 추가하여 보다 성능이 향상된 듀플렉서를 제작할 수 있다. 상기 위상 변조기는 통상적으로 커패시터 및 인덕터를 사용하여 위상 쉬프터(Phasor Shifter)를 구현함으로써, 송신 신호 및 수신 신호의 주파수의 위상차를 90°가 되도록 하여 상호 간섭을 방지하도록 하고 있다.

상기와 같은 FBAR 듀플렉서는 일반적으로 도 1에 도시된 바와 같이, 안테나(1)을 통해 송신단자(2a)로 입력되는 신호가 송신되도록 하는 송신단 FBAR 필터(Filter1, 2)와, 상기 안테나(1)를 통해 수신되는 신호가 수신단자(4a)로 입력되도록 하는 수신단 FBAR 필터(Filter2, 4)와, 상기 안테나(1)와 상기 수신단 필터(4) 사이에 형성되고 송수신되는 신호의 위상을 변화시켜, 상기 송신단 FBAR 필터(2)와 수신단 FBAR 필터(4)에서 신호의 간섭이 발생되는 것을 방지하는 위상 변화부(6)로 구성된다.

도 2는 Agilent Technologies Co.에서 제공하는 듀플렉서의 구조를 보이는 도면이다. 도 2를 참조하면, PCB 기판(10) 위에 송신단 밴드 패스 필터 칩(20) 및 수신단 밴드 패스 필터 칩(30)이 소정 간격 이격되어 와이어 본딩 작업에 의해 배치되고, 송수신 밴드 패스 필터 칩(20, 30) 사이에 위상 변조기(40)가 형성된다. 상기 3㎜×3㎜ 내지 5㎜×5㎜ 면적을 갖는 두 필터의 패드 주변에는 20~30 ㎛ 폭의 튜닝 인덕터(25-1, 25-2, 35-1, 35-2)가 형성된다. 상기한 바와 같이 Agilent Technologies Co.에 의해 제공되는 듀플렉서는 튜닝 인덕터가 기판의 일정 면적을 차지하게 되고, 와이어 본딩을 하기 때문에 전체 듀플렉서의 크기가 대략 6mm ×12mm에 달한다. 그러나 RF 듀플렉서는 그 크기의 소형화가 요구되는 바 듀플렉서의 크기를 줄일 수 있는 방법이 필요하다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 튜닝 인덕터를 기판의 연결 전극 주변에 제작하고, 와이어 본딩 공정이 생략되도록 구성된 소형의 RF 듀플렉서 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

본 발명에 의한 RF 듀플렉서는 기판, 상기 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 공진소자를 구비하여 제1 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제1 필터, 상기 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 상기 공진소자를 구비하여 상기 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제2 필터, 상기 제1 및 제2 필터의 병렬 공진소자들과 각각 직렬 연결되며, 상기 기판상에 형성되는 복수개의 인덕터, 상기 기판상에 형성되며, 상기 제1 및 제2 필터로 입력되는 신호의 위상차가 90도가 되도록 하여, 상기 제1 및 제2 필터에서 신호 간섭을 방지하는 위상 변조기 및 상기 제1 및 제2 필터를 지지하고, 상기 제1 및 제2 필터의 단자들과 기판의 단자들을 전기적으로 연결하기 위해, 상기 기판상의 소정 위치에 형성되는 복수개의 범프(Bump)로 구성되는 지지부를 포함하여 구성된다.

상기 지지부는 상기 제1 및 제2 필터의 입출력 신호라인을 각각 연결하는 4개의 범프를 구비하고, 또한 상기 지지부는 복수개의 상기 병렬 공진기와 상기 인덕터를 각각 연결하는 복수개의 범프를 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 인덕터는 소정의 상기 범프에 연결되어 상기 범프의 주변에 형성되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 지지부는 상기 제1 및 제2 필터의 그라운드와 상기 기판의 그라운드를 연결하는 복수개의 범프를 포함할 수 있다.

본 발명에 의한 RF 듀플렉서 제조방법은, 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 공진소자를 구비하여 제1 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제1 필터를 형성하는 단계, 상기 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 상기 공진소자를 구비하여 상기 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제2 필터를 형성하는 단계, 상기 기판 위에 상기 제1 필터 및 제2 필터의 병렬 공진소자와 전기적으로 각각 연결되는 적어도 2개 이상의 인덕터를 형성하는 단계, 상기 기판상에 형성되며, 상기 제1 및 제2 필터로 입력되는 신호의 위상차가 90도가 되도록 하여, 상기 제1 및 제2 필터에서 신호의 간섭을 방지하기 위한 위상 변조기를 형성하는 단계, 상기 제1 및 제2 필터를 지지하고, 상기 제1 및 제2 필터의 단자들과 상기 기판의 단자들을 전기적으로 연결하기 위해, 상기 기판상의 소정 위치에 복수개의 범프(Bump) 로 구성되는 지지대를 형성하는 단계, 상기 기판과 상기 제1 및 제2 필터를 각각 접합하는 단계를 포함하여 이루어진다.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

우선 본 발명에 따른 듀플렉서의 구성 소자의 하나인 밴드 패스 필터에 대해 설명한다. 필터를 구성하는 공진기들 중에서 소정의 공진기에 직렬(Series) 또는 병렬(Shunt) 인덕터를 연결하면, 필터의 감쇄(Attenuation) 특성을 개선할 수 있다. 도 3a는 병렬 공진기에 튜닝(Tuning) 인덕터를 직렬 연결한 밴드 패스 필터 구조를 나타내고, 도 3b는 도 3a에서 튜닝 인덕터의 인덕턴스 값에 따른 밴드 패스 필터의 감쇄 특성을 나타내는 그래프이다.

본 발명에서 사용하는 밴드 패스 필터는 입력단(60a)으로 입력한 신호 중 소정 주파수 대역의 신호만을 선택하여 출력단(60b)으로 출력한다.

밴드 패스 필터는 4개의 FBAR 공진기(61, 62, 63, 64)를 직렬로 연결하고, 2개의 FBAR 공진기(65, 66)를 도 3a와 같이 병렬로 연결하여 구성한다. FBAR 공진기 는 하부전극, 압전층(Piezoelectric layer) 및 상부전극이 차례로 적층된 구조로 제조되며, 외부로부터 상하부전극에 전압이 가해지면 두 전극 사이에서 전기장이 생성되고 압전층에서는 이를 음향파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전현상을 일으켜 공진을 발생시키게 된다. 본 발명에서는 FBAR 공진기를 이용하여 밴드 패스 필터를 구현하고 있으나 이에 한정하지 않고 그 밖의 다양한 종류의 공진기를 이용할 수 있다.

그리고, 상기의 병렬 FBAR 공진기(65, 66)의 각각에 직렬로 인덕터(65-1, 66-1)가 연결된다. 인덕터를 연결하지 않은 경우 및 연결한 인덕터의 인덕턴스를 1nH, 2nH, 3nH, 4nH로 가변한 경우의 필터의 감쇄 특성은 도 3b에서 나타낸 그래프와 같다. 도면에서 실선으로 나타낸 것은 삽입 손실(Insertion Loss)에 대한 것으로서 사용하고자 하는 주파수 대역에서 삽입 손실이 0에 근접하고 경계 주파수 부근에서는 급격히 삽입 손실의 증가를 보일때 감쇄 특성이 좋다고 볼 수 있다. 도 3b에서 보듯이 대략 1.98 GHz 부근에서 인덕터를 연결하지 않은 경우보다 인덕터를 연결한 경우가 삽입 손실이 급증하며, 인덕턴스의 값이 증가할수록 삽입손실이 급증하는 것을 알 수 있다. 적절한 인덕턴스의 인덕터를 연결하여 밴드 패스 필터를 구현하면, 송신하고자 하는 주파수 대역의 신호를 선택 통과시킬 수 있다. 본 발명에서는 인덕턴스의 값을 3~4 nH로 하여 필터를 구성한다.

수신단 밴드 패스 필터는 송신단 밴드 패스 필터와 그 구성이 동일하며, 단지 송신단 밴드 패스 필터와 다른 주파수 대역을 갖는 수신하고자 하는 주파수의 신호를 선택 출력하도록 FBAR 공진기 및 인덕터를 형성한다.

도 4는 본 발명에 따른 RF 듀플렉서의 개략적 구성을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 본 발명에 의한 RF 듀플렉서는 PCB 기판(100), 송신단 밴드 패스 필터(200) 및 수신단 밴드 패스 필터(300)를 포함하여 구성된다.

복수개의 FBAR 공진기를 구비하는 송수신단 밴드 패스 필터(200, 300)는 반도체 공정을 이용하여 소형의 칩으로 제작된다. 그리고 송수신단 밴드 패스 필터(200, 300)는 PCB 기판에 형성되는 패드 부분과 범핑(Bumping) 방식으로 접합하여 단일칩 듀플렉서를 구현한다. 기존의 와이어본딩(Wire bonding)방식으로 연결하는 경우, 리드(전기신호를 전송하는 통로)를 무한정 늘리는데 기술적 한계가 따르며, 와이어부분에서 손실도 발생하는 문제점이 있었으나, 범핑 방식으로 접합하면 이러한 문제점을 해결할 수 있다.

범핑 방식이란, 패드 위에 금(gold), 솔더(solder), 혹은 기타 금속 등의 소재로 수십 μm 크기에서 수백 μm 크기의 돌기 형태의 외부접속단자, 즉, 도전성 범프(Bump)를 형성하여, 이 부분을 통해 연결시키는 공정을 의미한다. 이러한 범핑 방식으로 연결시킨 경우, 송수신단 밴드 패스 필터(200, 300)의 전극과 PCB 기판(100)상의 패드를 각각 도전성 범프만으로 접속하여 전기선로의 경로가 단축됨으로써 전기저항 및 전기적 잡음을 감소시켜 전기적 성능이 향상되는 효과가 있다.

범핑방식은 정류기를 사용하여 금속을 석출하는 전해도금방식과 환원제를 사용하여 금속을 석출하는 무전해 도금방식이 있으며, 사용되는 금속재질에 따라 Gold(Au) Bumping, Solder Bumping, Ni/Cu Bumping 등으로 나누어 진다. Gold(Au) Bumping는 Gold(Au) electroplating Bumping 방식과 Au Stud Bumping 으로 나누어 지며, Solder Bumping은 진공증착법, 전해도금법, Printing방식, Robotic Ball Placement 방식으로 분류할 수 있다. 바람직하게는, Gold(Au) Bumping 방식 중에서, 대량생산에 적합하며, 정밀한 bumping 형성이 가능한 Electroplating 방식을 사용할 수 있다.

여기에서 PCB 기판(100)에는, 송수신단 밴드 패스 필터(200, 300)의 소정의 주파수 대역을 선택하기 위한 제1 내지 제4 인덕터(110, 120, 130, 140), 송수신단 밴드 패스 필터(200, 300)상에서 신호의 간섭을 방지하기 위한 위상 변조기(160) 및 PCB 기판(100)의 패드와 송수신단 밴드 패스 필터(200, 300)를 각각 전기적으로 연결시키며, 상기 필터 칩들을 지지하는 복수개의 범프(181, 182, 183, 184)가 형성된다.

위상 변조기(160)는 커패시터 및 코일을 순차적으로 적층하여 LC 병렬회로를 구성하여, 입력에 비해 90°의 위상차이를 가지게 하거나, 송신단 신호의 파장 λ의 1/4길이를 가지는 트랜스미션 라인을 구현함으로써, 송신단 측에서 흘러 들어오는 신호를 지연시킴으로써 90°위상차이를 가지게 할 수 있다. 종래의 기술로 제조된 듀플렉서는 위상 변조기(160)를 별도로 제작하여 PCB 기판상에 접합시키는 구조로 이루어졌으나, 본 발명에서는 위상 변조기(160)를 PCB 기판에 내장함으로써 전체 부피를 감소시킬 수 있게 된다.

본 RF 듀플렉서의 기능을 설명하자면, 기판 패드(100)에 마련되는 입력단자(100a)를 통해 입력된 송신 신호는, 송신단 밴드 패스 필터(200)에 의해 기 설정된 주파수로 필터링되어, 기판 패드(100)에 연결된 안테나(100b)를 통해 외 부로 송출되고, 안테나(100b)를 통해 입력된 수신 신호는 위상 변조기(160)를 거쳐 수신단 밴드패스 필터(300)에 의해 기 설정된 주파수로 필터링되어 출력단자(100c)로 출력된다.

도 5a 및 도 5b는 인덕터의 배치 및 PCB 기판(100)과 송신단 밴드 패스 필터(200)의 전기적 연결 관계를 설명하기 위한 도면이다. 도 5a를 참조하면, PCB 기판(100) 상에 도 4에서 제1 및 제2 병렬 공진기(250, 260)와 제1 및 제2 인덕터(110,120)를 전기적으로 연결하는 2개의 범프(182, 183)가 각각 A 및 B 영역에 형성된다. 그리고 송신 신호의 입출력을 위한 신호 회선을 연결하는 2개의 범프(181, 184)가 각각 C 및 D 영역에 형성되고, 기판 패드(100)의 그라운드와 송신단 필터(200)의 그라운드를 연결하는 2개의 범프(185a, 185b)가 각각 G₁및 G₂ 영역에 형성된다. 여기에서 각각의 범프는 100㎛×100㎛의 넓이에 10㎛의 높이로 형성된다.

제1 및 제2 인덕터(110, 120)는 A 및 B 영역에 형성된 범프(182, 183)의 주변에 대략 5㎛의 선폭, 수 ㎛의 두께로 형성되며, 범프(182, 183)와 그 일단이 전기적으로 연결된다.

도 5b는 송신단 밴드 패스 필터(200) 패드의 배선 형성을 나타내는 도면이다. 패드의 중앙에 송신단 밴드 패스 필터(200)가 형성되고, 주변에는 송신단 밴드 패스 필터(200)의 소정의 소자들과 전기적으로 연결된 6개의 단자가 형성된다.

단자 A'(250a)는 제1 병렬 FBAR 공진기(250)와 연결되며, 기판 패드(100)와 송신단 밴드 패스 필터(200) 접합시 도 5a의 A영역에 형성된 범프(182)와 연결된다. 또한 단자 B'(260a)는 제2 병렬 FBAR 공진기(260)와 연결되며, 기판 패드(100)와 송신단 밴드 패스 필터(200) 접합시 도 5a의 B영역에 형성된 범프(183)와 연결된다.

단자 C'(210a)는 제1 직렬 공진기(210) 및 제1 병렬 공진기(250)와 연결되며, 기판 패드(100)와 송신단 밴드 패스 필터(200) 접합시 도 5a의 C영역에 형성된 범프(181)와 연결된다. 그리고, 단자 D'(240a)는 제4 직렬 공진기(240)와 연결되며, 기판 패드(100)와 송신단 밴드 패스 필터(200) 접합시 도 5a의 D영역에 형성된 범프(184)와 연결된다.

단자 G₁'(270a) 및 G₂'(270b)는 송신단 밴드 패스 필터(200)의 그라운드와 연결되며, PCB 기판(100)와 송신단 밴드 패스 필터(200) 접합시 도 5a의 G₁ 및 G₂ 영역에 형성된 범프(185a, 185b)와 각각 연결된다.

본 발명에 의한 RF 듀플렉서의 제작 공정의 일실시예를 설명한다. 도 6은 본 발명에 의한 RF 듀플렉서의 단면도이다. 우선, 개략적인 공정은 송신단 및 수신단 밴드패스 필터(600, 700)를 제작한 후 PCB 기판(500)을 접합하여 RF 듀플렉서를 구현한다.

송신단 밴드 패스 필터(600)와 수신단 밴드 패스 필터(700)의 제작 공정은 동일하다. 여기서는 송신단 밴드 패스 필터(600)의 제작 공정에 대해서 간략히 설명한다. 반도체 기판(610)의 소정 영역에 형성된 공동부(615)에 희생물질을 메우 고, 절연막(651)을 증착한다. 그 후 절연막 위에 제1 전극(652a, 652b)을 증착하고, 제1 전극(652a, 652b) 위에 압전층(653a, 653b)을 증착하며, 압전층(653a, 653b) 위에 제2 전극(654a, 654b)를 증착한다.

제1 및 제2 전극으로 사용되는 물질은 금속과 같은 통상의 도전물질을 사용하는데, 바람직하게는 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd) 및 몰리브덴(Mo)중 하나를 선택할수 있다.

통상의 압전 물질로는 질화알루미늄(AlN) 또는 산화아연(ZnO)을 사용하는데 꼭 이에 한정되는 것은 아니다. 증착방법은 RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering)법 및 에바포레이션(Evaporation)법 등의 방법 중 어느 하나가 이용될수 있다.

제2 전극(654a, 654b)을 형성한 후 소정 영역에 에칭홀을 뚫고 건식 에칭법을 이용하여 희생물질을 제거하고 에칭홀을 메운다. 이러한 과정을 통해 송신단 밴드 패스 필터(600)와 수신단 밴드 패스 필터(700)는 구현된다.

다음 단계로 PCB 기판(505)에 형성될 5㎛ 폭의 인덕터(510, 520, 530, 540) 패턴을 패턴닝하고 형성된 패턴에 따라 Au(Gold)를 수 ㎛의 두께로 증착하여 인덕터(510, 520, 530, 540)를 형성한다.

다음 공정은 위상 변조기(560)를 형성하는 단계로, 2개의 메탈층 및 메탈층 사이에 유전층으로 구현되는 커피시터와 메탈을 코일 형식으로 제작하여 구현되는 인덕터의 적층으로 제조될 수 있다.

다음 공정은 범프를 형성하는 단계로 본 발명에서는 Gold(Au) electroplating Bumping 방식을 이용한다. 도 5a의 소정 위치에 Au와 같은 도전물질을 이용하여 100㎛×100㎛의 넓이에 10㎛의 두께로 증착하여 복수개의 범프(582, 583, 584, 585)를 형성한다.

마지막으로 기판 패드(500)와 송신단 밴드 패스 필터(600) 및 수신단 밴드 패스 필터(700)를 접착제 이용 방법 또는 유테틱 본딩(Eutectic Bonding) 방법에 의해 접합함으로서 와이어 본딩 공정 없이 RF 듀플렉서를 단일칩화 하여 구현할 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명에 의하면, 튜닝 인덕터를 기판 패드의 범프 주변에 형성함으로써 듀플렉서의 면적을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 와이어 본딩 공정이 없기 때문에 보다 안정성이 향상된 RF 듀플렉서를 구현할 수 있다.

이상에서는 본 발명의 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능할 것이다.

Claims

기판;

상기 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 공진소자를 구비하여 제1 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제1 필터;

상기 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 상기 공진소자를 구비하여 상기 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제2 필터;

상기 제1 및 제2 필터를 지지하고, 상기 제1 및 제2 필터의 단자들과 기판의 단자들을 전기적으로 연결하기 위해, 상기 기판상의 상기 기판상의 상기 제1 및 제2 필터가 장착되는 위치에 형성되는 복수개의 범프(Bump)로 구성되는 지지부;

상기 제1 및 제2 필터의 병렬 공진소자들과 각각 직렬 연결되며, 상기 기판과, 상기 제1 및 제2 필터 사이에 상기 지지부에 인접한 영역에 형성되는 복수개의 인덕터; 및,

상기 기판상에 형성되며, 상기 제1 및 제2 필터로 입력되는 신호의 위상차가 90도가 되도록 하여, 상기 제1 및 제2 필터에서 신호 간섭을 방지하는 위상 변조기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF(Radio Frequency) 듀플렉서.
제 1항에 있어서,

상기 지지부는 상기 제1 및 제2 필터의 입출력 신호라인을 각각 연결하는 4개의 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서.
제 1항에 있어서,

상기 지지부는 복수개의 상기 병렬 공진기와 상기 인덕터를 각각 연결하는 복수개의 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서.
제 3항에 있어서,

상기 인덕터는 소정의 상기 범프에 연결되어 상기 범프의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서.
제 1항에 있어서,

상기 지지부는 상기 제1 및 제2 필터의 그라운드와 상기 기판의 그라운드를 연결하는 복수개의 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서.
기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 공진소자를 구비하여 제1 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제1 필터를 형성하는 단계;

상기 기판으로부터 소정 높이 부양되어 배치되며, 직병렬로 연결된 복수개의 상기 공진소자를 구비하여 상기 제1 주파수 대역과 서로 다른 제2 주파수 대역의 신호를 통과시키는 제2 필터를 형성하는 단계;

상기 기판 위에 상기 제1 필터 및 제2 필터의 병렬 공진소자와 전기적으로 각각 연결되는 적어도 2개 이상의 인덕터를 상기 제1 필터 및 제2 필터가 안착되는 위치에 형성하는 단계;

상기 기판상에 형성되며, 상기 제1 및 제2 필터로 입력되는 신호의 위상차가 90도가 되도록 하여, 상기 제1 및 제2 필터에서 신호의 간섭을 방지하기 위한 위상 변조기를 형성하는 단계;

상기 제1 및 제2 필터를 지지하고, 상기 제1 및 제2 필터의 단자들과 상기 기판의 단자들을 전기적으로 연결하기 위해, 상기 기판상의 상기 인덕터가 형성된 위치에 복수개의 범프(Bump)로 구성되는 지지대를 형성하는 단계; 및

상기 기판과 상기 제1 및 제2 필터를 각각 접합하는 단계;를 포함하여 이루어지는 RF 듀플렉서의 제조방법.
제 6항에 있어서,

상기 지지부는 상기 제1 및 제2 필터의 입출력 신호라인을 연결하는 4개의 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서의 제조방법.
제 6항에 있어서,

상기 지지부는 복수개의 상기 병렬 공진기와 상기 인덕터를 각각 연결하는 복수개의 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 인덕터는 소정의 상기 범프에 연결되어 상기 범프의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서의 제조방법.
제 6항에 있어서,

상기 지지부는 상기 제1 및 제2 필터의 그라운드와 상기 기판의 그라운드를 연결하는 복수개의 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 인덕터는 상기 범프에 연결되어 상기 범프의 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 RF 듀플렉서의 제조방법.