JP2001267881A - 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ - Google Patents

弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ

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年雄 西澤
Masanori Ueda
政則 上田
Osamu Kawauchi
治 川内
Kiyohide Misawa
清秀 三沢
Hiroyuki Furusato
博之 古里
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Abstract

(57)【要約】 【課題】フリップチップボンディング技術により弾性表
面波素子が形成された圧電素子をパッケージに搭載する
弾性表面波デバイスの小型化と高信頼化をはかる。 【解決手段】線膨張係数を有するパッケージと、弾性表
面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップ
ボンディングで搭載された圧電素子を有し、前記圧電素
子は、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される
弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数
が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨
張係数を持つ方向を長辺として有する。そして、一例と
して、前記圧電素子は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有する単結
晶から切り出され、Ｘ結晶軸が前記弾性表面波の伝播方
向に一致することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
ス及びこれを用いた通信装置に関する。特に、フリップ
チップボンディング技術を用い、装置の小型化を可能と
し、更に装置の高信頼化を有する弾性表面波デバイス及
びこれを用いた通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の携帯電話をはじめとする通信装置
の小型化は著しいものがある。かかる装置の小型化の傾
向に対し、それに使用される部品の小型化、低背化の要
求が高まっている。
【０００３】特に、通信装置においては、フィルタ、共
振器、遅延線デバイスは不可欠の部品であり、フリップ
チップボンディング技術を用いたＳＡＷ（Surface Acou
sticWave：弾性表面波）デバイスによりこれらの小型化
を実現している。
【０００４】図１は、かかる弾性表面波デバイスのパッ
ケージへの搭載方法を示す概略断面図である。
【０００５】図１（Ａ）は、ワイヤーボンディング技術
による弾性表面波デバイスのパッケージへの搭載方法で
ある。圧電素子（チップ）１に弾性表面波素子が形成さ
れている。
【０００６】この圧電素子１は、セラミック等の誘電体
材料により形成される凹部を有するパッケージ２に搭載
され、導電性接着材３により張り付け固定される。パッ
ケージ２は、圧電素子１を搭載した後、キャップ５によ
り封止される。さらに、パッケージ２の外表面はキャッ
プ５を含め、裏面の接地端子４と接続する導体金属板あ
るいは金属メッキで形成されている。
【０００７】ここで、圧電素子１上の適宜の電極とパッ
ケージ２の対応する電極との間は、Ａlワイヤー６で接
続される。したがって、Ａlワイヤー６により高さ方向
に所定の大きさが必要である。
【０００８】このように、図１（Ａ）に示すワイヤーボ
ンディング技術による場合は、低背化には限界がある。
図１（Ｂ）は、これを解決するための技術としてフリッ
プチップボンディング技術を用いる例である。
【０００９】図１（Ａ）との比較において、図１（Ｂ）
のフリップチップボンディング技術では、圧電素子１上
の適宜の電極とパッケージ２の対応する電極との間の接
続は、Ａuバンプ７を介して行われる。したがって、高
さ方向は、Ａlワイヤー６による場合に較べ、低背化が
可能である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図１（Ｂ）の
フリップチップボンディング技術では、圧電素子１とパ
ッケージ２との接続面がＡuバンプ７の大きさで決ま
り、ワイヤーボンディング技術による場合より小さくな
る。一方、一般に使用されている圧電素子１とパッケー
ジ２には線膨張係数に差が存在する。
【００１１】このために、試験段階において与えられる
温度サイクル時にバンプ７に加わる応力負荷が大きくな
る。これがデバイスの信頼性が低下する要因（接続断線
等）となり、小型化のためにフリップチップボンディン
グ技術を採用することへの妨げ要因となっていた。
【００１２】したがって、本発明はかかる問題を解決
し、小型化、高信頼化を可能とする弾性表面波デバイス
及びこれを用いた通信装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の本発明の課題を解
決する弾性表面波デバイスの基本的特徴として、線膨張
係数を有するパッケージと、弾性表面波素子が形成さ
れ、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭
載された圧電素子を有する。そして、前記圧電素子は、
前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表
面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異な
り、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数
を持つ方向を長辺として有する。
【００１４】また、別の好ましい態様として、本発明の
課題を解決する弾性表面波デバイスは、前記圧電素子に
電極パターンを有し、この電極パターンと前記パッケー
ジとをつなぐバンプの位置が前記圧電素子の中心と点対
称に配置されていることを特徴とする。
【００１５】さらに、別の好ましい態様として、本発明
の課題を解決する弾性表面波デバイスは、前記電極パタ
ーンは、前記圧電素子の中心から距離が前記圧電素子の
短辺の１／２以下であることを特徴とする。
【００１６】さらにまた、別の好ましい態様として前記
弾性表面波素子は、梯子型フィルタを構成する電極パタ
ーンを有することを特徴とし、前記電極パターンと前記
パッケージとをつなぐバンプの全ての位置が前記梯子型
フィルタの短辺側に配置される共振器より前記圧電素子
の中心に近い側に配置されることを特徴とする。
【００１７】さらに、好ましい態様として、本発明の課
題を解決する弾性表面波デバイスは、線膨張係数を有す
るパッケージと、弾性表面波素子が形成され、前記パッ
ケージにフリップチップボンディングで搭載された二つ
の圧電素子を有する。そして、前記二つの圧電素子の各
々は、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される
弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数
が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨
張係数を持つ方向を長辺として有し、更にそれぞれの中
心周波数が異なるものであることを特徴とする。
【００１８】前記二つの圧電素子を搭載する態様におい
て、前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表
面波素子の接地電極が前記パッケージ上で共通にされて
いることを特徴とする。
【００１９】また、好ましい態様として、前記二つの圧
電素子のそれぞれに形成された弾性表面波素子の接地電
極が前記パッケージ上でそれぞれ独立にされていること
を特徴とする。
【００２０】さらにまた好ましい態様として、前記弾性
表面波素子は、ダブルモード型フィルタであり、前記フ
ィルタの入力側接地電極と出力側接地電極が、前記パッ
ケージ上で分離されていることを特徴とする。
【００２１】さらに好ましい態様として、前記二つの圧
電素子のいずれか一方の圧電素子に形成された前記弾性
表面波素子は、カスケード接続されたダブルモード型フ
ィルタであり、該フィルタの入力側接地電極と出力側接
地電極が、前記パッケージ上で分離されていることを特
徴とする。
【００２２】上記いずれかの態様において、前記圧電素
子は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有する単結晶から切り出さ
れ、Ｘ結晶軸が前記弾性表面波の伝播方向に一致するこ
とを特徴とする。
【００２３】また、前記圧電素子は、LiTaO3単結晶から
Ｙ軸回転角度４０〜４４度で切り出されたものであるこ
とを特徴とする。
【００２４】本発明の更なる特徴は、図面とともに説明
される以下の実施の形態から明らかになる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。なお、図において、同一又は類似のものには同一の
参照数字又は参照記号を付して説明する。
【００２６】図２は、従来の弾性表面波素子が形成され
ている圧電素子１を上面から見た図である。
【００２７】ここで、圧電素子１は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸
を有する単結晶例えば、LiTaO3から所定角度で切り出さ
れた圧電体基板（ウエハー）を、更に複数の直方体チッ
プに分割して得られたものである。そして、圧電素子１
は結晶軸に沿う辺を有している。図２の例では長辺Ｌx
はＸ軸に沿う辺であり、短辺ＬzはＺ軸に沿う辺であ
る。
【００２８】圧電素子１上に形成される弾性表面波素子
は、櫛形電極１０、１２及び１１を有し、櫛形電極１
０、１２は並列共振器、櫛形電極１１は直列共振器を構
成する様に入力電極パッドＰ1、出力電極パッドＰ2及
び、接地電極パッドＰ3に接続され、ラダー（梯子）型
フィルタを構成している。図３は、図２の弾性表面波素
子によるラダー型フィルタの等価回路であり、直列共振
回路１１を２段、並列共振回路を３段有している。
【００２９】ここで、図２において、圧電素子１の長辺
Ｌxは弾性表面波素子の櫛形電極による弾性表面波（Ｓ
ＡＷ）の伝播方向に一致する。さらに、この圧電素子１
は、長辺Ｌx方向の線膨張係数と短辺Ｌz方向の線膨張係
数とが異なっている。
【００３０】これらの弾性表面波（ＳＡＷ）の伝播方向
となる結晶軸及び、それぞれの辺方向における線膨張係
数は、圧電体基板が切り出される単結晶の種類及び切り
出し角度によって一義的である。
【００３１】例えば、LiTaO3単結晶のＹ軸回転角度が４
２度で切り出される圧電体基板は、弾性表面波の伝播方
向（Ｘ軸に沿う方向）の線膨張係数がαx＝16.1ppm, 垂
直方向（Ｚ軸に沿う方向）の線膨張係数がαz＝9.5ppm
である。
【００３２】一方、図２に示す圧電素子１をフリップチ
ップボンディング技術により、パッケージに搭載する場
合は、それぞれの電極パッドＰ1、Ｐ2，Ｐ3に対応する
位置で、図１に示したようにバンプ７によりパッケージ
２上の電極に接続される。
【００３３】ところがパッケージ２自体も線膨張係数を
有している。例えば、セラミックパッケージを用いる場
合は、その線膨張係数は、およそα＝７〜８ppmであ
る。
【００３４】したがって、図２に示す圧電素子１は、弾
性表面波の伝播方向の辺即ち、長辺Ｌxの線膨張係数に
おいて、パッケージ２の線膨張係数との差が大きいもの
となり、この場合はバンプ７に大きな応力が働き、接続
上信頼性に問題が生じる。
【００３５】本発明は、かかる問題を解決するものであ
り、図４にその一実施例の構成を示し、図２におけると
同様に圧電素子１を上面から見た図である。図４の実施
例は、図２に例との比較において、圧電素子１の長辺と
短辺が反対になっている。すなわち、長辺ＬzはＺ軸に
沿う辺であり、短辺ＬxはＸ軸に沿う辺である。
【００３６】このように、本発明に従いパッケージ２の
線膨張係数に近い方の辺Ｌzを長辺とするように構成す
る。これによりバンプ７に対する応力が図２に示す従来
例に比較し、小さくすることが可能である。
【００３７】ちなみに、上記したLiTaO3単結晶のＹ軸回
転角度が４０度、４２度、４４度で切り出される圧電体
基板では、Ｘ軸に沿う方向の線膨張係数がαx＝16.1ppm
で、それぞれＺ軸に沿う方向の線膨張係数がαz＝9.1pp
m、9.5ppm、9.9ppmであるので、いずれの回転角で切り
出した場合も、Ｘ軸に沿う方向に較べてセラミックパッ
ケージの線膨張係数α＝７〜８ppmに近い。
【００３８】さらに別の例として、LiNbO3を用いる場合
は、Ｙ軸回転角度が４１度の場合、Ｘ軸方向の線膨張係
数αx＝15.4ppm, Ｚ方向はαz＝10.9ppm,６４度の場
合、Ｘ軸方向の線膨張係数αx＝15.4ppm, Ｚ方向はαz
＝13.9ppmである。この場合もＺ軸に沿う方向の線膨張
係数の方がＸ軸方向の線膨張係数に較べて、セラミック
パッケージの線膨張係数α＝７〜８ppmに近い。
【００３９】上記いずれの場合も、セラミックパッケー
ジの線膨張係数に近い線膨張係数を持つＺ軸に沿う方向
を長辺とすることによりバンプに対する応力負荷を減少
することが可能である。このように本発明はパッケージ
２の線膨張係数に近い線膨張係数を持つ結晶軸に沿う方
向を長辺とした圧電素子１を用い、この圧電素子１を図
５に示すようにセラミックパッケージ２に搭載し、バン
プ７を介してパッケージ２の対応する電極と接続する。
これにより信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られ
る。
【００４０】図４に戻り、更に本発明の別の特徴を説明
する。すなわち、図４において、電極パッドＡとＡ’Ｂ
とＢ’ＣとＣ’はそれぞれ圧電素子１の中心に対し点対
称に配置されている。
【００４１】このように、圧電素子１の中心に対し点対
称に電極パッドを配置することにより、それぞれ電極パ
ッド位置に対応するバンプにかかる応力負荷をバラし、
応力を分散させることが可能である。
【００４２】上記した本発明の適用は、圧電素子１に形
成される弾性表面波素子が図４に示すラダー型の櫛形電
極構造を持つものに限定されるものではなく、他の櫛形
電極構造を持つ弾性表面波素子が形成される場合も当然
に含まれる。
【００４３】例えば、図６乃至図８は、他の櫛形電極構
造を持つ弾性表面波素子の例である。特に、図６に示す
例は、 IIDT（Interdigitated Interdigital Transduce
r）型フィルタの例であり、Ｚ軸に沿う辺が長辺Ｌzとさ
れ、入出力電極パッドＰ1，Ｐ2の関係において、及び接
地電極パッドＰ3間の関係において、対象に配置されて
いる。
【００４４】図７は、カスケード接続されたダブルモー
ド型フィルタの例であり、長辺をＺ軸に沿う方向として
いる。図７において、第１のダブルモード型フィルタ１
０１と第２のダブルモード型フィルタ１０２が接続電極
１０３，１０４でカスケード接続され、２段のダブルモ
ード型フィルタにより、より選択性の高いフィルタが構
成されている。
【００４５】さらに、図７においても、圧電素子１の中
心点に対し、電極パッドは点対称に配置されている。
【００４６】図８は、さらにダブルモード型の別の弾性
表面波フィルタを形成した圧電素子１の上面図である。
特に２つのダブルモード型フィルタ１０１，１０２をカ
スケード接続し、出力を２つの出力電極パッドＰ4から
取るバランス型としている例である。
【００４７】図９は、更に本発明の特徴を説明する図で
ある。この実施例でも先に説明した本発明の第１の特徴
を有し、長辺Ｌzを線膨張係数がパッケージ２の線膨張
係数に近い結晶軸を持つ方向としている。さらに、図９
の実施例では、圧電素子１の中心位置から電極パッドＰ
50〜Ｐ54までの距離を、短辺Ｌxの長さの半分を超えな
い大きさとしている。
【００４８】これにより、電極パッドＰ50〜Ｐ54に対応
するバンプに与える応力負荷をより小さくすることが出
来る。
【００４９】図１０は、更に別の本発明の特徴を説明す
る実施例を示す図である。そして、図９の電極パッドの
位置を圧電素子１の中心位置に近い距離に置くという考
えの延長にある実施例である。
【００５０】すなわち、図１０（Ａ）に示すラダー型フ
ィルタにおいて、直列共振器Ｒ１の接地電極パッドＰ6
及び、直列共振器Ｒ２の接地電極パッドＰ7は、それぞ
れ直列共振器Ｒ１、Ｒ２の外側にある。したがって、本
発明の図９の特徴の延長として、接地電極パッドＰ6及
びＰ7を図１０（Ｂ）に示すように、それぞれ直列共振
器Ｒ１、Ｒ２の内側に配置している。
【００５１】これにより接地電極パッドＰ6、Ｐ7の圧電
素子１の中心からの距離を小さくすることができ、従っ
て接地電極パッドＰ6、Ｐ7に対応するバンプに与える応
力負荷を小さくすることができる。
【００５２】ここで、通信装置におけるフィルタの適用
について考察する。図１１は、無線通信装置、例えば携
帯電話の高周波回路を中心とするブロック図である。ア
ンテナ２０に繋がるアンテナデュプレクサ２１は、送信
用フィルタ２１０と受信用フィルタ２１１を有する。送
信用フィルタ２１０と受信用フィルタ２１１それぞれ所
定の通過帯域を有し、中心周波数が異なるものである。
【００５３】送信側は、音声信号により変調器２２で搬
送波を変調する。変調された搬送波は、逓倍器２４によ
り局部発振器２３からの送信周波数帯域信号に逓倍され
る。次いで段間フィルタ２５を通り、電力増幅器２６に
より電力増幅され、アンテナデュプレクサ２１の送信用
フィルタ２１０を通り、アンテナ２０から送出される。
【００５４】一方、アンテナ２０で受信された受信信号
は、アンテナデュプレクサ２１の受信用フィルタ２１１
を通り、前置増幅器２７により増幅される。前置増幅器
２７の出力は、段間フィルタ２８を通し、逓減器２９に
導かれる。
【００５５】局部発振器２３から出力される周波数信号
のうちフィルタ３０により送信周波数と異なる周波数信
号が抽出され、これにより受信信号は逓減器２９により
ＩＦ信号に変換される。変換されたＩＦ信号は、ＩＦフ
ィルタ３１により高調波成分が除去されて復調器３２に
導かれ、復調される。
【００５６】図１２は、更に別の携帯電話の高周波回路
を中心とするブロック図である。特に、欧州において用
いられる携帯電話の高周波回路部の概略構成である。す
なわち、１つの電話機が２つのシステムに対応する様に
構成されたものである。９００ＭＨｚの周波数帯域を有
するＥＧＳＭ系と、１．８ＧＨｚの周波数帯域を有する
ＤＣＳ系に対応するものである。
【００５７】このために、各システムに対する送受信デ
ュアルフィルタ４０，４１を有している。また、アンテ
ナ２０に繋がるシステム及び送受信信号を分離する例え
ばダイプレクサモジュール３０と増幅器３１，３２の間
に更にＳＡＷフィルタを搭載する場合もある。
【００５８】段間フィルタ４０，４１それぞれの後段
は、図１１の構成と同様に変調、復調回路に接続される
が、本発明の説明において、直接関連しないので更なる
説明は省略する。
【００５９】図１１，図１２の説明から容易に理解出来
るように、通信装置には複数のフィルタが使用され、且
つ携帯電話のように小型化を要求される場合には、これ
らのフィルタを実現する、より小型の弾性表面波デバイ
スが必要である。
【００６０】図１３は、かかる要求に応える本発明に従
う弾性表面波デバイスの実装における実施例を説明する
図であり、図１４は、実装後の状態を示す図である。か
かる実施例は、先に説明した本発明の特徴を有する圧電
素子１を２つ共通にパッケージ２に搭載し、キャップ５
により封止する例である。パッケージ２は凹部を有し、
接地端子及び入出力端子とＡuバンプ７を介して圧電素
子１の対応する電極パッドと接続して固定する。
【００６１】ここにおいて、先に説明したように圧電素
子１の長辺をパッケージ２の線膨張係数に近い軸方向に
選択し、且つ電極パッドの配置が圧電素子１の中心に対
し対象とされているものである。したがって、図１４に
おいて、バンプ７に対する応力が低減されている。
【００６２】図１４の例は、２つの圧電素子１の接地電
極パッドが共通にパッケージ２の接地端子４に接続され
る例である。
【００６３】図１５は、更に別の例であり、共通のパッ
ケージ２に搭載された２つの圧電素子１の接地電極パッ
ドをパッケージ２の接地端子４に分離して接続する例で
ある。これにより２つの圧電素子１間の干渉を防止する
ことが可能である。
【００６４】図１６は、更に又別の例であり、１つの圧
電素子１に形成される２つの弾性表面波素子の入力用及
び出力用接地電極パッドを、互いに分離してパッケージ
２の接地端子４に接続する例である。これにより入出力
間の干渉を防止することが可能である。
【００６５】かかる例は、先に図７に関し説明した接続
電極１０３，１０４でカスケード接続された２段のダブ
ルモード型フィルタや、１段のダブルモード型フィルタ
等に適用可能である。
【００６６】ここで、上記図１３乃至図１６において、
２つの圧電素子を共通のパッケージに搭載する例を説明
したが、本発明の適用は、かかる例に限られない。２つ
の圧電素子を共通のパッケージに搭載する場合は、例え
ば、図１１におけるアンテナデュプレクサ２１、あるい
は図１２におけるデュアルフィルタ４０，４１として構
成することが出来る。
【００６７】さらに、２つ以上のの圧電素子を共通のパ
ッケージに搭載する場合は、例えば図１１において、段
間フィルタ、ＩＦフィルタあるいは、更なる他のシステ
ムに対するフィルタを含んで構成することが可能であ
る。
【００６８】尚、以上の実施例の説明では、１つの圧電
素子上に１つのフィルタを構成した場合について説明し
たが、本発明は、これに限定されず、１つの圧電素子上
に２つ以上のフィルタを構成してもかまわない。
【００６９】
【発明の効果】以上図面に従い実施の形態を説明したよ
うに、本発明によりフリップチップボンディング技術に
より弾性表面波素子が形成された圧電素子をパッケージ
に搭載する弾性表面波デバイスの小型化と高信頼化をは
かることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】弾性表面波デバイスのパッケージへの搭載方法
を示す概略断面図である。
【図２】従来の弾性表面波素子が形成されている圧電素
子１を上面から見た図である。
【図３】図２の弾性表面波素子によるラダー型フィルタ
の等価回路である。
【図４】図２構成の問題を解決する本発明に従う一実施
例構成を示す図である。
【図５】圧電素子のセラミックパッケージへの搭載を説
明する図である。
【図６】本発明に従う、櫛形電極構造を持つ弾性表面波
素子の例であり、IIDT（Interdigitated Interdigital
Transducer）型フィルタの例を示す図である。
【図７】本発明に従う、カスケード接続されたダブルモ
ード型フィルタの例である。
【図８】ダブルモード型の別の弾性表面波フィルタを形
成した圧電素子１の上面図である。
【図９】更に本発明の特徴を説明する図である。
【図１０】更に別の本発明の特徴を説明する実施例を示
す図である。
【図１１】無線通信装置、例えば携帯電話の高周波回路
を中心とするブロック図である。
【図１２】更に別の携帯電話の高周波回路を中心とする
ブロック図である。
【図１３】小型の弾性表面波デバイスの要求に応える本
発明に従う弾性表面波デバイスの実装における実施例を
説明する図である。
【図１４】図１３の実施例の実装後の状態を示す図であ
る。実装後の状態を示す図である。
【図１５】更に別の例であり、共通のパッケージ２に搭
載された２つの圧電素子１の接地電極パッドをパッケー
ジ２の接地端子４に分離して接続する例である。
【図１６】更に又別の例であり、１つの圧電素子１に形
成されるダブルモード型フィルタの入出力接地電極パッ
ドを、互いに分離してパッケージ２の接地端子４に接続
する例である。
【符号の説明】
１ 圧電素子 ２ パッケージ ４ 接地端子 ５ キャップ ７ Ａuバンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川内 治 長野県須坂市大字小山460番地 富士通メ ディアデバイス株式会社内 (72)発明者 三沢 清秀 長野県須坂市大字小山460番地 富士通メ ディアデバイス株式会社内 (72)発明者 古里 博之 長野県須坂市大字小山460番地 富士通メ ディアデバイス株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA17 AA24 AA29 BB11 CC02 DD25 GG03 JJ01 JJ07 JJ09 KK10

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】線膨張係数を有するパッケージと、 弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップ
    チップボンディングで搭載された圧電素子を有し、 該圧電素子は、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生
    成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線
    膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に
    近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有することを特
    徴とする弾性表面波デバイス。
  2. 【請求項２】請求項１において、 さらに、前記圧電素子に電極パターンを有し、該電極パ
    ターンと前記パッケージとをつなぐバンプの位置が前記
    圧電素子の中心と点対称に配置されていることを特徴と
    する弾性表面波デバイス。
  3. 【請求項３】請求項２において、 前記電極パターンは、前記圧電素子の中心から距離が前
    記圧電素子の短辺の１／２以下であることを特徴とする
    弾性表面波デバイス。
  4. 【請求項４】請求項１において、 前記弾性表面波素子は、梯子型フィルタを構成する電極
    パターンを有することを特徴とする弾性表面波デバイ
    ス。
  5. 【請求項５】請求項４において、 前記電極パターンと前記パッケージとをつなぐバンプの
    全ての位置が前記梯子型フィルタの短辺側に配置される
    共振器より前記圧電素子の中心に近い側に配置されるこ
    とを特徴とする弾性表面波デバイス。
  6. 【請求項６】線膨張係数を有するパッケージと、 弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップ
    チップボンディングで搭載された二つの圧電素子を有
    し、 該二つの圧電素子の各々は、前記弾性表面波素子の櫛形
    電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂
    直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの
    線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有
    し、更にそれぞれの中心周波数が異なるものであること
    を特徴とする弾性表面波デバイス。
  7. 【請求項７】請求項６において、 前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表面波
    素子の接地電極が前記パッケージ上で共通にされている
    ことを特徴とする弾性表面波デバイス。
  8. 【請求項８】請求項６において、 前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表面波
    素子の接地電極が前記パッケージ上でそれぞれ独立にさ
    れていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
  9. 【請求項９】請求項１において、 前記弾性表面波素子は、ダブルモード型フィルタであ
    り、該フィルタの入力側接地電極と出力側接地電極が、
    前記パッケージ上で分離されていることを特徴とする弾
    性表面波デバイス。
  10. 【請求項１０】請求項６において、 前記二つの圧電素子のいずれか一方の圧電素子に形成さ
    れた前記弾性表面波素子は、カスケード接続されたダブ
    ルモード型フィルタであり、該フィルタの入力側接地電
    極と出力側接地電極が、前記パッケージ上で分離されて
    いることを特徴とする弾性表面波デバイス。
  11. 【請求項１１】請求項１乃至１０のいずれかにおいて、 前記圧電素子は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有する単結晶から
    切り出され、Ｘ結晶軸が前記弾性表面波の伝播方向に一
    致することを特徴とする弾性表面波デバイス。
  12. 【請求項１２】請求項１１において、 前記圧電素子は、LiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜
    ４４度で切り出されたものであることを特徴とする弾性
    表面波デバイス。
  13. 【請求項１３】線膨張係数を有するパッケージと、 弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップ
    チップボンディングで搭載された圧電素子を有し、 該圧電素子は、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生
    成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線
    膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に
    近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有する弾性表面
    波フィルタを有する通信装置。
  14. 【請求項１４】線膨張係数を有するパッケージと、 それぞれに弾性表面波フィルタが形成され、前記パッケ
    ージにフリップチップボンディングで搭載された二つの
    圧電素子を有し、 該二つの圧電素子の各々は、前記弾性表面波フィルタの
    櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれ
    に垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケー
    ジの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺とし
    て有し、 更に前記二つの圧電素子に形成される弾性表面波フィル
    タのそれぞれの中心周波数が異なるものであることを特
    徴とするアンテナデュプレクサ。
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