JP3328102B2 - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents

弾性表面波装置及びその製造方法

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    • Y10T29/42—Piezoelectric device making

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信機器等に使
用される弾性表面波装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動体通信の発展に伴い、機器を構成す
るキーデバイスの１つである弾性表面波装置の小型化、
低背化、高性能化が求められている。弾性表面波装置に
おける弾性表面波素子の実装方法としては、ワイヤーボ
ンディングによる実装が主流である。しかし、ワイヤー
ボンディングによる実装では、パッケージにボンディン
グワイヤーのランド部が必要であるため、小型化には限
界があった。そこで、プロシーディングス オン １９
９３ ジャパン アイ・イー・エム・ティー シンポジ
ウム（Ｐｒｏｃ． １９９３ Ｊａｐａｎ ＩＥＭＴ
Ｓｙｍｐ． ｐｐ．１０９−１１２）に示されているよ
うに、フェイスダウン方式による実装が試みられてい
る。
【０００３】以下、従来の弾性表面波装置について説明
する。図７はワイヤーボンディングによる実装を用いた
従来の弾性表面波装置を示す概略断面図である。図７に
示すように、基板２１９の上には、櫛形電極部２０２と
電極パッド２０３とが形成されており、これにより弾性
表面波素子２０１が構成されている。弾性表面波素子２
０１は、接着剤２１６を介してアルミナ製のパッケージ
２０７内に固定されている。パッケージ２０７には、そ
の内部にボンディングワイヤーのランド部２１８が形成
されており、外部にはランド部２１８と一体の外部電極
２０９が形成されている。そして、弾性表面波素子２０
１は、ボンディングワイヤー２１７を介してランド部２
１８に接続されており、これにより外部との導通が図ら
れている。また、パッケージ２０７の上部には、封止部
２１０を介して蓋材２１１が取り付けられている。すな
わち、蓋材２１１は、溶接又は高温半田によるろう付け
によってパッケージ２０７に気密状態で保持されてい
る。これにより、信頼性に優れた弾性表面波装置が実現
される。
【０００４】図８はフェイスダウン実装を用いた従来の
弾性表面波装置を示す概略断面図である。図８に示すよ
うに、基板２１９の上には、櫛形電極部２０２と電極パ
ッド２０３とが形成されており、これにより弾性表面波
素子２０１が構成されている。電極パッド２０３の上に
は導電性バンプ２０４が形成されている。アルミナ又は
ガラス−セラミック等からなるパッケージ２０７には、
その内部に電極パターン２０８が形成されており、外部
には電極パターン２０８と一体の外部電極２０９が形成
されている。弾性表面波素子２０１は、導電性バンプ２
０４に転写塗布された導電性接着剤２０５を介して電極
パターン２０８にフェイスダウン実装されている。これ
により、外部との導通が図られている。しかし、導電性
バンプ２０４と導電性接着剤２０５だけでは、弾性表面
波素子２０１とパッケージ２０７との接着強度が弱い。
このため、弾性表面波素子２０１は、さらに絶縁性接着
剤２０６を介してパッケージ２０７に接着されている。
また、パッケージ２０７の上部には、封止部２１０を介
して蓋材２１１が取り付けられている。尚、絶縁性接着
剤２０６としては、櫛形電極部２０２の周辺に弾性表面
波の伝搬を阻害しないだけの空間を確保するために、高
粘度の絶縁性樹脂が用いられている。
【０００５】また、プロシーディングス オン １９９
４ ウルトラソニック シンポジウム（Ｐｒｏｃ．１９
９４ Ｕｌｔｒａｓｏｎ．Ｓｙｍｐ．ｐｐ．１５９−１
６２）に示されているように、絶縁性樹脂による接着補
強を行わずに、導電性バンプとパッケージ上の電極と
を、熱と超音波によって直接接続し、導電性バンプのみ
によって弾性表面波素子を保持するようにした構成も報
告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ワイヤー
ボンディングによる実装を用いた従来の弾性表面波装置
の場合には、ボンディングワイヤーのランド部が必要と
なるため、小型化、低背化が困難であるといった問題が
あった。また、櫛形電極部が保護されていないために、
蓋材の封止工程における半田飛沫などの導電性異物の混
入によって櫛形電極が短絡するといった問題があった。
【０００７】また、フェイスダウン実装を用いた弾性表
面波装置の場合には、ボンディングワイヤーのランド部
が不要であるために小型化には有利であるが、弾性表面
波素子を接着補強する絶縁性接着剤が弾性表面波素子の
櫛形電極部に浸入するなど、絶縁性接着剤の制御が困難
であり、絶縁性接着剤の塗布方法に問題があった。
【０００８】さらに、絶縁性接着剤を用いないフェイス
ダウン実装方式を採用した場合には、弾性表面波素子と
パッケージとの熱膨張差に起因する熱応力が弾性表面波
素子に直接作用するため、弾性表面波装置の特性に悪影
響を及ぼすといった問題があった。
【０００９】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するため、小型かつ低背で、信頼性に優れた弾性表面
波装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る弾性表面波装置の第１の構成は、弾性
表面波素子と、前記弾性表面波素子の電極パッド上に形
成された台座部と頂部とを有する金からなる導電性バン
プと、導電性接着剤を介して前記導電性バンプに接続さ
れたパッケージ上の電極とを備えた弾性表面波装置であ
って、前記弾性表面波素子に直接接合され、前記弾性表
面波素子の櫛形電極部との対向面に凹部が設けられた前
記導電性バンプの台座部の高さよりも背が低い保護基板
と、前記導電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基
板の周囲に充填された絶縁性接着剤とを設けたことを特
徴とする。
【００１１】また、本発明に係る弾性表面波装置の第２
の構成は、弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の電
極パッド上に形成された台座部と頂部とを有する金から
なる導電性バンプと、導電性接着剤を介して前記導電性
バンプに接続された電極とを備えた弾性表面波装置であ
って、前記弾性表面波素子の櫛形電極部を囲むように形
成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記弾性表面波
素子に直接接合された前記導電性バンプの台座部の高さ
よりも背が低い保護基板と、前記導電性バンプと前記導
電性接着剤と前記保護基板の周囲に充填された絶縁性接
着剤とを設けたことを特徴とする。
【００１２】
【００１３】また、前記本発明の弾性表面波装置の第１
又は第２の構成においては、保護基板が、水晶又はガラ
スからなるのが好ましい。
【００１４】また、前記本発明の弾性表面波装置の第１
又は第２の構成においては、少なくとも弾性表面波素子
の櫛形電極部に、絶縁性保護膜がさらに備わっているの
が好ましい。また、この場合には、絶縁性保護膜が、珪
素及び酸化珪素から選ばれる無機物質からなるのが好ま
しい。
【００１５】また、前記本発明の弾性表面波装置の第１
又は第２の構成においては、少なくとも弾性表面波素子
と保護基板との直接接合部に、絶縁性保護膜がさらに備
わっているのが好ましい。また、この場合には、絶縁性
保護膜が、珪素及び酸化珪素から選ばれる無機物質から
なるのが好ましい。
【００１６】また、本発明に係る弾性表面波装置の第１
の製造方法は、弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
の櫛形電極部との対向面に凹部が設けられた保護基板と
を直接接合し、前記弾性表面波素子の電極パッド上に前
記保護基板の高さよりも背が低い台座部と頂部とを有す
る金からなる導電性バンプを形成し、前記導電性バンプ
に導電性接着剤を転写し、前記導電性接着剤を介して前
記導電性バンプをパッケージ上の電極に接続し、前記導
電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基板の周囲に
絶縁性接着剤を充填するものである。
【００１７】また、本発明に係る弾性表面波装置の第２
の製造方法は、弾性表面波素子と保護基板とを絶縁膜を
介して直接接合し、前記弾性表面波素子の電極パッド上
に前記保護基板の高さよりも背が低い台座部と頂部とを
有する金からなる導電性バンプを形成し、前記導電性バ
ンプに導電性接着剤を転写し、前記導電性接着剤を介し
て前記導電性バンプをパッケージ上の電極に接続し、前
記導電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基板の周
囲に絶縁性接着剤を充填するものである。
【００１８】また、前記本発明の第１又は第２の製造方
法の構成においては、弾性表面波素子上に絶縁性保護膜
を形成する工程がさらに備わっているのが好ましい。ま
た、この場合には、弾性表面波素子上に形成された絶縁
性保護膜を平坦化する工程がさらに備わっているのが好
ましい。
【００１９】
【作用】前記本発明の弾性表面波装置の第１の構成によ
れば、弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子の電極パ
ッド上に形成された台座部と頂部とを有する金からなる
導電性バンプと、導電性接着剤を介して前記導電性バン
プに接続されたパッケージ上の電極とを備えた弾性表面
波装置であって、前記弾性表面波素子に直接接合され、
前記弾性表面波素子の櫛形電極部との対向面に凹部が設
けられた前記導電性バンプの台座部の高さよりも背が低
い保護基板と、前記導電性バンプと前記導電性接着剤と
前記保護基板の周囲に充填された絶縁性接着剤とを設け
たことを特徴とするので、小型でかつ低背の弾性表面波
装置が実現される。特に、保護基板によって弾性表面波
素子の櫛形電極部が保護されるので、低粘度の絶縁性接
着剤を導電性バンプと導電性接着剤の周囲に充填して接
着強度を高めることができる。従って、絶縁性接着剤の
粘度を調整する必要がなく、生産性の高効率化が図られ
る。また、実装工程における櫛型電極部への導電性異物
などの混入を防止することができるので、歩留まりの向
上と共に低コスト化が図られる。また、金ワイヤーを用
いたボールボンディング法によって導電性バンプを容易
に形成することができる。
【００２０】また、前記本発明の弾性表面波装置の第２
の構成によれば、弾性表面波素子と、前記弾性表面波素
子の電極パッド上に形成された台座部と頂部とを有する
金からなる導電性バンプと、導電性接着剤を介して前記
導電性バンプに接続された電極とを備えた弾性表面波装
置であって、前記弾性表面波素子の櫛形電極部を囲むよ
うに形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記弾性
表面波素子に直接接合された前記導電性バンプの台座部
の高さよりも背が低い保護基板と、前記導電性バンプと
前記導電性接着剤と前記保護基板の周囲に充填された絶
縁性接着剤とを設けたことを特徴とするので、保護基板
に凹部加工を施す必要がなく、保護基板としての基板材
料の選択の幅が広がる。また、金ワイヤーを用いたボー
ルボンディング法によって導電性バンプを容易に形成す
ることができる。
【００２１】
【００２２】
【００２３】また、前記本発明の弾性表面波装置の第１
又は第２の構成において、少なくとも弾性表面波素子の
櫛形電極部に、絶縁性保護膜がさらに備わっているとい
う好ましい例によれば、櫛形電極部の腐食が防止され、
アルミニウム合金からなる櫛形電極を用いた場合でも、
直接接合プロセスを行うことができる。
【００２４】また、前記本発明の弾性表面波装置の第１
又は第２の構成において、少なくとも弾性表面波素子と
保護基板との直接接合部に、絶縁性保護膜がさらに備わ
っているという好ましい例によれば、絶縁性保護膜の膜
厚を櫛形電極部の厚さよりも厚くすることにより、保護
基板に凹部加工を施す必要がないので、保護基板として
の基板材料の選択の幅が広がる。
【００２５】また、前記本発明の弾性表面波装置の第１
の製造方法によれば、弾性表面波素子と、前記弾性表面
波素子の櫛形電極部との対向面に凹部が設けられた保護
基板とを直接接合し、前記弾性表面波素子の電極パッド
上に前記保護基板の高さよりも背が低い台座部と頂部と
を有する金からなる導電性バンプを形成し、前記導電性
バンプに導電性接着剤を転写し、前記導電性接着剤を介
して前記導電性バンプをパッケージ上の電極に接続し、
前記導電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基板の
周囲に絶縁性接着剤を充填するものであるため、前記本
発明の第１の構成に係る弾性表面波装置を効率良く作製
することができる。
【００２６】また、前記本発明の弾性表面波装置の第２
の製造方法によれば、弾性表面波素子と保護基板とを絶
縁膜を介して直接接合し、前記弾性表面波素子の電極パ
ッド上に前記保護基板の高さよりも背が低い台座部と頂
部とを有する金からなる導電性バンプを形成し、前記導
電性バンプに導電性接着剤を転写し、前記導電性接着剤
を介して前記導電性バンプをパッケージ上の電極に接続
し、前記導電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基
板の周囲に絶縁性接着剤を充填するものであるため、前
記本発明の第２の構成に係る弾性表面波装置を効率良く
作製することができる。
【００２７】また、前記本発明の第１又は第２の製造方
法の構成において、弾性表面波素子上に絶縁性保護膜を
形成する工程がさらに備わっているという好ましい例に
よれば、絶縁性保護膜の膜厚を櫛形電極部の厚さよりも
厚くすることにより、保護基板として平板状の基板を用
いた場合でも、弾性表面波の伝搬を阻害することなく膜
と直接接合することができる。また、この場合、弾性表
面波素子上に形成された絶縁性保護膜を平坦化する工程
がさらに備わっているという好ましい例によれば、保護
基板のみで櫛形電極部の気密性を確保することができる
ので、従来必要とされていたパッケージが不要となる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。 ＜第１の実施例＞まず、本発明の第１の実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明に係る
弾性表面波装置の第１の実施例を示す概略断面図、図２
は図１の弾性表面波装置における弾性表面波素子の実装
部周辺の概略断面図である。図１、図２に示すように、
基板１１９の上には、櫛形電極部１０２と電極パッド１
０３とが形成されており、これにより弾性表面波素子１
０１が構成されている。電極パッド１０３の上には導電
性バンプ１０４が形成されている。アルミナ製のパッケ
ージ２０７には、その内部に電極パターン１０８が形成
されており、外部には電極パターン１０８と一体の外部
電極１０９が形成されている。弾性表面波素子１０１
は、導電性バンプ１０４に転写塗布された導電性接着剤
１０５を介して電極パターン１０８にフェイスダウン実
装されている。これにより、外部との導通が図られてい
る。この場合、導電性バンプ１０４と導電性接着剤１０
５だけでは、弾性表面波素子１０１とパッケージ１０７
との接着強度が低い。このため、導電性バンプ１０４と
導電性接着剤１０５との周囲には絶縁性接着剤１０６が
充填されており、これにより弾性表面波素子１０１とパ
ッケージ１０７との接着強度の向上が図られている。ま
た、パッケージ１０７の上部には、封止部１１０を介し
て蓋材１１１が取り付けられている。
【００２９】基板１１９の上には、直接接合技術を用い
て保護基板１１２が取り付けられており、これにより櫛
形電極部１０２の保護が図られている。保護基板１１２
には、櫛形電極部１０２に対向する部分に弗硝酸系のエ
ッチャントを用いて凹部が設けられている。これによ
り、弾性表面波の伝搬が妨げられることはない。凹部の
深さは約１０μｍである。凹部の形成方法は、弗硝酸系
のエッチャントに限定されるものではなく、サンドブラ
ストなどの機械的な加工方法を用いてもよい。また、凹
部の深さは、櫛形電極部１０２の電極厚さを考慮し、弾
性表面波の伝搬を阻害しない程度であれば、１０μｍ以
下であっても差し支えない。また、保護基板１１２の壁
部の厚さ、すなわち、弾性表面波素子１０１の基板１１
９との接合部の幅は２５０μｍである。尚、図２中、１
０４ａは導電性バンプ１０４の頂部、１０４ｂは導電性
バンプ１０４の台座部である。
【００３０】本実施例においては、弾性表面波素子１０
１の基板１１９として３６゜回転ＹカットＸ伝搬のタン
タル酸リチウムを用いた。また、櫛形電極部１０２及び
電極パッド１０３は、金を主体とした金属薄膜を用い
て、フォトリソグラフィー（リフトオフ法）により形成
した。また、保護基板１１２としては、弾性表面波素子
１０１の基板１１９との結晶学的な整合性がとれるよう
に、基板１１９と同じカット角の単結晶基板を用いた。
直接接合技術においては、原子レベルでの基板同士の接
合が行なわれるため、格子定数の不整合による格子歪
や、熱膨張係数差による残留応力などが、弾性表面波装
置の特性を劣化させる虞れがある。また、異種基板同士
の直接接合では十分な接合強度を得ることが困難な場合
もある。このため、弾性表面波素子１０１の基板１１９
と保護基板１１２とは同種基板であるのが望ましい。
【００３１】弾性表面波素子１０１の基板１１９と保護
基板１１２との直接接合は、次のようにして行なった。
すなわち、まず、基板１１９と保護基板１１２とを洗浄
した後、過酸化水素水とアンモニア水との混合液を用い
て、親水化処理を行なった。次いで、基板１１９と保護
基板１０２との位置合わせを行い、互いに密着させた。
これにより、主として水分子が介在した直接接合が実現
される。次いで、２００℃の熱処理を施した。これによ
り、直接接合界面に介在していた水分子が排除され、基
板１１９と保護基板１１２との直接接合がさらに強固と
なり、原子レベルでの直接接合が達成された。
【００３２】弾性表面波素子１０１の基板１１９と保護
基板１１２とを直接接合した後、弾性表面波素子１０１
の電極パッド１０３の上に導電性バンプ１０４を形成し
た。導電性バンプ１０４は、金ワイヤーを用いたボール
ボンディング法によって形成した。弾性表面波素子１０
１の基板１１９の上には、櫛形電極部１０２と電極パッ
ド１０３とを接続する配線パターンによって段差が形成
されているため、基板１１９と保護基板１１２とを直接
接合するだけでは、気密性が完全には確保されない。従
って、メッキバンプなどの湿式プロセスを利用したバン
プ形成方法は好ましくなく、乾式プロセスである金ワイ
ヤーを用いた導電性バンプ形成方法が好ましい。
【００３３】複数個の導電性バンプ１０４の高さを均一
にするために、鏡面基台上で導電性バンプ１０４を押圧
した。このときの荷重は、１バンプ当たり約５０ｇであ
った。図２に示すように、得られた導電性バンプ１０４
は、頂部１０４ａと台座部１０４ｂとからなる２段突起
構造を有している。
【００３４】電極パッド１０３の上に導電性バンプ１０
４を形成した後、導電性バンプ１０４に導電性接着剤１
０５を転写塗布した。導電性バンプ１０４への導電性接
着剤１０５の転写は、次のようにして行った。すなわ
ち、一定厚さのＡｇＰｄ合金を導電フィラーとしたフェ
ノキシ系の熱可塑性導電性接着剤を予め塗布した基台
に、導電性バンプ１０４の頂部１０４ａを浸責し、導電
性バンプ１０４に導電性接着剤１０５を転写した。この
場合、導電性バンプの頂部１０４ａに導電性接着剤１０
５を転写するために、導電性バンプ１０４の台座１０４
ｂの高さを保護基板１１２の高さよりも高く設定した。
具体的には、導電性バンプ１０４の台座１０４ｂの高さ
は５０μｍであり、保護基板１１２の厚さは４０μｍで
ある。尚、導電性接着剤１０５の導電フィラーとしては
ＡｇＰｄ合金に限定されるものではなく、他の金属フィ
ラーを用いてもよい。また、導電性接着剤１０５のバイ
ンダーとしてフェノキシ系の熱可塑性接着剤を用いてい
るが、シリコン系やエポキシ系の熱硬化性接着剤等を用
いてもよい。
【００３５】導電性バンプ１０４に導電性接着剤１０５
を転写した後、この導電性接着剤１０５を介して導電性
バンプ１０４を電極パターン１０８に接続した。この場
合、導電性バンプ１０４と導電性接着剤１０５だけによ
る実装では、弾性表面波素子１０１を保持するための強
度が得られないため、弾性表面波素子１０１に直接接合
された保護基板１１２とパッケージ１０７との間の空間
に、シリコン系の熱硬化性樹脂である絶縁性接着剤１０
６を完全に充填した。これにより、絶縁性樹脂１０６の
硬化収縮力を利用して、接着強度の補強が達成された。
尚、絶縁性接着剤１０６としてはシリコン系の熱硬化性
樹脂に限定されるものではなく、エポキシ系の熱硬化性
樹脂等を用いてもよい。
【００３６】以上のように、本実施例においては、弾性
表面波素子１０１と、弾性表面波素子１０１の電極パッ
ド１０３上に形成された導電性バンプ１０４と、導電性
接着剤１０５を介して導電性バンプ１０４に接続され、
外部電極１０９と一体の電極パターン１０８と、導電性
バンプ１０４と導電性接着剤１０５の周囲に充填された
絶縁性接着剤１０６と、弾性表面波素子１０１に直接接
合され、弾性表面波素子１０１の櫛形電極部１０２の対
向位置に凹部が設けられた保護基板１１２とにより弾性
表面波装置を構成したので、小型でかつ低背の弾性表面
波装置が実現される。特に、本実施例の弾性表面波装置
においては、保護基板１１２によって弾性表面波素子１
０１の櫛形電極部１０２が保護されているため、従来の
フェイスダウン実装方式のように、絶縁性接着剤の粘度
を調整する必要がなく、低粘度の絶縁性接着剤１０６を
用いて完全に充填させることができる。その結果、生産
性の高効率化が図られる。また、櫛形電極部１０２への
実装工程における導電性異物などの混入を防ぐことがで
きるので、歩留まりの向上と共に低コスト化が図られ
る。また、本実施例のように、保護基板１１２として弾
性表面波素子１０１の基板１１９と同じカット角の単結
晶基板を用いれば、弾性表面波素子１０１と保護基板１
１２との熱膨張係数差に起因する熱応力の影響を受ける
ことがなく、周波数特性に優れた弾性表面波装置が得ら
れる。
【００３７】尚、本実施例においては、弾性表面波素子
１０１の基板１１９及び保護基板１１２として３６゜回
転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウムを用いている
が、ニオブ酸リチウムや水晶、ほう酸リチウムなどの単
結晶基板を用いた場合でも、同様の効果が得られる。
【００３８】＜第２の実施例＞次に、本発明の第２の実
施例について、図面を参照しながら説明する。図３は本
発明に係る弾性表面波装置の第２の実施例における弾性
表面波素子の実装部周辺の概略断面図である。図３に示
すように、本実施例の弾性表面波装置は、櫛形電極部１
０２の周辺に酸化珪素からなる絶縁性保護膜１１３が設
けられている以外は、上記第１の実施例の弾性表面波装
置（図１、図２）と同じ構成である。このため、同一の
部分については同一の番号を付し、説明は省略する。絶
縁性保護膜１１３は、スパッタ法により約８０００オン
グストロームの膜厚で形成されている。
【００３９】本実施例において、櫛形電極部１０２及び
電極パッド１０３は、アルミニウム合金からなる金属薄
膜を用いて、フォトリソグラフィー（リフトオフ法）に
より形成した。また、櫛形電極部１０２及び電極パッド
部１０３以外の配線パターンには、保護膜として金薄膜
を形成した。本実施例のように、櫛形電極部１０２にア
ルミニウム合金からなる金属薄膜を用いる場合には、直
接接合プロセスの親水化処理工程において、櫛形電極部
１０２の表面が腐食される。このため、上記したよう
に、櫛形電極部１０２の周辺に絶縁性保護膜１１３を形
成した。これにより、櫛形電極部１０２の腐食が防止さ
れ、アルミニウム合金からなる櫛形電極を用いた場合で
も、直接接合プロセスを行うことができる。尚、絶縁性
保護膜１１３の材料は酸化珪素に限定されるものではな
く、珪素を用いることもできる。
【００４０】以上のように、本実施例の弾性表面波装置
の構成によれば、櫛形電極部１０２が絶縁性保護膜１１
３によって被覆されているので、櫛形電極としてアルミ
ニウム合金などの腐食されやすい金属薄膜を用いた場合
でも、保護基板１１２と弾性表面波素子１０１の基板１
１９との直接接合が可能となり、直接接合プロセス以降
の実装工程において導電性異物などの混入を防ぐことが
でき、歩留まりの向上が図られる。
【００４１】＜第３の実施例＞次に、本発明の第３の実
施例について、図面を参照しながら説明する。図４は本
発明に係る弾性表面波装置の第３の実施例における弾性
表面波素子の実装部周辺の概略断面図である。図４に示
すように、本実施例の弾性表面波装置は、弾性表面波素
子１０１の基板１１９と保護基板１１２の接合部との間
に酸化珪素からなる絶縁性保護膜１１３が介在されてい
る以外は、上記第１の実施例の弾性表面波装置（図１、
図２）と同じ構成である。このため、同一の部分につい
ては同一の番号を付し、説明は省略する。絶縁性保護膜
１１３は、スパッタ法により約２μｍの膜厚で形成され
ている。絶縁性保護膜１１３の膜厚は、櫛形電極部１０
２の膜厚よりも厚く、配線電極部における段差はカバー
されている。
【００４２】弾性表面波素子１０１の基板１１９と保護
基板１１２との直接接合は、上記第１の実施例と同様の
方法で行った。本実施例における直接接合は、保護基板
１１２を形成する基板（３６゜回転ＹカットＸ伝搬のタ
ンタル酸リチウム）１１９と絶縁性保護膜１１３を形成
する酸化珪素との界面で行ったが、上記第１の実施例と
同様に、良好な接合体が得られた。また、絶縁性保護膜
１１３を機械的研磨によって平坦化した後に、保護基板
１１２を直接接合すれば、保護基板１１２だけで櫛形電
極部１０２の気密性を確保することができ、従来必要と
されていたパッケージが不要となる。
【００４３】本実施例においては、保護基板１１２とし
て弾性表面波素子１０１の基板１１９と同じ単結晶基板
を用いたが、上記のように弾性表面波素子１０１の基板
１１９と保護基板１１２の接合部との間に酸化珪素から
なる絶縁性保護膜１１３を介在させれば、弾性表面波素
子１０１の基板１１９と実質的に熱膨張係数が同等のガ
ラス基板や、絶縁性保護膜１１３と直接接合が容易な水
晶基板を保護基板１１２として用いることもできる。ま
た、絶縁性保護膜１１３の膜厚を櫛形電極部１０２の厚
さよりも十分厚くすれば、保護基板１１２として平板状
の基板を用いた場合でも、弾性表面波の伝搬を阻害する
ことなく保護基板１１２を接合することができる。
【００４４】＜第４の実施例＞次に、本発明の第４の実
施例について、図面を参照しながら説明する。図５は本
発明に係る弾性表面波装置の第４の実施例における弾性
表面波素子の実装部周辺の概略断面図である。図５に示
すように、本実施例の弾性表面波装置は、保護基板１１
２と弾性表面波素子１０１の基板１１９との間に櫛形電
極部１０２を囲むようにスペーサーとして酸化珪素から
なる絶縁膜１１４が介在されている以外は、上記第１の
実施例の弾性表面波装置（図１、図２）と同じ構成であ
る。このため、同一の部分については同一の番号を付
し、説明は省略する。このような構成とすれば、弾性表
面波素子１０１の櫛形電極部１０２に対向する部分に空
間が確保され、弾性表面波の伝搬が妨げられることはな
い。絶縁膜１１４は、スパッタ法を用いてパターン形成
されている。絶縁膜１１４の膜厚は２μｍであり、櫛形
電極部１０２の厚さよりも厚く形成されている。尚、酸
化珪素のパターン形成方法としてはスパッタ法に限定さ
れるものではなく、塗布型の絶縁膜で形成してもよい。
【００４５】弾性表面波素子１０１の基板１１９と絶縁
膜１１４が形成された保護基板１１２との直接接合は、
上記第１の実施例と同様の方法で行った。本実施例にお
ける直接接合は、弾性表面波素子１０１の基板（３６゜
回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム）１１９と保
護基板１１２の上に形成された絶縁膜１１４との界面で
行ったが、上記第１の実施例と同様に、良好な接合体が
得られた。
【００４６】本実施例においては、保護基板１１２とし
て弾性表面波素子１０１の基板１１９と同じ単結晶基板
を用いたが、上記のように酸化珪素からなる絶縁膜１１
４を介在させれば、弾性表面波素子１０１の基板１１９
と実質的に熱膨張係数が同等のガラス基板や、酸化珪素
からなる絶縁膜１１４と実質的に熱膨張係数が同等の水
晶基板、ガラス基板を保護基板１１２として用いてもよ
い。
【００４７】以上のように、本実施例の弾性表面波装置
の構成によれば、直接接合部に絶縁膜１１４を形成して
いるので、保護基板１１２に凹部加工を施す必要がな
く、保護基板１１２としての基板材料の選択の幅が広が
る。
【００４８】＜第５の実施例＞次に、本発明の第５の実
施例について、図面を参照しながら説明する。図６は本
発明に係る弾性表面波装置の第５の実施例における弾性
表面波素子の実装部周辺の概略断面図である。図６に示
すように、本実施例の弾性表面波装置は、櫛形電極部１
０２と直接接合部の周辺に酸化珪素からなる絶縁性保護
膜１１３が設けられ、絶縁性保護膜１１３と保護基板１
１２との間にスペーサーとして酸化珪素からなる絶縁膜
１１４が介在されている以外は、上記第１の実施例の弾
性表面波装置（図１、図２）と同じ構成である。このた
め、同一の部分については同一の番号を付し、説明は省
略する。
【００４９】本実施例においては、弾性表面波素子１０
１の基板１１９及び保護基板１１２として４１゜回転Ｙ
カットＸ伝搬のニオブ酸リチウムを用いた。また、櫛形
電極部１０２及び電極パッド１０３は、アルミニウム合
金からなる金属薄膜を用いて、フォトリソグラフィー
（リフトオフ法）により形成した。ところで、上記第２
の実施例と同様に、櫛形電極部１０２にアルミニウム合
金からなる金属薄膜を用いた場合には、直接接合プロセ
スの親水化処理工程において、櫛形電極部１０２の表面
が腐食される。このため、上記したように、櫛形電極部
１０２と直接接合部の周辺に絶縁性保護膜１１３を形成
した。これにより、櫛形電極部１０２の腐食が防止さ
れ、アルミニウム合金からなる櫛形電極を用いた場合で
も、直接接合プロセスを行うことができる。
【００５０】また、絶縁性保護膜１１３と保護基板１１
２との間に絶縁膜１１４を介在させることにより、櫛形
電極部１０２に対向する部分に空間が確保され、弾性表
面波の伝搬が妨げられることはない。本実施例において
は、上記第４の実施例と同様に、酸化珪素のパターン形
成にスパッタ法を用いた。
【００５１】また、絶縁性保護膜１１３を機械的研磨に
よって平坦化した後に、保護基板１１２を直接接合すれ
ば、保護基板１１２だけで櫛形電極部１０２の気密性を
確保することができるので、従来必要とされていたパッ
ケージが不要となる。また、保護基板１１２の直接接合
部に絶縁膜１１４を形成しているので、保護基板１１２
に凹部加工を施す必要がなく、保護基板１１２としての
基板材料の選択の幅が広がる。
【００５２】弾性表面波素子１０１の基板１１９と絶縁
膜１１４が形成された保護基板１１２との直接接合は、
上記第１の実施例と同様の方法で行った。本実施例にお
ける直接接合は、弾性表面波素子１０１の基板（４１゜
回転ＹカットＸ伝搬のニオブ酸リチウム）１１９の上に
形成された絶縁性保護膜１１３と、保護基板１１２の上
に形成された絶縁膜１１４との界面で行ったが、第１の
実施例と同様に良好な接合体が得られた。
【００５３】本実施例においては、保護基板１１２とし
て弾性表面波素子１０１の基板１１９と同じ単結晶基板
を用いたが、上記のように弾性表面波素子１０１の基板
１１９と保護基板１１２との間に酸化珪素からなる絶縁
膜１１４及び絶縁性保護膜１１３を介在させれば、弾性
表面波素子１０１の基板１１９と実質的に熱膨張係数が
同等のガラス基板や、酸化珪素からなる絶縁膜１１４や
絶縁性保護膜１１３と実質的に熱膨張係数が同等の水晶
基板、ガラス基板を保護基板１１２として用いてもよ
い。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波装置の第１の構成によれば、小型でかつ低背の弾
性表面波装置が実現される。特に、保護基板によって弾
性表面波素子の櫛形電極部が保護されるので、低粘度の
絶縁性接着剤を導電性バンプと導電性接着剤の周囲に充
填して接着強度を高めることができる。従って、絶縁性
接着剤の粘度を調整する必要がなく、生産性の高効率化
が図られる。また、実装工程における櫛形電極部への導
電性異物などの混入を防止することができるので、歩留
まりの向上と共に低コスト化が図られる。
【００５５】また、本発明に係る弾性表面波装置の第２
の構成によれば、保護基板に凹部加工を施す必要がな
く、保護基板としての基板材料の選択の幅が広がる。ま
た、本発明に係る弾性表面波装置の第１の製造方法によ
れば、前記本発明の第１の構成に係る弾性表面波装置を
効率良く作製することができる。
【００５６】また、本発明に係る弾性表面波装置の第２
の製造方法によれば、前記本発明の第２の構成に係る弾
性表面波装置を効率良く作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る弾性表面波装置の第１の実施例
を示す概略断面図である。
【図２】図１の弾性表面波装置における弾性表面波素子
の実装部周辺の概略断面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波装置の第２の実施例に
おける弾性表面波素子の実装部周辺の概略断面図であ
る。
【図４】本発明に係る弾性表面波装置の第３の実施例に
おける弾性表面波素子の実装部周辺の概略断面図であ
る。
【図５】本発明に係る弾性表面波装置の第４の実施例に
おける弾性表面波素子の実装部周辺の概略断面図であ
る。
【図６】本発明に係る弾性表面波装置の第５の実施例に
おける弾性表面波素子の実装部周辺の概略断面図であ
る。
【図７】ワイヤーボンディングによる実装を用いた従来
の弾性表面波装置を示す概略断面図である。
【図８】フェイスダウン実装を用いた従来の弾性表面波
装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０１ 弾性表面波素子 １０２ 櫛形電極部 １０３ 電極パッド １０４ 導電性バンプ １０４ａ 導電性バンプの頂部 １０４ｂ 導電性バンプの台座部 １０５ 導電性接着剤 １０６ 絶縁性接着剤 １０７ パッケージ １０８ 電極パターン １０９ 外部電極 １１０ 封止部 １１１ 蓋材 １１２ 保護基板 １１３ 絶縁性保護膜 １１４ 絶縁膜 １１９ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江田 和生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−49308（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−86442（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−115343（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−153590（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−44423（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 3/08

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
    の電極パッド上に形成された台座部と頂部とを有する金
    からなる導電性バンプと、導電性接着剤を介して前記導
    電性バンプに接続されたパッケージ上の電極とを備えた
    弾性表面波装置であって、前記弾性表面波素子に直接接
    合され、前記弾性表面波素子の櫛形電極部との対向面に
    凹部が設けられた前記導電性バンプの台座部の高さより
    も背が低い保護基板と、前記導電性バンプと前記導電性
    接着剤と前記保護基板の周囲に充填された絶縁性接着剤
    とを設けたことを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 【請求項２】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
    の電極パッド上に形成された台座部と頂部とを有する金
    からなる導電性バンプと、導電性接着剤を介して前記導
    電性バンプに接続されたパッケージ上の電極とを備えた
    弾性表面波装置であって、前記弾性表面波素子の櫛形電
    極部を囲むように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介
    して前記弾性表面波素子に直接接合された前記導電性バ
    ンプの台座部の高さよりも背が低い保護基板と、前記導
    電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基板の周囲に
    充填された絶縁性接着剤とを設けたことを特徴とする弾
    性表面波装置。
  3. 【請求項３】 保護基板が、水晶又はガラスからなる請
    求項１又は２に記載の弾性表面波装置。
  4. 【請求項４】 少なくとも弾性表面波素子の櫛形電極部
    に、絶縁性保護膜がさらに備わった請求項１又は２に記
    載の弾性表面波装置。
  5. 【請求項５】 少なくとも弾性表面波素子と保護基板と
    の直接接合部に、絶縁性保護膜がさらに備わった請求項
    １又は２に記載の弾性表面波装置。
  6. 【請求項６】 絶縁性保護膜が、珪素及び酸化珪素から
    選ばれる無機物質からなる請求項４又は５に記載の弾性
    表面波装置。
  7. 【請求項７】 弾性表面波素子と、前記弾性表面波素子
    の櫛形電極部との対向面に凹部が設けられた保護基板と
    を直接接合し、前記弾性表面波素子の電極パッド上に前
    記保護基板の高さよりも背が低い台座部と頂部とを有す
    る金からなる導電性バンプを形成し、前記導電性バンプ
    に導電性接着剤を転写し、前記導電性接着剤を介して前
    記導電性バンプをパッケージ上の電極に接続し、前記導
    電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基板の周囲に
    絶縁性接着剤を充填する弾性表面波装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 弾性表面波素子と保護基板とを絶縁膜を
    介して直接接合し、前記弾性表面波素子の電極パッド上
    に前記保護基板の高さよりも背が低い台座部と頂部とを
    有する金からなる導電性バンプを形成し、前記導電性バ
    ンプに導電性接着剤を転写し、前記導電性接着剤を介し
    て前記導電性バンプをパッケージ上の電極に接続し、前
    記導電性バンプと前記導電性接着剤と前記保護基板の周
    囲に絶縁性接着剤を充填する弾性表面波装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 弾性表面波素子上に絶縁性保護膜を形成
    する工程がさらに備わった請求項７又は８に記載の弾性
    表面波装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 弾性表面波素子上に形成された絶縁性
    保護膜を平坦化する工程がさらに備わった請求項９に記
    載の弾性表面波装置の製造方法。
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EP96107281A EP0742643B1 (en) 1995-05-08 1996-05-08 An acoustic surface-wave device and its manufacturing method
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Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328102B2 (ja) * 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法
WO1997002596A1 (fr) * 1995-06-30 1997-01-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Composant electronique et son procede de fabrication
DE69718693T2 (de) * 1996-03-08 2003-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren
CA2255961A1 (en) * 1996-05-24 1997-12-04 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Electronic component, in particular a component using acoustical surface acoustic waves
JP3570600B2 (ja) 1997-01-14 2004-09-29 株式会社村田製作所 圧電部品およびその製造方法
US6037705A (en) * 1997-02-26 2000-03-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric transformer including resilient adhesive support
US5945774A (en) * 1997-03-28 1999-08-31 Industrial Technology Research Institute Open package for crystal oscillator chips
JP3275775B2 (ja) * 1997-05-16 2002-04-22 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP3196693B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 日本電気株式会社 表面弾性波装置およびその製造方法
JPH11150153A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
DE19806550B4 (de) * 1998-02-17 2004-07-22 Epcos Ag Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement
JPH11239037A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Nec Corp 弾性表面波装置
JP3514361B2 (ja) 1998-02-27 2004-03-31 Ｔｄｋ株式会社 チップ素子及びチップ素子の製造方法
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
JP2000114918A (ja) * 1998-10-05 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp 表面弾性波装置及びその製造方法
JP3141939B2 (ja) * 1998-11-26 2001-03-07 日本電気株式会社 金属配線形成方法
FR2786959B1 (fr) * 1998-12-08 2001-05-11 Thomson Csf Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective
JP3296356B2 (ja) 1999-02-08 2002-06-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波デバイスとその製造方法
JP3339450B2 (ja) * 1999-03-02 2002-10-28 株式会社村田製作所 表面波装置の製造方法
JP2000295062A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Murata Mfg Co Ltd 表面波フィルタ
JP3351402B2 (ja) * 1999-04-28 2002-11-25 株式会社村田製作所 電子素子、弾性表面波素子、それらの実装方法、電子部品または弾性表面波装置の製造方法、および、弾性表面波装置
US6426583B1 (en) * 1999-06-14 2002-07-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same
JP3860364B2 (ja) * 1999-08-11 2006-12-20 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
US6984571B1 (en) 1999-10-01 2006-01-10 Ziptronix, Inc. Three dimensional device integration method and integrated device
US6500694B1 (en) * 2000-03-22 2002-12-31 Ziptronix, Inc. Three dimensional device integration method and integrated device
US6404100B1 (en) * 1999-10-18 2002-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave apparatus and method of manufacturing the same
US6902987B1 (en) 2000-02-16 2005-06-07 Ziptronix, Inc. Method for low temperature bonding and bonded structure
JP2001267881A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
JP3435639B2 (ja) * 2000-04-13 2003-08-11 株式会社村田製作所 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
FR2811828B1 (fr) * 2000-07-13 2002-10-25 Thomson Csf Dispositif a ondes acoustiques comprenant des domaines de polarisation alternee
US6563133B1 (en) 2000-08-09 2003-05-13 Ziptronix, Inc. Method of epitaxial-like wafer bonding at low temperature and bonded structure
JP3438709B2 (ja) * 2000-08-31 2003-08-18 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及びその製造方法と圧電発振器の製造方法
JP3438711B2 (ja) * 2000-09-06 2003-08-18 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及びその製造方法
US6710682B2 (en) * 2000-10-04 2004-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, method for producing the same, and circuit module using the same
US6628048B2 (en) * 2000-11-29 2003-09-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Crystal oscillator with improved shock resistance
US6969945B2 (en) * 2001-02-06 2005-11-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device, method for manufacturing, and electronic circuit device
JP3974346B2 (ja) * 2001-03-30 2007-09-12 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
JP3520414B2 (ja) * 2001-04-10 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波装置およびその製造方法、通信装置
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6778038B2 (en) * 2001-10-05 2004-08-17 Tdk Corporation Piezoelectric resonant filter, duplexer, and method of manufacturing same
EP1313214B1 (en) * 2001-11-16 2020-02-26 SnapTrack, Inc. Packaging substrate and manufacturing method thereof, integrated circuit device and manufacturing method thereof, and saw device
US6507097B1 (en) * 2001-11-29 2003-01-14 Clarisay, Inc. Hermetic package for pyroelectric-sensitive electronic device and method of manufacturing the same
KR20030092572A (ko) * 2002-05-30 2003-12-06 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자의 패키징 방법
DE10226033A1 (de) * 2002-06-12 2003-12-24 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
JP2004129222A (ja) * 2002-07-31 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電部品およびその製造方法
JP2004080221A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Fujitsu Media Device Kk 弾性波デバイス及びその製造方法
DE10238523B4 (de) * 2002-08-22 2014-10-02 Epcos Ag Verkapseltes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6846423B1 (en) 2002-08-28 2005-01-25 Silicon Light Machines Corporation Wafer-level seal for non-silicon-based devices
US6877209B1 (en) 2002-08-28 2005-04-12 Silicon Light Machines, Inc. Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer
JP4173024B2 (ja) * 2003-02-14 2008-10-29 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品の製造方法及びそのベース基板
US7754537B2 (en) * 2003-02-25 2010-07-13 Tessera, Inc. Manufacture of mountable capped chips
US7109092B2 (en) 2003-05-19 2006-09-19 Ziptronix, Inc. Method of room temperature covalent bonding
JP2005117151A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置
US7750420B2 (en) * 2004-03-26 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a SAW and/or MEMS device
DE102004020204A1 (de) 2004-04-22 2005-11-10 Epcos Ag Verkapseltes elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
JP2006173557A (ja) * 2004-11-22 2006-06-29 Toshiba Corp 中空型半導体装置とその製造方法
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US8143095B2 (en) 2005-03-22 2012-03-27 Tessera, Inc. Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips
JP2007081613A (ja) 2005-09-13 2007-03-29 Seiko Epson Corp 弾性表面波デバイス及びその製造方法
KR100798599B1 (ko) * 2005-09-13 2008-01-28 세이코 엡슨 가부시키가이샤 탄성 표면파 디바이스 및 그 제조방법
JP4585419B2 (ja) * 2005-10-04 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
JP4680763B2 (ja) * 2005-12-16 2011-05-11 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 電子装置および半導体装置
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
WO2007147137A2 (en) 2006-06-15 2007-12-21 Sitime Corporation Stacked die package for mems resonator system
JP5083710B2 (ja) * 2006-09-19 2012-11-28 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP4778064B2 (ja) * 2006-09-30 2011-09-21 シチズンファインテックミヨタ株式会社 圧電デバイス
DE102006058010B9 (de) * 2006-12-08 2009-06-10 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit Hohlraumstruktur und Herstellungsverfahren
US8604605B2 (en) 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
US20100063782A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Sangpil Yoon Finite Element Method for Simulating Combined Effects of Temperature and Thermal Residual Stress on Surface Acoustic Waves
US20120326323A1 (en) * 2010-02-09 2012-12-27 Microsemi Corporation High voltage high package pressure semiconductor package
JP5626451B2 (ja) * 2011-03-22 2014-11-19 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP5565544B2 (ja) * 2012-08-01 2014-08-06 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品モジュール
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
US9666497B2 (en) * 2015-06-25 2017-05-30 Kyocera Crystal Device Corporation Crystal device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4270105A (en) * 1979-05-14 1981-05-26 Raytheon Company Stabilized surface wave device
JPS6297418A (ja) * 1985-10-23 1987-05-06 Clarion Co Ltd 弾性表面波装置のパツケ−ジ方法
US4862018A (en) * 1987-11-30 1989-08-29 Texas Instruments Incorporated Noise reduction for output drivers
JPH02305013A (ja) * 1989-05-18 1990-12-18 Nec Corp 弾性表面波素子の実装構造
JP2673993B2 (ja) * 1990-07-02 1997-11-05 日本無線株式会社 表面弾性波装置
JPH05335878A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Meidensha Corp 表面実装型弾性表面波素子
US5453652A (en) * 1992-12-17 1995-09-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device with interdigital transducers formed on a holding substrate thereof and a method of producing the same
DE4302171A1 (de) * 1993-01-22 1994-07-28 Be & We Beschaeftigungs Und We Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellenbauelementen
EP0622897B1 (en) * 1993-04-28 2001-03-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same
US5448126A (en) * 1993-10-05 1995-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave-semiconductor composite device
JPH07111438A (ja) * 1993-10-08 1995-04-25 Hitachi Ltd 弾性表面波装置、及びその製造方法
JP3328102B2 (ja) * 1995-05-08 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0742643A1 (en) 1996-11-13
US5821665A (en) 1998-10-13
DE69619297D1 (de) 2002-03-28
US5991989A (en) 1999-11-30
JPH08307197A (ja) 1996-11-22
DE69619297T2 (de) 2002-07-25
EP0742643B1 (en) 2002-02-20

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