JP2007081613A - 弾性表面波デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 弾性表面波デバイス10は、圧電基板20の主面に形成されたIDT電極50と、IDT電極50から引き出した取出し電極45,46と、圧電基板20の主面の外周に沿って形成された金属接合部40とを有する弾性表面波チップ15と、絶縁性材料からなり、取出し電極45、46と接続される接続電極73,74と、外部電極77,78と接続電極73,74と外部電極77,78とを接続する貫通電極75,76とを有するカバー基板30と、弾性表面波チップ15とカバー基板30とが接合されることによって形成される空間の内部に、IDT電極50と取出し電極45,46とが気密封止され、圧電基板20またはカバー基板30が変形しても、カバー基板30がIDT電極50に接触しない程度の高さを有する補助部70が圧電基板20の主面に形成されていることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、取出し電極は、カバー基板に設けられる貫通電極を介して外部電極に接続しているため、接合電極を横切ることがないため、空間の気密性を保持することができる。
ここで、補助部は、取出し電極または金属接合部のそれぞれ電気的に独立した同一材料の金属膜によって形成される。
図1〜図4は本発明の実施形態1に係る弾性表面波デバイスの構造及び製造方法を示し、図5は実施形態1の変形例1、図6は実施形態1の変形例2、図7は実施形態2を示している。
(実施形態1)
図1は、本実施形態に係る弾性表面波デバイス10を示し、(a)はその平面図、(b)は、(a)のA−A切断面を示す断面図である。図2は、弾性表面波チップ15の平面図、図3は、カバー基板30の平面図である。図1、図2、図3において、弾性表面波デバイス10は、IDT電極50(Interdigital Transducer)を有する弾性表面波チップ15と、その上面に積層し直接接合されるカバー基板30とから構成されている。
また、補助部70は、IDT電極50、反射器60,61のAl膜よりも厚くし、前述の空間の高さよりも薄く設定されている。
また、前述した従来技術のように、カバー基板30に窪み状の空隙を設ける必要がないことから、カバー基板30の構造的強度が高く、薄く形成することが可能となり、このことから小型、薄型の弾性表面波デバイスを提供することができる。
(実施形態1による弾性表面波デバイスの製造方法)
図4(a)〜(e)は、本実施形態による弾性表面波デバイス10の製造工程の1例を示す断面図である。まず、図2に表す圧電基板20を縦及び横方向に連続して配列した大判の水晶ウエハ21を準備する。図4(a)において、水晶ウエハ21の表面22に、所定の厚さのCr/Au膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて取出し電極45,46及び金属接合部40と、補助部70の第1層70Aを所望の形状に形成する。
まず、図3に表すカバー基板30を縦及び横方向に連続して配列した大判のガラス基板31を準備する。ガラス基板31には、カバー基板30の貫通孔34,35をサンドブラスト加工またはエッチングにより間接する。特にサンドブラスト加工では、貫通孔34,35を所望のテーパ状に容易に加工することができる。
上述したように形成されたカバー基板30(この状態ではガラス基板31)と、圧電基板20(水晶ウエハ21)とを接合する。
図4(e)を参照して説明する。接合された積層体は、洗浄した後、貫通孔34,35及び接続電極73,74の内周面にスパッタリング等でCr膜及びAu膜(または、Cr膜、Ni膜及びAu膜)を成膜することにより貫通電極75,76を形成する。貫通孔34,35はテーパ状に形成されているので、ガラス基板31の上面からスパッタリング等により容易に形成することができる。
なお、貫通電極75,76は薄膜であるため、中央には貫通孔36,37が形成される。
また、取出し電極45,46のそれぞれは、カバー基板30に設けられる貫通電極75,76を介して外部電極77,78に接続しているため、金属接合部40を横切ることがないため、空間内の気密性を保持することができる。
(実施形態1の変形例1)
図5は、実施形態1の変形例1に係る弾性表面波チップ15を示す平面図である。前述した実施形態(図1〜図3、参照)と共通部分には同じ符号を附している。また、断面関係は実施形態1と同じであるため図示を省略する。補助部は、IDT電極50及び反射器60,61の両側に沿って、リード電極45Aまたはリード電極46Aを跨いで形成される補助部71,72から構成されている。
このように形成しても、前述した実施形態1と同様な効果を奏することができる。
(実施形態1の変形例2)
取出し電極45,46は、IDT電極50及び反射器60,61の長手方向(表面波の進行方向)の両側に沿って、長手方向はIDT電極50及び反射器60,61の形成領域の範囲、幅方向は実施形態1(図1(a)、参照)に表される取出し電極45,46の範囲内に形成される。
(実施形態1の変形例3)
従って、このような変形例3では、前述した実施形態1及び変形例1と同様な効果を奏することができる。
(実施形態2)
図7は、実施形態2に係る弾性表面波チップ15を示し、(a)はその平面図、(b)は、図7(a)のB−B切断面を示す断面図である。図7(a)、(b)において、弾性表面波チップ15は、圧電基板20の表面22にIDT電極50、取出し電極45,46、金属接合部40とが、前述した実施形態1の製造方法で形成されている。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、且つ、説明しているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲に逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、材質、組み合わせ、その他の詳細な構成、及び製造工程間の加工方法において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
Claims (10)
- 圧電基板の主面に形成されたIDT電極と、前記IDT電極から引き出した取出し電極と、前記圧電基板の主面の外周に沿って形成された金属接合部とを有する弾性表面波チップと、
絶縁性材料からなり、一方の主面に設けられる前記取出し電極と接続する接続電極と、他方の主面に設けられる外部電極と、前記接続電極と前記外部電極とを接続する貫通電極とを有するカバー基板と、
前記弾性表面波チップと前記カバー基板とが前記金属接合部において接合されることによって形成される空間の内部に、前記IDT電極と前記取出し電極とが気密封止され、
前記空間の内部において、前記圧電基板または前記カバー基板が変形しても、前記カバー基板が前記IDT電極に接触しない程度の高さを有する補助部が前記圧電基板の主面に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 請求項1に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記補助部が、前記IDT電極の近傍の離間した位置に、前記IDT電極の長手方向に沿って形成された金属膜であることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 請求項1または請求項2に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記取出し電極が、前記IDT電極の長手方向に沿って概ね前記IDT電極の形成領域の範囲に設けられ、前記圧電基板と前記カバー基板とを接合した際に、前記空間の高さと同じ厚さで形成され、前記補助部を兼用していることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 請求項1に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記補助部が、前記IDT電極を構成するバスバーの表面に形成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 圧電基板の主面に設けたIDT電極と、前記IDT電極から引き出した取出し電極と、前記圧電基板の主面の外周に沿って形成された金属接合部と、補助部と、を有する弾性表面波チップを形成する工程と、
一方の主面に設けられる前記取出し電極と接続する接続電極と、他方の主面に設けられる外部電極と、前記接続電極と前記外部電極とを接続する貫通電極とを有するカバー基板を形成する工程と、
前記弾性表面波チップと前記カバー基板とを前記金属接合部において接合する工程と、前記貫通電極を気密封止する工程と、を含み、
前記補助部を前記圧電基板または前記カバー基板が変形しても、前記カバー基板が前記IDT電極に接触しない程度の高さに形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記補助部の形成工程が、前記取出し電極または前記金属接合部の形成工程において、前記IDT電極及び前記取出し電極とは離間した位置に、前記取出し電極と同じ材料で第1層を形成した後、前記補助部を所定の厚さに積層する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記取出し電極の形成工程において、前記取出し電極を、前記IDT電極の長手方向に沿って概ね前記IDT電極の形成領域の範囲に形成し、前記弾性表面波チップと前記カバー基板とを接合した際に、前記取出し電極を前記カバー基板の内面に一致する厚さに形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記補助部の形成工程が、前記IDT電極の形成工程において、前記IDT電極の近傍に、前記IDT電極と同じ工程で第1層を形成した後、さらに、前記補助部を所定の厚さに積層する工程を含むことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記補助部を、前記IDT電極の形成工程及び前記取出し電極の形成工程とは別の補助部形成工程で、所定の厚さに形成することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 請求項5に記載の弾性表面波デバイスの製造方法において、
前記補助部を、前記IDT電極の形成工程後に、前記IDT電極を構成するバスバーの表面に、前記IDT電極と同じ材料で所定の厚さに積層することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
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