CN112970195B - 振子和振子的制造方法 - Google Patents
振子和振子的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112970195B CN112970195B CN202080005895.1A CN202080005895A CN112970195B CN 112970195 B CN112970195 B CN 112970195B CN 202080005895 A CN202080005895 A CN 202080005895A CN 112970195 B CN112970195 B CN 112970195B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- base
- thickness
- sealing
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 292
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 195
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 105
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 47
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/022—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the cantilever type
Abstract
本发明涉及振子和振子的制造方法。振子的制造方法包括：在水晶片(11)的各主面形成激励电极、引出电极和第一密封框的工序；在基座部(30)和盖部(20)的各自的主面形成第二密封框的工序；以及通过将基座部和盖部分别与水晶振动元件(10)接合来密封水晶振动元件的工序，第一密封框具有为Ti层或Cr层的第一基底层(110)以及为Au层的第一表层(120)，第一基底层的厚度比第一表层薄，第二密封框具有为Ni层的第二基底层(210)以及为AuSn层的第二表层(220)，第二基底层的厚度比第二表层厚，密封的工序包括通过第一表层与第二表层的合金化来进行的基座部和盖部与水晶振动元件的接合。
Description
技术领域
本发明涉及振子和振子的制造方法。
背景技术
近年来，振子的小型化推进。另一方面，相对于振子的小型化的推进，振子的密封、即振动元件与收纳部的接合与以往相比变得困难。另外，由于振子的小型化而导致对制造的要求提高，存在振子的生产性降低的情况。因此，对于这样的小型化的振子，要求接合的稳定性和生产性的提高。
例如，在专利文献1中，公开了如下那样的压电振动设备：在水晶振动板的两主面形成有物理气相沉积的振动侧第一接合图案和振动侧第二接合图案，在第一密封部件形成有物理气相沉积的密封侧第一接合图案，在第二密封部件形成有物理气相沉积的密封侧第二接合图案，密封侧第一接合图案的Au层与振动侧第一接合图案的Au层扩散接合，密封侧第二接合图案的Au层与振动侧第二接合图案的Au层扩散接合，在第二密封部件形成有物理气相沉积的连接端子，该连接端子用于扩散接合到形成有与电路基板直接接合的外部电极端子的功能部。即，在专利文献1中，公开了夹层构造的压电振动设备所涉及的Au层与Au层的扩散接合。
另外，例如，在专利文献2中公开了一种玻璃盖的制造方法，该玻璃盖为了将用于收纳压电振动片的封装件气密性地密封，而在密封部具备密封用的金属膜，该玻璃盖的制造方法的特征在于，包括：成膜工序，在一张平板的玻璃薄板的至少一个面的整面形成密封用的金属膜；蚀刻工序，在密封用的金属膜上配置掩模并实施蚀刻；重合工序，在蚀刻工序后使玻璃薄板以多片重合状态贴合；以及切断工序，在重合状态下将玻璃薄板切断成单片。
专利文献1：日本特开2015-139053号公报
专利文献2：日本特开2006-157504号公报
然而，在专利文献1所公开的压电振动设备所涉及的Au层与Au层的扩散接合中，针对对置的接合面以及设置于这些面的接合图案的表面的平面度的要求提高。在由于水晶振动板的起伏、弯曲或者构成各接合图案的金属层的厚度的偏差等引起的接合图案的Au层的表面的平面度降低的情况下，有时Au层与Au层无法紧贴，无法得到稳定的接合。另外，在专利文献2所公开的玻璃盖的制造方法中，形成钎料的基板的侧壁的上表面的面积较小。因此，有时在这样的上表面形成钎料的形成工序变得复杂，生产性降低。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而完成的，本发明的目的在于提供能够实现生产性的提高并且能够得到基于稳定的接合的良好的密封性的振子和振子的制造方法。
在本发明的一个方面的振子的制造方法中，振子具备：具有振动片的振动元件、以及从厚度方向的两侧夹着振动元件来进行密封的基座部以及盖部，该振子的制造方法包括：在位于振动片的厚度方向的两侧的第一主面和第二主面分别形成激励电极、连接电极和第一密封层的工序；在基座部和盖部的各自的主面形成第二密封层的工序；以及通过将基座部的第二密封层与振动元件的第一主面的第一密封层接合，并将盖部的第二密封层与振动元件的第二主面的第一密封层接合，来密封振动元件的工序，第一密封层具有第一基底层和设置在第一基底层上的第一表层，第一基底层是Ti层或者Cr层，第一表层是Au层，第一基底层的厚度比第一表层的厚度薄，第二密封层具有第二基底层和设置在第二基底层上的第二表层，第二基底层是Ni层，第二表层是AuSn层，第二基底层的厚度比第二表层的厚度厚，密封的工序包括：通过使第一表层和第二表层合金化，来将基座部和盖部与振动元件接合。
根据本发明，能够提供能够实现生产性的提高并且能够得到基于稳定的接合的良好的密封性的振子和振子的制造方法。
附图说明
图1是本实施方式的水晶振子的分解立体图。
图2是图1的II-II线剖视图。
图3A是用于对本实施方式的水晶振动元件的表面侧的结构进行说明的图。
图3B是用于对本实施方式的水晶振动元件的背面侧的结构进行说明的图。
图4A是用于对本实施方式的基座部的表面侧的结构进行说明的图。
图4B是用于对本实施方式的基座部的背面侧的结构进行说明的图。
图5是用于对本实施方式的水晶振子的制造方法进行说明的流程图。
图6A是用于对图5的步骤S10的水晶振动元件的制造方法详细地进行说明的图。
图6B是用于对图5的步骤S11的水晶振动元件的制造方法详细地进行说明的图。
图6C是用于对图5的步骤S12的水晶振动元件的制造方法详细地进行说明的图。
图6D是用于对图5的步骤S13的水晶振动元件的制造方法详细地进行说明的图。
图7A是用于对图5的步骤S20和S30的盖部和基座部的制造方法详细地进行说明的图。
图7B是用于对图5的步骤S21和S31的盖部和基座部的制造方法详细地进行说明的图。
图7C是用于对图5的步骤S22和S32的盖部和基座部的制造方法详细地进行说明的图。
图8A是用于对图5的步骤S40的水晶振子的制造方法详细地进行说明的图。
图8B是用于对图5的步骤S40的水晶振子的制造方法详细地进行说明的图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中，相同或者类似的结构要素由相同或者类似的附图标记表示。附图是例示，各部分的尺寸、形状是示意性的，不应将本申请发明的技术范围限定于该实施方式来理解。
[实施方式]
＜水晶振子1＞
首先，参照图1至图4B，对本实施方式的水晶振子(Quartz Crystal ResonatorUnit)1进行说明。这里，图1是水晶振子1的分解立体图，图2是图1的II-II线剖视图。另外，图3A和图3B是用于对水晶振动元件10进行说明的图，图3A是用于对水晶振动元件10的表面侧的结构进行说明的图，图3B是用于对水晶振动元件10的背面侧的结构进行说明的图。图4A和图4B是用于对本实施方式的基座部30进行说明的图，图4A是用于对基座部30的表面侧的结构进行说明的图，图4B是用于对基座部30的背面侧的结构进行说明的图。此外，在图2中，省略一部分的电极的图示。
本实施方式的水晶振子1具备水晶振动元件(Quartz Crystal Resonator)10、盖部20以及基座部30。另外，水晶振子1具备成为接合材料的密封层40。这里，水晶振子1是振子的一例，水晶振动元件10是振动元件的一例。
该水晶振子1是具有通过在水晶振子1的厚度方向上，利用密封层40将水晶振动元件10和盖部20接合，利用密封层40将水晶振动元件10和基座部30接合而构成的夹层构造、即WLP(Wafer Level Package：晶圆级封装)密封构造的振子。换言之，水晶振动元件10被分别与位于该水晶振动元件10的厚度方向的两侧的主面接合的盖部20和基座部30夹着而密封。另外，在本实施方式中，在沿着水晶振子1的厚度方向俯视该水晶振子1时，水晶振动元件10、盖部20和基座部30呈具有相同的尺寸的矩形状，长边和短边的朝向相互一致。
＜水晶振动元件10＞
水晶振动元件10呈平板状。另外，水晶振动元件10具有水晶片11、以及分别设置于位于该水晶片11的厚度方向的两侧的主面的金属层100a和金属层100b。
这里，本实施方式的水晶片11是AT切割的水晶片，在将使作为水晶的结晶轴的X轴、Y轴、Z轴中的、Y轴和Z轴绕X轴从Y轴向Z轴的方向旋转106度15分±1分30秒而得的轴分别设为Y′轴和Z′轴的情况下，将与由X轴和Z′轴确定的面平行的面(以下，设为“XZ′面”。将由其他轴确定的面也同样。)作为主面而从人工水晶(Synthetic Quartz Crystal)切出而得的。采用AT切割的水晶片11的水晶振动元件10将厚度切变振动模式(Thickness ShearVibration Mode)设为主要振动。另外，在本实施方式的水晶片11中，厚度方向与Y′轴方向平行。若沿着该Y′轴方向俯视水晶片11，则水晶片11的XZ′面的形状呈矩形状，长边与X轴方向平行，短边与Z′轴方向平行。
此外，在以下的说明中，将AT切割的XY′Z′轴方向作为基准来对水晶振子1的各结构进行说明。另外，在没有特别的说明的情况下，“俯视”意味着沿着水晶振子1的各结构的厚度方向(Y′轴方向)俯视这些结构。在沿着二个以上的轴向俯视这些结构的情况下，为了区别方向，记载为“在XZ′面上”、“在XY′面上”、“在Y′Z′面上”。另外，“XY′面”意味着厚度方向的剖面。另外，将水晶振动元件10、盖部20和基座部30、在俯视这些各结构的情况下能够目视观察的形状设为水晶振动元件10、盖部20和基座部30、以及这些各结构的“俯视形状”。并且，有时将组装水晶振动元件10、盖部20和基座部30而构成水晶振子1的状态设为“组装状态”。
返回到水晶振动元件10的说明。水晶片11是振动片的一例，呈厚度均匀的平板状构造。另外，水晶片11具有：中央部11a、设置为在该中央部11a的周围包围中央部11a的周边部11b、以及将中央部11a和周边部11b连结的连结部11c。在俯视的情况下，中央部11a、周边部11b和连结部11c的外缘都呈矩形状。另外，中央部11a通过位于该中央部11a的周围的凹字形的切口，而与框状的周边部11b分离。
另外，水晶片11在厚度方向的两侧，具有作为相互对置的XZ′面的第一主面12a和第二主面12b。第一主面12a是水晶片11的表面，由位于Y′轴正方向侧的中央部11a的中央部主面111a、周边部11b的周边部主面112a和连结部11c的连结部主面113a构成。第二主面12b是水晶片11的背面，由位于Y′轴负方向侧的中央部11a的中央部主面111b、周边部11b的周边部主面112b和连结部11c的连结部主面113b构成。此外，以下，在不区别第一主面12a、第二主面12b的情况下，设为“主面12”。另外，其他的中央部主面111a、111b等也同样，在不区别的情况下，设为“中央部主面111”、“周边部主面112”和“连结部主面113”。
金属层100a是合金层，设置于水晶片11的第一主面12a。该金属层100a具有激励电极101a、第一密封框102a、引出电极103a以及连接电极104a。这些激励电极101a、第一密封框102a、引出电极103a和连接电极104a一体地形成。具体而言，激励电极101a设置于中央部主面111a，第一密封框102a设置于周边部主面112a，引出电极103a设置于连结部主面113a。另外，连接电极104a在周边部主面112a上，设置于比第一密封框102a靠周边部主面112a的外缘侧的角部。
金属层100b是具有与金属层100a相同的材质的合金层，设置于水晶片11的第二主面12b。该金属层100b具有激励电极101b、第一密封框102b、引出电极103b以及连接电极104b。另一方面，与金属层100a不同，在金属层100b中，激励电极101b、第一密封框102b和引出电极103b一体地形成，连接电极104b与激励电极101b、第一密封框102b和引出电极103b分离。具体而言，激励电极101b设置于中央部主面111b，第一密封框102b设置于周边部主面112b，引出电极103b设置于连结部主面113b。另外，连接电极104b在周边部主面112b上，设置于比第一密封框102b靠周边部主面112b的外缘侧的角部。
激励电极101a和激励电极101b具有相同的结构，俯视形状都是矩形状。另外，激励电极101a和激励电极101b夹着中央部11a而相互对置地设置于中央部主面111a和中央部主面111b，在俯视的情况下，配置为两者重合。这样，激励电极101a和激励电极101b构成一对激励电极，用于通过对中央部11a施加电压而在该中央部11a得到将厚度切变振动设为主振动模式的振动部分。
第一密封框102a和第一密封框102b是构成密封层40的第一密封层的一例，具有相同的结构，俯视形状都为框状。此外，该框状的内周面和外周面的俯视形状都为矩形状。另外，第一密封框102a和第一密封框102b夹着周边部11b而相互对置地设置于周边部主面112a和周边部主面112b，在俯视的情况下，配置为两者重合。这样，第一密封框102a和第一密封框102b构成在密封水晶振动元件10时，作为接合材料而使用的密封层40的一部分。另外，与此同时，第一密封框102b发挥作为与后述的基座部30的第二密封框202a电连接的连接电极的功能。
引出电极103a和引出电极103b是连接电极的一例，具有相同的结构。另外，引出电极103a和引出电极103b夹着连结部11c而相互对置地设置于连结部主面113a和连结部主面113b，但在俯视的情况下，引出电极103a和引出电极103b配置为不重合。由此，连结部11c能够减轻由引出电极103a和引出电极103b引起的振动、即在引出电极103a和引出电极103b配置为重合的情况下产生的振动。
连接电极104a和连接电极104b是连接电极的一例，具有不同的形状。另外，连接电极104a和连接电极104b由在水晶片11的厚度方向上，贯通连接电极104a、水晶片11和连接电极104b而设置的连接孔105连结。该连接孔105例如通过内壁被金属化，来实现连接电极104a和连接电极104b的导通。
这样，在本实施方式中，除了连接电极104a和连接电极104b之外，金属层100a与金属层100b具有相同的结构。因此，在以下的说明中，在不区别除去了连接电极104a的金属层100a和除去了连接电极104b的金属层100b的情况下，设为“第一金属层100”。另外，同样地，在不区别激励电极101a和激励电极101b等的情况下，统称为“激励电极101”、“第一密封框102”、“引出电极103”和“连接电极104”。并且，关于该第一金属层100的材质，后面详细地进行说明。
＜盖部20＞
盖部20呈平板状。另外，盖部20具有盖部水晶片21和设置于该盖部水晶片21的第二密封框202b。
盖部水晶片21是AT切割的水晶片，呈厚度均匀的平板状构造。另外，盖部水晶片21在厚度方向的两侧，具有作为相互对置的XZ′面的主面22a和主面22b。在组装状态下，盖部水晶片21的外周面的XZ′面的俯视形状与水晶振动元件10的水晶片11相同。即，在XZ′面上，盖部水晶片21与水晶片11形成为重合。
第二密封框202b是第二密封层的一例，设置于主面22b。该第二密封框202b在组装状态下与水晶振动元件10的第一密封框102a接合，与该第一密封框102a一同构成位于盖部20和水晶振动元件10之间的密封层40。另外，在组装状态下，第二密封框202b的俯视形状与水晶振动元件10的第一密封框102相同。即，在XZ′面上，第二密封框202b与水晶振动元件10的第一密封框102形成为重合。另一方面，在XY′面上，第二密封框202b的厚度也可以与第一密封框102的厚度不同。关于该不同点，在后面的该第二密封框202b的详细的说明中，详细地进行说明。
＜基座部30＞
基座部30呈平板状。另外，基座部30具有基座部水晶片31、在位于该基座部水晶片31的厚度方向的两侧的主面设置的金属层200a以及金属层200b。
基座部水晶片31是AT切割的水晶片，呈厚度均匀的平板状构造。另外，基座部水晶片31在厚度方向的两侧，具有作为相互对置的XZ′面的主面32a和主面32b。在组装状态下，基座部水晶片31的外周面的XZ′面的俯视形状与水晶振动元件10的水晶片11相同。即，在XZ′面上，基座部水晶片31与水晶片11形成为重合。
金属层200a是合金层，设置于主面32a。该金属层200a具有第二密封框202a和连接电极204。另外，第二密封框202a和连接电极204设置为相互分离。第二密封框202a在基座部30的主面32a上位于周边，连接电极204设置于比第二密封框202a靠主面32a的外缘侧的角部。
第二密封框202a是第二密封层的一例，在组装状态下与水晶振动元件10的第一密封框102b接合，与该第一密封框102b一同构成密封层40。另外，在第二密封框202a的X轴负方向且Z′轴负方向的角部形成有在基座部水晶片31的厚度方向上贯通该第二密封框202a和基座部水晶片31的连接孔207。这里，除了连接孔207之外，第二密封框202a与盖部20的第二密封框202b具有完全相同的结构，因此省略第二密封框202a的配置位置等的说明。另外，连接孔207例如通过内壁被金属化，来将第二密封框202a和后述的设置于主面32b的外部电极106b连结，实现两者的导通。这样，第二密封框202a发挥作为与外部电极106b连接的连接电极的功能。
在以下的说明中，在不区别基座部30的第二密封框202a和盖部20的第二密封框202b的情况下，设为“第二密封框202”。关于该第二密封框202的材质，结合第一密封框102的材质的说明，后面详细地进行说明。
连接电极204在组装状态下，设置于与连接电极104b对置的位置，以能够与水晶振动元件10的该连接电极104b连接。另外，在连接电极204形成有在基座部水晶片31的厚度方向上贯通该连接电极204、基座部水晶片31的连接孔205。该连接孔205例如通过内壁被金属化，来将连接电极204和后述的外部电极106a连结，实现两者的导通。另外，在本实施方式中，连接孔205与水晶振动元件10的连接孔105在XZ′面上形成为重合。
金属层200b例如是通过将Ni层和Au层层叠而构成的合金层。该金属层200b设置于主面32b，具有用于与未图示的安装基板电连接的端子即外部电极106a、106b、106c、106d。这些外部电极106a、106b、106c、106d设置于主面32b的四个角部。另外，外部电极106a、106b是供给水晶振动元件10的输入输出信号的输入输出电极，外部电极106c、106d是不向水晶振动元件10和未图示的安装基板上的其他电子元件供给输入输出信号的电极。
外部电极106a经由连接孔205、连接电极204、连接电极104b和连接孔105而与连接电极104a电连接。另外，激励电极101a经由引出电极103a和第一密封框102a而与连接电极104a一体形成并电连接。因此，外部电极106a与激励电极101a电连接，向激励电极101a供给输入输出信号。
外部电极106b经由连接孔207和第二密封框202a而与第一密封框102b电连接。另外，激励电极101b经由引出电极103b而与第一密封框102b一体地形成并电连接。因此，外部电极106b与激励电极101b电连接，向激励电极101b供给输入输出信号。
在本实施方式中，盖部20的第二密封框202b与水晶振动元件10的第一密封框102a通过加热而接合，由此盖部20与水晶振动元件10接合。另外，基座部30的第二密封框202a与水晶振动元件10的第一密封框102b通过加热而接合，由此基座部30与水晶振动元件10接合。这样，通过水晶振动元件10被盖部20和基座部30密封，从而构成水晶振子1。
另外，在水晶振子1中，经由基座部30的外部电极106a、106b对水晶振动元件10的一对激励电极101a、101b之间施加交变电场，由此水晶片11的中央部11a通过厚度切变振动模式等规定的振动模式而振动，得到伴随着该振动的共振特性。
＜第一金属层100、第二密封框202和密封层40的详细内容＞
接下来，参照图1和图2，并且对本实施方式的第一金属层100、第二密封框202和密封层40的详细内容进行说明。以下，在对通过接合而合金化之前的第一金属层100和第二密封框202各自的材质等进行了说明之后，对通过接合而合金化后的密封层40进行说明。
第一金属层100例如是通过将两种金属层层叠而构成的合金层。该合金层和构成该金属层的各金属层的厚度均匀。本实施方式的第一金属层100在远离水晶片11的各主面12的方向上，具有设置在水晶片11的各主面12上的第一基底层110、以及设置在各第一基底层110上的第一表层120。
第一基底层110是在水晶片11的各主面12上，通过溅射方法进行物理气相沉积而形成的PVD膜。另外，在本实施方式中，第一基底层110例如是Ti层或者Cr层。该第一基底层110的厚度为1nm～20nm。另外，优选第一基底层110的厚度为1nm～10nm。
第一表层120是在形成于水晶片11的各主面12的各第一基底层110上，通过溅射方法进行物理气相沉积而层叠的PVD膜。另外，在本实施方式中，第一表层120例如是Au层。该第一表层120的厚度形成得比第一基底层110厚，为50nm～500nm。另外，优选第一表层120的厚度为100nm～200nm。
另外，如上所述，第一金属层100具有激励电极101、第一密封框102和引出电极103。因此，与上述的第一金属层100的材质结构同样，激励电极101、第一密封框102和引出电极103由激励电极101、第一密封框102和引出电极103各自的第一基底层110的部分和第一表层120的部分构成。另外，连接电极104a和连接电极104b也具有与第一金属层100相同的材质，另外，各材质的厚度也与第一金属层100相同。此外，在以下的说明中，将第一密封框102的第一基底层110的部分和第一表层120的部分简称为“第一密封框102的第一基底层110”和“第一密封框102的第一表层120”。
第二密封框202例如是通过将两种金属层层叠而构成的合金层，具有与第一金属层100不同的材质。该第二密封框202合金层和构成该金属层的各金属层的厚度均匀。在本实施方式中，第二密封框202在与盖部20的主面22b和基座部30的主面32a分别远离的方向上，具有在盖部20的主面22b和基座部30的主面32a各自上设置的第二基底层210、以及设置于各第二基底层210上的第二表层220。
第二基底层210是在盖部20的主面22b和基座部30的主面32a各自上，通过无电解电镀或者电解电镀方法而形成的金属膜。在本实施方式中，第二基底层210例如是Ni层。另外，第二基底层210具有在厚度方向上调整盖部20和水晶振动元件10的间隔、以及基座部30和水晶振动元件10的间隔的功能。换言之，第二基底层210具有在组装状态下，在水晶振动元件10振动时，使水晶振动元件10的中央部11a不与基座部30和盖部20干扰那样的厚度。
在本实施方式中，第二基底层210的厚度形成得比第一表层120厚，为500nm～5000nm。另外，优选第二基底层210的厚度为1000nm～3000nm。并且，从与第一表层120的厚度的关系来看，第二基底层210的厚度为第一表层120的约5倍以上。另外，优选该第二基底层210的厚度为第一表层120的约10倍以上。即，优选第二基底层210的厚度在500nm～5000nm的范围内，并且为第一表层120的约5倍以上。另外，更优选第二基底层210的厚度在1000nm～3000nm的范围内，并且为第一表层120的约10倍以上。
第二表层220是在分别形成于盖部20的主面22b和基座部30的主面32a的第二基底层210上通过加热或者蒸镀金属膏而得的金属膜。在本实施方式中，第二表层220例如是AuSn层。该第二表层220是用于与第一表层120接合的钎料的一例。另外，该第二表层220的厚度比第二基底层210薄。
密封层40是在组装状态下设置在盖部20和基座部30各自与水晶振动元件10之间，用于将盖部20和基座部30分别与水晶振动元件10接合的密封层的一例。在本实施方式中，密封层40是通过第一密封框102与第二密封框202接合而构成的。更详细地进行说明，密封层40是通过在组装时，第二密封框202的为AuSn层的第二表层220的一部分被加热而熔融，而与第一密封框102的为Au层的第一表层120合金化而构成的。即，密封层40从水晶振动元件10的各主面12朝向盖部20或者基座部30，具有第一基底层110、第一表层120、由第一表层120和第二表层220的一部分构成的合金层150、第二表层220以及第二基底层210。另外，合金层150为Au+AuSn的材质。
＜水晶振子1的制造方法＞
接着，参照图1、图5至图8B，并且对本实施方式的水晶振子1的制造方法的一例详细地进行说明。这里，图5是用于对本实施方式的水晶振子1的制造方法进行说明的流程图。图6A至图6D是用于对水晶振动元件10的制造方法详细地进行说明的图，图6A是对图5的步骤S10的详细内容进行说明的图，图6B是对图5的步骤S11的详细内容进行说明的图，图6C是对图5的步骤S12的详细内容进行说明的图，图6D是对图5的步骤S13的详细内容进行说明的图。另外，图7A至图7C是用于对盖部20和基座部30的制造方法详细地进行说明的图，图7A是对图5的步骤S20和S30的详细内容进行说明的图，图7B是对图5的步骤S21和S31的详细内容进行说明的图，图7C是对图5的步骤S22和S32的详细内容进行说明的图。另外，图8A和图8B是用于对图5的步骤S40的水晶振子1的制造方法详细地进行说明的图。
此外，以下，为了方便说明，在按照水晶振动元件10、盖部20和基座部30的顺序，说明了水晶振动元件10、盖部20和基座部30的制造工序之后，对水晶振子1的制造工序进行说明。然而，这并没有限定水晶振动元件10、盖部20、基座部30和水晶振子1的制造工序的前后，也可以是与上述工序的顺序不同的顺序。
(水晶振动元件10的制造)
首先，准备水晶片11(S10)。
具体而言，对水晶晶片进行湿式蚀刻或者干式蚀刻，而形成图6A所示的平板状的水晶片11。
接下来，对水晶片11实施蚀刻处理(S11)。
具体而言，如图6B所示，对在步骤S10中准备的平板状的水晶片11，经由湿式蚀刻或者干式蚀刻处理，而在水晶片11形成贯通该水晶片11的凹字形的切口(参照图1)。通过该凹字形的切口，水晶片11形成为具有中央部11a、在该中央部11a的周围设置为包围中央部11a的周边部11b、以及将中央部11a和周边部11b连结的连结部11c。
接着，在水晶片11的各主面12形成第一基底层110(S12)。
在本实施方式中，第一基底层110是构成激励电极101、第一密封框102、引出电极103和连接电极104(参照图1)的合金层的基底层。具体而言，如图6C所示，在步骤S11中形成的水晶片11的中央部11a的各中央部主面111、周边部11b的各周边部主面112、以及连结部11c的连结部主面113，通过溅射方法形成Ti层或者Cr层的第一基底层110。
另外，该第一基底层110的厚度形成为1nm～20nm。并且，优选第一基底层110的厚度形成为1nm～10nm。
然后，在形成于水晶片11的各主面12的各第一基底层110上形成第一表层120(S13)。
在本实施方式中，第一表层120是构成激励电极101、第一密封框102、引出电极103和连接电极104的合金层的表层。具体而言，如图6D所示，在步骤S12中形成的形成于水晶片11的中央部11a的各中央部主面111、周边部11b的各周边部主面112以及连结部11c的连结部主面113的各第一基底层110上，通过溅射方法形成Au层的第一表层120。
另外，该第一表层120的厚度形成为50nm～500nm。并且，优选第一表层120的厚度形成为100nm～200nm。
这样，通过第一基底层110和第一表层120的形成，在水晶片11上完成激励电极101、第一密封框102、引出电极103和连接电极104的形成，完成水晶振动元件10的制造。
(盖部20的制造)
首先，准备盖部水晶片21(S20)。
具体而言，对水晶晶片进行湿式蚀刻或者干式蚀刻，而形成图7A所示的平板状的盖部水晶片21。
接着，在盖部水晶片21的主面22b形成第二基底层210(S21)。
在本实施方式中，第二基底层210是构成第二密封框202的合金层的基底层。具体而言，如图7B所示，在步骤S20中准备的盖部水晶片21的主面22b，通过无电解电镀或者电解电镀方法形成Ni层的第二基底层210。
该第二基底层210的厚度形成为500nm～5000nm。另外，优选第二基底层210的厚度形成为1000nm～3000nm。从与第一表层120的厚度的关系来看，第二基底层210的厚度形成为第一表层120的约5倍以上。另外，优选该第二基底层210的厚度形成为第一表层120的约10倍以上。即，优选第二基底层210的厚度形成为在500nm～5000nm的范围内并且为第一表层120的约5倍以上。另外，更优选第二基底层210的厚度形成为在1000nm～3000nm的范围内并且为第一表层120的约10倍以上。
然后，在形成于盖部水晶片21的主面22b的第二基底层210上形成第二表层220(S22)。
在本实施方式中，第二表层220是构成第二密封框202的合金层的表层。具体而言，如图7C所示，在步骤S21中形成的形成于盖部水晶片21的主面22b的第二基底层210上，通过加热或者蒸镀金属膏而形成AuSn层的第二表层220。另外，该第二表层220的厚度形成为比第二基底层210薄。
这样，通过第二基底层210和第二表层220的形成，而在盖部水晶片21上完成第二密封框202的形成，完成盖部20的制造。
(基座部30的制造)
首先，准备基座部水晶片31(S30)。
具体而言，对水晶晶片进行湿式蚀刻或者干式蚀刻，而形成图7A所示的平板状的基座部水晶片31。
接着，在基座部水晶片31的主面32a形成第二基底层210(S31)。
在本实施方式中，第二基底层210是构成第二密封框202和连接电极204的合金层的基底层。另外，该基座部30的第二基底层210的形成方法、材质和材质的厚度与上述盖部20的第二基底层210相同，因此，这里省略详细的说明。
然后，在形成于基座部水晶片31的主面32a的第二基底层210上形成第二表层220(S32)。
在本实施方式中，第二表层220是构成第二密封框202和连接电极204的合金层的表层。另外，该基座部30的第二表层220的形成方法、材质和材质的厚度与上述盖部20的第二表层220相同，因此，这里省略详细的说明。
这样，通过第二基底层210和第二表层220的形成，而在基座部水晶片31上完成第二密封框202和连接电极204的形成，完成基座部30的制造。
(水晶振子1的制造)
然后，通过将盖部20和基座部30与水晶振动元件10接合，而将水晶振动元件10密封(S40)。
具体而言，如图8A和图8B所示，通过对盖部20和基座部30各自的第二密封框202的第二表层220进行加热熔融，从而在水晶振动元件10的各主面12的第一密封框102的第一表层120上润湿扩展。由此，通过盖部20的第二密封框202的第二表层220与水晶振动元件10的第一主面12a的第一密封框102的第一表层120接合，并且基座部30的第二密封框202的第二表层220与水晶振动元件10的第二主面12b的第一密封框102的第一表层120接合，而密封水晶振动元件10。即，盖部20与水晶振动元件10、以及基座部30与水晶振动元件10分别通过密封层40而接合，该密封层40是通过使第二密封框202和第一密封框102合金化而形成的。
这样，水晶振动元件10、盖部20和基座部30这三者接合，并且水晶振动元件10被盖部20和基座部30夹着而密封，完成水晶振子1的制造。
这样，在本实施方式中，通过采用具有上述的厚度的特征的第一密封框102和第二密封框202，能够实现盖部20和基座部30各自与水晶振动元件10的接合的稳定性的提高，得到具有良好的密封性的水晶振子1。具体而言，盖部20和基座部30各自与水晶振动元件10的接合是通过对盖部20和基座部30各自的第二密封框202的AuSn层与位于水晶振动元件10的各主面12的第一密封框102的Au层进行加热而进行的熔融接合、即AuSn层与Au层的合金接合。这样的AuSn层与Au层的合金接合相比于现有的Au层与Au层的扩散接合，能够消除由于盖部和基座部各自的主面或者密封框的平面度的不良导致的扩散接合的不稳定的问题，能够得到更稳定的接合。另外，与此同时，能够缓和盖部和基座部的主面平面度的精度要求，简单地进行加工。因此，能够实现基于制造成本的减少的生产性的提高。
另外，在本实施方式中，第二密封框202的为Ni层的第二基底层210形成得比第一密封框102的为Au层的第一表层120厚，由此能够通过为Ni层的第二基底层210来调整盖部20和水晶振动元件10的间隔、以及基座部30和水晶振动元件10的间隔。由此，能够抑制在水晶振动元件10的中央部11a振动时，该中央部11a与盖部20和基座部30的干扰所引起的对振动特性的影响。另外，能够减少贵金属的Au的使用量。由此，能够实现水晶振子1的振动特性的提高，并且实现基于材料原价的减少的生产性的提高以及贵金属的Au的制造中的环境负荷的减少。
另外，在本实施方式中，通过将第一密封框102的Au层形成得比第一密封框102的Ti层或者Cr层厚，能够确保与AuSn层接合所需要的Au层的厚度，能够提高接合的强度、接合的可靠性。因此，能够可靠地并且稳定地进行AuSn层与Au层的合金接合，能够得到良好的密封性。
并且，在本实施方式中，由于盖部20和基座部30都为平板状，因此与箱状的盖部、基座部相比，不需要在壁部分的上表面这样的较细的部分形成第二密封框202，能够简化第二密封框202的形成工序。由此，能够实现生产性的提高。
以上，对本发明的例示的实施方式进行了说明。
在本发明的一个实施方式的水晶振子1的制造方法中，水晶振子1具备：具有水晶片11的水晶振动元件10、从厚度方向的两侧夹着水晶振动元件10来进行密封的基座部30和盖部20，该水晶振子1的制造方法包括：在位于水晶片11的厚度方向的两侧的各主面12形成激励电极101、引出电极103、连接电极104和第一密封框102的工序；在基座部30的主面32a和盖部20的主面22b分别形成第二密封框202的工序；以及通过将基座部30的第二密封框202与水晶振动元件10的第二主面12b的第一密封框102接合，并将盖部20的第二密封框202与水晶振动元件10的第一主面12a的第一密封框102接合，来密封水晶振动元件10的工序，第一密封框102具有第一基底层110和设置在第一基底层110上的第一表层120，第一基底层110是Ti层或者Cr层，第一表层120是Au层，第一基底层110的厚度比第一表层120的厚度薄，第二密封框202具有第二基底层210和设置在第二基底层210上的第二表层220，第二基底层210是Ni层，第二表层220是AuSn层，第二基底层210的厚度比第二表层220的厚度厚，密封的工序包括：通过使第一表层120和第二表层220合金化，来将基座部30和盖部20与水晶振动元件10接合。
根据上述方法，能够实现生产性的提高，并且得到基于稳定的接合的良好的密封性。
另外，在上述方法中，基座部30和盖部20中的至少一方为平板状。
根据上述方法，与箱状的基座部和盖部相比，密封层的形成变得简单，能够实现振子的生产性的提高。
另外，在上述方法中，第二基底层210具有在水晶振动元件10振动时，使水晶振动元件10的中央部11a不与基座部30和盖部20干扰那样的厚度。
根据上述方法，能够得到良好的振动特性。
另外，在上述方法中，第二基底层210的厚度比第一表层120的厚度厚。
根据上述方法，能够实现良好的振动特性，并且实现基于材料原价的减少的生产性的提高。
另外，在上述方法中，第一基底层110的厚度为1nm～20nm，第一表层120的厚度为50nm～500nm，第二基底层210的厚度为500nm～5000nm。
根据上述方法，能够得到基于稳定的接合的良好的密封性。
另外，在上述方法中，第二基底层210的厚度为第一表层120的厚度的5倍以上。
根据上述方法，能够得到基于稳定的接合的良好的密封性，并且能够实现基于材料原价的减少的生产性的提高。
另外，在上述方法中，水晶振动元件10为平板状，在俯视水晶振动元件10时，第一密封框102和第二密封框202的形状为相互对应的框状。
根据上述方法，能够得到基于稳定的接合的良好的密封性。
另外，在上述方法中，水晶振动元件10、基座部30和盖部20的材料为水晶。
根据上述方法，能够实现水晶振子的生产性的提高，并且得到基于稳定的接合的良好的密封性。
在本发明的一个实施方式的水晶振子1中，具备：水晶振动元件10，其具有水晶片11、以及设置在位于水晶片11的厚度方向的两侧的各主面12的激励电极101、引出电极103和连接电极104；以及从厚度方向的两侧夹着水晶振动元件10并进行密封的基座部30和盖部20，在基座部30与水晶振动元件10之间和盖部20与水晶振动元件10之间设置有用于将基座部30和盖部20分别与水晶振动元件10接合的密封层40，密封层40从水晶振动元件10朝向基座部30或者盖部20，具有为Ti层或者Cr层的第一基底层110、为Au层的第一表层120、为AuSn层的第二表层220、以及为Ni层的第二基底层210，在第一表层120与第二表层220之间具有第一表层120的一部分与第二表层220合金化而得到的合金层150，第一基底层110的厚度比第一表层120的厚度薄，第二基底层210的厚度比第二表层220的厚度厚。
根据上述结构，能够实现生产性的提高，并且得到基于稳定的接合的良好的密封性。
另外，在上述结构中，基座部30和盖部20中的至少一方为平板状。
根据上述结构，与箱状的基座部和盖部相比，密封层的形成变得简单，能够实现振子的生产性的提高。
另外，在上述结构中，第一基底层110的厚度为1nm～20nm，第一表层120的厚度为50nm～500nm，第二基底层210的厚度为500nm～5000nm，并且为第一表层120的厚度的5倍以上。
根据上述结构，能够得到基于稳定的接合的良好的密封性，并且能够实现基于材料原价的减少的生产性的提高。
另外，在上述结构中，水晶振动元件10为平板状，水晶振动元件10、基座部30和盖部20的材料为水晶。
根据上述结构，能够实现水晶振子的生产性的提高，并且得到基于稳定的接合的良好的密封性。
[变形例]
本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形来应用。以下，对本发明的变形例进行说明。
在上述实施方式中，水晶振子1的制造方法是通过将水晶振动元件10、盖部20和基座部30接合而制造每个水晶振子1的制造方法，来进行了说明，但不限于上述制造方法。例如，也可以是如下的制造方法，在将能够构成多个水晶振动元件10、盖部20和基座部30的水晶振动元件10′、盖部20′和基座部30′接合并构成晶片之后，切分该晶片，由此形成多个水晶振子1。
在上述实施方式中，设为设置于盖部20的第二密封框202b与设置于基座部30的第二密封框202a具有相同的结构，来进行了说明，但不限于上述结构，第二密封框202b与第二密封框202a也可以具有不同的结构。例如，也可以：第二密封框202b与第二密封框202a具有相同的材质、即为Ni层的第二基底层210和为AuSn层的第二表层220，但第二密封框202b的第二基底层210的厚度和第二表层220的厚度与第二密封框202a的第二基底层210的厚度和第二表层220的厚度不同。另外，也可以第二密封框202b与第二密封框202a具有不同的材质。另外，也可以第二密封框202b和第二密封框202a由三种以上的金属层构成。但是，为了得到良好的接合性，优选第二密封框202a和第二密封框202b各自的第二表层220为AuSn层。
在上述实施方式中，设为第一密封框102和第二密封框202的俯视形状为内周面和外周面都为矩形状的框，来进行了说明，但不限于上述结构。也可以第一密封框102和第二密封框202是能够配置于周边部11b的任意的形状，例如俯视形状为椭圆形等。另外，设为第一密封框102和第二密封框202的俯视形状相同，来进行了说明，但两者的俯视形状也可以不同。但是，为了得到良好的接合性，优选设置于盖部20的第二密封框202b和水晶振动元件10的第一密封框102a具有相同的俯视形状，设置于基座部30的第二密封框202a和水晶振动元件10的第一密封框102b具有相同的俯视形状。
在上述实施方式中，设为作为振动片的一例的水晶片11是长边与X轴平行、短边与Z′轴平行的AT切割水晶片，来进行了说明，但不限于上述结构，例如也可以应用长边与Z′轴平行、短边与X轴平行的AT切割水晶片。或者，只要主要振动为厚度切变振动模式，则也可以例如是BT切割等的AT切割以外的不同切割的水晶片。但是，最优选能够在较宽的温度范围内得到极高的频率稳定性的AT切割水晶片。另外，振动片也可以不采用水晶片11，而采用其他的以厚度切变振动为主振动的材料。
在上述实施方式中，设为盖部20和基座部30的材质为水晶，来进行了说明，但不限于上述材质，例如也可以是陶瓷等各种单层结构的材料。另外，盖部20和基座部30也可以是由绝缘材料、或者导电材料和绝缘材料构成的多层构造的材料。
在上述实施方式中，设为盖部20和基座部30为平板状，来进行了说明，但也可以是平板状以外的形状。但是，为了简化第二密封框202的形成工序，优选将盖部20和基座部30各自的设置第二密封框202的主面设为平面，将盖部20和基座部30各自的设置第二密封框202的部分的面积形成得足够大。
此外，以上说明的各实施方式是用于使本发明的理解变得容易的方式，并不用于限定解释本发明。本发明能够在不脱离其主旨的情况下进行变更/改进，并且在本发明中还包含其等价物。即，关于本领域技术人员对各实施方式进行了适当的设计变更的结构，只要具备本发明的特征，则也包含在本发明的范围中。例如，各实施方式所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限于例示的内容，能够适当地变更。另外，各实施方式是例示，当然能够进行不同的实施方式所示的结构的部分的置换或者组合，只要这些也包含本发明的特征，则也包含在本发明的范围中。
附图标记说明：1…水晶振子；10…水晶振动元件；11…水晶片；11a…中央部；11b…周边部；11c…连结部；12…主面；12a…第一主面；12b…第二主面；20…盖部；21…盖部水晶片；30…基座部；31…基座部水晶片；40…密封层；100…第一金属层；101、101a、101b…激励电极；102、102a、102b…第一密封框；103、103a、103b…引出电极；104、104a、104b…连接电极；110…第一基底层；120…第一表层；150…合金层；202、202a、202b…第二密封框；210…第二基底层；220…第二表层。
Claims (19)
1.一种振子的制造方法，所述振子具备振动元件、基座部以及盖部，所述振动元件具有振动片，所述基座部和所述盖部从厚度方向的两侧夹着所述振动元件来进行密封，所述振子的制造方法包括：
在位于所述振动片的厚度方向的两侧的第一主面和第二主面分别形成激励电极、连接电极和第一密封层的工序；
在所述基座部和所述盖部的各自的主面形成第二密封层的工序；以及
通过将所述基座部的所述第二密封层与所述振动元件的所述第一主面的所述第一密封层接合，并将所述盖部的所述第二密封层与所述振动元件的所述第二主面的所述第一密封层接合，来密封所述振动元件的工序，
所述第一密封层具有第一基底层和设置在所述第一基底层上的第一表层，所述第一基底层是Ti层或者Cr层，所述第一表层是Au层，所述第一基底层的厚度比所述第一表层的厚度薄，
所述第二密封层具有第二基底层和设置在所述第二基底层上的第二表层，所述第二基底层是Ni层，所述第二表层是AuSn层，所述第二基底层的厚度比所述第二表层的厚度厚，
所述密封的工序包括：通过使所述第一表层和所述第二表层合金化，来将所述基座部和所述盖部与所述振动元件接合。
2.根据权利要求1所述的振子的制造方法，其中，
所述基座部和所述盖部中的至少一方为平板状。
3.根据权利要求1所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层具有如下那样的厚度：在所述振动元件振动时，所述振动元件的振动部分不与所述基座部和所述盖部干扰。
4.根据权利要求2所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层具有如下那样的厚度：在所述振动元件振动时，所述振动元件的振动部分不与所述基座部和所述盖部干扰。
5.根据权利要求1所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层的厚度比所述第一表层的厚度厚。
6.根据权利要求2所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层的厚度比所述第一表层的厚度厚。
7.根据权利要求3所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层的厚度比所述第一表层的厚度厚。
8.根据权利要求4所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层的厚度比所述第一表层的厚度厚。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的振子的制造方法，其中，
所述第一基底层的厚度为1nm～20nm，
所述第一表层的厚度为50nm～500nm，
所述第二基底层的厚度为500nm～5000nm。
10.根据权利要求9所述的振子的制造方法，其中，
所述第二基底层的厚度为所述第一表层的厚度的5倍以上。
11.根据权利要求1至8、10中的任一项所述的振子的制造方法，其中，
所述振动元件为平板状，
在俯视所述振动元件时，所述第一密封层和所述第二密封层的形状为相互对应的框状。
12.根据权利要求9所述的振子的制造方法，其中，
所述振动元件为平板状，
在俯视所述振动元件时，所述第一密封层和所述第二密封层的形状为相互对应的框状。
13.根据权利要求1至8、10、12中的任一项所述的振子的制造方法，其中，
所述振动元件、所述基座部和所述盖部的材料为水晶。
14.根据权利要求9所述的振子的制造方法，其中，
所述振动元件、所述基座部和所述盖部的材料为水晶。
15.根据权利要求11所述的振子的制造方法，其中，
所述振动元件、所述基座部和所述盖部的材料为水晶。
16.一种振子，具备：
振动元件，具有振动片、以及分别设置在位于所述振动片的厚度方向的两侧的第一主面和第二主面的激励电极和连接电极；以及
基座部和盖部，从厚度方向的两侧夹着所述振动元件来进行密封，
在所述基座部与所述振动元件之间和在所述盖部与所述振动元件之间设置有用于将所述基座部和所述盖部分别与所述振动元件接合的密封层，
所述密封层从所述振动元件朝向所述基座部或者所述盖部具有第一基底层、第一表层、第二表层以及第二基底层，所述第一基底层是Ti层或者Cr层，所述第一表层是Au层，所述第二表层是AuSn层，所述第二基底层是Ni层，
在所述第一表层与所述第二表层之间具有所述第一表层的一部分与所述第二表层合金化而成的合金层，
所述第一基底层的厚度比所述第一表层的厚度薄，所述第二基底层的厚度比所述第二表层的厚度厚。
17.根据权利要求16所述的振子，其中，
所述基座部和所述盖部中的至少一方为平板状。
18.根据权利要求17所述的振子，其中，
所述第一基底层的厚度为1nm～20nm，
所述第一表层的厚度为50nm～500nm，
所述第二基底层的厚度为500nm～5000nm，并且所述第二基底层的厚度为所述第一表层的厚度的5倍以上。
19.根据权利要求16至18中的任一项所述的振子，其中，
所述振动元件为平板状，
所述振动元件、所述基座部和所述盖部的材料为水晶。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-067622 | 2019-03-29 | ||
| JP2019067622 | 2019-03-29 | ||
| PCT/JP2020/009694 WO2020203044A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-03-06 | 振動子及び振動子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112970195A CN112970195A (zh) | 2021-06-15 |
| CN112970195B true CN112970195B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=72668350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202080005895.1A Active CN112970195B (zh) | 2019-03-29 | 2020-03-06 | 振子和振子的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210367579A1 (zh) |
| JP (1) | JP6944665B2 (zh) |
| CN (1) | CN112970195B (zh) |
| WO (1) | WO2020203044A1 (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004129223A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| CN103888097A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 精工爱普生株式会社 | 振动片、振子、振荡器、电子设备以及移动体 |
| WO2019054349A1 (ja) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4766831B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-09-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP2006074567A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス |
| JP4513513B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-07-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
| JP2006173557A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-29 | Toshiba Corp | 中空型半導体装置とその製造方法 |
| JP5119866B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-01-16 | セイコーエプソン株式会社 | 水晶デバイス及びその封止方法 |
| US9450556B2 (en) * | 2009-10-16 | 2016-09-20 | Avx Corporation | Thin film surface mount components |
-
2020
- 2020-03-06 JP JP2021511299A patent/JP6944665B2/ja active Active
- 2020-03-06 CN CN202080005895.1A patent/CN112970195B/zh active Active
- 2020-03-06 WO PCT/JP2020/009694 patent/WO2020203044A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-08-09 US US17/397,650 patent/US20210367579A1/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004129223A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品およびその製造方法 |
| CN103888097A (zh) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | 精工爱普生株式会社 | 振动片、振子、振荡器、电子设备以及移动体 |
| WO2019054349A1 (ja) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210367579A1 (en) | 2021-11-25 |
| WO2020203044A1 (ja) | 2020-10-08 |
| CN112970195A (zh) | 2021-06-15 |
| JP6944665B2 (ja) | 2021-10-06 |
| JPWO2020203044A1 (ja) | 2021-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI523287B (zh) | 壓電元件以及壓電元件的製造方法 | |
| TWI649963B (zh) | Crystal vibration element | |
| CN109075761B (zh) | 压电振动器件 | |
| TWI699014B (zh) | 壓電振動元件 | |
| JP6252209B2 (ja) | 圧電振動片および当該圧電振動片を用いた圧電デバイス | |
| JP5325151B2 (ja) | 水晶デバイス、及びその製造方法 | |
| JP3390348B2 (ja) | 水晶振動子およびその製造方法 | |
| US11362641B2 (en) | Piezoelectric resonator device | |
| CN109155620B (zh) | 压电振动器件及压电振动器件的制造方法 | |
| CN108352820B (zh) | 压电振动器件 | |
| JP2007274339A (ja) | 表面実装型圧電振動デバイス | |
| CN109643983B (zh) | 晶振片及晶体振动器件 | |
| CN112970195B (zh) | 振子和振子的制造方法 | |
| TW201345008A (zh) | 壓電裝置以及壓電裝置的製造方法 | |
| JP6696378B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP2001320257A (ja) | 圧電共振部品 | |
| JP2009165102A (ja) | 圧電発振器および圧電発振器の製造方法 | |
| JPH1051265A (ja) | 表面実装型水晶振動子 | |
| WO2021059731A1 (ja) | 圧電振動板、圧電振動デバイス、及び、圧電振動デバイスの製造方法 | |
| JP2009207068A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP7307397B2 (ja) | 振動素子、振動子及び振動素子の製造方法 | |
| CN113302838B (zh) | 振动元件、振子以及振动元件的制造方法 | |
| JP2006074567A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP5333806B2 (ja) | デバイス | |
| WO2021220544A1 (ja) | 圧電振動子及びそれを備える圧電発振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |