JP5119866B2 - 水晶デバイス及びその封止方法 - Google Patents
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Description
外枠上面の金属薄膜又は上側基板の金属薄膜の少なくとも一方に、上述した本発明の金属ペースト封止材を塗布し、加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する第1の1次焼結処理工程と、
外枠下面の金属薄膜又は下側基板の金属薄膜の少なくとも一方に、同様に上述した本発明の金属ペースト封止材を塗布し、加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する第2の1次焼結処理工程と、
前記中間水晶板と前記上側基板とを、それらの前記1次焼結体を形成した一方の前記金属薄膜と他方の前記金属薄膜とを接触させて重ね合わせ、前記1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、前記外枠において気密に接合する第1の2次焼結処理工程と、
中間水晶板と下側基板とを、それらの1次焼結体を形成した一方の金属薄膜と他方の金属薄膜とを接触させて重ね合わせ、該1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、外枠において気密に接合する第2の2次焼結処理工程とを含む水晶デバイスの封止方法が提供される。
ベース上端面の金属面又はリッドの金属面の少なくとも一方に、同様に本発明の金属ペースト封止材を塗布し、加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する1次焼結処理工程と、
ベースの上にリッドを、それらの1次焼結体を形成した一方の金属面と他方の金属面とを接触させて重ね合わせ、該1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、気密に接合する2次焼結処理工程とを含む水晶デバイスの封止方法が提供される。
第1構成部品の金属面又は第2構成部品の金属面の少なくとも一方に、本発明の金属ペースト封止材を塗布し、加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する1次焼結処理工程と、
第1構成部品と第2構成部品とを、それらの1次焼結体を形成した一方の金属面と他方の金属面とを接触させて重ね合わせ、該1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、気密に接合する2次焼結処理工程とを含む電子部品の封止方法が提供される。
先ず、本発明による金属ペースト封止材は、金属粒子と有機溶剤と樹脂材料とから構成される。前記金属粒子は、例えばAu、Ag、Pt、Pdの1種又は2種以上からなる平均粒径0.1〜1.0μmのサブミクロン粒子である。前記有機溶剤は、約200℃の比較的低温で蒸発し得るエステルアルコール等を使用する。前記樹脂材料は、前記金属ペースト封止材に或る程度の粘度を与えるために添加され、例えばセルロース系樹脂材料を使用する。前記金属ペースト封止材の配合は、金属粉末88〜93重量%、有機溶剤5〜15重量%、樹脂材料0.01〜4.0重量%の割合で設定する。
組成: 金属(Au)粒子含有量: 88wt%、平均粒子径0.3μm
有機溶剤含有量: 10.4wt%
樹脂含有量: 1.6wt%
物性: 粘度: 190Pa・s
チクソ比: 4.9
この結果金属ペースト封止材39は、外寸2.95mm(L1)×1.25mm(W1)、内寸2.85mm(L2)×1.15mm(W2)、線幅0.05mmの矩形枠状に微細パターンを形成することができた。
Claims (10)
- 水晶振動片と外枠とを一体に結合した中間水晶板の上面に上側基板を接合し、前記中間水晶板の下面に下側基板を接合し、前記上側基板と前記下側基板との間に画定されるキャビティ内に前記水晶振動片を気密に封止するために、
前記外枠の上面及び下面と、前記上側基板における前記外枠との接合面と、前記下側基板における前記外枠との接合面と、に金属薄膜を有し、
平均粒径0.1〜1.0μmの金属粒子を88〜93重量%、有機溶剤を5〜15重量%、樹脂材料を0.01〜4.0重量%の割合で配合した金属ペースト封止材を、前記外枠の上面又は前記上側基板における前記外枠との接合面の少なくとも一方の前記金属薄膜に塗布し、前記金属ペースト封止材を加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する第1の1次焼結処理工程と、
前記外枠の下面又は前記下側基板における前記外枠との接合面の少なくとも一方の前記金属薄膜に、前記金属ペースト封止材を塗布し、該金属ペースト封止材を加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する第2の1次焼結処理工程と、
前記外枠の上面と前記上側基板における前記外枠との接合面とを、前記第1の1次焼結処理工程において形成した前記1次焼結体を間に挟んで重ね合わせ、該1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、前記中間水晶板と前記上側基板とを前記外枠において気密に接合する第1の2次焼結処理工程と、
前記外枠の下面と前記下側基板における前記外枠との接合面とを、前記第2の1次焼結処理工程において形成した前記1次焼結体を間に挟んで重ね合わせ、該1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、前記中間水晶板と前記下側基板とを前記外枠において気密に接合する第2の2次焼結処理工程と、
を含むことを特徴とする水晶デバイスの封止方法。 - 前記金属ペースト封止剤の前記金属粒子がAu、Ag、Pt、又はPdの1種以上からなることを特徴とする請求項1に記載の水晶デバイスの封止方法。
- 前記上側基板及び前記下側基板が水晶からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の水晶デバイスの封止方法。
- 前記上側基板がシリコン材料からなり、かつ、前記水晶振動片を駆動するための集積回路と前記集積回路に接続された端子とを備え、前記中間水晶板が前記外枠上面に前記上側基板の前記端子に接続される端子を有し、
前記第1の2次焼結処理工程において前記外枠の上面と前記上側基板における前記外枠との接合面とを重ね合わせる際に、前記上側基板の前記端子と前記中間水晶板の前記端子とを導電接続材料により直接接続することを特徴とする請求項1又は2に記載の水晶デバイスの封止方法。 - 上部を開放した箱形をなしかつその内部に水晶振動片を実装したベースの上端面にリッドを接合し、前記ベースの内部を気密に封止するために、
前記上端面及び前記リッドにおける前記上端面との接合面に金属面を有し、
平均粒径0.1〜1.0μmの金属粒子を88〜93重量%、有機溶剤を5〜15重量%、樹脂材料を0.01〜4.0重量%の割合で配合した金属ペースト封止材を、前記上端面又は前記リッドにおける前記上端面との接合面の少なくとも一方の前記金属面に塗布し、前記金属ペースト封止材を加熱することにより、ヤング率9〜16GPa及び密度10〜17g/cm3のポーラス構造を有する1次焼結体を形成する1次焼結処理工程と、
前記上端面と前記リッドにおける前記上端面との接合面とを、前記1次焼結体を間に挟んで重ね合わせ、前記1次焼結体を加圧してその金属粒子を緻密に再結晶化させることにより、前記ベースの上に前記リッドを気密に接合する2次焼結処理工程と、
を含むことを特徴とする水晶デバイスの封止方法。 - 前記金属ペースト封止剤の前記金属粒子がAu、Ag、Pt、又はPdの1種以上からなることを特徴とする請求項5に記載の水晶デバイスの封止方法。
- 前記リッドがガラス板からなり、かつ、その一方の面に金属膜を形成することにより前記金属面を設けたことを特徴とする請求項5又は6に記載の水晶デバイスの封止方法。
- 前記リッドが金属板からなり、かつ、その一方の面に前記金属面を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の水晶デバイスの封止方法。
- 前記リッドがシリコン材料からなりかつ前記水晶振動片を駆動するための集積回路と前記集積回路に接続された端子とを備え、前記ベースがその前記上端面に前記リッドの前記端子に接続される端子を有し、
前記2次焼結処理工程において前記上端面と前記リッドにおける前記上端面との接合面とを重ね合わせる際に、前記リッドの前記端子と前記ベースの前記端子とを導電接続材料により直接接続することを特徴とする請求項5又は6に記載の水晶デバイスの封止方法。 - 前記2次焼結処理工程において加圧すると同時に加熱することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の水晶デバイスの封止方法。
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