CN101272135B - 晶体器件及其密封方法 - Google Patents

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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007035788A1 (de) * 2007-07-31 2009-02-05 Robert Bosch Gmbh Waferfügeverfahren, Waferverbund sowie Chip
JP5369887B2 (ja) * 2008-10-24 2013-12-18 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージ、圧電デバイスおよびその製造方法
CN101769784B (zh) * 2008-12-27 2012-06-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 感测器组合
JP5362643B2 (ja) * 2009-06-30 2013-12-11 日本電波工業株式会社 積層型の水晶振動子
JP5001393B2 (ja) * 2009-09-16 2012-08-15 日本電波工業株式会社 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法
JP5476964B2 (ja) * 2009-12-09 2014-04-23 セイコーエプソン株式会社 振動子、発振器、ジャイロ及び電子機器
JP2011142374A (ja) 2010-01-05 2011-07-21 Seiko Epson Corp 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法
JP2012050057A (ja) * 2010-07-27 2012-03-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶発振器及びその製造方法
TWI420810B (zh) * 2010-12-17 2013-12-21 Ind Tech Res Inst 石英振盪器及其製造方法
JP2012167224A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 中空樹脂筐体用樹脂組成物および中空樹脂筐体
JP2012188559A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Sumitomo Chemical Co Ltd 中空樹脂筐体用樹脂組成物および中空樹脂筐体
CN102815657B (zh) * 2011-06-08 2015-10-21 上海巨哥电子科技有限公司 一种封装结构及其封装方法
JP2013042388A (ja) * 2011-08-17 2013-02-28 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電振動片及び圧電デバイス
US9038463B2 (en) * 2011-09-22 2015-05-26 Seiko Epson Corporation Electronic device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP6360572B2 (ja) * 2012-01-23 2018-07-18 日本電波工業株式会社 圧電モジュール
JP2013207686A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶発振器
WO2013172444A1 (ja) * 2012-05-18 2013-11-21 株式会社村田製作所 水晶振動子の製造方法
KR101558462B1 (ko) 2012-10-30 2015-10-13 가켄 테크 가부시키가이샤 도전성 페이스트 및 다이 본딩 방법
WO2015093300A1 (ja) 2013-12-20 2015-06-25 株式会社大真空 圧電振動デバイス
JP6488896B2 (ja) * 2014-06-13 2019-03-27 三菱マテリアル株式会社 パッケージ封止方法及び封止用ペースト
USD760230S1 (en) 2014-09-16 2016-06-28 Daishinku Corporation Piezoelectric vibration device
JP1525432S (ja) 2014-09-16 2015-06-08
JP6577206B2 (ja) * 2015-02-27 2019-09-18 京セラ株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP6348534B2 (ja) * 2016-04-21 2018-06-27 田中貴金属工業株式会社 貫通孔の封止構造及び封止方法、並びに、貫通孔を封止するための転写基板
JP6738760B2 (ja) * 2017-04-13 2020-08-12 田中貴金属工業株式会社 貫通孔の封止構造及び封止方法、並びに、貫通孔を封止するための転写基板
GB2561580A (en) * 2017-04-19 2018-10-24 M Solv Ltd Method of forming a seal, method of manufacturing a sealed unit, a sealed unit, and apparatus for forming a seal
US10750621B2 (en) * 2017-08-02 2020-08-18 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Process of assembling semiconductor device
CN111183583B (zh) * 2017-09-22 2024-03-08 株式会社村田制作所 压电振子以及压电振子的制造方法
JP7211081B2 (ja) * 2018-12-28 2023-01-24 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス
CN111384921B (zh) * 2018-12-29 2022-07-19 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 晶体谐振器与控制电路的集成结构及其集成方法
JP6944665B2 (ja) * 2019-03-29 2021-10-06 株式会社村田製作所 振動子及び振動子の製造方法
JP7235378B2 (ja) * 2019-06-11 2023-03-08 日清紡マイクロデバイス株式会社 弾性表面波センサおよびそれを用いた計測システム
CN110401427A (zh) * 2019-07-05 2019-11-01 北京无线电计量测试研究所 一种封装内热式高精密晶体谐振器及装配方法
US20220418047A1 (en) * 2020-03-03 2022-12-29 Daishinku Corporation Thin-film heater, method of producing thin-film heater, and thermostatic oven piezoelectric oscillator
CN112117989A (zh) * 2020-09-23 2020-12-22 河北博威集成电路有限公司 一种恒温晶体振荡器
WO2024047745A1 (ja) * 2022-08-30 2024-03-07 京セラ株式会社 振動デバイス

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4174407B2 (ja) * 2003-10-15 2008-10-29 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージ
JP4255847B2 (ja) * 2004-01-27 2009-04-15 田中貴金属工業株式会社 金属ペーストを用いた半導体ウェハーへのバンプの形成方法
JP2005317793A (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Kyocera Kinseki Corp 電子部品容器及びその封止方法
JP4545004B2 (ja) * 2004-09-29 2010-09-15 京セラ株式会社 圧電発振器
JP4815800B2 (ja) * 2004-12-28 2011-11-16 株式会社大真空 圧電振動デバイス
US20060255691A1 (en) * 2005-03-30 2006-11-16 Takahiro Kuroda Piezoelectric resonator and manufacturing method thereof
JP2007013628A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子
JP2007235388A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Citizen Holdings Co Ltd 水晶発振器
JP2007274104A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Daishinku Corp 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法
JP5065718B2 (ja) * 2006-06-20 2012-11-07 田中貴金属工業株式会社 圧電素子の気密封止方法、及び、圧電デバイスの製造方法

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Publication number Publication date
JP2012235511A (ja) 2012-11-29
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