TWI699014B - 壓電振動元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種壓電振動元件。作為壓電振動元件的晶體振盪器具有形成有第一激勵電極和第二激勵電極的晶體振動片、將晶體振動片的第一激勵電極覆蓋的第一密封構件、及將晶體振動片的第二激勵電極覆蓋的第二密封構件，第一密封構件與晶體振動片相接合；第二密封構件與晶體振動片相接合，形成將晶體振動片的振動部氣密密封的內部空間。在該內部空間配置有未與第一激勵電極及第二激勵電極電連接而與固定電位連接的第一屏蔽電極及第二屏蔽電極。基於該結構，能抑制由電容耦合引起的特性變動。

Description

壓電振動元件
本發明涉及一種壓電振動元件。
近年，各種電子設備朝著工作頻率高頻化、封裝體小型化(特別是低矮化)方向發展。因此，隨著高頻化及封裝體小型化，要求壓電振動元件(例如，晶體諧振器、晶體振盪器等)也能應對高頻化及封裝體小型化。
這種壓電振動元件的殼體由近似長方體形狀的封裝體構成。該封裝體包括，例如由玻璃或石英晶體構成的第一密封構件及第二密封構件、和例如由石英晶體構成並在兩個主面上形成有激勵電極的壓電振動片，第一密封構件與第二密封構件間通過晶體振動片而層疊結合。並且，配置在封裝體內部(內部空間)的壓電振動片的振動部(激勵電極)被氣密密封(例如，專利文獻1)。以下，將採用上述層疊方式的壓電振動元件的結構稱為三明治結構。
壓電振動元件中，若封裝體內部的激勵電極及內部佈線與位於封裝體外側的基板安裝端子等之間發生電容耦合，則受基板安裝端子的電位變化影響，頻率及其它特性會產生變動。現有技術的壓電振動元件中，通過在封裝體的疊層間配置屏蔽電極、在封裝體內部配置IC晶片、或對封裝體蓋使用金屬板而構成屏蔽結構，來抑制上述特性變動(例如，專利文獻2、專利文獻3)。在此，現有技術的壓電振動元件是 指，在陶瓷構成的封裝體的殼體內部封入晶體諧振元件的元件，即，陶瓷封裝體元件。
三明治結構的壓電振動元件中，由於封裝體較薄，所以容易發生電容耦合。因此，三明治結構的壓電振動元件與現有技術的壓電振動元件一樣，採取屏蔽對策較為重要。然而，若與現有技術的壓電振動元件一樣設置屏蔽電極，則會出現以下問題。
首先，與現有技術的陶瓷封裝體元件不同，三明治結構的壓電振動元件沒有封裝體蓋，因而，不可能通過對封裝體蓋使用金屬板而構成屏蔽結構。其次，若在封裝體的疊層間配置屏蔽電極，則封裝體的疊層數會增加，從而使三明治結構失去薄型化這一優點。
另外，屏蔽電極基本都與接地電位連接。若使用這種接地的屏蔽電極等覆蓋，屏蔽電極中電位不會發生變化，因而能防止上述電位變化所引起的壓電振動元件的特性變動。然而，由於屏蔽電極與激勵電極之間會發生電容耦合，在激勵電極的寄生電容增加的情況下，壓電振動元件的頻率可變範圍會減小，從而使頻率調節難以進行。
(專利文獻1)：日本特開2010-252051號公報
(專利文獻2)：日本特開2000-134058號公報
(專利文獻3)：日本特開2012-90202號公報
鑒於上述情況，本發明的目的在於，提供一種適合於三明治結構的壓電振動元件的屏蔽結構。
作為解決上述技術問題的技術方案，本發明提供一種壓電振動元件。該壓電振動元件具有，在基板的一個主面上形成有第一激勵電極、在所述基板的另一個主面上形成有與所述第一激勵電極成對的第二激勵電極的壓電振動板；將所述壓電振動板的所述第一激勵電極覆蓋的第一密封構件；及將所述壓電振動板的所述第二激勵電極覆蓋的第二密封構件，所述第一密封構件與所述壓電振動板相接合，所述第二密封構件與所述壓電振動板相接合，形成將包含所述第一激勵電極和所述第二激勵電極的所述壓電振動板的振動部氣密密封的內部空間。該壓電振動元件的特徵在於：在所述內部空間，配置有未與所述第一激勵電極及所述第二激勵電極電連接而與固定電位連接的屏蔽電極。
基於上述結構，在壓電振動元件的內部空間配置有屏蔽電極，該屏蔽電極未與第一激勵電極及第二激勵電極電連接，而與固定電位(較佳為GND電位)連接。三明治結構的壓電振動元件中，由於封裝體厚度較薄，激勵電極及內部佈線與封裝體外側的安裝端子等之間的距離較近，因而容易發生電容耦合。對此，本發明的壓電振動元件中，通過在內部空間配置屏蔽電極，能抑制上述電容耦合所引起的特性變動。
另外，上述壓電振動元件中，較佳為，在所述第一密封構件及所述第二密封構件的內面側，所述屏蔽電極相應於所述壓電振動板上形成的所述第一激勵電極及所述第二激勵電極的形狀而被圖案化，並被配置為俯視時與所述第一激勵電極及所述第二激勵電極重疊。
基於上述結構，由於相應於需要屏蔽的激勵電極(或佈線)的配置及形狀將屏蔽電極圖案化，所以能將屏蔽電極的形成面積抑制到最小限 度，從而能減小因屏蔽電極而產生的寄生電容。寄生電容減少還能抑制激勵電極的頻率可變量減少，因而有利於壓電振動元件的頻率調節。
另外，上述壓電振動元件中，較佳為，所述壓電振動板具有被形成為近似矩形的所述振動部、包圍著所述振動部的外周的外框部、及將所述振動部與所述外框部連結的連結部，所述屏蔽電極上設有開口，設有該開口的部位與所述振動部中設有所述連結部的一邊的對面側的所述第一激勵電極及所述第二激勵電極的邊緣相向而對。
由於激勵電極被形成在振動部，振動部因受到撞擊等而產生彎曲變形時，在彎曲幅度最大的部位，激勵電極可能與封裝體的內面接觸，而若該接觸部位存在屏蔽電極，則激勵電極與屏蔽電極間的接觸會引起短路等問題發生。然而，基於本發明的上述結構，屏蔽電極中，由於在撞擊發生等時容易與激勵電極接觸的部位設置有開口，所以能避免激勵電極與封裝體內面的屏蔽電極接觸，從而能防止上述問題發生。
另外，上述壓電振動元件中，較佳為，所述第二密封構件的外表面上形成有用於將該壓電振動元件安裝于電路基板的外部電極端子，所述第二密封構件的內面上形成的屏蔽電極用於屏蔽所述第二激勵電極與所述外部電極端子重疊的區域，其外的與所述第二激勵電極相向而對的區域被形成為開口。
第二激勵電極與外部電極端子之間的電容耦合發生在第二激勵電極與外部電極端子重疊的區域。基於本發明的上述結構，第二密封構件的內面上形成的屏蔽電極只對第二激勵電極與外部電極端子重疊的區域 進行屏蔽，因而，能夠只對所需的部位進行屏蔽地抑制電容耦合所引起的特性變動，同時還能防止由屏蔽電極產生的寄生電容引起的激勵電極的頻率可變量減少。
另外，上述壓電振動元件中，較佳為，所述第一密封構件上安裝有IC晶片，所述屏蔽電極也配置在所述IC晶片的安裝端子面上。
壓電振動元件的頂面(第一密封構件上)上安裝有IC晶片的情況下，有時也希望屏蔽與IC晶片之間的電容耦合。基於本發明的上述結構，在封裝體內沒有配置屏蔽電極的空間等的情況下，可以在封裝體外配置IC晶片用的屏蔽電極。
本發明的壓電振動元件被構成為，在壓電振動元件的內部空間配置有屏蔽電極，該屏蔽電極未與第一激勵電極及第二激勵電極電連接，而與固定電位(較佳為GND電位)連接。三明治結構的壓電振動元件由於封裝體厚度較薄，激勵電極及內部佈線與封裝體外側的安裝端子等之間的距離較近而容易發生電容耦合，然而，本發明的壓電振動元件中，由於在內部空間配置有屏蔽電極，所以能抑制上述電容耦合所引起的特性變動。
101:晶體諧振器(壓電振動元件)
102:晶體振盪器(壓電振動元件)
111:第一通孔
112:第二通孔
113:第三通孔
114:第四通孔
115:第五通孔
116:第六通孔
117:第七通孔
118:第八通孔
119:第九通孔
120:第十通孔
121:第十一通孔
122:第十二通孔
123:第十三通孔
124:第十四通孔
125:第十五通孔
111a~125a:貫通電極
111b~125b:貫通部分
111c~125c、131~144:連接用接合電極
12:封裝體
13:內部空間
15a、15b:接合構件
2:晶體振動片(壓電振動板)
211、212、311、312、411、412:主面
22:振動部
22a:角部
22b:空隙部
221:第一激勵電極
222:第二激勵電極
223:第一引出電極
224:第二引出電極
23:外框部
24:連結部
251:振動側第一接合圖案
252:振動側第二接合圖案
3:第一密封構件
321:密封側第一接合圖案
33:佈線圖案
34:第一屏蔽電極(屏蔽電極)
35:第二屏蔽電極(屏蔽電極)
351、441:連接佈線
352:開口
37:電極圖案
4:第二密封構件
421:密封側第二接合圖案
433~436:第一~第四外部電極端子
44:第三屏蔽電極(屏蔽電極)
5:IC晶片
圖1是表示本發明的實施方式所涉及的晶體諧振器的各構成部分的概要結構示意圖。
圖2是表示本發明的實施方式所涉及的晶體振盪器的各構成部分的概要結構示意圖。
圖3是晶體諧振器的第一密封構件的概要俯視圖。
圖4是晶體諧振器的第一密封構件的概要仰視圖。
圖5是晶體諧振器的晶體振動片的概要俯視圖。
圖6是晶體諧振器的晶體振動片的概要仰視圖。
圖7是晶體諧振器的第二密封構件的概要俯視圖。
圖8是晶體諧振器的第二密封構件的概要仰視圖。
圖9是表示將本發明的屏蔽結構應用於晶體振盪器的例子的截面示意圖。
圖10是晶體諧振器的第一密封構件的概要仰視圖，也是表示屏蔽電極的變形例的圖。
圖11是晶體諧振器的第一密封構件的概要仰視圖，也是表示屏蔽電極的變形例的圖。
圖12是晶體諧振器的第二密封構件的概要俯視圖，也是表示屏蔽電極的變形例的圖。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。本發明的實施方式所涉及的壓電振動元件的特徵在於屏蔽結構，但首先對屏蔽結構以外的基本結構進行說明。
<壓電振動元件的基本結構>
圖1是表示晶體諧振器101的結構的概要結構示意圖，圖2是表示晶體振盪器102的結構的概要結構示意圖。另外，圖2所示的晶體振盪器102是在圖1所示的晶體諧振器101的頂面上安裝了IC晶片5後 的結構。作為電子部件元件的IC晶片5是與晶體諧振器101一起構成振盪電路的單晶片積體電路元件。晶體諧振器和晶體振盪器均屬於本發明的壓電振動元件。
本發明的實施方式所涉及的晶體諧振器101中，如圖1所示，設置有晶體振動片(壓電振動板)2、第一密封構件3、及第二密封構件4。晶體諧振器101中，晶體振動片2與第一密封構件3相接合，晶體振動片2與第二密封構件4相接合，從而構成三明治結構的封裝體12。第一密封構件3以覆蓋晶體振動片2的一個主面211上形成的第一激勵電極221(參照圖5)的方式與晶體振動片2相接合。第二密封構件4以覆蓋晶體振動片2的另一個主面212上形成的第二激勵電極222(參照圖6)的方式與晶體振動片2相接合。
晶體諧振器101中，第一密封構件3及第二密封構件4分別與晶體振動片2的兩個主面(一個主面211、另一個主面212)接合，而形成封裝體12的內部空間13。在內部空間13，包括第一激勵電極221和第二激勵電極222的振動部22(參照圖5、圖6)被氣密密封。本發明的實施方式所涉及的晶體諧振器101例如採用1.0×0.8mm的封裝體尺寸，從而實現了小型化和低矮化。
下面，參照圖1及圖3~圖8，對上述晶體諧振器101的各構成部分進行說明。在此，分別對晶體振動片2、第一密封構件3及第二密封構件4的構件個體的結構進行說明。
晶體振動片2是由石英晶體構成的壓電基片，如圖5、圖6所示，其兩個主面211、212被加工(鏡面加工)成平坦平滑面。本實施方式 中，作為晶體振動片2，採用實現厚度剪切振動的AT切石英晶體片。圖5、圖6所示的晶體振動片2中，晶體振動片2的兩個主面211、212在XZ’平面上。該XZ’平面中，晶體振動片2的短邊方向為X軸方向；晶體振動片2的長邊方向為Z’軸方向。另外，AT切是指，人工石英晶體的三個晶軸，即電軸(X軸)、機械軸(Y軸)、及光軸(Z軸)中，以相對Z軸繞X軸轉動35度°15分′的傾斜角度進行切割的加工手法。AT切石英晶體片中，X軸與石英晶體的晶軸一致。Y’軸及Z’軸與相對石英晶體的晶軸的Y軸及Z軸分別傾斜了35度°15分′的軸一致。Y’軸方向及Z’軸方向相當於將AT切石英晶體片切割時的切割方向。
晶體振動片2的兩個主面211、212上形成有一對激勵電極(第一激勵電極221、第二激勵電極222)。晶體振動片2具有被形成為近似矩形的振動部22、包圍著該振動部22的外周的外框部23、及將振動部22與外框部23連結的連結部24，振動部22、連結部24、及外框部23被構成為一體。本實施方式中，連結部24只被設置在振動部22與外框部23之間的一個部位，未設置連結部24的部位成為空隙22b。另外，振動部22和連結部24被構成為比外框部23更薄。如此，由於外框部23與連結部24厚度不同，所以外框部23的固有振動頻率與連結部24的壓電振動頻率不同，從而外框部23不容易與連結部24的壓電振動產生共振。
連結部24只從位於振動部22的+X方向及-Z’方向的一個角部22a朝著-Z’方向延伸(突出)到外框部23。如此，振動部22的外周端部 中，由於在壓電振動的位移較小的角部22a設置連結部24，所以與將連結部24設置在角部22a以外的部分(邊的中間部分)的情況相比，能防止壓電振動經由連結部24而洩露到外框部23，從而能使振動部22高效地進行壓電振動。
第一激勵電極221設置在振動部22的一個主面側，第二激勵電極222設置在振動部22的另一個主面側。第一激勵電極221、第二激勵電極222分別與引出電極(第一引出電極223、第二引出電極224)連接。從第一激勵電極221引出的第一引出電極223從連結部24經過而與外框部23上形成的連接用接合圖案131相連。從第二激勵電極222引出的第二引出電極224從連結部24經過而與外框部23上形成的連接用接合圖案115c相連。第一激勵電極221及第一引出電極223由在一個主面211上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。第二激勵電極222及第二引出電極224由在另一個主面212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
在晶體振動片2的兩個主面211、212上，分別設置有用於將晶體振動片2與第一密封構件3及第二密封構件4接合的振動側密封部。振動側密封部由晶體振動片2的一個主面211上形成的振動側第一接合圖案251、和另一個主面212上形成的振動側第二接合圖案252構成。振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252被設置在上述外框部23，俯視呈環形。第一激勵電極221和第二激勵電極 222未與振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252電連接。
振動側第一接合圖案251由在一個主面211上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。振動側第二接合圖案252由在另一個主面212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。即，振動側第一接合圖案251與振動側第二接合圖案252結構相同，均由多個層在兩個主面211、212上疊層而構成，從其最下層側起依次蒸鍍形成有鈦(Ti)層和金(Au)層。另外，晶體振動片2的一個主面211上形成的第一激勵電極221與振動側第一接合圖案251厚度相同，第一激勵電極221的表面和振動側第一接合圖案251的表面由同一金屬構成。同樣，晶體振動片2的另一個主面212上形成的第二激勵電極222與振動側第二接合圖案252厚度相同，第二激勵電極222的表面和振動側第二接合圖案252的表面由同一金屬構成。另外，振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252為非錫(Sn)圖案。
在此，通過對第一激勵電極221、第一引出電極223、及振動側第一接合圖案251採用相同結構，可以通過同一工序將它們一併形成。同樣，通過對第二激勵電極222、第二引出電極224、及振動側第二接合圖案252採用相同結構，可以通過同一工序將它們一併形成。詳細而言，可通過用真空蒸鍍或濺鍍、離子鍍、分子束外 延(MBE)、雷射燒蝕等的PVD法(例如，光刻等加工中的圖案化用的膜形成法)形成基底PVD膜或電極PVD膜，而一併進行膜形成。如此，能縮短製造工時，從而有利於降低成本。
另外，如圖5、圖6所示，在晶體振動片2上形成有將一個主面211與另一個主面212之間貫通的五個通孔(第一~第五通孔111~115)。第一~第四通孔111~114被設置在晶體振動片2的外框部23上，並位於晶體振動片2的四個角落(角部)的區域。第五通孔115被設置在晶體振動片2的外框部23上，並位於晶體振動片2的振動部22的Z’軸方向的一側(圖5、圖6中是-Z’方向側)。
第一通孔111與第一密封構件3的第六通孔116及第二密封構件4的第十二通孔122相連。第二通孔112與第一密封構件3的第七通孔117及第二密封構件4的第十三通孔123相連。第三通孔113與第一密封構件3的第八通孔118及第二密封構件4的第十四通孔124相連。第四通孔114與第一密封構件3的第九通孔119及第二密封構件4的第十五通孔125相連。第五通孔115與從第二激勵電極222引出的第二引出電極224相連，並經由佈線圖案33與第一密封構件3的第十通孔120相連。
第一~第五通孔111~115中，沿著該第一~第五通孔111~115各自的內壁面，分別形成有用於將一個主面211上形成的電極與另一個主面212上形成的電極導通的貫通電極111a~115a。並且，第一~第五通孔111~115各自的中央部分成為將一個主面211與另一個主面212之間貫通的中空狀態的貫通部分111b~115b。第一~第五通孔 111~115各自的週邊上形成有連接用接合圖案111c~115c。連接用接合圖案111c~115c被設置在晶體振動片2的兩個主面211、212上。
連接用接合圖案111c~115c的結構與振動側第一接合圖案251、振動側第二接合圖案252的結構相同，可以通過形成振動側第一接合圖案251、振動側第二接合圖案252的工序來形成連接用接合圖案111c~115c。具體而言，連接用接合圖案111c~115c由在晶體振動片2的兩個主面211、212上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
晶體振動片2的一個主面211及另一個主面212上形成的連接用接合圖案111c~114c被設置在晶體振動片2的四個角落(角部)的區域，與振動側第一接合圖案251和振動側第二接合圖案252之間相隔規定間隔。晶體振動片2的另一個主面212上形成的連接用接合圖案115c在晶體振動片2的外框部23中沿X軸方向延伸，並與從第二激勵電極222引出的第二引出電極224形成為一體。
另外，晶體振動片2的一個主面211上設置有與從第一激勵電極221引出的第一引出電極223形成為一體的連接用接合圖案131。連接用接合圖案131被設置在晶體振動片2的外框部23上，且位於晶體振動片2的振動部22的Z’方向側(-Z’方向側)。另外，晶體振動片2的一個主面211上設置有連接用接合圖案132，在Z’軸方向，該連接用接合圖案132位於連接用接合圖案131的相反側，與連接用接 合圖案131之間夾著晶體振動片2的振動部22。即，在振動部22的Z’軸方向的兩側分別設置有連接用接合圖案131、132。連接用接合圖案132在晶體振動片2的外框部23中沿X軸方向延伸。
另外，晶體振動片2的一個主面211上，在晶體振動片2的外框部23上的、振動部22的X軸方向的兩側，分別設置有連接用接合圖案133、134。連接用接合圖案133、134被設置在沿靠著晶體振動片2的長邊邊緣的長邊邊緣近傍區域，並沿Z’軸方向延伸。連接用接合圖案133被設置在晶體振動片2的一個主面211上形成的連接用接合圖案111c與連接用接合圖案113c之間。連接用接合圖案134被設置在連接用接合圖案112c與連接用接合圖案114c之間。
晶體振動片2的另一個主面212上設置有連接用接合圖案135，在Z’軸方向，該連接用接合圖案135位於連接用接合圖案115c的相反側，與連接用接合圖案115c之間夾著晶體振動片2的振動部22。即，在振動部22的Z’軸方向的兩側分別設置有連接用接合圖案115c、135。另外，晶體振動片2的另一個主面212上，在晶體振動片2的外框部23上的、振動部22的X軸方向的兩側，分別設置有連接用接合圖案136、137。連接用接合圖案136、137被設置在沿靠晶體振動片2的長邊邊緣的長邊邊緣近傍區域，並沿Z’軸方向延伸。連接用接合圖案136被設置在晶體振動片2的另一個主面212上形成的連接用接合圖案111c與連接用接合圖案113c之間。連接用接合圖案137被設置在連接用接合圖案112c與連接用接合圖案114c之間。
晶體諧振器101中，第一~第四通孔111~114及連接用接合圖案111c~114c、133、134、136、137被設置為，比振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252更位於外周側。第五通孔115及連接用接合圖案115c、131、132、135被設置為，比振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252更位於內周側。連接用接合圖案111c~115c、131~137未與振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252電連接。
第一密封構件3採用彎曲剛度(截面二階矩×楊氏模數)在1000[N．mm2]以下的材料。具體而言，如圖3、圖4所示，第一密封構件3是由一枚玻璃晶片形成的長方體基板，該第一密封構件3的另一個主面312(與晶體振動片2接合的面)被加工(鏡面加工)成平坦平滑面。
該第一密封構件3的另一個主面312上形成有密封側第一接合圖案321，作為與晶體振動片2接合用的密封側第一密封部。密封側第一接合圖案321被形成為俯視呈環形。
該密封側第一接合圖案321由在第一密封構件3上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。另外，本實施方式中，基底PVD膜採用鈦，電極PVD膜採用金。並且，密封側第一接合圖案321是非錫圖案。
如圖3、圖4所示，在第一密封構件3的一個主面311(安裝IC晶片5的面)上形成有六個電極圖案37，該六個電極圖案37中包含有用於安裝作為振盪電路元件的IC晶片5的安裝墊。另外，圖3中用虛線 虛擬地示出了IC晶片5的安裝區域。六個電極圖案37分別單獨與第六~第十一通孔116~121連接。
第一密封構件3上形成有將一個主面311與另一個主面312之間貫通的六個通孔(第六~第十一通孔116~121)。第六~第九通孔116~119被設置在第一密封構件3的四個角落(角部)的區域。第十、第十一通孔120、121被設置在圖4中的A2方向的兩側。
第六通孔116與晶體振動片2的第一通孔111相連。第七通孔117與晶體振動片2的第二通孔112相連。第八通孔118與晶體振動片2的第三通孔113相連。第九通孔119與晶體振動片2的第四通孔114相連。第十通孔120經由佈線圖案33而與晶體振動片2的第五通孔115相連。第十一通孔121與從第一激勵電極221引出的第一引出電極223相連。
第六~第十一通孔116~121中，沿著該第六~第十一通孔116~121各自的內壁面，分別形成有用於將一個主面311上形成的電極與另一個主面312上形成的電極導通的貫通電極116a~121a。並且，第六~第十一通孔116~121各自的中央部分成為將一個主面311與另一個主面312之間貫通的中空狀態的貫通部分116b~121b。在第六~第十一通孔116~121各自的外圍形成有連接用接合圖案116c~121c。連接用接合圖案116c~121c被設置在第一密封構件3的另一個主面312上。
連接用接合圖案116c~121c的結構與密封側第一接合圖案321的結構相同，可通過形成密封側第一接合圖案321的工序來形成連接用 接合圖案116c~121c。具體而言，連接用接合圖案116c~121c由在第一密封構件3的另一個主面312上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
第六~第九通孔116~119的連接用接合圖案116c~119c被設置在第一密封構件3的另一個主面312的四個角落(角部)的區域，與密封側第一接合圖案321相隔規定間隔。第十通孔120的連接用接合圖案120c沿著圖4的箭頭A1的方向延伸，與佈線圖案33形成為一體。另外，第一密封構件3的另一個主面312上設置有連接用接合圖案138，該連接用接合圖案138位於箭頭A2所指的一側，與連接用接合圖案120c之間夾著佈線圖案33。即，佈線圖案33的一端(箭頭A2所指的一側)與連接用接合圖案138連接，另一端與連接用接合圖案120c連接。另外，圖4中的A1方向及A2方向分別與圖5中的X軸方向及Z’軸方向一致。
另外，第一密封構件3的另一個主面312上，在沿靠著第一密封構件3的長邊邊緣的長邊邊緣近傍區域設置有連接用接合圖案139、140。連接用接合圖案139、140沿著圖4中的箭頭A2的方向延伸。連接用接合圖案139被設置在第一密封構件3的另一個主面312上形成的連接用接合圖案116c與連接用接合圖案118c之間。連接用接合圖案140被設置在連接用接合圖案117c與連接用接合圖案119c之間。
晶體諧振器101中，第六~第九通孔116~119及連接用接合圖案116c~119c、139、140被設置為，比密封側第一接合圖案321更位於外周側。第十、第十一通孔120、121及連接用接合圖案120c、121c、138被設置為，比密封側第一接合圖案321更位於內周側。連接用接合圖案116c~121c、138~140中，除連接用接合圖案117c以外，均未與密封側第一接合圖案321電連接。另外，佈線圖案33也未與密封側第一接合圖案321電連接。
第二密封構件4採用彎曲剛度(截面二階矩×楊氏模數)在1000[N．mm2]以下的材料。具體而言，如圖7、圖8所示，第二密封構件4是由一枚玻璃晶片形成的長方體基板，該第二密封構件4的一個主面411(與晶體振動片2接合的面)被加工(鏡面加工)成平坦平滑面。
該第二密封構件4的一個主面411上形成有密封側第二接合圖案421，作為與晶體振動片2接合用的密封側第二密封部。密封側第二接合圖案421被形成為俯視呈環形。
該密封側第二接合圖案421由在第二密封構件4上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。另外，本實施方式中，基底PVD膜採用鈦，電極PVD膜採用金。並且，密封側第二接合圖案421是非錫圖案。
第二密封構件4的另一個主面412(不與晶體振動片2相向而對的外側的主面)上設置有與外部電連接的四個外部電極端子(第一~第四外部電極端子433~436)。第一~第四外部電極端子433~436分別位 於第二密封構件4的四個角落(角部)。這些外部電極端子(第一~第四外部電極端子433~436)由在另一個主面412上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
如圖7、圖8所示，第二密封構件4上形成有將一個主面411與另一個主面412之間貫通的四個通孔(第十二~第十五通孔122~125)。第十二~第十五通孔122~125被設置在第二密封構件4的四個角落(角部)的區域。第十二通孔122與第一外部電極端子433及晶體振動片2的第一通孔111相連。第十三通孔123與第二外部電極端子434及晶體振動片2的第二通孔112相連。第十四通孔124與第三外部電極端子435及晶體振動片2的第三通孔113相連。第十五通孔125與第四外部電極端子436及晶體振動片2的第四通孔114相連。
第十二~第十五通孔122~125中，沿著該第十二~第十五通孔122~125各自的內壁面，分別形成有用於將一個主面411上形成的電極與另一個主面412上形成的電極導通的貫通電極122a~125a。並且，第十二~第十五通孔122~125各自的中央部分成為將一個主面411與另一個主面412之間貫通的中空狀態的貫通部分122b~125b。在第十二~第十五通孔122~125各自的外圍，形成有連接用接合圖案122c~125c。連接用接合圖案122c~125c被設置在第二密封構件4的一個主面411上。
連接用接合圖案122c~125c的結構與密封側第二接合圖案421的結構相同，可通過形成密封側第二接合圖案421的工序來形成連接用 接合圖案122c~125c。具體而言，連接用接合圖案122c~125c由在第二密封構件4的一個主面411上進行物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
第十二~第十五通孔122~125的連接用接合圖案122c~125c被設置在第二密封構件4的一個主面411的四個角落(角部)的區域，並與密封側第二接合圖案421相隔規定間隔。另外，第二密封構件4的一個主面411上，在沿靠著第二密封構件4的長邊邊緣的長邊邊緣近傍區域設置有連接用接合圖案141、142。連接用接合圖案141、142沿著圖7中的箭頭B2的方向延伸。連接用接合圖案141被設置在第二密封構件4的一個主面411上形成的連接用接合圖案122c與連接用接合圖案124c之間。連接用接合圖案142被設置在連接用接合圖案123c與連接用接合圖案125c之間。
另外，第二密封構件4的一個主面411上設置有沿圖7中的箭頭B1的方向延伸的連接用接合圖案143、144。連接用接合圖案143、144被設置在圖7中的箭頭B2的方向的兩端區域。連接用接合圖案143被設置在第二密封構件4的一個主面411上形成的連接用接合圖案122c與連接用接合圖案123c之間。連接用接合圖案144被設置在連接用接合圖案124c與連接用接合圖案125c之間。另外，圖7中的B1方向及B2方向分別與圖5中的X軸方向及Z’軸方向一致。
晶體諧振器101中，第十二~第十五通孔122~125及連接用接合圖案122c~125c、141、142被設置為，比密封側第二接合圖案421更位 於外周側。連接用接合圖案143、144被設置為，比密封側第二接合圖案421更位於內周側。連接用接合圖案122c~125c、141~144中，除連接用接合圖案123c以外，均未與密封側第二接合圖案421電連接。
包括晶體振動片2、第一密封構件3、及第二密封構件4的晶體諧振器101中，晶體振動片2與第一密封構件3在使振動側第一接合圖案251和密封側第一接合圖案321相疊合的狀態下擴散接合，晶體振動片2與第二密封構件4在使振動側第二接合圖案252和密封側第二接合圖案421相疊合的狀態下擴散接合，從而製成三明治結構的封裝體12。由此，能不另外使用黏合劑等接合專用材料而將封裝體12的內部空間13，即，振動部22的容置空間氣密密封。
並且，如圖1所示，振動側第一接合圖案251和密封側第一接合圖案321本身成為擴散接合後生成的接合構件15a，振動側第二接合圖案252和密封側第二接合圖案421本身成為擴散接合後生成的接合構件15b。
此時，上述連接用接合圖案彼此也在相疊合的狀態下擴散接合。具體而言，位於晶體振動片2的四個角落的連接用接合圖案111c~114c和位於第一密封構件3的四個角落的連接用接合圖案116c~119c擴散接合。位於晶體振動片2的長邊邊緣近傍區域的連接用接合圖案133、134和位於第一密封構件3的長邊邊緣近傍區域的連接用接合圖案139、140擴散接合。晶體振動片2的連接用接合圖案115c和第一密封構件3的連接用接合圖案138擴散接合。晶體 振動片2的連接用接合圖案131和第一密封構件3的連接用接合圖案121c擴散接合。晶體振動片2的連接用接合圖案132和第一密封構件3的連接用接合圖案120c擴散接合。這些連接用接合圖案本身成為擴散接合後生成的接合構件，其具有將通孔的貫通電極導通的作用，並具有將接合部位氣密密封的作用。
同樣，位於晶體振動片2的四個角落的連接用接合圖案111c~114c和位於第二密封構件4的四個角落的連接用接合圖案122c~125c擴散接合。位於晶體振動片2的長邊近傍邊緣區域的連接用接合圖案136、137和位於第二密封構件4的長邊近傍邊緣區域的連接用接合圖案141、142擴散接合。晶體振動片2的連接用接合圖案115c和第二密封構件4的連接用接合圖案144擴散接合。晶體振動片2的連接用接合圖案135和第二密封構件4的連接用接合圖案143擴散接合。
<壓電振動元件的屏蔽結構>
下面，對本發明的特徵部分的屏蔽結構進行說明。本發明中的屏蔽結構由多種屏蔽電極構成。圖9是表示將本發明的屏蔽結構應用於晶體振盪器102的例子的截面示意圖。
如圖9所示，本實施方式所涉及的屏蔽結構主要包括第一~第三屏蔽電極34、35、44。以下，參照圖3、圖4、圖7對各屏蔽電極的形狀進行說明。
首先，如圖3所示，第一密封構件3的一個主面311上形成有第一屏蔽電極34。第一屏蔽電極34用於防止IC晶片5引起的電位變動，被配置為覆蓋著IC晶片5的安裝區域中不存在電極圖案37的區域。
另外，對用於消除端子或佈線等的電位變動產生的影響的屏蔽電極需要施加固定電位，即，在晶體振盪器102工作期間不會變動的固定電位。作為這樣的固定電位，較佳為採用GND(接地)電位。因此，第一屏蔽電極34與第一密封構件3的一個主面311上形成的電極圖案37中的一個電連接。即，本實施方式中，第二外部電極端子434成為GND連接用的外部電極端子，與第一屏蔽電極34連接的電極圖案37是為了給IC晶片5施加GND電位而與第二外部電極端子434連接的佈線。因此，第一屏蔽電極34上一直施加有GND電位。
另外，如圖4所示，第一密封構件3的另一個主面312上形成有第二屏蔽電極35。第二屏蔽電極35是用於從頂面側(與電路安裝面相反的一側)屏蔽晶體振動片2上形成的第一激勵電極221、第二激勵電極222、第一引出電極223、及第二引出電極224的屏蔽電極。第二屏蔽電極35被圖案化並被形成為，俯視時與上述激勵電極及引出電極重疊，並與連接用接合圖案120c、121c、138及佈線圖案33沒有電連接。另外，第二屏蔽電極35經由連接佈線351與密封側第一接合圖案321電連接，密封側第一接合圖案321與連接用接合圖案117c電連接。通過該連接，連接用接合圖案117c將GND電位施加於第二屏蔽電極35。
另外，較佳為，將連接第二屏蔽電極35與密封側第一接合圖案321的連接佈線351設置在盡可能離GND連接用的連接用接合圖案117c近的位置。在此情況下，能使第二屏蔽電極35與連接用接合圖案 117c之間的導通路徑變短，從而避免生成多餘的電感成分。由此，能使GND電位穩定，使壓電振動元件的電特性穩定。
另外，如圖7所示，第二密封構件4的一個主面411上形成有第三屏蔽電極44。第三屏蔽電極44是用於從底面側(電路安裝側)屏蔽晶體振動片2上形成的第一激勵電極221、第二激勵電極222、第一引出電極223和第二引出電極224、及第一密封構件3上形成的佈線圖案33的屏蔽電極。第三屏蔽電極44被圖案化並被形成為，俯視時與上述電極及佈線重疊，並且未與連接用接合圖案143、144電連接。另外，第三屏蔽電極44經由連接佈線441與密封側第二接合圖案421電連接，密封側第二接合圖案421與連接用接合圖案123c電連接。通過該連接，連接用接合圖案123c將GND電位施加於第三屏蔽電極44。
另外，較佳為，將連接第三屏蔽電極44與密封側第二接合圖案421的連接佈線441設置在盡可能離GND連接用的連接用接合圖案123c近的位置。在此情況下，能使第三屏蔽電極44與連接用接合圖案123c之間的導通路徑變短，從而能避免產生多餘的電感成分。由此，能使GND電位穩定，使壓電振動元件的電特性穩定。
另外，較佳為，將連接第三屏蔽電極44與密封側第二接合圖案421的連接佈線441設置在盡可能離GND連接用的連接用接合圖案123c近的位置。在此情況下，能使第三屏蔽電極44與連接用接合圖案123c之間的導通路徑變短，從而能避免產生多餘的電感成分。由此，能使GND電位穩定，使壓電振動元件的電特性穩定。
本實施方式所涉及的晶體諧振器101或晶體振盪器102中，作為適合於三明治結構的屏蔽結構，設置了第一~第三屏蔽電極34、35、44。可以通過形成第一密封構件3、第二密封構件4上形成的電極、佈線及連接用接合圖案等的工序來形成上述屏蔽電極。具體而言，第一~第三屏蔽電極34、35、44由通過物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
另外，上述說明中，列舉了具備第一~第三屏蔽電極34、35、44的晶體振盪器102，但本發明不局限於此，只要具備其中至少一部分屏蔽電極即可。例如，有關用於防止IC晶片5引起電位變動的第一屏蔽電極34，由於通常IC晶片5本身會採取屏蔽對策，所以在這樣的情況下可以省略第一屏蔽電極34。
另外，如圖5、圖6所示，第一激勵電極221及第二激勵電極222分別被振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252包圍。並且，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252分別與第二屏蔽電極35、第三屏蔽電極44連接，因而，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252也被施加了GND電位。因此，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252能從橫向屏蔽第一激勵電極221及第二激勵電極222，從而能提高屏蔽效果。即，本實施方式所涉及的晶體諧振器101或晶體振盪器102中，不僅有從上下方向屏蔽激勵電極的第一~第三屏蔽電極34、35、44，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252還能產生屏蔽效 果。通過這樣用屏蔽構件將激勵區域(激勵電極的形成區域)完全包圍，能提高屏蔽效果，使壓電振動元件的電特性更加穩定。
第二~第三屏蔽電極35、44是配置在封裝體12的內部空間13內的屏蔽電極，未與第一激勵電極221及第二激勵電極222電連接，但被施加有固定電位(較佳為GND電位)。三明治結構的壓電振動元件由於封裝體厚度較薄，激勵電極及內部佈線與封裝體外側的安裝端子等之間的距離較近，所以容易發生電容耦合。對此，晶體諧振器101中，通過在封裝體12的內部空間13配置第二~第三屏蔽電極35、44，能抑制上述電容耦合所引起的特性變動。
另外，以使第一密封構件3及第二密封構件4的內面側中，俯視時第二~第三屏蔽電極35、44與晶體振動片2上形成的第一激勵電極221、第二激勵電極222、第一引出電極223、及第二引出電極224重疊的方式，相應於這些電極的配置及形狀對第二~第三屏蔽電極35、44進行了圖案化。如此，通過相應於需要屏蔽的電極和佈線的配置及形狀對第二~第三屏蔽電極35、44進行圖案化，能將第二~第三屏蔽電極35、44的形成面積抑制在最小限度，從而能減小第二~第三屏蔽電極35、44所引起的寄生電容。另外，寄生電容減小，還能獲得能防止激勵電極的頻率可變數降低，使壓電振動元件的頻率調節容易進行這樣的效果。
另外，較佳為，將連接第三屏蔽電極44與密封側第二接合圖案421的連接佈線441設置在盡可能離GND連接用的連接用接合圖案123c近的位置。在此情況下，能使第三屏蔽電極44與連接用接合圖案 123c之間的導通路徑變短，從而能避免產生多餘的電感成分。由此，能使GND電位穩定，使壓電振動元件的電特性穩定。
本實施方式所涉及的晶體諧振器101或晶體振盪器102中，作為適合於三明治結構的屏蔽結構，設置了第一~第三屏蔽電極34、35、44。可以通過形成第一密封構件3、第二密封構件4上形成的電極、佈線及連接用接合圖案等的工序來形成上述屏蔽電極。具體而言，第一~第三屏蔽電極34、35、44由通過物理氣相沉積而形成的基底PVD膜、和在該基底PVD膜上進行物理氣相沉積而疊層形成的電極PVD膜構成。
另外，上述說明中，列舉了具備第一~第三屏蔽電極34、35、44的晶體振盪器102，但本發明不局限於此，只要具備其中至少一部分屏蔽電極即可。例如，有關用於防止IC晶片5引起電位變動的第一屏蔽電極34，由於通常IC晶片5本身會採取屏蔽對策，所以在這樣的情況下可以省略第一屏蔽電極34。
另外，如圖5、圖6所示，第一激勵電極221及第二激勵電極222分別被振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252包圍。並且，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252分別與第二屏蔽電極35、第三屏蔽電極44連接，因而，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252也被施加了GND電位。因此，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252能從橫向屏蔽第一激勵電極221及第二激勵電極222，從而能提高屏蔽效果。即，本實施方式所涉及的晶體諧振器101或晶體振盪器102中，不僅有 從上下方向屏蔽激勵電極的第一~第三屏蔽電極34、35、44，振動側第一接合圖案251及振動側第二接合圖案252還能產生屏蔽效果。通過這樣用屏蔽構件將激勵區域(激勵電極的形成區域)完全包圍，能提高屏蔽效果，使壓電振動元件的電特性更加穩定。
第二~第三屏蔽電極35、44是配置在封裝體12的內部空間13內的屏蔽電極，未與第一激勵電極221及第二激勵電極222電連接，但被施加有固定電位(較佳為GND電位)。三明治結構的壓電振動元件由於封裝體厚度較薄，激勵電極及內部佈線與封裝體外側的安裝端子等之間的距離較近，所以容易發生電容耦合。對此，晶體諧振器101中，通過在封裝體12的內部空間13配置第二~第三屏蔽電極35、44，能抑制上述電容耦合所引起的特性變動。
另外，以使第一密封構件3及第二密封構件4的內面側中，俯視時第二~第三屏蔽電極35、44與晶體振動片2上形成的第一激勵電極221、第二激勵電極222、第一引出電極223、及第二引出電極224重疊的方式，相應於這些電極的配置及形狀對第二~第三屏蔽電極35、44進行了圖案化。如此，通過相應於需要屏蔽的電極和佈線的配置及形狀對第二~第三屏蔽電極35、44進行圖案化，能將第二~第三屏蔽電極35、44的形成面積抑制在最小限度，從而能減小第二~第三屏蔽電極35、44所引起的寄生電容。另外，寄生電容減小，還能獲得能防止激勵電極的頻率可變數降低，使壓電振動元件的頻率調節容易進行這樣的效果。
另外，上述說明中的屏蔽電極的形狀僅是一例而已，本發明不局限於此。以下，對屏蔽電極的幾個變形例進行說明。
圖10示出第二屏蔽電極35的變形例。圖10所示的第二屏蔽電極35具有開口352。開口352被設置在，當晶體振動片2中的振動部22因受到撞擊而彎曲的情況下，與其彎曲幅度最大的第一激勵電極221的邊緣相向而對的部位。具體而言，上述彎曲幅度最大的第一激勵電極221的邊緣是指，振動部22中設置有連結部24的一邊的對面側的邊緣。即，第二屏蔽電極35中的開口352是為了在發生撞擊等時，避免使第一激勵電極221與第二遮屏蔽電極35相接觸而設置的。
在第一激勵電極221與第二屏蔽電極35相接觸的情況下，這些電極間發生瞬間短路，有可能使晶體振盪器102的振動頻率發生變化。另外，在第一激勵電極221及第二屏蔽電極35的表面是金層的情況下，因接觸而發生金-金接合，一方的金層有可能剝落而黏到另一方的金層上。在此情況下，晶體振動片2中的振動部22的品質發生變化，有可能使晶體振盪器102的振動頻率也發生變化。對此，通過在第二屏蔽電極35設置開口352來避免第一激勵電極221與第二屏蔽電極35間的接觸，能防止上述問題發生。另外，雖然圖10示出了在第二屏蔽電極35設置開口352的例子，但也可以在第三屏蔽電極44設置同樣的開口。
圖11示出第二屏蔽電極35的變形例。圖11所示的第二屏蔽電極35不僅僅相應於激勵電極及引出電極的形狀被圖案化，而且還被形 成為網格狀電極。第二屏蔽電極35中的網格小到一定程度的情況下，能獲得與圖4所示的第二屏蔽電極35相同的屏蔽效果。進一步，通過將第二屏蔽電極35形成為網格狀電極，能使第一激勵電極221與第二屏蔽電極35間的相向面積(相互面對面部分的面積)變小，從而能使第二屏蔽電極35所引起的寄生電容進一步減小。另外，雖然圖11示出了將第二屏蔽電極35形成為網格狀的例子，但也可以將第三屏蔽電極44形成為同樣的網格狀電極。
圖12示出第三屏蔽電極44的變形例。圖12所示的第二密封構件4的一個主面411上設置有四個第三屏蔽電極44。第三屏蔽電極44被圖案化並被形成為，不是屏蔽第一及第二激勵電極221、222的整體，而是只屏蔽第一及第二激勵電極221、222與第一~第四外部電極端子433~436重疊的部位。換言之，第三屏蔽電極44用於屏蔽第二激勵電極222與外部電極端子433~436重疊的區域，其外的與第二激勵電極222相向而對的區域被形成為開口。
若第一及第二激勵電極221、222與第一~第四外部電極端子433~436之間發生電容耦合，則晶體諧振器101會受第一~第四外部電極端子433~436的電位變化的影響而發生頻率及其它特性的變動。為了防止這樣的特性變動，只要防止第一及第二激勵電極221、222與第一~第四外部電極端子433~436之間發生電容耦合即可。該電容耦合是由於第一及第二激勵電極221、222與第一~第四外部電極端子433~436重疊而產生的，因而只對該重疊區域用第三屏蔽電極44進行屏蔽即可。圖12的結構中，第三屏蔽電極44的面 積被抑制到最小限度，從而第二激勵電極222與第三屏蔽電極44間的相向面積減小，能進一步減小第三屏蔽電極44所引起的寄生電容。
另外，圖12的結構中，對各個第三屏蔽電極44設置有連接佈線441，但也可以使用共用的連接佈線441將多個第三屏蔽電極44與密封側第二接合圖案421電連接。
另外，如圖12所示的第三屏蔽電極44的變形例那樣，對於第一屏蔽電極34及第二屏蔽電極35，也可以採用只對第一及第二激勵電極221、222與其它的電極及佈線重疊的區域進行屏蔽，而將其外的相向而對的區域形成為開口來進一步減小寄生電容的結構。
上述實施方式中，第一密封構件3及第二密封構件4採用了玻璃，但不局限於此，也可以採用石英晶體。另外，壓電振動板採用了AT切石英晶體片，但不局限於此，也可以使用AT切石英晶體以外的石英晶體。壓電振動板也可以是其它材料，只要是壓電材料即可，例如可以是鈮酸鋰、鉭酸鋰等。
另外，通過用石英晶體構成第一密封構件3和第二密封構件4，晶體振動片2、第一密封構件3及第二密封構件4的熱膨脹係數相同，能抑制由晶體振動片2、第一密封構件3、及第二密封構件4間的熱膨脹差引起的封裝體12的變形，因而能提高將晶體振動片2的振動部22氣密密封的內部空間13的氣密性。另外，因封裝體12的變形而產生的扭曲有可能經由連結部24傳遞到第一激勵電極221及第二激勵電極222，而成為頻率變動的主要原因，但通過對晶體振動片 2、第一密封構件3、及第二密封構件4均採用石英晶體，能抑制這樣的頻率變動。
另外，上述實施方式中，第一密封構件3與晶體振動片2間的接合及晶體振動片2與第二密封構件4間的接合均是通過金-金的擴散接合而實現的，但不局限於此，也可以採用硬焊材料進行接合。
上述實施方式只不過是對各方面的示例，不能將其作為進行限定性解釋的根據。即，本發明的技術範圍由申請專利範圍的記載來界定而非僅通過上述實施方式來解釋。另外，與申請專利範圍同等範圍的變形或變更均包含在本發明的範圍之內。
102:晶體振盪器(壓電振動元件)
2:晶體振動片(壓電振動板)
22:振動部
221:第一激勵電極
222:第二激勵電極
3:第一密封構件
34:第一屏蔽電極(屏蔽電極)
35:第二屏蔽電極(屏蔽電極)
4:第二密封構件
44:第三屏蔽電極(屏蔽電極)
5:IC晶片

Claims (4)

  1. 一種壓電振動元件，具有在一基板的一個主面上形成有一第一激勵電極、在該基板的另一個主面上形成有與該第一激勵電極成對的一第二激勵電極的一壓電振動板；將該壓電振動板的該第一激勵電極覆蓋的一第一密封構件；及將該壓電振動板的該第二激勵電極覆蓋的一第二密封構件，該第一密封構件與該壓電振動板相接合，該第二密封構件與該壓電振動板相接合，形成將包含該第一激勵電極和該第二激勵電極的該壓電振動板的一振動部氣密密封的一內部空間，該壓電振動元件的特徵在於：在該內部空間，配置有未與該第一激勵電極及該第二激勵電極電連接而與固定電位連接的一屏蔽電極；在該第一密封構件及該第二密封構件的一內面側，該屏蔽電極相應於該壓電振動板上形成的該第一激勵電極及該第二激勵電極的形狀而被圖案化成與該第一激勵電極及該第二激勵電極相同之圖案，並被配置為俯視時與該第一激勵電極及該第二激勵電極重疊。
  2. 一種壓電振動元件，具有在一基板的一個主面上形成有一第一激勵電極、在該基板的另一個主面上形成有與該第一激勵電極成對的一第二激勵電極的一壓電振動板；將該壓電振動板的該第一激勵電極覆蓋的一第一密封構件；及將該壓電振動板的該第二激勵電極覆蓋的一第二密封構件， 該第一密封構件與該壓電振動板相接合，該第二密封構件與該壓電振動板相接合，形成將包含該第一激勵電極和該第二激勵電極的該壓電振動板的一振動部氣密密封的一內部空間，該壓電振動元件的特徵在於：在該內部空間，配置有未與該第一激勵電極及該第二激勵電極電連接而與固定電位連接的一屏蔽電極；該壓電振動板具有被形成為近似矩形的該振動部、包圍著該振動部的外周的一外框部、及將該振動部與該外框部連結的一連結部，該屏蔽電極上設有一開口，設有該開口的部位與該振動部中設有該連結部的一邊的對面側的該第一激勵電極及該第二激勵電極的邊緣相向而對。
  3. 一種壓電振動元件，具有在一基板的一個主面上形成有一第一激勵電極、在該基板的另一個主面上形成有與該第一激勵電極成對的一第二激勵電極的一壓電振動板；將該壓電振動板的該第一激勵電極覆蓋的一第一密封構件；及將該壓電振動板的該第二激勵電極覆蓋的一第二密封構件，該第一密封構件與該壓電振動板相接合，該第二密封構件與該壓電振動板相接合，形成將包含該第一激勵電極和該第二激勵電極的該壓電振動板的一振動部氣密密封的一內部空間，該壓電振動元件的特徵在於：在該內部空間，配置有未與該第一激勵電極及該第二激勵電極電連接而與固定電位連接的一屏蔽電極； 該第二密封構件的外表面上形成有用於將該壓電振動元件安裝於電路基板的一外部電極端子，該第二密封構件的內面上形成的屏蔽電極用於屏蔽該第二激勵電極與該外部電極端子重疊的區域，其外的與該第二激勵電極相向而對的區域被形成為一開口。
  4. 如請求項第1至3項中任一項所述的壓電振動元件，其中：該第一密封構件上安裝有一IC晶片，該屏蔽電極也配置在該IC晶片的一安裝端子面上。
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