JP6908068B2 - 圧電振動デバイス - Google Patents

Description

本発明は、通信機器等の各種電子機器に用いられる圧電振動デバイスに関する。

圧電振動デバイスとして、表面実装型の圧電振動子や圧電発振器が広く用いられており、例えば、圧電振動子の周波数温度特性を補償した温度補償型圧電発振器は、温度環境の変化する携帯型の通信機器の周波数源として広く用いられている。

かかる温度補償型圧電発振器では、温度センサや温度補償回路を内蔵した集積回路素子を備えており、この集積回路素子に内蔵された温度センサの検出温度に基づいて、補償電圧を発生して発振周波数を制御している（例えば、特許文献１参照）。

特開２００５−００６０３０号公報

表面実装型の温度補償型圧電発振器では、その外部接続端子が、半田等の接合材を用いて外部の回路基板に接合されて実装される。この外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品（例えばパワートランジスタ）への通電が開始されて、該電子部品が発熱すると、その熱は、当該回路基板に実装された温度補償型圧電発振器の外部接続端子へ伝導する。

温度補償型圧電発振器では、集積回路素子は、外部接続端子に内部の配線等を介して直接接続されているのに対して、圧電振動子は、内部の配線等を介して集積回路素子に接続されており、外部接続端子には、直接接続されていない。

このため、温度補償型圧電発振器の外部接続端子に伝導した外部の回路基板の熱源からの熱は、熱伝導性が良好な外部接続端子及び内部の配線等を介して
集積回路素子に迅速に伝導され、集積回路素子の温度上昇の勾配は、圧電振動子の温度上昇の勾配に比べて急となる。したがって、集積回路素子と圧電振動子との温度差が大きくなり、この温度差が縮まって、集積回路素子と圧電振動子とが熱平衡状態に達するまでの間は、正確な温度補償が困難となり、周波数変動、いわゆる周波数ドリフトが生じる。

この周波数ドリフトは、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が開始されたときに限らず、前記電子部品への通電が停止されたときにも同様に生じる。すなわち、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止されると、該電子部品からの熱が温度補償型圧電発振器へ伝導されなくなるので、温度補償型圧電発振器の温度が低下する。このとき、集積回路素子の熱が、熱伝導性の良好な内部の配線等を介して外部接続端子へ迅速に伝導されて放熱される。このため、集積回路素子の温度降下の勾配は、圧電振動子の温度降下の勾配に比べて急となる。したがって、集積回路素子と圧電振動子との温度差が大きくなり、この温度差が縮まって、集積回路素子と圧電振動子とが熱平衡状態に達するまでの間は、周波数ドリフトが生じる。

このように当該温度補償型圧電発振器が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電の開始、停止によって、周波数ドリフトが生じるので、かかる電子部品への通電の開始(オン)、停止(オフ)が、比較的頻繁に行われる電子機器では、その影響が顕著となる。

本発明は、上記のような点に鑑みてなされたものであって、当該圧電振動デバイスが搭載される外部の回路基板からの熱などによって生じる圧電振動子と集積回路素子との温度差を可及的に抑制することを目的とする。

本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。

すなわち、本発明の圧電振動デバイスは、複数の外部接続端子及び複数の実装用電極を有する圧電振動子と、前記複数の実装用電極に接続される複数の実装端子を有して、前記圧電振動子に実装される集積回路素子とを備える圧電振動デバイスであって、
前記圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記両主面の一方の主面側を覆って封止する第１封止部材と、前記圧電振動板の前記両主面の他方の主面側を覆って封止する第２封止部材とを備え、
前記第１封止部材の外面に、前記複数の実装用電極が設けられ、前記第２封止部材の外面に、前記複数の外部接続端子が設けられ、前記圧電振動子は、前記第１封止部材、前記圧電振動板、及び、前記第２封止部材を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を有しており、
前記複数の実装用電極の内、一対の実装用電極は、前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続され、残余の複数の実装用電極は、前記複数の貫通電極を介して前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されており、
前記残余の複数の各実装用電極は、前記複数の各外部接続端子と前記集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的にそれぞれ接続するものであって、かつ、前記複数の各貫通電極の周囲の各電極接続部と、前記集積回路素子の複数の各実装端子にそれぞれ接合される各端子接合部と、前記各電極接続部と前記各端子接合部とを電気的にそれぞれ接続する各配線パターンとをそれぞれ備え、
前記残余の複数の実装用電極の少なくとも１つの実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の狭窄部を有し、
前記狭窄部を有する前記配線パターンは、前記狭窄部を除いて一定幅の配線パターンであって、前記狭窄部は、前記一定幅の配線パターンの幅方向の一方側が矩形状に切り欠かれて構成されている。

本発明によれば、圧電振動板の両主面の励振電極に接続された一対の実装用電極以外の残余の複数の実装用電極は、複数の各外部接続端子と集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的に接続する配線パターンをそれぞれ備えており、少なくとも１つの実装用電極の配線パターンは、熱の伝導を妨げる幅狭の狭窄部を有しているので、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱が、当該圧電振動デバイスの外部接続端子から前記配線パターンを介して集積回路素子へ伝導する場合に、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度上昇の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。

また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止して、当該圧電振動デバイスの温度が低下する場合に、集積回路素子の熱が、前記配線パターンを介して外部接続端子に伝導して放熱されるが、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度降下の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。

更に、圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板の各主面側を、第１，第２封止部材でそれぞれ封止した三層の積層構造であるので、窪んだ収容部を有する容器内に、圧電振動片を収容して蓋で封止するパッケージ構造に比べて、薄型化（低背化）を図ることができる。

本発明の圧電振動デバイスの好ましい実施態様では、前記残余の複数の実装用電極の全ての実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の前記狭窄部を有している。

この実施態様によれば、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱が、外部接続端子から前記配線パターンを介して集積回路素子へ伝導するのを一層効果的に妨げることができ、また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止し、集積回路素子の熱が、前記配線パターンを介して外部接続端子に伝導して放熱されるのを一層効果的に妨げることができる。これによって、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制して、集積回路素子と圧電振動子とを、一層迅速に熱平衡状態にすることができる。

本発明の圧電振動デバイスでは、前記第１封止部材の外面に、前記複数の実装用電極が設けられ、前記第２封止部材の外面に、前記複数の外部接続端子が設けられ、前記圧電振動子は、前記第１封止部材、前記圧電振動板、及び、前記第２封止部材を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を有しており、前記残余の複数の実装用電極は、前記複数の貫通電極を介して前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続する。

本発明によれば、圧電振動子の一方の面を構成する第２封止部材の外面に、外部の回路基板に接合される外部接続端子が設けられ、圧電振動子の他方の面を構成する第１封止部材の外面に、集積回路素子の実装用端子が接続される実装用電極が設けられ、残余の複数の実装用電極は、第１，第２封止部材及び圧電振動板を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を介して複数の外部接続端子に電気的に接続される。

したがって、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱は、当該圧電振動デバイスの、熱伝導性の良好な外部接続端子、貫通電極、及び、残余の複数の実装用電極を介して集積回路素子の複数の実装端子に伝導することになる。この場合、その熱の伝導が、残余の複数の実装用電極の配線パターンの狭窄部によって妨げられるので、熱が、集積回路素子に迅速に伝導されなくなる。これによって、集積回路素子の温度上昇の勾配が緩やかとなり、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制して、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。

また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止して、集積回路素子の熱が、その実装端子から残余の複数の実装用電極、複数の貫通電極及び外部接続端子へ伝導されて放熱される。この場合、その熱の伝導が、残余の複数の実装用電極の配線パターンの狭窄部によって妨げられるので、集積回路素子の温度降下の勾配が緩やかとなり、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。

本発明の圧電振動デバイスの他の実施態様では、前記配線パターンの前記狭窄部が、前記電極接続部と前記端子接合部との間の配線パターンにおいて、前記端子接合部に比べて、前記電極接続部に近接した位置に形成されている。

この実施態様によれば、熱の伝導を妨げる狭窄部は、前記電極接続部と前記端子接合部との間の配線パターンにおいて、集積回路素子の実装端子に接合される端子接合部に比べて、電極接続部に近接した位置に形成されているので、集積回路素子から離れた位置で、熱の伝導を抑制することができる。

本発明の圧電振動デバイスの更に他の実施態様では、前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている。

この実施態様によると、熱の伝導を妨げる狭窄部は、集積回路素子が実装される実装領域外に形成されているので、集積回路素子が実装される実装領域外で、熱の伝導を抑制することができる。

本発明の一実施態様では、前記配線パターンの前記狭窄部の幅が、４０μｍ以下である。

この実施態様によると、配線パターンの狭窄部の幅が、４０μｍ以下であるので、熱の伝導を効果的に抑制することができる。

本発明の他の実施態様では、前記集積回路素子は、前記複数の実装端子がその外周寄りに配置されており、前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続される前記一対の実装用電極は、前記集積回路素子が実装される実装領域において、前記複数の前記実装端子よりも内方まで延出されている励振電極用配線パターンを有する。

この実施態様によると、圧電振動子の圧電振動板の両主面に電気的にそれぞれ接続されている一対の実装用電極が、集積回路素子の実装領域において、実装端子よりも内方まで延出された各励振電極用配線パターンをそれぞれ有している。これによって、集積回路素子の温度が上昇して圧電振動子よりも高温となった場合には、集積回路素子からの放熱によって加熱された各励振電極用配線パターンの熱が、圧電振動子に効率的に伝導され、集積回路素子と圧電振動子との温度差を一層迅速に縮めて熱平衡状態にすることができる。

本発明の更に他の実施態様では、前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンが、前記集積回路素子が実装される前記実装領域の中心を対称点として略点対称である。

この実施態様によると、一対の実装用電極の各励振電極用配線パターンが、実装領域の中心を対称点として略点対称であるので、集積回路素子からの放熱によって、各励振電極用配線パターンが略均等に加熱されて、その熱が、圧電振動板の両主面に伝導されるので、圧電振動板の両主面の温度をバランスよく高めることができる。

本発明によれば、圧電振動板の両主面の励振電極に接続された一対の実装用電極以外の残余の複数の実装用電極は、複数の各外部接続端子と集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的に接続する配線パターンをそれぞれ備えており、少なくとも１つの実装用電極の配線パターンは、熱の伝導を妨げる幅狭の狭窄部を有しているので、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱が、当該圧電振動デバイスの外部接続端子から前記配線パターンを介して集積回路素子へ伝導する場合に、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度上昇の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。

また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止し、集積回路素子の熱が、その実装端子から前記配線パターンを介して外部接続端子に伝導して放熱される場合に、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度降下の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。

更に、圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板の各主面側を、第１，第２封止部材でそれぞれ封止した三層の積層構造であるので、窪んだ収容部を有する容器内に、圧電振動片を収容して蓋で封止するパッケージ構造に比べて、薄型化（低背化）を図ることができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。 図２は、図１の水晶振動板の一方の主面側を示す概略平面図である。 図３は、図１の水晶振動板の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。 図４は、図１の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図５は、図１の第１封止部材の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。 図６は、図１の第２封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図７は、図１の第２封止部材の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。 図８は配線の長さと熱伝導時間との関係のシミュレーション結果を示す図である。 図９は配線の幅と熱伝導時間との関係のシミュレーション結果を示す図である。 図１０は、本発明の他の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。 図１１は、図１０の実施形態の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図１２は、本発明の他の実施形態の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図１３は、参考例の温度補償型水晶発振器の概略構成図である。 図１４は、図１３の参考例の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図１５は、図１４の配線パターンの狭窄部の参考例を示す図である。

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態では、圧電振動デバイスとして温度補償型水晶発振器に適用して説明する。

[第１実施形態]
図１は、本発明の一実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。

この実施形態の温度補償型水晶発振器１は、水晶振動子２と、この水晶振動子２に実装された集積回路素子としてのＩＣ３とを備えている。

水晶振動子２は、圧電振動板である水晶振動板４と、水晶振動板４の一方の主面側を覆って気密に封止する第１封止部材５と、水晶振動板４の他方の主面側を覆って気密に封止する第２封止部材６とを備えている。

この水晶振動子２では、水晶振動板４の両主面側に、第１，第２封止部材５，６がそれぞれ接合されて、いわゆるサンドイッチ構造のパッケージが構成される。この水晶振動子２のパッケージは、直方体であって、平面視矩形である。この実施形態の水晶振動子２のパッケージサイズは、平面視で、例えば、１．０ｍｍ×０．８ｍｍであり、小型化及び低背化を図っている。

なお、パッケージサイズは、上記に限定されるものではなく、異なるサイズであっても適用可能である。

水晶振動子２に実装されるＩＣ３は、発振回路、温度センサ及び温度補償回路を１チップ化した外形が直方体の集積回路素子である。

次に、水晶振動子２を構成する水晶振動板４及び第１，第２封止部材５，６の各構成について説明する。

図２は水晶振動板４の一方の主面側を示す概略平面図であり、図３は水晶振動板４の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。

以下では、説明の便宜上、ＩＣ３に近い側（図１において上側）の一方の主面を表面、ＩＣ３から遠い側（図１において下側）の他方の主面を裏面として説明する。すなわち、図２は水晶振動板４の表面側を示す概略平面図であり、図３は水晶振動板４の表面側から透視した裏面側を示す概略平面図である。

この実施形態の水晶振動板４は、ＡＴカット水晶板であり、その表裏の両主面が、ＸＺ´平面である。

水晶振動板４は、略矩形の振動部４１と、この振動部４１の周囲を、空間（隙間）４２を挟んで囲む枠部４３と、振動部４１と枠部４３とを連結する連結部４４とを備えている。振動部４１、枠部４３及び連結部４４は、一体的に形成されている。図示していないが、振動部４１及び連結部４４は、枠部４３に比べて薄く形成されている。

振動部４１の表裏の両主面には、一対の第１，第２励振電極４５，４６がそれぞれ形成されている。第１，第２励振電極４５，４６からは、第１，第２引出し電極４７，４８がそれぞれ引出されている。表面側の第１引出し電極４７は、連結部４４を経て枠部４３に形成された接続用接合パターン４０１まで引出されている。裏面側の第２引出し電極４８は、連結部４４を経て枠部４３に形成された接続用接合パターン４０２まで引出されている。この接続用接合パターン４０２は、平面視矩形の水晶振動板４の短辺に沿って延びて、後述の第５貫通電極４１５の周囲に達している。

この実施形態では、振動部４１を、一箇所の連結部４４によって連結しているので、２箇所以上連結部４４で連結する構成に比べて、振動部４１に作用する応力を低減することができる。

水晶振動板４の表裏の各主面には、水晶振動板４を、第１，第２封止部材５，６にそれぞれ接合するための第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４が、枠部４３の全周に亘って、水晶振動板４の四隅を除いてその外周縁に略沿うように環状にそれぞれ形成されている。第１封止部材５の裏面には、図５に示すように水晶振動板４の表面の第１封止用接合パターン４０３に対応する第１封止用接合パターン５１が形成されている。また、第２封止部材６の表面には、図６に示すように水晶振動板４の裏面の第２封止用接合パターン４０４に対応する第２封止用接合パターン６１が形成されている。

後述のように、第１封止部材５、水晶振動板４及び第２封止部材６が重ね合わされて、第１封止部材５及び水晶振動板４の環状の第１封止用接合パターン５１，４０３同士が拡散接合されると共に、水晶振動板４及び第２封止部材６の環状の第２封止用接合パターン４０４，６１同士が拡散接合される。これによって、水晶振動板４の表裏両面が、第１，第２封止部材５，６によって封止されて、水晶振動板４の振動部４１が収容された収容空間が構成される。

このように水晶振動板４及び第１，２封止部材５，６の３枚の水晶板を積層して、振動部４１を収容したパッケージが構成されるので、収容空間となる凹部を有するセラミック製の容器内に、水晶振動片を収容して蓋を接合して封止する構成の水晶振動子に比べて、薄型化（低背化）を図ることができる。

水晶振動板４には、図２，図３に示すように、表裏の両主面間を貫通する５つの第１〜第５貫通電極４１１〜４１５が形成されている。各貫通電極４１１〜４１５は、貫通孔の内壁面に金属膜が被着されて構成されている。第１〜第４貫通電極４１１〜４１４は、環状の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４の外側の水晶振動板４の四隅に形成されている。第５貫通電極４１５は、環状の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４の内側であって、平面視矩形の水晶振動板４の一方の短辺寄りの枠部４３に形成されている。

水晶振動板４の表面の四隅の各貫通電極４１１〜４１４の周囲であって、環状の第１封止用接合パターン４０３の外側には、各接続用接合パターン４２１〜４２４がそれぞれ形成されている。各貫通電極４１１〜４１４は、各接続用接合パターン４２１〜４２４にそれぞれ電気的に接続されている。

水晶振動板４の裏面の四隅の各貫通電極４１１〜４１４の周囲であって、環状の第２封止用接合パターン４０４の外側には、各接続用接合パターン４３１〜４３４がそれぞれ形成されている。各貫通電極４１１〜４１４は、各接続用接合パターン４３１〜４３４にそれぞれ電気的に接続されている。

第１封止部材５及び第２封止部材６には、水晶振動板４の第１〜第４貫通電極４１１〜４１４にそれぞれ対応する第１〜第４貫通電極５０１〜５０４及び第１〜第４貫通電極６０１〜６０４が、後述のようにそれぞれ形成されている（図５，図６参照）。

水晶振動板４の表面の第５貫通電極４１５の周囲には、図２に示すように、接続用接合パターン４２５が形成されている。第５貫通電極４１５と接続用接合パターン４２５は電気的に接続されている。

水晶振動板４の裏面の第５貫通電極４１５の周囲には、図３に示すように、第２励振電極４６から引出された引出し電極４８に接続されている接続用接合パターン４０２が延出されている。第５貫通電極４１５は、接続用接合パターン４０２に電気的に接続されており、したがって、第５貫通電極４１５は、第２励振電極４６に電気的に接続されている。

水晶振動板４の表面には、図２に示すように、振動部４１を挟んで水晶振動板４の長辺方向（図２の左右方向）の一方側に、第５貫通電極４１５の周囲の接続用接合パターン４２５及び第１引出し電極４７に連なる接続用接合パターン４０１が形成され、前記長辺方向の他方側には、二つの接続用接合パターン４４１，４４２が形成されている。

これら接続用接合パターン４２５，４０１；４４１，４４２は、水晶振動板４の長辺方向の中心線ＣＬに略対称に形成されている。また、接続用接合パターン４２５，４４１と、接続用接合パターン４０１，４４２とは、水晶振動板４の短辺方向の中心線に略対称に形成されている。すなわち、これら接続用接合パターン４２５，４０１，４４１，４４２は、水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に略対称に形成されている。

水晶振動板４の表面の四隅の各貫通電極４１１〜４１４の周囲の各接続用接合パターン４２１〜４２４も水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。

このように接続用接合パターン４２５，４０１，４４１，４４２；４２１〜４２４を、水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に略対称又は対称に形成しているので、拡散接合する際に加わる押圧力を均等にすることができる。

水晶振動板４の表面と同様に、水晶振動板４の裏面には、振動部４１を挟んで水晶振動板４の長辺方向（図３の左右方向）の一方側に、第５貫通電極４１５の周囲まで延出されている接続用接合パターン４０２が形成され、前記長辺方向の他方側には、二つの接続用接合パターン４５１，４５２が形成されている。これら接続用接合パターン４０２，４５１，４５２も水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に略対称に形成されている。

また、水晶振動板４の裏面の四隅の各貫通電極４１１〜４１４の周囲の各接続用接合パターン４３１〜４３４も水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。

水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６、第１，第２引出し電極４７，４８、第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４、及び、接続用接合パターン４０１，４０２，４２１〜４２５，４３１〜４３４，４４１，４４２，４５１，４５２は、例えば、ＴｉまたはＣｒからなる下地層上に、例えば、Ａｕが積層形成されて構成されている。

図４は第１封止部材５の表面側を示す概略平面図であり、図５は第１封止部材５の表面側から透視した裏面側を示す概略平面図である。

第１封止部材５は、水晶振動板４と同様のＡＴカット水晶板からなる直方体の基板である。この第１封止部材５の裏面には、図５に示すように水晶振動板４の表面の第１封止用接合パターン４０３に接合して封止するための第１封止用接合パターン５１が、第１封止部材５の全周に亘って、第１封止部材５の四隅を除いてその外周縁に略沿うように環状に形成されている。

第１封止部材５には、その表裏の両主面間を貫通する６つの第１〜第６貫通電極５０１〜５０６が形成されている。各貫通電極５０１〜５０６は、貫通孔の内壁面に金属膜が被着されて構成されている。第１〜第４貫通電極５０１〜５０４は、水晶振動板４の第１〜第４貫通電極４１１〜４１４と同様に、平面視矩形の第１封止部材５の四隅に形成されている。第５貫通電極５０５は、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４４１に対応するように、環状の第１封止用接合パターン５１の内側であって、第１封止部材５の一方の短辺寄りに形成されている。第６貫通電極５０６は、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４０１に対応するように、環状の第１封止用接合パターン５１の内側であって、他方の短辺寄りに形成されている。

第１封止部材５の裏面の四隅の各貫通電極５０１〜５０４の周囲には、図５に示すように、接続用接合パターン５１１〜５１４がそれぞれ形成されている。各貫通電極５０１〜５０４は、各接続用接合パターン５１１〜５１４にそれぞれ電気的に接続されている。

第１封止部材５の裏面の第５貫通電極５０５の周囲には、接続用接合パターン５１５が形成されており、第５貫通電極５０５は、この接続用接合パターン５１５に電気的に接続されている。この接続用接合パターン５１５とは、第１封止部材５の長辺方向（図５の左右方向）の反対側に、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４２５に対応するように、接続用接合パターン５１８が形成されている。この接続用接合パターン５１８と、第５貫通電極５０５の周囲の接続用接合パターン５１５とは、接続用配線パターン５１９によって電気的に接続されている。したがって、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８は、第１封止部材５の第５貫通電極５０５に電気的に接続されている。

この第１封止部材５の接続用接合パターン５１８は、後述のように、水晶振動板４の表面の第５貫通電極４１５の周囲の接続用接合パターン４２５に拡散接合されるので、水晶振動板４の第５貫通電極４１５に電気的に接続される。この水晶振動板４の第５貫通電極４１５は、上記のように、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６に電気的に接続されているので、第１封止部材５の接続用接合パターン５１８は、水晶振動板４の第２励振電極４６に電気的に接続されることになる。この第１封止部材５の接続用接合パターン５１８は、接続用配線パターン５１９を介して第５貫通電極５０５の周囲の接続用接合パターン５１５に電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６は、水晶振動板４の第５貫通電極４１５、第１封止部材５の接続用接合パターン５１８、接続用配線パターン５１９、及び、接続用接合パターン５１５を介して第１封止部材５の第５貫通電極５０５に電気的に接続されることになる。

第１封止部材５の裏面の第６貫通電極５０６の周囲には、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４０１に対応する接続用接合パターン５１６が形成されている。第６貫通電極５０６は、この接続用接合パターン５１６に電気的に接続されている。この接続用接合パターン５１６とは、第１封止部材５の長辺方向（図５の左右方向）の反対側に、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４４２に対応するように、接続用接合パターン５１７が形成されている。

第１封止部材５の接続用接合パターン５１６は、後述のように、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４０１に拡散接合されるので、この接続用接合パターン４０１及び第１引出し電極４７を介して第１励振電極４５に電気的に接続される。すなわち、第１封止部材５の第６貫通電極５０６は、水晶振動板４の第１励振電極４５に電気的に接続される。

第１封止部材５では、水晶振動板４と同様に、拡散接合する際に加わる押圧力を均等にできるように、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１５〜５１８は、第１封止部材５の長辺方向及び短辺方向に略対称に形成されている。また、第１封止部材５の裏面の四隅の各貫通電極５０１〜５０４の周囲の各接続用接合パターン５１１〜５１４も第１封止部材５の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。

第１封止部材５の表面は、ＩＣ３が実装される面である。第１封止部材５の表面を示す図４においては、仮想線によって、第１封止部材５に実装されるＩＣ３の平面視矩形の外形、及び、ＩＣ３の６つの第１〜第６実装端子３１〜３６の外形を示している。

この図４に示されるように、第１封止部材５の表面には、ＩＣ３の第１〜第６実装端子３１〜３６がそれぞれ接続される第１〜第６実装用電極５２１〜５２６が形成されている。

第１〜第６実装用電極５２１〜５２６は、ＩＣ３が実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓにおいて、ＩＣ３の各実装端子３１〜３６がそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１〜第６端子接合部５３１〜５３６を備えている。更に、第１〜第６実装用電極５２１〜５２６は、実装領域Ｓの前記第１〜第６端子接合部５３１〜５３６から実装領域Ｓ外に延びて、各貫通電極５０１，５０５，５０２，５０３，５０６，５０４にそれぞれ電気的に接続される第１〜第６電極接続部５４１〜５４６を備えている。

ＩＣ３は、図１に示されるように、金属部材としての金属バンプ（例えばＡｕバンプ等）７を用いて第１封止部材５の表面に、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接合される。金属バンプ７に代えて、金属メッキや金属ペーストを用いて接合してもよい。

ＩＣ３と第１封止部材５との間には、ＩＣ３の能動面を保護すると共に、機械的接合強度を確保するために、封止樹脂としてのアンダーフィル樹脂８が充填される。

第１封止部材５の第１封止用接合パターン５１、接続用接合パターン５１１〜５１８、接続用配線パターン５１９、及び、第１〜第６実装用電極５２１〜５２６は、水晶振動板４の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４等と同様に、例えば、ＴｉまたはＣｒからなる下地層上に、例えば、Ａｕが積層形成されて構成されている。

この第１封止部材５の表面の他の構成については、後述する。

図６は第２封止部材６の表面側を示す概略平面図であり、図７は第２封止部材６の表面側から透視した裏面側を示す概略平面図である。

第２封止部材６は、水晶振動板４や第１封止部材５と同様のＡＴカット水晶板からなる直方体の基板である。

第２封止部材６の表面には、図６に示すように、水晶振動板４の裏面の第２封止用接合パターン４０４に接合して封止するための第２封止用接合パターン６１が、第２封止部材６の全周に亘って、第２封止部材４の四隅を除いてその外周縁に略沿うように環状にそれぞれ形成されている。

第２封止部材６には、その表裏の両主面間を貫通する４つの第１〜第４貫通電極６０１〜６０４が形成されている。各貫通電極６０１〜６０４は、貫通孔の内壁面に金属膜が被着されて構成されている。第１〜第４貫通電極６０１〜６０４は、水晶振動板４の第１〜第４貫通電極４１１〜４１４と同様に、平面視矩形の第２封止部材６の矩形の四隅に形成されている。第２封止部材６の表面の四隅の各貫通電極６０１〜６０４の周囲には、図６に示すように、接続用接合パターン６１１〜６１４がそれぞれ形成されている。各貫通電極６０１〜６０４は、各接続用接合パターン６１１〜６１４にそれぞれ電気的に接続されている。

第２封止部材６の環状の第２封止用接合パターン６１の内側の各短辺寄りには、それぞれ二つずつ、合計四つの接続用接合パターン６２１，６２２；６２３，６２４が、水晶振動板４の裏面の接続用接合パターン４５１，４５２，４０２に対応するようにそれぞれ形成されている。

第２封止部材６では、水晶振動板４と同様に、拡散接合する際に加わる押圧力を均等にできるように、第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６２１，６２２，６２３，６２４及び四隅の接続用接合パターン６１１〜６１４は、第２封止部材６の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。

第２封止部材６の裏面には、図７に示すように、当該温度補償型水晶発振器１を、外部の回路基板に実装するための４つの第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４が設けられている。

この例では、第１外部接続端子６３１は、電源用の外部接続端子であり、第２外部接続端子６３２は、発振出力用の外部接続端子であり、第３外部接続端子６３３は、制御電圧入力用の外部接続端子であり、第４外部接続端子６３４はグランド（接地）用の外部接続端子である。

第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４は、平面視矩形の第２封止部材６の四つの角部にそれぞれ配置されている。各外部接続端子６３１〜６３４が設けられている領域には、第１〜第４貫通電極６０１〜６０４がそれぞれ形成されており、各貫通電極６０１〜６０４は、各外部接続端子６３１〜６３４にそれぞれ電気的に接続されている。

第２封止部材６の第２封止用接合パターン６１、接続用接合パターン６１１〜６１４，６２１〜６２４、及び、第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４は、水晶振動板４の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４等と同様に、例えば、ＴｉまたはＣｒからなる下地層上に、例えば、Ａｕが積層形成されて構成されている。

この実施形態では、水晶振動子２は、従来技術のような接着剤等の接合専用材を用いることなく、水晶振動板４と第１封止部材５とが、それぞれの第１封止用接合パターン４０３，５１を重ね合わせた状態で拡散接合されると共に、水晶振動板４と第２封止部材６とが、それぞれの第２封止用接合パターン４０４，６１を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図１に示すサンドイッチ構造のパッケージが製造される。これによって、水晶振動板４の振動部４１が収容された収容空間が、両封止部材５，６によって気密に封止される。

この場合、水晶振動板４の第１封止用接合パターン４０３と、第１封止部材５の第１封止用接合パターン５１との拡散接合によって、接合材が生成されて接合され、また、水晶振動板４の第２封止用接合パターン４０４と、第２封止部材６の第２封止用接合パターン６１との拡散接合によって、接合材が生成されて接合される。

この拡散接合を、加圧した状態で行うことによって、接合材の接合強度を向上させることが可能である。

また、この拡散接合の際に、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合され、拡散接合によって生成された接合材によって接合される。

具体的には、水晶振動板４の表面の四隅の接続用接合パターン４２１〜４２４と第１封止部材５の裏面の四隅の接続用接合パターン５１１〜５１４とが拡散接合される。水晶振動板４の表面の環状の第１封止用接合パターン４０３の内側の一方の短辺寄りの接続用接合パターン４４１，４４２と第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１５，５１７とが拡散接合されると共に、水晶振動板４の表面の環状の第１封止用接合パターン４０３の内側の他方の短辺寄りの接続用接合パターン４２５，４０１と第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８，５１６とが拡散接合される。

更に、水晶振動板４の裏面の四隅の接続用接合パターン４３１〜４３４と第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６１１〜６１４とが拡散接合される。水晶振動板４の裏面の環状の第２封止用接合パターン４０４の内側の一方の短辺寄りの接続用接合パターン４５１，４５２と第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６２１，６２２とが拡散接合されると共に、水晶振動板４の裏面の環状の第２封止用接合パターン４０４の内側の他方の短辺寄りの接続用接合パターン４０２と第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６２３，６２４とが拡散接合される。

上記の拡散接合によって、第２封止部材６の裏面の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４に電気的に接続されている第１〜第４貫通電極６０１〜６０４は、第２封止部材６の表面の各接続用接合パターン６１１〜６１４と水晶振動板４の裏面の各接続用接合パターン４３１〜４３４との拡散接合によって生成される接合材によって水晶振動板４の第１〜第４貫通電極４１１〜４１４に電気的に接続される。

水晶振動板４の第１〜第４貫通電極４１１〜４１４は、水晶振動板４の表面の各貫通電極４１１〜４１４の周囲の各接続用接合パターン４２１〜４２４と、第１封止部材５の裏面の各接続用接合パターン５１１〜５１４との拡散接合によって生成される接合材によって第１封止部材５の第１〜第４貫通電極５０１〜５０４に電気的に接続される。

したがって、第２封止部材６の裏面の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４は、第２封止部材６の第１〜第４貫通電極６０１〜６０４を介して水晶振動板４の第１〜第４貫通電極４１１〜４１４に電気的にそれぞれ接続され、更に、第１〜第４貫通電極４１１〜４１４を介して第１封止部材５の第１〜第４貫通電極５０１〜５０４に電気的にそれぞれ接続される。

第１封止部材５の第１〜第４貫通電極５０１〜５０４は、図４に示すように、第１封止部材５の表面の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１，５２３，５２４，５２６の各電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６にそれぞれ電気的に接続されているので、第２封止部材６の裏面の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４は、第１封止部材５の表面の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１，５２３，５２４，５４６の各電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６にそれぞれ電気的に接続される。

図２に示される水晶振動板４の表面の第１励振電極４５に、第１引出し電極４７を介して接続されている接続用接合パターン４０１は、図５に示される第１封止部材５の裏面の第６貫通電極５０６の周囲の接続用接合パターン５１６との拡散接合によって生成される接合材によって、第１封止部材５の第６貫通電極５０６に電気的に接続される。第１封止部材５の第６貫通電極５０６は、図４に示すように、第１封止部材５の表面の第５実装用電極５２５の第５電極接続部５４５に電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の第１励振電極４５は、第１封止部材５の第６貫通電極５０６を介して第１封止部材５の第５実装用電極５２５の第５電極接続部５４５に電気的に接続される。

図３に示される水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６に、第２引出し電極４８及び接続用接合パターン４０２を介して電気的に接続されている第５貫通電極４１５は、図２に示される水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４２５に電気的に接続されている。この水晶振動板４の接続用接合パターン４２５と、図５に示される第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８との拡散接合によって生成される接合材によって、水晶振動板４の第５貫通電極４１５が、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８に電気的に接続される。この第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８は、接続用配線パターン５１９を介して第５貫通電極５０５の周囲の接続用接合パターン５１５に接続されている。この第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１５は、第５貫通電極５０５に電気的に接続されており、この第５貫通電極５０５は、図４に示すように、第１封止部材５の表面の第２実装用電極５２２の第２電極接続部５４２に電気的に接続されている。

したがって、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６は、水晶振動板４の第５貫通電極４１５、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８、接続用配線パターン５１９、接続用接合パターン５１５、及び、第１封止部材５の第５貫通電極５０５を介して第１封止部材５の表面の第２実装用電極５２２の第２電極接続部５４２に電気的に接続される。

以上のような構成を有する表面実装型の温度補償型水晶発振器１では、図１に示される水晶振動子２の裏面側である第２封止部材６の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４が、半田等の接合材によって、図示しない外部の回路基板に接合されて実装される。

この外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品（例えばパワートランジスタ）への通電が開始されて、該電子部品が発熱すると、その熱は、当該回路基板に実装された温度補償型圧水晶発振器１の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４へ伝導する。

ＩＣ３は、上記のように、第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４に、内部の配線の一部を構成する第１〜第４貫通電極６０１〜６０４，４１１〜４１４，５０１〜５０４等を介して直接接続されているのに対して、水晶振動子２の第１，第２励振電極４５，４６は、ＩＣ３に接続されており、第２封止部材６の裏面の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４には直接接続されていない。

このため、回路基板に実装されている熱源となる電子部品の発熱による熱は、温度補償型水晶発振器１に伝導し、更に、熱伝導性の良好な第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４及び第１〜第４貫通電極６０１〜６０４，４１１〜４１４，５０１〜５０４等を介してＩＣ３に迅速に伝導されることになる。このため、ＩＣ３の温度上昇の勾配は、水晶振動子２の温度上昇の勾配に比べて急となる。したがって、水晶振動子２とＩＣ３との温度差が大きくなり、この温度差が縮まって、水晶振動子２とＩＣ３とが熱平衡状態に達するまでの間は、正確な温度補償が困難となり、周波数変動、いわゆる周波数ドリフトが生じる。

この周波数ドリフトは、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された場合にも同様に生じる。すなわち、外部の回路基板に実装されている前記電子部品への通電が停止されると、該電子部品からの熱が温度補償型水晶発振器１へ伝導されなくなるので、温度補償型水晶発振器１の温度が低下するが、このとき、ＩＣ３の熱が、水晶振動子２に比べて、熱伝導性の良好な第１〜第４貫通電極６０１〜６０４，４１１〜４１４，５０１〜５０４等を介して第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４へ迅速に伝導されて放熱される。このため、ＩＣ３の温度降下の勾配は、水晶振動子２の温度降下の勾配に比べて急となる。したがって、水晶振動子２とＩＣ３との温度差が大きくなり、周波数ドリフトが生じる。

この実施形態では、このような周波数ドリフトの発生を抑制するために、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電の開始、停止によって生じるＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制し、ＩＣ３と水晶振動子２とが、迅速に熱平衡状態となるように構成している。

すなわち、この実施形態では、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電の開始あるいは停止によって生じるＩＣ３の温度上昇の勾配あるいは温度降下の勾配を緩やかにし、ＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制している。

具体的には、図４に示される、第１封止部材５の表面の第１〜第６実装電極５２１〜５２６の内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２，５２５を除く残余の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１，５２３，５２４，５２６は、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４の周囲の第１，第３，第４，第６電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６と、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６が接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１，５３３，５３４，５３６とを電気的に接続する第１〜第４配線パターン５７１〜５７４を有している。各配線パターン５７１〜５７４は、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４をそれぞれ有している。各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４は、各配線パターン５７１〜５７４の一側が矩形状に切り欠かれた形状となっている。

各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４の配線の幅は、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下であり、この実施形態では、４０μｍ以下としている。

ここで、熱伝導速度が、配線の長さ及び幅によって、どのように変化するかについて行ったシミュレーションの結果について説明する。

このシミュレーションでは、２つのブロックを配線で接続し、一方のブロックの外側面の温度を、１℃に固定したときに、他方のブロックの外側面の温度が０．９℃に到達するまでの時間を、前記配線の長さを変化させた場合、及び、配線の幅を変化させた場合のそれぞれについて算出した。

図８は、配線の長さを変化させた場合に、他方のブロックの外側面の温度が０．９℃に到達するまでの時間の変化を示す図であり、横軸が配線の長さを、縦軸が時間をそれぞれ示している。また、図９は、配線の幅を変化させた場合に、他方のブロックの外側面の温度が０．９℃に到達するまでの時間の変化を示す図であり、横軸が配線の幅を、縦軸が時間をそれぞれ示している。

２つのブロックを接続する配線の長さが長い程、配線の幅が狭い程、他方のブロックの外側面の温度が、０．９℃に到達するまでの時間が長くなることが分る。

図９に示されるように、配線の幅は、４０μｍ程度までは、狭くなっても時間にあまり差はないが、４０μｍ程度よりも狭くなると、時間が急激に長くなり、約３倍程度になっている。

この実施形態では、上記のように、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４の周囲の第１，第３，第４，第６電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６と、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６が接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１，５３３，５３４，５３６とを接続する第１〜第４配線パターン５７１〜５７４は、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４を有している。この狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４によって、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４と、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６が接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１，５３３，５３４，５３６との間の熱の伝導を妨げることができる。

したがって、当該温度補償型水晶発振器１が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始されて、該電子部品が発熱し、その熱が、温度補償型圧水晶発振器１に伝導し、更に、第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４、第１〜第４貫通電極６０１〜６０４，４１１〜４１４，５０１〜５０４、及び、第１〜第４配線パターン５７１〜５７４を介してＩＣ３に伝導される場合に、第１〜第４配線パターン５７１〜５７４の各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４によって、ＩＣ３への熱の伝導を抑制することができる。これによって、ＩＣ３の温度上昇の勾配は、緩やかとなり、ＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制することができ、迅速にＩＣ３と水晶振動板４とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。

また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された場合に、電子部品からの熱が温度補償型水晶発振器１へ伝導されなくなるので、温度補償型水晶発振器１の温度が低下する。このとき、ＩＣ３の熱が、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６から、第１〜第４配線パターン５７１〜５７４、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４，４１１〜４１４，６０１〜６０４を介して第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４へ伝導されて放熱されるが、この場合、第１〜第４配線パターン５７１〜５７４の各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４によって、ＩＣ３からの熱が、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４へ伝導するのを抑制することができる。これによって、ＩＣ３の温度降下の勾配は、緩やかとなり、ＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制することができ、迅速にＩＣ３と水晶振動板４とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。

上記実施形態では、第１〜第４配線パターン５７１〜５７４の全ての配線パターン５７１〜５７４が狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４をそれぞれ有しているが、本発明の他の実施形態として、少なくともいずれか１つの配線パターンが狭窄部を有する構成としてもよい。

[第２実施形態]
図１０は、本発明の他の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図であり、上記図１に対応する概略構成図であり、図１１は、温度補償型水晶発振器１ａの水晶振動子２ａの第１封止部材５ａの表面側を示す概略平面図であり、上記図４に対応する図であり、上記第１実施形態と同一又は対応する部分には、同一又は対応する参照符号を付す。

この実施形態では、ＩＣ３ａ及び第１封止部材５ａの表面の電極のパターン以外、すなわち、第１封止部材５ａの裏面、水晶振動板４及び第２封止部材６は、上記図２、図３、図５〜図７に示される上記第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。

この実施形態では、ＩＣ３ａの第１封止部材５ａに対する実装方向が、上記第１実施形態と異なると共に、それに応じて、第１封止部材５ａの電極のパターンが異なる。すなわち、上記第１実施形態では、図４に示すように、ＩＣ３は、その長辺方向が第１封止部材５の長辺方向に直交するように実装されていたのに対して、この実施形態では、図１１に示されるように、ＩＣ３ａは、その長辺方向と第１封止部材５ａの長辺方向とが同一方向に沿うように実装されている。

第１封止部材５ａの表面を示す図１１においては、仮想線によって、第１封止部材５ａに実装されるＩＣ３ａの平面視矩形の外形、ＩＣ３ａの６つの第１〜第６実装端子３１ａ〜３６ａ、及び、ＩＣ３ａに内蔵されている温度センサ３０１ａの外形を示している。

この図１１に示されるように、第１封止部材５ａの表面には、ＩＣ３ａの第１〜第６実装端子３１ａ〜３６ａがそれぞれ接続される第１〜第６実装用電極５２１ａ〜５２６ａが形成されている。

第１〜第６実装用電極５２１ａ〜５２６ａは、ＩＣ３ａが実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓａにおいて、ＩＣ３ａの各実装端子３１ａ〜３６ａがそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１〜第６端子接合部５３１ａ〜５３６ａを備えている。更に、第１〜第６実装用電極５２１ａ〜５２６ａは、実装領域Ｓａの前記第１〜第６端子接合部５３１ａ〜５３６ａから実装領域Ｓａ外に延びて、各貫通電極５０１，５０５，５０３，５０２，５０６，５０４にそれぞれ電気的に接続される第１〜第６電極接続部５４１ａ〜５４６ａを備えている。

第１封止部材５ａの表面の第１〜第６実装電極５２１ａ〜５２６ａの内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａを除く残余の第１，第４，第３，第６実装用電極５２１ａ，５２４ａ，５２３ａ，５２６ａは、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４の周囲の第１，第４，第３，第６電極接続部５４１ａ，５４４ａ，５４３ａ，５４６ａと、ＩＣ３ａの第１，第４，第３，第６実装端子３１ａ，３４ａ，３３ａ，３６ａが接合される第１，第４，第３，第６端子接合部５３１ａ，５３４ａ，５３３ａ，５３６ａとを電気的に接続する第１〜第４配線パターン５７１ａ〜５７４ａをそれぞれ有している。各配線パターン５７１ａ〜５７４ａは、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１ａ，５７２２ａ，５７３３ａ，５７４４ａをそれぞれ有している。

このように第１封止部材５ａの第１〜第４貫通電極５０１〜５０４の周囲の第１，第４，第３，第６電極接続部５４１ａ，５４４ａ，５４３ａ，５４６ａ
と、ＩＣ３ａの第１，第４，第３，第６実装端子３１ａ，３４ａ，３３ａ，３６ａが接合される第１，第４，第３，第６端子接合部５３１ａ，５３４ａ，５３３ａ，５３６ａとを接続する第１〜第４配線パターン５７１ａ〜５７４ａは、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１ａ，５７２２ａ，５７３３ａ，５７４４ａを有しているので、この狭窄部５７１１ａ，５７２２ａ，５７３３ａ，５７４４ａによって、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４と、ＩＣ３ａの第１，第４，第３，第６実装端子３１ａ，３４ａ，３３ａ，３６ａが接合される第１，第４，第３，第６端子接合部５３１ａ，５３４ａ，５３３ａ，５３６ａとの間の熱の伝導を妨げることができる。

これによって、上記第１実施形態と同様に、当該温度補償型水晶発振器１ａが実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始された際のＩＣ３ａの温度上昇の勾配を緩やかとし、また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された際のＩＣ３ａの温度降下の勾配を緩やかとすることができる。これによって、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとの温度差を抑制して、迅速にＩＣ３ａと水晶振動子２ａとを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。

この実施形態では、上記第１実施形態と同様に、水晶振動板４の第１励振電極４５に電気的に接続されている第１封止部材５ａの第６貫通電極５０６は、第５実装用電極５２５ａの第５電極接続部５４５ａに電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の第１励振電極４５は、第１封止部材５ａの第６貫通電極５０６を介して第１封止部材５ａの第５実装用電極５２５ａの第５電極接続部５４５ａに電気的に接続される。

上記第１実施形態と同様に、水晶振動板４の第２励振電極４６に電気的に接続されている第１封止部材５ａの第５貫通電極５０５は、第２実装用電極５２２ａの第２電極接続部５４２ａに電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６は、第１封止部材５ａの第５貫通電極５０５を介して第１封止部材５ａの表面の第２実装用電極５２２ａの第２電極接続部５４２ａに電気的に接続される。

この実施形態では、ＩＣ３ａの温度が、水晶振動子２ａの温度よりも高温になった場合に、その温度差をなくして、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとが、迅速に熱平衡状態となるように次のように構成している。

図１１に示されるように、ＩＣ３ａの第１〜第６実装端子３１ａ〜３６ａは、平面視矩形のＩＣ３ａの外周寄りに配置されている。具体的には、第１〜第６実装端子３１ａ〜３６ａは、矩形の二組の対向辺の内の一方の組の対向辺である各長辺寄りの位置に、長辺に沿って、二列に配置されている。前記一方の組の対向辺は、「長辺」に代えて「短辺」としてもよい。

この実施形態では、第１封止部材５ａの表面に形成されている第１〜第６実装用電極５２１ａ〜５２６ａの内、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａは、ＩＣ３ａが実装される平面視矩形の実装領域Ｓａの内方に延出されている励振電極用配線パターンとして、第５配線パターン５６５及び第６配線パターン５６６をそれぞれ有している。各配線パターン５６５，５６６は、実装領域Ｓａに実装されるＩＣ３ａとの対向面積を大きくするために、幅広に形成されている。

第５，第６配線パターン５６５，５６６は、矩形の実装領域Ｓａにおいて、ＩＣ３ａの二列に配置されている第１〜第３実装端子３１ａ〜３３ａと第４〜第６実装端子３４ａ〜３６ａとの間を、ＩＣ３ａの長辺方向（図１１の左右方向）に沿って延出し、中央付近で、第２，第５実装端子３２ａ，３５ａ側へそれぞれ斜めに屈曲して延びている。第５配線パターン５６５は、ＩＣ３ａに内蔵された温度センサ３０１ａを、実装領域Ｓａに投影した矩形の投影領域と完全に重なるように延びている。

このように、ＩＣ３ａが実装される実装領域Ｓａには、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａの幅広の第５，第６配線パターン５６５，５６６が、ＩＣ３ａに対向するように形成されている。

ＩＣ３ａが水晶振動子２ａより高温となって、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとの間に温度差が生じると、ＩＣ３ａからの放熱によって、その直下のＩＣ３ａに対向する第５，第６配線パターン５６５，５６６が加熱される。

第５，第６配線パターン５６５，５６６は、第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａの各電極接続部５４２ａ，５４５ａから延出されており、各電極接続部５４２ａ，５４５ａは、第５，第６貫通電極５０５，５０６に電気的に接続されている。更に、第５貫通電極５０５は、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６に接続されている。一方、第６貫通電極５０６は、水晶振動板４の表面の第１励振電極４５に接続されている。

このように第５，第６配線パターン５６５，５６６は、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されているので、高温のＩＣ３ａからの放熱によって加熱された各配線パターン５６５，５６６の熱は、水晶振動板４の各励振電極４６，４５に伝導されて温度が高まる。

したがって、水晶振動子２ａよりも高温のＩＣ３ａは、その熱を放熱して温度が低下する一方、水晶振動子２ａには、ＩＣ３ａからの放熱によって加熱された第２，第５配線パターン５６２，５６５から熱が伝導して温度が高まり、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとの温度差を抑制して迅速に熱平衡状態となる。

これによって、ＩＣ３ａに内蔵されている温度センサ３０１ａの検出温度と、水晶振動子２ａの温度との温度差に起因する周波数変動を抑制して、正確な温度補償を行うことが可能となる。

この実施形態では、第５配線パターン５６５を有する第２実装用電極５２２ａと、第６配線パターン５６６を有する第５実装用電極５２５ａとは、平面視矩形の実装領域Ｓａの中心Ｏを対称点として点対称となるようにパターンが形成されている。これによって、第５，第６配線パターン５６５，５６６は、高温のＩＣ３ａからの放熱をバランスよく受けて、効率的に加熱される。

特に、この実施形態では、第５配線パターン５６５は、ＩＣ３ａに内蔵された温度センサ３０１ａの投影領域の全てを含むように形成されているので、ＩＣ３ａの温度センサ３０１ａの部分からの放熱によって、その直下で対向する第５配線パターン５６５が加熱され、その熱が、水晶振動子２ａの水晶振動板４に伝導することになる。これによって、ＩＣ３ａの温度センサ３０１ａの部分と水晶振動板４とを速やかに熱平衡状態とすることができ、正確な温度補償を行うことが可能となる。

その他の構成及び作用効果は、上記第１実施形態と同様である。

図１２は、本発明の他の実施形態の温度補償型水晶発振器の水晶振動子の第１封止部材５ｂの表面側を示す概略平面図であり、上記図１１に対応する図である。

なお、この実施形態では、ＩＣ３ｂ及び第１封止部材５ｂの表面の電極のパターン以外、すなわち、第１封止部材５ｂの裏面、水晶振動板４及び第２封止部材６は、図１０，図１１に示される上記実施形態と同様であり、その説明は省略する。

この実施形態では、ＩＣ３ｂの第１封止部材５ｂに対する実装方向が、図１１の上記実施形態と異なると共に、それに応じて、第１封止部材５ｂの電極のパターンが異なる。すなわち、上記実施形態では、図１１に示すように、ＩＣ３ａは、その長辺方向と第１封止部材５ａの長辺方向とが同一方向に沿うように実装されたのに対して、この実施形態では、図１２に示すように、ＩＣ３ｂは、その長辺方向が第１封止部材５ｂの長辺方向に直交するように実装されている。

第１封止部材５ｂの表面には、ＩＣ３ｂの第１〜第６実装端子３１ｂ〜３６ｂの配列に応じて、各実装端子３１ｂ〜３６ｂがそれぞれ接続される第１〜第６実装用電極５２１ｂ〜５２６ｂが形成されている。

第１〜第６実装用電極５２１ｂ〜５２６ｂは、ＩＣ３ｂが実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓｂにおいて、ＩＣ３ｂの各実装端子３１ｂ〜３６ｂがそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１〜第６端子接合部５３１ｂ〜５３６ｂを備えている。更に、第１〜第６実装用電極５２１ｂ〜５２６ｂは、実装領域Ｓｂの前記第１〜第６端子接合部５３１ｂ〜５３６ｂから実装領域Ｓｂ外に延びて、各貫通電極５０１，５０５，５０２，５０３，５０６，５０４にそれぞれ電気的に接続される第１〜第６電極接続部５４１ｂ〜５４６ｂを備えている。

第１封止部材５ｂの表面の第１〜第６実装電極５２１ｂ〜５２６ｂの内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂを除く残余の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１ｂ，５２３ｂ，５２４ｂ，５２６ｂは、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４の周囲の第１，第３，第４，第６電極接続部５４１ｂ，５４３ｂ，５４４ｂ，５４６ｂと、ＩＣ３ｂの第１，第３，第４，第６実装端子３１ｂ，３３ｂ，３４ｂ，３６ｂが接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１ｂ，５３３ｂ，５３４ｂ，５３６ｂとを電気的に接続する第１〜第４配線パターン５７１ｂ〜５７４ｂをそれぞれ有している。各配線パターン５７１ｂ〜５７４ｂは、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１ｂ，５７２２ｂ，５７３３ｂ，５７４４ｂをそれぞれ有している。

このように第１封止部材５ｂの第１〜第４貫通電極５０１〜５０４と、ＩＣ３ｂが接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１ｂ，５３３ｂ，５３４ｂ，５３６ｂとを接続する第１〜第４配線パターン５７１ｂ〜５７４ｂは、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１ｂ，５７２２ｂ，５７３３ｂ，５７４４ｂを有しているので、この狭窄部５７１１ｂ，５７２２ｂ，５７３３ｂ，５７４４ｂによって、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４と、ＩＣ３ｂの第１，第３，第４，第６実装端子３１ｂ，３３ｂ，３４ｂ，３６ｂが接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１ｂ，５３３ｂ，５３４ｂ，５３６ｂとの間の熱の伝導を妨げることができる。

これによって、上記実施形態と同様に、当該温度補償型水晶発振器が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始された際のＩＣ３ｂの温度上昇の勾配を緩やかとし、また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された際のＩＣ３ｂの温度降下の勾配を緩やかとし、ＩＣ３ｂと水晶振動子との温度差を抑制して、迅速にＩＣ３ｂと水晶振動子とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。

この実施形態では、第１封止部材５ｂの表面に形成されている第１〜第６実装用電極５２１ｂ〜５２６ｂの内、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂは、ＩＣ３ｂが実装される平面視矩形の実装領域Ｓｂの内方にそれぞれ延出されている励振電極用配線パターンとしての第５配線パターン５６５ｂ及び第６配線パターン５６６ｂをそれぞれ有している。

第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂは、ＩＣ３ｂが実装される矩形の実装領域Ｓｂにおいて、二列に配置されている第１〜第３実装端子３１ｂ〜３３ｂと、第４〜第６実装端子３４ｂ〜３６ｂとの間まで延出している。

特に、第５配線パターン５６５ｂは、ＩＣ３ｂに内蔵された温度センサ３０１ｂを、実装領域Ｓｂに投影した矩形の投影領域と完全に重なるように延びている。

上記実施形態では、図１１に示すように、第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａの第２，第５端子接合部５３２ａ，５３５ａと第２，第５電極接続部５４２ａ，５４５ａとは、離れて配置され、その間を、第５，第６配線パターン５６５，５６６によってそれぞれ電気的に接続した。

これに対して、この実施形態では、第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂの第２，第５端子接合部５３２ｂ，５３５ｂと第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂの第２，第５電極接続部５４２ｂ，５４５ｂとを、近接して配置して、それらを電気的にそれぞれ接続しているので、第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂは、第２，第５端子接合部５３２ｂ，５３５ｂと第２，第５電極接続部５４２ｂ，５４５ｂとの電気的な接続を行うのではなく、熱伝導の機能のみを有している。

この実施形態でも、第５配線パターン５６５ｂを有する第２実装用電極５２２ｂと、第６配線パターン５６６ｂを有する第５実装用電極５２５ｂとは、平面視矩形の実装領域Ｓｂの中心Ｏを対称点として点対称となるようにパターンが形成されている。

この実施形態においても、第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂは、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されているので、水晶振動子２ｂより高温となったＩＣ３ｂからの放熱によって加熱された各配線パターン５６５ｂ，５６６ｂの熱は、水晶振動板４の各励振電極４６，４５に伝導されて温度が高まる。

したがって、高温のＩＣ３ｂは、その熱を放熱して温度が低下する一方、水晶振動子には、ＩＣ３ｂからの放熱によって加熱された第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂから熱が伝導して温度が高まり、ＩＣ３ｂと水晶振動子との温度差を抑制して迅速に熱平衡状態となる。

これによって、ＩＣ３ｂの温度センサ３０１ｂの検出温度と水晶振動板４との温度差に起因する周波数変動を抑制して、正確な温度補償を行うことが可能となる。

[参考例]
図１３は、参考例の温度補償型水晶発振器の概略構成図であり、上記図１に対応する概略構成図であり、図１４は、温度補償型水晶発振器１ｃの水晶振動子２ｃの第１封止部材５ｃの表面側を示す概略平面図であり、上記図４に対応する図であり、上記第１実施形態と同一又は対応する部分には、同一又は対応する参照符号を付す。

この参考例では、ＩＣ３ｃ及び第１封止部材５ｃの表面の電極のパターン以外、すなわち、第１封止部材５ｃの裏面、水晶振動板４及び第２封止部材６は、上記図２、図３、図５〜図７に示される上記第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。

図１４に示されるように、第１封止部材５ｃの表面には、ＩＣ３ｃの第１〜第６実装端子３１ｃ〜３６ｃがそれぞれ接続される第１〜第６実装用電極５２１ｃ〜５２６ｃが形成されている。

第１〜第６実装用電極５２１ｃ〜５２６ｃは、ＩＣ３ｃが実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓｃにおいて、ＩＣ３ｃの各実装端子３１ｃ〜３６ｃがそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１〜第６端子接合部５３１ｃ〜５３６ｃを備えている。更に、第１〜第６実装用電極５２１ｃ〜５２６ｃは、実装領域Ｓｃの前記第１〜第６端子接合部５３１ｃ〜５３６ｃから実装領域Ｓｃ外に延びて、各貫通電極５０４，５０５，５０２，５０３，５０６，５０１にそれぞれ電気的に接続される第１〜第６電極接続部５４１ｃ〜５４６ｃを備えている。

矩形の実装領域Ｓｃの各短辺寄りの中央には、短辺に沿って延びる接続用接合パターン５５１，５５２がそれぞれ形成されている。

第１封止部材５ｃの第１〜第４貫通電極５０１〜５０４は、図１４に示すように、第１封止部材５ｃの表面の第６，第３，第４，第１実装用電極５２６ｃ，５２３ｃ，５２４ｃ，５２１ｃの各電極接続部５４６ｃ，５４３ｃ，５４４ｃ，５４１ｃにそれぞれ電気的に接続されているので、第２封止部材６の裏面の第１〜第４外部接続端子６３１〜６３４は、第１封止部材５ｃの表面の第６，第３，第４，第１実装用電極５２６ｃ，５２３ｃ，５２４ｃ，５２１ｃの各電極接続部５４６ｃ，５４３ｃ，５４４ｃ，５４１ｃにそれぞれ電気的に接続される。

この参考例では、ＩＣ３ｃの実装端子３１〜３６の配置の関係で、第６実装用電極５２６ｃの第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃは、離れた位置にある第６端子接合部５３６ｃに、斜めに延びる第１配線パターン５７１ｃを介して電気的に接続されている。また、第１実装用電極５２１ｃの第４貫通電極５０４の周囲の第１電極接続部５４１ｃは、離れた位置にある第１端子接合部５３１ｃに、斜めに延びる第４配線パターン５７４ｃを介して電気的に接続されている。

第１配線パターン５７１ｃは、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃの近傍で、配線の幅が他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１ｃを有している。第４配線パターン５７４ｃは、第４貫通電極５０４の周囲の第１電極接続部５４１ｃの近傍で、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７４４ｃを有している。第１，第４配線パターン５７１ｃ，５７４ｃの各狭窄部５７１１ｃ，５７４４ｃは、第６，第１端子接合部５３６ｃ，５３１ｃから延びる各配線パターン５７１ｃ，５７４ｃの幅が徐々に絞られるように形成されている。

第１封止部材５ｃの第３，第４実装用電極５２３ｃ，５２４ｃは、この第３，第４実装用電極５２３ｃ，５２４ｃ自体が、第２，第３貫通電極５０２，５０３の周囲の第３，第４電極接続部５４３ｃ，５４４ｃと、ＩＣ３ｃの第３，第４実装端子３３ｃ，３４ｃが接合される第３，第４端子接合部５３３ｃ，５３４ｃとを電気的に接続する第２，第３配線パターン５７２ｃ，５７３ｃを構成している。

第２配線パターン５７２ｃとしての第３実装用電極５２３ｃは、第３電極接続部５４３ｃと第３端子接合部５３３ｃとの略中間位置で、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７２２ｃを有している。第３配線パターン５７３ｃとしての第４実装用電極５２４ｃは、第４電極接続部５４４ｃと第４端子接合部５３４ｃとの略中間位置で、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７３３ｃを有している。第２，第３配線パターン５７２ｃ，５７３ｃの各狭窄部５７２２ｃ，５７３３ｃは、各配線パターン５７２ｃ，５７３ｃの一側が細長い矩形状に切り欠かれた形状となっている。

このように第１封止部材５ｃの表面の第１〜第６実装電極５２１ｃ〜５２６ｃの内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ｃ，５２５ｃを除く残余の第６，第３，第４，第１実装用電極５２６ｃ，５２３ｃ，５２４ｃ，５２１ｃは、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４と、ＩＣ３ｃが接合される第６，第３，第４，第１端子接合部５３６ｃ，５３３ｃ，５３４ｃ，５３１ｃとを接続する第１〜第４配線パターン５７１ｃ〜５７４ｃを備え、各配線パターン５７１ｃ〜５７４ｃは、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１ｃ，５７２２ｃ，５７３３ｃ，５７４４ｃをそれぞれ有している。この狭窄部５７１１ｃ，５７２２ｃ，５７３３ｃ，５７４４ｃによって、第１〜第４貫通電極５０１〜５０４と、ＩＣ３ｃの第６，第３，第４，第１実装端子３６ｃ，３３ｃ，３４ｃ，３１ｃが接合される第６，第３，第４，第１端子接合部５３６ｃ，５３３ｃ，５３４ｃ，５３１ｃとの間の熱の伝導を妨げることができる。

これによって、上記第１実施形態と同様に、当該温度補償型水晶発振器が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始された際のＩＣ３ｃの温度上昇の勾配を緩やかとし、また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された際のＩＣ３ｃの温度降下の勾配を緩やかとすることができる。これによって、ＩＣ３ｃと水晶振動子との温度差を抑制して、迅速にＩＣ３ｃと水晶振動子とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。

配線パターンの狭窄部の形状の参考例としては、図１５(ａ)に示すように、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃの近傍で、第６端子接合部５３６ｃから延びる配線パターン５７１ｃに比べて幅の狭い一定幅の狭窄部５７１１ｃ１であってもよい。あるいは、図１５(ｂ)に示すように、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃから配線パターン５７１ｃに向けて徐々に幅が狭くなるような狭窄部５７１１ｃ２であってもよい。あるいは、図１５(ｃ)に示すように、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃの近傍で、配線パターン５７１ｃの幅方向の両側から円弧状に絞られるような狭窄部５７１１ｃ３であってもよい。

上記実施形態では、１つの配線パターンに１箇所の狭窄部を形成したが、１つの配線パターンに複数箇所の狭窄部を形成してもよい。

上記各実施形態では、ＩＣは、水晶振動子の表面側である第１封止部材に実装したが、ＩＣは、水晶振動子の裏面側である第２封止部材６に実装するようにしてもよい。

１，１ａ，１ｃ 温度補償型水晶発振器
２，２ａ，２ｃ 水晶振動子
３，３ａ，３ｃ ＩＣ（集積回路素子）
４ 水晶振動板
５，５ａ，５ｂ，５ｃ 第１封止部材
６ 第２封止部材
７ 金属バンプ（金属部材）
８ アンダーフィル樹脂
３１〜３６，３１ａ〜３６ａ 第１〜第６実装端子
３１ｂ〜３６ｂ，３１ｃ〜３６ｃ 第１〜第６実装端子
４５，４６ 第１，第２励振電極
４１１〜４１５ 第１〜第５貫通電極
５０１〜５０６ 第１〜第６貫通電極
６０１〜６０４ 第１〜第４貫通電極
５２１〜５２６，５２１ａ〜５２６ａ 第１〜第６実装用電極
５２１ｂ〜５２６ｂ，５２１ｃ〜５２６ｃ 第１〜第６実装用電極
５３１〜５３６，５３１ａ〜５３６ａ 第１〜第６端子接合部
５３１ｂ〜５３６ｂ，５３１ｃ〜５３６ｃ 第１〜第６端子接合部
５４１〜５４６，５４１ａ〜５４６ａ 第１〜第６電極接続部
５４１ｂ〜５４６ｂ，５４１ｃ〜５４６ｃ 第１〜第６電極接続部
５７１〜５７４，５７１ａ〜５７４ａ 第１〜第４配線パターン
５７１ｂ〜５７４ｂ，５７１ｃ〜５７４ｃ 第１〜第４配線パターン
５６５，５６６，５６５ｂ，５６６ｂ 励振電極用配線パターン
６３１〜６３４ 第１〜第４外部接続端子
Ｓ，Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ 実装領域

Claims (7)

1. 複数の外部接続端子及び複数の実装用電極を有する圧電振動子と、前記複数の実装用電極に接続される複数の実装端子を有して、前記圧電振動子に実装される集積回路素子とを備える圧電振動デバイスであって、
   前記圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記両主面の一方の主面側を覆って封止する第１封止部材と、前記圧電振動板の前記両主面の他方の主面側を覆って封止する第２封止部材とを備え、
   前記第１封止部材の外面に、前記複数の実装用電極が設けられ、
   前記第２封止部材の外面に、前記複数の外部接続端子が設けられ、
   前記圧電振動子は、前記第１封止部材、前記圧電振動板、及び、前記第２封止部材を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を有しており、
   前記複数の実装用電極の内、一対の実装用電極は、前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続され、残余の複数の実装用電極は、前記複数の貫通電極を介して前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されており、
   前記残余の複数の各実装用電極は、前記複数の各外部接続端子と前記集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的にそれぞれ接続するものであって、かつ、前記複数の各貫通電極の周囲の各電極接続部と、前記集積回路素子の複数の各実装端子にそれぞれ接合される各端子接合部と、前記各電極接続部と前記各端子接合部とを電気的にそれぞれ接続する各配線パターンとをそれぞれ備え、
   前記残余の複数の実装用電極の少なくとも１つの実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の狭窄部を有し、
   前記狭窄部を有する前記配線パターンは、前記狭窄部を除いて一定幅の配線パターンであって、前記狭窄部は、前記一定幅の配線パターンの幅方向の一方側が矩形状に切り欠かれて構成されている、
   ことを特徴とする圧電振動デバイス。
2. 前記残余の複数の実装用電極の全ての実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の前記狭窄部を有する、
   請求項１に記載の圧電振動デバイス。
3. 前記配線パターンの前記狭窄部が、前記電極接続部と前記端子接合部との間の配線パターンにおいて、前記端子接合部に比べて、前記電極接続部に近接した位置に形成されている、
   請求項１または２に記載の圧電振動デバイス。
4. 前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている、
   請求項１ないし３のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
5. 前記配線パターンの前記狭窄部の幅が、４０μｍ以下である、
   請求項１ないし４のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
6. 前記集積回路素子は、前記複数の実装端子がその外周寄りに配置されており、
   前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続される前記一対の実装用電極は、前記集積回路素子が実装される実装領域において、前記複数の前記実装端子よりも内方まで延出されている励振電極用配線パターンを有する、
   請求項１ないし５のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
7. 前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンが、前記集積回路素子が実装される前記実装領域の中心を対称点として略点対称である、
   請求項６に記載の圧電振動デバイス。

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