TW201332284A - 壓電模組 - Google Patents

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Hidenori Harima
Fumio Asamura
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Nihon Dempa Kogyo Co
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Abstract

一種壓電模組，包含壓電封裝和電路組件封裝。所述壓電模組包含具有焊料顆粒的熱固性樹脂，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述壓電封裝的所述多個外部端子和所述電路組件封裝的所述多個連接端子通過金屬接合而電連接。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面是：通過構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。

Description

壓電模組 【相關申請案的交叉參考】
本申請案基於2012年1月23日申請的日本專利申請案第2012-011038號、2012年3月14日申請的日本專利申請案第2012-057673號，以及2012年10月9日申請的日本專利申請案第2012-224426號且主張三個專利申請案的優先權，所述三個專利申請案的全部內容以引用方式併入本文中。
本發明是有關於一種壓電封裝(piezoelectric package)與電路組件封裝(circuit component package)整體接合在一起的壓電模組(piezoelectric module)。所述壓電封裝容納壓電諧振器，所述壓電諧振器包含壓電構件(例如，晶體)。所述電路組件封裝包含積體電路(Integrated Circuit,IC)晶片，所述IC晶片積集了與壓電諧振器一起構成振盪器的電路、或構成振盪器的電路元件的一部分。明確地說，本發明是有關於一種用於表面安裝的壓電模組，其確保兩個封裝的接合強度、通過緊固地將封裝密封為裝置結構而保證高可靠性、且實現低輪廓(low-profile)、尺寸小且價格低的裝置。
電路組件封裝與壓電諧振器一起構成壓電模組。壓電組件封裝包含：振盪器電路；IC晶片，其積集具有溫度控制功能的振盪器電路、或構成振盪器電路的離散組件(discrete component)的部分。具有積集振盪器電路的IC晶片的電路組件封裝接合到壓電封裝的壓電模組，形成：單獨輸出預定頻率的振盪器。包含構成振盪器電路的離散組件的部分的電路組件封裝接合到壓電封裝的壓電模組，形成：與製備在將應用的電子設備側中的電路一起輸出預定頻率的振盪器。
以表面安裝式晶體控制振盪器為代表的壓電模組為：尺寸小且重量輕。例如，相對於外部空氣溫度的改變，溫度補償型壓電模組具有高頻率穩定性。因此，壓電模組尤其作為頻率參考源或時間參考源，而嵌入在便攜式電子設備(例如，移動電話)中。將描述晶體控制振盪器，其為壓電振盪器的典型裝置，其中振盪器電路(IC晶片)安裝到電路組件封裝。應注意，存在所謂的簡單封裝型晶體控制振盪器，其中電路組件封裝包含不具有溫度補償機制的IC晶片。具有溫度補償機制的壓電模組(例如，晶體控制振盪器)之一包含：壓電封裝(其在使用了晶體晶圓(crystal wafer)的情況下被稱為晶體封裝)，其容納包含壓電片(例如，晶體晶圓)的晶體單元；以及具有IC晶片的電路組件封裝(在此情況下，為IC晶片封裝)。壓電封裝在垂直方向上以雙層結構接合到電路組件封裝。
代替具有IC晶片的電路組件封裝堆疊且固定地緊固到上述壓 電封裝的結構，容納熱敏電阻或二極體的具有溫度傳感器的壓電模組的結構，也是類似地適用。
此處，也在實施例中描述：作為晶體單元的壓電諧振器和作為晶體控制振盪器的具有晶體單元的壓電模組。然而，本發明不限於這些壓電模組。本發明類似地適用於例如表面聲波(surface acoustic wave,SAW)濾波器的壓電相關裝置、包含連接結構的各種電子裝置，所述連接結構集成具有電路組件封裝的安裝板、與所述組件內或外的電路組件。
此處所述的示範性晶體控制振盪器不限於包含便攜式設備的各件電子設備，而是還可嵌入到車輛電子設備或類似設備中。需要考慮堅固連接結構，以在發生衝擊且環境溫度顯著改變時，防止例如車輛電子設備的電子設備中的組件的板或主體產生焊點裂紋(solder crack)以及損壞。焊點裂紋或損壞是由因長期改變或熱循環引起的熱膨脹的差異、或因外部力引起的應力變化(例如，板翹曲)造成。如上所述，這種類型的振盪器需要低輪廓的特徵與韌性兩者。
圖37A和圖37B是晶體控制振盪器的一個例示性配置的示意圖，所述晶體控制振盪器是壓電模組的典型裝置。圖37A說明截面圖。圖37B說明在從晶體封裝側觀看構成晶體控制振盪器的IC晶片封裝的開口端面時的平面圖。如所說明，晶體控制振盪器1包含：晶體封裝2和IC晶片封裝3。晶體封裝2容納：在平面圖中大致為長方形的晶體單元24。IC晶片封裝3是電路組件封裝，且在平面圖中具有大致上與晶體封裝2相同的形狀，且包含IC晶片33。IC晶片33積集：與晶體單元24一起構成晶體控制振盪器的電子電路。晶體封裝2包含由陶瓷板(也 稱為生胚片(green sheet))或類似材料製成的容器主體。容器主體是由晶體封裝2的底部壁層(下文稱為第一底部壁層21)和晶體封裝2的框架壁層(下文稱為第一框架壁層22)形成。晶體單元24被安裝且容納在由容器主體20的第一框架壁層22圍繞的凹陷部分(晶體封裝的凹陷部分，下文稱為第一凹陷部分28)中。容器主體20在面向晶體封裝2的平面圖中具有大致上與晶體封裝2相同的長方形形狀。通常，在晶體封裝2和IC晶片封裝3於垂直方向上堆疊、且接合為晶體控制振盪器1的狀態中，晶體封裝2和IC晶片封裝3共享外側表面。
晶體單元24在晶體的薄片(晶體晶圓)的兩個表面上包含激勵電極(excitation electrode)(未圖示)。從相應激勵電極延伸到晶體晶圓的一個末端邊緣的引出電極(extraction electrode)(類似地，未圖示)是：以導電黏合劑25而固定地緊固到一對晶體保持端子26(僅說明了一側)。所述一對晶體保持端子26設置在第一凹陷部分28的內部底表面(一個主表面)上。
容納晶體單元24的第一凹陷部分28是由金屬板所形成的蓋體23氣密地密封，因此形成晶體封裝2。蓋體23和第一框架壁層22經由採用與蓋體23相同的類型的材料的金屬膜(或金屬環，未圖示)，而通過縫焊(seam welding)或類似方法來密封。一些蓋體23採用非金屬材料，例如，坯料(blank)、陶瓷基板(ceramic substrate)和硬樹脂板(hard resin plate)。第一底部壁層21具有外部底表面(另一主表面)，所述外部底表面上設置了外部端子27。外部端子27經設置以經由焊料層6而連接具有IC晶片33的IC晶片封裝3的連接端子36。外部端子27經由 穿過第一底部壁層21的通孔或通路孔30，而電連接到晶體保持端子26。
具有IC晶片33的IC晶片封裝3採用層壓基板，其由IC晶片封裝3的底部壁層(下文稱為第二底部壁層31)和IC晶片封裝3的框架壁層(下文稱為第二框架壁層32)形成，底部壁層和框架壁層是由陶瓷板製成。IC晶片封裝3可在第二底部壁層和第二框架壁層中採用多層結構。IC晶片封裝3包含一個主表面(IC晶片安裝表面)，其為：由IC晶片封裝3的第二框架壁層32圍繞的IC晶片封裝3的凹陷部分38(下文稱為第二凹陷部分)的內部底表面。所述一個主表面包含接線圖案(wiring pattern)和多個電極墊(electrode pad)35。第二框架壁層32在開口端面上包含連接端子36。連接端子36是被連接到晶體封裝2的外部端子27。IC晶片封裝3具有另一主表面(第二底部壁層31的外部底表面，設備安裝表面)，所述另一主表面上設置了多個安裝端子37(在此實例中為四個)以表面安裝將應用的電子設備的電路板。
IC晶片33通過超聲波熱壓接合或類似方法，經由其安裝凸點(mounting bump)34(例如，焊料凸點或金凸點)而固定地緊固到第二框架壁層32的一個主表面(內部底表面)上的電極墊35。此外，被稱為底填料(underfill)(未圖示)的樹脂層(優選為環氧樹脂)填充在IC晶片封裝3的IC晶片33與所述一個主表面之間，因此作為裝置來確保強度。IC晶片的安裝不限於使用凸點和電極墊而進行的連接。還可採用導線。
具有IC晶片33的IC晶片封裝3和晶體封裝2大體上如下所述而接合在一起。焊接材料(solder material)設置在連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間，連接端子36形成在IC晶片封裝3的第二框架壁層32的開口端面(面向晶體封裝2的外部底表面的表面)上。焊接 材料通過迴流工藝熔融且隨後硬化，因此，形成了焊料層6，且將兩個封裝接合在一起。焊料層6僅形成在由金屬材料製成的連接端子36的頂表面上。焊料層6可設置在晶體封裝2的外部端子27上，以進行迴流工藝。因此，環氧樹脂或類似者是被填充在：晶體封裝2的所述另一主表面(外部底表面)與IC晶片33之間以及第二框架壁層32的所述一個主表面與IC晶片33之間的凹陷部分中，而作為底填料層(未圖示)。這會提高裝置強度。日本未審查專利申請公開第2004-180012號和第2007-251766號，揭露此類型的振盪器的現有技術。
此類型的晶體控制振盪器包含：以雙層堆疊且接合在一起的晶體封裝和IC晶片封裝。在此類型的晶體控制振盪器中，設置在晶體封裝的外部底表面(圖37A中的第一底部壁層21的外部底表面)上的外部端子27、與設置在對應於IC晶片封裝的凹陷部分的開口端面(圖37A中的第二凹陷部分38的開口端面)的部分中的連接端子36對齊。兩者使用將兩者彼此接合的焊料而電連接且機械連接。
最近，隨著晶體控制振盪器尺寸減小，IC晶片尺寸減小。具有IC晶片的IC晶片封裝也需要減小。有鑑於此，IC晶片封裝尺寸減小是必要的。因此，包含IC晶片的凹陷部分的開口的面積變小，因此限制了待安裝的IC晶片的尺寸。特別在需要具有溫度控制機制的IC晶片的高性能晶體控制振盪器的情況下，限制了可安裝IC晶片的尺寸。
用於移動通信設備或車輛設備的晶體控制振盪器是：在IC晶片安裝在凹陷部分的底表面上後，需要底填料填充工藝。底填料填充工藝堅固地緊固IC晶片，且提高抗振性、抗衝擊性和抗塵性。然而，IC晶片封裝的凹陷部分極小，安裝了IC晶片之後的凹陷部分空間變窄，且在IC晶片與凹陷部分的底表面或凹陷部分的內壁表面之間形成的空間 進一步變窄。極難以將準確量的樹脂填充到此小空間中。
對於壓電模組(例如，具有IC晶片33的IC晶片封裝3，以焊料層6或類似者接合到晶體封裝2的晶體控制振盪器1)，重要的是，確保晶體封裝2的外部端子27與IC晶片封裝3(其為電路組件封裝)的連接端子36之間的充分接合強度。也重要的是，密封容納IC晶片的凹陷部分以防止濕氣和灰塵侵入。凹陷部分未形成在構成晶體封裝2的容器主體20的第一底部壁層21的外部底表面(另一主表面)上。這確保了外部端子27的大面積。然而，IC晶片封裝3的連接端子36設置在第二框架壁層32的開口端面上。為了確保與晶體封裝2的外部端子27的接合強度，形成了連接端子36的開口端面需要特定大面積。
如果第二框架壁層32的開口端面變大，那麼第二凹陷部分38的平面圖面積變得相對窄。因此，安裝在第二凹陷部分38上的IC晶片33的尺寸受到第二凹陷部分38的尺寸限制。可考慮以下配置。將形成連接端子36的開口端面的平面圖中的寬度形成得窄，連接端子36沿著開口端面側形成得長且窄，且晶體封裝2的外部端子27也具有對應於此連接端子36的形狀。在此情況下，外部端子之間(連接端子之間)的空間變窄，且可能發生短路。
因此，需要不易受上述缺點影響的壓電模組。
根據本發明的方面，提供一種壓電模組。所述壓電模組包含壓電封裝和電路組件封裝。所述壓電封裝容納壓電諧振器。所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經配置以基於所述壓電諧振器的振動信號而以預定頻率產生振盪信號。所述壓電封裝和所述電路組件封裝電 接合且機械接合。所述壓電封裝包含第一凹陷部分、蓋體和多個外部端子。所述第一凹陷部分包含第一底部壁層和第一框架壁層。所述第一凹陷部分容納所述壓電諧振器。所述蓋體密封所述第一凹陷部分。所述多個外部端子經配置以將所述壓電諧振器的所述振動信號輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面。所述電路組件封裝包含第二凹陷部分和多個連接端子。所述第二凹陷部分包含第二底部壁層和第二框架壁層。所述第二凹陷部分容納所述電路組件。所述多個連接端子處在所述第二凹陷部分的開口端面上。所述多個連接端子電連接到所述壓電封裝的所述外部底表面上的多個相應外部端子。所述壓電模組包含具有焊料顆粒的熱固性樹脂，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個周邊與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述壓電封裝的所述多個外部端子和所述電路組件封裝的所述多個連接端子通過金屬接合而電連接。所述金屬接合採用構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的焊料顆粒的熔融和硬化。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個周邊與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面通過構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。
1‧‧‧晶體控制振盪器
1A‧‧‧具有溫度傳感器的晶體單元
2‧‧‧晶體封裝
3A‧‧‧母板
20‧‧‧容器主體
21‧‧‧第一底部壁層
22‧‧‧第一框架壁層
22a‧‧‧第一額外框架壁層
22A‧‧‧框架部分
23‧‧‧蓋體
24‧‧‧晶體單元
24a‧‧‧頂側激勵電極
24b‧‧‧底側激勵電極
24c‧‧‧晶體晶圓
24d、24e‧‧‧引出電極
25‧‧‧導電黏合劑
26‧‧‧晶體保持端子
27‧‧‧外部端子
28‧‧‧第一凹陷部分
29‧‧‧外部底表面
29a‧‧‧微小不均勻性或微孔
3‧‧‧IC晶片封裝
30‧‧‧通孔或通路孔
31‧‧‧第二底部壁層
32‧‧‧第二框架壁層
33‧‧‧IC晶片
34‧‧‧安裝凸點
35‧‧‧電極墊
36‧‧‧連接端子
37‧‧‧安裝端子
38‧‧‧第二凹陷部分
38a‧‧‧第二額外凹陷部分
39‧‧‧黏合劑
39a‧‧‧密封樹脂
4‧‧‧具有焊料顆粒的熱固性樹脂
4a‧‧‧焊料顆粒
5‧‧‧凹口
51‧‧‧連接電極
6‧‧‧焊料層
7‧‧‧熱敏電阻
8‧‧‧各向異性導電層
9‧‧‧連接部分
10‧‧‧密封材料
17‧‧‧二極體
50‧‧‧晶粒墊
52‧‧‧電路端子
53‧‧‧導線
C、H、P‧‧‧箭頭
XIB-XIB、XIVB-XIVB、XVIIB-XVIIB、XXB-XXB、XXVB-XXVB、XXVIIIB-XXVIIIB、XXXIB-XXXIB、XXXIVB-XXXIVB‧‧‧剖面線
本發明的前述和額外特徵和特性，將從參考附圖而考慮的下文詳細描述變得更明顯。圖1A和圖1B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例1的示意圖。
圖2為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例 2的截面圖。
圖3為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例3的截面圖。
圖4為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例4的截面圖。
圖5A和圖5B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例5的示意圖。
圖6A和圖6B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例6的示意圖。
圖7A和圖7B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例7的示意圖。
圖8為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例8的示意性截面圖。
圖9A至圖9C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例9的外視圖。
圖10為說明圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器的底表面的平面圖。
圖11A和圖11B為圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。
圖12A至圖12C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例10的晶體控制振盪器的外視圖。
圖13為說明圖12A至圖12C所說明的晶體控制振盪器的底表面的平面圖。
圖14A和圖14B為圖12A至圖12C所說明的晶體控制振盪器的IC 晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。
圖15A至圖15C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例11的晶體控制振盪器的外視圖。
圖16為說明圖15A至圖15C所說明的晶體控制振盪器的底表面的平面圖。
圖17A和圖17B為圖15A至圖15C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。
圖18A至圖18C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例12的具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。
圖19為說明圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元1A的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的平面圖。
圖20A至圖20C為說明圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元1A的IC晶片封裝的熱敏電阻或二極體的安裝部分的說明圖。
圖21為作為實施例13的圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器的主要部分的截面圖，所述晶體控制振盪器為本發明的一種示範性製造方法的目標。
圖22A至圖22E為說明根據本發明的圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器的一種示範性製造方法的晶體控制振盪器的主要部分的製造工藝圖。
圖23A至圖23C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例14的外視圖。
圖24為說明圖23A至圖23C所說明的晶體控制振盪器的底表面的平面圖。
圖25A和圖25B為圖23A至圖23C所說明的晶體控制振盪器的IC 晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。
圖26A至圖26C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例15的晶體控制振盪器的外視圖。
圖27為說明圖26A至圖26C所說明的晶體控制振盪器的底表面的平面圖。
圖28A和圖28B為圖26A至圖26C所說明的晶體控制振盪器的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。
圖29A至圖29C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例16的晶體控制振盪器的外視圖。
圖30為說明圖29A至圖29C所說明的晶體控制振盪器的底表面的平面圖。
圖31A和圖31B為圖29A至圖29C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。
圖32A至圖32C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例17的具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。
圖33為說明圖32A至圖32C所說明的具有溫度傳感器的晶體單元1A的底表面的平面圖。
圖34A至圖34C為圖32A至圖32C所說明的具有溫度傳感器的晶體單元1A的電路組件封裝的熱敏電阻或二極體的容納部分的說明圖。
圖35為作為實施例18的圖23A至圖23C所說明的晶體控制振盪器的主要部分的截面圖，所述晶體控制振盪器為本發明的一種示範性製造方法的目標。
圖36A至圖36D為說明根據本發明的圖23A至圖23C所說明的晶體控制振盪器的一種示範性製造方法的主要部分的製造工藝圖。
圖37A和圖37B是常規晶體控制振盪器的一個例示性配置的示意圖，所述晶體控制振盪器是壓電模組的典型裝置。
將參考壓電模組應用於晶體控制振盪器、或具有溫度傳感器的晶體單元的實施例，來詳細描述根據本發明的壓電模組的優選實施例。
實施例1
圖1A和圖1B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例1的說明圖。圖1A說明截面圖。圖1B為說明從晶體封裝側觀看的圖1A的IC晶片封裝中的凹陷部分的平面圖。根據實施例1的晶體控制振盪器1包含：晶體封裝2和IC晶片封裝3。晶體封裝2包含晶體單元24，且在平面圖中具有長方形形狀。IC晶片封裝3為容納IC晶片33的電路組件封裝。IC晶片33積集了電子電路，以與晶體封裝2一起構成晶體控制振盪器。
類似於圖37A所說明的晶體控制振盪器，晶體封裝2包含：優選為陶瓷板的底部壁層(第一底部壁層21)和框架壁層(第一框架壁層22)。晶體單元24被容納在由第一框架壁層22圍繞的凹陷部分(晶體封裝的凹陷部分，第一凹陷部分28)中。第一框架壁層22構成容器主體20，其在平面圖中具有長方形形狀。大體上，晶體封裝2和IC晶片封裝3在垂直方向上以雙層堆疊、且被接合為晶體控制振盪器1。因此，晶體封裝2和IC晶片封裝3以扁平盒(flat box)的形式而積集。
晶體單元24在晶體薄片(晶體晶圓)的兩個表面上包含一對激勵電極(未圖示)。所述一對激勵電極將晶體晶圓夾在中間。引出電極 (未圖示)從此對相應激勵電極延伸到晶體晶圓的一個末端邊緣。引出電極以導電黏合劑25固定地緊固到一對晶體保持端子26(僅繪示了一側)。所述一對晶體保持端子26設置在第一凹陷部分28的內部底表面(一個主表面)上。
容納晶體單元24的第一凹陷部分28使用蓋體23來氣密地密封，以形成晶體封裝2。蓋體23是使用優選為科伐合金(kovar)的金屬板而形成。與蓋體種類相同的金屬膜用於通過縫焊或類似方法，來密封蓋體23和第一框架壁層22。蓋體23可採用非金屬材料(例如，坯料、陶瓷基板和硬樹脂板)以及金屬板，且以適當黏合劑密封。在此情況下，優選將金屬膜設置在蓋體的任何表面上。外部端子27設置在第一底部壁層21的外部底表面(另一主表面)上。外部端子27經由具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，而連接到容納IC晶片33的IC晶片封裝3的連接端子36。外部端子27經由穿過第一底部壁層21的通孔或通路孔30，而電連接到晶體保持端子26。
容納IC晶片33的IC晶片封裝3的結構大致類似於圖37A和圖37B所說明的結構。IC晶片封裝3包含層壓基板(laminated substrate)，其由底部壁層31(第二底部壁層)和框架壁層32(第二框架壁層)形成，底部壁層31和框架壁層32是由陶瓷板製成。多層薄板可形成：構成IC晶片封裝3的第二底部壁層和第二框架壁層的一側或另一側。在此情況下，優選的是，金屬膜或金屬板設置在多層薄板的內層或外表面上，以提供屏蔽。
接線圖案和多個電極墊35形成在IC晶片封裝3的一個主表面(IC晶片安裝表面)上。所述一個主表面為：由IC晶片封裝3的第二框架壁層32圍繞的IC晶片封裝的凹陷部分38(第二凹陷部分)的內 部底表面。連接到晶體封裝2的外部端子27的連接端子36是：形成在第二框架壁層32的開口端面處。多個安裝端子37(在此實例中為四個)設置在IC晶片封裝3的另一主表面(第二底部壁層31的外部底表面，設備安裝表面)上。多個安裝端子37是被表面安裝在將應用的電子設備的電路板上。
根據此實施例，構成IC晶片封裝3的第二框架壁層32的寬度(當在底部壁層方向上觀看時的寬度)是小(窄)的。此外，凹陷部分的面積(在平面圖中的尺寸)大於圖37A和圖37B所說明的現有技術的凹陷部分的面積、且大於第一凹陷部分28的面積。這允許將具有較大尺寸的IC晶片容納在第二凹陷部分38內部，而不擴大外部尺寸(晶體單元的外部尺寸保持相同)。
IC晶片33通過超聲波熱壓接合或類似方法經由其安裝凸點34(例如，焊料凸點或金凸點)，而固定地緊固到第二框架壁層32的一個主表面(內部底表面)上的電極墊35。
第二容器由構成IC晶片封裝3的第二底部壁層31和第二框架壁層32形成。第二容器包含：處在第二凹陷部分38的開口端面(面向晶體封裝2的外部端子27的第二框架壁層32的表面)上的連接端子36。連接端子36面向晶體封裝2的外部端子27、且電連接到晶體封裝2的外部端子27。連接端子36經由通孔或通路孔(其適當地設置在第二容器中)和接線(未圖示，其圖案化在第二凹陷部分38的第二底部壁層31的內部底表面上)，而連接到IC晶片33的預定電路端子。第二底部壁層31包含外部底表面，所述外部底表面上設置了多個安裝端子37，以用於安裝目標設備的電路板或類似者的表面安裝。操作電源從這些安裝端子37供應，且預定頻率的振盪信號供應到安裝板的所需功能電路。
晶體封裝2通過對具有焊料顆粒的熱固性樹脂4加熱和加壓、而連接到IC晶片封裝3，所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂4插入在外部端子27的形成表面(晶體封裝2的外部底表面)與連接端子36的形成表面(凹陷部分的開口端面)之間。微小焊料顆粒4a分散在熱固性樹脂中的、具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，其是通過圍繞在包含IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36的整個表面周圍而塗覆。此塗覆可採用：使用分配器進行的直接書寫、絲網印刷、使用噴墨噴嘴的塗覆方法、或附著膜狀樹脂的方法。
通過對具有焊料顆粒的熱固性樹脂4加熱和加壓，上述外部端子27和連接端子36電連接在一起。這允許密封晶體封裝2和IC晶片封裝3，並機械地且固定地將晶體封裝2和IC晶片封裝3堅固地緊固。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4可塗覆在晶體封裝2的外部底表面側上，或可塗覆在IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面與晶體封裝2的外部底表面兩者上，以堆疊所述封裝且接著進行加熱和加壓。
根據實施例1的此結構，允許了：用於電連接到晶體封裝的外部端子的IC晶片封裝的凹陷部分的小開口端面。這允許第二凹陷部分的擴大的面積，而不擴大其外部尺寸，因此，允許了：容納具有大尺寸的IC晶片。特別在例如溫度補償式晶體控制振盪器(Temperature compensated crystal controlled oscillator；TCXO)的高性能晶體控制振盪器的情況下，與普通晶體控制振盪器的電路相比，大型(large-scale)電路積集到IC晶片中。因此，可容納高性能且大型的IC晶片，而不擴大IC晶片封裝的外部尺寸。
在使用尺寸與常規IC晶片相同的IC晶片的情況下，減小了IC晶片封裝的外部尺寸。這會導致整個晶體控制振盪器的外部尺寸的減 小，以及晶體封裝的外部尺寸的減小。
在端子表面上直接塗覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂，這允許去除焊料預塗布工藝。在通過焊料接合而將晶體封裝的外部端子與IC晶片封裝的連接端子連接在一起時，對端子的電極表面執行預塗布工藝。此外，同時執行晶體封裝的外部端子與IC晶片封裝的連接端子之間的電連接、和晶體封裝與IC晶片封裝之間的氣密密封。這確保了晶體控制振盪器的顯著簡化的製造工藝。
實施例2
類似於圖1A，圖2為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例2的截面圖。根據實施例2的晶體封裝2和IC晶片封裝3的整體構造大致上類似於實施例1。除非另外需要，否則去除重複性解釋。此實施例與上述實施例不同之處主要在於：晶體封裝2和IC晶片封裝3的接合結構的外圍。
IC晶片封裝3的連接端子36僅需要具有：可從晶體封裝2的晶體單元24接收電壓信號的功能。只要確保了兩個端子之間的電連接，就不需要連接端子36的電極面積特別大。晶體封裝2的外部端子27也是如此。
晶體封裝2包含第一底部壁層21，所述第一底部壁層21上設置了外部端子27。第一底部壁層21由陶瓷板製成，且大體上在整個表面上具有平坦表面。相比於IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面，第一底部壁層21具有足以形成端子的面積。晶體封裝2的外部端子27可具有大的電極面積(大體上，正方形形狀或接近正方形的長方形形狀)。晶體封裝2的外部端子27以最大距離間隔開，以使得不會彼此發生短路。另一方面，IC晶片封裝3的連接端子36是從晶體封裝2的晶體單 元24接收輸出電壓。連接端子36可僅需要足以電連接晶體封裝2的外部端子27的尺寸，且可小於外部端子27。此外，連接端子36可不必須為正方形和長方形。連接端子36可具有除正方形或長方形之外的形狀，例如，線形形狀、螺旋形形狀、圓形形狀和不規則形狀。下文將描述的每個實施例也是如此。
根據實施例2，IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36的寬度是：比晶體封裝2的外部端子27的寬度窄，如圖2的截面圖所說明。即，連接端子36朝向凹陷部分的開口端面的兩個末端邊緣的內部而移位。晶體封裝2的外部端子27面向連接端子36，且包含延伸到晶體封裝2的外部底表面的內部的部分。根據實施例2，將略過量的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4塗覆在IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面上。顯然的，可沿著晶體封裝2的外部端子27塗覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂4。
對塗覆了具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的兩個封裝進行加熱和加壓。接著，設置在IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面的連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間的、具有焊料顆粒的熱固性樹脂4中所分散的焊料顆粒，被嚙合在連接端子36與外部端子27之間，因此執行了金屬接合。同時，過量的熔融的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4從兩個端子上的電極表面之間排除，且流動並潤濕兩個端子上的電極表面。過量的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的部分硬化。這因此會連接晶體封裝2的外部底表面和第二框架壁層32的內壁，所述第二框架壁層32的內壁形成IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面。
具有焊料顆粒的熱固性樹脂4熔融，且在除晶體封裝2的外部端子27面向IC晶片封裝3的連接端子36的區域之外的整個周邊部分 上硬化。因此，晶體封裝2的外部底表面和IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面被密封且接合。
因此，即使IC晶片封裝的連接端子與晶體封裝的外部端子相比相對較小，但使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂通過金屬接合來使兩個端子連接，會確保將晶體單元的振動信號電壓供應到包含IC晶片的振盪器電路。或者，具有焊料顆粒的熱固性樹脂塗覆在晶體封裝與IC晶片封裝的接合部分的整個周邊上。接著，對晶體封裝的外部端子和IC晶片封裝的連接端子加熱和加壓以執行金屬接合。同時，通過使具有焊料顆粒的熱固性樹脂硬化，而緊固地接合兩個封裝。
此實施例也允許晶體封裝和IC晶片封裝以具有焊料顆粒的熱固性樹脂密封且接合。這會防止雜質黏合到IC晶片，且消除以底填料材料進行填充而固定地緊固IC晶片的需要。
實施例3
類似於圖2，圖3為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例3的截面圖。圖3的晶體封裝2和IC晶片封裝3的構造大致上類似於實施例2。除非另外需要，否則去除重複性解釋。此實施例與上述實施例不同之處主要在於：晶體封裝2和IC晶片封裝3的接合結構的外圍。
實施例3包含：類似於實施例2所述的外部端子27和連接端子36的外部端子27和連接端子36。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4用於將晶體封裝2和IC晶片封裝3電接合和機械接合。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4塗覆到容納於第二凹陷部分38中的IC晶片33的外圍(包含IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的開口端面)處的間隙、和第二凹陷部分38的內部底部的間隙的部分處。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4以用 於填充在這些區域與IC晶片33之間的量而塗覆。
如上所述，類似於每個上述實施例，晶體封裝2以預定狀態定位到被塗覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的IC晶片封裝3上。對兩個封裝進行加熱和加壓。接著，設置在IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間的焊料顆粒，通過金屬接合而將所述連接端子36與所述外部端子27連接在一起。同時，通過加熱而熔融的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，在兩個端子的電極表面上流動且潤濕所述電極表面。過量的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充在兩個端子的電極表面之間到第二框架壁層32的內壁，其形成晶體封裝2的外部底表面和IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面。樹脂的部分流動到IC晶片33與第二凹陷部分38的內部下表面之間，且隨後硬化。
因此，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4熔融，且在除晶體封裝2的外部端子27面向IC晶片封裝3的連接端子36的區域之外的整個周邊部分上硬化。晶體封裝2的外部底表面和IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面被密封且接合。
即使IC晶片封裝3的連接端子36極小於晶體封裝2的外部端子27，但只要在兩個端子之間執行以焊料顆粒進行的金屬接合，晶體單元24的振動信號電壓就會一定供應到包含IC晶片33的振盪器電路。此外，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4流動到晶體封裝2與IC晶片封裝3的接合部分的整個周邊上，且流動到第二凹陷部分38的部分中，且具有焊料顆粒的熱固性樹脂4硬化。接著，對晶體封裝2的外部端子27和IC晶片封裝3的連接端子36加熱和加壓以執行金屬接合和電連接。同時，兩個封裝堅固地且整體地接合，而不存在間隙。
此實施例也允許以具有焊料顆粒的熱固性樹脂，來堅固地接 合晶體封裝與IC晶片封裝，而不存在間隙。這會防止雜質侵入且黏合到IC晶片，消除以底填料材料進行填充而固定地緊固IC晶片的需要，且簡化晶體控制振盪器的製造工藝。
實施例4
類似於圖3，圖4為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例3的截面圖。圖4的晶體封裝2和IC晶片封裝3的構造大致上類似於實施例3。除非另外需要，否則去除重複性解釋。此實施例與上述實施例不同之處主要在於：晶體封裝2和IC晶片封裝3的接合結構的外圍。
實施例4包含：類似於實施例3所述的外部端子27和連接端子36的外部端子27和連接端子36。塗覆將晶體封裝2和IC晶片封裝3電接合和機械接合在一起的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，以使得具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充在容納在第二凹陷部分38(其包含IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面)中的整個IC晶片中。
在塗覆具有焊料顆粒的熱固性樹脂4之後，晶體封裝2以預定狀態定位到IC晶片封裝3。對兩個封裝加熱和加壓。接著，設置在IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面上的連接端子36與晶體封裝2的外部端子27之間的焊料顆粒，通過金屬接合而接合連接端子36與外部端子27。同時，通過加熱而熔融的具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充在晶體封裝2與IC晶片封裝3之間，且隨後硬化。
具有焊料顆粒的熱固性樹脂4熔融，且在除晶體封裝2的外部端子27面向IC晶片封裝3的連接端子36的區域之外的整個周邊部分上硬化。因此，晶體封裝2的外部底表面、和IC晶片封裝3的凹陷部分的開口端面被密封且接合在一起。
在此實施例中，即使IC晶片封裝3的連接端子36極小於晶體封裝2的外部端子27，但只要在兩個端子之間執行以焊料顆粒進行的金屬接合，晶體單元24的振動信號電壓就會一定供應到包含IC晶片33的振盪器電路。此外，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4填充到第二凹陷部分38中且隨後硬化。接著，對晶體封裝的外部端子和IC晶片封裝的連接端子加熱和加壓，以執行金屬接合和電連接。同時，兩個封裝堅固地且整體地接合，而不存在間隙。
此實施例也允許以具有焊料顆粒的熱固性樹脂，來密封且堅固地接合晶體封裝與IC晶片封裝。這會防止雜質侵入且黏合到IC晶片，消除以底填料材料進行填充而固定地緊固IC晶片的需要，且簡化晶體控制振盪器的製造工藝。
在上述實施例中，多個陶瓷板被層壓為：構成晶體封裝和IC晶片封裝的容器主體的基板。本發明不應以限制性意義來解釋。可採用例如另一類似板狀基板材料、坯料和玻璃板的絕緣材料。此外，IC晶片封裝和晶體封裝中的兩者或一者可形成為單個板(single sheet)。可通過將例如金屬膜的導電材料提供到晶體封裝或構成IC晶片封裝的板的容器主體的適當部分、並將導電材料連接到接地，而實現電磁屏蔽效應。
上述解釋呈現多個裝置形成在：成為晶體封裝與IC晶片封裝兩者的基底材料的大型陶瓷板上、晶體封裝側與IC晶片封裝側接合在一起，且隨後個別分離的方法。因此，在每個實施例中，個別外側表面的接合部分成為線性的，如所說明。
實施例5
圖5A和圖5B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例5的說明圖。圖5A說明截面圖。圖5B為說明在從晶體封裝 側觀看圖5A的IC晶片封裝時的平面圖。根據實施例5的晶體控制振盪器1包含：晶體封裝2和IC晶片封裝3，IC晶片封裝3為IC晶片基板。根據實施例5的晶體封裝2包含：由通過蝕刻工藝形成的坯料製成的晶體晶圓24c、頂側激勵電極24a、底側激勵電極24b和從這些電極接收振動信號的引出電極24d及24e。
晶體封裝2包含：具有框架部分22A的框架壁層22(第一框架壁層)，在框架部分22A上，晶體晶圓24c以連接部分9從框架部分22A的內部支撐。框架部分22A由在平面圖中具有長方形形狀的坯料製成。第一框架壁層22夾在類似地以坯料製成的底部壁層21(第一底部壁層)與蓋體23中間。此結構形成容納晶體單元24的空間28(第一凹陷部分)。第一框架壁層22、第一底部壁層21和蓋體23是以密封材料10(例如，低熔點玻璃)密封且固定地緊固。
對晶體封裝2的容器主體的第一底部壁層21的外部底表面29(其面向IC晶片封裝3)執行表面處理。此表面處理形成大量微小不均勻性或大量微孔29a。對外部底表面29的整個區域、或面向IC晶片封裝3的開口端面的周圍部分執行表面處理。
在IC晶片封裝3以具有焊料顆粒的熱固性樹脂接合到晶體封裝2的情況下，熔融的樹脂通過：在除外部底表面29上的外部端子形成部分的區域之外的晶體封裝的外部底表面29上所形成的微小不均勻性29a，且隨後硬化。構成IC晶片封裝3的開口端面的框架壁層是由陶瓷板製成，且不規則不均勻性和微孔存在於：除連接電極部分之外的表面上。熔融的樹脂通過：構成IC晶片封裝3的開口端面的框架壁層之間的不規則不均勻性和微孔，且隨後硬化。
因此，在晶體封裝2的容器主體由坯料製成的情況下，微小 不均勻性形成在其外部底壁上，且熔融的樹脂通過所述微小不均勻性且隨後硬化。這會產生錨固效應(anchor effect)，從而以具有焊料顆粒的熱固性樹脂堅固地接合兩個封裝。
代替上述的具有焊料顆粒的熱固性樹脂，各向異性導電層(anisotropic conductive layer)可用於將IC晶片封裝3與晶體封裝2接合在一起。各向異性導電層的使用效果類似於具有焊料顆粒的熱固性樹脂的使用效果，不同之處在於：外部端子與連接端子之間的連接形成(connection formation)。即使晶體封裝的容器主體由玻璃材料製成，但晶體控制振盪器可由類似於此實施例的接合結構構成。
引出電極24d及引出電極24e在晶體晶圓24c的正面和背面處形成。引出電極24d及引出電極24e經由連接電極11而延伸到第一底部壁層21的下表面(面向IC晶片封裝3的表面)，連接電極11處在第一框架壁層22的底表面(面向IC晶片基板的表面)上。這會形成外部端子37，且外部端子27以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4而固定地緊固到IC晶片封裝3的連接端子36。外部端子27和連接端子36通過以嚙合在兩個端子之間的焊料顆粒4a進行金屬接合來固定地緊固。
容納IC晶片33的IC晶片封裝3採用層壓基板，其由底部壁層(IC晶片封裝3的底部壁層，第二底部壁層31)和框架壁層(IC晶片封裝3的框架壁層，第二框架壁層32)形成，底部壁層和框架壁層是由陶瓷板製成。多層板可形成第二底部壁層31和第二框架壁層32中的一個或另一個。第二底部壁層31和第二框架壁層32可由類似於晶體封裝的坯料或玻璃板製成。圖5A說明在第二底部壁層31以雙層陶瓷板形成、且變為屏蔽電極的金屬膜12形成於兩層之間的情況下的實例。
IC晶片封裝3包含一個主表面(IC晶片安裝表面)，其為： 由IC晶片封裝3的第二框架壁層32圍繞的IC晶片封裝3的凹陷部分38(第二凹陷部分)的內部底表面。所述一個主表面包含接線圖案和多個電極墊35。第二框架壁層32在開口端面上包含：被連接到晶體封裝2的外部端子27的連接端子36。IC晶片封裝3包含另一主表面(第二底部壁層31的外部底表面，目標設備安裝表面)，所述另一主表面上設置了多個安裝端子37(在此實例中為四個)，用以表面安裝將應用的電子設備的電路板。
IC晶片33通過超聲波熱壓接合或類似方法經由其安裝凸點34(例如，焊料凸點或金凸點)，而固定地緊固到第二框架壁層32的一個主表面(內部底表面)上的電極墊35。圖5B為在從晶體封裝2側觀看IC晶片封裝3時的平面圖。IC晶片33容納在第二凹陷部分28中。
第二容器是由構成IC晶片封裝3的第二底部壁層31和第二框架壁層32形成。第二容器包含：處在第二凹陷部分38的開口端面(面向晶體封裝2的外部端子27的第二框架壁層32的表面)上的多個連接端子36。連接端子36面向晶體封裝2的外部端子27、且電連接到晶體封裝2的外部端子27。連接端子36經由適當通孔或通路孔30(其設置在第二容器中)和接線(未圖示，其圖案化在第二凹陷部分38的第二底部壁層31的內部底表面中)，而連接到IC晶片33的預定電路端子。
晶體封裝2的晶體單元24的振動信號經由外部端子27、連接電極11和連接端子36而連接到振盪器電路。振盪器電路積集到容納在IC晶片封裝3中的IC晶片33中。
實施例6
圖6A和圖6B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例6的說明圖。圖6A說明截面圖。圖6B為說明在從晶體封裝 側觀看圖6A的IC晶片封裝時的平面圖。根據實施例6的晶體控制振盪器1包含：晶體封裝2(其包含晶體單元24)和IC晶片封裝3(其為基板且容納IC晶片33)。晶體封裝2包含容器主體20，其由第一底部壁層21和第一框架壁層22形成。容器主體20包含：由第一框架壁層22圍繞的第一凹陷部分28且容納晶體單元24。在此實施例中，晶體單元24在其晶體薄片的正表面與背表面兩者上包含激勵電極(未圖示)。從相應激勵電極延伸到一個末端邊緣的引出電極(類似地，未圖示)是，以導電黏合劑25固定地緊固到一對晶體保持端子26。所述一對晶體保持端子26設置在第一凹陷部分28的內部底表面(一個主表面)上。
容納晶體單元24的第一凹陷部分28是由金屬板所形成的蓋體23而氣密地密封，因此形成晶體封裝2。蓋體23也可採用陶瓷基板、坯料和硬樹脂板或類似板。為將金屬板用作蓋體，蓋體23和第一框架壁層22經由類似於蓋體23的金屬薄膜通過縫焊或類似方法而密封。第一底部壁層21具有外部底表面(另一主表面)，所述外部底表面上設置於了用於連接容納IC晶片33的IC晶片封裝3的端子27(外部端子)。外部端子27經由通孔或通路孔30而連接到晶體保持端子26。第一底部壁層21和第一框架壁層22中的一者或兩者可為多層基板。此外，電磁屏蔽膜(或電極)可形成在適當表面層上、或形成在晶體封裝2與IC晶片封裝3之間所設置的層之間。
容納IC晶片33的IC晶片封裝3包含由陶瓷基底製成的第二底部壁層31和第二框架壁層32。在此實例中，第二底部壁層31為單層基板，然而，也可採用多層基板。此外，電磁屏蔽膜(或電極)可形成在適當表面層上、或形成在IC晶片封裝3與IC晶片33之間所設置的層之間。
IC晶片封裝3的一個主表面(IC晶片安裝表面，其為第二凹陷部分38的內部底表面)包含多個接線圖案和電極墊35。多個連接端子36形成在第二凹陷部分38的開口端面的兩個末端邊緣上。多個連接端子36經設置以經由外部端子27而連接晶體封裝2。IC晶片封裝3的另一主表面(安裝表面)具有多個安裝端子37，以安裝在將應用的電子設備上。在此實施例中，安裝端子37設置在第二凹陷部分38的開口端面的相應四個角落上。
IC晶片封裝3在面向晶體封裝2的部分中、於第二凹陷部分38的開口端面上包含各向異性導電層8。各向異性導電層8設置在：包含相應四個角落處所設置的連接端子36的頂表面的整個周邊上。圖6B說明各向異性導電層8以比IC晶片封裝3的連接端子36的寬度窄的寬度圍繞，以展示與連接端子36的位置關係。然而，優選的是，各向異性導電層8經形成以使得第二凹陷部分38的開口端面的寬度的所有區域被覆蓋，以增大接合面積。
在晶體封裝2和IC晶片封裝3的接合中，首先，膜狀各向異性導電層8附著到IC晶片封裝3的開口端面。各向異性導電材料可成型為膜以形成將附著的各向異性導電層8、被衝壓為框架形狀、且附著到開口端面。為了節省成本，優選的是，帶狀或長方形形狀的各向異性導電層8依序附著到開口端面。各向異性導電層8可設置在晶體封裝2的外部端子27側處。以下方法適用作形成各向異性導電層8的替代方法：通過絲網印刷來塗覆膏狀各向異性導電層材料的方法；以分配器來繪畫且塗覆相同膏狀各向異性導電層材料的方法；以及通過噴墨來塗覆的方法。
晶體封裝2的第一底部壁層21的外表面附著到設置了各向異 性導電層的IC晶片封裝3的開口端面，且隨後加壓。這允許分散在各向異性導電層8中的導電填料在按壓力方向上互相接觸，以便在外部端子27與連接端子36之間形成電橋，且將外部端子27與連接端子36電連接在一起。在此狀態中，外部端子27和連接端子36通過經過加熱爐或放置在熱板上而加熱。接著，各向異性導電層8的樹脂熔融且隨後硬化。這會在IC晶片封裝3的開口端面的整個周邊上將晶體封裝2與IC晶片封裝3接合在一起，同時外部端子27與連接端子36電連接。接著，對容納IC晶片33的第二凹陷部分38進行密封。
實施例6允許在尺寸與晶體封裝相同的IC晶片封裝中，容納大於常規IC晶片的IC晶片。晶體封裝的外部底表面以各向異性導電層是，在兩個端子處電接合到IC晶片封裝的第二凹陷部分的開口端面。IC晶片封裝的第二凹陷部分的開口端面的整個周邊是，以各向異性導電層固定地緊固到晶體單元的外部底表面。此外，晶體封裝與IC晶片封裝電連接，且機械地且堅固地接合在IC晶片封裝的第二凹陷部分的開口端面的整個周邊上。接著，密封所容納的IC晶片。這會防止外部大氣進入，且還防止灰塵和濕氣的侵入，並提高晶體控制振盪器的操作的可靠性。
實施例7
圖7A和圖7B為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例7的說明圖。圖7A說明截面圖。圖7B為說明在從晶體封裝側觀看圖7A的IC晶片封裝時的平面圖。實施例7與實施例6的不同之處在於：IC晶片封裝3的IC晶片的安裝結構。實施例7在其它方面大致上類似於實施例6。在根據實施例7的IC晶片封裝3中，容納在第二凹陷部分38中的IC晶片33通過如圖7B說明的導電接合方法，而連接到電路端子52。以這種方法，晶粒墊50(die pad)以接合導線53，而 連接到IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底表面上的電路端子52。
類似於實施例6，膜狀各向異性導電層8附著到IC晶片封裝3的開口端面。待附著的各向異性導電層8可衝壓為框架形狀、且附著到開口端面。為了節省成本，優選的是，帶狀或長方形形狀的各向異性導電層8依序附著到開口端面。各向異性導電層8可設置在晶體封裝2的外部端子27側上。以下方法適用作形成各向異性導電層8的替代方法：通過絲網印刷來塗覆膏狀各向異性導電層材料的方法；以分配器來繪畫且塗覆相同膏狀各向異性導電層材料的方法；以及通過噴墨來塗覆的方法。
IC晶片33以黏合劑39固定地緊固到第二凹陷部分38的內部底表面。或者，IC晶片33優選如下而緊固地固定。整個IC晶片33以密封樹脂39a(底填料)模制在第二凹陷部分38中，所述密封樹脂39a將環氧樹脂用作基底劑(base agent)且優選為液體可固化樹脂。黏合劑39和密封樹脂39a可由相同材料製成。將氧化矽或類似者添加到密封樹脂39a或類似者，會限制熱變形。
在實施例7中，晶體封裝2的第一底部壁層21的外表面被附著到形成了各向異性導電層的IC晶片封裝3的開口端面，且兩個封裝類似於實施例6受到加壓。這允許分散在各向異性導電層8中的導電顆粒在按壓力方向上互相接觸，以便在外部端子27與連接端子36之間形成電橋，且將外部端子27與連接端子36電連接在一起。在此狀態中，外部端子27和連接端子36通過經過加熱爐或放置在熱板上而加熱。接著，各向異性導電層8的樹脂熔融且隨後硬化。接著，晶體封裝2和IC晶片封裝3固定地緊固，同時外部端子27與連接端子36電連接。
實施例7允許在尺寸與晶體封裝相同的IC晶片封裝中，容納 大於常規IC晶片的IC晶片。晶體封裝以各向異性導電層是，在兩個端子處電接合到IC晶片封裝的第二凹陷部分的開口端面。此外，IC晶片封裝的第二凹陷部分的開口端面的整個周邊是，通過使構成各向異性導電層的樹脂硬化而固定地緊固。因此，晶體封裝電連接到IC晶片封裝，且兩個封裝機械地且堅固地連接在一起。此外，密封所容納的IC晶片。這會防止外部大氣進入，且還提高晶體控制振盪器的操作的可靠性。
實施例8
圖8為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例8的結構的示意性截面圖。在實施例8中，晶體封裝2包含：具有外表面的第一底部壁層21和另外的框架壁層，所述另外的框架壁層為第一額外框架壁層22a(first addition frame wall layer)。這些形成了第二額外凹陷部分38a，其形成IC晶片33的容納空間。外部端子21形成在第二額外凹陷部分38a的開口端面上。IC晶片33容納在IC晶片封裝3中。IC晶片33將其安裝凸點34連接到設置在IC晶片封裝3的一個主表面(面向晶體封裝2的表面)上的電極墊35。將IC晶片封裝3接合到晶體封裝2允許在第二額外凹陷部分38a中容納IC晶片33。
連接端子36形成在IC晶片封裝3的四個角落處，且面向形成晶體封裝2的第二額外凹陷部分38a的開口端面。類似於實施例6和實施例7，各向異性導電層8經設置以覆蓋連接端子36。各向異性導電層8可設置在晶體封裝2的外部端子27側上。IC晶片33可由黏合劑39而被固定地緊固到IC晶片封裝3的內部底表面。
IC晶片封裝3的連接端子36(其上設置了各向異性導電層8)被附著到晶體封裝2的第二額外凹陷部分38a的開口端面且被加壓。這允許分散在各向異性導電層8中的導電顆粒在按壓力方向上互相接觸， 以便在外部端子27與連接端子36之間形成電橋，且將外部端子27與連接端子36電連接在一起。在此狀態中，外部端子27和連接端子36通過經過加熱爐或放置在熱板上而加熱。接著，各向異性導電層8的樹脂熔融且隨後硬化。晶體封裝2和IC晶片封裝3堅固地緊固，同時外部端子27與連接端子36電連接在一起。
實施例8允許在尺寸與晶體封裝相同的IC晶片封裝中，容納大於常規IC晶片的IC晶片且積集所述封裝。晶體封裝和晶片封裝的端子以各向異性導電層電接合。此外，形成在第一額外框架壁層22a上的第二額外凹陷部分38a的開口端面的整個周邊是，以各向異性導電層固定地緊固到IC晶片封裝3。因此，晶體封裝電性地、機械地且堅固地固定到IC晶片封裝。此外，密封容納在IC晶片封裝中的IC晶片。這會防止外部大氣進入，且還防止濕氣和灰塵的侵入，並提高晶體控制振盪器的可靠性。
實施例6和實施例8中，IC晶片33通過超聲波熱壓接合或類似方法經由其安裝凸點34(例如，金凸點)而固定地緊固到電極墊35。在實施例7中，IC晶片33通過導線接合而安裝在IC晶片封裝3上。然而，顯然地，根據本發明，其它已知安裝方法適用作將IC晶片33安裝到IC晶片封裝3的方法。
根據本發明的晶體控制振盪器的具體實例，將在下文參考圖9A至圖21描述為實施例9到實施例13。圖22A至圖22E說明示範性製造工藝。其它具體實例將在下文參考圖23A至圖35描述為實施例14到實施例18。圖36A至圖36D說明示範性製造工藝。
實施例9
圖9A至圖9C為根據本發明的說明實施例9的晶體控制振盪器的 外視圖。圖9A說明頂表面(平坦表面)。圖9B說明在較長側方向上的側表面。圖9C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體控制振盪器1大體上稱為“1612尺寸TCXO”，且為IC晶片封裝3接合到晶體封裝2的晶體控制振盪器。此整個晶體控制振盪器1以切割空間(dicing space)的面積比晶體封裝2稍大，但仍為接合平面圖尺寸大致上等於晶體封裝2的IC晶片封裝3的低輪廓的產品。作為接合了IC晶片封裝3的晶體控制振盪器1的產品，IC晶片封裝3在較長側方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.2毫米。
此晶體控制振盪器1包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。晶體封裝2可採用圖1至圖8所說明的晶體封裝中的任一者。此處，採用圖5A的晶體封裝2。
圖10為說明圖9A至圖9C的晶體控制振盪器1的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如圖10所說明，這些端子充當接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。
圖11A和圖11B為圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。圖11A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖11B為沿著圖11A的線XIB-XIB截取的截面圖。圖11B所說明的IC晶片33通過：將IC晶片的凸點(未圖示)連接到設置在IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部的接線圖案處的電極墊35，來進行安裝。IC晶片33可通過導線接合來安裝。圖11A中形成長方形形狀的虛線為指示：待接合晶體封裝2的位置的假想線。IC晶片封 裝3的外部尺寸僅稍大。
實施例10
圖12A至圖12C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例10的晶體控制振盪器的外視圖。圖12A說明頂表面(平坦表面)。圖12B說明在較長側方向上的側表面。圖12C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體控制振盪器1大體上稱為“2016尺寸TCXO”，且包含：尺寸與用於接合了IC晶片封裝3的上述“1612尺寸TCXO”的晶體封裝2相同的晶體封裝2。此IC晶片封裝3比晶體封裝2稍大。晶體控制振盪器1在較長側方向上的尺寸為2.0毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.6毫米。提供了充足的切割空間尺寸。
類似於上述晶體控制振盪器，此晶體控制振盪器1包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。
圖13為說明圖12A至圖12C所說明的晶體控制振盪器1的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如圖13所說明，這些端子充當接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。
圖14A和圖14B為圖12A至圖12C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。圖14A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖14B為沿著圖14A的線XIVB-XIVB截取的截面圖。IC晶片33通過：將IC晶片的凸點(未圖示)連接到設置在IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部的接線圖案處的電極墊35，來進行安裝。IC晶片33可通過導線接合來安裝。圖14A中形成長方形形 狀的虛線為指示：待接合晶體封裝2的位置的假想線。
實施例11
圖15A至圖15C為根據本發明的說明實施例11的晶體控制振盪器的外視圖。圖15A說明頂表面(平坦表面)。圖15B說明在較長側方向上的側表面。圖15C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體控制振盪器1大體上稱為“3215尺寸TCXO”，且包含：接合到IC晶片封裝3的晶體封裝2，所述晶體封裝2容納音叉型晶體單元(tuning-fork type crystal unit)。
晶體封裝2的容器主體由陶瓷板製成。然而，這不應以限制性意義來解釋。可使用例如坯料和玻璃板的絕緣材料。晶體控制振盪器1在較長側方向上的尺寸為3.2毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.5毫米。在此實施例中，IC晶片封裝3以切割空間的面積比晶體封裝2稍大。可採用另一大型IC晶片封裝3。
類似於上述晶體控制振盪器，此晶體控制振盪器1包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。
圖16為說明圖15A至圖15C的晶體控制振盪器1的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如圖16所說明，這些端子充當接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源或接地端子(Vcc或GND)和電源端子(Vcc)。
圖17A和圖17B為圖15A至圖15C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。圖17A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖17B為沿著圖17A的線XVIIB-XVIIB截取的截面圖。IC晶片33通過：將IC晶片的凸點(未圖示)連接到設置在IC 晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部的接線圖案處的電極墊35，來進行安裝。IC晶片33可通過導線接合來安裝。圖17A中形成長方形形狀的虛線為指示：待接合晶體封裝2的位置的假想線。
實施例12
圖18A至圖18C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例12的、具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。圖18A說明頂表面(平坦表面)。圖18B說明在較長側方向上的側表面。圖18C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體單元大體上稱為“1612尺寸的具有溫度傳感器的晶體單元”，其嵌入了例如熱敏電阻的溫度傳感器。所述晶體單元大體上用作用於移動電話的TCXO的替代。
此具有溫度傳感器的晶體單元1A也是通過將IC晶片封裝3接合到晶體封裝2而構成。IC晶片封裝3僅包含熱敏電阻或二極體。熱敏電阻或二極體可用作：用於構成將應用的電子設備側上的任何電路的元件。如上所述，為了便於解釋，IC晶片封裝3包含安裝了除IC之外的元件的IC晶片封裝。
類似於圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器1，此整個具有溫度傳感器的晶體單元1A以切割空間的面積比晶體封裝2稍大，但仍為接合平面圖尺寸大致上等於晶體封裝2的IC晶片封裝3的低輪廓的產品。作為接合了IC晶片封裝3的晶體控制振盪器1的產品，IC晶片封裝3在較長側方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.2毫米。
此具有溫度傳感器的晶體單元1A包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。晶體封裝2可採用圖1至圖8所說明的晶 體封裝中的任一者。此處，採用圖5A的晶體封裝2。作為溫度傳感器，例如，二極體與熱敏電阻一樣適用。
圖19為說明圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元1A的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如圖19所說明，這些端子充當具有溫度傳感器的晶體單元1A的輸出端子(Xtal OUT)、熱敏電阻或二極體的輸出端子(S/D OUT)、具有溫度傳感器的晶體單元1A的輸入端子(Xtal IN)和熱敏電阻或二極體的輸入端子(S/D IN)。
圖20A至圖20C為圖18A至圖18C的具有溫度傳感器的晶體單元1A的IC晶片封裝的熱敏電阻或二極體的安裝部分的說明圖。圖20A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖20B為沿著圖20A的線XXB-XXB截取且說明第二凹陷部分38上的熱敏電阻7的示範性安裝的截面圖。圖20C說明第二凹陷部分38上的二極體17的示範性安裝。熱敏電阻7或二極體17使用其溫度特性，且連接到設置在IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部上的接線圖案處的電極墊35以進行安裝。圖20A中形成長方形形狀的虛線為指示：待接合晶體封裝2的位置的假想線。IC晶片封裝3的外部尺寸比晶體封裝2的尺寸稍大。
接著，將作為一個實施例(實施例13)來關於使用圖5A所說明的晶體封裝的圖9A至圖9C的晶體控制振盪器，而描述根據本發明的壓電模組的一種示範性製造方法。也可通過類似工藝來製造另一類型的使用晶體封裝和IC晶片封裝的晶體控制振盪器。
實施例13
圖21為圖9A至圖9C所說明的晶體控制振盪器的主要部分的截面圖。所述晶體控制振盪器為本發明的一種示範性製造方法的目標。此 晶體控制振盪器1包含：容納IC晶片33的IC晶片封裝3的第二凹陷部分38(上述實施例的第二凹陷部分)。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4塗覆在第二凹陷部分38的開口端面的整個周邊上。因此，IC晶片封裝3和晶體封裝2通過接合而積集，以使得開口由晶體封裝2的底表面覆蓋。
圖22A至圖22E為說明晶體控制振盪器的一種示範性製造方法的、根據本發明的晶體控制振盪器的主要部分的製造工藝圖。在此製造方法中，通過執行下文在圖22A至圖22E中遵循箭頭而描述的步驟來製造預定結構的晶體控制振盪器。下文描述每個步驟。可參考每個上述實施例，來理解圖22A至圖22E的每個組件構件。
步驟A：製備由陶瓷板製成的母板3A，其中製造了大量IC晶片封裝。在接合個別晶體封裝之後，通過切割，將母板3A分離為個別晶體控制振盪器。母板3A的底部壁層是由兩個層壓陶瓷板構成。在內層上形成充當屏蔽層的金屬膜12(屏蔽電極)，以覆蓋IC晶片33的容納區域。由框架壁層形成的第二凹陷部分38容納IC晶片33。在第二凹陷部分38的開口端面(構成第二凹陷部分38的側壁層的頂表面)上形成連接端子36。
步驟B：在第二凹陷部分38的開口端面(構成第二凹陷部分38的側壁層的頂表面)上，形成一層具有焊料顆粒的熱固性樹脂4。在包含連接端子36的開口端面的整個周邊上，形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4(箭頭C)。為了形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，以微量漿料進行的已知圖案形成方法(例如，分配器塗覆、絲網印刷和噴墨塗布)是適用的。
步驟C：將個別晶體封裝2(在個別地分離晶體控制振盪器晶體之前，稱為個別晶體封裝片)放置到、形成了具有焊料顆粒的熱固 性樹脂4的個別第二凹陷部分38的每個開口端面。在此狀態中，對個別晶體封裝片和母板3A執行加壓(箭頭P)和加熱(箭頭H)工藝。此時，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的焊料顆粒熔融、擴散且潤濕個別晶體封裝片的外部端子27和設置在母板3A的個別IC晶片封裝處的連接端子36。因此，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的熱固性樹脂也熔融。熔融的樹脂填充在包含連接端子36的開口端面(其面向個別晶體封裝片且設置在母板3A的個別IC晶片封裝上)的整個周邊與個別IC晶片封裝的外部端子27之間。
步驟D：熔融的焊料顆粒在個別晶體封裝片的外部端子27、與母板3A的連接端子36之間充分擴散且潤濕。在熔融的樹脂充分填充在母板3A的開口端面與個別晶體封裝片之間所花費的預定時間逝去之後，暫停加熱工藝，以去除熱量。接著，熔融的焊料凝固且通過金屬接合，而將晶體封裝2的外部端子與母板3A的連接端子接合在一起。熱固性樹脂在母板3A的開口端面與晶體封裝之間硬化。每個個別晶體封裝片電連接到母板3A，並機械地且堅固地接合到母板3A。
步驟E：在個別晶體封裝片的邊界處，切割接合了每個個別晶體封裝片的母板3A。這會獲得個別晶體控制振盪器1(圖21)，所述個別晶體控制振盪器1包含接合到晶體封裝2的IC晶片封裝3。
在上述步驟中製造了圖21所說明的晶體控制振盪器1。將進一步描述晶體封裝2和IC晶片封裝3的接合結構。
與圖5A中說明的細節一樣，構成圖21所說明的晶體控制振盪器的晶體封裝2是由：都以坯料製成的第一底部壁層21、第一框架壁層22和蓋體23形成。另一方面，IC晶片封裝3由層壓陶瓷板形成。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4中所包含的熱固性樹脂含有環氧樹脂作為基 底劑。一般來說，接合表面的表面積越大，接合越堅固。
在本發明中，如圖5A所述，對於面向IC晶片封裝3的晶體封裝2的容器主體的第一底部壁層21的外部底表面29，執行形成大量微小不均勻性29a的表面處理。對除外部端子27之外的外部底表面29的整個區域、或在面向IC晶片封裝3的開口端面的周圍部分處，執行此表面處理。
在IC晶片封裝3以具有焊料顆粒的熱固性樹脂接合到晶體封裝2的情況下，熔融的焊料和熔融的樹脂通過：在除外部端子形成部分之外的晶體封裝2的外部底表面29上形成的微小不均勻性29a，且隨後硬化。這會產生錨固效應(在樹脂由錨緊固的狀態中)，因此，以具有焊料顆粒的熱固性樹脂堅固地接合兩個封裝。
各向異性導電層可代替具有焊料顆粒的熱固性樹脂。效果的不同之處在於：外部端子與連接端子之間的連接形成，但在其它方面類似於使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂進行的接合。如上所述，在晶體封裝的容器主體由玻璃材料製成的狀況下，晶體控制振盪器可由類似於此實施例的接合結構構成。
實施例14
圖23A至圖23C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例14的晶體控制振盪器的外視圖。圖23A說明頂表面(平坦表面)。圖23B說明在較長側方向上的側表面。圖23C說明在較短側方向上的側表面。類似於上述具體實例，根據此實施例的晶體控制振盪器1大體上稱為“1612尺寸TCXO”，且為IC晶片封裝3接合到晶體封裝2的晶體控制振盪器。此晶體控制振盪器1為：將晶體封裝2接合到平面圖尺寸大致上等於晶體封裝2的平面圖尺寸的IC晶片封裝3的低 輪廓的產品。作為接合了IC晶片封裝3的晶體控制振盪器1的產品，晶體控制振盪器1在較長側方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.2毫米。
此晶體控制振盪器1包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。晶體封裝2可採用圖1至圖8所說明的晶體封裝中的任一者。此處，採用圖5A的晶體封裝2。
凹口5(城堡形結構(castellation))在厚度方向上設置在：構成晶體控制振盪器1的IC晶片封裝3的四個角落處。凹口5包含連接電極51。連接電極51將安裝端子37電連接到接線，所述接線從安裝在IC晶片封裝3內部的IC晶片引出到側壁。
圖24為說明圖23A至圖23C的晶體控制振盪器1的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如所說明，這些端子充當接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。
圖25A和25B為圖23A至圖23C的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。圖25A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖25B為沿著圖25A的線XXVB-XXVB截取的截面圖。圖25B所說明的IC晶片33通過：將IC晶片的凸點(未圖示)連接到設置在IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部的接線圖案處的電極墊35，來進行安裝。IC晶片33可通過導線接合來安裝。
實施例15
圖26A至圖26C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振 盪器的實施例15的晶體控制振盪器的外視圖。圖26A說明頂表面(平坦表面)。圖26B說明在較長側方向上的側表面。圖26C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體控制振盪器1大體上稱為“2016尺寸TCXO”，且包含：尺寸與用於接合了IC晶片封裝3的上述“1612尺寸TCXO”的晶體封裝2相同的晶體封裝2。此IC晶片封裝3比晶體封裝2稍大。晶體控制振盪器1在較長側方向上的尺寸為2.0毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.6毫米。
凹口5(城堡形結構)在厚度方向上設置在：構成晶體控制振盪器1的IC晶片封裝3的四個角落處。凹口5包含連接電極51。連接電極51將安裝端子37電連接到接線，所述接線從安裝在IC晶片封裝3內部的IC晶片引出到側壁。
類似於上述晶體控制振盪器，此晶體控制振盪器1包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。
圖27為說明圖26A至圖26C的晶體控制振盪器1的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如圖27所說明，這些端子充當接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源端子(Vcc)和E/D端子(啟用/停用)或AFC端子。每個安裝端子連接到接線(未圖示)，所述接線從IC晶片引出到凹口5中的連接電極51處的側壁。
圖28A和28B為圖26A至圖26C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。圖28A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖28B為沿著圖28A的線XXVIIIB-XXVIIIB截取的截面圖。IC晶片33通過：將IC晶片的凸點(未圖示)連接到設置在IC 晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部的接線圖案處的電極墊35，來進行安裝。IC晶片33可通過導線接合來安裝。圖28A中形成長方形形狀的虛線為指示：待接合晶體封裝2的位置的假想線。
實施例16
圖29A至圖29C為說明根據本發明的壓電模組應用於晶體控制振盪器的實施例16的晶體控制振盪器的外視圖。圖29A說明頂表面(平坦表面)。圖29B說明在較長側方向上的側表面。圖29C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體控制振盪器1大體上稱為“3215尺寸TCXO”，且包含接合到IC晶片封裝3的晶體封裝2，所述晶體封裝2容納音叉型晶體單元。
晶體封裝2的容器主體由陶瓷板製成。然而，這不應以限制性意義來解釋。可使用例如坯料和玻璃板的絕緣材料。晶體控制振盪器1在較長側方向上的尺寸為3.2毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.5毫米。根據此實施例，IC晶片封裝3比晶體封裝2稍大。可採用較大IC晶片封裝3。
凹口5(城堡形結構)在厚度方向上設置在：IC晶片封裝3和晶體封裝2堆疊的晶體控制振盪器1的四個角落處。安裝在晶體封裝2上的晶體單元的輸出端子引出到側壁，且電連接到連接電極52處的外部端子27(參見圖5A)。IC晶片封裝3的連接電極51將接線電連接到安裝端子37，所述接線從IC晶片引出到側壁。
類似於上述晶體控制振盪器，此晶體控制振盪器1包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。
圖30為說明圖29A至圖29C的晶體控制振盪器1的底表面 (外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如所說明，這些端子充當接地端子(GND)、輸出端子(OUTPUT)、電源或接地端子(Vcc或GND)和電源端子(Vcc)。
圖31A和圖31B為圖29A至圖29C所說明的晶體控制振盪器1的IC晶片封裝的IC晶片容納部分的說明圖。圖31A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖31B為沿著圖31A的線XXXIB-XXXIB截取的截面圖。IC晶片33通過：將IC晶片的凸點(未圖示)連接到設置在IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部的接線圖案處的電極墊35，來進行安裝。IC晶片33可通過導線接合來安裝。
實施例17
圖32A至圖32C為根據本發明的說明實施例17的具有溫度傳感器的晶體單元的外視圖。圖32A說明頂表面(平坦表面)。圖32B說明在較長側方向上的側表面。圖32C說明在較短側方向上的側表面。根據此實施例的晶體單元大體上稱為“1612尺寸的具有溫度傳感器的晶體單元”，其嵌入了例如熱敏電阻的溫度傳感器。所述晶體單元大體上用作用於移動電話的TCXO的替代。
此具有溫度傳感器的晶體單元1A也是通過將IC晶片封裝3接合到晶體封裝2而構成。IC晶片封裝3僅包含熱敏電阻或二極體。熱敏電阻或二極體可用作用於構成將應用的電子設備側上的任何電路的元件。如上所述，為了便於解釋，IC晶片封裝3包含安裝了除IC之外的元件的IC晶片封裝。
類似於圖23A至圖23C的IC晶片封裝3和晶體封裝2，具有溫度傳感器的晶體單元1A為：接合在平面圖中具有大致上相等的尺寸的IC晶片封裝3和晶體封裝2的低輪廓的產品。作為接合了IC晶片封 裝3的具有溫度傳感器的晶體單元1A的產品，IC晶片封裝3在較長側方向上的尺寸為1.6毫米，且在較短側方向上的尺寸為1.2毫米。
凹口5(城堡形結構)在厚度方向上設置在：構成具有溫度傳感器的晶體單元1A的IC晶片封裝3的四個角落處。凹口5包含連接電極51。連接電極51將安裝端子37電連接到接線，所述接線從IC晶片封裝3的IC晶片引出到側壁。
此具有溫度傳感器的晶體單元1A包含：以具有焊料顆粒的熱固性樹脂4在垂直方向上以雙層接合的晶體封裝2和IC晶片封裝3，因此，形成了積體電路組件。晶體封裝2可採用圖1至圖5所說明的晶體封裝中的任一者。此處，採用圖5A的晶體封裝2。作為溫度傳感器，例如，二極體與熱敏電阻一樣適用。
圖33為說明圖32A至圖32C的具有溫度傳感器的晶體單元1A的底表面(外表面，將應用的設備的安裝表面)的視圖。四個表面安裝型安裝端子37設置在底表面上。如圖33所說明，這些端子充當具有溫度傳感器的晶體單元1A的輸出端子(Xtal OUT)、熱敏電阻或二極體的輸出端子(S/D OUT)、具有溫度傳感器的晶體單元1A的輸入端子(Xtal IN)和熱敏電阻或二極體的輸入端子(S/D IN)。
圖34A至圖34C為圖32A至圖32C所說明的具有溫度傳感器的晶體單元1A的IC晶片封裝的熱敏電阻或二極體的安裝部分的說明圖。圖34A說明從晶體封裝側觀看的平面圖。圖34B為沿著圖34A的線XXXIVB-XXXIVB截取且說明第二凹陷部分38上的熱敏電阻7的示範性安裝的截面圖。圖34C為第二凹陷部分38上的二極體17的示範性安裝。熱敏電阻7或二極體17使用其溫度特性，且連接到設置在IC晶片封裝3的第二凹陷部分38的內部底部上的接線圖案處的電極墊35以 進行安裝。
接著，將作為一個實施例(實施例18)來關於使用圖5A所說明的晶體封裝的圖23A至圖23C的晶體控制振盪器，而描述根據本發明的壓電模組的另一種示範性製造方法。也可通過類似工藝來製造另一類型的使用晶體封裝和IC晶片封裝的晶體控制振盪器。
實施例18
圖35為圖23A至圖23C所說明的在四個角落處包含凹口的晶體控制振盪器的主要部分的截面圖。所述晶體控制振盪器為本發明的另一種示範性製造方法的目標。此晶體控制振盪器1包含：容納IC晶片33的IC晶片封裝3的凹陷部分38(第二凹陷部分)。具有焊料顆粒的熱固性樹脂4塗覆在第二凹陷部分38的開口端面的整個周邊上。因此，IC晶片封裝3和晶體封裝2通過接合而積集，以使得開口由晶體封裝2的底表面覆蓋。
圖36A至圖36D為說明根據本發明的晶體控制振盪器的一種示範性製造方法的晶體控制振盪器的主要部分的製造工藝圖。在此製造方法中，通過執行下文在圖36A至圖36D中遵循箭頭而描述的步驟，來製造預定結構的晶體控制振盪器。下文描述每個步驟。可參考每個上述實施例來理解圖36A至圖36D的每個組件構件。
步驟A：製備大量IC晶片封裝3。圖36A至圖36D中的每一個僅說明兩個封裝。在接合個別晶體封裝之前，將相應IC晶片封裝3分離為個別片。IC晶片封裝3的底部壁層是由兩個層壓陶瓷板構成。在內層上形成充當屏蔽層的金屬膜12以覆蓋IC晶片33的容納區域。由框架壁層形成的第二凹陷部分38容納IC晶片33。在第二凹陷部分38的開口端面(構成第二凹陷部分38的側壁層的頂表面)上形成連接端子 36。
步驟B：在第二凹陷部分38的開口端面(構成第二凹陷部分38的側壁層的頂表面)上，形成一層具有焊料顆粒的熱固性樹脂4。在包含連接端子36的開口端面的整個周邊上，形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4(箭頭C)。為了形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂4，以微量漿料進行的已知圖案形成方法(例如，分配器塗覆、絲網印刷和噴墨塗布)是適用的。
步驟C：在形成了具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的個別第二凹陷部分38的每個開口端面處，放置晶體封裝2的個別片。在此狀態中，對個別晶體封裝片和IC晶片封裝3執行加壓(箭頭P)和加熱(箭頭H)工藝。此時，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的焊料顆粒熔融、擴散且潤濕個別晶體封裝片的外部端子27和設置在IC晶片封裝3處的連接端子36。因此，具有焊料顆粒的熱固性樹脂4的熱固性樹脂也熔融。熔融的樹脂填充在包含連接端子36的開口端面(其面向個別晶體封裝片，且設置在IC晶片封裝3的個別IC晶片封裝上)的整個周邊與個別IC晶片封裝的外部端子27之間。
步驟D：熔融的焊料顆粒在個別晶體封裝片的外部端子27與IC晶片封裝3的連接端子36之間充分擴散且潤濕。在熔融的樹脂充分填充在開口端面與個別晶體封裝片之間所花費的預定時間逝去之後，暫停加熱工藝，以去除熱量。接著，熔融的焊料凝固且通過金屬接合，而將晶體封裝2的外部端子接合到IC晶片封裝3的連接端子。熱固性樹脂在IC晶片封裝3的開口端面與晶體封裝2之間硬化。晶體封裝電連接到IC晶片封裝3，並機械地且堅固地接合到IC晶片封裝3。
在上述步驟中製造了圖35所說明的晶體控制振盪器1。
各向異性導電層可代替具有焊料顆粒的熱固性樹脂。效果的不同之處在於：外部端子與連接端子之間的連接形成，但在其它方面類似於使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂進行的接合。如上所述，在晶體封裝的容器主體由玻璃材料製成的狀況下，晶體控制振盪器可由類似於此實施例的接合結構構成。
本發明不限於例如晶體控制振盪器的壓電模組，而是類似地適用於需要電連接和堅固且機械的接合、而不存在間隙的兩個或兩個以上裝置組件構件的接合。
本發明的目標為提供以晶體控制振盪器為代表的以下壓電模組。所述壓電模組確保了將安裝例如IC晶片的電路組件的大的第二凹陷部分。所述壓電模組具有安裝板的連接端子堅固地接合到以晶體單元為代表的壓電諧振器的外部端子的結構。所述壓電模組可安裝大尺寸的IC晶片或類似構件，而不擴大外部尺寸。所述壓電模組具有堅固接合的結構，且確保了晶體封裝通過簡單的製造工藝堅固地、電性地且機械地連接在IC晶片封裝的凹陷部分的開口端面上的密封結構，所述IC晶片封裝包含連接端子以連接到晶體單元的外部端子。顯然地，本發明不限於晶體控制振盪器，而是適用於具有以下壓電模組的一般接合結構：包含使用了壓電材料(包含晶體)的壓電振盪器的壓電模組，和包含含有振盪器的電路組件的部分的電路組件封裝的壓電模組。下文中，這些壓電模組有時稱為壓電振盪器或類似者。
用於描述根據本發明的壓電模組的示範性晶體控制振盪器包含晶體封裝和電路組件封裝(在電路組件為IC晶片的情況下為IC晶片封裝)。所述晶體封裝包含容納晶體單元且包含外部端子的絕緣容器。所述電路組件封裝包含例如IC晶片的電路組件和具有用於連接到外部端 子的連接端子的容器。所述IC晶片積集用於與晶體單元一起構成晶體控制振盪器的電路。為了將晶體封裝和電路組件封裝電性地、機械地且堅固地連接在一起，採用以下典型構造。通過將以下“晶體”替換為“壓電”，從“晶體控制振盪器”推斷出“壓電模組”。
(1)一種晶體控制振盪器包含晶體封裝和電路組件封裝。所述晶體封裝容納晶體單元。所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經配置以基於所述晶體單元的振動信號而以預定頻率產生振盪信號。所述晶體封裝和所述電路組件封裝電接合且機械接合。所述晶體封裝包含第一凹陷部分、蓋體和多個外部端子。所述第一凹陷部分包含第一底部壁層和第一框架壁層。所述第一凹陷部分容納所述晶體單元。所述蓋體密封所述第一凹陷部分。所述多個外部端子經配置以將所述晶體單元的所述振動信號輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面。所述電路組件封裝包含第二凹陷部分和多個連接端子。所述第二凹陷部分包含第二底部壁層和第二框架壁層。所述第二凹陷部分容納所述電路組件。所述多個連接端子處在所述第二凹陷部分的開口端面上。所述多個連接端子電連接到所述晶體封裝的所述外部底表面上的多個相應外部端子。所述晶體控制振盪器包含具有焊料顆粒的熱固性樹脂，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述晶體封裝的所述多個外部端子和所述電路組件封裝的所述多個連接端子通過金屬接合而電連接。所述金屬接合採用構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的焊料顆粒的熔融和硬化。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面通過構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂 的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。
(2)根據描述(1)，構成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層由陶瓷板製成。構成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板製成。
(3)根據描述(1)，構成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體由坯料製成。構成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板製成。
(4)根據描述(3)，粗糙表面處理是對所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的開口端面的至少整個周邊所面向的所述第一底部壁層的所述外部底表面執行。所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂堅固地接合在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。
(5)根據描述(4)，所述粗糙表面處理形成大量不均勻性和大量微孔中的一者或兩者，其通過錨固在所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態中而堅固地接合。
(6)根據描述(1)，用於接合所述晶體封裝與所述IC晶片封裝的具有焊料顆粒的熱固性樹脂從形成在所述晶體封裝的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內部延伸。所述外部底表面經設置以覆蓋所述IC晶片封裝的所述凹陷部分的開口。
根據描述(1)，用於接合所述晶體單元與所述IC晶片封裝的具有焊料顆粒的熱固性樹脂從包含頂表面的部分的所述IC晶片的側表 面填充到安裝所述IC晶片的所述IC晶片封裝的內部底表面的部分。
(8)一種晶體控制振盪器包含晶體封裝和電路組件封裝。所述晶體封裝容納晶體單元。所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經配置以基於所述晶體單元的振動信號而以預定頻率產生振盪信號。所述晶體封裝和所述電路組件封裝電接合且機械接合。所述晶體封裝包含第一凹陷部分、蓋體和多個外部端子。所述第一凹陷部分包含第一底部壁層和第一框架壁層。所述第一凹陷部分容納所述晶體單元。所述蓋體密封所述第一凹陷部分。所述多個外部端子經配置以將所述晶體單元的所述振動信號輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面。所述電路組件封裝包含第二凹陷部分和多個連接端子。所述第二凹陷部分包含第二底部壁層和第二框架壁層。所述第二凹陷部分容納所述電路組件。所述多個連接端子處在所述第二凹陷部分的開口端面上。所述多個連接端子電連接到所述晶體封裝的所述外部底表面上的多個相應外部端子。所述晶體控制振盪器包含各向異性導電層，其插入在包含所述電路組件封裝的所述多個連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間。所述晶體封裝的所述多個外部端子和所述電路組件封裝的所述多個連接端子通過接合而電連接。所述接合通過在製造時加熱和加壓而插入構成所述各向異性導電層的導電填料來形成電橋。所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個周邊與所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面通過構成所述各向異性導電層的熱固性樹脂的熔融和硬化來接合。
(9)根據描述(8)，構成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層由陶瓷板製成。構成所述電路 組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板製成。
(10)根據描述(8)，構成所述晶體封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體由坯料製成。構成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層由陶瓷板製成。
(11)根據描述(10)，粗糙表面處理是對所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的至少整個周邊所面向的所述第一底部壁層的外部底表面執行。所述熔融的導電填料和所述熔融的熱固性樹脂堅固地接合在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。
(12)根據描述(11)，所述粗糙表面處理形成大量不均勻性和大量微孔中的一者或兩者，其通過錨固在所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述晶體封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態中而堅固地接合。
(13)根據描述(8)至(12)中任一項，用於接合所述晶體封裝與所述IC晶片封裝的所述各向異性導電膜從形成在所述晶體封裝的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內部延伸。所述外部底表面經設置以覆蓋所述IC晶片封裝的所述凹陷部分的開口。
(14)根據描述(8)至(12)中任一項，用於接合所述晶體封裝與所述IC晶片封裝的所述各向異性導電膜從包含頂表面的部分的所述IC晶片的側表面填充到安裝了所述IC晶片的所述IC晶片封裝的內部底表面的部分。
下文進一步描述本發明的詳細結構。
(15)一種晶體封裝在由底部壁層和框架壁層形成的容器主體的凹陷部分中容納晶體單元。所述底部壁層和所述框架壁層由例如陶瓷板、坯料和玻璃的絕緣材料製成。所述凹陷部分由例如金屬、坯料和玻璃的絕緣材料所製成的蓋體密封。所述底部壁層具有外部底表面，所述外部底表面上設置了電連接到稍後描述的IC晶片封裝的外部端子。所述外部端子連接到所述晶體單元的激勵電極。
(16)類似地，所述IC晶片封裝在由底部壁層和框架壁層形成的容器的凹陷部分中容納IC晶片。所述底部壁層和所述框架壁層由例如陶瓷板、坯料和玻璃的絕緣材料製成。形成所述凹陷部分的所述框架壁層的寬度(在底部壁層方向上觀看的平面圖中的寬度)製造得小(窄)以便在所述凹陷部分中形成大於圖37A和圖37B所說明的常規實例的面積的面積。這允許安裝較大尺寸的IC晶片和電子組件，而不擴大外部尺寸。
(17)所述IC晶片封裝在由所述底部壁層和所述框架壁層形成的所述容器中包含所述凹陷部分的開口端面(所述框架壁層的表面)。所述開口端面包含連接端子，所述連接端子面向所述晶體封裝的所述外部端子且電連接到所述晶體封裝的所述外部端子。所述連接端子連接到所述IC晶片的電路。所述底部壁層在所述底表面上形成安裝端子。所述安裝端子用於表面安裝在安裝目標設備的基板或類似者上。操作電源從這些端子供應，且振盪信號供應到安裝板的所需功能電路。
(18)所述晶體封裝和所述IC晶片封裝通過以下方法而連接在一起。將具有焊料顆粒的熱固性樹脂插入在外部端子的形成表面與連接端子的形成表面之間的整個周邊上，且接著加熱和加壓。或者，形成導電材料顆粒分散在熱固性樹脂中的各向異性導電層，且接著加熱和加 壓。
(19)在使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂的情況下，通過圍繞在包含面向所述晶體封裝的所述外部底表面的所有表面周圍而塗覆所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂。所有表面處在所述IC晶片封裝的所述凹陷部分的所述開口端面上，且包含所述連接端子。對所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂加熱和加壓而將上述外部端子和連接端子通過金屬接合電連接在一起。或者，通過所述熱固性樹脂的熔融和硬化來接合而將所述晶體封裝堅固地機械地且固定地緊固到所述IC晶片封裝，而不存在間隙。可在所述晶體封裝的外部底表面側處塗覆所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂，或可在所述IC晶片封裝的所述凹陷部分的開口端面與所述晶體封裝的外部底表面兩者上塗覆所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂。
(20)在使用各向異性導電層的情況下，在包含所述外部端子的形成表面與所述連接端子的形成表面之間的整個周邊上形成所述各向異性導電層。在所述晶體封裝與所述IC晶片封裝之間加壓和加熱，且導電填料在所述連接端子與所述外部端子之間電形成電橋以連接所述連接端子與所述外部端子。所述晶體封裝包含構成所述容器主體的所述第一底部壁層的所述外部底表面。所述IC晶片封裝包含所述第二凹陷部分的所述開口端面。在所述外部底表面與所述開口端面之間，通過所述熱固性樹脂的硬化和接合來密封，且接著兩者機械地緊固。塗金樹脂或類似材料的顆粒適用於導電填料。
(21)所述IC晶片封裝的連接端子僅需要從所述晶體封裝接收電壓信號。因此，其電極面積不需要大。所述IC晶片封裝的連接端子可僅需要尺寸足以緊固地連接所述晶體封裝的外部端子的面積。所述連接端子可具有任何形狀，只要設置在所述IC晶片封裝的凹陷部分的開口 端面上的連接端子面向上述晶體封裝的外部端子且具有足以嚙合具有焊料顆粒的熱固性樹脂中的焊料顆粒且執行金屬接合的尺寸。採用各向異性導電層的情況也是如此。
(22)所述晶體封裝包含容器主體，其具有形成了外部端子的底部壁層。所述底部壁層在所有表面上為平坦的。外部端子可變為外部端子27以最大距離間隔開以使得不會彼此發生短路的具有大面積的電極。另一方面，相比所述晶體封裝的外部端子(大體上，正方形形狀或接近正方形的長方形形狀)，所述IC晶片封裝的連接端子可相對小。較小連接端子實現所述IC晶片封裝的凹陷部分的開口端面尺寸減小，從而導致凹陷部分面積的擴大。這允許在包含兩個封裝的電極部分的外圍的接合部分的整個周邊上無縫地形成具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導電層。這確保兩個封裝的緊固密封和堅固接合。
(23)所述IC晶片可通過所謂的倒裝晶片接合、導線接合、焊料凸點接合和以具有焊料顆粒的熱固性樹脂進行的接合中任一方法，而安裝在由陶瓷板製成的底部壁層和框架壁層形成的凹陷部分上。
(24)將所述晶體封裝和所述IC晶片封裝接合在一起的具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導電層經設置以使得所述IC晶片封裝的凹陷部分的開口被覆蓋。具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導電層從形成在所述晶體封裝的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內部延伸。這更增強了兩個封裝的接合。此外，所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂從包含頂表面(所述晶片的背表面：凹陷部分的開口側)的部分的所述IC晶片的側表面填充到具有所述IC晶片的所述IC晶片封裝的內部底表面的部分。這提高了所述IC晶片封裝的剛性，從而更增強了兩個封裝的接合。
(25)代替晶體封裝堆疊且固定地緊固到具有IC晶片的IC晶片封裝的結構，容納熱敏電阻或二極體的具有溫度傳感器的壓電模組的結構類似地適用。在此情況下，IC晶片未安裝到所述IC晶片封裝。然而，在本發明中，所述IC晶片為類似於熱敏電阻或二極體的電子組件中的一者。為便於解釋，容納例如包含IC晶片的熱敏電阻或二極體的離散電路組件的封裝統稱為電路組件封裝。
(26)如果包含晶體封裝的蓋體的容器主體由坯料製成，那麼容器主體的底部壁層也由石英晶體材料形成。因此，相比使用陶瓷材料的接合強度，以熱固性樹脂實現的接合強度低。根據本發明，大量微小不均勻性和微孔形成在由坯料製成的容器主體的底部壁層的表面(外表面)上。接著，熔融的樹脂的部分通過所述微小不均勻性和微孔且錨固，從而增強與IC晶片封裝的接合。包含晶體封裝的蓋體的容器主體可由玻璃材料製成。可通過對由坯料製成的外部壁層執行類似於上述表面處理的表面處理來增強此容器主體的接合強度。
(27)構成晶體封裝和IC晶片封裝中的一者或兩者的底部壁層可為多個層。金屬膜可設置在內層處且連接到接地。這提供了電磁屏蔽。金屬膜或金屬層可設置在避免構成晶體封裝和IC晶片封裝中的一者或兩者的底部壁層上的外部端子或連接端子的部分處。在由除金屬板之外的絕緣體形成晶體封裝的蓋體的情況下，金屬膜或金屬層可設置在封裝的內表面或外表面上且連接到接地。
因此，即使在IC晶片封裝的連接端子與晶體封裝的外部端子相比相對較小時，使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導電層通過接合來使兩個端子連接會確保向包含IC晶片的振盪器電路供應安裝到晶體封裝的晶體單元的振動信號電壓。或者，具有焊料顆粒的熱固性 樹脂或各向異性導電層形成在所述晶體封裝和所述IC晶片封裝的接合部分的整個周邊上，所述接合部分為所述晶體封裝與所述IC晶片封裝接合在一起的部分。接著，對晶體封裝的外部端子和IC晶片封裝的連接端子加熱和加壓，以在導電顆粒之間執行金屬接合或使用金屬塗布層而實現的導電接合。同時，通過具有焊料顆粒的熱固性樹脂或具有導電顆粒的熱固性樹脂的硬化來機械地且堅固地接合兩個封裝，因此氣密地密封所述IC晶片封裝的凹陷部分。
所述晶體封裝和所述IC晶片封裝以具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導電層來密封。這會防止雜質黏合到IC晶片和濕氣侵入到IC晶片，且消除對填充底填料材料以固定地緊固IC晶片的需要。為進一步堅固地緊固所述IC晶片，具有焊料顆粒的熱固性樹脂過量地塗覆，達到具有焊料顆粒的熱固性樹脂在所述IC晶片封裝的凹陷部分內溢出的程度。這更增強了接合。
設置在IC晶片封裝的凹陷部分的開口端面上以電連接到晶體封裝的外部端子的連接端子尺寸減小。因此，所述IC晶片封裝的框架壁層的厚度可為薄的。因此，凹陷部分的面積可擴大，因此允許容納且安裝大尺寸的IC晶片。特別是，例如溫度補償式晶體控制振盪器(TCXO)的高性能振盪器與不具有溫度控制功能的晶體控制振盪器(SPXO)的電路相比包含積集到IC晶片中的大型電路。因此，可容納且安裝高性能且大型的IC晶片，而不擴大IC晶片封裝的外部尺寸。在使用尺寸與常規IC晶片相同的IC晶片的情況下，減小了IC晶片封裝和晶體封裝的外部尺寸。這導致整個晶體控制振盪器的外部尺寸減小。
在使用具有焊料顆粒的熱固性樹脂的情況下，按照常規使用焊料來對晶體封裝的外部端子和IC晶片封裝的連接端子的電極表面執 行以連接所述端子的焊料預塗布為不必要的，因此簡化了製造工藝。在此情況下，可同時執行外部端子與連接端子之間的電連接和晶體封裝與IC晶片封裝之間的接合。這也會簡化製造工藝。
在所述晶體封裝的容器主體由石英晶體材料或玻璃材料製成且所述晶體封裝以具有焊料顆粒的熱固性樹脂或各向異性導電層接合到IC晶片封裝的情況下，對晶體封裝的外部底表面執行粗糙表面處理，或形成大量微小不均勻性。因此，可通過將熔融且硬化的樹脂的錨固效應來改進接合強度。
顯然地，可進行各種修改，而不偏離隨附權利要求書的技術範圍。可按其它不同形式來實施並實踐本發明，而不偏離本發明的精神和基本特性。
已在前述說明書中描述了本發明的原理、優選實施例和操作模式。然而，希望受到保護的本發明不應解釋為限於所揭露的特定實施例。此外，本文所描述的實施例應被視為說明性的而非限制性的。可由他人進行各種變化和改變，採用均等物，而不偏離本發明的精神。因此，明確希望特此涵蓋落入如申請專利範圍界定的本發明的精神和範疇內的所有這些變化、改變和均等物。
1‧‧‧晶體控制振盪器
2‧‧‧晶體封裝
20‧‧‧容器主體
21‧‧‧第一底部壁層
22‧‧‧第一框架壁層
23‧‧‧蓋體
24‧‧‧晶體單元
25‧‧‧導電黏合劑
26‧‧‧晶體保持端子
27‧‧‧外部端子
28‧‧‧第一凹陷部分
3‧‧‧IC晶片封裝
30‧‧‧通孔或通路孔
31‧‧‧第二底部壁層
32‧‧‧第二框架壁層
33‧‧‧IC晶片
34‧‧‧安裝凸點
35‧‧‧電極墊
36‧‧‧連接端子
37‧‧‧安裝端子
38‧‧‧第二凹陷部分
4‧‧‧具有焊料顆粒的熱固性樹脂
4a‧‧‧焊料顆粒

Claims (15)

  1. 一種壓電模組，其特徵在於包括：壓電封裝，所述壓電封裝容納壓電諧振器；以及電路組件封裝，所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經配置以基於所述壓電諧振器的振動信號而以預定頻率產生振盪信號，其中所述壓電封裝和所述電路組件封裝為電接合且機械接合，其中所述壓電封裝包含：第一凹陷部分，包含：第一底部壁層和第一框架壁層，所述第一凹陷部分容納所述壓電諧振器；蓋體，密封所述第一凹陷部分；以及多個外部端子，經配置以將所述壓電諧振器的所述振動信號輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面，其中所述電路組件封裝包含：第二凹陷部分，包含：第二底部壁層和第二框架壁層，所述第二凹陷部分容納所述電路組件；以及多個連接端子，位在所述第二凹陷部分的開口端面上，所述多個連接端子電連接到所述壓電封裝的所述外部底表面上的多個相應外部端子，其中所述壓電模組包括：具有焊料顆粒的熱固性樹脂，被插入在：包含所述電路組件封裝的所述多個連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的整個周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間，其中所述壓電封裝的所述多個外部端子和所述電路組件封裝的所述多個連接端子通過金屬接合而電連接，所述金屬接合採用：構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的焊料 顆粒的熔融和硬化，且所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面是：通過構成所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂的所述熱固性樹脂的熔融和硬化，來進行接合。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的壓電模組，其中：構成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層是由陶瓷板製成，且構成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層是由陶瓷板製成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的壓電模組，其中：構成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體是由坯料製成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的壓電模組，其中：對所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的開口端面的至少整個周邊所面向的所述第一底部壁層的所述外部底表面，執行粗糙表面處理，且所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂堅固地接合在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的壓電模組，其中：所述執行了粗糙表面處理的表面具有多個微小不均勻性，所述表面通過錨固，在所述熔融的焊料顆粒和所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態中，而進行堅固地接合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的壓電模組，其中：用於接合所述壓電諧振器與所述IC晶片封裝的、所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂是：從形成在所述壓電諧振器的所述外部底表面上的 所述外部端子沿著所述外部底表面在內部延伸，且所述外部底表面經設置以覆蓋所述IC晶片封裝的所述凹陷部分的開口。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的壓電模組，其中：用於接合所述壓電諧振器與所述IC晶片封裝的、所述具有焊料顆粒的熱固性樹脂是：從包含頂表面的部分的所述IC晶片的側表面填充到容納所述IC晶片的所述IC晶片封裝的內部底表面的部分。
  8. 一種壓電模組，其特徵在於包括：壓電封裝，所述壓電封裝容納壓電諧振器；以及電路組件封裝，所述電路組件封裝容納電路組件，所述電路組件經配置以基於所述壓電諧振器的振動信號而以預定頻率產生振盪信號，其中所述壓電封裝和所述電路組件封裝為電接合且機械接合，其中所述壓電封裝包含：第一凹陷部分，包含：第一底部壁層和第一框架壁層，所述第一凹陷部分容納所述壓電諧振器；蓋體，密封所述第一凹陷部分；以及多個外部端子，經配置以將所述壓電諧振器的所述振動信號輸出到所述第一凹陷部分的外部底表面，其中所述電路組件封裝包含：第二凹陷部分，包含：第二底部壁層和第二框架壁層，所述第二凹陷部分容納所述電路組件；以及多個連接端子，位在所述第二凹陷部分的開口端面上，所述多個連接端子電連接到所述壓電封裝的所述外部底表面上的多個相應外部端子，其中所述壓電模組包括：各向異性導電層，被插入在：包含所述電路組件封裝的所述多個連接端子的所述第二凹陷部分的所述開口端面的 整個周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面之間，其中所述壓電封裝的所述多個外部端子和所述電路組件封裝的所述多個連接端子通過接合而電連接，所述接合通過在製造時加熱和加壓，而插入構成所述各向異性導電層的導電填料來形成電橋，且所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述開口端面的所述整個周邊、與所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述外部底表面是：通過構成所述各向異性導電層的所述熱固性樹脂的熔融和硬化，來進行接合。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的壓電模組，其中：構成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層和所述第一框架壁層是由陶瓷板製成，且構成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層是由陶瓷板製成。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的壓電模組，其中：構成所述壓電封裝的所述第一凹陷部分的所述第一底部壁層、所述第一框架壁層和所述蓋體是由坯料製成，且構成所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的所述第二底部壁層和所述第二框架壁層是由陶瓷板製成。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的壓電模組，其中：對所述電路組件封裝的所述第二凹陷部分的開口端面的至少整個周邊所面向的所述第一底部壁層的所述外部底表面，執行粗糙表面處理，且所述熔融的導電填料和所述熔融的熱固性樹脂堅固地接合在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的壓電模組，其中： 所述執行了粗糙表面處理的表面具有多個微小不均勻性，所述表面通過錨固，在所述熔融的熱固性樹脂收納且硬化在所述壓電封裝的所述第一底部壁層的所述外部底表面上的狀態中，而進行堅固地接合。
  13. 如申請專利範圍第8項所述的壓電模組，其中：用於接合所述壓電諧振器與所述IC晶片封裝的、所述各向異性導電層是：從形成在所述壓電諧振器的所述外部底表面上的所述外部端子沿著所述外部底表面在內部延伸，且所述外部底表面經設置以覆蓋所述IC晶片封裝的所述凹陷部分的開口。
  14. 如申請專利範圍第8項所述的壓電模組，其中：用於接合所述壓電諧振器與所述IC晶片封裝的、所述各向異性導電層是：從包含頂表面的部分的所述IC晶片的側表面填充到容納所述IC晶片的所述IC晶片封裝的內部底表面的部分。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的壓電模組，更包括：凹口，設置在所述IC晶片封裝的四個角落中的每一者，且引線，位在所述IC晶片封裝中，以用於安裝在所述IC晶片封裝中的所述電路組件；安裝電極，設置在所述IC晶片封裝的所述底表面上；以及連接端子，處於所述凹口中，將所述安裝電極連接到所述引線。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756206B (zh) * 2016-04-01 2022-03-01 美商英特爾公司 使用壓電封裝積體切換裝置的可調射頻系統

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9548717B2 (en) * 2012-11-16 2017-01-17 Daishinku Corporation Piezoelectric resonator device using temperature sensor unit
JP2015089095A (ja) * 2013-02-04 2015-05-07 日本電波工業株式会社 表面実装型の低背発振器
JP6173758B2 (ja) 2013-04-24 2017-08-02 日本電波工業株式会社 接合型水晶発振器
JP6284717B2 (ja) * 2013-05-16 2018-02-28 太陽誘電株式会社 電子部品、及び電子部品の製造方法
CN103441745A (zh) * 2013-08-28 2013-12-11 广东合微集成电路技术有限公司 晶体振荡器的封装结构及封装方法
JP2015089102A (ja) 2013-09-24 2015-05-07 日本電波工業株式会社 発振器
JP6738588B2 (ja) * 2014-09-02 2020-08-12 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器、および移動体
JP6543456B2 (ja) * 2014-10-24 2019-07-10 京セラ株式会社 水晶振動子
JP6350248B2 (ja) * 2014-12-02 2018-07-04 株式会社大真空 圧電発振器
US10170403B2 (en) * 2014-12-17 2019-01-01 Kinsus Interconnect Technology Corp. Ameliorated compound carrier board structure of flip-chip chip-scale package
JP6769220B2 (ja) * 2016-10-03 2020-10-14 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージ、発振器、電子機器、および移動体
JP2018074370A (ja) * 2016-10-28 2018-05-10 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
CN109804562B (zh) * 2016-11-17 2023-05-30 株式会社大真空 压电振动器件
US11302611B2 (en) * 2018-11-28 2022-04-12 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with top circuit and an IC with a gap over the IC
CN109508097B (zh) * 2019-01-11 2022-04-08 业成科技（成都）有限公司 触觉反馈模块及其制备方法和触控装置
CN117334644B (zh) * 2023-11-29 2024-02-13 四川弘智远大科技有限公司 一种集成电路封装的实时固化结构

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0176030B1 (en) * 1984-09-26 1992-04-29 TERUMO KABUSHIKI KAISHA trading as TERUMO CORPORATION Ultrasonic transducer and method of manufacturing same
JP3152834B2 (ja) * 1993-06-24 2001-04-03 株式会社東芝 電子回路装置
US5506463A (en) * 1993-08-23 1996-04-09 Rohm Co., Ltd. Packaged piezoelectric oscillator and method of making the same
JP2960374B2 (ja) * 1996-06-17 1999-10-06 松下電器産業株式会社 圧電発振器
JP3570600B2 (ja) * 1997-01-14 2004-09-29 株式会社村田製作所 圧電部品およびその製造方法
JPH114064A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Nec Corp 異方性導電樹脂及びこれを用いた電子部品の実装構造
JP3423255B2 (ja) * 1999-06-04 2003-07-07 日本電波工業株式会社 表面実装水晶発振器
JP2002118437A (ja) * 2000-10-04 2002-04-19 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型電子部品のパッケージ
JP4232190B2 (ja) 2002-11-27 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器、及びその製造方法、並びに圧電発振器を利用した携帯電話装置、電子機器
JP4907962B2 (ja) * 2005-11-22 2012-04-04 日本電波工業株式会社 表面実装用水晶発振器
JP2007208568A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
JP2007235469A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Kyocera Kinseki Corp 水晶発振器の製造方法
JP2007251766A (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2008252442A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Daishinku Corp 圧電振動デバイスの製造方法
JP4752813B2 (ja) * 2007-06-20 2011-08-17 パナソニック株式会社 基板の接合方法及び基板接合体
JP2009105628A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶デバイス及びその製造方法
US8177335B2 (en) * 2008-10-24 2012-05-15 Xerox Corporation Transducer interconnect with conductive films
WO2010070779A1 (ja) * 2008-12-19 2010-06-24 パナソニック株式会社 異方性導電樹脂、基板接続構造及び電子機器
JP5310252B2 (ja) * 2009-05-19 2013-10-09 パナソニック株式会社 電子部品実装方法および電子部品実装構造
JP2012010113A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装型の圧電デバイス
JP2013005099A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイスとその製造方法
JP2013207686A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶発振器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756206B (zh) * 2016-04-01 2022-03-01 美商英特爾公司 使用壓電封裝積體切換裝置的可調射頻系統

Also Published As

Publication number Publication date
US20130187723A1 (en) 2013-07-25
US8941445B2 (en) 2015-01-27
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CN103219967A (zh) 2013-07-24
JP2013219738A (ja) 2013-10-24

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