WO2020202814A1 - 圧電振動デバイス - Google Patents

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WO2020202814A1
WO2020202814A1 PCT/JP2020/005308 JP2020005308W WO2020202814A1 WO 2020202814 A1 WO2020202814 A1 WO 2020202814A1 JP 2020005308 W JP2020005308 W JP 2020005308W WO 2020202814 A1 WO2020202814 A1 WO 2020202814A1
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mounting
electrodes
sealing member
electrode
integrated circuit
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PCT/JP2020/005308
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宏樹 吉岡
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株式会社大真空
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    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric vibration device used in various electronic devices such as communication devices.
  • piezoelectric vibrators and piezoelectric oscillators are widely used as piezoelectric vibration devices.
  • a temperature-compensated piezoelectric oscillator that compensates for the frequency-temperature characteristics of a piezoelectric oscillator is widely used as a frequency source for portable communication devices whose temperature environment changes.
  • the temperature-compensated piezoelectric oscillator is equipped with an integrated circuit element with a built-in temperature sensor and temperature compensation circuit.
  • a compensation voltage is generated to control the oscillation frequency based on the detection temperature of the temperature sensor built in the integrated circuit element (see, for example, Patent Document 1).
  • a surface mount type temperature compensation type piezoelectric oscillator its external connection terminal is bonded to an external circuit board using a bonding material such as solder and mounted.
  • a bonding material such as solder and mounted.
  • the integrated circuit element is directly connected to the external connection terminal via internal wiring or the like.
  • the piezoelectric vibrator is connected to the integrated circuit element via internal wiring or the like, and is not directly connected to the external connection terminal.
  • the heat from the heat source of the external circuit board conducted to the external connection terminal of the temperature-compensated piezoelectric oscillator is rapidly conducted to the integrated circuit element via the external connection terminal having good thermal conductivity and the internal wiring. Will be done. Therefore, the gradient of the temperature rise of the integrated circuit element is steeper than the gradient of the temperature rise of the piezoelectric vibrator. Therefore, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator becomes large. Until this temperature difference is reduced and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator reach a thermal equilibrium state, accurate temperature compensation becomes difficult, and frequency fluctuation, so-called frequency drift, occurs.
  • This frequency drift occurs not only when the energization of the electronic component that is the heat source mounted on the external circuit board is started, but also when the energization of the electronic component is stopped. That is, when the energization of the electronic component that is the heat source mounted on the external circuit board is stopped, the heat from the electronic component is not conducted to the temperature-compensated piezoelectric oscillator, so that the temperature of the temperature-compensated piezoelectric oscillator Decreases. At this time, the heat of the integrated circuit element is quickly conducted to the external connection terminal via the internal wiring or the like having good thermal conductivity and dissipated. Therefore, the gradient of the temperature drop of the integrated circuit element is steeper than the gradient of the temperature drop of the piezoelectric vibrator. Therefore, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator becomes large. Frequency drift occurs until this temperature difference is reduced and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator reach a thermal equilibrium state.
  • the present invention has been made in view of the above points, and allows the temperature difference between the piezoelectric vibrator and the integrated circuit element generated by heat from an external circuit board on which the piezoelectric vibration device is mounted.
  • the purpose is to suppress it.
  • the piezoelectric vibration device of the present invention has a piezoelectric vibrator having a plurality of external connection terminals and a plurality of mounting electrodes, and a plurality of mounting terminals connected to the plurality of mounting electrodes, and the piezoelectric vibration A piezoelectric vibration device including an integrated circuit element mounted on a child.
  • the piezoelectric vibrator includes a piezoelectric diaphragm in which excitation electrodes are formed on both main surfaces thereof, and a first sealing member that covers and seals one main surface side of both main surfaces of the piezoelectric diaphragm.
  • the piezoelectric diaphragm is provided with a second sealing member that covers and seals the other main surface side of both main surfaces.
  • a pair of mounting electrodes are electrically connected to the excitation electrodes formed on both main surfaces thereof, and the remaining plurality of mounting electrodes are connected to the plurality of external connections. It is electrically connected to each terminal,
  • the remaining plurality of mounting electrodes each include a wiring pattern for electrically connecting the plurality of external connection terminals and the plurality of mounting terminals of the integrated circuit element.
  • the wiring pattern of at least one mounting electrode of the remaining plurality of mounting electrodes has a narrow constriction.
  • the remaining plurality of mounting electrodes other than the pair of mounting electrodes connected to the excitation electrodes on both main surfaces of the piezoelectric diaphragm are each of a plurality of external connection terminals and a plurality of integrated circuit elements. Each has a wiring pattern that electrically connects to the mounting terminals.
  • the wiring pattern of at least one mounting electrode of the remaining plurality of mounting electrodes has a narrow constriction that hinders heat conduction. Therefore, when the heat generated by the heat source of the external circuit board on which the piezoelectric vibration device is mounted is conducted from the external connection terminal of the piezoelectric vibration device to the integrated circuit element via the wiring pattern, the heat is transferred. Conduction can be blocked by constrictions in the wiring pattern.
  • the gradient of the temperature rise of the integrated circuit element can be made gentle, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be quickly brought into a thermal equilibrium state. ..
  • the heat generation of the heat source of the external circuit board is stopped and the temperature of the piezoelectric vibration device is lowered, the heat of the integrated circuit element is conducted to the external connection terminal via the wiring pattern and dissipated.
  • the conduction of heat can be hindered by the narrowed portion of the wiring pattern.
  • the gradient of the temperature drop of the integrated circuit element can be made gentle, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be quickly brought into a thermal equilibrium state. ..
  • the piezoelectric vibrator has a three-layer laminated structure in which each main surface side of the piezoelectric diaphragm having excitation electrodes formed on both main surfaces thereof is sealed with the first and second sealing members. Therefore, it is possible to reduce the thickness (lower height) as compared with the package structure in which the piezoelectric vibrating piece is housed in the container having the recessed housing part and sealed with the lid.
  • the wiring pattern of all the mounting electrodes of the remaining plurality of mounting electrodes has the narrowed portion.
  • the heat generated by the heat source of the external circuit board on which the piezoelectric vibration device is mounted is more effectively prevented from being conducted from the external connection terminal to the integrated circuit element via the wiring pattern. be able to. Further, the heat generation of the heat source of the external circuit board is stopped, and the heat of the integrated circuit element can be more effectively prevented from being conducted to the external connection terminal via the wiring pattern and dissipated. As a result, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be brought into a thermal equilibrium state more quickly.
  • the plurality of mounting electrodes are provided on the outer surface of the first sealing member, and the plurality of external connection terminals are provided on the outer surface of the second sealing member.
  • the piezoelectric vibrator has a first sealing member, a piezoelectric vibrating plate, and a plurality of through electrodes penetrating the second sealing member in the thickness direction, and a plurality of mountings of the remainder.
  • the electrodes are electrically connected to the plurality of external connection terminals via the plurality of through electrodes.
  • an external connection terminal to be joined to an external circuit board is provided on the outer surface of the second sealing member constituting one surface of the piezoelectric vibrator, and constitutes the other surface of the piezoelectric vibrator.
  • a mounting electrode to which the mounting terminal of the integrated circuit element is connected is provided on the outer surface of the first sealing member. The remaining plurality of mounting electrodes are electrically connected to the plurality of external connection terminals via the plurality of through electrodes that penetrate the first and second sealing members and the piezoelectric diaphragm in the thickness direction.
  • the heat generated by the heat generated by the heat source of the external circuit board on which the piezoelectric vibration device is mounted is the external connection terminal having good thermal conductivity, the through electrode, and the remaining plurality of mounting electrodes of the piezoelectric vibration device. It will be conducted to a plurality of mounting terminals of the integrated circuit element via. In this case, the heat conduction is hindered by the narrowed portion of the wiring pattern of the remaining plurality of mounting electrodes, so that the heat is not quickly conducted to the integrated circuit element.
  • the gradient of the temperature rise of the integrated circuit element becomes gentle, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be quickly brought into a thermal equilibrium state. ..
  • the heat generated by the heat source of the external circuit board is stopped, and the heat of the integrated circuit element is conducted from the mounting terminal to the remaining plurality of mounting electrodes, the plurality of through electrodes, and the external connection terminal to be dissipated.
  • the heat conduction is hindered by the narrowed portion of the wiring pattern of the remaining plurality of mounting electrodes, so that the gradient of the temperature drop of the integrated circuit element becomes gentle.
  • the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be quickly brought into a thermal equilibrium state.
  • the constricted portion of the wiring pattern is formed closer to the through electrode than the connection portion between the mounting electrode and the mounting terminal of the integrated circuit element. ..
  • the constriction portion that hinders heat conduction is formed closer to the through electrode of the wiring pattern connecting the through electrode and the mounting terminal of the integrated circuit element, and therefore away from the mounting terminal of the integrated circuit element. Therefore, heat conduction can be suppressed at a position away from the integrated circuit element.
  • the constricted portion of the wiring pattern is formed outside the mounting region on which the integrated circuit element is mounted.
  • the constriction portion that hinders the conduction of heat is formed outside the mounting region where the integrated circuit element is mounted, the conduction of heat is suppressed outside the mounting region where the integrated circuit element is mounted. be able to.
  • the width of the narrowed portion of the wiring pattern is 40 ⁇ m or less.
  • the width of the narrowed portion of the wiring pattern is 40 ⁇ m or less, heat conduction can be effectively suppressed.
  • the plurality of mounting terminals are arranged near the outer periphery thereof, and are electrically connected to the excitation electrodes formed on both main surfaces thereof.
  • the pair of mounting electrodes has a wiring pattern for excitation electrodes extending inward from the plurality of mounting terminals in the mounting region where the integrated circuit element is mounted.
  • a pair of mounting electrodes electrically connected to the excitation electrodes on both main surfaces of the piezoelectric vibrating plate of the piezoelectric vibrator are inside the mounting terminals in the mounting region of the integrated circuit element. It has a wiring pattern for each excitation electrode that extends to.
  • the wiring pattern for the excitation electrode of the pair of mounting electrodes is substantially point-symmetric with the center of the mounting region on which the integrated circuit element is mounted as a point of symmetry.
  • the wiring pattern for each excitation electrode of the pair of mounting electrodes is substantially point-symmetrical with the center of the mounting region as the point of symmetry, the wiring pattern for each excitation electrode is generated by the heat radiation from the integrated circuit element. It is heated almost evenly. Since the heat of each heated wiring pattern for the excitation electrode is conducted to both main surfaces of the piezoelectric diaphragm, the temperature of both main surfaces of the piezoelectric diaphragm can be raised in a well-balanced manner.
  • the excitation electrode wiring pattern of the pair of mounting electrodes extends to at least the vicinity of the central portion in the mounting region where the integrated circuit element is mounted.
  • the wiring pattern for the excitation electrode of the mounting electrode extends to the vicinity of the central portion of the mounting region where the integrated circuit element is mounted, the central portion of the integrated circuit element that has been driven and becomes hot.
  • the wiring pattern for the excitation electrode is efficiently heated by the heat radiation from the vicinity.
  • the heat of the heated wiring pattern for the excitation electrode is conducted to the piezoelectric vibrator, and the temperature of the piezoelectric vibrator can be efficiently increased.
  • the remaining plurality of mounting electrodes other than the pair of mounting electrodes connected to the excitation electrodes on both main surfaces of the piezoelectric diaphragm are each of a plurality of external connection terminals and a plurality of integrated circuit elements. Each has a wiring pattern that electrically connects to the mounting terminals.
  • the wiring pattern of at least one mounting electrode of the remaining plurality of mounting electrodes has a narrow constriction that hinders heat conduction. Therefore, when the heat generated by the heat source of the external circuit board on which the piezoelectric vibration device is mounted is conducted from the external connection terminal of the piezoelectric vibration device to the integrated circuit element via the wiring pattern, the heat is conducted. Can be prevented by the narrowed portion of the wiring pattern.
  • the gradient of the temperature rise of the integrated circuit element can be made gentle, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be quickly brought into a thermal equilibrium state. ..
  • the heat generation of the heat source of the external circuit board is stopped and the heat of the integrated circuit element is conducted from the mounting terminal to the external connection terminal via the wiring pattern and dissipated, the heat conduction is reduced. It can be hindered by the constriction of the wiring pattern.
  • the gradient of the temperature drop of the integrated circuit element can be made gentle, the temperature difference between the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be suppressed, and the integrated circuit element and the piezoelectric vibrator can be quickly brought into a thermal equilibrium state. ..
  • the piezoelectric vibrator has a three-layer laminated structure in which each main surface side of the piezoelectric vibrating plate in which excitation electrodes are formed on both main surfaces are individually sealed by the first and second sealing members. Compared to a package structure in which a piezoelectric vibrating piece is housed in a container having a recessed housing and sealed with a lid, the thickness can be reduced (lower height).
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a temperature-compensated crystal oscillator according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing one main surface side of the crystal diaphragm of FIG.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the other main surface side seen through from one main surface side of the crystal diaphragm of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing one main surface side of the first sealing member of FIG.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing the other main surface side seen through from one main surface side of the first sealing member of FIG. 1.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing one main surface side of the second sealing member of FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing the other main surface side seen through from one main surface side of the second sealing member of FIG. 1.
  • FIG. 8 is a diagram showing a simulation result of the relationship between the length of the wiring and the heat conduction time.
  • FIG. 9 is a diagram showing a simulation result of the relationship between the width of the wiring and the heat conduction time.
  • FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a temperature-compensated crystal oscillator according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing one main surface side of the first sealing member according to the embodiment of FIG.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing one main surface side of the first sealing member according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a temperature-compensated crystal oscillator according to still another embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing one main surface side of the first sealing member according to the embodiment of FIG.
  • FIG. 15A is a diagram showing a modified example of the narrowed portion of the wiring pattern of FIG.
  • FIG. 15B is a diagram showing another modification of the narrowed portion of the wiring pattern of FIG.
  • FIG. 15C is a diagram showing still another modification of the narrowed portion of the wiring pattern of FIG.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a temperature-compensated crystal oscillator according to an embodiment of the present invention.
  • the temperature-compensated crystal oscillator 1 of this embodiment includes a crystal oscillator 2 and an IC 3 as an integrated circuit element mounted on the crystal oscillator 2.
  • the crystal oscillator 2 includes a crystal diaphragm 4 which is a piezoelectric diaphragm, a first sealing member 5 which covers and airtightly seals one main surface side of the crystal diaphragm 4, and the other of the crystal diaphragm 4. It is provided with a second sealing member 6 that covers the main surface side and seals airtightly.
  • the first and second sealing members 5 and 6 are joined to both main surfaces of the crystal diaphragm 4, respectively, to form a so-called sandwich structure package.
  • the package of the crystal oscillator 2 is a rectangular parallelepiped and has a rectangular shape in a plan view.
  • the package size of the crystal oscillator 2 of this embodiment is, for example, 1.0 mm ⁇ 0.8 mm in a plan view, and the size and height are reduced.
  • the package size is not limited to the above, and different sizes can be applied.
  • the IC3 mounted on the crystal oscillator 2 is an integrated circuit element having a rectangular parallelepiped outer shape in which an oscillation circuit, a temperature sensor, and a temperature compensation circuit are integrated into one chip.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing one main surface side of the crystal diaphragm 4
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the other main surface side seen through from one main surface side of the crystal diaphragm 4.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing the front surface side of the crystal diaphragm 4
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing the back surface side seen through from the front surface side of the crystal diaphragm 4.
  • the crystal diaphragm 4 of this embodiment is an AT-cut crystal plate, and both front and back main surfaces thereof are XZ'planes.
  • the crystal diaphragm 4 has a substantially rectangular vibrating portion 41, a frame portion 43 that surrounds the vibrating portion 41 with a space (gap) 42 interposed therebetween, and a connecting portion 44 that connects the vibrating portion 41 and the frame portion 43. And have.
  • the vibrating portion 41, the frame portion 43, and the connecting portion 44 are integrally formed. Although not shown, the vibrating portion 41 and the connecting portion 44 are formed thinner than the frame portion 43.
  • a pair of first and second excitation electrodes 45 and 46 are formed on both the front and back main surfaces of the vibrating portion 41, respectively.
  • the first and second extraction electrodes 47 and 48 are drawn out from the first and second excitation electrodes 45 and 46, respectively.
  • the first extraction electrode 47 on the front surface side is drawn out through the connecting portion 44 to the connecting joint pattern 401 formed on the frame portion 43.
  • the second drawing electrode 48 on the back surface side is drawn out to the connecting joint pattern 402 formed on the frame portion 43 via the connecting portion 44.
  • the connection pattern 402 extends along the short side of the rectangular crystal diaphragm 4 in a plan view and reaches the periphery of the fifth through electrode 415, which will be described later.
  • the stress acting on the vibrating portion 41 can be reduced as compared with the configuration in which the vibrating portion 41 is connected by the connecting portion 44 at two or more locations. ..
  • first and second sealing bonding patterns 403 and 404 for joining the crystal diaphragm 4 to the first and second sealing members 5 and 6, respectively, are formed. , Is formed.
  • the first and second sealing joint patterns 403 and 404 are formed in an annular shape over the entire circumference of the frame portion 43 so as to substantially follow the outer peripheral edge thereof except for the four corners of the crystal diaphragm 4. ..
  • a first sealing bonding pattern 51 corresponding to the first sealing bonding pattern 403 on the front surface of the crystal diaphragm 4 is formed on the back surface of the first sealing member 5.
  • a second sealing joint pattern 61 corresponding to the second sealing joint pattern 404 on the back surface of the crystal diaphragm 4 is formed on the surface of the second sealing member 6. .
  • the first sealing member 5, the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 6 are superposed on each other, and the annular first sealing bonding pattern 51 of the first sealing member 5 and the crystal diaphragm 4 is formed.
  • 403 are diffusion-bonded to each other, and the annular second-sealing bonding patterns 404 and 61 of the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 6 are diffusion-bonded to each other.
  • both the front and back surfaces of the crystal diaphragm 4 are sealed by the first and second sealing members 5 and 6, and a storage space in which the vibrating portion 41 of the crystal diaphragm 4 is housed is formed.
  • the crystal diaphragm 4 and the three crystal plates of the first and second sealing members 5 and 6 are laminated to form a package containing the vibrating portion 41.
  • the crystal unit is made thinner (lower in height) than the crystal unit in which the crystal vibrating piece is housed in a ceramic container having a recess as a storage space and the lid is joined and sealed. be able to.
  • the crystal diaphragm 4 is formed with five first to fifth through electrodes 411 to 415 penetrating between both main surfaces of the front and back surfaces.
  • Each through electrode 411 to 415 is configured such that a metal film is adhered to the inner wall surface of the through hole.
  • the first to fourth through electrodes 411 to 414 are formed at the four corners of the crystal diaphragm 4 outside the annular first and second sealing joint patterns 403 and 404.
  • the fifth through electrode 415 is formed inside the annular first and second sealing joint patterns 403 and 404, and is formed in a frame portion 43 near one short side of the rectangular crystal diaphragm 4 in a plan view. There is.
  • connection patterns 421 to 424 are formed around the through electrodes 411 to 414 at the four corners of the surface of the crystal diaphragm 4 and outside the annular first sealing joint pattern 403. ..
  • Each through electrode 411 to 414 is electrically connected to each connection pattern 421 to 424, respectively.
  • connection pattern 431 to 434 is formed around the through electrodes 411 to 414 at the four corners of the back surface of the crystal diaphragm 4 and outside the annular second sealing joint pattern 404. ..
  • Each through electrode 411 to 414 is electrically connected to each connection pattern 431 to 434, respectively.
  • the first to fourth through electrodes 501 to 504 and the first to first through electrodes 101 to 414 corresponding to the first to fourth through electrodes 411 to 414 of the crystal diaphragm 4 are used.
  • the four through electrodes 601 to 604 are formed as described later (see FIGS. 5 and 6).
  • connection pattern 425 is formed around the fifth through electrode 415 on the surface of the crystal diaphragm 4.
  • the fifth through electrode 415 and the connection pattern 425 are electrically connected.
  • connection pattern 402 connected to the extraction electrode 48 drawn from the second excitation electrode 46 extends around the fifth through electrode 415 on the back surface of the crystal diaphragm 4. ing.
  • the fifth through electrode 415 is electrically connected to the connection pattern 402, and therefore the fifth through electrode 415 is electrically connected to the second excitation electrode 46.
  • connection joint pattern 401 connected to the connection joint pattern 425 and the first extraction electrode 47 is formed, and two connection joint patterns 441 and 442 are formed on the other side in the long side direction.
  • connection patterns 425,401; 441,442 are formed substantially symmetrically with the center line CL in the long side direction of the crystal diaphragm 4. Further, the connection joining patterns 425 and 441 and the connecting joining patterns 401 and 442 are formed substantially symmetrically with respect to the center line in the short side direction of the crystal diaphragm 4. That is, these connection patterns 425, 401, 441, 442 are formed substantially symmetrically in the long side direction and the short side direction of the crystal diaphragm 4.
  • connection patterns 421 to 424 around the through electrodes 411 to 414 at the four corners of the surface of the crystal diaphragm 4 are also formed symmetrically in the long side direction and the short side direction of the crystal diaphragm 4.
  • connection patterns 425, 401, 441, 442; 421 to 424 are formed substantially symmetrically or symmetrically in the long side direction and the short side direction of the crystal diaphragm 4 in this way, they are added at the time of diffusion bonding.
  • the pressing force can be equalized.
  • connection joint pattern 402 extending to the periphery of the is formed, and two connection joint patterns 451 and 452 are formed on the other side in the long side direction. These connection patterns 402, 451 and 452 are also formed substantially symmetrically in the long side direction and the short side direction of the crystal diaphragm 4.
  • the connecting patterns 431 to 434 for each connection around the through electrodes 411 to 414 at the four corners of the back surface of the crystal diaphragm 4 are also formed symmetrically in the long side direction and the short side direction of the crystal diaphragm 4.
  • the first and second excitation electrodes 45 and 46 of the crystal diaphragm 4, the first and second extraction electrodes 47 and 48, the first and second sealing bonding patterns 403 and 404, and the connecting bonding patterns 401 and 402. , 421 to 425, 431 to 434, 441, 442, 451 and 452 are configured by, for example, Au being laminated and formed on a base layer made of, for example, Ti or Cr.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing the front surface side of the first sealing member 5
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing the back surface side seen through from the front surface side of the first sealing member 5.
  • the first sealing member 5 is a rectangular parallelepiped substrate made of an AT-cut quartz plate similar to the quartz diaphragm 4. As shown in FIG. 5, the back surface of the first sealing member 5 has a first sealing bonding pattern 51 for joining and sealing the first sealing bonding pattern 403 on the front surface of the quartz diaphragm 4. Is formed.
  • the first sealing joint pattern 51 is formed in an annular shape over the entire circumference of the first sealing member 5 so as to substantially follow the outer peripheral edge thereof except for the four corners of the first sealing member 5.
  • the first sealing member 5 is formed with six first to sixth through electrodes 501 to 506 penetrating between both main surfaces on the front and back surfaces. Each through electrode 501 to 506 is configured such that a metal film is adhered to the inner wall surface of the through hole.
  • the first to fourth through electrodes 501 to 504 are formed at the four corners of the first sealing member 5 having a rectangular shape in a plan view, similarly to the first to fourth through electrodes 411 to 414 of the crystal diaphragm 4.
  • the fifth through electrode 505 is inside the annular first sealing bonding pattern 51 so as to correspond to the connecting bonding pattern 441 on the surface of the crystal diaphragm 4, and is one of the first sealing members 5. It is formed closer to the short side.
  • the sixth through electrode 506 is formed inside the annular first sealing bonding pattern 51 and closer to the other short side so as to correspond to the connecting bonding pattern 401 on the surface of the crystal diaphragm 4. There is.
  • connection bonding patterns 511 to 514 are formed around the through electrodes 501 to 504 at the four corners of the back surface of the first sealing member 5, respectively.
  • Each through electrode 501 to 504 is electrically connected to each connection pattern 511 to 514, respectively.
  • connection pattern 515 is formed around the fifth through electrode 505 on the back surface of the first sealing member 5, and the fifth through electrode 505 is electrically connected to the connection pattern 515.
  • the connection pattern 515 is connected to the opposite side of the first sealing member 5 in the long side direction (left-right direction in FIG. 5) so as to correspond to the connection pattern 425 on the surface of the crystal diaphragm 4.
  • a joint pattern 518 is formed.
  • the connection pattern 518 and the connection pattern 515 around the fifth through electrode 505 are electrically connected by a connection wiring pattern 519. Therefore, the connection pattern 518 on the back surface of the first sealing member 5 is electrically connected to the fifth through electrode 505 of the first sealing member 5.
  • connection pattern 518 of the first sealing member 5 is diffusion-bonded to the connection pattern 425 around the fifth through electrode 415 on the surface of the crystal diaphragm 4, so that the crystal diaphragm It is electrically connected to the fifth through electrode 415 of No. 4.
  • the fifth through electrode 415 of the crystal vibrating plate 4 is electrically connected to the second exciting electrode 46 on the back surface of the crystal vibrating plate 4, so that the first sealing member 5 is joined for connection.
  • the pattern 518 will be electrically connected to the second excitation electrode 46 of the crystal oscillator plate 4.
  • the connection joint pattern 518 of the first sealing member 5 is electrically connected to the connection joint pattern 515 around the fifth through electrode 505 via the connection wiring pattern 519.
  • the second excitation electrode 46 on the back surface of the crystal diaphragm 4 has a fifth through electrode 415 of the crystal diaphragm 4, a connection pattern 518 of the first sealing member 5, a connection wiring pattern 519, and a connection. It will be electrically connected to the fifth through electrode 505 of the first sealing member 5 via the joining pattern 515.
  • connection bonding pattern 516 corresponding to the connection bonding pattern 401 on the front surface of the crystal diaphragm 4 is formed around the sixth through electrode 506 on the back surface of the first sealing member 5.
  • the sixth through electrode 506 is electrically connected to the connection pattern 516 for connection.
  • the connection pattern 516 is connected to the opposite side of the first sealing member 5 in the long side direction (horizontal direction in FIG. 5) so as to correspond to the connection pattern 442 on the surface of the crystal diaphragm 4.
  • the joint pattern 517 for use is formed.
  • connection bonding pattern 516 of the first sealing member 5 is diffusion-bonded to the connection bonding pattern 401 on the surface of the crystal diaphragm 4, so that the connection bonding pattern 401 and the first drawer electrode 47 It is electrically connected to the first excitation electrode 45 via. That is, the sixth through electrode 506 of the first sealing member 5 is electrically connected to the first excitation electrode 45 of the crystal diaphragm 4.
  • the connecting bonding patterns 515 to 518 on the back surface of the first sealing member 5 are the first so that the pressing force applied at the time of diffusion bonding can be made uniform.
  • the sealing member 5 is formed substantially symmetrically in the long side direction and the short side direction. Further, the connection patterns 511 to 514 around the through electrodes 501 to 504 at the four corners of the back surface of the first sealing member 5 are also formed symmetrically in the long side direction and the short side direction of the first sealing member 5. ing.
  • the surface of the first sealing member 5 is the surface on which the IC3 is mounted.
  • FIG. 4 which shows the surface of the first sealing member 5
  • the outer shape of the rectangular shape of the IC3 mounted on the first sealing member 5 in a plan view and the six first to sixth mounting terminals of the IC3 are shown by virtual lines.
  • the outer shape of 31 to 36 is shown.
  • first to sixth mounting electrodes 521 to 526 to which the first to sixth mounting terminals 31 to 36 of the IC 3 are connected are formed. Has been done.
  • the first to sixth mounting electrodes 521 to 526 are electrode pads (not shown) to which the mounting terminals 31 to 36 of the IC3 are joined in a rectangular mounting area S surrounded by virtual lines on which the IC3 is mounted. ) Is included in the first to sixth terminal joints 531 to 536. Further, the first to sixth mounting electrodes 521 to 526 extend from the first to sixth terminal joints 531 to 536 of the mounting region S to the outside of the mounting region S, and the through electrodes 501, 505, 502, 503 respectively. , 506 and 504 are respectively provided with first to sixth electrode connecting portions 541 to 546 that are electrically connected to each other.
  • the IC3 is joined to the surface of the first sealing member 5 by a FCB (Flip Chip Bonding) method using a metal bump (for example, Au bump or the like) 7 as a metal member.
  • a metal bump for example, Au bump or the like
  • metal plating or metal paste may be used for joining.
  • An underfill resin 8 as a sealing resin is filled between the IC 3 and the first sealing member 5 in order to protect the active surface of the IC 3 and secure the mechanical bonding strength.
  • the first sealing bonding pattern 51, the connecting bonding patterns 511 to 518, the connecting wiring pattern 519, and the first to sixth mounting electrodes 521 to 526 of the first sealing member 5 are of the crystal diaphragm 4. Similar to the first and second sealing bonding patterns 403 and 404, for example, Au is laminated and formed on the base layer made of, for example, Ti or Cr.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing the front surface side of the second sealing member 6
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing the back surface side seen through from the front surface side of the second sealing member 6.
  • the second sealing member 6 is a rectangular parallelepiped substrate made of an AT-cut crystal plate similar to the crystal diaphragm 4 and the first sealing member 5.
  • the surface of the second sealing member 6 has a second sealing bonding pattern 61 for bonding and sealing to the second sealing bonding pattern 404 on the back surface of the crystal diaphragm 4. Is formed.
  • the second sealing joint pattern 61 is formed in an annular shape over the entire circumference of the second sealing member 6 so as to substantially follow the outer peripheral edge thereof except for the four corners of the second sealing member 6. ..
  • the second sealing member 6 is formed with four first to fourth through electrodes 601 to 604 that penetrate between both main surfaces on the front and back surfaces. Each through electrode 601 to 604 is configured such that a metal film is adhered to the inner wall surface of the through hole.
  • the first to fourth through electrodes 601 to 604 are formed at the four corners of the rectangle of the second sealing member 6 which is rectangular in a plan view, similarly to the first to fourth through electrodes 411 to 414 of the crystal diaphragm 4. ..
  • connecting bonding patterns 611 to 614 are formed around the through electrodes 601 to 604 at the four corners of the surface of the second sealing member 6, respectively. Each through electrode 601 to 604 is electrically connected to each connection pattern 611 to 614, respectively.
  • a total of four connecting joint patterns 621, 622; 623, 624, two each near each short side inside the annular second sealing joint pattern 61 of the second sealing member 6, are crystal vibrations. It is formed so as to correspond to the connection joining patterns 451 and 452, 402 on the back surface of the plate 4.
  • the second sealing member 6 has a connecting pattern 621, 622, 623 for connecting the surface of the second sealing member 6 so that the pressing force applied during diffusion bonding can be made uniform.
  • the 624 and the connecting patterns 611 to 614 at the four corners are formed symmetrically in the long side direction and the short side direction of the second sealing member 6.
  • four first to fourth external connection terminals 631 to 634 for mounting the temperature-compensated crystal oscillator 1 on an external circuit board are provided on the back surface of the second sealing member 6. It is provided.
  • the first external connection terminal 631 is an external connection terminal for power supply
  • the second external connection terminal 632 is an external connection terminal for oscillation output
  • the third external connection terminal 633 is an external connection terminal for inputting a control voltage
  • the fourth external connection terminal 634 is an external connection terminal for grounding.
  • the first to fourth external connection terminals 631 to 634 are arranged at the four corners of the second sealing member 6 having a rectangular shape in a plan view.
  • First to fourth through electrodes 601 to 604 are formed in the region where the external connection terminals 631 to 634 are provided, and the through electrodes 601 to 604 are connected to the external connection terminals 631 to 634, respectively. It is electrically connected.
  • the second sealing bonding pattern 61 of the second sealing member 6, the connecting bonding patterns 611 to 614, 621 to 624, and the first to fourth external connection terminals 631 to 634 are the first of the crystal diaphragm 4.
  • Au is laminated and formed on a base layer made of, for example, Ti or Cr, similarly to the second sealing bonding patterns 403 and 404.
  • the crystal unit 2 is joined without using a special bonding material such as an adhesive as in the prior art. That is, the crystal diaphragm 4 and the first sealing member 5 are diffusion-bonded in a state where the first sealing bonding patterns 403 and 51 are overlapped, and the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 5 are bonded. 6 and 6 are diffusion-bonded in a state in which the respective second sealing bonding patterns 404 and 61 are overlapped. As a result, the sandwich-structured package shown in FIG. 1 is manufactured, and the accommodation space in which the vibrating portion 41 of the crystal diaphragm 4 is accommodated is hermetically sealed by both sealing members 5 and 6.
  • a special bonding material such as an adhesive as in the prior art. That is, the crystal diaphragm 4 and the first sealing member 5 are diffusion-bonded in a state where the first sealing bonding patterns 403 and 51 are overlapped, and the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 5 are bonded. 6 and 6 are diffusion-bonded in a state
  • a bonding material is generated and bonded by diffusion bonding between the first sealing bonding pattern 403 of the crystal diaphragm 4 and the first sealing bonding pattern 51 of the first sealing member 5. Further, a bonding material is generated and bonded by diffusion bonding between the second sealing bonding pattern 404 of the crystal diaphragm 4 and the second sealing bonding pattern 61 of the second sealing member 6.
  • connection bonding patterns are also diffusion-bonded in a superposed state, and are bonded by the bonding material generated by the diffusion bonding.
  • connection bonding patterns 421 to 424 at the four corners of the front surface of the crystal diaphragm 4 and the connection bonding patterns 511 to 514 at the four corners of the back surface of the first sealing member 5 are diffusion-bonded.
  • the connection pattern 441, 442 near one short side inside the annular first sealing joint pattern 403 on the front surface of the crystal diaphragm 4, and the connection connection pattern 515 on the back surface of the first sealing member 5.
  • Diffusion bonding with 517 is performed.
  • Diffusion bonding with 516 is performed.
  • connection bonding patterns 431 to 434 at the four corners of the back surface of the crystal diaphragm 4 and the connection bonding patterns 611 to 614 on the front surface of the second sealing member 6 are diffusion-bonded.
  • the connection pattern 451 and 452 on the inner side of the annular second sealing joint pattern 404 on the back surface of the crystal diaphragm 4 and the connection pattern 621 on the front surface of the second sealing member 6. 622 is diffusion-bonded.
  • the connection pattern 402 on the other short side of the inside of the annular second sealing joint pattern 404 on the back surface of the crystal diaphragm 4, and the connection joint patterns 623 and 624 on the surface of the second sealing member 6. Is diffusely joined.
  • the first to fourth through electrodes 601 to 604 electrically connected to the first to fourth external connection terminals 631 to 634 on the back surface of the second sealing member 6 are second sealed.
  • the first to fourth through electrodes 411 to 414 of the crystal diaphragm 4 are the connection patterns 421 to 424 and the back surface of the first sealing member 5 around the through electrodes 411 to 414 on the surface of the crystal diaphragm 4.
  • the bonding material generated by diffusion bonding with each of the connection patterns 511 to 514 of the above is electrically connected to the first to fourth through electrodes 501 to 504 of the first sealing member 5.
  • the first to fourth external connection terminals 631 to 634 on the back surface of the second sealing member 6 are connected to the crystal diaphragm 4 via the first to fourth through electrodes 601 to 604 of the second sealing member 6. It is electrically connected to the 1st to 4th through electrodes 411 to 414, respectively, and is further connected to the 1st to 4th through electrodes 501 to 504 of the 1st sealing member 5 via the 1st to 4th through electrodes 411 to 414. Each is electrically connected.
  • the first to fourth through electrodes 501 to 504 of the first sealing member 5 are the first, third, fourth, and sixth mounting electrodes 521 on the surface of the first sealing member 5.
  • 523, 524, 526 are electrically connected to the electrode connection portions 541, 543, 544, 546, respectively, so that the first to fourth external connection terminals 631 to 634 on the back surface of the second sealing member 6 are , 541, 543, 544, 546 of the first, third, fourth, and sixth mounting electrodes 521, 523, 524, 546 on the surface of the first sealing member 5, respectively.
  • connection bonding pattern 401 connected to the first excitation electrode 45 on the surface of the crystal diaphragm 4 shown in FIG. 2 via the first extraction electrode 47 is the first sealing member 5 shown in FIG. It is electrically connected to the sixth through electrode 506 of the first sealing member 5 by the bonding material generated by diffusion bonding with the connecting bonding pattern 516 around the sixth through electrode 506 on the back surface. As shown in FIG. 4, the sixth through electrode 506 of the first sealing member 5 is electrically connected to the fifth electrode connecting portion 545 of the fifth mounting electrode 525 on the surface of the first sealing member 5. There is.
  • the first excitation electrode 45 of the crystal diaphragm 4 is connected to the fifth electrode connection portion 545 of the fifth mounting electrode 525 of the first sealing member 5 via the sixth through electrode 506 of the first sealing member 5. It is electrically connected.
  • the fifth through electrode 415 electrically connected to the second excitation electrode 46 on the back surface of the crystal diaphragm 4 shown in FIG. 3 via the second extraction electrode 48 and the connection pattern 402 is shown in FIG. It is electrically connected to the connection pattern 425 on the surface of the crystal diaphragm 4 shown.
  • the bonding material produced by diffusion bonding between the connection pattern 425 of the crystal diaphragm 4 and the connection pattern 518 on the back surface of the first sealing member 5 shown in FIG. 5 makes the crystal diaphragm 4 the first.
  • the 5 through electrode 415 is electrically connected to the connection pattern 518 on the back surface of the first sealing member 5.
  • connection joint pattern 518 on the back surface of the first sealing member 5 is connected to the connection joint pattern 515 around the fifth through electrode 505 via the connection wiring pattern 519.
  • the connection pattern 515 on the back surface of the first sealing member 5 is electrically connected to the fifth through electrode 505, and the fifth through electrode 505 is the first sealing as shown in FIG. It is electrically connected to the second electrode connecting portion 542 of the second mounting electrode 522 on the surface of the member 5.
  • the second excitation electrode 46 on the back surface of the crystal diaphragm 4 has a fifth through electrode 415 of the crystal diaphragm 4, a connection pattern 518 on the back surface of the first sealing member 5, a connection wiring pattern 519, and a connection. It is electrically connected to the second electrode connection portion 542 of the second mounting electrode 522 on the surface of the first sealing member 5 via the joining pattern 515 and the fifth through electrode 505 of the first sealing member 5. .
  • the first to fourth external connection terminals 631 to the second sealing member 6 on the back surface side of the crystal oscillator 2 shown in FIG. 1 The 634 is mounted by being bonded to an external circuit board (not shown) by a bonding material such as solder.
  • the first to fourth external connection terminals 631 to 634 are provided with the first to fourth through electrodes 601 to 604, 411 to 414, 501 to 504 and the like which form a part of the internal wiring. It is directly connected via.
  • the first and second excitation electrodes 45 and 46 of the crystal oscillator 2 are connected to the IC3, and the first and second excitation electrodes 45 and 46 are on the back surface of the second sealing member 6. It is not directly connected to the first to fourth external connection terminals 631 to 634.
  • the heat generated by the heat generated by the electronic component that is the heat source mounted on the circuit board is conducted to the temperature-compensated crystal oscillator 1, and the first to fourth external connection terminals 631 to 634 have good thermal conductivity. And it is rapidly conducted to the IC3 via the first to fourth through electrodes 601 to 604, 411 to 414, 501 to 504 and the like. Therefore, the gradient of the temperature rise of the IC 3 is steeper than the gradient of the temperature rise of the crystal oscillator 2. Therefore, the temperature difference between the crystal oscillator 2 and the IC 3 becomes large, and until this temperature difference is reduced and the crystal oscillator 2 and the IC 3 reach a thermal equilibrium state, accurate temperature compensation becomes difficult and frequency fluctuations occur. , So-called frequency drift occurs.
  • This frequency drift also occurs when the energization of the electronic component that is the heat source mounted on the external circuit board is stopped. That is, when the energization of the electronic component mounted on the external circuit board is stopped, the heat from the electronic component is not conducted to the temperature-compensated crystal oscillator 1, so that the temperature of the temperature-compensated crystal oscillator 1 Decreases.
  • the heat of the IC 3 is transferred to the first to fourth external parts via the first to fourth through electrodes 601 to 604, 411 to 414, 501 to 504, etc., which have better thermal conductivity than the crystal oscillator 2. It is quickly conducted to the connection terminals 631 to 634 to dissipate heat. Therefore, the gradient of the temperature drop of the IC 3 is steeper than the gradient of the temperature drop of the crystal oscillator 2. Therefore, the temperature difference between the crystal oscillator 2 and the IC 3 becomes large, and frequency drift occurs.
  • the temperature between the IC 3 and the crystal oscillator 2 generated by the start and stop of energization of the electronic component as a heat source mounted on the external circuit board is suppressed so that the IC 3 and the crystal oscillator 2 are quickly brought into a thermal equilibrium state.
  • the gradient of the temperature rise or the gradient of the temperature drop of the IC3 caused by the start or stop of energization of the electronic component as the heat source mounted on the external circuit board is made gentle, and the IC3 and the crystal oscillator are used.
  • the temperature difference from 2 is suppressed.
  • the remaining first, third, fourth, and sixth mounting electrodes 521, 523, 524, 526 excluding the pair of second, fifth mounting electrodes 522, 525 are the first to fourth wiring patterns. It has 571 to 574, respectively.
  • the first to fourth wiring patterns 571 to 574 are the first, third, fourth, and sixth electrode connection portions 541, 543, 544, 546 around the first to fourth through electrodes 501 to 504, and the IC3.
  • Each wiring pattern 571 to 574 has narrowed portions 5711, 5722, 5733, and 5744 in which the width of the wiring is narrower than that of the other portions.
  • Each of the narrowed portions 5711, 5722, 5733, and 5744 has a shape in which one side of each wiring pattern 571 to 574 is cut out in a rectangular shape.
  • the width of the wiring of each narrowed portion 5711, 5722, 5733, 5744 is, for example, 100 ⁇ m or less, preferably 40 ⁇ m or less, and in this embodiment, 40 ⁇ m or less.
  • FIG. 8 is a diagram showing a change in the time until the temperature of the outer surface of the other block reaches 0.9 ° C. when the length of the wiring is changed, and the horizontal axis indicates the length of the wiring.
  • the vertical axis shows the time, respectively.
  • FIG. 9 is a diagram showing a change in the time until the temperature of the outer surface of the other block reaches 0.9 ° C. when the width of the wiring is changed, and the horizontal axis indicates the width of the wiring.
  • the vertical axis shows the time, respectively.
  • the width of the wiring does not differ much in time even if it is narrowed up to about 40 ⁇ m, but when it is narrower than about 40 ⁇ m, the time sharply increases and becomes about three times. ing.
  • the first, third, fourth, and sixth electrode connection portions 541, 543, 544, 546 around the first to fourth through electrodes 501 to 504 and the first IC3 are used.
  • 3rd, 4th, 6th mounting terminals 31, 33, 34, 36 are joined.
  • the fourth wiring patterns 571 to 574 have narrowed portions 5711, 5722, 5733, and 5744 in which the width of the wiring is narrowed.
  • the narrowed portions 5711, 5722, 5733, 5744 join the first to fourth through electrodes 501 to 504 and the first, third, fourth, and sixth mounting terminals 31, 33, 34, 36 of the IC3. It is possible to prevent the conduction of heat between the first, third, fourth and sixth terminal joints 531, 533, 534, 536.
  • Energization of an electronic component that is a heat source of an external circuit board on which the temperature-compensated crystal oscillator 1 is mounted is started, the electronic component generates heat, and the heat is conducted to the temperature-compensated pressure crystal oscillator 1. Further, the IC3 is routed through the first to fourth external connection terminals 631 to 634, the first to fourth through electrodes 601 to 604, 411 to 414, 501 to 504, and the first to fourth wiring patterns 571 to 574. Is conducted to. In this case, the conduction of heat to the IC 3 can be suppressed by the narrowed portions 5711, 5722, 5733, 5744 of the first to fourth wiring patterns 571 to 574.
  • the gradient of the temperature rise of the IC3 becomes gentle, and the temperature difference between the IC3 and the crystal oscillator 2 can be suppressed. Therefore, the IC 3 and the crystal diaphragm 4 can be quickly brought into a thermal equilibrium state, and frequency drift can be suppressed.
  • the heat from the electronic component is not conducted to the temperature-compensated crystal oscillator 1, so that the temperature-compensated crystal oscillator 1 is not conducted.
  • the temperature drops.
  • the heat of the IC3 is transferred from the first, third, fourth, and sixth mounting terminals 31, 33, 34, 36 of the IC3 to the first to fourth wiring patterns 571 to 574 and the first to fourth through electrodes. It is conducted to the first to fourth external connection terminals 631 to 634 via 501 to 504, 411 to 414, 601 to 604, and dissipates heat.
  • the heat from the IC 3 is suppressed from being conducted to the first to fourth through electrodes 501 to 504 by the narrowed portions 5711, 5722, 5733, and 5744 of the first to fourth wiring patterns 571 to 574.
  • the gradient of the temperature drop of the IC3 becomes gentle, and the temperature difference between the IC3 and the crystal oscillator 2 can be suppressed. Therefore, the IC 3 and the crystal diaphragm 4 can be quickly brought into a thermal equilibrium state, and frequency drift can be suppressed.
  • all the wiring patterns 571 to 574 of the first to fourth wiring patterns 571 to 574 have constricted portions 5711, 5722, 5733, and 5744, respectively, but as another embodiment of the present invention, At least one of the wiring patterns may have a constricted portion.
  • FIG. 10 is a schematic configuration diagram of a temperature-compensated crystal oscillator according to another embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing the surface side of the first sealing member 5a of the crystal oscillator 2a of the temperature-compensated crystal oscillator 1a of FIG. 10, and is a view corresponding to FIG.
  • the same or corresponding reference numerals are given to the same or corresponding parts as those in the first embodiment.
  • FIGS. 3 other than the electrode pattern on the front surface of the IC 3a and the first sealing member 5a, that is, the back surface of the first sealing member 5a, the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 6 are shown in FIGS. 3. It is the same as the first embodiment shown in FIGS. 5 to 7, and the description thereof will be omitted.
  • the mounting direction of the IC 3a with respect to the first sealing member 5a is different from that of the first embodiment, and the electrode pattern of the first sealing member 5a is different accordingly. That is, in the first embodiment, as shown in FIG. 4, the IC3 is mounted so that its long side direction is orthogonal to the long side direction of the first sealing member 5. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 11, the IC3a is mounted so that the long side direction thereof and the long side direction of the first sealing member 5a are along the same direction.
  • FIG. 11 showing the surface of the first sealing member 5a, the outer shape of the rectangular shape of the IC3a mounted on the first sealing member 5a and the six first to sixth mounting terminals 31a of the IC3a are shown by virtual lines.
  • the outer shape of the temperature sensor 301a built in the 36a and the IC3a is shown.
  • first to sixth mounting electrodes 521a to 526a to which the first to sixth mounting terminals 31a to 36a of the IC 3a are connected are formed. Has been done.
  • the first to sixth mounting electrodes 521a to 526a are electrode pads (not shown) to which the mounting terminals 31a to 36a of the IC3a are joined in a rectangular mounting area Sa surrounded by a virtual line on which the IC3a is mounted. ) Is included in the first to sixth terminal joints 531a to 536a. Further, the first to sixth mounting electrodes 521a to 526a extend from the first to sixth terminal joints 531a to 536a of the mounting region Sa to the outside of the mounting region Sa, and each through electrode 501, 505, 503, 502 , 506 and 504 are provided with first to sixth electrode connecting portions 541a to 546a, which are electrically connected to each other.
  • first to sixth mounting electrodes 521a to 526a On the surface of the first sealing member 5a, a pair of second and fifth mountings connected to the first and second excitation electrodes 45 and 46 of the crystal diaphragm 4.
  • the remaining first, fourth, third, and sixth mounting electrodes 521a, 524a, 523a, and 526a excluding the electrodes 522a and 525a have the first to fourth wiring patterns 571a to 574a, respectively.
  • the first to fourth wiring patterns 571a to 574a are the first, fourth, third, and sixth electrode connection portions 541a, 544a, 543a, 546a around the first to fourth through electrodes 501 to 504, and the IC3a.
  • Each of the wiring patterns 571a to 574a has narrowed portions 5711a, 5722a, 5733a, and 5744a in which the width of the wiring is narrower than that of the other portions.
  • the first to fourth wiring patterns 571a to 574a connecting the above have narrowed portions 5711a, 5722a, 5733a, 5744a in which the width of the wiring is narrowed.
  • the narrowed portions 5711a, 5722a, 5733a, 5744a join the first to fourth through electrodes 501 to 504 and the first, fourth, third, and sixth mounting terminals 31a, 34a, 33a, and 36a of the IC3a. It is possible to prevent heat conduction between the first, fourth, third and sixth terminal joints 531a, 534a, 533a and 536a.
  • the gradient of the temperature rise of the IC3a when the energization of the electronic component serving as the heat source of the external circuit board on which the temperature-compensated crystal oscillator 1a is mounted is started is gentle. Can be.
  • the gradient of the temperature drop of the IC3a when the energization of the electronic component serving as a heat source mounted on the external circuit board is stopped can be made gentle.
  • the temperature difference between the IC 3a and the crystal oscillator 2a can be suppressed, and the IC 3a and the crystal oscillator 2a can be quickly brought into a thermal equilibrium state, and frequency drift can be suppressed.
  • the sixth through electrode 506 of the first sealing member 5a electrically connected to the first excitation electrode 45 of the crystal diaphragm 4 is for the fifth mounting. It is electrically connected to the fifth electrode connection portion 545a of the electrode 525a. Therefore, the first excitation electrode 45 of the crystal diaphragm 4 is connected to the fifth electrode connection portion 545a of the fifth mounting electrode 525a of the first sealing member 5a via the sixth through electrode 506 of the first sealing member 5a. It is electrically connected.
  • the fifth through electrode 505 of the first sealing member 5a electrically connected to the second excitation electrode 46 of the crystal diaphragm 4 is the second through electrode 522a of the second mounting electrode 522a. It is electrically connected to the electrode connection portion 542a. Therefore, the second excitation electrode 46 on the back surface of the crystal diaphragm 4 is the second electrode of the second mounting electrode 522a on the surface of the first sealing member 5a via the fifth through electrode 505 of the first sealing member 5a. It is electrically connected to the connection portion 542a.
  • the first to sixth mounting terminals 31a to 36a of the IC3a are arranged near the outer periphery of the IC3a having a rectangular shape in a plan view. Specifically, the first to sixth mounting terminals 31a to 36a are located at positions near the long sides, which are the opposite sides of one of the two sets of rectangular facing sides, along the long sides. Arranged in a row. The opposite side of the one set may be a "short side" instead of the "long side".
  • the first to sixth mounting electrodes 521a to 526a formed on the surface of the first sealing member 5a a pair connected to the excitation electrodes 46 and 45 of the crystal diaphragm 4 respectively.
  • the second and fifth mounting electrodes 522a and 525a of the above have a fifth wiring pattern 565 and a sixth wiring pattern 566, respectively.
  • the fifth wiring pattern 565 and the sixth wiring pattern 566 are wiring patterns for the excitation electrode extending inward of the mounting region Sa of the rectangular plan view on which the IC3a is mounted.
  • Each of the wiring patterns 565 and 566 is formed to be wide in order to increase the facing area with the IC3a mounted in the mounting area Sa.
  • the fifth and sixth wiring patterns 565 and 566 are the first to third mounting terminals 31a to 33a and the fourth to sixth mounting terminals 34a to 36a arranged in two rows of the IC3a in the rectangular mounting area Sa. The space between them extends along the long side direction of the IC3a (the left-right direction in FIG. 11), and extends diagonally toward the second and fifth mounting terminals 32a and 35a near the center, respectively.
  • the fifth wiring pattern 565 extends so that the temperature sensor 301a built in the IC3a completely overlaps with the rectangular projection area projected on the mounting area Sa.
  • Sixth wiring patterns 565 and 566 are formed so as to face the IC3a.
  • the fifth and sixth wiring patterns 565 facing the IC 3a immediately below the IC 3a due to heat dissipation from the IC 3a.
  • the 566 is heated.
  • the fifth and sixth wiring patterns 565 and 566 extend from the electrode connection portions 542a and 545a of the second and fifth mounting electrodes 522a and 525a.
  • the electrode connecting portions 542a and 545a are electrically connected to the fifth and sixth through electrodes 505 and 506. Further, the fifth through electrode 505 is connected to the second excitation electrode 46 on the back surface of the crystal diaphragm 4. On the other hand, the sixth through electrode 506 is connected to the first excitation electrode 45 on the surface of the crystal diaphragm 4.
  • the wiring patterns 565 and 566 are heated by heat radiation from the high temperature IC3a. The heat is conducted to the excitation electrodes 46 and 45 of the crystal diaphragm 4 and the temperature rises.
  • the IC3a having a temperature higher than that of the crystal oscillator 2a dissipates the heat to lower the temperature, while the crystal oscillator 2a has the second and fifth wiring patterns 562,565 heated by the heat dissipated from the IC3a.
  • the heat is conducted from the center to raise the temperature, and the temperature difference between the IC3a and the crystal oscillator 2a is suppressed to quickly reach a thermal equilibrium state.
  • the second mounting electrode 522a having the fifth wiring pattern 565 and the fifth mounting electrode 525a having the sixth wiring pattern 566 have the center O of the mounting region Sa of the rectangular plan view as a point of symmetry.
  • the pattern is formed so as to be point-symmetrical.
  • the fifth and sixth wiring patterns 565 and 566 receive heat radiation from the high temperature IC3a in a well-balanced manner and are efficiently heated.
  • the fifth wiring pattern 565 is formed so as to include the entire projection region of the temperature sensor 301a built in the IC3a, the fifth wiring pattern 565 is formed by heat dissipation from the portion of the temperature sensor 301a of the IC3a.
  • the fifth wiring pattern 565 facing directly below is heated, and the heat is conducted to the crystal diaphragm 4 of the crystal oscillator 2a.
  • the portion of the temperature sensor 301a of the IC 3a and the crystal diaphragm 4 can be quickly brought into a thermal equilibrium state, and accurate temperature compensation can be performed.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing the surface side of the first sealing member 5b of the crystal oscillator of the temperature-compensated crystal oscillator of another embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 11 above.
  • FIG. 11 other than the electrode pattern on the front surface of the IC 3b and the first sealing member 5b, that is, the back surface of the first sealing member 5b, the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 6 are shown in FIG. It is the same as the above-described embodiment shown in FIG. 11, and the description thereof will be omitted.
  • the mounting direction of the IC 3b with respect to the first sealing member 5b is different from that of the above embodiment of FIG. 11, and the electrode pattern of the first sealing member 5b is different accordingly. That is, in the above embodiment, as shown in FIG. 11, the IC3a is mounted so that the long side direction thereof and the long side direction of the first sealing member 5a are along the same direction. In the embodiment, as shown in FIG. 12, the IC3b is mounted so that its long side direction is orthogonal to the long side direction of the first sealing member 5b.
  • the first to sixth mounting electrodes 521b to 526b are electrode pads (not shown) to which the mounting terminals 31b to 36b of the IC3b are joined in a rectangular mounting area Sb surrounded by a virtual line on which the IC3b is mounted (not shown). ) Is included in the first to sixth terminal joints 531b to 536b. Further, the first to sixth mounting electrodes 521b to 526b extend from the first to sixth terminal joints 531b to 536b of the mounting region Sb to the outside of the mounting region Sb, and the through electrodes 501, 505, 502, 503 respectively. , 506 and 504 are provided with first to sixth electrode connecting portions 541b to 546b, which are electrically connected to each other.
  • first to sixth mounting electrodes 521b to 526b On the surface of the first sealing member 5b, a pair of second and fifth mountings connected to the first and second excitation electrodes 45 and 46 of the crystal diaphragm 4.
  • the remaining first, third, fourth, and sixth mounting electrodes 521b, 523b, 524b, and 526b excluding the electrodes 522b and 525b have the first to fourth wiring patterns 571b to 574b, respectively.
  • the first to fourth wiring patterns 571b to 574b are the first, third, fourth, and sixth electrode connection portions 541b, 543b, 544b, 546b and IC3b around the first to fourth through electrodes 501 to 504.
  • Each of the wiring patterns 571b to 574b has narrowed portions 5711b, 5722b, 5733b, and 5744b in which the width of the wiring is narrower than that of the other portions.
  • the first to fourth wiring patterns 571b to 574b to be connected have narrowed portions 5711b, 5722b, 5733b, 5744b in which the width of the wiring is narrowed.
  • the narrowed portions 5711b, 5722b, 5733b, 5744b join the first to fourth through electrodes 501 to 504 and the first, third, fourth, and sixth mounting terminals 31b, 33b, 34b, and 36b of the IC3b. It is possible to prevent heat conduction between the first, third, fourth, and sixth terminal joints 531b, 533b, 534b, and 536b.
  • the gradient of the temperature rise of the IC3b when the electric component serving as the heat source of the external circuit board on which the temperature-compensated crystal oscillator is mounted is started to be energized is made gentle.
  • the gradient of the temperature drop of the IC3b when the energization of the electronic component as the heat source mounted on the external circuit board is stopped can be made gentle.
  • the temperature difference between the IC3b and the crystal oscillator can be suppressed, the IC3b and the crystal oscillator can be quickly brought into a thermal equilibrium state, and frequency drift can be suppressed.
  • first to sixth mounting electrodes 521b to 526b formed on the surface of the first sealing member 5b a pair connected to the excitation electrodes 46 and 45 of the crystal diaphragm 4 respectively.
  • the second and fifth mounting electrodes 522b and 525b have a fifth wiring pattern 565b and a sixth wiring pattern 566b, respectively.
  • the fifth wiring pattern 565b and the sixth wiring pattern 566b are wiring patterns for excitation electrodes extending inward of the mounting region Sb of the rectangular plan view on which the IC3b is mounted.
  • the fifth and sixth wiring patterns 565b and 566b are the first to third mounting terminals 31b to 33b and the fourth to sixth mounting terminals arranged in two rows in the rectangular mounting area Sb on which the IC3b is mounted. It extends between 34b and 36b.
  • the sixth wiring pattern 566b extends so that the temperature sensor 301b built in the IC3b completely overlaps the rectangular projection area projected on the mounting area Sb.
  • the second and fifth terminal joint portions 532a and 535a of the second and fifth mounting electrodes 522a and 525a and the second and fifth electrode connection portions 542a and 545a are They were placed apart and were electrically connected between them by fifth and sixth wiring patterns 565 and 566, respectively.
  • the second and fifth terminal junctions 532b and 535b of the second and fifth mounting electrodes 522b and 525b and the second and second terminals of the second and fifth mounting electrodes 522b and 525b are used.
  • the fifth electrode connecting portions 542b and 545b are arranged close to each other and are electrically connected to each other. Therefore, the fifth and sixth wiring patterns 565b and 566b do not electrically connect the second and fifth terminal joints 532b and 535b to the second and fifth electrode connection portions 542b and 545b, but rather heat. It has only the function of conduction.
  • the second mounting electrode 522b having the fifth wiring pattern 565b and the fifth mounting electrode 525b having the sixth wiring pattern 566b have the center O of the mounting region Sb of the rectangular plan view as a point of symmetry.
  • the pattern is formed so as to be point-symmetrical.
  • the fifth and sixth wiring patterns 565b and 566b are connected to the excitation electrodes 46 and 45 of the crystal diaphragm 4, respectively, heat is dissipated from the IC 3b having a temperature higher than that of the crystal oscillator 2b.
  • the heat of each of the wiring patterns 565b and 566b heated by is conducted to the excitation electrodes 46 and 45 of the crystal diaphragm 4 to increase the temperature.
  • the high temperature IC3b dissipates the heat and the temperature drops, while the heat is conducted to the crystal oscillator from the fifth and sixth wiring patterns 565b and 566b heated by the heat dissipating from the IC3b and the temperature is lowered. Is increased, the temperature difference between the IC3b and the crystal oscillator is suppressed, and a thermal equilibrium state is quickly reached.
  • FIG. 13 is a schematic configuration diagram of a temperature-compensated crystal oscillator according to another embodiment of the present invention, and is a schematic configuration diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 14 is a schematic plan view showing the surface side of the first sealing member 5c of the crystal oscillator 2c of the temperature-compensated crystal oscillator 1c of FIG. 13, and is a view corresponding to FIG.
  • the same or corresponding reference numerals are given to the same or corresponding parts as those in the first embodiment.
  • FIGS. 3 other than the electrode pattern on the front surface of the IC 3c and the first sealing member 5c, that is, the back surface of the first sealing member 5c, the crystal diaphragm 4 and the second sealing member 6 are shown in FIGS. 3. It is the same as the first embodiment shown in FIGS. 5 to 7, and the description thereof will be omitted.
  • first to sixth mounting electrodes 521c to 526c to which the first to sixth mounting terminals 31c to 36c of the IC 3c are connected are formed on the surface of the first sealing member 5c. ing.
  • the first to sixth mounting electrodes 521c to 526c are electrode pads (not shown) to which the mounting terminals 31c to 36c of the IC3c are joined in a rectangular mounting area Sc surrounded by a virtual line on which the IC3c is mounted (not shown). ) Is included in the first to sixth terminal joints 531c to 536c. Further, the first to sixth mounting electrodes 521c to 526c extend from the first to sixth terminal joints 531c to 536c of the mounting region Sc to the outside of the mounting region Sc, and the through electrodes 504,505,502,503 , 506 and 501 are provided with first to sixth electrode connecting portions 541c to 546c, which are electrically connected to each other.
  • connecting joint patterns 551 and 552 extending along the short side are formed, respectively.
  • the first to fourth through electrodes 501 to 504 of the first sealing member 5c are the sixth, third, fourth, and first mounting electrodes 526c on the surface of the first sealing member 5c.
  • 523c, 524c, and 521c are electrically connected to the electrode connection portions 546c, 543c, 544c, and 541c, respectively, so that the first to fourth external connection terminals 631 to 634 on the back surface of the second sealing member 6 are
  • the sixth, third, fourth, and first mounting electrodes 526c, 523c, 524c, and 521c on the surface of the first sealing member 5c are electrically connected to the electrode connecting portions 546c, 543c, 544c, and 541c, respectively.
  • the sixth electrode connecting portion 546c around the first through electrode 501 of the sixth mounting electrode 526c is joined to the sixth terminal at a distant position. It is electrically connected to the portion 536c via a first wiring pattern 571c extending diagonally. Further, the first electrode connection portion 541c around the fourth through electrode 504 of the first mounting electrode 521c is electrically connected to the first terminal joint portion 531c at a distant position via the fourth wiring pattern 574c extending diagonally. Is connected.
  • the first wiring pattern 571c has a narrowed portion 5711c in the vicinity of the sixth electrode connecting portion 546c around the first through electrode 501, in which the width of the wiring is narrower than that of the other portions.
  • the fourth wiring pattern 574c has a narrowed portion 5744c in which the width of the wiring is narrower than that of the other portions in the vicinity of the first electrode connecting portion 541c around the fourth through electrode 504.
  • the narrowed portions 5711c and 5744c of the first and fourth wiring patterns 571c and 574c are formed so that the widths of the wiring patterns 571c and 574c extending from the sixth and first terminal joint portions 536c and 531c are gradually narrowed. There is.
  • the third and fourth mounting electrodes 523c and 524c of the first sealing member 5c are such that the third and fourth mounting electrodes 523c and 524c themselves are the third around the second and third through electrodes 502 and 503.
  • 4th electrode connection portions 543c, 544c and the 3rd and 4th terminal joint portions 533c, 534c to which the 3rd and 4th mounting terminals 33c and 34c of the IC3c are bonded are electrically connected to the 2nd and 3rd terminals.
  • Wiring patterns 572c and 573c are configured.
  • the width of the wiring of the third mounting electrode 523c as the second wiring pattern 572c is narrower than that of the other portions at a substantially intermediate position between the third electrode connection portion 543c and the third terminal joint portion 533c. It has a constricted portion 5722c.
  • the width of the wiring of the fourth mounting electrode 524c as the third wiring pattern 573c is narrower than that of the other portions at a substantially intermediate position between the fourth electrode connection portion 544c and the fourth terminal joint portion 534c. It has a constricted portion 5733c.
  • the narrowed portions 5722c and 5733c of the second and third wiring patterns 572c and 573c have a shape in which one side of the wiring patterns 572c and 573c is cut out in an elongated rectangular shape.
  • first to sixth mounting electrodes 521c to 526c on the surface of the first sealing member 5c a pair of second and second excitation electrodes 45 and 46 connected to the first and second excitation electrodes 45 and 46 of the crystal diaphragm 4.
  • the remaining sixth, third, fourth, and first mounting electrodes 526c, 523c, 524c, and 521c excluding the fifth mounting electrodes 522c and 525c each include the first to fourth wiring patterns 571c to 574c. ..
  • the first to fourth wiring patterns 571c to 574c are the sixth, third, fourth, and first terminal joint portions 536c, 533c, 534c, and 531c to which the first to fourth through electrodes 501 to 504 and the IC3c are joined. And electrically connect.
  • Each wiring pattern 571c to 574c has narrowed portions 5711c, 5722c, 5733c, and 5744c in which the width of the wiring is narrowed, respectively.
  • the narrowed portions 5711c, 5722c, 5733c, 5744c join the first to fourth through electrodes 501 to 504 to the sixth, third, fourth, and first mounting terminals 36c, 33c, 34c, and 31c of the IC3c. It is possible to prevent heat conduction between the sixth, third, fourth and first terminal joints 536c, 533c, 534c and 531c.
  • the gradient of the temperature rise of the IC3c when the electronic component serving as the heat source of the external circuit board on which the temperature-compensated crystal oscillator is mounted is started to be energized is made gentle.
  • the gradient of the temperature drop of the IC3c when the energization of the electronic component as the heat source mounted on the external circuit board is stopped can be made gentle.
  • the temperature difference between the IC3c and the crystal oscillator can be suppressed, the IC3c and the crystal oscillator can be quickly brought into a thermal equilibrium state, and frequency drift can be suppressed.
  • the shape of the narrowed portion of the wiring pattern is not particularly limited as long as the width is narrow, and is not limited to each of the above embodiments.
  • the sixth terminal joint portion is located near the sixth electrode connecting portion 546c around the first through electrode 501.
  • the narrowed portion 5711c1 having a constant width narrower than that of the wiring pattern 571c extending from the 536c may be used.
  • the narrowed portion 5711c2 may be such that the width gradually narrows from the sixth electrode connecting portion 546c around the first through electrode 501 toward the wiring pattern 571c.
  • one constricted portion is formed in one wiring pattern, but a plurality of constricted portions may be formed in one wiring pattern.
  • the IC is mounted on the first sealing member on the front surface side of the crystal unit, but the IC is mounted on the second sealing member 6 on the back surface side of the crystal unit. May be good.

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Abstract

励振電極に接続された一対の実装用電極以外の残余の実装用電極は、外部接続端子とＩＣの実装端子とを接続する配線パターンを備え、配線パターンは、熱の伝導を妨げる幅狭の狭窄部を有している。

Description

圧電振動デバイス
　本発明は、通信機器等の各種電子機器に用いられる圧電振動デバイスに関する。
　圧電振動デバイスとして、表面実装型の圧電振動子や圧電発振器が広く用いられている。例えば、圧電振動子の周波数温度特性を補償した温度補償型圧電発振器は、温度環境の変化する携帯型の通信機器の周波数源として広く用いられている。
　かかる温度補償型圧電発振器では、温度センサや温度補償回路を内蔵した集積回路素子を備えている。この集積回路素子に内蔵された温度センサの検出温度に基づいて、補償電圧を発生して発振周波数を制御している（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５－００６０３０号公報
　表面実装型の温度補償型圧電発振器では、その外部接続端子が、半田等の接合材を用いて外部の回路基板に接合されて実装される。この外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品（例えばパワートランジスタ）への通電が開始されて、該電子部品が発熱すると、その熱は、当該回路基板に実装された温度補償型圧電発振器の外部接続端子へ伝導する。
　温度補償型圧電発振器では、集積回路素子は、外部接続端子に内部の配線等を介して直接接続されている。これに対して、圧電振動子は、内部の配線等を介して集積回路素子に接続されており、外部接続端子には、直接接続されていない。
　このため、温度補償型圧電発振器の外部接続端子に伝導した外部の回路基板の熱源からの熱は、熱伝導性が良好な外部接続端子及び内部の配線等を介して
集積回路素子に迅速に伝導される。このため、集積回路素子の温度上昇の勾配は、圧電振動子の温度上昇の勾配に比べて急となる。したがって、集積回路素子と圧電振動子との温度差が大きくなる。この温度差が縮まって、集積回路素子と圧電振動子とが熱平衡状態に達するまでの間は、正確な温度補償が困難となり、周波数変動、いわゆる周波数ドリフトが生じる。
　この周波数ドリフトは、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が開始されたときに限らず、前記電子部品への通電が停止されたときにも同様に生じる。すなわち、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止されると、該電子部品からの熱が温度補償型圧電発振器へ伝導されなくなるので、温度補償型圧電発振器の温度が低下する。このとき、集積回路素子の熱が、熱伝導性の良好な内部の配線等を介して外部接続端子へ迅速に伝導されて放熱される。このため、集積回路素子の温度降下の勾配は、圧電振動子の温度降下の勾配に比べて急となる。したがって、集積回路素子と圧電振動子との温度差が大きくなる。この温度差が縮まって、集積回路素子と圧電振動子とが熱平衡状態に達するまでの間は、周波数ドリフトが生じる。
　このように当該温度補償型圧電発振器が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電の開始、停止によって、周波数ドリフトが生じる。このため、かかる電子部品への通電の開始(オン)、停止(オフ)が、比較的頻繁に行われる電子機器では、その影響が顕著となる。
　本発明は、上記のような点に鑑みてなされたものであって、当該圧電振動デバイスが搭載される外部の回路基板からの熱などによって生じる圧電振動子と集積回路素子との温度差を可及的に抑制することを目的とする。
　本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
　すなわち、本発明の圧電振動デバイスは、複数の外部接続端子及び複数の実装用電極を有する圧電振動子と、前記複数の実装用電極に接続される複数の実装端子を有して、前記圧電振動子に実装される集積回路素子とを備える圧電振動デバイスであって、
　前記圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記両主面の一方の主面側を覆って封止する第１封止部材と、前記圧電振動板の前記両主面の他方の主面側を覆って封止する第２封止部材とを備え、
　前記複数の実装用電極の内、一対の実装用電極は、前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続され、残余の複数の実装用電極は、前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されており、
　前記残余の複数の各実装用電極は、前記複数の各外部接続端子と前記集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的に接続する配線パターンをそれぞれ備え、
　前記残余の複数の実装用電極の少なくとも１つの実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の狭窄部を有する。
　本発明によれば、圧電振動板の両主面の励振電極に接続された一対の実装用電極以外の残余の複数の実装用電極は、複数の各外部接続端子と集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的に接続する配線パターンをそれぞれ備えている。残余の複数の実装用電極の少なくとも１つの実装用電極の配線パターンは、熱の伝導を妨げる幅狭の狭窄部を有している。このため、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱が、当該圧電振動デバイスの外部接続端子から前記配線パターンを介して集積回路素子へ伝導する場合に、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度上昇の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。
　また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止して、当該圧電振動デバイスの温度が低下する場合に、集積回路素子の熱が、前記配線パターンを介して外部接続端子に伝導して放熱されるが、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度降下の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。
　更に、圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板の各主面側を、第１，第２封止部材でそれぞれ封止した三層の積層構造である。このため、窪んだ収容部を有する容器内に、圧電振動片を収容して蓋で封止するパッケージ構造に比べて、薄型化（低背化）を図ることができる。
　本発明の圧電振動デバイスの好ましい実施態様では、前記残余の複数の実装用電極の全ての実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の前記狭窄部を有している。
　この実施態様によれば、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱が、外部接続端子から前記配線パターンを介して集積回路素子へ伝導するのを一層効果的に妨げることができる。また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止し、集積回路素子の熱が、前記配線パターンを介して外部接続端子に伝導して放熱されるのを一層効果的に妨げることができる。これによって、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制して、集積回路素子と圧電振動子とを、一層迅速に熱平衡状態にすることができる。
　本発明の圧電振動デバイスの一実施態様では、前記第１封止部材の外面に、前記複数の実装用電極が設けられ、前記第２封止部材の外面に、前記複数の外部接続端子が設けられ、前記圧電振動子は、前記第１封止部材、前記圧電振動板、及び、前記第２封止部材を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を有しており、前記残余の複数の実装用電極は、前記複数の貫通電極を介して前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されている。
　この実施態様によれば、圧電振動子の一方の面を構成する第２封止部材の外面に、外部の回路基板に接合される外部接続端子が設けられ、圧電振動子の他方の面を構成する第１封止部材の外面に、集積回路素子の実装用端子が接続される実装用電極が設けられる。残余の複数の実装用電極は、第１，第２封止部材及び圧電振動板を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を介して複数の外部接続端子に電気的に接続される。
　したがって、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱は、当該圧電振動デバイスの、熱伝導性の良好な外部接続端子、貫通電極、及び、残余の複数の実装用電極を介して集積回路素子の複数の実装端子に伝導することになる。この場合、その熱の伝導が、残余の複数の実装用電極の配線パターンの狭窄部によって妨げられるので、熱が、集積回路素子に迅速に伝導されなくなる。これによって、集積回路素子の温度上昇の勾配が緩やかとなり、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制して、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。
　また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止して、集積回路素子の熱が、その実装端子から残余の複数の実装用電極、複数の貫通電極及び外部接続端子へ伝導されて放熱される。この場合、その熱の伝導が、残余の複数の実装用電極の配線パターンの狭窄部によって妨げられるので、集積回路素子の温度降下の勾配が緩やかとなる。これによって、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。
　本発明の圧電振動デバイスの他の実施態様では、前記配線パターンの前記狭窄部が、前記実装用電極と前記集積回路素子の前記実装端子との接続部よりも前記貫通電極寄りに形成されている。
　この実施態様によれば、熱の伝導を妨げる狭窄部は、貫通電極と集積回路素子の実装端子とを接続する配線パターンの貫通電極寄り、したがって、集積回路素子の実装端子から離れた位置に形成されているので、集積回路素子から離れた位置で、熱の伝導を抑制することができる。
　本発明の圧電振動デバイスの更に他の実施態様では、前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている。
　この実施態様によると、熱の伝導を妨げる狭窄部は、集積回路素子が実装される実装領域外に形成されているので、集積回路素子が実装される実装領域外で、熱の伝導を抑制することができる。
　本発明の一実施態様では、前記配線パターンの前記狭窄部の幅が、４０μｍ以下である。
　この実施態様によると、配線パターンの狭窄部の幅が、４０μｍ以下であるので、熱の伝導を効果的に抑制することができる。
　本発明の他の実施態様では、前記集積回路素子は、前記複数の実装端子がその外周寄りに配置されており、前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続される前記一対の実装用電極は、前記集積回路素子が実装される実装領域において、前記複数の前記実装端子よりも内方まで延出されている励振電極用配線パターンを有する。
　この実施態様によると、圧電振動子の圧電振動板の両主面の励振電極に電気的にそれぞれ接続されている一対の実装用電極が、集積回路素子の実装領域において、実装端子よりも内方まで延出された各励振電極用配線パターンをそれぞれ有している。これによって、集積回路素子の温度が上昇して圧電振動子よりも高温となった場合には、集積回路素子からの放熱によって加熱された各励振電極用配線パターンの熱が、圧電振動子に効率的に伝導され、集積回路素子と圧電振動子との温度差を一層迅速に縮めて熱平衡状態にすることができる。
　本発明の更に他の実施態様では、前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンが、前記集積回路素子が実装される前記実装領域の中心を対称点として略点対称である。
　この実施態様によると、一対の実装用電極の各励振電極用配線パターンが、実装領域の中心を対称点として略点対称であるので、集積回路素子からの放熱によって、各励振電極用配線パターンが略均等に加熱される。加熱された各励振電極用配線パターンの熱が、圧電振動板の両主面に伝導されるので、圧電振動板の両主面の温度をバランスよく高めることができる。
　本発明の好ましい実施態様では、前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンは、前記集積回路素子が実装される前記実装領域において、少なくとも中央部近傍まで延出されている。
　この実施態様によると、実装用電極の励振電極用配線パターンが、集積回路素子が実装される実装領域の中央部近傍まで延出しているので、駆動されて高温となった集積回路素子の中央部近傍からの放熱によって、励振電極用配線パターンが効率的に加熱されることになる。これによって、加熱された励振電極用配線パターンの熱が、圧電振動子に伝導されて、圧電振動子の温度を効率的に高めることができる。
　本発明によれば、圧電振動板の両主面の励振電極に接続された一対の実装用電極以外の残余の複数の実装用電極は、複数の各外部接続端子と集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的に接続する配線パターンをそれぞれ備えている。残余の複数の実装用電極の少なくとも１つの実装用電極の配線パターンは、熱の伝導を妨げる幅狭の狭窄部を有している。したがって、当該圧電振動デバイスが実装される外部の回路基板の熱源の発熱による熱が、当該圧電振動デバイスの外部接続端子から前記配線パターンを介して集積回路素子へ伝導する場合に、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度上昇の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。
　また、外部の回路基板の熱源の発熱が停止し、集積回路素子の熱が、その実装端子から前記配線パターンを介して外部接続端子に伝導して放熱される場合に、その熱の伝導を、配線パターンの狭窄部によって妨げることができる。これによって、集積回路素子の温度降下の勾配を緩やかにして、集積回路素子と圧電振動子との温度差を抑制し、集積回路素子と圧電振動子とを、迅速に熱平衡状態にすることができる。
　更に、圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板の各主面側を、第１，第２封止部材でそれぞれ封止した三層の積層構造であるので、窪んだ収容部を有する容器内に、圧電振動片を収容して蓋で封止するパッケージ構造に比べて、薄型化（低背化）を図ることができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。 図２は、図１の水晶振動板の一方の主面側を示す概略平面図である。 図３は、図１の水晶振動板の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。 図４は、図１の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図５は、図１の第１封止部材の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。 図６は、図１の第２封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図７は、図１の第２封止部材の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。 図８は配線の長さと熱伝導時間との関係のシミュレーション結果を示す図である。 図９は配線の幅と熱伝導時間との関係のシミュレーション結果を示す図である。 図１０は、本発明の他の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。 図１１は、図１０の実施形態の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図１２は、本発明の他の実施形態の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図１３は、本発明の更に他の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。 図１４は、図１３の実施形態の第１封止部材の一方の主面側を示す概略平面図である。 図１５Ａは、図１４の配線パターンの狭窄部の変形例を示す図である。 図１５Ｂは、図１４の配線パターンの狭窄部の他の変形例を示す図である。 図１５Ｃは、図１４の配線パターンの狭窄部の更に他の変形例を示す図である。
　以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。本実施形態では、圧電振動デバイスとして温度補償型水晶発振器に適用して説明する。
　[第１実施形態]
　図１は、本発明の一実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図である。
　この実施形態の温度補償型水晶発振器１は、水晶振動子２と、この水晶振動子２に実装された集積回路素子としてのＩＣ３とを備えている。
　水晶振動子２は、圧電振動板である水晶振動板４と、水晶振動板４の一方の主面側を覆って気密に封止する第１封止部材５と、水晶振動板４の他方の主面側を覆って気密に封止する第２封止部材６とを備えている。
　この水晶振動子２では、水晶振動板４の両主面側に、第１，第２封止部材５，６がそれぞれ接合されて、いわゆるサンドイッチ構造のパッケージが構成される。この水晶振動子２のパッケージは、直方体であって、平面視矩形である。この実施形態の水晶振動子２のパッケージサイズは、平面視で、例えば、１．０ｍｍ×０．８ｍｍであり、小型化及び低背化を図っている。
　なお、パッケージサイズは、上記に限定されるものではなく、異なるサイズであっても適用可能である。
　水晶振動子２に実装されるＩＣ３は、発振回路、温度センサ及び温度補償回路を１チップ化した外形が直方体の集積回路素子である。
　次に、水晶振動子２を構成する水晶振動板４及び第１，第２封止部材５，６の各構成について説明する。
　図２は水晶振動板４の一方の主面側を示す概略平面図であり、図３は水晶振動板４の一方の主面側から透視した他方の主面側を示す概略平面図である。
　以下では、説明の便宜上、ＩＣ３に近い側（図１において上側）の一方の主面を表面、ＩＣ３から遠い側（図１において下側）の他方の主面を裏面として説明する。すなわち、図２は水晶振動板４の表面側を示す概略平面図であり、図３は水晶振動板４の表面側から透視した裏面側を示す概略平面図である。
　この実施形態の水晶振動板４は、ＡＴカット水晶板であり、その表裏の両主面が、ＸＺ´平面である。
　水晶振動板４は、略矩形の振動部４１と、この振動部４１の周囲を、空間（隙間）４２を挟んで囲む枠部４３と、振動部４１と枠部４３とを連結する連結部４４とを備えている。振動部４１、枠部４３及び連結部４４は、一体的に形成されている。図示していないが、振動部４１及び連結部４４は、枠部４３に比べて薄く形成されている。
　振動部４１の表裏の両主面には、一対の第１，第２励振電極４５，４６がそれぞれ形成されている。第１，第２励振電極４５，４６からは、第１，第２引出し電極４７，４８がそれぞれ引出されている。表面側の第１引出し電極４７は、連結部４４を経て枠部４３に形成された接続用接合パターン４０１まで引出されている。裏面側の第２引出し電極４８は、連結部４４を経て枠部４３に形成された接続用接合パターン４０２まで引出されている。この接続用接合パターン４０２は、平面視矩形の水晶振動板４の短辺に沿って延びて、後述の第５貫通電極４１５の周囲に達している。
　この実施形態では、振動部４１を、一箇所の連結部４４によって連結しているので、２箇所以上連結部４４で連結する構成に比べて、振動部４１に作用する応力を低減することができる。
　水晶振動板４の表裏の各主面には、水晶振動板４を、第１，第２封止部材５，６にそれぞれ接合するための第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４が、形成されている。この第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４は、枠部４３の全周に亘って、水晶振動板４の四隅を除いてその外周縁に略沿うように環状にそれぞれ形成されている。第１封止部材５の裏面には、図５に示すように水晶振動板４の表面の第１封止用接合パターン４０３に対応する第１封止用接合パターン５１が形成されている。また、第２封止部材６の表面には、図６に示すように水晶振動板４の裏面の第２封止用接合パターン４０４に対応する第２封止用接合パターン６１が形成されている。
　後述のように、第１封止部材５、水晶振動板４及び第２封止部材６が重ね合わされて、第１封止部材５及び水晶振動板４の環状の第１封止用接合パターン５１，４０３同士が拡散接合されると共に、水晶振動板４及び第２封止部材６の環状の第２封止用接合パターン４０４，６１同士が拡散接合される。これによって、水晶振動板４の表裏両面が、第１，第２封止部材５，６によって封止されて、水晶振動板４の振動部４１が収容された収容空間が構成される。
　このように水晶振動板４及び第１，２封止部材５，６の３枚の水晶板を積層して、振動部４１を収容したパッケージが構成される。これによって、収容空間となる凹部を有するセラミック製の容器内に、水晶振動片を収容して蓋を接合して封止する構成の水晶振動子に比べて、薄型化（低背化）を図ることができる。
　水晶振動板４には、図２，図３に示すように、表裏の両主面間を貫通する５つの第１～第５貫通電極４１１～４１５が形成されている。各貫通電極４１１～４１５は、貫通孔の内壁面に金属膜が被着されて構成されている。第１～第４貫通電極４１１～４１４は、環状の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４の外側の水晶振動板４の四隅に形成されている。第５貫通電極４１５は、環状の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４の内側であって、平面視矩形の水晶振動板４の一方の短辺寄りの枠部４３に形成されている。
　水晶振動板４の表面の四隅の各貫通電極４１１～４１４の周囲であって、環状の第１封止用接合パターン４０３の外側には、各接続用接合パターン４２１～４２４がそれぞれ形成されている。各貫通電極４１１～４１４は、各接続用接合パターン４２１～４２４にそれぞれ電気的に接続されている。
　水晶振動板４の裏面の四隅の各貫通電極４１１～４１４の周囲であって、環状の第２封止用接合パターン４０４の外側には、各接続用接合パターン４３１～４３４がそれぞれ形成されている。各貫通電極４１１～４１４は、各接続用接合パターン４３１～４３４にそれぞれ電気的に接続されている。
　第１封止部材５及び第２封止部材６には、水晶振動板４の第１～第４貫通電極４１１～４１４にそれぞれ対応する第１～第４貫通電極５０１～５０４及び第１～第４貫通電極６０１～６０４が、後述のようにそれぞれ形成されている（図５，図６参照）。
　水晶振動板４の表面の第５貫通電極４１５の周囲には、図２に示すように、接続用接合パターン４２５が形成されている。第５貫通電極４１５と接続用接合パターン４２５は電気的に接続されている。
　水晶振動板４の裏面の第５貫通電極４１５の周囲には、図３に示すように、第２励振電極４６から引出された引出し電極４８に接続されている接続用接合パターン４０２が延出されている。第５貫通電極４１５は、接続用接合パターン４０２に電気的に接続されており、したがって、第５貫通電極４１５は、第２励振電極４６に電気的に接続されている。
　水晶振動板４の表面には、図２に示すように、振動部４１を挟んで水晶振動板４の長辺方向（図２の左右方向）の一方側に、第５貫通電極４１５の周囲の接続用接合パターン４２５及び第１引出し電極４７に連なる接続用接合パターン４０１が形成され、前記長辺方向の他方側には、二つの接続用接合パターン４４１，４４２が形成されている。
　これら接続用接合パターン４２５，４０１；４４１，４４２は、水晶振動板４の長辺方向の中心線ＣＬに略対称に形成されている。また、接続用接合パターン４２５，４４１と、接続用接合パターン４０１，４４２とは、水晶振動板４の短辺方向の中心線に略対称に形成されている。すなわち、これら接続用接合パターン４２５，４０１，４４１，４４２は、水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に略対称に形成されている。
　水晶振動板４の表面の四隅の各貫通電極４１１～４１４の周囲の各接続用接合パターン４２１～４２４も水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。
　このように接続用接合パターン４２５，４０１，４４１，４４２；４２１～４２４を、水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に略対称又は対称に形成しているので、拡散接合する際に加わる押圧力を均等にすることができる。
　水晶振動板４の表面と同様に、水晶振動板４の裏面には、振動部４１を挟んで水晶振動板４の長辺方向（図３の左右方向）の一方側に、第５貫通電極４１５の周囲まで延出されている接続用接合パターン４０２が形成され、前記長辺方向の他方側には、二つの接続用接合パターン４５１，４５２が形成されている。これら接続用接合パターン４０２，４５１，４５２も水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に略対称に形成されている。
　また、水晶振動板４の裏面の四隅の各貫通電極４１１～４１４の周囲の各接続用接合パターン４３１～４３４も水晶振動板４の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。
　水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６、第１，第２引出し電極４７，４８、第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４、及び、接続用接合パターン４０１，４０２，４２１～４２５，４３１～４３４，４４１，４４２，４５１，４５２は、例えば、ＴｉまたはＣｒからなる下地層上に、例えば、Ａｕが積層形成されて構成されている。
　図４は第１封止部材５の表面側を示す概略平面図であり、図５は第１封止部材５の表面側から透視した裏面側を示す概略平面図である。
　第１封止部材５は、水晶振動板４と同様のＡＴカット水晶板からなる直方体の基板である。この第１封止部材５の裏面には、図５に示すように水晶振動板４の表面の第１封止用接合パターン４０３に接合して封止するための第１封止用接合パターン５１が形成されている。この第１封止用接合パターン５１は、第１封止部材５の全周に亘って、第１封止部材５の四隅を除いてその外周縁に略沿うように環状に形成されている。
　第１封止部材５には、その表裏の両主面間を貫通する６つの第１～第６貫通電極５０１～５０６が形成されている。各貫通電極５０１～５０６は、貫通孔の内壁面に金属膜が被着されて構成されている。第１～第４貫通電極５０１～５０４は、水晶振動板４の第１～第４貫通電極４１１～４１４と同様に、平面視矩形の第１封止部材５の四隅に形成されている。第５貫通電極５０５は、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４４１に対応するように、環状の第１封止用接合パターン５１の内側であって、第１封止部材５の一方の短辺寄りに形成されている。第６貫通電極５０６は、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４０１に対応するように、環状の第１封止用接合パターン５１の内側であって、他方の短辺寄りに形成されている。
　第１封止部材５の裏面の四隅の各貫通電極５０１～５０４の周囲には、図５に示すように、接続用接合パターン５１１～５１４がそれぞれ形成されている。各貫通電極５０１～５０４は、各接続用接合パターン５１１～５１４にそれぞれ電気的に接続されている。
　第１封止部材５の裏面の第５貫通電極５０５の周囲には、接続用接合パターン５１５が形成されており、第５貫通電極５０５は、この接続用接合パターン５１５に電気的に接続されている。この接続用接合パターン５１５とは、第１封止部材５の長辺方向（図５の左右方向）の反対側に、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４２５に対応するように、接続用接合パターン５１８が形成されている。この接続用接合パターン５１８と、第５貫通電極５０５の周囲の接続用接合パターン５１５とは、接続用配線パターン５１９によって電気的に接続されている。したがって、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８は、第１封止部材５の第５貫通電極５０５に電気的に接続されている。
　この第１封止部材５の接続用接合パターン５１８は、後述のように、水晶振動板４の表面の第５貫通電極４１５の周囲の接続用接合パターン４２５に拡散接合されるので、水晶振動板４の第５貫通電極４１５に電気的に接続される。この水晶振動板４の第５貫通電極４１５は、上記のように、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６に電気的に接続されているので、第１封止部材５の接続用接合パターン５１８は、水晶振動板４の第２励振電極４６に電気的に接続されることになる。この第１封止部材５の接続用接合パターン５１８は、接続用配線パターン５１９を介して第５貫通電極５０５の周囲の接続用接合パターン５１５に電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６は、水晶振動板４の第５貫通電極４１５、第１封止部材５の接続用接合パターン５１８、接続用配線パターン５１９、及び、接続用接合パターン５１５を介して第１封止部材５の第５貫通電極５０５に電気的に接続されることになる。
　第１封止部材５の裏面の第６貫通電極５０６の周囲には、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４０１に対応する接続用接合パターン５１６が形成されている。第６貫通電極５０６は、この接続用接合パターン５１６に電気的に接続されている。この接続用接合パターン５１６とは、第１封止部材５の長辺方向（図５の左右方向）の反対側に、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４４２に対応するように、接続用接合パターン５１７が形成されている。
　第１封止部材５の接続用接合パターン５１６は、後述のように、水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４０１に拡散接合されるので、この接続用接合パターン４０１及び第１引出し電極４７を介して第１励振電極４５に電気的に接続される。すなわち、第１封止部材５の第６貫通電極５０６は、水晶振動板４の第１励振電極４５に電気的に接続される。
　第１封止部材５では、水晶振動板４と同様に、拡散接合する際に加わる押圧力を均等にできるように、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１５～５１８は、第１封止部材５の長辺方向及び短辺方向に略対称に形成されている。また、第１封止部材５の裏面の四隅の各貫通電極５０１～５０４の周囲の各接続用接合パターン５１１～５１４も第１封止部材５の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。
　第１封止部材５の表面は、ＩＣ３が実装される面である。第１封止部材５の表面を示す図４においては、仮想線によって、第１封止部材５に実装されるＩＣ３の平面視矩形の外形、及び、ＩＣ３の６つの第１～第６実装端子３１～３６の外形を示している。
　この図４に示されるように、第１封止部材５の表面には、ＩＣ３の第１～第６実装端子３１～３６がそれぞれ接続される第１～第６実装用電極５２１～５２６が形成されている。
　第１～第６実装用電極５２１～５２６は、ＩＣ３が実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓにおいて、ＩＣ３の各実装端子３１～３６がそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１～第６端子接合部５３１～５３６を備えている。更に、第１～第６実装用電極５２１～５２６は、実装領域Ｓの前記第１～第６端子接合部５３１～５３６から実装領域Ｓ外に延びて、各貫通電極５０１，５０５，５０２，５０３，５０６，５０４にそれぞれ電気的に接続される第１～第６電極接続部５４１～５４６を備えている。
　ＩＣ３は、図１に示されるように、金属部材としての金属バンプ（例えばＡｕバンプ等）７を用いて第１封止部材５の表面に、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接合される。金属バンプ７に代えて、金属メッキや金属ペーストを用いて接合してもよい。
　ＩＣ３と第１封止部材５との間には、ＩＣ３の能動面を保護すると共に、機械的接合強度を確保するために、封止樹脂としてのアンダーフィル樹脂８が充填される。
　第１封止部材５の第１封止用接合パターン５１、接続用接合パターン５１１～５１８、接続用配線パターン５１９、及び、第１～第６実装用電極５２１～５２６は、水晶振動板４の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４等と同様に、例えば、ＴｉまたはＣｒからなる下地層上に、例えば、Ａｕが積層形成されて構成されている。
　この第１封止部材５の表面の他の構成については、後述する。
　図６は第２封止部材６の表面側を示す概略平面図であり、図７は第２封止部材６の表面側から透視した裏面側を示す概略平面図である。
　第２封止部材６は、水晶振動板４や第１封止部材５と同様のＡＴカット水晶板からなる直方体の基板である。
　第２封止部材６の表面には、図６に示すように、水晶振動板４の裏面の第２封止用接合パターン４０４に接合して封止するための第２封止用接合パターン６１が形成されている。この第２封止用接合パターン６１は、第２封止部材６の全周に亘って、第２封止部材６の四隅を除いてその外周縁に略沿うように環状にそれぞれ形成されている。
　第２封止部材６には、その表裏の両主面間を貫通する４つの第１～第４貫通電極６０１～６０４が形成されている。各貫通電極６０１～６０４は、貫通孔の内壁面に金属膜が被着されて構成されている。第１～第４貫通電極６０１～６０４は、水晶振動板４の第１～第４貫通電極４１１～４１４と同様に、平面視矩形の第２封止部材６の矩形の四隅に形成されている。第２封止部材６の表面の四隅の各貫通電極６０１～６０４の周囲には、図６に示すように、接続用接合パターン６１１～６１４がそれぞれ形成されている。各貫通電極６０１～６０４は、各接続用接合パターン６１１～６１４にそれぞれ電気的に接続されている。
　第２封止部材６の環状の第２封止用接合パターン６１の内側の各短辺寄りには、それぞれ二つずつ、合計四つの接続用接合パターン６２１，６２２；６２３，６２４が、水晶振動板４の裏面の接続用接合パターン４５１，４５２，４０２に対応するようにそれぞれ形成されている。
　第２封止部材６では、水晶振動板４と同様に、拡散接合する際に加わる押圧力を均等にできるように、第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６２１，６２２，６２３，６２４及び四隅の接続用接合パターン６１１～６１４は、第２封止部材６の長辺方向及び短辺方向に対称に形成されている。
　第２封止部材６の裏面には、図７に示すように、当該温度補償型水晶発振器１を、外部の回路基板に実装するための４つの第１～第４外部接続端子６３１～６３４が設けられている。
　この例では、第１外部接続端子６３１は、電源用の外部接続端子であり、第２外部接続端子６３２は、発振出力用の外部接続端子である。第３外部接続端子６３３は、制御電圧入力用の外部接続端子であり、第４外部接続端子６３４はグランド（接地）用の外部接続端子である。
　第１～第４外部接続端子６３１～６３４は、平面視矩形の第２封止部材６の四つの角部にそれぞれ配置されている。各外部接続端子６３１～６３４が設けられている領域には、第１～第４貫通電極６０１～６０４がそれぞれ形成されており、各貫通電極６０１～６０４は、各外部接続端子６３１～６３４にそれぞれ電気的に接続されている。
　第２封止部材６の第２封止用接合パターン６１、接続用接合パターン６１１～６１４，６２１～６２４、及び、第１～第４外部接続端子６３１～６３４は、水晶振動板４の第１，第２封止用接合パターン４０３，４０４等と同様に、例えば、ＴｉまたはＣｒからなる下地層上に、例えば、Ａｕが積層形成されて構成されている。
　この実施形態では、水晶振動子２は、従来技術のような接着剤等の接合専用材を用いることなく、接合される。すなわち、水晶振動板４と第１封止部材５とが、それぞれの第１封止用接合パターン４０３，５１を重ね合わせた状態で拡散接合されると共に、水晶振動板４と第２封止部材６とが、それぞれの第２封止用接合パターン４０４，６１を重ね合わせた状態で拡散接合される。これによって、図１に示すサンドイッチ構造のパッケージが製造され、水晶振動板４の振動部４１が収容された収容空間が、両封止部材５，６によって気密に封止される。
　この場合、水晶振動板４の第１封止用接合パターン４０３と、第１封止部材５の第１封止用接合パターン５１との拡散接合によって、接合材が生成されて接合される。また、水晶振動板４の第２封止用接合パターン４０４と、第２封止部材６の第２封止用接合パターン６１との拡散接合によって、接合材が生成されて接合される。
　この拡散接合を、加圧した状態で行うことによって、接合材の接合強度を向上させることが可能である。
　また、この拡散接合の際に、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合され、拡散接合によって生成された接合材によって接合される。
　具体的には、水晶振動板４の表面の四隅の接続用接合パターン４２１～４２４と第１封止部材５の裏面の四隅の接続用接合パターン５１１～５１４とが拡散接合される。水晶振動板４の表面の環状の第１封止用接合パターン４０３の内側の一方の短辺寄りの接続用接合パターン４４１，４４２と、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１５，５１７とが拡散接合される。水晶振動板４の表面の環状の第１封止用接合パターン４０３の内側の他方の短辺寄りの接続用接合パターン４２５，４０１と、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８，５１６とが拡散接合される。
　更に、水晶振動板４の裏面の四隅の接続用接合パターン４３１～４３４と、第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６１１～６１４とが拡散接合される。水晶振動板４の裏面の環状の第２封止用接合パターン４０４の内側の一方の短辺寄りの接続用接合パターン４５１，４５２と、第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６２１，６２２とが拡散接合される。水晶振動板４の裏面の環状の第２封止用接合パターン４０４の内側の他方の短辺寄りの接続用接合パターン４０２と、第２封止部材６の表面の接続用接合パターン６２３，６２４とが拡散接合される。
　上記の拡散接合によって、第２封止部材６の裏面の第１～第４外部接続端子６３１～６３４に電気的に接続されている第１～第４貫通電極６０１～６０４は、第２封止部材６の表面の各接続用接合パターン６１１～６１４と水晶振動板４の裏面の各接続用接合パターン４３１～４３４との拡散接合によって生成される接合材によって、水晶振動板４の第１～第４貫通電極４１１～４１４に電気的に接続される。
　水晶振動板４の第１～第４貫通電極４１１～４１４は、水晶振動板４の表面の各貫通電極４１１～４１４の周囲の各接続用接合パターン４２１～４２４と第１封止部材５の裏面の各接続用接合パターン５１１～５１４との拡散接合によって生成される接合材によって、第１封止部材５の第１～第４貫通電極５０１～５０４に電気的に接続される。
　したがって、第２封止部材６の裏面の第１～第４外部接続端子６３１～６３４は、第２封止部材６の第１～第４貫通電極６０１～６０４を介して水晶振動板４の第１～第４貫通電極４１１～４１４に電気的にそれぞれ接続され、更に、第１～第４貫通電極４１１～４１４を介して第１封止部材５の第１～第４貫通電極５０１～５０４に電気的にそれぞれ接続される。
　第１封止部材５の第１～第４貫通電極５０１～５０４は、図４に示すように、第１封止部材５の表面の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１，５２３，５２４，５２６の各電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６にそれぞれ電気的に接続されているので、第２封止部材６の裏面の第１～第４外部接続端子６３１～６３４は、第１封止部材５の表面の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１，５２３，５２４，５４６の各電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６にそれぞれ電気的に接続される。
　図２に示される水晶振動板４の表面の第１励振電極４５に、第１引出し電極４７を介して接続されている接続用接合パターン４０１は、図５に示される第１封止部材５の裏面の第６貫通電極５０６の周囲の接続用接合パターン５１６との拡散接合によって生成される接合材によって、第１封止部材５の第６貫通電極５０６に電気的に接続される。第１封止部材５の第６貫通電極５０６は、図４に示すように、第１封止部材５の表面の第５実装用電極５２５の第５電極接続部５４５に電気的に接続されている。
　したがって、水晶振動板４の第１励振電極４５は、第１封止部材５の第６貫通電極５０６を介して第１封止部材５の第５実装用電極５２５の第５電極接続部５４５に電気的に接続される。
　図３に示される水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６に、第２引出し電極４８及び接続用接合パターン４０２を介して電気的に接続されている第５貫通電極４１５は、図２に示される水晶振動板４の表面の接続用接合パターン４２５に電気的に接続されている。この水晶振動板４の接続用接合パターン４２５と、図５に示される第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８との拡散接合によって生成される接合材によって、水晶振動板４の第５貫通電極４１５が、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８に電気的に接続される。この第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８は、接続用配線パターン５１９を介して第５貫通電極５０５の周囲の接続用接合パターン５１５に接続されている。この第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１５は、第５貫通電極５０５に電気的に接続されており、この第５貫通電極５０５は、図４に示すように、第１封止部材５の表面の第２実装用電極５２２の第２電極接続部５４２に電気的に接続されている。
　したがって、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６は、水晶振動板４の第５貫通電極４１５、第１封止部材５の裏面の接続用接合パターン５１８、接続用配線パターン５１９、接続用接合パターン５１５、及び、第１封止部材５の第５貫通電極５０５を介して第１封止部材５の表面の第２実装用電極５２２の第２電極接続部５４２に電気的に接続される。
　以上のような構成を有する表面実装型の温度補償型水晶発振器１では、図１に示される水晶振動子２の裏面側である第２封止部材６の第１～第４外部接続端子６３１～６３４が、半田等の接合材によって、図示しない外部の回路基板に接合されて実装される。
　この外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品（例えばパワートランジスタ）への通電が開始されて、該電子部品が発熱すると、その熱は、当該回路基板に実装された温度補償型圧水晶発振器１の第１～第４外部接続端子６３１～６３４へ伝導する。
　ＩＣ３は、上記のように、第１～第４外部接続端子６３１～６３４に、内部の配線の一部を構成する第１～第４貫通電極６０１～６０４，４１１～４１４，５０１～５０４等を介して直接接続されている。これに対して、水晶振動子２の第１，第２励振電極４５，４６は、ＩＣ３に接続されており、第１，第２励振電極４５，４６は、第２封止部材６の裏面の第１～第４外部接続端子６３１～６３４には直接接続されていない。
　このため、回路基板に実装されている熱源となる電子部品の発熱による熱は、温度補償型水晶発振器１に伝導し、更に、熱伝導性の良好な第１～第４外部接続端子６３１～６３４及び第１～第４貫通電極６０１～６０４，４１１～４１４，５０１～５０４等を介してＩＣ３に迅速に伝導されることになる。このため、ＩＣ３の温度上昇の勾配は、水晶振動子２の温度上昇の勾配に比べて急となる。したがって、水晶振動子２とＩＣ３との温度差が大きくなり、この温度差が縮まって、水晶振動子２とＩＣ３とが熱平衡状態に達するまでの間は、正確な温度補償が困難となり、周波数変動、いわゆる周波数ドリフトが生じる。
　この周波数ドリフトは、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された場合にも同様に生じる。すなわち、外部の回路基板に実装されている前記電子部品への通電が停止されると、該電子部品からの熱が温度補償型水晶発振器１へ伝導されなくなるので、温度補償型水晶発振器１の温度が低下する。このとき、ＩＣ３の熱が、水晶振動子２に比べて、熱伝導性の良好な第１～第４貫通電極６０１～６０４，４１１～４１４，５０１～５０４等を介して第１～第４外部接続端子６３１～６３４へ迅速に伝導されて放熱される。このため、ＩＣ３の温度降下の勾配は、水晶振動子２の温度降下の勾配に比べて急となる。したがって、水晶振動子２とＩＣ３との温度差が大きくなり、周波数ドリフトが生じる。
　この実施形態では、このような周波数ドリフトの発生を抑制するために、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電の開始、停止によって生じるＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制し、ＩＣ３と水晶振動子２とが、迅速に熱平衡状態となるように構成している。
　すなわち、この実施形態では、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電の開始あるいは停止によって生じるＩＣ３の温度上昇の勾配あるいは温度降下の勾配を緩やかにし、ＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制している。
　具体的には、図４に示される、第１封止部材５の表面の第１～第６実装電極５２１～５２６の内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２，５２５を除く残余の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１，５２３，５２４，５２６は、第１～第４配線パターン５７１～５７４をそれぞれ有している。第１～第４配線パターン５７１～５７４は、第１～第４貫通電極５０１～５０４の周囲の第１，第３，第４，第６電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６と、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６が接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１，５３３，５３４，５３６とを電気的に接続する。各配線パターン５７１～５７４は、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４をそれぞれ有している。各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４は、各配線パターン５７１～５７４の一側が矩形状に切り欠かれた形状となっている。
　各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４の配線の幅は、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下であり、この実施形態では、４０μｍ以下としている。
　ここで、熱伝導速度が、配線の長さ及び幅によって、どのように変化するかについて行ったシミュレーションの結果について説明する。
　このシミュレーションでは、２つのブロックを配線で接続し、一方のブロックの外側面の温度を、１℃に固定したときに、他方のブロックの外側面の温度が０．９℃に到達するまでの時間を、前記配線の長さを変化させた場合、及び、配線の幅を変化させた場合のそれぞれについて算出した。
　図８は、配線の長さを変化させた場合に、他方のブロックの外側面の温度が０．９℃に到達するまでの時間の変化を示す図であり、横軸が配線の長さを、縦軸が時間をそれぞれ示している。また、図９は、配線の幅を変化させた場合に、他方のブロックの外側面の温度が０．９℃に到達するまでの時間の変化を示す図であり、横軸が配線の幅を、縦軸が時間をそれぞれ示している。
　２つのブロックを接続する配線の長さが長い程、配線の幅が狭い程、他方のブロックの外側面の温度が、０．９℃に到達するまでの時間が長くなることが分る。
　図９に示されるように、配線の幅は、４０μｍ程度までは、狭くなっても時間にあまり差はないが、４０μｍ程度よりも狭くなると、時間が急激に長くなり、約３倍程度になっている。
　この実施形態では、上記のように、第１～第４貫通電極５０１～５０４の周囲の第１，第３，第４，第６電極接続部５４１，５４３，５４４，５４６と、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６が接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１，５３３，５３４，５３６とを接続する第１～第４配線パターン５７１～５７４は、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４を有している。この狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４によって、第１～第４貫通電極５０１～５０４と、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６が接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１，５３３，５３４，５３６との間の熱の伝導を妨げることができる。
　当該温度補償型水晶発振器１が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始されて、該電子部品が発熱し、その熱が、温度補償型圧水晶発振器１に伝導し、更に、第１～第４外部接続端子６３１～６３４、第１～第４貫通電極６０１～６０４，４１１～４１４，５０１～５０４、及び、第１～第４配線パターン５７１～５７４を介してＩＣ３に伝導される。この場合に、第１～第４配線パターン５７１～５７４の各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４によって、ＩＣ３への熱の伝導を抑制することができる。これによって、ＩＣ３の温度上昇の勾配は、緩やかとなり、ＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制することができる。したがって、迅速にＩＣ３と水晶振動板４とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。
　また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された場合に、電子部品からの熱が温度補償型水晶発振器１へ伝導されなくなるので、温度補償型水晶発振器１の温度が低下する。このとき、ＩＣ３の熱が、ＩＣ３の第１，第３，第４，第６実装端子３１，３３，３４，３６から、第１～第４配線パターン５７１～５７４、第１～第４貫通電極５０１～５０４，４１１～４１４，６０１～６０４を介して第１～第４外部接続端子６３１～６３４へ伝導されて放熱される。この場合、第１～第４配線パターン５７１～５７４の各狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４によって、ＩＣ３からの熱が、第１～第４貫通電極５０１～５０４へ伝導するのを抑制することができる。これによって、ＩＣ３の温度降下の勾配は、緩やかとなり、ＩＣ３と水晶振動子２との温度差を抑制することができる。したがって、迅速にＩＣ３と水晶振動板４とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。
　上記実施形態では、第１～第４配線パターン５７１～５７４の全ての配線パターン５７１～５７４が狭窄部５７１１，５７２２，５７３３，５７４４をそれぞれ有しているが、本発明の他の実施形態として、少なくともいずれか１つの配線パターンが狭窄部を有する構成としてもよい。
　[第２実施形態]
　図１０は、本発明の他の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図であり、上記図１に対応する概略構成図である。図１１は、図１０の温度補償型水晶発振器１ａの水晶振動子２ａの第１封止部材５ａの表面側を示す概略平面図であり、上記図４に対応する図である。上記第１実施形態と同一又は対応する部分には、同一又は対応する参照符号を付す。
　この実施形態では、ＩＣ３ａ及び第１封止部材５ａの表面の電極のパターン以外、すなわち、第１封止部材５ａの裏面、水晶振動板４及び第２封止部材６は、上記図２、図３、図５～図７に示される上記第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。
　この実施形態では、ＩＣ３ａの第１封止部材５ａに対する実装方向が、上記第１実施形態と異なると共に、それに応じて、第１封止部材５ａの電極のパターンが異なる。すなわち、上記第１実施形態では、図４に示すように、ＩＣ３は、その長辺方向が第１封止部材５の長辺方向に直交するように実装されていた。これに対して、この実施形態では、図１１に示されるように、ＩＣ３ａは、その長辺方向と第１封止部材５ａの長辺方向とが同一方向に沿うように実装されている。
　第１封止部材５ａの表面を示す図１１においては、仮想線によって、第１封止部材５ａに実装されるＩＣ３ａの平面視矩形の外形、ＩＣ３ａの６つの第１～第６実装端子３１ａ～３６ａ、及び、ＩＣ３ａに内蔵されている温度センサ３０１ａの外形を示している。
　この図１１に示されるように、第１封止部材５ａの表面には、ＩＣ３ａの第１～第６実装端子３１ａ～３６ａがそれぞれ接続される第１～第６実装用電極５２１ａ～５２６ａが形成されている。
　第１～第６実装用電極５２１ａ～５２６ａは、ＩＣ３ａが実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓａにおいて、ＩＣ３ａの各実装端子３１ａ～３６ａがそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１～第６端子接合部５３１ａ～５３６ａを備えている。更に、第１～第６実装用電極５２１ａ～５２６ａは、実装領域Ｓａの前記第１～第６端子接合部５３１ａ～５３６ａから実装領域Ｓａ外に延びて、各貫通電極５０１，５０５，５０３，５０２，５０６，５０４にそれぞれ電気的に接続される第１～第６電極接続部５４１ａ～５４６ａを備えている。
　第１封止部材５ａの表面の第１～第６実装電極５２１ａ～５２６ａの内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａを除く残余の第１，第４，第３，第６実装用電極５２１ａ，５２４ａ，５２３ａ，５２６ａは、第１～第４配線パターン５７１ａ～５７４ａをそれぞれ有している。第１～第４配線パターン５７１ａ～５７４ａは、第１～第４貫通電極５０１～５０４の周囲の第１，第４，第３，第６電極接続部５４１ａ，５４４ａ，５４３ａ，５４６ａと、ＩＣ３ａの第１，第４，第３，第６実装端子３１ａ，３４ａ，３３ａ，３６ａが接合される第１，第４，第３，第６端子接合部５３１ａ，５３４ａ，５３３ａ，５３６ａとを電気的に接続する。各配線パターン５７１ａ～５７４ａは、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１ａ，５７２２ａ，５７３３ａ，５７４４ａをそれぞれ有している。
　このように第１封止部材５ａの第１～第４貫通電極５０１～５０４の周囲の第１，第４，第３，第６電極接続部５４１ａ，５４４ａ，５４３ａ，５４６ａ
と、ＩＣ３ａの第１，第４，第３，第６実装端子３１ａ，３４ａ，３３ａ，３６ａが接合される第１，第４，第３，第６端子接合部５３１ａ，５３４ａ，５３３ａ，５３６ａとを接続する第１～第４配線パターン５７１ａ～５７４ａは、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１ａ，５７２２ａ，５７３３ａ，５７４４ａを有している。この狭窄部５７１１ａ，５７２２ａ，５７３３ａ，５７４４ａによって、第１～第４貫通電極５０１～５０４と、ＩＣ３ａの第１，第４，第３，第６実装端子３１ａ，３４ａ，３３ａ，３６ａが接合される第１，第４，第３，第６端子接合部５３１ａ，５３４ａ，５３３ａ，５３６ａとの間の熱の伝導を妨げることができる。
　これによって、上記第１実施形態と同様に、当該温度補償型水晶発振器１ａが実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始された際のＩＣ３ａの温度上昇の勾配を緩やかにすることができる。また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された際のＩＣ３ａの温度降下の勾配を緩やかにすることができる。これによって、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとの温度差を抑制して、迅速にＩＣ３ａと水晶振動子２ａとを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。
　この実施形態では、上記第１実施形態と同様に、水晶振動板４の第１励振電極４５に電気的に接続されている第１封止部材５ａの第６貫通電極５０６は、第５実装用電極５２５ａの第５電極接続部５４５ａに電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の第１励振電極４５は、第１封止部材５ａの第６貫通電極５０６を介して第１封止部材５ａの第５実装用電極５２５ａの第５電極接続部５４５ａに電気的に接続される。
　上記第１実施形態と同様に、水晶振動板４の第２励振電極４６に電気的に接続されている第１封止部材５ａの第５貫通電極５０５は、第２実装用電極５２２ａの第２電極接続部５４２ａに電気的に接続されている。したがって、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６は、第１封止部材５ａの第５貫通電極５０５を介して第１封止部材５ａの表面の第２実装用電極５２２ａの第２電極接続部５４２ａに電気的に接続される。
　この実施形態では、ＩＣ３ａの温度が、水晶振動子２ａの温度よりも高温になった場合に、その温度差をなくして、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとが、迅速に熱平衡状態となるように次のように構成している。
　図１１に示されるように、ＩＣ３ａの第１～第６実装端子３１ａ～３６ａは、平面視矩形のＩＣ３ａの外周寄りに配置されている。具体的には、第１～第６実装端子３１ａ～３６ａは、矩形の二組の対向辺の内の一方の組の対向辺である各長辺寄りの位置に、長辺に沿って、二列に配置されている。前記一方の組の対向辺は、「長辺」に代えて「短辺」としてもよい。
　この実施形態では、第１封止部材５ａの表面に形成されている第１～第６実装用電極５２１ａ～５２６ａの内、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａは、第５配線パターン５６５及び第６配線パターン５６６をそれぞれ有している。第５配線パターン５６５及び第６配線パターン５６６は、ＩＣ３ａが実装される平面視矩形の実装領域Ｓａの内方に延出されている励振電極用配線パターンである。各配線パターン５６５，５６６は、実装領域Ｓａに実装されるＩＣ３ａとの対向面積を大きくするために、幅広に形成されている。
　第５，第６配線パターン５６５，５６６は、矩形の実装領域Ｓａにおいて、ＩＣ３ａの二列に配置されている第１～第３実装端子３１ａ～３３ａと第４～第６実装端子３４ａ～３６ａとの間を、ＩＣ３ａの長辺方向（図１１の左右方向）に沿って延出し、中央付近で、第２，第５実装端子３２ａ，３５ａ側へそれぞれ斜めに屈曲して延びている。第５配線パターン５６５は、ＩＣ３ａに内蔵された温度センサ３０１ａを、実装領域Ｓａに投影した矩形の投影領域と完全に重なるように延びている。
　このように、ＩＣ３ａが実装される実装領域Ｓａには、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａの幅広の第５，第６配線パターン５６５，５６６が、ＩＣ３ａに対向するように形成されている。
　ＩＣ３ａが水晶振動子２ａより高温となって、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとの間に温度差が生じると、ＩＣ３ａからの放熱によって、その直下のＩＣ３ａに対向する第５，第６配線パターン５６５，５６６が加熱される。
　第５，第６配線パターン５６５，５６６は、第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａの各電極接続部５４２ａ，５４５ａから延出されている。各電極接続部５４２ａ，５４５ａは、第５，第６貫通電極５０５，５０６に電気的に接続されている。更に、第５貫通電極５０５は、水晶振動板４の裏面の第２励振電極４６に接続されている。一方、第６貫通電極５０６は、水晶振動板４の表面の第１励振電極４５に接続されている。
　このように第５，第６配線パターン５６５，５６６は、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されているので、高温のＩＣ３ａからの放熱によって加熱された各配線パターン５６５，５６６の熱は、水晶振動板４の各励振電極４６，４５に伝導されて温度が高まる。
　したがって、水晶振動子２ａよりも高温のＩＣ３ａは、その熱を放熱して温度が低下する一方、水晶振動子２ａには、ＩＣ３ａからの放熱によって加熱された第２，第５配線パターン５６２，５６５から熱が伝導して温度が高まり、ＩＣ３ａと水晶振動子２ａとの温度差を抑制して迅速に熱平衡状態となる。
　これによって、ＩＣ３ａに内蔵されている温度センサ３０１ａの検出温度と、水晶振動子２ａの温度との温度差に起因する周波数変動を抑制して、正確な温度補償を行うことが可能となる。
　この実施形態では、第５配線パターン５６５を有する第２実装用電極５２２ａと、第６配線パターン５６６を有する第５実装用電極５２５ａとは、平面視矩形の実装領域Ｓａの中心Ｏを対称点として点対称となるようにパターンが形成されている。これによって、第５，第６配線パターン５６５，５６６は、高温のＩＣ３ａからの放熱をバランスよく受けて、効率的に加熱される。
　特に、この実施形態では、第５配線パターン５６５は、ＩＣ３ａに内蔵された温度センサ３０１ａの投影領域の全てを含むように形成されているので、ＩＣ３ａの温度センサ３０１ａの部分からの放熱によって、その直下で対向する第５配線パターン５６５が加熱され、その熱が、水晶振動子２ａの水晶振動板４に伝導することになる。これによって、ＩＣ３ａの温度センサ３０１ａの部分と水晶振動板４とを速やかに熱平衡状態とすることができ、正確な温度補償を行うことが可能となる。
　その他の構成及び作用効果は、上記第１実施形態と同様である。
　図１２は、本発明の他の実施形態の温度補償型水晶発振器の水晶振動子の第１封止部材５ｂの表面側を示す概略平面図であり、上記図１１に対応する図である。
　なお、この実施形態では、ＩＣ３ｂ及び第１封止部材５ｂの表面の電極のパターン以外、すなわち、第１封止部材５ｂの裏面、水晶振動板４及び第２封止部材６は、図１０，図１１に示される上記実施形態と同様であり、その説明は省略する。
　この実施形態では、ＩＣ３ｂの第１封止部材５ｂに対する実装方向が、図１１の上記実施形態と異なると共に、それに応じて、第１封止部材５ｂの電極のパターンが異なる。すなわち、上記実施形態では、図１１に示すように、ＩＣ３ａは、その長辺方向と第１封止部材５ａの長辺方向とが同一方向に沿うように実装されたのに対して、この実施形態では、図１２に示すように、ＩＣ３ｂは、その長辺方向が第１封止部材５ｂの長辺方向に直交するように実装されている。
　第１封止部材５ｂの表面には、ＩＣ３ｂの第１～第６実装端子３１ｂ～３６ｂの配列に応じて、各実装端子３１ｂ～３６ｂがそれぞれ接続される第１～第６実装用電極５２１ｂ～５２６ｂが形成されている。
　第１～第６実装用電極５２１ｂ～５２６ｂは、ＩＣ３ｂが実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓｂにおいて、ＩＣ３ｂの各実装端子３１ｂ～３６ｂがそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１～第６端子接合部５３１ｂ～５３６ｂを備えている。更に、第１～第６実装用電極５２１ｂ～５２６ｂは、実装領域Ｓｂの前記第１～第６端子接合部５３１ｂ～５３６ｂから実装領域Ｓｂ外に延びて、各貫通電極５０１，５０５，５０２，５０３，５０６，５０４にそれぞれ電気的に接続される第１～第６電極接続部５４１ｂ～５４６ｂを備えている。
　第１封止部材５ｂの表面の第１～第６実装電極５２１ｂ～５２６ｂの内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂを除く残余の第１，第３，第４，第６実装用電極５２１ｂ，５２３ｂ，５２４ｂ，５２６ｂは、第１～第４配線パターン５７１ｂ～５７４ｂをそれぞれ有している。第１～第４配線パターン５７１ｂ～５７４ｂは、第１～第４貫通電極５０１～５０４の周囲の第１，第３，第４，第６電極接続部５４１ｂ，５４３ｂ，５４４ｂ，５４６ｂと、ＩＣ３ｂの第１，第３，第４，第６実装端子３１ｂ，３３ｂ，３４ｂ，３６ｂが接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１ｂ，５３３ｂ，５３４ｂ，５３６ｂとを電気的に接続する。各配線パターン５７１ｂ～５７４ｂは、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１ｂ，５７２２ｂ，５７３３ｂ，５７４４ｂをそれぞれ有している。
　このように第１封止部材５ｂの第１～第４貫通電極５０１～５０４と、ＩＣ３ｂが接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１ｂ，５３３ｂ，５３４ｂ，５３６ｂとを接続する第１～第４配線パターン５７１ｂ～５７４ｂは、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１ｂ，５７２２ｂ，５７３３ｂ，５７４４ｂを有している。この狭窄部５７１１ｂ，５７２２ｂ，５７３３ｂ，５７４４ｂによって、第１～第４貫通電極５０１～５０４と、ＩＣ３ｂの第１，第３，第４，第６実装端子３１ｂ，３３ｂ，３４ｂ，３６ｂが接合される第１，第３，第４，第６端子接合部５３１ｂ，５３３ｂ，５３４ｂ，５３６ｂとの間の熱の伝導を妨げることができる。
　これによって、上記実施形態と同様に、当該温度補償型水晶発振器が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始された際のＩＣ３ｂの温度上昇の勾配を緩やかにし、また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された際のＩＣ３ｂの温度降下の勾配を緩やかにすることができる。これによって、ＩＣ３ｂと水晶振動子との温度差を抑制して、迅速にＩＣ３ｂと水晶振動子とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。
　この実施形態では、第１封止部材５ｂの表面に形成されている第１～第６実装用電極５２１ｂ～５２６ｂの内、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂは、第５配線パターン５６５ｂ及び第６配線パターン５６６ｂをそれぞれ有している。第５配線パターン５６５ｂ及び第６配線パターン５６６ｂは、ＩＣ３ｂが実装される平面視矩形の実装領域Ｓｂの内方にそれぞれ延出されている励振電極用配線パターンである。第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂは、ＩＣ３ｂが実装される矩形の実装領域Ｓｂにおいて、二列に配置されている第１～第３実装端子３１ｂ～３３ｂと、第４～第６実装端子３４ｂ～３６ｂとの間まで延出している。
　特に、第６配線パターン５６６ｂは、ＩＣ３ｂに内蔵された温度センサ３０１ｂを、実装領域Ｓｂに投影した矩形の投影領域と完全に重なるように延びている。
　上記実施形態では、図１１に示すように、第２，第５実装用電極５２２ａ，５２５ａの第２，第５端子接合部５３２ａ，５３５ａと第２，第５電極接続部５４２ａ，５４５ａとは、離れて配置され、その間を、第５，第６配線パターン５６５，５６６によってそれぞれ電気的に接続した。
　これに対して、この実施形態では、第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂの第２，第５端子接合部５３２ｂ，５３５ｂと、第２，第５実装用電極５２２ｂ，５２５ｂの第２，第５電極接続部５４２ｂ，５４５ｂとを、近接して配置して、それらを電気的にそれぞれ接続している。したがって、第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂは、第２，第５端子接合部５３２ｂ，５３５ｂと第２，第５電極接続部５４２ｂ，５４５ｂとの電気的な接続を行うのではなく、熱伝導の機能のみを有している。
　この実施形態でも、第５配線パターン５６５ｂを有する第２実装用電極５２２ｂと、第６配線パターン５６６ｂを有する第５実装用電極５２５ｂとは、平面視矩形の実装領域Ｓｂの中心Ｏを対称点として点対称となるようにパターンが形成されている。
　この実施形態においても、第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂは、水晶振動板４の各励振電極４６，４５にそれぞれ接続されているので、水晶振動子２ｂより高温となったＩＣ３ｂからの放熱によって加熱された各配線パターン５６５ｂ，５６６ｂの熱は、水晶振動板４の各励振電極４６，４５に伝導されて温度が高まる。
　したがって、高温のＩＣ３ｂは、その熱を放熱して温度が低下する一方、水晶振動子には、ＩＣ３ｂからの放熱によって加熱された第５，第６配線パターン５６５ｂ，５６６ｂから熱が伝導して温度が高まり、ＩＣ３ｂと水晶振動子との温度差を抑制して迅速に熱平衡状態となる。
　これによって、ＩＣ３ｂの温度センサ３０１ｂの検出温度と水晶振動板４との温度差に起因する周波数変動を抑制して、正確な温度補償を行うことが可能となる。
　[第３実施形態]
　図１３は、本発明の他の実施形態に係る温度補償型水晶発振器の概略構成図であり、上記図１に対応する概略構成図である。図１４は、図１３の温度補償型水晶発振器１ｃの水晶振動子２ｃの第１封止部材５ｃの表面側を示す概略平面図であり、上記図４に対応する図である。上記第１実施形態と同一又は対応する部分には、同一又は対応する参照符号を付す。
　この実施形態では、ＩＣ３ｃ及び第１封止部材５ｃの表面の電極のパターン以外、すなわち、第１封止部材５ｃの裏面、水晶振動板４及び第２封止部材６は、上記図２、図３、図５～図７に示される上記第１実施形態と同様であり、その説明は省略する。
　図１４に示されるように、第１封止部材５ｃの表面には、ＩＣ３ｃの第１～第６実装端子３１ｃ～３６ｃがそれぞれ接続される第１～第６実装用電極５２１ｃ～５２６ｃが形成されている。
　第１～第６実装用電極５２１ｃ～５２６ｃは、ＩＣ３ｃが実装される仮想線で囲まれた矩形の実装領域Ｓｃにおいて、ＩＣ３ｃの各実装端子３１ｃ～３６ｃがそれぞれ接合される電極パッド（図示せず）を含む第１～第６端子接合部５３１ｃ～５３６ｃを備えている。更に、第１～第６実装用電極５２１ｃ～５２６ｃは、実装領域Ｓｃの前記第１～第６端子接合部５３１ｃ～５３６ｃから実装領域Ｓｃ外に延びて、各貫通電極５０４，５０５，５０２，５０３，５０６，５０１にそれぞれ電気的に接続される第１～第６電極接続部５４１ｃ～５４６ｃを備えている。
　矩形の実装領域Ｓｃの各短辺寄りの中央には、短辺に沿って延びる接続用接合パターン５５１，５５２がそれぞれ形成されている。
　第１封止部材５ｃの第１～第４貫通電極５０１～５０４は、図１４に示すように、第１封止部材５ｃの表面の第６，第３，第４，第１実装用電極５２６ｃ，５２３ｃ，５２４ｃ，５２１ｃの各電極接続部５４６ｃ，５４３ｃ，５４４ｃ，５４１ｃにそれぞれ電気的に接続されているので、第２封止部材６の裏面の第１～第４外部接続端子６３１～６３４は、第１封止部材５ｃの表面の第６，第３，第４，第１実装用電極５２６ｃ，５２３ｃ，５２４ｃ，５２１ｃの各電極接続部５４６ｃ，５４３ｃ，５４４ｃ，５４１ｃにそれぞれ電気的に接続される。
　この実施形態では、ＩＣ３ｃの実装端子３１～３６の配置の関係で、第６実装用電極５２６ｃの第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃは、離れた位置にある第６端子接合部５３６ｃに、斜めに延びる第１配線パターン５７１ｃを介して電気的に接続されている。また、第１実装用電極５２１ｃの第４貫通電極５０４の周囲の第１電極接続部５４１ｃは、離れた位置にある第１端子接合部５３１ｃに、斜めに延びる第４配線パターン５７４ｃを介して電気的に接続されている。
　第１配線パターン５７１ｃは、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃの近傍で、配線の幅が他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７１１ｃを有している。第４配線パターン５７４ｃは、第４貫通電極５０４の周囲の第１電極接続部５４１ｃの近傍で、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７４４ｃを有している。第１，第４配線パターン５７１ｃ，５７４ｃの各狭窄部５７１１ｃ，５７４４ｃは、第６，第１端子接合部５３６ｃ，５３１ｃから延びる各配線パターン５７１ｃ，５７４ｃの幅が徐々に絞られるように形成されている。
　第１封止部材５ｃの第３，第４実装用電極５２３ｃ，５２４ｃは、この第３，第４実装用電極５２３ｃ，５２４ｃ自体が、第２，第３貫通電極５０２，５０３の周囲の第３，第４電極接続部５４３ｃ，５４４ｃと、ＩＣ３ｃの第３，第４実装端子３３ｃ，３４ｃが接合される第３，第４端子接合部５３３ｃ，５３４ｃとを電気的に接続する第２，第３配線パターン５７２ｃ，５７３ｃを構成している。
　第２配線パターン５７２ｃとしての第３実装用電極５２３ｃは、第３電極接続部５４３ｃと第３端子接合部５３３ｃとの略中間位置で、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７２２ｃを有している。第３配線パターン５７３ｃとしての第４実装用電極５２４ｃは、第４電極接続部５４４ｃと第４端子接合部５３４ｃとの略中間位置で、配線の幅が、他の部分に比べて幅狭となる狭窄部５７３３ｃを有している。第２，第３配線パターン５７２ｃ，５７３ｃの各狭窄部５７２２ｃ，５７３３ｃは、各配線パターン５７２ｃ，５７３ｃの一側が細長い矩形状に切り欠かれた形状となっている。
　このように第１封止部材５ｃの表面の第１～第６実装電極５２１ｃ～５２６ｃの内、水晶振動板４の第１，第２励振電極４５，４６に接続されている一対の第２，第５実装用電極５２２ｃ，５２５ｃを除く残余の第６，第３，第４，第１実装用電極５２６ｃ，５２３ｃ，５２４ｃ，５２１ｃは、第１～第４配線パターン５７１ｃ～５７４ｃをそれぞれ備えている。第１～第４配線パターン５７１ｃ～５７４ｃは、第１～第４貫通電極５０１～５０４と、ＩＣ３ｃが接合される第６，第３，第４，第１端子接合部５３６ｃ，５３３ｃ，５３４ｃ，５３１ｃとを電気的に接続する。各配線パターン５７１ｃ～５７４ｃは、配線の幅が幅狭となる狭窄部５７１１ｃ，５７２２ｃ，５７３３ｃ，５７４４ｃをそれぞれ有している。この狭窄部５７１１ｃ，５７２２ｃ，５７３３ｃ，５７４４ｃによって、第１～第４貫通電極５０１～５０４と、ＩＣ３ｃの第６，第３，第４，第１実装端子３６ｃ，３３ｃ，３４ｃ，３１ｃが接合される第６，第３，第４，第１端子接合部５３６ｃ，５３３ｃ，５３４ｃ，５３１ｃとの間の熱の伝導を妨げることができる。
　これによって、上記第１実施形態と同様に、当該温度補償型水晶発振器が実装される外部の回路基板の熱源となる電子部品への通電が開始された際のＩＣ３ｃの温度上昇の勾配を緩やかにし、また、外部の回路基板に実装されている熱源となる電子部品への通電が停止された際のＩＣ３ｃの温度降下の勾配を緩やかにすることができる。これによって、ＩＣ３ｃと水晶振動子との温度差を抑制して、迅速にＩＣ３ｃと水晶振動子とを熱平衡状態にすることができ、周波数ドリフトを抑制することができる。
　配線パターンの狭窄部の形状は、幅が狭くなっていれば特に限定されず、上記各実施形態に限られない。例えば、上記図１４の第１配線パターン５７１ｃの狭窄部５７１１ｃの場合には、図１５Ａに示すように、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃの近傍で、第６端子接合部５３６ｃから延びる配線パターン５７１ｃに比べて幅の狭い一定幅の狭窄部５７１１ｃ１であってもよい。あるいは、図１５Ｂに示すように、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃから配線パターン５７１ｃに向けて徐々に幅が狭くなるような狭窄部５７１１ｃ２であってもよい。あるいは、図１５Ｃに示すように、第１貫通電極５０１の周囲の第６電極接続部５４６ｃの近傍で、配線パターン５７１ｃの幅方向の両側から円弧状に絞られるような狭窄部５７１１ｃ３であってもよい。
　上記実施形態では、１つの配線パターンに１箇所の狭窄部を形成したが、１つの配線パターンに複数箇所の狭窄部を形成してもよい。
　上記各実施形態では、ＩＣは、水晶振動子の表面側である第１封止部材に実装したが、ＩＣは、水晶振動子の裏面側である第２封止部材６に実装するようにしてもよい。
　１，１ａ，１ｃ　　　　　　　　　　　　　　　　温度補償型水晶発振器
　２，２ａ，２ｃ　　　　　　　　　　　　　　　　水晶振動子
　３，３ａ，３ｃ　　　　　　　　　　　　　　　　ＩＣ（集積回路素子）
　４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　水晶振動板
　５，５ａ，５ｂ，５ｃ　　　　　　　　　　　　　第１封止部材
　６　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　第２封止部材
　７　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　金属バンプ（金属部材）
　８　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　アンダーフィル樹脂
　３１～３６，３１ａ～３６ａ　　　　　　　　　　第１～第６実装端子
　３１ｂ～３６ｂ，３１ｃ～３６ｃ　　　　　　　　第１～第６実装端子
　４５，４６　　　　　　　　　　　　　　　　　　第１，第２励振電極
　４１１～４１５　　　　　　　　　　　　　　　　第１～第５貫通電極
　５０１～５０６　　　　　　　　　　　　　　　　第１～第６貫通電極
　６０１～６０４　　　　　　　　　　　　　　　　第１～第４貫通電極
　５２１～５２６，５２１ａ～５２６ａ　　　　　　第１～第６実装用電極
　５２１ｂ～５２６ｂ，５２１ｃ～５２６ｃ　　　　第１～第６実装用電極
　５３１～５３６，５３１ａ～５３６ａ　　　　　　第１～第６端子接合部
　５３１ｂ～５３６ｂ，５３１ｃ～５３６ｃ　　　　第１～第６端子接合部
　５４１～５４６，５４１ａ～５４６ａ　　　　　　第１～第６電極接続部
　５４１ｂ～５４６ｂ，５４１ｃ～５４６ｃ　　　　第１～第６電極接続部
　５７１～５７４，５７１ａ～５７４ａ　　　　　　第１～第４配線パターン
　５７１ｂ～５７４ｂ，５７１ｃ～５７４ｃ　　　　第１～第４配線パターン
　５６５，５６６，５６５ｂ，５６６ｂ　　　　　　励振電極用配線パターン
　６３１～６３４　　　　　　　　　　　　　　　　第１～第４外部接続端子
　Ｓ，Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ　　　　　　　　　　　　　実装領域

Claims (19)

  1. 　複数の外部接続端子及び複数の実装用電極を有する圧電振動子と、前記複数の実0装用電極に接続される複数の実装端子を有して、前記圧電振動子に実装される集積回路素子とを備える圧電振動デバイスであって、
    　前記圧電振動子は、その両主面に励振電極がそれぞれ形成された圧電振動板と、前記圧電振動板の前記両主面の一方の主面側を覆って封止する第１封止部材と、前記圧電振動板の前記両主面の他方の主面側を覆って封止する第２封止部材とを備え、
    　前記複数の実装用電極の内、一対の実装用電極は、前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続され、残余の複数の実装用電極は、前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されており、
    　前記残余の複数の各実装用電極は、前記複数の各外部接続端子と前記集積回路素子の複数の各実装端子とを電気的に接続する配線パターンをそれぞれ備え、
    　前記残余の複数の実装用電極の少なくとも１つの実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の狭窄部を有する、
    　圧電振動デバイス。
  2. 　前記残余の複数の実装用電極の全ての実装用電極の前記配線パターンは、幅狭の前記狭窄部を有する、
    　請求項１に記載の圧電振動デバイス。
  3. 　前記第１封止部材の外面に、前記複数の実装用電極が設けられ、
    　前記第２封止部材の外面に、前記複数の外部接続端子が設けられ、
    　前記圧電振動子は、前記第１封止部材、前記圧電振動板、及び、前記第２封止部材を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を有しており、
    　前記残余の複数の実装用電極は、前記複数の貫通電極を介して前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されている、
    　請求項１に記載の圧電振動デバイス。
  4. 　前記第１封止部材の外面に、前記複数の実装用電極が設けられ、
    　前記第２封止部材の外面に、前記複数の外部接続端子が設けられ、
    　前記圧電振動子は、前記第１封止部材、前記圧電振動板、及び、前記第２封止部材を厚み方向に貫通する複数の貫通電極を有しており、
    　前記残余の複数の実装用電極は、前記複数の貫通電極を介して前記複数の外部接続端子に電気的にそれぞれ接続されている、
    　請求項２に記載の圧電振動デバイス。
  5. 　前記配線パターンの前記狭窄部が、前記実装用電極と前記集積回路素子の前記実装端子との接続部よりも前記貫通電極寄りに形成されている、
    　請求項３に記載の圧電振動デバイス。
  6. 　前記配線パターンの前記狭窄部が、前記実装用電極と前記集積回路素子の前記実装端子との接続部よりも前記貫通電極寄りに形成されている、
    　請求項４に記載の圧電振動デバイス。
  7. 　前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている、
    　請求項３に記載の圧電振動デバイス。
  8. 　前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている、
    　請求項４に記載の圧電振動デバイス。
  9. 　前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている、
    　請求項５に記載の圧電振動デバイス。
  10. 　前記配線パターンの前記狭窄部が、前記集積回路素子が実装される実装領域外に形成されている、
    　請求項６に記載の圧電振動デバイス。
  11. 　前記配線パターンの前記狭窄部の幅が、４０μｍ以下である、
    　請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
  12. 　前記集積回路素子は、前記複数の実装端子がその外周寄りに配置されており、
    　前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続される前記一対の実装用電極は、前記集積回路素子が実装される実装領域において、前記複数の前記実装端子よりも内方まで延出されている励振電極用配線パターンを有する、
    　請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の圧電振動デバイス。
  13. 　前記集積回路素子は、前記複数の実装端子がその外周寄りに配置されており、
    　前記両主面にそれぞれ形成された前記励振電極に電気的にそれぞれ接続される前記一対の実装用電極は、前記集積回路素子が実装される実装領域において、前記複数の前記実装端子よりも内方まで延出されている励振電極用配線パターンを有する、
    　請求項１１に記載の圧電振動デバイス。
  14. 　前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンが、前記集積回路素子が実装される前記実装領域の中心を対称点として略点対称である、
    　請求項１２に記載の圧電振動デバイス。
  15. 　前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンが、前記集積回路素子が実装される前記実装領域の中心を対称点として略点対称である、
    　請求項１３に記載の圧電振動デバイス。
  16. 　前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンは、前記集積回路素子が実装される前記実装領域において、少なくとも中央部近傍まで延出されている、
    　請求項１２に記載の圧電振動デバイス。
  17. 　前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンは、前記集積回路素子が実装される前記実装領域において、少なくとも中央部近傍まで延出されている、
    　請求項１３に記載の圧電振動デバイス。
  18. 　前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンは、前記集積回路素子が実装される前記実装領域において、少なくとも中央部近傍まで延出されている、
    　請求項１４に記載の圧電振動デバイス。
  19. 　前記一対の前記実装用電極の前記励振電極用配線パターンは、前記集積回路素子が実装される前記実装領域において、少なくとも中央部近傍まで延出されている、
    　請求項１５に記載の圧電振動デバイス。
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