TW201535809A - 壓電振動裝置、及壓電振動裝置與電路基板之接合構造 - Google Patents

壓電振動裝置、及壓電振動裝置與電路基板之接合構造 Download PDF

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Abstract

本發明係一種壓電振動裝置，及壓電振動裝置與電路基板之接合構造，其課題為在夾層構造之壓電振動裝置中，可削減成本之同時，可使用貫通孔而謀求第2封閉構件之兩主面間的導通者。 解決手段為對於石英振動子(101)，係加以設置有石英振動板(2)，和被覆石英振動板(2)之第1激發電極(221)之第1封閉構件(3)，和被覆石英振動板(2)之第2激發電極(222)，加以形成有使用流動性導電接合材(62)而連接於電路基板(61)之一外部電極端子(431)，另一外部電極端子(432)之第2封閉構件(4)。對於第2封閉構件(4)，係加以形成有貫通一主面(411)與另一主面(412)之間的第2貫通孔(441)，第3貫通孔(442)，而於另一主面(412)，加以形成有一外部電極端子(431)、另一外部電極端子(432)。對於各第2貫通孔(441)，第3貫通孔(442)，係加以形成有為了謀求形成於一主面(411)與另一主面(412)之電極的導通之貫通電極(71)，且有貫通部分(72)。

Description

壓電振動裝置、及壓電振動裝置與電路基板之接合構造
本發明係有關壓電振動裝置，及壓電振動裝置與電路基板之接合構造。
近年，進展有各種電子機器的動作頻率數之高頻率化，或封裝之小型化(特別是低背化)。因此，伴隨著高頻率化或封裝之小型化，壓電振動裝置(例如，石英振動子等)亦要求對於高頻率化或封裝之小型化之對應。
在這種壓電振動裝置中，其框體則由長方體之封裝而加以構成。此封裝係由玻璃或水晶所成之第1封閉構件及第2封閉構件，和由水晶所成，而於兩主面加以形成有激發電極之石英振動板而加以構成，第1封閉構件及第2封閉構件則藉由石英振動板而層積加以接合，並加以氣密封閉配置於封裝的內部(內部空間)之石英振動板的激發電極(例如，專利文獻1)。以下，將如此之壓電振動裝置之層積形態，稱作夾層構造。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2013-254855號公報
但，在顯示在此專利文獻1之石英振動子中，在內部空間內，於第2封閉構件加以設置有貫通孔，埋入有電極材料於貫通孔內。因此，在此石英振動子中，由謀求在第2封閉構件之兩主面間進行導通者，更加地以電極材料而埋入貫通孔內而加以氣密封閉有內部空間(封裝內部)。
但在顯示於專利文獻1之石英振動子中，為了使用貫通孔而謀求第2封閉構件之兩主面間的導通，使用僅盡量埋入在貫通孔內之電極材料，而成為高成本。
因此，為了解決上述課題，而本發明係其目的為提供：可削減成本之同時，使用貫通孔而謀求第2封閉構件之兩主面間之導通的夾層構造之壓電振動裝置及壓電振動裝置與電路基板之接合構造者。
為了達成上述之目的，有關本發明之壓電振動裝置係在加以設置形成有第1激發電極於基板之一主 面，而於前述基板之其他主面，加以形成有與前述第1激發電極成為對之第2激發電極之壓電振動板，和被覆前述壓電振動板之前述第1激發電極之第1封閉構件，和被覆前述壓電振動板之前述第2激發電極，於外部之電路基板，加以設置使用流動性導電接合材而電性連接之外部電極端子的第2封閉構件，加以接合前述第1封閉構件與前述壓電振動板，並加以接合前述第2封閉構件與前述壓電振動板，加以形成有氣密封閉包含前述第1激發電極與前述第2激發電極之前述壓電振動板之振動部的內部空間之壓電振動裝置中，其特徵為對於前述第2封閉部，係加以形成有貫通一主面與另一主面之間的第2封閉構件用貫通孔，而於前述另一主面加以形成有前述外部電極端子，對於前述第2封閉構件用貫通孔，係加以形成有為了謀求形成於前述一主面與前述另一主面之電極的導通的貫通電極，且有著貫通部分者。
如根據本發明，因於前述第2封閉構件用貫 通孔，加以形成有前述貫通電極，且有前述貫通部分之故，於前述貫通部分，未加以形成有前述貫通電極。因此，成為僅相當於埋入在前述貫通部分之前述貫通電極的量，可減少前述貫通電極之材料的使用量者，其結果，成為可削減成本者。更且，如根據本發明，成為可謀求經由加以形成於前述第2封閉構件用貫通孔之前述貫通電極而謀求前述第2封閉構件之兩主面間(前述一主面與前述另一主面之間)的導通者。因此，比較於例如專利文獻1之 技術等之以往技術，無須使用金屬的電極材料而埋入前述第2封閉構件用貫通孔之必要。
另外，如根據本發明，在使用流動性導電接 合材而電性連接於外部的電路基板之接合構造中，於前述第2封閉構件用貫通孔，加以形成有前述貫通電極，且有著前述貫通部分之故，在將前述外部電極端子，使用流動性導電接合材而電性連接於外部的電路基板時，流動性導電接合材則從前述外部電極端子沿著於前述第2封閉構件用貫通孔，而攀附於前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分。另外，如流動性導電接合材之使用量為多時，埋入有前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分。因此，在對於外部的電路基板之該壓電振動裝置之接合時，加上有接合於前述外部電極端子之應力，但此接合應力係因沿著於前述第2封閉構件用貫通孔而僅攀附於前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分的流動性導電接合材的量進行分散之故，而在對於外部之電路基板的該壓電振動裝置之接合時，可實質上地使加上於前述外部電極端子之接合應力降低者。
另外，將前述外部電極端子，使用流動性導 電接合材而電性連接於外部之電路基板時，前述流動性導電接合材則附著於前述外部電極端子，更且，因對於前述第2封閉構件用貫通孔之前述貫通部分擴散附著之故，成為可實質上增加接合範圍者。此作用效果係對於小型之該壓電振動裝置為有效，即使縮小該壓電振動裝置之封裝，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大者，其結果，成為 可提高接合強度者。
做為本發明之具體的構成，前述第2封閉構 件用貫通孔係加以配置於前述內部空間的外方者為佳。如根據此構成，前述第2封閉構件用貫通孔係因未加以形成於前述內部空間內之故，未產生有經由形成有前述第2封閉構件用貫通孔而無法進行前述內部空間的氣密封閉之問題。
在前述構成中，對於前述壓電振動板，係加 以形成有貫通一主面與另一主面之壓電振動板用貫通孔，而對於前述壓電振動板用貫通孔，係加以形成有為了謀求形成於前述一主面與前述另一主面之電極的導通之貫通電極，且為貫通部分，而前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分之至少一部分則作為重疊亦可。
此情況，因前述壓電振動板用貫通孔之貫通 部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分之至少一部分重疊之故，由確認重疊的部分者，成為可使用前述壓電振動板用貫通孔與前述第2封閉構件用貫通孔而防止前述第2封閉構件與前述壓電振動板之層積位置偏移者。
在前述構成中，對於前述第1封閉構件，係 加以形成有貫通一主面與另一主面之間的第1封閉構件用貫通孔，對於前述第1封閉構件用貫通孔，係加以形成有為了謀求形成於前述一主面與前述另一主面之電極的導通之貫通電極，且加以形成有貫通部分，在前述壓電振動板 用貫通孔之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分中，各至少一部分作為重疊亦可。
此情況，在前述壓電振動板用貫通孔之貫通 部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分中，因各至少一部分作為重疊之故，由確認重疊之部分者，成為可防止第1封閉構件與前述第2封閉構件與前述壓電振動板之層積位置偏移。
另外，因前述壓電振動板用貫通孔之貫通部 分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之至少一部分作為重疊之故，即使對於為了電性連接於外部之電路基板所使用之流動性導電接合材，存在有氣泡，亦可通過前述第2封閉構件用貫通孔，前述壓電振動板用貫通孔，及第1封閉構件用貫通孔之重疊的部分，從前述第1封閉構件的一主面至外部，去除流動性導電接合材之氣泡(氣體)者。
在前述構成中，前述壓電振動板之前述第1 激發電極係歷經形成於前述第1封閉構件之前述一主面的第1端子，加以連接於前述第2封閉構件之前述外部電極端子之中之一外部電極端子，而前述壓電振動板之前述第2激發電極係歷經形成於前述第1封閉構件之前述一主面的第2端子，加以連接於前述第2封閉構件之前述外部電極端子之中之另一外部電極端子亦可。此情況，對於前述第1端子與前述一外部電極端子之間，及前述第2端子與 前述另一外部電極端子之間，各加以設置前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分的重疊部分亦可。
如根據本構成，因前述壓電振動板用貫通孔 之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之至少一部分作為重疊之故，即使對於為了電性連接於外部之電路基板所使用之流動性導電接合材，存在有氣泡，亦可通過前述第2封閉構件用貫通孔，前述壓電振動板用貫通孔，及第1封閉構件用貫通孔之重疊的部分，從前述第1封閉構件的一主面至外部，去除流動性導電接合材之氣泡者。
加上於此，將外部電極端子(一外部電極端 子，另一外部電極端子)，使用流動性導電接合材而電性連接於外部的電路基板時，流動性導電接材則從前述外部電極端子沿著於前述第2封閉構件用貫通孔，攀附於前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分。此時，經由攀附於貫通部分之流動性導電接合材之侵蝕作用，擔心有氣密封閉壓電振動板之振動部的內部空間之氣密性的下降。但如根據前述構成，因作為從前述壓電振動板之前述第1激發電極至前述外部電極端子(一外部電極端子)為止之路徑長度，更且作為前述壓電振動板之前述第2激發電極至前述外部電極端子(另一外部電極端子)為止之路徑長度，可確保長距離之故，可抑制對於內部空間之氣密性下降的流 動性導電接合材之侵蝕作用的影響者。
另外，由作為設置於前述第1封閉構件之前 述一主面的第1端子及第2端子壓電振動板之檢查用端子而利用者，可容易地進行壓電振動板之檢查。並且，可容易地變更第1端子及第2端子的尺寸，經由此，可因應要求而微調整從外部電極端子(一外部電極端子，另一外部電極端子)而視之壓電振動板的容量者。
在前述構成中，前述各重疊部係各加以設置 於前述內部空間之封閉範圍之外方。
如根據本構成，因於氣密封閉壓電振動板之 振動部的內部空間之封閉範圍之外方(無關氣密性之範圍)，加以設置有前述各重疊部分之故，更可一層抑制因流動性導電接合材(焊錫等)之侵蝕作用引起之內部空間的氣密性下降者。
另外，如根據本構成，使用流動性導電接合 材而接合壓電振動裝置於外部之電路基板時，流動性導電接合材從外部電極端子沿著於第2封閉構件用貫通孔，攀附於貫通孔(第2封閉構件用貫通孔，壓電振動板用貫通孔，第1封閉構件用貫通孔)之貫通部分，埋入該貫通孔之貫通部分。因此，產生於對於外部之電路基板的壓電振動裝置之接合時的接合應力，則因僅相當於攀附於貫通孔之貫通部分的流動性導電接合材的量而加以分散之故，可使在接合時，加上於外部電極端子之接合應力降低者。
另外，如根據本構成，因於從加以設置於封 閉範圍內之壓電振動板之振動部遠離之位置，加以設置有貫通孔(壓電振動板用貫通孔，第1封閉構件用貫通孔，第2封閉構件用貫通孔)之故，對於壓電振動裝置之外部的電路基板之接合時，貫通孔的貫通部分則即使作為與壓電振動板等，以熱膨脹率不同的流動性導電接合材而埋入，亦成為可抑制對於所產生之接合應力之壓電振動板的振動部之影響。
詳細而言，對於壓電振動裝置之外部的電路 基板之接合時，貫通孔之貫通部分則由流動性導電接合材埋入之情況，擔心經由因流動性導電接合材與壓電振動板等之熱膨脹率差而引起產生的應力，對於壓電振動板之振動部帶來不良影響。但如根據本構成，即使作為以流動性導電接合材來埋入貫通孔之貫通部分，因亦加以配置於壓電振動板之振動部與貫通孔遠離之位置之故，成為可抑制對於因熱膨脹率差引起之上述應力的壓電振動板之振動部的影響者。另外，因成為於壓電振動板之振動部與貫通孔之間，加以介入存在有封閉範圍之封閉部之故，因熱膨脹率差引起之上述應力，則未有從埋入於貫通孔之流動性導電接合材，直接傳達至壓電振動板之振動部者。如此，因熱膨脹率差引起之上述應力的傳達則經由封閉範圍之封閉部所遮蔽之故，而成為可降低傳達至壓電振動板之振動部的應力者。
在前述構成中，對於前述壓電振動板之一主 面，係加以形成有為了封閉接合於前述第1封閉構件之振 動側第1接合圖案，而對於前述壓電振動板之另一主面，係加以形成有為了封閉接合於前述第2封閉構件之振動側第2接合圖案，對於前述第1封閉構件，係加以形成有為了接合於前述壓電振動板之封閉側第1接合圖案，而對於前述第2封閉構件，係加以形成有為了接合於前述壓電振動板之封閉側第2接合圖案，而加以擴散接合前述封閉側第1接合圖案與前述振動側第1接合圖案，加以擴散接合前述封閉側第2接合圖案與前述振動側第2接合圖案，前述第1封閉構件與前述壓電振動板係具有1.00μm以下的間隔，而前述第2封閉構件與前述壓電振動板係具有1.00μm以下的間隔亦可。
此情況，對於該壓電振動裝置之封裝的高度未產生有不均。例如，與本構成不同，使用間隔如成為較1μm為大之Sn接合材的金屬電糊封閉材之情況，對於將金屬電糊封閉材形成於圖案(前述振動側第1接合圖案，前述振動側第2接合圖案，前述封閉側第1接合圖等，前述封閉側第2接合圖等)上時之高度，產生有不均。另外，在接合後，經由所形成之圖案(前述振動側第1接合圖案，前述振動側第2接合圖案，前述封閉側第1接合圖案，前述封閉側第2接合圖案)的熱容量分佈而亦未成為均一之間隔。因此，在以往的技術中，加以層積有第1封閉構件，第2封閉構件，壓電振動板之3片的構件之構造的情況，對於在此等3片的構件間的各間隔，產生有差。其結果，所層積之3片的構件係在未保持平行的狀態加以 接合。特別是此問題係伴隨著低背化而成為顯著。對此而言，在本構成中，上限則加以設定為1.00μm之故，成為可以保持為平行之狀態而使前述第1封閉構件，前述第2封閉構件，前述壓電振動板之3片的構件層積接合者，本構成係可對應於低背化。
為了達成上述之目的，有關本發明之壓電振 動裝置與電路基板之接合構造，係有關本發明之壓電振動裝置則於電路基板，使用流動性導電接合材而加以電性連接，在將前述外部電極端子加以電性連接於前述電路基板時，經由前述流動性導電接合材而埋入有前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分者為特徵。
如根據本發明，在將前述外部電極端子加以 電性連接於前述電路基板時，因經由前述流動性導電接合材而埋入有前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分之故，比較於專利文獻1之技術等之以往技術，僅相當於埋入前述貫通部分之前述流動性導電接合材的量部分，成為可削減前述貫通電極之材料的使用量者。其結果，比較於以往的技術，無需使用金屬之電極材料而埋入前述第2封閉構件用貫通孔。
另外，如根據本發明，前述流動性導電接合 材則從前述外部電極端子順著前述第2封閉構件用貫通孔，而攀附於前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分。另外，如前述流動性導電接合材的使用量為多時，埋入前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分。因此，在對於前述電 路基板之前述壓電振動裝置之接合時，加上有接合應力至前述外部電極端子，但此接合應力係因僅相當於順著前述第2封閉構件用貫通孔而攀附於前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分之前述流動性導電接合材的量部分而分散之故，在對於前述電路基板之前述壓電振動裝置之接合時，可實質上使加上至前述外部電極端子的接合應力降低者。
另外，前述外部電極端子則在使用前述流動 性導電接合材而加以電性連接於前述電路基板時，前述流動性導電接合材則附著於前述外部電極端子，更且，因亦擴散附著於前述第2封閉構件用貫通孔的前述貫通部分之故，成為可實質上增加接合範圍者。此作用效果係對於小型之前述壓電振動裝置為有效，即使縮小前述壓電振動裝置之封裝尺寸，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
為了達成上述之目的，有關本發明之另外的 壓電振動裝置與電路基板之接合構造，係有關本發明之壓電振動裝置則於電路基板，使用流動性導電接合材而加以電性連接，在將前述外部電極端子加以電性連接於前述電路基板時，經由前述流動性導電接合材而埋入有前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分者為特徵。
如根據本發明，在將前述外部電極端子加以 電性連接於前述電路基板時，因經由前述流動性導電接合材而埋入有前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第 2封閉構件用貫通孔之貫通部分之故，比較於專利文獻1之技術等之以往技術，僅相當於埋入有前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分之前述流動性導電接合材的量部分，成為可削減有前述壓電振動板用貫通孔之貫通電極及前述第2封閉構件用貫通孔之貫通電極的使用量者。其結果，比較於以往的技術，無需使用金屬之電極材料而埋入有前述壓電振動板用貫通孔及前述第2封閉構件用貫通孔。
另外，如根據本發明，前述流動性導電接合 材則從前述外部電極端子順著前述第2封閉構件用貫通孔及前述壓電振動板用貫通孔，攀附於前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分及前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分，埋入前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分及前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分。因此，在對於前述電路基板之前述壓電振動裝置之接合時，加上有接合應力至前述外部電極端子，但此接合應力係因僅相當於順著前述第2封閉構件用貫通孔及前述壓電振動板用貫通孔而攀附於前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分及前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分之前述流動性導電接合材的量部分而分散之故，在對於前述電路基板之前述壓電振動裝置之接合時，可實質上使加上至前述外部電極端子的接合應力降低者。
另外，前述外部電極端子則在使用前述流動 性導電接合材而加以電性連接於前述電路基板時，前述流 動性導電接合材則附著於前述外部電極端子，更且，因亦擴散附著於前述第2封閉構件用貫通孔的前述貫通部分及前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分之故，成為可實質上增加接合範圍者。此作用效果係對於小型之前述壓電振動裝置為有效，即使縮小前述壓電振動裝置之封裝尺寸，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
為了達成上述之目的，有關本發明之另外的 壓電振動裝置與電路基板之接合構造，係有關本發明之壓電振動裝置則於電路基板，使用流動性導電接合材而加以電性連接，在將前述外部電極端子加以電性連接於前述電路基板時，經由前述流動性導電接合材而埋入有前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分，前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分者為特徵。
如根據本發明，前述外部電極端子則在加以 電性連接於前述電路基板時，因經由前述流動性導電接合材而埋入有前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分，前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之故，比較於專利文獻1之技術等之以往技術，僅相當於埋入有前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分，前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之前述流動性導電接合材的量部分，成為可削減有前述壓電振動板用貫通孔之貫通電 極，前述第2封閉構件用貫通孔之貫通電極及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通電極之材料的使用量者。其結果，比較於以往的技術，無需使用金屬之電極材料而埋入有前述壓電振動板用貫通孔，前述第2封閉構件用貫通孔及前述第1封閉構件用貫通孔。
另外，如根據本發明，前述流動性導電接合 材則從前述外部電極端子順著前述第2封閉構件用貫通孔，前述壓電振動板用貫通孔及前述第1封閉構件用貫通孔，攀附於前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分，前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分，埋入前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分，前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分。因此，在對於前述電路基板之前述壓電振動裝置之接合時，加上有接合應力至前述外部電極端子，但此接合應力係因僅相當於順著前述第2封閉構件用貫通孔，前述壓電振動板用貫通孔及前述第1封閉構件用貫通孔而攀附於前述第2封閉構件用貫通孔的貫通部分，前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之前述流動性導電接合材的量部分而分散之故，在對於前述電路基板之前述壓電振動裝置之接合時，可實質上使加上至前述外部電極端子的接合應力降低者。
另外，在將前述外部電極端子使用前述流動 性導電接合材而加以電性連接於前述電路基板時，前述流 動性導電接合材則附著於前述外部電極端子，更且，因亦擴散附著於前述第2封閉構件用貫通孔的前述貫通部分，前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之故，成為可實質上增加接合範圍者。此作用效果係對於小型之前述壓電振動裝置為有效，即使縮小前述壓電振動裝置之封裝尺寸，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
如根據本發明，在夾層構造之壓電振動裝置中，可削減成本之同時，可使用貫通孔而謀求第2封閉構件之兩主面間的導通者。
101、101A‧‧‧石英振動子
102‧‧‧石英振盪器
11‧‧‧接合材
12‧‧‧封裝
13‧‧‧內部空間
14‧‧‧接合材
2‧‧‧石英振動板
211‧‧‧一主面
212‧‧‧另一主面
213‧‧‧導通路徑
221‧‧‧第1激發電極
222‧‧‧第2激發電極
223‧‧‧第1導出電極
224‧‧‧第2導出電極
23‧‧‧振動部
24‧‧‧切口部
241‧‧‧平面視凹形狀體
242‧‧‧平面視長方形狀體
25‧‧‧振動側封閉部
251‧‧‧振動側第1接合圖案
2511‧‧‧基底PVD膜
2512‧‧‧電極PVD膜
252‧‧‧振動側第2接合圖案
2521‧‧‧基底PVD膜
2522‧‧‧電極PVD膜
261‧‧‧第1貫通孔
262‧‧‧第4貫通孔
263‧‧‧第5貫通孔
264‧‧‧第6貫通孔
265‧‧‧第7貫通孔
266‧‧‧第8貫通孔
267‧‧‧第19貫通孔
268‧‧‧第20貫通孔
269‧‧‧第21貫通孔
3‧‧‧第1封閉構件
311‧‧‧一主面
312‧‧‧另一主面
32‧‧‧封閉側第1封閉部
321‧‧‧封閉側第1接合圖案
3211‧‧‧基底PVD膜
3212‧‧‧電極PVD膜
33‧‧‧電極圖案
341‧‧‧第9貫通孔
342‧‧‧第10貫通孔
343‧‧‧第11貫通孔
344‧‧‧第12貫通孔
345‧‧‧第13貫通孔
346‧‧‧第14貫通孔
347‧‧‧第22貫通孔
348‧‧‧第23貫通孔
349‧‧‧第24貫通孔
350‧‧‧第25貫通孔
37‧‧‧第1端子
3711‧‧‧基底PVD膜
3712‧‧‧電極PVD膜
38‧‧‧第2端子
3811‧‧‧基底PVD膜
3812‧‧‧電極PVD膜
4‧‧‧第2封閉構件
411‧‧‧一主面
412‧‧‧另一主面
42‧‧‧封閉側第2封閉部
421‧‧‧封閉側第2接合圖案
4211‧‧‧基底PVD膜
4212‧‧‧電極PVD膜
431‧‧‧一外部電極端子
4311‧‧‧基底PVD膜
4312‧‧‧電極PVD膜
432‧‧‧另一外部電極端子
4321‧‧‧基底PVD膜
4322‧‧‧電極PVD膜
433‧‧‧第1外部電極端子
4331‧‧‧基底PVD膜
4332‧‧‧電極PVD膜
434‧‧‧第2外部電極端子
4341‧‧‧基底PVD膜
4342‧‧‧電極PVD膜
435‧‧‧第3外部電極端子
4351‧‧‧基底PVD膜
4352‧‧‧電極PVD膜
436‧‧‧第4外部電極端子
4361‧‧‧基底PVD膜
4362‧‧‧電極PVD膜
441‧‧‧第2貫通孔
442‧‧‧第3貫通孔
443‧‧‧第15貫通孔
444‧‧‧第16貫通孔
445‧‧‧第17貫通孔
446‧‧‧第18貫通孔
447‧‧‧第26貫通孔
448‧‧‧第27貫通孔
5‧‧‧IC
61‧‧‧電路基板
62‧‧‧焊錫
71‧‧‧貫通電極
72‧‧‧貫通部分
73‧‧‧連接用接合圖案
圖1係顯示有關本實施形態之石英振動子之各構成之概略構成圖。
圖2係顯示有關本實施形態之石英振動子之第1封閉構件之概略平面圖。
圖3係顯示有關本實施形態之石英振動子之第1封閉構件之概略背面圖。
圖4係顯示有關本實施形態之石英振動子之石英振動板之概略平面圖。
圖5係顯示有關本實施形態之石英振動子之石英振動 板之概略背面圖。
圖6係顯示有關本實施形態之石英振動子之第2封閉構件之概略平面圖。
圖7係顯示有關本實施形態之石英振動子之第2封閉構件之概略背面圖。
圖8係顯示圖1所示之石英振動子與電路基板之接合構造的圖，顯示在貫通孔內之流動性導電接合材的附著位置的圖。
圖9係顯示圖1所示之石英振動子與電路基板之接合構造的圖，顯示在貫通孔內之流動性導電接合材的附著位置的圖。
圖10係顯示有關本實施形態之石英振盪器之各構成之概略構成圖。
圖11係顯示有關本實施形態之石英振盪器之第1封閉構件之概略平面圖。
圖12係顯示有關本實施形態之石英振盪器第1封閉構件之概略背面圖。
圖13係顯示有關本實施形態之石英振盪器石英振動板之概略平面圖。
圖14係顯示有關本實施形態之石英振盪器之石英振動板之概略背面圖。
圖15係顯示有關本實施形態之石英振盪器第2封閉構件之概略平面圖。
圖16係顯示有關本實施形態之石英振盪器之第2封 閉構件之概略背面圖。
圖17係顯示圖10所示之石英振盪器與電路基板之接合構造的圖，顯示在貫通孔內之流動性導電接合材的附著位置的圖。
圖18係顯示圖10所示之石英振盪器與電路基板之接合構造的圖，顯示在貫通孔內之流動性導電接合材的附著位置的圖。
圖19係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之各構成之概略構成圖。
圖20係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之第1封閉構件之概略平面圖。
圖21係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之第1封閉構件之概略背面圖。
圖22係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之石英振動板之概略平面圖。
圖23係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之石英振動板之概略背面圖。
圖24係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之第2封閉構件之概略平面圖。
圖25係顯示有關本實施形態之變形例的石英振動子之第2封閉構件之概略背面圖。
圖26係顯示圖19所示之石英振動子與電路基板之接合構造的圖，顯示在貫通孔內之流動性導電接合材的附著位置的圖。
圖27係顯示圖19所示之石英振動子與電路基板之接合構造的圖，顯示在貫通孔內之流動性導電接合材的附著位置的圖。
以下，對於本發明之實施形態，參照圖面加 以說明。然而，在以下所示之實施形態中，顯示作為進行壓電振動之壓電振動裝置而適用本發明於石英振動子之情況。
-石英振動子-
在有關本實施形態之石英振動子101中，如圖1所示，加以設置有石英振動板2(在本發明所稱之壓電振動板)，和被覆石英振動板2之第1激發電極221(參照圖4)，氣密封閉加以形成於石英振動板2之一主面211之第1激發電極221的第1封閉構件3，和於此石英振動板2之另一主面212，被覆石英振動板2之第2激發電極222(參照圖5)，氣密封閉與第1激發電極221成為對而加以形成之第2激發電極222的第2封閉構件4。
在此石英振動子101中，加以接合有石英振動板2與第1封閉構件3，接合有石英振動板2與第2封閉構件4而加以構成夾層構造之封裝12。
並且，由藉由石英振動板2而加以接合第1封閉構件3與第2封閉構件4者，加以形成封裝12之內 部空間13，而於此封裝12之內部空間13，加以氣密封閉包含形成於石英振動板2之兩主面211，212之第1激發電極221及第2激發電極222的振動部23。然而，內部空間13係如圖1所示，偏向配置於封裝12之平面視一端側(平面視左側)。
有關本實施形態之石英振動子101係 1.0×0.8mm之封裝尺寸，謀求小型化與低背化之構成。另外，伴隨小型化，而在本封裝12中，未形成城池構造，而使用貫通孔(參照第1貫通孔261，第2貫通孔441，第3貫通孔442)而謀求電極的導通。
接著，對於上述之石英振動子101之各構 成，使用圖1~7而加以說明。然而，在此，對於作為未加以接合石英振動板2與第1封閉構件3與第2封閉構件4之各單體所構成之各構件，進行說明。
石英振動板2係如圖4，5所示，由壓電材料 之石英所成，其兩主面(一主面211，另一主面212)則作為平坦平滑面(鏡面加工)而加以成形。
另外，對於石英振動板2之兩主面211，212 (一主面211，另一主面212)，加以形成一對的(成為對)激發電極(第1激發電極221，第2激發電極222)。並且，對於兩主面211，212，係呈圍繞一對之第1激發電極221，第2激發電極222地，加以形成2個切口部24(貫通形狀)而加以構成振動部23。切口部24係平面視凹形狀體241(自1個平面視長方形之兩端，2個 長方形各自則對於長方形之長度方向而言，延伸出於直角方向而加以形成之3個平面視長方形所成之平面視體)，和平面視長方形狀體242所成，而平面視凹形狀體241與平面視長方形狀體242之間則成為配置為了將第1激發電極221及第2激發電極222導出於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432；參照下述)之導出電極(第1導出電極223，第2導出電極224)之導通路徑213。關於電極圖案，自各一對第1激發電極221，第2激發電極222所導出之第1導出電極223，第2導出電極224係藉由振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252，加以電性連接於形成於第2封閉構件4之外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)。
在此石英振動板2中，於沿著兩主面211， 212之振動部23的外方，呈圍繞振動部23地，各加以設置有為了接合第1封閉構件3與第2封閉構件4之振動側封閉部25。振動側封閉部25係如圖4，5所示，偏向配置於兩主面211，212之平面視左側。
於此石英振動板2之一主面211的振動側封 閉部25，加以形成有為了接合於第1封閉構件3之振動側第1接合圖案251，而第1激發電極221係加以連結於振動側第1接合圖案251。另外，於此石英振動板2之另一主面212的振動側封閉部25，加以形成有為了接合於第2封閉構件4之振動側第2接合圖案252，而第2激發 電極222係加以連結於振動側第2接合圖案252。內部空間13係成為加以形成於振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252之內方(內側)者。
對於石英振動板2之一主面211，係加以形成 有為了接合於第1封閉構件3之振動側第1接合圖案251，而振動側第1接合圖案251係由物理性氣相成長加以形成於一主面211上之基底PVD膜2511，和物理性氣相成長層積形成於基底PVD膜2511上之電極PVD膜2512所成。另外，對於石英振動板2之另一主面212，係加以形成有為了接合於第2封閉構件4之振動側第2接合圖案252，而振動側第2接合圖案252係由物理性氣相成長加以形成於另一主面212上之基底PVD膜2521，和物理性氣相成長層積形成於基底PVD膜2521上之電極PVD膜2522所成。也就是，振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252係由同一構成所成，複數的層則層積加以構成於兩主面211，212的振動側封閉部25上，從其最下層側加以蒸鍍形成Ti層(或Cr層)與Au層。如此，在振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252中，基底PVD膜2511，2521則由單一的材料(Ti(或Cr))所成，電極PVD膜2512，2522則由單一的材料(Au)所成，電極PVD膜2512，2522則較基底層PVD膜2511，2521為厚。另外，形成於石英振動板2之一主面211的第1激發電極221與振動側第1接合圖案251係具有同一膜厚，而第1激發電極221與振動側第1 接合圖案251之表面(主面)則由同一金屬所成，而形成於石英振動板2之另一主面212的第2激發電極222與振動側第2接合圖案252係具有同一膜厚，第2激發電極222與振動側第2接合圖案252之表面(主面)則由同一金屬所成。另外，振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252係為非Sn圖案。然而，在同一主面上為同一金屬，同一厚度之構成，比較振動側第1，2接合圖案251，252與振動側(第1激發電極221，第2激發電極222)之情況，最上層(至少露出的面)之金屬(電極PVD膜2512，2522等)為同一，即使其基底金屬(基底PVD膜2511，2521)的種類或厚度為不同，亦可進行接合者。另外，振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252中，各電極PVD膜2512，2522則成為平面視鱗狀體之表面。在此所稱之鱗狀體係指加以活性化而微視性成為個片狀態之金屬，呈層疊地加以重疊，在平面視中為為間隙(或幾乎未有)形態者。
另外，對於石英振動板2係如圖4，5所示， 加以形成有貫通一主面211與另一主面212之間的第1貫通孔261(在本發明所稱之壓電振動板用貫通孔)，藉由第1貫通孔261而將連結於第1激發電極221之振動側第1接合圖案251，加以導出於另一主面212側。對於第1貫通孔261係如圖1，4，5所示，為了謀求加以形成於一主面211與另一主面212之電極的導通之貫通電極71則沿著第1貫通孔261內壁面而加以形成。並且，第1貫通 孔261之中央部分係成為貫通一主面211與另一主面212之間的中空狀態之貫通部分72。此第1貫通孔261係加以配置於內部空間13之外方，如圖4所示，偏向位置於兩主面211，212之平面視另一端側(平面視右側)，而第1貫通孔261係未加以形成於內部空間13之內方。在此所稱之內部空間13之內方係指未含接合材11上而嚴密地接合材11之內周面的內側者。
對於第1封閉構件3，係使用彎曲剛性(截面 二次軸距×楊氏模數)為1000[N‧mm2〕以下的材料。具體而言，第1封閉構件3係如圖2，3所示地為由1片之玻璃晶圓所形成之長方體的基板，此第1封閉構件3之另一主面312(接合於石英振動板2的面)係作為平坦平滑面(鏡面加工)而加以形成。
對於此第1封閉構件3之另一主面312，係加 以設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第1封閉部32。封閉側第1封閉部32係如圖3所示，偏向配置於第1封閉構件3之另一主面312的平面視左側。
於第1封閉構件3之封閉側第1封閉部32， 加以形成有為了接合於石英振動板2之封閉側第1接合圖案321。封閉側第1接合圖案321係在第1封閉構件3之封閉側第1封閉部32上之所有位置中，作為同一寬度。
此封閉側第1接合圖案321係由物理性氣相 沉積加以形成於第1封閉構件3上之基底PVD膜3211，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜3211上之 電極PVD膜3212所成。然而，在本實施形態中，對於基底PVD膜3211係使用Ti(或Cr)，而對於電極PVD膜3212係使用Au。另外，封閉側第1接合圖案321係非Sn圖案。具體而言，封閉側第1接合圖案321係複數的層則層積於另一主面312之封閉側第1封閉部32上而所構成，從其最下層側，加以蒸鍍形成Ti層(或Cr層)與Au層。另外，在封閉側第1接合圖案321中，電極PVD膜3212則成為平面視鱗狀體之表面。
對於第2封閉構件4，係使用彎曲剛性(截面 二次軸距×楊氏模數)為1000[N‧mm2〕以下的材料。具體而言，第2封閉構件4係如圖6所示地為由1片之玻璃晶圓所形成之長方體的基板，此第2封閉構件4之一主面411(接合於石英振動板2的面)係作為平坦平滑面(鏡面加工)而加以形成。
對於此第2封閉構件4之一主面411，係加以 設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第2封閉部42。封閉側第2封閉部42係如圖6所示，偏向配置於第2封閉構件4之一主面411的平面視左側。
另外，對於第2封閉構件4之另一主面412 (未面向石英振動板2之外方的面)，係加以設置有電性連接於外部之一對的外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)。一外部電極端子431係藉由振動側第1接合圖案251而直接加以電性連接於第1激發電極221，而另一外部電極端子432係藉由振動側第 2接合圖案252而直接加以電性連接於第2激發電極222。一外部電極端子431，另一外部電極端子432係如圖7所示，各位置於第2封閉構件4之另一主面412的平面視長度方向兩端。此等一對之外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)係由物理性氣相沉積加以形成於另一主面412上之基底PVD膜4311，4321，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜4311，4321上之電極PVD膜4312，4322所成。另外，對於上述之振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252與封閉側第1接合圖案321與封閉側第2接合圖案421之各基底PVD膜2511，2521，3211，4211之厚度而言，外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)之基底PVD膜4311，4321的厚度為厚。
另外，一外部電極端子431及另一外部電極端子432係第2封閉構件4之另一主面412之中各佔1/3以上之範圍。
另外，對於第2封閉構件4之封閉側第2封 閉部42，係加以形成有為了接合於石英振動板2之封閉側第2接合圖案421。封閉側第2接合圖案421係在第2封閉構件4之封閉側第2封閉部42上之所有位置中，作為同一寬度。
此封閉側第2接合圖案421係由物理性氣相 沉積加以形成於第2封閉構件4上之基底PVD膜4211，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜4211上之 電極PVD膜4212所成。然而，在本實施形態中，對於基底PVD膜4211係使用Ti(或Cr)，而對於電極PVD膜4212係使用Au。另外，封閉側第2接合圖案421係非Sn圖案。具體而言，封閉側第2接合圖案421係複數的層則層積於另一主面412之封閉側第2封閉部42上而加以構成，從其最下層側，加以蒸鍍形成Ti層(或Cr層)與Au層。另外，在封閉側第2接合圖案421中，電極PVD膜4212則成為平面視鱗狀體之表面。
另外，第2封閉構件4係如圖1，6，7所 示，加以形成有貫通一主面411與另一主面412之間的2個貫通孔(第2貫通孔441與第3貫通孔442；在本發明所稱之第2封閉構件用貫通孔)。對於第2貫通孔441與第3貫通孔442，係為了謀求形成於一主面411與另一主面412的電極之導通的貫通電極71，則沿著各第2貫通孔441與第3貫通孔442之內壁面而加以形成。並且，第2貫通孔441與第3貫通孔442之中央部分係成為貫通一主面411與另一主面412之間的中空狀態的貫通部分72。此等第2貫通孔441與第3貫通孔442係加以配置於內部空間13之外方，如圖6，7所示，第2貫通孔441係偏向配置於兩主面(一主面411，另一主面412)之平面視右側，而第3貫通孔442係位置於平面視左上側，而第2貫通孔441及第3貫通孔442係未加以形成於內部空間13之內方。在此所稱之內部空間13之內方係指未包含接合材11上而嚴密地接合材11之內周面的內側者。並且， 藉由石英振動板2之第1貫通孔261與第2貫通孔441，加以導通連結於石英振動板2之第1激發電極221的振動側第1接合圖案251與一外部電極端子431。藉由第3貫通孔442及封閉側第2接合圖案421，加以導通連結於石英振動板2之第2激發電極222的振動側第2接合圖案252與另一外部電極端子432。
在上述構成所成之石英振動子101中，如以往之技術，未使用另外接著劑等之接合專用材，而石英振動板2與第1封閉構件3則在重疊振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案321之狀態加以擴散接合，而石英振動板2與第2封閉構件4則在重疊振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421之狀態加以擴散接合，加以製造圖1所示之夾層構造之封裝12。石英振動板2與第2封閉構件4則在重疊振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421之狀態中，重疊有壓電振動板用貫通孔(第1貫通孔261)之貫通部分72與第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441)之貫通部分72之至少一部分(在本實施形態中係貫通部分72之所有)。然而，振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案321本身則成為在擴散接合後所生成之接合材11，而振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421本身則成為在擴散接合後所生成之接合材11。在本實施形態中，以常溫進行擴散接合。在此所稱之常溫係指5℃~35℃者。經由此常溫擴散接合而具有下述之效果(與氣體之產生抑 制接合良好)，但此係較共晶焊接之熔點之183℃為低的值為最佳的例。但並非僅常溫擴散接合而具有下述之效果者，而如以不足常溫以上230℃之溫度下加以擴散接合即可。特別是由在200℃以上，不足230℃之溫度下進行擴散接合者，因為，為無Pb焊錫之熔點之不足230℃，更且成為Au之再結晶溫度(200℃)以上之故，可安定化接合部份之不安定範圍。另外，在本實施形態中，未使用Au-Sn之接合專用材之故，未產生有電鍍氣體，黏合劑氣體，金屬氣體等之氣體。因而可作為Au之再結晶溫度以上者。
另外，在此所製造之封裝12中，如上述，經 由擴散接合而加以接合封閉側第1接合圖案321與振動側第1接合圖案251，而加以接合封閉側第2接合圖案421與振動側第2接合圖案252，但對於此接合以外，加以加壓擴散接合封閉側第1接合圖案321與振動側第1接合圖案251，而加以加壓擴散接合封閉側第2接合圖案421與振動側第2接合圖案252亦可。此情況，由加壓者而容易確保接合處(可實質上增加接合面積)，未使用高溫加熱而可更良好進行僅經由擴散接合之接合者。
另外，在此所製造之封裝12中，第1封閉構件3與石英振動板2係具有1.00μm以下的間隔，而第2封閉構件4與石英振動板2係具有1.00μm以下的間隔。也就是，第1封閉構件3與石英振動板2之間的接合材11的厚度為1.00μm以下，而第2封閉構件4與石英振動 板2之間的接合材11的厚度為1.00μm以下(具體而言係在本實施形態之Au-Au接合中為0.15μm~1.00μm)。然而，作為比較，在使用Sn之以往的金屬電糊封閉材中，成為5μm~20μm。
另外，加以擴散接合封閉側第1接合圖案321 與振動側第1接合圖案251之接合圖案的厚度係與加以擴散接合封閉側第2接合圖案421與振動側第2接合圖案252之接合圖案的厚度相同，與和外部電性連接之外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)之厚度不同。
另外，在此所製造之封裝12中，如圖1~7所 示，內部空間13則偏向位置於平面視左側。另外，加以形成於第1封閉構件3之封閉側第1接合圖案321，與加以形成於第2封閉構件4之封閉側第2接合圖案421係在平面視中未重疊。具體而言，在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍則較在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍為寬。然而，在本實施形態中，在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍則較在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍為寬，但並不限定於此等，而在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍則較在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍為寬亦可。但，於第2封閉構件，形成一外部電極端子431，另一外部電極端子432之故，在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍則較在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍為寬，而配線圖案之指 引(導通路徑之確保)則變為容易，更且成可增加配線圖案之指引範圍(導通確保範圍)者。
另外，比較於加以形成於石英振動板2之振 動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252，加以形成於第1封閉構件3之封閉側第1接合圖案321，及加以形成於第2封閉構件4之封閉側第2接合圖案421係寬度為寬。
另外，在此所製造之石英振動子101之內部空間13，係如圖1，3~6所示，偏向位置於平面視左側。
另外，於第2封閉構件4，加以形成有配置於內部空間13之外方的貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)，而對於內部空間13之內方係未加以形成有貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)。
並且，如上述所製造之石英振動子101係於電路基板61，使用流動性導電接合材(焊錫)62而加以電性連接。在此，在外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)則加以電性連接於電路基板61之接合構造中，如圖8，9所示，經由焊錫62而埋入第2封閉構件用貫通孔之第2貫通孔441的貫通部分72及第3貫通孔442的貫通部分72，再經由焊錫62而埋入壓電振動板用貫通孔之第1貫通孔261的貫通部分72，於電路基板61，加以接合石英振動子101。然而，在圖8所示之接合構造中，第1貫通孔261之貫通部分72，第2貫通孔441之貫通部分72，及第3貫通孔442 之貫通部分72則所有經由焊錫62而加以埋入。另外，在圖9所示之接合構造中，第2貫通孔441之貫通部分72，及第3貫通孔442之貫通部分72則所有經由焊錫62而加以埋入，而第1貫通孔261之貫通部分72之一部分則經由焊錫62而加以埋入。
如上述，如根據有關本實施形態之石英振動 子101，於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)，加以形成有貫通電極71，且因有貫通部分72之故，於貫通部分72，未加以形成有貫通電極71。 因此，僅相當於埋入貫通部分72之貫通電極71的量部分，可減少貫通電極71之材料的使用量，其結果，可削減成本者。更且，如根據本實施形態，可經由加以形成於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通電極71而謀求第2封閉構件4之兩主面間(一主面411與另一主面412之間)的導通者。因此，例如比較於以往技術(專利文獻1之技術等)，無需使用金屬之電極材料而埋入第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)。
另外，如根據本實施形態，在使用焊錫62而 電性連接於外部的電路基板61之接合構造中，於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)，加以形成有貫通電極71，且因有貫通電極71之故，在使用焊錫62而電性連接外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)於外部的電路基板61時， 焊錫62則從外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)順著第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)，攀附於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72。另外，如焊錫62之使用量為多時，埋入第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72(參照圖8)。因此，對於外部的電路基板61之石英振動子101的接合時，雖加上有接合應力於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)，但此接合應力係因僅相當於順著第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)而攀附於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之焊錫62的量部分進行分散之故，在對於外部的電路基板61之石英振動子101的接合時，可實質上使加上於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)之接合應力降低者。
另外，在使用焊錫62而電性連接外部電極端 子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)於電路基板61時，焊錫62則附著於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)，更且，因亦擴散附著於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通電極71之故，而可實質上增加接合範圍者。此作用效果係對於小型之石英振動子101為有效，即使縮小石英振動子101之封裝尺寸，亦可實質上使接合 範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
另外，因第1貫通孔261之貫通部分72與第 2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之至少一部分(在本實施形態中為全部)則重疊之故，而由確認重疊的部分者，可使用第1貫通孔261與第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)而防止第2封閉構件4與石英振動板2之層積位置偏移者。
另外，如根據本實施形態，對於石英振動子 101之封裝12的高度，未產生有不均。例如，與本實施形態不同，使用如封閉構件(在本實施形態所稱之第1封閉構件3，第2封閉構件4)與石英振動板2之間隔則成為較1μm為大之Sn接合材的金屬電糊封閉材之情況，對於形成金屬電糊封閉材於圖案(振動側第1接合圖案251，振動側第2接合圖案252，封閉側第1接合圖案321，封閉側第2接合圖案421)上時之高度，產生有不均。另外，在接合後，經由加以形成之圖案(振動側第1接合圖案251，振動側第2接合圖案252，封閉側第1接合圖案321，封閉側第2接合圖案421)之熱容量分布，亦未成為均一的間隔(在本實施形態所稱之第1封閉構件3與石英振動板2之間隔，或在本實施形態所稱之第2封閉構件4與石英振動板2之間隔)。因此，在以往的技術中，加以層積有第1封閉構件，第2封閉構件，壓電振動板之3片的構件之構造的情況，對於在此等3片的構件間 的各間隔，產生有差。其結果，所層積之3片的構件係在未保持平行的狀態加以接合。特別是此問題係伴隨著低背化而成為顯著。因此，在本實施形態中，間隔之上限則加以設定為1.00μm之故，而可以保持為平行之狀態層積接合第1封閉構件3，第2封閉構件4，石英振動板2之3片的構件者，而本實施形態係可對應於低背化。
另外，因在第2封閉構件4中，加以形成有 配置於內部空間13之外方的貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之故，第2貫通孔441，第3貫通孔442的影響則未波及到內部空間13，而比較於第2貫通孔441，第3貫通孔442加以配置於內部空間13之內方之構成，可避免第2貫通孔441，第3貫通孔442成為原因之氣密不良者。
另外，與本實施形態不同，將貫通孔配置於 內部空間內之情況，必須確保內部空間的氣密，而成為必須有經由金屬等而埋入內部空間內之貫通孔的工程。對此，如根據本實施形態，因貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)則加以形成於內部空間13之外方之故，可以與振動側第1接合圖案251和振動側第2接合圖案252和封閉側第1接合圖案321和封閉側第2接合圖案421之圖案形成同樣的工程，進行配線圖案之指引，而可抑制製造成本。
另外，內部空間13係因偏向位置於平面視一 端側(在本實施形態中係平面視左側)之故，容易於平面 視另一端側(在本實施形態中係平面視右側)，形成貫通孔(第2貫通孔441)或電極圖案，而可容易進行對於配置於內部空間13之第1激發電極221及第2激發電極222帶來影響之電極圖案的形成者。更且，亦可容易進行對於內部空間13之氣密封閉帶來影響之貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之配置者。
另外，因於第1封閉構件3，加以形成有在所 有的位置作為同一寬度之封閉側第1接合圖案321，而於第2封閉構件4，加以形成有在所有的位置為同一寬度之封閉側第2接合圖案421，於第2封閉構件4，加以形成有配置於內部空間13之外方的貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之故，可抑制經由圖案之寬度不同而流動有接合材11於圖案寬度寬的部分者，其結果，可使對於石英振動板2之第1封閉構件3及第2封閉構件4之接合狀態安定。更且，因在第2封閉構件4中，加以形成有配置於內部空間13之外方的貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之故，貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)的影響則未波及到內部空間13，而比較於貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)加以配置於內部空間13之內方之構成，可避免貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)成為原因之氣密不良者。
另外，如根據有關本實施形態之石英振動子 101與電路基板61之接合構造，在加以電性連接外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432) 於電路基板61時，因經由焊錫62而埋入第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之故，比較於以往的技術(專利文獻1之技術等)，僅相當於埋入貫通電極71之焊錫62的量部分，可削減貫通電極71之材料的使用量者。其結果，比較於以往的技術，無需使用金屬之電極材料而埋入第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)。
另外，如根據有關本實施形態之石英振動子 101與電路基板61之接合構造，焊錫62則從外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)順著第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)，而攀附於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72。另外，如焊錫62之使用量為多時，埋入第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72(參照圖8)。 因此，對於電路基板61之石英振動子101的接合時，雖加上有接合應力於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)，但此接合應力係因僅相當於順著第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)而攀附於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之焊錫62的量部分進行分散之故，在對於電路基板61之石英振動子101的接合時，可實質上使加上於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)之接合應力降低者。
另外，在使用焊錫62而電性連接外部電極端 子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)於電路基板61時，焊錫62則附著於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)，更且，因亦擴散附著於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通電極71之故，而可實質上增加接合範圍者。此作用效果係對於小型之石英振動子101為有效，即使縮小石英振動子101之封裝尺寸，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
另外，如根據有關本實施形態之石英振動子 101與電路基板61之接合構造，在電性連接外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)於電路基板61時，因經由焊錫62而埋入第1貫通孔261之貫通部分72及第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之故，比較於以往技術(專利文獻1的技術等)，僅相當於埋入第1貫通孔261之貫通部分72及第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之焊錫62的量部分，對於削減第1貫通孔261之貫通部分71及第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通電極71之材料的使用量為最佳。其結果，比較於以往的技術，無需使用金屬之電極材料而埋入第1貫通孔261及第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)。
另外，如根據有關本實施形態之石英振動子 101與電路基板61之接合構造，焊錫62則從外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)順著第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)及第1貫通孔261，而攀附於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72及第1貫通孔261之貫通部分72，埋入第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72及第1貫通孔261之貫通部分72。
因此，對於電路基板61之石英振動子101的接合時，雖加上有接合應力於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)，但此接合應力係因僅相當於順著第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)及第1貫通孔261而攀附於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72及第1貫通孔261之貫通部分72之焊錫62的量部分進行分散之故，在對於電路基板61之石英振動子101的接合時，對於實質上使加上於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)之接合應力降低而為最佳。
另外，在使用焊錫62而電性連接外部電極端 子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)於電路基板61時，焊錫62則附著於外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)，更且，因亦擴散 附著於第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通電極71及第1貫通孔261之貫通部分72之故，而對於實質上增加接合範圍為最佳。此作用效果係對於小型之石英振動子101為有效，即使縮小石英振動子101之封裝尺寸，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
然而，在本實施形態中，對於第1封閉構件3 及第2封閉構件4使用玻璃，但並不限定於此，而亦可使用石英。
另外，在本實施形態中，對於壓電振動板使 用石英，但並不限定於此，而如為壓電材料，亦可為其他材料，而鈮酸鋰，鉭酸鋰等亦可。
另外，在本實施形態中，做為接合材11，使 用Ti(或Cr)與Au，但並非限定於此，而亦可將接合材11，例如自Ni與Au而構成。
另外，在本實施形態中，對於振動側第1接 合圖案251與振動側第2接合圖案252與封閉側第1接合圖案321與封閉側第2接合圖案421，包含有Ti(或Cr)與Au，但並非限定於此，而亦可包含Cu(Cu單體或Cu合金)。此情況，可貢獻於製造時(接合時，經由產生有加壓等之外力之衝擊時等)或使用時(經由產生有落下等之外力之衝擊時，焊錫安裝時等)之應力緩和者。也就是，經由包含有Cu於振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252與封閉側第1接合圖案321與封閉側第 2接合圖案421之時，而機械性強度則提升。
另外，對於基底PVD膜2511，2521，3211， 4211使用Cr之情況，可由包含Cu於基底PVD膜2511，2521，3211，4211者而抑制Cr擴散於電極PVD膜2512，2522，3212，4212者。其結果，即使加厚使用Cr的層，亦可抑制Cr擴散於電極PVD膜2512，2522，3212，4212，而可加厚使用Cr的層而抑制製造不均者。 實際上，即使將Cr的層作為0.2μm，亦可抑制Cr擴散於電極PVD膜2512，2522，3212，4212者。
另外，在本實施形態中，第2封閉構件4則自1片之玻璃晶圓而加以成形之長方體的基板，但並非限定於此，而亦可為自玻璃晶圓而加以成形之2個長方體。此情況，成為於1個長方體的基板，形成封閉側第2接合圖案421與第3貫通孔442與另一方外部電極端子432，經由此基板而進行氣密封閉，而於另一方的長方體之基板，形成第2貫通孔441與一外部電極端子431之構成。
如根據本構成，可完全使一對之外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)分離，進而可防止短路者。另外，並非玻璃晶圓，而經由金屬材料，形成2個長方體之第2封閉構件4之情況，更且亦無須形成第3貫通孔442，而可減少貫通孔的數量，貢獻於小型化。
另外，在本實施形態中，形成如圖1~7所示之第1導出電極223，第2導出電極224，但並非限定於 此，而於第1導出電極223，第2導出電極224之任意位置之最上層，使用Cr，更且，於第1導出電極223，第2導出電極224與振動側第1接合圖案251，振動側第2接合圖案252之間，有著間隙亦可。特別是，間隙係加以設置於振動側封閉部25上為佳。由作為如此之構成者，在製造工程中進行加熱熔融接合之前為止中，成為未加以電性連接第1導出電極223，第2導出電極224，和振動側第1接合圖案251，振動側第2接合圖案252者。其結果，在進行振動檢查之檢查工程中，可進行僅將激發電極(第1激發電極221，第2激發電極222)作為對象之種種檢查，振動檢查之自由度則增加。
另外，如上述，在圖8所示之形態中，得到 第1貫通孔261之貫通部分72及第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72的全部則經由焊錫62而埋入之作用效果。關於此作用效果，本實施形態為最佳，但即使僅第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72則經由焊錫62而埋入，亦具有一定之上述作用效果。另外，如圖9所示，即使壓電振動板用貫通孔(第1貫通孔261)之貫通部分72的一部分及第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72所有則經由焊錫62而埋入，亦具有一定之上述作用效果，而即使第2封閉構件用貫通孔(第2貫通孔441，第3貫通孔442)之貫通部分72之一部分則經由焊錫62而埋入，亦具有一 定之上述作用效果。
-石英振盪器-
另外，在本實施形態中，做為壓電振動裝置而使用石英振動子，但並不限定於此，而如下述，亦可為石英振盪器(參照圖10)。以下，顯示做為進行壓電振動之壓電振動裝置，對於石英振盪器適用本發明之情況。然而，方便上，對於與上述石英振動子101共通之構成，附上同一符號。另外，經由共通的構成而產生之作用效果，亦與圖1所示之石英振動子101同樣，在以下的說明中省略之。
在有關本實施形態之石英振盪器102中，如 圖10所示，加以設置有石英振動板2(在本發明所稱之壓電振動板)，和被覆石英振動板2之第1激發電極221(參照圖13)，氣密封閉加以形成於石英振動板2之一主面211之第1激發電極221的第1封閉構件3，和於此石英振動板2之另一主面212，被覆石英振動板2之第2激發電極222(參照圖14)，氣密封閉與第1激發電極221成為對而加以形成之第2激發電極222的第2封閉構件4，和搭載於第1封閉構件之壓電振動元件以外之電子構件元件(在本實施形態中係IC5)。
在此石英振盪器102中，加以接合有石英振 動板2與第1封閉構件3，接合有石英振動板2與第2封閉構件4而加以構成夾層構造之封裝12。
並且，由藉由石英振動板2而加以接合第1 封閉構件3與第2封閉構件4者，加以形成封裝12之內部空間13，而於此封裝12之內部空間13，加以氣密封閉包含形成於石英振動板2之兩主面211，212之第1激發電極221及第2激發電極222的振動部23。然而，內部空間13係如圖10所示，偏向配置於封裝12之平面視一端側(平面視左側)。
有關本實施形態之石英振盪器102係 1.2×1.0mm之封裝尺寸，謀求小型化與低背化之構成。另外，伴隨小型化，而在本封裝12中，未形成城池構造，而使用貫通孔(第4貫通孔262~第18貫通孔446)而謀求電極的導通。
接著，對於上述之石英振盪器102各構成， 使用圖10~16而加以說明。然而，在此，對於作為未加以接合石英振動板2與第1封閉構件3與第2封閉構件4之各單體所構成之各構件，進行說明。
石英振動板2係如圖13，14所示，由壓電材 料之石英所成，其兩主面(一主面211，另一主面212)則作為平坦平滑面(鏡面加工)而加以成形。
另外，對於石英振動板2之兩主面211，212 (一主面211，另一主面212)，加以形成一對的(成為對)激發電極(第1激發電極221，第2激發電極222)。並且，對於兩主面211，212，係呈圍繞一對之第1激發電極221，第2激發電極222地，加以形成2個切口部24(貫通形狀)而加以構成振動部23。切口部24係 平面視凹形狀體241(自1個平面視長方形之兩端，2個長方形各自則對於長方形之長度方向而言，延伸出於直角方向而加以形成之3個平面視長方形所成之平面視體)，和平面視長方形狀體242所成，而平面視凹形狀體241與平面視長方形狀體242之間則成為配置為了將第1激發電極221及第2激發電極222導出於外部電極端子(參照下述)之導出電極(第1導出電極223，第2導出電極224)之導通路徑213。關於電極圖案，自各一對之第1激發電極221，第2激發電極222所導出之第1導出電極223，第2導出電極224係藉由振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252，加以電性連接於形成於第1封閉構件3之電極圖案33。
在此石英振動板2中，於沿著兩主面211， 212之振動部23的外方，呈圍繞振動部23地，各加以設置有為了接合第1封閉構件3與第2封閉構件4之振動側封閉部25。振動側封閉部25係如圖13，14所示，偏向配置於兩主面211，212之平面視左側。
於此石英振動板2之一主面211的振動側封 閉部25，加以形成有為了接合於第1封閉構件3之振動側第1接合圖案251，而第1激發電極221係加以連結於振動側第1接合圖案251。振動側第1接合圖案251係由物理性氣相沉積加以形成於一主面211上之基底PVD膜2511，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜2511上之電極PVD膜2512所成。另外，於此石英振動板 2之另一主面212的振動側封閉部25，加以形成有為了接合於第2封閉構件4之振動側第2接合圖案252，而第2激發電極222係加以連結於振動側第2接合圖案252。振動側第2接合圖案252係由物理性氣相沉積加以形成於另一主面212上之基底PVD膜2521，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜2521上之電極PVD膜2522所成。內部空間13係成為加以形成於振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252之內方(內側)者。
振動側第1接合圖案251與振動側第2接合 圖案252係由同一構成所成，複數的層則層積加以構成於兩主面211，212的振動側封閉部25上，從其最下層側加以蒸鍍形成Ti層(或Cr層)與Au層。如此，在振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252中，基底PVD膜2511，2521則由單一的材料(Ti(或Cr))所成，電極PVD膜2512，2522則由單一的材料(Au)所成，電極PVD膜2512，2522則較基底PVD膜2511，2521為厚。另外，形成於石英振動板2之一主面211的第1振動電極221與振動側第1接合圖案251係具有同一膜厚，而第1激發電極221與振動側第1接合圖案251之表面(主面)則由同一金屬所成，而形成於石英振動板2之另一主面212的第2激發電極222與振動側第2接合圖案252係具有同一膜厚，第2激發電極222與振動側第2接合圖案252之表面(主面)則由同一金屬所成。另外，振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252係為 非Sn圖案。然而，在同一主面上為同一金屬，同一厚度之構成，比較振動側第1，2接合圖案251，252與振動側(第1激發電極221，第2激發電極222)之情況，最上層(至少露出的面)之金屬(電極PVD膜2512，2522等)則如為同一，即使其基底金屬(基底PVD膜2511，2521)的種類或厚度為不同，亦可進行接合者。另外，振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252中，各電極PVD膜2512，2522則成為平面視鱗狀體之表面。在此所稱之鱗狀體係指加以活性化而微視性成為個片狀體之金屬，呈層疊地加以重疊，在平面視中無間隙(或幾乎未有)形態者。
另外，對於石英振動板2，係如圖13，14所 示，加以形成有貫通一主面211與另一面212之間的壓電振動板用貫通孔(第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)，藉由第4貫通孔262，連結於第2激發電極222之振動側第2接合圖案252則加以導出於一主面211側。另外，第5貫通孔263係連結於第1封閉構件3之第10貫通孔342及第2封閉構件4之第15貫通孔443者，為了將IC5導通於第1外部電極端子433之導通路徑。另外，第6貫通孔264係連結於第1封閉構件3之第11貫通孔343及第2封閉構件之第16貫通孔444者，為了將IC5導通於第2外部電極端子434之導通路徑。另外，第7貫通孔265係連結於第1封閉構件3之第12貫通孔344及第2封閉構 件4之第17貫通孔445者，為了將IC5導通於第3外部電極端子435之導通路徑。另外，第8貫通孔266係連結於第1封閉構件3之第13貫通孔345及第2封閉構件4之第18貫通孔446者，為了將IC5導通於第4外部電極端子436之導通路徑。對於此等第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266，係如圖10，13，14所示，為了謀求形成於一主面211與另一主面212之電極的導通之貫通電極71則沿著各第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266之內壁面而加以形成。並且，各第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266之中央部分係成為貫通一主面211與另一主面212之間的中空狀態之貫通部分72。第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266係加以形成於內部空間13之外方。另外，第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266係未加以形成於內部空間13之內方。在此所稱之內部空間13之內方係指未包含在接合材11上而嚴密地接合材11之內周面的內側者。
對於第1封閉構件3，係使用彎曲剛性(截面 二次軸距×楊氏模數)為1000[N‧mm2〕以下的材料。具體而言，第1封閉構件3係如圖11，12所示地為由1片之玻璃晶圓所形成之長方體的基板，此第1封閉構件3之 另一主面312(接合於石英振動板2的面)與一主面311(搭載IC5的面)係作為平坦平滑面(鏡面加工)而加以形成。
對於此第1封閉構件3之另一主面312，係加 以設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第1封閉部32。封閉側第1封閉部32係如圖12所示，偏向配置於第1封閉構件3之另一主面312的平面視左側。
於第1封閉構件3之封閉側第1封閉部32， 加以形成有為了接合於石英振動板2之封閉側第1接合圖案321。封閉側第1接合圖案321係在第1封閉構件3之封閉側第1封閉部32上之所有位置中，作為同一寬度。
此封閉側第1接合圖案321係由物理性氣相 沉積加以形成於第1封閉構件3上之基底PVD膜3211，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜3211上之電極PVD膜3212所成。然而，在本實施形態中，對於基底PVD膜3211係使用Ti(或Cr)，而對於電極PVD膜3212係使用Au。另外，封閉側第1接合圖案321係非Sn圖案。具體而言，封閉側第1接合圖案321係複數的層則層積於另一主面312之封閉側第1封閉部32上而加以構成，從其最下層側，加以蒸鍍形成Ti層(或Cr層)與Au層。另外，在封閉側第1接合圖案321中，電極PVD膜3212則成為平面視鱗狀體之表面。
另外，對於第1封閉構件3係如圖10，11， 12所示，加以形成有貫通一主面311與另一主面312之 間的6個貫通孔(第9貫通孔341，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345，第14貫通孔346；在本發明所稱之第2封閉構件用貫通孔)。對於此等第9貫通孔341，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345，第14貫通孔346係如圖10，11，12所示，為了謀求形成於一主面311與另一主面312之電極的導通之貫通電極71則沿著各第9貫通孔341，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345，第14貫通孔346之內壁面而加以形成。具體而言，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345係為了謀求振盪器用導通之貫通孔，而第9貫通孔341(為了導通第2激發電極222之導通的貫通孔)，第14貫通孔346(為了導通第1激發電極221之導通的貫通孔)係為了謀求石英振動板2用導通之貫通孔。並且，第9貫通孔341，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345，第14貫通孔346之中央部分係成為貫通一主面311與另一主面312之間的中空狀態之貫通部分72。
另外，對於第1封閉構件3之一主面311，係 加以形成有包含搭載振盪電路元件之IC5的搭載墊片的6個電極圖案33。6個電極圖案33係各個別地加以導引至第9貫通孔341，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345，第14貫通孔346。
對於第2封閉構件4，係使用彎曲剛性(截面 二次軸距×楊氏模數)為1000[N‧mm2〕以下的材料。具體而言，第2封閉構件4係如圖15，16所示地為由1片之玻璃晶圓所形成之長方體的基板，此第2封閉構件4之一主面411(接合於石英振動板2的面)係作為平坦平滑面(鏡面加工)而加以形成。
對於此第2封閉構件4之一主面411，係加以 設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第2封閉部42。封閉側第2封閉部42係如圖15所示，偏向配置於第2封閉構件4之一主面411的平面視左側。
另外，對於第2封閉構件4之另一主面412(未面向石英振動板2之外方的面)，係加以設置有電性連接於外部之4個外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)。第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436係各位置於4個角部。此等外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)係由物理性氣相沉積加以形成於另一主面412上之基底PVD膜4331，4341，4351，4361，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜4331，4341，4351，4361上之電極PVD膜4332，4342，4352，4362所成。另外，對於上述之振動側第1接合圖案251與振動側第2接合圖案252與封閉側 第1接合圖案321與封閉側第2接合圖案421之各基底PVD膜2511，2521，3211，4211之厚度而言，外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)之基底PVD膜4331，4341，4351，4361的厚度為厚。
另外，對於第2封閉構件4之封閉側第2封 閉部42，係加以形成有為了接合於石英振動板2之封閉側第2接合圖案421。封閉側第2接合圖案421係在第2封閉構件4之封閉側第2封閉部42上之所有位置中，作為同一寬度。
此封閉側第2接合圖案421係由物理性氣相 沉積加以形成於第2封閉構件4上之基底PVD膜4211，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜4211上之電極PVD膜4212所成。然而，在本實施形態中，對於基底PVD膜4211係使用Ti(或Cr)，而對於電極PVD膜4212係使用Au。另外，封閉側第2接合圖案421係非Sn圖案。具體而言，封閉側第2接合圖案421係複數的層則層積於一主面411之封閉側第2封閉部42上而加以構成，從其最下層側，加以蒸鍍形成Ti層(或Cr層)與Au層。另外，在封閉側第2接合圖案421中，電極PVD膜4212則成為平面視鱗狀體之表面。
另外，第2封閉構件4係如圖10，15，16所 示，加以形成有貫通一主面411與另一主面412之間的4個貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫 通孔445，第18貫通孔446；在本發明所稱之第2封閉構件用貫通孔)。對於第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446係如圖10，15，16所示，為了謀求形成於一主面411與另一主面412之電極的導通之貫通電極71則沿著各第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446之內壁面加以形成。並且，第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446中央部分係成為貫通一主面411與另一主面412之間的中空狀態之貫通部分72。此等第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446係加以配置於內部空間13之外方，而第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446係未加以形成於內部空間13的內方。
在上述構成所成之石英振盪器102中，如以 往之技術，未另外使用接合專用材等，而石英振動板2與第1封閉構件3則在重疊振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案321之狀態加以擴散接合，而石英振動板2與第2封閉構件4則在重疊振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421之狀態加以擴散接合，加以製造圖10所示之夾層構造之封裝12。另外，石英振動板2與第2封閉構件4則在重疊振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421之狀態中，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫 通孔266)之貫通部分72與第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72之至少一部分(在本實施形態中係貫通部分72之所有)則重疊。另外，石英振動板2與第1封閉構件3則在重疊振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案321之狀態中，在壓電振動板用貫通孔(第4貫通孔262，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72與第1封閉構件用貫通孔(第9貫通孔341，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72，係各至少一部分(在本實施形態中係貫通部分72之所有)則重疊。
然而，振動側第1接合圖案251及封閉側第1 接合圖案321本身則成為在擴散接合後所生成之接合材11，而振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421本身則成為在擴散接合後所生成之接合材11。在本實施形態中，以常溫(5℃~35℃)進行擴散接合。但，並未僅限定常溫擴散接合者，而如在常溫以上，不足230℃之溫度下加以擴散接合即可。特別是由在200℃以上，不足230℃之溫度下進行擴散接合者，因為，為無Pb焊錫之熔點之不足230℃，更且成為Au之再結晶溫度(200℃)以上之故，可安定化接合部份之不安定範圍。 另外，在本實施形態中，未使用Au-Sn之接合專用材之故，未產生有電鍍氣體，黏合劑氣體，金屬氣體等之氣 體。因而可作為Au之再結晶溫度以上者。
另外，在此所製造之封裝12中，如上述，經 由擴散接合而加以接合封閉側第1接合圖案321與振動側第1接合圖案251，而加以接合封閉側第2接合圖案421與振動側第2接合圖案252，但對於此接合以外，加以加壓擴散接合封閉側第1接合圖案321與振動側第1接合圖案251，而加以加壓擴散接合封閉側第2接合圖案421與振動側第2接合圖案252亦可。此情況，由加壓者而容易確保接合處(可實質上增加接合面積)，未使用高溫加熱而可更良好進行僅經由擴散接合之接合者。
另外，在此所製造之封裝12中，第1封閉構 件3與石英振動板2係具有1.00μm以下的間隔，而第2封閉構件4與石英振動板2係具有1.00μm以下的間隔。 也就是，第1封閉構件3與石英振動板2之間的接合材11的厚度為1.00μm以下，而第2封閉構件4與石英振動板2之間的接合材11的厚度為1.00μm以下(具體而言係在本實施形態之Au-Au接合中為0.15μm~1.00μm)。然而，作為比較，在使用Sn之以往的金屬電糊封閉材中，成為5μm~20μm。
另外，加以擴散接合封閉側第1接合圖案321 與振動側第1接合圖案251之接台圖案的厚度係與加以擴散接合封閉側第2接合圖案421與振動側第2接合圖案252之接合圖案的厚度相同，與和外部電性連接之外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子 434，第3外部電極端子435，第外4部電極端子436)之厚度不同。
另外，在此所製造之封裝12中，如圖10所 示，內部空間13則偏向位置於平面視左側。另外，加以形成於第1封閉構件3之封閉側第1接合圖案321，與加以形成於第2封閉構件4之封閉側第2接合圖案421係在平面視中未重疊。具體而言，在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍則較在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍為寬。然而，在本實施形態中，在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍則較在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍為寬，但並不限定於此等，而在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍則較在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍為寬亦可。但於第2封閉構件，形成外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)之故，在封閉側第1接合圖案321內之平面視範圍則成為較在封閉側第2接合圖案421內之平面視範圍為寬。隨之，配線圖案之指引(導通路徑之確保)則變為容易，更且可增加配線圖案之指引範圍(導通確保範圍)者。
另外，對於第1封閉構件3之一主面311，係 加以形成有對於石英振動板2之第1激發電極221而言成為異極之石英振動板2用調整電極(在本實施形態中，將第9貫通孔341做為導通路徑之電極圖案33)，而如圖 11，13所示，將第9貫通孔341做為導通路徑之電極圖案33係未重疊於第1激發電極221。另外，對於第1封閉構件3之一主面311，係加以形成有對於石英振動板2之第1激發電極221而言成為同極之石英振動板2用調整電極(在本實施形態中，將第14貫通孔346做為導通路徑之電極圖案33)，而如圖11，13所示，將第9貫通孔341做為導通路徑之電極圖案33係在第1導出電極223中做為一部分重疊。然而，在本實施形態中，將第9貫通孔341做為導通路徑之電極圖案33係在第1導出電極223中做為一部分重疊，但作為與第1激發電極221之至少一部分重疊亦可。
另外，在本實施形態中，未將為了設置IC5 之空間設置於石英振動板2亦可，而可進行封裝之低背化者。另外，僅由改變形成於第1封閉構件3之一主面的IC5用之圖案者，可對應於任意的振盪條件。另外，成為可於IC5之背面做標記，而即使對於第1封閉構件3使用透明構件料之情況，亦成為無須特殊標記。另外，在以往之技術中，於第1封閉構件3或石英振動板2等設置凹部，將振盪電路元件之IC5必須安裝於前述凹部之故，壓電振動裝置之外型係必須成為較振盪電路元件為大。但如根據本實施形態，在第1封閉構件3中，因於一主面311加以設置有IC5，而將另一主面312加以接合於石英振動板2之一主面211之故，可將IC5之尺寸與石英振盪器102之尺寸作為相同，而有利於小型化及低背化。
另外，比較於加以形成於石英振動板2之振 動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252，加以形成於第1封閉構件3之封閉側第1接合圖案321，及加以形成於第2封閉構件4之封閉側第2接合圖案421係寬度為寬。
並且，如上述所製造之石英振盪器102係於 電路基板61，使用流動性導電接合材(焊錫)62而加以電性連接。在此，在將外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)加以電性連接於電路基板61之接合構造中，如圖17，18所示，經由焊錫62而埋入第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72，而經由焊錫62而埋入壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72，於電路基板61，加以接合石英振盪器102。然而，在圖17所示之接合構造中，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266，第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345，第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446之貫通部分72則經由焊錫62而加以埋入。另外，在圖18所示之接合構造中，第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266，第15貫通孔443，第16貫通孔 444，第17貫通孔445，第18貫通孔446之貫通部分72則經由焊錫62而加以埋入，而第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345之貫通部分72的一部分則經由焊錫62而加以埋入。
如上述，如根據有關本實施形態之石英振盪 器102，與上述夾層構造之石英振動子101同樣地，削減成本之同時，可使用第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446而謀求第2封閉構件4之兩主面411，412間的導通者。更且，對於與上述夾層構造之石英振動子101同樣的構成，係具有同樣的作用效果。
另外，如根據有關本實施形態之石英振盪器 102，因壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72與第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72與第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72之至少一部分(在本實施形態中係全部)則重疊之故，由確認重疊的部分者，可防止第1封閉構件3與第2封閉構件4與石英振動板2之層積位置偏移者。
另外，因在壓電振動板用貫通孔(第5貫通 孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72與第2封閉構件用貫通孔(第15貫 通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72與第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72中，各至少一部分(在本實施形態中係全部)則重疊之故，即使於為了電性連接於電路基板61之焊錫62，存在有氣泡，可通過第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)，及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之重疊的部分，從第1封閉構件3之一主面311除去焊錫62之氣泡於外部者。
如根據有關本實施形態之石英振盪器102與 電路基板61之接合構造，在將外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)加以電性連接於電路基板61時，因經由焊錫62而埋入壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72，第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72之故，比較於專 利文獻1之技術等地以往之技術，僅相當於埋入壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72，第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72之焊錫62的量部分，可削減壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通電極，第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通電極71及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通電極71之材料的使用量者。其結果，比較於以往技術，無需使用金屬之電極材料而埋入壓電振動板用貫通孔(特別是第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)，第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)及第1封閉構件用貫通孔(特別是第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)。
另外，如根據有關本實施形態之石英振盪器 102與電路基板61之接合構造，焊錫62則從外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第 3外部電極端子435，第4外部電極端子436)順著第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)，攀附於第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72，埋入有第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72。因此，在對於電路基板61之石英振盪器102的接合時，雖加上有接合應力於外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)，但此接合應力係因僅相當於順著第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第 17貫通孔445，第18貫通孔446)，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)而攀附於第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72之焊錫62的量部分進行分散之故，在對於電路基板61之石英振盪器102的接合時，對於實質上使加上於外部電極端子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)之接合應力降低而為最佳。
另外，在使用焊錫62而電性連接外部電極端 子(第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436)於電路基板61時，焊錫62則附著於外部電極端子(第1外部電極端子433，第2部電極端子434，第3外部電極端子435，第4部電極端子436)，更且，因亦擴散附著於第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通電極71，壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔 264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72之故，對於實質上增加接合範圍為最佳。此作用效果係對於小型之石英振盪器102為有效，即使縮小石英振盪器102之封裝尺寸，亦可實質上使接合範圍作為同等或擴大，其結果，成為可提高接合強度者。
另外，如上述，在圖17所示之形態中，得到 壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72及第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72及第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72之所有則經由焊錫62而埋入之作用效果。關於此作用效果，本實施形態為最佳，但即使僅第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72則經由焊錫62而埋入，亦具有一定之上述作用效果。
另外，對於第1封閉構件用貫通孔(第10貫 通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72未附著有焊錫62，而壓電振動板用貫通孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72之一部分，及 第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72所有則經由焊錫62而埋入，亦具有一定之上述作用效果。
另外，如圖18所示，即使壓電振動板用貫通 孔(第5貫通孔263，第6貫通孔264，第7貫通孔265，第8貫通孔266)之貫通部分72所有，第1封閉構件用貫通孔(第10貫通孔342，第11貫通孔343，第12貫通孔344，第13貫通孔345)之貫通部分72之一部分及第2封閉構件用貫通孔(第15貫通孔443，第16貫通孔444，第17貫通孔445，第18貫通孔446)之貫通部分72所有則經由焊錫62而埋入，亦具有一定之上述作用效果。
然而，本發明係其精神或內容係未從主要的特徵脫離，可以其他種種形式而實施者。因此，上述之實施形態係在所有的點，不過只是例示，並非限定而解釋。本發明之範圍係經由申請專利範圍而顯示者，對於說明書本文係未加以有任何限制。更且，屬於申請專利範圍之均等範圍的變形或變更，係全為本發明之範圍內者。
例如，在有關上述本實施形態之石英振盪器102中，將外部電極端子作為第1外部電極端子433，第2外部電極端子434，第3外部電極端子435，第4外部電極端子436之4端子，但並不限定於此，而對於將外部端子做為6端子或8端子之任意端子之構成，亦可適用本 發明者。
(石英振動子之變形例)
在此，對於有關上述之本實施形態之石英振動子的變形例加以說明。然而，方便上，對於與圖1所示之石英振動子101共通之構成，附上同一符號。另外，經由共通的構成而產生之作用效果，亦與圖1所示之石英振動子101同樣，在以下的說明中省略之。在以下中，主要對於本形態之圖19所示之石英振動子101A則與圖1所示之石英振動子101不同的點，加以說明。
在本形態之石英振動子101A中，如圖19所示，石英振動板2之第1激發電極221則歷經形成於第1封閉構件3之一主面311的第1端子37，加以連接於第2封閉構件4之一外部電極端子431。另外，壓電振動板2之第2激發電極222係歷經形成於第1封閉構件3之一主面311的第2端子38，而加以連接於第2封閉構件4之另一外部電極端子432。此情況，於第1端子37與一外部電極端子431之間，及第2端子38與另一外部電極端子432之間，各加以設置壓電振動板用貫通孔之貫通部分與第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之重疊部分。對於本形態之石英振動子101A的特徵，參照圖19~25加以詳細說明。
在石英振動子101A中，與圖1所示之石英振動子101係為不同，石英振動板2之一對第1激發電極 221，第2激發電極222係與振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252加以電性連接。在石英振動板2中，於沿著兩主面211，212之振動部23的外方，呈圍繞振動部23地，各加以設置有為了接合第1封閉構件3與第2封閉構件4之振動側封閉部25。於石英振動板2之一主面211的振動側封閉部25，加以形成有為了接合於第1封閉構件3之振動側第1接合圖案251。另外，於石英振動板2之另一主面212的振動側封閉部25，加以形成有為了接合於第2封閉構件4之振動側第2接合圖案252。
對於石英振動板2係如圖22，23所示地，加以形成有貫通一主面211與另一主面212之間的3個貫通孔(第19貫通孔267，第20貫通孔268，第21貫通孔269)。第19貫通孔267(在本發明所稱之壓電振動板用貫通孔)，係連接於第1封閉構件3之第22貫通孔347及第2封閉構件4之第26貫通孔447者。另外，第20貫通孔268(在本發明所稱之壓電振動板用貫通孔)，係連接於第1封閉構件3之第24貫通孔349及第2封閉構件4之第27貫通孔448者。另外，第21貫通孔269，係連結於從第2激發電極222所導出之第2導出電極224及第1封閉構件3之第25貫通孔350者。第19貫通孔267及第20貫通孔268係各位置於石英振動板2之平面視長度方向兩端部。
對於此等第19貫通孔267，第20貫通孔 268，第21貫通孔269係如圖19，22，23所示，為了謀求形成於一主面211與另一主面212之電極的導通的貫通電極71，則沿著各第19貫通孔267，第20貫通孔268，第21貫通孔269之內壁面而加以形成。並且，各第19貫通孔267，第20貫通孔268，第21貫通孔269之中央部分係成為貫通一主面211與另一主面212之間的中空狀態之貫通部分72。對於各第19貫通孔267，第20貫通孔268，第21貫通孔269之外周圍係加以形成有連接用接合圖案73。連接用接合圖案73係與振動側第1接合圖案251，振動側第2接合圖案252同樣的構成，由物理性氣相沉積加以形成於石英振動板2之兩主面(一主面211，另一主面212)上之基底PVD膜，和物理性氣相沉積加以層積形成於該基底PVD膜上之電極PVD膜所成。第21貫通孔269之連接用接合圖案73係與從第2激發電極222所導出之第2導出電極224一體地加以形成。
在石英振動子101A中，第19貫通孔267，第20貫通孔268係在平面視，加以形成於內部空間13之外方(接合材11之外周面的外側)。另一方面，第21貫通孔269係在平面視，加以形成於內部空間13之內方(接合材11之內周面的內側)。並且，第19貫通孔267，第20貫通孔268，第21貫通孔269係未與振動側第1接合圖案251及振動側第2接合圖案252加以電性連接。
在石英振動子101A中，與圖1所示之在石英 振動子101不同，如圖19，20所示，於第1封閉構件3之一主面311(未面向於石英振動板2之外方的主面，加以設置有第1端子37及第2端子38。第1端子37係呈連結第22貫通孔347與第23貫通孔348地加以設置，而第2端子38係呈連結第24貫通孔349與第25貫通孔350地加以設置第1端子37及第2端子38係由物理性氣相沉積加以形成於一主面311上之基底PVD膜3711，3811，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜3711，3811上之電極PVD膜3712，3812所成。在本形態中，第1端子37及第2端子38係各位置於第1封閉構件3之一主面311的平面視長度方向兩端部。
對於此第1封閉構件3之另一主面312，係加以設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第1封閉部32。對於封閉側第1封閉部32，係加以設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第1接合圖案321。
對於第1封閉構件3係如圖19，20，21所示，加以形成有貫通一主面311與另一主面312之間的4個貫通孔(第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25貫通孔350)。第22貫通孔347(在本發明所稱之第1封閉構件用貫通孔)係連結於第1端子37及石英振動板2之第19貫通孔267者。第23貫通孔348係連結於從第1端子37及石英振動板2之第1激發電極221所導出之第1導出電極223者。第24貫通孔349(在本發明所稱之第1封閉構件用貫通孔)係連結於 第2端子38及石英振動板2之第20貫通孔268者。第25貫通孔350係連結於第2端子38及石英振動板2之第21貫通孔269者。第22貫通孔347及第24貫通孔349係各位置於第1封閉構件3之平面視長度方向兩端部。
對於此等第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25貫通孔350係如圖19，20，21所示，為了謀求形成於一主面311與另一主面312之電極的導通之貫通電極71則沿著各第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25貫通孔350之內壁面而加以形成。並且，各第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25貫通孔350之中央部分係成為貫通一主面311與另一主面312之間的中空狀態之貫通部分72。對於各第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25貫通孔350之外周圍係加以形成有連接用接合圖案73。連接用接合圖案73係與封閉側第1接合圖案321同樣的構成，由物理性氣相沉積加以形成於第1封閉構件3之另一主面312上之基底PVD膜，和物理性氣相沉積加以層積形成於該基底PVD膜上之電極PVD膜所成。
在石英振動子101A中，第22貫通孔347，第24貫通孔349係在平面視，加以形成於內部空間13之外方。另一方面，第23貫通孔348，第25貫通孔350係在平面視，加以形成於內部空間13之內方。並且，第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25 貫通孔350係未與封閉側第1接合圖案321加以電性連接。另外，第1端子37及第2端子38亦未與封閉側第1接合圖案321加以電性連接。
對於第2封閉構件4之一主面411，係加以設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第2封閉部42。 對於封閉側第2封閉部42，係加以設置有為了接合於石英振動板2之封閉側第2接合圖案421。
對於第2封閉構件4之另一主面412(未面向石英振動板2之外方的主面)，係加以設置有電性連接於外部之一對的外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)。一外部電極端子431，另一外部電極端子432係如圖19，25所示，各位置於第2封閉構件4之另一主面412的平面視長度方向兩端。此等一對之外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)係由物理性氣相沉積加以形成於另一主面412上之基底PVD膜4311，4321，和物理性氣相沉積加以層積形成於基底PVD膜4311，4321上之電極PVD膜4312，4322所成。
對於第2封閉構件4係如圖19，24，25所示，加以形成有貫通一主面411與另一主面412之間的2個貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)。第26貫通孔447(在本發明所稱之第2封閉構件用貫通孔)係連結於一外部電極端子431及石英振動板2之第19貫通孔267者。第27貫通孔448(在本發明所稱之第2封閉 構件用貫通孔)係連結於另一外部電極端子432及石英振動板2之第20貫通孔268者。第26貫通孔447及第27貫通孔448係各位置於第2封閉構件4之平面視長度方向兩端部。
對於此等第26貫通孔447，第27貫通孔448係如圖19，24，25所示，為了謀求形成於一主面411與另一主面412之電極的導通的貫通電極71，則沿著各第26貫通孔447，第27貫通孔448之內壁面而加以形成。 並且，第26貫通孔447，第27貫通孔448之中央部分係成為貫通一主面411與另一主面412之間的中空狀態的貫通部分72。對於各第26貫通孔447，第27貫通孔448之外周圍係加以形成有連接用接合圖案73。另外，對於一主面411係於封閉側第2接合圖案421之內方，加以形成有與設置於石英振動板2之第21貫通孔269之外周圍的連接用接合圖案73接合之連接用接合圖案73。連接用接合圖案73係與封閉側第2接合圖案421同樣的構成，由物理性氣相沉積加以形成於第2封閉構件4之一主面411上之基底PVD膜，和物理性氣相沉積加以層積形成於該基底PVD膜上之電極PVD膜所成。
在石英振動子101A中，第26貫通孔447，第27貫通孔448係在平面視，加以形成於內部空間13之外方。並且，第26貫通孔447，第27貫通孔448係未與封閉側第2接合圖案421加以電性連接。另外，一外部電極端子431，另一外部電極端子432，亦未與封閉側第2 接合圖案421加以電性連接。
在上述構成所成之石英振動子101A中，如以往之技術，未使用另外接著劑等之接合專用材，而石英振動板2與第1封閉構件3則在重疊振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案321之狀態加以擴散接合，而石英振動板2與第2封閉構件4則在重疊振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421之狀態加以擴散接合，加以製造圖19所示之夾層構造之封裝12。經由此，加以氣密封閉封裝12之內部空間13，也就是振動部23之收容空間。然而，振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案321本身則成為在擴散接合後所生成之接合材11，而振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421本身則成為在擴散接合後所生成之接合材11。
此時，各第19貫通孔267，第20貫通孔268，第21貫通孔269，第22貫通孔347，第23貫通孔348，第24貫通孔349，第25貫通孔350，第26貫通孔447，第27貫通孔448之外周圍之連接用接合圖案73彼此亦在加以重疊之狀態而擴散接合。具體而言，加以擴散接合第19貫通孔267及第22貫通孔347之連接用接合圖案73彼此。加以擴散接合第19貫通孔267及第26貫通孔447之連接用接合圖案73彼此。另外，加以擴散接合第20貫通孔268及第24貫通孔349之連接用接合圖案73彼此。加以擴散接合第20貫通孔268及第27貫通孔448之連接用接合圖案73彼此。另外，加以擴散接合第 21貫通孔269及第25貫通孔350之連接用接合圖案73彼此。第21貫通孔269之連接用接合圖案73係在與設置於第2封閉構件4之一主面411的連接用接合圖案73加以重疊之狀態，加以擴散接合。並且，各連接用接合圖案73彼此則成為擴散接合後所生成之接合材14。第23貫通孔348之連接用接合圖案73係在與從石英振動板2之第1激發電極221所導出之第1導出電極223加以重疊之狀態，加以擴散接合。並且，連接用接合圖案73及第1導出電極223本身則成為擴散接合後所生成之接合材14。 經由擴散接合所形成之此等接合材14係完成使貫通孔之貫通電極71彼此導通之作用，及氣密封閉接觸處之作用。然而，在圖19中，以實線而顯示加以設置於封閉用之接合材11之外方的接合材14，而以虛線顯示加以設置於接合材11之內方的接合材14。
在本形態中，第1激發電極221則歷經第23貫通孔348、第1端子37、第22貫通孔347、第19貫通孔267、及第26貫通孔447，而加以電性連接於一外部電極端子431。另外，第2激發電極222則歷經第21貫通孔269、第25貫通孔350、第2端子38、第24貫通孔349、第20貫通孔268、及第27貫通孔448，而加以電性連接於另一外部電極端子432。此時，第1激發電極221，第2激發電極222，一外部電極端子431，及另一外部電極端子432，係未對於為了氣密封閉振動部23之接合材11(振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖 案321，振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421)加以電性連接。也就是，由使第1激發電極221至一外部電極端子431為止之電性連接路徑，歷經第1封閉構件3之一主面311上之第1端子37者，此連接路徑則呈未與接合材11電性連接地加以設置。同樣地，由使第2激發電極222至另一外部電極端子432為止之電性連接路徑，歷經第1封閉構件3之一主面311上之第2端子38者，此連接路徑則呈未與接合材11電性連接地加以設置。
在此封裝12中，第1封閉構件3與石英振動板2係具有1.00μm以下的間隔，而第2封閉構件4與石英振動板2係具有1.00μm以下的間隔。也就是，第1封閉構件3與石英振動板2之間的接合材11的厚度為1.00μm以下，而第2封閉構件4與石英振動板2之間的接合材11的厚度為1.00μm以下(具體而言係在本實施形態之Au-Au接合中為0.15μm~1.00μm)。
在石英振動子101A中，石英振動板2與第2封閉構件4則在重疊振動側第2接合圖案252及封閉側第2接合圖案421之狀態，壓電振動板用貫通孔(第19貫通孔267，第20貫通孔268)之貫通部分72與第2封閉構件用貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)之貫通部分72之至少一部分(在本形態中係貫通部分72之所有)則重疊。另外，石英振動板2與第1封閉構件3則在重疊振動側第1接合圖案251及封閉側第1接合圖案 321之狀態中，重疊有壓電振動板用貫通孔(第19貫通孔267，第20貫通孔268)之貫通部分72與第1封閉構件用貫通孔(第22貫通孔347，第24貫通孔349)之貫通部分72之至少一部分(在本實施形態中係貫通部分72之所有)。並且，在壓電振動板用貫通孔(第19貫通孔267，第20貫通孔268)之貫通部分72，與第1封閉構件用貫通孔(第22貫通孔347，第24貫通孔349)之貫通部分72，與第2封閉構件用貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)之貫通部分72中，各至少一部分(在本形態中係貫通部分72之所有)則重疊。第2封閉構件用貫通孔，壓電振動板用貫通孔，及第1封閉構件用貫通孔之重疊部分係加以設置於封裝12之內部空間13的封閉範圍(接合材11之內周面的內側範圍)之外方。在本形態中，石英振動板2之第21貫通孔269的貫通部分72與第1封閉構件3之第25貫通孔350的貫通部分72之至少一部分(在本形態中係貫通部分72之所有)亦重疊，而第21貫通孔269及第25貫通孔350之貫通部分72係經由金屬等而加以埋入。然而，第21貫通孔269之貫通部分72與第25貫通孔350之貫通部分72則呈未重疊地，偏移第21貫通孔269及第25貫通孔350之位置而設置亦可。另外，做為未由金屬而埋入第21貫通孔269及第25貫通孔350之貫通部分72之構成亦可。
如上述所製造之石英振動子101A係於電路基板61，使用流動性導電接合材(焊錫)62而加以電性連 接。在此，在外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)則加以電性連接於電路基板61之接合構造中，如圖26，27所示，經由焊錫62而埋入第2封閉構件用貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)的貫通部分72，再經由焊錫62而埋入壓電振動板用貫通孔(第19貫通孔267，第20貫通孔268)的貫通部分72，於電路基板61，加以接合石英振動子101A。然而，在圖26所示之接合構造中，第19貫通孔267，第20貫通孔268，第22貫通孔347，第24貫通孔349，第26貫通孔447，第27貫通孔448之貫通部分72則所有經由焊錫62而加以埋入。然而，在圖27所示之接合構造中，第19貫通孔267，第20貫通孔268，第26貫通孔447，第27貫通孔448之貫通部分72則所有經由焊錫62而加以埋入，而第22貫通孔347，第24貫通孔349之貫通部分72之一部分則經由焊錫62而加以埋入。
如根據有關本形態之石英振動子101A，因壓電振動板用貫通孔(第19貫通孔267，第20貫通孔268)之貫通部分72，與第1封閉構件用貫通孔(第22貫通孔347，第24貫通孔349)之貫通部分72，與第2封閉構件用貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)之貫通部分72之至少一部分(在本形態係全部)則重疊之故，由確認重疊之部分者，可防止第1封閉構件3與第2封閉構件4與石英振動板2之層積位置偏移。
另外，在壓電振動板用貫通孔(第19貫通孔 267，第20貫通孔268)之貫通部分72，與第1封閉構件用貫通孔(第22貫通孔347，第24貫通孔349)之貫通部分72，與第2封閉構件用貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)之貫通部分72中，因各至少一部分(在本形態係全部)則重疊之故，即使於為了電性連接於電路基板61所使用之焊錫62，存在有氣泡，亦可通過第2封閉構件用貫通孔，壓電振動板用貫通孔，及第1封閉構件用貫通孔之重疊部分，而從第1封閉構件3之一主面311，除去焊錫62之氣泡於外部者。
加上於此，在經由焊錫62而電性連接外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)於電路基板61時，焊錫62則從外部電極端子順著第2封閉構件用貫通孔(第26貫通孔447，第27貫通孔448)而攀附於第2封閉構件用貫通孔之貫通部分72。另外，如焊錫62之使用量多時，埋入有第2封閉構件用貫通孔之貫通部分72(參照圖26)。此時，經由攀附於貫通部分72之焊錫62的侵蝕作用，擔心氣密封閉石英振動板2之振動部23的內部空間13之氣密性下降。但如根據本形態，作為從石英振動板2之第1激發電極221至一外部電極端子431為止之路徑長度，更且作為從石英振動板2之第2激發電極222至另一外部電極端子432為止之路徑長度，因可確保長距離之故，可抑制對於內部空間13之氣密下降的焊錫62之侵蝕作用的影響者。另外，於氣密封閉石英振動板2之振動部23的內部空間13之封閉範圍的 外方(無關氣密性之範圍)，因加以設置有第2封閉構件用貫通孔，壓電振動板用貫通孔，及第1封閉構件用貫通孔之重疊部分之故，可更一層抑制因焊錫62之侵蝕作用引起之內部空間13之氣密性下降者。
另外，在使用焊錫62而接合石英振動子101A於電路基板61時，焊錫62則從外部電極端子(一外部電極端子431、另一外部電極端子432)順著第2封閉構件用貫通孔而攀附於貫通孔(第2封閉構件用貫通孔，壓電振動板用貫通孔，第1封閉構件用貫通孔)之貫通部分72，埋入有貫通孔之貫通部分72。因此，對於電路基板61之石英振動子101A的接合時產生之接合應力則因僅相當於攀附於貫通孔之貫通部分72之焊錫62的量部分而加以分散之故，成為可使接合時加上於外部電極端子之接合應力降低者。
另外，因於從設置於內部空間13之封閉範圍內之振動部23遠離之位置，加以設置有貫通孔(壓電振動板用貫通孔，第1封閉構件用貫通孔，第2封閉構件用貫通孔)之故，對於石英振動子101A之電路基板61的接合時，貫通孔之貫通部分72則即使作為已和石英振動板2等熱膨脹率不同之焊錫62而埋入，亦可抑制對於產生之接合應力的石英振動板2之振動部23之影響者。
詳細來說，對於石英振動子101A之電路基板61的接合時，以焊錫62而埋入貫通孔之貫通部分72之情況，擔心有經由因焊錫62與石英振動板2等之熱膨脹 率差引起而產生之應力，對於石英振動板2之振動部23帶來不良影響之情況。但如根據本形態，即使作為以焊錫62而埋入有貫通孔之貫通部分72，因加以配置於石英振動板2之振動部23與貫通孔所遠離之位置之故，成為可抑制對於因熱膨脹率差引起之上述應力的石英振動板2之振動部23的影響者。另外，因成為於石英振動板2之振動部23與貫通孔之間，介入存在有封閉範圍之封閉部(經由接合材11所接合之範圍)之故，因熱膨脹率差引起之上述應力，則成為未從埋入於貫通孔之焊錫62，直接傳達至石英振動板2之振動部23者。如此，因熱膨脹率差引起之上述應力的傳達則經由封閉範圍之封閉部(經由接合材11而加以接合之範圍)所遮蔽之故，成為可降低傳達於石英振動板2之振動部23的應力者。
另外，因加以設置有第1端子37及第2端子38於第1封閉構件3之一主面311(未面向石英振動板2之外方的主面)之故，由作為石英振動板2之檢查用端子而利用第1端子37及第2端子38者，可容易地進行石英振動板2之檢查者。具體而言，不僅搭載石英振動子101A於電路基板61之前，而在搭載石英振動子101A於電路基板61之後，亦可容易地進行石英振動板2之檢查者。另外，不限於此，而在加以接合石英振動板2與第1封閉構件3之狀態(未加以接合第2封閉構件4之狀態)中，亦可容易地進行石英振動板2之檢查者。並且，可容易地變更第1端子37及第2端子38之尺寸或形狀，經由 此，可因應要求而微調整從外部電極端子(一外部電極端子431，另一外部電極端子432)所示之石英振動板2之容量者。
此申請係請求依據於2014年1月6日，在日本所申請之日本特願2014-000486號之優先權。經由提及此之時，其所有內容係放入至本申請者。
產業上之利用可能性
本發明係對於壓電振動板之基板材料，使用石英之石英振動裝置(石英振動子或石英振盪器等)而為最佳。
61‧‧‧電路基板
62‧‧‧焊錫
71‧‧‧貫通電極
72‧‧‧貫通部分
101‧‧‧石英振動子
261‧‧‧第1貫通孔
441‧‧‧第2貫通孔
442‧‧‧第3貫通孔

Claims (10)

  1. 一種壓電振動裝置，係加以設置形成有第1激發電極於基板之一主面，而於前述基板之其他主面，加以形成有與前述第1激發電極成為對之第2激發電極之壓電振動板，和被覆前述壓電振動板之前述第1激發電極之第1封閉構件，和被覆前述壓電振動板之前述第2激發電極，於外部之電路基板，加以設置使用流動性導電接合材而電性連接之外部電極端子的第2封閉構件，加以接合前述第1封閉構件與前述壓電振動板，並加以接合前述第2封閉構件與前述壓電振動板，加以形成有氣密封閉包含前述第1激發電極與前述第2激發電極之前述壓電振動板之振動部的內部空間之壓電振動裝置，其特徵為對於前述第2封閉構件，係加以形成有貫通一主面與另一主面之間的第2封閉用構件貫通孔，而於前述另一主面加以形成有前述外部電極端子，對於前述第2封閉構件用貫通孔，係加以形成有為了謀求形成於前述一主面與前述另一主面之電極的導通的貫通電極，且有著貫通部分者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之壓電振動裝置，其中，對於前述壓電振動板，係加以形成有貫通一主面與另 一主面之間的壓電振動板用貫通孔，對於前述壓電振動板用貫通孔，係加以形成有為了導通形成於前述一主面與前述另一主面之電極的導通的貫通電極，且為貫通部分，前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分之至少一部分則重疊者。
  3. 如申請專利範圍第2項記載之壓電振動裝置，其中，對於前述第1封閉構件，係加以形成有貫通一主面與另一主面之間之第1封閉構件用貫通孔，對於前述第1封閉構件用貫通孔，係加以形成有為了謀求形成於前述一主面與前述另一主面之電極的導通的貫通電極，且加以形成貫通部分者，在前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通部分中，各至少一部分則重疊者。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之壓電振動裝置，其中，前述壓電振動板之前述第1激發電極係歷經加以形成於前述第1封閉構件之前述一主面之第1端子，而加以連接於前述第2封閉構件之前述外部電極端子之中之一外部電極端子，前述壓電振動板之前述第2激發電極係歷經加以形成於前述第1封閉構件之前述一主面之第2端子，而加以連 接於前述第2封閉構件之前述外部電極端子之中之另一外部電極端子者。
  5. 如申請專利範圍第4項記載之壓電振動裝置，其中，於前述第1端子與前述一外部電極端子之間，及前述第2端子與前述另一外部電極端子之間，各加以設置前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分與前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分與前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分之重疊部分者
  6. 如申請專利範圍第5項記載之壓電振動裝置，其中，前述各重疊部分係各加以設置於前述內部空間之封閉範圍之外方者。
  7. 如申請專利範圍第1項乃至第6項之中任一項記載之壓電振動裝置，其中，對於前述壓電振動板之一主面，係加以形成有為了封閉接合於前述第1封閉構件之振動側第1接合圖案，對於前述壓電振動板之另一主面，係加以形成有為了封閉接合於前述第2封閉構件之振動側第2接合圖案，對於前述第1封閉構件，係加以形成有為了接合於前述壓電振動板之封閉側第1接合圖案，對於前述第2封閉構件，係加以形成有為了接合於前述壓電振動板之封閉側第2接合圖案，加以擴散接合有前述封閉側第1接合圖案與前述振動 側第1接合圖案，而加以擴散接合有前述封閉側第2接合圖案與前述振動側第2接合圖案，前述第1封閉構件與前述壓電振動板係具有1.00μm以下之間隔，而前述第2封閉構件與前述壓電振動板係具有1.00μm以下之間隔者。
  8. 一種壓電振動裝置與電路基板之接合構造，其特徵為如申請專利範圍第1項或第7項記載之壓電振動裝置則於電路基板，使用流動性導電接合材而加以電性連接，前述外部電極端子則在加以電性連接於前述電路基板時，經由前述流動性導電接合材而加以埋入前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分者。
  9. 一種壓電振動裝置與電路基板之接合構造，其特徵為如申請專利範圍第2項記載之壓電振動裝置則於電路基板，使用流動性導電接合材而加以電性連接，前述外部電極端子則在加以電性連接於前述電路基板時，經由前述流動性導電接合材而加以埋入前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分及前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分者。
  10. 一種壓電振動裝置與電路基板之接合構造，其特徵為如申請專利範圍第3項乃至第6項之中任一項記載之壓電振動裝置則於電路基板，使用流動性導電接合材而加 以電性連接，前述一外部電極端子及前述另一外部電極端子則在加以電性連接於前述電路基板時，經由前述流動性導電接合材而加以埋入前述壓電振動板用貫通孔之貫通部分，前述第2封閉構件用貫通孔之貫通部分及前述第1封閉構件用貫通孔之貫通部分者。
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