CN113228256A - 压电振动器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的压电振动器件中，第一密封构件(20)与晶体振动片(10)接合、第二密封构件(30)与晶体振动片(10)接合，从而形成将包括第一激励电极(111)和第二激励电极(112)的晶体振动片(10)的振动部(11)气密密封的内部空间，第二密封构件(30)上形成有贯穿孔(33)，贯穿孔(33)的内壁面上形成有将第一主面(301)上形成的电极(34)与第二主面(302)上形成的外部电极端子(32)导通的贯穿电极(331)，贯穿电极(331)上设置有针对焊料(120)的耐侵蚀结构，贯穿电极(331)通过金以外的导电性金属使第一主面(301)的电极(34)与第二主面(302)的外部电极端子(32)导通。

Description

压电振动器件
技术领域
本发明涉及压电振动器件。
背景技术
近年，各种电子设备朝着工作频率高频化，封装体小型化(特别是低矮化)方向发展。因此，随着高频化，封装体小型化，要求压电振动器件(例如晶体谐振器，晶体振荡器等)也能应对高频化及封装体小型化。
这种压电振动器件的壳体通常由近似长方体的封装体构成。该封装体包括例如由玻璃或石英晶体构成的第一密封构件和第二密封构件、及例如由石英晶体构成并在两个主面上形成有激励电极的压电振动板，第一密封构件与第二密封构件间通过压电振动板而层叠接合。并且，配置在封装体内部(内部空间)的压电振动板的振动部(激励电极)被气密密封(例如，专利文献1)。以下，将这种压电振动器件的层叠形态称为三明治结构。
如上所述的压电振动器件中，通常利用贯穿孔(通孔)中形成的贯穿电极来实现电极、布线的导通。另外，将压电振动器件安装在外部电路基板(安装基板)上的情况下，一般使用焊料，在第二密封构件的外部电极端子与外部电路基板之间配置焊料。
但是，由于焊料中含有Sn(锡)，所以，在贯穿孔的贯穿电极具有由Au(金)构成的Au膜的情况下，焊料有可能沿着该Au膜湿展(wetting and spreading，润湿扩展)到贯穿电极内。因此，在焊料的侵蚀作用下，构成Au膜的Au会凝聚，从而有可能引起导通电阻增加、断线等问题发生。
【专利文献1】：日本特开2010－252051号公报
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的在于，提供一种能够防止焊料湿展到贯穿孔中形成的贯穿电极内的压电振动器件。
作为解决上述技术问题的技术方案，本发明提供一种压电振动器件，该压电振动器件设置有，在基板的一个主面上形成有第一激励电极、且在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激励电极成对的第二激励电极的压电振动板；将所述压电振动板的所述第一激励电极覆盖的第一密封构件；及将所述压电振动板的所述第二激励电极覆盖的第二密封构件，所述第一密封构件与所述压电振动板相接合、且所述第二密封构件与所述压电振动板相接合，从而形成将包括所述第一激励电极和所述第二激励电极的所述压电振动板的振动部气密密封的内部空间，其特征在于：在所述第二密封构件的另一个主面上，形成有通过焊料与外部电路基板电连接的外部电极端子，在所述第二密封构件上形成有贯穿孔，在该贯穿孔的内壁面上形成有用于将形成在一个主面上的电极与形成在另一个主面上的所述外部电极端子导通的贯穿电极，该贯穿电极上设有针对所述焊料的耐侵蚀结构。更详细而言，所述贯穿电极被构成为，利用金(Au)以外的导电性金属使所述一个主面的所述电极与所述另一个主面的所述外部电极端子相导通。
基于上述结构，第二密封构件的贯穿孔的贯穿电极中，利用金以外的导电性金属使第二密封构件的一个主面的电极与另一个主面的外部电极端子相导通。由此，能阻断贯穿电极中的焊料的侵蚀路径，从而能防止焊料湿展到贯穿电极内，其结果，能避免导通电阻增加、断线等问题发生。
上述结构中，较佳为，所述贯穿电极是通过从所述贯穿孔的内壁面上形成的由所述导电性金属构成的金属膜和该金属膜的内壁面上形成的金膜中，将所述金膜的一部分或全部去除而形成的。
基于该结构，在第二密封构件的贯穿孔的贯穿电极中，能阻断可能成为焊料的侵蚀路径的金膜，并能利用由金以外的导电性金属形成的金属膜，来使第二密封构件的一个主面的电极与另一个主面的外部电极端子间相导通。由此，能阻断贯穿电极中的焊料的侵蚀路径，防止焊料湿展到贯穿电极内，从而能避免导通电阻增加、断线等问题发生。
上述结构中，较佳为，至少在所述贯穿电极的靠所述外部电极端子侧的部分形成的所述金膜被去除。在此情况下，较佳为，所述金膜中，至少从所述贯穿电极的靠所述外部电极端子侧的端部至所述贯穿电极的深度方向的中间位置为止的部分被去除。由此，能在外部电极端子上直接涂布用于安装到外部电路基板的焊料，因而，第二密封构件的贯穿孔的贯穿电极的金膜中，通过去除在外部电极端子侧的部分形成的金膜，能有效地阻断焊料的侵蚀路径，从而能有效地防止焊料湿展到贯穿电极内。
上述结构中，较佳为，所述外部电极端子具有与所述贯穿电极的所述金属膜连接的外部金属膜、及在该外部金属膜上形成的外部金膜，该外部金膜中，在所述贯穿孔的靠所述外部电极端子侧的周缘部形成的外部金膜被去除。由此，安装到外部电路基板时，在直接涂布焊料的外部电极端子中的贯穿孔的周缘部，也能阻断焊料的侵蚀路径，从而能防止焊料湿展到贯穿电极内。
上述结构中，较佳为，在所述第一密封构件上，形成有第一密封构件用贯穿孔，在所述第一密封构件与所述压电振动板之间、及所述压电振动板与所述第二密封构件之间，形成有将所述内部空间气密密封的环形的密封路径，所述第一密封构件用贯穿孔被树脂堵塞。在此情况下，较佳为，所述第一密封构件是AT切晶体振动片，所述第一密封构件用贯穿孔被构成为俯视为沿Z’轴方向延伸的长孔形状，所述树脂被构成为俯视为沿Z’轴方向延伸的近似长圆形状、或长轴方向与Z’轴方向一致的近似椭圆形状。
基于上述结构，能利用树脂防止水分经由第一密封构件用贯穿孔的贯穿部分侵入到压电振动器件的内部。从而，能防止由侵入到压电振动器件内部的水分引起的密封路径的腐蚀、确保密封路径的气密性。
上述结构中，较佳为，所述树脂以不从所述第一密封构件的一个主面和另一个主面突出的状态容纳在所述第一密封构件用贯穿孔内。由此，能容易地控制包含有树脂的第一密封构件的厚度，提高密封路径的气密密封的可靠性。
＜发明效果＞
基于本发明的压电振动器件，在第二密封构件的贯穿孔的贯穿电极中，利用金以外的导电性金属来使第二密封构件30的一个主面的电极与另一个主面的外部电极端子导通。由此，能阻断贯穿电极中的焊料的侵蚀路径，防止焊料湿展到贯穿电极内，从而能避免导通电阻增加、断线等问题发生。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式所涉及的晶体振荡器的各构成部分的概要结构图。
图2是晶体振荡器的第一密封构件的第一主面侧的概要俯视图。
图3是晶体振荡器的第一密封构件的第二主面侧的概要俯视图。
图4是晶体振荡器的晶体振动片的第一主面侧的概要俯视图。
图5是晶体振荡器的晶体振动片的第二主面侧的概要俯视图。
图6是晶体振荡器的第二密封构件的第一主面侧的概要俯视图。
图7是晶体振荡器的第二密封构件的第二主面侧的概要俯视图。
图8是晶体振荡器的第二密封构件的贯穿孔的概要截面图。
图9是表示变形例一所涉及的晶体振荡器的与图8对应的图。
图10是表示变形例二所涉及的晶体振荡器的与图8对应的图。
图11是表示变形例三所涉及的晶体振荡器的与图8对应的图。
图12是表示变形例四所涉及的晶体振荡器的第一密封构件的贯穿孔的概要俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，在下述实施方式中，对于采用了本发明的压电振动器件是晶体振荡器的情况进行说明。
首先，对本实施方式所涉及的晶体振荡器100的基本结构进行说明。如图1所示，晶体振荡器100具备晶体振动片(压电振动板)10、第一密封构件20、第二密封构件30、及IC芯片40。该晶体振荡器100中，晶体振动片10与第一密封构件20相接合；晶体振动片10与第二密封构件30相接合，从而构成近似长方体的三明治结构的封装体。即，晶体振荡器100中，晶体振动片10的两个主面分别与第一密封构件20及第二密封构件30接合而形成封装体的内部空间(空室)C1，在该内部空间C1内，振动部11(参照图4、图5)被气密密封。
另外，在第一密封构件20的与晶体振动片10接合面的反面侧的主面上，安装有IC芯片40。作为电子部件元件的IC芯片40是与晶体振动片10一起构成振荡电路的单芯片集成电路元件。
本实施方式所涉及的晶体振荡器100的封装体尺寸例如为1.0×0.8mm，实现了小型化与低矮化。另外，伴随小型化，封装体中未形成雉堞墙，而是采用后述的贯穿孔来实现电极的导通。另外，晶体振荡器100通过焊料120与设置在外部的外部电路基板(安装基板)110电连接。
下面，参照图1～图7，对上述晶体振荡器100中的晶体振动片10、第一密封构件20、及第二密封构件30的各部件进行说明。另外，在此，对尚未接合的、分别被构成为单体的各部件进行说明。图2～图7仅仅示出晶体振动片10、第一密封构件20、及第二密封构件30各自的一种构成例，对本发明不产生限定作用。
如图4、图5所示，晶体振动片10是由石英水晶构成的压电基板，其两个主面(第一主面101、第二主面102)被加工(镜面加工)成平坦的平滑面。本实施方式中，作为晶体振动片10，使用进行厚度剪切振动的AT切石英晶体片。图4、5所示的晶体振动片10中，晶体振动片10的两个主面(第一主面101、第二主面102)在XZ′平面上。该XZ′平面中，与晶体振动片10的短边方向平行的方向为X轴方向；与晶体振动片10的长边方向平行的方向为Z′轴方向。另外，AT切是指，作为人工石英晶体的三个晶轴的电轴(X轴)、机械轴(Y轴)、及光学轴(Z轴)中，在相对Z轴绕X轴旋转35°15′后的角度进行切割的加工手法。AT切石英晶体片中，X轴与石英晶体的晶轴一致。Y′轴及Z′轴为相对石英晶体的晶轴的Y轴及Z轴分别倾斜了35°15′(该切断角度可在调节AT切晶体振动片的频率温度特性的范围内少量变动)的轴一致。Y′轴方向及Z′轴方向与将AT切石英晶体片切割出来时的切割方向相当。
在晶体振动片10的两个主面101、102上，形成有一对激励电极(第一激励电极111、第二激励电极112)。晶体振动片10具有被构成为大致矩形的振动部11、将该振动部11的外周包围的外框部12、及通过将振动部11与外框部12连接而保持着振动部11的保持部13。即，晶体振动片10采用将振动部11、外框部12、及保持部13构成为一体的结构。保持部13只从位于振动部11的+X方向及－Z′方向的一个角部朝着－Z′方向延伸(突出)至外框部12。
第一激励电极111设置在振动部11的第一主面101侧，第二激励电极112设置在振动部11的第二主面102侧。在第一激励电极111、第二激励电极112上，连接有用于将这些激励电极连接到外部电极端子上的引出布线(第一引出布线113、第二引出布线114)。第一引出布线113从第一激励电极111被引出，并经由保持部13与外框部12上形成的连接用接合图案14相连。第二引出布线114从第二激励电极112被引出，并经由保持部13与外框部12上形成的连接用接合图案15相连。
在晶体振动片10的两个主面(第一主面101、第二主面102)上，分别设置有用于将晶体振动片10与第一密封构件20及第二密封构件30接合的振动侧密封部。作为第一主面101的振动侧密封部，形成有振动侧第一接合图案121；作为第二主面102的振动侧密封部，形成有振动侧第二接合图案122。振动侧第一接合图案121及振动侧第二接合图案122被设置在外框部12上，俯视为环形。
另外，如图4、图5所示，在晶体振动片10上，形成有将第一主面101与第二主面102之间穿透的五个贯穿孔。具体而言，四个第一贯穿孔161分别设置在外框部12的四个角落(角部)的区域中。第二贯穿孔162设置在外框部12上的振动部11的Z′轴方向的一侧(图4、图5中，是－Z′方向侧)。在第一贯穿孔161的周围，分别形成有连接用接合图案123。另外，在第二贯穿孔162的周围，第一主面101侧形成有连接用接合图案124；第二主面102侧形成有连接用接合图案15。
在第一贯穿孔161及第二贯穿孔162中，沿着贯穿孔各自的内壁面分别形成有用于将第一主面101上形成的电极与第二主面102上形成的电极导通的贯穿电极。另外，第一贯穿孔161及第二贯穿孔162各自的中间部分成为将第一主面101与第二主面102之间穿透的中空状态的贯穿部分。
如图2、图3所示，第一密封构件20是由一块AT切石英晶体板形成的长方体基板，该第一密封构件20的第二主面202(与晶体振动片10接合的面)被形成(镜面加工)为平坦的平滑面。另外，第一密封构件20不具有振动部，但通过与晶体振动片10一样使用AT切石英晶体板，能使晶体振动片10的热膨胀率与第一密封构件20的热膨胀率相同，从而抑制晶体振荡器100中的热变形。另外，第一密封构件20中的X轴、Y轴、及Z′轴的朝向也与晶体振动片10的相同。
如图2所示，在第一密封构件20的第一主面201(安装IC芯片40的面)上，形成有六个电极图案22，该六个电极图案22包含用于安装作为振荡电路元件的IC芯片40的安装垫。IC芯片40利用金属凸点(例如金凸点等)23(参照图1)通过FCB(Flip Chip Bonding，倒装焊接)法而接合在电极图案22上。
如图2、图3所示，在第一密封构件20上形成有分别与六个电极图案22连接、将第一主面201与第二主面202之间穿透的六个贯穿孔。具体而言，四个第三贯穿孔211被设置在第一密封构件20的四个角落(角部)的区域中。第四贯穿孔212、第五贯穿孔213分别设置在图2、图3的+Z′方向及－Z′方向。
在第三贯穿孔211、第四贯穿孔212、及第五贯穿孔213中，沿着贯穿孔各自的内壁面形成有用于将形成在第一主面201上的电极与形成在第二主面202上的电极导通的贯穿电极。另外，第三贯穿孔211、第四贯穿孔212、及第五贯穿孔213各自的中间部分成为将第一主面201与第二主面202之间穿透的中空状态的贯穿部分。
在第一密封构件20的第二主面202上，形成有用于与晶体振动片10接合的作为密封侧第一密封部的密封侧第一接合图案24。密封侧第一接合图案24被形成为俯视呈环形。
另外，第一密封构件20的第二主面202上，在第三贯穿孔211的周围分别形成有连接用接合图案25。在第四贯穿孔212的周围形成有连接用接合图案261；在第五贯穿孔213的周围形成有连接用接合图案262。并且，在相对于连接用接合图案261为第一密封构件20的长轴方向的反面侧(－Z′方向侧)上形成有连接用接合图案263，连接用接合图案261与连接用接合图案263之间通过布线图案27相连接。
如图6、图7所示，第二密封构件30是由一块AT切石英晶体板形成的长方体基板，该第二密封构件30的第一主面301(与晶体振动片10接合的面)被形成(镜面加工)为平坦的平滑面。另外，较佳为，第二密封构件30也与晶体振动片10一样使用AT切石英晶体板，X轴、Y轴、及Z′轴的朝向也与晶体振动片10相同。
在该第二密封构件30的第一主面301上，形成有用于与晶体振动片10接合的作为密封侧第二密封部的密封侧第二接合图案31。密封侧第二接合图案31被形成为俯视呈环形。
在第二密封构件30的第二主面302(不面对晶体振动片10的、外侧的主面)上，设置有与晶体振荡器100的设置在外部的外部电路基板通过焊料120而电连接的四个外部电极端子32。外部电极端子32分别位于第二密封构件30的第二主面302的四个角落(角部)上。
如图6、图7所示，在第二密封构件30上形成有将第一主面301与第二主面302之间穿透的四个贯穿孔。具体而言，四个第六贯穿孔33被设置在第二密封构件30的四个角落(角部)的区域中。在第六贯穿孔33中，沿着第六贯穿孔33各自的内壁面形成有用于将形成在第一主面301上的电极与形成在第二主面302上的电极导通的贯穿电极(参照图8)。通过这样在第六贯穿孔33的内壁面上形成的贯穿电极331，形成在第一主面301上的电极与形成在第二主面302上的外部电极端子32可被导通。另外，第六贯穿孔33各自的中间部分成为将第一主面301与第二主面302之间穿透的中空状态的贯穿部分333(参照图8)。另外，第二密封构件30的第一主面301上，在各个第六贯穿孔33的周围分别形成有连接用接合图案34。
包括上述晶体振动片10、第一密封构件20、及第二密封构件30的晶体振荡器100中，晶体振动片10与第一密封构件20在使振动侧第一接合图案121和密封侧第一接合图案24相重叠的状态下扩散接合；晶体振动片10与第二密封构件30在使振动侧第二接合图案122和密封侧第二接合图案31相重叠的状态下扩散接合，从而制成图1所示的三明治结构的封装体。由此，封装体的内部空间C1，即，振动部11的容纳空间被气密密封。
此时，上述连接用接合图案彼此也在相重叠的状态下扩散接合。这样，通过连接用接合图案彼此间的接合，晶体振荡器100中，第一激励电极111、第二激励电极112、IC芯片40、及外部电极端子32实现了电导通。
具体而言，第一激励电极111依次经由第一引出布线113、布线图案27、第四贯穿孔212、及电极图案22，而与IC芯片40连接。第二激励电极112依次经由第二引出布线114、第二贯穿孔162、第五贯穿孔213、及电极图案22，而与IC芯片40连接。另外，IC芯片40依次经由电极图案22、第三贯穿孔211、第一贯穿孔161、及第六贯穿孔33，而与外部电极端子32连接。
晶体振荡器100中，各种接合图案是通过多个层在石英晶体板上层叠而构成的，较佳为从其最下层侧起蒸镀形成Ti(钛)层和Au(金)层。另外，较佳为，在晶体振荡器100上形成的其它布线、电极也采用与接合图案相同的结构，这样便可同时将接合图案、布线、及电极图案化。
如上所述那样构成的晶体振荡器100中，将晶体振动片10的振动部11气密密封的密封部(密封路径)115、116被形成为俯视呈环形。密封路径115由上述振动侧第一接合图案121和密封侧第一接合图案24的扩散接合而形成，密封路径115的外缘形状及内缘形状为近似八角形。同样，密封路径116由上述振动侧第二接合图案122与密封侧第二接合图案31的扩散接合而形成，密封路径116的外缘形状及内缘形状为近似八角形。
通过这样扩散接合而形成了密封路径115、116的晶体振荡器100中，第一密封构件20与晶体振动片10之间存在1.00μm以下的间隔，第二密封构件30与晶体振动片10之间存在1.00μm以下的间隔。即，第一密封构件20与晶体振动片10之间的密封路径115的厚度在1.00μm以下；第二密封构件30与晶体振动片10之间的密封路径116的厚度在1.00μm以下(具体而言，本实施方式的Au－Au接合中是0.15μm～1.00μm)。另外，作为比较例，采用Sn的现有技术的金属膏密封材料的情况下是5μm～20μm。
下面，参照图8，对第二密封构件30的四个角落的区域中设置的第六贯穿孔33的贯穿电极331的针对焊料120的耐侵蚀结构进行说明。
如图8所示，第六贯穿孔33在面内方向的中间附近具有贯穿部分333，并有从第六贯穿孔33的周边部分朝着中间部分的贯穿部分333倾斜的倾斜面33a。另外，通过从由AT切石英晶体板构成的第二密封构件30的两个主面301、302进行蚀刻而形成第六贯穿孔33，而对第二密封构件30的两个主面301、302形成了倾斜面33a。
如此，在形成于第二密封构件30的第六贯穿孔33的内壁面(倾斜面33a)上，形成有贯穿电极331。通过贯穿电极331，第二密封构件30的第一主面301上形成的电极(连接用接合图案)34与第二主面302上形成的外部电极端子32相导通。
第一主面301的电极34具有，由在第一主面301上例如通过蒸镀而成膜的第一导电性金属构成的第一金属膜34a、以及由在该第一金属膜34a上例如通过蒸镀而成膜的Au(金)构成的Au膜34c。第二主面302的外部电极端子32具有，由在第二主面302上例如通过蒸镀而成膜的第一导电性金属构成的第一金属膜32a、由在该第一金属膜32a上例如通过蒸镀而成膜的第二导电性金属构成的第二金属膜32b、以及由在该第二金属膜32b上例如通过蒸镀而成膜的Au(金)构成的Au膜32c。第六贯穿孔33的贯穿电极331具有，由在第六贯穿孔33的倾斜面33a上例如通过蒸镀而成膜的第一导电性金属构成的第一金属膜331a、以及由在该第一金属膜331a上例如通过蒸镀而成膜的第二导电性金属构成的第二金属膜331b。
本实施方式中，使用Ti(钛)作为第一导电性金属；使用Ni(镍)作为第二导电性金属。另外，上述第一导电性金属、第二导电性金属只是一例，可以使用上述金属以外的导电性金属。另外，上述贯穿电极331、外部电极端子32、及电极34的多层结构只是一例，各电极的层数不受特别的限定。例如，电极34可以与外部电极端子32一样，采用具有第二金属膜的三层结构，或者，外部电极端子32可以与电极34一样，采用没有第二金属膜的二层结构。
电极34的第一金属膜34a、贯穿电极331的第一金属膜331a、及外部电极端子32的第一金属膜32a被构成为一体。另外，贯穿电极331的第二金属膜331b与外部电极端子32的第二金属膜32b被构成为一体。
另一方面，电极34的Au膜34c与外部电极端子32的Au膜32c未构成为一体，在第六贯穿孔33的内部被阻断。贯穿电极331通过Au以外的导电性金属，使电极34与外部电极端子32相导通。在此情况下，可通过将第六贯穿孔33的倾斜面33a上形成的Au膜去除而形成贯穿电极331。即，在第六贯穿孔33的倾斜面33a上也预先形成Au膜，将该Au膜与电极34的Au膜34c及外部电极端子32的Au膜32c形成为一体。然后，通过例如利用金属蚀刻将第六贯穿孔33的倾斜面33a的Au膜去除，而形成不含Au膜的贯穿电极331。
另外，可以如图8所示那样，将第六贯穿孔33的倾斜面33a的Au膜的全部去除；也可以如图9的变形例一所示那样，将第六贯穿孔33的倾斜面33a的Au膜331c的一部分去除。图9所示的贯穿电极331中，在贯穿电极331的上下方向(Y′轴方向)的两个端部的局部形成有Au膜331c，在贯穿电极331的上下方向的中间部分未设置Au膜331c，在贯穿电极331的上下方向的中间部分，Au膜331c被阻断。
本实施方式中，从第六贯穿孔33的贯穿电极331将Au膜的一部分或全部去除，并利用Au以外的导电性金属实现贯穿电极331的导通，因而，对焊料120具有耐侵蚀性。由此，能防止焊料120湿展到第六贯穿孔33中形成的贯穿电极331内。以下，对此进行说明。
将晶体振荡器100安装到外部电路基板110时，一般使用焊料120，焊料120被配置在第二密封构件30的外部电极端子32与外部电路基板110之间。但是，由于焊料120含有Sn(锡)，所以在贯穿电极331具有Au膜的情况下，焊料120有可能沿着该Au膜湿展到贯穿电极331内。因此，在焊料120的侵蚀作用下，构成Au膜的Au会凝聚，从而有可能导致导通电阻增加、断线等问题发生。因而，若采用贯穿电极331通过Au膜而导通的结构，则会存在该Au膜成为焊料120的侵蚀路径的可能性。
对此，本实施方式中，在第六贯穿孔33的贯穿电极331中，将可能成为焊料120的侵蚀路径的Au膜阻断，并通过由Au以外的导电性金属构成的第一金属膜331a使第二密封构件30的第一主面301的电极34与第二主面302的外部电极端子32相导通。由此，能阻断贯穿电极331中的焊料120的侵蚀路径，防止焊料120湿展到贯穿电极331内，从而能防止导通电阻增加、断线等问题发生。
本实施方式中，较佳为，对第二密封构件30的四个角落的区域中设置的第六贯穿孔33的贯穿电极331全部设置上述针对焊料120的耐侵蚀结构。另外，较佳为，与第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331一样，对晶体振动片10的第一贯穿孔161的贯穿电极、或第一密封构件20的第三贯穿孔211的贯穿电极也设置与上述结构相同的针对焊料120的耐侵蚀结构。或者，较佳为，与第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331一样，对晶体振动片10的第一贯穿孔161的贯穿电极、及第一密封构件20的第三贯穿孔211的贯穿电极也设置与上述结构相同的针对焊料120的耐侵蚀结构。
本次公开的实施方式只是对各方面的示例，不作为限定性解释的依据。因而，本发明的技术范围不能只根据上述实施方式进行解释，要根据权利要求书的记载来界定。另外，本发明包含与权利要求等同的意义及范围内的所有变更。
上述实施方式中，对于将本发明应用于晶体振荡器100的情况进行了说明。但不局限于此，也可以将本发明应用于由第一密封构件20、晶体振动片10、及第二密封构件30层叠而构成的晶体谐振器。
上述实施方式中，第二密封构件30的第二主面302的外部电极端子32的个数为4个，但不局限于此，外部电极端子32的个数例如可为2个、6个、或8个等。
上述实施方式中，对于从第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331将Au膜的一部分或全部去除的情况进行了说明。但不局限于此，除了从贯穿电极331将Au膜的一部分或全部去除之外，还可以采用在第二主面302的外部电极端子32中，将第六贯穿孔33的周围的部分(周缘部)去除的结构。例如，在图10所示的变形例二中，是从贯穿电极331的下侧部分(靠外部电极端子32侧的部分，例如－Y′方向的部分)、及外部电极端子32中位于第六贯穿孔33周围的部分将Au膜去除。另外，从贯穿电极331将Au膜的一部分去除的情况下，较佳为，将比贯穿电极331的上下方向(Y′轴方向)的中间位置更靠下侧的部分(靠外部电极端子32侧的部分，例如－Y′方向的部分)的Au膜全部去除。
出于更有效地阻断焊料120的侵蚀路径的观点，较佳为，如图10所示那样，至少将在第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331的下侧部分形成的Au膜去除。即，只要至少从贯穿电极331的靠外部电极端子32侧的端部至贯穿电极331的深度方向的中间位置为止的部分被去除即可。在此情况下，第六贯穿孔33的截面形状为，深度方向的中间部分变窄的近似沙漏状，即，从开口端侧(第一主面301侧及第二主面302侧)朝着深度方向的中间部分开口面积逐渐减小。在具有这样的截面形状的第六贯穿孔33中形成的贯穿电极331中，从外部电极端子32侧的端部至超过贯穿电极331的深度方向的中间位置的部分为止，Au膜被去除。
由此，能在外部电极端子32上直接涂布用于安装到外部电路基板110上的焊料120，因而，第六贯穿孔33的贯穿电极331的Au膜中，由于在靠外部电极端子32侧的部分形成的Au膜被去除，所以能有效地阻断焊料120的侵蚀路径，从而能有效地防止焊料120湿展到贯穿电极331内。另外，只要从靠外部电极端子32侧的端部至贯穿电极331的中间位置为止的部分的Au膜全部被去除即可，对于超过贯穿电极331的中间位置的部分，Au膜被去除的量(部位)不受特别限定。
并且，在外部电极端子32的位于第六贯穿孔33周围的部分(周缘部)中，Au膜32c被阻断。如图10所示，在外部电极端子32的最上层形成的Au膜(外部Au膜)32c中，在第六贯穿孔33的靠外部电极端子32侧的周缘部形成的Au膜32c被去除。由此，安装到外部电路基板110时，在直接涂布焊料120的外部电极端子32的位于第六贯穿孔33周围的部分，也能将焊料120的侵蚀路径阻断，因而，能防止焊料120湿展到贯穿电极331内，从而能防止导通电阻增加、断线等问题发生。
上述实施方式中，对于将在第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331的最上层形成的Au膜的一部分或全部去除的情况进行了说明。但不局限于此，本发明也适用于Au膜形成在第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331内部的结构。在此情况下，只要将贯穿电极331内部的Au膜、以及形成在比Au膜更靠表面侧的金属膜去除即可。
另外，图11所示的变形例三中，采用在第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331的Au膜331c余留的状态下，在Au膜331c上形成由Au以外的金属(例如Ti)构成的金属膜332的结构。即，Au膜331c的内壁面被由Au以外的金属构成的金属膜332覆盖。在此情况下，能够防止焊料120沿着在第二密封构件30的第六贯穿孔33的贯穿电极331的最上层形成的Au膜331c湿展，从而能防止导通电阻增加、断线等问题发生。另外，出于切实防止焊料120湿展到贯穿电极331内的观点，较佳为，如上述实施方式那样，将金属膜332的下层的Au膜331c去除。
上述实施方式中，可以如图12的变形例四所示那样，采用使用树脂211b将第一密封构件20的第三贯穿孔211的贯穿部分211a堵塞的结构。在图12所示的变形例四中，第一密封构件20的第三贯穿孔211的第一主面201侧(+Y′方向侧)的部分被树脂211b填埋。由此，通过树脂211b，能防止水分经由第三贯穿孔211的贯穿部分211a侵入到晶体振荡器100的内部。因而，能防止侵入到晶体振荡器100内部的水分引起密封路径115、116腐蚀(Ti腐蚀)的情况发生，从而能确保密封路径115、116的气密性。
在此，第一密封构件20的第三贯穿孔211如图12所示那样，贯穿部分211a被构成为俯视为沿Z’轴方向延伸的长孔形状。使用圆形的树脂211b的情况下，存在第三贯穿孔211的贯穿部分211a的Z’轴方向的端部未能被树脂211b堵塞的可能性。对此，本变形例中，将树脂211b形成为俯视为沿Z’轴方向延伸的近似长圆形状、或长轴方向与Z’轴方向一致的近似椭圆形状。由此，能确保第三贯穿孔211的贯穿部分211a的Z’轴方向的端部被树脂211b堵塞。如此，通过将树脂211b形成为与第三贯穿孔211的贯穿部分211a相对应的形状，能切实地防止水分从第三贯穿孔211的贯穿部分211a侵入到晶体振荡器100的内部。因而，能防止侵入到晶体振荡器100内部的水分引起密封路径115、116腐蚀(Ti腐蚀)的情况发生，从而能更切实地确保密封路径115、116的气密性。另外，与第一密封构件20的第三贯穿孔211的第一主面201侧(+Y′方向侧)的部分一样，对于第三贯穿孔211的第二主面202侧(－Y′方向侧)的部分也可以采用同样设置有树脂211b的结构。另外，对于第二密封构件30的第六贯穿孔33、晶体振动片10的第一贯穿孔161，也可以采用同样由树脂堵塞的结构。
另外，树脂211b以不从第一密封构件20的第一主面201及第二主面202突出的状态容纳在第三贯穿孔211内。即，容纳在第三贯穿孔211内的树脂211b的上表面位于比第一密封构件20的第一主面201更低的位置(－Y′方向侧的位置)；树脂211b的下表面位于比第一密封构件20的第二主面202更高的位置(+Y′方向侧的位置)。如此，树脂211b的整个部分均容纳在第三贯穿孔211内，因而，容易控制包含有树脂211b的第一密封构件20的厚度，从而能提高密封路径115、116的气密密封的可靠性。
另外，上述实施方式中，用石英晶体板构成第一密封构件20及第二密封构件30，但不局限于此，例如也可以用玻璃构成第一密封构件20及第二密封构件30。
本申请基于2018年12月27日在日本提出的特愿2018－244559号要求优先权。不言而喻，其所有内容被导入到本申请。
＜附图标记说明＞
10 晶体振动片(压电振动板)
11 振动部
20 第一密封构件
30 第二密封构件
32 外部电极端子
33 第六贯穿孔(通孔)
100 晶体振荡器(压电振动器件)
110 外部电路基板
111 第一激励电极
112 第二激励电极
120 焊料
301 第一主面(一个主面)
302 第二主面(另一个主面)
331 贯穿电极。

Claims (9)

1.一种压电振动器件，设置有在基板的一个主面上形成有第一激励电极、且在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激励电极成对的第二激励电极的压电振动板；将所述压电振动板的所述第一激励电极覆盖的第一密封构件；及将所述压电振动板的所述第二激励电极覆盖的第二密封构件，所述第一密封构件与所述压电振动板相接合、且所述第二密封构件与所述压电振动板相接合，从而形成将包括所述第一激励电极和所述第二激励电极的所述压电振动板的振动部气密密封的内部空间，其特征在于：
在所述第二密封构件的另一个主面上，形成有通过焊料与外部电路基板电连接的外部电极端子，
在所述第二密封构件上形成有贯穿孔，在该贯穿孔的内壁面上形成有用于将形成在一个主面上的电极与形成在另一个主面上的所述外部电极端子导通的贯穿电极，该贯穿电极上设有针对所述焊料的耐侵蚀结构。
2.如权利要求1所述的压电振动器件，其特征在于：
所述贯穿电极被构成为，利用金以外的导电性金属使所述一个主面的所述电极与所述另一个主面的所述外部电极端子相导通。
3.如权利要求2所述的压电振动器件，其特征在于：
所述贯穿电极是通过从所述贯穿孔的内壁面上形成的由所述导电性金属构成的金属膜和该金属膜的内壁面上形成的金膜中，将所述金膜的一部分或全部去除而形成的。
4.如权利要求3所述的压电振动器件，其特征在于：
至少在所述贯穿电极的靠所述外部电极端子侧的部分形成的所述金膜被去除。
5.如权利要求4所述的压电振动器件，其特征在于：
所述金膜中，至少从所述贯穿电极的靠所述外部电极端子侧的端部至所述贯穿电极的深度方向的中间位置为止的部分被去除。
6.如权利要求4或5所述的压电振动器件，其特征在于：
所述外部电极端子具有与所述贯穿电极的所述金属膜连接的外部金属膜、及在该外部金属膜上形成的外部金膜，该外部金膜中，在所述贯穿孔的靠所述外部电极端子侧的周缘部形成的外部金膜被去除。
7.如权利要求1至6中任一项所述的压电振动器件，其特征在于：
在所述第一密封构件上，形成有第一密封构件用贯穿孔，
在所述第一密封构件与所述压电振动板之间、及所述压电振动板与所述第二密封构件之间，形成有将所述内部空间气密密封的环形的密封路径，
所述第一密封构件用贯穿孔被树脂堵塞。
8.如权利要求7所述的压电振动器件，其特征在于：
所述第一密封构件是AT切晶体振动片，
所述第一密封构件用贯穿孔被构成为，俯视为沿Z’轴方向延伸的长孔形状，
所述树脂被构成为，俯视为沿Z’轴方向延伸的近似长圆形状、或长轴与Z’轴方向一致的近似椭圆形状。
9.如权利要求7或8所述的压电振动器件，其特征在于：
所述树脂以不从所述第一密封构件的一个主面和另一个主面突出的状态容纳在所述第一密封构件用贯穿孔内。
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