TW201806096A - 貫通電極基板及其製造方法、以及安裝基板 - Google Patents

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Abstract

貫通電極基板的製造方法係具備：準備包含第1面及位於第1面的相反側的第2面且設有貫通孔的基板之工程；在基板的第1面設置阻塞貫通孔的密封層之工程；在貫通孔的內部形成貫通電極之電極形成工程，該貫通電極係具有沿著貫通孔的側壁而延伸的第1部分，及被連接至第1部分，且沿著密封層而擴展的第2部分；及除去密封層的工程。

Description

貫通電極基板及其製造方法、以及安裝基板
本案的實施形態是有關貫通電極基板及其製造方法。又，本案的實施形態是有關具備貫通電極基板的安裝基板。
具備：包含第1面及第2面的基板，及被設於基板的複數的貫通孔，以及被設於貫通孔的內部的電極之構件，所謂的貫通電極基板會被利用於各種的用途。例如，貫通電極基板為了提高LSI的安裝密度而使複數的LSI晶片層疊時，作為使介於2個的LSI晶片之間的載板(interposer)利用。並且，貫通電極基板也有使介於LSI晶片等的元件與主板等的安裝基板之間的情形。另外，在以下的記載中，也有將設於貫通孔的內部之電極稱為貫通電極的情形。
貫通電極的例子，有所謂的填孔(filled via)或模孔(conformal via)為人所知。填孔的情況，貫通電極是包含被充填於貫通孔的內部的銅等的導電性材料。在圖37中顯示具備作為填孔構成的貫通電極22之貫 通電極基板的一例。模孔的情況，貫通電極是例如專利文獻1所揭示般包含：沿著孔的側壁而擴展的壁面導電層，及被設於基板的第1面上的第1面導電層，以及被設於基板的第2面上的第2面導電層。在圖38中顯示具備作為模孔構成的貫通電極22之貫通電極基板的一例。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-103586號公報
為了有效活用貫通電極基板的表面的面積，最好是可在基板之中設有貫通孔的領域配置LSI晶片等的元件。然而，模孔的情況，由於貫通電極位於貫通孔的壁面及基板的表面，因此無法在基板之中設有貫通孔的領域配置元件。
本案的實施形態是考慮如此的點而研發者，以提供一種可在基板之中設有貫通孔的領域配置元件之貫通電極基板及其製造方法為目的。
本案之一實施形態，係一種貫通電極基板的製造方法，具備：準備包含第1面及位於前述第1面的相反側的第2面且設有貫通孔的基板之工程； 在前述基板的前述第1面設置阻塞前述貫通孔的密封層之工程；在前述貫通孔的內部形成貫通電極之電極形成工程，該貫通電極係具有沿著前述貫通孔的側壁而延伸的第1部分，及被連接至前述第1部分，且沿著前述密封層而擴展的第2部分；及除去前述密封層的工程。
本案之一實施形態的貫通電極基板的製造方法，亦可更具備：在前述基板的前述第1面側形成配線層之工程，該配線層係具有被連接至前述貫通電極的前述第2部分之導電層。
在本案之一實施形態的貫通電極基板的製造方法中，在前述基板的前述第1面的面方向，前述配線層的前述導電層之中被連接至前述貫通電極的前述第2部分之部分的尺寸亦可比前述貫通電極的前述第2部分的尺寸更小。
在本案之一實施形態的貫通電極基板的製造方法中，前述導電層亦可包含電極部，該電極部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，重疊於前述貫通電極的前述第2部分，且具有被前述第2部分包圍的輪廓。
在本案之一實施形態的貫通電極基板的製造方法中，前述導電層亦可包含複數的前述電極部。
在本案之一實施形態的貫通電極基板的製造 方法中，前述導電層亦可包含導線部，該導線部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，與前述貫通電極的前述第2部分的輪廓交叉。
在本案之一實施形態的貫通電極基板的製造方法中，前述導電層亦可包含複數的前述導線部。
在本案之一實施形態的貫通電極基板的製造方法中，前述基板係包含玻璃。
本案之一實施形態係一種貫通電極基板，其特徵具備：基板，其係包含第1面及位於前述第1面的相反側的第2面，且設有貫通孔；及貫通電極，其係設於前述基板的前述貫通孔的內部，前述貫通電極係具有：第1部分，其係沿著前述貫通孔的側壁而擴展；及第2部分，其係被連接至前述第1部分，以能夠在前述基板的前述第1面側接觸於前述貫通孔的側壁之方式在前述第1面的面方向擴展，在前述貫通孔的內部對向的前述第1部分的表面之間存在中空部。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述貫通電極的前述第2部分亦可為位於與前述基板的前述第1面同一平面上。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述基板的前述第1面的面方向的前述貫通孔的尺寸亦可為 隨著從前述第1面往前述第2面而增加。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述基板亦可包含玻璃。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，在前述基板形成有複數的前述貫通孔及複數的前述貫通電極，在前述基板的前述第1面，前述貫通電極的前述第2部分均一地分布。
本案之一實施形態的貫通電極基板亦可更具備配線層，其係被設於前述基板的前述第1面側，具有被連接至前述貫通電極的前述第2部分之導電層。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，在前述基板的前述第1面的面方向，前述配線層的前述導電層之中被連接至前述貫通電極的前述第2部分之部分的尺寸亦可比前述貫通電極的前述第2部分的尺寸更小。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述導電層亦可包含電極部，其係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，重疊於前述貫通電極的前述第2部分，且具有被前述第2部分包圍的輪廓。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述導電層亦可包含複數的前述電極部。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述導電層亦可包含導線部，該導線部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，與前述貫通電極的前述第2部分的輪廓交叉。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述導電層亦可包含複數的前述導線部。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述配線層亦可更具有：包含有機材料的絕緣層，及包含無機材料的應力緩和層。
在本案之一實施形態的貫通電極基板中，前述配線層係具有：第1配線層，其係包含位於前述基板的前述第1面13上的前述導電層及前述絕緣層；及第2配線層，其係包含位於前述第1配線層上的前述導電層及前述絕緣層，前述應力緩和層係位於前述基板的前述第1面與前述第1配線層的前述絕緣層之間或前述第1配線層的前述絕緣層與前述第2配線層的前述絕緣層之間的至少任一個。
本案之一實施形態係一種安裝基板，其特徵係具備：貫通電極基板；及被搭載於前述貫通電極基板的元件，前述貫通電極基板係具備：基板，其係設有從第1面往位於前述第1面的相反側的第2面貫通的貫通孔；及貫通電極，其係設於前述基板的前述貫通孔的內部，前述貫通電極係具有：第1部分，其係沿著前述貫通孔的側壁而擴展；及 第2部分，其係被連接至前述第1部分，以能夠在前述基板的前述第1面側接觸於前述貫通孔的側壁之方式在前述第1面的面方向擴展，在前述貫通孔的內部對向的前述第1部分的表面之間存在中空部，前述貫通電極基板係更具備位於前述貫通電極的前述第2部分上的電極部，前述元件係具有被連接至前述電極部的端子。
若根據本案的實施形態的貫通電極基板，則可在基板之中設有貫通孔的領域配置元件。
10‧‧‧貫通電極基板
12‧‧‧基板
13‧‧‧第1面
14‧‧‧第2面
16‧‧‧第1光阻層
16a‧‧‧開口部
17‧‧‧密封層
18‧‧‧第2光阻層
20‧‧‧貫通孔
21‧‧‧側壁
22‧‧‧貫通電極
22a‧‧‧第1層
22b‧‧‧第2層
23‧‧‧第1部分
24‧‧‧第2部分
25‧‧‧第3部分
30‧‧‧配線層
31‧‧‧導電層
33‧‧‧電極部
34‧‧‧導線部
35‧‧‧被覆層
36‧‧‧絕緣層
36a‧‧‧開口部
37‧‧‧應力緩和層
38‧‧‧電極部
41‧‧‧第1配線層
42‧‧‧第2配線層
50‧‧‧安裝基板
51‧‧‧元件
52‧‧‧端子
55‧‧‧電路基板
56‧‧‧基材
57‧‧‧電極部
70‧‧‧貫通電極基板
71‧‧‧導電層
圖1是表示本案的實施形態的貫通電極基板的平面圖。
圖2是由II-II方向來看圖1的貫通電極基板的剖面圖。
圖3是擴大圖2的貫通電極基板的貫通電極來顯示的剖面圖。
圖4是表示圖1的貫通電極基板更具備配線層的例子的剖面圖。
圖5A是圖4所示的例子的貫通電極基板的平面圖。
圖5B是表示貫通電極基板的其他例的平面圖。
圖5C是表示貫通電極基板的其他例的平面圖。
圖6是表示在基板設置光阻層的工程的圖。
圖7是表示在基板形成貫通孔的工程的圖。
圖8是表示在基板的第1面側設置密封層的工程的圖。
圖9是表示從第2面側在基板上設置第1層的工程的圖。
圖10是表示在第1層上設置光阻層的工程的圖。
圖11是表示在第1層上設置第2層的工程的圖。
圖12是表示使密封層上的第2層的厚度增加的工程的圖。
圖13是表示除去光阻層的工程的圖。
圖14是表示除去第1層的一部分的工程的圖。
圖15是表示除去密封層的工程的圖。
圖16是說明比較形態的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖17是說明比較形態的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖18是說明比較形態的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖19是表示具備本案的實施形態的貫通電極基板之安裝基板的一例的剖面圖。
圖20是表示圖19所示的例子的安裝基板的平面圖。
圖21是表示安裝基板的其他例的剖面圖。
圖22是表示第1變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖23是表示第1變形例的貫通電極基板的平面圖。
圖24是表示第2變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖25是表示第2變形例的貫通電極基板的平面圖。
圖26是表示第3變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖27是表示具備第3變形例的貫通電極基板的安裝基板的剖面圖。
圖28說明第3變形例的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖29是說明第3變形例的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖30是說明第3變形例的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖31是說明第3變形例的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖32是說明第3變形例的貫通電極基板的製造方法的圖。
圖33是表示第4變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖34是表示第5變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖35是表示第6變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖36是表示第7變形例的貫通電極基板的剖面圖。
圖37是表示具備填孔的以往的貫通電極基板的圖。
圖38是表示具備模孔的以往的貫通電極基板的圖。
圖39是表示搭載本案的實施形態的貫通電極基板之製品的例子的圖。
圖40是表示實施例1的貫通電極基板的剖面圖。
圖41是表示比較例1的貫通電極基板的剖面圖。
以下，一邊參照圖面，一面詳細說明有關本案的實施形態的貫通電極基板的構成及其製造方法。另外，以下所示的實施形態是本案的實施形態之一例，本案並非限於該等的實施形態來解釋者。並且，在本說明書中，「基板」、「基材」、「薄板」或「薄膜」等用語並非只根據稱呼的不同來從彼此區別者。例如，「基板」或「基材」是被稱為薄板或薄膜之類的構件也包含的概念。而且，在本說明書中所使用之特定形狀或幾何學的條件以及該等的程度之例如有關「平行」或「正交」等的用語或長度或角度的值等，不是束縛於嚴格的意思，包含可期待同樣的機能的程度的範圍來解釋。並且，在本實施形態所參照的圖面中，對具有同一部分或同樣的機能的部分是附上相同的符號或類似的符號，有時其重複的說明省略。而且，有圖面的尺寸比率基於說明的方便起見與實際的比率不同的情況或構成的一部分從圖面省略的情況。
以下，參照圖1乃至圖15來說明有關本案的實施形態。
貫通電極基板
首先，參照圖1及圖2來說明本實施形態的貫通電極 基板10。圖1是表示貫通電極基板10的平面圖。圖2是由II-II方向來看沿著一點虛線而切斷後的圖1的貫通電極基板10的剖面圖。
貫通電極基板10是具備：基板12，被設於基板12的複數的貫通孔20，及被設於貫通孔20的內部的貫通電極22。以下，說明有關貫通電極基板10的各構成要素。
(基板)
基板12是包含第1面13及位於第1面13的相反側的第2面14。基板12是由具有一定的絕緣性的材料所構成。例如，基板12是玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、樹脂基板、矽基板、碳化矽基板、礬土(Al2O3)基板、氮化鋁(AlN)基板、氧化鋯(ZrO2)基板等或層疊該等的基板者。基板12是亦可包含鋁基板、不鏽鋼基板等由具有導電性的材料所構成的基板。
基板12的厚度並無特別加以限制，但例如使用100μm以上且800μm以下的厚度的基板12為理想。更理想是基板12具有200μm以上且600μm以下的厚度。藉由將基板12的厚度設為100μm以上，可抑制基板12的彎曲變大。因此，可抑制製造工程的基板12的處理(handling)困難，或起因於基板12上所形成的薄膜等的內部應力而造成基板12彎曲的情形。並且，藉由將基板12的厚度設為800μm以下，可抑制在基板12形成貫通孔 20的工程所要的時間變長，貫通電極基板10的製造成本上昇。
(貫通孔)
貫通孔20是以能夠從基板12的第1面13到第2面14的方式設於基板12。第1面13的面方向D1的貫通孔20的尺寸S1是在基板12的厚度方向的各位置，例如為20μm以上且150μm以下的範圍內。並且，在面方向D1鄰接的2個的貫通孔20之間的間隔P，亦即貫通孔20的配列間距是例如40μm以上且300μm以下的範圍內。另外，所謂第1面13的面方向D1的貫通孔的尺寸S1是在與第1面13平行的任意的平面切斷貫通孔20時之貫通孔20的開口寬的最大值。又，所謂面方向D1是與第1面13平行的方向。另外，在圖1及圖2中，符號S11是表示基板12的第1面13上的貫通孔20的尺寸。又，在圖2中，符號S11是表示基板12的第2面14上的貫通孔20的尺寸。
(貫通電極)
貫通電極22是被設於貫通孔20的內部之具有導電性的構件。貫通電極22是如圖2所示般，至少具有第1部分23及第2部分24。第1部分23是以能夠從第1面13側到第2面14側的方式沿著貫通孔20的側壁21來擴展的部分。第2部分24是在第1部分23的第1面13側的 端部被連接至第1部分23，以能夠在第1面13側接觸於貫通孔20的側壁21之方式在第1面13的面方向D1擴展的部分。
如圖2所示般，貫通電極22是亦可更具有第3部分25。第3部分25是在第1部分23的第2面14側的端部被連接至第1部分23，且被設於第2面14上的部分。
圖3是擴大圖2的貫通電極基板10的貫通電極22來顯示的剖面圖。貫通電極22的第2部分24最好是位於與基板12的第1面13同一平面上。另外，所謂「同一平面上」是意思基板12的第1面13的法線方向之第1面13的位置與第2部分24的外面24a的位置的差△H為1μm以下。差△H是可利用反射式共焦點雷射顯微鏡或觸針式階差計來測定。另外，在圖3中是顯示第2部分24的外面24a朝比第1面13更外方突出的例子，但不限於此。雖未圖示，但只要差△H為1μm以下，第2部分24的外面24a亦可比第1面13更朝內方凹陷。
只要貫通電極22具有導電性，貫通電極22的形成方法是不被特別限定。例如，貫通電極22是亦可使用蒸鍍法或濺射法等的物理成膜法來形成，或以化學成膜法或電鍍法來形成。又，貫通電極22是由具有導電性的單一的層所構成，或亦可包含具有導電性的複數的層。在此，如圖3所示般，針對貫通電極22為包含具有導電性的第1層22a及第2層22b的例子進行說明。
第1層22a是所謂的種層，藉由電鍍處理來形成第2層22b的電解電鍍工程時，使電鍍液中的金屬離子析出而成為用以使第2層22b成長的基礎之具有導電性的層。第1層22a的材料是最好使用對於基板12的材料具有高的密著性之導電性材料。例如，第1層22a的材料可使用鈦、鉬、鎢、鉭、鎳、鉻、鋁、該等的化合物、該等的合金等、或將該等層疊者。又，第1層22a的材料亦可使用抑制第2層22b擴散至基板12的內部之材料。例如，當第2層22b為含銅時，第1層22a的材料可使用氮化鈦、氮化鉬、氮化鉭等、或將該等層疊者。又，第1層22a的材料亦可使用與第2層22b同一的材料。例如，當第2層22b為含銅時，第1層22a亦可也含銅。當第1層22a為含銅時，為了使基板12與第1層22a的密著性提升，亦可在基板12與第1層22a之間設置鈦或氮化鈦等之對於基板12具有高的密著性之金屬材料的層。又，當第1層22a為具有充分的厚度及導電性時，亦可不設第2層22b，由第1層22a構成貫通電極22。
在第1層22a上設有第2層22b時，第1層22a的厚度是例如0.2μm以下。未設有第2層22b時，第1層22a的厚度是例如1μm以上且10μm以下。
第2層22b是為了提高貫通電極22的導電性而設於第1層22a上之具有導電性的層。第2層22b的材料，較理想是使用對於第1層22a具有高的密著性，且具有高的導電性之導電性材料。例如，第2層22b的材料可 使用銅、金、銀、白金、銠、錫、鋁、鎳、鉻等的金屬或使用該等的合金等，或將該等層疊者。第2層22b的厚度是例如1μm以上且10μm以下的範圍內。
第2層22b的厚度是按照對於貫通電極22求取的導電性而定。例如，當貫通電極22為用以使電源線或接地線導通的構件時，使用具有充分的厚度的第2層22b。又，當貫通電極22為用以使微弱的電氣訊號導通的構件時，亦可使用具有小的厚度的第2層22b。或，亦可不設第2層22b，只將第1層22a設於貫通孔20而構成貫通電極22。
貫通電極22是被構成在貫通孔20的內部形成有中空部。所謂中空部是在貫通孔20的內部的領域之中不存在第1層22a或第2層22b等的固體的領域。換言之，中空部26是如圖3所示般，貫通孔20的內部的領域之中，在貫通孔20的內部中對向的第1部分23的表面23a之間的領域。所謂表面23a是第1部分23的面之中位於與貫通孔20的側壁的側的面相反側的面。第1面13的面方向D1的中空部26的尺寸S5是例如在基板12的厚度方向的同一的位置所測定時的尺寸S1的20%以上且90%以下。
以能夠在貫通孔20的內部形成中空部26之方式形成貫通電極22，藉此相較於貫通孔20的內部完全藉由貫通電極22來充填的情況，可縮短貫通電極22的形成所要的時間。
另外，雖未圖示，但樹脂等具有絕緣性的材料亦可被設於中空部26。藉由，在貫通電極基板10的製造工程中可抑制顯像液或洗淨液等的處理液浸入至中空部26。
如圖2所示般，最好基板12的第1面13的面方向D1的貫通孔20的尺寸S1是隨著從第1面13往第2面14而增加。換言之，貫通孔20是具有隨著往第1面13而變細的錐形形狀。藉此，在從貫通電極22的第2部分24剝離後述的密封層17時，可抑制第2部分24被拉走而朝第1面13側移動。另外，貫通孔20不須全域具有錐形形狀。只要可抑制貫通電極22被密封層17拉走而移動，便可採用各種的形狀作為貫通孔20的形狀。
基板12的第1面13的貫通孔20的尺寸S11是例如10μm以上且100μm以下。並且，基板12的第2面14側的貫通孔20的尺寸S12是例如20μm以上且200μm以下。
如圖1所示般，較理想是複數的貫通電極22的第2部分24在基板12的第1面13均一地分布。例如，在面方向D1將基板12假想性地N等分時，形成於N個的領域之貫通孔20的數量會在平均值±20%的範圍內。在此，N是適當的整數，例如16。
(配線層)
如圖4所示般，貫通電極基板10是亦可更具備設於基板12的第1面13側的配線層30。配線層30是至少具 有被連接至貫通電極22的第2部分24之導電層31。在圖4所示的例子中，導電層31是包含被設於貫通電極22的第2部分24上的電極部33。電極部33是例如被連接至後述的元件51的端子52之凸塊。導電層31的材料是使用金屬等具有導電性的材料。
圖5A是表示圖4所示的例子的貫通電極基板10的平面圖。如圖5A所示般，貫通電極22的第2部分24及電極部33皆平面視具有圓形狀。並且，電極部33是在沿著基板12的法線方向來看時重疊於貫通電極22的第2部分24。而且，電極部33是在沿著基板12的法線方向來看時具有藉由貫通電極22的第2部分24來包圍的輪廓。例如，在第1面13的面方向D1，電極部33的尺寸S3是比第2部分24的尺寸S2更小。
圖5B及圖5C是分別表示貫通電極基板10的其他例的平面圖。平面視的電極部33的形狀為任意。例如圖5B所示般，電極部33是亦可平面視具有橢圓形狀。此情況，橢圓形狀的電極部33之長軸方向的尺寸S3是亦可形成比第2部分24的尺寸S2更小。又，如圖5C所示般，電極部33是亦可平面視具有四角形狀。此情況，四角形狀的電極部33的一邊的尺寸S3是亦可比第2部分24的尺寸S2更小。
平面視的貫通電極22的第2部分24的形狀也為任意。
貫通電極基板的製造方法
以下，參照圖6乃至圖15來說明有關貫通電極基板10的製造方法的一例。
(第1光阻層形成工程)
首先，準備基板12。其次，如圖6所示般，在基板12的第2面14設置第1光阻層16。第1光阻層16是被設成覆蓋基板12的第2面14之中未形成有貫通孔20的領域。第1光阻層16的開口部16a會位於基板12的第2面14之中形成有貫通孔20的領域。
(貫通孔形成工程)
之後，在第1光阻層16的開口部16a從第2面14側加工基板12，如圖7所示般，在基板12形成複數的貫通孔20。加工基板12的方法是可使用反應性離子蝕刻法、深挖反應性離子蝕刻法等的乾蝕刻法或濕蝕刻法等。接著，除去第1光阻層16。如此，可準備設有貫通孔20的基板12。
最好如圖7所示般，以貫通孔20能夠具有隨著從第2面14側往第1面13側而變細的錐形形狀之方式加工基板12。例如，貫通孔20是在第2面14側具有約50μm的尺寸S12，且在第1面13側具有約30μm的尺寸S11。
當基板12為含玻璃時，用以濕蝕刻基板12 的蝕刻液是可使用氟化氫(HF)、氟化銨(NH4F)及氟化氫的混合液、所謂的緩衝氟酸等。又，當基板12為含矽時，用以濕蝕刻基板12的蝕刻液是可使用氫氧化鉀(KH)、四甲基氫氧化銨(TMAH)、乙烯二胺鄰苯二酚(EDP)、水合聯胺(N2H4．H2O)等。
乾蝕刻法是可使用利用電漿的乾蝕刻RIE(Reactive Ion Etching)法、利用Bosch process的DRIE(深反應性離子蝕刻，Deep Reactive Ion EtchingRIE)法、噴砂法等。
另外，亦可藉由對基板12照射雷射在基板12中形成貫通孔20。此情況，第1光阻層16是亦可不設置。雷射加工用的雷射是可使用準分子雷射、Nd：YAG雷射、飛秒雷射等。採用Nd：YAG雷射時，可使用波長為1064nm的基本波，波長為532nm的第2高調波，波長為355nm的第3高調波等。
又，亦可適當組合雷射照射與濕蝕刻。具體而言，首先，藉由雷射照射，在基板12之中應形成有貫通孔20的領域形成變質層。接著，將基板12浸漬於氟化氫等，蝕刻變質層。藉此，可在基板12形成貫通孔20。
另外，在圖6及圖7中是顯示從第2面14側加工基板12而於基板12形成貫通孔20的例子，但並非限於此。例如，亦可從第1面13側加工基板12而於基板12形成貫通孔20。又，亦可從第1面13側及第2面14側的兩方加工基板12而於基板12形成貫通孔20。
(密封層形成工程)
其次，如圖8所示般，在基板12的第1面13設置阻塞貫通孔20的密封層17。密封層17是成為將上述的貫通電極22的第2部分24成膜於貫通孔20的內部時的基礎之層。密封層17是例如包含：含聚對苯二甲酸乙酯等的樹脂之基材層，及被層疊於基材層，且被貼附於基板12的第1面13之黏著層。密封層17是例如切割膠帶。
最好密封層17的黏著層是包含藉由照射紫外線等的光來硬化的光硬化性樹脂。此情況，在密封層17上形成貫通電極22的第2部分24之後，對密封層17照射紫外線等的光，藉此使密封層17的黏著層硬化而可容易從基板12的第1面13剝離密封層17。
(電極形成工程)
其次，實施在貫通孔20的內部形成貫通電極22的電極形成工程。在電極形成工程中，首先，如圖9所示般，從基板12的第2面14側，在基板12的第2面14、貫通孔20的側壁21及密封層17之中阻塞貫通孔20的部分形成第1層22a。形成第1層22a的方法是例如可使用蒸鍍法或濺射法等的物理成膜法或化學成膜法等。
接著，如圖10所示般，在基板12的第2面14上的第1層22a部分地形成第2光阻層18。具體而言，以第2面14之中未設有貫通電極22的第3部分25 的領域能夠藉由第2光阻層18來覆蓋的方式形成第2光阻層18。
接著，如圖11所示般，藉由電解電鍍，在第1層22a上形成第2層22b。具體而言，從基板12的第2面14側供給電鍍液，且通電至第1層22a。藉此，可在側壁21上、密封層17上及第2面14上形成沿著密封層17來擴展的第1層22a及第2層22b。第1層22a及第2層22b之中，沿著側壁21而延伸的部分會形成貫通電極22的第1部分23，沿著密封層17而擴展的部分會形成貫通電極22的第2部分24，沿著第2面14而擴展的部分會成為第3部分25。最好是如圖12所示般，至形成於密封層17的第1層22a及第2層22b的厚度T2比形成於，貫通孔20的側壁21的第1層22a及第2層22b的厚度T1更大為止，繼續電解電鍍。例如，厚度T2是比厚度T1至少更大1μm。
接著，如圖13所示般，除去第2光阻層18。其次，如圖14所示般，除去藉由第2光阻層18所覆蓋的第1層22a。然後，如圖15所示般，除去密封層17。例如，首先，對密封層17照射紫外線，使密封層17的黏著層的黏著力降低。其次，從基板12剝離密封層17。如此，可形成包含第1層22a及第2層22b的貫通電極22。
貫通電極22是具有：第1部分23，其係沿著貫通孔20的側壁21而延 伸；及第2部分24，其係被連接至第1部分23，且以能夠在基板12的第1面13側接觸於貫通孔20的側壁21之方式，在第1面13的面方向D1擴展；第3部分25，其係被連接至第1部分23，且被設在第2面14上。
另外，在上述的說明中是顯示同時形成貫通電極22的第1部分23、第2部分24及第3部分25的例子，但並非限於此。例如，雖未圖示，但亦可依序形成第2部分24、第1部分23、第3部分25。或，亦可形成第2部分24之後，同時形成第1部分23及第3部分25。此情況，亦可在形成第2部分24的工程與形成第1部分23的工程之間實施除去密封層17的工程。又，亦可同時形成第2部分24及第1部分23之後，形成第3部分25。
以下，說明有關本實施形態之上述的貫通電極基板10的製造方法的優點。
若根據本實施形態，則以密封層17來阻塞貫通孔20的狀態下，在貫通孔20的內部形成貫通電極22。因此，即使為採用在貫通孔20的內部存在中空部之所謂的模孔時，還是可在與貫通孔20重疊的領域設置位於與基板12的第1面13同一平面上的貫通電極22的第2部分24。藉此，可在與貫通孔20重疊的領域中連接貫通電極22與配線層30的導電層31。因此，在基板12的第1面13上不須確保配線層30之與導電層31的連接用 的領域，所以可縮小鄰接的2個貫通孔20之間的間隔P。藉此，可提高貫通電極基板10的貫通孔20的分布密度。並且，藉由採用模孔，相較於填孔的情況，可縮短貫通電極22的形成工程所要的時間。
比較形態之貫通電極基板的製造方法
作為形成具有第1部分23及第2部分24的貫通電極22之方法，除了上述的本實施形態之方法以外，可思考下述的比較形態之方法。以下，參照圖16乃至圖18來說明有關比較形態之貫通電極基板10的製造方法。
首先，如圖16所示般，在基板12的第1面13上設置導電層71。具體而言，以能夠覆蓋之後被形成於基板12的貫通孔20的方式設置導電層71。其次，如圖17所示般，在基板12中從第2面14側形成貫通孔20。例如，藉由乾蝕刻、濕蝕刻、雷射照射等來加工基板12而形成貫通孔20。然後，如圖18所示般，在貫通孔20的內部形成被連接至導電層71的貫通電極22。
在比較形態中，如上述般，在基板12的第1面13側設置導電層71之後，從基板12的第2面14側形成貫通孔20。此情況，若基板12的加工超過基板12的第1面13而進行至導電層71，則如圖17所示般，在導電層71形成有凹陷71a。因此，在比較形態中，需要以凹陷71a不會貫通導電層71的方式，充分地擴大導電層71的厚度，此結果，貫通電極基板10全體的厚度會變 大。並且，一旦導電層71的厚度變大，則會因導電層71的內部的殘留應力而容易在貫通電極基板10產生彎曲。而且，藉由乾蝕刻、濕蝕刻來形成貫通孔20時，一旦蝕刻氣體或蝕刻液殘留於導電層71的凹陷71a，則導電層71容易腐蝕。此結果，導電層71與貫通電極22之間的連接的可靠度會降低。
並且，在從第2面14側加工基板12而於基板12形成貫通孔20的工程中，會有因製造公差而貫通孔20的位置或尺寸偏離設計的情形。即使是貫通孔20的位置或尺寸偏離設計的情況，也為了使貫通孔20能夠藉由導電層71來覆蓋，而須將基板12的第1面13的面方向的導電層71的尺寸形成比貫通孔20或貫通電極22的第2部分24的尺寸更大至少製造公差的部分。因此，導電層71是擴展至不與貫通孔20重疊的部分。此情況，鄰接的2個貫通孔20之間的間隔是考慮擴展至導電層71之中不與貫通孔20重疊的部分之部分來設定。因此，在比較形態中是不容易提高貫通電極基板10的貫通孔20的分布密度。
相對於此，在本實施形態中，形成貫通電極22的第2部分24之後，在第2部分24上形成配線層30的導電層31。又，由於第2部分24是被形成於密封層17的面上，因此第2部分24的外面24a是具有與密封層17的面同等的平坦性。因此，即使導電層31的厚度為小時，還是可確保導電層31與貫通電極22的第2部分24 之間的連接的可靠度。因此，可縮小貫通電極基板10全體的厚度。並且，可抑制起因於導電層31的內部的殘留應力而在貫通電極基板10產生彎曲的情形。
又，若根據本實施形態，則由於在第2部分24的外面24a形成配線層30的導電層31，因此可將基板12的第1面13的面方向之導電層31的尺寸S3形成比第2部分24的尺寸更小。因此，可縮小鄰接的2個貫通孔20之間的間隔P。藉此，可提高貫通電極基板10的貫通孔20的分布密度。
安裝基板
以下，說明有關本實施形態之貫通電極基板10的用途的例子。在此是說明有關在貫通電極基板10搭載元件51而構成安裝基板50的例子。
圖19是表示安裝基板50的剖面圖，圖20是表示圖19所示的例子的安裝基板50的平面圖。安裝基板50是具備：貫通電極基板10，及在基板12的第1面13側被搭載於貫通電極基板10的元件51。元件51是邏輯IC或記憶體IC等的LSI晶片。並且，元件51是亦可為MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)晶片。所謂MEMS晶片是機械要素零件、感測器、致動器、電子電路等被集成化於1個的基板上之電子裝置。如圖19所示般，元件51是具有被連接至貫通電極基板10的配線層30的電極部33之端子52。
如圖21所示般，安裝基板50是亦可更具備：在基板12的第2面14側被連接至貫通電極基板10的電路基板55。此情況，安裝基板50的貫通電極基板10是更具有被設於貫通電極22的第3部分25之電極部38。並且，電路基板55是具有：基材56，及被設於基材56，且被連接至貫通電極基板10的電極部38之電極部57。
電路基板55的基材56是例如包含聚醯亞胺、環氧樹脂、丙烯酸等的有機材料。此情況，一旦某些的熱處理被實施於基材56，則可想像起因於熱膨張而在基材56產生內部應力。在此，若根據本實施形態，則藉由貫通電極基板10的基板12包含玻璃或矽等具有高的剛性之材料，可抑制基材56的內部應力的影響波及被搭載於貫通電極基板10的第1面13側之元件51或配線層30。因此，可確保貫通電極基板10與元件51之間的連接的可靠度。
另外，可對上述的實施形態施加各種的變更。以下，因應所需，一邊參照圖面，一面說明有關變形例。以下的說明及在以下的說明所使用的圖面中，有關與上述的實施形態同樣構成的部分，使用與對於上述的實施形態的對應的部分所使用過的符號相同的符號，省略重複的說明。並且，在上述的實施形態中所取得的作用效果在變形例中也明顯可取得時，亦有省略其說明的情形。
(第1變形例)
圖22是表示第1變形例的貫通電極基板10的剖面圖。又，圖23是由基板12的第1面13側來看第1變形例的貫通電極基板10時的平面圖。如圖22及圖23所示般，配線層30的導電層31是亦可包含被設於貫通電極22的第2部分24之複數的電極部33。由於在形成貫通電極基板10的貫通電極22的第2部分24之後形成配線層30的導電層31，因此可將第2部分24上的導電層31的電極部33分割成複數。
(第2變形例)
圖24是表示第2變形例的貫通電極基板10的剖面圖。又，圖25是表示由基板12的第1面13側來看第2變形例的貫通電極基板10時的平面圖。如圖24及圖25所示般，配線層30的導電層31是包含：在沿著基板12的第1面13的法線方向來看時，與貫通電極22的第2部分24的輪廓交叉之導線部34。如圖25所示般，在第1面13的面方向D1，位於第2部分24上的導線部34的尺寸S4是比第2部分24的尺寸S2更小。另外，導線部34的尺寸S4是在與位於第2部分24上的導線部34所延伸的方向D2正交的方向被測定。
如上述般，貫通電極基板10的貫通電極22的第2部分24是位於與基板12的第1面13同一平面上。換言之，在第2部分24的外面24a與基板12的第1 面13之間是幾乎不存在階差。因此，即使如本變形例般以能夠跨越第2部分24及第1面13的方式延伸導線部34時，還是可抑制起因於階差而應力集中於導線部34的一部分的情形，可抑制導線部34斷線。因此，可確保導線部34的可靠度。又，由於可縮小導線部34的厚度，因此可縮小貫通電極基板10全體的厚度。
(第3變形例)
圖26是表示第3變形例的貫通電極基板10的剖面圖。如圖26所示般，被設於基板12的第1面13側之配線層30是除導電層31之外，亦可更具有絕緣層36。絕緣層36是包含具有絕緣性的有機材料，例如包含聚醯亞胺。此情況，導電層31是例如包含作為貫通絕緣層36的貫通電極機能的電極部33，及藉由絕緣層36所覆蓋的導線部34。
如圖26所示般，配線層30是亦可具有複數個包含導電層31及絕緣層36的層。例如，配線層30是具有：包含被設於基板12的第1面13上的導電層31及絕緣層36之第1配線層41，及包含被設於第1配線層41上的導電層31及絕緣層36之第2配線層42。
如圖26所示般，配線層30之中位於最表面的層，在此是第2配線層42亦可更包含被設於電極部33上的被覆層35。被覆層35是包含具有耐蝕性的導電性材料，例如包含金。又，被覆層35是亦可包含複數的層。 例如，被覆層35是亦可包含：位於最表面的金的層，及被配置於金的層與電極部33之間的鎳的層。
如圖27所示般，亦可在圖26所示的配線層30搭載元件51而構成安裝基板50。上述的被覆層35是作為被連接至元件51的端子52之焊墊機能。另外，雖未圖示，但實際亦可不設被覆層35。即使為此情況，還是可藉由將元件51的端子52連接至配線層30的第2配線層42的電極部33來構成安裝基板50。
以下，參照圖28乃至圖32來說明有關本變形例之配線層30的製造方法的一例。
首先，準備上述的本實施形態之貫通電極基板10。其次，如圖28所示般，在貫通電極基板10的貫通電極22的第2部分24形成電極部33。並且，在貫通電極基板10的基板12的第1面13形成導線部34。
作為形成電極部33及導線部34的方法，例如可採用與形成貫通電極基板10的貫通電極22的方法同一方法。例如，依序實施作為種層機能的第1層的形成，光阻層的形成，電解電鍍處理之第2層的形成，光阻層的除去，及第1層的除去。此情況，電極部33及導線部34是分別包含：具有導電性，作為種層機能的第1層，及具有導電性，藉由電解電鍍工程來形成於第1層上的第2層。亦可在作為種層機能的第1層與貫通電極22或基板12之間設置鈦或氮化鈦等對於貫通電極22或基板12具有高的密著性之金屬材料的層。
另外，在上述的本實施形態之貫通電極基板10中，在第2部分24的外面24a與基板12的第1面13之間幾乎不存在階差。因此，即使電極部33及導線部34的上述的第1層等，被設於第2部分24的外面24a及基板12的第1面13的導電層31的厚度小，還是可抑制起因於階差而導電層31斷線的情形。
其次，以能夠覆蓋電極部33及導線部34的方式，在基板12的第1面13上設置具有感光性及絕緣性的有機材料的層。然後，以有機材料的層之中電極部33上的部分能夠被除去的方式，將有機材料的層曝光而顯像。藉此，如圖29所示般，可形成絕緣層36，其係具有使貫通電極22上的電極部33露出的開口部36a，且覆蓋導線部34。
其次，如圖30所示般，在電極部33上更形成電極部33，且在絕緣層36上形成導線部34。例如，與形成基板12上的電極部33及導線部34時同樣，依序實施作為種層機能的第1層的形成，光阻層的形成，電解電鍍處理之第2層的形成，光阻層的除去，及第1層的除去。
其次，如圖31所示般，使貫通電極22上的電極部33露出，且形成覆蓋導線部34的絕緣層36。接著，如圖32所示般，以電極部33能夠從絕緣層36的表面突出之方式，在已被設置的電極部33上更形成電極部33。如此，可形成包含貫通絕緣層36的電極部33及藉由 絕緣層36所覆蓋的導線部34之配線層30。
(第4變形例)
圖33是表示第4變形例的貫通電極基板10的剖面圖。如圖33所示般，亦可對於1個的貫通電極22的第2部分24連接貫通配線層30的絕緣層36之複數的電極部33。由於在形成貫通電極基板10的貫通電極22的第2部分24之後形成配線層30的導電層31，因此可將第2部分24上的導電層31的電極部33分割成複數。
(第5變形例)
圖34是表示第5變形例的貫通電極基板10的剖面圖。如圖34所示般，被設於基板12的第1面13側的配線層30是亦可更具有被配置於基板12與絕緣層36之間的應力緩和層37。應力緩和層37是用以緩和絕緣層36的內部應力的層。應力緩和層37是包含具有絕緣性的無機材料。例如，應力緩和層37是包含氧化矽或氧化氮等的氮化合物。
以下，說明有關設置應力緩和層37的優點。配線層30的絕緣層36是包含有機材料。若將如此的絕緣層36設於包含玻璃的基板12，則在絕緣層36中容易產生作用成拉伸基板12的內部應力。以下，將如此的內部應力稱為拉伸性應力。若拉伸性應力變大，則可想像基板12會彎曲。
另一方面，在包含無機材料的應力緩和層37中容易產生作用成壓縮基板12的內部應力。以下，將如此的內部應力稱為壓縮性應力。若根據本變形例，則藉由在基板12與絕緣層36之間設置應力緩和層37，可緩和絕緣層36的拉伸性應力。因此，可抑制在基板12產生彎曲。
在圖34中是顯示在基板12與第1配線層41的絕緣層36之間設置應力緩和層37的例子。因此，應力緩和層37的具體性的位置是未被特別加以限定。
例如，應力緩和層37亦可位於第1配線層41的絕緣層36與第2配線層42的絕緣層36之間。此情況，亦可在基板12與第1配線層41的絕緣層36之間也存在更進一步的應力緩和層37，或亦可在基板12與第1配線層41的絕緣層36之間未存在應力緩和層37。
絕緣層36的厚度及應力緩和層37的厚度是被設定成可適當相抵消彼此的應力。例如，絕緣層36為包含聚醯亞胺、環氧樹脂、丙烯酸等具有絕緣性的有機材料，具有5μm且20μm以下的厚度時，應力緩和層37是包含矽化合物等的絕緣材料，具有1μm且5μm以下的厚度。矽化合物的例子是可舉SiO2，SiN，SiOC，SiC，SiOF，SiON，SiCN等。
(第6變形例)
在上述的實施形態中顯示貫通孔20的側壁21在剖面 圖中具有直線的形狀之例。但，只要能夠設置包含第1部分23及第2部分24的貫通電極22，就不會特別限制貫通孔20的形狀。例如圖35所示般，貫通孔20的側壁21是在剖面圖中亦可具有彎曲的形狀。
(第7變形例)
在上述的實施形態中是顯示：貫通電極22除了沿著貫通孔20的側壁21而擴展的第1部分23及以能夠在第1面13側接觸於貫通孔20的側壁21之方式在第1面13的面方向D1擴展的第2部分24以外，還具有設於第2面14上的第3部分25之例。但，如圖36所示般，貫通電極22是只要至少具有第1部分23及第2部分24即可。
〔搭載貫通電極基板的製品之例〕
圖39是表示可搭載本案的實施形態的貫通電極基板10之製品的例圖。本案的實施形態的貫通電極基板10是在各種的製品中被利用。例如，搭載於筆記型個人電腦110、平板終端機120、行動電話130、智慧型手機140、數位攝影機150、數位相機160、數位時計170、伺服器180等。
[實施例]
其次，藉由實施例更具體說明本案，但本案是只要不超過其主旨，並非限於以下的實施例的記載。
(實施例1)
首先，根據、上述本案的實施形態的貫通電極基板10的製造方法來製作圖40所示的貫通電極基板10。
貫通電極基板10具備：基板12，其係設有貫通孔20；貫通電極22，其係設於貫通孔20的內部，包含第1部分23、第2部分24及第3部分25；及配線層30，其係包含被設於基板12的第1面13側，且被連接至貫通電極22的第2部分24之電極部33。
配線層30具有：絕緣層36，其係設於基板12的第1面13側，形成有對應於電極部33的開口部；及導線部34，其係設於絕緣層36上，經由絕緣層36的開口部來連接相鄰的2個貫通孔20的貫通電極22的第2部分24上的電極部33。
在使鄰接的2個的貫通孔20的貫通電極22之間通電的狀態下，將溫度循環試驗實施1000循環。1循環是包含：使貫通電極基板10的周圍溫度從-45℃上昇至125℃的工程，及將周圍溫度維持於125℃的工程，及使周圍溫度從125℃下降至-45℃的工程，及將周圍溫度維持於-45℃的工程。1循環的所要時間是40分鐘。
將溫度循環試驗實施1000循環後，檢查是否 產生通電不良。結果，在全部的檢查處，確認未產生通電不良。
(比較例1)
首先，根據上述的比較形態的貫通電極基板70的製造方法來製作圖41所示的貫通電極基板70。
貫通電極基板70具備：基板12，其係設有貫通孔20；貫通電極22，其係設於貫通孔20的內部，包含第1部分23、第2部分24及第3部分25；及配線層80，其係包含被設於基板12的第1面13側，且被連接至貫通電極22的第2部分24之導電層71。
配線層80具有：絕緣層36，其係設於基板12的第1面13側，形成有對應於導電層71的開口部；及導線部34，其係設於絕緣層36上，經由絕緣層36的開口部來連接相鄰的2個貫通孔20的貫通電極22的第2部分24上的導電層71。
與上述的實施例1的情況同樣，將溫度循環試驗實施1000循環。結果，在80%的檢查處，產生通電不良。在比較例1中，在導電層71產生凹陷71a，藉由凹陷71a的腐蝕，導電層71與貫通電極22的第2部分24之間的電性連接變不安定，可想像產生通電不良。
10‧‧‧貫通電極基板
12‧‧‧基板
13‧‧‧第1面
20‧‧‧貫通孔
22‧‧‧貫通電極
24‧‧‧第2部分
P‧‧‧間隔

Claims (22)

  1. 一種貫通電極基板的製造方法，其特徵具備：準備包含第1面及位於前述第1面的相反側的第2面且設有貫通孔的基板之工程；在前述基板的前述第1面設置阻塞前述貫通孔的密封層之工程；在前述貫通孔的內部形成貫通電極之電極形成工程，該貫通電極係具有沿著前述貫通孔的側壁而延伸的第1部分，及被連接至前述第1部分，且沿著前述密封層而擴展的第2部分；及除去前述密封層的工程。
  2. 如申請專利範圍第1項之貫通電極基板的製造方法，其中，更具備：在前述基板的前述第1面側形成配線層之工程，該配線層係具有被連接至前述貫通電極的前述第2部分之導電層。
  3. 如申請專利範圍第2項之貫通電極基板的製造方法，其中，在前述基板的前述第1面的面方向，前述配線層的前述導電層之中被連接至前述貫通電極的前述第2部分之部分的尺寸比前述貫通電極的前述第2部分的尺寸更小。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之貫通電極基板的製造方法，其中，前述導電層係包含電極部，該電極部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，重疊於前述貫通電極的前述第2部分，且具有被前述第2部分包圍的 輪廓。
  5. 如申請專利範圍第4項之貫通電極基板的製造方法，其中，前述導電層係包含複數的前述電極部。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之貫通電極基板的製造方法，其中，前述導電層係包含導線部，該導線部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，與前述貫通電極的前述第2部分的輪廓交叉。
  7. 如申請專利範圍第6項之貫通電極基板的製造方法，其中，前述導電層係包含複數的前述導線部。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之貫通電極基板的製造方法，其中，前述基板係包含玻璃。
  9. 一種貫通電極基板，其特徵具備：基板，其係包含第1面及位於前述第1面的相反側的第2面，且設有貫通孔；及貫通電極，其係設於前述基板的前述貫通孔的內部，前述貫通電極係具有：第1部分，其係沿著前述貫通孔的側壁而擴展；及第2部分，其係被連接至前述第1部分，以能夠在前述基板的前述第1面側接觸於前述貫通孔的側壁之方式在前述第1面的面方向擴展，在前述貫通孔的內部對向的前述第1部分的表面之間存在中空部。
  10. 如申請專利範圍第9項之貫通電極基板，其中，前述貫通電極的前述第2部分為位於與前述基板的前述第 1面同一平面上。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之貫通電極基板，其中，前述基板的前述第1面的面方向的前述貫通孔的尺寸為隨著從前述第1面往前述第2面而增加。
  12. 如申請專利範圍第9或10項之貫通電極基板，其中，前述基板係包含玻璃。
  13. 如申請專利範圍第9或10項之貫通電極基板，其中，在前述基板形成有複數的前述貫通孔及複數的前述貫通電極，在前述基板的前述第1面，前述貫通電極的前述第2部分係均一地分布。
  14. 如申請專利範圍第9或10項之貫通電極基板，其中，更具備配線層，其係被設於前述基板的前述第1面側，具有被連接至前述貫通電極的前述第2部分之導電層。
  15. 如申請專利範圍第14項之貫通電極基板，其中，在前述基板的前述第1面的面方向，前述配線層的前述導電層之中被連接至前述貫通電極的前述第2部分之部分的尺寸比前述貫通電極的前述第2部分的尺寸更小。
  16. 如申請專利範圍第14項之貫通電極基板，其中，前述導電層係包含電極部，該電極部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，重疊於前述貫通電極的前述第2部分，且具有被前述第2部分包圍的輪廓。
  17. 如申請專利範圍第16項之貫通電極基板，其 中，前述導電層係包含複數的前述電極部。
  18. 如申請專利範圍第14項之貫通電極基板，其中，前述導電層係包含導線部，該導線部係沿著前述基板的前述第1面的法線方向來看時，與前述貫通電極的前述第2部分的輪廓交叉。
  19. 如申請專利範圍第18項之貫通電極基板，其中，前述導電層係包含複數的前述導線部。
  20. 如申請專利範圍第14項之貫通電極基板，其中，前述配線層更具有：包含有機材料的絕緣層，及包含無機材料的應力緩和層。
  21. 如申請專利範圍第20項之貫通電極基板，其中，前述配線層係具有：第1配線層，其係包含位於前述基板的前述第1面13上的前述導電層及前述絕緣層；及第2配線層，其係包含位於前述第1配線層上的前述導電層及前述絕緣層，前述應力緩和層係位於前述基板的前述第1面與前述第1配線層的前述絕緣層之間或前述第1配線層的前述絕緣層與前述第2配線層的前述絕緣層之間的至少任一處。
  22. 一種安裝基板，其特徵係具備：貫通電極基板；及被搭載於前述貫通電極基板的元件，前述貫通電極基板係具備：基板，其係設有從第1面往位於前述第1面的相反側 的第2面貫通的貫通孔；及貫通電極，其係設於前述基板的前述貫通孔的內部，前述貫通電極係具有：第1部分，其係沿著前述貫通孔的側壁而擴展；及第2部分，其係被連接至前述第1部分，以能夠在前述基板的前述第1面側接觸於前述貫通孔的側壁之方式在前述第1面的面方向擴展，在前述貫通孔的內部對向的前述第1部分的表面之間存在中空部，前述貫通電極基板係更具備位於前述貫通電極的前述第2部分上的電極部，前述元件係具有被連接至前述電極部的端子。
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