JP5447379B2 - 圧電振動デバイスの封止部材、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
12 内部空間
2 水晶振動片(圧電振動片)
23 励振電極
3 第1封止部材
31 第1封止部材の一主面
32 第1封止部材の接合面
33 電極パッド(電極パターンの一部)
34 外部電極端子(電極パターンの一部)
35 第1封止部材の基材内部
36 ビア(貫通孔)
361 ビアの内側面
362 ビアの両端部
363 ビアの他端面
364 ビアの一端面
37 電極パターン(電極パターンの一部)
38 第1封止部材の他主面
39 第1封止部材の中間点
4 第2封止部材
5 導通部材
51 導通部材の両端面
52 AuとSnとの金属間化合物
53 Au
54 Au膜
55 Auメッキ層
56 Snメッキ層
6 水晶Z板のウエハ
61,62 水晶Z板のウエハの両主面
7 接合材
81 Au保護膜層
82 ポジレジスト層
Claims (5)
- 励振電極が形成された圧電振動片の前記励振電極を気密封止する圧電振動デバイスの封止部材において、
当該封止部材の基材の両主面に形成される電極パターンを導通状態とするための貫通孔が形成され、前記貫通孔内に導通部材が充填され、
前記基材の両主面における前記貫通孔の両端部の径より、前記貫通孔の前記基材内部における径が小さく、
前記導通部材の両端面が、前記基材の両主面に対して凹形状となり、
前記導通部材は、少なくともAuとSnとから構成される化合物であり、
前記貫通孔の前記基材内部における径が小さい領域にAuが偏在することを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材。 - 請求項1に記載の圧電振動デバイスの封止部材において、
前記貫通孔の内側面はテーパー状に形成され、
前記貫通孔では、前記両主面におけるその両端部の径より、その厚さ方向の中間点の径が小さいことを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材。 - 請求項1または2に記載の圧電振動デバイスの封止部材において、
前記電極パターンには、金属の拡散を防止する拡散防止層が含まれたことを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材。 - 励振電極が形成された圧電振動片の前記励振電極を気密封止する圧電振動デバイスの封止部材の製造方法において、
当該封止部材の基材の両主面に形成される電極パターンを導通状態とするための貫通孔を形成する形成工程と、
前記貫通孔に導通部材を充填するための充填工程と、を有し、
前記形成工程では、前記基材の両主面からエッチング法により基材をエッチングして貫通孔を形成し、前記貫通孔の両端部である前記両主面における径より、前記貫通孔の基材内部における径が小さく、前記導通部材の両端面が、前記基材の両主面に対して凹形状となり、
前記充填工程では、前記貫通孔内にAu層を形成し、このAu層上にSn層を形成し、これら前記貫通孔に形成したAu層とSn層とを共晶点以上の温度により加熱溶融することを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材の製造方法。 - 励振電極が形成された圧電振動片の前記励振電極を気密封止する圧電振動デバイスの封止部材の製造方法において、
当該封止部材の基材の両主面に形成される電極パターンを導通状態とするための貫通孔を形成する形成工程と、
前記貫通孔に導通部材を充填するための充填工程と、を有し、
前記形成工程では、前記基材の両主面からエッチング法により基材をエッチングして貫通孔を形成し、前記貫通孔の両端部である前記両主面における径より、前記貫通孔の基材内部における径が小さく、前記導通部材の両端面が、前記基材の両主面に対して凹形状となり、
前記充填工程では、前記貫通孔内にAu−Sn合金のメッキ層を形成し、このAu−Sn合金のメッキ層を共晶点以上の温度により加熱溶融することを特徴とする圧電振動デバイスの封止部材の製造方法。
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