JP2006295246A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 回路基板(10)と、回路基板(10)に搭載された電子素子(11)と、電子素子(11)を覆う蓋体(12)とを含む電子部品(1)であって、蓋体(12)は、凹部(12a)を含み、かつ凹部(12a)を電子素子(11)側に向けて電子素子(11)を覆っており、凹部(12a)の深さを凹部(12a)の隅部(121a)の曲率半径で除した値が、2以上であることを特徴とする電子部品(1)とする。これにより、凹部を小さくすることができるため、電子部品の小型化を容易に行うことができる。
【選択図】 図1
Description
前記蓋体は、凹部を含み、かつ前記凹部を前記電子素子側に向けて前記電子素子を覆っており、
前記凹部の深さを前記凹部の隅部の曲率半径で除した値が、2以上であることを特徴とする。
前記回路基板は、前記電子素子を収容する凹部を含み、
前記凹部の深さを前記凹部の隅部の曲率半径で除した値が、2以上であることを特徴とする。
基材上に、第1レジスト膜とこの第1レジスト膜を囲う第2レジスト膜とからなるレジストパターンを形成し、
前記第1レジスト膜と前記第2レジスト膜との間に露出した前記基材の表面をブラスト処理又はエッチング処理して溝部を形成し、
前記第1及び第2レジスト膜を剥離し、
前記基材における前記第2レジスト膜が形成されていた領域を覆う第3レジスト膜を形成し、
前記基材における前記溝部で囲まれた領域と前記溝部の隅部とをブラスト処理又はエッチング処理することにより凹部を形成し、
前記第3レジスト膜を剥離して、前記凹部が設けられた前記基材を含む蓋体を形成し、
前記蓋体における前記凹部の開口を囲う領域と電子素子が搭載された回路基板とを、前記電子素子を前記蓋体で覆うようにして接着する電子部品の製造方法である。
絶縁基材上に、第1レジスト膜とこの第1レジスト膜を囲う第2レジスト膜とからなるレジストパターンを形成し、
前記第1レジスト膜と前記第2レジスト膜との間に露出した前記絶縁基材の表面をブラスト処理又はエッチング処理して溝部を形成し、
前記第1及び第2レジスト膜を剥離し、
前記絶縁基材における前記第2レジスト膜が形成されていた領域を覆う第3レジスト膜を形成し、
前記絶縁基材における前記溝部で囲まれた領域と前記溝部の隅部とをブラスト処理又はエッチング処理することにより凹部を形成し、
前記第3レジスト膜を剥離し、
前記凹部内に導体パターンを設けて、前記凹部が設けられた前記絶縁基材と前記導体パターンとを含む回路基板を形成し、
前記導体パターンに電子素子を搭載し、
前記回路基板における前記凹部の開口を囲う領域と蓋体とを、前記電子素子を前記蓋体で覆うようにして接着する電子部品の製造方法である。
まず、本発明の第1実施形態について図面を参照して説明する。参照する図1は、本発明の第1実施形態に係る電子部品の断面図である。なお、第1実施形態に係る電子部品は、上述した本発明の第1の電子部品の一例である。
次に、本発明の第2実施形態について図面を参照して説明する。参照する図7は、本発明の第2実施形態に係る電子部品の断面図である。なお、第2実施形態に係る電子部品は、上述した本発明の第2の電子部品の一例である。また、図7において、図1と同一の構成要素には同一の符号を使用し、その説明は省略する。
10 回路基板
10a,12a 凹部
11 電子素子
12 蓋体
13 絶縁基材
13a 第1主面
13b 第2主面
14 スルーホール
15 第1導電膜
15a 電子素子接続電極(導体パターン)
15b 接続導電膜
15c 外部接続電極
16 第2導電膜
17 金属部材
18 導電性接着剤
19 接着層
20 基材
20a 表面
20b 溝部
20c 溝部で囲まれた領域
21 第1レジスト膜
22 第2レジスト膜
23 第3レジスト膜
101a,121a,201b 隅部
Claims (11)
- 回路基板と、前記回路基板に搭載された電子素子と、前記電子素子を覆う蓋体とを含む電子部品であって、
前記蓋体は、凹部を含み、かつ前記凹部を前記電子素子側に向けて前記電子素子を覆っており、
前記凹部の深さを前記凹部の隅部の曲率半径で除した値が、2以上であることを特徴とする電子部品。 - 前記蓋体は、硬質ガラスからなる請求項1に記載の電子部品。
- 回路基板と、前記回路基板に搭載された電子素子と、前記電子素子を覆う蓋体とを含む電子部品であって、
前記回路基板は、前記電子素子を収容する凹部を含み、
前記凹部の深さを前記凹部の隅部の曲率半径で除した値が、2以上であることを特徴とする電子部品。 - 前記回路基板は、前記凹部が形成された絶縁基材を含み、
前記絶縁基材は、硬質ガラスからなる請求項3に記載の電子部品。 - 前記凹部の隅部の曲率半径は、100μm以下である請求項1又は3に記載の電子部品。
- 前記凹部は、深さが200〜300μmである請求項1,3,5のいずれか1項に記載の電子部品。
- 前記凹部は、開口面積が1.9〜2.2mm2である請求項1,3,5,6のいずれか1項に記載の電子部品。
- 基材上に、第1レジスト膜とこの第1レジスト膜を囲う第2レジスト膜とからなるレジストパターンを形成し、
前記第1レジスト膜と前記第2レジスト膜との間に露出した前記基材の表面をブラスト処理又はエッチング処理して溝部を形成し、
前記第1及び第2レジスト膜を剥離し、
前記基材における前記第2レジスト膜が形成されていた領域を覆う第3レジスト膜を形成し、
前記基材における前記溝部で囲まれた領域と前記溝部の隅部とをブラスト処理又はエッチング処理することにより凹部を形成し、
前記第3レジスト膜を剥離して、前記凹部が設けられた前記基材を含む蓋体を形成し、
前記蓋体における前記凹部の開口を囲う領域と電子素子が搭載された回路基板とを、前記電子素子を前記蓋体で覆うようにして接着する電子部品の製造方法。 - 絶縁基材上に、第1レジスト膜とこの第1レジスト膜を囲う第2レジスト膜とからなるレジストパターンを形成し、
前記第1レジスト膜と前記第2レジスト膜との間に露出した前記絶縁基材の表面をブラスト処理又はエッチング処理して溝部を形成し、
前記第1及び第2レジスト膜を剥離し、
前記絶縁基材における前記第2レジスト膜が形成されていた領域を覆う第3レジスト膜を形成し、
前記絶縁基材における前記溝部で囲まれた領域と前記溝部の隅部とをブラスト処理又はエッチング処理することにより凹部を形成し、
前記第3レジスト膜を剥離し、
前記凹部内に導体パターンを設けて、前記凹部が設けられた前記絶縁基材と前記導体パターンとを含む回路基板を形成し、
前記導体パターンに電子素子を搭載し、
前記回路基板における前記凹部の開口を囲う領域と蓋体とを、前記電子素子を前記蓋体で覆うようにして接着する電子部品の製造方法。 - 前記第3レジスト膜は、前記溝部の開口の一部を覆っている請求項8又は9に記載の電子部品の製造方法。
- 前記第3レジスト膜は、前記溝部の開口幅の5〜20%を覆っている請求項10に記載の電子部品の製造方法。
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