JP2003258007A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 87
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 210000002105 tongue Anatomy 0.000 description 5
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012789 electroconductive film Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
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- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
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- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/85444—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2224/85455—Nickel (Ni) as principal constituent
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- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
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- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/8547—Zirconium (Zr) as principal constituent
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- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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Abstract
電性接着材で表面実装する際に接着材がはみ出し充分な
量を確保できず実装性が安定しないという問題があっ
た。 【解決手段】 第1の導電膜7上に固定した電子部品本
体9と、第1導電膜7と略面一に配置された第2の導電
膜8とを電気的に接続し、第1、第2の導電膜7、8の
周面を含む電子部品本体固定面側を樹脂11被覆した電
子部品において、上記導電膜7、8の樹脂11から露呈
した面に導電性突起13を形成したことを特徴とする。
Description
品及びその製造方法に関し、特に1mm以下の外径寸法
の電子部品を容易に実現できる構造及び製造方法に関す
る。
ドフレームを用いて製造される。即ち、アイランドとリ
ードとを一体化したリードフレームを用意し、アイラン
ド上に電子部品をマウントし、電子部品本体上の電極と
リードとをワイヤを介して電気的に接続した後、リード
フレーム上の電子部品本体を含む主要部分を外装樹脂で
被覆し、外装樹脂から露呈したリードフレームの不要部
分を切断除去して製造される。この一例を図12に示
す。図において、1はアイランド、2はアイランド1と
面一に配置されたリード、3はアイランド1上にマウン
トされた電子部品本体、4は電子部品本体3上の電極
(図示せす)とリード2とを電気的に接続するワイヤ、
5は電子部品本体3を含む主要部分を被覆した外装樹脂
を示す。この種電子部品6は例えば特開昭62−122
349号公報(先行技術1)に開示されており、アイラ
ンド1とリード2とが外装樹脂5の1つの面と面一に露
呈しているため表面実装が可能で、電子回路装置の小型
化に貢献している。この電子部品6は樹脂モールド時
に、外装樹脂5がアイランド1やリード2の実装面に回
り込んで薄いばりを形成すると表面実装の障害となるた
め、リードフレームを可撓性を有する樹脂フィルム(図
示せず)に貼り付けて密着させた状態で樹脂モールドし
た後、リードフレームから樹脂フィルムを剥離すること
によりアイランドやリードの実装面に樹脂ばりが形成さ
れないようにしている。
話などでは一層の小型、軽量化が要求され、これを実現
すべく電子部品も一層の小型軽量化が要求されている。
このような要求に応えるには電子部品本体3を小型化す
ると同時にリードフレームを小型化し、アイランド1の
外径、リード2の巾、間隔を狭小化する必要があるが、
薄いリードフレームは強度が低下し移動にともなう振動
や衝撃により変形し易くリードフレームを用いた電子部
品では小型化に限界があった。
公報(先行技術2)には電子部品本体を被覆する外装樹
脂の外面に電子部品本体の電極を露呈させた構造の電子
部品が提案されている。この電子部品は、支持基板上に
電子部品本体と電極チップを配列し、電子部品本体上の
電極と電極チップとを電気的に接続した後、支持基板上
を外装樹脂で被覆し、硬化した外装樹脂から支持基板を
剥離することにより製造される。また、特開2002−
16181号公報(先行技術3)には可撓性を有する金
属基板上に第1、第2の金属層を形成し、第1の金属層
上に電子部品本体をマウントし、電子部品本体上の電極
と第2の金属層とを電気的に接続した後、金属基板上を
外装樹脂で被覆し、この外装樹脂から金属基板を剥離す
ることにより、外装樹脂表面に第1、第2の金属層を露
呈させ、外装樹脂を所定の寸法、形状に切断することに
より個々の電子部品を得ることが開示されている。先行
技術2、3に開示された電子部品はリードフレームが不
要であるため、先行技術1に開示された電子部品より一
層の小型化が可能である。
電子部品は一般的に印刷配線基板上の導電ランドにクリ
ーム半田を塗布し、この上に電子部品を仮止め配置し
て、印刷配線基板を高温雰囲気中に供給し、クリーム半
田を溶融させて電子部品を導電ランドに半田付けしてい
る。この半田付け時に電子部品は溶融半田上で浮遊状態
となるため半田量が多いと半田が硬化するまでの間に移
動して位置ずれし、半田量が少ないと熱膨張、熱収縮の
繰返しにより半田の接着界面の熱膨張係数の差異によっ
て生じたストレスが繰返しかかり、接着界面に亀裂を生
じ、この亀裂が成長すると電気的接続が損なわれるとい
う問題があった。そのため、クリーム半田は適正量を供
給し、この半田上に半田の形状を変化させないように電
子部品を供給する必要があった。
は外装樹脂と面一に、電子部品本体の裏面電極や電極チ
ップあるいは第1、第2の金属層などの平面電極が外装
樹脂と面一に近接して露呈しているため、溶融半田によ
って平面電極間が短絡したり互いに近接し電気的接続を
不安定にすることがあった。
を目的として提案されたもので、第1の導電膜上に固定
した電子部品本体と、第1導電膜と略面一に配置された
第2の導電膜とを電気的に接続し、第1、第2の導電膜
の周面を含む電子部品本体固定面側を樹脂被覆した電子
部品において、上記導電膜の樹脂から露呈した面に導電
性突起を形成したことを特徴とする電子部品を提供す
る。
所定位置に微細孔を形成する工程と、樹脂フィルム上の
微細孔が形成された所定位置を含む複数領域に第1、第
2の導電膜を形成する工程と、第1の導電膜上に電子部
品本体を固定する工程と、電子部品本体上の電極と第2
の導電膜とを電気的に接続する工程と、樹脂フィルム上
の電子部品本体を含む領域を外装樹脂にて被覆する工程
と、第1、第2の導電膜を外装樹脂に残留させて樹脂フ
ィルムを剥離し、外装樹脂表面に導電性突起を有する導
電膜を含む第1、第2の導電膜を露呈させる工程と、外
装樹脂を切断して個々の電子部品に分割する工程とを有
することを特徴とする電子部品の製造方法を提供する。
術3に開示された電子部品と同様の構造をしているが、
上記導電膜の樹脂から露呈した面に導電性突起を形成し
た点で相異する。この電子部品の導電性突起は外装樹脂
から露呈した導電膜の外面に島状に突出させてもよい。
この場合、導電性突起は導電膜の外面側を局部的に突出
形成するだけでなく、外装樹脂内部から導電膜を局所的
に外方に押し出して形成することもできる。また導電性
突起は導電膜上に点在させるだけでなく、線状または環
状に連続して形成することができる。
一主面上の所定位置に微細孔を形成する工程と、樹脂フ
ィルム上の微細孔が形成された所定位置を含む複数領域
に第1、第2の導電膜を形成する工程と、第1の導電膜
上に電子部品本体を固定する工程と、電子部品本体上の
電極と第2の導電膜とを電気的に接続する工程と、樹脂
フィルム上の電子部品本体を含む領域を外装樹脂にて被
覆する工程と、第1、第2の導電膜を外装樹脂に残留さ
せて樹脂フィルムを剥離し、外装樹脂表面に導電性突起
を有する導電膜を含む第1、第2の導電膜を露呈させる
工程と、外装樹脂を切断して個々の電子部品に分割する
工程を通して製造することができる。この場合、絶縁フ
ィルムの微細孔はレーザ光の照射、エッチング、あるい
は樹脂フィルムに硬質突起を圧接することにより形成す
ることができる。
ムの一主面上に少なくとも2つの導電膜を形成する工程
と、一方の導電膜に電子部品本体を固定する工程と、電
子部品本体上の電極と他の導電膜とを電気的に接続する
工程と、樹脂フィルム上の電子部品本体を含む領域を外
装樹脂にて被覆する工程と、各導電膜を外装樹脂に残留
させて樹脂フィルムを剥離し、外装樹脂表面に各導電膜
を露呈させる工程と、外装樹脂を切断して個々の電子部
品に分割する工程とを含む電子部品の製造方法におい
て、上記外装樹脂被覆前に、樹脂フィルムに形成された
導電膜上を局所加圧し樹脂フィルム内に突出させる工程
を付加することによっても製造することができる。この
場合、微細な硬質突起を用いて導電膜上を局所加圧し導
電膜の内面を樹脂フィルム内に突出させることにより導
電性突起を形成することかできる。また電子部品本体と
導電膜とをワイヤで接続する場合、ワイヤの一端を導電
膜に局所加圧することにより導電性突起を形成すること
ができる。
及び図2から説明する。図において、7は第1の導電
膜、8a、8bは第1の導電膜7と面一に配置された第
2の導電膜で、図示例では第1の導電膜7の一端側に同
一寸法、同一形状の第2の導電膜が2個並列形成されて
いる。第1、第2の導電膜7、8は金や銅、ニッケルな
どの金属またはこれらを主成分とする合金を単層めっき
あるいは多層めっきして厚さ0.5〜50μmに形成し
たものである。9は第1の導電膜7上にマウントされた
電子部品本体、例えば半導体ペレット、10a、10b
は電子部品本体9上の電極(図示せず)と第2の導電膜
8a、8bとを電気的に接続するワイヤ、11は第1、
第2の導電膜7、8の周面を含む電子部品本体9が固定
された面を被覆した外装樹脂を示す。この外装樹脂11
の外径寸法は例えば0.8mm×0.6mmで、この外
径寸法に対して、第1の導電膜7の外形寸法は例えば
0.4mm×0.4mmに、第2の導電膜8a、8bの
各外形寸法は例えば0.2mm×0.2mmに設定され
る。本発明による電子部品12は外装樹脂11の一主面
に露呈した第1、第2の導電膜7、8に微細な導電性突
起13a、13bを形成したことを特長とする。この導
電性突起13a、13bは基部の直径が40〜100μ
m、高さは20〜100μmに設定され、図示例では第
1の導電膜7に2個、第2の導電膜8a、8bにそれぞ
れ1個形成されている。
から説明する。先ず、図3及び図4に示す配線基板14
を用意する。この配線基板14は可撓性を有する絶縁基
板15上の所定位置に微細孔16a、16bを所定の間
隔で多数形成し、この微細孔16a、16bを含む絶縁
基板15上の全面を導電薄膜(図示せず)で被覆し、こ
の導電薄膜をエッチングして微細孔16a、16bを含
む領域に第1、第2の導電膜7、8を形成ている。絶縁
基板15表面は材質に応じ表面粗度が0.1〜5μmと
され導電膜7、8の接着強度を制御している。微細孔1
6aは開口径が40〜100μm、深さが20〜100
μmの円筒状または円錐状で、レーザ光の照射、局所エ
ッチング、あるいは硬質突起を所定位置に配列した平板
を圧接することにより形成される。また導電薄膜は無電
解めっきのみの単層膜あるいは無電解めっき層上に無電
解めっき層あるいは電解めっき層を積層した多層膜、導
電箔を融着したものなどを用いることができる。第1、
第2の導電膜7、8を電気めっきするため各導電膜7、
8を互いに電気的に接続している。即ち、図4に示すよ
うに絶縁基板15の周縁を導電性矩形枠Aで囲み、第1
の導電膜7、7、・・を導電舌片Bを介して互いに電気
的に接続すると共に図示上下両端を矩形枠Aに接続し、
一端側にある第1の導電膜7と矩形枠Aを接続舌片Bを
介して電気的に接続し、第2の導電膜8を隣の組の第1
の導電膜7に接続舌片Cを介して接続している。微細孔
16a、16bは各導電膜7、8の導電層が充実し一体
化している。導電膜7、8の絶縁基板15に対する接着
強度(ピール強度)は前記粗面により通常の電子回路装
置用印刷配線基板としては不適当な値である500g/
cmより小さい値、例えば200g/cmに設定され
る。次に図5に示すように第1の導電膜7上に電子部品
本体9をマウントする。このマウントは一般的には銀ペ
ーストなどの導電性接着材を用いて接着されるが、絶縁
基板15として耐熱性を有するものを用いる場合には、
熱圧着法や超音波ボンディング法を採用することができ
る。
電極(図示せず)と第2の導電膜8を図示例ではワイヤ
10を介して電気的に接続する。ワイヤボンディング作
業が完了した配線基板14は樹脂モールド工程に送られ
て、図7に示すように絶縁基板15上を外装樹脂11で
被覆する。これにより、導電膜7、8はその周面が外装
樹脂11と接触した状態で樹脂被覆される。このように
して樹脂外装を完了した配線基板14は図8に示す絶縁
基板15の剥離工程に送られる。この剥離作業の際、必
要に応じて外装樹脂11側を固定盤(図示せす)に貼り
付けることにより、外装樹脂11の変形を防止し剥離作
業を容易にできる。導電膜7、8と絶縁基板15の間の
接着強度は予め小さく設定されているから導電膜7、8
は外装樹脂11に残留し外部に露呈する。このようにし
て絶縁基板15を剥離した後、図9の図示点線で示すよ
うに外装樹脂11を回転ブレードやウォータジェットを
用いたダイサ(図示せず)により切断し、絶縁基板15
上に形成された導電膜の内、矩形枠Aなどの不要部分を
除去し、接続舌片B、Cの中間位置を切断して第1、第
2の導電膜7、8を分離し、図1、図2、図10に示す
電子部品を得る。
た微細孔16a、16b内に充実された導電材により導
電性突起13が第1、第2の導電膜7、8上に形成され
る。この導電性突起13a、13bは基部の直径40〜
100μm、高さ20〜100μmに設定することによ
り、外部の印刷配線基板に導電性接着材を介して実装す
る際にスペーサとして機能し電子部品12を押しつけて
も導電膜7、8下に充分な厚みの導電性接着剤を確保で
き、確実に実装できる。
た絶縁基板15を用いることにより導電性突起13を形
成したが、絶縁基板15上に導電膜7、8を形成した
後、平坦面に微細突起を多数形成した加圧部材を絶縁基
板15に押しつけることにより、導電膜7、8を絶縁基
板15内に押し込み、この押し込み部分を絶縁基板15
を剥離した後、導電性突起とすることができる。また、
電子部品本体9と第2の導電膜8とをワイヤ10で接続
する際に、先端が微細なボンディングツールで第2の導
電膜8を局部的に加圧することにより、その一部を絶縁
基板15内に突出させ、この突出部分を導電性突起とす
ることができる。この場合には特別な配線基板や加圧部
材が不要である。
7、8上に島状に点在させたが、線状または環状に連続
形成することができる。例えば、絶縁基板15の一直線
上をレーザ光で照射したりスクライバーで罫書き、ある
いはエッチングすることにより連続した凹溝を形成しこ
の凹溝上に導電膜を形成することにより連続した導電性
突起を容易に形成することができる。また第1、第2の
導電膜7、8を電気的に接続する接続舌片B、Cの中間
に連続した凹溝を形成することにより図11に示すよう
に第1、第2の導電膜7、8の近傍に導電性突起13を
連続形成することができる。これにより各導電膜7、8
の外方を導電性突起13で囲むことができる。
ことなく、例えば電子部品本体は半導体ペレットなどの
能動素子だけでなく、抵抗、コンデンサ、インダクタな
どの受動素子にも適用できる。また1mm以下の外径寸
法の電子部品だけでなく、より大型の電子部品にも適用
できる。また電子部品本体9と導電膜8の接続はワイヤ
10を用いるだけでなく、導電テープ等を用いることが
でき、電子部品本体9に突起電極を形成することによ
り、各導電膜7、8上に跨って電子部品本体9を配置
し、各導電膜7、8と電子部品本体9とを突起電極を介
して直接的に電気接続することもできる。また導電膜
7、8の所要数は電子部品本体9の電極数により決定さ
れることはいうまでもない。
が1mm以下の小型の電子部品でも、印刷配線基板上で
表面実装される際に、導電ランドと導電膜の間に所定厚
みの導電性接着材を確保することができ、電子部品を供
給した際に導電性接着材の食み出しやひろがった導電性
接着材の形状のばらつきを抑えることができ、第1、第
2の導電膜7、8を近接させても電極間ブリッジによる
短絡事故を防止でき実装性が良好な小型の電子部品を実
現できる。
側断面図
側断面図
面図
側断面図
る工程とを示す側断面図
す斜視図
図
Claims (5)
- 【請求項1】第1の導電膜上に固定した電子部品本体
と、第1導電膜と略面一に配置された第2の導電膜とを
電気的に接続し、第1、第2の導電膜の周面を含む電子
部品本体固定面側を樹脂被覆した電子部品において、上
記導電膜の樹脂から露呈した面に導電性突起を形成した
ことを特徴とする電子部品。 - 【請求項2】導電性突起が島状突起であることを特徴す
る請求項1に記載の電子部品。 - 【請求項3】導電性突起が連続した突起であることを特
徴する請求項1に記載の電子部品。 - 【請求項4】樹脂フィルムの一主面上の所定位置に微細
孔を形成する工程と、樹脂フィルム上の微細孔が形成さ
れた所定位置を含む複数領域に第1、第2の導電膜を形
成する工程と、第1の導電膜上に電子部品本体を固定す
る工程と、電子部品本体上の電極と第2の導電膜とを電
気的に接続する工程と、樹脂フィルム上の電子部品本体
を含む領域を外装樹脂にて被覆する工程と、第1、第2
の導電膜を外装樹脂に残留させて樹脂フィルムを剥離
し、外装樹脂表面に導電性突起を有する導電膜を含む第
1、第2の導電膜を露呈させる工程と、外装樹脂を切断
して個々の電子部品に分割する工程とを有することを特
徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項5】樹脂フィルムの一主面上に少なくとも2つ
の導電膜を形成する工程と、一方の導電膜に電子部品本
体を固定する工程と、電子部品本体上の電極と他の導電
膜とを電気的に接続する工程と、樹脂フィルム上の電子
部品本体を含む領域を外装樹脂にて被覆する工程と、各
導電膜を外装樹脂に残留させて樹脂フィルムを剥離し、
外装樹脂表面に各導電膜を露呈させる工程と、外装樹脂
を切断して個々の電子部品に分割する工程とを含む電子
部品の製造方法において、上記外装樹脂被覆前に、樹脂
フィルムに形成された導電膜上を局所加圧し樹脂フィル
ム内に突出させる工程を有することを特徴とする電子部
品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002050903A JP3942457B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 電子部品の製造方法 |
US10/368,461 US6794762B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-02-20 | Electronic component and fabrication method thereof |
CNB031064701A CN1244148C (zh) | 2002-02-27 | 2003-02-27 | 电子元件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002050903A JP3942457B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003258007A true JP2003258007A (ja) | 2003-09-12 |
JP3942457B2 JP3942457B2 (ja) | 2007-07-11 |
Family
ID=27750840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002050903A Expired - Fee Related JP3942457B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6794762B2 (ja) |
JP (1) | JP3942457B2 (ja) |
CN (1) | CN1244148C (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093575A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008130812A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 表面実装型電子部品及びその実装構造 |
JP2013016819A (ja) * | 2004-12-16 | 2013-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
JP2018206977A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 富士電機株式会社 | 半導体パッケージ、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4611569B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
US7177143B1 (en) | 2002-08-05 | 2007-02-13 | Communication Associates, Inc. | Molded electronic components |
US20050009242A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Jung-Chien Chang | Packaging method for thin integrated circuits |
US20050005436A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-13 | Jung-Chien Chang | Method for preparing thin integrated circuits with multiple circuit layers |
WO2009118916A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Nec Corporation | Multi-chip hybrid-mounted device and method of manufacturing the same |
DE202008005708U1 (de) * | 2008-04-24 | 2008-07-10 | Vishay Semiconductor Gmbh | Oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement |
US8240036B2 (en) | 2008-04-30 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Method of producing a circuit board |
MX2011006826A (es) * | 2008-12-23 | 2011-08-03 | Novelis Inc | Hoja de metal revestido y tuberia de intercambio termico, etc., elaborada con la misma. |
US8929092B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-01-06 | Panasonic Corporation | Circuit board, and semiconductor device having component mounted on circuit board |
US9332642B2 (en) * | 2009-10-30 | 2016-05-03 | Panasonic Corporation | Circuit board |
WO2011087168A1 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 삼성엘이디 주식회사 | 인쇄회로기판 |
US9418919B2 (en) * | 2010-07-29 | 2016-08-16 | Nxp B.V. | Leadless chip carrier having improved mountability |
US8309400B2 (en) * | 2010-10-15 | 2012-11-13 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Leadframe package structure and manufacturing method thereof |
US10431532B2 (en) * | 2014-05-12 | 2019-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device with notched main lead |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4726029A (en) | 1985-09-10 | 1988-02-16 | Hycom Incorporated | Error-correcting modem |
US5200362A (en) * | 1989-09-06 | 1993-04-06 | Motorola, Inc. | Method of attaching conductive traces to an encapsulated semiconductor die using a removable transfer film |
FR2734983B1 (fr) * | 1995-05-29 | 1997-07-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Utilisation d'un micromodule comme boitier de montage en surface et procede correspondant |
US5977613A (en) * | 1996-03-07 | 1999-11-02 | Matsushita Electronics Corporation | Electronic component, method for making the same, and lead frame and mold assembly for use therein |
JP3500015B2 (ja) | 1996-09-25 | 2004-02-23 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000068436A (ja) * | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置用フレーム |
JP2002016181A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Torex Semiconductor Ltd | 半導体装置、その製造方法、及び電着フレーム |
JP4731021B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2011-07-20 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2002
- 2002-02-27 JP JP2002050903A patent/JP3942457B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-20 US US10/368,461 patent/US6794762B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-27 CN CNB031064701A patent/CN1244148C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093575A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013016819A (ja) * | 2004-12-16 | 2013-01-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | パッケージングされた電子デバイス及びその製作方法 |
JP2008130812A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 表面実装型電子部品及びその実装構造 |
JP2018206977A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 富士電機株式会社 | 半導体パッケージ、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6794762B2 (en) | 2004-09-21 |
JP3942457B2 (ja) | 2007-07-11 |
US20030160339A1 (en) | 2003-08-28 |
CN1441492A (zh) | 2003-09-10 |
CN1244148C (zh) | 2006-03-01 |
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JPS6350862B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040819 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050324 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070403 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120413 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130413 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140413 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |