CN105874707B - 压电振动器件及压电振动器件与电路基板的接合构造 - Google Patents

压电振动器件及压电振动器件与电路基板的接合构造 Download PDF

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Abstract

在夹层构造的压电振动器件中，能够一边削减成本、一边使用贯通孔来实现第2密封构件的两主面之间的导通。晶体振子(101)设有：晶体振动板(2)；第1密封构件(3)，其覆盖晶体振动板(2)的第1激振电极(221)；以及第2密封构件(4)，其覆盖晶体振动板(2)的第2激振电极(222)，形成有使用流动性导电接合材料(62)与电路基板(61)连接的一外部电极端子(431)、另一外部电极端子(432)。在第2密封构件(4)中形成有在一主面(411)与另一主面(412)之间贯通的第2贯通孔(441)、第3贯通孔(442)，在另一主面(412)上形成有一外部电极端子(431)、另一外部电极端子(432)。在第2贯通孔(441)、第3贯通孔(442)中，分别形成有用于实现在一主面(411)和另一主面(412)上形成的电极的导通的贯通电极(71)，且存在贯通部分(72)。

Description

压电振动器件及压电振动器件与电路基板的接合构造
技术领域
本发明涉及压电振动器件、以及压电振动器件与电路基板的接合构造。
背景技术
近年来，各种电子设备的动作频率的高频化、封装的小型化(尤其是低矮化)不断得到发展。因此，随着高频化、封装的小型化，也要求压电振动器件(例如晶体振子等)应对高频化、封装的小型化。
在这种压电振动器件中，其壳体由长方体的封装构成。该封装包括：第1密封构件以及第2密封构件，其由玻璃、水晶构成；晶体振动板，其由水晶构成，在两主面上形成有激振电极，第1密封构件和第2密封构件隔着晶体振动板层叠接合，配置在封装的内部(内部空间)的晶体振动板的激振电极被气密地密封(例如、专利文献1)。以下将这样的压电振动器件的层叠形态称为夹层构造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013－254855号公报
发明内容
不过，在该专利文献1所示的晶体振子中，在内部空间内，在第2密封构件中设有贯通孔，在贯通孔内填埋有电极材料。因此，在该晶体振子中，能够在第2密封构件的两主面之间实现导通，而且，贯通孔内被电极材料填埋，从而内部空间(封装内部)被气密地密封。
然而，在专利文献1所示的晶体振子中，为了使用贯通孔来实现第2密封构件的两主面之间的导通，可使用填满贯通孔内的电极材料，成本升高。
因此，为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种能够一边削减成本、一边使用贯通孔来实现第2密封构件的两主面之间的导通的夹层构造的压电振动器件、以及压电振动器件与电路基板的接合构造。
为了达成上述的目的，本发明的压电振动器件设有：压电振动板，其在基板的一主面上形成有第1激振电极，在所述基板的另一主面上形成有与所述第1激振电极成对的第2激振电极；第1密封构件，其覆盖所述压电振动板的所述第1激振电极；第2密封构件，其覆盖所述压电振动板的所述第2激振电极，设有使用流动性导电接合材料与外部的电路基板电连接的外部电极端子，所述第1密封构件与所述压电振动板接合、所述第2密封构件与所述压电振动板接合，从而形成将包括所述第1激振电极和所述第2激振电极在内的所述压电振动板的振动部气密地密封的内部空间，其特征在于，在所述第2密封构件中形成有在一主面与另一主面之间贯通的第2密封构件用贯通孔，在所述另一主面上形成有所述外部电极端子，在所述第2密封构件用贯通孔中，形成有用于实现在所述一主面和所述另一主面上形成的电极的导通的贯通电极，且存在贯通部分。
根据本发明，在所述第2密封构件用贯通孔中形成有所述贯通电极，且存在所述贯通部分，因此，在所述贯通部分没有形成所述贯通电极。因此，能够将所述贯通电极的材料的使用量减少与填埋所述贯通部分的所述贯通电极的量相当的量，其结果，能够削减成本。而且，根据本发明，能够利用在所述第2密封构件用贯通孔中形成的所述贯通电极来实现所述第2密封构件的两主面之间(所述一主面与所述另一主面之间)的导通。因此，与例如专利文献1的技术等现有技术相比，无需使用金属的电极材料来填埋所述第2密封构件用贯通孔。
另外，根据本发明，在使用流动性导电接合材料与外部的电路基板电连接的接合构造中，在所述第2密封构件用贯通孔中形成有所述贯通电极，且存在所述贯通部分，因此，在使用流动性导电接合材料将所述外部电极端子与外部的电路基板形成了电连接时，流动性导电接合材料从所述外部电极端子流向所述第2密封构件用贯通孔，蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。另外，如果增多流动性导电接合材料的使用量，就填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。因此，在该压电振动器件与外部的电路基板接合时，接合应力施加于所述外部电极端子，但该接合应力分散掉与流向所述第2密封构件用贯通孔并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分的流动性导电接合材料的量相应的量，因此，在该压电振动器件与外部的电路基板接合时，能够使施加于所述外部电极端子的接合应力实质上降低。
另外，在使用流动性导电接合材料来将所述外部电极端子与外部的电路基板形成了电连接时，所述流动性导电接合材料附着于所述外部电极端子，而且，也向所述第2密封构件用贯通孔的所述贯通部分扩散并附着于所述贯通部分，因此，能够使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的该压电振动器件是有效的，即使缩小该压电振动器件的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
作为本发明的具体的结构，优选所述第2密封构件用贯通孔配置在所述内部空间的外方。根据该结构，所述第2密封构件用贯通孔没有形成在所述内部空间内，因此，不产生由于形成所述第2密封构件用贯通孔而使所述内部空间无法气密地密封这样的问题。
在所述结构中，也可以是，在所述压电振动板中形成有在一主面与另一主面之间贯通的压电振动板用贯通孔，在所述压电振动板用贯通孔中形成有用于实现在所述一主面和所述另一主面上形成的电极的导通的贯通电极，且存在贯通部分，所述压电振动板用贯通孔的贯通部分与所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分至少局部重叠。
在该情况下，所述压电振动板用贯通孔的贯通部分与所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分至少局部重叠，因此，通过对重叠部分进行确认，能够使用所述压电振动板用贯通孔和所述第2密封构件用贯通孔来防止所述第2密封构件与所述压电振动板之间的层叠位置偏移。
在所述结构中，也可以是，在所述第1密封构件中形成有在一主面与另一主面之间贯通的第1密封构件用贯通孔，在所述第1密封构件用贯通孔中，形成有用于实现在所述一主面和所述另一主面上形成的电极的导通的贯通电极，且形成有贯通部分，在所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分和所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分中，分别至少局部重叠。
在该情况下，在所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分和所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分中，分别至少局部重叠，因此通过对重叠部分进行确认，能够防止第1密封构件、所述第2密封构件与所述压电振动板之间的层叠位置偏移。
另外，所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分、所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分间至少局部重叠，因此，即使在为了与外部的电路基板电连接所使用的流动性导电接合材料中存在气泡，也能够使流动性导电接合材料的气泡(气体)经由所述第2密封构件用贯通孔、所述压电振动板用贯通孔、以及第1密封构件用贯通孔相重叠部分从所述第1密封构件的一主面向外部排出。
在所述结构中，也可以是，所述压电振动板的所述第1激振电极经由在所述第1密封构件的所述一主面上形成的第1端子与所述第2密封构件的所述外部电极端子中的一外部电极端子连接，所述压电振动板的所述第2激振电极经由在所述第1密封构件的所述一主面上形成的第2端子与所述第2密封构件的所述外部电极端子中的另一外部电极端子连接。在该情况下，也可以是，分别在所述第1端子与所述一外部电极端子之间、以及在所述第2端子与所述另一外部电极端子之间分别设置有所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分、所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分相重叠部分。
根据本结构，所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分、所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分间至少局部重叠，因此，即使在为了与外部的电路基板电连接所使用的流动性导电接合材料中存在气泡，也能够使流动性导电接合材料的气泡经由所述第2密封构件用贯通孔、所述压电振动板用贯通孔以及第1密封构件用贯通孔相重叠部分从所述第1密封构件的一主面向外部排出。
此外，在使用流动性导电接合材料将外部电极端子(一外部电极端子、另一外部电极端子)与外部的电路基板形成了电连接时，流动性导电接合材料从所述外部电极端子流向所述第2密封构件用贯通孔，并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。此时，由于蔓延到贯通部分的流动性导电接合材料的侵蚀作用，担心气密地密封有压电振动板的振动部的内部空间的气密性的降低。不过，根据所述结构，作为从所述压电振动板的所述第1激振电极到所述外部电极端子(一外部电极端子)的路径的长度，进而，作为从所述压电振动板的所述第2激振电极到所述外部电极端子(另一外部电极端子)的路径的长度，能够确保较长的距离，因此，能够抑制流动性导电接合材料的侵蚀作用对内部空间的气密性降低的影响。
另外，通过将设于所述第1密封构件的所述一主面上的第1端子以及第2端子用作压电振动板的检查用端子，能够容易地进行压电振动板的检查。而且，能够容易地变更第1端子以及第2端子的大小，由此，能够根据要求对从外部电极端子(一外部电极端子、另一外部电极端子)表现出来的压电振动板容量进行微调。
在所述结构中，也可以是，各所述重叠的部分分别设置于所述内部空间的密封区域的外方。
根据本结构，在气密地密封有压电振动板的振动部的内部空间的密封区域的外方(与气密性无关的区域)设置各所述重叠的部分，因此，能够更加抑制因流动性导电接合材料(焊料等)的侵蚀作用引起的内部空间的气密性降低。
另外，根据本结构，在使用流动性导电接合材料将压电振动器件与外部的电路基板接合时，流动性导电接合材料从外部电极端子流向第2密封构件用贯通孔，并蔓延到贯通孔(第2密封构件用贯通孔、压电振动板用贯通孔、第1密封构件用贯通孔)的贯通部分，填埋该贯通孔的贯通部分。因此，压电振动器件与外部的电路基板接合时产生的接合应力被分散掉与蔓延到贯通孔的贯通部分的流动性导电接合材料的量相当的量，因此，能够在接合时使施加于外部电极端子的接合应力降低。
另外，根据本结构，在与设于密封区域内的压电振动板的振动部分开的位置设有贯通孔(压电振动板用贯通孔、第1密封构件用贯通孔、第2密封构件用贯通孔)，因此，在压电振动器件与外部的电路基板接合时，即使贯通孔的贯通部分被热膨胀率与压电振动板等的热膨胀率不同的流动性导电接合材料填埋，也能够抑制所产生的接合应力对压电振动板的振动部的影响。
详细而言，在压电振动器件与外部的电路基板接合时，在贯通孔的贯通部分由流动性导电接合材料填埋了的情况下，担心在因流动性导电接合材料与压电振动板等之间的热膨胀率差而产生的应力的作用下对压电振动板的振动部带来不良影响。不过，根据本结构，即使贯通孔的贯通部分由流动性导电接合材料填埋了，也配置在压电振动板的振动部与贯通孔分开的位置，因此，能够抑制因热膨胀率差而产生的上述应力对压电振动板的振动部的影响。另外，密封区域的密封部介于压电振动板的振动部与贯通孔之间，因此，因热膨胀率差而产生的上述应力不会从填埋到贯通孔的流动性导电接合材料直接向压电振动板的振动部传递。这样，因热膨胀率差而产生的上述应力的传递被密封区域的密封部阻隔，因此，能够使向压电振动板的振动部传递的应力降低。
在所述结构中，也可以是，在所述压电振动板的一主面上形成有用于与所述第1密封构件密封接合的振动侧第1接合图案，在所述压电振动板的另一主面上形成有用于与所述第2密封构件密封接合的振动侧第2接合图案，在所述第1密封构件上形成有用于与所述压电振动板接合的密封侧第1接合图案，在所述第2密封构件形成有用于与所述压电振动板接合的密封侧第2接合图案，所述密封侧第1接合图案和所述振动侧第1接合图案被扩散接合，所述密封侧第2接合图案和所述振动侧第2接合图案被扩散接合，所述第1密封构件与所述压电振动板之间具有1.00μm以下的间隙，所述第2密封构件与所述压电振动板之间具有1.00μm以下的间隙。
在该情况下，该压电振动器件的封装的高度没有产生偏差。例如在与本结构不同、并使用间隙大于1μm的Sn接合材料那样的金属糊剂密封材料的情况下，在将金属糊剂密封材料形成在图案(所述振动侧第1接合图案、所述振动侧第2接合图案、所述密封侧第1接合图案、所述密封侧第2接合图案)上时的高度产生偏差。另外，在接合后，也由于所形成的图案(所述振动侧第1接合图案、所述振动侧第2接合图案、所述密封侧第1接合图案、所述密封侧第2接合图案)的热容量分布，没有成为均匀的间隙。因此，在现有技术中，在为第1密封构件、第2密封构件、压电振动板这3个构件层叠而成的构造的情况下，这3个构件之间各自的间隙产生差异。其结果，层叠起来的3个构件就以没有保持平行的状态接合。尤其是，该问题随着低矮化而变得显著。相对于此，在本结构中，上限设定成1.00μm，因此，能够将所述第1密封构件、所述第2密封构件、所述压电振动板这3个构件以保持在平行的状态层叠接合，本结构能够应对低矮化。
为了达成上述的目的，本发明的压电振动器件与电路基板的接合构造的特征在于，本发明的压电振动器件使用流动性导电接合材料与电路基板电连接，在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。
根据本发明，在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分，因此，与专利文献1的技术等现有技术相比，能够将所述贯通电极的材料的使用量削减掉与填埋所述贯通部分的所述流动性导电接合材料的量相当的量。其结果，与现有技术相比，无需使用金属的电极材料来填埋所述第2密封构件用贯通孔。
另外，根据本发明，所述流动性导电接合材料从所述外部电极端子流向所述第2密封构件用贯通孔，并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。另外，只要增多所述流动性导电接合材料的使用量，就可填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。因此，在所述压电振动器件与所述电路基板接合时接合应力施加于所述外部电极端子，但该接合应力分散掉与流向所述第2密封构件用贯通孔并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分的所述流动性导电接合材料的量相当的量，因此，在所述压电振动器件与所述电路基板接合时，能够使施加于所述外部电极端子的接合应力实质上降低。
另外，在使用所述流动性导电接合材料将所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，所述流动性导电接合材料附着于所述外部电极端子，而且，也向所述第2密封构件用贯通孔的所述贯通部分扩散并附着于所述贯通部分，因此，能够使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的所述压电振动器件是有效的，即使缩小所述压电振动器件的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
为了达成上述的目的，本发明的另一压电振动器件与电路基板的接合构造的特征在于，使用流动性导电接合材料将本发明的压电振动器件与电路基板电连接，在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。
根据本发明，在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分，因此，与专利文献1的技术等现有技术相比，能够将所述压电振动板用贯通孔的贯通电极以及所述第2密封构件用贯通孔的贯通电极的使用量削减掉与填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分的所述流动性导电接合材料的量相当的量。其结果，与现有技术相比，无需使用金属的电极材料来填埋所述压电振动板用贯通孔以及所述第2密封构件用贯通孔。
另外，根据本发明，所述流动性导电接合材料从所述外部电极端子流向所述第2密封构件用贯通孔以及所述压电振动板用贯通孔，并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述压电振动板用贯通孔的贯通部分，填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述压电振动板用贯通孔的贯通部分。因此，在所述压电振动器件与所述电路基板接合时接合应力施加于所述外部电极端子，但该接合应力分散掉与流向所述第2密封构件用贯通孔以及所述压电振动板用贯通孔并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述压电振动板用贯通孔的贯通部分的所述流动性导电接合材料的量相当的量，因此，在所述压电振动器件与所述电路基板接合时，能够使施加于所述外部电极端子的接合应力实质上降低。
另外，在使用所述流动性导电接合材料将所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，所述流动性导电接合材料附着于所述外部电极端子，而且，也向所述第2密封构件用贯通孔的所述贯通部分以及所述压电振动板用贯通孔的贯通部分扩散并附着于这些贯通部分，因此，能够使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的所述压电振动器件是有效的，即使缩小所述压电振动器件的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
为了达成上述的目的，本发明的另一压电振动器件与电路基板的接合构造的特征在于，本发明的压电振动器件使用流动性导电接合材料与电路基板电连接，在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分。
根据本发明，在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分，因此，与专利文献1的技术等现有技术相比，能够将所述压电振动板用贯通孔的贯通电极、所述第2密封构件用贯通孔的贯通电极以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通电极的材料的使用量，削减掉与填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分的所述流动性导电接合材料的量相当的量。其结果，与现有技术相比，无需使用金属的电极材料来填埋所述压电振动板用贯通孔、所述第2密封构件用贯通孔以及所述第1密封构件用贯通孔。
另外，根据本发明，所述流动性导电接合材料从所述外部电极端子流向所述第2密封构件用贯通孔、所述压电振动板用贯通孔以及所述第1密封构件用贯通孔，并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分、所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分，填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分、所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分。因此，在所述压电振动器件与所述电路基板接合时，接合应力施加于所述外部电极端子，但该接合应力分散掉与流向所述第2密封构件用贯通孔、所述压电振动板用贯通孔以及所述第1密封构件用贯通孔并蔓延到所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分、所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分的所述流动性导电接合材料的量相当的量，因此，在所述压电振动器件与所述电路基板接合时，能够使施加于所述外部电极端子的接合应力实质上降低。
另外，在使用所述流动性导电接合材料将所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，所述流动性导电接合材料附着于所述外部电极端子，而且，也向所述第2密封构件用贯通孔的所述贯通部分、所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分扩散并附着于这些贯通部分，因此，能够使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的所述压电振动器件是有效的，即使缩小所述压电振动器件的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
根据本发明，能够一边削减夹层构造的压电振动器件的成本、一边使用贯通孔来实现第2密封构件的两主面之间的导通。
附图说明
图1是表示本实施方式的晶体振子的各构成的概要结构图。
图2是本实施方式的晶体振子的第1密封构件的概要俯视图。
图3是本实施方式的晶体振子的第1密封构件的概要背面图。
图4是本实施方式的晶体振子的晶体振动板的概要俯视图。
图5是本实施方式的晶体振子的晶体振动板的概要背面图。
图6是本实施方式的晶体振子的第2密封构件的概要俯视图。
图7是本实施方式的晶体振子的第2密封构件的概要背面图。
图8是表示图1所示的晶体振子与电路基板的接合构造的图，是表示贯通孔内的流动性导电接合材料的附着位置的图。
图9是表示图1所示的晶体振子与电路基板的接合构造的图，是表示贯通孔内的流动性导电接合材料的附着位置的图。
图10是表示本实施方式的晶体振荡器的各构成的概要结构图。
图11是本实施方式的晶体振荡器的第1密封构件的概要俯视图。
图12是本实施方式的晶体振荡器的第1密封构件的概要背面图。
图13是本实施方式的晶体振荡器的晶体振动板的概要俯视图。
图14是本实施方式的晶体振荡器的晶体振动板的概要背面图。
图15是本实施方式的晶体振荡器的第2密封构件的概要俯视图。
图16是本实施方式的晶体振荡器的第2密封构件的概要背面图。
图17是表示图10所示的晶体振荡器与电路基板的接合构造的图，是表示贯通孔内的流动性导电接合材料的附着位置的图。
图18是表示图10所示的晶体振荡器与电路基板的接合构造的图，是表示贯通孔内的流动性导电接合材料的附着位置的图。
图19是表示本实施方式的变形例的晶体振子的各构成的概要结构图。
图20是本实施方式的变形例的晶体振子的第1密封构件的概要俯视图。
图21是本实施方式的变形例的晶体振子的第1密封构件的概要背面图。
图22是本实施方式的变形例的晶体振子的晶体振动板的概要俯视图。
图23是本实施方式的变形例的晶体振子的晶体振动板的概要背面图。
图24是本实施方式的变形例的晶体振子的第2密封构件的概要俯视图。
图25是本实施方式的变形例的晶体振子的第2密封构件的概要背面图。
图26是表示图19所示的晶体振子与电路基板的接合构造的图，是表示贯通孔内的流动性导电接合材料的附着位置的图。
图27是表示图19所示的晶体振子与电路基板的接合构造的图，是表示贯通孔内的流动性导电接合材料的附着位置的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。此外，在以下所示的实施方式中，示出了将本发明适用于晶体振子作为进行压电振动的压电振动器件的情况。
－晶体振子－
如图1所示，在本实施方式的晶体振子101中设有：晶体振动板2(在本发明中所谓的压电振动板)；第1密封构件3，其覆盖晶体振动板2的第1激振电极221(参照图4)，对在晶体振动板2的一主面211上形成的第1激振电极221进行气密地密封；第2密封构件4，其在该晶体振动板2的另一主面212上覆盖晶体振动板2的第2激振电极222(参照图5)，对与第1激振电极221成对地形成的第2激振电极222进行气密地密封。
在该晶体振子101中，晶体振动板2与第1密封构件3被接合、晶体振动板2与第2密封构件4被接合而构成夹层构造的封装12。
并且，通过将第1密封构件3和第2密封构件4隔着晶体振动板2接合，形成封装12的内部空间13，在该封装12的内部空间13内气密地密封有包括在晶体振动板2的两主面211、212上形成的第1激振电极221以及第2激振电极222的振动部23。此外，内部空间13如图1所示那样位于偏向封装12的俯视一端侧(俯视左侧)的位置。
本实施方式的晶体振子101是1.0mm×0.8mm的封装尺寸，实现了小型化和低矮化。另外，随着小型化，在本封装12中，未形成城垛结构(castellation)，而是使用贯通孔(参照第1贯通孔261、第2贯通孔441、第3贯通孔442)实现了电极的导通。
接着，使用图1～7对上述的晶体振子101的各构成进行说明。此外，在此，对构成为晶体振动板2、第1密封构件3以及第2密封构件4没有接合的各单体的各构件进行说明。
如图4、5所示，晶体振动板2由作为压电材料的水晶构成，其两主面(一主面211、另一主面212)成形(镜面加工)成平坦平滑面。
另外，在晶体振动板2的两主面211、212(一主面211、另一主面212)上形成有一对(成对的)激振电极(第1激振电极221、第2激振电极222)。并且，在两主面211、212上以包围一对第1激振电极221、第2激振电极222的方式形成有两个缺口部24(贯通形状)而构成了振动部23。缺口部24由俯视凹形状体241(由两个长方形从1个俯视长方形的两端分别沿着与长方形的长度方向呈直角的方向延伸而成形成的3个俯视长方形构成的俯视体)和俯视长方形状体242构成，俯视凹形状体241与俯视长方形状体242之间成为配置用于将第1激振电极221以及第2激振电极222向外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432；参照下述内容)引出的引出电极(第1引出电极223、第2引出电极224)的导通路径213。关于电极图案，从一对第1激振电极221、第2激振电极222分别引出来的第1引出电极223、第2引出电极224，借助振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252与在第2密封构件4上形成的外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)电连接。
在该晶体振动板2上，在沿着两主面211、212的振动部23的外方以包围振动部23的方式分别设有用于接合第1密封构件3和第2密封构件4的振动侧密封部25。振动侧密封部25如图4、5所示那样位于偏向两主面211、212的俯视左侧的位置。
在该晶体振动板2的一主面211的振动侧密封部25上形成有用于与第1密封构件3接合的振动侧第1接合图案251，第1激振电极221与振动侧第1接合图案251相连。另外，在晶体振动板2的另一主面212的振动侧密封部25上形成有用于与第2密封构件4接合的振动侧第2接合图案252，第2激振电极222与振动侧第2接合图案252相连。内部空间13形成在振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252这两者的内方(内侧)。
在晶体振动板2的一主面211上形成有用于与第1密封构件3接合的振动侧第1接合图案251，振动侧第1接合图案251由在一主面211上物理气相生长而形成的基底PVD膜2511和在基底PVD膜2511上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜2512构成。另外，在晶体振动板2的另一主面212上形成有用于与第2密封构件4接合的振动侧第2接合图案252，振动侧第2接合图案252由在另一主面212上物理气相生长而形成的基底PVD膜2521和在基底PVD膜2521上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜2522构成。也就是说，振动侧第1接合图案251和振动侧第2接合图案252由同一结构构成，是通过多个层层叠于两主面211、212的振动侧密封部25上而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或Cr层)和Au层。这样，在振动侧第1接合图案251和振动侧第2接合图案252中，基底PVD膜2511、2521由单一的材料(Ti(或Cr))构成，电极PVD膜2512、2522由单一的材料(Au)构成，电极PVD膜2512、2522的厚度比基底PVD膜2511、2521的厚度厚。另外，在晶体振动板2的一主面211上形成的第1激振电极221和振动侧第1接合图案251具有同一厚度，第1激振电极221的表面(主面)和振动侧第1接合图案251的表面(主面)由同一金属构成，在晶体振动板2的另一主面212上形成的第2激振电极222和振动侧第2接合图案252具有同一厚度，第2激振电极222的表面(主面)和振动侧第2接合图案252的表面(主面)由同一金属构成。另外，振动侧第1接合图案251和振动侧第2接合图案252是非Sn图案。此外，在同一主面上，是同一金属且同一厚度的结构，在对振动侧第1、2接合图案251、252与振动侧(第1激振电极221、第2激振电极222)进行了比较的情况下，只要最上层(至少暴露着的面)的金属(电极PVD膜2512、2522等)相同，则即使其基底金属(基底PVD膜2511、2521)的种类、厚度不同，也能够进行接合。另外，在振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252中，分别成为电极PVD膜2512、2522俯视呈鳞片状体的表面。在此所谓的鳞片状体是指，被活化而微观上成为单片状体的金属像铺草席那样重叠而俯视看来没有(或几乎没有)间隙的形态。
另外，如图4、5所示，在晶体振动板2中形成有在一主面211与另一主面212之间贯通的第1贯通孔261(本发明中所谓的压电振动板用贯通孔)，与第1激振电极221相连的振动侧第1接合图案251经由第1贯通孔261向另一主面212侧引出。如图1、4、5所示，在第1贯通孔261中，沿着第1贯通孔261的内壁面形成有用于实现在一主面211和另一主面212上形成的电极的导通的贯通电极71。并且，第1贯通孔261的中央部分成为在一主面211与另一主面212之间贯通的空心状态的贯通部分72。该第1贯通孔261配置在内部空间13的外方，如图4所示那样位于偏向两主面211、212的俯视另一端侧(俯视右侧)的位置，第1贯通孔261没有形成在内部空间13的内方。在此所谓的内部空间13的内方，指的是不包括接合材料11之上在内而严格地指接合材料11的内周面的内侧。
第1密封构件3使用了弯曲刚度(截面惯性矩×杨氏模量)是1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，如图2、3所示，第1密封构件3是由1张玻璃晶片形成的长方体的基板，该第1密封构件3的另一主面312(与晶体振动板2接合的面)成形(镜面加工)成平坦平滑面。
在该第1密封构件3的另一主面312设有用于与晶体振动板2接合的密封侧第1密封部32。密封侧第1密封部32如图3所示那样位于偏向第1密封构件3的另一主面312的俯视左侧的位置。
在第1密封构件3的密封侧第1密封部32上形成有用于与晶体振动板2接合的密封侧第1接合图案321。密封侧第1接合图案321在第1密封构件3的密封侧第1密封部32上的全部位置设为同一宽度。
该密封侧第1接合图案321由在第1密封构件3上物理气相生长而形成的基底PVD膜3211和在基底PVD膜3211上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜3212构成。此外，在本实施方式中，基底PVD膜3211使用了Ti(或Cr)，电极PVD膜3212使用了Au。另外，密封侧第1接合图案321是非Sn图案。具体而言，密封侧第1接合图案321是通过多个层层叠于另一主面312的密封侧第1密封部32上而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或Cr层)和Au层。另外，在密封侧第1接合图案321中，电极PVD膜3212成为俯视呈鳞片状体的表面。
第2密封构件4使用了弯曲刚度(断面惯性矩×杨氏模量)是1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，如图6所示，第2密封构件4是由1张玻璃晶片形成的长方体的基板，该第2密封构件4的一主面411(与晶体振动板2接合的面)成形(镜面加工)成平坦平滑面。
在该第2密封构件4的一主面411设有用于与晶体振动板2接合的密封侧第2密封部42。密封侧第2密封部42如图6所示那样位于偏向第2密封构件4的一主面411的俯视左侧的位置。
另外，在第2密封构件4的另一主面412(不面对晶体振动板2的靠外方的主面)设有与外部电连接的一对外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)。一外部电极端子431借助振动侧第1接合图案251与第1激振电极221直接电连接，另一外部电极端子432借助振动侧第2接合图案252与第2激振电极222直接电连接。一外部电极端子431、另一外部电极端子432如图7所示那样分别位于第2密封构件4的另一主面412的俯视长度方向两端。这一对外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)由在另一主面412上物理气相生长而形成的基底PVD膜4311、4321和在基底PVD膜4311、4321上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜4312、4322构成。另外，相比于上述的振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321、密封侧第2接合图案421各自的基底PVD膜2511、2521、3211、4211的厚度而言，外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)的基底PVD膜4311、4321的厚度相对较厚。另外，一外部电极端子431以及另一外部电极端子432分别占据第2密封构件4的另一主面412中的1/3以上的区域。
另外，在第2密封构件4的密封侧第2密封部42上形成有用于与晶体振动板2接合的密封侧第2接合图案421。密封侧第2接合图案421在第2密封构件4的密封侧第2密封部42上的全部位置设为同一宽度。
该密封侧第2接合图案421由在第2密封构件4上物理气相生长而形成的基底PVD膜4211和在基底PVD膜4211上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜4212构成。此外，在本实施方式中，基底PVD膜4211使用了Ti(或Cr)，电极PVD膜4212使用了Au。另外，密封侧第2接合图案421是非Sn图案。具体而言，密封侧第2接合图案421是通过多个层层叠于另一主面412的密封侧第2密封部42上而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或Cr层)和Au层。另外，在密封侧第2接合图案421中，电极PVD膜4212成为俯视呈鳞片状体的表面。
另外，如图1、6、7所示，在第2密封构件4中形成有在一主面411与另一主面412之间贯通的两个贯通孔(第2贯通孔441和第3贯通孔442；本发明中所谓的第2密封构件用贯通孔)。在第2贯通孔441和第3贯通孔442中，分别沿着第2贯通孔441和第3贯通孔442这两者的内壁面形成有用于实现在一主面411和另一主面412上形成的电极的导通的贯通电极71。并且，第2贯通孔441和第3贯通孔442这两者的中央部分成为在一主面411与另一主面412之间贯通的空心状态的贯通部分72。这些第2贯通孔441以及第3贯通孔442配置在内部空间13的外方，如图6、7所示那样第2贯通孔441位于偏向两主面(一主面411、另一主面412)的俯视右侧的位置，第3贯通孔442位于俯视左上侧，第2贯通孔441以及第3贯通孔442没有形成在内部空间13的内方。在此所谓的内部空间13的内方，指的是不包括接合材料11之上而是严格地接合材料11的内周面的内侧。并且，与晶体振动板2的第1激振电极221相连的振动侧第1接合图案251和一外部电极端子431借助晶体振动板2的第1贯通孔261和第2贯通孔441导通。与晶体振动板2的第2激振电极222相连的振动侧第2接合图案252借助第3贯通孔442以及密封侧第2接合图案421与另一外部电极端子432导通。
在由上述结构构成的晶体振子101中，没有如现有技术那样另外使用粘接剂等接合专用材料，晶体振动板2和第1密封构件3以振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321重叠后的状态被扩散接合，晶体振动板2和第2密封构件4以振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421重叠后的状态被扩散接合，制造出图1所示的夹层构造的封装12。另外，在振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421重叠后的状态下，晶体振动板2和第2密封构件4的压电振动板用贯通孔(第1贯通孔261)的贯通部分72和第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441)的贯通部分72这两者的至少局部(在本实施方式，是贯通部分72的整体)重叠。此外，振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321自身成为在扩散接合后所生成的接合材料11，振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421自身成为在扩散接合后所生成的接合材料11。在本实施方式中，以常温进行了扩散接合。在此所谓的常温是指5℃～35℃。利用该常温扩散接合，具有下述效果(抑制气体的产生和接合良好)，但这是比共晶焊料的熔点即183℃低的值，是优选的例子。然而，并不是仅凭常温扩散接合具有下述效果，只要是在常温以上且小于230℃的温度下进行扩散接合即可。尤其是，通过在200℃以上且小于230℃的温度下进行扩散接合，既是小于无Pb焊料的熔点即230℃，又成为Au的再结晶温度(200℃)以上，因此，能够使接合部分的不稳定区域稳定化。另外，在本实施方式中，没有使用Au－Sn这样的接合专用材料，因此没有产生镀敷气体、粘合剂气体、金属气体等气体。因而，能够设为Au的再结晶温度以上。
另外，在此处制造成的封装12中，如上所述，通过扩散接合，将密封侧第1接合图案321和振动侧第1接合图案251接合，将密封侧第2接合图案421和振动侧第2接合图案252接合，除了该接合以外，也可以是，密封侧第1接合图案321和振动侧第1接合图案251被加压扩散接合，密封侧第2接合图案421和振动侧第2接合图案252被加压扩散接合。在该情况下，通过加压，易于确保接合部位(能够使接合面积实质上增加)，不用进行高温加热就能够良好地进行仅基于扩散接合的接合。
另外，在此处制造成的封装12中，第1密封构件3与晶体振动板2之间具有1.00μm以下的间隙，第2密封构件4与晶体振动板2之间具有1.00μm以下的间隙。也就是说，第1密封构件3与晶体振动板2之间的接合材料11的厚度是1.00μm以下，第2密封构件4与晶体振动板2之间的接合材料11的厚度是1.00μm以下(具体而言，在本实施方式的Au－Au接合中，是0.15μm～1.00μm)。此外，作为比较，在使用了Sn的以往的金属糊剂密封材料中，接合材料的厚度为5μm～20μm。
另外，密封侧第1接合图案321和振动侧第1接合图案251扩散接合而成的接合图案的厚度与密封侧第2接合图案421和振动侧第2接合图案252扩散接合而成的接合图案的厚度相同，不同于与外部电连接的外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)的厚度。
另外，在此处制造成的封装12中，如图1～7所示，内部空间13位于偏向俯视左侧的位置。另外，在俯视时，在第1密封构件3形成的密封侧第1接合图案321与在第2密封构件4形成的密封侧第2接合图案421不重叠。具体而言，密封侧第1接合图案321内的俯视区域比密封侧第2接合图案421内的俯视区域大。此外，在本实施方式中，密封侧第1接合图案321内的俯视区域比密封侧第2接合图案421内的俯视区域大，但并不限定于此，也可以是，密封侧第2接合图案421内的俯视区域比密封侧第1接合图案321内的俯视区域大。然而，由于在第2密封构件上形成有一外部电极端子431、另一外部电极端子432，因此，密封侧第1接合图案321内的俯视区域比密封侧第2接合图案421内的俯视区域大，配线图案的走线(导通路径的确保)变得容易，而且，能够使配线图案的走线区域(导通确保区域)增多。
另外，与在晶体振动板2上形成的振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252相比，在第1密封构件3上形成的密封侧第1接合图案321、以及在第2密封构件4上形成的密封侧第2接合图案421的宽度相对较宽。
另外，如图1、3～6所示，此处制造成的晶体振子101的内部空间13位于偏向俯视左侧的位置。
另外，在第2密封构件4中形成有配置在内部空间13的外方的贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)，在内部空间13的内方没有形成有贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)。
并且，如上述那样制造成的晶体振子101使用流动性导电接合材料(焊料)62与电路基板61电连接。在此，在外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61电连接的接合构造中，如图8、9所示，利用焊料62填埋第2密封构件用贯通孔即第2贯通孔441的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔即第3贯通孔442的贯通部分72，利用焊料62填埋压电振动板用贯通孔即第1贯通孔261的贯通部分72，晶体振子101与电路基板61接合。此外，在图8所示的接合构造中，第1贯通孔261的贯通部分72、第2贯通孔441的贯通部分72、以及第3贯通孔442的贯通部分72整体被焊料62填埋。另外，在图9所示的接合构造中，第2贯通孔441的贯通部分72、以及第3贯通孔442的贯通部分72整体被焊料62填埋，第1贯通孔261的贯通部分72的局部被焊料62填埋。
如上述那样，根据本实施方式的晶体振子101，在第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)中形成有贯通电极71，且存在贯通部分72，因此，在贯通部分72没有形成贯通电极71。因此，能够将贯通电极71的材料的使用量减少掉与填埋贯通部分72的贯通电极71的量相当的量，其结果，能够削减成本。而且，根据本实施方式，能够利用形成在第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)中的贯通电极71来实现第2密封构件4的两主面之间(一主面411与另一主面412之间)的导通。因此，例如与现有技术(专利文献1的技术等)相比，无需使用金属的电极材料来填埋第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)。
另外，根据本实施方式，在使用焊料62与外部的电路基板61电连接的接合构造中，在第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)中形成有贯通电极71，且存在贯通电极71，因此，在使用焊料62将外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与外部的电路基板61形成了电连接时，焊料62从外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)流向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)，并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72。另外，只要增多焊料62的使用量，就能够填埋第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72(参照图8)。因此，在晶体振子101与外部的电路基板61接合时，接合应力施加于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)，但该接合应力分散掉与流向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72的焊料62的量相当的量，因此，在晶体振子101与外部的电路基板61接合时，能够使施加于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)的接合应力实质上降低。
另外，在使用焊料62将外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61形成了电连接时，焊料62附着于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)，而且，也向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通电极71扩散并附着于贯通电极71，因此，能够使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的晶体振子101是有效的，即使缩小晶体振子101的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
另外，第1贯通孔261的贯通部分72、第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72这两者的至少局部重叠(在本实施方式中，是整体)，因此，通过对重叠部分进行确认，能够使用第1贯通孔261和第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)来防止第2密封构件4与晶体振动板2之间的层叠位置偏移。
另外，根据本实施方式，在晶体振子101的封装12的高度上不产生偏差。例如，在与本实施方式不同、密封构件(本实施方式中所谓的第1密封构件3、第2密封构件4)与晶体振动板2之间的间隙大于1μm的使用Sn接合材料那样的金属糊剂密封材料的情况下，在使金属糊剂密封材料形成在图案(振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321、密封侧第2接合图案421)上时的高度产生偏差。另外，在接合后，也由于所形成的图案(振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321、密封侧第2接合图案421)的热容量分布的差异，成不了均匀的间隙(本实施方式中所谓的第1密封构件3与晶体振动板2之间的间隙、本实施方式中所谓的第2密封构件4与晶体振动板2之间的间隙)。因此，在现有技术中，在第1密封构件、第2密封构件、压电振动板这3个构件层叠而成的构造的情况下，这3个构件之间各自的间隙产生差异。其结果，层叠起来的3个构件就以没有保持平行的状态接合。尤其是，该问题随着低矮化而变得显著。因此，在本实施方式中，间隙的上限设定成1.00μm，因此，能够将第1密封构件3、第2密封构件4、晶体振动板2这3个构件以保持平行的状态层叠接合，本实施方式能够应对低矮化。
另外，在第2密封构件4中形成有配置在内部空间13的外方的贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)，因此，第2贯通孔441、第3贯通孔442的影响不会波及内部空间13，与第2贯通孔441、第3贯通孔442配置在内部空间13的内方的结构相比，本实施方式能够避免因第2贯通孔441、第3贯通孔442产生的气密不良。
另外，在与本实施方式不同而将贯通孔配置在内部空间内的情况下，需要确保内部空间的气密，需要利用金属等填埋内部空间内的贯通孔的工序。相对于此，根据本实施方式，贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)形成在内部空间13的外方，因此，能够以与振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321以及密封侧第2接合图案421各自的图案形成相同的工序，进行配线图案的走线，能够抑制制造成本。
另外，内部空间13位于偏向俯视一端侧(在本实施方式中，俯视左侧)的位置，因此，易于在俯视另一端侧(在本实施方式中，俯视右侧)形成贯通孔(第2贯通孔441)、电极图案，能够容易地形成给配置在内部空间13的第1激振电极221以及第2激振电极222带来影响的电极图案。而且，也能够容易地配置给内部空间13的气密密封带来影响的贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)。
另外，在第1密封构件3上，形成有在全部位置设为同一宽度的密封侧第1接合图案321，在第2密封构件4上形成有在全部位置设为同一宽度的密封侧第2接合图案421，在第2密封构件4中形成有配置在内部空间13的外方的贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)，因此，能利用图案的宽度上的差异，抑制接合材料11向图案的宽度较宽的图案流动，其结果，能够使第1密封构件3以及第2密封构件4接合到晶体振动板2的接合状态稳定。而且，在第2密封构件4中形成有配置在内部空间13的外方的贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)，因此，贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的影响不会波及内部空间13，与贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)配置在内部空间13的内方的结构相比，本实施方式能够避免因贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)产生的气密不良。
另外，根据本实施方式的晶体振子101与电路基板61的接合构造，在外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61形成了电连接时，利用焊料62填埋第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72，因此，与现有技术(专利文献1的技术等)相比，本实施方式能够将贯通电极71的材料的使用量削减掉与填埋贯通电极71的焊料62的量相当的量。其结果，与现有技术相比，本实施方式无需使用金属的电极材料来填埋第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)。
另外，根据本实施方式的晶体振子101与电路基板61的接合构造，焊料62从外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)流向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)，并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72。另外，只要增多焊料62的使用量，就可填埋第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72(参照图8)。因此，在晶体振子101与电路基板61接合时，接合应力施加于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)，该接合应力分散掉与流向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72的焊料62的量相当的量，因此，在晶体振子101与电路基板61接合时，能够使施加于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)的接合应力实质上降低。
另外，在使用焊料62将外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61形成了电连接时，焊料62附着于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)，而且，也向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通电极71扩散并附着于贯通电极71，因此，能够使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的晶体振子101是有效的，即使缩小晶体振子101的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
另外，根据本实施方式的晶体振子101与电路基板61的接合构造，在外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61形成了电连接时，利用焊料62填埋第1贯通孔261的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72，因此，与现有技术(专利文献1的技术等)相比，本实施方式适合于将第1贯通孔261的贯通电极71以及第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通电极71的材料的使用量，削减掉与填埋第1贯通孔261的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72的焊料62的量相当的量。其结果，与现有技术相比，无需使用金属的电极材料来填埋第1贯通孔261以及第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)。
另外，根据本实施方式的晶体振子101与电路基板61的接合构造，焊料62从外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)流向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)以及第1贯通孔261，并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72以及第1贯通孔261的贯通部分72，填埋第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72以及第1贯通孔261的贯通部分72。因此，在晶体振子101与电路基板61接合时，接合应力施加于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)，但该接合应力分散掉与流向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)以及第1贯通孔261并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72以及第1贯通孔261的贯通部分72的焊料62的量相当的量，因此，适合于在晶体振子101与电路基板61接合时，使施加于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)的接合应力实质上降低。
另外，在使用焊料62将外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61形成了电连接时，焊料62附着于外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)，而且，也向第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通电极71以及第1贯通孔261的贯通部分72扩散并附着于贯通电极71以及贯通部分72，因此，适合于使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的晶体振子101是有效的，即使缩小晶体振子101的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
此外，在本实施方式中，第1密封构件3以及第2密封构件4使用了玻璃，但并不限定于此，也可以使用晶体。
另外，在本实施方式中，压电振动板使用了晶体，但并不限定于此，只要是压电材料，就也可以是其他材料，也可以是铌酸锂、钽酸锂等。
另外，在本实施方式中，作为接合材料11，使用了Ti(或Cr)和Au，但并不限定于此，接合材料11也可以例如由Ni和Au构成。
另外，在本实施方式中，振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321以及密封侧第2接合图案421含有Ti(或Cr)和Au，但并不限定于此，也可以含有Cu(Cu单体或Cu合金)。在该情况下，能够有助于缓和制造时(接合时、产生加压等外力所造成的冲击时等)、使用时(下落等产生外力所造成的冲击时、软钎焊安装时等)的应力。也就是说，振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321以及密封侧第2接合图案421含有Cu，从而机械强度得以提高。
另外，在基底PVD膜2511、2521、3211、4211使用了Cr的情况下，能够通过使基底PVD膜2511、2521、3211、4211含有Cu来抑制Cr向电极PVD膜2512、2522、3212、4212扩散。其结果，即使增厚使用了Cr的层，也能够抑制Cr向电极PVD膜2512、2522、3212、4212扩散，能够增厚使用了Cr的层，能够抑制制造偏差。实际上，即使将Cr的层设为0.2μm，也能够抑制Cr向电极PVD膜2512、2522、3212、4212扩散。
另外，在本实施方式中，第2密封构件4是由1张玻璃晶片成形而成的长方体的基板，但并不限定于此，也可以是由玻璃晶片成形而成的两个长方体。在该情况下，成为如下结构：在1个长方体的基板上形成密封侧第2接合图案421、第3贯通孔442以及另一外部电极端子432，利用该基板进行气密地密封，在另一个长方体的基板上形成第2贯通孔441和一外部电极端子431。根据本结构，能够使一对外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)完全分离，能够防止短路。另外，在不是由玻璃晶片而是由金属材料成形出两个长方体的第2密封构件4的情况下，而且，也无需形成第3贯通孔442，能够减少贯通孔的数量而有助于小型化。
另外，在本实施方式中，形成了如图1～7所示那样的第1引出电极223、第2引出电极224，但并不限定于此，也可以是，在第1引出电极223、第2引出电极224的任意的位置的最上层使用Cr，而且，在第1引出电极223、第2引出电极224与振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252之间存在间隙。尤其是，优选间隙设于振动侧密封部25上。通过设为这样的结构，在制造工序中，直到加热熔接之前，第1引出电极223、第2引出电极224与振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252都没有电连接。其结果，在进行振动检查的检查工序中，能够进行仅以激振电极(第1激振电极221、第2激振电极222)为对象的各种检查，振动检查的自由度增加。
另外，如上所述，在图8所示的形态中，起到第1贯通孔261的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72的整体被焊料62填埋的作用效果。关于该作用效果，本实施方式最佳，但即使仅第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。另外，如图9所示，即使压电振动板用贯通孔(第1贯通孔261)的贯通部分72的局部以及第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72的整体被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果，即使第2密封构件用贯通孔(第2贯通孔441、第3贯通孔442)的贯通部分72的局部被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
－晶体振荡器－
另外，在本实施方式中，作为压电振动器件，使用了晶体振子，但并不限定于此，也可以如下述那样是晶体振荡器(参照图10)。以下，示出了将本发明适用于晶体振荡器而作为进行压电振动的压电振动器件的情况。此外，出于方便，对与上述的晶体振子101通用的构成标注同一附图标记。另外，由通用的构成产生的作用效果也与图1所示的晶体振子101是相同的，在以下的说明中，将其省略。
如图10所示，在本实施方式的晶体振荡器102中设有：晶体振动板2(本发明中所谓的压电振动板)；第1密封构件3，其覆盖晶体振动板2的第1激振电极221(参照图13)，对在晶体振动板2的一主面211上形成的第1激振电极221进行气密地密封；第2密封构件4，其在该晶体振动板2的另一主面212上覆盖晶体振动板2的第2激振电极222(参照图14)，对与第1激振电极221成对地形成的第2激振电极222进行气密地密封；搭载于第1密封构件的除了压电振动元件以外的电子元器件(在本实施方式中，IC5)。
在该晶体振荡器102中，晶体振动板2与第1密封构件3接合、晶体振动板2与第2密封构件4接合，而构成夹层构造的封装12。
并且，通过使第1密封构件3与第2密封构件4隔着晶体振动板2接合，形成封装12的内部空间13，在该封装12的内部空间13内气密地密封有包括在晶体振动板2的两主面211、212上形成的第1激振电极221以及第2激振电极222的振动部23。此外，内部空间13如图10所示那样位于偏向封装12的俯视一端侧(俯视左侧)的位置。
本实施方式的晶体振荡器102是1.2mm×1.0mm的封装尺寸，实现了小型化和低矮化。另外，随着小型化，在本封装12中没有形成城垛结构，就使用贯通孔(第4贯通孔262～第18贯通孔446)实现了电极的导通。
接着，使用图10～16对上述晶体振荡器102的各构成进行说明。此外，在此，对构成为晶体振动板2、第1密封构件3以及第2密封构件4没有接合的各单体的各构件进行说明。
如图13、14所示，晶体振动板2由作为压电材料的水晶构成、其两主面(一主面211、另一主面212)成形(镜面加工)成平坦平滑面。
另外，在晶体振动板2的两主面211、212(一主面211、另一主面212)上形成有一对(成对的)激振电极(第1激振电极221、第2激振电极222)。并且，在两主面211、212上以包围一对第1激振电极221、第2激振电极222的方式形成两个缺口部24(贯通形状)而构成了振动部23。缺口部24由俯视凹形状体241(由两个长方形从1个俯视长方形的两端分别沿着与长方形的长度方向呈直角的方向延伸而成形成的3个俯视长方形构成的俯视体)和俯视长方形状体242构成，俯视凹形状体241与俯视长方形状体242之间成为配置用于将第1激振电极221以及第2激振电极222向外部电极端子(参照下述内容)引出的引出电极(第1引出电极223、第2引出电极224)的导通路径213。关于电极图案，从一对第1激振电极221、第2激振电极222分别引出来的第1引出电极223、第2引出电极224借助振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252与在第1密封构件3上形成的电极图案33电连接。
在该晶体振动板2中，在沿着两主面211、212的振动部23的外方，以包围振动部23的方式分别设有用于接合第1密封构件3和第2密封构件4的振动侧密封部25。振动侧密封部25如图13、14所示那样位于偏向两主面211、212的俯视左侧的位置。
在该晶体振动板2的一主面211的振动侧密封部25上形成有用于与第1密封构件3接合的振动侧第1接合图案251，第1激振电极221与振动侧第1接合图案251相连。振动侧第1接合图案251由在一主面211上物理气相生长而形成的基底PVD膜2511和在基底PVD膜2511上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜2512构成。另外，在晶体振动板2的另一主面212的振动侧密封部25上形成有用于与第2密封构件4接合的振动侧第2接合图案252、第2激振电极222与振动侧第2接合图案252相连。振动侧第2接合图案252由在另一主面212上物理气相生长而形成的基底PVD膜2521和在基底PVD膜2521上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜2522构成。内部空间13形成在振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252这两者的内方(内侧)。
振动侧第1接合图案251和振动侧第2接合图案252由同一结构构成，是通过多个层层叠于两主面211、212的振动侧密封部25上而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或Cr层)和Au层。这样，在振动侧第1接合图案251和振动侧第2接合图案252中，基底PVD膜2511、2521由单一的材料(Ti(或Cr))构成，电极PVD膜2512、2522由单一的材料(Au)构成，电极PVD膜2512、2522的厚度比基底PVD膜2511、2521的厚度厚。另外，在晶体振动板2的一主面211上形成的第1激振电极221和振动侧第1接合图案251具有同一厚度，第1激振电极221的表面(主面)和振动侧第1接合图案251的表面(主面)由同一金属构成，在晶体振动板2的另一主面212上形成的第2激振电极222和振动侧第2接合图案252具有同一厚度，第2激振电极222的表面(主面)和振动侧第2接合图案252的表面(主面)由同一金属构成。另外，振动侧第1接合图案251和振动侧第2接合图案252是非Sn图案。此外，在同一主面上，是同一金属且同一厚度的结构，在对振动侧第1、2接合图案251、252和振动侧(第1激振电极221、第2激振电极222)进行了比较的情况下，只要最上层(至少暴露着的面)的金属(电极PVD膜2512、2522等)相同，则即使其基底金属(基底PVD膜2511、2521)的种类、厚度不同，也能够进行接合。另外，在振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252中，电极PVD膜2512、2522分别成为俯视呈鳞片状体的表面。在此所谓的鳞片状体是指，被活化而微观上成为单片状体的金属像铺草席那样重叠、俯视时没有(或几乎没有)间隙的形态。
另外，如图13、14所示，在晶体振动板2中形成有在一主面211与另一主面212之间贯通的压电振动板用贯通孔(第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)，与第2激振电极222相连的振动侧第2接合图案252经由第4贯通孔262向一主面211侧引出。另外，第5贯通孔263是与第1密封构件3的第10贯通孔342以及第2密封构件4的第15贯通孔443相连的贯通孔，是用于将IC5与第1外部电极端子433导通的导通路径。另外，第6贯通孔264是与第1密封构件3的第11贯通孔343以及第2密封构件的第16贯通孔444相连的贯通孔，是用于将IC5与第2外部电极端子434导通的导通路径。另外，第7贯通孔265是与第1密封构件3的第12贯通孔344以及第2密封构件4的第17贯通孔445相连的贯通孔，是用于将IC5与第3外部电极端子435导通的导通路径。另外，第8贯通孔266是与第1密封构件3的第13贯通孔345以及第2密封构件4的第18贯通孔446相连的贯通孔，是用于将IC5与第4外部电极端子436导通的导通路径。如图10、13、14所示，在这些第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266中，沿着第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266各自的内壁面形成有用于实现在一主面211和另一主面212上形成的电极的导通的贯通电极71。并且，第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266各自的中央部分成为在一主面211与另一主面212之间贯通的空心状态的贯通部分72。第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266形成在内部空间13的外方。另外，第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266没有形成在内部空间13的内方。在此所谓的内部空间13的内方，指的是不包括接合材料11之上而严格地接合材料11的内周面的内侧。
第1密封构件3使用了弯曲刚度(截面惯性矩×杨氏模量)是1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，如图11、12所示，第1密封构件3是由1张玻璃晶片形成的长方体的基板，该第1密封构件3的另一主面312(与晶体振动板2接合的面)和一主面311(搭载IC5的面)成形(镜面加工)成平坦平滑面。
在该第1密封构件3的另一主面312上设有用于与晶体振动板2接合密封侧第1密封部32。密封侧第1密封部32如图12所示那样位于偏向第1密封构件3的另一主面312的俯视左侧的位置。
在第1密封构件3的密封侧第1密封部32上形成有用于与晶体振动板2接合的密封侧第1接合图案321。密封侧第1接合图案321在第1密封构件3的密封侧第1密封部32上的全部位置设为同一宽度。
该密封侧第1接合图案321由在第1密封构件3上物理气相生长而形成的基底PVD膜3211和在基底PVD膜3211上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜3212构成。此外，在本实施方式中，基底PVD膜3211使用了Ti(或Cr)，电极PVD膜3212使用了Au。另外，密封侧第1接合图案321是非Sn图案。具体而言，密封侧第1接合图案321是通过多个层层叠于另一主面312的密封侧第1密封部32上而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或Cr层)和Au层。另外，在密封侧第1接合图案321中，电极PVD膜3212成为俯视呈鳞片状体的表面。
另外，如图10、11、12所示，在第1密封构件3中形成有在一主面311与另一主面312之间贯通的6个贯通孔(第9贯通孔341、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345、第14贯通孔346；本发明中所谓的第2密封构件用贯通孔)。如图10、11、12所示，在这些第9贯通孔341、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345、第14贯通孔346中，沿着第9贯通孔341、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345、第14贯通孔346各自的内壁面形成有用于实现在一主面311和另一主面312上形成的电极的导通的贯通电极71。具体而言，第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345是用于实现振荡器用导通的贯通孔，第9贯通孔341(用于实现第2激振电极222的导通的贯通孔)、第14贯通孔346(用于实现第1激振电极221的导通的贯通孔)是用于实现晶体振动板2用导通的贯通孔。并且，第9贯通孔341、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345、第14贯通孔346的中央部分成为在一主面311与另一主面312之间贯通的空心状态的贯通部分72。
另外，在第1密封构件3的一主面311上形成有包括用于搭载作为振荡电路元件的IC5的搭载焊盘在内的6个电极图案33。6个电极图案33分别单独地导向第9贯通孔341、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345、第14贯通孔346。
第2密封构件4使用了弯曲刚度(截面惯性矩×杨氏模量)是1000[N·mm2]以下的材料。具体而言，如图15、16所示，第2密封构件4是由1张玻璃晶片形成的长方体的基板，该第2密封构件4的一主面411(与晶体振动板2接合的面)成形(镜面加工)成平坦平滑面。
在该第2密封构件4的一主面411上设有用于与晶体振动板2接合的密封侧第2密封部42。密封侧第2密封部42如图15所示那样位于偏向第2密封构件4的一主面411的俯视左侧的位置。
另外，在第2密封构件4的另一主面412(不面对晶体振动板2的靠外方的主面)上设有与外部电连接的4个外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)。第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436分别位于4个角部。这些外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)由在另一主面412上物理气相生长而形成的基底PVD膜4331、4341、4351、4361和在基底PVD膜4331、4341、4351、4361上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜4332、4342、4352、4362构成。另外，相对于上述的振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252、密封侧第1接合图案321以及密封侧第2接合图案421各自的基底PVD膜2511、2521、3211、4211的厚度而言，外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)的基底PVD膜4331、4341、4351、4361的厚度相对较厚。
另外，在第2密封构件4的密封侧第2密封部42上形成有用于与晶体振动板2接合的密封侧第2接合图案421。密封侧第2接合图案421在第2密封构件4的密封侧第2密封部42上的全部位置设为同一宽度。
该密封侧第2接合图案421由在第2密封构件4上物理气相生长而形成的基底PVD膜4211和在基底PVD膜4211物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜4212构成。此外，在本实施方式中，基底PVD膜4211使用了Ti(或Cr)，电极PVD膜4212使用了Au。另外，密封侧第2接合图案421是非Sn图案。具体而言，密封侧第2接合图案421是通过多个层层叠于一主面411的密封侧第2密封部42上而构成的，从其最下层侧起蒸镀形成有Ti层(或Cr层)和Au层。另外，在密封侧第2接合图案421中，电极PVD膜4212成为俯视呈鳞片状体的表面。
另外，如图10、15、16所示，在第2密封构件4中形成有在一主面411与另一主面412之间贯通的4个贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446；本发明中所谓的第2密封构件用贯通孔)。如图10、15、16所示，在第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446中，沿着第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446各自的内壁面形成有用于实现在一主面411和另一主面412上形成的电极的导通的贯通电极。并且，第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446的中央部分成为在一主面411与另一主面412之间贯通的空心状态的贯通部分72。这些第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446配置在内部空间13的外方，第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446没有形成在内部空间13的内方。
在由上述结构构成的晶体振荡器102中，没有如现有技术那样另外使用接合专用材料，晶体振动板2和第1密封构件3以振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321重叠后的状态被扩散接合、晶体振动板2和第2密封构件4以振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421重叠后的状态被扩散接合，从而制造出图10所示的夹层构造的封装12。另外，在振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421重叠后的状态下，晶体振动板2和第2密封构件4的压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72和第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72这两者的至少局部(在本实施方式中，是贯通部分72的整体)重叠。另外，在振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321重叠后的状态下，在晶体振动板2和第1密封构件3的压电振动板用贯通孔(第4贯通孔262、第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72和第1密封构件用贯通孔(第9贯通孔341、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72中，各自的至少局部(在本实施方式中，是贯通部分72的整体)重叠。
此外，振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321自身成为在扩散接合后所生成的接合材料11，振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421自身成为在扩散接合后所生成的接合材料11。在本实施方式中，以常温(5℃～35℃)进行了扩散接合。然而，并不只限定于常温扩散接合，只要在常温以上且小于230℃的温度下进行扩散接合即可。尤其是，通过在200℃以上且小于230℃的温度下进行扩散接合，由于是小于无Pb焊料的熔点即230℃，而且成为Au的再结晶温度(200℃)以上，因此，能够使接合部分的不稳定区域稳定化。另外，在本实施方式中，没有使用Au－Sn这样的接合专用材料，因此，没有产生镀敷气体、粘合剂气体、金属气体等。因而，能够设为Au的再结晶温度以上。
另外，在此处制造成的封装12中，如上所述，通过扩散接合，密封侧第1接合图案321和振动侧第1接合图案251接合，密封侧第2接合图案421和振动侧第2接合图案252接合，但除了该接合以外，也可以是，密封侧第1接合图案321和振动侧第1接合图案251被加压扩散接合，密封侧第2接合图案421和振动侧第2接合图案252被加压扩散接合。在该情况下，通过加压，易于确保接合部位(能够使接合面积实质上增加)，不使用高温加热就还能够良好地进行仅基于扩散接合的接合。
另外，在此处制造成的封装12中，第1密封构件3与晶体振动板2之间具有1.00μm以下的间隙，第2密封构件4与晶体振动板2之间具有1.00μm以下的间隙。也就是说，第1密封构件3与晶体振动板2之间的接合材料11的厚度是1.00μm以下，第2密封构件4与晶体振动板2之间的接合材料11的厚度是1.00μm以下(具体而言，在本实施方式的Au－Au接合中，是0.15μm～1.00μm)。此外，作为比较，利用使用了Sn的以往的金属糊剂密封材料，厚度成为5μm～20μm。
另外，密封侧第1接合图案321和振动侧第1接合图案251被扩散接合而成的接合图案的厚度与密封侧第2接合图案421和振动侧第2接合图案252被扩散接合而成的接合图案的厚度相同，不同于与外部电连接的外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)的厚度。
另外，在此处制造成的封装12中，如图10所示，内部空间13位于偏向俯视左侧的位置。另外，俯视时，在第1密封构件3上形成的密封侧第1接合图案321和在第2密封构件4上形成的密封侧第2接合图案421不重叠。具体而言，密封侧第1接合图案321内的俯视区域比密封侧第2接合图案421内的俯视区域大。此外，在本实施方式中，密封侧第1接合图案321内的俯视区域比密封侧第2接合图案421内的俯视区域大，但并不限定于此，密封侧第2接合图案421内的俯视区域也可以比密封侧第1接合图案321内的俯视区域大。然而，在第2密封构件上形成有外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)，因此，密封侧第1接合图案321内的俯视区域比密封侧第2接合图案421内的俯视区域大。因而，配线图案的走线(导通路径的确保)变得容易，而且，能够增多配线图案的走线区域(导通确保区域)。
另外，在第1密封构件3的一主面311上形成有相对于晶体振动板2的第1激振电极221成为异名极的晶体振动板2用调整电极(本实施方式中，将第9贯通孔341作为导通路径的电极图案33)，如图11、13所示，将第9贯通孔341作为导通路径的电极图案33与第1激振电极221不重叠。另外，在第1密封构件3的一主面311上形成有相对于晶体振动板2的第1激振电极221成为同名极的晶体振动板2用调整电极(本实施方式中，将第14贯通孔346作为导通路径的电极图案33)，如图11、13所示，将第9贯通孔341作为导通路径的电极图案33与第1引出电极223的局部重叠。此外，在本实施方式中，将第9贯通孔341作为导通路径的电极图案33与第1引出电极223的局部重叠，但也可以与第1激振电极221的至少局部重叠。
另外，在本实施方式中，也可以没有将用于设置IC5的空间设置于晶体振动板2，能够进行封装的低矮化。另外，仅通过改变在第1密封构件3的一主面上形成的IC5用的图案就能够使之应对任意的振荡条件。另外，能够在IC5的背面作标记，即使是在第1密封构件3使用了透明材料的情况下，不需要作特殊标记。另外，在现有技术中，在第1密封构件3、晶体振动板2等设置凹部，必须将作为振荡电路元件的IC5安装于所述凹部，因此，压电振动器件的外形必须大于振荡电路元件的外形。然而，根据本实施方式，在第1密封构件3中，在一主面311设置IC5，另一主面312与晶体振动板2的一主面211接合，因此，能够使IC5的尺寸和晶体振荡器102的尺寸相同，有利于小型化以及低矮化。
另外，与在晶体振动板2上形成的振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252相比，在第1密封构件3上形成的密封侧第1接合图案321、以及在第2密封构件4上形成的密封侧第2接合图案421的宽度相对较宽。
并且，如上述那样制造成的晶体振荡器102使用流动性导电接合材料(焊料)62与电路基板61电连接。在此，在外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)与电路基板61电连接的接合构造中，如图17、18所示，利用焊料62填埋第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72，利用焊料62填埋压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72，从而晶体振荡器102与电路基板61接合。此外，在图17所示的接合构造中，第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266、第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345、第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446的贯通部分72整体被焊料62填埋。另外，在图18所示的接合构造中，第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266、第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446的贯通部分72整体被焊料62填埋，第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345的贯通部分72的局部被焊料62填埋。
如上所述，根据本实施方式的晶体振荡器102，与上述的夹层构造的晶体振子101同样地能够一边削减成本、一边使用第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446来实现第2密封构件4的两主面411、412间的导通。而且，对于与上述的夹层构造的晶体振子101同样的结构，具有同样的作用效果。
另外，根据本实施方式的晶体振荡器102，压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72、第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72和第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72各自的至少局部(在本实施方式中，是整体)重叠，因此，通过对重叠部分进行确认，能够防止第1密封构件3、第2密封构件4以及晶体振动板2之间的层叠位置偏移。
另外，在压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72、第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72和第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72中，各自的至少局部(在本实施方式中，是整体)重叠，因此，即使在为了与电路基板61电连接而使用的焊料62中存在气泡，焊料62的气泡(气体)也能够经由第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)、以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)各自重叠的部分而从第1密封构件3的一主面311向外部排出。
根据本实施方式的晶体振荡器102与电路基板61的接合构造，在外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)与电路基板61形成了电连接时，利用焊料62填埋压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72、第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72，因此，与专利文献1的技术等现有技术相比，能够将压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通电极、第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通电极71以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通电极71的材料的使用量，削减掉与填埋压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72、第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72的焊料62的量相当的量。其结果，与现有技术相比，无需使用金属的电极材料来填埋压电振动板用贯通孔(尤其是，第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)、第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)以及第1密封构件用贯通孔(尤其是，第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)。
另外，根据本实施方式的晶体振荡器102与电路基板61的接合构造，焊料62从外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)流向第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)，并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72，填埋第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72。因此，在晶体振荡器102与电路基板61接合时，接合应力施加于外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)，但该接合应力分散掉与流向第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)并蔓延到第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72的焊料62的量相当的量，因此，适合于在晶体振荡器102与电路基板61接合时，使施加于外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)的接合应力实质上降低。
另外，使用焊料62使外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)与电路基板61形成了电连接时，焊料62附着于外部电极端子(第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436)，而且，也向第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通电极71、压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72以及第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72扩散并附着于这些贯通电极71以及贯通部分72，因此，适合于使接合区域实质上增加。该作用效果对小型的晶体振荡器102是有效的，即使缩小晶体振荡器102的封装尺寸，也能够使接合区域实质上是同等大小或扩大，其结果，能够提高接合强度。
另外，如上所述，图17所示的形态中，起到压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72、第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72的整体被焊料62填埋的作用效果。关于该作用效果，本实施方式最佳，但即使仅第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
另外，即使是焊料62没有附着于第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72，压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72的局部、以及第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72整体被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
另外，如图18所示，即使压电振动板用贯通孔(第5贯通孔263、第6贯通孔264、第7贯通孔265、第8贯通孔266)的贯通部分72整体、第1密封构件用贯通孔(第10贯通孔342、第11贯通孔343、第12贯通孔344、第13贯通孔345)的贯通部分72的局部以及第2密封构件用贯通孔(第15贯通孔443、第16贯通孔444、第17贯通孔445、第18贯通孔446)的贯通部分72整体被焊料62填埋，也具有一定的上述作用效果。
此外，本发明可以在不脱离其精神、主旨或主要特征的情况下以其他各种各样的方式实施。因此，上述的实施方式在所有方面只不过是例示，构不成限定性解释。本发明的范围由权利要求书示出，说明书正文没有任何约束。而且，属于权利要求书的等同范围内的变形、变更都属于本发明的范围内。
例如，在上述的本实施方式的晶体振荡器102中，将外部电极端子设为第1外部电极端子433、第2外部电极端子434、第3外部电极端子435、第4外部电极端子436这4个端子，但并不限定于此，也能够将本发明适用于将外部电极端子设为6个端子、8个端子这样的任意端子的情况。
(晶体振子的变形例)
在此，对上述的本实施方式的晶体振子的变形例进行说明。此外，出于方便，对与图1所示的晶体振子101通用的构成，标注同一附图标记。另外，由通用的构成产生的作用效果也与图1所示的晶体振子101相同，在以下的说明中将其省略。以下，主要对本形态的图19所示的晶体振子101A与图1所示的晶体振子101不同的点进行说明。
在本形态的晶体振子101A中，如图19所示，晶体振动板2的第1激振电极221经由在第1密封构件3的一主面311上形成的第1端子37，与第2密封构件4的一外部电极端子431连接。另外，压电振动板2的第2激振电极222经由在第1密封构件3的一主面311上形成的第2端子38，与第2密封构件4的另一外部电极端子432连接。在该情况下，在第1端子37与一外部电极端子431之间、以及在第2端子38与另一外部电极端子432之间分别设有压电振动板用贯通孔的贯通部分、第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及第1密封构件用贯通孔的贯通部分各自的重叠部分。对于本形态的晶体振子101A的特征，参照图19～25详细地进行说明。
在晶体振子101A中，与图1所示的晶体振子101不同，晶体振动板2的一对第1激振电极221、第2激振电极222不与振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252电连接。在晶体振动板2中，在沿着两主面211、212的振动部23的外方，以包围振动部23的方式分别设有用于接合第1密封构件3和第2密封构件4的振动侧密封部25。在晶体振动板2的一主面211的振动侧密封部25上形成有用于与第1密封构件3接合的振动侧第1接合图案251。另外，在晶体振动板2的另一主面212的振动侧密封部25上形成有用于与第2密封构件4接合的振动侧第2接合图案252。
如图22、23所示，在晶体振动板2中形成有在一主面211与另一主面212之间贯通的3个贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269)。第19贯通孔267(本发明中所谓的压电振动板用贯通孔)是与第1密封构件3的第22贯通孔347以及第2密封构件4的第26贯通孔447相连的贯通孔。另外，第20贯通孔268(本发明中所谓的压电振动板用贯通孔)是与第1密封构件3的第24贯通孔349以及第2密封构件4的第27贯通孔448相连的贯通孔。另外，第21贯通孔269是与从第2激振电极222引出来的第2引出电极224以及第1密封构件3的第25贯通孔350相连的贯通孔。第19贯通孔267以及第20贯通孔268分别位于晶体振动板2的俯视长度方向两端部。
如图19、22、23所示，在这些第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269中，沿着第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269各自的内壁面形成有用于实现在一主面211和另一主面212上形成的电极的导通的贯通电极71。并且，第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269各自的中央部分成为在一主面211与另一主面212之间贯通的空心状态的贯通部分72。在第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269各自的外侧四周形成有连接用接合图案73。连接用接合图案73是与振动侧第1接合图案251、振动侧第2接合图案252同样的结构，由在晶体振动板2的两主面(一主面211、另一主面212)上物理气相生长而形成的基底PVD膜和在该基底PVD膜上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜构成。第21贯通孔269的连接用接合图案73与从第2激振电极222引出来的第2引出电极224一体地形成。
在晶体振子101A中，在俯视时，第19贯通孔267、第20贯通孔268形成在内部空间13的外方(接合材料11的外周面的外侧)。另一方面，在俯视时，第21贯通孔269形成在内部空间13的内方(接合材料11的内周面的内侧)。并且，第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269不与振动侧第1接合图案251以及振动侧第2接合图案252电连接。
在晶体振子101A中，与图1所示的晶体振子101不同，如图19、20所示，在第1密封构件3的一主面311(不面对晶体振动板2的靠外方的主面)上设有第1端子37以及第2端子38。第1端子37以将第22贯通孔347和第23贯通孔348相连的方式设置，第2端子38以将第24贯通孔349和第25贯通孔350相连的方式设置。第1端子37以及第2端子38由在一主面311上物理气相生长而形成的基底PVD膜3711、3811和在基底PVD膜3711、3811上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜3712、3812构成。在本形态中，第1端子37以及第2端子38分别位于第1密封构件3的一主面311的俯视长度方向两端部。
在第1密封构件3的另一主面312上设有用于与晶体振动板2接合的密封侧第1密封部32。在密封侧第1密封部32上形成有用于与晶体振动板2接合的密封侧第1接合图案321。
如图19、20、21所示，在第1密封构件3中形成有在一主面311与另一主面312之间贯通的4个贯通孔(第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350)。第22贯通孔347(本发明中所谓的第1密封构件用贯通孔)是与第1端子37以及晶体振动板2的第19贯通孔267相连的贯通孔。第23贯通孔348是与第1端子37以及从晶体振动板2的第1激振电极221引出来的第1引出电极223相连的贯通孔。第24贯通孔349(本发明中所谓的第1密封构件用贯通孔)是与第2端子38以及晶体振动板2的第20贯通孔268相连的贯通孔。第25贯通孔350是与第2端子38以及晶体振动板2的第21贯通孔269相连的贯通孔。第22贯通孔347以及第24贯通孔349分别位于第1密封构件3的俯视长度方向两端部。
如图19、20、21所示，在这些第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350中，沿着第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350各自的内壁面形成有用于实现在一主面311和另一主面312上形成的电极的导通的贯通电极71。并且，第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350各自的中央部分成为在一主面311与另一主面312之间贯通的空心状态的贯通部分72。在第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350各自的外侧四周形成有连接用接合图案73。连接用接合图案73是与密封侧第1接合图案321同样的结构，由在第1密封构件3的另一主面312上物理气相生长而形成的基底PVD膜和在该基底PVD膜上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜构成。
在晶体振子101A中，第22贯通孔347、第24贯通孔349在俯视时形成在内部空间13的外方。另一方面，在俯视时，第23贯通孔348、第25贯通孔350形成在内部空间13的内方。并且，第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350不与密封侧第1接合图案321电连接。另外，第1端子37以及第2端子38也不与密封侧第1接合图案321电连接。
在第2密封构件4的一主面411上设有用于与晶体振动板2接合的密封侧第2密封部42。在密封侧第2密封部42上形成有用于与晶体振动板2接合的密封侧第2接合图案421。
在第2密封构件4的另一主面412(不面对晶体振动板2的靠外方的主面)上设有与外部电连接的一对外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)。一外部电极端子431、另一外部电极端子432如图19、25所示那样分别位于第2密封构件4的另一主面412的俯视长度方向两端。这一对外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)由在另一主面412上物理气相生长而形成的基底PVD膜4311、4321和在基底PVD膜4311、4321上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜4312、4322构成。
如图19、24、25所示，在第2密封构件4中形成有在一主面411与另一主面412之间贯通的两个贯通孔(第26贯通孔447、第27贯通孔448)。第26贯通孔447(本发明中所谓的第2密封构件用贯通孔)是与一外部电极端子431以及晶体振动板2的第19贯通孔267相连的贯通孔。第27贯通孔448(本发明中所谓的第2密封构件用贯通孔)是与另一外部电极端子432以及晶体振动板2的第20贯通孔268相连的贯通孔。第26贯通孔447以及第27贯通孔448分别位于第2密封构件4的俯视长度方向两端部。
如图19、24、25所示，在这些第26贯通孔447、第27贯通孔448中，沿着第26贯通孔447、第27贯通孔448各自的内壁面形成有用于实现在一主面411和另一主面412上形成的电极的导通的贯通电极71。并且，第26贯通孔447、第27贯通孔448的中央部分成为在一主面411与另一主面412之间贯通的空心状态的贯通部分72。在第26贯通孔447、第27贯通孔448各自的外侧四周形成有连接用接合图案73。另外，在一主面411上，在密封侧第2接合图案421的内方，形成有与设于晶体振动板2的第21贯通孔269的外侧四周的连接用接合图案73接合的连接用接合图案73。连接用接合图案73是与密封侧第2接合图案421同样的结构，由在第2密封构件4的一主面411上物理气相生长而形成的基底PVD膜和在该基底PVD膜上物理气相生长而层叠形成的电极PVD膜构成。
在晶体振子101A中，俯视时，第26贯通孔447、第27贯通孔448形成在内部空间13的外方。并且，第26贯通孔447、第27贯通孔448不与密封侧第2接合图案421电连接。另外，一外部电极端子431、另一外部电极端子432也不与密封侧第2接合图案421电连接。
在由上述结构构成的晶体振子101A中，不像现有技术那样另外使用粘接剂等接合专用材料，晶体振动板2和第1密封构件3以振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321重叠后的状态被扩散接合，晶体振动板2和第2密封构件4以振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421重叠后的状态被扩散接合，从而制造出图19所示的夹层构造的封装12。由此，封装12的内部空间13、也就是说振动部23的收容空间被气密地密封。此外，振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321自身成为在扩散接合后所生成的接合材料11，振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421自身成为在扩散接合后所生成的接合材料11。
此时，第19贯通孔267、第20贯通孔268、第21贯通孔269、第22贯通孔347、第23贯通孔348、第24贯通孔349、第25贯通孔350，第26贯通孔447、第27贯通孔448各自的外侧四周的连接用接合图案73彼此也以重叠后的状态被扩散接合。具体而言，第19贯通孔267以及第22贯通孔347的连接用接合图案73彼此被扩散接合。第19贯通孔267以及第26贯通孔447的连接用接合图案73彼此被扩散接合。另外，第20贯通孔268以及第24贯通孔349的连接用接合图案73彼此被扩散接合。第20贯通孔268以及第27贯通孔448的连接用接合图案73彼此被扩散接合。另外，第21贯通孔269以及第25贯通孔350的连接用接合图案73彼此被扩散接合。第21贯通孔269的连接用接合图案73以与设于第2密封构件4的一主面411的连接用接合图案73重叠后的状态被扩散接合。并且，各连接用接合图案73彼此成为在扩散接合后所生成的接合材料14。第23贯通孔348的连接用接合图案73以与从晶体振动板2的第1激振电极221引出来的第1引出电极223重叠后的状态被扩散接合。并且，连接用接合图案73以及第1引出电极223自身成为在扩散接合后所生成的接合材料14。通过扩散接合形成的这些接合材料14起到使贯通孔的贯通电极71彼此导通的作用、以及使接合部位气密地密封的作用。另外，在图19中，设于密封用的接合材料11的外方的接合材料14以实线表示，设于接合材料11的内方的接合材料14以虚线表示。
在本形态中，第1激振电极221经由第23贯通孔348、第1端子37、第22贯通孔347、第19贯通孔267、以及第26贯通孔447与一外部电极端子431电连接。另外，第2激振电极222经由第21贯通孔269、第25贯通孔350、第2端子38、第24贯通孔349、第20贯通孔268、以及第27贯通孔448与另一外部电极端子432电连接。此时，第1激振电极221、第2激振电极222、一外部电极端子431、以及另一外部电极端子432不与用于对振动部23进行气密地密封的接合材料11(振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321，振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421)电连接。也就是说，通过使从第1激振电极221到一外部电极端子431的电连接路径经由第1密封构件3的一主面311上的第1端子37，该连接路径以不与接合材料11电连接的方式设置。同样地，通过使从第2激振电极222到另一外部电极端子432的电连接路径经由第1密封构件3的一主面311上的第2端子38，该连接路径以不与接合材料11电连接的方式设置。
在封装12中，第1密封构件3与晶体振动板2之间具有1.00μm以下的间隙，第2密封构件4与晶体振动板2之间具有1.00μm以下的间隙。也就是说，第1密封构件3与晶体振动板2之间的接合材料11的厚度是1.00μm以下，第2密封构件4与晶体振动板2之间的接合材料11的厚度是1.00μm以下(具体而言，在本形态的Au－Au接合中，是0.15μm～1.00μm)。
在晶体振子101A中，在晶体振动板2和第2密封构件4中，振动侧第2接合图案252以及密封侧第2接合图案421重叠后的状态下，压电振动板用贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268)的贯通部分72和第2密封构件用贯通孔(第26贯通孔447、第27贯通孔448)的贯通部分72各自的至少局部(在本形态中，是贯通部分72的整体)重叠。另外，在晶体振动板2和第1密封构件3中，振动侧第1接合图案251以及密封侧第1接合图案321重叠后的状态下，压电振动板用贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268)的贯通部分72和第1密封构件用贯通孔(第22贯通孔347、第24贯通孔349)的贯通部分72各自的至少局部(在本形态中，是贯通部分72的整体)重叠。并且，在压电振动板用贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268)的贯通部分72、第1密封构件用贯通孔(第22贯通孔347、第24贯通孔349)的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔(第26贯通孔447以及第27贯通孔448)的贯通部分72中，各自的至少局部(在本形态中，是贯通部分72的整体)重叠。第2密封构件用贯通孔、压电振动板用贯通孔、以及第1密封构件用贯通孔各自的重叠部分设于封装12的内部空间13的密封区域(接合材料11的内周面的内侧的区域)的外方。在本形态中，晶体振动板2的第21贯通孔269的贯通部分72和第1密封构件3的第25贯通孔350的贯通部分72各自的至少局部(在本形态中，是贯通部分72的整体)也重叠，第21贯通孔269以及第25贯通孔350的贯通部分72被金属等填埋。此外，第21贯通孔269的贯通部分72和第25贯通孔350的贯通部分72也可以以不重叠的方式使第21贯通孔269以及第25贯通孔350的位置错开地设置。另外，第21贯通孔269以及第25贯通孔350的贯通部分72也可以设为没有被金属填埋的结构。
上述那样制造成的晶体振子101A使用流动性导电接合材料(焊料)62与电路基板61电连接。在此，在外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61电连接的接合构造中，如图26、27所示，利用焊料62填埋第2密封构件用贯通孔(第26贯通孔447、第27贯通孔448)的贯通部分72，利用焊料62填埋压电振动板用贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268)的贯通部分72，晶体振子101A与电路基板61接合。此外，在图26所示的接合构造中，第19贯通孔267、第20贯通孔268、第22贯通孔347、第24贯通孔349、第26贯通孔447、第27贯通孔448各自的贯通部分72整体被焊料62填埋。另外，在图27所示的接合构造中，第19贯通孔267、第20贯通孔268、第26贯通孔447、第27贯通孔448各自的贯通部分72整体被焊料62填埋，第22贯通孔347、第24贯通孔349各自的贯通部分72的局部被焊料62填埋。
根据本形态的晶体振子101A，压电振动板用贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268)的贯通部分72、第1密封构件用贯通孔(第22贯通孔347、第24贯通孔349)的贯通部分72、第2密封构件用贯通孔(第26贯通孔447、第27贯通孔448)的贯通部分72的至少局部(在本形态中，整体)重叠，因此，通过对重叠的部分进行确认，能够防止第1密封构件3、第2密封构件4以及晶体振动板2之间的层叠位置偏移。
另外，在压电振动板用贯通孔(第19贯通孔267、第20贯通孔268)的贯通部分72、第1密封构件用贯通孔(第22贯通孔347、第24贯通孔349)的贯通部分72以及第2密封构件用贯通孔(第26贯通孔447、第27贯通孔448)的贯通部分72中，各自的至少局部(在本形态中，整体)重叠，因此，即使在为了与电路基板61电连接而使用的焊料62中存在气泡，也能够使焊料62的气泡经由第2密封构件用贯通孔、压电振动板用贯通孔、以及第1密封构件用贯通孔的重叠部分从第1密封构件3的一主面311向外部排出。
此外，在利用焊料62将外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)与电路基板61形成了电连接时，焊料62从外部电极端子流向第2密封构件用贯通孔(第26贯通孔447、第27贯通孔448)，并蔓延到第2密封构件用贯通孔的贯通部分72。另外，只要增多焊料62的使用量，就可填埋第2密封构件用贯通孔的贯通部分72(参照图26)。此时，担心由于蔓延到贯通部分72的焊料62的侵蚀作用而使气密地密封有晶体振动板2的振动部23的内部空间13的气密性的降低。不过，根据本形态，作为从晶体振动板2的第1激振电极221到一外部电极端子431的路径的长度，进而，作为从晶体振动板2的第2激振电极222到另一外部电极端子432的路径的长度，能够确保较长的距离，因此，能够抑制焊料62的侵蚀作用对内部空间13的气密性降低的影响。另外，在气密地密封有晶体振动板2的振动部23的内部空间13的密封区域的外方(与气密性无关的区域)设有第2密封构件用贯通孔、压电振动板用贯通孔以及第1密封构件用贯通孔各自的重叠部分，因此，能够更加抑制因焊料62的侵蚀作用引起的内部空间13的气密性降低。
另外，在使用焊料62将晶体振子101A与电路基板61接合时，焊料62从外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)流向第2密封构件用贯通孔，并蔓延到贯通孔(第2密封构件用贯通孔、压电振动板用贯通孔、第1密封构件用贯通孔)的贯通部分72，填埋贯通孔的贯通部分72。因此，在晶体振子101A与电路基板61接合时产生的接合应力，被分散掉与蔓延到贯通孔的贯通部分72的焊料62的量相当的量，因此，能够在接合时使施加于外部电极端子的接合应力降低。
另外，在与设于内部空间13的密封区域内的振动部23分开的位置设有贯通孔(压电振动板用贯通孔、第1密封构件用贯通孔、第2密封构件用贯通孔)，因此，在晶体振子101A与电路基板61接合时，即使贯通孔的贯通部分72被热膨胀率与晶体振动板2等不同的焊料62填埋，也能够抑制产生的接合应力对晶体振动板2的振动部23的影响。
详细而言，在晶体振子101A与电路基板61接合时，在贯通孔的贯通部分72被焊料62填埋了的情况下，担心因焊料62与晶体振动板2等之间的热膨胀率差产生的应力，对晶体振动板2的振动部23带来不良影响。不过，根据本形态，即使贯通孔的贯通部分72被焊料62填埋，也因晶体振动板2的振动部23和贯通孔配置在分开的位置，因此，能够抑制因热膨胀率差产生的上述应力对晶体振动板2的振动部23造成的影响。另外，密封区域的密封部(由接合材料11接合的区域)介于晶体振动板2的振动部23与贯通孔之间，因此，因热膨胀率差产生的上述应力，不会从填埋到贯通孔的焊料62直接向晶体振动板2的振动部23传递。这样，因热膨胀率差产生的上述应力的传递被密封区域的密封部(由接合材料11接合的区域)阻隔，因此，能够降低向晶体振动板2的振动部23传递的应力。
另外，在第1密封构件3的一主面311(不面对晶体振动板2的靠外方的主面)设有第1端子37以及第2端子38，因此，通过将第1端子37以及第2端子38用作晶体振动板2的检查用端子，能够容易地进行晶体振动板2的检查。具体而言，不仅是在将晶体振子101A搭载于电路基板61之前，而且，即使是在将晶体振子101A搭载于电路基板61之后，也能够容易地进行晶体振动板2的检查。另外，但并不限于此，即使是在晶体振动板2和第1密封构件3接合后的状态(第2密封构件4没有接合的状态)下，也能够容易地进行晶体振动板2的检查。而且，能够容易地变更第1端子37以及第2端子38的大小、形状，由此，能够根据要求对从外部电极端子(一外部电极端子431、另一外部电极端子432)表现出来的晶体振动板2的容量进行微调。
本申请要求于2014年1月6日在日本提出的特愿2014－000486号申请的优先权。通过引用该特愿申请，将该特愿申请的全部的内容编入本申请。
产业上的可利用性
本发明适合于压电振动板的基板的材料使用了水晶的晶体振动器件(晶体振子、晶体振荡器等)。
附图标记的说明
101、101A 晶体振子
102 晶体振荡器
11 接合材料
12 封装
13 内部空间
14 接合材料
2 晶体振动板
211 一主面
212 另一主面
213 导通路径
221 第1激振电极
222 第2激振电极
223 第1引出电极
224 第2引出电极
23 振动部
24 缺口部
241 俯视凹形状体
242 俯视长方形状体
25 振动侧密封部
251 振动侧第1接合图案
2511 基底PVD膜
2512 电极PVD膜
252 振动侧第2接合图案
2521 基底PVD膜
2522 电极PVD膜
261 第1贯通孔
262 第4贯通孔
263 第5贯通孔
264 第6贯通孔
265 第7贯通孔
266 第8贯通孔
267 第19贯通孔
268 第20贯通孔
269 第21贯通孔
3 第1密封构件
311 一主面
312 另一主面
32 密封侧第1密封部
321 密封侧第1接合图案
3211 基底PVD膜
3212 电极PVD膜
33 电极图案
341 第9贯通孔
342 第10贯通孔
343 第11贯通孔
344 第12贯通孔
345 第13贯通孔
346 第14贯通孔
347 第22贯通孔
348 第23贯通孔
349 第24贯通孔
350 第25贯通孔
37 第1端子
3711 基底PVD膜
3712 电极PVD膜
38 第2端子
3811 基底PVD膜
3812 电极PVD膜
4 第2密封构件
411 一主面
412 另一主面
42 密封侧第2密封部
421 密封侧第2接合图案
4211 基底PVD膜
4212 电极PVD膜
431 一外部电极端子
4311 基底PVD膜
4312 电极PVD膜
432 另一外部电极端子
4321 基底PVD膜
4322 电极PVD膜
433 第1外部电极端子
4331 基底PVD膜
4332 电极PVD膜
434 第2外部电极端子
4341 基底PVD膜
4342 电极PVD膜
435 第3外部电极端子
4351 基底PVD膜
4352 电极PVD膜
436 第4外部电极端子
4361 基底PVD膜
4362 电极PVD膜
441 第2贯通孔
442 第3贯通孔
443 第15贯通孔
444 第16贯通孔
445 第17贯通孔
446 第18贯通孔
447 第26贯通孔
448 第27贯通孔
5 IC
61 电路基板
62 焊料
71 贯通电极
72 贯通部分
73 连接用接合图案

Claims (10)

1.一种压电振动器件，其设有：
压电振动板，其在基板的一主面上形成有第1激振电极，在所述基板的另一主面上形成有与所述第1激振电极成对的第2激振电极；
第1密封构件，其覆盖所述压电振动板的所述第1激振电极；
第2密封构件，其覆盖所述压电振动板的所述第2激振电极，设有使用流动性导电接合材料与外部的电路基板电连接的外部电极端子，
所述第1密封构件和所述压电振动板被接合，所述第2密封构件和所述压电振动板被接合，从而形成将包括所述第1激振电极和所述第2激振电极在内的所述压电振动板的振动部气密地密封的内部空间，其特征在于，
在所述第2密封构件中，在所述内部空间的密封区域的外方形成有在一主面与另一主面之间贯通的第2密封构件用贯通孔，在所述另一主面上形成有所述外部电极端子，
在所述第2密封构件用贯通孔的内壁面，形成有用于实现在所述一主面和所述另一主面上形成的电极的导通的贯通电极，且在该贯通电极中存在贯通部分。
2.根据权利要求1所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述压电振动板中，在所述内部空间的密封区域的外方形成有在一主面与另一主面之间贯通的压电振动板用贯通孔，
在所述压电振动板用贯通孔的内壁面，形成有用于实现在所述一主面和所述另一主面上形成的电极的导通的贯通电极，且在该贯通电极中存在贯通部分，
所述压电振动板用贯通孔的贯通部分和所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分至少局部重叠。
3.根据权利要求2所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述第1密封构件中，在所述内部空间的密封区域的外方形成有在一主面与另一主面之间贯通的第1密封构件用贯通孔，
在所述第1密封构件用贯通孔的内壁面，形成有用于实现在所述一主面和所述另一主面上形成的电极的导通的贯通电极，且在该贯通电极中形成有贯通部分，
在所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分中，分别至少局部重叠。
4.根据权利要求3所述的压电振动器件，其特征在于，
所述压电振动板的所述第1激振电极经由在所述第1密封构件的所述一主面上形成的第1端子而与所述第2密封构件的所述外部电极端子中的一外部电极端子连接，
所述压电振动板的所述第2激振电极经由在所述第1密封构件的所述一主面上形成的第2端子而与所述第2密封构件的所述外部电极端子中的另一外部电极端子连接。
5.根据权利要求4所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述第1端子与所述一外部电极端子之间、以及所述第2端子与所述另一外部电极端子之间，分别设有所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分相重叠的部分。
6.根据权利要求5所述的压电振动器件，其特征在于，
各所述重叠的部分分别设于所述内部空间的密封区域的外方。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的压电振动器件，其特征在于，
在所述压电振动板的一主面上形成有用于与所述第1密封构件密封接合的振动侧第1接合图案，
在所述压电振动板的另一主面上形成有用于与所述第2密封构件密封接合的振动侧第2接合图案，
在所述第1密封构件上形成有用于与所述压电振动板接合的密封侧第1接合图案，
在所述第2密封构件上形成有用于与所述压电振动板接合的密封侧第2接合图案，
所述密封侧第1接合图案和所述振动侧第1接合图案被扩散接合，所述密封侧第2接合图案和所述振动侧第2接合图案被扩散接合，
所述第1密封构件与所述压电振动板之间具有1.00μm以下的间隙，所述第2密封构件与所述压电振动板之间具有1.00μm以下的间隙。
8.一种压电振动器件与电路基板的接合构造，其特征在于，
权利要求1或7所述的压电振动器件使用流动性导电接合材料与电路基板电连接，
在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。
9.一种压电振动器件与电路基板的接合构造，其特征在于，
权利要求2所述的压电振动器件使用流动性导电接合材料与电路基板电连接，
在所述外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分以及所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分。
10.一种压电振动器件与电路基板的接合构造，其特征在于，
权利要求4～6中任一项所述的压电振动器件使用流动性导电接合材料与电路基板电连接，
在所述一外部电极端子以及所述另一外部电极端子与所述电路基板形成了电连接时，利用所述流动性导电接合材料填埋所述压电振动板用贯通孔的贯通部分、所述第2密封构件用贯通孔的贯通部分以及所述第1密封构件用贯通孔的贯通部分。
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