JP6292236B2 - 複合電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、複数の電子部品素子を内蔵した複合電子部品に関する。

従来より、複数の電子部品素子を内蔵した複合電子部品が既に多数提案されている。

例えば、特許文献１の埋め込み印刷回路基板は、キャビティが形成された絶縁層と、キャビティ内に実装された電子部品素子と、絶縁層上に形成された回路パターン層と、を備えている。

また、特許文献２の圧電デバイス（水晶発振器）は、水晶振動子が収容されたキャビティを有しているパケージと、ＩＣが収容されたキャビティ底部を有している回路基板と、を上下に接合している。

また、特許文献３の圧電振動デバイス（水晶発振器）は、水晶振動子が収容された第１キャビティと、ＩＣが収容された第２キャビティと、を有しているＨ形パケージを備えている。

特開２０１１−２４９７９２号公報 特開２００７−２３５７９１号公報 特開２０１３−３０９１０号公報

しかしながら、特許文献１の埋め込み印刷回路基板は、水平方向に配列して設けられたキャビティ内に電子部品素子が実装される構造であるため、占有面積が広くなり、小型化が困難であるという不具合があった。

また、特許文献２の圧電デバイス（水晶発振器）は、ＩＣを収容するためのキャビティ底部を有している回路基板が必要であり、低背化が困難であるという不具合があった。

また、特許文献３の圧電振動デバイス（水晶発振器）は、印刷配線板に実装するための実装用ランドをキャビティの土手に設ける必要があるため、キャビティの土手を細くできない。このため、小型化が困難であるという不具合があった。

それゆえに、本発明の目的は、低背化および小型化が可能である複合電子部品を提供することである。

本発明は、第１電子部品素子が収容されて実装され、第１電子部品素子に電気的に接続された接続用端子を備えた第１基板と、第１電子部品素子に電気的に接続された第２電子部品素子が収容されて実装され、第１基板の接続用端子に電気的に接続される第２基板と、を備え、第２基板は、第２電子部品素子の周囲を覆うように設けられた絶縁層と、絶縁層の一方主面に設けられた銅箔からなる第１配線パターンおよび絶縁層の他方主面に設けられた銅箔からなる第２配線パターンと、第１配線パターンと第２配線パターンとを電気的に接続する層間接続導体と、で構成され、第１配線パターンの一方主面には第２電子部品素子が電気的に接続され、第１配線パターンの他方主面には接続用端子が電気的に接続され、層間接続導体は、絶縁層の側面に設けた側面配線パターンであり、第１配線パターン、側面配線パターン、および第２配線パターンが連続して形成されており、連続して形成された第１配線パターン、側面配線パターン、および第２配線パターンにより、絶縁層の側面を含む絶縁層の表面の少なくとも一部が覆われており、第１配線パターンと第２電子部品素子とが、第１配線パターンに直接に設けられた第２電子部品素子実装用ランドを介して電気的に接続されると共に固定され、第２電子部品素子実装用ランドの高さ寸法が、絶縁層を構成している絶縁材料のフィラー径の寸法より大きいこと、を特徴とする、複合電子部品である。

本発明では、第２基板が、第２電子部品素子の周囲を覆うように設けられた絶縁層と、絶縁層の一方主面に設けられた銅箔からなる第１配線パターンおよび絶縁層の他方主面に設けられた銅箔からなる第２配線パターンと、第１配線パターンと第２配線パターンとを電気的に接続する層間接続導体と、で構成されているため、従来のキャビティ構造が不要となり、低背化が可能である。さらに、従来のキャビティの土手が不要となるため、第２基板における第２電子部品素子の占有面積比率が高くなり、小型化が可能である。

さらに、本発明では、第１配線パターンおよび第２配線パターンが銅箔からなる導電性材料にて形成されている。銅箔は熱伝導性が良いため、搭載された電子部品からの熱伝導性（放熱性）が良くなる。

さらに、本発明では、印刷配線板に実装するための実装用ランドをキャビティの土手に設ける必要がなくなるため、実装用ランドの配置の自由度が大きくなる。

また、本発明は、第１電子部品素子が水晶振動子であり、第２電子部品素子がＩＣであること、を特徴とする、複合電子部品である。本発明では、第２電子部品素子が温度検知機能を有している温度補償用ＩＣの場合は、複合電子部品は水晶発振器となる。

また、本発明は、第１電子部品素子が水晶振動子であり、第２電子部品素子がサーミスタであること、を特徴とする、複合電子部品である。本発明では、複合電子部品は温度補償サーミスタ付き水晶発振器となる。

また、本発明は、層間接続導体が、第２基板の側面に設けた側面配線パターンであること、を特徴とする、複合電子部品である。本発明では、第２基板の側面に、第１配線パターンと第２配線パターンとを電気的に接続する配線パターンを配設する構造を採用しているため、第２基板における第２電子部品素子の占有面積比率がより一層高くなり、より一層の小型化が可能である。

また、本発明は、第１配線パターンと第２電子部品素子とが、第１配線パターンに直接に設けられた第２電子部品素子実装用ランドを介して電気的に接続されると共に固定され、第２電子部品素子実装用ランドの高さ寸法が、絶縁層を構成している絶縁材料のフィラー径の寸法より大きいこと、を特徴とする、複合電子部品である。

本発明では、絶縁層を構成している絶縁材料のフィラー径の寸法が、第２電子部品素子実装用ランドの高さ寸法より小さいため、第２電子部品素子実装用ランドによって形成された第２電子部品素子と第１配線パターンとの間の隙間にも絶縁材料が充填され易くなる。

また、本発明は、第１基板と第２基板とが、接着剤入りはんだで固定され、かつ、第１電子部品素子と第２電子部品素子とが、接着剤入りはんだを介して電気的に接続されていること、を特徴とする、複合電子部品である。

本発明では、接着剤入りはんだを用いているため、第１基板と第２基板との相互のセルフアライメント（位置ずれ）が抑えられ、第１基板と第２基板との接合ずれ（積層ズレ）が小さくなる。従って、複合電子部品の小型化がより一層達成できる。

本発明によれば、搭載された電子部品からの熱伝導性が良く、低背化および小型化が可能である複合電子部品を得ることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

本発明に係る複合電子部品の一実施の形態を示す断面図である。 図１に示した第２基板の平面図である。 図１に示した複合電子部品の製造方法の一例を説明するための断面図である。

本発明に係る複合電子部品の一実施の形態を、その製造方法と共に説明する。
１．複合電子部品
図１は複合電子部品を示す垂直断面図であり、図２は図１に示した第２基板の平面図である。なお、図１は、図２のＡ−Ａの部分を矢印方向に見た断面図である。

複合電子部品１は、第１電子部品素子２０が内蔵された上段の第１基板２と、第２電子部品素子４０が内蔵された下段の第２基板４と、を備えている。

第１基板２は、例えば、従来の水晶発振器など（特許文献２参照）に通常使用されているキャビティ構造の基板である。すなわち、矩形状の第１基板２は、セラミックなどで形成された基板本体２２のキャビティ２４の中に、第１電子部品素子２０を収容している。

第１電子部品素子２０は水晶振動子などであり、表面に一対の励振電極（図示せず）などが形成されている。第１電子部品素子２０は、その一端側が第１電子部品素子実装用ランド２６上に導電性接着剤を介して実装され、片持ち支持の状態で固定されている。第１電子部品素子実装用ランド２６は基板本体２２に形成された配線パターン（図示せず）により、基板本体２２の底面の略四隅部に形成された４つの接続用端子２８ａおよび中央部に形成された２つの接続用端子２８ｂに接続されている。

さらに、基板本体２２の上面には、金属またはセラミックなどで形成された蓋３０が、シース溶接などで接合されている。キャビティ２４の内部は、蓋３０によって気密封止され、減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気が維持されている。

矩形状の第２基板４は、概略、絶縁層４２と、絶縁層４２に収容されている第２電子部品素子４０および第２電子部品素子実装用ランド５２と、絶縁層４２の表裏面にそれぞれ設けられた銅箔からなる第１配線パターン４４ａ，４４ｂおよび第２配線パターン４６と、第２基板４の側面に設けられた側面配線パターン（層間接続導体）４８と、で構成されている。

第２電子部品素子４０は、温度検知機能を有している温度補償用ＩＣやサーミスタなどである。第２電子部品素子４０として温度補償用ＩＣが使用された場合、温度補償用ＩＣは追随性が良いため、複合電子部品１は発振特性の優れた温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）となる。温度補償用ＩＣは、第１電子部品素子２０の水晶振動子励振させる発振回路や温度補償回路などを有している。また、第２電子部品素子４０としてサーミスタが使用された場合、複合電子部品１は、空きスペースが広くなるため、他の電子部品素子まで搭載できる温度補償サーミスタ付き水晶発振器となる。

第２電子部品素子４０の端子（図示せず）は、上側に向いており、はんだバンプ５０で第２電子部品素子実装用ランド５２に電気的に接続されている。第２電子部品素子実装用ランド５２は、第１配線パターン４４ａ，４４ｂにそれぞれ直接に形成され、かつ、電気的に接続されている。従って、第１配線パターン４４ａ，４４ｂと第２電子部品素子４０とは、第２電子部品素子実装用ランド５２を介して電気的に接続されると共に固定されている。

絶縁層４２は、フィラーが含有されているエポキシ系樹脂などの絶縁材料からなる。絶縁層４２は、第２電子部品素子４０、はんだバンプ５０および第２電子部品素子実装用ランド５２の周囲を覆うように形成されている。ここで、第２電子部品素子実装用ランド５２の高さ寸法が、絶縁層４２を構成するための絶縁材料のフィラー径の寸法より大きいことが好ましい。これにより、フィラー径の寸法が、第２電子部品素子実装用ランド５２の高さ寸法より小さくなり、第２電子部品素子実装用ランド５２によって形成された第２電子部品素子４０と第１配線パターン４４ａ，４４ｂとの間の隙間にも絶縁材料が充填され易くなる。

第１配線パターン４４ａ，４４ｂは、図２に示すように、絶縁層４２の上側面に形成されている。４つの第１配線パターン４４ａは、第２基板４の略四隅部にそれぞれ形成されている。２つの第１配線パターン４４ｂは、第２基板４の中央部にそれぞれ形成されている。一方、第２配線パターン４６は、絶縁層４２の下側面に形成されている。４つの第２配線パターン４６は、第２基板４の略四隅部にそれぞれ形成されている。

４つの側面配線パターン４８は、図２に示すように、第２基板４の四隅部の側面に形成されている。そして、側面配線パターン４８は、第２基板４の上側の四隅部にそれぞれ形成されている第１配線パターン４４ａと第２基板４の下側の四隅部にそれぞれ形成されている第２配線パターン４６とを電気的に接続している。

上段の第１基板２と下段の第２基板４とは、第１基板２の接続用端子２８ａ，２８ｂと第２基板４の第１配線パターン４４ａ，４４ｂとが接着剤入りはんだ６０を利用して固定されている。接着剤入りはんだ６０は、第１基板２と第２基板４との相互のセルフアライメント（位置ずれ）を抑えることができ、第１基板２と第２基板４との接合ずれ（積層ズレ）を小さくすることができる。従って、複合電子部品１の小型化がより一層達成できる。

そして、第１基板２に内蔵された第１電子部品素子２０と第２基板４に内蔵された第２電子部品素子４０とは、接着剤入りはんだ６０などを介して電気的に接続されている。従って、例えば、複合電子部品１が温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）の場合には、第２電子部品素子（ＩＣ）４０に内蔵された発振回路にて励振された第１電子部品素子（水晶振動子）２０の周波数信号が、第２基板４の第２配線パターン４６から出力される。

以上の構成からなる複合電子部品１は、第２基板４が、第２電子部品素子４０を内蔵した絶縁層４２と、絶縁層４２の表裏面にそれぞれ設けられた第１配線パターン４４ａ，４４ｂおよび第２配線パターン４６と、で構成されているため、従来のキャビティ構造が不要となり、低背化が可能となる。さらに、従来のキャビティの土手が不要となるため、第２基板４における第２電子部品素子４０の占有面積比率が高くなり、小型化が可能となる。

さらに、第１配線パターン４４ａ，４４ｂが、熱伝導性が良い銅箔からなる導電性材料にて形成されているので、第１電子部品素子（水晶振動子）２０と第２電子部品素子（温度補償用ＩＣ）４０との間の熱伝導性（熱追随性）が良くなり、両者の温度差を抑えることができる。
そして、銅箔からなる第１配線パターン４４ａ，４４ｂの表裏が、第１基板２の接続用端子２８ａ，２８ｂおよび第２電子部品素子４０に電気的に接続されているため、優れた熱追随性と低背化が同時に実現できる。

さらに、複合電子部品１が印刷配線板などに実装される際に実装用ランドとして機能する第２配線パターン４６を、従来の圧電デバイスのようにキャビティの土手に設ける必要がなくなるため、第２配線パターン４６の配置の自由度が向上する。

さらに、第２基板４の側面に、第１配線パターン４４ａと第２配線パターン４６とを電気的に接続する側面配線パターン４８を配設する構造を採用しているため、第２基板４における第２電子部品素子４０の占有面積比率がより一層高くなり、より一層の小型化が可能となる。

２．複合電子部品の製造方法
次に、複合電子部品１の製造方法を図３を参照して説明する。なお、第１基板２は、従来の水晶発振器など（特許文献２参照）に通常使用されているキャビティ構造の基板であるため、その製造方法は省略する。

第２基板４は、以下に説明する方法で作製される。本実施の形態では、量産性を良くするために、複数個の第２基板４が縦横に隙間無く（カット代が設定されること無く）配列された集合基板の形態で作製される。

先ず、図３（Ａ）に示すように、所定の厚さ（例えば５〜２０μｍ）の第１の銅箔７０の粗面上に、Ｎｉ−Ａｕの部分めっき処理法で、第２電子部品素子実装用ランド５２が形成される。この第１の銅箔７０は、最終的に第１配線パターン４４ａ，４４ｂとなるべきものである。第２電子部品素子実装用ランド５２の高さ寸法は、後述の絶縁層４２を構成するためのエポキシ系樹脂に含有されているシリカフィラー径の寸法より大きくなるように、めっき厚で調整される。

次に、図３（Ｂ）に示すように、第２電子部品素子４０の端子（図示せず）が、フリップチップボンダーなどのはんだバンプ５０を用いて、第２電子部品素子実装用ランド５２に電気的に接続される。こうして、第２電子部品素子４０は、第２電子部品素子実装用ランド５２に固定される。

次に、図３（Ｃ）に示すように、第２電子部品素子４０が搭載された第１の銅箔７０上に、絶縁層４２を構成するためのシリカフィラーを含有したエポキシ系樹脂が充填される。このとき、第２電子部品素子実装用ランド５２の高さ寸法は、エポキシ系樹脂のシリカフィラー径の寸法より大きくなるように調整されているため、エポキシ系樹脂は、第２電子部品素子実装用ランド５２によって形成された第２電子部品素子４０の底面と第１の銅箔７０との間の隙間にも容易に充填される。この結果、エポキシ系樹脂は、第２電子部品素子４０、はんだバンプ５０および第２電子部品素子実装用ランド５２の周囲を完全に覆うことができる。

この後、エポキシ系樹脂の上に、所定の厚さ（例えば５〜２０μｍ）の第２の銅箔７２が、粗面を下側にして載置される。この第２の銅箔７２は、最終的に第２配線パターン４６となるべきものである。次に、この積層体は加温真空プレス成型され、エポキシ系樹脂は絶縁層４２とされる。これにより、絶縁層４２の表裏面にそれぞれ銅箔７０，７２が設けられた、第２電子部品素子４０が内蔵された両面銅箔貼付基板が得られる。絶縁層４２は、銅箔７０，７２の粗面にアンカー効果によって堅固に接合される。

次に、図３（Ｄ）に示すように、スルーホール用穴７４が、４個の第２基板４が接する第２基板４の隅部の位置にそれぞれ形成される。すなわち、スルーホール用穴７４は、後述の格子状の複数のカット線Ｃの交差位置にそれぞれ形成される。その後、スルーホール用穴７４の穴内周面がＣｕめっきされ、スルーホール７８が形成される。このスルーホール７８は、両面銅箔貼付基板の表裏の銅箔７０と銅箔７２との間の電気的接続を行う。

この後、両面銅箔貼付基板は、ダイシングソーを使用して、スルーホール７８を通るカット線Ｃに沿って、正方格子状に切断され、製品サイズの第２基板４が切り出される。スルーホール７８は、平面視で４分割され、側面配線パターン４８とされる（図２参照）。

なお、この両面銅箔貼付基板の切断は、後述の第２基板４の銅箔７０，７２のパターニングを行った後に行うようにしてもよい。

次に、図３（Ｅ）に示すように、第２基板４の銅箔７０，７２のパターニングを行うために、第２基板４の表面に所定のパターンのレジスト膜が形成された後、銅箔７０，７２がエッチングされる。第１の銅箔７０は、エッチングされることによって、第１配線パターン４４ａ，４４ｂとされる。第２の銅箔７２は、エッチングされることによって、第２配線パターン４６とされる。その後、レジスト膜が除去される。さらに、第１配線パターン４４ａ，４４ｂ、第２配線パターン４６および側面配線パターン４８の表面に、Ｎｉ−Ａｕめっき膜が形成される。

次に、第１配線パターン４４ａ，４４ｂが上側になるように、第２基板４が上下反転される。その後、図１に示すように、第２基板４が下段、かつ、第１基板２が上段になるように組み合わされ、第１基板２の接続用端子２８ａ，２８ｂと第２基板４の第１配線パターン４４ａ，４４ｂとが接着剤入りはんだ６０を利用して固定される。接着剤入りはんだ６０は、第１基板２と第２基板４との相互のセルフアライメント（位置ずれ）を抑えることができる。

以上の方法によれば、低背化および小型化が可能な複合電子部品１を効率良く量産できる。

１．複合電子部品の低背化および小型化の評価
実施例の試料（複合電子部品１）として、第１電子部品素子２０が水晶振動子で、かつ、第２電子部品素子４０が温度補償用ＩＣである水晶発振器が作製された。

また、比較例の試料として、Ｈ形パケージのキャビティの土手部近傍に内部ビアが形成されている従来の水晶発振器（特許文献３の水晶発振器と同様のもの）が作製された。

その結果、実施例の水晶発振器は、側面配線パターン４８を、第２基板４の外周縁から内側に向かって２００μｍ以下の位置に形成することができることが確認できた。一方、比較例の水晶発振器は、内部ビアを、Ｈ形パケージの外周縁から内側に向かって２５０μｍ以上離れた位置に形成しなければならないことが確認できた。そのため、比較例の水晶発振器は、実施例の水晶発振器と比較してサイズが大きくなった。

また、実施例の水晶発振器は、製造工程中、最終的に第１配線パターン４４ａ，４４ｂとなるべき第１の銅箔７０上に第２電子部品素子４０である温度補償用ＩＣが搭載されているため、比較例の水晶発振器が必要とするＩＣ搭載用キャビティ構造が不用となり、低背化が可能となることが確認できた。

２．複合電子部品の熱追随特性の評価
実施例の試料（複合電子部品１）として、第１電子部品素子２０が水晶振動子で、かつ、第２電子部品素子４０が温度補償用ＩＣである水晶発振器が作製された。

また、比較例の試料として、水晶振動子が収容されたキャビティを有しているパケージと、ＩＣが収容されたキャビティを有しているパケージと、を上下に接合している従来の水晶発振器が作製された。

その後、作製された実施例および比較例の水晶発振器は、それぞれ、温度サイクルが負荷された状態で発振特性の遅延時間が測定され、熱追随特性の評価が行われた。

その結果、比較例の水晶発振器の熱追随特性を１．０としたとき、実施例の水晶発振器の熱追随特性は０．５と非常に良好であることが確認できた。

３．複合電子部品の樹脂充填性の評価
実施例の試料（複合電子部品１）として、高さ寸法が５０μｍの第２電子部品素子実装用ランド５２と、シリカフィラー径の最大寸法が３０μｍのエポキシ系樹脂からなる絶縁層４２と、を有した水晶発振器が作製された。

また、別の実施例の試料（複合電子部品１）として、高さ寸法が１０μｍの第２電子部品素子実装用ランド５２と、シリカフィラー径の最大寸法が３０μｍのエポキシ系樹脂からなる絶縁層４２と、を有した水晶発振器が作製された。

その後、作製された実施例の水晶発振器１は、それぞれ外観観察され、第２電子部品素子４０である温度補償用ＩＣの周囲へのエポキシ系樹脂の充填度の評価が行われた。

その結果、高さ寸法が５０μｍの第２電子部品素子実装用ランド５２を有した水晶発振器１は、エポキシ系樹脂が温度補償用ＩＣ４０の周囲に十分に回り込んでおり、温度補償用ＩＣ４０の露出は認められなかった。従って、樹脂充填性は良好であった。

一方、高さ寸法が１０μｍの第２電子部品素子実装用ランド５２を有した水晶発振器１は、エポキシ系樹脂が温度補償用ＩＣ４０の周囲に十分に回り込んでおらず、温度補償用ＩＣ４０の露出が認められた。従って、樹脂充填性は不良であった。

４．複合電子部品の第１基板と第２基板とのセルフアライメント特性の評価
（評価試料の作製）
評価試料（複合電子部品１）の第２基板４として、ダイシングソーを使用して、集合基板である両面銅箔貼付基板から製品サイズの第２基板４が切り出す際に、正規のカット線Ｃに対して縦方向のオフセット量が０μｍと５０μｍとになるように分割し、２種類の第２基板４が作製された。

次に、評価試料（複合電子部品１）の第１基板２として、基板本体２２の底部の略四隅部に形成された４つの接続用端子２８ａおよび中央部に形成された２つの接続用端子２８ｂの位置が、正規の位置から、前記第２基板４のオフセット量と逆に５０μｍと０μｍだけ移動させた２種類の第１基板２が作製された。

次に、２種類の第１基板２と２種類の第２基板４とが、種々組み合わされて、外形合わせで重ね合わせられた。その後、それぞれの第１基板２と第２基板４とは、ＳｎＡｇＣｕはんだ６０、または、接着剤入りはんだ６０を用いて固定され、評価試料の複合電子部品１（水晶発振器）とされた。

（セルフアライメント特性の評価および評価結果）
その後、作製された水晶発振器１のサイズが測定された。表１および表２は測定結果を示す。

表１より、ＳｎＡｇＣｕはんだ６０が使用された水晶発振器１の場合、ＳｎＡｇＣｕはんだ６０はセルフアライメント（位置ずれ）するはんだであるため、第１基板２と第２基板４とは相互に位置ずれした状態で固定されることが認められた。その結果、水晶発振器１はサイズが大きくなる。

一方、表２より、接着剤入りはんだ６０が使用された水晶発振器１の場合、接着剤入りはんだ６０がセルフアライメント（位置ずれ）を発生させ難い特性を有しているため、第１基板２と第２基板４とは、第２基板４の切断位置あるいは第１基板２の接続用端子２８ａ，２８ｂの配置位置のばらつきの影響を受けないで、固定できることが認められた。その結果、サイズの小さい水晶発振器１が得られる。

なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。例えば、上段の第１基板にＩＣが収容されて実装され、下段の第２基板にコンデンサが収容されて実装された複合電子部品であってもよい。

１ 複合電子部品（水晶発振器、温度補償サーミスタ付き水晶発振器）
２ 第１基板
４ 第２基板
２０ 第１電子部品素子（水晶振動子）
２２ 基板本体
２４ キャビティ
２６ 第１電子部品素子実装用ランド
２８ａ，２８ｂ 接続用端子
３０ 蓋
４０ 第２電子部品素子（温度補償用ＩＣ、サーミスタ）
４２ 絶縁層
４４ａ，４４ｂ 第１配線パターン
４６ 第２配線パターン
４８ 側面配線パターン（層間接続導体）
５０ はんだバンプ
５２ 第２電子部品素子実装用ランド
６０ 接着剤入りはんだ
７０ 第１の銅箔
７２ 第２の銅箔

Claims (5)

1. 第１電子部品素子が収容されて実装され、前記第１電子部品素子に電気的に接続された接続用端子を備えた第１基板と、
   前記第１電子部品素子に電気的に接続された第２電子部品素子が収容されて実装され、前記第１基板の前記接続用端子に電気的に接続される第２基板と、を備え、
   前記第２基板は、前記第２電子部品素子の周囲を覆うように設けられた絶縁層と、前記絶縁層の一方主面に設けられた銅箔からなる第１配線パターンおよび前記絶縁層の他方主面に設けられた銅箔からなる第２配線パターンと、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを電気的に接続する層間接続導体と、で構成され、
   前記第１配線パターンの一方主面には前記第２電子部品素子が電気的に接続され、前記第１配線パターンの他方主面には前記接続用端子が電気的に接続され、
   前記層間接続導体は、前記絶縁層の側面に設けた側面配線パターンであり、
   前記第１配線パターン、前記側面配線パターン、および前記第２配線パターンが連続して形成されており、連続して形成された前記第１配線パターン、前記側面配線パターン、および前記第２配線パターンにより、前記絶縁層の側面を含む前記絶縁層の表面の少なくとも一部が覆われており、
   前記第１配線パターンと前記第２電子部品素子とが、前記第１配線パターンに直接に設けられた第２電子部品素子実装用ランドを介して電気的に接続されると共に固定され、前記第２電子部品素子実装用ランドの高さ寸法が、前記絶縁層を構成している絶縁材料のフィラー径の寸法より大きいこと、を特徴とする、複合電子部品。
2. 前記第１電子部品素子が水晶振動子であり、前記第２電子部品素子がＩＣであること、を特徴とする、請求項１に記載の複合電子部品。
3. 前記第１電子部品素子が水晶振動子であり、前記第２電子部品素子がサーミスタであること、を特徴とする、請求項１に記載の複合電子部品。
4. 前記第１基板と前記第２基板とが、接着剤入りはんだで固定され、かつ、前記第１電子部品素子と前記第２電子部品素子とが、前記接着剤入りはんだを介して電気的に接続されていること、を特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の複合電子部品。
5. 第１電子部品素子が収容されて実装され、前記第１電子部品素子に電気的に接続された接続用端子を備えた第１基板と、
   前記第１電子部品素子に電気的に接続された第２電子部品素子が収容されて実装され、前記第１基板の前記接続用端子に電気的に接続される第２基板と、を備え、
   前記第２基板は、前記第２電子部品素子の周囲を覆うように設けられた絶縁層と、前記絶縁層の一方主面に設けられた銅箔からなる第１配線パターンおよび前記絶縁層の他方主面に設けられた銅箔からなる第２配線パターンと、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを電気的に接続する層間接続導体と、で構成され、
   前記第１配線パターンの一方主面には前記第２電子部品素子が電気的に接続され、前記第１配線パターンの他方主面には前記接続用端子が電気的に接続され、
   前記第１配線パターンと前記第２電子部品素子とが、前記第１配線パターンに直接に設けられた第２電子部品素子実装用ランドを介して電気的に接続されると共に固定され、前記第２電子部品素子実装用ランドの高さ寸法が、前記絶縁層を構成している絶縁材料のフィラー径の寸法より大きいこと、を特徴とする、複合電子部品。