JP2003347846A

JP2003347846A - 温度補償型水晶発振器

Info

Publication number: JP2003347846A
Application number: JP2002148203A
Authority: JP
Inventors: Akiyoshi Moriyasu; 明義守安; Atsushi Harada; 淳原田; Hiroshi Takagi; 洋鷹木; Yuki Yamamoto; 祐樹山本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-05-22
Filing date: 2002-05-22
Publication date: 2003-12-05

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化が可能であり、かつ、機械的強度に優
れた温度補償型水晶発振器を提供することを目的とす
る。【解決手段】セラミック基板内部に回路部品１２１ａ
〜１２１ｃが埋設された樹脂基板１２０上に、内部の空
間１１３に水晶振動子１１４が収納されたパッケージ１
１０を実装することにより、温度補償型水晶発振器１０
０を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、温度補償型水晶発
振器（ＴＣＸＯ：temperature compensated crystal os
cillator）に関する。

【０００２】

【従来の技術】温度補償型水晶発振器は、携帯電話など
の電子機器に広く用いられており、近年の電子機器の小
型化にともない、温度補償型水晶発振器にも一層の小型
化が求めれられている。図１２は、特開２００１−１７
７０４４号公報に開示された温度補償型水晶発振器を示
す断面図である。温度補償型水晶発振器３００は、パッ
ケージ３１０とセラミック基板３２０とからなる。パッ
ケージ３１０内部の空間には水晶振動子３１１が収納さ
れ、セラミック基板３２０上部には側壁３２１に囲まれ
たキャビティ３２２が形成され、その中に回路部品３２
３が実装されている。また、セラミック基板３２０の下
面には抵抗膜３２４が形成されており、抵抗膜３２４を
レーザートリミングすることにより、水晶振動子３１１
の温度周波数特性が微調整される。

【０００３】図１３は、特開２０００−１５１２８３号
公報に開示された温度補償型水晶発振器を示す断面図で
ある。温度補償型水晶発振器４００は、セラミック基板
４２０とセラミック基板４２０上に実装された水晶振動
子４１１とからなる。水晶振動子４１１は、セラミック
基板４２０上面の周縁部に形成されたシールリング４１
２、およびシールリング４１２に溶接された金属蓋４１
３により覆われている。セラミック基板４２０下部には
側壁４２１に囲まれたキャビティ４２２が形成され、そ
の中に回路部品４２３が実装されるとともに、樹脂４２
４が充填されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の温度補償型水晶発振器では、以下の点から小型化に制
約がある。まず、従来の温度補償型水晶発振器では、キ
ャビティ内に回路部品を高精度に実装するために、キャ
ビティ周囲の側壁と回路部品との間に一定の間隔を設け
る必要がある。したがって、この間隔の分、温度補償型
水晶発振器の面積が大きくなってしまう。

【０００５】また、従来の温度補償型水晶発振器を小型
化しようとすると、キャビティ周囲の側壁の幅を小さく
する必要がある。しかし、このように側壁の幅を小さく
すると、側壁の機械的強度が低下してしまう。また、特
開２００１−１７７０４４号公報のようにキャビティ上
面にパッケージを実装する場合、側壁上に形成するパッ
ケージ固着用の電極面積が十分に大きくとれなくなり、
パッケージとセラミック基板の固着強度が低下してしま
う。

【０００６】また、従来の温度補償型水晶発振器におい
ては、セラミック基板内に立体的に回路を形成してキャ
ビティ内に実装する回路部品を減らすことにより、温度
補償型水晶発振器の面積を小さくしている。しかし、こ
の場合、温度補償型水晶発振器を低背化することができ
ない。

【０００７】本発明は、小型化が可能であり、かつ、機
械的強度に優れた温度補償型水晶発振器を提供すること
を目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る温度補償型
水晶発振器は、セラミック基板と、セラミック基板の上
側主面上に形成された少なくとも１層の樹脂層と、樹脂
層の上側主面上に搭載され、内部の空間に水晶振動子が
収納されたパッケージと、からなり、セラミック基板の
上側主面上には配線導体が形成され、樹脂層の内部に
は、配線導体と電気的に接続される回路部品が埋設され
るとともに、配線導体と電気的に接続されるビア導体が
形成され、樹脂層の上側主面上には、ビア導体と電気的
に接続される表面導体が形成され、パッケージ下面に
は、水晶振動子および表面導体と電気的に接続される端
子電極が形成されている、ことを特徴とする。

【０００９】また、上記セラミック基板は、複数のセラ
ミック層が積層されてなり、セラミック層間に配線導体
が形成されていることが好ましい。

【００１０】また、上記セラミック基板の下側主面上に
抵抗膜が形成されていることが好ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る温度補償型
水晶発振器の一実施形態を示す断面図である。図１に示
すように、温度補償型水晶発振器１００は、セラミック
基板１１０と、セラミック基板１１０の上側主面上に形
成された樹脂層１２０と、樹脂層１２０の上側主面上に
搭載されたパッケージ１３０と、からなる。

【００１２】セラミック基板１１０は、複数のセラミッ
ク層１１１が積層されたものである。セラミック基板１
１０内部には、セラミック層１１１の積層方向に延びる
ようにビア導体１１２が形成されている。また、セラミ
ック基板１１０の上側主面上には、ビア導体１１２と電
気的に接続された配線導体１１３ａが形成されている。
また、セラミック基板１１０の内部には、ビア導体１１
２と電気的に接続された配線導体１１３ｂが形成されて
いる。配線導体１１３ｂは、セラミック層１１１を挟ん
で互いに対向するように形成されており、この対向部分
でコンデンサを形成している。また、セラミック基板１
１０の下側主面上には、配線導体１１３ｃおよび抵抗膜
１１４が形成されている。

【００１３】セラミック基板１１０が複数のセラミック
層１１１で構成されることにより、配線導体１１３ｂを
形成したり、セラミック層１１１を挟んでコンデンサを
形成することができる。したがって、セラミック基板１
１０内部において多様な回路設計が可能となる。

【００１４】セラミック層１１１を構成する材料として
は、例えば、ＢａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系などの絶縁
体材料を用いることができる。また、ビア導体１１２お
よび配線導体１１３ａ〜１１３ｃとしては、例えば、Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を
用いることができる。

【００１５】抵抗膜１１４は、パッケージ１３０に収納
された水晶振動子１３４の温度周波数特性を微調整する
ためのものであり、後述する補正電圧発生回路を構成す
る回路要素の一つである。具体的には、抵抗膜１１４の
一部をレーザーなどによりトリミングすることにより、
水晶振動子１３４に入力される電圧を調整し、水晶振動
子１３４の温度周波数特性を平坦化することができる。
抵抗膜１１４は、例えば、ＲｕＯ₂とガラスとの混合材
料を含むペーストを焼き付けることにより形成される。

【００１６】樹脂層１２０内部には、配線導体１１３ａ
と電気的に接続される回路部品１２１ａ〜１２１ｃが埋
設されるとともに、配線導体１１３ａと電気的に接続さ
れるビア導体１２２が形成されている。また、樹脂層１
２０の上側主面上には、ビア導体１２２と電気的に接続
される表面導体１２３が形成されている。

【００１７】樹脂層１２０は、例えば、無機フィラーと
熱硬化性樹脂とを混合したものからなる。無機フィラー
としては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂，ＴｉＯ₂などを
用いることができる。これらの無機フィラーを用いるこ
とにより、放熱性を向上させるとともに、樹脂層１２０
の流動性、充填性を制御することができる。また、熱硬
化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、シアネート樹脂などを用いることができる。中で
も、エポキシ樹脂は、耐熱性、耐湿性に優れているため
好ましい。

【００１８】なお、図２に示すように、樹脂層１２０が
複数の樹脂層１２０ａ，１２０ｂにより構成され、樹脂
層１２０ａ，１２０ｂ間に配線導体１２４が形成されて
いてもよい。これにより、樹脂層１２０内部において多
様な回路設計が可能となる。

【００１９】図１、図２において、回路部品１２１ａ〜
１２１ｃとしては、発振回路や補正電圧発生回路など、
温度補償型水晶発振器１００に必要な回路を構成する。
回路部品１２１ａ〜１２１ｃとしては、例えば、トラン
ジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデ
ンサ、チップ抵抗、チップサーミスタなどの受動素子を
用いることができる。能動素子を配線導体１１３ａ上に
実装する方法としては、例えば、能動素子の端子電極上
に金や半田のバンプを形成し、超音波ボンディングを行
う方法などが挙げられる。また、受動素子を配線導体１
１３ａ上に実装する方法としては、導電性接着剤による
接着や半田付けなどが挙げられる。なお、回路部品１２
１ａ〜１２１ｃの端子電極については図示を省略してい
る。

【００２０】ビア導体１２２としては、例えば、金属粒
子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用い
ることができる。金属粒子としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｎｉなどを用いることができる。熱硬化性樹脂とし
ては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂
などを用いることができる。

【００２１】表面導体１２３としては、例えば、Ｃｕ，
Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用い
ることができる。

【００２２】パッケージ１３０は、上面が開口したパッ
ケージ本体１３１と、パッケージ本体１３１の上面を被
覆する金属製のシールド板１３２とからなる。また、パ
ッケージ本体１３１とシールド板１３２とにより形成さ
れる空間１３３には、水晶振動子１３４が振動可能な状
態で収納されている。また、水晶振動子１３４は、配線
導体１３５およびビア導体１３６を介して，パッケージ
本体１３１表面に形成された端子電極１３７と電気的に
接続されている。

【００２３】パッケージ本体１３１としては、例えば、
セラミックなどの無機材料を用いることができる。ま
た、シールド板１３２としては、例えば、コバールや４
２アロイなどの金属材料を用いることができる。また、
水晶振動子１３４は、用途に応じて適当な発振周波数の
ものが用いられる。また、配線導体１３５、ビア導体１
３６、および端子電極１３７としては、例えば、Ｃｕ，
Ａｇ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄなどの金属を用い
ることができる。

【００２４】図３は、温度補償型水晶発振器１００の等
価回路を示す回路図である。この回路は、発振回路１４
０、補正電圧発生回路１５０、および緩衝増幅回路１６
０からなる。

【００２５】発振回路１４０は、水晶振動子１３４、ベ
ース−エミッタ間をコンデンサ１４１ａでつながれたト
ランジスタ１４２、抵抗１４３ａ〜１４３ｄ、コンデン
サ１４１ｂなどにより構成された、コレクタ接地のコル
ピッツ形発振回路である。

【００２６】発振回路１４０では、抵抗１４３ａおよび
コンデンサ１４１ｃによって電源電圧Ｖｃｃの直流成分
がトランジスタ１４２のコレクタに印加され、トランジ
スタ１４２のエミッタが抵抗１４３ｂを介してグランド
に接続され、抵抗１４３ｃ，１４３ｄによって電源電圧
Ｖｃｃが分圧され、トランジスタ１４２のベースに印加
されている。

【００２７】また、発振回路１４０では、グランドから
水晶振動子１３４の端子電極に向けて可変容量ダイオー
ド１４４を接続しており、抵抗１４３ｅを介して補正電
圧発生回路１５０の出力電圧を水晶振動子１３４へ入力
させている。

【００２８】補正電圧回路１５０は、周囲の温度変化に
応じて水晶振動子１３４に印加する出力電圧の特性を変
化させることにより、水晶振動子１３４の温度周波数特
性を打ち消して周波数を安定させるものであり、抵抗、
ＮＴＣサーミスタ（いずれも図示せず）などで構成され
ている。

【００２９】緩衝増幅回路１６０は、コンデンサ１６
１、トランジスタ１６２、抵抗１６３ａ〜１６３ｄなど
により構成されている。緩衝増幅回路１６０では、抵抗
１６３ａを介して電源電圧Ｖｃｃがトランジスタ１６２
のコレクタに入力され、抵抗１６３ｂおよびコンデンサ
１６１を介してトランジスタ１６２のエミッタがグラン
ドに接続され、抵抗１６３ｃ，１６３ｄによって電源電
圧Ｖｃｃが分圧され、トランジスタ１６２のベースに印
加されている。

【００３０】温度補償型水晶発振器１００においては、
発振回路１４０で水晶振動子１３４を発振させ、水晶振
動子１３４の付加容量を可変容量ダイオード１４４に印
加する電圧で制御することにより、発振周波数を制御す
ることが可能になる。発振出力は、トランジスタ１４２
のエミッタにより取り出され、緩衝増幅回路１６０で増
幅されてトランジスタ１６２のコレクタから出力され
る。また、出力周波数の温度による変動は、補正電圧発
生回路１５０により補正される。

【００３１】

【実施例】（実施例１）以下に、本発明に係る温度補償
型水晶発振器の製造方法の一実施例を示す。まず、出発
原料として、ＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ｃ
ａＯを準備し、各出発原料を所定量秤量し、混合した。
次に、得られた混合物を１３００℃で２時間仮焼し、得
られた仮焼物を粉砕して仮焼粉末を得た。

【００３２】次に、この仮焼粉末に、適当量のバイン
ダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、セラミックスラ
リーを得た。次に、このセラミックスラリーを、ドクタ
ーブレード法によりシート状に形成し、セラミックグリ
ーンシートを得た。次に、セラミックグリーンシートの
所定の位置にビアホールを形成した。

【００３３】次に、Ａｇ粉末、適当量のバインダ、ガラ
ス粉末、分散剤からなる導体ペーストを作製し、この導
体ペーストを、スクリーン印刷によりセラミックグリー
ンシート上に印刷し、セラミックグリーンシートのビア
ホールに充填した。

【００３４】次に、セラミックグリーンシートを複数枚
積層し、圧着することによりセラミック積層体を作製し
た。次に、セラミック積層体を８００〜１０００℃の温
度で５時間焼成し、図４（Ａ）に示すように、複数のセ
ラミック層２１１からなり、ビア導体２１２および配線
導体２１３ａ〜２１３ｂが形成されたセラミック基板２
１０を得た。

【００３５】なお、セラミック基板の製造方法について
は上述の限りではなく、その他公知の製造方法を用いて
もよい。

【００３６】次に、図４（Ｂ）に示すように、セラミッ
ク基板２１０の下側主面上に、ＲｕＯ₂粉末、ガラス粉
末、分散剤からなる抵抗ペーストを塗布し、焼き付けて
抵抗膜２１４を形成した。その後、図４（Ｂ）に示すよ
うに、セラミック基板２１０の配線導体２１３ａ上にチ
ップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、チップサ
ーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行った。

【００３７】次に、図５（Ａ）に示すように、一方主面
上に銅箔が形成されたエポキシ樹脂プリプレグシートを
作製した。次に、樹脂プリプレグシート上に形成された
銅箔をフォトリソグラフィーによりエッチングし、図５
（Ｂ）に示すように、主面上に表面導体２２３が形成さ
れた樹脂プリプレグシート２７０を作製した。

【００３８】次に、炭酸ガスレーザーを用いて、図５
（Ｃ）に示すように、樹脂プリプレグシート２７０にビ
アホール２７１を形成した。次に、図５（Ｄ）に示すよ
うに、導体ペーストをスクリーン印刷によりビアホール
２７１内に充填して、ビア導体２２２を形成した。

【００３９】次に、図６に示すように、樹脂プリプレグ
シート２７０をセラミック基板２１０上に重ね、真空プ
レスにより１６０℃の温度で６０分間圧着した。このよ
うにして、樹脂プリプレグシート２７０にチップコンデ
ンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミ
スタ２２１ｃを埋没させるとともに、樹脂プリプレグシ
ート２７０およびビア導体２２２を熱硬化させた。

【００４０】次に、表面導体２２３上に半田ペーストを
塗布し、図７に示すように、水晶振動子が収納されたパ
ッケージ２３０を樹脂層２２０（樹脂プリプレグシート
２７０が熱硬化したもの）上に搭載した。次に、リフロ
ーにより半田ペーストを溶解させ、端子電極２３７と表
面導体２２３とを接合させて、温度補償型水晶発振器２
００ａを作製した。なお、図７では、パッケージ２３０
について詳細な図示を省略している。

【００４１】また、複数の樹脂層を形成する場合は、樹
脂層２２０を一層目の樹脂層として、樹脂層２２０上に
さらに樹脂プリプレグシート２７０を積層し、同様の工
程を繰り返して二層目、三層目、・・・の樹脂層を形成
すればよい。

【００４２】（実施例２）以下に、本発明に係る温度補
償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す。まず、
実施例１と同様にして、図４（Ａ）に示すセラミック基
板２１０を作製した。次に、図４（Ｂ）に示すように、
セラミック基板２１０の下側主面上に、ＲｕＯ₂粉末、
ガラス粉末、分散剤からなる抵抗ペーストを塗布して焼
き付け、抵抗膜２１４を形成した。その後、図４（Ｂ）
に示すように、セラミック基板２１０の配線導体２１３
ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、
チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、半田付けを行っ
た。

【００４３】次に、図８（Ａ）に示すように、セラミッ
ク基板２１０上にエポキシ樹脂材料２７２をコーターで
流し込み、チップコンデンサ２２１ａ、能動素子２２１
ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを覆った。

【００４４】次に、エポキシ樹脂材料２７２でコートさ
れたセラミック基板２１０を真空オーブンに入れ１００
℃で１０分間加熱し、エポキシ樹脂材料２７２をチップ
コンデンサ２２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップ
サーミスタ２２１ｃの下面に回り込ませた。これによ
り、上側主面上にエポキシ樹脂材料２７２が形成された
セラミック基板２１０を作製した。なお、この温度で
は、エポキシ樹脂材料２７２は完全には熱硬化せず、半
硬化の状態である。

【００４５】次に、セラミック基板２１０を真空オーブ
ンから取り出し、炭酸ガスレーザーを用いて、図８
（Ｂ）に示すように、エポキシ樹脂材料２７２を貫通す
るビアホール２７１を形成した。次に、図８（Ｃ）に示
すように、導体ペーストをスクリーン印刷によりビアホ
ール２７１内に充填して、ビア導体２２２を形成した。

【００４６】次に、一方主面が粗面化された電解銅箔を
準備し、図９（Ａ）に示すように、エポキシ樹脂材料２
７２の上側主面と電解銅箔２２３ａの粗面とを合わせる
ようにして、エポキシ樹脂材料２７２に電解銅箔２２３
ａを重ね、真空プレスにより１６０℃で６０分間圧着し
た。なお、この温度で、エポキシ樹脂材料２７２、およ
びビア導体２２２は熱硬化した。

【００４７】次に、図９（Ｂ）に示すように、樹脂層２
２０（エポキシ樹脂材料２７２が熱硬化したもの）上に
形成された電解銅箔２２３ａをフォトリソグラフィーに
よりエッチングし、表面導体２２３を形成した。

【００４８】次に、樹脂層２２０の表面導体２２３上に
半田ペーストを塗布した。次に、図１０に示すように、
水晶振動子が収納されたパッケージ２３０を樹脂層２２
０上に搭載し、リフローにより半田ペーストを溶解さ
せ、端子電極２３７と表面導体２２３とを接合させて、
温度補償型水晶発振器２００ｂを作製した。なお、図１
０では、パッケージ２３０について詳細な図示を省略し
ている。

【００４９】また、複数の樹脂層を形成する場合は、樹
脂層２２０を一層目の樹脂層として、樹脂層２２０上に
さらにエポキシ樹脂材料２７２を流し込んだ後、同様の
工程を繰り返して二層目、三層目、・・・の樹脂層を形
成すればよい。

【００５０】（実施例３）以下に、本発明に係る温度補
償型水晶発振器の製造方法の他の実施例を示す。まず、
実施例１と同様にして、ＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、
Ｂ₂Ｏ₃、ＣａＯからなるセラミックグリーンシートを作
製し、これを第１のセラミックグリーンシートとした。
次に、Ａｇからなる導体ペーストを、スクリーン印刷に
より第１のセラミックグリーンシート上に印刷し、第１
のセラミックグリーンシートのビアホールに充填した。

【００５１】一方、Ａｌ₂Ｏ₃粉末に、適当量のバイン
ダ、可塑剤および溶剤を加えて混練し、セラミックスラ
リーを得た。次に、このセラミックスラリーを、ドクタ
ーブレード法によりシート状に成形してセラミックグリ
ーンシートを作製し、これを第２のセラミックグリーン
シートとした。次に、第２のセラミックグリーンシート
の４隅にビアホールを形成し、Ａｇからなる導体ペース
トを充填した。

【００５２】次に、図１１（Ａ）に示すように、第１の
セラミックグリーンシート２７３および第２のセラミッ
クグリーンシート２７４を積層し、圧着することによ
り、配線導体２１３ａ〜２１３ｃ、およびビア導体２１
２、２２２が形成されたセラミック積層体２１０ａを作
製した。なお、セラミック積層体２１０ａの最下層に配
置された第１のセラミックグリーンシートの下側主面上
には、ＲｕＯ₂粉末、ガラス粉末、分散剤からなる抵抗
ペースト２１４が塗布されている。

【００５３】次に、セラミック積層体２１０ａを８００
〜１０００℃の温度で５時間焼成した後、未焼結の第２
のセラミックグリーンシート２７４を除去した。その結
果、図１１（Ｂ）に示すように、上側主面上にビア導体
２２２が突起したセラミック基板２１０が得られた。次
に、図１１（Ｃ）に示すように、セラミック基板２１０
の配線導体２１３ａ上にチップコンデンサ２２１ａ、能
動素子２２１ｂ、チップサーミスタ２２１ｃを搭載し、
半田付けを行った。

【００５４】次に、実施例１と同様にして、図５（Ｂ）
に示すように、主面上に表面導体２２３が形成された樹
脂プリプレグシート２７０を作製した。次に、炭酸ガス
レーザーを用いて、図５（Ｃ）に示すように、樹脂プリ
プレグシート２７０にビアホール２７１を形成した。

【００５５】次に、ビア導体２２２とビアホール２７１
との位置を合わせながら、セラミック基板２１０上に樹
脂層２２０を重ね、真空プレスにより１６０℃の温度で
６０分間圧着した。このようにして、図６に示すよう
に、樹脂プリプレグシート２７０にチップコンデンサ２
２１ａ、能動素子２２１ｂ、およびチップサーミスタ２
２１ｃを埋没させるとともに、樹脂プリプレグシート２
７０を熱硬化させて樹脂層２２０を形成した。次に、実
施例１と同様にして、図７に示す温度補償型水晶発振器
２００ａを作製した。

【００５６】なお、実施例２と同様にして、上側主面上
にビア導体２２２が突起したセラミック基板２１０上
に、エポキシ樹脂材料をコーターで流し込みむことによ
り、樹脂層２２０を形成してもよい。

【００５７】

【発明の効果】本発明に係る温度補償型水晶発振器にお
いては、温度補償回路を構成する回路部品が樹脂層に埋
設されているため、回路基板上面にキャビティを形成し
てキャビティ内に回路部品を実装する必要がない。

【００５８】したがって、キャビティ側壁の寸法や、キ
ャビティ側壁と回路部品との間隔を考慮する必要がない
ため、設計上の規制が大幅に緩和され、より小型化しや
すくなる。また、狭いキャビティ側壁ではなく、平坦な
樹脂層上にパッケージ実装用電極を形成することができ
るため、パッケージと回路基板との固着強度が高い。

【００５９】また、パッケージの真下に位置する樹脂層
に回路部品を埋設するため、温度補償型水晶発振器の面
積をパッケージの面積と同程度にすることができる。

【００６０】また、セラミック基板上に形成された樹脂
層は、回路部品を隙間なく埋設するとともに、セラミッ
ク基板との密着性も良好であるため、機械的強度に優れ
た温度補償型水晶発振器を提供することができる。さら
に、樹脂層をエポキシ樹脂で構成することにより、耐候
性に優れた温度補償型水晶発振器を提供することができ
る。

【００６１】また、セラミック基板を複数のセラミック
層で構成し、セラミック層間に配線導体を形成すること
により、多様な回路設計が可能となる。

【００６２】また、セラミック基板の下側主面上に形成
された抵抗膜をレーザーなどでトリミングし、水晶振動
子の温度周波数特性を微調整することにより、より安定
した温度周波数特性を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る温度補償型水晶発振器の一実施形
態を示す断面図である。

【図２】図１に示す温度補償型水晶発振器の変形例を示
す断面図である。

【図３】図１に示す温度補償型水晶発振器の等価回路を
示す回路図である。

【図４】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法
の一実施例を示す工程図である。

【図５】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法
の一実施例を示す工程図である。

【図６】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法
の一実施例を示す工程図である。

【図７】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法
の一実施例を示す工程図である。

【図８】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法
の他の実施例を示す工程図である。

【図９】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法
の他の実施例を示す工程図である。

【図１０】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方
法の他の実施例を示す工程図である。

【図１１】本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方
法の他の実施例を示す工程図である。

【図１２】従来の温度補償型水晶発振器を示す断面図で
ある。

【図１３】従来の温度補償型水晶発振器を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１００温度補償型水晶発振器１１０セラミック基板１１１セラミック層１１２ビア導体１１３ａ〜１１３ｃ配線導体１１４抵抗膜１２０樹脂層１２１ａ〜１２１ｃ回路部品１２２ビア導体１２３表面導体１３０パッケージ１３１パッケージ本体１３２シールド板１３３空間１３４水晶振動子１３５配線導体１３６ビア導体１３７端子電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山本祐樹京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5J079 AA04 BA43 BA44 HA07 HA09 HA16 HA26 HA28 HA29

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板と、前記セラミック基板の上側主面上に形成された少なくと
も１層の樹脂層と、前記樹脂層の上側主面上に搭載され、内部の空間に水晶
振動子が収納されたパッケージと、からなり、前記セラミック基板の上側主面上には配線導体が形成さ
れ、前記樹脂層の内部には、前記配線導体と電気的に接続さ
れる回路部品が埋設されるとともに、前記配線導体と電
気的に接続されるビア導体が形成され、前記樹脂層の上側主面上には、前記ビア導体と電気的に
接続される表面導体が形成され、前記パッケージ下面には、前記水晶振動子および前記表
面導体と電気的に接続される端子電極が形成されてい
る、ことを特徴とする温度補償型水晶発振器。
【請求項２】前記セラミック基板は、複数のセラミッ
ク層が積層されてなり、前記セラミック層間に配線導体
が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の
温度補償型水晶発振器。
【請求項３】前記セラミック基板の下側主面上に抵抗
膜が形成されていることを特徴とする、請求項１または
請求項２に記載の温度補償型水晶発振器。