JP2019153857A - パッケージ及びその製造方法、並びに圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 パッケージを適宜製造できるような技術を提案する。【解決手段】 パッケージ(80)は、励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片(40)が載置され、別途用意される外部基板に合金で接合されるパッケージである。そのパッケージ(80)は、平面視で四角形であり外部基板との接続に使用する外部電極を含む第1面と第1面とは反対側で引出電極と接続する配線電極を含む第2面とを有するセラミック製の下部平板(30)と、下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板(20)と、下部平板の第2面と枠板の第3面とを接合する合金の融点温度より高い融点温度を持つ第1共晶金属(E1)と、を備える。【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば、水晶振動子用パッケージ、水晶発振器用パッケージ、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ用パッケージなどの電子部品を収納するためのパッケージ及びその製造方法に関するものである。
水晶振動子など収容するパッケージとして、特許文献1に示される平面視で矩形形状のパッケージが使用されている。このパッケージは、セラミック製の平板と縁部を有する金属製の蓋部とで構成されている。この蓋部は深絞り加工により下面側が開口した箱型に形成されて下側に全周に亘って外側に突出している。このセラミック製の平板に水晶振動片が載置され、その後蓋部がセラミック製の平板に被せられて封止されて、水晶デバイスが完成する。
しかしながら、深絞り加工により形成される蓋部は、その矩形形状の角部の半径をある程度までしか小さくすることができない。このため大きめの水晶振動片を配置しようとすると、水晶振動片の外形が箱型の蓋部に当接してしまうことがあった。また水晶振動片の大きさも千差万別であるができるだけパッケージの共有部品を水晶振動子等の販売量に合わせて、うまく活用したい要望があった。
そこで、本発明は、コストが安く製造でき、パッケージを適宜製造できる技術を提案する。
本発明の実施形態のパッケージは、励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片が載置され、別途用意される外部基板に合金で接合されるパッケージである。そのパッケージは、平面視で四角形、例えば長方形又は正方形であり、外部基板との接続に使用する外部電極を含む第1面と第1面とは反対側で引出電極と接続する配線電極を含む第2面とを有するセラミック製の下部平板と、下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板と、下部平板の第2面と枠板の第3面とを接合する合金の融点温度より高い融点温度を持つ第1共晶金属と、を備える。
別の実施形態の圧電デバイスは、励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片と、平面視で四角形であり、外部基板に合金によって接続される外部電極を含む第1面と第1面とは反対側で引出電極と接続する接続バンプを含む第2面とを有するセラミック製の下部平板と、を備える。さらに圧電デバイスは、下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板と、外部電極の接続に使用される合金の融点温度よりも高い第1融点温度で下部平板の第2面と枠板の第3面とを接合する第1共晶金属と、下部平板と同等の四角形であり、第4面に配置される金属製の平蓋部と、外部電極の接続に使用される合金の融点温度よりも高く、第1融点温度より低い第2融点温度で、枠板の第4面と平蓋部とを接合する第2共晶金属と、を備える。
別の実施形態の圧電振動片用のパッケージの製造方法は、励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片を載置する。その方法は、平面視で四角形であり、外部基板に合金によって接続される外部電極を含む第1面と第1面とは反対側で引出電極と接続する接続バンプを含む第2面とを有するセラミック製の下部平板を用意する工程と、下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板を用意する工程と、第1融点温度の第1共晶金属を溶かして下部平板の第2面と枠板の第3面とを接合する接合工程と、を備える。
別の実施形態の圧電デバイスの製造方法は、上記パッケージの製造方法で製造されたパッケージを用意する工程と、圧電振動片を用意する工程と、パッケージに接合される平蓋部を用意する工程と、接続バンプに引出電極を接続する接続工程と、第1融点温度よりも低く外部電極が接合されるハンダ融点温度よりも高い第2融点温度の第2共晶金属を溶かして、枠板の第4面と平蓋部とを接合する工程と、を備える。
本発明は、コストが安く製造でき、また比較的大きな圧電振動片を載置できるパッケージ及びその製造方法を提供することができる。またこのパッケージを使った圧電デバイス及びその製造方法を提供できる
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、説明に用いる各図はこれら発明を理解できる程度に概略的に示してあり、大きさ、角度又は厚み等は誇張して描いている。また説明に用いる各図において、同様な構成成分については同一の番号を付して示し、その説明を省略する場合もある。また、以下の実施形態中で述べる形状、寸法、材質等はこの発明の範囲内の好適例に過ぎない。
[第1実施形態]
<パッケージの構成>
まず、第1実施形態のパッケージについて説明する。図1はパッケージ80を理解のため、複数の層に分けて描いた図である。図1に示されるように、本実施形態のパッケージ80は、例えば水晶等の圧電振動子の容器(パッケージ)として用いられるものであり、この圧電振動子は、パッケージ80の凹部(キャビティ)内に、圧電振動片を収容し、金属製の蓋部10にて密閉するものである。なお図1では圧電振動子が描かれていない。
<パッケージの構成>
まず、第1実施形態のパッケージについて説明する。図1はパッケージ80を理解のため、複数の層に分けて描いた図である。図1に示されるように、本実施形態のパッケージ80は、例えば水晶等の圧電振動子の容器(パッケージ)として用いられるものであり、この圧電振動子は、パッケージ80の凹部(キャビティ)内に、圧電振動片を収容し、金属製の蓋部10にて密閉するものである。なお図1では圧電振動子が描かれていない。
パッケージ80は、図1に示されるように、パッケージ80の底部を構成する長方形のセラミック製の下部平板30と、セラミック製の下部平板30上に配置された枠状の金属製の枠板20と、金属製の枠板20上に配置された平板の金属製の蓋部10とが積層されて構成される。枠状の金属製の枠板20は、キャビティの周囲を囲む壁となる。
蓋部10は、コバール等の金属からなり短辺と長辺とからなる長方形の平板であり上面11とその反対の下面12とを有する。また長方形の金属製の蓋部10の角部は、面取りされている。上面11は、パッケージ80の上表面となる。
枠板20は、コバール等の金属からなり、短辺と長辺とからなる長方形の枠体であり上面21とその反対の下面22とを有する。また長方形の金属製の枠板20の外側の角部は、外周から内側に凹んだキャスタレーション23が形成されている。なお、キャスタレーションは無くても良い。金属製の枠板20の内側の角部は、できるだけ直角になるように形成されている。枠板20の内側がパッケージ80の内壁26となり、枠板20の厚さ(Z軸方向)が、パッケージ80のキャビティの高さとなる。
下部セラミック板30は、短辺と長辺とからなる長方形の平板であり上面31とその反対の下面32とを有する。また長方形の下部セラミック板30の角部には、外周から内側に凹んだ下部キャスタレーション33が形成されている。下部セラミック板30の上面31には、接続バンプ35が形成されている。この接続バンプ35は、表面側(Z軸方向)から見た場合、金属製の枠板20の内壁26より内側に形成される。接続バンプ35は、例えばタングステン(W)からなるメタライズ層の上に、ニッケルメッキ層が形成され、更にニッケルメッキ層の上に金メッキ層が形成されたものである。接続バンプ35にはビア配線36が形成されている。
下部セラミック板30の下面32の外周部には、外部電極34が複数個設けられている。これらの外部電極34は、パッケージ80を図示しない外部の基板上に実装する際に対して接合される。また、このメタライズ層は下部キャスタレーション33にもキャスタレーション電極38として形成される。ビア配線36は外部電極34に接続して、接続バンプ35と外部電極34とを導通させている。
本実施形態では説明しないが、最終製品が圧電発振器の場合には、ICチップ等が、下部セラミック板30の表面31に配置される。
第1実施形態では、金属製の蓋部10と金属製の枠板20とが第2共晶金属E2で接合され、金属製の枠板20と下部セラミック板30とが第1共晶金属E1で接合される。図1では、枠形状の第1共晶金属E1及び第2共晶金属E2が独立体として描かれているが、金属製の蓋部10の下面12又は金属製の枠板20の上面21の少なくとも一方に第2共晶金属E1がスクリーン印刷の手法によって印刷され、また金属製の枠板20の下面22又は下部セラミック板30の金属層37の少なくとも一方に第1共晶金属E1がスクリーン印刷の手法によって印刷されて形成される。
金属製の蓋部10と金属製の枠板20との接合に用いられる第2共晶金属E2は、外部電極34を外部電子機器等の外部基板に接続する際に用いる合金(具体的には鉛フリーハンダ等)の融点より高い融点を持ち、具体的には例えば銅−錫系(融点300℃。合金化後は融点が400℃を越えるもの)合金等が使用される。
金属製の枠板20と下部セラミック板30との接合に用いられる第1共晶合金E1は、金属製の蓋部10と金属製の枠板20とを接合する第2共晶合金E2の融点より高い融点を持つものである。この第1共晶合金E1は、上記条件を満たすものであれば特に限定されない。例えば、亜鉛−アルミニウム系ハンダ(例えばソルダーコート社製商品名LLS385.融点385°)等を挙げることができる。圧電デバイス100(図2(b)を参照)を得るための封止工程で金属製の蓋部10と金属製の枠板20との接合用合金を溶融させる温度、高くても300℃程度であり、また、完成した圧電デバイス100の外部電極34を外部電子機器等の外部基板に接続するためのハンダリフロー炉の温度は、一般に250℃〜280℃程度である。このため、第1共晶金属E1として上記条件を満たすものを用いておけば、圧電デバイス100を外部基板に接続する際に、金属製の枠板20及び下部セラミック板30の接合が溶けることはない。
次に図2を使って下部セラミック板30及び圧電デバイス100をさらに詳述する。図2(a)は上方(Z軸方向)からキャビティを見た下部セラミック板30の平面図であり、下部セラミック板30の上面31に枠形状の第1共晶金属E1がスクリーン印刷で印刷されている。図2(b)は図2(a)のB−B断面における圧電デバイス100の断面図である。
図2(a)及び(b)に描かれているように、接続バンプ35が形成されているが、接続バンプ35は、金属製の枠板20の枠体の短辺から距離W1離れており、また金属製の枠板20の枠体の長辺から距離W2離れている。これは、金属製の蓋部10と金属製の枠板20とを結合する第1共晶金属E1が漏れ出たりスクリーン印刷等でずれて印刷されたりして、第1共晶金属E1と接続バンプ35とがショート(短絡)しないためである。図示しないが、接続バンプ35の短辺側(+Y軸側)及び長辺側(−X軸側)に絶縁層を形成して、さらに第1共晶金属E1と接続バンプ35とがショートしないように構成してもよい。
次に、接続パンプ35及びキャスタレーション電極38について図2(b)を使って詳述する。接続バンプ35の下方(Z軸方向)にはタングステン等からなるメタライズ層39がスクリーン印刷されて接続バンプ35を+Z軸方向に高くしている。また、キャスタレーション電極38はタングステン等のメタライズによって外部電極34とともに形成される。また、Z軸方向に高くなった接続パンプ35に導電性接着剤49が塗布されて、その導電性接着剤49に圧電振動片40の引出電極43(図3参照)を配置する。
<圧電振動片の構成>
図3(a)は、第1実施形態の圧電振動片40の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B断面図である。圧電振動片40は励振電極41と引出電極43とを有している。圧電振動片40は長辺がY軸方向に伸び、短辺がX軸方向に伸びる長方形の平板状に形成されている。
図3(a)は、第1実施形態の圧電振動片40の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B断面図である。圧電振動片40は励振電極41と引出電極43とを有している。圧電振動片40は長辺がY軸方向に伸び、短辺がX軸方向に伸びる長方形の平板状に形成されている。
圧電振動片40の主面表裏(+Z軸側の各面)にはそれぞれ励振電極41が形成されている。各励振電極41は同形状でありZ軸方向に互いに重なるように形成されている。励振電極41は長軸がY軸方向に伸び、短軸がX軸方向に伸びる四角形状又は図示しない楕円形状に形成されており、各励振電極41からは、圧電振動片40のY軸側の辺の両端にそれぞれ引出電極43が引き出されている。引出電極43は接続バンプ35に導電性接着剤などで接着される。
図3(b)は、圧電振動片がATカット又はSCカット等の水晶振動片である場合、電位が加えられて振動する振動周波数は水晶片の厚さに反比例するため、その厚さは圧電振動片40の振動周波数に応じて決められる。主振動を閉じ込めるため、振動片はY軸方向の一端側及び他端側は薄く形成されている。圧電振動片40は、ATカット圧電振動片以外にも、音叉型の圧電振動片等の他の振動モードの振動片であっても良い。
<パッケージの製造方法>
次に、第1実施形態のパッケージ80及び圧電デバイス100の製造方法について図4を使って説明する。なお、このフローチャートは1つのパッケージ及び電子デバイスを製造する製造方法として説明するが、本来の製造方法は何百ものパッケージを同時に製造する。
次に、第1実施形態のパッケージ80及び圧電デバイス100の製造方法について図4を使って説明する。なお、このフローチャートは1つのパッケージ及び電子デバイスを製造する製造方法として説明するが、本来の製造方法は何百ものパッケージを同時に製造する。
まずコバール等の金属板を金型で打ち抜いて蓋部10を形成する(ステップS411)。 また、コバール等の金属板を打ち抜いて金属製の枠板20を形成する(ステップS421)。
次に下部セラミック板30の製造について説明する。アルミナを主成分とするスラリーを用いて、下部セラミック板30となる長方形のグリーンシートを作成する(ステップS431)。次に、グリーンシートにビア配線36用のビア孔を空けて、タングステンペーストを充填する(ステップS432)。次に、このグリーンシートの上面の接続バンプ35に対応する位置に、タングステンペーストをスクリーン印刷により、接続バンプ用タングステンパターンを形成する。またグリーンシートの下面の外部電極34に対応する位置に、タングステンペーストをスクリーン印刷により、外部電極用タングステンパターンを形成する(ステップS433)。図2で説明したように、このタングステンパターンは、枠板20の内壁から距離W1及びW2離れて印刷されている。
次に、下部グリーンシートを焼成し(ステップS434)、露出したタングステンに対して、最初に電解ニッケルメッキを施し、更にそのニッケルメッキの上に電解金メッキを施す(ステップ435)。これにより、下部セラミック板30が完成する。
そして、金属製の枠板20の下面22又は下部セラミック板30の上面31の少なくとも一方に第1共晶金属E1がスクリーン印刷で印刷される(ステップS441)。そして金属製の枠板20と下部セラミック板30とが積層され、この第1共晶合金E1の融点以上の温度が加わるリフロー炉に入れられてそれら2枚が第1共晶金属E1で接合される(ステップS442)。これにより、パッケージ80が完成する。
パッケージ80の接続バンプ35に導電性接着剤49が塗布される。そして導電性接着剤49の塗布が済んだ接続バンプ35に圧電振動片40の引出電極43が重なるように置かれ、導電性接着剤49が硬化されて、圧電振動片40はパッケージ80のキャビティ内に固定される(ステップS443)。
次に、圧電振動片40を接着し終えたパッケージ80の枠板20の上面21又は蓋部10に、銀−錫合金等の第2共晶金属E2がスクリーン印刷で印刷される(ステップS444)。その金属製の蓋部10を載置した状態で、パッケージ80は窒素ガス雰囲気又は真空中に運ばれて、第1共晶合金E1の融点以下で第2共晶合金E2以上の温度が加わるリフロー炉に入れられて金属製の蓋部10が封止される(ステップS445)。このようにして、圧電デバイスが製造される。
このように、第1実施形態では、金属製の蓋部10と金属製の枠板20と下部セラミック板30とが別々に形成され、必要に応じてそれぞれの板が使われるため、圧電振動子及び圧電発振器(圧電デバイス)の出荷数量に対して適宜対応できる。
[第2実施形態]
<セラミックパッケージの構成>
第2実施形態のパッケージについて説明する。
上記した第1実施形態の下部セラミック板30は、外部電極34と接続バンプ35とをビア配線36で電気的に接続していた。図5に示される第2実施形態の下部セラミック板130は、外部電極34と接続バンプ35とをビア配線36及びキャスタレーション電極38で電気的に接続する。なお、図5は、図2(a)のB−B断面と同じパッケージ断面を示したものである。
<セラミックパッケージの構成>
第2実施形態のパッケージについて説明する。
上記した第1実施形態の下部セラミック板30は、外部電極34と接続バンプ35とをビア配線36で電気的に接続していた。図5に示される第2実施形態の下部セラミック板130は、外部電極34と接続バンプ35とをビア配線36及びキャスタレーション電極38で電気的に接続する。なお、図5は、図2(a)のB−B断面と同じパッケージ断面を示したものである。
図5に示されるように、下部セラミック板130は、第1板30aと第2板30bとの2枚で構成されている。そして、第1板30aの上面31には接続バンプ35が形成され、第1板30aを貫通するビア配線36aが形成されている。また第2板30bの下面32の外周部には、外部電極34が設けられ、この外部電極34に電気的につながるキャスタレーション電極38及び連絡配線36bが形成されている。連絡配線36bは、外部電極34及びキャスタレーション電極38とともに同時に形成されている。そして、第1板30aと第2板30bとの間、第1板30aと金属製の枠板20との間が第1共晶合金E1により結合している。そして金属製の枠板20と蓋部10とが第2共晶合金E2によって接続されている。
10:金属製の蓋部
11:上面 12:下面
20:枠板
21:上面 22:下面 23:キャスタレーション
30:下部セラミック板
31:上面 32:下面 33:キャスタレーション 34:外部電極
35:接続バンプ 36:ビア配線、 38:キャスタレーション電極
40:圧電振動片 41:励振電極 43:引出電極
80:セラミックパッケージ
E1:第1共晶金属 E2:第2共晶金属
11:上面 12:下面
20:枠板
21:上面 22:下面 23:キャスタレーション
30:下部セラミック板
31:上面 32:下面 33:キャスタレーション 34:外部電極
35:接続バンプ 36:ビア配線、 38:キャスタレーション電極
40:圧電振動片 41:励振電極 43:引出電極
80:セラミックパッケージ
E1:第1共晶金属 E2:第2共晶金属
Claims (4)
- 励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片が載置され、別途用意される外部基板に合金で接合されるパッケージであって、
平面視で四角形であり、前記外部基板との接続に使用する外部電極を含む第1面と前記第1面とは反対側で前記引出電極と接続する配線電極を含む第2面とを有するセラミック製の下部平板と、
前記下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、前記第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板と、
前記下部平板の前記第2面と前記枠板の前記第3面とを接合する前記合金の融点温度より高い融点温度を持つ第1共晶金属と、
を備えるパッケージ。 - 励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片と、
平面視で長方形であり、外部基板に合金によって接続される外部電極を含む第1面と前記第1面とは反対側で前記引出電極と接続する接続バンプを含む第2面とを有するセラミック製の下部平板と、
前記下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、前記第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板と、
前記外部電極の接続に使用される合金の融点温度よりも高い第1融点温度で前記下部平板の前記第2面と前記枠板の前記第3面とを接合する第1共晶金属と、
前記下部平板と同等の四角形であり、前記第4面に配置される金属製の平蓋部と、
前記外部電極の接続に使用される合金の融点温度よりも高く、前記第1融点温度より低い第2融点温度で、前記枠板の前記第4面と前記平蓋部とを接合する第2共晶金属と、
を備える圧電デバイス。 - 励振電極と該励振電極から引き出される引出電極とを有する圧電振動片を載置する圧電振動片用のパッケージの製造方法であって、
平面視で四角形であり、外部基板に合金によって接続される外部電極を含む第1面と前記第1面とは反対側で前記引出電極と接続する接続バンプを含む第2面とを有するセラミック製の下部平板を用意する工程と、
前記下部平板の四角形の縁領域に対応する枠形状で、前記第2面に配置される第3面と該第3面の反対側の第4面とを有する金属製の枠板を用意する工程と、
第1融点温度の第1共晶金属を溶かして前記下部平板の前記第2面と前記枠板の前記第3面とを接合する接合工程と、
を備える圧電振動片用のパッケージの製造方法。 - 圧電デバイスの製造方法であって、
請求項3のパッケージの製造方法で製造されたパッケージを用意する工程と、
前記圧電振動片を用意する工程と、
前記パッケージに接合される平蓋部を用意する工程と、
前記接続バンプに前記引出電極を接続する接続工程と、
前記第1融点温度よりも低く前記外部電極が接合されるハンダ融点温度よりも高い第2融点温度の第2共晶金属を溶かして、前記枠板の前記第4面と前記平蓋部とを接合する工程と、
を備える圧電デバイスの製造方法。
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