JP2020104229A - Memsデバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】パッケージからMEMS素子に加わる応力を可及的に低減したMEMSデバイスを提供する。【解決手段】可撓性を有するフィルム基板3にMEMS素子2を実装し、フィルム基板3を、パッケージ4の内部に実装し、パッケージ4からMEMS素子2に作用する応力を、可撓性を有するフィルム基板3によって緩和している。【選択図】図1
Description
本発明は、マイクロマシニング技術などを利用して形成されるMEMS(micro electro mechanical systems)デバイスに関する。
従来から、マイクロマシニング技術などを利用して形成されるMEMSデバイスとして、例えば、MEMS共振子、マイクロフォン、各種センサなどが広く知られている。
例えば、特許文献1には、MEMS素子をパッケージに搭載したMEMSデバイスが開示されている。
上記特許文献1のMEMSデバイスでは、MEMS素子の上面とパッケージの電極パッドとがボンディングワイヤで電気的に接続される一方、MEMS素子の下面が、パッケージの内底面に接着剤によって接合されている。
このようにMEMS素子が、パッケージの内底面に直接接合されているので、当該MEMSデバイスが実装される回路基板からの外部応力等が、パッケージの内底面からMEMS素子に伝わることになる。特に高精度が要求される用途では、パッケージからMEMS素子に加わる応力の影響を無視できなくなる。
例えば、MEMS素子が、MEMS共振子(MEMSレゾネータ)である場合には、上記の応力によって、MEMS共振子に歪みが生じ、周波数の変動が生じる。
本発明は、上記のような点に鑑みて為されたものであって、パッケージからMEMS素子に加わる応力を可及的に低減することを目的とする。
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
すなわち、本発明のMEMSデバイスは、MEMS素子が実装された可撓性を有するフィルム基板が、パッケージの内部に実装されている。
本発明のMEMSデバイスによれば、MEMS素子がパッケージの内部に直接実装されるのではなく、可撓性を有するフィルム基板を介して実装されるので、パッケージからの応力が、MEMS素子に直接加わらず、可撓性を有するフィルム基板によって緩和され、低減される。
前記フィルム基板の一方の面が、前記パッケージの内面に実装され、前記フィルム基板の他方の面に、前記MEMS素子が実装されるのが好ましい。
上記構成によれば、パッケージの内面に、フィルム基板、その上にMEMS素子を配置する構成となり、パッケージの内面とMEMS素子との間には、可撓性を有するフィルム基板が介在するので、パッケージの内面からの応力がMEMS素子へ直接作用することがなく、フィルム基板によって緩和される。
前記パッケージの前記内面の接続電極が、前記フィルム基板の前記一方の面の接続部に電気的に接続され、前記MEMS素子の電極が、前記フィルム基板の前記他方の面の接続部に電気的に接続され、前記フィルム基板の両面の前記接続部が、導電路を介して電気的に接続されている。
上記構成によれば、フィルム基板の導電路を介してMEMS素子の電極とパッケージ内面の接続電極とを電気的に接続することができる。
前記導電路は、前記フィルム基板を厚み方向に貫通する貫通導電部を有する。
上記構成によれば、導電路は、貫通導電部によって、フィルム基板の表裏面を導通することができる。
前記パッケージの内面の前記接続電極と前記フィルム基板の前記一方の面の前記接続部との接続位置が、平面視で前記MEMS素子に重ならないように配置されている。
上記構成によれば、フィルム基板の接続部とパッケージの内面の接続電極との接続位置が、平面視でMEMS素子に重ならないように配置されている、すなわち、フィルム基板とパッケージの内面との接続位置が、MEMS素子から離れた位置にあるので、パッケージの内面からフィルム基板を介してMEMS素子に作用する応力を一層低減することができる。
前記パッケージは、前記接続電極が形成されたベースと、該ベースに接合されるカバーとを有し、前記ベースと前記カバーとの間の収納部内に、前記MEMS素子及び前記フィルム基板が気密に封止されているのが好ましい。
前記ベースは、硬度が高く、耐熱性及び耐腐食性等に優れたセラミック材料からなるのが好ましい。
前記収納部内に、集積回路素子を気密に封止してもよい。
上記構成によれば、MEMS素子及び集積回路素子を選択することによって、種々の機能を有するMEMSデバイスを構成することができる。
前記ベースは、前記カバーが接合される面とは反対側の面に凹部を有し、該凹部内に、集積回路素子が収納されていてもよい。
上記構成によれば、ベースは両面に凹部を有する断面H型であるので、フィルム基板に実装されたMEMS素子と集積回路素子とを別の空間に収納することができる。
前記パッケージは、前記接続電極が形成された第1ベースと、該第1ベースに接合されるカバーと、凹部が形成された第2ベースとを有し、前記第1ベースと前記カバーとの間の収納部内に、前記MEMS素子及び前記フィルム基板が気密に封止され、前記凹部に集積回路素子が収納された前記第2ベースが、前記第1ベースに、電気的及び機械的に接合されていてもよい。
上記構成によれば、フィルム基板に実装されたMEMS素子と集積回路素子とを、各ベースの凹部にそれぞれ収納することができる。
前記第1ベースは、硬度が高く、耐熱性及び耐腐食性等に優れたセラミック材料からなるのが好ましい。
本発明によれば、MEMS素子がパッケージの内部に直接実装されるのではなく、可撓性を有するフィルム基板を介して実装されるので、パッケージからの応力が、MEMS素子に直接加わらず、可撓性を有するフィルム基板によって緩和され、低減される。これによって、MEMS素子が、例えば、MEMS共振子を含むMEMS素子である場合には、MEMS共振子が応力によって歪むのを抑制することができ、周波数の変動を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(実施形態1)
図1は、本発明の一実施形態に係るMEMSデバイスの概略断面図であり、図2は、図1のMEMSデバイスのリッドを外した状態の平面図である。
図1は、本発明の一実施形態に係るMEMSデバイスの概略断面図であり、図2は、図1のMEMSデバイスのリッドを外した状態の平面図である。
この実施形態のMEMSデバイス1は、MEMS素子2と、可撓性を有するフィルム基板3と、これらを収納して気密に封止するパッケージ4とを備えている。
この実施形態のMEMSデバイス1は、MEMS振動子であり、MEMS共振子(MEMSレゾネータ)を含むMEMS素子2を備えている。
パッケージ4は、上部が開口した収納凹部5を有し、該収納凹部5内にMEMS素子2及びフィルム基板3を収納保持するベース6と、シールリング8を介してベース6に接合されて、収納凹部5を気密封止するカバーとしてのリッド7とを備えている。
ベース6は、平面視略矩形であり、アルミナ等のセラミック材料からなり、セラミックグリーンシートを積層して上部が開口した凹状に一体焼成して構成されている。ベース6の収納凹部5は、平面視略矩形であり、平坦な内底面を有している。
MEMS素子2は、MEMS技術を用いて製作された素子であり、Si共振子(MEMSレゾネータ)を含んでおり、可動部分が気密封止されている。この実施形態のMEMS素子2は、酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した構造のシリコンウェーハであるSOI(Silicon on Insulator)ウェーハを用いて製作されたものである。
ベース6の収納凹部5の内底面は平坦であって、この内底面には、図3の平面図に示されるように、複数(図3では4個)の接続電極9a〜9dが形成されている。
この実施形態では、収納凹部5の長辺方向(図3の左右方向)の一方側の2つの接続電極9a,9bが、MEMS振動子の入出力用電極であり、長辺方向の他方側の2つの接続電極9c,9dが、共通(コモン)/GND(グランド)用の接続電極である。
ベース6の接続電極9a〜9dは、ベース6の内部に形成された図示しない導体配線パターンによって、ベース6の外底面に形成された外部接続端子(図示せず)に接続されている。
収納凹部5を気密に封止するリッド7は、例えばコバールなどの金属からなり、矩形の平板となっている。このリッド7は、コバールなどからなる封止材としての矩形環状のシールリング8によって、ベース6の開口の周縁部にシーム溶接などで接合され、パッケージ4の内部に気密な空間が形成される。この接合は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中で行われ、パッケージ4の内部の空間は、窒素ガス等の不活性ガスが封入または真空とされる。このようにシールリング8を備えているので、シールリングのない構成に比べて、パッケージ4が変形しにくいものとなる。
なお、リッド7には、上記した金属以外に、セラミックス、樹脂、あるいはガラスなどを用いることができ、例えばガラス製のリッドを用いた場合には、低融点ガラスを接合材として用いるなど、リッドの材料に応じて適宜に接合材を選定し、ベース6とリッド7との接合を行うことができる。
この実施形態では、当該MEMSデバイス1が実装される回路基板からの外部応力等が、パッケージ4のベース6を介してMEMS素子2に加わるのを低減するために、MEMS素子2は、可撓性を有するフィルム基板3に実装され、このフィルム基板3を、ベース6に実装している。
フィルム基板3は、図4の平面図に示されるように、平面視矩形の可撓性を有する基板であり、例えば、ポリイミド樹脂フィルムに、配線パターンが形成されて構成されている。なお、フィルム基板3の材料はポリイミド樹脂以外であってもよい。
フィルム基板3の表面には、導電路としての4つの配線パターン10a〜10dがそれぞれ形成されている。各配線パターン10a〜10dは、中央部の仮想線で示されるMEMS素子2の4つの電極パッド(図示せず)にそれぞれ対応する一端部10a1〜10d1と、矩形の4つの角部近傍の他端部10a2〜10d2とに亘ってそれぞれ形成されている。
一方の短辺寄りの2つの配線パターン10a,10bは、各一端部10a1,10b1から互いに平行に長辺方向に沿って一方の短辺へ向かって延び、更に、2つの角部近傍の他端部10a2,10b2に向かって斜めに延びている。同様に、他方の短辺寄りの2つの配線パターン10c,10dは、各一端部10c1,10d1から互いに平行に長辺方向に沿って他方の短辺へ向かって延び、更に、2つの角部近傍の他端部10c2,10d2に向かって斜めに延びている。
各配線パターン10a〜10dの4つの角部近傍の各他端部10a2〜10d2は、フィルム基板3がベース6に実装されたときに、ベース6の内底面の接続電極9a〜9dにそれぞれ対応する位置となっている。これらの各他端部10a2〜10d2は、円形に貫通されて、後述のように貫通導電部としての導電ビアを構成する。
この実施形態のMEMSデバイス1では、MEMS素子2は、フィルム基板3に実装されている。具体的には、MEMS素子2は、その下面の4つの電極パッドとフィルム基板3の4つの配線パターン10a〜10dの一端部10a1〜10d1とが、半田バンプによってフリップチップ接続されている。
このMEMS素子2が実装されたフィルム基板3が、ベース6に実装されている。具体的には、フィルム基板3は、その4つの配線パターン10a〜10dの他端部10a2〜10d2の上下に貫通する導電ビア11a〜11dと、ベース6の内底面の接続電極9a〜9dとが、半田バンプ12によってフリップチップ接続されている。この導電ビア11a〜11dは、例えば、導電性ペーストを用いたビアである。
なお、MEMS素子2とフィルム基板3との接続、及び、フィルム基板3とベース6との接続は、半田バンプに限らず、Auバンプやメッキバンプなどであってもよい。
このように本実施形態のMEMSデバイス1では、MEMS素子2をベース6に直接実装するのではなく、MEMS素子2を、可撓性を有するフィルム基板3に実装し、このフィルム基板3をベース6の平坦な内底面に実装するので、MEMS素子2とベース6との間には、可撓性を有するフィルム基板3が介在することになる。
これによって、当該MEMSデバイス1が実装される回路基板からの外部応力等がパッケージ4のベース6に加わった場合に、ベース6からMEMS素子2に作用する応力が、可撓性を有するフィルム基板3によって緩和されるので、MEMS素子2に作用するベース6からの応力を低減することができる。
このようにベース6からMEMS素子2に作用する応力が低減されるので、MEMS素子2のMEMS共振子に歪みが生じるのを抑制することができ、これによって、MEMS振動子の周波数変動を抑制することができる。
また、可撓性を有する平面視矩形のフィルム基板3は、矩形の周辺部である4つの角部近傍の配線パターン10a〜10dの他端部10a2〜10d2でベース6の接続電極9a〜9dに接続されるのに対して、MEMS素子2は、矩形の中央部である配線パターン10a〜10dの一端部10a1〜10d1でフィルム基板3に接続される、すなわち、MEMS素子2は、フィルム基板3とベース6との接続位置から離れている。したがって、ベース6からのMEMS素子2に作用する応力を、可撓性を有するフィルム基板3によって一層緩和することができる。
上記実施形態では、フィルム基板3の表面のみに配線パターン10a〜10dを形成したが、フィルム基板3の裏面にも配線パターンを形成してもよい。
この場合、例えば、フィルム基板3の表面には、上記一端部10a1〜10dから他端部10a2〜10d2へ至る配線パターン10a〜10dの途中迄の配線パターンを形成し、フィルム基板3の裏面には、前記途中から他端部10a2〜10d2へ至る残りの配線パターンを形成し、前記途中に導電ビアを形成して表裏の配線パターンを接続してもよい。
この構成によれば、上記実施形態のように、フィルム基板3の導電ビア11a〜11dの部分に半田バンプ12を形成して、ベース6の接続電極9a〜9dに接続する必要がなく、フィルム基板3の配線パターンに半田パンプを形成して、ベース6の接続電極9a〜9dに接続すればよく、接続される箇所の平坦度が向上する。
(実施形態2)
図5は、本発明の他の実施形態のMEMSデバイス11の概略断面図であり、上述の実施形態に対応する部分には、対応する参照符号を付す。
図5は、本発明の他の実施形態のMEMSデバイス11の概略断面図であり、上述の実施形態に対応する部分には、対応する参照符号を付す。
この実施形態のMEMSデバイス11は、MEMS発振器であり、ベース61の収納凹部5には、上記実施形態と同様に、MEMS共振子を含むMEMS素子2を実装したフィルム基板3が実装されると共に、発振回路を含む集積回路素子としてのICチップ13が実装されている。
このICチップ13は、MEMS素子2と共に、発振回路を構成する。このICチップ13には、必要に応じてPLL回路や温度補償回路等を内蔵させてもよい。
ICチップ13は、その下面の周縁部の電極パッドが、ベース6の収納凹部5の内底面の接続電極に、半田バンプ14によってフリップチップ接続されている。
MEMS素子2を実装したフィルム基板3とICチップ13とは、ベース6に形成された図示しない導体配線パターンによって接続されている。
この実施形態によれば、ベース6からMEMS基板2に作用する応力が、可撓性を有するフィルム基板3によって緩和されるので、MEMS素子2に作用するベース6からの応力を低減することができる。このようにMEMS素子2に作用する応力を低減できるので、MEMS共振子に応力による歪みが生じるのを抑制することができる。これによって、発振振周波数が温度に対して変化する、いわゆる周波数温度特性の本来の特性からの変動や、温度に対する周波数ヒステリシス特性が悪化するのを抑制することができる。
その他の構成は、上記実施形態1と同様である。
(その他の実施形態)
上記実施形態2では、MEMS共振子を含むMEMS素子2を実装したフィルム基板3と、ICチップ13とを、同一の収納凹部5に収納したが、本発明の他の実施形態として、例えば、図6〜図9に示すように、別の空間に収納してもよい。
上記実施形態2では、MEMS共振子を含むMEMS素子2を実装したフィルム基板3と、ICチップ13とを、同一の収納凹部5に収納したが、本発明の他の実施形態として、例えば、図6〜図9に示すように、別の空間に収納してもよい。
図6のMEMSデバイス12は、MEMS発振器であり、ベース62が、その上面に収納凹部5を有すると共に、下面にICチップ13を収納する凹部15を有する断面形状が略H型のパッケージ構造である。
上記実施形態2と同様に、収納凹部5には、MEMS素子2を実装したフィルム基板3が実装される一方、ベース62の下面の凹部15には、ICチップ13が、フリップチップ実装されている。
下面の凹部15内には、アンダーフィル樹脂を充填してもよい。
その他の構成は、上記実施形態2と同様である。
図7のMEMSデバイス13は、MEMS発振器である。この実施形態では、ベース63の一方の面には、収納凹部は形成されておらず、平坦面となっている。この平坦面には、接続電極が形成されており、MEMS素子2を実装したフィルム基板3が実装される。この平坦面は、カバーとしてのキャップ73によって封止される。このキャップ73は、深絞りによって形成されたものである。
このベース63の他方の面には、凹部15が形成されており、ICチップ13が、フリップチップ実装されている。
凹部15内には、アンダーフィル樹脂を充填してもよい。
この実施形態によれば、フィルム基板3を、ベース6の平坦な上面に実装するので、フィルム基板3を、窪んだ収納凹部5内に実装するのに比べて、フィルム基板3の実装が容易となる。
その他の構成は、上記実施形態2と同様である。
図8のMEMSデバイス14は、MEMS発振器であり、この実施形態のMEMSデバイス14では、パッケージ44は、第1ベース64aと第2ベース64bとを備えている。第1ベース64aの一方の面には、上記実施形態1と同様に、収納凹部5が形成されて、MEMS素子2を実装したフィルム基板3が実装される。
第2ベース64bの一方の面には、凹部16が形成され、この凹部16には、接続電極が形成されており、ICチップ13が、フリップチップ実装されている。
第1ベース64aの底面の外部端子と、第2ベース64bの上面の接続端子とが、例えば、半田17で電気的及び機械的に接合されている。
凹部16内には、アンダーフィル樹脂を充填してもよい。
その他の構成は、上記実施形態2と同様である。
図9は、図8のMEMSデバイスにおいて、第1ベース65aに対して、第2ベース65bを上下逆向きに接合した構成である。
その他の構成は、図8の実施形態と同様である。
本発明の更に他の実施形態として、MEMS発振器におけるICチップ13に代えて温度センサを実装し、温度センサ内蔵のMEMS振動子としてもよい。
上記各実施形態では、MEMSデバイスとして、MEMS振動子、MEMS発振器に適用したが、本発明はこれらに限らず、マイクロフォン、センサ、アクチュエータ等の他のMEMSデバイスに適用してもよい。
1,11〜15 MEMSデバイス
2 MEMS素子
3 フィルム基板
4,44,45 パッケージ
5 収納凹部
6,61〜65 ベース
64a,65a 第1ベース
64b,65b 第2ベース
7 リッド
73 キャップ
9a〜9d 接続電極
10a〜10d 配線パターン
11a〜11d 導電ビア
2 MEMS素子
3 フィルム基板
4,44,45 パッケージ
5 収納凹部
6,61〜65 ベース
64a,65a 第1ベース
64b,65b 第2ベース
7 リッド
73 キャップ
9a〜9d 接続電極
10a〜10d 配線パターン
11a〜11d 導電ビア
Claims (11)
- MEMS素子が実装された可撓性を有するフィルム基板が、パッケージの内部に実装されている、
ことを特徴とするMEMSデバイス。 - 前記フィルム基板の一方の面が、前記パッケージの内面に実装され、前記フィルム基板の他方の面に、前記MEMS素子が実装されている、
請求項1に記載のMEMSデバイス。 - 前記パッケージの前記内面の接続電極が、前記フィルム基板の前記一方の面の接続部に電気的に接続され、前記MEMS素子の電極が、前記フィルム基板の前記他方の面の接続部に電気的に接続され、
前記フィルム基板の両面の前記接続部が、導電路を介して電気的に接続されている、
請求項2に記載のMEMSデバイス。 - 前記導電路は、前記フィルム基板を厚み方向に貫通する貫通導電部を有する、
請求項3に記載のMEMSデバイス。 - 前記パッケージの内面の前記接続電極と前記フィルム基板の前記一方の面の前記接続部との接続位置が、平面視で前記MEMS素子に重ならないように配置されている、
請求項3または4に記載のMEMSデバイス。 - 前記パッケージは、前記接続電極が形成されたベースと、該ベースに接合されるカバーとを有し、前記ベースと前記カバーとの間の収納部内に、前記MEMS素子及び前記フィルム基板が気密に封止されている、
請求項3ないし5のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。 - 前記ベースが、セラミック材料からなる、
請求項6に記載のMEMSデバイス。 - 前記収納部内に、集積回路素子が気密に封止されている、
請求項6または7に記載のMEMSデバイス。 - 前記ベースは、前記カバーが接合される面とは反対側の面に凹部を有し、該凹部内に、集積回路素子が収納されている、
請求項6または7に記載のMEMSデバイス。 - 前記パッケージは、前記接続電極が形成された第1ベースと、該第1ベースに接合されるカバーと、凹部が形成された第2ベースとを有し、前記第1ベースと前記カバーとの間の収納部内に、前記MEMS素子及び前記フィルム基板が気密に封止され、
前記凹部に集積回路素子が収納された前記第2ベースが、前記第1ベースに、電気的及び機械的に接合されている、
請求項3ないし5のいずれか一項に記載のMEMSデバイス。 - 前記第1ベースが、セラミック材料からなる、
請求項10に記載のMEMSデバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018246508A JP2020104229A (ja) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | Memsデバイス |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022201752A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 京セラ株式会社 | 圧電デバイス |
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2018
- 2018-12-28 JP JP2018246508A patent/JP2020104229A/ja active Pending
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