TWI523287B - 壓電元件以及壓電元件的製造方法 - Google Patents

壓電元件以及壓電元件的製造方法 Download PDF

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Description

壓電元件以及壓電元件的製造方法
本發明涉及一種具有通過無電解電鍍而形成的電極的壓電元件(device)以及壓電元件的製造方法。
已知有一種表面安裝型的壓電元件，其具備以規定的振動頻率而振動的壓電振動片。在壓電元件的表面，形成有作為電極的安裝端子，壓電元件經由該安裝端子而安裝於印刷(print)基板等上。安裝端子是形成於壓電元件的表面，因此有時會因由焊料引起的加熱等而導致安裝端子發生剝離，或者安裝端子受到損傷。因此，於壓電元件中，在安裝端子上通過無電解電鍍等而形成厚膜，以確保導通。而且，通過無電解電鍍形成的厚膜也作為防止由焊料引起的安裝端子的金屬被吸收的阻擋(barrier)層而形成。
例如，在專利文獻1中記載有：安裝端子是由導電性膏(paste)以及形成在導電性膏的表面的鍍層所形成。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2000-252375號公報
但是，由於鍍層形成得較厚，因此有時鍍層會對壓電元件施加應力。對壓電元件施加的應力會使壓電元件發生變形，從而造成鍍層或包含鍍層的安裝端子發生剝離的問題。此種剝離在如下的壓電元件的製造方法中尤其會發生，即，在晶圓(wafer)上形成多個壓電元件，並通過切斷晶圓而形成各個壓電元件。這是因為，在晶圓的切斷時，對壓電元件施加的應力會發生變化，因此壓電元件的變形將變大。
本發明的目的在於提供一種防止通過無電解電鍍而形成的電極的剝離的壓電元件以及壓電元件的製造方法。
第1觀點的壓電元件是一種表面安裝型壓電元件，其包括：壓電振動片，包含振動部以及引出電極，所述振動部形成有一對激振電極且以規定的振動頻率而振動，所述引出電極是從一對激振電極引出；矩形形狀的基礎(base)板，在一個主面形成有電性連接於引出電極的一對連接電極，在另一個主面上形成有安 裝壓電元件的一對安裝端子；以及蓋(lid)板，密封振動部。在基礎板的另一個主面的相向的至少一對邊上，形成有向一個主面側凹陷的階差部與從另一個主面貫穿至一個主面為止的凹陷部(castellation)，在階差部的一部分與凹陷部(castellation)上，形成有從安裝端子引出至基礎板的一個主面的配線電極，配線電極與安裝端子包含金屬膜及無電解鍍膜，所述金屬膜是通過濺鍍或真空蒸鍍而形成，所述無電解鍍膜是在所述金屬膜上通過無電解電鍍而形成。
第2觀點的壓電元件是在第1觀點中，安裝端子的金屬膜是雙重地形成，且在其表面形成有無電解鍍膜。
第3觀點的壓電元件是在第1觀點以及第2觀點中，連接電極僅由金屬膜形成。
第4觀點的壓電元件是在第1觀點至第3觀點中，壓電振動片包含振動部、包圍振動部的框部以及連結振動部與框部的連結部，基礎板與蓋板是夾著框部而接合。
第5觀點的壓電元件是在第1觀點至第4觀點中，無電解鍍膜包含鎳層，鎳層的膜厚為1 μm~3 μm。
第6觀點的壓電元件的製造方法是一種表面安裝型壓電元件的製造方法，其包括如下步驟：準備多個壓電振動片；準備基礎晶圓(base wafer)，所述基礎晶圓具有矩形形狀的多個基礎板；凹部、貫穿孔形成步驟，形成凹部與貫穿孔，所述凹部是在基礎晶圓的以彼此鄰接的方式配置的基礎板的邊界的至少一部 分，向基礎晶圓的一個主面側凹陷，貫穿孔是與凹部相接，且在邊界的至少一部分，從基礎晶圓的一個主面貫穿至另一個主面；第1金屬膜形成步驟，在基礎晶圓的形成凹部、貫穿孔以及安裝壓電元件的安裝端子的區域，形成通過濺鍍或真空蒸鍍而形成的金屬膜；載置步驟，在基礎晶圓的一個主面載置多個壓電振動片；準備具有多個蓋板的蓋晶圓；接合步驟，將蓋晶圓的一個主面以密封振動部的方式而接合於基礎晶圓的另一個主面；無電解電鍍步驟，在接合步驟後，在金屬膜的表面形成無電解鍍膜；以及切斷步驟，在無電解電鍍步驟後，在邊界切斷基礎晶圓以及蓋晶圓。
第7觀點的壓電元件的製造方法是一種表面安裝型壓電元件的製造方法，其包括如下步驟：準備壓電晶圓，壓電晶圓具有多個壓電振動片，所述多個壓電振動片包含以規定的振動頻率而振動的振動部、包圍振動部的框部以及連結振動部與框部的連結部；準備基礎晶圓，所述基礎晶圓具有矩形形狀的多個基礎板；凹部、貫穿孔形成步驟，形成凹部與貫穿孔，所述凹部是在基礎晶圓的以彼此鄰接的方式配置的基礎板的邊界的至少一部分，向基礎晶圓的一個主面側凹陷，所述貫穿孔是與凹部相接，且在邊界的至少一部分，從基礎晶圓的一個主面貫穿至另一個主面；第1金屬膜形成步驟，在基礎晶圓的形成凹部、貫穿孔以及安裝壓電元件的安裝端子的區域，形成通過濺鍍或真空蒸鍍而形成的金屬膜；載置步驟，以在各基礎板的一個主面分別載置壓電振動片的方式，將基礎晶圓與壓電晶圓予以接合；準備具有多個蓋板的蓋 晶圓；接合步驟，將蓋晶圓的一個主面以密封振動部的方式而接合於壓電晶圓；無電解電鍍步驟，在接合步驟後，在金屬膜的表面形成無電解鍍膜；以及切斷步驟，在無電解電鍍步驟後，在邊界切斷基礎晶圓、蓋晶圓以及壓電晶圓。
第8觀點的壓電元件的製造方法是在第6觀點以及第7觀點中，在接合步驟之後且無電解電鍍步驟之前，包括：第2金屬膜形成步驟，在基礎晶圓的另一個主面上形成的金屬膜的表面，進一步形成金屬膜。
第9觀點的壓電元件的製造方法是在第6觀點至第8觀點中，金屬膜包含鉻層、形成於鉻層的表面的鎳鎢層以及形成於鎳鎢層的表面的金層。
第10觀點的壓電元件的製造方法是在第6觀點至第8觀點中，金屬膜包含鉻層、形成於鉻層的表面的鉑層以及形成於鉑層的表面的金層。
第11觀點的壓電元件的製造方法是在第6觀點至第10觀點中，無電解鍍膜包含鎳層，鎳層是通過5 μm/小時~15 μm/小時的成膜速率而形成。
第12觀點的壓電元件的製造方法是在第11觀點中，無電解鍍膜的鎳層的膜厚是形成為1 μm~3 μm。
根據本發明的壓電元件以及壓電元件的製造方法，能够防止通過無電解電鍍而形成的電極的剝離。
100、200‧‧‧壓電元件
101‧‧‧空腔
110‧‧‧蓋板
111‧‧‧凹部
112‧‧‧接合面
120、120a、220‧‧‧基礎板
121‧‧‧凹部
122‧‧‧接合面
123、223‧‧‧連接電極
124、124a、224‧‧‧安裝端子
125、125a、225‧‧‧配線電極
126、126a‧‧‧凹陷部(castellation)
127、127a‧‧‧階差部
129‧‧‧側面
130、230‧‧‧壓電振動片
131、231‧‧‧激振電極
132、232‧‧‧引出電極
134、234‧‧‧振動部
141‧‧‧導電性粘結劑
142‧‧‧密封材
151‧‧‧第1金屬膜
151a、152a、153a‧‧‧第1層
151b、152b、153b‧‧‧第2層
151c、152c‧‧‧第3層
152‧‧‧第2金屬膜
153‧‧‧無電解鍍膜
161、162‧‧‧虛線
171‧‧‧劃線
172、172a‧‧‧貫穿孔
173、173a‧‧‧凹部
200‧‧‧壓電元件
235‧‧‧框部
236‧‧‧連結部
237‧‧‧貫穿槽
TN‧‧‧厚度
W110‧‧‧蓋晶圓(lid wafer)
W120、W120a、W220‧‧‧基礎晶圓(base wafer)
W230‧‧‧壓電晶圓(piezoelectric wafer)
圖1是壓電元件100的分解立體圖。
圖2(a)是圖1的A-A剖面圖。圖2(b)是圖2(a)的虛線161的放大圖。
圖3(a)是基礎板120的-Y'軸側的面的平面圖。圖3(b)是圖3(a)的B-B剖面圖。
圖4是表示壓電元件100的製造方法的流程圖。
圖5(a)是基礎晶圓(base wafer)W120的+Y'軸側的面的平面圖。圖5(b)是基礎晶圓W120的-Y'軸側的面的平面圖。
圖6是蓋晶圓(lid wafer)W110的+Y'軸側的面的平面圖。
圖7(a)是載置有壓電振動片130的基礎晶圓W120的局部剖面圖。圖7(b)是蓋晶圓W110、壓電振動片130以及基礎晶圓W120的局部剖面圖。圖7(c)是形成有無電解鍍膜153的蓋晶圓W110、壓電振動片130以及形成有無電解鍍膜153的基礎晶圓W120的局部剖面圖。
圖8是表示無電解鍍膜153的鎳(Ni)層的厚度TN與無電解鍍膜153的剝離率之間的關係的圖表。
圖9(a)是基礎板120a的-Y'軸側的平面圖。圖9(b)是形成有多個基礎板120a的基礎晶圓W120a的-Y'軸側的面的平面圖。
圖10是壓電元件200的分解立體圖。
圖11(a)是圖10的C-C剖面圖。圖11(b)是圖11(a)的虛線162的放大圖。
圖12是表示壓電元件200的製造方法的流程圖。
圖13是壓電晶圓(piezoelectric wafer)W230的平面圖。
圖14(a)是壓電晶圓W230、蓋晶圓W110以及基礎晶圓W220的局部剖面圖。圖14(b)是壓電晶圓W230、蓋晶圓W110以及形成有第2金屬膜152的基礎晶圓W220的局部剖面圖。圖14(c)是壓電晶圓W230、蓋晶圓W110以及形成有無電解鍍膜153的基礎晶圓W220的局部剖面圖。
以下，基於附圖詳細說明本發明的較佳實施方式。另外，只要在以下的說明中並無特別限定本發明的記載，則本發明的範圍並不限於這些實施方式。
(第1實施方式) <壓電元件100的結構>
圖1是壓電元件100的分解立體圖。壓電元件100包括蓋板110、基礎板120及壓電振動片130。對於壓電振動片130，例如使用AT切割的晶體振動片。AT切割的晶體振動片中，主面(YZ面)相對於結晶軸(XYZ)的Y軸，以X軸為中心而從Z軸朝Y軸方向傾斜35度15分。在以下的說明中，使用以AT切 割的晶體振動片的軸方向為基準而傾斜的新的軸來作為Y'軸以及Z'軸。即，在壓電元件100中，將壓電元件100的長邊方向設為X軸方向、將壓電元件100的高度方向設為Y'軸方向、將與X以及Y'軸方向垂直的方向設為Z'軸方向來進行說明。
壓電振動片130具有：振動部134，以規定的振動頻率而振動，且形成為矩形形狀；激振電極131，形成在振動部134的+Y'軸側以及-Y'軸側的面上；以及引出電極132，從各激振電極131引出至-X軸側。從形成在振動部134的+Y'軸側的面上的激振電極131引出的引出電極132是從激振電極131引出至-X軸側，進而經由振動部134的+Z'軸側的側面而引出至振動部134的-Y'軸側的面為止。從形成在振動部134的-Y'軸側的面上的激振電極131引出的引出電極132是從激振電極131引出至-X軸側，並形成至振動部134的-X軸側的-Z'軸側的角部為止。
基礎板120是以晶體或玻璃等作為基材，在該基材的表面形成電極。在基礎板120上，在+Y'軸側的面的周圍，形成有接合面122，該接合面122經由密封材142(參照圖2(a)、圖2(b))而接合於蓋板110。而且，在基礎板120的+Y'軸側的面的中央，形成有從接合面122向-Y'軸方向凹陷的凹部121。在凹部121上形成有一對連接電極123，各連接電極123經由導電性粘結劑141(參照圖2(a)、圖2(b))而電性連接於壓電振動片130的引出電極132。在基礎板120的-Y'軸側的面上，形成有安裝端子124，該安裝端子124用於將壓電元件100安裝至印刷基板等。而且， 在基礎板120的側面的四角，形成有向基礎板120的內側凹陷的凹陷部(castellation)126，在凹陷部(castellation)126的側面形成有配線電極125。安裝端子124經由配線電極125而電性連接於連接電極123。
蓋板110在-Y'軸側的面上形成有向+Y'軸方向凹陷的凹部111。而且，以包圍凹部111的方式而形成有接合面112。接合面112經由密封材142(參照圖2(a)、圖2(b))而接合於基礎板120的接合面122。
圖2(a)是圖1的A-A剖面圖。基礎板120的接合面122與蓋板110的接合面112經由密封材142而接合，由此在壓電元件100內形成密閉的空腔(cavity)101。壓電振動片130是配置在空腔101內，引出電極132經由導電性粘結劑141而電性連接於基礎板120的連接電極123。由此，激振電極131電性連接於安裝端子124。而且，安裝端子124是由第1金屬膜151及無電解鍍膜153形成，所述第1金屬膜151形成在基礎板120的基材的-Y'軸側的面的表面，所述無電解鍍膜153形成在第1金屬膜151的表面。
圖2(b)是圖2(a)的虛線161的放大圖。圖2(b)中示出安裝端子124的放大剖面圖。第1金屬膜151是由第1層151a、第2層151b以及第3層151c這3個層形成。第1層151a是形成在基礎板120的基材的表面的層，且由鉻(Cr)形成。鉻(Cr)被用作第1層151a的原材料，該第1層151a用於良好地 密接於基礎板120的基材即晶體以及玻璃等。而且，形成在金屬膜151的表面的第3層151c是由金(Au)形成。鉻(Cr)雖能良好地密接於晶體以及玻璃等，但並不溶於焊料等，因此第1金屬膜151的表面是由良好地溶於焊料等的金(Au)所覆蓋。進而，第1金屬膜151中，在第1層151a與第3層151c之間形成第2層151b。構成第1層151a的鉻(Cr)在製造步驟中施加有熱等時會擴散至其他層，從而鉻(Cr)與基礎板120的密接變弱。而且，當鉻(Cr)擴散至第1金屬膜151的表面時，鉻(Cr)會發生氧化而無電解鍍膜153等的成膜變得困難。為了防止此種鉻(Cr)的擴散而設有第2層151b，以防止鉻(Cr)擴散至金(Au)層。
第2層151b例如能够由鎳鎢(Ni-W)所形成。而且，第2層151b也可由鉑(platinum、Pt)形成。例如，當使用鉑(Pt)時，將第1層151a形成為300 □~500 □，將第2層151b形成為1000 □~2000 □，將第3層151c形成為1000 □~2000 □。包含無電解鍍膜153的電極比起不含無電解鍍膜153的電極，更容易因無電解鍍膜153產生的應力而導致基礎板120發生變形，因此容易剝離。在第1金屬膜151中，通過設置第2層151b而防止鉻(Cr)的擴散，從而第1金屬膜151與基礎板120的基材的密接得以牢固地保持。因此，能够防止第1金屬膜151的剝離。
無電解鍍膜153是由第1層153a及第2層153b所形成，所述第1層153a形成在第1金屬膜151的表面，第2層153b形成在第1層153a的表面。第1層153a為鎳(Ni)的層，其厚度 TN形成為1 μm~3 μm。而且，為了確實地進行安裝端子124與焊料等的連接，通過金(Au)而在第1層153a的表面形成第2層153b。
圖3(a)是基礎板120的-Y'軸側的面的平面圖。在基礎板120的四角的側面，形成有凹陷部(castellation)126。而且，在基礎板120的-Y'軸側的+X軸側以及-X軸側的邊上，形成有向+Y'軸側凹陷的階差部127。在階差部127上，形成有與凹陷部(castellation)126相同的配線電極125。
圖3(b)是圖3(a)的B-B剖面圖。在基礎板120的階差部127形成有配線電極125，配線電極125電性連接於安裝端子124。而且，在階差部127相接而無凹陷部(castellation)126的基礎板120的+X軸側以及-X軸側的側面129，並未形成第1金屬膜151以及無電解鍍膜153。
<壓電元件100的製造方法>
圖4是示出壓電元件100的製造方法的流程圖。以下，按照圖4的流程圖，對壓電元件100的製造方法進行說明。
步驟S101中，準備多個壓電振動片130。步驟S101是準備壓電振動片的步驟。步驟S101中，首先在由壓電材形成的壓電晶圓上，通過蝕刻(etching)而形成多個壓電振動片130的外形。進而，在各壓電振動片130上，通過濺鍍或真空蒸鍍等而形成激振電極131以及引出電極132。多個壓電振動片130是通過從壓電晶圓折取壓電振動片130而準備。
步驟S201中，準備基礎晶圓W120。步驟S201是準備基礎晶圓的步驟。在基礎晶圓W120上形成多個基礎板120。在步驟S201中準備的基礎晶圓W120為平板狀，以晶體或玻璃等作為基材。
步驟S202中，在基礎晶圓W120上形成凹部121、切斷基礎晶圓W120而成為凹陷部(castellation)126的貫穿孔172(參照圖5(a))、以及切斷基礎晶圓W120而成為階差部127的凹部173(參照圖5(b))。步驟S202是凹部、貫穿孔形成步驟。
步驟S203中，在基礎晶圓W120上形成第1金屬膜151。步驟S203是第1金屬膜形成步驟。形成在基礎晶圓W120上的第1金屬膜151例如圖2(b)所示，由構成第1層151a的鉻(Cr)、構成第2層151b的鎳鎢(Ni-W)以及構成第3層151c的金(Au)所形成。這些層是通過濺鍍或真空蒸鍍而形成。步驟S202中，通過形成第1金屬膜151，從而在各基礎板120上形成連接電極123、配線電極125的一部分以及安裝端子124的一部分。
圖5(a)是基礎晶圓W120的+Y'軸側的面的平面圖。在圖5(a)所示的基礎晶圓W120上，示出了由第1金屬膜151所形成的連接電極123。在基礎晶圓W120上形成有多個基礎板120，各基礎板120是沿X軸方向以及Z'軸方向排列地形成。而且，圖5(a)中，在彼此鄰接的基礎板120的邊界處示出有劃線(scribe line)171。劃線171是表示在後述的步驟S404中切斷晶圓的位置的線。在沿X軸方向延伸的劃線171與沿Z'軸方向延伸的劃線171 交叉的位置，形成有沿Y'軸方向貫穿基礎晶圓W120的貫穿孔172。貫穿孔172在後述的步驟S404中切斷晶圓之後成為凹陷部(castellation)126。而且，在各基礎板120的+Y'軸側的面上形成有凹部121，在各基礎板120的+Y'軸側的面上形成有連接電極123。
圖5(b)是基礎晶圓W120的-Y'軸側的面的平面圖。在圖5(b)所示的基礎晶圓W120上，示出有凹部173，該凹部173是以包含貫穿孔172以及沿X軸方向延伸的劃線171的方式，而沿著Z'軸方向延伸的凹陷。而且，圖5(b)中示出第1金屬膜151，該第1金屬膜151成為安裝端子124的一部分，且形成在凹部173中而成為配線電極125的一部分。在貫穿孔172以及凹部173內，形成作為配線電極125的一部分的第1金屬膜151，該形成配線電極125的第1金屬膜151電性連接於連接電極123。
返回圖4，在步驟S301中，準備蓋晶圓W110。步驟S301是準備蓋晶圓W110的步驟。在蓋晶圓W110上形成多個蓋板110。在各蓋板110的-Y'軸側的面上形成凹部111。
圖6是蓋晶圓W110的+Y'軸側的面的平面圖。在蓋晶圓W110上形成多個蓋板110，在各蓋板110的-Y'軸側的面上形成凹部111以及接合面112。圖6中，鄰接的各蓋板110之間以兩點鏈線所示，該兩點鏈線成為劃線171。
步驟S401中，在基礎晶圓W120上載置壓電振動片130。步驟S401為載置步驟。壓電振動片130通過導電性粘結劑141而 載置於基礎晶圓W120的各凹部121。
圖7(a)是載置有壓電振動片130的基礎晶圓W120的局部剖面圖。圖7(a)中，示出了包含與圖5(a)以及圖5(b)的C-C剖面相當的剖面的剖面圖。通過經由導電性粘結劑141來電性連接引出電極132與連接電極123，從而將壓電振動片130載置於基礎晶圓W120的凹部121。而且，由此，激振電極131與形成在基礎晶圓W120的-Y'軸側的面上的第1金屬膜151電性連接。
步驟S402中，將基礎晶圓W120與蓋晶圓W110予以接合。步驟S402為接合步驟。基礎晶圓W120與蓋晶圓W110是以如下方式而接合，即，在基礎晶圓W120的接合面122或蓋晶圓W110的接合面112上塗布密封材142(參照圖2(a)、圖2(b))之後，使基礎晶圓W120的接合面122與蓋晶圓W110的接合面112夾著密封材142而彼此相對。
圖7(b)是蓋晶圓W110、壓電振動片130以及基礎晶圓W120的局部剖面圖。圖7(b)中，示出了包含與圖5(a)、圖5(b)以及圖6的C-C剖面相當的剖面的剖面圖。通過經由密封材142來接合蓋晶圓W110與基礎晶圓W120，從而形成密封的空腔101。在空腔101內載置壓電振動片130。
步驟S403中，形成無電解鍍膜153。步驟S403為無電解電鍍步驟。步驟S403中，在第1金屬膜151的表面形成無電解鍍膜153，該第1金屬膜151形成在基礎晶圓W120的-Y'軸側的面、 凹部173以及貫穿孔172內。
圖7(c)是壓電振動片130、蓋晶圓W110以及形成有無電解鍍膜153的基礎晶圓W120的局部剖面圖。在圖7(c)中，示出了與圖7(b)同樣的剖面的剖面圖。無電解鍍膜153的形成是首先如圖2(b)所示，通過無電解電鍍而在第1金屬膜151的表面形成鎳(Ni)的厚膜，以形成第1層153a。進而，在第1層153a的表面進行金(Au)的無電解電鍍，從而形成第2層153b。
圖8是表示無電解鍍膜153的鎳(Ni)層的厚度TN與無電解鍍膜153的剝離率之間的關係的圖表。在圖8中，示出了以6.9 μm/小時、12.2 μm/小時以及19.0 μm/小時這3種速度來形成無電解鍍膜153的鎳(Ni)層的結果。圖表中的塗黑的四角表示形成速度為6.9 μm/小時的情况，塗黑的三角形表示12.2 μm/小時的情况，塗黑的圓形表示19.0 μm/小時的情况。形成速度例如能够通過溫度條件來調節。在形成速度為6.9 μm/小時的情况下，將溫度設為45℃~55℃，在形成速度為12.2 μm/小時的情况下，將溫度設為60℃~70℃，在形成速度為19.0 μm/小時的情况下，將溫度設為70℃~80℃。而且，剝離率是通過進行劃痕測試(scratch test)以及膠帶剝離測試而求出，所述劃痕測試是以金屬針或金剛石(diamond)針劃過金屬膜的表面，以確認金屬膜是否剝離，所述膠帶剝離測試是將膠帶貼附於金屬膜之後將其撕去，以確認金屬膜是否剝離。圖8的剝離率是金屬膜發生剝離的個體數相對於測試對象的個體數的比例。
在形成速度為6.9 μm/小時以及12.2 μm/小時的情况下，當鎳層的厚度TN為0.1 μm~1 μm時，剝離率微小。考慮其原因在於，當鎳層的厚度TN薄時，鎳層未完全固定於金屬膜的表面。而且，在形成速度為6.9 μm/小時的情况下，在厚度TN為1 μm~3.5 μm之間，剝離率為0%，當厚度TN達到3.5 μm以上時，剝離率上升。在形成速度為12.2 μm/小時的情况下，在厚度TN為1 μm~3 μm之間，剝離率為0%，當厚度TN達到3 μm以上時，剝離率上升。在形成速度為19.0 μm/小時的情况下，當鎳層的厚度TN為0.1 μm~1 μm時，剝離率微小。當厚度TN為1 μm時，剝離率達到最低值，當厚度TN為1 μm以上時，隨著厚度TN變厚而剝離率變高。
根據圖8的圖表可知的是，當鎳層的形成速度為6.9 μm/小時至12.2 μm/小時且鎳層的厚度TN為1.0 μm~3.0 μm時，剝離率為0%，因而較佳。而且，由此可認為：若鎳層的形成速度為5 μm/小時至15 μm/小時，則至少剝離率達到0%或接近0%的值，因而較佳。
返回圖4，步驟S404中，切斷蓋晶圓W110以及基礎晶圓W120。蓋晶圓W110以及基礎晶圓W120於劃線171處通過切割(dicing)等而切斷。步驟S404為切斷步驟。
在形成有無電解鍍膜的晶圓中，會產生與該無電解鍍膜的長度相應的應力。例如，有時會如圖5(b)所示的基礎晶圓W120般，第1金屬膜151沿X軸方向連續地形成得較長。進而， 若在該第1金屬膜151的表面形成有無電解鍍膜153，則會因無電解鍍膜153沿X軸方向形成得較長而對X軸方向施加與無電解鍍膜153的X軸方向的長度相應的應力，從而基礎晶圓W120的-Y'軸側的面將以凹陷的方式而翹曲。而且，該應力會因在步驟S404中切斷晶圓而發生變化，從而使壓電元件產生變形。形成在壓電元件上的安裝端子有時會因該變形而發生剝離。壓電元件100中，以遮擋沿X軸方向形成得較長的無電解鍍膜153的方式，而形成沿Z'軸方向延伸的凹部173。因此，在基礎晶圓W120的X軸方向上產生的應力得到分散而變小，即使在步驟S404中切斷晶圓，壓電元件100產生的變形仍較小。因此，在壓電元件100中，能够防止在晶圓切斷後因無電解鍍膜153的應力引起的安裝端子的剝離。
而且，壓電元件100中，將無電解鍍膜153的鎳層的形成速度設為5 μm/小時~15 μm/小時，將鎳層的厚度TN設為1 μm~3 μm，由此降低無電解鍍膜153的剝離率。
<基礎板120的變形例>
圖9(a)是基礎板120a的-Y'軸側的平面圖。基礎板120a是基礎板120的變形例。基礎板120a在側面的角上形成有凹陷部(castellation)126a，而且，以包圍-Y'軸側的面的外周的方式而形成有階差部127a。階差部127a如圖3(b)所示，向+Y'軸側凹陷地形成。在基礎板120a的-Y'軸側的面上形成有安裝端子124a，在凹陷部(castellation)126a的側面以及階差部127a形成有配線 電極125a。
圖9(b)是形成有多個基礎板120a的基礎晶圓W120a的-Y'軸側的面的平面圖。在圖9(b)中示出了圖4的步驟403之後的基礎晶圓W120a。在基礎晶圓W120a中，在沿X軸方向延伸的劃線171與沿Z'軸方向延伸的劃線171的交點處形成有貫穿孔172a。而且，沿著沿X軸方向延伸的劃線171與沿Z'軸方向延伸的劃線171，形成有向+Y'軸側凹陷的凹部173a。即，凹部173a是以包圍各基礎板120a的周圍的方式而形成。而且，形成在基礎晶圓W120a的-Y'軸側的面上的無電解鍍膜153是以沿Z'軸方向連續地延伸的方式而形成。
形成在基礎晶圓W120a上的無電解鍍膜153是與基礎晶圓W120同樣地在X軸方向上具備寬度而形成，並且以沿Z'軸方向延伸得較長的方式而形成。因此，對於基礎晶圓W120a，不僅在X軸方向上，而且在Z'軸方向上也容易施加强應力。但是，基礎晶圓W120a中，沿著劃線171而形成凹部173a，由此，因無電解鍍膜153產生的應力得到分散而緩和。因此，不會對基礎晶圓W120a施加强應力，在基礎晶圓W120a的切斷後，壓電元件不會產生大的變形。由此，能够防止因無電解鍍膜153的應力引起的安裝端子的剝離。而且，劃線171重合於凹部173a，因此晶圓的切斷部分變薄，因而晶圓的切斷變得容易。
(第2實施方式)
對於壓電振動片，也可使用以包圍振動部的周圍的方式 而形成有框部的壓電振動片。以下，對使用具有框部的壓電振動片的壓電元件200進行說明。
而且，在以下的說明中，對於與第1實施方式相同的部分標注相同的符號並省略其說明。
<壓電元件200的結構>
圖10是壓電元件200的分解立體圖。壓電元件200包括蓋板110、基礎板220及壓電振動片230。壓電元件200中，與第1實施方式同樣地，對於壓電振動片230使用AT切割的晶體振動片。
壓電振動片230具有：振動部234，以規定的振動頻率而振動，且形成為矩形形狀；框部235，以包圍振動部234的周圍的方式而形成；以及連結部236，連結振動部234與框部235。在振動部234與框部235之間，形成有沿Y'軸方向貫穿壓電振動片230的貫穿槽237，振動部234與框部235不直接接觸。振動部234與框部235經由連結部236而連結，該連結部236連結至振動部234的-X軸側的+Z'軸側及-Z'軸側。而且，在振動部234的+Y'軸側的面以及-Y'軸側的面上形成有激振電極231，引出電極232分別從各激振電極231引出至框部235為止。從形成在振動部234的+Y'軸側的面上的激振電極231引出的引出電極232經由+Z'軸側的連結部236而引出至框部235的-X軸側，進而引出至框部235的-Y'軸側的面的+X軸側的+Z'軸側的角為止。從形成在振動部234的-Y'軸側的面上的激振電極231引出的引出電極232經由-Z'軸側 的連結部236而引出至框部235的-X軸側，並引出至框部235的-Y'軸側的面的-X軸側的-Z'軸側的角為止。
在基礎板220上，在+Y'軸側的面的周圍，形成有接合面122，該接合面122經由密封材142(參照圖11(a)、圖11(b))而接合於蓋板110。而且，在基礎板220的+Y'軸側的面的中央，形成有從接合面122向-Y'軸方向凹陷的凹部121。在基礎板220的-Y'軸側的面上形成有安裝端子224，在基礎板220的側面的角處形成有凹陷部(castellation)126。而且，在基礎板220的接合面122的凹陷部(castellation)126的周圍，形成有連接電極223。連接電極223經由形成在凹陷部(castellation)126上的配線電極225而電性連接於安裝端子224。
圖11(a)是圖10的D-D剖面圖。壓電元件200中，蓋板110的接合面112與框部235的+Y'軸側的面經由密封材142而接合，基礎板220的接合面122與框部235的-Y'軸側的面經由密封材142而接合。而且，在壓電振動片230與基礎板220的接合時，引出電極232與連接電極223電性接合。由此，激振電極231電性連接於安裝端子224。而且，與圖3(a)以及圖3(b)所示的基礎板120同樣地，在基礎板220的-Y'軸側的面的+X軸側以及-X軸側的邊上形成有階差部127，在階差部127形成有配線電極225。安裝端子224以及配線電極225是由第1金屬膜151、第2金屬膜152以及無電解鍍膜153而形成。
圖11(b)是圖11(a)的虛線162的放大圖。圖11(b) 中示出了安裝端子224的放大剖面圖。第1金屬膜151是由第1層151a、第2層151b以及第3層151c這3個層形成。如圖2(b)中所說明的，第1層151a是由鉻(Cr)所形成，第2層151b是由鎳鎢(Ni-W)或鉑(Pt)等所形成，第3層151c是由金(Au)所形成。
第2金屬膜152是由第1層152a、第2層152b及第3層152c所形成，所述第1層152a形成在第1金屬膜151的表面，所述第2層152b形成在第1層152a的表面，所述第3層152c形成在第2層152b的表面。第1層152a、第2層152b以及第3層152c是分別由與第1金屬膜151的第1層151a、第2層151b以及第3層151c相同的結構所形成。即，第2金屬膜152是由與第1金屬膜151相同的結構所形成。
無電解鍍膜153是由第1層153a及第2層153b所形成，所述第1層153a形成在第2金屬膜152的表面，所述第2層153b形成在第1層153a的表面。第1層153a為鎳(Ni)的層，其厚度TN形成為1 μm~3 μm。而且，為了確實地進行安裝端子224與焊料等的連接，在第1層153a的表面，通過金(Au)而形成第2層153b。
<壓電元件200的製造方法>
圖12是示出壓電元件200的製造方法的流程圖。以下，按照圖12的流程圖，對壓電元件200的製造方法進行說明。
步驟S501中，準備壓電晶圓W230。在壓電晶圓W230 上，形成有多個壓電振動片230。步驟S501為準備壓電晶圓的步驟。
圖13是壓電晶圓W230的平面圖。在壓電晶圓W230上形成有多個壓電振動片230。圖13中，在彼此鄰接的壓電振動片230的邊界處示出有劃線171。在壓電晶圓W230上，通過蝕刻而形成貫穿槽237，通過形成激振電極231以及引出電極232而形成多個壓電振動片230。
步驟S601中，準備基礎晶圓W220。在基礎晶圓W220上，形成多個基礎板220。步驟S601為準備基礎晶圓的步驟。在步驟S601中準備的基礎晶圓W220為平板狀，以晶體或玻璃等作為基材。
步驟S602中，在基礎晶圓W220上形成凹部121、切斷基礎晶圓W220而成為凹陷部(castellation)126的貫穿孔172(參照圖5(b))、以及切斷基礎晶圓W220而成為階差部127的凹部173(參照圖5(b))。步驟S602是凹部、貫穿孔形成步驟。
步驟S603中，在基礎晶圓W220上形成第1金屬膜151。第1金屬膜151如圖11(a)所示，形成連接電極223以及配線電極225與安裝端子224的一部分。步驟S603為第1金屬膜形成步驟。
通過該步驟S603，基礎晶圓W230的-Y'軸側的面形成為與圖5(b)同樣的形狀。
步驟S701中，準備蓋晶圓W110。在蓋晶圓W110上， 形成有多個蓋板110。步驟S701為準備蓋晶圓的步驟。
步驟S801中，在基礎晶圓W220上載置壓電晶圓W230。步驟S801為如下所述的載置步驟，即，以將壓電晶圓W230的各壓電振動片230對應地載置於基礎晶圓W220的各基礎板220的+Y'軸側的面上的方式，而將基礎晶圓W220與壓電晶圓W230予以接合。該載置步驟中，基礎晶圓W220的接合面122經由密封材142而接合於壓電晶圓W230上形成的框部235的-Y'軸側的面。
步驟S802中，將壓電晶圓W230與蓋晶圓W110予以接合。步驟S802為如下所述的接合步驟，即，以對壓電振動片230的振動部234進行密封的方式，將蓋晶圓W110經由密封材142而接合於壓電晶圓W230的+Y'軸側的面。
圖14(a)是壓電晶圓W230、蓋晶圓W110以及基礎晶圓W220的局部剖面圖。圖14(a)是包含圖13的E-E剖面的剖面圖。基礎晶圓W220是經由密封材142而接合於壓電晶圓W230的框部235的-Y'軸側的面。而且，連接電極223電性連接於引出電極232。蓋晶圓W110是經由封止材142而接合於壓電晶圓W230的框部235的+Y'軸側的面。由此，在晶圓中形成空腔201，並將振動部234密封於該空腔201內。
步驟S803中，在基礎晶圓W220上形成第2金屬膜152。步驟S803為第2金屬膜形成步驟。
圖14(b)是壓電晶圓W230、蓋晶圓W110以及形成有第2金屬膜152的基礎晶圓W220的局部剖面圖。形成在基礎晶 圓W220的-Y'軸側的面上的第2金屬膜152是形成在第1金屬膜151的表面，該第1金屬膜151是形成在基礎晶圓W220的-Y'軸側的面上。
步驟S804中，在基礎晶圓W220上形成無電解鍍膜153。無電解鍍膜153是形成在第2金屬膜152的表面，該第2金屬膜152形成在基礎晶圓W220上。步驟S804為無電解電鍍步驟。
圖14(c)是壓電晶圓W230、蓋晶圓W110以及形成有無電解鍍膜153的基礎晶圓W220的局部剖面圖。形成在基礎晶圓W220上的無電解鍍膜153是形成在第2金屬膜152的表面。而且，形成無電解鍍膜153的鎳層是如圖8所示，通過5 μm/小時~15 μm/小時的成膜速率並以厚度TN為1 μm~3 μm的方式而形成。
步驟S805中，在劃線171處切斷基礎晶圓W220、蓋晶圓W110以及壓電晶圓W230。由此，形成各個壓電元件200。
壓電元件200中，與壓電元件100同樣地形成凹部173，由此抑制壓電元件200的變形，以防止安裝端子224的剝離。
而且，無電解鍍膜153有時會因作為基底的金屬膜表面的污染等而無法形成，但在壓電元件200中，通過在進行無電解電鍍之前形成作為基底的第2金屬膜152，從而能够將進行無電解電鍍時的基底的污染等的影響抑制為最小限度。因此，防止因基底的污染等而導致無電解鍍膜153無法形成的現象。
以上，對本發明的最佳實施方式進行了詳細說明，但本 領域技術人員可明確的是，本發明可在其技術範圍內對實施方式添加各種變更、變形而實施。
例如，也可在壓電元件中裝入振蕩器而形成為壓電振蕩器。而且，上述實施方式中示出了壓電振動片為AT切割的晶體振動片的情况，但即使是同樣以厚度切變模式振動的BT切割的晶體振動片等，也可同樣地適用。進而，壓電振動片不僅可適用於晶體材，而且基本上能够適用於包含鉭酸鋰(lithium tantalate)或鈮酸鋰(lithium niobate)或者壓電陶瓷的壓電材。
100‧‧‧壓電元件
101‧‧‧空腔
110‧‧‧蓋板
112‧‧‧接合面
120‧‧‧基礎板
122‧‧‧接合面
123‧‧‧連接電極
124‧‧‧安裝端子
125‧‧‧配綫線電極
126‧‧‧凹陷部(castellation)
127‧‧‧階差部
130‧‧‧壓電振動片
131‧‧‧激振電極
132‧‧‧引出電極
141‧‧‧導電性粘結劑
142‧‧‧密封材
151‧‧‧第1金屬膜
153‧‧‧無電解鍍敷膜
161‧‧‧虛綫線

Claims (10)

  1. 一種壓電元件，為表面安裝型的壓電元件，所述壓電元件的特徵在於包括：壓電振動片，包含振動部以及引出電極，所述振動部形成有一對激振電極且以規定的振動頻率而振動，所述引出電極是從所述一對激振電極引出；矩形形狀的基礎板，在一個主面形成有電性連接於所述引出電極的一對連接電極，在另一個主面上形成有安裝所述壓電元件的一對安裝端子；以及蓋板，密封所述振動部，在所述基礎板的另一個主面的相向的至少一對邊上，形成有向所述一個主面側凹陷的階差部與從另一個主面貫穿至一個主面為止的凹陷部，在所述階差部的一部分與所述凹陷部上，形成有從所述安裝端子引出至所述基礎板的一個主面的配線電極，所述配線電極與所述安裝端子包含金屬膜及無電解鍍膜，所述金屬膜是通過濺鍍或真空蒸鍍而形成，所述無電解鍍膜是在所述金屬膜上通過無電解電鍍而形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的壓電元件，其中，所述安裝端子中，所述金屬膜是雙重地形成，且在其表面形成有所述無電解鍍膜。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的壓電元件，其中， 所述連接電極僅由所述金屬膜形成。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的壓電元件，其中，所述壓電振動片包含所述振動部、包圍所述振動部的框部以及連結所述振動部與所述框部的連結部，所述基礎板與所述蓋板是夾著所述框部而接合。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的壓電元件，其中，所述無電解鍍膜包含鎳層，所述鎳層的膜厚為1 μm~3 μm。
  6. 一種壓電元件的製造方法，所述壓電元件為表面安裝型的壓電元件，所述壓電元件的製造方法的特徵在於包括如下步驟：準備多個壓電振動片；準備基礎晶圓，所述基礎晶圓具有矩形形狀的多個基礎板；凹部、貫穿孔形成步驟，形成凹部與貫穿孔，所述凹部是在所述基礎晶圓的以彼此鄰接的方式配置的所述基礎板的邊界的至少一部分，向所述基礎晶圓的一個主面側凹陷，所述貫穿孔是與所述凹部相接，且在所述邊界的至少一部分，從所述基礎晶圓的一個主面貫穿至另一個主面；第1金屬膜形成步驟，在所述基礎晶圓的形成所述凹部、所述貫穿孔以及安裝所述壓電元件的安裝端子的區域，形成通過濺鍍或真空蒸鍍而形成的金屬膜；載置步驟，在所述基礎晶圓的所述一個主面載置所述多個壓電振動片；準備具有多個所述蓋板的蓋晶圓； 接合步驟，將所述蓋晶圓的一個主面以密封所述振動部的方式而接合於所述基礎晶圓的另一個主面；無電解電鍍步驟，在所述接合步驟後，在所述金屬膜的表面形成無電解鍍膜；以及切斷步驟，在所述無電解電鍍步驟後，在所述邊界切斷所述基礎晶圓以及所述蓋晶圓。
  7. 一種壓電元件的製造方法，所述壓電元件為表面安裝型的壓電元件，所述壓電元件的製造方法的特徵在於包括如下步驟：準備壓電晶圓，所述壓電晶圓具有多個壓電振動片，所述多個壓電振動片包含以規定的振動頻率而振動的振動部、包圍所述振動部的框部以及連結所述振動部與所述框部的連結部；準備基礎晶圓，所述基礎晶圓具有矩形形狀的多個基礎板；凹部、貫穿孔形成步驟，形成凹部與貫穿孔，所述凹部是在所述基礎晶圓的以彼此鄰接的方式配置的所述基礎板的邊界的至少一部分，向所述基礎晶圓的一個主面側凹陷，所述貫穿孔是與所述凹部相接，且在所述邊界的至少一部分，從所述基礎晶圓的一個主面貫穿至另一個主面；第1金屬膜形成步驟，在所述基礎晶圓的形成所述凹部、所述貫穿孔以及安裝所述壓電元件的安裝端子的區域，形成通過濺鍍或真空蒸鍍而形成的金屬膜；載置步驟，以在所述各基礎板的一個主面分別載置所述壓電振動片的方式，將所述基礎晶圓與所述壓電晶圓予以接合； 準備具有多個所述蓋板的蓋晶圓；接合步驟，將所述蓋晶圓的一個主面以密封所述振動部的方式而接合於所述壓電晶圓；無電解電鍍步驟，在所述接合步驟後，在所述金屬膜的表面形成無電解鍍膜；以及切斷步驟，在所述無電解電鍍步驟後，在所述邊界切斷所述基礎晶圓、所述蓋晶圓以及所述壓電晶圓。
  8. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的壓電元件的製造方法，其中，在所述接合步驟之後且所述無電解電鍍步驟之前，包括：第2金屬膜形成步驟，在所述基礎晶圓的另一個主面上形成的所述金屬膜的表面，進一步形成所述金屬膜。
  9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的壓電元件的製造方法，其特徵在於，所述金屬膜包含鉻層、形成於所述鉻層的表面的鎳鎢層以及形成於所述鎳鎢層的表面的金層。
  10. 如申請專利範圍第6項或第7項所述的壓電元件的製造方法，其中，所述無電解鍍膜包含鎳層，所述鎳層是通過5 μm/小時~15 μm/小時的成膜速率而形成。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6247006B2 (ja) * 2013-01-23 2017-12-13 セイコーインスツル株式会社 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法
JP6455587B2 (ja) * 2015-02-26 2019-01-23 株式会社大真空 圧電振動デバイス
WO2016158010A1 (ja) * 2015-03-27 2016-10-06 株式会社大真空 圧電振動デバイス
CN106052666B (zh) 2015-04-03 2021-07-02 精工爱普生株式会社 电子器件、电子器件的制造方法、电子设备以及移动体
JP6612150B2 (ja) * 2016-02-25 2019-11-27 京セラ株式会社 水晶振動素子及び水晶振動デバイス
CN107342745A (zh) * 2016-04-28 2017-11-10 京瓷株式会社 压电片、压电振动元件、压电振动装置及压电片的制造方法
JP7206494B2 (ja) * 2019-02-15 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置
CN111585165A (zh) 2019-02-15 2020-08-25 日亚化学工业株式会社 发光装置的制造方法、发光装置、或基部
CN111129304B (zh) * 2019-11-28 2023-06-02 联芸科技(杭州)股份有限公司 Mom电容器、电容阵列结构及其版图设计方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0537271A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd チツプ部品の電極形成方法
JP3374778B2 (ja) 1999-02-25 2003-02-10 株式会社村田製作所 チップ型電子部品
JP2001094378A (ja) * 1999-09-22 2001-04-06 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装容器、圧電装置及び温度補償水晶発振器
JP2004064701A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶振動子
JP2004120016A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Fujitsu Media Device Kk フィルタ装置
JP3864417B2 (ja) * 2003-09-29 2006-12-27 株式会社大真空 電子部品用パッケージ
JP4692722B2 (ja) * 2004-01-29 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電子部品用パッケージおよび電子部品
JP4636018B2 (ja) * 2004-05-12 2011-02-23 株式会社大真空 圧電振動素子用パッケージ及び圧電振動子
JP2006005027A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Epson Toyocom Corp 表面実装型電子デバイス
US7745979B2 (en) * 2005-08-22 2010-06-29 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device
JP4665861B2 (ja) * 2006-07-31 2011-04-06 エプソントヨコム株式会社 表面実装型電子デバイス
JP2010004216A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Seiko Instruments Inc 電子部品およびその電子部品を有する電子回路基板
JP4809410B2 (ja) * 2008-09-29 2011-11-09 日本電波工業株式会社 圧電デバイスとその製造方法
JP2010166018A (ja) * 2008-12-16 2010-07-29 Seiko Instruments Inc 電子部品およびその製造方法
JP5482788B2 (ja) * 2009-04-03 2014-05-07 株式会社大真空 パッケージ部材集合体、パッケージ部材集合体の製造方法、パッケージ部材、およびパッケージ部材を用いた圧電振動デバイスの製造方法
JP2010268439A (ja) * 2009-04-14 2010-11-25 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶振動子
JP4864152B2 (ja) * 2009-07-23 2012-02-01 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶振動子
JP5026574B2 (ja) * 2010-04-27 2012-09-12 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
JP2012034086A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス
JP5657400B2 (ja) * 2011-01-12 2015-01-21 日本電波工業株式会社 水晶デバイス
JP2012217155A (ja) * 2011-03-30 2012-11-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP2013165336A (ja) * 2012-02-09 2013-08-22 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電デバイス

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