JP3374778B2 - チップ型電子部品 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は外装の少なくとも一
部が樹脂成形体で形成され、その表面に外部電極を設け
たチップ型電子部品に関する。
部が樹脂成形体で形成され、その表面に外部電極を設け
たチップ型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、軽薄短小化が進む電子機器におい
て、回路基板の実装密度を高めるため、電子部品には回
路基板に表面実装できるチップ型電子部品が広く使用さ
れている。この種のチップ型電子部品の場合、リフロー
半田付けに対する耐熱性を確保するため、そのパッケー
ジ（外装）として主にセラミックを使用していた。そし
て、パッケージの表面に設けられる外部電極は下地とし
て厚膜銀を高温（約８００℃）で焼付けし、その上にメ
ッキを形成していた。しかし、セラミックパッケージの
場合、材料費が高く、複雑な形状に成形加工しにくいこ
と、薄肉化するにはラップ等の研磨加工が必要で、コス
ト高になること、などの問題があった。さらに、高温焼
付けタイプの厚膜銀の問題点として、専用の焼成炉が必
要になり、生産効率が悪くなるとともに、高温の熱スト
レスに弱い部分を有する電子部品には適用できなかっ
た。
て、回路基板の実装密度を高めるため、電子部品には回
路基板に表面実装できるチップ型電子部品が広く使用さ
れている。この種のチップ型電子部品の場合、リフロー
半田付けに対する耐熱性を確保するため、そのパッケー
ジ（外装）として主にセラミックを使用していた。そし
て、パッケージの表面に設けられる外部電極は下地とし
て厚膜銀を高温（約８００℃）で焼付けし、その上にメ
ッキを形成していた。しかし、セラミックパッケージの
場合、材料費が高く、複雑な形状に成形加工しにくいこ
と、薄肉化するにはラップ等の研磨加工が必要で、コス
ト高になること、などの問題があった。さらに、高温焼
付けタイプの厚膜銀の問題点として、専用の焼成炉が必
要になり、生産効率が悪くなるとともに、高温の熱スト
レスに弱い部分を有する電子部品には適用できなかっ
た。
【０００３】このような問題点を解消するものとして、
外部電極を低温焼付けタイプの導電ペーストの下地電極
と、この下地電極の表面上に形成されたメッキ電極とで
構成したものがある（特開平３−１７５７１１号公
報）。この場合には、下地電極が低温（例えば２００℃
以下）で焼付けされるため、外部電極の形成時の熱スト
レスが小さく、広い用途に使用できる利点がある。
外部電極を低温焼付けタイプの導電ペーストの下地電極
と、この下地電極の表面上に形成されたメッキ電極とで
構成したものがある（特開平３−１７５７１１号公
報）。この場合には、下地電極が低温（例えば２００℃
以下）で焼付けされるため、外部電極の形成時の熱スト
レスが小さく、広い用途に使用できる利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、下地電極とし
て低温焼付けタイプの導電ペーストを用いると、リフロ
ー半田付け時の熱ストレスに耐えられない場合があっ
た。一般に、リフロー半田付け時には約２５０℃の熱が
作用するが、この熱によって下地電極が熱変形を起こ
し、亀裂や剥離が発生する恐れがあるからである。
て低温焼付けタイプの導電ペーストを用いると、リフロ
ー半田付け時の熱ストレスに耐えられない場合があっ
た。一般に、リフロー半田付け時には約２５０℃の熱が
作用するが、この熱によって下地電極が熱変形を起こ
し、亀裂や剥離が発生する恐れがあるからである。
【０００５】そこで、本発明の目的は、上記のような問
題点を解消しうるチップ型電子部品を提供することにあ
る。
題点を解消しうるチップ型電子部品を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、外装の少なくとも一部が
耐熱性樹脂成形体で形成され、その表面に外部電極を設
けたチップ型電子部品であって、上記樹脂成形体は、エ
ーテル基、エステル基、水酸基、カルボニル基、アミド
基、イミド基のうち少なくとも１種以上の極性基を有す
る高分子材料よりなり、上記外部電極は少なくとも２層
以上の多層構造よりなり、上記外部電極の最下層は、樹
脂組成物と金属粒子とにより構成された導電ペーストを
低温焼付けした導電膜であり、上記樹脂組成物には、１
分子内に３官能以上のエポキシ基を有する化合物が含ま
れており、上記外部電極の最上層には半田ぬれ性の良好
な金属メッキが形成されており、上記樹脂成形体を構成
する高分子材料と上記外部電極の最下層に含まれる樹脂
組成物とが水素結合し、上記外部電極の最下層と上記樹
脂成形体とが密着していることを特徴とするチップ型電
子部品を提供する。
め、請求項１に記載の発明は、外装の少なくとも一部が
耐熱性樹脂成形体で形成され、その表面に外部電極を設
けたチップ型電子部品であって、上記樹脂成形体は、エ
ーテル基、エステル基、水酸基、カルボニル基、アミド
基、イミド基のうち少なくとも１種以上の極性基を有す
る高分子材料よりなり、上記外部電極は少なくとも２層
以上の多層構造よりなり、上記外部電極の最下層は、樹
脂組成物と金属粒子とにより構成された導電ペーストを
低温焼付けした導電膜であり、上記樹脂組成物には、１
分子内に３官能以上のエポキシ基を有する化合物が含ま
れており、上記外部電極の最上層には半田ぬれ性の良好
な金属メッキが形成されており、上記樹脂成形体を構成
する高分子材料と上記外部電極の最下層に含まれる樹脂
組成物とが水素結合し、上記外部電極の最下層と上記樹
脂成形体とが密着していることを特徴とするチップ型電
子部品を提供する。
【０００７】従来の低温焼付けタイプの導電ペーストの
場合、そのバインダーとしてＤＧＥＢＡ（ビスフェノー
ルＡジグリシジルエーテル）のような２官能エポキシ樹
脂が圧倒的に使用されている。このような２官能エポキ
シ樹脂は、金属粒子の分散性がよく、導電ペーストとし
ては扱いやすいが、リフロー半田付け時の熱ストレスに
耐えられない。
場合、そのバインダーとしてＤＧＥＢＡ（ビスフェノー
ルＡジグリシジルエーテル）のような２官能エポキシ樹
脂が圧倒的に使用されている。このような２官能エポキ
シ樹脂は、金属粒子の分散性がよく、導電ペーストとし
ては扱いやすいが、リフロー半田付け時の熱ストレスに
耐えられない。
【０００８】一方、バインダーとして３官能以上のエポ
キシ樹脂を用いると、耐熱性が向上するが、外部電極を
形成すべき外装との接着性を確保しにくい。そこで、本
発明では、外部電極の下地層として３官能以上のエポキ
シ樹脂を含む低温焼付けタイプの導電ペーストを用いる
とともに、外装を極性基を有する高分子材料よりなる耐
熱性樹脂成形体で構成することで、リフロー半田付けに
対する耐熱性と、外装と外部電極との密着性とを両立し
たチップ型電子部品を実現したものである。つまり、極
性基を有する高分子材料は外部電極の下地電極に含まれ
るエポキシ樹脂との接着において、水素結合するため、
高い接着力が得られるからである。
キシ樹脂を用いると、耐熱性が向上するが、外部電極を
形成すべき外装との接着性を確保しにくい。そこで、本
発明では、外部電極の下地層として３官能以上のエポキ
シ樹脂を含む低温焼付けタイプの導電ペーストを用いる
とともに、外装を極性基を有する高分子材料よりなる耐
熱性樹脂成形体で構成することで、リフロー半田付けに
対する耐熱性と、外装と外部電極との密着性とを両立し
たチップ型電子部品を実現したものである。つまり、極
性基を有する高分子材料は外部電極の下地電極に含まれ
るエポキシ樹脂との接着において、水素結合するため、
高い接着力が得られるからである。
【０００９】樹脂成形体の材料としては、リフロー温度
以上の耐熱性（例えば熱変形温度が２２０℃以上で融点
が２６０℃以上）を持ち、かつエーテル基、エステル
基、水酸基、カルボニル基、アミド基、イミド基のうち
少なくとも１種類以上の極性基を有する高分子材料でな
ければならない。例えば、エポキシ樹脂、ＬＣＰ（液晶
プラスチック）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケト
ン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＰＡ（ポリフ
タルアミド）などがある。なお、成形方法としては、射
出成形、圧縮成形、トランスファ成形などの公知の成形
方法を用いればよい。
以上の耐熱性（例えば熱変形温度が２２０℃以上で融点
が２６０℃以上）を持ち、かつエーテル基、エステル
基、水酸基、カルボニル基、アミド基、イミド基のうち
少なくとも１種類以上の極性基を有する高分子材料でな
ければならない。例えば、エポキシ樹脂、ＬＣＰ（液晶
プラスチック）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケト
ン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＰＡ（ポリフ
タルアミド）などがある。なお、成形方法としては、射
出成形、圧縮成形、トランスファ成形などの公知の成形
方法を用いればよい。
【００１０】外部電極の下地層を形成する導電ペースト
のバインダーには、耐熱性を付与するために３官能以上
のエポキシ樹脂を含ませる。３官能以上のエポキシ樹脂
としては、例えばＴＧＤＤＭ（テトラグリシジルジアミ
ノジフェニルメタン）、ＴＧＸＤＡ（テトラグリシジル
メタキシレンジアミン）、ＴＧＢＡＣＨ（テトラグリシ
ジル−１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン）、Ｅ
ＰＮ（フェノールノボラックエポキシ樹脂）、ＥＣＮ
（クレゾールノボラックエポキシ樹脂）などがある。
のバインダーには、耐熱性を付与するために３官能以上
のエポキシ樹脂を含ませる。３官能以上のエポキシ樹脂
としては、例えばＴＧＤＤＭ（テトラグリシジルジアミ
ノジフェニルメタン）、ＴＧＸＤＡ（テトラグリシジル
メタキシレンジアミン）、ＴＧＢＡＣＨ（テトラグリシ
ジル−１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン）、Ｅ
ＰＮ（フェノールノボラックエポキシ樹脂）、ＥＣＮ
（クレゾールノボラックエポキシ樹脂）などがある。
【００１１】外部電極の下地層に含まれる金属粒子とし
ては、導電性と化学的安定性のよい金属、例えば銀が望
ましい。これに加えて、銅，ニッケルなどを添加しても
よい。外部電極の下地層と上地の金属メッキとの密着性
を高めるために、請求項２のように、金属粒子の比率を
重量比で６０〜９０％とするのが望ましい。すなわち、
６０％未満では上地のメッキとの密着性が低下し、９０
％を越えると樹脂成形体との密着性が低下するからであ
る。
ては、導電性と化学的安定性のよい金属、例えば銀が望
ましい。これに加えて、銅，ニッケルなどを添加しても
よい。外部電極の下地層と上地の金属メッキとの密着性
を高めるために、請求項２のように、金属粒子の比率を
重量比で６０〜９０％とするのが望ましい。すなわち、
６０％未満では上地のメッキとの密着性が低下し、９０
％を越えると樹脂成形体との密着性が低下するからであ
る。
【００１２】請求項３のように、樹脂成形体と外部電極
との界面において、樹脂成形体の表面を粗化すれば、ア
ンカー効果により外部電極の密着性が一層向上する。表
面粗化する方法としては、化学的あるいは物理的作用で
行なうことが可能であり、例えばサンドブラスト法やバ
レル研磨法などを用いることができる。
との界面において、樹脂成形体の表面を粗化すれば、ア
ンカー効果により外部電極の密着性が一層向上する。表
面粗化する方法としては、化学的あるいは物理的作用で
行なうことが可能であり、例えばサンドブラスト法やバ
レル研磨法などを用いることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１，図２は本発明にかかるチッ
プ型電子部品の一例を示す。この実施例では、表面実装
型の圧電共振子を示したが、チップ抵抗器、チップコン
デンサ、チップ型半導体などであってもよい。
プ型電子部品の一例を示す。この実施例では、表面実装
型の圧電共振子を示したが、チップ抵抗器、チップコン
デンサ、チップ型半導体などであってもよい。
【００１４】この電子部品１は、１枚の分極処理された
セラミック製圧電共振子素子２と、その上下面に接着さ
れた封止基板３，４との積層構造となっている。封止基
板３，４としては、極性基を有する耐熱性樹脂成形体で
形成されており、この実施例ではエポキシ樹脂を射出成
形法により平板状に形成し、さらにサンドブラスト法に
より表面粗化した。なお、封止基板３，４の内面には圧
電共振子素子２との間で振動空間を形成するための凹部
３ａ，４ａが形成され、この凹部３ａ，４ａを取り囲む
周辺部が圧電共振子素子２と接着剤５を介して接着され
ている。電子部品１の両端面には厚み方向に連続するス
ルーホール部１ａ，１ｂが形成され、これらスルーホー
ル部１ａ，１ｂの内面に外部電極６，７が形成されてい
る。
セラミック製圧電共振子素子２と、その上下面に接着さ
れた封止基板３，４との積層構造となっている。封止基
板３，４としては、極性基を有する耐熱性樹脂成形体で
形成されており、この実施例ではエポキシ樹脂を射出成
形法により平板状に形成し、さらにサンドブラスト法に
より表面粗化した。なお、封止基板３，４の内面には圧
電共振子素子２との間で振動空間を形成するための凹部
３ａ，４ａが形成され、この凹部３ａ，４ａを取り囲む
周辺部が圧電共振子素子２と接着剤５を介して接着され
ている。電子部品１の両端面には厚み方向に連続するス
ルーホール部１ａ，１ｂが形成され、これらスルーホー
ル部１ａ，１ｂの内面に外部電極６，７が形成されてい
る。
【００１５】圧電共振子素子２の端面を含む表裏面に
は、薄膜状の内部電極２ａがスパッタリング，蒸着など
によって形成されている。また、封止基板３，４の端面
には外部電極６の下地層６ａが形成されている。なお、
図２には一方の外部電極６のみが示されているが、他方
の外部電極７も同様の構造となっている。下地層６ａ
は、表１に示すような組成を持つ導電ペーストを低温焼
付けした導電膜であり、導電ペーストのバインダー（樹
脂組成物）には１分子内に３官能以上のエポキシ基を有
する化合物（この実施例ではＴＧＤＤＭ）が含まれてい
る。
は、薄膜状の内部電極２ａがスパッタリング，蒸着など
によって形成されている。また、封止基板３，４の端面
には外部電極６の下地層６ａが形成されている。なお、
図２には一方の外部電極６のみが示されているが、他方
の外部電極７も同様の構造となっている。下地層６ａ
は、表１に示すような組成を持つ導電ペーストを低温焼
付けした導電膜であり、導電ペーストのバインダー（樹
脂組成物）には１分子内に３官能以上のエポキシ基を有
する化合物（この実施例ではＴＧＤＤＭ）が含まれてい
る。
【００１６】
【表１】
なお、数字の単位は重量％である。また、ＴＧＤＤＭは
テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、ＤＧＥＢ
ＡはビスフェノールＡジグリシジルエーテルである。
テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、ＤＧＥＢ
ＡはビスフェノールＡジグリシジルエーテルである。
【００１７】なお、本発明の実施例において、バインダ
ーを４官能エポキシ樹脂のみとせず、２官能エポキシ樹
脂を含有したのは、４官能エポキシ樹脂のみでは金属粒
子が分散しにくいからである。また、塗布作業性を良く
するため、例えばエチレングリコールエーテル系の溶剤
を導電ペーストに添加した。
ーを４官能エポキシ樹脂のみとせず、２官能エポキシ樹
脂を含有したのは、４官能エポキシ樹脂のみでは金属粒
子が分散しにくいからである。また、塗布作業性を良く
するため、例えばエチレングリコールエーテル系の溶剤
を導電ペーストに添加した。
【００１８】上記導電ペーストを封止基板３，４の端面
および上下面にスクリーン印刷などによって塗布し、ス
ルーホール部１ａ，１ｂの内面にも導電ペーストを吸引
印刷などによって塗布した。そして、導電ペーストを１
６０℃で１時間加熱処理し、硬化させた。
および上下面にスクリーン印刷などによって塗布し、ス
ルーホール部１ａ，１ｂの内面にも導電ペーストを吸引
印刷などによって塗布した。そして、導電ペーストを１
６０℃で１時間加熱処理し、硬化させた。
【００１９】圧電共振子素子２と封止基板３，４とを積
層した後、下地層６ａおよび内部電極２ａ上には、ニッ
ケルめっきなどの中間層６ｂが連続的に形成され、さら
に中間層６ｂの上に金めっきなどの最上層６ｃが連続的
に形成されて、外部電極６を完成する。具体的には、積
層構造の電子部品１を電解ニッケルめっきによって中間
層６ｂを形成した後、無電解金めっきを行なった。ニッ
ケルめっきの厚みは約２μｍ、金めっきの厚みは約０．
１μｍとした。ニッケルめっきは半田くわれ防止用のバ
リア層としての機能を有し、金めっきは下地のニッケル
の酸化防止と半田ぬれを良くする機能を持つ。
層した後、下地層６ａおよび内部電極２ａ上には、ニッ
ケルめっきなどの中間層６ｂが連続的に形成され、さら
に中間層６ｂの上に金めっきなどの最上層６ｃが連続的
に形成されて、外部電極６を完成する。具体的には、積
層構造の電子部品１を電解ニッケルめっきによって中間
層６ｂを形成した後、無電解金めっきを行なった。ニッ
ケルめっきの厚みは約２μｍ、金めっきの厚みは約０．
１μｍとした。ニッケルめっきは半田くわれ防止用のバ
リア層としての機能を有し、金めっきは下地のニッケル
の酸化防止と半田ぬれを良くする機能を持つ。
【００２０】本発明の効果を以下の条件で確認した結果
を表２に示す。 （１）厚さが約１ｍｍの樹脂基板を用意し、その表面に
導電ペーストをスクリーン印刷法で印刷し硬化させた。 （２）硬化した導電ペースト上に上記実施例と同一条件
で金属めっきを形成した。 （３）表面にフラックスを塗った後、２６０℃の半田槽
に２０秒間浸漬し、予備半田を行なった。 （４）樹脂基板を２ｍｍ角にクロスカットした。 （５）０．６ｍｍφの半田めっき軟銅線を２ｍｍ角のエ
リアにコテで半田付けした。このとき、コテ先温度は約
３１０℃である。 （６）軟銅線を垂直方向に引っ張り、破壊した時の力の
値を記録した。引っ張り速度は２０ｍｍ／ｍｉｎであ
る。
を表２に示す。 （１）厚さが約１ｍｍの樹脂基板を用意し、その表面に
導電ペーストをスクリーン印刷法で印刷し硬化させた。 （２）硬化した導電ペースト上に上記実施例と同一条件
で金属めっきを形成した。 （３）表面にフラックスを塗った後、２６０℃の半田槽
に２０秒間浸漬し、予備半田を行なった。 （４）樹脂基板を２ｍｍ角にクロスカットした。 （５）０．６ｍｍφの半田めっき軟銅線を２ｍｍ角のエ
リアにコテで半田付けした。このとき、コテ先温度は約
３１０℃である。 （６）軟銅線を垂直方向に引っ張り、破壊した時の力の
値を記録した。引っ張り速度は２０ｍｍ／ｍｉｎであ
る。
【００２１】
【表２】
表２において、数字の単位はｋｇｆである。
【００２２】なお、耐熱性樹脂基板の比較例として、非
極性のＳＰＳ（シンジオクタチックポリスチレン）およ
びＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）を同時に試験
した。また、導電ペーストの比較例として、表１に示し
た２官能エポキシ樹脂のみを含有するペーストも同時に
試験した。
極性のＳＰＳ（シンジオクタチックポリスチレン）およ
びＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）を同時に試験
した。また、導電ペーストの比較例として、表１に示し
た２官能エポキシ樹脂のみを含有するペーストも同時に
試験した。
【００２３】表２から明らかなように、有極性の樹脂成
形体と４官能エポキシ樹脂（ＴＧＤＤＭ）を含む導電ペ
ーストとを組み合わせると、剥離強度が３．２ｋｇｆ以
上となり、特に樹脂成形体を表面粗化した場合には４ｋ
ｇｆ以上となった。発明者のこれまでの調査によって、
剥離強度が２ｋｇｆ以上であれば、実使用上問題ないこ
とがわかっている。したがって、耐熱性と密着性に非常
に優れた外部電極が得られたことがわかる。
形体と４官能エポキシ樹脂（ＴＧＤＤＭ）を含む導電ペ
ーストとを組み合わせると、剥離強度が３．２ｋｇｆ以
上となり、特に樹脂成形体を表面粗化した場合には４ｋ
ｇｆ以上となった。発明者のこれまでの調査によって、
剥離強度が２ｋｇｆ以上であれば、実使用上問題ないこ
とがわかっている。したがって、耐熱性と密着性に非常
に優れた外部電極が得られたことがわかる。
【００２４】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。電子部品の内部素子としては、圧電共振子素子に
限らないが、特に圧電共振子素子の場合、熱によって分
極特性が変化してしまう恐れがある。本発明のように低
温焼付けタイプの導電ペーストを用いれば、分極特性を
維持することができるので、品質の安定した電子部品を
得ることができる。また、実施例では圧電共振子素子の
上下面に耐熱性樹脂成形体を接着した積層構造のものを
示したが、電子部品の外装全体が耐熱性樹脂成形体で構
成されたものでもよいし、耐熱性樹脂基板の上に金属キ
ャップを接着した電子部品のように外装の一部分のみが
耐熱性樹脂成形体で構成されたものでもよい。外部電極
を、導電ペーストよりなる下地層と２層の金属めっき層
との３層構造としたが、これに限るものではなく、例え
ば金属メッキを１層または３層以上としてもよい。な
お、実施例のように外装の一部がセラミック材料（圧電
共振子素子）のような耐熱性樹脂成形体以外の材料で構
成される場合には、外部電極の一部に導電ペーストによ
る下地層を含まない部分があってもよい。
ない。電子部品の内部素子としては、圧電共振子素子に
限らないが、特に圧電共振子素子の場合、熱によって分
極特性が変化してしまう恐れがある。本発明のように低
温焼付けタイプの導電ペーストを用いれば、分極特性を
維持することができるので、品質の安定した電子部品を
得ることができる。また、実施例では圧電共振子素子の
上下面に耐熱性樹脂成形体を接着した積層構造のものを
示したが、電子部品の外装全体が耐熱性樹脂成形体で構
成されたものでもよいし、耐熱性樹脂基板の上に金属キ
ャップを接着した電子部品のように外装の一部分のみが
耐熱性樹脂成形体で構成されたものでもよい。外部電極
を、導電ペーストよりなる下地層と２層の金属めっき層
との３層構造としたが、これに限るものではなく、例え
ば金属メッキを１層または３層以上としてもよい。な
お、実施例のように外装の一部がセラミック材料（圧電
共振子素子）のような耐熱性樹脂成形体以外の材料で構
成される場合には、外部電極の一部に導電ペーストによ
る下地層を含まない部分があってもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
チップ型電子部品は次のような作用効果を有する。 （１）外装を耐熱性樹脂成形体で形成することで、セラ
ミックパッケージの問題点を克服することができる。 （２）樹脂成形体を極性基を有する高分子材料で形成す
ることで、外部電極の下地層との密着性を向上させるこ
とができる。 （３）外部電極の下地層として低温焼付けタイプの導電
ペーストを用いることで、下地層の形成時の熱ストレス
を小さくでき、広い用途の電子部品に適用できる。 （４）導電ペーストを構成する樹脂組成物（バインダ
ー）として３官能以上のエポキシ基を有する化合物を含
有することで、リフロー半田付けに耐え得る耐熱性を確
保することができる。 （５）外部電極の最上層に半田ぬれ性の良好な金属メッ
キを形成することで、半田付け性を向上させることがで
きる。
チップ型電子部品は次のような作用効果を有する。 （１）外装を耐熱性樹脂成形体で形成することで、セラ
ミックパッケージの問題点を克服することができる。 （２）樹脂成形体を極性基を有する高分子材料で形成す
ることで、外部電極の下地層との密着性を向上させるこ
とができる。 （３）外部電極の下地層として低温焼付けタイプの導電
ペーストを用いることで、下地層の形成時の熱ストレス
を小さくでき、広い用途の電子部品に適用できる。 （４）導電ペーストを構成する樹脂組成物（バインダ
ー）として３官能以上のエポキシ基を有する化合物を含
有することで、リフロー半田付けに耐え得る耐熱性を確
保することができる。 （５）外部電極の最上層に半田ぬれ性の良好な金属メッ
キを形成することで、半田付け性を向上させることがで
きる。
【図１】本発明にかかるチップ型電子部品の一例の外観
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
１ 電子部品
２ 圧電共振子素子
３ 封止基板（耐熱性樹脂成形体）
６，７ 外部電極
６ａ 下地層（導電膜）
６ｂ ニッケルめっき層
６ｃ 金めっき層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/00 - 23/10
H01L 23/28 - 23/30
H01L 21/56
H01L 23/12
H01L 41/083
H03H 9/02
H03H 9/17
Claims (3)
- 【請求項１】 外装の少なくとも一部が耐熱性樹脂成形
体で形成され、その表面に外部電極を設けたチップ型電
子部品であって、 上記樹脂成形体は、エーテル基、エステル基、水酸基、
カルボニル基、アミド基、イミド基のうち少なくとも１
種以上の極性基を有する高分子材料よりなり、 上記外部電極は少なくとも２層以上の多層構造よりな
り、上記外部電極の 最下層は、樹脂組成物と金属粒子とによ
り構成された導電ペーストを低温焼付けした導電膜であ
り、上記 樹脂組成物には、１分子内に３官能以上のエポキシ
基を有する化合物が含まれており、 上記外部電極の最上層には半田ぬれ性の良好な金属メッ
キが形成されており、 上記樹脂成形体を構成する高分子材料と上記外部電極の
最下層に含まれる樹脂組成物とが水素結合し、上記外部
電極の最下層と上記樹脂成形体とが密着している ことを
特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項２】 上記外部電極の最下層を構成する導電ペ
ーストの金属粒子の比率は、重量比で６０〜９０％であ
ることを特徴とする請求項１に記載のチップ型電子部
品。 - 【請求項３】 上記樹脂成形体と外部電極との界面にお
いて、樹脂成形体の表面が粗化されていることを特徴と
する請求項１または２に記載のチップ型電子部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04760499A JP3374778B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | チップ型電子部品 |
| US09/483,313 US6621011B1 (en) | 1999-02-25 | 2000-01-14 | Electronic chip component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04760499A JP3374778B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | チップ型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252375A JP2000252375A (ja) | 2000-09-14 |
| JP3374778B2 true JP3374778B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=12779854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04760499A Expired - Lifetime JP3374778B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | チップ型電子部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6621011B1 (ja) |
| JP (1) | JP3374778B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US20080224271A1 (en) * | 2004-12-27 | 2008-09-18 | Nec Corporation | Semiconductor Device and Method of Manufacturing Same, Wiring Board and Method of Manufacturing Same, Semiconductor Package, and Electronic Device |
| JP2007234800A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2009100353A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス |
| JP4843012B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2011-12-21 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイスとその製造方法 |
| JP5424825B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2014-02-26 | オリンパス株式会社 | 積層実装構造体 |
| JP2012015824A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 |
| JP5972598B2 (ja) | 2012-02-22 | 2016-08-17 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP5980530B2 (ja) | 2012-03-15 | 2016-08-31 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP6163023B2 (ja) | 2013-06-10 | 2017-07-12 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
| US20150107760A1 (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Carrier and method of manufacturing printed circuit board using the same |
| US10332684B2 (en) * | 2015-07-19 | 2019-06-25 | Vq Research, Inc. | Methods and systems for material cladding of multilayer ceramic capacitors |
| US10431508B2 (en) | 2015-07-19 | 2019-10-01 | Vq Research, Inc. | Methods and systems to improve printed electrical components and for integration in circuits |
| JP2020202220A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| US20220416759A1 (en) * | 2019-09-26 | 2022-12-29 | Daishinku Corporation | Piezoelectric vibration plate, piezoelectric vibration device, and manufacturing method for piezoelectric vibration device |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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