TW201351737A - 壓電振動片及壓電裝置 - Google Patents
壓電振動片及壓電裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201351737A TW201351737A TW102120623A TW102120623A TW201351737A TW 201351737 A TW201351737 A TW 201351737A TW 102120623 A TW102120623 A TW 102120623A TW 102120623 A TW102120623 A TW 102120623A TW 201351737 A TW201351737 A TW 201351737A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- vibrating piece
- axis side
- piezoelectric vibrating
- vibrating
- Prior art date
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 34
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000009432 framing Methods 0.000 abstract 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0595—Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
在本發明中，提供一種抑制了晶體阻抗(CI)的上升的壓電振動片及壓電裝置。壓電振動片(130)包括：振動部(131)，以預定的振動頻率而振動，且在兩主面具有激振電極(134a、134b)，且以預定的厚度而形成；框部(132)，包圍振動部的周圍；及連結部(133)，連結振動部及框部；且振動部的側面的至少一部分是：以振動部的厚度隨著朝向振動部的外周而變薄的方式，而形成為楔狀；且形成從各激振電極分別經由連結部而被引出至框部的引出電極(135a、135b)；一個引出電極是：經由振動部的形成為楔狀的側面，而從一個主面被引出至另一個主面。
Description
本發明是有關於一種形成著框部的壓電振動片及壓電裝置。
已知一種壓電振動片，包括：振動部，以預定的振動頻率而振動；框部，以包圍振動部的方式而形成；及連結部，連結振動部及框部。這種壓電振動片在框部的一個主面及另一個主面上，分別經由接合材料而接合基底板及蓋板，從而形成壓電裝置。在壓電振動片的振動部的兩主面上形成一對激振電極，從各激振電極分別將引出電極引出至框部。
在壓電振動片上形成的一對引出電極是：電性地連接到安裝端子，所述安裝端子形成在與壓電振動片的一個主面接合的基底板。因此，從在壓電振動片的面向蓋板的主面形成的激振電極而引出的引出電極是：被引出至框部的面向基底板的主面。此時，引出電極經由振動部、連結部、或框部的至少一個側面而形成。例如，專利文獻1中揭示了在連結部的側面形成著引出電極的壓電振動片。
[專利文獻1]日本專利特開2012-90081號公報
然而，專利文獻1中存在如下問題：由於引出電極主要經由形
成在連結部等的主面與側面之間的直角的角部、而從主面被引出至側面，因此引出電極斷線或電阻變高，或壓電振動片的晶體阻抗(crystal impedance，CI)上升。
本發明的目的在於提供一種抑制了晶體阻抗(CI)的上升的壓電振動片及壓電裝置。
第1觀點的壓電振動片包括：振動部，以預定的振動頻率而振動，且在兩主面具有激振電極，且以預定的厚度而形成；框部，包圍振動部的周圍；及連結部，連結振動部及框部；且振動部的側面的至少一部分是：以振動部的厚度隨著朝向振動部的外周而變薄的方式，而形成為楔狀；且形成從各激振電極分別經由連結部而引出至框部的引出電極，一個引出電極是：經由振動部的形成為楔狀的側面，而從一個主面被引出至另一個主面。
第2觀點的壓電振動片如第1觀點，其中，形成引出電極的振動部的形成為楔狀的側面是：與連結部鄰接形成。
第3觀點的壓電振動片如第1觀點或第2觀點，其中，一個引出電極是：經由連結部的側面，而從一個主面被引出至另一個主面。
第4觀點的壓電振動片如第1觀點至第3觀點中的任一觀點，其中，一個引出電極是：經由框部的面向振動部的側面，而從一個主面被引出至另一個主面。
第5觀點的壓電振動片如第1觀點至第4觀點中的任一觀點，其中，形成著1根或多根連結部。
第6觀點的壓電裝置包括：第1觀點至第5觀點中記載的壓電振動片、與框部的另一個主面接合的基底板、以及與框部的一個主面接
合且密封振動部的蓋板。
根據本發明的壓電振動片及壓電裝置，可以抑制晶體阻抗(CI)的上升。
100‧‧‧壓電裝置
110‧‧‧蓋板
111‧‧‧凹部
112‧‧‧接合面
120‧‧‧基底板
121‧‧‧凹部
122‧‧‧接合面
123‧‧‧連接電極
124‧‧‧安裝端子
125‧‧‧城堡型結構電極
126‧‧‧城堡型結構
130、230、330‧‧‧壓電振動片
131、231‧‧‧振動部
132‧‧‧框部
133、233、333‧‧‧連結部
134a、134b‧‧‧激振電極
135a、135b、335a、335b‧‧‧引出電極
136、336‧‧‧貫通槽
137a‧‧‧振動部的側面
137b、237b、337b‧‧‧連結部的側面
137c‧‧‧框部的側面
138a‧‧‧台面區域
138b、238b‧‧‧周邊區域
140‧‧‧接合材料
141‧‧‧金屬膜
142‧‧‧光阻層
150‧‧‧空腔
161、162‧‧‧光罩
171‧‧‧劃線
238c‧‧‧連結區域
A-A、B-B、C-C、D-D‧‧‧剖面
S101~S108‧‧‧步驟
T1、T2‧‧‧厚度
X、Y’、Z’‧‧‧軸
W130‧‧‧壓電晶圓
圖1是壓電裝置100的分解立體圖。
圖2是圖1的A-A剖視圖。
圖3(a)是壓電振動片130的俯視圖。
圖3(b)是從+Y'軸側觀察的壓電振動片130的-Y'軸側的面的俯視圖。
圖3(c)是圖3(a)及圖3(b)的B-B剖視圖。
圖4是壓電晶圓W130的俯視圖。
圖5(a)~圖5(d)是表示在壓電晶圓W130上形成壓電振動片130的過程的流程圖。
圖6(a)~圖6(d)是表示在壓電晶圓W130上形成壓電振動片130的過程的流程圖。
圖7(a)是壓電振動片230的俯視圖。
圖7(b)是圖7(a)的D-D剖視圖。
圖8(a)是壓電振動片330的俯視圖。
圖8(b)是從+Y'軸側觀察的壓電振動片330的-Y'軸側的面的俯視圖。
以下，基於圖式詳細地說明本發明的較好的實施方式。另外，
本發明的範圍只要在以下的說明中，不存在特別限定本發明的主旨的記載，並且不限於這些形態。
圖1是壓電裝置100的分解立體圖。壓電裝置100包括：蓋板110、基底板120、及壓電振動片130。壓電振動片130例如使用AT切割(cut)的水晶振動片。AT切割的水晶振動片的主面(YZ面)相對於結晶軸(XYZ)的Y軸，以X軸為中心而從Z軸向Y軸方向傾斜35度15分。在以下的說明中，以AT切割的水晶振動片的軸方向為基準，使用已傾斜的新的軸作為Y'軸及Z'軸。即，在壓電裝置100中，將壓電裝置100的長邊方向作為X軸方向，將壓電裝置100的高度方向作為Y'軸方向，將與X及Y'軸方向垂直的方向作為Z'軸方向而進行說明。
壓電振動片130包括：振動部131，以預定的振動頻率而振動且形成為矩形形狀；框部132，包圍振動部131；及連結部133，連結振動部131及框部132；且在振動部131與框部132之間形成著在Y'軸方向貫通壓電振動片130的貫通槽136。連結部133連結著振動部131的-X軸側的邊的中央、及-X軸側的框部132的側面。在振動部131的+Y'軸側的面及-Y'軸側的面，分別形成著激振電極134a及激振電極134b。從激振電極134a及激振電極134b經由連結部133，分別將引出電極135a及引出電極135b引出至框部132的-Y'軸側的面的-X軸側的+Z'軸側及+X軸側的-Z'軸側。而且，在振動部131形成著：台面區域138a及周邊區域138b，所述台面區域138a形成有激振電極134a及激振電極134b，所述周邊區域138b形成在台面區域138a的周圍，且所述周邊區域138b的Y'軸方向的厚度比台面區域138a更薄。
基底板120在+Y'軸側的面，形成著：向-Y'軸側凹陷的凹部121、包圍凹部121的接合面122、及配置在接合面122的+X軸側的-Z'軸側及-X軸側的+Z'軸側的角部的連接電極123。接合面122經由接合材料140(參照圖2)而與壓電振動片130的框部132的-Y'軸側的面接合。而且，在基底板120的-Y'軸側的面形成著一對安裝端子124。進而，在基底板120的四角的側面形成著城堡型結構(castellation)126，在+X軸側的-Z'軸側及-X軸側的+Z'軸側的城堡型結構126的側面形成著城堡型結構電極125。城堡型結構電極125將連接電極123及安裝端子124電性地連接。而且，在-X軸側的+Z'軸側的角部形成的連接電極123，是電性地連接於在引出至壓電振動片130的-Y'軸側的面的-X軸側的+Z'軸側的角部的引出電極135a；在+X軸側的-Z'軸側的角部形成的連接電極123，是電性地連接於在引出至壓電振動片130的-Y'軸側的面的+X軸側的-Z'軸側的角部的引出電極135b。
蓋板110在-Y'軸側的面，形成著：凹部111、及包圍凹部111的接合面112。接合面112經由接合材料140(參照圖2)而與壓電振動片130的框部132的+Y'軸側的面接合。
圖2是圖1的A-A剖視圖。壓電裝置100是：在壓電振動片130的+Y'軸側配置著蓋板110，在-Y'軸側配置著基底板120。而且，在壓電裝置100的內部，由蓋板110的凹部111及基底板120的凹部121形成著空腔(cavity)150，在空腔150內配置著壓電振動片130的振動部131。空腔150是通過在蓋板110的接合面112與框部132的+Y'軸側的面之間、及基底板120的接合面122與框部132的-Y'軸側的面之間形成接合材料140而被密封。而且，在框部132中形成的引出電極135a及引出電極135b通過電性地連接於形成在基底板120的連接電極123，而使激振電極134a及激振電極134b與安裝端子124電性地連接。
圖3(a)是壓電振動片130的俯視圖。在壓電振動片130的+Y'軸側的面形成著激振電極134a及引出電極135a，激振電極134a形成在振動部131的台面區域138a。引出電極135a從激振電極134a向-X軸方向延伸，且經由連結部133形成至框部132的-X軸側的+Z'軸側。而且，引出電極135a主要經由振動部131的-X軸側的+Z'軸側的側面137a、連結部133的+Z'軸側的側面137b、及框部132的面向振動部131的內側側面的-X軸側的+Z'軸側的側面137c，而被引出至-Y'軸側的面。
圖3(b)是從+Y'軸側觀察的壓電振動片130的-Y'軸側的面的俯視圖。引出電極135b從形成在振動部131的-Y'軸側的面的台面區域138a中的激振電極134b向-X軸方向延伸，進而，經由連結部133而形成至框部132的-Y'軸側的面的+X軸側的-Z'軸側為止。而且，從+Y'軸側的面經由側面137a、137b、137c而被引出的引出電極135a，是被引出至框部132的-Y'軸側的面的-X軸側的+Z'軸側的角部為止。
圖3(c)是圖3(a)及圖3(b)的B-B剖視圖。在振動部131的+Y'軸側的面形成的引出電極135a，是經由側面137a而被引出至振動部131的-Y'軸側的面。而且，在框部132的+Y'軸側形成的引出電極135a，是經由側面137c而被引出至框部132的-Y'軸側的面。在壓電振動片130中，如果將振動部131的周邊區域138b的Y'軸方向的厚度設為厚度T1，將框部132的Y'軸方向的厚度設為厚度T2，那麼厚度T1形成得比厚度T2更薄。而且，振動部131的側面137a的+Y'軸側及-Y'軸側，是以振動部131的厚度隨著朝向振動部131的外周而變薄的方式形成為楔(taper)狀。
圖4是壓電晶圓W130的俯視圖。壓電振動片130是：在由壓
電材料形成的壓電晶圓W130形成多個壓電振動片130的外形，進而通過形成激振電極134a、激振電極134b、引出電極135a、及引出電極135b，而進行製作。在圖4所示的壓電晶圓W130中，在X軸方向及Z'軸方向並列形成多個壓電振動片130。在相互鄰接的壓電振動片130之間表示著劃線(scribe line)171。壓電振動片130是：通過在壓電晶圓W130上形成之後、沿著劃線171切斷壓電晶圓W130，而分割成一個個的壓電振動片130。
圖5(a)~圖5(d)及圖6(a)~圖6(d)是表示在壓電晶圓W130上形成壓電振動片130的過程的流程圖。而且，在圖5(a)~圖5(d)及圖6(a)~圖6(d)中，在流程圖的各步驟的相鄰右側，表示著用以說明各步驟的壓電晶圓W130的部分剖視圖。該部分剖視圖是相當於圖4的C-C剖面的剖視圖。以下，根據圖5(a)~圖5(d)及圖6(a)~圖6(d)的流程圖，對在壓電晶圓W130上形成壓電振動片130的過程進行說明。
在圖5(a)的步驟S101中，準備壓電晶圓W130。圖5(a)是步驟S101中準備的壓電晶圓W130的部分剖視圖。步驟S101中準備的壓電晶圓W130的+Y'軸側的面及-Y'軸側的面是平坦地形成。
在步驟S102中，在壓電晶圓W130的+Y'軸側及-Y'軸側的兩面形成金屬膜141及光阻層(photoresist)142。圖5(b)是形成了金屬膜141及光阻層142的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S102中，首先，在步驟S101中準備的壓電晶圓W130上形成金屬膜141。進而，在金屬膜141的表面形成光阻層142。金屬膜141是：通過在壓電晶圓W130上將預定的金屬進行濺鍍(sputtering)或真空蒸鍍等而形成。金屬膜141例如是：通過在壓電晶圓W130上形成鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦
(Ti)或鎳．鎢(NiW)等膜作為基底，且在基底的上表面成膜了金(Au)或銀(Ag)等而形成。光阻層142是利用旋轉塗佈(spin coating)等方法，而均勻地塗佈在金屬膜141的表面。
在步驟S103中，進行光阻層142的曝光及顯影，且進行金屬膜141的除去。圖5(c)是進行了光阻層142的曝光及顯影，且進行了金屬膜141的除去的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S103中，首先，在壓電晶圓W130的+Y'軸側及-Y'軸側配置光罩(mask)161，對光阻層142進行曝光，且對光阻層142進行顯影。進而，通過蝕刻除去金屬膜141。使用光罩161進行曝光的光阻層142是形成貫通槽136的區域的+Y'軸側及-Y'軸側的面，且除去該區域的光阻層142及金屬膜141。
在步驟S104中，對壓電晶圓W130進行蝕刻而形成貫通槽136。圖5(d)是形成了貫通槽136的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S104中，通過對壓電晶圓W130進行蝕刻，而在壓電晶圓W130上形成了在Y'軸方向進行貫通的貫通槽136。
在圖6(a)的步驟S105中，在壓電晶圓W130形成金屬膜141及光阻層142。圖6(a)是形成了金屬膜141及光阻層142的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S105中，除去了步驟S104中殘留的金屬膜141及光阻層142的全部，且再次在壓電晶圓W130的整體上形成金屬膜141及光阻層142。
在步驟S106中，進行光阻層142的曝光及顯影，且進行金屬膜141的除去。圖6(b)是進行了光阻層142的曝光及顯影、且除去金屬膜141的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S106中，隔著光罩162對形成在振動部131的周邊區域138b及連結部133上的光阻層142進行曝光，且對光阻層142進行顯影。進而，通過蝕刻除去金屬膜141。
在步驟S106中，露出振動部131的周邊區域138b及連結部133。
在步驟S107中，對壓電晶圓W130進行蝕刻。圖6(c)是已被蝕刻的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S107中，通過利用蝕刻使壓電晶圓W130的周邊區域138b的厚度變薄而形成台面區域138a。而且，從Y'軸方向及面向貫通槽136的側面的兩個方向，對周邊區域138b的外周的主面與側面之間的角部進行蝕刻，因此，周邊區域138b的側面的+Y'軸側及-Y'軸側如圖3(c)及圖6(c)所示，形成為楔狀。
在步驟108中，在壓電晶圓W130上形成激振電極及引出電極。圖6(d)是形成著激振電極及引出電極的壓電晶圓W130的部分剖視圖。在步驟S108中，從圖6(c)的壓電晶圓W130除去全部的光阻層142及金屬膜141之後，在壓電晶圓W130形成激振電極134a、激振電極134b、引出電極135a、及引出電極135b。引出電極135a是：經由側面137a跨越+Y'軸側的面及-Y'軸側的面而形成。而且，引出電極135a也形成在連結部133的側面137b及框部132的側面137c。在步驟S108之後，利用劃線171切斷各壓電振動片130，而進行單片化。
在將壓電振動片的引出電極從+Y'軸側的主面引出至-Y'軸側的主面的情況下，有在主面與側面之間的角部等中，引出電極導通不良或電阻增大，且壓電振動片的晶體阻抗(CI)變高的情況。引出電極的導通不良或電阻的增大起因於如下情況：在主面與側面之間的角部的角度接近直角的情況下，難以向該角部形成引出電極，必須更嚴格地控制光阻層的塗佈及曝光條件等；以及，在利用濺鍍等所進行的向側面的電極形成中，電極的材料不易流回至側面，使側面中的膜厚變薄。對此，以壓電振動片130的振動部131的主面與側面之間的角部的角度變為大於90度的方式，將振動部131的側面形成為楔狀。因此，光阻層的塗佈
及曝光條件等的控制變得容易，向角部的引出電極的形成變得容易。而且，電極的材料變得容易流回至形成為楔狀的側面，改善了側面的膜厚變薄。因此，變得難以在引出電極135a中引起導通不良或電阻的增大等，可抑制晶體阻抗(CI)的上升、並且可保持較低的晶體阻抗(CI)。
而且，在壓電振動片130中，從+Y'軸側的面被引出至-Y'軸側的面的引出電極135a是：經由貫通槽136的側面被引出。在引出電極135a形成在貫通槽136的側面時，在引出了引出電極135a的區域的周邊也附著構成電極的金屬膜。亦即，即使想僅在框部132的面向振動部131的內側側面形成引出電極，經由貫通槽136在引出電極的周邊的振動部131也形成金屬膜。這樣一來，形成在振動部131的金屬膜對振動部131的振動產生不良影響。在壓電振動片130中，優選的是，通過在本來對振動產生不良影響的連結部133及其周邊形成引出電極135a，而使在振動部131的一部分中形成引出電極135a的不良影響不易明顯化。
進而，在壓電振動片130中，通過在連結部133的側面137b及框部132的側面137c中也形成引出電極135a、而從+Y'軸側被引出至-Y'軸側的面的引出電極135a的寬度變寬，從而將引出電極135a的電阻抑制地較低，因此而優選。而且，優選的是，在壓電振動片130中，連結部133的側面137b也形成為楔狀，變得難以在引出電極135a中引起導通不良或電阻的增大。
壓電振動片也可以形成為與壓電振動片130不同的外形形狀。以下，作為壓電振動片的變化例，對壓電振動片230及壓電振動片330進行說明。而且，在以下的說明中，關於與第1實施方式相同的部分，附加與第1實施方式相同的編號而省略其說明。
圖7(a)是壓電振動片230的俯視圖。壓電振動片230是由振動部231、框部132、及連結部233而形成。振動部231的平面形狀形成為：在X軸方向長邊延伸，在Z'軸方向短邊延伸的矩形形狀。連結部233連結振動部231的-X軸側的邊的中央、及框部132的-X軸側的內側側面。而且，在振動部231中形成著台面區域138a，在與連結部233連結的部分中形成著連結區域238c，在除此以外的區域中形成著周邊區域238b。連結區域238c形成在振動部231的-X軸側的邊的中央，連結區域238c與台面區域138a未連結。而且，在壓電振動片230上形成著激振電極134a、激振電極134b、引出電極135a、及引出電極135b。引出電極135a主要經由振動部231的-X軸側的+Z'軸側的側面137a、連結部233的-Z'軸側的側面237b、及框部132的面向振動部131的內側側面的-X軸側的+Z'軸側的側面137c，而被引出至-Y'軸側的面。壓電振動片230的-Y'軸側的面的平面形狀與圖3(b)相同。而且，圖7(a)的B-B剖面與圖3(c)相同。
圖7(b)是圖7(a)的D-D剖視圖。在壓電振動片230中，將框部132、連結部233、連結區域238c、及台面區域138a的厚度形成為厚度T2。而且，周邊區域238b的厚度形成為比厚度T2更薄的厚度T1。在壓電振動片230中，通過將連結部233形成為與框部132相同的厚度，及將連結區域238c與連結部233形成為相同的厚度，而將連結部233的機械強度形成得較強，使壓電振動片230相對於跌落等的衝擊變強。
圖8(a)是壓電振動片330的俯視圖。壓電振動片330包括：
振動部131、框部132、及連結部333。連結部333分別與振動部131的-X軸側的邊的+Z'軸側及-Z'軸側連結，且在-X軸方向延伸而與框部132連結。連結部333的厚度形成為與周邊區域138b相同的厚度。而且，在+Y'軸側的面的台面區域138a中形成著激振電極134a，將引出電極335a從激振電極134a引出至-X軸方向。引出電極335a通過+Z'軸側的連結部333，而形成至框部132的-X軸側的+Z'軸側為止。而且，引出電極335a經由側面137a、+Z'軸側的連結部333的+Z'軸側的側面337b、及側面137c，而從+Y'軸側的面被引出至-Y'軸側的面為止。而且，圖8(a)的B-B剖面與圖3(c)相同。
圖8(b)是從+Y'軸側觀察的壓電振動片330的-Y'軸側的面的俯視圖。在振動部131的-Y'軸側的面形成著激振電極134b，引出電極335b從激振電極134b向-X軸方向延伸，該引出電極335b經由-Z'軸側的連結部333而形成至框部132的-Y'軸側的面的+X軸側的-Z'軸側為止。而且，從+Y'軸側的面經由側面137a、337b、137c而將引出電極335a引出至-Y'軸側的面，將引出電極335a引出至框部132的-Y'軸側的面的-X軸側的+Z'軸側的角部為止。
壓電振動片330通過形成著兩根連結部333，而相對於跌落等的衝擊變強。而且，與壓電振動片130相同，通過將引出電極335a經由形成為楔狀的振動部131的側面137a而引出至-Y'軸側，可保持較低的晶體阻抗(CI)。
以上，對本發明的最佳的實施方式詳細地進行了說明，但所屬技術領域中具有通常知識者可知，本發明在其技術性的範圍內，可對實施方式施加各種變更．變形而實施。
例如，在所述實施方式中，表示了在壓電振動片中為AT切割
的水晶振動片的情況，同樣地，即使為以厚度切變模式振動的BT切割的水晶振動片等也可同樣地應用。進而，壓電振動片不僅可應用水晶材料，基本上也可應用包含鉭酸鋰或鈮酸鋰或壓電陶瓷的壓電材料。
130‧‧‧壓電振動片
132‧‧‧框部
135a‧‧‧引出電極
137a‧‧‧振動部的側面
137c‧‧‧框部的側面
138b‧‧‧周邊區域
T1、T2‧‧‧厚度
X、Y’、Z’‧‧‧軸
Claims (6)
- 一種壓電振動片，其特徵在於包括：振動部，以預定的振動頻率而振動，且在兩主面具有激振電極，且以預定的厚度而形成；框部，包圍所述振動部的周圍；以及連結部，連結所述振動部及所述框部；且所述振動部的側面的至少一部分是：以所述振動部的厚度隨著朝向所述振動部的外周變薄的方式，而形成為楔狀；形成從所述各激振電極分別經由所述連結部而引出至所述框部的引出電極；一個所述引出電極是：經由所述振動部的形成為楔狀的側面，而從一個主面被引出至另一個主面。
- 如申請專利範圍第1項所述的壓電振動片，其中，形成所述引出電極的所述振動部的形成為楔狀的側面是：與所述連結部鄰接形成。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的壓電振動片，其中，所述一個引出電極是：經由所述連結部的側面，而從所述一個主面被引出至所述另一個主面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的壓電振動片，其中，所述一個引出電極是：經由所述框部的面向所述振動部的側面，而從所述一個主面被引出至所述另一個主面。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的壓電振動片，其中，形成著1根或多根所述連結部。
- 一種壓電裝置，其特徵在於包括：申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的壓電振動片；基底板，與所述框部的另一個主面接合；以及蓋板，與所述框部的一個主面接合，且密封所述振動部。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012132642A JP6017189B2 (ja) | 2012-06-12 | 2012-06-12 | 圧電振動片及び圧電デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201351737A true TW201351737A (zh) | 2013-12-16 |
Family
ID=49714712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102120623A TW201351737A (zh) | 2012-06-12 | 2013-06-11 | 壓電振動片及壓電裝置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130328449A1 (zh) |
| JP (1) | JP6017189B2 (zh) |
| CN (1) | CN103490742A (zh) |
| TW (1) | TW201351737A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI777743B (zh) * | 2020-08-26 | 2022-09-11 | 日商大真空股份有限公司 | 壓電振動元件 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5806547B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2015-11-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP5756712B2 (ja) * | 2011-08-17 | 2015-07-29 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
| JP2014176071A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片及び圧電デバイス |
| JP6624803B2 (ja) | 2015-04-15 | 2019-12-25 | 日本電波工業株式会社 | Ａｔカット水晶片及び水晶振動子 |
| CN105007056A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-28 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种具有单凸结构的压电石英晶片 |
| CN104993797A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-21 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种新型具有双凸结构的压电石英晶片及其加工工艺 |
| JP6885338B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2021-06-16 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
| JP2017118412A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動片、圧電デバイス、及び圧電振動片の製造方法 |
| JP6555779B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2019-08-07 | 日本電波工業株式会社 | Ａｔカット水晶片及び水晶振動子 |
| JP2017153033A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 株式会社大真空 | 水晶振動板、及び水晶振動デバイス |
| CN112335178B (zh) * | 2018-08-02 | 2024-02-13 | 株式会社村田制作所 | Mems设备 |
| JP7125552B2 (ja) | 2018-10-08 | 2022-08-24 | フージィェン ファフォン ニュー マテリアル カンパニー リミテッド | 雲模様に染織する効果を有する紡ぎ糸調製方法 |
| CN115101660A (zh) | 2022-07-08 | 2022-09-23 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种压电石英传感器的封装方法及压电石英传感器 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4572807B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-11-04 | エプソントヨコム株式会社 | メサ型圧電振動片 |
| WO2008102900A1 (ja) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | パッケージ型圧電振動子及びパッケージ型圧電振動子の製造方法 |
| JP2008252859A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-10-16 | Epson Toyocom Corp | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 |
| JP2008219827A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Epson Toyocom Corp | 圧電振動片、および圧電デバイス |
| JP5129005B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2013-01-23 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動子及び圧電素子の製造方法並びに圧電振動子の製造方法 |
| JP5595218B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-09-24 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電基板の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-12 JP JP2012132642A patent/JP6017189B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-06 CN CN201310223723.3A patent/CN103490742A/zh active Pending
- 2013-06-06 US US13/911,079 patent/US20130328449A1/en not_active Abandoned
- 2013-06-11 TW TW102120623A patent/TW201351737A/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI777743B (zh) * | 2020-08-26 | 2022-09-11 | 日商大真空股份有限公司 | 壓電振動元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013258520A (ja) | 2013-12-26 |
| US20130328449A1 (en) | 2013-12-12 |
| JP6017189B2 (ja) | 2016-10-26 |
| CN103490742A (zh) | 2014-01-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201351737A (zh) | 壓電振動片及壓電裝置 | |
| TWI506950B (zh) | 壓電振動片以及壓電組件 | |
| JP5788728B2 (ja) | 圧電振動片、圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法 | |
| US10523173B2 (en) | Quartz crystal resonator and method for manufacturing the same, and quartz crystal resonator unit and method for manufacturing the same | |
| WO2012115239A1 (ja) | 圧電振動片、圧電振動子、圧電振動片の製造方法、および圧電振動子の製造方法 | |
| JP5991566B1 (ja) | 水晶振動子及びその製造方法並びに水晶振動デバイス | |
| TW201351735A (zh) | 壓電振動片以及壓電裝置 | |
| JP2012195711A (ja) | 水晶振動子 | |
| TWI679844B (zh) | 壓電振動器件 | |
| JP2005217727A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| CN110622416B (zh) | 水晶振动元件和水晶振子以及它们的制造方法 | |
| JP2007158566A (ja) | 圧電振動片および圧電デバイス | |
| CN107534431B (zh) | 水晶振子及其制造方法 | |
| CN107210725B (zh) | 水晶振子以及水晶振动器件 | |
| JP5115598B2 (ja) | Ａｔカット水晶振動片及び水晶デバイス | |
| JP3915117B2 (ja) | 圧電振動デバイス | |
| US10938368B2 (en) | Piezoelectric-resonator-mounting substrate, and piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the piezoelectric resonator unit | |
| JP2010130400A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP2014176071A (ja) | 圧電振動片及び圧電デバイス | |
| JP2013258519A (ja) | 圧電振動片及び圧電デバイス | |
| TW201526538A (zh) | 壓電元件 | |
| JP2013093797A (ja) | 水晶振動デバイス | |
| JP5714375B2 (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
| JP5115544B2 (ja) | 水晶振動片の製造方法 | |
| JP2007124516A (ja) | 圧電振動板 |