CN103296196B - 压电元件以及压电元件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种压电元件以及压电元件的制造方法。压电元件具有：压电振动片，包含激振电极以及从激振电极引出的引出电极；基础板，在一个主面形成有电性连接于引出电极的连接电极，在另一个主面形成有安装端子；以及盖板。在基础板的另一个主面的相向的边上，形成有向一个主面侧凹陷的阶差部与从另一个主面贯穿至一个主面为止的凹陷部(castellation)，在阶差部的一部分与凹陷部上，形成有从安装端子引出至基础板的一个主面的配线电极。配线电极与安装端子包含金属膜以及通过无电解镀敷而形成于该金属膜上的无电解镀敷膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种具有通过无电解镀敷而形成的电极的压电元件(device)以及压电元件的制造方法。
背景技术
已知有一种表面安装型的压电元件，其具备以规定的振动频率而振动的压电振动片。在压电元件的表面，形成有作为电极的安装端子，压电元件经由该安装端子而安装于印刷(print)基板等上。安装端子是形成于压电元件的表面，因此有时会因由焊料引起的加热等而导致安装端子发生剥离，或者安装端子受到损伤。因此，于压电元件中，在安装端子上通过镀敷等而形成厚膜，以确保导通。而且，通过镀敷形成的厚膜也作为防止由焊料引起的安装端子的金属被吸收的阻挡(barrier)层而形成。
例如，在专利文献1中记载有：安装端子是由导电性膏(paste)以及形成在导电性膏的表面的镀敷层所形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2000-252375号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，由于镀敷层形成得较厚，因此有时镀敷层会对压电元件施加应力。对压电元件施加的应力会使压电元件发生变形，从而造成镀敷层或包含镀敷层的安装端子发生剥离的问题。此种剥离在如下的压电元件的制造方法中尤其会发生，即，在晶片(wafer)上形成多个压电元件，并通过切断晶片而形成各个压电元件。这是因为，在晶片的切断时，对压电元件施加的应力会发生变化，因此压电元件的变形将变大。
本发明的目的在于提供一种防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离的压电元件以及压电元件的制造方法。
解决课题的手段
第1观点的压电元件是一种表面安装型压电元件，其包括：压电振动片，包含振动部以及引出电极，所述振动部形成有一对激振电极且以规定的振动频率而振动，所述引出电极是从一对激振电极引出；矩形形状的基础(base)板，在一个主面形成有电性连接于引出电极的一对连接电极，在另一个主面上形成有安装压电元件的一对安装端子；以及盖(1id)板，密封振动部。在基础板的另一个主面的相向的至少一对边上，形成有向一个主面侧凹陷的阶差部与从另一个主面贯穿至一个主面为止的凹陷部(castellation)，在阶差部的一部分与凹陷部(castellation)上，形成有从安装端子引出至基础板的一个主面的配线电极，配线电极与安装端子包含金属膜及无电解镀敷膜，所述金属膜是通过溅镀或真空蒸镀而形成，所述无电解镀敷膜是在所述金属膜上通过无电解镀敷而形成。
第2观点的压电元件是在第1观点中，安装端子的金属膜是双重地形成，且在其表面形成有无电解镀敷膜。
第3观点的压电元件是在第1观点以及第2观点中，连接电极仅由金属膜形成。
第4观点的压电元件是在第1观点至第3观点中，压电振动片包含振动部、包围振动部的框部以及连结振动部与框部的连结部，基础板与盖板是夹着框部而接合。
第5观点的压电元件是在第1观点至第4观点中，无电解镀敷膜包含镍层，镍层的膜厚为1μm～3μm。
第6观点的压电元件的制造方法是一种表面安装型压电元件的制造方法，其包括如下工序：准备多个压电振动片；准备基础晶片(base wafer)，所述基础晶片具有矩形形状的多个基础板；凹部、贯穿孔形成工序，形成凹部与贯穿孔，所述凹部是在基础晶片的以彼此邻接的方式配置的基础板的边界的至少一部分，向基础晶片的一个主面侧凹陷，贯穿孔是与凹部相接，且在边界的至少一部分，从基础晶片的一个主面贯穿至另一个主面；第1金属膜形成工序，在基础晶片的形成凹部、贯穿孔以及安装压电元件的安装端子的区域，形成通过溅镀或真空蒸镀而形成的金属膜；载置工序，在基础晶片的一个主面载置多个压电振动片；准备具有多个盖板的盖晶片；接合工序，将盖晶片的一个主面以密封振动部的方式而接合于基础晶片的另一个主面；无电解镀敷工序，在接合工序后，在金属膜的表面形成无电解镀敷膜；以及切断工序，在无电解镀敷工序后，在边界切断基础晶片以及盖晶片。
第7观点的压电元件的制造方法是一种表面安装型压电元件的制造方法，其包括如下工序：准备压电晶片，压电晶片具有多个压电振动片，所述多个压电振动片包含以规定的振动频率而振动的振动部、包围振动部的框部以及连结振动部与框部的连结部；准备基础晶片，所述基础晶片具有矩形形状的多个基础板；凹部、贯穿孔形成工序，形成凹部与贯穿孔，所述凹部是在基础晶片的以彼此邻接的方式配置的基础板的边界的至少一部分，向基础晶片的一个主面侧凹陷，所述贯穿孔是与凹部相接，且在边界的至少一部分，从基础晶片的一个主面贯穿至另一个主面；第1金属膜形成工序，在基础晶片的形成凹部、贯穿孔以及安装压电元件的安装端子的区域，形成通过溅镀或真空蒸镀而形成的金属膜；载置工序，以在各基础板的一个主面分别载置压电振动片的方式，将基础晶片与压电晶片予以接合；准备具有多个盖板的盖晶片；接合工序，将盖晶片的一个主面以密封振动部的方式而接合于压电晶片；无电解镀敷工序，在接合工序后，在金属膜的表面形成无电解镀敷膜；以及切断工序，在无电解镀敷工序后，在边界切断基础晶片、盖晶片以及压电晶片。
第8观点的压电元件的制造方法是在第6观点以及第7观点中，在接合工序之后且无电解镀敷工序之前，包括：第2金属膜形成工序，在基础晶片的另一个主面上形成的金属膜的表面，进一步形成金属膜。
第9观点的压电元件的制造方法是在第6观点至第8观点中，金属膜包含铬层、形成于铬层的表面的镍钨层以及形成于镍钨层的表面的金层。
第10观点的压电元件的制造方法是在第6观点至第8观点中，金属膜包含铬层、形成于铬层的表面的铂层以及形成于铂层的表面的金层。
第11观点的压电元件的制造方法是在第6观点至第10观点中，无电解镀敷膜包含镍层，镍层是通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率而形成。
第12观点的压电元件的制造方法是在第11观点中，无电解镀敷膜的镍层的膜厚是形成为1μm～3μm。
发明的效果
根据本发明的压电元件以及压电元件的制造方法，能够防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离。
附图说明
图1是压电元件100的分解立体图。
图2(a)是图1的A-A剖面图。图2(b)是图2(a)的虚线161的放大图。
图3(a)是基础板120的-Y′轴侧的面的平面图。图3(b)是图3(a)的B-B剖面图。
图4是表示压电元件100的制造方法的流程图。
图5(a)是基础晶片(base wafer)W120的+Y′轴侧的面的平面图。图5(b)是基础晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。
图6是盖晶片(lid wafer)W110的+Y′轴侧的面的平面图。
图7(a)是载置有压电振动片130的基础晶片W120的局部剖面图。图7(b)是盖晶片W110、压电振动片130以及基础晶片W120的局部剖面图。图7(c)是形成有无电解镀敷膜153的盖晶片W110、压电振动片130以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W120的局部剖面图。
图8是表示无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的厚度TN与无电解镀敷膜153的剥离率之间的关系的图表。
图9(a)是基础板120a的-Y′轴侧的平面图。图9(b)是形成有多个基础板120a的基础晶片W120a的-Y′轴侧的面的平面图。
图10是压电元件200的分解立体图。
图11(a)是图10的C-C剖面图。图11(b)是图11(a)的虚线162的放大图。
图12是表示压电元件200的制造方法的流程图。
图13是压电晶片(piezoelectric wafer)W230的平面图。
图14(a)是压电晶片W230、盖晶片W110以及基础晶片W220的局部剖面图。图14(b)是压电晶片W230、盖晶片W110以及形成有第2金属膜152的基础晶片W220的局部剖面图。图14(c)是压电晶片W230、盖晶片W110以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W220的局部剖面图。
附图标记：
100、200：压电元件
101：空腔
110：盖板
111：凹部
112：接合面
120、120a、220：基础板
121：凹部
122：接合面
123、223：连接电极
124、124a、224：安装端子
125、125a、225：配线电极
126、126a：凹陷部(castellation)
127、127a：阶差部
129：侧面
130、230：压电振动片
131、231：激振电极
132、232：引出电极
134、234：振动部
141：导电性粘结剂
142：密封材
151：第1金属膜
151a、152a、153a：第1层
151b、152b、153b：第2层
151c、152c：第3层
152：第2金属膜
153：无电解镀敷膜
161、162：虚线
171：划线
172、172a：贯穿孔
173、173a：凹部
200：压电元件
235：框部
236：连结部
237：贯穿槽
TN：厚度
W110：盖晶片(lid wafer)
W120、W120a、W220：基础晶片(base wafer)
W230：压电晶片(piezoelectric wafer)
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的较佳实施方式。另外，只要在以下的说明中并无特别限定本发明的记载，则本发明的范围并不限于这些实施方式。
第1实施方式
压电元件100的结构
图1是压电元件100的分解立体图。压电元件100包括盖板110、基础板120及压电振动片130。对于压电振动片130，例如使用AT切割的晶体振动片。AT切割的晶体振动片中，主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心而从Z轴朝Y轴方向倾斜35度15分。在以下的说明中，使用以AT切割的晶体振动片的轴方向为基准而倾斜的新的轴来作为Y′轴以及Z′轴。即，在压电元件100中，将压电元件100的长边方向设为X轴方向、将压电元件100的高度方向设为Y′轴方向、将与X以及Y′轴方向垂直的方向设为Z′轴方向来进行说明。
压电振动片130具有：振动部134，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；激振电极131，形成在振动部134的+Y′轴侧以及-Y′轴侧的面上；以及引出电极132，从各激振电极131引出至-X轴侧。从形成在振动部134的+Y′轴侧的面上的激振电极131引出的引出电极132是从激振电极131引出至-X轴侧，进而经由振动部134的+Z′轴侧的侧面而引出至振动部134的-Y′轴侧的面为止。从形成在振动部134的-Y′轴侧的面上的激振电极131引出的引出电极132是从激振电极131引出至-X轴侧，并形成至振动部134的-X轴侧的-Z′轴侧的角部为止。
基础板120是以晶体或玻璃等作为基材，在该基材的表面形成电极。在基础板120上，在+Y′轴侧的面的周围，形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图2(a)、图2(b))而接合于盖板110。而且，在基础板120的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y′轴方向凹陷的凹部121。在凹部121上形成有一对连接电极123，各连接电极123经由导电性粘结剂141(参照图2(a)、图2(b))而电性连接于压电振动片130的引出电极132。在基础板120的-Y′轴侧的面上，形成有安装端子124，该安装端子124用于将压电元件100安装至印刷基板等。而且，在基础板120的侧面的四角，形成有向基础板120的内侧凹陷的凹陷部(castellation)126，在凹陷部(castellation)126的侧面形成有配线电极125。安装端子124经由配线电极125而电性连接于连接电极123。
盖板110在-Y′轴侧的面上形成有向+Y′轴方向凹陷的凹部111。而且，以包围凹部111的方式而形成有接合面112。接合面112经由密封材142(参照图2(a)、图2(b))而接合于基础板120的接合面122。
图2(a)是图1的A-A剖面图。基础板120的接合面122与盖板110的接合面112经由密封材142而接合，由此在压电元件100内形成密闭的空腔(cavity)101。压电振动片130是配置在空腔101内，引出电极132经由导电性粘结剂141而电性连接于基础板120的连接电极123。由此，激振电极131电性连接于安装端子124。而且，安装端子124是由第1金属膜151及无电解镀敷膜153形成，所述第1金属膜151形成在基础板120的基材的-Y′轴侧的面的表面，所述无电解镀敷膜153形成在第1金属膜151的表面。
图2(b)是图2(a)的虚线161的放大图。图2(b)中示出安装端子124的放大剖面图。第1金属膜151是由第1层151a、第2层151b以及第3层151c这3个层形成。第1层151a是形成在基础板120的基材的表面的层，且由铬(Cr)形成。铬(Cr)被用作第1层151a的原材料，该第1层151a用于良好地密接于基础板120的基材即晶体以及玻璃等。而且，形成在金属膜151的表面的第3层151c是由金(Au)形成。铬(Cr)虽能良好地密接于晶体以及玻璃等，但并不溶于焊料等，因此第1金属膜151的表面是由良好地溶于焊料等的金(Au)所覆盖。进而，第1金属膜151中，在第1层151a与第3层151c之间形成第2层151b。构成第1层151a的铬(Cr)在制造工序中施加有热等时会扩散至其他层，从而铬(Cr)与基础板120的密接变弱。而且，当铬(Cr)扩散至第1金属膜151的表面时，铬(Cr)会发生氧化而无电解镀敷膜153等的成膜变得困难。为了防止此种铬(Cr)的扩散而设有第2层151b，以防止铬(Cr)扩散至金(Au)层。
第2层151b例如能够由镍钨(Ni-W)所形成。而且，第2层151b也可由铂(platinum、Pt)形成。例如，当使用铂(Pt)时，将第1层151a形成为将第2层151b形成为将第3层151c形成为包含无电解镀敷膜153的电极比起不含无电解镀敷膜153的电极，更容易因无电解镀敷膜153产生的应力而导致基础板120发生变形，因此容易剥离。在第1金属膜151中，通过设置第2层151b而防止铬(Cr)的扩散，从而第1金属膜151与基础板120的基材的密接得以牢固地保持。因此，能够防止第1金属膜151的剥离。
无电解镀敷膜153是由第1层153a及第2层153b所形成，所述第1层153a形成在第1金属膜151的表面，第2层153b形成在第1层153a的表面。第1层153a为镍(Ni)的层，其厚度TN形成为1μm～3μm。而且，为了确实地进行安装端子124与焊料等的连接，通过金(Au)而在第1层153a的表面形成第2层153b。
图3(a)是基础板120的-Y′轴侧的面的平面图。在基础板120的四角的侧面，形成有凹陷部(castellation)126。而且，在基础板120的-Y′轴侧的+X轴侧以及-X轴侧的边上，形成有向+Y′轴侧凹陷的阶差部127。在阶差部127上，形成有与凹陷部(castellation)126相同的配线电极125。
图3(b)是图3(a)的B-B剖面图。在基础板120的阶差部127形成有配线电极125，配线电极125电性连接于安装端子124。而且，在阶差部127相接而无凹陷部(castellation)126的基础板120的+X轴侧以及-X轴侧的侧面129，并未形成第1金属膜151以及无电解镀敷膜153。
压电元件100的制造方法
图4是示出压电元件100的制造方法的流程图。以下，按照图4的流程图，对压电元件100的制造方法进行说明。
步骤S101中，准备多个压电振动片130。步骤S101是准备压电振动片的工序。步骤S101中，首先在由压电材形成的压电晶片上，通过蚀刻(etching)而形成多个压电振动片130的外形。进而，在各压电振动片130上，通过溅镀或真空蒸镀等而形成激振电极131以及引出电极132。多个压电振动片130是通过从压电晶片折取压电振动片130而准备。
步骤S201中，准备基础晶片W120。步骤S201是准备基础晶片的工序。在基础晶片W120上形成多个基础板120。在步骤S201中准备的基础晶片W120为平板状，以晶体或玻璃等作为基材。
步骤S202中，在基础晶片W120上形成凹部121、切断基础晶片W120而成为凹陷部(castellation)126的贯穿孔172(参照图5(a))、以及切断基础晶片W120而成为阶差部127的凹部173(参照图5(b))。步骤S202是凹部、贯穿孔形成工序。
步骤S203中，在基础晶片W120上形成第1金属膜151。步骤S203是第1金属膜形成工序。形成在基础晶片W120上的第1金属膜151例如图2(b)所示，由构成第1层151a的铬(Cr)、构成第2层151b的镍钨(Ni-W)以及构成第3层151c的金(Au)所形成。这些层是通过溅镀或真空蒸镀而形成。步骤S202中，通过形成第1金属膜151，从而在各基础板120上形成连接电极123、配线电极125的一部分以及安装端子124的一部分。
图5(a)是基础晶片W120的+Y′轴侧的面的平面图。在图5(a)所示的基础晶片W120上，示出了由第1金属膜151所形成的连接电极123。在基础晶片W120上形成有多个基础板120，各基础板120是沿X轴方向以及Z′轴方向排列地形成。而且，图5(a)中，在彼此邻接的基础板120的边界处示出有划线(scribe line)171。划线171是表示在后述的步骤S404中切断晶片的位置的线。在沿X轴方向延伸的划线171与沿Z′轴方向延伸的划线171交叉的位置，形成有沿Y′轴方向贯穿基础晶片W120的贯穿孔172。贯穿孔172在后述的步骤S404中切断晶片之后成为凹陷部(castellation)126。而且，在各基础板120的+Y′轴侧的面上形成有凹部121，在各基础板120的+Y′轴侧的面上形成有连接电极123。
图5(b)是基础晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。在图5(b)所示的基础晶片W120上，示出有凹部173，该凹部173是以包含贯穿孔172以及沿X轴方向延伸的划线171的方式，而沿着Z′轴方向延伸的凹陷。而且，图5(b)中示出第1金属膜151，该第1金属膜151成为安装端子124的一部分，且形成在凹部173中而成为配线电极125的一部分。在贯穿孔172以及凹部173内，形成作为配线电极125的一部分的第1金属膜151，该形成配线电极125的第1金属膜151电性连接于连接电极123。
返回图4，在步骤S301中，准备盖晶片W110。步骤S301是准备盖晶片W110的工序。在盖晶片W110上形成多个盖板110。在各盖板110的-Y′轴侧的面上形成凹部111。
图6是盖晶片W110的+Y′轴侧的面的平面图。在盖晶片W110上形成多个盖板110，在各盖板110的-Y′轴侧的面上形成凹部111以及接合面112。图6中，邻接的各盖板110之间以两点链线所示，该两点链线成为划线171。
步骤S401中，在基础晶片W120上载置压电振动片130。步骤S401为载置工序。压电振动片130通过导电性粘结剂141而载置于基础晶片W120的各凹部121。
图7(a)是载置有压电振动片130的基础晶片W120的局部剖面图。图7(a)中，示出了包含与图5(a)以及图5(b)的C-C剖面相当的剖面的剖面图。通过经由导电性粘结剂141来电性连接引出电极132与连接电极123，从而将压电振动片130载置于基础晶片W120的凹部121。而且，由此，激振电极131与形成在基础晶片W120的-Y′轴侧的面上的第1金属膜151电性连接。
步骤S402中，将基础晶片W120与盖晶片W110予以接合。步骤S402为接合工序。基础晶片W120与盖晶片W110是以如下方式而接合，即，在基础晶片W120的接合面122或盖晶片W110的接合面112上涂布密封材142(参照图2(a)、图2(b))之后，使基础晶片W120的接合面122与盖晶片W110的接合面112夹着密封材142而彼此相对。
图7(b)是盖晶片W110、压电振动片130以及基础晶片W120的局部剖面图。图7(b)中，示出了包含与图5(a)、图5(b)以及图6的C-C剖面相当的剖面的剖面图。通过经由密封材142来接合盖晶片W110与基础晶片W120，从而形成密封的空腔101。在空腔101内载置压电振动片130。
步骤S403中，形成无电解镀敷膜153。步骤S403为无电解镀敷工序。步骤S403中，在第1金属膜151的表面形成无电解镀敷膜153，该第1金属膜151形成在基础晶片W120的-Y′轴侧的面、凹部173以及贯穿孔172内。
图7(c)是压电振动片130、盖晶片W110以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W120的局部剖面图。在图7(c)中，示出了与图7(b)同样的剖面的剖面图。无电解镀敷膜153的形成是首先如图2(b)所示，通过无电解镀敷而在第1金属膜151的表面形成镍(Ni)的厚膜，以形成第1层153a。进而，在第1层153a的表面进行金(Au)的无电解镀敷，从而形成第2层153b。
图8是表示无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的厚度TN与无电解镀敷膜153的剥离率之间的关系的图表。在图8中，示出了以6.9μm/小时、12.2μm/小时以及19.0μm/小时这3种速度来形成无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的结果。图表中的涂黑的四角表示形成速度为6.9μm/小时的情况，涂黑的三角形表示12.2μm/小时的情况，涂黑的圆形表示19.0μm/小时的情况。形成速度例如能够通过温度条件来调节。在形成速度为6.9μm/小时的情况下，将温度设为45℃～55℃，在形成速度为12.2μm/小时的情况下，将温度设为60℃～70℃，在形成速度为19.0μm/小时的情况下，将温度设为70℃～80℃。而且，剥离率是通过进行划痕测试(scratch test)以及胶带剥离测试而求出，所述划痕测试是以金属针或金刚石(diamond)针划过金属膜的表面，以确认金属膜是否剥离，所述胶带剥离测试是将胶带贴附于金属膜之后将其撕去，以确认金属膜是否剥离。图8的剥离率是金属膜发生剥离的个体数相对于测试对象的个体数的比例。
在形成速度为6.9μm/小时以及12.2μm/小时的情况下，当镍层的厚度TN为0.1μm～1μm时，剥离率微小。考虑其原因在于，当镍层的厚度TN薄时，镍层未完全固定于金属膜的表面。而且，在形成速度为6.9μm/小时的情况下，在厚度TN为1μm～3.5μm之间，剥离率为0％，当厚度TN达到3.5μm以上时，剥离率上升。在形成速度为12.2μm/小时的情况下，在厚度TN为1μm～3μm之间，剥离率为0％，当厚度TN达到3μm以上时，剥离率上升。在形成速度为19.0μm/小时的情况下，当镍层的厚度TN为0.1μm～1μm时，剥离率微小。当厚度TN为1μm时，剥离率达到最低值，当厚度TN为1μm以上时，随着厚度TN变厚而剥离率变高。
根据图8的图表可知的是，当镍层的形成速度为6.9μm/小时至12.2μm/小时且镍层的厚度TN为1.0μm～3.0μm时，剥离率为0％，因而较佳。而且，由此可认为：若镍层的形成速度为5μm/小时至15μm/小时，则至少剥离率达到0％或接近0％的值，因而较佳。
返回图4，步骤S404中，切断盖晶片W110以及基础晶片W120。盖晶片W110以及基础晶片W120于划线171处通过切割(dicing)等而切断。步骤S404为切断工序。
在形成有无电解镀敷膜的晶片中，会产生与该无电解镀敷膜的长度相应的应力。例如，有时会如图5(b)所示的基础晶片W120般，第1金属膜151沿X轴方向连续地形成得较长。进而，若在该第1金属膜151的表面形成有无电解镀敷膜153，则会因无电解镀敷膜153沿X轴方向形成得较长而对X轴方向施加与无电解镀敷膜153的X轴方向的长度相应的应力，从而基础晶片W120的-Y′轴侧的面将以凹陷的方式而翘曲。而且，该应力会因在步骤S404中切断晶片而发生变化，从而使压电元件产生变形。形成在压电元件上的安装端子有时会因该变形而发生剥离。压电元件100中，以遮挡沿X轴方向形成得较长的无电解镀敷膜153的方式，而形成沿Z′轴方向延伸的凹部173。因此，在基础晶片W120的X轴方向上产生的应力得到分散而变小，即使在步骤S404中切断晶片，压电元件100产生的变形仍较小。因此，在压电元件100中，能够防止在晶片切断后因无电解镀敷膜153的应力引起的安装端子的剥离。
而且，压电元件100中，将无电解镀敷膜153的镍层的形成速度设为5μm/小时～15μm/小时，将镍层的厚度TN设为1μm～3μm，由此降低无电解镀敷膜153的剥离率。
基础板120的变形例
图9(a)是基础板120a的-Y′轴侧的平面图。基础板120a是基础板120的变形例。基础板120a在侧面的角上形成有凹陷部(castellation)126a，而且，以包围-Y′轴侧的面的外周的方式而形成有阶差部127a。阶差部127a如图3(b)所示，向+Y′轴侧凹陷地形成。在基础板120a的-Y′轴侧的面上形成有安装端子124a，在凹陷部(castellation)126a的侧面以及阶差部127a形成有配线电极125a。
图9(b)是形成有多个基础板120a的基础晶片W120a的-Y′轴侧的面的平面图。在图9(b)中示出了图4的步骤403之后的基础晶片W120a。在基础晶片W120a中，在沿X轴方向延伸的划线171与沿Z′轴方向延伸的划线171的交点处形成有贯穿孔172a。而且，沿着沿X轴方向延伸的划线171与沿Z′轴方向延伸的划线171，形成有向+Y′轴侧凹陷的凹部173a。即，凹部173a是以包围各基础板120a的周围的方式而形成。而且，形成在基础晶片W120a的-Y′轴侧的面上的无电解镀敷膜153是以沿Z′轴方向连续地延伸的方式而形成。
形成在基础晶片W120a上的无电解镀敷膜153是与基础晶片W120同样地在X轴方向上具备宽度而形成，并且以沿Z′轴方向延伸得较长的方式而形成。因此，对于基础晶片W120a，不仅在X轴方向上，而且在Z′轴方向上也容易施加强应力。但是，基础晶片W120a中，沿着划线171而形成凹部173a，由此，因无电解镀敷膜153产生的应力得到分散而缓和。因此，不会对基础晶片W120a施加强应力，在基础晶片W120a的切断后，压电元件不会产生大的变形。由此，能够防止因无电解镀敷膜153的应力引起的安装端子的剥离。而且，划线171重合于凹部173a，因此晶片的切断部分变薄，因而晶片的切断变得容易。
第2实施方式
对于压电振动片，也可使用以包围振动部的周围的方式而形成有框部的压电振动片。以下，对使用具有框部的压电振动片的压电元件200进行说明。
而且，在以下的说明中，对于与第1实施方式相同的部分标注相同的符号并省略其说明。
压电元件200的结构
图10是压电元件200的分解立体图。压电元件200包括盖板110、基础板220及压电振动片230。压电元件200中，与第1实施方式同样地，对于压电振动片230使用AT切割的晶体振动片。
压电振动片230具有：振动部234，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；框部235，以包围振动部234的周围的方式而形成；以及连结部236，连结振动部234与框部235。在振动部234与框部235之间，形成有沿Y′轴方向贯穿压电振动片230的贯穿槽237，振动部234与框部235不直接接触。振动部234与框部235经由连结部236而连结，该连结部236连结至振动部234的-X轴侧的+Z′轴侧及-Z′轴侧。而且，在振动部234的+Y′轴侧的面以及-Y′轴侧的面上形成有激振电极231，引出电极232分别从各激振电极231引出至框部235为止。从形成在振动部234的+Y′轴侧的面上的激振电极231引出的引出电极232经由+Z′轴侧的连结部236而引出至框部235的-X轴侧，进而引出至框部235的-Y′轴侧的面的+X轴侧的+Z′轴侧的角为止。从形成在振动部234的-Y′轴侧的面上的激振电极231引出的引出电极232经由-Z′轴侧的连结部236而引出至框部235的-X轴侧，并引出至框部235的-Y′轴侧的面的-X轴侧的-Z′轴侧的角为止。
在基础板220上，在+Y′轴侧的面的周围，形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图11(a)、图11(b))而接合于盖板110。而且，在基础板220的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y′轴方向凹陷的凹部121。在基础板220的-Y′轴侧的面上形成有安装端子224，在基础板220的侧面的角处形成有凹陷部(castellation)126。而且，在基础板220的接合面122的凹陷部(castellation)126的周围，形成有连接电极223。连接电极223经由形成在凹陷部(castellation)126上的配线电极225而电性连接于安装端子224。
图11(a)是图10的D-D剖面图。压电元件200中，盖板110的接合面112与框部235的+Y′轴侧的面经由密封材142而接合，基础板220的接合面122与框部235的-Y′轴侧的面经由密封材142而接合。而且，在压电振动片230与基础板220的接合时，引出电极232与连接电极223电性接合。由此，激振电极231电性连接于安装端子224。而且，与图3(a)以及图3(b)所示的基础板120同样地，在基础板220的-Y′轴侧的面的+X轴侧以及-X轴侧的边上形成有阶差部127，在阶差部127形成有配线电极225。安装端子224以及配线电极225是由第1金属膜151、第2金属膜152以及无电解镀敷膜153而形成。
图11(b)是图11(a)的虚线162的放大图。图11(b)中示出了安装端子224的放大剖面图。第1金属膜151是由第1层151a、第2层151b以及第3层151c这3个层形成。如图2(b)中所说明的，第1层151a是由铬(Cr)所形成，第2层151b是由镍钨(Ni-W)或铂(Pt)等所形成，第3层151c是由金(Au)所形成。
第2金属膜152是由第1层152a、第2层152b及第3层152c所形成，所述第1层152a形成在第1金属膜151的表面，所述第2层152b形成在第1层152a的表面，所述第3层152c形成在第2层152b的表面。第1层152a、第2层152b以及第3层152c是分别由与第1金属膜151的第1层151a、第2层151b以及第3层151c相同的结构所形成。即，第2金属膜152是由与第1金属膜151相同的结构所形成。
无电解镀敷膜153是由第1层153a及第2层153b所形成，所述第1层153a形成在第2金属膜152的表面，所述第2层153b形成在第1层153a的表面。第1层153a为镍(Ni)的层，其厚度TN形成为1μm～3μm。而且，为了确实地进行安装端子224与焊料等的连接，在第1层153a的表面，通过金(Au)而形成第2层153b。
压电元件200的制造方法
图12是示出压电元件200的制造方法的流程图。以下，按照图12的流程图，对压电元件200的制造方法进行说明。
步骤S501中，准备压电晶片W230。在压电晶片W230上，形成有多个压电振动片230。步骤S501为准备压电晶片的工序。
图13是压电晶片W230的平面图。在压电晶片W230上形成有多个压电振动片230。图13中，在彼此邻接的压电振动片230的边界处示出有划线171。在压电晶片W230上，通过蚀刻而形成贯穿槽237，通过形成激振电极231以及引出电极232而形成多个压电振动片230。
步骤S601中，准备基础晶片W220。在基础晶片W220上，形成多个基础板220。步骤S601为准备基础晶片的工序。在步骤S601中准备的基础晶片W220为平板状，以晶体或玻璃等作为基材。
步骤S602中，在基础晶片W220上形成凹部121、切断基础晶片W220而成为凹陷部(castellation)126的贯穿孔172(参照图5(b))、以及切断基础晶片W220而成为阶差部127的凹部173(参照图5(b))。步骤S602是凹部、贯穿孔形成工序。
步骤S603中，在基础晶片W220上形成第1金属膜151。第1金属膜151如图11(a)所示，形成连接电极223以及配线电极225与安装端子224的一部分。步骤S603为第1金属膜形成工序。
通过该步骤S603，基础晶片W230的-Y′轴侧的面形成为与图5(b)同样的形状。
步骤S701中，准备盖晶片W110。在盖晶片W110上，形成有多个盖板110。步骤S701为准备盖晶片的工序。
步骤S801中，在基础晶片W220上载置压电晶片W230。步骤S801为如下所述的载置工序，即，以将压电晶片W230的各压电振动片230对应地载置于基础晶片W220的各基础板220的+Y′轴侧的面上的方式，而将基础晶片W220与压电晶片W230予以接合。该载置工序中，基础晶片W220的接合面122经由密封材142而接合于压电晶片W230上形成的框部235的-Y′轴侧的面。
步骤S802中，将压电晶片W230与盖晶片W110予以接合。步骤S802为如下所述的接合工序，即，以对压电振动片230的振动部234进行密封的方式，将盖晶片W110经由密封材142而接合于压电晶片W230的+Y′轴侧的面。
图14(a)是压电晶片W230、盖晶片W110以及基础晶片W220的局部剖面图。图14(a)是包含图13的E-E剖面的剖面图。基础晶片W220是经由密封材142而接合于压电晶片W230的框部235的-Y′轴侧的面。而且，连接电极223电性连接于引出电极232。盖晶片W110是经由封止材142而接合于压电晶片W230的框部235的+Y′轴侧的面。由此，在晶片中形成空腔201，并将振动部234密封于该空腔201内。
步骤S803中，在基础晶片W220上形成第2金属膜152。步骤S803为第2金属膜形成工序。
图14(b)是压电晶片W230、盖晶片W110以及形成有第2金属膜152的基础晶片W220的局部剖面图。形成在基础晶片W220的-Y′轴侧的面上的第2金属膜152是形成在第1金属膜151的表面，该第1金属膜151是形成在基础晶片W220的-Y′轴侧的面上。
步骤S804中，在基础晶片W220上形成无电解镀敷膜153。无电解镀敷膜153是形成在第2金属膜152的表面，该第2金属膜152形成在基础晶片W220上。步骤S804为无电解镀敷工序。
图14(c)是压电晶片W230、盖晶片W110以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W220的局部剖面图。形成在基础晶片W220上的无电解镀敷膜153是形成在第2金属膜152的表面。而且，形成无电解镀敷膜153的镍层是如图8所示，通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率并以厚度TN为1μm～3μm的方式而形成。
步骤S805中，在划线171处切断基础晶片W220、盖晶片W110以及压电晶片W230。由此，形成各个压电元件200。
压电元件200中，与压电元件100同样地形成凹部173，由此抑制压电元件200的变形，以防止安装端子224的剥离。
而且，无电解镀敷膜153有时会因作为基底的金属膜表面的污染等而无法形成，但在压电元件200中，通过在进行无电解镀敷之前形成作为基底的第2金属膜152，从而能够将进行无电解镀敷时的基底的污染等的影响抑制为最小限度。因此，防止因基底的污染等而导致无电解镀敷膜153无法形成的现象。
以上，对本发明的最佳实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员可明确的是，本发明可在其技术范围内对实施方式添加各种变更、变形而实施。
例如，也可在压电元件中装入振荡器而形成为压电振荡器。而且，上述实施方式中示出了压电振动片为AT切割的晶体振动片的情况，但即使是同样以厚度切变模式振动的BT切割的晶体振动片等，也可同样地适用。进而，压电振动片不仅可适用于晶体材，而且基本上能够适用于包含钽酸锂(lithium tantalate)或铌酸锂(lithium niobate)或者压电陶瓷的压电材。
Claims (11)
1.一种压电元件，为表面安装型的压电元件，其特征在于，所述压电元件包括：
压电振动片，包含振动部以及引出电极，所述振动部形成有一对激振电极且以规定的振动频率而振动，所述引出电极是从所述一对激振电极引出；
矩形形状的基础板，在一个主面形成有电性连接于所述引出电极的一对连接电极，在另一个主面上形成有安装所述压电元件的一对安装端子；以及
盖板，密封所述振动部，
在所述基础板的另一个主面的相向的至少一对边上，形成有向所述一个主面侧凹陷的阶差部与从另一个主面贯穿至一个主面为止的凹陷部，
在所述阶差部的一部分与所述凹陷部上，形成有从所述安装端子引出至所述基础板的一个主面的配线电极，
所述配线电极与所述安装端子包含金属膜及无电解镀敷膜，所述金属膜是通过溅镀或真空蒸镀而形成，所述无电解镀敷膜是在所述金属膜上通过无电解镀敷而形成，
所述金属膜包含铬层、形成于所述铬层的表面的镍钨层或铂层、以及形成于所述镍钨层或所述铂层的表面的金层，
所述无电解镀敷膜包含镍层、以及形成于所述镍层的表面的金层，所述镍层的膜厚为1μm以上且小于3 μm。
2.一种压电元件，为表面安装型的压电元件，其特征在于，所述压电元件包括：
压电振动片，包含振动部以及引出电极，所述振动部形成有一对激振电极且以规定的振动频率而振动，所述引出电极是从所述一对激振电极引出；
矩形形状的基础板，在一个主面形成有电性连接于所述引出电极的一对连接电极，在另一个主面上形成有安装所述压电元件的一对安装端子；以及
盖板，密封所述振动部，
在所述基础板的另一个主面的相向的至少一对边上，形成有向所述一个主面侧凹陷的阶差部与从另一个主面贯穿至一个主面为止的凹陷部，
在所述阶差部的一部分与所述凹陷部上，形成有从所述安装端子引出至所述基础板的一个主面的配线电极，
所述配线电极与所述安装端子包含金属膜及无电解镀敷膜，所述金属膜是通过溅镀或真空蒸镀而形成，所述无电解镀敷膜是在所述金属膜上通过无电解镀敷而形成，
所述金属膜包含铬层、形成于所述铬层的表面的镍钨层或铂层、以及形成于所述镍钨层或所述铂层的表面的金层，
所述无电解镀敷膜包含镍层，
所述安装端子中，所述金属膜是双重地形成，且在其表面形成有所述无电解镀敷膜。
3.根据权利要求2所述的压电元件，其特征在于，
所述镍层的膜厚为1 μm以上且小于3 μm。
4.根据权利要求1至3任一所述的压电元件，其特征在于，
所述连接电极仅由所述金属膜形成。
5.根据权利要求1至3任一所述的压电元件，其特征在于，
所述压电振动片包含所述振动部、包围所述振动部的框部以及连结所述振动部与所述框部的连结部，
所述基础板与所述盖板是夹着所述框部而接合。
6.一种压电元件的制造方法，所述压电元件为表面安装型的压电元件，其特征在于，所述压电元件的制造方法包括如下工序：
准备多个压电振动片；
准备基础晶片，所述基础晶片具有矩形形状的多个基础板；
凹部、贯穿孔形成工序，形成凹部与贯穿孔，所述凹部是在所述基础晶片的以彼此邻接的方式配置的所述基础板的边界的至少一部分，向所述基础晶片的一个主面侧凹陷，所述贯穿孔是与所述凹部相接，且在所述边界的至少一部分，从所述基础晶片的一个主面贯穿至另一个主面；
第1金属膜形成工序，在所述基础晶片的形成所述凹部、所述贯穿孔以及安装所述压电元件的安装端子的区域，形成通过溅镀或真空蒸镀而形成的金属膜；
载置工序，在所述基础晶片的所述一个主面载置所述多个压电振动片；
准备具有多个盖板的盖晶片；
接合工序，将所述盖晶片的一个主面以密封所述振动部的方式而接合于所述基础晶片的另一个主面；
无电解镀敷工序，在所述接合工序后，在所述金属膜的表面形成无电解镀敷膜；以及
切断工序，在所述无电解镀敷工序后，在所述边界切断所述基础晶片以及所述盖晶片，
所述金属膜包含铬层、形成于所述铬层的表面的镍钨层或铂层、以及形成于所述镍钨层或所述铂层的表面的金层，
所述无电解镀敷膜包含镍层、以及形成于所述镍层的表面的金层，所述镍层的膜厚为1μm以上且小于3 μm。
7.一种压电元件的制造方法，所述压电元件为表面安装型的压电元件，其特征在于，所述压电元件的制造方法包括如下工序：
准备多个压电振动片；
准备基础晶片，所述基础晶片具有矩形形状的多个基础板；
凹部、贯穿孔形成工序，形成凹部与贯穿孔，所述凹部是在所述基础晶片的以彼此邻接的方式配置的所述基础板的边界的至少一部分，向所述基础晶片的一个主面侧凹陷，所述贯穿孔是与所述凹部相接，且在所述边界的至少一部分，从所述基础晶片的一个主面贯穿至另一个主面；
第1金属膜形成工序，在所述基础晶片的形成所述凹部、所述贯穿孔以及安装所述压电元件的安装端子的区域，形成通过溅镀或真空蒸镀而形成的金属膜；
载置工序，在所述基础晶片的所述一个主面载置所述多个压电振动片；
准备具有多个盖板的盖晶片；
接合工序，将所述盖晶片的一个主面以密封所述振动部的方式而接合于所述基础晶片的另一个主面；
第2金属膜形成工序，在所述接合工序后，在所述基础晶片的另一个主面上形成的所述金属膜的表面，进一步形成所述金属膜；
无电解镀敷工序，在所述第2金属膜形成工序后，在所述金属膜的表面形成无电解镀敷膜；以及
切断工序，在所述无电解镀敷工序后，在所述边界切断所述基础晶片以及所述盖晶片，
所述金属膜包含铬层、形成于所述铬层的表面的镍钨层或铂层、以及形成于所述镍钨层或所述铂层的表面的金层，
所述无电解镀敷膜包含镍层。
8.一种压电元件的制造方法，所述压电元件为表面安装型的压电元件，其特征在于，所述压电元件的制造方法包括如下工序：
准备压电晶片，所述压电晶片具有多个压电振动片，所述多个压电振动片包含以规定的振动频率而振动的振动部、包围所述振动部的框部以及连结所述振动部与所述框部的连结部；
准备基础晶片，所述基础晶片具有矩形形状的多个基础板；
凹部、贯穿孔形成工序，形成凹部与贯穿孔，所述凹部是在所述基础晶片的以彼此邻接的方式配置的所述基础板的边界的至少一部分，向所述基础晶片的一个主面侧凹陷，所述贯穿孔是与所述凹部相接，且在所述边界的至少一部分，从所述基础晶片的一个主面贯穿至另一个主面；
第1金属膜形成工序，在所述基础晶片的形成所述凹部、所述贯穿孔以及安装所述压电元件的安装端子的区域，形成通过溅镀或真空蒸镀而形成的金属膜；
载置工序，以在所述各基础板的一个主面分别载置所述压电振动片的方式，将所述基础晶片与所述压电晶片予以接合；
准备具有多个盖板的盖晶片；
接合工序，将所述盖晶片的一个主面以密封所述振动部的方式而接合于所述压电晶片；
无电解镀敷工序，在所述接合工序后，在所述金属膜的表面形成无电解镀敷膜；以及
切断工序，在所述无电解镀敷工序后，在所述边界切断所述基础晶片、所述盖晶片以及所述压电晶片，
所述金属膜包含铬层、形成于所述铬层的表面的镍钨层或铂层、以及形成于所述镍钨层或所述铂层的表面的金层，
所述无电解镀敷膜包含镍层、以及形成于所述镍层的表面的金层，所述镍层的膜厚为1μm以上且小于3 μm。
9.一种压电元件的制造方法，所述压电元件为表面安装型的压电元件，其特征在于，所述压电元件的制造方法包括如下工序：
准备压电晶片，所述压电晶片具有多个压电振动片，所述多个压电振动片包含以规定的振动频率而振动的振动部、包围所述振动部的框部以及连结所述振动部与所述框部的连结部；
准备基础晶片，所述基础晶片具有矩形形状的多个基础板；
凹部、贯穿孔形成工序，形成凹部与贯穿孔，所述凹部是在所述基础晶片的以彼此邻接的方式配置的所述基础板的边界的至少一部分，向所述基础晶片的一个主面侧凹陷，所述贯穿孔是与所述凹部相接，且在所述边界的至少一部分，从所述基础晶片的一个主面贯穿至另一个主面；
第1金属膜形成工序，在所述基础晶片的形成所述凹部、所述贯穿孔以及安装所述压电元件的安装端子的区域，形成通过溅镀或真空蒸镀而形成的金属膜；
载置工序，以在所述各基础板的一个主面分别载置所述压电振动片的方式，将所述基础晶片与所述压电晶片予以接合；
准备具有多个盖板的盖晶片；
接合工序，将所述盖晶片的一个主面以密封所述振动部的方式而接合于所述压电晶片；
第2金属膜形成工序，在所述接合工序后，在所述基础晶片的另一个主面上形成的所述金属膜的表面，进一步形成所述金属膜；
无电解镀敷工序，在所述第2金属膜形成工序后，在所述金属膜的表面形成无电解镀敷膜；以及
切断工序，在所述无电解镀敷工序后，在所述边界切断所述基础晶片、所述盖晶片以及所述压电晶片，
所述金属膜包含铬层、形成于所述铬层的表面的镍钨层或铂层、以及形成于所述镍钨层或所述铂层的表面的金层，
所述无电解镀敷膜包含镍层。
10.根据权利要求7或9所述的压电元件的制造方法，其特征在于，
所述无电解镀敷膜的所述镍层的膜厚为1 μm以上且小于3 μm。
11.根据权利要求6至9任一所述的压电元件的制造方法，其特征在于，
所述无电解镀敷膜的所述镍层是通过5 μm/小时～15 μm/小时的成膜速率而形成。
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| JP7206494B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2023-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置 |
| EP3706262B1 (en) | 2019-02-15 | 2022-01-26 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member |
| CN111129304B (zh) * | 2019-11-28 | 2023-06-02 | 联芸科技(杭州)股份有限公司 | Mom电容器、电容阵列结构及其版图设计方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102124648A (zh) * | 2008-09-29 | 2011-07-13 | 日本日本电波工业株式会社 | 压电装置及其制造方法 |
| CN102244506A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-16 | 日本电波工业株式会社 | 压电装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537271A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ部品の電極形成方法 |
| JP3374778B2 (ja) | 1999-02-25 | 2003-02-10 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品 |
| JP2001094378A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装容器、圧電装置及び温度補償水晶発振器 |
| JP2004064701A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶振動子 |
| JP2004120016A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-15 | Fujitsu Media Device Kk | フィルタ装置 |
| JP3864417B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2006-12-27 | 株式会社大真空 | 電子部品用パッケージ |
| JP4692722B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品用パッケージおよび電子部品 |
| JP4636018B2 (ja) * | 2004-05-12 | 2011-02-23 | 株式会社大真空 | 圧電振動素子用パッケージ及び圧電振動子 |
| JP2006005027A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Epson Toyocom Corp | 表面実装型電子デバイス |
| WO2007023685A1 (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corporation | 圧電デバイス |
| JP4665861B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-04-06 | エプソントヨコム株式会社 | 表面実装型電子デバイス |
| JP2010004216A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Seiko Instruments Inc | 電子部品およびその電子部品を有する電子回路基板 |
| JP2010166018A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-29 | Seiko Instruments Inc | 電子部品およびその製造方法 |
| CN102362430B (zh) * | 2009-04-03 | 2016-08-17 | 株式会社大真空 | 封装构件组件及其制造方法、封装构件以及使用了封装构件的压电振动器件的制造方法 |
| JP2010268439A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶振動子 |
| JP4864152B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2012-02-01 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の水晶振動子 |
| JP2012034086A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス |
| JP5657400B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2015-01-21 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
| JP2012217155A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP2013165336A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102124648A (zh) * | 2008-09-29 | 2011-07-13 | 日本日本电波工业株式会社 | 压电装置及其制造方法 |
| CN102244506A (zh) * | 2010-04-27 | 2011-11-16 | 日本电波工业株式会社 | 压电装置 |
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