JP2010057018A - 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性試験に耐え、実装基板との密着強度も向上し、且つ量産できる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 外部電極を備える圧電デバイスの製造方法であって、複数のリッドが形成されているリッド用ウエハを用意するリッド用ウエハ用意工程と、複数の圧電振動片が形成されているチップ用ウエハを用意するチップ用ウエハ用意工程と、片面に段差部を有し、段差部及び片面の一部に外部電極となる金属膜が形成され、複数のベースが形成されているベース用ウエハを用意するベース用ウエハ用意工程と、ベース用ウエハの片面を外側にして、チップ用ウエハを中央にしてリッド用ウエハとベース用ウエハとを接合し、ウエハ積層体を形成するウエハ接合工程と、ウエハ接合工程により接合されたウエハ積層体を封止する封止工程と、ウエハ積層体をカットして個片化する個片化工程と、を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【選択図】図７

Description

本発明は、密着強度を向上した圧電デバイスの製造方法、及び当該圧電デバイスの製造方法により製造された圧電デバイスに関する。

従来、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）、モバイルコンピュータ、又はＩＣカード等の通信機器やＯＡ機器等には、圧電振動片とＩＣチップとを同一パッケージ内に封止した圧電発振子やリアルタイムクロックモジュール等の圧電デバイスが広く使用されている。

従来において、圧電振動片が搭載されている圧電デバイスとして、様々な構造及び製造方法が提案されている。例えば、圧電デバイスとして、特許文献１で更に小型化された圧電発振器９０が提案された。図１６に示したように、圧電発振器９０は、表裏両面に励振電極が形成された水晶発振素子９１と、当該水晶発振素子９１の上下両面でこれを封止するための封止基板９２及び９３とを有し、封止基板９３の実装面にグランド電極端子を含む外部接続用電極端子９５、９６が形成されている。当該圧電発振器９０は、外部接続用電極端子９５、９６が半田８５、８６と接続されることにより、実装基板８０と電気的に接続され且つ実装基板８０に設置される。

なお、圧電デバイスの製造方法として、特許文献２で圧電デバイスを量産することができる製造方法が提案されている。即ち、複数の電子部品素子が構成されているマザー基板を用意し、当該マザー基板の上面及び片面の少なくとも一方に個々の電子部品用の封止基板を貼り合わせて、しかる後、マザー基板を切断することで個片化した電子部品の製造方法が開示されている。
特開２００７−２７４３３１号公報 特開２００３−１４２７４８号公報

特許文献１で開示された圧電発振器９０において、その実装面に設けられた外部接続用電極端子９５、９６だけが、半田８５、８６を介して実装基板８０に接続される。従って、圧電発振器９０は、実装基板８０との密着面積も不十分で、密着強度も不十分である。特に、Ｙ方向における力Ｆを受けた時、外部接続用電極端子９５、９６と半田８５、８６との密着力で抵抗するだけで、この力Ｆに抵抗できる他の支持物がない。従って、このような圧電発振器９０が設けられた電子部品は、固着強度試験のような信頼性試験において、十分な密着強度を表すことができなくなる。特に、車載用の電子部品において、その信頼性試験に耐える程度の密着強度が必要である。

そこで本発明の目的は、固着強度試験等のような信頼性試験に耐えうることができ、実装基板との密着強度も向上し、且つ量産できる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することである。

第一の観点による外部電極を備える圧電デバイスの製造方法には、複数のリッドが形成されているリッド用ウエハを用意するリッド用ウエハ用意工程と、複数の圧電振動片が形成されているチップ用ウエハを用意するチップ用ウエハ用意工程と、片面に段差部を有し、前記段差部及び片面の一部に前記外部電極となる金属膜が形成され、複数のベースが形成されているベース用ウエハを用意するベース用ウエハ用意工程と、前記ベース用ウエハの前記片面を外側にして、前記チップ用ウエハを中央にして前記リッド用ウエハと前記ベース用ウエハとを接合し、ウエハ積層体を形成するウエハ接合工程と、前記ウエハ接合工程により接合された前記ウエハ積層体を封止する封止工程と、前記ウエハ積層体をカットして個片化する個片化工程と、を備える。

本発明の第一の観点に係る圧電デバイスの製造方法によれば、個片化工程において、前記段差部をカットすることにより、一個一個の圧電デバイスになる。従って、ベース用ウエハの段差部が、製造された圧電デバイスの側壁になる。

なお、前記ベース用ウエハの片面に段差部が形成され、当該段差部と片面に外部電極となる金属膜が形成されている。従って、段差部をカットすることにより、圧電デバイスのベース基板の側壁で、簡単に側壁電極を形成することができる。従って、この圧電デバイスを実装基板に設置する時、片面に形成された外部電極と側壁電極とが実装基板と密着するので、二次元表面で圧電デバイスを支持することができる。従って、密着試験に耐えることができる信頼性に優れる圧電デバイスを簡単に量産することができる。

本発明の第二観点によれば、前記圧電デバイスは矩形形状であり、前記段差部は前記片面に直線状に形成されており、前記矩形形状の対向する一対の辺に前記段差部が形成されている。

本発明の第二観点に係る圧電デバイスの製造方法によれば、矩形形状である圧電デバイスの対向する一対の辺に前記段差部が形成されるので、簡単に圧電デバイスの一対の辺に側壁電極を形成することができる。従って、密着強度が向上させて、信頼性が向上させた圧電デバイスを簡単且つ有効に製造することができる。

また、段差部が予めに形成されているので、片面で外部電極になる金属膜を形成する時に、その段差部にも外部電極と同じ金属膜が同時に形成されるので、従来の金属膜の形成工程をそのまま使用することができ、付加された工程なしに圧電デバイスの側壁電極を形成することができる。

また、矩形形状である圧電デバイスの対向する一対の辺に前記段差部が形成されるので、ダイシング等により個片化する時、加工量が少なくなり、ブレードの摩耗が少なくなり、部品の交換が少なくなる。従って、時間当たりの量産率が高くなり、部品の交換が減少されたので、生産コストを下げることができる。

本発明の第三観点に係る圧電デバイスの製造方法によれば、前記段差部は前記片面に直線状に直交する二つの向きに形成されており、前記矩形形状の対向する二対の辺に前記段差部が形成されている。

矩形形状である圧電デバイスの対向する二対の辺に前記段差部が形成されるので、簡単に圧電デバイスの二対の辺に側壁電極を形成することができる。従って、二対の辺に形成された側壁電極が実装基板と密着するので、密着強度が更に向上させて、信頼性を更に向上させた圧電デバイスを簡単且つ有効に製造することができる。

また、圧電デバイスの対向する二対の辺で、カット線になる段差部が直交するように形成されるので、交差する位置に予めに開口されているので、カットする時のバリ、かけなどが発生し難くなる。なお、ダイシング等により個片化する時、加工量が少なくなり、ブレードの摩耗が少なくなり、部品の交換が少なくなる。従って、時間当たりの量産率が高くなり、部品の交換が減少されたので、生産コストを下げることができる。

本発明の第四観点によれば、前記圧電デバイスは矩形形状であり、前記段差部は前記片面に形成された溝部又は両面に貫通する貫通開口を含む。
第四観点によれば、溝部又は貫通開口を組み合わせて段差部を形成することにより、必要に応じて異なる密着強度の圧電デバイスを簡単に製造することができる。

本発明の第五観点によれば、前記チップ用ウエハの片面に、チップ段差部を有し、前記チップ段差部に前記外部電極と同じ金属膜が形成され、前記チップ用ウエハと前記ベース用ウエハとが接合された時、前記チップ段差部の金属膜は、前記ベース用ウエハの段差部に形成された外部電極と繋がる。

本発明の第五観点に係る圧電デバイスの製造方法によれば、チップ用ウエハにも段差部が形成され、当該段差部にも外部電極と同じ金属膜が形成されている。従って、当該段差部に沿ってカットすることにより、簡単にチップ基板の側壁で側壁電極を形成することができる。なお、チップ用ウエハの段差部の金属膜とベース用ウエハの段差部の金属膜が繋がっているので、カットしてなるチップ基板の側壁電極とベース基板の側壁電極も繋がっている。このような圧電デバイスを実装基板に設置する時、ベース基板の外部電極と側壁電極、及びチップ基板の側壁電極が実装基板と密着するので、密着強度が更に向上される。従って、密着試験に耐えることができる信頼性に優れる圧電デバイスを簡単に量産することができる。

本発明の第六観点によれば、前記リッド用ウエハの片面に、リッド段差部を有し、前記リッド段差部に前記外部電極と同じ金属膜が形成され、前記リッド用ウエハと前記チップ用ウエハとが接合された時、前記リッド段差部の金属膜は、前記チップ段差部に形成された金属膜と繋がる。

本発明の第六観点に係る圧電デバイスの製造方法によれば、リッド用ウエハにも段差部が形成され、当該段差部にも外部電極と同じ金属膜が形成されている。従って、当該段差部に沿ってカットすることにより、簡単にリッド基板の側壁で側壁電極を形成することができる。なお、リッド用ウエハの段差部の金属膜とチップ用ウエハの段差部の金属膜が繋がっているので、カットしてなるリッド基板の側壁電極とチップ基板の側壁電極も繋がっている。このような圧電デバイスを実装基板に設置する時、ベース基板の外部電極と側壁電極、チップ基板の側壁電極、及びリッド基板の側壁電極が実装基板と密着するので、密着強度が更に向上される。従って、密着試験に耐えることができる信頼性に優れる圧電デバイスを簡単に量産することができる。

本発明の第七観点による圧電デバイスは、リッド基板と、チップ基板と、ベース基板とを積層して形成され、前記第一観点ないし第六観点の何れか一つの製造方法により製造され、前記ベース基板は、外部電極になる金属膜が形成されたベース用ウエハの段差部をカットすることにより形成された側壁電極を有する。

本発明の第七観点によれば、ベース基板の側壁電極と実装面である片面に形成された外部電極とが実装基板と密着されるので、従来技術より、実装基板との密着強度が高くなり、信頼性の優れる圧電デバイスを提供することができる。

本発明の第八観点によれば、前記チップ基板は、前記外部電極と同じ金属膜が形成されたチップ用ウエハのチップ段差部をカットすることにより形成されたチップ基板の側壁電極を有する。

本発明の第八観点によれば、ベース基板の側壁電極と外部電極、及びチップ基板の側壁電極が実装基板と密着されるので、実装基板との密着強度がさらに高くなり、信頼性の優れる圧電デバイスを提供することができる。

本発明の第九観点によれば、前記リッド基板は、前記外部電極と同じ金属膜が形成されたリッド用ウエハのリッド段差部をカットすることにより形成された側壁電極を有する。

本発明の第九観点によれば、ベース基板の側壁電極と外部電極、チップ基板の側壁電極、及びリッド基板の側壁電極が実装基板と密着されるので、実装基板との密着強度がさらに高くなり、信頼性の優れる圧電デバイスを提供することができる。

本発明に係る圧電デバイスの製造方法により得られた圧電デバイスは、ベース基板の実装面である片面だけが実装基板と密着することではなく、ベース基板の側壁と実装面である片面が実装基板と密着されるので、密着強度が向上され、信頼性試験に耐えることができ、信頼性を向上することができる。更に、チップ基板とリッド基板の側壁にも金属膜が形成されて実装基板と密着することにより、その密着強度を更に向上することができる。なお、本発明に係る圧電デバイスの製造方法によれば、基板のバリ、かけ無しに、且つ低いコストで、密着強度の高い圧電デバイスを簡単に量産することができる。

以下、図面に基づいて、本発明の最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。本発明において、圧電振動片として音叉型水晶振動片を利用したが、音叉型だけではなく、ＡＴ型の水晶振動片を利用することもできる。なお、圧電材として、水晶を利用したが、セラミックスなどの圧電特性を有する材料を利用することもできる。

＜第一圧電デバイス１００の構成＞
＜実施例１＞
図１は、本実施例に係る音叉型水晶振動片を備えた第一圧電デバイス１００の概略図を示している。図１は、第一圧電デバイス１００の分解斜視図である。図１に示したように、第一圧電デバイス１００は、リッド基板１０と、圧電振動片４０が形成されているチップ基板２０と、ベース基板３０とが含まれる。リッド基板１０と、チップ基板２０と、ベース基板３０とは順序的に接合される。この接合方式として、シロキサン結合方式（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）又は陽極接合方式を利用することもできる。

図２（ａ）は、第一圧電デバイス１００を構成するリッド基板１０の内面図であり、図２（ｂ）は圧電振動片４０を有するチップ基板２０の上面図であり、図２（ｃ）はベース基板４０の上面図であり、図２（ｄ）は（ａ）から（ｃ）のＡ−Ａ断面で第一圧電デバイス１００を示した断面構成図である。

図２（ａ）に示されるようにリッド基板１０は、チップ基板２０側の片面に、エッチングにより形成されたリッド用凹部１７を有している。

図２（ｂ）に示したように、チップ基板２０には、その中央に圧電振動片４０が形成され、且つ、当該圧電振動片４０を囲むように外枠部２９が形成されている。本実施例において、当該圧電振動片４０は、例えば、３２．７６８ｋＨｚで信号を発振する極めて小型の音叉型水晶振動片である。

圧電振動片４０は、基部４５と、基部４５から所定方向に伸びた二つの振動腕４６と、振動腕４６の外側に形成された二つの支持腕４７とを有する。それに、二つの振動腕４６の表面、裏面及び側面には、夫々に蒸着法又はスパッタリング法により第一励振電極４３と第二励振電極４４とが形成されている。

基部４５と支持腕４７にわたって、夫々に、蒸着法又はスパッタリング法により第一基部電極４１と第二基部電極４２が形成されており、第一基部電極４１は第一励振電極４３に接続され、第二基部電極４２は第二励振電極４４に接続されている。

第一基部電極４１と第二基部電極４２及び第一励振電極４３と第二励振電極４４は、ともに、１５０オングストローム〜７００オングストロームのクロム（Ｃｒ）層の上に４００オングストローム〜２０００オングストロームの金（Ａｕ）層が形成された構成である。クロム（Ｃｒ）層の代わりに、チタン（Ｔｉ）層を使用してもよく、また金（Ａｕ）層の代わりに、銀（Ａｇ）層を使用してもよい。このような二層構造の代わりに、良好な密着性、耐食性、電気伝導性、耐熱性等を得るように、銅を主成分としてアルミニウム等との合金を使用して電極を形成しても良い。

一対の支持腕４７は、基部４５の一端から振動腕４６が伸びる方向（Ｙ方向）に伸びて接続部４８と外枠部２９とに接続している。一対の支持腕４７は、振動腕４６の振動を第一圧電デバイス１００の外部へ振動漏れとして伝えづらくさせ、また外部の温度変化、または衝撃の影響を受けづらくさせる効果を持つ。

図２（ｃ）に示されるように、ベース基板３０は、チップ基板２０側の面に、エッチングにより形成されたベース用凹部３７を有している。それと同時に、ベース基板３０の角部において、圧電振動片４０の第一基部電極４１と第二基部電極４２と対応する位置にへこみ部が形成されて、当該へこみ部に第一接続電極３１と第二接続電極３２とが夫々に形成されている。なお、当該第一接続電極３１と第二接続電極３２に、エッチングにより夫々に第一スルーホール３８と第二スルーホール３９が形成されている。なお、ベース基板３０の一対の対向する側壁に、夫々に第一側壁電極３３と第二側壁電極３４とが形成されている。なお、実装基板と接続されるベース基板３０の実装面である片面には、半田と接続するための第一外部電極３５と第二外部電極３６とが形成されている。

第一スルーホール３８及び第二スルーホール３９は、その内面に金属膜１５が形成され、その内面の金属膜１５は、第一接続電極３１及び第二接続電極３２と同時にフォトリソグラフィ工程で作成される。内面の金属膜はクロム（Ｃｒ）層又はニッケル（Ｎｉ）層の上に金（Ａｕ）層又は銀（Ａｇ）層が形成される。第一接続電極３１は、第一スルーホール３８通じてベース基板３０の片面に設けた第一外部電極３５に接続される。第二接続電極３２は、第二スルーホール３９を通じてベース基板３０の片面に設けた第二外部電極３６に接続される。

図２（ｄ）の概略断面構成図で示されるように、リッド用凹部１７がチップ基板２０に向け、ベース用凹部３７がチップ基板２０を向けた状態で、基部電極、接続電極、スルーホール、及び外部電極が電気的に接続する位置で、リッド基板１０とチップ基板２０とベース基板３０とを接合して、リッド用凹部１７とベース用凹部３７の内部を真空状態又は不活性ガスの雰囲気にして、第一圧電デバイス１００になる。

なお、図２（ｄ）に示したように、Ｚ方向において、第一側壁電極３３と第二側壁電極３４の高さＨ１は、ベース基板３０の高さＨ２の半分ぐらいである。もちろん、必要に応じて、第一側壁電極３３と第二側壁電極３４の高さＨ１を変化することもできる。

＜第一圧電デバイス１００の製造方法＞
以上で、第一圧電デバイス１００の構成を説明したが、以下、第一圧電デバイス１００の製造方法について説明する。

図３は、複数のリッド基板１０が形成されているリッド用ウエハＬＷと、複数の音叉型圧電振動片を有するチップ基板２０が形成されているチップ用ウエハＶＷと、複数のベース基板３０が形成されたベース用ウエハＢＷとを重ね合わせる前の斜視図である。説明の都合上仮想線で、リッド用ウエハＬＷにリッド基板１０が示され、チップ用ウエハＶＷに音叉型圧電振動片を有するチップ基板２０が示され、ベース用ウエハＢＷにベース基板３０が示されている。なお、各個片であるチップ基板２０において、音叉型圧電振動片４０と外枠部２９とが区別し易いように空間ＳＰが斜線で示されている。

図１及び図２では、一つだけの圧電デバイスを説明したが、実際の製造においては、図３に示されるように、１枚のリッド用ウエハＬＷに数百から数千のリッド基板１０が形成され、１枚のチップ用ウエハＶＷに数百から数千のチップ基板２０が成形され、１枚のベース用ウエハＢＷに数百から数千のベース基板３０が形成されている。それらを接合して一度に数百から数千の圧電デバイスを製造する。その後、ダイシング等で個片化することにより、以上に説明した第一圧電デバイス１００になる。

図４は、本発明に係る第一圧電デバイス１００を製造する方法を示すフローチャートである。図５は、ベース用ウエハＢＷの異なるステップによる構造を示す図面で、（ａ）は、溝部Ｅ１が形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図で、（ｃ）は、ベース用ウエハＢＷの一部の片面と溝部Ｅ１に外部電極になる金属膜が形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｄ）は、（ｃ）のＣ−Ｃ断面図で、（ｅ）は個片化されたものを示す部分断面図である。本発明に係る圧電デバイスの製造方法には、図４に示したように下記のステップが含まれる。

ステップＳ１０：水晶基板において、エッチングにより複数のリッド用凹部１７を形成して、図３に示したような複数のリッド基板１０が形成されているリッド用ウエハＬＷを用意する。
ステップＳ１１：水晶基板において、複数の圧電振動片４０と外枠部２９とを形成して、図３に示したような複数の圧電振動片４０を有するチップ基板２０が形成されたチップ用ウエハＶＷを用意する。チップ用ウエハＶＷに複数の圧電振動片を形成する方法として、通常の圧電デバイスの製造方法を利用して、振動腕と、基部と、支持腕と、各電極を形成すればよい、特に限定はない。

ステップＳ１２：水晶基板において、エッチングにより複数のベース用凹部３７とスルーホール３８、３９とを形成して、図３に示したような複数のベース基板３０が形成されているベース用ウエハＢＷを用意する。
ステップＳ１３：ベース用ウエハＢＷのベース用凹部３７が形成された反対側の実装面である片面で、ハーフエッチングにより、図５（ａ）と図５（ｂ）のように、平行する複数の直線状の溝部Ｅ１を形成する。当該溝部Ｅ１が本発明に係る段差部になる。図５（ｂ）に示したように、この溝部Ｅ１の高さＨ１は、ベース用ウエハＢＷの高さＨ２の半分ぐらいであるが、これに限定されるわけではなく、この溝部Ｅ１の高さは必要に応じて設けることができる。

ステップＳ１４：図５（ｃ）と図５（ｄ）のように、ベース用ウエハＢＷの一部の片面及びステップＳ１３により形成された溝部Ｅ１に、外部電極となる金属膜Ｍを形成する。図５（ｄ）に示したように、溝部Ｅ１が予めに形成されているので、片面の金属膜を形成すると同時に、溝部Ｅ１に金属膜を形成することができる。

ステップＳ１５：リッド用ウエハＬＷと、チップ用ウエハＶＷと、ベース用ウエハＢＷとをシロキサン結合して、ウエハ積層体を得る。リッド用ウエハＬＷ、チップ用ウエハＶＷ及びベース用ウエハＢＷは、結合面を鏡面状態にしてプラズマ処理又はイオンビームを照射することにより、リッド用ウエハＬＷ、チップ用ウエハＶＷ及びベース用ウエハＢＷの結合面を活性化する。結合面が活性化された夫々のウエハの大きさは例えば４インチ角である。また夫々のウエハにはオリエンテーションフラットが形成されているため、３枚のウエハを正確に位置合わせして重ね合わせる。リッド用ウエハＬＷ、チップ用ウエハＶＷ及びベース用ウエハＢＷの結合面は、位置合わせして重ね合わされた後、大気中で１００°Ｃから２００°Ｃ程度に加熱した状態で加圧する。これによりシロキサン結合で強固に接合される。

ステップＳ１６：リッド用ウエハＬＷと、チップ用ウエハＬＷと、ベース用ウエハＢＷとが接合されてなるウエハ積層体を、真空状態又は不活性気体雰囲気で封止する。
ステップＳ１７：得られたウエハ積層体を、図５（ｃ）に示したカット線Ｓ２とＳ１に従って、ダイシングでカットすることにより個片化する。カット線Ｓ１は、段差部である溝部Ｅ１に形成され、カット線Ｓ２はカット線Ｓ１と垂直する。

ベース用ウエハＢＷと個片化した後のベース基板間の関係を説明するために、図５（ｅ）に個片化されたベース基板３０の部分断面を示した。図５（ｅ）に示したように、段差部である溝部Ｅ１をカットすることにより、段差部がベース基板３０の側壁になり、ベース用ウエハＢＷの一部の片面と段差部である溝部Ｅ１に形成された金属膜Ｍが、夫々に、ベース基板３０の第一、第二外部電極３５、３６と、第一、第二側壁電極３３、３４になる。

ベース用ウエハＢＷに溝部Ｅ１が形成されたので、溝部Ｅ１に沿ってカットする時、加工量が少なくなり、ブレードの摩耗が更に少なくなり、部品の交換が更に少なくなり、生産コストをダウンすることができる。以上により、簡単に且つ低いコストで第一圧電デバイス１００を量産することができる。なお、溝部の高さを制御することにより、側壁電極の高さを正確に形成することができる。

図６は、ベース用ウエハＢＷの実装面である片面及び段差部である溝部Ｅ１に外部電極となる金属膜を形成する方法を示すフローチャートである。即ち、図６に示したように、ステップＳ１４には、下記のようなステップが含まれる。

ステップＳ１４０：ベース用ウエハＢＷの片面と、溝部Ｅ１と、スルーホールに金属膜を蒸着する。溝部Ｅ１とスルーホールとが予めに形成されているので、ベース用ウエハＢＷの外部電極を形成する方法と同じように金属膜を蒸着すると、溝部Ｅ１とスルーホールにも金属膜が蒸着される。
ステップＳ１４１：当該金属膜の上に、レジスト膜を塗布する。
ステップＳ１４２：外部電極形成用マスクを用いて露光する。
ステップＳ１４３：現像後のレジスト及び金属膜を除去して、外部電極を形成する。それと同時に、スルーホールの中に金属膜が形成され、溝部Ｅ１にも外部電極となる金属膜が形成される。
ステップＳ１４３が終了された後、ステップＳ１５に進む。
以上で、第一圧電デバイス１００の構成と製造方法を説明した。

図７は、第一圧電デバイス１００を実装基板８０に設置した状態の図１のＤ−Ｄ断面図である。図７に示したように、チップ基板２０に形成されている第一基部電極４１は、ベース基板３０の第一接続電極３１及び第一スルーホール３８を介して第一外部電極３５と電気的に接続されている。それに、第二基部電極４２は、ベース基板３０の第二接続電極３２及び第二スルーホール３９を介して第二外部電極３６と電気的に接続されている。

図７に示したように、第一圧電デバイス１００のベース基板３０の片面と側壁に、夫々に第一及び第二外部電極３５、３６と第一及び第二側壁電極３３、３４が形成されている。従って、当該圧電デバイス１００が半田８５、８６を介して実装基板８０に実装される時、半田８５、８６が、第一及び第二側壁電極３３、３４に沿って回り込んで、ベース基板３０の側壁まで半田を形成する。即ち、ベース基板３０の側壁及び片面で半田８５、８６と密着するので、Ｙ方向とＺ方向において、第一圧電デバイス１００を支えることができる。

即ち、ベース基板３０の片面及び側壁で実装基板８０と密着することに、密着強度を向上することができる。特に図７のようにＹ方向で力Fを受けた時、側壁に形成した半田により耐えることができ、更に信頼性の高い圧電デバイスを提供することができる。特に信頼性試験に耐える程度の密着強度が必要である車載用の電子部品において、非常に重要である。

＜実施例２＞
＜第二圧電デバイス１１０の構成＞
図８は、実施例２に係る第二圧電デバイス１１０の構成を示す。その中で、図８（ａ）は、接合した後の第二圧電デバイス１１０の斜視図で、図８（ｂ）は、第二圧電デバイス１１０を実装基板に設置した部分省略上面図である。本実施例２において、実施例１と同じものは、同じ標記を付けその説明を省略し、異なる部分だけを説明する。なお、異なる部分を突出して説明するために、実施例１と同じ一部分の構造を省略した。

第二圧電デバイス１１０は、対向する二対の側壁に側壁電極が形成されている他に、第一圧電デバイス１００と同じ構成である。

図８（ａ）及び図８（ｂ）に示したように、第二圧電デバイス１１０は、ベース基板３０の一対の対向する側壁で、第一側壁電極３３１と第二側壁電極３４１とを有する。なお、ベース基板３０の他の一対の対向する一部において、一対の第三側壁電極３３２と一対の第四側壁電極３４２とを有する。第三側壁電極３３２と第四側壁電極３４２とは、夫々第一外部電極３５と第二外部電極３６との長さと同じである。なお、第三側壁電極３３２と第四側壁電極３４２とは、夫々に第一側壁電極３３１と第二側壁電極３３２とに接続されている。

なお、本実施例において、第三側壁電極３３２と第四側壁電極３４２とは、第一外部電極３５と第二外部電極３６との長さと同じように設けられているが、第一外部電極３５と第二外部電極３６とが接続され、ショートが発生しない限り、第一外部電極３５と第二外部電極３６との長さより大きいように設けられてもよい。もちろん、第一外部電極３５と第二外部電極３６との長さより小さいように設けられても良い。

図８（ｂ）に示したように、本実施例のように対向する四つの側壁に側壁電極が形成される。これにより、第二圧電デバイス１１０が半田を介して実装基板８０と接続する時、半田が第一側壁電極３３１と第三側壁電極３３２とを回り込んで、第一半田８５１と第三半田８５２とを形成し、同じように、半田が第二側壁電極３４１と第四側壁電極３４２とを回り込んで、第二半田８６１と第四半田８６２とを形成する。これにより、ベース基板３０の片面及び三つの側壁で半田と接続されるので、従来技術より、その密着強度が向上される。安定した製品を提供することができる。

＜第二圧電デバイス１１０の製造方法＞
図９は、本発明に係る第一圧電デバイス１００を製造する方法を示すフローチャートである。図１０は、ベース用ウエハＢＷの異なるステップによる構造を示す図面で、（ａ）は、溝部Ｅ１と溝部Ｅ２とが形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｂ）は、ベース用ウエハＢＷの一部の片面と溝部Ｅ１と溝部Ｅ２に外部電極になる金属膜が形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｃ）は、（ｂ）のＧ部拡大図である。第二圧電デバイス１１０の製造方法には、図９に示したように下記のステップが含まれる。

ステップＳ２０：水晶基板において、エッチングにより複数のリッド用凹部１７を形成して、図３に示したような複数のリッド基板１０が形成されているリッド用ウエハＬＷを用意する。
ステップＳ２１：水晶基板において、複数の圧電振動片４０と外枠部２９とを形成して、図３に示したような複数の圧電振動片４０を有するチップ基板２０が形成されたチップ用ウエハＶＷを用意する。

ステップＳ２２：水晶基板において、エッチングにより複数のベース用凹部３７とスルーホール３８、３９とを形成して、図３に示したような複数のベース基板３０が形成されているベース用ウエハＢＷを用意する。
ステップＳ１３：ベース用ウエハＢＷのベース用凹部３７が形成された反対側の実装面である片面で、ハーフエッチングにより、図１０（ａ）のように、平行する複数の直線状の溝部Ｅ１を形成する。その後、溝部Ｅ１と直交するように、不連続の溝部Ｅ２をハーフエッチングする。当該溝部Ｅ１、Ｅ２が本発明に係る段差部になる。溝部Ｅ１、Ｅ２の高さは同じで、ベース用ウエハＢＷの高さの半分ぐらいである。

ステップＳ２４：図５（ｂ）のように、ベース用ウエハＢＷの一部の片面、スルーホール及び溝部Ｅ１、Ｅ２に、外部電極となる金属膜Ｍを形成する。スルーホールと溝部Ｅ１、Ｅ２とが予めに形成されているので、片面の金属膜を形成すると同時に、スルーホールと溝部Ｅ１、Ｅ２とに簡単に金属膜を形成することができる。

ステップＳ２５：リッド用ウエハＬＷと、チップ用ウエハＶＷと、ベース用ウエハＢＷとをシロキサン結合して、ウエハ積層体を得る。

ステップＳ２６：接合されてなるウエハ積層体を、真空状態又は不活性気体雰囲気で封止する。
ステップＳ２７：得られたウエハ積層体を、図１０（ｃ）に示したカット線Ｓ２とＳ１に従って、ダイシングでカットすることにより個片化する。カット線Ｓ１は、段差部である溝部Ｅ１に沿って形成され、カット線Ｓ２は段差部である溝部Ｅ２に沿って形成される。

ベース用ウエハＢＷと個片化した後のベース基板の電極間の関係を説明する。片面に形成された金属膜が第二圧電デバイス１１０の第一、第二外部電極３５、３６になる。溝部Ｅ１をカットすることにより、溝部Ｅ１に形成された金属膜がベース基板３０の第一、第二側壁電極３３１、３４１になる。溝部Ｅ２をカットすることにより、溝部Ｅ２に形成された金属膜がベース基板３０の第三、第四側壁電極３３２、３４２になる。

図１０（ｃ）に示したように、線Ｓ２とＳ１に従って、カットする時、隣接する溝Ｅ２間に不必要な余分の基板ＳＰが形成される。これは、電極を形成するステップＳ１４３の後で、エッチングすることにより簡単に削除することができる。金属膜の形成は、実施例１と同じであるので、ここで省略する。

以上に説明したように、ベース用ウエハＢＷに第一及び第二外部電極３５、３６と第一、第二、第三及び第四側壁電極を同時に簡単に形成することができる。なお、ベース用ウエハＢＷに溝部Ｅ１、Ｅ２が形成されたので、溝部Ｅ１、Ｅ２に沿ってカットする時、加工量が少なくなり、ブレードの摩耗が更に少なくなり、部品の交換が更に少なくなり、生産コストをダウンすることができる。

特に、交差している部分が既に開口になっているので、カットする時の加工量が更に少なくなり、バリ、かけなどが発生し難くなる。従って、生産性を向上させることができ、生産コストを減少することができる。以上により、簡単に且つ低いコストで第一圧電デバイス１１０を量産することができる。

＜実施例３＞
＜第三圧電デバイス１２０の構成＞
図１１（ａ）は、第三圧電デバイス１２０を示す図面で、図１１（ｂ）は、第三圧電デバイス１２０の第一変形例で、図１１（ｃ）は、第三圧電デバイス１２０の第二変形例である。実施例３において、実施例２と同じものは、同じ標記を付けその説明を省略して、異なる部分だけを説明する。なお、異なる部分を突出して説明するために、実施例２と同じ一部分の構造を省略した。

図１１（ａ）に示したように、第三圧電デバイス１２０は、ベース基板３０の各側電極の高さがベース基板３０の高さと同じで、且つチップ基板２０の四つの側壁にも側壁電極が形成されている他に、実施例２の第二圧電デバイス１１０と同じである。

第三圧電デバイス１２０において、ベース基板３０の四つの側壁には、第一側壁電極３３１と第三側壁電極３３２及び第二側壁電極３４２と第四側壁電極３４２とが形成されている。なお、これらの側壁電極の高さは、ベース基板３０の高さと同じである。なお、チップ基板２０の一対の対向する側壁には、夫々にベース基板３０の第一側壁電極３３１と第二側壁電極３４１と対応するように、チップ基板２０の第一側壁電極２３１と第二側壁電極２４１とが形成されている。

なお、チップ基板２０の他の一対の対向する側壁には、夫々にベース基板３０の第三側壁電極３３２と第四側壁電極３４２と対応するように、チップ基板２０の第三側壁電極２３２と第四側壁電極２４２とが形成されている。即ち、チップ基板２０の四つの側壁において、ベース基板３０の各側壁電極と繋がるように、ベース基板３０の各側壁電極と対応する各側壁電極が形成されている。

なお、本実施例に係る第三圧電デバイス１２０を半田により実装基板８０に接続する時、半田がベース基板３０の第一側壁電極３３１と第三側壁電極３３２とを回り込んで、チップ基板２０の第一側壁電極２３１と第三側壁電極２３２まで回り込む。同じように、半田がベース基板３０の第二側壁電極３４１と第四側壁電極３４２とを回り込んで、チップ基板２０の第二側壁電極２４１と第四側壁電極２４２まで回り込む。これにより、ベース基板３０の片面と三つの側壁、及びチップ基板２０の三つの側壁まで半田と接続されるので、従来技術より、その密着強度が更に向上され、安定した製品を提供することができる。

＜第三圧電デバイス１２０の製造方法＞
第三圧電デバイス１２０の製造方法について、第一圧電デバイス１００の製造方法と同じ部分は簡略に説明して、異なる部分を詳しく説明する。図１２は、第三圧電デバイス１２０の製造方法を示すフローチャートであり、下記のステップが含まれる。

ステップＳ３０：水晶基板を用いて複数のリッド基板１０を有するリッド用ウエハＬＷを用意する。
ステップＳ３１：水晶基板を用いて複数のチップ基板２０を有するチップ用ウエハＶＷを用意する。
ステップＳ３２：水晶基板を用いて複数のスルーホールを備えるベース基板３０を有するチップ用ウエハＢＷを用意する。

ステップＳ３３：ベース用ウエハＢＷの実装面である片面で、エッチングにより、ベース用ウエハＢＷの全面を貫通する複数の直線状の貫通開口Ｋ１を形成する。その後、貫通開口Ｋ１と垂直するように、不連続の貫通開口Ｋ２をエッチングする。当該貫通開口Ｋ１、Ｋ２が本発明に係る段差部になる。当該貫通開口Ｋ１、Ｋ２は、ベース用ウエハＢＷの全面を貫通するので、ベース用ウエハＢＷの高さと同じである。
ステップＳ３４：ベース用ウエハＢＷの一部の片面及び貫通開口Ｋ１、Ｋ２に、外部電極となる金属膜Ｍを形成する。

ステップＳ３５：チップ用ウエハＶＷの片面で、エッチングにより、ベース用ウエハＢＷの貫通開口Ｋ１、Ｋ２と対応する溝部Ｅ１１、Ｅ１２を形成する。当該溝部Ｅ１１、Ｅ１２の高さは、チップ用ウエハＶＷの高さの半分ぐらいである。この高さは必要に応じて変更することができる。
ステップＳ３６：チップ用ウエハＶＷの溝部Ｅ１１、Ｅ１２に、外部電極と同じ金属膜Ｍを形成する。

ステップＳ３７：リッド用ウエハＬＷと、チップ用ウエハＶＷと、ベース用ウエハＢＷとをシロキサン結合して、ウエハ積層体を得る。
ステップＳ３８：ウエハ積層体を、真空状態又は不活性気体雰囲気で封止する。
ステップＳ３９：ウエハ積層体をカットすることにより個片化する。カットする時、実施例２と同じように貫通開口Ｋ１、Ｋ２に従ってカットする。

チップ用ウエハＶＷ及びベース用ウエハＢＷと個片化した後のチップ基板及びベース基板の電極間との関係を説明する。ベース用ウエハＢＷの片面に形成された金属膜が第二圧電デバイス１２０の第一、第二外部電極３５、３６になる。

ベース用ウエハＢＷの貫通開口Ｋ１、Ｋ２をカットすることにより、貫通開口Ｋ１、Ｋ２に形成された金属膜がベース基板３０の各側壁電極になる。なお、溝部Ｅ１１、Ｅ１２が貫通開口Ｋ１、Ｋ２と対応的に形成されているので、同じように、溝部Ｅ１１、Ｅ１２に沿ってカットされる。従って、溝部Ｅ１１、Ｅ１２がカットされることにより、溝部Ｅ１１、Ｅ１２に形成された金属膜が、チップ基板２０の各側壁電極２３１、２３２、２４２、２４２になる。

第三圧電デバイス１２０によれば、ベース用ウエハＢＷが全面で開口され、且つチップ用ウエハＶＷにも溝部が形成されたので、第二圧電デバイス１１０より、カットする加工量が少なくなり、バリやかけ等の発生率が更に減少される。且つ、ブレードの消耗も少なくなり、生産コストを更にダウンすることができる。

以上で第三圧電デバイス１２０の構成及び製造方法を説明したが、これに限定されるわけではなく、図１２（ｂ）と（ｃ）のように変形することもできる。即ち、図１２（ｂ）に示したように、チップ基板２０の側壁電極の高さが、チップ基板２０の高さと同じように形成されることができる。その場合、溝部Ｅ１１、Ｅ１２の代わりに、チップ用ウエハＶＷに、ベース用ウエハＢＷの貫通開口Ｋ１、Ｋ２と同じ貫通開口を形成することにより簡単に製造することができる。

図１２（ｃ）に示したように、チップ基板２０の側壁電極の高さが、チップ基板２０の高さと同じように形成されることができる。なお、チップ基板２０の四つの側壁ではなく、二つの側壁だけで側壁電極２３１、２４１だけを形成することもできる。変形例としてこれに限定されるわけではなく、側壁電極２３２、２４２だけを形成することもできる。

＜実施例４＞
＜第四圧電デバイス１３０の構成＞
図１３（ａ）は、第四圧電デバイス１３０を示す図面で、図１３（ｂ）は、第四圧電デバイス１３０の第一変形例である。実施例４において、実施例３と同じものは、同じ標記を付けその説明を省略して、異なる部分だけを説明する。なお、異なる部分を突出して説明するために、実施例３と同じ一部分の構造を省略した。

図１３（ａ）に示したように、第四圧電デバイス１３０は、リッド基板１０の四つの側壁にも側壁電極が形成されている他に、実施例３の第三圧電デバイス１２０の第一変形例と同じである。

第四圧電デバイス１３０において、チップ基板２０とベース基板３０には、実施例３の第三圧電デバイス１２０の第一変形例と同じように、夫々の側壁に第一側壁電極２３１、３３１と第三側壁電極２３２、３３２及び第二側壁電極２４２、３４２と第四側壁電極２４１、３４２とが形成されている。なお、リッド基板1０の一対の対向する側壁には、夫々にチップ基板２０の第一側壁電極２３１と第二側壁電極２４１と対応するように、リッド基板１０の第一側壁電極１３１と第二側壁電極１４１とが形成されている。

なお、リッド基板１０の他の一対の対向する側壁には、夫々にチップ基板２０の第三側壁電極２３２と第四側壁電極２４２と対応するように、リッド基板１０の第三側壁電極１３２と第四側壁電極１４２とが形成されている。即ち、リッド基板１０の四つの側壁において、チップ基板２０と同じように、対応する側壁電極が形成されている。なお、各側電極の高さは、リッド基板１０の高さと同じである。

これにより、本実施例４に係る第四圧電デバイス１３０を半田により実装基板８０に接続する時、半田は、ベース基板３０及びチップ基板２０を経由して、リッド基板１０まで回り込むようになって、更に向上した密着強度を提供することができる。

＜第四圧電デバイス１３０の製造方法＞
第四圧電デバイス１３０の製造方法について、第三圧電デバイス１２０の製造方法と同じ部分は簡略に説明して、異なる部分を詳しく説明する。図１４は、第四圧電デバイス１３０の製造方法を示すフローチャートであり、下記のステップが含まれる。

ステップＳ４０：水晶基板を用いて複数のリッド基板１０を有するリッド用ウエハＬＷを用意する。
ステップＳ４１：水晶基板を用いて複数のチップ基板２０を有するチップ用ウエハＶＷを用意する。
ステップＳ４２：水晶基板を用いて複数のスルーホールを備えるベース基板３０を有するベース用ウエハＢＷを用意する。

ステップＳ４３：ベース用ウエハＢＷの実装面である片面で、エッチングにより、ベース用ウエハＢＷの全面を貫通する複数の直線状の貫通開口Ｋ１と、当該貫通開口Ｋ１と直交する不連続の貫通開口Ｋ２を形成する。
ステップＳ４４：ベース用ウエハＢＷの一部の片面及び貫通開口Ｋ１、Ｋ２に、外部電極となる金属膜Ｍを形成する。

ステップＳ４５：チップ用ウエハＶＷの片面で、エッチングにより、ベース用ウエハＢＷの貫通開口Ｋ１、Ｋ２と対応する貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２を形成する。当該貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２の高さは、チップ用ウエハＶＷの高さと同じである。
ステップＳ４６：チップ用ウエハＶＷの貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２に、外部電極と同じ金属膜Ｍを形成する。

ステップＳ４７：リッド用ウエハＬＷの片面で、エッチングにより、チップ用ウエハＶＷの貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２と対応する貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２を形成する。当該貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２の高さは、リッド用ウエハＬＷの高さと同じである。
ステップＳ４８：リッド用ウエハＬＷの貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２に、外部電極と同じ金属膜Ｍを形成する。

ステップＳ４９：リッド用ウエハＬＷと、チップ用ウエハＶＷと、ベース用ウエハＢＷとをシロキサン結合して、ウエハ積層体を得る。
ステップＳ５０：ウエハ積層体を、真空状態又は不活性気体雰囲気で封止する。
ステップＳ５１：ウエハ積層体をカットすることにより個片化する。カットする時、実施例３と同じように貫通開口Ｋ１、Ｋ２に従ってカットする。

チップ用ウエハＶＷ及びベース用ウエハＢＷと個片化した後のチップ基板及びベース基板の電極間との関係を説明する。ベース用ウエハＢＷの片面に形成された金属膜が第三圧電デバイス１３０の第一、第二外部電極になる。

ベース用ウエハＢＷの貫通開口Ｋ１、Ｋ２をカットすることにより、貫通開口Ｋ１、Ｋ２に形成された金属膜がベース基板３０の各側壁電極になる。なお、貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２が貫通開口Ｋ１、Ｋ２と対応的に形成されているので、同じように、貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２に沿ってカットされる。従って、貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２がカットされることにより、貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２に形成された金属膜が、チップ基板２０の各側壁電極２３１、２３２、２４２、２４２になる。

なお、リッド用ウエハＬＷの貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２が貫通開口Ｋ１１、Ｋ１２と対応的に形成されているので、同じように、貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２に沿ってカットされる。従って、貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２がカットされることにより、貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２に形成された金属膜が、リッド基板１０の各側壁電極１３１、１３２、１４２、１４２になる。

第四圧電デバイス１３０によれば、ベース用ウエハＢＷとチップ用ウエハＶＷとリッド用ウエハＬＷとが全面で開口されたので、第三圧電デバイス１２０より、カットする加工量が少なくなり、バリやかけ等の発生率が更に減少される。且つ、ブレードの消耗も少なくなり、生産コストを更にダウンすることができる。

以上で第四圧電デバイス１３０の構成及び製造方法を説明したが、これに限定されるわけではなく、図１３（ｂ）のように変形することもできる。即ち、図１３（ｂ）に示したように、リッド基板１０の第一、第二側壁電極１３１、１４１は、一部がリッド基板１０を貫通し、一部は、貫通しないように形成されている。即ち、一部の側壁電極の高さがリッド基板１０と同じで、一部の側壁電極の高さはリッド基板１０の高さの半分ぐらいである。その場合、リッド用ウエハＬＷの一部で貫通開口Ｋ１１１、Ｋ１１２を形成し、一部で溝部を形成することにより簡単に製造することができる。

＜圧電デバイスの変形例＞
なお、上記の実施例1ないし実施例４において、側壁の全面及び／又は他の側壁の一部の全面において、側壁電極を形成したが、これに限定されるわけではない。図１５は、圧電デバイスの変形例を示す。

図１５（ａ）及び図１５（ｂ）のように、側壁の全面で、連続する第一、第二側壁電極３３、３４を形成するわけではなく、一部だけで側壁電極を形成して、不連続する側壁電極を形成することもできる。即ち、外部電極を四つ有する圧電デバイスを提供することができる。

本発明の第一圧電デバイス１００の構成を示す分解概略図である。 （ａ）は、第一圧電デバイス１００を構成するリッド基板１０の内面図であり、（ｂ）は圧電振動片４０を有するチップ基板２０の上面図であり、（ｃ）はベース基板４０の上面図であり、（ｄ）は（ａ）から（ｃ）のＡ−Ａ断面で第一圧電デバイス１００を示した断面構成図である。 リッド用ウエハＬＷと、チップ用ウエハＶＷと、ベース用ウエハＢＷとを重ね合わせる前の斜視図である。 本発明に係る圧電デバイスを製造する方法を示すフローチャートである。 ベース用ウエハＢＷの異なるステップによる構造を示す図面で、（ａ）は、溝部Ｅ１が形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図で、（ｃ）は、ベース用ウエハＢＷの一部の片面と溝部Ｅ１に外部電極になる金属膜が形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｄ）は、（ｃ）のＣ−Ｃ断面図で、（ｅ）は個片化されたものを示す部分断面図である。 ベース用ウエハＢＷの片面と、溝部と、スルーホールとに外部電極になる金属膜を形成するフローチャートである。 第一圧電デバイス１００を実装基板に設置した状態の図１のＤ−Ｄ断面図である。 （ａ）は、接合した後の第二圧電デバイス１１０の斜視図であり、（ｂ）は、第二圧電デバイス１１０を実装基板に設置した部分省略上面図である。 第二圧電デバイス１１０を製造する方法を示すフローチャートである。 ベース用ウエハＢＷの異なるステップによる構造を示す図面で、（ａ）は、溝部Ｅ１と溝部Ｅ２とが形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｂ）は、ベース用ウエハＢＷの一部の片面と溝部Ｅ１と溝部Ｅ２に外部電極になる金属膜が形成されたベース用ウエハＢＷの底面図で、（ｃ）は、（ｂ）のＧ部拡大図である。 （ａ）は、第三圧電デバイス１２０を示す図面で、（ｂ）は、第三圧電デバイス１２０の第一変形例で、（ｃ）は、第三圧電デバイス１２０の第二変形例である。 第三圧電デバイス１２０を製造する方法を示すフローチャートである。 （ａ）は、第四圧電デバイス１３０を示す図面で、図１３（ｂ）は、第四圧電デバイス１３０の第一変形例である。 第四圧電デバイス１３０を製造する方法を示すフローチャートである。 （ａ）は、本発明の圧電デバイスの変形例を示す図面であり、（ｂ）は、（ａ）の底面図である。 従来技術に係る圧電デバイスを実装基板に設置した状態を示す図面である。

符号の説明

１０ … リッド基板
２０ … チップ基板
２９ … 外枠部
３０ … ベース基板
３１ … 第一接続電極
３２ … 第二接続電極
３３ … 第一側壁電極
３４ … 第二側壁電極
３５ … 第一外部電極
３６ … 第二外部電極
３７ … ベース用凹部
３８ … 第一スルーホール
３９ … 第二スルーホール
４０ … 圧電振動片
４１ … 第一基部電極
４２ … 第二基部電極
４３ … 第一励振電極
４４ … 第二励振電極
４５ … 基部
４６ … 振動腕
４７ … 支持腕
７０ … 集積回路体
８０ … 実装基板
８５ … 半田
８６ … 半田
９０ … 圧電発振器
９１ … 水晶発振素子
９２ … 封止基板
９３ … 封止基板
９５ … 外部接続用電極端子
９６ … 外部接続用電極端子
１００ … 第一圧電デバイス
１１０ … 第二圧電デバイス
１２０ … 第三圧電デバイス
１３０ … 第四圧電デバイス

Claims (9)

1. 外部電極を備える圧電デバイスの製造方法であって、
   複数のリッドが形成されているリッド用ウエハを用意するリッド用ウエハ用意工程と、
   複数の圧電振動片が形成されているチップ用ウエハを用意するチップ用ウエハ用意工程と、
   片面に段差部を有し、前記段差部及び片面の一部に前記外部電極となる金属膜が形成され、複数のベースが形成されているベース用ウエハを用意するベース用ウエハ用意工程と、
   前記ベース用ウエハの前記片面を外側にして、前記チップ用ウエハを中央にして前記リッド用ウエハと前記ベース用ウエハとを接合し、ウエハ積層体を形成するウエハ接合工程と、
   前記ウエハ接合工程により接合された前記ウエハ積層体を封止する封止工程と、
   前記ウエハ積層体をカットして個片化する個片化工程と、
   を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
2. 前記圧電デバイスは矩形形状であり、
   前記段差部は前記片面に直線状に形成されており、前記矩形形状の対向する一対の辺に前記段差部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
3. 前記段差部は前記片面に直線状に直交する二つの向きに形成されており、前記矩形形状の対向する二対の辺に前記段差部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
4. 前記圧電デバイスは矩形形状であり、
   前記段差部は前記片面に形成された溝部又は両面に貫通する貫通開口を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
5. 前記チップ用ウエハの片面に、チップ段差部を有し、
   前記チップ段差部に前記外部電極と同じ金属膜が形成され、
   前記チップ用ウエハと前記ベース用ウエハとが接合された時、前記チップ段差部の金属膜は、前記ベース用ウエハの段差部に形成された外部電極と繋がることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
6. 前記リッド用ウエハの片面に、リッド段差部を有し、
   前記リッド段差部に前記外部電極と同じ金属膜が形成され、
   前記リッド用ウエハと前記チップ用ウエハとが接合された時、前記リッド段差部の金属膜は、前記チップ段差部に形成された金属膜と繋がることを特徴とする請求項５記載の圧電デバイスの製造方法。
7. リッド基板と、チップ基板と、ベース基板とを積層して形成した圧電デバイスであって、
   前記請求項１ないし請求項６の何れか一項に記載された圧電デバイスの製造方法により製造され、
   前記ベース基板は、外部電極になる金属膜が形成されたベース用ウエハの段差部をカットすることにより形成された側壁電極を有することを特徴とする圧電デバイス。
8. 前記チップ基板は、前記外部電極と同じ金属膜が形成されたチップ用ウエハのチップ段差部をカットすることにより形成されたチップ基板の側壁電極を有することを特徴とする請求項７記載の圧電デバイス。
9. 前記リッド基板は、前記外部電極と同じ金属膜が形成されたリッド用ウエハのリッド段差部をカットすることにより形成された側壁電極を有することを特徴とする請求項８記載の圧電デバイス。