CN103311430B - 压电装置以及压电装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种压电装置以及压电装置的制造方法，压电装置具有：压电振动片，包含形成激振电极的振动部及引出电极；基础板，在一个主面上载置压电振动片且形成有电性连接于引出电极的连接电极，在另一个主面上形成有安装端子；以及盖板。安装端子的至少一部分包括：第1金属膜，通过溅镀或者真空蒸镀而层叠多个金属层；第2金属膜，层叠与第1金属膜同样的多个金属层，且以覆盖第1金属膜的方式形成，或者形成于第1金属膜的表面的一部分上，且第2金属膜的面积不同于第1金属膜；以及无电解镀敷膜，至少在第2金属膜的表面通过无电解镀敷而形成。本发明的压电装置以及压电装置的制造方法，能够防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离。

Description

压电装置以及压电装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有通过无电解镀敷而形成的电极的压电装置(piezoelectricdevice)以及压电装置的制造方法。
背景技术
已知有一种表面安装型的压电装置，其具备以规定的振动频率而振动的压电振动片。在压电装置的表面，形成有作为电极的安装端子(连接于外部电极等的热(hot)端子以及起接地(earth)作用的接地端子)。压电装置经由该安装端子而安装于印刷(print)基板等上。安装端子是形成于压电装置的表面，因此有时会因焊料引起的加热等而导致安装端子发生剥离，或者安装端子受到损伤。因此，于压电装置中，在安装端子上通过镀敷等而形成厚膜，以确保导通。而且，通过镀敷形成的厚膜也作为防止焊料受蚀的阻挡(barrier)层而形成。
例如，在专利文献1中记载有：安装端子是由导电性膏(paste)以及形成在导电性膏的表面的镀敷层而形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2000-252375号公报
但是，有时会因导电性膏等的基底表面的污染等，而无法使镀敷层成膜。
发明内容
本发明的目的在于提供一种压电装置以及压电装置的制造方法，防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离。
第1观点的压电装置包括：压电振动片，包含振动部及引出电极，所述振动部形成有一对激振电极且以规定的振动频率而振动，所述引出电极是从一对激振电极引出；基础板，在一方的主面载置压电振动片且形成有电性连接于引出电极的连接电极，在另一方的主面上形成有安装端子；以及盖板，密封振动部。安装端子的至少一部分包括：第1金属膜，通过溅镀或者真空蒸镀而层叠多个金属层；第2金属膜，层叠多个金属层，且以覆盖第1金属膜的方式形成，或者形成于第1金属膜的表面的一部分上，且第2金属膜的面积不同于第1金属膜；以及无电解镀敷膜，至少在第2金属膜的表面通过无电解镀敷而形成。
第2观点的压电装置是在第1观点中，第1金属膜及第2金属膜包含：铬层、形成于铬层表面的镍钨层、及形成于镍钨层表面的金层。
第3观点的压电装置是在第1观点中，第1金属膜及第2金属膜包含铬层、形成于铬层表面的铂层、及形成于铂层表面的金层。
第4观点的压电装置是在第1观点至第3观点中，无电解镀敷膜包含镍层，镍层的膜厚为1μm～3μm。
第5观点的压电装置是在第4观点中，无电解镀敷膜是在镍层的表面形成金层。
第6观点的压电装置是在第1观点至第5观点中，安装端子具有：一对接地端子、及电性连接于外部电极的一对热端子。热端子包含第1金属膜、第2金属膜及无电解镀敷膜。接地端子包含第2金属膜及无电解镀敷膜，而不含第1金属膜。
第7观点的压电装置是在第1观点至第6观点中，压电振动片包含：振动部、包围振动部的框部、及连结振动部及框部的连结部，基础板与盖板是夹着框部而接合。
第8观点的压电装置是在第1观点至第7观点中，包括：对压电振动片的振动进行控制的电子电路元件。
第9观点的压电装置的制造方法包括：准备多个压电振动片的工序，所述压电振动片具有：一对激振电极、及从激振电极分别引出的一对引出电极；准备基础晶片的工序，所述基础晶片形成有多个基础板；准备盖晶片的工序，所述盖晶片形成有多个盖板；第1金属膜形成工序，在各基础板的一方的主面与另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成包含多个金属层的第1金属膜，所述第1金属膜在所述一方的主面上用于一对连接电极，在所述另一方的主面上用于安装端子；载置工序，在各基础板上，以引出电极电性连接于连接电极的方式，分别载置压电振动片；接合工序，以密封压电振动片的方式，将盖晶片接合于基础晶片；第2金属膜形成工序，在各基础板的另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成第2金属膜，所述第2金属膜包含多个金属层，且所述第2金属膜在所述另一方的主面上用于安装端子；以及形成无电解镀敷膜的工序，在第1金属膜及第2金属膜的表面，通过无电解镀敷而形成无电解镀敷膜，以用于安装端子，所述第1金属膜及第2金属膜是形成于基础板的表面。第2金属膜是以面积大于第1金属膜且覆盖第1金属膜表面的方式形成，或者面积小于第1金属膜而形成于第1金属膜的表面的一部分上。
第10观点的压电装置的制造方法包括：准备压电晶片的工序，所述压电晶片形成有多个压电振动片，所述压电振动片包含：形成有一对激振电极的振动部、包围振动部的框部、及连结振动部与框部的连结部，且在框部上形成有从一对激振电极引出的一对引出电极；准备基础晶片的工序，所述基础晶片形成有多个基础板；准备盖晶片的工序，所述盖晶片形成有多个盖板；第1金属膜形成工序，在各基础板的一方的主面与另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成包含多个金属层的第1金属膜，所述第1金属膜在所述一方的主面上用于一对连接电极，在所述另一方的主面上用于安装端子；载置工序，以将引出电极电性连接于各基础板的连接电极，而将各压电振动片载置于各基础板的方式，来接合基础晶片与压电晶片；接合工序，以密封振动部的方式，将盖晶片接合于压电晶片；第2金属膜形成工序，在各基础板的另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成第2金属膜，所述第2金属膜包含多个金属层，且所述第2金属膜在所述另一方的主面上用于安装端子；以及形成无电解镀敷膜的工序，在第1金属膜及第2金属膜的表面，通过无电解镀敷而形成无电解镀敷膜，以用于安装端子，所述第1金属膜及第2金属膜是形成于基础板的表面。第2金属膜是以面积大于第1金属膜且覆盖第1金属膜表面的方式形成，或者面积小于第1金属膜而形成于第1金属膜的表面的一部分上。
第11观点的压电装置的制造方法是在第9观点以及第10观点中，无电解镀敷膜包含镍层，镍层是通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率而形成。
第12观点的压电装置的制造方法是在第9观点至第11观点中，安装端子具有：接地端子、以及电性连接于外部电极的热端子。关于安装端子，在第1金属膜形成工序中，形成第1金属膜，以仅用于热端子；在第2金属膜形成工序中，形成第2金属膜，以用于接地端子及热端子。
第13观点的压电装置的制造方法是在第9观点至第12观点中，在载置工序中，亦将对压电振动片的振动进行控制的电子电路元件，载置于各基础板上。
第14观点的压电装置的制造方法是在第9观点至第12观点中，在载置工序之后且接合工序之前，进行对压电振动片的振动频率进行调查的振动频率检查工序。
(发明的效果)
根据本发明的压电装置以及压电装置的制造方法，能够防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离。
附图说明
图1是压电装置100的分解立体图。
图2A是图1的IIA-IIA剖面图。
图2B是图2A的虚线161的放大图。
图2C是图2A的虚线162的放大图。
图3A是基础板120的-Y′轴侧的面的平面图。图3B是图3A的IIIB-IIIB剖面图。图3C是基础板120a的局部剖面图。
图4是表示压电装置100的制造方法的流程图。
图5A是基础晶片W120的+Y′轴侧的面的平面图。图5B是基础晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。
图6是盖晶片W110的平面图。
图7A是载置有压电振动片130的基础晶片W120的局部剖面图。
图7B是图5B的虚线163的放大平面图。
图8A是形成有第2金属膜152的基础晶片W120、压电振动片130以及盖晶片W110的局部剖面图。
图8B是盖晶片W110、压电振动片130以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W120的局部剖面图。
图8C是形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。
图9是表示无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的厚度TN及无电解镀敷膜153的剥离率的关系的图表。
图10是压电装置200的分解立体图。
图11是图10的XI-XI剖面图。
图12A是基础板220的-Y′轴侧的面的平面图。
图12B是图12A的XIIB-XIIB剖面图。
图13A是盖晶片W110、压电晶片W230以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W220的剖面图。
图13B是形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W220的-Y′轴侧的面的平面图。
图14是压电装置300的分解立体图。
图15A是图14的XVA-XVA剖面图。
图15B是图14的XVB-XVB剖面图。
图15C是基础板320的-Y′轴侧的面的平面图。
[符号的说明]
100、200、300：压电装置
101：空腔
110：盖板
111：凹部
112：接合面
120、120a、220、320：基础板
121、221、321：凹部
122、222、322：接合面
123、223、323a～323f：连接电极
124a、224a：热端子
124b、224b：接地端子
125：贯穿电极
130、230、330：压电振动片
131、231、331：激振电极
132、232、332：引出电极
134、234、334：振动部
141：导电性粘结剂
142：密封材
143：金属凸块
151：第1金属膜
151a：第1金属膜的第1层
151b：第1金属膜的第2层
151c：第1金属膜的第3层
152：第2金属膜
152a：第2金属膜的第1层
152b：第2金属膜的第2层
152c：第2金属膜的第3层
153：无电解镀敷膜
161、162、163：虚线
171：划线
172：探针
225：侧面电极
226、326、338：城堡形结构
227：贯穿孔
235、335：框部
236、336：连结部
237、337：贯穿槽
324a、341a：备用端子
324b、341f：电源端子
324c、341d：输出端子
324d、341c：接地端子
340：集成电路元件
341b、341e：压电端子
S101、S201、S202、S301、S401、S402、S403、S404、S405、S406：步骤
TN：镍层的厚度
W110：盖晶片
W120、W220：基础晶片
W230：压电晶片
X、Y’、Z’：轴
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的较佳实施方式。另外，只要在以下的说明中并无特别限定本发明的记载，则本发明的范围并不限于这些实施方式。
(第1实施方式)
<压电装置100的结构>
图1是压电装置100的分解立体图。压电装置100包括：盖板110、基础板120及压电振动片130。对于压电振动片130，例如使用AT切割的晶体振动片。AT切割的晶体振动片中，主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心而从Z轴朝Y轴方向倾斜35度15分。在以下的说明中，使用以AT切割的晶体振动片的轴方向为基准、而倾斜的新的轴来作为Y′轴以及Z′轴。即，在压电装置100中，将压电装置100的长边方向设为X轴方向、将压电装置100的高度方向设为Y′轴方向、将与X及Y′轴方向垂直的方向设为Z′轴方向来进行说明。
压电振动片130具有：振动部134，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；激振电极131，形成在振动部134的+Y′轴侧以及-Y′轴侧的面上；以及引出电极132，从各激振电极131引出至-X轴侧。从形成在振动部134的+Y′轴侧的面上的激振电极131引出的引出电极132是：从激振电极131引出至-X轴侧，进而经由振动部134的+Z′轴侧的侧面而引出至振动部134的-Y′轴侧的面为止。从形成在振动部134的-Y′轴侧的面上的激振电极131引出的引出电极132是：从激振电极131引出至-X轴侧，并形成至振动部134的-X轴侧的-Z′轴侧的角部为止。
基础板120是以晶体或玻璃等作为基材，且在表面形成有电极。在基础板120上，在+Y′轴侧的面的周围，形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图2A、图2B、图2C)而接合于盖板110。而且，在基础板120的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y′轴方向凹陷的凹部121。在凹部121上形成有一对连接电极123，各连接电极123经由导电性粘结剂141(参照图2A、图2B、图2C)而电性连接于压电振动片130的引出电极132。而且，在基础板120的-Y′轴侧的面上，形成有一对热端子124a及一对接地端子124b，该一对热端子124a是用于将压电装置100安装至印刷基板等的安装端子。热端子124a是电性连接于外部电极等，以用于对压电装置100施加电压的端子，接地端子124b是用于将压电装置100接地的端子。连接电极123经由贯穿电极125而电性连接于热端子124a。
盖板110在-Y′轴侧的面上形成有向+Y′轴方向凹陷的凹部111。而且，以包围凹部111的方式而形成有接合面112。接合面112经由密封材142(参照图2A、图2B、图2C)而接合于基础板120的接合面122。
图2A是图1的IIA-IIA剖面图。基础板120的接合面122与盖板110的接合面112经由密封材142而接合，由此在压电装置100内形成密闭的空腔(cavity)101。压电振动片130是通过将引出电极132经由导电性粘结剂141而电性接合于基础板120的连接电极123，从而配置于空腔101内。由此，激振电极131电性连接于热端子124a。
热端子124a包含：第1金属膜151，形成在基础板120的基材的-Y′轴侧的面的表面；第2金属膜152，以覆盖第1金属膜151的方式而形成；以及无电解镀敷膜153，形成在第2金属膜152的表面。而且，接地端子124b包含：第2金属膜152，形成在基础板120的基材的-Y′轴侧的面的表面；以及无电解镀敷膜153，形成在第2金属膜152的表面。
图2B是图2A的虚线161的放大图。图2B中表示出热端子124a的放大剖面图。第1金属膜151是由第1层151a、第2层151b及第3层151c这3个层形成。第1层151a是形成在基础板120的基材的-Y′轴侧的面上的层，且由铬(Cr)形成。铬(Cr)被用于第1层151a，以良好地密接于基础板120的基材即晶体以及玻璃等。而且，形成在第1金属膜151的表面的第3层151c是由金(Au)形成。铬(Cr)虽能良好地密接于晶体以及玻璃等，但并不溶于焊料等，因此第1金属膜151的表面是由良好地溶于焊料等的金(Au)所覆盖。进而，第1金属膜151中，在第1层151a与第3层151c之间形成第2层151b。构成第1层151a的铬(Cr)在制造工序中施加有热等时会扩散至金(Au)层，从而铬(Cr)与基础板120的密接变弱。而且，当铬(Cr)扩散至表面时，铬(Cr)会发生氧化而无电解镀敷膜153等的成膜变得困难。因此，通过设置第2层151b，可防止铬(Cr)扩散至金(Au)层，从而防止第1金属膜151与基础板120的接合变弱。
第2层151b例如可由镍钨(Ni-W)形成。而且，第2层151b也可由铂(白金、Pt)形成。例如，当使用铂(Pt)时，将第1层151a的厚度形成为将第2层151b的厚度形成为将第3层151c的厚度形成为包含无电解镀敷膜153的电极比不含无电解镀敷膜153的电极更容易剥离。这是因为，压电装置会因由无电解镀敷膜153产生的应力发生翘曲。但是，在第1金属膜151中，通过设置第2层151b，可防止铬(Cr)的扩散，从而第1金属膜151与基础板120的基材的密接得以牢固地保持。因此，即使压电装置100因无电解镀敷膜153的应力产生翘曲，亦可防止电极的剥离。
第2金属膜152包含：第1层152a，以覆盖第1金属膜151的方式而形成；第2层152b，形成在第1层152a的表面；以及第3层152c，形成在第2层152b的表面。第1层152a、第2层152b及第3层152c分别由与第1金属膜151的第1层151a、第2层151b及第3层151c相同的结构形成。即，第2金属膜152是由与第1金属膜151相同的结构形成。
无电解镀敷膜153包含：第1层153a，形成在第2金属膜152的表面；以及第2层153b，形成在第1层153a的表面。第1层153a为镍(Ni)的层，其厚度TN形成为1μm～3μm。而且，为了切实地进行热端子124a与焊料等的连接，在第1层153a的表面，由金(Au)形成第2层153b。
无电解镀敷膜153是由第1层153a及第2层153b这两层形成。第1层153a是形成在第2金属膜152的表面。第2层153b是形成在第1层153a的表面。无电解镀敷膜153具有第1层153a及第2层153b。第1层153a为镍(Ni)的层，而且，第2层153b为金(Au)的层。
图2C是图2A的虚线162的放大图。图2C中表示出了接地端子124b的放大剖面图。接地端子124b不合第1金属膜151，在基础板120的基材的-Y′轴侧的面上形成第2金属膜152，在第2金属膜152的表面形成无电解镀敷膜153。而且，形成接地端子124b的第2金属膜152及无电解镀敷膜153是由：与形成于热端子124a的第2金属膜152及无电解镀敷膜153相同的结构而形成。
图3A是基础板120的-Y′轴侧的面的平面图。在基础板120的+X轴侧的-Z′轴侧以及-X轴侧的+Z′轴侧的区域中，形成有热端子124a，在+X轴侧的+Z′轴侧以及-X轴侧的-Z′轴侧的区域中，形成有接地端子124b。图3A中，以虚线包围形成第1金属膜151的区域而表示出。基础板120中，第1金属膜151是不接触基础板120的外周而形成，由第2金属膜152形成热端子124a及接地端子124b的X-Z′平面内的外形。
图3B是图3A的IIIB-IIIB剖面图。热端子124a的第1金属膜151电性连接于贯穿电极125。而且，第2金属膜152是以覆盖第1金属膜151的方式而形成，在第2金属膜152的表面形成有无电解镀敷膜153。
图3C是基础板120a的局部剖面图。基础板120a是基础板120的变形例，热端子124a的第1金属膜151和第2金属膜152的结构不同于基础板120。图3C中，表示出了基础板120a的与图3A的IIIB-IIIB剖面相当的剖面的局部剖面图。基础板120a的热端子124a中，第1金属膜151形成热端子124a的X-Z′平面内的外形。而且，在第1金属膜151的表面的一部分上，形成有面积窄于第1金属膜151的第2金属膜152。进而，在未形成第2金属膜152的第1金属膜151的表面以及第2金属膜152的表面，形成有无电解镀敷膜153。热端子124a中，如图3C所示，第2金属膜152也可形成于第1金属膜151的表面的一部分上。
<压电装置100的制造方法>
图4是表示压电装置100的制造方法的流程图。以下，按照图4的流程图，对压电装置100的制造方法进行说明。
步骤S101中，准备多个压电振动片130。步骤S101中，首先在由压电材形成的压电晶片上，通过蚀刻(etching)而形成多个压电振动片130的外形，进而，在各压电振动片130上，通过溅镀或真空蒸镀等而形成激振电极131及引出电极132。多个压电振动片130是通过从压电晶片折取压电振动片130而准备。
步骤S201中，准备基础晶片W120。在基础晶片W120上形成多个基础板120。基础晶片W120是将晶体或者玻璃等作为基材，在各基础板120上，通过蚀刻而形成凹部121以及贯穿基础板的孔，所述孔用于形成贯穿电极125。
步骤S202中，在基础晶片W120上形成第1金属膜151。步骤S202是第1金属膜形成工序。形成在基础晶片W120上的第1金属膜151如图2B所示，包含构成第1层151a的铬(Cr)、构成第2层151b的镍钨(Ni-W)或者铂(Pt)以及构成第3层151c的金(Au)。这些层是通过溅镀或者真空蒸镀而形成。步骤S202中，通过形成第1金属膜151，从而在各基础板120上形成连接电极123、贯穿电极125及热端子124a的一部分。
图5A是基础晶片W120的+Y′轴侧的面的平面图。图5A中表示了形成有第1金属膜151后的基础晶片W120的平面图。在基础晶片W120上形成有多个基础板120，在各基础板120上形成有凹部121、连接电极123及贯穿电极125。而且，各基础板120是沿X轴方向及Z′轴方向排列地形成，图5A中，在彼此邻接的基础板120的边界处表示出有划线(scribe line)171。划线171是表示在后述的步骤S504中切断晶片的位置的线。在各基础板120的凹部121，形成有连接电极123。
图5B是基础晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。在基础晶片W120的-Y′轴侧的面上，形成有成为热端子124a的一部分的第1金属膜151。第1金属膜151经由贯穿电极125而电性连接于连接电极123。
返回图4，在步骤S301中，准备盖晶片W110。在盖晶片W110上，形成有多个盖板110。而且，在各盖板110上形成有凹部111。
图6是盖晶片W110的平面图。在盖晶片W110上形成有多个盖板110，在各盖板110的-Y′轴侧的面上形成凹部111以及接合面112。而且，图6中，邻接的各盖板110之间以两点链线所示，该两点链线成为划线171。
步骤S401中，在基础晶片W120上载置压电振动片130。步骤S401为载置工序。压电振动片130分别通过导电性粘结剂141而载置于基础晶片W120的各凹部121。
图7A是载置有压电振动片130的基础晶片W120的局部剖面图。图7A表示出了包含图5A的VIIA-VIIA剖面的剖面图。通过引出电极132与连接电极123经由导电性粘结剂141而彼此电性连接，从而将压电振动片130载置于基础晶片W120的凹部121。而且，由此，激振电极131与形成热端子124a的第1金属膜151电性连接。
步骤S402中，对压电振动片130的振动部134的振动频率进行调查。步骤S402为振动频率检查工序。振动部134的振动频率是通过将探针(probe)172顶住基础板120的-Y′轴侧形成的第1金属膜151而进行。
图7B是图5B的虚线163的放大平面图。图7B中，表示出了对基础晶片W120中的1个基础板120的振动频率进行调查的状态。通过使一对探针172分别接触构成1个基础板120的一对热端子124a的第1金属膜151，从而来调查振动部134的振动频率。在图7B中，构成热端子124a的第1金属膜151经由贯穿电极125而电性连接于压电振动片130的激振电极131。而且，1个第1金属膜151并未电性连接于另一第1金属膜151。图7B中，由于未形成接地端子124b，因此在1个第1金属膜151的X轴方向以及Z′轴方向上邻接的区域中未形成电极。
压电装置中，随着该压电装置的大小变小，基础板120的大小也变小，热端子的面积也变小。与此相对，探针前端的大小并未变小，因此相对来看，探针前端的大小相对于热端子的面积将变大。因此，在振动频率的测定时，有时会因探针172接触邻接的其他电极，而无法调查振动部的准确的振动频率。基础板120中，在形成热端子124a的第1金属膜151的周围未形成电极，因此探针172不会接触其他电极，从而能够调查准确的振动频率。
步骤S403中，将基础晶片W120与盖晶片W110予以接合。步骤S403为接合工序。基础晶片W120与盖晶片W110是以如下方式而接合，即，在基础晶片W120的接合面122或者盖晶片W110的接合面112上涂布密封材142(参照图2A、图2B、图2C)之后，使基础晶片W120的接合面122与盖晶片W110的接合面112夹着密封材142而彼此相对。
步骤S404中，形成第2金属膜152。步骤S404为第2金属膜形成工序。第2金属膜152是以形成热端子124a及接地端子124b的外形的方式，而形成在基础板120的-Y′轴侧的面上。
图8A是形成有第2金属膜152的基础晶片W120、压电振动片130及盖晶片W110的局部剖面图。图8A中表示出了包含图5A的VIIA-VIIA剖面的剖面图。第2金属膜152是以形成热端子124a的外形的方式，覆盖第1金属膜151的表面而形成。而且，第2金属膜152是以形成接地端子124b的外形的方式而形成。
如图3A以及图3B所示，基础板120的热端子124a的外形仅由第2金属膜152来决定。因此，即使在第1金属膜151与第2金属膜152因图案偏移而导致彼此的相对位置发生偏移的情况下，也能防止热端子124a的外形形状的破坏。在图3C所示的基础板120a中，热端子124a的形状也仅由第1金属膜151来决定，因此能与基础板120同样地防止热端子124a的端子形状的破坏。
步骤S405中，形成无电解镀敷膜153。步骤S405为形成无电解镀敷膜的工序。電解镀敷膜153是通过在第2金属膜152的表面进行无电解镀敷而形成。
图8B是盖晶片W110、压电振动片130以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W120的局部剖面图。在图8B中，表示出了与图8A同样的剖面。首先，如图2B所示，通过无电解镀敷形成镍(Ni)的厚膜以作为无电解镀敷膜153的第1层153a。进而，在第1层153a的表面，通过进行金(Au)的无电解镀敷而形成第2层153b。
图8C是形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。图8C中，以虚线表示出第1金属膜151的形成区域以及贯穿电极125的位置。如图8C所示，形成第2金属膜152及无电解镀敷膜153，从而在基础晶片W120的-Y′轴侧的面上形成热端子124a以及接地端子124b。
图9是表示无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的厚度TN及无电解镀敷膜153的剥离率的关系的图表。图9中，表示出了在无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的形成速度为6.9μm/小时、12.2μm/小时以及19.0μm/小时这3种条件下形成的结果。图表中的涂黑的四角表示形成速度为6.9μm/小时的情况，涂黑的三角形表示12.2μm/小时的情况，涂黑的圆形表示19.0μm/小时的情况。形成速度例如能够通过温度条件来调节。在形成速度为6.9μm/小时的情况下，将温度设为45℃～55℃，在形成速度为12.2μm/小时的情况下，将温度设为60℃～70℃，在形成速度为19.0μm/小时的情况下，将温度设为70℃～80℃。而且，剥离率是通过进行划痕测试(scratch test)以及胶带剥离测试而求出，所述划痕测试是以金属针或金刚石(diamond)针划过金属膜的表面，以确认金属膜是否剥离，所述胶带剥离测试是将胶带贴附于金属膜之后将其撕去，以确认金属膜是否剥离。图9的剥离率是金属膜发生剥离的个体数相对于测试对象的个体数的比例。
在形成速度为6.9μm/小时以及12.2μm/小时的情况下，当镍层的厚度TN为0.1μm～1μm时，存在剥离率但微小。考虑其原因在于，当镍层的厚度TN薄时，镍层未完全固定于金属膜的表面。而且，在形成速度为6.9μm/小时的情况下，在厚度TN为1μm～3.5μm之间，剥离率为0%，当厚度TN达到3.5μm以上时，剥离率上升。在形成速度为12.2μm/小时的情况下，在厚度TN为1μm～3μm之间，剥离率为0％，当厚度TN达到3μm以上时，剥离率上升。在形成速度为19.0μm/小时的情况下，当镍层的厚度TN为0.1μm～1μm时，存在剥离率但微小。当厚度TN为1μm时，剥离率达到最低值，当厚度TN为1μm以上时，随着厚度TN变厚而剥离率变高。
根据图9的图表可知的是，当镍层的形成速度为6.9μm/小时至12.2μm/小时且镍层的厚度TN为1.0μm～3.0μm时，剥离率为0％，因而较佳。而且，由此可认为：若镍层的形成速度为5μm/小时至15μm/小时，则至少剥离率达到0％或接近0％的值，因而较佳。
返回图4，步骤S406中，切断盖晶片W110以及基础晶片W120。盖晶片W110以及基础晶片W120于划线171处、通过切割(dicing)等而切断。由此，形成被分割为各个的压电装置100。
压电装置100通过在步骤S405的形成无电解镀敷膜153之前的步骤S404中形成第2金属膜152，从而防止因用于形成无电解镀敷膜153的基底受到污染而无电解镀敷膜153的成膜受到阻碍。而且，在压电振动片130的振动部134的振动频率测定时(步骤S402)，由于未形成接地端子124b而探针172不会接触其他端子，因此能够准确地测定振动部134的振动频率的值。进而，通过将无电解镀敷膜153的镍层的形成速度设为5μm/小时～15μm/小时，将镍层的厚度TN设为1μm～3μm，由此可降低无电解镀敷膜153的剥离率。
(第2实施方式)
对于压电振动片，也可使用在振动部的周围形成有框部的压电振动片。以下，对使用具有框部的压电振动片的压电装置200进行说明。而且，在以下的说明中，对于与第1实施方式相同的部分标注相同的符号并省略其说明。
<压电装置200的结构>
图10是压电装置200的分解立体图。压电装置200包含：盖板110、基础板220及压电振动片230。压电装置200中，与第1实施方式同样地，对于压电振动片230使用AT切割的晶体振动片。
压电振动片230具有：振动部234，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；框部235，以包围振动部234的周围的方式而形成；以及连结部236，连结振动部234与框部235。在振动部234与框部235之间，形成有沿Y′轴方向贯穿压电振动片230的贯穿槽237，振动部234与框部235不直接接触。振动部234与框部235经由连结部236而连结，该连结部236连结至振动部234的-X轴侧的+Z′轴侧及-Z′轴侧。而且，在振动部234的+Y′轴侧的面以及-Y′轴侧的面上形成有激振电极231，引出电极232分别从各激振电极231引出至框部235为止。从形成在振动部234的+Y′轴侧的面上的激振电极231引出的引出电极232是：经由+Z′轴侧的连结部236而引出至框部235的-X轴侧，进而引出至框部235的-Y′轴侧的面的+X轴侧的+Z′轴侧的角部为止。从形成在振动部234的-Y′轴侧的面上的激振电极231引出的引出电极232是：经由-Z′轴侧的连结部236而引出至框部235的-X轴侧，并引出至框部235的-Y′轴侧的面的-X轴侧的-Z′轴侧的角部为止。
在基础板220上，在+Y′轴侧的面的周围，形成有接合面222，该接合面222经由密封材142(参照图11)而接合于框部235的-Y′轴侧的面。而且，在基础板220的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面222向-Y′轴方向凹陷的凹部221。在基础板220的-Y′轴侧的面上形成有热端子224a以及接地端子224b(参照图12A、图12B)。而且，在基础板220的+X轴侧以及-X轴侧的侧面的+Z′轴侧以及-Z轴侧，形成有向基础板220的内侧凹陷的城堡形结构(castellation)226。而且，在接合面222上，在形成于+X轴侧的+Z′轴侧及-X轴侧的-Z′轴侧的城堡形结构226的周围，形成有电性连接于引出电极232的连接电极223。连接电极223经由形成在城堡形结构226上的侧面电极225而电性连接于热端子224a。
图11是图10的XI-XI剖面图。压电装置200中，盖板110的接合面112与框部235的+Y′轴侧的面经由密封材142而接合，基础板220的接合面222与框部235经由密封材142而接合。而且，在压电振动片230与基础板220的接合时，引出电极232与连接电极223电性接合。由此，激振电极231电性连接于热端子224a。热端子224a包含：第1金属膜151、第2金属膜152及无电解镀敷膜153，接地端子224b包含：第2金属膜152及无电解镀敷膜153。热端子224a以及接地端子224b的结构是与图2B及图2C所示的热端子124a及接地端子124b相同。
图12A是基础板220的-Y′轴侧的面的平面图。在基础板220的-Y′轴侧的面上，在+X轴侧的+Z′轴侧及-X轴侧的-Z′轴侧形成有热端子224a，在+X轴侧的-Z′轴侧及-X轴侧的+Z′轴侧形成有接地端子224b。热端子224a电性连接于形成在城堡形结构226中的侧面电极225。
图12B是图12A的XIIB-XIIB剖面图。热端子224a中，以覆盖第1金属膜151的方式而形成有第2金属膜152，在第2金属膜152的表面形成有无电解镀敷膜153。
<压电装置200的制造方法>
压电装置200可按照图4所示的流程图来制造。以下，一边表示出与图4所示的流程图不同的部位，一边对压电装置200的制造方法进行说明。
步骤S101中，准备形成多个压电振动片230的压电晶片W230(参照图13A)。步骤S101为准备压电晶片的工序。而且，步骤S201中，准备形成多个基础板220的基础晶片W220(参照图13A)，步骤S202中，在基础晶片W220上形成第1金属膜151。步骤S201为准备基础晶片的工序，步骤S202为第1金属膜形成工序。进而，步骤S301中，准备形成多个盖板110的盖晶片W110(参照图13A)。步骤S301为准备盖晶片的工序。
步骤S401中，将基础晶片W220与压电晶片W230予以接合。步骤S401为载置工序。载置工序中，以将引出电极232电性连接于基础板220的连接电极223而将压电振动片230载置于基础板220上的方式，将基础晶片W220与压电晶片W230经由密封材142而接合。
步骤S402中，测定振动部234的振动频率。步骤S402为振动频率检查工序。振动频率检查工序中，与图7B同样地，将探针172顶住构成热端子224a的第1金属膜151来测定振动频率。而且，在基础晶片W220上，也与图7B同样地，在第1金属膜151的X轴方向以及Z′轴方向的邻接的区域中未形成电极(参照图13B)，因此不会因探针172接触其他电极而妨碍到准确地测定振动频率的操作。
步骤S403中，将盖晶片W110与压电晶片W230予以接合。步骤S403为接合工序。接合工序中，将盖晶片W110的接合面112经由密封材142而接合于形成在压电晶片W230上的框部235的+Y′轴侧的面。
步骤S404中，在基础晶片W220上形成第2金属膜152。步骤S404为第2金属膜形成工序。紧跟着步骤S404，在步骤S405中，在第2金属膜152的表面形成无电解镀敷膜153。步骤S405为无电解镀敷膜形成工序。
图13A是盖晶片W110、压电晶片W230以及形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W220的剖面图。在图13A中，表示出了包含图10的XI-XI剖面的剖面。盖晶片W110以及基础晶片W220分别利用接合面112及接合面222，并经由密封材142而接合于压电晶片W230的框部235的+Y′轴侧的面以及-Y′轴侧的面。形成在压电晶片W230上的引出电极232电性连接于基础晶片W220的连接电极223。而且，在基础晶片W220的-Y′轴侧的面上，形成有热端子224a及接地端子224b。在基础晶片W220上，形成有在晶片切断后成为城堡形结构226的贯穿孔227，第2金属膜152以及无电解镀敷膜153也形成在贯穿孔227的侧面。
图13B是形成有无电解镀敷膜153的基础晶片W220的-Y′轴侧的面的平面图。基础晶片W220中，在沿Z′轴方向延伸的划线171上形成有贯穿孔227。贯穿孔227在步骤S406中晶片被切断后，成为城堡形结构226。而且，图13B中，以虚线表示出第1金属膜151。在1个贯穿孔227中，以连接的方式而仅形成有1个第1金属膜151。
步骤S406中，将基础晶片W220、盖晶片W110以及压电晶片W230予以切断。切断是在划线171处，通过切割等而进行。由此，形成被分割成各个的压电装置200。
(第3实施方式)
压电装置也可装入电子电路元件而形成为压电振荡器。以下，对装入有电子电路元件的压电装置300进行说明。而且，在以下的说明中，对于与第1实施方式或第2实施方式相同的部分标注与第1实施方式或第2实施方式相同的符号，并省略其说明。
<压电装置300的结构>
图14是压电装置300的分解立体图。压电装置300包含：盖板110、基础板320、压电振动片330及集成电路元件340。压电装置300中，与第1实施方式同样地，对于压电振动片330使用AT切割的晶体振动片。
压电振动片330包括：振动部334，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；框部335，以包围振动部334的周围的方式而形成；以及连结部336，连结振动部334与框部335。在振动部334与框部335之间，形成有沿Y′轴方向贯穿压电振动片330的贯穿槽337，振动部334与框部335不直接接触。振动部334与框部335经由连结部336而连结，该连结部336连结至振动部334的+Z′轴侧侧面的-X轴侧以及-Z′轴侧侧面的+X轴侧。而且，在框部335的+Z′轴侧以及-Z′轴侧的外侧侧面的中央，形成有城堡形结构338。进而，在振动部334的+Y′轴侧的面以及-Y′轴侧的面上，形成有激振电极331，引出电极332分别从各激振电极331引出至框部335为止。从形成在振动部334的+Y′轴侧的面上的激振电极331引出的引出电极332是：经由+Z′轴侧的连结部336而引出至框部335的+Z′轴侧，进而经由城堡形结构338而引出至框部335的-Y′轴侧的面的+Z′轴侧的中央为止。从形成在振动部334的-Y′轴侧的面上的激振电极331引出的引出电极332是：经由-Z′轴侧的连结部336而引出至框部335的-Z′轴侧，并经由城堡形结构338而引出至框部335的+Y′轴侧的面的-Z′轴侧的中央为止。
基础板320是形成为矩形形状，在+Y′轴侧的面的周围，形成有接合面322，该接合面322经由密封材142(参照图15B)而接合于盖板110。而且，在基础板320的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面322向-Y′轴方向凹陷的凹部321。而且，在基础板320的侧面的4个角部，形成有向基础板320的内侧凹陷的城堡形结构326。
在凹部321中，形成有6个连接电极。连接电极323a是形成在凹部321内的-X轴侧的+Z′轴侧，连接电极323b是形成在凹部321内的+Z′轴侧的中央，连接电极323c是形成在凹部321内的+X轴侧的+Z′轴侧，连接电极323d是形成在凹部321内的+X轴侧的-Z′轴侧，连接电极323e是形成在凹部321内的-Z′轴侧的中央，连接电极323f是形成在凹部321内的-X轴侧的-Z′轴侧。而且，在基础板320的-Y′轴侧的面上，在-X轴侧的+Z′轴侧形成有备用(standby)端子324a，在-X轴侧的-Z′轴侧形成有电源端子324b，在+X轴侧的-Z′轴侧形成有输出端子324c(参照图15C)，在+X轴侧的+Z′轴侧形成有接地端子324d。连接电极323a经由城堡形结构326而电性连接于备用端子324a，连接电极323c经由城堡形结构326而电性连接于接地端子324d，连接电极323d经由城堡形结构326而电性连接于输出端子324c，连接电极323b经由城堡形结构326而电性连接于电源端子324b。而且，连接电极323b及连接电极323e被引出至接合面322为止，并电性连接于压电振动片330的引出电极332。备用端子324a、电源端子324b及输出端子324c是电性连接于外部电极等的端子，接地端子324d是用于将压电装置300接地的端子。
集成电路元件340电性连接于压电振动片330而形成振荡电路。在集成电路元件340的-Y′轴侧的面上，形成有6个端子。在集成电路元件340的-Y′轴侧的面上，在-X轴侧的+Z′轴侧形成有备用端子341a，在+Z′轴侧的中央形成有压电端子341b，在+X轴侧的+Z′轴侧形成有接地端子341c，在+X轴侧的-Z′轴侧形成有输出端子341d，在-Z′轴侧的中央形成有压电端子341e，在-X轴侧的-Z′轴侧形成有电源端子341f。备用端子341a是用于将下述信号输入集成电路元件340的端子，所述信号是将集成电路元件340设为待机状态以抑制电力消耗，且所述备用端子341a经由连接电极323a而电性连接于基础板320的备用端子324a。而且，接地端子341c经由连接电极323c而电性连接于基础板320的接地端子324d，输出端子341d经由连接电极323d而电性连接于基础板320的输出端子324c，电源端子341f经由连接电极323f而电性连接于基础板320的电源端子324b。而且，压电端子341b以及压电端子341e经由连接电极323b以及连接电极323e而电性连接于压电振动片330的引出电极332。
图15A是图14的XVA-XVA剖面图。集成电路元件340的各端子经由金属凸块(bump)143而电性连接于基础板320的各连接电极。集成电路元件340的压电端子341b以及压电端子341e分别电性连接于连接电极323b以及连接电极323e。连接电极323b以及连接电极323e被引出至+Z′轴侧以及-Z′轴侧的接合面322为止，且于接合面322上电性连接于压电振动片330的引出电极332。因此，集成电路元件340的压电端子341b以及压电端子341e电性连接于激振电极331。
图15B是图14的XVB-XVB剖面图。压电装置300中，盖板110的接合面112与框部335的+Y′轴侧的面经由密封材142而接合，基础板320的接合面322与框部335的-Y′轴侧的面经由密封材142而接合。图15B中表示了下述状态，即：集成电路元件340的备用端子341a经由连接电极323a而电性连接于基础板320的备用端子324a，输出端子341d经由连接电极323d而电性连接于基础板320的输出端子324c。形成于基础板320的-Y′轴侧的面上的备用端子324a、电源端子324b(参照图15C)、输出端子324c、接地端子324d(参照图15C)以及形成于城堡形结构326中的电极包含第1金属膜151、第2金属膜152及无电解镀敷膜153。备用(standby)端子324a、电源端子324b、输出端子324c及接地端子324d的结构是与图2B所示的热端子124a相同，以覆盖第1金属膜151的方式而形成有第2金属膜152，且在第2金属膜152的表面形成有无电解镀敷膜153。
图15C是基础板320的-Y′轴侧的面的平面图。在基础板320的-Y′轴侧的面上，在-X轴侧的-Z′轴侧形成有备用端子324a，在-X轴侧的面的+Z′轴侧形成有电源端子324b，在+X轴侧的-Z′轴侧形成有输出端子324c，在+X轴侧的+Z′轴侧形成有接地端子324d。这些端子是用于将压电装置300安装至印刷基板等的安装端子。
<压电装置300的制造方法>
对于压电装置300，也可按照图4所示的流程图来制造。以下，对压电装置300的制造方法进行说明。
步骤S101中，准备形成多个压电振动片330的压电晶片(未图示)。步骤S101为准备压电晶片的工序。而且，步骤S201中，准备形成多个基础板320的基础晶片(未图示)，步骤S202中，在基础晶片上形成第1金属膜151，所述第1金属膜151构成基础板320的备用端子324a、电源端子324b、输出端子324c及接地端子324d的一部分。步骤S201为准备基础晶片的工序，步骤S202为第1金属膜形成工序。进而，步骤S301中，准备形成多个盖板110的盖晶片W110(参照图6)。步骤S301为准备盖晶片的工序。
步骤S401是将基础晶片与压电晶片予以接合的载置工序。步骤S401中，首先在基础晶片的各凹部321内载置集成电路元件340，然后，以在基础板320上载置压电振动片330的方式，将基础晶片与压电晶片经由密封材142而接合。
步骤S402中，测定振动部334的振动频率。步骤S402为振动频率检查工序。在装入有集成电路元件的压电装置中，通过将探针也顶住接地端子来测定振动频率。因此，振动频率检查工序中，例如通过分别将探针顶住接地端子324d、电源端子324b及输出端子324c这3个端子来测定振动频率。压电装置300中，在步骤S202中，于接地端子324d上也形成有第1金属膜151，因而此种测定成为可能。
步骤S403是将盖晶片W110与压电晶片予以接合的接合工序。随后，在步骤S404中，在基础晶片上形成第2金属膜152，在步骤S405中，在第2金属膜152的表面形成无电解镀敷膜153。进而，在步骤S406中，通过将基础晶片、盖晶片W110以及压电晶片予以切断，从而形成被分割成各个的压电装置300。
以上，对本发明的最佳实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员可明确的是，本发明可在其技术范围内对实施方式施加各种变更、变形而实施。
例如，上述实施方式中表示出了压电振动片为AT切割的晶体振动片的情况，即使是同样以厚度切变模式振动的BT切割的晶体振动片等，也可同样地适用。进而，压电振动片不仅可适用于晶体材，而且基本上能够适用于包含钽酸锂(lithium tantalate)或铌酸锂(lithium niobate)或者压电陶瓷(ceramic)的压电材。
而且，上述实施方式中，所有安装端子的结构也可包含第1金属膜151、第2金属膜152及无电解镀敷膜153。即，例如图3A所示的接地端子124b以及图12A所示的接地端子224b也与热端子124a同样地，包含第1金属膜151、第2金属膜152以及无电解镀敷膜153。在此情况下，如图3B所示，第1金属膜151也由第2金属膜152所覆盖，或者如图3C所示，在第1金属膜151的表面的一部分上形成第2金属膜152。
进而，于上述实施方式中，通过在盖板的+Y′轴侧的整个面上形成金属膜，并将该金属膜电性连接于接地端子，从而能够抑制压电装置的寄生电容，而实施电磁干扰对策。

Claims (9)

1.一种表面安装型的压电装置，其特征在于，包括：
压电振动片，包含振动部及引出电极，所述振动部形成有一对激振电极且以规定的振动频率而振动，所述引出电极是从所述一对激振电极引出；
基础板，在一方的主面载置所述压电振动片且形成有电性连接于所述引出电极的连接电极，在另一方的主面上形成有安装端子；以及
盖板，密封所述振动部，
所述安装端子的至少一部分包括：第1金属膜，通过溅镀或者真空蒸镀而层叠多个金属层；第2金属膜，层叠多个金属层，且以覆盖所述第1金属膜的方式形成，或者形成于所述第1金属膜的表面的一部分上，且所述第2金属膜的面积不同于所述第1金属膜；以及无电解镀敷膜，至少在所述第2金属膜的表面、通过无电解镀敷而形成；
所述第1金属膜及所述第2金属膜包含：
铬层；
形成于所述铬层表面的镍钨层；及
形成于所述镍钨层表面的金层，
或者，
所述第1金属膜及所述第2金属膜包含：
铬层；
形成于所述铬层表面的铂层；及
形成于所述铂层表面的金层。
2.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于，所述无电解镀敷膜包含镍层，所述镍层的膜厚为1μm～3μm。
3.根据权利要求2所述的压电装置，其特征在于，所述无电解镀敷膜是在所述镍层的表面形成金层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的压电装置，其特征在于，
所述安装端子具有：一对接地端子、及电性连接于外部电极的一对热端子，所述热端子包含所述第1金属膜、所述第2金属膜及所述无电解镀敷膜，所述接地端子包含所述第2金属膜及所述无电解镀敷膜，而不含所述第1金属膜。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的压电装置，其特征在于，所述压电振动片包含：
所述振动部；
包围所述振动部的框部；及
连结所述振动部及所述框部的连结部，
所述基础板与所述盖板夹着所述框部而接合。
6.一种压电装置的制造方法，其特征在于包括：
准备多个压电振动片的工序，所述压电振动片具有：一对激振电极、及从所述激振电极分别引出的一对引出电极；
准备基础晶片的工序，所述基础晶片形成有多个基础板；
准备盖晶片的工序，所述盖晶片形成有多个盖板；
第1金属膜形成工序，在所述各基础板的一方的主面与另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成包含多个金属层的第1金属膜，所述第1金属膜在所述一方的主面上用于一对连接电极，在所述另一方的主面上用于安装端子；
载置工序，在所述各基础板上，以所述引出电极电性连接于所述连接电极的方式，分别载置压电振动片；
接合工序，以密封所述压电振动片的方式，将所述盖晶片接合于所述基础晶片；
第2金属膜形成工序，在所述各基础板的另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成第2金属膜，所述第2金属膜包含多个金属层，且所述第2金属膜在所述另一方的主面上用于所述安装端子；以及
形成无电解镀敷膜的工序，在所述第1金属膜及所述第2金属膜的表面，通过无电解镀敷而形成无电解镀敷膜，以用于所述安装端子，所述第1金属膜及所述第2金属膜是形成于所述基础板的表面，
所述第2金属膜是以面积大于所述第1金属膜且覆盖所述第1金属膜表面的方式形成，或者面积小于所述第1金属膜而形成于所述第1金属膜的表面的一部分上；
所述第1金属膜及所述第2金属膜包含：
铬层；
形成于所述铬层表面的镍钨层；及
形成于所述镍钨层表面的金层，
或者，
所述第1金属膜及所述第2金属膜包含：
铬层；
形成于所述铬层表面的铂层；及
形成于所述铂层表面的金层。
7.一种压电装置的制造方法，其特征在于，包括：
准备压电晶片的工序，所述压电晶片形成有多个压电振动片，所述压电振动片包含：形成有一对激振电极的振动部、包围所述振动部的框部、及连结所述振动部与所述框部的连结部，且在所述框部上形成有从所述一对激振电极引出的一对引出电极；
准备基础晶片的工序，所述基础晶片形成有多个基础板；
准备盖晶片的工序，所述盖晶片形成有多个盖板；
第1金属膜形成工序，在所述各基础板的一方的主面与另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成包含多个金属层的第1金属膜，所述第1金属膜在所述一方的主面上用于一对连接电极，在所述另一方的主面上用于安装端子；
载置工序，以将所述引出电极电性连接于所述各基础板的所述连接电极，而将所述各压电振动片载置于所述各基础板的方式，来接合所述基础晶片与所述压电晶片；
接合工序，以密封所述振动部的方式，将所述盖晶片接合于所述压电晶片；
第2金属膜形成工序，在所述各基础板的另一方的主面上，通过溅镀或者真空蒸镀而形成第2金属膜，所述第2金属膜包含多个金属层，且所述第2金属膜在所述另一方的主面上用于所述安装端子；以及
形成无电解镀敷膜的工序，在所述第1金属膜及所述第2金属膜的表面，通过无电解镀敷而形成无电解镀敷膜，以用于所述安装端子，所述第1金属膜及所述第2金属膜是形成于所述基础板的表面，
所述第2金属膜是以面积大于所述第1金属膜且覆盖所述第1金属膜表面的方式形成，或者面积小于所述第1金属膜而形成于所述第1金属膜的表面的一部分上；
所述第1金属膜及所述第2金属膜包含：
铬层；
形成于所述铬层表面的镍钨层；及
形成于所述镍钨层表面的金层，
或者，
所述第1金属膜及所述第2金属膜包含：
铬层；
形成于所述铬层表面的铂层；及
形成于所述铂层表面的金层。
8.根据权利要求6或7所述的压电装置的制造方法，其特征在于，所述无电解镀敷膜包含镍层，所述镍层是通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率而形成。
9.根据权利要求6或7所述的压电装置的制造方法，其特征在于，所述安装端子具有：接地端子、及电性连接于外部电极的热端子，关于所述安装端子，在所述第1金属膜形成工序中，形成所述第1金属膜，以仅用于所述热端子，在所述第2金属膜形成工序中，形成所述第2金属膜，以用于所述接地端子及所述热端子。
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