JP5508192B2 - 圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス - Google Patents

Description

本発明は、パッケージ内に不要なガスが残らないようにした圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイスに関する。

表面実装用の圧電デバイスは、圧電振動片がアルミナセラミック等の絶縁性ベースに収納され、その絶縁性ベースの開口部にリッドを封止している。圧電デバイスを製造する場合には、絶縁性ベース又はリッドのいずれか一方の封止面に、予め樹脂、低融点ガラス等の封止材層を形成しておき、絶縁性ベースおよびリッドを重ね合わせて封止している。封止材層を樹脂で形成した場合は、封止材層から放出されるガスに起因する圧電振動片の特性変動が生じるという問題があった。封止材層が低融点ガラスで形成した場合であっても、低融点ガラス粒子間の気泡から多少のガスが放出され、圧電振動片の特性変動が生じることがある。

特許文献１では、パッケージ内のガス抜きを行うために、絶縁性ベースの端面全体に、第１の低融点ガラスを塗布しその第１の低融点ガラスを仮硬化させ、硬化した低融点ガラスの上部に、第２の低融点ガラスを塗布しその第２の低融点ガラスを仮硬化させている。その第２の低融点ガラスは、一部がパッケージ内と連通するように塗布されない領域を形成して塗布されている。

特開２００５−２６９７４号公報

しかしながら、特許文献１に開示された圧電デバイスの製造方法では、少なくとも２度の低融点ガラスの塗布と２度の仮硬化が必要であった。また第２の低融点ガラスが低粘性であると仮硬化までの時間内に、第２の低融点ガラスが塗布されない領域まで広がってしまい実質的に塗布されない領域が形成されないことが多い。また低融点ガラスが高粘性であると塗布されていない箇所へ周りの低融点ガラスが流れず封止されないことがあった。特許文献１に開示された圧電デバイスの製造方法では、個々の圧電デバイスに低融点ガラスを塗布しなければならないため、大量生産には不向きであった。

そこで、本発明は、圧電デバイス内に残留ガスや水分が含まれない圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、残留ガスや水分が含まれない圧電デバイスを提供することを目的とする。

第１観点の圧電デバイスの製造方法は、外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有するベースを複数含み、隣り合うベース間に第１面から第２面まで貫通する少なくとも一対の第１貫通孔が形成されたベースウエハを用意する工程と、一対の励振電極を有する圧電振動片を複数のベースにそれぞれ配置する工程と、リッドを複数含むリッドウエハを用意する工程と、ベースの周囲に所定の幅で環状に配置されるとともに、環状の内周側から第１貫通孔に連通する連通溝を有する封止材をベースウエハ又はリッドウエハに形成する封止材形成工程と、封止材形成工程後にベースウエハとリッドウエハとを加熱及び加圧して接合する接合工程と、を備える。また、接合工程の際に連通溝から第１貫通孔を介してベースウエハとリッドウエハが形成するキャビティとから通気する。

第２観点の圧電デバイスの製造方法は、外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有するベースを複数含み、隣り合うベース間に第１面から第２面まで貫通する少なくとも一対の第１貫通孔が形成されたベースウエハを用意する工程と、一対の励振電極を有する圧電振動片と圧電振動片の周囲を囲み且つ一主面と他主面とを有する外枠とを有する圧電フレームを複数含み、隣り合う外枠間に一主面から他主面まで貫通する少なくとも一対の第２貫通孔が形成された圧電ウエハを用意する工程と、リッドを複数含むリッドウエハを用意する工程と、外枠、ベース又はリッドの周囲に所定の幅で環状に配置されるとともに環状の内周側から第１貫通孔又は第２貫通孔に連通する連通溝を有する封止材を圧電ウエハ、ベースウエハ又はリッドウエハに形成する封止材形成工程と、封止材形成工程後に圧電ウエハ、ベースウエハ及びリッドウエハを加熱及び加圧して接合する接合工程と、を備える。また、接合工程の際に連通溝から第１貫通孔又は第２貫通孔を介してベースウエハとリッドウエハが形成するキャビティとから通気する。

第３観点の圧電デバイスの製造方法は、第１貫通孔に金属膜を形成する工程を備え、金属膜は励振電極と外部電極とを接続する。

第４観点の圧電デバイスの製造方法において、封止材は３５０℃〜４１０℃で溶融するガラスの接着剤を含む。

第５観点の圧電デバイスの製造方法は、接合工程後に圧電デバイスをスクライブラインに沿って個々に切断する切断工程を備え、連通溝の一部はスクライブラインに重なる。

第６観点の圧電デバイスの製造方法は、接合工程後に圧電デバイスをスクライブラインに沿って個々に切断する切断工程を備え、連通溝はスクライブラインよりキャビティ側に形成されている。

第７観点の圧電デバイスの製造方法は、連通溝のキャビティ側からスクライブラインに至るまでに連通溝の幅が広くなる。

第８観点の圧電デバイスの製造方法において、連通溝は封止材の所定の幅の１０％から３０％である。

第９観点の圧電デバイスの製造方法は、第１面から第２面への方向から見ると、ベースの外周は長方形でありこの長方形の角部に第１貫通孔が形成されるとともにキャビティは長方形に形成され、連通溝はキャビティの長方形の長辺から第１貫通孔まで形成されている。

第１０観点の圧電デバイスの製造方法は、第１面から第２面への方向から見ると、ベースの外周は長方形でありこの長方形の短辺に第１貫通孔が形成されるとともにキャビティは長方形に形成され、連通溝はキャビティの長方形の長辺から第１貫通孔まで形成されている。

第１１観点の圧電デバイスは、外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有し第１面と第２面とを結ぶ側面に外部電極と接続する一対の第１側面電極を有するベースと、一対の第１側面電極と接続する一対の励振電極を有しベースに保持される圧電振動片と、圧電振動片を覆うリッドと、ベースとリッドとの間の周囲に所定の幅で環状に配置されベースとリッドとを封止する環状の封止材と、を備える。また、ベースとリッドとが封止される環状の封止材は内周側から第１側面電極に連通する連通溝が形成され、ベースとリッドとが押圧されて封止された後、連通溝の一部がつぶれて密閉されている。

第１２観点の圧電デバイスは、外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有し第１面と第２面とを結ぶ第１側面に外部電極と接続する第１側面電極を有するベースと、一主面と他主面とにそれぞれ形成された一対の励振電極を有する圧電振動片と圧電振動片の周囲を囲む外枠と一主面と他主面と結ぶ第２側面に励振電極と接続するように形成された第２側面電極とを有する圧電フレームと、他主面と接合するリッドと、外枠の一主面及び他主面に所定の幅で環状にそれぞれ配置される第１及び第２封止材と、を備える。また、圧電フレーム、ベース及びリッドが封止される第１又は第２封止材の少なくとも一方は、内周側から第１側面電極又は第２側面電極に連通する連通溝が形成され、圧電フレーム、ベース及びリッドが押圧されて封止された後、連通溝の一部がつぶれて密閉されている。

第１３観点の圧電デバイスは、一主面から他主面への方向から見ると、外枠の外周及び平板の外周は四角形でありこの四角形の角部に窪んだキャスタレーションが形成され、第１側面電極はキャスタレーションに形成される。

第１４観点の圧電デバイスは、一主面から他主面への方向から見ると、外枠の外周及び平板の外周は四角形でありこの四角形の辺に窪んだキャスタレーションが形成され、第１側面電極はキャスタレーションに形成される。

本発明の製造方法によれば、圧電デバイス内に残留ガスや水分が含まれなく、大量生産が可能である。また本発明の圧電デバイスは残留ガスや水分が含まれないため安定して振動又は発振する。

第１実施形態の第１水晶振動子１００Ａの分解斜視図で、接合する前の状態を示している。 図１のＡ−Ａ断面図で、ベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが重ね合わされた状態である。 （ａ）はベース部１２Ａに接合される前のリッド部１１Ａの斜視図である。（ｂ）はベース部１２Ａに接合された後のリッド部１１Ａの一例である。（ｃ）はベース部１２Ａに接合された後のリッド部１１Ａの別例である。 第１実施形態の第１水晶振動子１００Ａの製造を示したフローチャートである。 接合する前の第１実施形態のリッドウエハ１１Ｗの平面図である。 第１実施形態のベースウエハ１２Ｗの平面図である。 接合する前の第２実施形態のリッドウエハ２１Ｗの平面図である。 （ａ）は、接合する前の第２実施形態のリッド部１１Ｂの斜視図である。 （ｂ）は、接合した後の第２実施形態のリッド部１１Ｂの斜視図である。 （ａ）は、接合する前の第３実施形態のリッド部１１Ｃの斜視図である。 （ｂ）は、接合する前の第４実施形態のリッド部１１Ｄの斜視図である。 （ａ）は、接合する前の第５実施形態のリッド部１１Ｅの斜視図である。 （ｂ）は、接合する前の第６実施形態のリッド部１１Ｅの斜視図である。 第７実施形態の第７水晶振動子１００Ｇの分解斜視図で、接合する前の状態を示している。 （ａ）はベース部１２Ｇに接合される前のリッド部１１Ｇの斜視図である。（ｂ）はベース部１２Ｇに接合された後のリッド部１１Ｇの一例である。（ｃ）はベース部１２Ｇに接合された後のリッド部１１Ｇの別例である。 第７実施形態のベースウエハ７２Ｗの平面図である。 第８実施形態の第８水晶振動子１００Ｈの分解斜視図で、接合する前の状態を示している。 第８実施形態の水晶ウエハ２０Ｗの平面図である。

以下、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下の各実施形態において、圧電振動片としてＡＴカットの水晶振動片が使われている。ここで、ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、以降の各実施形態ではＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＸ’軸、Ｙ’軸及びＺ’軸として用いる。また本明細書の説明としてＹ’軸方向の高低を、＋方向を高く−方向を低いと表現する。

（第１実施形態）
＜第１水晶振動子１００Ａの全体構成＞
第１水晶振動子１００Ａの全体構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。
図１は、第１水晶振動子１００Ａの分解斜視図で、接合する前の状態を示している。図２は、図１のＡ−Ａ断面図であり、ベース部１２Ａとリッド部１１とが重ね合わされた状態である。図３（ａ）はベース部１２に接合される前のリッド部１１Ａの斜視図である。図３（ｂ）及び（ｃ）はベース部１２に接合された後のリッド部１１Ａの斜視図である。

本明細書では、ベース部とリッド部とが重ね合わされただけで封止材が押しつぶされていない状態を「重ね合わされた」状態と表現し、ベース部とリッド部とが押圧されて封止材が押しつぶされてベース部とリッド部とが接合した状態を「接合」状態と表現する。

図１に示された第１水晶振動子１００Ａは、リッド凹部１１１を有するリッド部１１Ａと、ベース凹部１２１を有するベース部１２Ａと、ベース凹部１２１内に載置される水晶振動片１０とを備える。ここで、リッド凹部１１１及びベース凹部１２１は、サンドブラスト又はウェットエッチングにより形成される。例えば、ベース凹部１２１を一例として説明すると、ベース凹部１２１がサンドブラストで形成された場合にはベース凹部１２１の底面Ｍ３と側面Ｍ４との接触領域１２６がきちんと角部に形成される。但し、ベース凹部１２１がエッチングで形成された場合にはベース凹部１２１の底面Ｍ３と側面Ｍ４との接触領域１２６がＲ形状（曲面）に形成される。本明細書では角部に統一して示している。

水晶振動片１０は、水晶片１０１により構成され、その水晶片１０１の中央付近の両主面に一対の励振電極１０２ａ、１０２ｂが対向して配置されている。また、励振電極１０２ａには水晶片１０１底面の−Ｚ’側の＋Ｘ’軸方向の一隅まで伸びた引出電極１０３ａが接続され、励振電極１０２ｂには水晶片１０１底面の＋Ｚ’側の−Ｘ’軸方向の他隅まで伸びた引出電極１０３ｂが接続されている。水晶振動片１０は導電性接着剤１３によりガラス又は水晶などの圧電体などで形成されたベース部１２Ａに接着される（図２を参照）。

ベース部１２Ａはその表面（＋Ｙ’側の面）にベース凹部１２１の周囲に形成された第２端面Ｍ２を有している。ベース部１２Ａには、ベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂが形成されている。ベース部１２Ａにおいて、底面（水晶振動子の実装面）のＺ’軸方向の両側には一対の外部電極１２５ａ、１２５ｂがそれぞれ形成されている。また、ベースキャスタレーション１２２ａの一端が外部電極１２５ａに接続したベース側面電極１２３ａが形成され、ベースキャスタレーション１２２ｂの一端が外部電極１２５ｂに接続したベース側面電極１２３ｂが形成されている。さらに、ベース部１２Ａの第２端面Ｍ２には一対のベース側面電極１２３ａ、１２３ｂの他端に接続された接続電極１２４ａ、１２４ｂがそれぞれ形成されている。

図２に示されたように、一対の接続電極１２４ａ、１２４ｂには導電性接着剤１３が塗布されている。導電性接着剤１３は水晶振動片１０の引出電極１０３ａを接続電極１２４ａに接続し、引出電極１０３ｂを接続電極１２４ｂに接続する。このようにして水晶振動片１０がベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に載置される。したがって、水晶振動片１０の励振電極１０２ａは引出電極１０３ａ、導電性接着剤１３、接続電極１２４ａ及びベース側面電極１２３ａを介して外部電極１２５ａに接続される。同様に、水晶振動片１０の励振電極１０２ｂは引出電極１０３ｂ、導電性接着剤１３、接続電極１２４ｂ及びベース側面電極１２３ｂを介して外部電極１２５ｂに接続される。このため、外部電極１２５ａ、１２５ｂに交番電圧（正負を交番する電位）を印加したときに、水晶振動片１０は厚みすべり振動する。

また第１水晶振動子１００Ａは、低融点ガラスＬＧなどの封止材でベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に接合されるリッド部１１Ａを備えている。リッド部１１Ａがベース部１２Ａに接合されて水晶振動片１０を収納するキャビティＣＴが形成される。キャビティＣＴは窒素ガスで満たされたり又は真空状態に気密される。

低融点ガラスＬＧは、３５０℃〜４００℃で溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。バナジウム系ガラスの融点は圧電体又はガラスなどで形成されたリッド部１１Ａ及びベース部１２Ａの融点より低く、また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性・耐湿性などの信頼性が高い。バナジウム系ガラスは空気中の水分がキャビティＣＴ内に進入したりキャビティＣＴ内の真空度を低下させることを防止する。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できるので、セラミックス、ガラス、半導体、金属などの熱膨張係数が異なる様々な材料でも熱膨張による剥がれが少ない。

図３は、理解を助けるために、リッド凹部１１１を上向きにして描かれている。図３（ａ）に示されたように、リッド部１１ＡはＺ’軸方向の長さＬ１が３２００μｍ程度、Ｘ’軸方向の幅Ｗ１が２５００μｍ程度、Ｙ’軸方向の高さＨ１が１８０μｍ程度の立方体である。また、図示しないがベース部１２Ａはリッド部１１Ａと同じサイズに形成されてもよい。

リッド部１１Ａは、リッド凹部１１１側においてリッド凹部１１１の周囲に第１端面Ｍ１を有している。第１端面Ｍ１はベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に接合される。第１端面Ｍ１の幅Ｗ３は４００μｍ程度である。また、リッド部１１Ａの第１端面Ｍ１には厚さＤが１０μｍ〜１５μｍ程度の低融点ガラスＬＧが形成されている。

低融点ガラスＬＧは、第１溝ユニット１１２ａ、第２溝ユニット１１２ｂ及び第３溝ユニット１１２ｃにより構成された連通溝１１２を形成するように、リッド部１１Ａの第１端面Ｍ１に形成されている。Ｘ’軸方向に伸びた第１溝ユニット１１２ａは一端がリッド凹部１１１に接続され他端がＺ’軸方向に伸びた第２溝ユニット１１２ｂの一端に接続される。Ｘ’軸方向に伸びた第３溝ユニット１１２ｃの一端は第２溝ユニット１１２ｂの他端に接続されている。第３溝ユニット１１２ｃの他端は、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとを重ね合わせた際にベースキャスタレーション１２２ａに連通する位置まで伸びている（図１、図２を参照）。詳述すると以下の通りである。

第１溝ユニット１１２ａ、第２溝ユニット１１２ｂ及び第３溝ユニット１１２ｃの幅Ｗ５は、第１端面Ｍ１の幅Ｗ３の１０％〜３０％、すなわち４０〜１２０μｍ程度である。第１実施形態では連通溝１１２の幅Ｗ５を１００μｍとして説明する。

第１溝ユニット１１２ａのＸ’軸方向の長さＷ４は３００μｍ程度である。このため、第２溝ユニット１１２ｂ（幅１００μｍ（Ｗ５））の＋Ｘ’側には低融点ガラスＬＧが幅２００μｍ程度が形成され、その−Ｘ’側には低融点ガラスＬＧが幅１００μｍ程度の形成されている。また、第１溝ユニット１１２ａがリッド凹部１１１のＺ’軸方向のほぼ中央位置に接続されているので、第２溝ユニット１１２ｂのＺ’軸方向の長さＬ２は１６００μｍ程度である。また、第３溝ユニット１１２ｃのＸ’軸方向の長さＷ２は８００〜１０００μｍ程度となる。

図１の基準線ＢＬで示されるように、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとを重ね合わせたときに第３溝ユニット１１２ｃがベースキャスタレーション１２２ａの領域まで伸びている。また図２に示されるように、ベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが重ね合わされた状態でベースキャスタレーション１２２ａの上に第３溝ユニット１１２ｃが配置されている。

このため、ベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが重ね合わされて接合される前、ベースキャスタレーション１２２ａから連通溝１１２を介してキャビティＣＴと外気とが通気した状態である。すなわち、重ね合わされた状態のベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが真空リフロー炉に配置されれば、低融点ガラス粒子間の気泡からのガスがキャビティＣＴの外部に放出される。また、重ね合わされた状態のベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが不活性ガスで満たされた炉に配置されれば、不活性ガスがキャビティＣＴ内に入り込む。

また、通気が終了した後、低融点ガラスＬＧが加熱されリッド部１１Ａとベース部１２Ａとが押圧されることで、ベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが接合される。これにより連通溝１１２の周辺の低融点ガラスＬＧがつぶされて連通溝１１２が塞がれる。そしてキャビティＣＴ内は真空状態又は不活性ガスが満たされた状態となる。

連通溝１１２の塞がれ方には押圧の状況によりいろいろな状態がある。
図３（ｂ）は、第２溝ユニット１１２ｂの周辺の低融点ガラスＬＧの一部がつぶれて連通溝１１２が塞がれている。この場合、ベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが接合された状態でも、キャビティＣＴに接続された溝ユニット１１２Ａとベースキャスタレーション１２２ａに接続された溝ユニット１１２Ｂとが残っており、低融点ガラスＬＧがつぶされる前には連通溝１１２が存在していたことを示している。

また、図３（ｃ）は、第１溝ユニット１１２ａの周辺の低融点ガラスＬＧの一部がつぶされて連通溝１１２が塞がれている。この場合、ベース部１２Ａとリッド部１１Ａとが接合された状態でも、溝ユニット１１２’ が残っており、低融点ガラスＬＧがつぶされる前には連通溝１１２が存在していたことを示している。特に図示しないが図３（ｂ）及び（ｃ）に示された２箇所の低融点ガラスＬＧが同時につぶされることもある。また第１溝ユニット１１２ａ及び第２溝ユニット１１２ｂがすべてつぶされることもある。

しかし、図３（ｂ）及び（ｃ）に共通するように、第３溝ユニット１１２ｃの周辺の低融点ガラスＬＧの一部がつぶされることは少ない。ベースキャスタレーション１２２ａがあるため、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとが押圧された際に、第３溝ユニット１１２ｃの周辺の低融点ガラスＬＧに押圧力がかかりにくいからである。また、低融点ガラスＬＧに押圧力がかかっても低融点ガラスＬＧがベースキャスタレーション１２２ａへ流れてしまい、連通溝１１２を塞がないことが多いからである。

第１実施形態では低融点ガラスＬＧがリッド部１１Ａに形成されているが、リッド部１１Ａの代わりにベース部１２Ａに形成されてもよいし、リッド部１１Ａとベース部１２Ａとの両方に低融点ガラスＬＧが形成されてもよい。

＜第１水晶振動子１００Ａの製造方法＞
図４は、第１水晶振動子１００Ａの製造を示したフローチャートである。図４において、水晶振動片１０の製造ステップＳ１０と、リッド部１１Ａの製造ステップＳ１１と、ベース部１２Ａの製造ステップＳ１２とは別々に並行して行うことができる。また、図５は第１実施形態のリッドウエハ１１Ｗの平面図で、図６は第１実施形態のベースウエハ１２Ｗの平面図である。

ステップＳ１０では、水晶振動片１０が製造される。ステップＳ１０はステップＳ１０１及びＳ１０２を含んでいる。

ステップＳ１０１において、スパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ（不図示）の両面にクロム（Ｃｒ）層を下地としてその表面に金（Ａｕ）層が形成される。その後、水晶ウエハの両面にフォトレジスト層が均一に塗布される。そして露光装置（不図示）を用いて、フォトマスクに描かれた水晶振動片１０の外形パターンを水晶ウエハの両面に露光され、水晶振動片１０の外形が形成される。さらに金層及びクロム層が除去された後再びクロム（Ｃｒ）層と金（Ａｕ）層とが形成される。その後、水晶ウエハの両面にフォトレジスト層が均一に塗布される。そして露光装置（不図示）を用いて、フォトマスクに描かれた水晶振動片１０の外形パターンを水晶ウエハの両面に露光され、水晶振動片１０の外形が形成される。さらに金層及びクロム層が除去された後再びクロム層と金層とが形成される。次にフォトレジスト層が均一に塗布され、フォトマスクに描かれた電極パターンが水晶ウエハの両面に露光される。そして金層及びクロム層がエッチングされる。これにより、水晶ウエハに励振電極１０２ａ、１０２ｂ及び引出電極１０３ａ、１０３ｂが形成される。

ステップＳ１０２において、励振電極１０２ａ、１０２ｂ及び引出電極１０３ａ、１０３ｂが形成された水晶ウエハから個々に切り出されて水晶振動片１０が完成する。

ステップＳ１１では、リッド部１１Ａが製造される。ステップＳ１１はステップＳ１１１及びＳ１１２を含んでいる。

ステップＳ１１１において、図５に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ１１Ｗにリッド凹部１１１が数百から数千個形成される。リッドウエハ１１Ｗには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部１１１が形成され、リッド凹部１１１の周囲には第１端面Ｍ１が形成される。

ステップＳ１１２において、図５に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に低融点ガラスＬＧが印刷される。また、低融点ガラスＬＧはリッド凹部１１１から外部に通気（図６のベース貫通孔ＢＨ１を介して吸排気）できるように連通溝１１２を形成している。その後、低融点ガラスＬＧを仮硬化することで、低融点ガラスＬＧがリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に形成される。

ステップＳ１２では、ベース部１２Ａが製造される。ステップＳ１２はステップＳ１２１及びＳ１２２を含んでいる。

ステップＳ１２１において、図６に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ１２Ｗにベース凹部１２１が数百から数千個形成される。ベースウエハ１２Ｗには、エッチング又は機械加工によりベース凹部１２１が形成され、ベース凹部１２１の周囲には第２端面Ｍ２が形成される。同時に、各ベース部１２ＡのＺ’軸方向の両側にベースウエハ１２Ｗを貫通した角丸長方形のベース貫通孔ＢＨ１が形成される。ここで、角丸長方形のベース貫通孔ＢＨ１の半分が１つのベースキャスタレーション１２２ａ又は１２２ｂ（図１を参照）になる。

ステップＳ１２２において、スパッタリングまたは真空蒸着によってベースウエハ１２Ｗの両面にクロム（Ｃｒ）層を下地としてその表面に金（Ａｕ）層が形成される。その後、エッチングすることで、図６に示されたように第２端面Ｍ２に接続電極１２４ａ、１２４ｂが形成される。また同時に、ベースウエハ１２Ｗの底面には一対の外部電極１２５ａ、１２５ｂが形成され、ベース貫通孔ＢＨ１にはベース側面電極１２３ａ、１２３ｂが形成される（図１を参照）。

ステップＳ１３では、ステップＳ１０で製造された圧電振動片１０が導電性接着剤１３によりベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に固定される。このとき、圧電振動片１０の接続電極１０３ａ、１０３ｂとベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に形成された接続電極１２４ａ、１２４ｂとがそれぞれ位置を合わせるように圧電振動片１０がベース部１２Ａの第２端面Ｍ２に載置される（図２を参照）。

ステップＳ１４では、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが重ね合わされる。図５に示されたリッドウエハ１１Ｗはその周縁部の一部にオリエンテーションフラットＯＦが形成され、図６に示されたベースウエハ１２Ｗはその周縁部の一部にオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。したがって、オリエンテーションフラットＯＦを基準として、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが精密に重ね合わせされる。重ね合わされた状態で、リッド凹部１１１及びベース凹部１２１によりキャビティＣＴが形成される。キャビティＣＴはベース貫通孔ＢＨ１及び連通溝１１２を介して外部と連通している。そして重ね合わされたウエハは３５０℃〜４００℃程度に加熱された真空リフロー炉又は不活性ガスで満たされた炉に入れられる。入れられた直後のウエハは、まだ十分に加熱されておらず低融点ガラスＬＧが溶融温度に達していない。そのため、真空リフロー炉であれば連通溝１１２を介してキャビティＣＴ内のガスが外部に放出され、また、不活性ガスで満たされた炉であれば、連通溝１１２を介して不活性ガスがキャビティＣＴ内に入り込む。

ステップＳ１５では、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが押圧され、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが接合される。真空リフロー炉又は不活性ガスで満たされた炉に５分以上配置されると、低融点ガラスＬＧが３５０℃〜４００℃程度に加熱され低融点ガラスＬＧが溶融温度に達する。その時点では、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗと押圧されると、連通溝１１２を構成した低融点ガラスＬＧの一部がつぶされて連通溝１１２が塞がれる（図３（ｂ）又は（ｃ）を参照）。これにより、真空状態又は不活性ガスで満たされたキャビティＣＴが形成される。その後、重ね合わされたウエハが炉から取り出され室温まで冷やされると、低融点ガラスＬＧが固化し、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが接合する。

ステップＳ１６において、接合されたリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとは個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図５及び図６に示された一点鎖線のスクライブラインＳＬに沿って第１水晶振動子１００Ａを単位として個片化する。第１実施形態ではレーザー又は切断用ブレードの切断幅は５０〜２００μｍ程度である。これにより、数百から数千の第１水晶振動子１００Ａが製造される。

（第２実施形態）
第２実施形態では、第１実施形態で説明した連通溝１１２の形状と異なる連通溝２１２が形成されたリッド部１１Ｂが用いられる。リッド部１１Ｂについて図７及び図８を参照しながら説明する。図７は、接合する前のリッドウエハ２１Ｗの平面図である。図８（ａ）は接合する前のリッド部１１Ｂの斜視図で、（ｂ）は接合した後のリッド部１１Ｂの斜視図である。なお、第１実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して説明する。

図７に示されたように、リッドウエハ２１Ｗはその第１端面Ｍ１に第１溝ユニット２１２ａ、第２溝ユニット２１２ｂ及び第３溝ユニット２１２ｃにより構成された連通溝２１２が形成されている。Ｘ’軸方向に伸びた第１溝ユニット２１２ａは一端がリッド凹部１１１に接続され他端がＺ’軸方向に伸びた第２溝ユニット２１２ｂに接続される。Ｘ’軸方向に伸びた第３溝ユニット２１２ｃは第２溝ユニット２１２ｂの他端に接続されている。ここで、第１溝ユニット２１２ａ、第２溝ユニット２１２ｂ及び第３溝ユニット２１２ｃの幅Ｗ５は、第１端面Ｍ１の幅Ｗ３（４００μｍ程度）の１０％〜３０％、すなわち４０〜１２０μｍ程度である。第２実施形態では、幅Ｗ５を１００μｍとして説明する。したがって、リッド凹部１１１同士のＸ’軸方向の距離Ｗ６は第１端面Ｍ１の幅Ｗ３の二倍と連通溝２１２の幅Ｗ５との合計で、９００μｍ程度である。

第１溝ユニット２１２ａのＸ’軸方向の長さＷ７は第１端面Ｍ１の幅Ｗ３と連通溝２１２の幅Ｗ５との合計で、５００μｍ程度である。また、第１溝ユニット２１２ａがリッド凹部１１１のＺ’軸方向のほぼ中央位置に接続されているので、第２溝ユニット２１２ｂのＺ’軸方向の長さＬ２は１６００μｍ程度である。また、第３溝ユニット２１２ｃのＸ’軸方向の長さＷ８は９００〜１１００μｍ程度となり、リッド部１１Ｂとベース部１２Ａとが重ね合わされたときに第３溝ユニット２１２ｃがベースキャスタレーション１２２ａ（図１を参照）の領域まで伸びている。これにより、リッドウエハ２１Ｗとベースウエハ１２Ｗ（図６を参照）とが重ね合わされた後、ベース貫通孔ＢＨ１（図６を参照）及び連通溝２１２を介してキャビティＣＴ（図７ではリッド凹部１１１）と外気とが通気する。

第２実施形態において、接合されたリッドウエハ２１Ｗとベースウエハ１２Ｗ（図６を参照）とを切断するダイシング装置に用いられる切断用ブレードの切断幅は１００μｍ程度とする。この場合、ダイシング装置の目詰まりを防止するために、図７の一点鎖線で示されたようにスクライブラインＳＬは連通溝２１２の第２溝ユニット２１２ｂに沿って切断することが好ましい。

このため、接合する前のリッド部１１Ｂは図８（ａ）に示された状態である。つまり、第２溝ユニット２１２ｂは存在しなく、リッド部１１Ｂの第１端面Ｍ１にはＸ’軸方向に伸びた第１溝ユニット２１２ａ及び第３溝ユニット２１２ｃのみが形成されている。

リッドウエハ２１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが重ね合わされた後、キャビティＣＴ内を密閉するためには、図８（ｂ）に示されたようにキャビティＣＴ（図８ではリッド凹部１１１）に接続された第１溝ユニット２１２ａが塞がされる必要がある。低融点ガラスＬＧが加熱され、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが押圧されると、第１溝ユニット２１２ａの周辺の低融点ガラスＬＧがつぶされて第１溝ユニット２１２ａが塞がされる。この場合、ベース部１２Ａとリッド部１１Ｂとが接合された状態でも、溝ユニット２１２ａ’ が残っており、低融点ガラスＬＧがつぶされる前には連通溝２１２が存在していたことを示している。

ベース貫通孔ＢＨ１（図６を参照）と一部重なっている第３溝ユニット２１２ｃは、第３溝ユニット２１２ｃの周辺の低融点ガラスＬＧがつぶされにくい。

＜第２実施形態における水晶振動子の製造方法＞
第２実施形態の水晶振動子の製造方法は、図４に示された第１水晶振動子１００Ａの製造方法とほぼ同じである。水晶振動子が個々に切断されるステップＳ１５では、Ｚ’軸方向に伸びた連通溝２１２の第２溝ユニット２１２ｂに沿ってリッドウエハ２１Ｗが切断される。

以下、第３実施形態から第６実施形態までは、それぞれ異なる連通溝が形成されたリッド部が示される。ベース部と接合した際に低融点ガラスＬＧがつぶされて連通溝が塞がれた図はしめされていない。

（第３実施形態）
図９（ａ）は、接合する前の第３実施形態の連通溝３１２が形成されたリッド部１１Ｃの斜視図である。

リッド部１１Ｃの第１端面Ｍ１には封止材として低融点ガラスＬＧが形成されている。また、低融点ガラスＬＧはリッド凹部１１１と外部とを連通する連通溝３１２を有する。連通溝３１２はＸ’軸方向に何度も折り曲げたジグザグ形状となっている。リッド部１１Ｃとベース部１２Ａとを接合する際に連通溝３１２の周囲の低融点ガラスＬＧをつぶされ、連通溝３１２が塞がれる。連通溝３１２の長さがジグザグ形状で長くなっているので、連通溝３１２が塞がれる箇所が多くなる。このため、キャビティＣＴが確実に気密に封止される。

（第４実施形態）
図９（ｂ）は、接合する前の第４実施形態の連通溝４１２が形成されたリッド部１１Ｄの斜視図である。

低融点ガラスＬＧで構成された連通溝４１２は、Ｚ’軸方向に何度も折り曲げたジグザグ形状となっている。リッド部１１Ｄとベース部１２Ａとを接合する際に連通溝４１２の周囲の低融点ガラスＬＧをつぶされ、連通溝４１２が塞がれる。連通溝４１２の長さがジグザグ形状で長くなっているので、連通溝４１２が塞がれる箇所が多くなる。

（第５実施形態）
図１０（ａ）は、接合する前の第５実施形態の連通溝５１２が形成されたリッド部１１Ｅの斜視図である。

リッド部１１Ｅの第１端面Ｍ１には封止材として低融点ガラスＬＧが形成されている。また、連通溝５１２は、Ｘ’軸方向に伸びた第１溝ユニット５１２ａ及び第３溝ユニット５１２ｃと、第１溝ユニット５１２ａ及び第３溝ユニット５１２ｃに接続されＺ’軸方向に伸びた第２溝ユニット５１２ｂとで構成される。第１溝ユニット５１２ａはリッド凹部１１１に接続された一端から第２溝ユニット５１２ｂに接続された他端に向かって直線状に幅広くなるように形成されている。ここで、第１溝ユニット５１２ａの幅狭い一端の幅は５０μｍ程度（凹部１１１側）で、幅広い他端の幅は２００μｍ程度である。第１溝ユニット５１２ａは一端がリッド凹部１１１に接続され、第３溝ユニット５１２ｃは一端がベース貫通孔ＢＨ１（図６を参照）に接続されている。

このような構成によれば、第１溝ユニット５１２ａのリッド凹部１１１に接続された一端が幅狭く形成されているので、リッド部１１Ｄとベース部１２Ａとを接合する際に連通溝５１２ａの一端が塞がれ易い。また第１溝ユニット５１２ａがリッド凹部１１１から他端に向かって直線状に幅広くなっているため、一端が狭くても通気も確保できる。

（第６実施形態）
図１０（ｂ）は、接合する前の第６実施形態の連通溝５１２が形成されたリッド部１１Ｆの斜視図である。

リッド部１１Ｆの第１端面Ｍ１には封止材として低融点ガラスＬＧが形成されている。また、連通溝６１２は、Ｘ’軸方向に伸びた第１溝ユニット６１２ａ及び第３溝ユニット６１２ｃと、Ｚ’軸方向に伸びた第２溝ユニット６１２ｂとで構成される。第１溝ユニット６１２ａはリッド凹部１１１に接続された一端から第２溝ユニット６１２ｂに接続された他端に向かって階段状に幅広くなるように形成されている。ここで、第１溝ユニット６１２ａの幅狭い一端の幅は５０μｍ程度で、幅広い他端の幅は２００μｍ程度である。

（第７実施形態）
＜第７水晶振動子１００Ｇの全体構成＞
第７水晶振動子１００Ｇの全体構成について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。図１１は、第７水晶振動子１００Ｇの分解斜視図で、接合する前の状態を示している。図１２（ａ）は接合する前のリッド部１１Ｇの斜視図で、（ｂ）及び（ｃ）は接合した後の第７実施形態のリッド部１１Ｇの斜視図である。なお、第１実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して説明する。

図１１に示されたように、第７水晶振動子１００Ｇは、リッド凹部１１１を有するリッド部１１Ｇと、ベース凹部１２１を有するベース部１２Ｇと、ベース凹部１２１内に載置される水晶振動片１０’とを備える。

水晶振動片１０’は一対の引出電極１０３ａ、１０３ｂ’とも水晶振動片１０’の底面における−Ｚ’側に形成されている。また、水晶振動片１０’は導電性接着剤１３により水晶などの圧電体又はガラスなどで形成されたベース部１２Ｇに接着される。ベース部１２Ｇは、ベースキャスタレーション７２２ａ〜７２２ｄが形成されている。また、ベース部１２Ｇにおいて底面（水晶振動子の実装面）のＺ’軸方向の両側には一対の外部電極７２５ａ、７２５ｂが形成されている。一対のベースキャスタレーション７２２ａ、７２２ｂには一端が外部電極７２５ａに接続したベース側面電極７２３ａ、７２３ｂが形成され、一対のベースキャスタレーション７２２ｃ、７２２ｄには一端が外部電極７２５ｂに接続したベース側面電極７２３ｃ、７２３ｄが形成されている。さらに、ベース部１２Ｇの第２端面Ｍ２にはベース側面電極７２３ａ〜７２３ｄの他端に接続された接続電極７２４ａ、７２４ｂがそれぞれ形成されている。ここで、接続電極７２４ｂは第２端面Ｍ２でベース凹部１２１を周回するように接続電極７２４ａ側（−Ｚ’側）の第２端面Ｍ２まで伸びて形成されている。但し、接続電極７２４ｂがベース凹部１２１の底面Ｍ３をわたって接続電極７２４ａ側（−Ｚ’側）の第２端面Ｍ２まで伸びて形成されてもよい。

第１実施形態と同様に、水晶振動片１０’をベース部１２Ｇの第２端面Ｍ２に載置する際、水晶振動片１０’の励振電極１０２ａ、１０２ｂがベース部１２Ｇの接続電極７２４ａ、７２４ｂにそれぞれ接続される。このため、外部電極１２５ａ、１２５ｂに交番電圧（正負を交番する電位）を印加したときに、水晶振動片１０’は厚みすべり振動する。

リッド部１１Ｇについて図１２を参照しながら説明する。図１２は、理解を助けるために、リッド凹部１１１を上向きにして描かれている。図１２（ａ）に示されたように、リッド部１１Ｇはリッド凹部１１１の周囲にベース部１２Ｇの第２端面Ｍ２に接合される第１端面Ｍ１を有している。

リッド部１１Ｇの第１端面Ｍ１に、第１溝ユニット７１２ａ及び第２溝ユニット７１２ｂにより構成された連通溝７１２を有する低融点ガラスＬＧが形成される。Ｘ’軸方向に伸びた第１溝ユニット７１２ａは一端がリッド凹部１１１に接続され他端がＺ’軸方向に伸びた第２溝ユニット７１２ｂに接続される。ここで、第１溝ユニット７１２ａ及び第２溝ユニット７１２ｂの寸法は、第１実施形態で説明された第１溝ユニット１１２ａ及び第２溝ユニット１１２ｂの寸法と同じである。また、第２溝ユニット７１２ｂはリッド部１１Ｇとベース部１２Ｇとを接合したときにベースキャスタレーション７２２ａの領域まで伸びている（図１１の基準線ＢＬを参照）。

このため、リッド部１１Ｇとベース部１２Ｇとが重ね合わされた際に、キャビティＣＴと外気とがベースキャスタレーション７２２ａ及び連通溝７１２を介して通気する。また、通気が終了した後、キャビティＣＴ内を気密にするためには連通溝７１２を塞ぐ必要がある。このとき、加熱しリッド部１１Ｇ及びベース部１２Ｇを押圧することで、連通溝７１２の周囲の一部の低融点ガラスＬＧがつぶされて連通溝７１２が塞がされる。

図１２（ｂ）は、第２溝ユニット７１２ｂの周辺の低融点ガラスＬＧの一部がつぶれて連通溝７１２が塞がれている。この場合、ベース部１２Ｇとリッド部１１Ｇとが接合された状態でも、キャビティＣＴに接続された第１溝ユニット７１２ａ及び一部の第２溝ユニット７１２ｂとベースキャスタレーション７２２ａに接続された一部の第２溝ユニット７１２ｂとが残っておる。また、低融点ガラスＬＧがつぶされる前には連通溝７１２が存在していたことを示している。

また、図１２（ｃ）は、第１溝ユニット７１２ａの周辺の低融点ガラスＬＧの一部がつぶされて連通溝７１２が塞がれている。この場合、ベース部１２Ｇとリッド部１１Ｇとが接合された状態でも、溝ユニット７１２’が残っており、低融点ガラスＬＧがつぶされる前には連通溝７１２が存在していたことを示している。特に図示しないが図１２（ｂ）及び（ｃ）に示された２箇所の低融点ガラスＬＧが同時につぶされることもある。また第１溝ユニット７１２ａ及び第２溝ユニット７１２ｂがすべてつぶされることもある。

＜第７水晶振動子１００Ｇの製造方法＞
第７実施形態の水晶振動子の製造方法は、図４に示された第１水晶振動子１００Ａの製造方法とほぼ同じである。但し、ステップＳ１０で形成される水晶振動片１０’の引出電極１０３ｂ’の形状が異なる。また、ステップＳ１１２で形成される低融点ガラスＬＧの連通溝の形状が異なり、ベース部１２ＧのステップＳ１２が異なる。ここではベースウエハ７２Ｗを製造するステップＳ１２を説明する。図１３は第７実施形態のベースウエハ７２Ｗの平面図である。

ステップＳ１２１では、図１３に示されたように、ベース凹部１２１が形成され、同時にベース部１２Ｇの四隅にベースウエハ７２Ｗを貫通した円形のベース貫通孔ＢＨ２が形成される。ここで、円形のベース貫通孔ＢＨ２の１／４が１つのベースキャスタレーション７２２ａ〜７２２ｄ（図１１を参照）になる。

ステップＳ１２２では、図１３に示されたベースウエハ７２Ｗの底面には一対の外部電極７２５ａ、７２５ｂ（図１１を参照）がそれぞれ形成される。また、ベース貫通孔ＢＨ２には外部電極７２５ａに接続されたベース側面電極７２３ａ及び７２３ｂと外部電極７２５ｂに接続されたベース側面電極７２３ｃ及び７２３ｄとがそれぞれ形成される（図１１を参照）。また、第２端面Ｍ２にはベース側面電極７２３ａ及び７２３ｂに接続された接続電極７２４ａとベース側面電極７２３ｃ及び７２３ｄに接続された接続電極７２４ｂとがそれぞれ形成される。

（第８実施形態）
＜第８水晶振動子１００Ｈの全体構成＞
第８水晶振動子１００Ｈの全体構成について、図１４を参照しながら説明する。図１４は、第８実施形態の第８水晶振動子１００Ｈの分解斜視図で、接合する前の状態を示している。なお、第１実施形態と同じ構成要件には同じ符号を付して説明する。

図１４に示されたように、第８水晶振動子１００Ｈは、リッド部１１Ａ及びベース部１２Ｈに挟まれる水晶フレーム２０をさらに備える。リッド部１１Ａ及びベース部１２Ｈが水晶フレーム２０の両面に接合されると、リッド部１１Ａ、ベース部１２Ｈ及び水晶フレーム２０によりキャビティＣＴ（図２を参照）が形成される。第８実施形態では、リッド部１１Ａが低融点ガラスＬＧにより水晶フレーム２０に接合され、ベース部１２Ｈも低融点ガラスＬＧにより水晶フレーム２０に接合される。

またベース部１２Ｈは、第１実施形態のベース１２Ａと比べれば接続電極１２４ａ、１２４ｂ（図１を参照）が形成されていない点で異なる。

水晶フレーム２０はＡＴカットされた水晶材料で形成され、リッド部１１Ａに接合される表面Ｍｅとベース部１２Ｈに接合される裏面Ｍｉとを有している。水晶フレーム２０は両面に励振電極２０２ａ、２０２ｂが形成された水晶振動部２０１と、水晶振動部２０１を囲む外枠２０５とで構成されている。また、水晶振動部２０１と外枠２０５との間には、水晶振動部２０１からＺ’軸方向の両側に沿ってそれぞれ伸びるように外枠２０５と連結した一対の連結部２０４ａ、２０４ｂを有している。このため、水晶振動部２０１と外枠２０５との間に２つの「Ｌ」字型の間隙部２０８が形成される。水晶フレーム２０のＺ’軸方向の両辺には、角丸長方形の水晶貫通孔ＣＨ（図１５を参照）を形成した際の水晶キャスタレーション２０６ａ、２０６ｂが形成されている。水晶キャスタレーション２０６ａ、２０６ｂには水晶側面電極２０７ａ、２０７ｂがそれぞれ形成されている。

また、連結部２０４ａの表面Ｍｅには励振電極２０２ａから引き出し水晶キャスタレーション２０６ａの水晶側面電極２０７ａと接続された引出電極２０３ａが形成され、連結部２０４ｂの裏面Ｍｉには励振電極２０２ｂから引き出し水晶キャスタレーション２０６ｂの水晶側面電極２０７ｂと接続された引出電極２０３ｂが形成されている。

ベース部１２Ｈと接合した水晶フレーム２０の表面Ｍｅにリッド部１１Ａが重ね合わされたときに、連通溝１１２が水晶キャスタレーション２０６ａの領域まで伸びている。このため、水晶フレーム２０にリッド部１１Ａが重ね合わされて接合される前、ベースキャスタレーション１２２ａ及び水晶キャスタレーション２０６ａから連通溝１１２を介してキャビティＣＴと外気とが通気している。

また、通気が終了した後、低融点ガラスＬＧが加熱されリッド部１１Ａと水晶フレーム２０とが押圧されることで、水晶フレーム２０とリッド部１１Ａとが接合される。これにより連通溝１１２の周辺の低融点ガラスＬＧがつぶされて連通溝１１２が塞がされる。そしてキャビティＣＴ内は真空状態又は不活性ガスが満たされた状態となる。

また、励振電極２０２ａ、２０２ｂは引出電極２０３ａ、２０３ｂ、水晶側面電極２０７ａ、２０７ｂ、ベース側面電極１２３ａ、１２３ｂを介して第８水晶振動子１００Ｈの底面（実装面）に形成された外部電極１２５ａ、１２５ｂにそれぞれ接続される。

第８実施形態では、また低融点ガラスＬＧでベース部１２Ｈと水晶フレーム２０とが接合された後、リッド部１１Ａが水晶フレーム２０に接合された。しかし、低融点ガラスＬＧでベース部１２Ｈと水晶フレーム２０とリッド部１１Ａとが同時に接合されてもよい。リッド部１１Ａに低融点ガラスＬＧが形成されているが、水晶フレーム２０の表面Ｍｅに形成されてもよい。

また、第８実施形態では、低融点ガラスＬＧによりベース部１２Ｈと水晶フレーム２０とが接合されたが、低融点ガラスＬＧの代わりにシロキサン結合又は陽極接合によりベース部１２Ｈと水晶フレーム２０とが接合されてもよい。

＜第８水晶振動子１００Ｈの製造方法＞
第８水晶振動子１００Ｈの製造方法において、リッド部１１Ａは第１実施形態で説明された図４のステップＳ１１で製造される。
また、ベース部１２Ｈは第１実施形態で説明された図４のステップＳ１２で製造される。但し、各電極を形成するステップＳ１２２では一対の外部電極１２５ａ、１２５ｂ及びベース側面電極１２３ａ、１２３ｂのみが形成される。

以下、水晶フレーム２０の製造方法について、図１５を参照しながら説明する。図１５は、第８実施形態の水晶ウエハ２０Ｗの平面図である。
まず、図１５に示されたように、均一の水晶ウエハ２０Ｗに、エッチングにより複数の水晶フレーム２０の外形が形成される。すなわち、水晶振動部２０１と、外枠２０５と、一対の間隙部２０８とが形成され、各水晶フレーム２０のＺ’軸方向の両側に角丸長方形の水晶貫通孔ＣＨが形成される。水晶貫通孔ＣＨの半分が１つの水晶キャスタレーション２０６ａ又は２０６ｂ（図１４を参照）となる。

そして、スパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ２０Ｗの両面及び水晶貫通孔ＣＨにクロム（Ｃｒ）層を下地としてその表面に金（Ａｕ）層が形成される。

その後、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。そして露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた励振電極２０２ａ、２０２ｂ、引出電極２０３ａ、２０３ｂ及び水晶側面電極２０７ａ、２０７ｂのパターンが水晶ウエハ２０Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図１４に示されたように水晶ウエハ２０Ｗ両面に励振電極２０２ａ、２０２ｂ及び引出出極２０３ａ、２０３ｂが形成され、水晶貫通孔ＣＨに水晶側面電極２０７ａ、２０７ｂが形成される。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
たとえば、本実施形態ではＡＴカットの水晶振動片を用いているが、一対の振動片を有する音叉型の振動片にも適用できる。また、実施形態では水晶振動片が使用されたが、水晶以外にタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を利用することができる。さらに圧電デバイスとして、発振回路を組み込んだＩＣなどをパッケージ内に配置させた圧電発振器にも本発明は適用できる。

１０ … 水晶振動片
１１Ａ〜１１Ｇ … リッド部、 １１Ｗ … リッドウエハ
１２Ａ、１２Ｈ … ベース部、 １２Ｗ、７２Ｗ … ベースウエハ
１３ … 導電性接着剤
２０ … 水晶フレーム、 ２０Ｗ … 水晶ウエハ
１００Ａ、１００Ｇ、１００Ｈ 水晶振動子
１０１ … 水晶片、 ２０１ … 水晶振動部
１０２ａ、１０２ｂ、２０２ａ、２０２ｂ … 励振電極
１０３ａ、１０３ｂ、２０３ａ、２０３ｂ … 引出電極
１１１ … リッド凹部、 １２１ … ベース凹部
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２、６１２、７１２ … 連通溝
１１２ａ〜１１２ｃ、２１２ａ〜２１２ｃ、５１２ａ〜５１２ｃ、６１２ａ〜６１２ｃ、７１２ａ、７１２ｂ … 溝ユニット
１２２ａ、１２２ｂ、７２２ａ〜７２２ｄ … ベースキャスタレーション
１２３ａ、１２３ｂ、７２３ａ〜７２３ｄ … ベース側面電極
１２４ａ、１２４ｂ、７２４ａ、７２４ｂ … 接続電極
１２５ａ、１２５ｂ、７２５ａ、７２５ｂ … 外部電極
２０４ａ、２０４ｂ … 連結部
２０５ … 外枠
２０６ａ、２０６ｂ … 水晶キャスタレーション
２０７ａ、２０７ｂ … 水晶側面電極
２０８ … 間隙部
ＢＨ１、ＢＨ２ … ベース貫通孔
ＢＬ … 基準線
ＣＨ … 水晶貫通孔
ＣＴ … キャビティ
ＬＧ … 低融点ガラス
Ｍ１、Ｍ２ … 端面
ＳＬ … スクライブライン

Claims (14)

1. 外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有するベースを複数含み、隣り合う前記ベース間に前記第１面から前記第２面まで貫通する少なくとも一対の第１貫通孔が形成されたベースウエハを用意する工程と、
   一対の励振電極を有する圧電振動片を前記複数のベースにそれぞれ配置する工程と、
   リッドを複数含むリッドウエハを用意する工程と、
   前記ベースの周囲に所定の幅で環状に配置されるとともに、前記環状の内周側から前記第１貫通孔に連通する連通溝を有する封止材を、前記ベースウエハ又はリッドウエハに形成する封止材形成工程と、
   前記封止材形成工程後に、前記ベースウエハと前記リッドウエハとを加熱及び加圧して接合する接合工程と、を備え、
   前記接合工程の際に、前記連通溝から前記第１貫通孔を介して前記ベースウエハと前記リッドウエハとが形成するキャビティから通気する圧電デバイスの製造方法。
2. 外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有するベースを複数含み、隣り合うベース間に第１面から第２面まで貫通する少なくとも一対の第１貫通孔が形成されたベースウエハを用意する工程と、
   一対の励振電極を有する圧電振動片と前記圧電振動片の周囲を囲み且つ一主面と他主面とを有する外枠とを有する圧電フレームを複数含み、隣り合う前記外枠間に前記一主面から前記他主面まで貫通する少なくとも一対の第２貫通孔が形成された圧電ウエハを用意する工程と、
   リッドを複数含むリッドウエハを用意する工程と、
   前記外枠、ベース又はリッドの周囲に所定の幅で環状に配置されるとともに、前記環状の内周側から前記第１貫通孔又は第２貫通孔に連通する連通溝を有する封止材を、前記圧電ウエハ、前記ベースウエハ又は前記リッドウエハに形成する封止材形成工程と、
   前記封止材形成工程後に、前記圧電ウエハ、前記ベースウエハ及び前記リッドウエハを加熱及び加圧して接合する接合工程と、を備え、
   前記接合工程の際に、前記連通溝から前記第１貫通孔又は第２貫通孔を介して前記ベースウエハと前記リッドウエハが形成するキャビティとから通気する圧電デバイスの製造方法。
3. 前記第１貫通孔に金属膜を形成する工程を備え、
   前記金属膜は前記励振電極と前記外部電極とを接続する請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイスの製造方法。
4. 前記封止材は３５０℃〜４１０℃で溶融するガラスの接着剤を含む請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
5. 前記接合工程後に、前記圧電デバイスをスクライブラインに沿って個々に切断する切断工程を備え、
   前記連通溝の一部は前記スクライブラインに重なる請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
6. 前記接合工程後に、前記圧電デバイスをスクライブラインに沿って個々に切断する切断工程を備え、
   前記連通溝は前記スクライブラインより前記キャビティ側に形成されている請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
7. 前記連通溝の前記キャビティ側から前記スクライブラインに至るまでに前記連通溝の幅が広くなる請求項５又は請求項６に記載の圧電デバイスの製造方法。
8. 前記連通溝は前記封止材の前記所定の幅の１０％から３０％である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
9. 前記第１面から前記第２面への方向から見ると、前記ベースの外周は長方形でありこの長方形の角部に前記第１貫通孔が形成されるとともに前記キャビティは長方形に形成され、
   前記連通溝は前記キャビティの長方形の長辺から前記第１貫通孔まで形成されている請求項７又は請求項８に記載の圧電デバイスの製造方法。
10. 前記第１面から前記第２面への方向から見ると、前記ベースの外周は長方形でありこの長方形の短辺に前記第１貫通孔が形成されるとともに前記キャビティは長方形に形成され、
    前記連通溝は前記キャビティの長方形の長辺から前記第１貫通孔まで形成されている請求項７又は請求項８に記載の圧電デバイスの製造方法。
11. 外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面と第２面とを結ぶ側面に前記外部電極と接続する一対の第１側面電極を有するベースと、
    前記一対の第１側面電極と接続する一対の励振電極を有し、前記ベースに保持される圧電振動片と、
    前記圧電振動片を覆うリッドと、
    前記ベースと前記リッドとの間の周囲に所定の幅で環状に配置され、前記ベースと前記リッドとを封止する環状の封止材と、を備え、
    前記ベースと前記リッドとが封止される前、前記環状の封止材は前記内周側から前記第１側面電極に連通する連通溝が形成され、
    前記ベースと前記リッドとが押圧されて封止された後、前記連通溝の一部がつぶれて密閉されている圧電デバイス。
12. 外部電極が形成される第１面とその第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面と第２面とを結ぶ第１側面に前記外部電極と接続する第１側面電極を有するベースと、
    一主面と他主面とにそれぞれ形成された一対の励振電極を有する圧電振動片と、前記圧電振動片の周囲を囲む外枠と、前記一主面と前記他主面と結ぶ第２側面に前記励振電極と接続するように形成された第２側面電極とを有し、前記ベースの第２面と前記一主面とが接合する圧電フレームと、
    前記他主面と接合するリッドと、
    前記外枠の前記一主面及び前記他主面に所定の幅で環状にそれぞれ配置される第１及び第２封止材と、を備え、
    前記圧電フレーム、前記ベース及び前記リッドが封止される前、前記第１又は第２封止材の少なくとも一方は、前記内周側から前記第１側面電極又は第２側面電極に連通する連通溝が形成され、
    前記圧電フレーム、前記ベース及び前記リッドが押圧されて封止された後、前記連通溝の一部がつぶれて密閉されている圧電デバイス。
13. 前記一主面から前記他主面への方向から見ると、前記外枠の外周及び前記平板の外周は四角形でありこの四角形の角部に窪んだキャスタレーションが形成され、
    前記第２側面電極は前記キャスタレーションに形成される請求項１１又は請求項１２に記載の圧電デバイス。
14. 前記一主面から前記他主面への方向から見ると、前記外枠の外周及び前記平板の外周は四角形でありこの四角形の辺に窪んだキャスタレーションが形成され、
    前記第２側面電極は前記キャスタレーションに形成される請求項１１又は請求項１２に記載の圧電デバイス。