JP2016195345A - 圧電デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】貫通孔115を有する第一基板111と第一基板111の上面の外周縁に沿って設けられた第一枠部112とで形成された第一凹部116を有する基体110と、少なくとも第二基板121を備えた素子搭載部材129と、第二基板121の上面に実装された圧電素子123と、素子搭載部材129に接合することで圧電素子を気密封止する蓋体124とを有し、第一凹部116内であって第一基板111の上面に実装された振動子部120と、貫通孔115内であって、第二基板121の下面に実装された電子部品素子130とを備えた圧電デバイス及びその製造方法。
【選択図】図2
Description
尚、各図では、説明を明りょうにするため構造体の一部を図示せず、また寸法も一部誇張して図示している。又、各図では、説明を平易とするため、図面が記載されている用紙上方を圧電デバイスの上方として記述する。
図1は、本発明の第一実施形態に係る圧電デバイスを示した分解斜視図である。図2は図1記載の仮想切断線A−Aで切断した場合の概略断面図である。以下の説明については、圧電デバイスの一つである圧電発振器について説明する。圧電発振器100は、図1及び図2に示すように、基体110と、振動子部120と、集積回路素子130とから主に構成されている。このような圧電発振器100は、電子機器等で使用する基準信号を生成出力するために用いられる。
振動子部120は、素子搭載部材129と、素子搭載部材129の上面に接合された水晶素子123と、素子搭載部材129の上面に接合された蓋体124とを含んでいる。素子搭載部材129には、第二基板121の上面と第二枠部122の内側面によって囲まれた第二凹部128が形成されている。振動子部120は、基体110の第一凹部116内にはめ込まれており、振動子部120の第二電極パッド127と基体110の第一電極パッド113とを、導電性接着剤等の導電性接合剤により接合導通されている。
図4は、第一実施形態の変形例に係る圧電デバイスを示した概略断面図である。また、第一実施形態の変形例に係る圧電デバイスは、絶縁性樹脂140が貫通孔115内又は第一凹部116内に設けられている点において第一実施形態と異なる。
図5は、本発明の第二実施形態に係る圧電デバイスを示した、図1記載の仮想切断線A−Aと同じ位置で切断した場合の概略断面図である。以下の説明については、圧電デバイスの一つである圧電振動子について説明する。圧電振動子200は、図5に示すように、基体210と、振動子部220と、サーミスタ素子230とから構成されている。尚、第一の実施形態との相違点は、振動子部220の下部に搭載されている電子部品素子がサーミスタ素子230であることである。また、振動子部220内に搭載された水晶素子223とサーミスタ素子230とはそれぞれ異なる外部端子214とのみ電気的に導通しており、水晶素子223とサーミスタ素子230とは電気的に導通していないことで、第一実施形態とは異なっている。
振動子部220は、素子搭載部材229と、素子搭載部材229の上面に接合された水晶素子223と、素子搭載部材229の上面に接合された蓋体224とを含んでいる。素子搭載部材229には、第二基板221の上面と第二枠部222の内側面によって囲まれた第二凹部228が形成されている。振動子部220は、基体210の第一凹部216内にはめ込まれており、振動子部220の第二電極パッド227と基体210の第一電極パッド213とを、導電性接着剤や半田等の導電性接合剤により接合導通されている。
本発明の圧電デバイスの製造方法における各工程を、図6に示すように、本発明の第一実施形態である図1に開示の圧電発振器を用いて説明する。
本発明の圧電デバイスの製造方法は、基体集合ウエハ形成工程と、振動子部形成工程と、電子部品素子搭載工程と、振動子部搭載工程と、個片化工程と、備えている。
基体集合ウエハ形成工程は、図6(a)に示すように、マトリクス状に配列集合された複数個の基体形成領域Bからなる基体集合ウエハ301を形成する工程である。図示するように、基体集合ウエハ301は、圧電発振器300の基体を構成する第一基板(図1では第一基板111)をマトリクス状に集合配列してなる第一基板ウエハ302の上面に、基体形成領域Bに合わせた形態の第一枠部(図1では第一枠部112)の形成領域を配列集合した第一枠部ウエハ303を結合し、各基体形成領域B内に第一凹部304を形成する。又、第一基板ウエハ302の各基体形成領域内の平面視中央に、後述する集積回路素子320等の電子部品素子を収めることが可能な大きさの貫通孔307が形成されている。尚、第一枠部ウエハ303の上面の位置は、第一基板ウエハ302の上面に後述する振動子部320を配置したときの第二基板311の下面の位置よりも高く、後述する蓋体316の外側主面の位置と同じ又は低くなる範囲内の所定の位置で形成されている。
振動子部形成工程は、図6(b)に示すように、素子搭載部材である第二基板311の上面に第二枠部312を設けることにより第二凹部313を形成し、第二凹部313内に露出した第二基板311の上面に設けられた水晶素子パッド314に水晶素子315を実装する工程である。水晶素子315を実装した後、第二凹部313の開口部を覆うように蓋体316を第二枠部312上面に接合して、水晶素子315を内蔵し真空又は窒素が充填された第二凹部313を気密封止して振動子部310を形成する。この振動子部310を、基体集合ウエハ301に形成された第一凹部304の個数に対応する数で用意する。尚、この振動子部310を構成する第二基板311の下面には、第二電極パッド317と、集積回路素子パッド318が形成されている。
電子部品素子搭載工程は、図6(c)に示すように、前工程で形成した各振動子部310の第二基板311の下面に、電子部品素子の一つである集積回路素子320を搭載する工程である。集積回路素子320は、振動子部310を構成する第二基板311の下面に形成した集積回路素子パッド318と、集積回路素子320に形成された接合パッド321とを導電性接着剤又は半田等の導電性接合剤により接合導通することで搭載される。尚、本発明の第二実施形態である圧電振動子の製造方法の場合は、前工程で形成した各振動子部310の第二基板311の下面に、電子部品素子の一つであるサーミスタ素子が搭載される。
振動子部搭載工程は、図6(d)に示すように、前工程で集積回路素子320を搭載した振動子部310を、基体集合ウエハ301の上方から、貫通孔307内に集積回路素子320を挿入しつつ基体集合ウエハ301の各第一凹部304内にはめ込み、基体集合ウエハ301に集積回路素子320を搭載した振動子部310を各第一凹部304及び貫通孔307内に配置し搭載する工程である。集積回路素子320を搭載した振動子部310は、各第一凹部304内に設けられた第一電極パッド305と振動子部310の第二電極パッド317とを、導電性接着剤等の導電性接合剤により接合導通することにより、基体集合ウエハ301に搭載されている。
個片化工程は、前工程で集積回路素子320を搭載した複数の振動子部310を搭載した基体集合ウエハ301を、基体形成領域Bごとにダイシングやレーザなどにより切断し、個片化した圧電発振器300を複数個形成する工程である。
110、210・・・基体
111、211・・・第一基板
112、212・・・第一枠部
115、215、307・・・貫通孔
116、216、304・・・第一凹部
120、220、310・・・振動子部
121、221、311・・・第二基板
123、223、315・・・水晶素子(圧電素子)
124、224、316・・・蓋体
129、229・・・素子搭載部材
130、320・・・集積回路素子(電子部品素子)
140、240・・・絶縁性樹脂
200・・・圧電振動子(圧電デバイス)
230・・・サーミスタ素子(電子部品素子)
301・・・基体集合ウエハ
Claims (6)
- 貫通孔を有する第一基板と前記第一基板の上面の外周縁に沿って設けられた第一枠部とで形成された第一凹部を有する基体と、
少なくとも第二基板を備えた素子搭載部材と、第二基板の上面に実装された圧電素子と、前記素子搭載部材に接合することで前記圧電素子を気密封止する蓋体とを有し、前記第一凹部内であって前記第一基板の上面に実装された振動子部と
前記貫通孔内であって、前記第二基板の下面に実装された電子部品素子を備えた
ことを特徴とする圧電デバイス。 - 前記第一枠部の上面の位置は、前記第一基板の上面に前記振動子部を配置したときの前記第二基板の下面の位置よりも高く、前記蓋体の外側主面の位置と同じ又は低くなる範囲内の所定の位置で形成されていることを特徴とする、請求項1に記載された圧電デバイス。
- 前記貫通孔内と前記第一凹部内とのうち、少なくともどちらか一方に設けられた絶縁性樹脂を備えていることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載された圧電デバイス。
- 貫通孔を有する第一基板を複数マトリクス状に集合した第一基板ウエハと、前記第一基板の上面の外周縁に沿って設けられる第一枠部を複数マトリクス状に集合した第一枠部ウエハとを接合し、第一凹部を有する基体を複数マトリクス状に集合した基体集合ウエハを形成する基体集合ウエハ形成工程と、
第二基板を備えた素子搭載部材の前記第二基板の上面に圧電素子を実装し、蓋体を前記素子搭載部材に接合して前記圧電素子を気密封止して振動子部を形成する振動子部形成工程と、
前記振動子部の第一基板の下面に電子部品素子を搭載する電子部品素子搭載工程と、
前記電子部品素子を搭載した前記振動子部を、前記貫通孔内に前記電子部品素子を挿入しつつ前記基体集合ウエハの各第一凹部内にはめ込み、前記基体集合ウエハに複数の前記振動子部を搭載する振動子部搭載工程と、
前記基体となる部分ごとに前記基体集合ウエハを切断し、個片化した圧電デバイスを複数形成する個片化工程と、
を備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 前記振動子部搭載工程と個片化工程との間に、前記基体集合ウエハの各貫通孔内に絶縁性樹脂を充填する絶縁性樹脂充填工程を備えたことを特徴とする請求項4に記載された圧電デバイスの製造方法。
- 前記振動子部搭載工程と前記個片化工程との間に、前記基体集合ウエハの各第一凹部内に第二絶縁性樹脂を充填する第二絶縁性樹脂充填工程を備えたことを特徴とする請求項4又は5に記載された圧電デバイスの製造方法。
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