JP4594139B2 - 温度補償型水晶発振器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、通信機器等の電子機器に用いられる温度補償型水晶発振器の製造方法に関するものである。

携帯用通信機器等のタイミングデバイスとして温度補償型水晶発振器が従来から用いられている。

かかる従来の温度補償型水晶発振器としては、例えば図６（ａ）に示す如く、キャビティー部５１を有する実装基板５０の上面側に水晶振動素子５２が収容されている容器体５３を載置させるとともに、キャビティー部５１内にフリップチップ型のＩＣ素子５４を搭載した構造のものが知られている。

前記実装基板５０は、例えば、平板状の絶縁体層５０ａ、枠状の絶縁体層５０ｂ、５０ｃを積層することによって形成されており、図６（ｂ）の側面図に示す如く、実装基板５０の側面にはＩＣ素子５４に温度補償データを書き込むための書込制御端子５５が設けられている。かかる書込制御端子５５は、例えば、実装基板５０を構成する絶縁体層５０ａ、５０ｂに切欠部を設け、切欠部内面に導体パターンを被着させることにより形成される。
特開２０００−７７９４３号公報

しかしながら上述した従来の温度補償型水晶発振器を製造する場合、通常、実装基板５０と容器体５３をそれぞれ“複数個取り”の手法によって製作し、分割後に得られたそれぞれの個片（実装基板５０、容器体５３）にＩＣ素子５４や水晶振動素子５２を個別に搭載した後、両者を接合することにより製品を組み立てていた。ところが、実装基板５０に個片の容器体５３を搭載する場合、その作業が完了するまでの間、実装基板５０を個々にキャリア等で保持しておく必要があり、組み立て作業が煩雑である上に、キャリア等の製造設備が別途必要になり、温度補償型水晶発振器の生産性が低下するという欠点を有していた。

また上述した従来の温度補償型水晶発振器は、書込制御端子５５を形成するにあたり、実装基板５０を構成する絶縁体層５０ａ、５０ｂに切欠部を設け、切欠部内面に導体パターンを被着させるといった複雑な加工プロセスが必要となり、これによっても温度補償型水晶発振器の生産性が低下してしまうという欠点を有していた。

本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その主たる目的は、生産性に優れた温度補償型水晶発振器の製造方法を提供することにある。

本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法は、マトリクス状に配列された複数の基板領域及び前記基板領域の周囲に設けられた捨代領域を有するマスター基板を準備し、該マスター基板の一方主面の各基板領域隅部に複数個の金属柱状体から成る外部端子を取着させるとともに、基板領域内の隣接する外部端子間に一端が前記捨代領域まで延在された書込制御端子を取着させる工程Ａと、前記マスター基板一方主面の各基板領域内で、前記外部端子及び前記書込制御端子の存在しない部位に温度補償データを格納するメモリを有したＩＣ素子を搭載する工程Ｂと、前記マスター基板他方主面の各基板領域に水晶振動素子が収容されている容器体を取着させる工程Ｃと、前記捨代領域に配置されている書込制御端子の延在部を介して前記ＩＣ素子のメモリに温度補償データを書き込む工程Ｄと、前記マスター基板を各基板領域の外周に沿って切断し、複数個の個片に分離する工程Ｅと、を含む温度補償型水晶発振器の製造方法であって、前記書込制御端子が金属柱状体から成り、前記工程Ｅにおいてマスター基板を切断した際、前記書込制御端子の切断面が外部に露出することを特徴とするものである。

また本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記マスター基板上の書込制御端子が、各基板領域に２N個（Nは自然数）ずつ設けられており、且つこれら２N個の書込制御端子を、前記基板領域の平行な２辺に沿ってN個ずつ、前記２辺と平行な中心線に対して線対称に配置させたことを特徴とするものである。

また本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記捨代領域に位置する前記書込制御端子の延在部が前記マスター基板の捨代領域に埋設させておいたビア導体と接続されていることを特徴とするものである。

また本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記マスター基板の他方主面で、前記捨代領域内に、前記書込制御端子に前記ビア導体を介して電気的に接続される書込パッドが設けられていることを特徴とするものである。

また本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記工程Ｂにおいて、ＩＣ素子を搭載した後、前記ＩＣ素子の実装面を樹脂材で被覆したことを特徴とするものである。

また本発明に係る温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記工程Ｂにおいて、前記樹脂材の一部が前記外部端子の側面、並びに前記書込制御端子の側面に被着されることを特徴とするものである。

本発明によれば、水晶振動素子を収容している容器体をマスター基板の各基板領域に搭載した後でマスター基板を基板領域毎に分割するようにしたことから、製造工程中、マスター基板自体が容器体を搭載するためのキャリアとして機能することとなり、マスター基板の分割によって得られた個々の実装基板をキャリアで保持するといった煩雑な作業が一切不要となる。これにより、温度補償型水晶発振器の生産性を大幅に向上させることができる。

また本発明によれば、マスター基板の各基板領域に設けられる書込制御端子の一部を捨代領域まで延在させたことから、この延在部等に温度補償データ書込装置のプローブ針を当てて各基板領域のＩＣ素子に温度補償データを一括的に書き込むことで、温度補償型水晶発振器の製造プロセスを簡略化することができる上に、個々の温度補償型水晶発振器に温度補償データを書き込むためのソケット等の設備が不要となり、これによっても温度補償型水晶発振器の生産性を向上させることが可能となる。

また本発明によれば、書込制御端子が所定高さを有する金属柱状体から成り、書込制御端子の切断面が外部に露出されるようになっていることから、この露出面を介して温度補償データをＩＣ素子内のメモリに再入力することができる。従って、後の検査により温度補償データの書込み不良が発見された場合であっても、温度補償データの書込み作業をやり直すことができるという利点がある。またこの場合、セラミック製のマスター基板に貫通穴を開け、その内面に導体パターンを被着させるといった複雑な加工プロセスは一切不要であり、これによっても温度補償型水晶発振器の生産性を向上させることができる。

また本発明によれば、マスター基板上の書込制御端子を各基板領域に２N個（Nは自然数）ずつ設け、且つこれら２N個の書込制御端子を、各基板領域の平行な２辺に沿ってN個ずつ、前記２辺と平行な中心線に対して線対称に配置させておくことにより、温度補償データの書込み作業をやり直す場合に、書込制御端子の切断面に側方より温度補償データ書込装置のプローブ針を当てて、ＩＣ素子に温度補償データを書き込む際、プローブ針からの力が容器体の両側よりバランス良く印加されることとなるため、書き込み時に容器体を良好に保持することができるとともに、プローブ針との接触による偏った応力に起因した書込制御端子の破損を有効に防止することができる。

また本発明によれば、捨代領域に位置する書込制御端子の延在部をマスター基板の捨代領域に埋設させておいたビア導体と接続させておくことにより、書込制御端子の延在部をマスター基板の捨代領域に強固に被着させておくことができる。従って、線膨張係数の相違等に起因した書込制御端子延在部の剥離等が有効に防止される。またこの場合、マスター基板の他方主面（容器体の搭載面）で、捨代領域内に、前記ビア導体を介して電気的に接続される書込パッドを設けておくようにすれば、前記書込パッドを用いて温度補償データの書込み作業を行うことも可能となる。これにより、マスター基板の一方主面に設けた書込制御端子、あるいは他方主面に設けた書込パッドのいずれからもプローブ針を当てることが可能となり、温度補償データ書込装置の形態に合わせて書込端子、書込パッドを適宜選択して書込み作業を行うことができる。

また本発明によれば、工程ＢにおいてＩＣ素子を実装した後、ＩＣ素子の実装面を樹脂材によって被覆することにより、マスター基板に対するＩＣ素子の取着強度を向上させることができるとともに、ＩＣ素子の回路形成面を良好に被覆し、回路形成面の電子回路が大気中の水分等によって腐食されるのを有効に防止することができる。

また本発明によれば、前記樹脂材の一部を前記外部端子の側面、並びに前記書込制御端子の側面に被着させておくことにより、実装基板に対する外部端子や書込制御端子の取着強度を前記樹脂材でもって補強することができる。特に、外部端子が金属柱状体から成る場合は、温度補償型水晶発振器を半田付け等によってマザーボード等の外部配線基板上に実装する際、温度補償型水晶発振器と外部配線基板とを接合する半田が金属柱状体から成る外部端子に付着して短絡を発生するといった不都合を有効に防止し、取扱いが簡便な温度補償型水晶発振器を得ることができるとともに、外部端子や書込制御端子の酸化腐食を有効に防止して、温度補償型水晶発振器の信頼性を高く維持することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図１は本発明の製造方法によって製作された温度補償型水晶発振器の斜視図、図２は図１の温度補償型水晶発振器の断面図、図３は図１の温度補償型水晶発振器をＸ方向から見た側面図であり、同図に示す温度補償型水晶発振器は、矩形状の容器体２を配線基板１上に固定させるとともに、配線基体１の下面に、ＩＣ素子４及び複数個の外部端子５を取着させた構造を有している。

前記容器体２は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成る基板２ａと、４２アロイやコバール，リン青銅等の金属から成るシールリング２ｂと、該シールリング２ｂと同様の金属から成る蓋体２ｃとから成り、前記基板２ａの上面にシールリング２ｂを取着させ、その上面に蓋体２ｃを載置・固定させることによって容器体２が形成される。

また容器体１の内部には、図２に示す如く、基板２ａの上面とシールリング２ｂの内面と蓋体２ｃの下面とで囲まれる空間内に水晶振動素子３が気密封止され、基板２ａの上面には水晶振動素子３の振動電極に接続される一対の搭載パッド等が設けられている。また基板２ａの下面には複数個の接続端子６が設けられており、かかる接続端子６が、後述する配線基板１の上面に形成されている接続パッド７と導電性接着材を介して電気的・機械的に接続されるようになっている。また、接続端子６に周波数測定装置のプローブ針を接触させることにより、水晶振動素子３の周波数測定を行う。

尚、前記容器体２の基板２ａは、ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る場合、例えば、セラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペーストを従来周知のスクリーン印刷等によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。

また容器体２のシールリング２ｂ及び蓋体２ｃは従来周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、得られたシールリング２ｂを基板２ａの上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けし、続いて水晶振動素子３を導電性接着材を用いて基板２の上面に実装・固定した後、蓋体２ｃを従来周知の抵抗溶接等によってシールリング２ｂの上面に接合することによって容器体２が組み立てられる。尚、容器体２の長さ寸法及び幅寸法は、配線基板１の長さ寸法及び幅寸法に対しそれぞれ８５％〜１００％に設定されている。

ここで蓋体２ｃを基板２ａのビア導体等を介して後述するグランド端子用の外部端子５に接続させておけば、その使用時、金属から成る蓋体２ｃが基準電位に接続されてシールド機能が付与されることとなるため、水晶振動素子３やＩＣ素子４を外部からの不要な電気的作用より良好に保護することができる。

容器体２が取着される配線基板１は概略矩形状を成しており、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂やポリカーボネイト，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の樹脂材料やガラス−セラミック，アルミナセラミックス等のセラミック材料からなる平板状の絶縁体層１ａ、１ｂを積層することによって形成されている。

かかる配線基板１の下面中央領域には、複数個のＩＣ電極パッド８等の各種電極パッドや配線パターンが形成されている。そして、ＩＣ電極パッド８に、ＩＣ素子４の回路形成面（実装面）４ａに設けたＩＣ接続パッド９がＡｕバンプや半田等の導電性接合材１０によって電気的・機械的に接続されている。このＩＣ素子４は、その回路形成面４ａ側に、周囲の温度状態を検知する感温素子（サーミスタ）、水晶振動素子５の温度特性を補償する温度補償データを格納するメモリ、メモリ内の温度補償データに基づいて水晶振動素子５の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、該温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられており、発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。

また、前記モニタ電極パッドは、水晶振動素子３の周波数を測定するためのものであり、水晶振動素子３と電気的に接続され、例えば、かかるモニタ電極パッドに周波数測定装置の測定用プローブ針を接触させ、水晶振動素子を発振させることにより周波数を測定する。前記モニタ電極パッドは、絶縁体層１ｂの底面でＩＣ素子４が被さる部位に配置しておくことが好ましい。このように配置することによって、温度補償型水晶発振器をマザーボード等の外部配線基板に実装した際、モニタ電極パッドと外部配線基板上の配線パターンとの間で浮遊容量が発生するのを、ＩＣ素子４によって有効に防止することができる。

また配線基板１の下面の四隅部には、４つの外部端子５（電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子）が設けられている。これら外部端子５は、温度補償型水晶発振器をマザーボード等の外部配線基板に接続するための端子として機能するものであり、温度補償型水晶発振器を外部配線基板上に搭載する際、外部配線基板の回路配線と半田等の導電性接合材を介して電気的に接続されるようになっている。かかる外部端子５は、銅等の金属材料を四角柱状に成形することにより形成されており、その厚みはＩＣ素子４の厚みよりも厚くなるように、例えば、０．１５〜０．６５ｍｍに設定される。

さらに配線基板１の下面で隣接する外部端子５間には、図３に示すごとく書込制御端子１１が設けられている。この書込制御端子１１は、外部端子５と同様に銅等の金属材料を四角柱状に成形することにより形成され、側面が外方に露出している。かかる書込制御端子１１はＩＣ素子４と電気的に接続されており、書込制御端子１１を介してＩＣ素子４のメモリに温度補償データを書き込むことができる。温度補償データの書込み作業は、書込制御端子１１の露出面に温度補償データ書込装置のプローブ針を側方より当てることにより行われる。ここで、書込制御端子１１を、配線基板１の平行な２辺に沿って２個ずつ、前記２辺と平行な中心線に対して線対称に配置させておき、温度補償データの書込み作業を配線基板１の両側より行うようにすれば、プローブ針からの力が配線基板１の両側よりバランス良く印加されることとなるため、書き込み時に配線基板１を良好に保持することができるとともに、プローブ針との接触による偏った応力に起因した書込制御端子１１の破損を有効に防止することができる。このように、書込制御端子１１は各基板領域に２N個（Nは自然数）ずつ設け、且つこれら２N個の書込制御端子１１を、配線基板１の平行な２辺に沿ってN個ずつ、前記２辺と平行な中心線に対して線対称に配置させておくことが好ましい。

また、上述したＩＣ素子４の回路形成面４ａと配線基板１下面の間にはエポキシ樹脂等から成る樹脂材１２が介在されており、樹脂材１２の一部は外部端子５の側面と書込制御端子１１の露出面以外の側面を被覆するように被着されている。これにより、配線基板１に対するＩＣ素子４の取着強度が補強されるとともに、ＩＣ素子４の回路形成面４ａが樹脂材１２によって良好に被覆され、回路形成面４ａの電子回路が大気中の水分等によって腐食されるのを有効に防止することができる。またこの場合、外部端子５の側面や書込制御端子１１の側面も樹脂材１２によって被覆されているため、配線基板１に対する外部端子５や書込制御端子１１の取着強度も補強することができる。特に書込制御端子１１の下面を外部端子５の下面より上方に位置させた上、書込制御端子１１の下面を前記樹脂材１２により被覆しておけば、温度補償型水晶発振器を半田付け等によってマザーボード等の外部配線基板上に実装する際、温度補償型水晶発振器と外部配線基板とを接合する半田が金属柱状体から成る書込制御端子１１に付着して短絡を発生するといった不都合を有効に防止することができる。

次に上述した温度補償型水晶発振器の製造方法について図４を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は本発明の製造方法を説明するための斜視図である。なお、図４（ａ）、（ｂ）はマスター基板２０を一方主面側（ＩＣ素子４を搭載する面）より見た斜視図、図４（ｃ）、（ｄ）はマスター基板２０を他方主面（容器体２を搭載する面）側より見た斜視図である。

（工程Ａ）
まず、図４（ａ）に示す如く、マトリクス状に配列された複数の基板領域Ａ及び基板領域Ａの周囲に設けられた捨代領域Ｂを有するマスター基板２０を準備し、マスター基板２０の一方主面の各基板領域隅部に複数個の金属柱状体から成る外部端子５を取着させるとともに、基板領域内の隣接する外部端子５−５間に一端が捨代領域Ｂまで延在された書込制御端子１１を取着させる。

前記マスター基板２０には、矩形状の基板領域Ａと捨代領域Ｂとが相互に隣接されて複数個ずつ配置されており、一方主面側の各基板領域Ａの隅部に複数個の外部端子５が取着され、また同一基板領域Ａ内の隣接する外部端子間５−５には一端を捨代領域Ｂまで延在させた金属製柱状体からなる書込制御端子１１が取着されている。尚、図４及び図５は、４個の基板領域Ａを２行×２列のマトリクス状に配置させた上、隣接する基板領域間Ａ−Ａに捨代領域Ｂを配置させた例について示したものである。

このようなマスター基板２０は、上述した配線基板１と同じ材料、即ち、ガラス布基材エポキシ樹脂やポリカーボネイト，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の樹脂材料やガラス−セラミック，アルミナセラミックス等のセラミック材料等によって形成されており、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂で形成する場合、ガラス糸を編み込んで形成したガラス布基材にエポキシ樹脂の液状前駆体を含浸させるとともに、該前駆体を高温で重合させることによってベースが形成され、その表面に比較的厚みの厚い銅箔等の金属箔を貼着し、これを従来周知のフォトエッチング等を採用し、所定パターンに加工することによって外部端子５や書込制御端子１１等が形成される。

このように外部端子５と書込制御端子１１とを同様の金属製柱状体で形成するようにすれば、外部端子５と書込制御端子１１を同一のプロセスでマスター基板２０の一方主面に一括的に形成することができる。

尚、本実施形態においては、マスター基板２０上の書込制御端子１１を各基板領域に２個ずつ設け、且つこれら２個の書込制御端子１１を、各基板領域Ａの平行な２辺に沿って２個ずつ、前記２辺と平行な中心線に対して線対称に配置させるようにしている。

（工程Ｂ）
次に、マスター基板２０の各基板領域Ａ内で、外部端子５及び書込制御端子１１の存在しない部位に温度補償データを格納するメモリを有したＩＣ素子４を搭載する。

ＩＣ素子４としては、先に述べたように、接合面に複数個のＩＣ接続パッド９を有した矩形状のフリップチップ型ＩＣが好適に用いられる。かかるＩＣ素子４は、その接合面に設けられている複数個のＩＣ接続パッド９が、各基板領域Ａ内の対応するＩＣ電極パッド８に半田等の導電性接合材を介して当接されるようにしてマスター基板２０の一方主面に載置され、しかる後、前記導電性接合材を熱の印加等によって溶融させ、ＩＣ接続パッド９及びＩＣ電極パッド８を導電性接合材を介して接合することによってＩＣ素子４がマスター基板２０上に取着・搭載される。

また、かかる工程ＢにおいてＩＣ素子４を搭載した後、図４（ｂ）に示す如く、マスター基板２０の一方主面側に樹脂ペーストを充填・硬化することによって、ＩＣ素子４の回路形成面を樹脂材１２で被覆する。樹脂材１２には、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂等が用いられる。このとき、捨代領域Ｂに延在された書込制御端子１１の延在部が露出されるようにして樹脂材１２を充填する。

更に樹脂材１２の一部を外部端子５の側面、並びに書込制御端子１１の側面に被着させておくことにより、マスター基板２０に対する外部端子５や書込制御端子１１の取着強度を樹脂材１２でもって補強することができる。特に、書込制御端子１１が金属製の柱状体から成る場合、書込制御端子１１の厚みを外部端子５の厚みより薄く形成した上、書込制御端子１１の下端面を樹脂材により被覆しておけば、温度補償型水晶発振器を半田付け等によってマザーボード等の外部配線基板上に実装する際、温度補償型水晶発振器と外部配線基板とを接合する半田が金属柱状体から成る書込制御端子１１に付着して短絡を発生するといった不都合を有効に防止することができる。

（工程Ｃ）
次に、図２（ｃ）に示す如くマスター基板２０の他方主面の各基板領域Ａに水晶振動素子３が収容されている容器体２を取着させる。容器体１は、先に述べたように、基板２ａとシールリング２ｂと蓋体２ｃとで構成されており、その内部には水晶振動素子３が収容されている。ここで容器体２の長さ寸法及び幅寸法は、例えば、基板領域Ａの長さ寸法及び幅寸法に対しそれぞれ８５％〜１００％に設定される。

容器体２の基板２ａをセラミック材料により形成する場合は、セラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって基板２ａを製作し、得られた基板２ａの上面に水晶振動素子３を搭載する。このとき、水晶振動素子３の振動電極と基板上面の搭載パッドとは導電性接合材を介して電気的・機械的に接続される。そして、基板２ａの上面に、水晶振動素子３を囲繞するようにしてシールリング２ｂを載置・固定し、かかるシールリング２ｂの上面に蓋体２ｃを従来周知の抵抗溶接等によって接合することにより容器体２が組み立てられる。

尚、シールリング２ｂ及び蓋体２ｃは、従来周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、シールリング２ｂは、基板２ａの上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けすることによって基板２ａに固定される。また上述のように、シールリング２ｂと蓋体２ｃとを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング２ｂや蓋体２ｃの表面には予めＮｉメッキ層やＡｕメッキ層等が被着される。

このような容器体２の下面には複数個の接続端子６が設けられており、これらの接続端子をマスター基板２０上の対応する接続パッド７に半田等の導電性接合材を介して当接させ、しかる後、前記導電性接合材を熱の印加等によって溶融・硬化することによって容器体２がマスター基板２０他方主面の各基板領域Ａに取着・搭載される。なお、容器体２をマスター基板２０に搭載する前に、接続端子６に周波数測定装置のプローブ針を接触させることにより、水晶振動素子３の周波数測定を予め行っておく。

上記工程Ｂ、工程Ｄにおいて、マスター基板２０の基板領域ＡにＩＣ素子４と容器体２とを取着・搭載することによって、ＩＣ素子４内の電子回路がマスター基板２０の配線導体や容器体２の配線導体等を介して水晶振動素子３や外部端子５等と電気的に接続され、また同時に、捨代領域Ｂの書込制御端子１１とＩＣ素子４とがマスター基板２０の配線導体を介して電気的に接続されることとなる。

（工程Ｄ）
次にマスター基板２０の捨代領域Ｂまで延在された書込制御端子１１の延在部に温度補償データ書込装置のプローブ針を当てて各基板領域のＩＣ素子４に温度補償データを一括的に書き込む。

温度補償データの書込作業は、書込制御端子１１の延在部に温度補償データ書込装置のプローブ針を当てて、水晶振動素子３の温度特性に応じて作成された温度補償データをＩＣ素子４の温度補償回路内に設けられているメモリに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。尚、ここでＩＣ素子４に書き込まれる温度補償データは、水晶振動素子毎の温度特性バラツキを補正するためのものであり、その温度補償型水晶発振器に使用される水晶振動素子３の温度特性を事前に測定しておくことにより得られるものである。

このようにして温度補償データを書き込む場合、個々の温度補償型水晶発振器を保持するための温度補償データ書込用のソケット等は一切不要であり、これによって温度補償型水晶発振器の生産性を向上させることができる。

（工程Ｅ）
そして最後に、図４（ｄ）に示す如く、マスター基板２０を各基板領域Ａの外周に沿って切断することにより、各個片に分離する。

マスター基板２０の切断はダイサーを用いたダイシング等によって行なわれ、かかる切断工程を経てマスター基板２０が個々の基板領域毎に分割される。これにより、基板領域Ａと１対１に対応する配線基板１と容器体２との間より書込制御端子１１の切断面が露出されている複数個の温度補償型水晶発振器が同時に得られる。

このようにして得られた温度補償型水晶発振器の側面には書込制御端子１１の切断面が露出されることから、この露出面を介して温度補償データをＩＣ素子４内のメモリに再入力することができる。従って、後の検査工程において温度補償データの書込み不良が発見された場合であっても、温度補償データの書込み作業をやり直すことができ、温度補償型水晶発振器の生産性を高く維持することが可能である。

また本実施形態においては、ＩＣ素子４をマスター基板２０上に搭載した後でマスター基板２０を分割するようにしたことから、ＩＣ素子４の搭載時、マスター基板自体がＩＣ素子搭載用のキャリアとして機能することから、従来例の項で説明したようなＩＣ素子搭載用のキャリアは不要であり、マスター基板２０の分割によって得られた個々の個片をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要となる。これによって温度補償型水晶発振器の生産性を高く維持することができる。

また上述した工程Ａ〜Ｅにおいては、セラミック製のマスター基板２０に貫通穴を開け、その内面に導体パターンを被着させるといった複雑な加工プロセスは一切不要であり、従来例の項で示した温度補償型水晶発振器に比し生産性を向上させることができる。

また、容器体２を加工性や封止性に優れたセラミック材料で形成し、マスター基板２０を切断時の作業性や取扱いの簡便性に優れた樹脂材料で形成しておくことにより、信頼性の高い温度補償型水晶発振器を極めて効率良く製作することができる。従って、容器体２はセラミック材料により、マスター基板２０は樹脂材料によりそれぞれ形成することが好ましい。

図５は、本発明の他の実施形態を説明するための図であり、図５（ａ）はマスター基板２０を他方主面側より見た斜視図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＹ−Ｙ´線断面図である。図５に示す製造方法では、捨て代領域Ｂに位置する書込制御端子１１の延在部がマスター基板２０の捨代領域Ｂに埋設させておいたビア導体１４と接続されるとともに、マスター基板２０の他方主面で、捨代領域Ｂに、書込制御端子１１に前記ビア導体を介して電気的に接続される書込パッド１３が形成されている。

このように、捨代領域Ｂに位置する書込制御端子１１の延在部をマスター基板２０の捨代領域Ｂに埋設させておいたビア導体１４と接続させておくことにより、書込制御端子１１の延在部をマスター基板２０の捨代領域Ｂに強固に被着させておくことができる。従って、線膨張係数の相違等に起因した書込制御端子延在部の剥離等が有効に防止される。

またこの場合、書込パッド１３を用いて温度補償データの書込み作業を行うことが可能である。すなわち、書込パッド１３は書込制御端子１１と電気的に接続されているため、書込パッド１３に温度補償データ書込装置のプローブ針を当てることにより温度補償データの書込み作業を行うことができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば上述した実施形態においては、容器体２の蓋体２ｃをシールリング２ｂを介して基板２ａに接合させるようにしたが、これに代えて、基板２ａの上面に接合用のメタライズパターンを形成しておき、このメタライズパターンに対して蓋体２ｃをダイレクトに溶接するようにしても構わない。

また上述した実施形態においては、容器体２の基板上面に直接シールリング２ｂを取着させるようにしたが、これに代えて、基板２ａの上面に基板２ａと同材質のセラミック材料等から成る枠体を一体的に取着させた上、該枠体の上面にシールリング２ｂを取着させるようにしても構わない。

また上述した実施形態においては外部端子５及び書込制御端子１１を四角柱状に成形したが、形状はこれに限らず、例えば円柱状に成形しても構わない。

また上述した実施形態においては、ＩＣ素子４を搭載する工程Ｂの後で容器体２を取着させる工程Ｃを行ったが、工程Ｂと工程Ｃとは順序を入れ替えてもよい。

また上述した実施形態においては、工程ＢにおいてＩＣ素子４を搭載した後、樹脂材１２となる樹脂ペーストを充填するようにしたが、工程Ｃにおいて容器体２を取着させた後で樹脂ペーストの充填作業を行うようにしても構わない。

また上述した実施形態においては、容器体２の下面に設けた接続端子６を使って水晶振動素子３の周波数測定を行うようにしたが、配線基板１に水晶振動素子３と電気的に接続されるモニタ電極パッドを設けておき、容器体２を配線基板１に搭載した後で、前記モニタ電極パッドに周波数測定装置のプローブ針を接触させることにより、水晶振動素子３の周波数測定を行うようにしてもよい。

本発明の一実施形態に係る温度補償型水晶発振器の斜視図である。 図１の温度補償型水晶発振器の断面図である。 図１の温度補償型水晶発振器の側面図である。 （ａ）乃至（ｄ）は本発明の製造方法を説明するための斜視図である。 （ａ）は本発明の他の実施形態に係る製造方法を説明するための斜視図、（ｂ）は（ａ）に示すＹ−Ｙ´線断面図である。 （ａ）は従来の温度補償型水晶発振器の断面図、（ｂ）は（ａ）に示す温度補償型水晶発振器の側面図である。

符号の説明

１・・・配線基板
２・・・容器体
３・・・水晶振動素子
４・・・ＩＣ素子
５・・・外部端子
１１・・・書込制御端子

Claims (6)

1. マトリクス状に配列された複数の基板領域及び前記基板領域の周囲に設けられた捨代領域を有するマスター基板を準備し、該マスター基板の一方主面の各基板領域隅部に複数個の金属柱状体から成る外部端子を取着させるとともに、基板領域内の隣接する外部端子間に一端が前記捨代領域まで延在された書込制御端子を取着させる工程Ａと、
   前記マスター基板一方主面の各基板領域内で、前記外部端子及び前記書込制御端子の存在しない部位に温度補償データを格納するメモリを有したＩＣ素子を搭載する工程Ｂと、
   前記マスター基板他方主面の各基板領域に水晶振動素子が収容されている容器体を取着させる工程Ｃと、
   前記捨代領域に配置されている書込制御端子の延在部を介して前記ＩＣ素子のメモリに温度補償データを書き込む工程Ｄと、
   前記マスター基板を各基板領域の外周に沿って切断し、複数個の個片に分離する工程Ｅと、を含む温度補償型水晶発振器の製造方法であって、
   前記書込制御端子が金属柱状体から成り、前記工程Ｅにおいてマスター基板を切断した際、前記書込制御端子の切断面が外部に露出することを特徴とする温度補償型水晶発振器の製造方法。
2. 前記マスター基板上の書込制御端子が、各基板領域に２N個（Nは自然数）ずつ設けられており、且つこれら２N個の書込制御端子を、前記基板領域の平行な２辺に沿ってN個ずつ、前記２辺と平行な中心線に対して線対称に配置させたことを特徴とする請求項１に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
3. 前記捨代領域に位置する前記書込制御端子の延在部が前記マスター基板の捨代領域に埋設させておいたビア導体と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
4. 前記マスター基板の他方主面で、前記捨代領域内に、前記書込制御端子に前記ビア導体を介して電気的に接続される書込パッドが設けられていることを特徴とする請求項３に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
5. 前記工程Ｂにおいて、ＩＣ素子を搭載した後、前記ＩＣ素子の実装面を樹脂材で被覆したことを特徴とする請求項１に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
6. 前記工程Ｂにおいて、前記樹脂材の一部が前記外部端子の側面、並びに前記書込制御端
   子の側面に被着されることを特徴とする請求項５に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。

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