JP2004343681A - 温度補償型水晶発振器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の温度補償型水晶発振器を得ることができる温度補償型水晶発振器の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＣ素子搭載部を有する基板領域と書込制御端子を有する捨代領域とを有した母基板を準備する工程Ａと、前記母基板の各基板領域に、水晶振動素子が収容されている容器体とＩＣ素子とを取着させる工程Ｂと、前記書込制御端子を介して各基板領域内のＩＣ素子に温度補償データを入力する工程Ｃと、前記母基板を各基板領域の外周に沿って切断することにより、各基板領域を捨代領域より切り離す工程Ｄとによって温度補償型水晶発振器を製造する。
【選択図】図４

Description

本発明は、携帯用通信機器等の電子機器に用いられる温度補償型水晶発振器の製造方法に関するものである。

従来より、携帯用通信機器等の電子機器に温度補償型水晶発振器が用いられている。

かかる従来の温度補償型水晶発振器としては、例えば図９に示す如く、下面に複数個の外部端子２２が被着されている枠状基体２１の上面に、内部に水晶振動素子２４が収容されている容器体２３を取着させるとともに、前記枠状基体２１の内壁面と容器体２３の下面とで囲まれるキャビティ部２５に前記水晶振動素子２４の振動に基づいて発振出力を制御するＩＣ素子２６やコンデンサ等の電子部品素子２７を配設し、これらのＩＣ素子２６や電子部品素子２７を前記容器体２３の下面に搭載した構造のものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

尚、このような容器体２３の基板や上述した枠状基体２１は、通常、ガラス−セラミック等のセラミック材料によって一体的に形成されており、その内部及び表面には配線導体が形成され、従来周知のセラミックグリーンシート積層法等を採用することによって製作されている。

また、前記ＩＣ素子２６の内部には、水晶振動素子２４の温度特性に応じて作成された温度補償データに基づいて水晶発振器の発振出力を補正するための温度補償回路が設けられており、温度補償型水晶発振器を組み立てた後、上述の温度補償データをＩＣ素子２６のメモリ内に格納するために、枠状基体２１の下面や外側面等に温度補償データ書込用の書込制御端子（図示せず）を設けておくのが一般的であった。
特開２０００―１５１２８３号公報（図２、図５）

しかしながら、上述した従来の温度補償型水晶発振器においては、枠状基体２１の下面や外側面等に温度補償データを書き込むための書込制御端子が設けられており、これらの書込制御端子を配置させておくための広いスペースが枠状基体２の表面に必要となることから、その分、枠状基体２１の面積が面方向もしくは厚み方向に大きくなり、全体構造の小型化に供しないという不都合があることに加え、温度補償型水晶発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際に両者の接合に用いられている導電性接合材の一部が書込制御端子に付着して温度補償型水晶発振器の外部端子との間でショートを招く恐れがあった。

また、上述の書込制御端子が枠状基体２１の外側面に配置させてある場合は、枠状基体２１の製作に用いられるセラミック製の母基板に貫通穴が開けられ、その内面に電極パターンを被着させる等の複雑な加工プロセスが必要となり、それによって生産性の低下を招く上に、枠状基体２１の外側面に設けられている書込制御端子に書込装置のプローブ針を直接当てて書込作業を行うことが極めて困難であることから、個々の温度補償型水晶発振器を温度補償データ書込用のソケットに装着する等して温度補償データを書き込まなければならず、その場合、ソケット等の製造設備が別途、必要になるとともに、個々の温度補償型水晶発振器をソケットに装着する等の煩雑な工程が必要となり、製造プロセスが複雑化する欠点を有していた。

更に上述した従来の温度補償型水晶発振器においては、通常、容器体２３と枠状基体２１だけを“複数個取り”の手法によって製作し、分割後に得られた個々の個片に水晶振動素子２４やＩＣ素子２６を個別に搭載することによって製品を組み立てるようにしており、この場合、個々の個片をキャリアに搭載して保持した状態でＩＣ素子２６等の搭載作業を行なう必要がある。それ故、キャリア等の製造設備が増え、これによっても製造プロセスが複雑化する欠点を有していた。

本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、取り扱いが簡便で、かつ、生産性にも優れた小型の温度補償型水晶発振器を得ることができる温度補償型水晶発振器の製造方法を提供することにある。

本発明の温度補償型水晶発振器の製造方法は、ＩＣ素子搭載部を有する基板領域と書込制御端子を有する捨代領域とを相互に隣接させて複数個ずつ配置させてなる母基板を準備する工程Ａと、前記母基板の各基板領域に、水晶振動素子が収容されている容器体と前記水晶振動素子の温度特性を補償する温度補償データに基づいて発振出力を制御するＩＣ素子とを取着させる工程Ｂと、前記書込制御端子を介して各基板領域内のＩＣ素子に温度補償データを入力し、ＩＣ素子内のメモリに温度補償データを格納する工程Ｃと、前記母基板を各基板領域の外周に沿って切断することにより、各基板領域を捨代領域より切り離すとともに、前記基板領域と１対１に対応した実装用基体に前記ＩＣ素子と前記容器体とを取着させてなる複数個の温度補償型水晶発振器を同時に得る工程Ｄと、を含むことを特徴とするものである。

また本発明の温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記母基板が樹脂材料から成り、前記容器体がセラミック材料から成ることを特徴とするものである。

更に本発明の温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記母基板、前記容器体の少なくとも一方に前記ＩＣ素子を収容するための凹部が設けられていることを特徴とするものである。

また更に本発明の温度補償型水晶発振器の製造方法は、前記工程Ｂにおいて前記母基板の基板領域に前記ＩＣ素子及び前記容器体を取着させることによって、前記捨代領域の書込制御端子と前記ＩＣ素子とが容器体の配線導体を介して電気的に接続されることを特徴とするものである。

本発明によれば、温度補償データをＩＣ素子に書き込むのに使用される書込制御端子を母基板の捨代領域に設けておき、温度補償データの書き込みを完了した後で子基板（実装用基体）より切り離すようにしたことから、実装用基体に書込制御端子を配置させるための広いスペースを設けておく必要がなく、温度補償型水晶発振器の全体構造を小型化することができる。

しかもこの場合、温度補償型水晶発振器の製造プロセスは比較的簡素となる上に、個々の温度補償型水晶発振器に温度補償データを書き込むためのソケット等の設備は一切不要であり、これによって温度補償型水晶発振器の生産性を高く維持することもできる。

また本発明の製造方法によって得られる温度補償型水晶発振器には、上述した如く書込制御端子が存在していないことから、温度補償型水晶発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、両者の接合に用いられている導電性接合材の一部が書込制御端子に付着してショートを起こすといった不都合を発生することもなく、製品の取扱いを簡便になすことができる。

更に本発明によれば、前記母基板はＩＣ素子を搭載した後で基板領域毎に分割されるようになっており、その製造工程中、母基板自体がＩＣ素子搭載用のキャリアとして機能するようになっていることから、従来例の項で説明したようなＩＣ素子搭載用のキャリアは不要であり、母基板の分割によって得られた個々の子基板をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要となる。これによっても、温度補償型水晶発振器の生産性が向上されるようになる。

また更に本発明によれば、容器体を加工性や封止性に優れたセラミック材料で形成し、母基板を切断時の作業性や取扱いの簡便性に優れた樹脂材料で形成することにより、信頼性の高い温度補償型水晶発振器を極めて効率良く製作することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図１は本発明の製造方法によって製作された温度補償型水晶発振器の斜視図、図２は図１の温度補償型水晶発振器の断面図、図３は図１の温度補償型水晶発振器を下方より見た平面図であり、これらの図に示す温度補償型水晶発振器は、内部に水晶振動素子５を収容した容器体１を、下面に外部端子９ｂが設けられた一対の脚部６ａ，６ｂを有した実装用基体６上に載置・固定させるとともに、一対の脚部６ａ，６ｂ間に位置する実装用基体６の下面にＩＣ素子７を取着・搭載した構造を有している。

前記容器体１は、例えば、ガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成る基板２と、４２アロイやコバール，リン青銅等の金属から成るシールリング３と、シールリング３と同様の金属から成る蓋体４とから成り、前記基板２の上面にシールリング３を取着させ、その上面に蓋体４を載置・固定させることによって容器体１が構成され、シールリング３の内側に位置する基板２の上面に水晶振動素子５が実装される。

前記容器体１は、その内部、具体的には、基板２の上面とシールリング３の内面と蓋体４の下面とで囲まれる空間内に水晶振動素子５を収容して気密封止するためのものであり、基板２の上面には水晶振動素子５の振動電極に接続される一対の搭載パッド８ａ等が、基板２の下面には後述する実装用基体６の接合電極９ａに接続される複数個の接合電極８ｂ（以下、第１接合電極という。）がそれぞれ設けられ、これらのパッドは基板表面の配線パターンや基板内部に埋設されているビアホール導体等によって、対応するパッド同士、相互に電気的に接続されている。

一方、前記容器体１の内部に収容される水晶振動素子５は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着・形成してなり、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こす。

ここで容器体１の金属製蓋体４を容器体１の配線導体８や実装用基体６の配線導体９を介して後述するグランド端子用の外部端子９ｂに接続させておけば、その使用時、蓋体４がアースされることによりシールド機能が付与されることとなるため、水晶振動素子５や後述するＩＣ素子７を外部からの不要な電気的作用より良好に保護することができる。従って、容器体１の金属製蓋体４は容器体１の配線導体８や実装用基体６の配線導体９を介してグランド端子用の外部端子９ｂに接続させておくことが好ましい。

そして、上述した容器体１が上面に載置・固定される実装用基体６は概略矩形状を成しており、その下面には平行に配された一対の辺に沿って一対の脚部６ａ，６ｂが立設されている。

前記実装用基体６は、ガラス布基材エポキシ樹脂やポリカーボネイト，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の樹脂材料やガラス−セラミック，アルミナセラミックス等のセラミック材料等によって断面凹状をなすように形成され、その上面には容器体下面の対応する第１接合電極８ｂに電気的に接続される複数個の接合電極９ａ（以下、第２接合電極という。）が、また脚部６ａ，６ｂの下面には４つの外部端子９ｂ（電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子）が２個の脚部６ａ，６ｂに分かれて２個ずつ設けられている。

このような第２接合電極９ｂと外部端子９ａとは実装用基体６の端面等に設けられた溝部内面の導体膜等を介して電気的に接続され、上述した４個の外部端子９ｂは、表面実装型圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、外部電気回路の回路配線と電気的に接続されるようになっている。

ここで、４個の外部端子９ｂのうち、グランド端子と発振出力端子を一方の脚部６ａに、電源電圧端子と発振制御端子を他方の脚部６ｂに設けておくようにすれば、発振出力端子がグランド電位に接続されるグランド端子に近接して配置されることから、発振出力端子より出力される発振信号にノイズが干渉するのを有効に防止することができる。従って、グランド端子と発振出力端子は共通の脚部に隣接させて設けておくことが好ましい。

また一方、上述した実装用基体６の下面には、一対の脚部６ａ，６ｂ間の領域に複数個の電極パッド９ｃが被着・形成されており、これら電極パッド９ｃの形成領域、即ち、一対の脚部６ａ，６ｂ間に位置する実装用基体６の下面には、矩形状に形成されたフリップチップ型のＩＣ素子７が搭載されている。

前記ＩＣ素子７は、その回路形成面に、周囲の温度状態を検知する感温素子（サーミスタ）、水晶振動素子５の温度特性を補償する温度補償データを有し、該温度補償データに基づいて前記水晶振動素子５の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、該温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられており、該発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後、例えば、クロック信号等の基準信号として利用される。

また前記ＩＣ素子７の上面には、実装用基体６の電極パッド９ｃと１対１に対応する複数個の接続パッド７ａが設けられており、これらの接続パッド７ａを対応する電極パッド９ｃに半田や金バンプ等の導電性接合材１１を介して個々に接合させることによってＩＣ素子７が実装用基体６に取着され、これによってＩＣ素子７内の電子回路が容器体１の配線導体８や実装用基体６の配線導体９等を介して水晶振動素子５や外部端子９ｂ等に電気的に接続される。

そして前記ＩＣ素子７は、４個の側面のうち平行に配置されている２個の側面が、その全面にわたり、上述した脚部６ａ，６ｂの側面に対向して近接配置されており、この２個の側面と直交する残りの２個の側面を一対の脚部６ａ，６ｂの端面間より露出させている。ここで、前記ＩＣ素子７の側面と前記脚部６ａ，６ｂの側面との間にできる間隙の幅は、例えば、１０μｍ〜５００μｍに設定される。

また前記ＩＣ素子７の露出側面は、実装用基体６の外周部よりも若干内側、例えば、容器体１の外周より１μｍ〜５００μｍだけ内側に、実装用基体６の外周部に沿って配されている。

このように、前記ＩＣ素子７の露出側面と直交する方向に係る実装用基体６の幅寸法はＩＣ素子７の一辺の長さと略等しくなるよう設計され、またＩＣ素子７の露出側面と平行な方向に係る実装用基体６の幅寸法はＩＣ素子７の一辺の長さと脚部６ａ，６ｂの幅との和に略等しくなるよう設計されるため、温度補償型水晶発振器の全体構造を縦・横いずれの方向にも小型に構成することができる。

しかもこの場合、ＩＣ素子７の２個の露出側面は一対の脚部６ａ，６ｂに遮られることなく露出させてあり、ＩＣ素子７と実装用基体６との接合部が直視できるようになっているため、製品の検査等に際してＩＣ素子７の接合状態を目視等によって容易に確認することができ、これによって温度補償型水晶発振器の生産性を向上させることが可能となる。

また上述した温度補償型水晶発振器は、平行に配されているＩＣ素子７の２個の側面を一対の脚部６ａ，６ｂの側面間より露出させるようにしたことで、ＩＣ素子７の搭載領域がその両端部で外部に開放された形となっている。このため、ＩＣ素子７を実装用基体６に半田接合する場合のフラックス洗浄工程や、完成した温度補償型水晶発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載した後に行なわれる洗浄工程等においてＩＣ素子７の表面や実装用基体６の下面に対して洗浄液を接触させる場合であっても、一対の脚部６ａ，６ｂ間の領域への洗浄液の流入、及び流出は上述した搭載領域両側の開放端を介して極めてスムーズ、かつ良好になされるようになり、ＩＣ素子７の搭載領域に洗浄液が残留してしまうのを有効に防止して、上述の洗浄工程を効率良く行うことができる利点もある。

次に上述した温度補償型水晶発振器の製造方法について図４乃至図６を用いて説明する。

ここで、図４（ａ）〜（ｅ）は本発明の製造方法を説明するための断面図、図５（ａ）は本発明の製造方法に用いられる母基板を一主面側より見た斜視図、図５（ｂ）は母基板を他主面側より見た斜視図、図６（ａ）は母基板を一主面側より見た拡大平面図、図６（ｂ）は母基板を他主面側より見た拡大平面図である。尚、図４においては容器体１や一対の脚部６ａ，６ｂ等に設けられる配線導体を省略して示すものとする。

（工程Ａ）
まず、図４（ａ）に示す如く、ＩＣ素子搭載部を有する基板領域Ａと、複数個の書込制御端子１７を有する捨代領域Ｂとを相互に隣接させて、これらをマトリクス状に複数個ずつ配置したさせてなる母基板１５を準備する（図５及び図６参照）。尚、図６（ａ）（ｂ）において斜線を付した領域が基板領域Ａであり、斜線を付していない領域が捨代領域Ｂである。

このような母基板１５は、上述した実装用基体６と同じ材料、即ち、ガラス布基材エポキシ樹脂やポリカーボネイト，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の樹脂材料やガラス−セラミック，アルミナセラミックス等のセラミック材料等によって形成されており、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂で形成する場合、ガラス糸を編み込んで形成したガラス布基材にエポキシ樹脂の液状前駆体を含浸させるとともに、該前駆体を高温で重合させることによってベースが形成され、その表面に銅箔等の金属箔を貼着し、これを従来周知のフォトエッチング等を採用し、所定パターンに加工することによって書込制御端子１７や第２接合電極９ａ，外部端子９ｂ等を含む所定の配線パターンが形成される。

このような母基板１５の一主面側には、基板領域Ａに複数個の第２接合電極９ａが設けられ、また他主面側には、基板領域ＡにＩＣ素子７を収容するための矩形状の凹部１６と該凹部１６の両側に複数個の外部端子９ｂが設けられ、捨代領域Ｂに複数個の書込制御端子１７が設けられている。尚、前記凹部１６は、その底面にＩＣ素子７の接続パッド７ａに電気的に接続される複数個の電極パッド９ｃを有しており、基板領域Ａを縦断するように形成される。

また、この実施形態においては、４個の外部端子９ｂを母基板１５の他主面側で間に凹部１６を挟んで２列状に配設させており、このような外部端子９ｂの配列に沿って捨代領域Ｂの書込制御端子１７も２列状に配列している。

（工程Ｂ）
次に、図４（ｂ）に示す如く、前記母基板１５の各基板領域Ａに、水晶振動素子５が収容されている容器体１を取着させ、しかる後、図４（ｃ）に示す如く、前記母基板１５を上下に裏返し、凹部１６の内部にＩＣ素子７を取着させる。

前記容器体１は、先に述べたように、基板２とシールリング３と蓋体４とで構成されており、その内部に水晶振動素子５を収容させている。

例えば、基板２をセラミック材料により形成する場合は、セラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体８となる導体ペーストを所定パターンに印刷・塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって基板２を製作し、得られた基板２の上面に水晶振動素子５を搭載する。このとき、水晶振動素子５の振動電極と基板上面の搭載パッド８ａとは導電性接合材１０を介して電気的・機械的に接続される。そして、基板２の上面に、水晶振動素子５を囲繞するようにしてシールリング３を載置・固定し、かかるシールリング３の上面に蓋体４を従来周知の抵抗溶接等によって接合することにより容器体１が組み立てられる。

尚、シールリング３及び蓋体４は、従来周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、前記シールリング３は、基板２の上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けすることによって基板２に固定される。また上述のように、シールリング３と蓋体４とを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング３や蓋体４の表面には予めＮｉメッキ層やＡｕメッキ層等が被着される。

このような容器体１の下面には複数個の第１接合電極８ｂが設けられており、これらの第１接合電極８ｂを母基板１５の対応する第２接合電極９ａに半田等の導電性接合材１１を介して当接させ、しかる後、前記導電性接合材１１を熱の印加等によって溶融させ、第１接合電極８ｂ及び第２接合電極９ａを導電性接合材１１を介して接合することによって容器体１が母基板１５上に取着・搭載される。

また一方、前記ＩＣ素子７としては、先に述べたように、接合面に複数個の接続パッド７ａを有した矩形状のフリップチップ型ＩＣが用いられる。

前記ＩＣ素子７は、その接合面に設けられている複数個の接続パッド７ａが、母基板１５の他主面側で凹部１６の底面に設けられた複数個の電極パッド９ｃのうち対応する電極パッド９ｃに半田等の導電性接合材１１を介して当接されるようにして凹部１６の底面に載置され、しかる後、前記導電性接合材１１を熱の印加等によって溶融させ、接合パッド７ａ及び電極パッド９ｃを導電性接合材１１を介して接合することによってＩＣ素子７が母基板１５上に取着・搭載される。

かかる工程Ｂにおいては、母基板１５の基板領域Ａに容器体１とＩＣ素子７とを取着・搭載することによって、ＩＣ素子７内の電子回路が母基板１５の配線導体９や容器体１の配線導体８等を介して水晶振動素子５や外部端子９ｂ等と電気的に接続され、また同時に、捨代領域Ｂの書込制御端子１７とＩＣ素子７とが母基板１５の配線導体９を介して電気的に接続されることとなる。

（工程Ｃ）
次に、図４（ｄ）に示す如く、母基板１５の捨代領域Ｂに設けた複数個の書込制御端子１７を介して各基板領域Ａ内のＩＣ素子７に温度補償データを入力し、ＩＣ素子７内のメモリに温度補償データを格納する。

このような温度補償データの書込作業は、温度補償データ書込装置のプローブ針２０を書込制御端子１７に当てて、水晶振動素子５の温度特性に応じて作成された温度補償データをＩＣ素子７の温度補償回路内に設けられているメモリに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。尚、ここでＩＣ素子７に書き込まれる温度補償データは、水晶振動素子毎の温度特性バラツキを補正するためのものであり、その温度補償型水晶発振器に使用される水晶振動素子５の温度特性を事前に測定しておくことにより得られるものである。

このようにして温度補償データを書き込む場合、個々の温度補償型水晶発振器を保持するための温度補償データ書込用のソケット等は一切不要であり、これによって温度補償型水晶発振器の生産性を向上させることができる。

（工程Ｄ）
そして最後に、図４（ｅ）に示す如く、前記母基板１５を各基板領域Ａの外周に沿って切断することにより、各基板領域Ａを捨代領域Ｂより切り離す。

前記母基板１５の切断はダイサー１９を用いたダイシング等によって行なわれ、かかる切断工程を経て母基板１５が個々の基板領域毎に分割される。これにより、基板領域Ａと１対１に対応した実装用基体６にＩＣ素子７と容器体１とを取着させてなる複数個の温度補償型水晶発振器が同時に得られる。

このとき、前記母基板１５はＩＣ素子７を搭載した後で分割されるようになっており、ＩＣ素子７の搭載時、母基板自体がＩＣ素子搭載用のキャリアとして機能することから、従来例の項で説明したようなＩＣ素子搭載用のキャリアは不要であり、母基板１５の分割によって得られた個々の子基板をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要となる。これによっても、温度補償型水晶発振器の生産性が向上されるようになる。

そして、上述した製造工程においては、書込制御端子１７を母基板１５の捨代領域Ｂに設けておき、温度補償データの書き込みを完了した後で個々の基板領域Ａ（実装用基体６）より切り離すようにしたことから、実装用基体６に書込制御端子１７を配置させるための広いスペースは不要となり、温度補償型水晶発振器の全体構造を小型化することができる。

また、上述の工程Ａ〜Ｄを経て得られる温度補償型水晶発振器には、書込制御端子１７が存在していないことから、温度補償型水晶発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、両者の接合に用いられている導電性接合材の一部が書込制御端子に付着してショートを起こすといった不都合を発生することもなく、製品の取扱いを簡便になすことができる。

更に本実施形態においては、容器体１を加工性や封止性に優れたセラミック材料で形成し、母基板１５を切断時の作業性や取扱いの簡便性に優れた樹脂材料で形成しておくことにより、信頼性の高い温度補償型水晶発振器を極めて効率良く製作することができる。従って、前記容器体１をセラミック材料で形成し、前記母基板１５を樹脂材料で形成しておくことが好ましい。

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば、上述した実施形態においては、工程Ｂ中、容器体１を母基板１５に取着した後でＩＣ素子７を母基板１５に搭載するようにしたが、これに代えて、ＩＣ素子７を母基板１５に取着させた後で容器体１を母基板１５に取着させるようにしても構わない。

また上述した実施形態においては、捨代領域Ｂの書込制御端子１７を外部端子９ｂの形成面と同じ母基板１５の他主面に設けるようにしたが、これに代えて、書込制御端子１７を第２接合電極９ａの形成面と同じ母基板１５の一主面側に設けるようにしても構わない。

更に上述した実施形態においては、捨代領域Ｂの書込制御端子１７を外部端子９ｂの配列に沿って平行に配置させるようにしたが、これに代えて、捨代領域Ｂの書込制御端子１７を外部端子９ｂの配列と直交する方向に配置させるようにしても構わない。

また更に上述した実施形態においては、母基板１５の他主面側（実装用基体６の下面側）に凹部１６を設け、該凹部１６内にＩＣ素子７を搭載・収容するようにしたが、これに代えて、図７（ａ）に示す如く、母基板１５´の一主面側（実装用基体６の上面側）に凹部を設けるとともに、該凹部内にＩＣ素子７を搭載・収容させ、その上から容器体１´で凹部を塞ぐようにしても良いし、或いは、図７（ｂ）に示す如く、平坦面をなすように形成された母基板１５”の一主面側（実装用基体６の上面側）にＩＣ素子７を搭載し、このような母基板１５”上に、前記ＩＣ素子７を内部に収容するための凹部を下面に有した容器体１”を載置・固定するようにしても良い。

更にまた上述した実施形態においては、母基板１５より切り出される実装用基体６の側面よりＩＣ素子７の側面を露出させるようにしたが、これに代えて、実装用基体６の脚部を実装用基体６の外周に沿った枠状体に成して、ＩＣ素子７の側面が実装用基体６の側面より露出しないようにしても良いし、各脚部６ａ，６ｂをそれぞれ２個に分断して得た４個の脚部を用いたり、或いは、脚部６ａ，６ｂのうち一方のみを２つに分断して得た３個の脚部を用いるようにしても良い。

また更に上述した実施形態において、母基板１５と容器体１、母基板１５とＩＣ素子７を異方性導電接着材を介して取着させるようにしても良く、この場合、母基板１５と容器体１との電気的接続及び機械的接続、母基板１５とＩＣ素子７との電気的接続及び機械的接続が異方性導電接着材によって一括的になされることから、温度補償型水晶発振器の組み立て作業を大幅に簡略化することができる利点がある。

更にまた上述した実施形態において、ＩＣ素子７と実装用基体６の下面との間にできる隙間等に樹脂材を充填・形成し、該樹脂材で対向するパッド同士を接合する導電性接合材１１を被覆するようになしておいても良く、その場合、ＩＣ素子７の回路形成面を樹脂材でもって良好に保護することができるとともに、実装用基体６に対するＩＣ素子７の取着強度を補強することができるようになり、これによって温度補償型水晶発振器の信頼性を向上させることが可能となる。

また更に上述した実施形態においては、容器体１の蓋体４をシールリング３を介して基板２に接合させるようにしたが、これに代えて、基板２の上面に接合用のメタライズパターンを形成しておき、このメタライズパターンに対して蓋体４をダイレクトに溶接するようにしても構わない。

更にまた上述した実施形態においては、容器体１の基板上面に直接シールリング３を取着させるようにしたが、これに代えて、基板２の上面に基板２と同材質のセラミック材料等から成る枠体を一体的に取着させた上、該枠体の上面にシールリング３を取着させるようにしても構わない。

また更に上述した実施形態においては、容器体１は、実装用基体６上に載置・固定させる時、予め内部に水晶振動素子５を気密封止してあるものを用いているが、これに代えて、水晶振動素子の気密封止を、上述した実施形態の工程Ｂの際、水晶振動素子が収容されている容器体を母基板の各基板領域に取着させたときに、ＩＣ素子と同時に気密封止されるような構造にしても構わない。このような温度補償型水晶発振器は、容器体８１と実装用基体８６との間に形成される空間１２０内で、容器体８１側に水晶振動素子８５が搭載され、また実装用基体８６側にＩＣ素子８７が搭載された構造となる。かかる構成であれば、ＩＣ素子にベアチップのように封止工程を必要とする場合であっても、ＩＣ素子の封止を、水晶振動素子の封止工程の際に同時に行えるので工程数を削減することが可能となる。

このような温度補償型水晶発振器の製造方法について図８を用いて説明するに、先ず、図８（ａ）に示す如く、ＩＣ素子８７が搭載された基板領域Ａと、複数個の書込制御端子１１７を有する捨代領域Ｂとを相互に隣接させて、これらをマトリクス状に複数個ずつ配置させて成る母基板１１５を準備する。

このような母基板１１５は、上述した実施形態の母基板と同じものを用いても構わないが、本実施形態においては、ＩＣ素子８７の搭載部に凹部を設ける必要はない。

次に、凹部１１６に水晶振動素子８５が収容された容器体８１を、凹部１１６の開口部を下に向けて母基板１１５の基板領域Ａに取着させる。

このとき、図８（ｂ）に示す如く、水晶振動素子８５及びＩＣ素子８７は、容器体８１の凹部と母基板１１５の基板領域Ａとの間に形成される空間１２０内に、封止材８３によって気密封止される。また、容器体８１と母基板１１５は、容器体８１の下面に形成された第１接合電極８８と母基板１１５の基板領域Ａの上面に形成された第２接合電極８９とを導電性接合剤１１１を介して接合することにより、電気的に接続される。

そして、母基板１１５の捨代領域Ｂに設けた複数個の書込制御端子１７を介して基板領域Ａ内のＩＣ素子８７に温度補償データを入力することによりＩＣ素子８７内のメモリに温度補償データを格納し、しかる後、図８（ｃ）に示す如く、母基板１１５を各基板領域Ａの外周に沿って切断することにより、各基板領域Ａは、捨代領域Ｂより切り離されて実装用基体８６と成す。

このような他の実施形態においては、実装用基体８６上にＩＣ素子８７を、容器体８１の内部に水晶振動素子８５を搭載するようにしたが、これに代えて、ＩＣ素子と水晶振動素子の搭載場所を入れ替えても良く、また、両素子を実装用基体８６若しくは容器体８１内部のうちいずれか一方の同一面内に並べて載置・固定するようにしても構わない。

本発明の製造方法によって製作した温度補償型水晶発振器の斜視図である。 図１の温度補償型水晶発振器の断面図である。 図１の温度補償型水晶発振器を下方より見た平面図である。 （ａ）乃至（ｅ）は本発明の製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）は本発明の製造方法に用いられる母基板を一主面側より見た斜視図、（ｂ）は（ａ）の母基板を他主面側より見た斜視図である。 （ａ）は図５に示す母基板を一主面側より見た拡大平面図、（ｂ）は図５に示す母基板を他主面側より見た拡大平面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の他の実施形態に係る製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）乃至（ｃ）は本発明の他の実施形態に係る製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）は従来の温度補償型水晶発振器の断面図、（ｂ）は（ａ）の温度補償型水晶発振器を下方より見た平面図である。

符号の説明

１，１´，１”・・・容器体
２・・・基板
３・・・シールリング
４・・・蓋体
５・・・水晶振動素子
６・・・実装用基体
６ａ，６ｂ・・・実装用基体（一対の脚部）
７・・・ＩＣ素子
７ａ・・・接続パッド
８・・・容器体の配線導体
８ａ・・・搭載パッド
８ｂ・・・第1接合電極
９・・・実装用基体の配線導体
９ａ・・・第２接合電極
９ｂ・・・外部端子
９ｃ・・・電極パッド
１０、１１・・・導電性接合材
１５，１５´，１５”・・・母基板
１６・・・凹部
１７・・・書込制御端子
１９・・・ダイサー
２０・・・書込装置のプローブ針
Ａ・・・基板領域
Ｂ・・・捨代領域

Claims (4)

1. ＩＣ素子搭載部を有する基板領域と書込制御端子を有する捨代領域とを相互に隣接させて複数個ずつ配置させてなる母基板を準備する工程Ａと、
   前記母基板の各基板領域に、水晶振動素子が収容されている容器体と前記水晶振動素子の温度特性を補償する温度補償データに基づいて発振出力を制御するＩＣ素子とを取着させる工程Ｂと、
   前記書込制御端子を介して各基板領域内のＩＣ素子に温度補償データを入力し、ＩＣ素子内のメモリに温度補償データを格納する工程Ｃと、
   前記母基板を各基板領域の外周に沿って切断することにより、各基板領域を捨代領域より切り離すとともに、前記基板領域と１対１に対応した実装用基体に前記ＩＣ素子と前記容器体とを取着させてなる複数個の温度補償型水晶発振器を同時に得る工程Ｄと、を含む温度補償型水晶発振器の製造方法。
2. 前記母基板が樹脂材料から成り、前記容器体がセラミック材料から成ることを特徴とする請求項１に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
3. 前記母基板、前記容器体の少なくとも一方に前記ＩＣ素子を収容するための凹部が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
4. 前記工程Ｂにおいて前記母基板の基板領域に前記ＩＣ素子及び前記容器体を取着させることによって、前記捨代領域の書込制御端子と前記ＩＣ素子とが容器体の配線導体を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の温度補償型水晶発振器の製造方法。
   
   

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