CN103378818A - 压电装置以及压电装置的制造方法 - Google Patents

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CN103378818A CN2013101436526A CN201310143652A CN103378818A CN 103378818 A CN103378818 A CN 103378818A CN 2013101436526 A CN2013101436526 A CN 2013101436526A CN 201310143652 A CN201310143652 A CN 201310143652A CN 103378818 A CN103378818 A CN 103378818A
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Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种压电装置以及压电装置的制造方法。压电装置是表面安装型的压电装置，包括：压电振动片，包含以规定的振动频率而振动的振动部；基底板，在一方的主面形成一对安装端子，且在另一方的主面载置压电振动片，所述安装端子包含通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜、及形成于金属膜的表面的无电解镀敷膜，且安装端子被用于压电装置的安装；以及盖板，在一方的主面形成金属膜、以及在金属膜的表面通过无电解镀敷而形成的无电解镀敷膜，并以另一方的主面密封振动部。基底板的一方的主面形成的无电解镀敷膜、与盖板的一方的主面形成的无电解镀敷膜是：形成为彼此相同的形状、相同的面积。

Description

压电装置以及压电装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种压电装置(piezoelectric device)以及压电装置的制造方法，所述压电装置具有通过无电解镀敷而形成的电极。
背景技术
已知有一种表面安装型的压电装置，其具备以规定的振动频率而振动的压电振动片。在压电装置的表面，形成有作为电极的安装端子，压电装置经由该安装端子而安装于印刷(print)基板等。安装端子是形成于压电装置的表面，因此，有时会因由焊料引起的加热等而导致安装端子发生剥离，或者安装端子受到损伤。因此，于压电装置中，在安装端子上通过镀敷等而形成厚膜，以确保导通。而且，通过镀敷形成的厚膜也作为防止由焊料引起的安装端子的金属被吸收的阻挡(barrier)层而形成。
例如，在专利文献1中记载有：安装端子是由导电性膏(paste)以及形成在导电性膏的表面的镀敷层所形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2000—252375号公报
但是，由于镀敷层形成得较厚，因此有时镀敷层会对压电装置产生应力。对压电装置产生的应力会使压电装置发生变形，从而造成镀敷层或包含镀敷层的安装端子发生剥离的问题。此种剥离在如下的压电装置的制造方法中尤其会发生，即，在晶片(wafer)上形成多个压电装置，并通过切断晶片而形成各个压电装置。这是因为，在晶片的切断时，对压电装置产生的应力会发生变化，因此压电装置的变形将变大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种压电装置以及压电装置的制造方法，防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离。
第1观点的压电装置为表面安装型的压电装置，包括：压电振动片，包含以规定的振动频率而振动的振动部；基底(base)板，在所述基底板的一方的主面形成一对安装端子，在所述基底板的另一方的主面载置压电振动片，所述安装端子包含通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜、以及形成在金属膜表面的无电解镀敷膜，且所述安装端子被用于压电装置的安装；以及盖(1id)板，在所述盖板的一方的主面形成金属膜、以及在金属膜的表面通过无电解镀敷而形成的无电解镀敷膜，并以所述盖板的另一方的主面密封振动部。在基底板的一方的主面形成的无电解镀敷膜、与在盖板的一方的主面形成的无电解镀敷膜是：形成为彼此相同的形状、相同的面积。
第2观点的压电装置是在第1观点中，压电振动片具有：振动部、包围振动部的框部、及连结振动部与框部的连结部，基底板与盖板经由框部而接合。
第3观点的压电装置是在第1观点或者第2观点中，金属膜包含铬层、形成于铬层的表面的镍钨层、及形成于镍钨层的表面的金层。
第4观点的压电装置是在第1观点或者第2观点中，金属膜包含铬层、形成于铬层的表面的铂层、及形成于铂层的表面的金层。
第5观点的压电装置是在第3观点或者第4观点中，一对安装端子的金属膜形成为两层，进而在该金属膜的表面形成有无电解镀敷膜。
第6观点的压电装置是在第1观点或者第5观点中，无电解镀敷膜包含镍层，镍层的膜厚为1μm～3μm。
第7观点的压电装置是在第6观点中，在无电解镀敷膜的镍层的表面形成金层。
第8观点的表面安装型的压电装置的制造方法包括：压电振动片准备工序，准备多个压电振动片，压电振动片包含以规定的振动频率而振动的振动部；基底晶片准备工序，准备具有多个基底板的基底晶片；基底用金属膜形成工序，在基底晶片的一方的主面，形成通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜；盖晶片准备工序，准备具有多个盖板的盖晶片；载置工序，在基底晶片的另一方的主面载置多个压电振动片；接合工序，将盖晶片的另一方的主面以密封振动部的方式，接合于基底晶片的另一方的主面；盖用金属膜形成工序，在盖晶片准备工序之后且载置工序之前、或者在接合工序之后，在盖晶片的一方的主面形成金属膜；以及无电解镀敷工序，对基底晶片的金属膜以及盖晶片的金属膜实施无电解镀敷，形成于盖晶片的无电解镀敷膜是：与基底晶片的无电解镀敷膜为相同的形状、相同的面积。
第9观点的表面安装型的压电装置的制造方法包括：压电晶片准备工序，准备具有多个压电振动片的压电晶片，所述压电振动片包含以规定的振动频率而振动的振动部、包围振动部的框部、及连结振动部与框部的连结部；基底晶片准备工序，准备具有多个基底板的基底晶片；基底用金属膜形成工序，在基底晶片的一方的主面，形成通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜；盖晶片准备工序，准备具有多个盖板的盖晶片；载置工序，以在各基底板的另一方的主面分别载置压电振动片的方式，将基底晶片与压电晶片予以接合；接合工序，将盖晶片的另一方的主面以密封振动部的方式，接合于压电晶片的另一方的主面；盖用金属膜形成工序，在盖晶片准备工序之后且载置工序之前、或者在接合工序之后，在盖晶片的一方的主面形成金属膜；以及无电解镀敷工序，对基底晶片的一方的主面形成的金属膜以及盖晶片的金属膜实施无电解镀敷，形成于盖晶片的无电解镀敷膜是：与基底晶片的无电解镀敷膜为相同的形状、相同的面积。
第1O观点的表面安装型的压电装置的制造方法是在第8观点以及第9观点中，金属膜包含铬层、形成于铬层的表面的镍钨层、及形成于镍钨层的表面的金层。
第11观点的表面安装型的压电装置的制造方法是在第8观点以及第9观点中，金属膜包含铬层、形成于铬层的表面的铂层、及形成于铂层的表面的金层。
第12观点的表面安装型的压电装置的制造方法是在第8观点以及第11观点中，包括：在接合工序之后且无电解镀敷工序之前，在基底晶片的另一方的主面再次形成金属膜。
第13观点的表面安装型的压电装置的制造方法是在第8观点以及第12观点中，无电解镀敷膜包含镍层，镍层是通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率而形成。
第14观点的表面安装型的压电装置的制造方法是在第13观点中，无电解镀敷膜的镍层的膜厚是形成为1μm～3μm。
发明的效果
根据本发明的压电装置以及压电装置的制造方法，能够防止通过无电解镀敷而形成的电极的剥离。
附图说明
图1是压电装置100的分解立体图。
图2(a)是图1的IIA—IIA剖面图。
图2(b)是图2(a)的虚线161的放大图。
图2(c)是图2(a)的虚线162的放大图。
图3(a)是基底板120的-Y’轴侧的面的平面图。
图3(b)是盖板110的+Y’轴侧的面的平面图。
图4是表示压电装置100的制造方法的流程图。
图5(a)是基底晶片W120的+Y’轴侧的面的平面图。
图5(b)是基底晶片W120的-Y’轴侧的面的平面图。
图6是盖晶片W110的+Y’轴侧的面的平面图。
图7(a)是载置有压电振动片130的基底晶片W120的局部剖面图。
图7(b)是盖晶片Wll0、压电振动片130以及基底晶片W120的局部剖面图。
图7(c)是形成有无电解镀敷膜153的盖晶片Wll0、压电振动片130以及形成有无电解镀敷膜153的基底晶片W120的局部剖面图。
图8是表示无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的厚度TN与无电解镀敷膜153的剥离率之间的关系的图表。
图9是压电装置200的分解立体图。
图10(a)是图9的XA—XA剖面图。
图10(b)是图10(a)的虚线163的放大图。
图10(c)是图10(a)的虚线164的放大图。
图11是表示压电装置200的制造方法的流程图。
图12(a)是压电晶片、盖晶片以及基底晶片的局部剖面图。
图12(b)是压电晶片以及形成有第2金属膜的盖晶片、基底晶片的局部剖面图。
图12(c)是压电晶片以及形成有无电解镀敷膜的盖晶片、基底晶片的局部剖面图。
附图标记：
100、200：压电装置
101：空腔
110、210：盖板
111：凹部
112：接合面
113、213：盖膜
120、220：基底板
121：凹部
122：接合面
123、223：连接电极
124、224：安装端子
125、225：侧面电极
126：城堡形结构
130、230：压电振动片
131、231：激振电极
132、232：引出电极
134、234：振动部
141：导电性粘结剂
142：密封材
151：第1金属膜
15la、152a、153a：第1层
15lb、152b、153b：第2层
151c、152c：第3层
152：第2金属膜
153：无电解镀敷膜
161、162、163、164：虚线
171：划线
172：贯穿孔
201：空腔
235：框部
236：连结部
237：贯穿槽
BX：安装端子的x轴方向的长度
BZ：安装端子的z’轴方向的长度
RX：盖膜的x轴方向的长度
RZ：盖膜的z’轴方向的长度
S101、S201、S202、S301、S302、S401～S404、S501、S601、S602、S701、S801～S805：步骤
TN：厚度
Wll0、W210：盖晶片
W120、W220：基底晶片
W230：压电晶片
X、Y’、Z’：轴
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的较佳实施方式。另外，只要在以下的说明中并无特别限定本发明的记载，则本发明的范围并不限于这些实施方式。
第1实施方式
<压电装置100的结构>
图1是压电装置100的分解立体图。压电装置100包括：盖板110、基底板120及压电振动片130。对于压电振动片130，例如使用AT切割的水晶振动片。AT切割的水晶振动片中，主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以x轴为中心而从z轴朝Y轴方向倾斜35度15分。在以下的说明中，使用以AT切割的水晶振动片的轴方向为基准而倾斜的新的轴来作为Y’轴以及z’轴。即，在压电装置100中，将压电装置100的长边方向设为x轴方向、将压电装置100的高度方向设为Y’轴方向、将与x以及Y’轴方向垂直的方向设为z’轴方向，来进行说明。
压电振动片130具有：振动部134，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；激振电极131，形成在振动部134的+Y’轴侧以及-Y’轴侧的面；以及引出电极132，从各激振电极131引出至-x轴侧。从形成在振动部134的+Y’轴侧的面的激振电极131引出的引出电极132是：从激振电极131引出至-X轴侧，进而经由振动部134的+Z’轴侧的侧面而引出至振动部134的-Y’轴侧的面为止。从形成在振动部134的-Y’轴侧的面的激振电极131引出的引出电极132是：从激振电极131引出至-X轴侧，并形成至振动部134的-X轴侧的-Z’轴侧的角部为止。
基底板120是以水晶或玻璃(glass)等作为基材，在该基材的表面形成有电极。在基底板120上，在+Y’轴侧的面的周围，形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图2(a)、图2(b)、图2(c))而接合于盖板110。而且，在基底板120的+Y’轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y’轴方向凹陷的凹部121。在凹部121中形成有一对连接电极123，各连接电极123经由导电性粘结剂141(参照图2(a)、图2(b)、图2(c))而电性连接于压电振动片130的引出电极132。在基底板120的-Y’轴侧的面，形成有安装端子124，该安装端子124用于将压电装置100安装至印刷基板等。而且，在基底板120的侧面的四角，形成有向基底板120的内侧凹陷的城堡形结构(castellation)126，在城堡形结构126的侧面形成有侧面电极125。安装端子124经由侧面电极125而电性连接于连接电极123。
盖板110是：在-Y’轴侧的面，形成有向+Y’轴方向凹陷的凹部111。而且，以包围凹部111的方式而形成有接合面112。接合面112经由密封材142(参照图2(a)、图2(b)、图2(c))而接合于基底板120的接合面122。而且，在盖板110的+Y’轴侧的面，形成有盖膜113。
图2(a)是图1的IIA—IIA剖面图。基底板120的接合面122与盖板110的接合面112经由密封材142而接合，由此在压电装置100内形成密闭的空腔(cavity)101。压电振动片130是配置在空腔101内，引出电极132经由导电性粘结剂141而电性接合于基底板120的连接电极123。由此，激振电极131电性连接于安装端子124。
安装端子124是由第1金属膜151及无电解镀敷膜153形成，所述第1金属膜151形成在基底板120的基材的一Y’轴侧的面的表面，所述无电解镀敷膜153形成在第1金属膜151的表面。而且，形成在盖板110的+Y’轴侧的面的盖膜113是由第1金属膜151及无电解镀敷膜153所形成，所述第1金属膜151形成在盖板110的基材的+Y’轴侧的面的表面，所述无电解镀敷膜153形成在第1金属膜151的表面。
图2(b)是图2(a)的虚线161的放大图。图2(b)中表示出安装端子124的放大剖面图。第1金属膜151是由第1层15la、第2层15lb以及第3层151c这3个层形成。第1层15la是形成在基底板120的基材的表面的层，且由铬(Cr)形成。铬(Cr)被用作第1层15la的原材料，该第1层15la用于良好地密接于基底板120的基材、即水晶以及玻璃等。而且，形成在第1金属膜151的表面的第3层151c是由金(Au)形成。铬(Cr)虽能良好地密接于水晶以及玻璃等，但并不溶于焊料等，因此第1金属膜151的表面是由良好地溶于焊料等的金(Au)所覆盖。进而，第1金属膜151中，在第1层15la与第3层151c之间形成第2层15lb。构成第1层15la的铬(Cr)在制造工序中施加有热等时会扩散至其他层，从而铬(Cr)与基底板120的密接会变弱。而且，当铬(Cr)扩散至第1金属膜151的表面时，铬(Cr)会发生氧化而无电解镀敷膜153等的成膜将变得困难。为了防止此种铬(Cr)的扩散而设有第2层15lb，以防止铬(Cr)扩散至金(Au)层。
第2层15lb例如能够由镍钨(Ni—W)所形成。而且，第2层15lb也可由铂(platinum、Pt)形成。例如，当使用铂(Pt)时，将第1层15la的厚度形成为，将第2层15lb的厚度形成为
Figure BDA00003089721400088
Figure BDA00003089721400089
，将第3层151c的厚度形成为。包含无电解镀敷膜153的电极比起不含无电解镀敷膜153的电极，更容易因无电解镀敷膜153产生的应力而导致基底板120发生变形，因此容易剥离。在第1金属膜151中，通过设置第2层15lb而防止铬(Cr)的扩散，从而第1金属膜151与基底板120的基材的密接得以牢固地保持。因此，能够防止第1金属膜151的剥离。
无电解镀敷膜153是由第1层153a及第2层153b所形成，所述第1层153a形成在第1金属膜151的表面，所述第2层153b形成在第1层153a的表面。第1层153a为镍(Ni)的层，其厚度TN形成为1μm～3μm。而且，为了确实地进行安装端子124与焊料等的连接，通过金(Au)而在第1层153a的表面形成第2层153b。
图2(c)是图2(a)的虚线162的放大图。图2(c)中表示出盖膜113的放大剖面图。盖膜113是由第1金属膜151以及无电解镀敷膜153所形成，所述第1金属膜151形成在盖板110的基材的+Y’轴侧的面，所述无电解镀敷膜153形成在第1金属膜151的表面。形成盖膜113的第1金属膜151以及无电解镀敷膜153是：由与图2(b)所示的安装端子124的第1金属膜151及无电解镀敷膜153相同的结构所形成。而且，基底板120的第1层153a的厚度TN与盖板110的第1层153a的厚度TN是相同地形成。
图3(a)是基底板120的一Y’轴侧的面的平面图。在基底板120的一Y’轴侧的面，一对安装端子124形成于基底板120的+X轴侧以及-X轴侧。各安装端子124的x轴方向的长度是形成为长度BX，z’轴方向的长度是形成为长度BZ。
图3(b)是盖板110的+Y’轴侧的面的平面图。在盖板110的+Y’轴侧的面，一对盖膜113形成于盖板110的+X轴侧以及-X轴侧。各盖膜113的x轴方向的长度是形成为长度RX，z’轴方向的长度是形成为长度RZ。
对于形成在基底板120的安装端子124与形成在盖板110的盖膜113，x轴方向的长度以及z’轴方向的长度是相等地形成。即，长度BX与长度RX相等，长度BZ与长度RZ相等。因此，安装端子124的形状以及面积可视为与盖膜113相同。
<压电装置100的制造方法>
图4是表示出压电装置100的制造方法的流程图。以下，按照图4的流程图，对压电装置100的制造方法进行说明。
步骤(step)S101中，准备多个压电振动片130。步骤S101中，首先在由压电材形成的压电晶片，通过蚀刻(etching)而形成多个压电振动片130的外形。进而，在各压电振动片130，通过溅镀或真空蒸镀等而形成激振电极131以及引出电极132。多个压电振动片130是通过切离、及从压电晶片折取压电振动片130而准备。
步骤S201中，准备基底晶片W120。在基底晶片W120形成多个基底板120。基底晶片W120是以水晶或者玻璃等作为基材，在基底晶片W120，通过蚀刻来形成凹部121、以及切断晶片而形成作为城堡形结构126的贯穿孔172(参照图5(a))。
步骤S202中，在基底晶片W120形成第1金属膜151。步骤S202是基底用金属膜形成工序。形成在基底晶片W120的第1金属膜151如图2(b)所示，由构成第1层15la的铬(Cr)、构成第2层15lb的镍钨(Ni-W)以及构成第3层151c的金(Au)所形成。这些层是通过溅镀或真空蒸镀而形成。步骤S202中，通过形成第1金属膜151，从而在各基底板120形成连接电极123、侧面电极125的一部分以及安装端子124的一部分。
图5(a)是基底晶片W120的+Y’轴侧的面的平面图。在图5(a)所示的基底晶片W120，形成有第1金属膜151。在基底晶片W120形成有多个基底板120，各基底板120是沿X轴方向以及Z’轴方向排列地形成。而且，图5(a)中，在彼此邻接的基底板120的边界处表示出划线(scribe line)171。划线171是表示在后述的步骤S404中切断晶片的位置的线。在沿x轴方向延伸的划线171与沿z’轴方向延伸的划线171交叉的位置，形成有沿Y’轴方向贯穿基底晶片W120的贯穿孔172。贯穿孔172是：在后述的步骤S404中，在切断晶片之后，成为城堡形结构126。而且，在各基底板120的+Y’轴侧的面形成有凹部121，在各基底板120的+Y’轴侧的面形成有连接电极123。
图5(b)是基底晶片W120的一Y’轴侧的面的平面图。在基底晶片W120的-Y’轴侧的面，形成有成为安装端子124的一部分的第1金属膜151。第1金属膜151经由形成在贯穿孔172内的侧面电极125，而电性连接于连接电极123。第1金属膜151是以沿基底晶片W120的z’轴方向延伸的方式而形成。
返回图4，在步骤S301中，准备盖晶片Wll0。在盖晶片W110形成多个盖板110。在各盖板110的一Y’轴侧的面形成凹部111。
在步骤S302中，在盖晶片Wll0形成第1金属膜151。步骤S302是盖用金属膜形成工序。形成在盖晶片Wll0的第1金属膜151如图2(c)所示，由构成第1层15la的铬(Cr)、构成第2层15lb的镍钨(Ni—W)以及构成第3层151c的金(Au)形成。这些层是通过溅镀或者真空蒸镀而形成。步骤S302中，通过形成第1金属膜151，从而在各基底板120形成盖膜113的一部分。
图6是盖晶片W110的+Y’轴侧的面的平面图。在盖晶片W110形成多个盖板110，在各盖板110的一Y’轴侧的面形成凹部111以及接合面112(参照图1)。图6中，邻接的各盖板110之间以两点链线所示，该两点链线成为划线171。而且，在各盖板110的+Y’轴侧的面，形成有成为盖膜113的一部分的第1金属膜151。形成在盖晶片Wll0的第1金属膜151是：与形成在基底晶片W120的第1金属膜151同样地，以沿Z’轴方向延伸的方式而形成。
步骤S401中，在基底晶片W120上载置压电振动片130。步骤S401为载置工序。压电振动片130通过导电性粘结剂141而载置于基底晶片W120的各凹部121。
图7(a)是载置有压电振动片130的基底晶片W120的局部剖面图。图7(a)中，表示出了包含与图1的IIA-IIA剖面相当的剖面的剖面图。通过经由导电性粘结剂141来电性连接引出电极132与连接电极123，从而将压电振动片130载置于基底晶片W120的凹部121。而且，由此，激振电极131与形成在基底晶片W120的-Y’轴侧的面的第1金属膜151电性连接。
步骤S402中，将基底晶片W120与盖晶片Wll0予以接合。步骤S402为接合工序。基底晶片W120与盖晶片W110是以如下方式而接合，即，在基底晶片W120的接合面122或盖晶片Wll0的接合面112涂布密封材142(参照图2(a)、图2(b)、图2(c))之后，使基底晶片W120的接合面122与盖晶片Wll0的接合面112夹着密封材142而彼此相对。
图7(b)是盖晶片Wll0、压电振动片130以及基底晶片W120的局部剖面图。图7(b)中，表示出了包含与图7(a)同样的剖面的剖面图。通过经由密封材142来接合盖晶片Wll0与基底晶片W120，从而形成密封的空腔101。在空腔101内载置压电振动片130。
步骤S403中，形成无电解镀敷膜153。步骤S403为无电解镀敷工序。步骤S403中，通过对形成在盖晶片Wll0的+Y’轴侧的面以及基底晶片W120的-Y’轴侧的面的第1金属膜151的表面实施无电解镀敷，从而在盖晶片Wll0的+Y’轴侧的面、基底晶片W120的-Y’轴侧的面、以及贯穿孔172的侧面形成无电解镀敷膜153。
图7(c)是形成有无电解镀敷膜153的盖晶片Wll0、压电振动片130、以及形成有无电解镀敷膜153的基底晶片W120的局部剖面图。在图7(c)中，表示出了与图7(b)同样的剖面。无电解镀敷膜153的形成是：首先如图2(b)所示，通过无电解镀敷而在第1金属膜151的表面形成镍(Ni)的厚膜，以形成第1层153a。进而，在第1层153a的表面进行金(Au)的溅镀或者真空蒸镀，从而形成第2层153b。第2层153b也可通过无电解镀敷来形成金(Au)的层。
图8是表示无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的厚度TN与无电解镀敷膜153的剥离率之间的关系的图表。在图8中，表示出了以6.9μm/小时、12.2μm/小时以及19.0μm/小时这三种速度，来形成无电解镀敷膜153的镍(Ni)层的结果。图表中的涂黑的四角表示形成速度为6.9μm/小时的情况，涂黑的三角形表示12.2μm/小时的情况，涂黑的圆形表示19.0μm/小时的情况。形成速度例如能够通过温度条件来调节。在形成速度为6.9μm/小时的情况下，将温度设为45℃～55℃，在形成速度为12.2μm/小时的情况下，将温度设为60℃～70℃，在形成速度为19.0μm/小时的情况下，将温度设为70℃～80℃。而且，剥离率是通过进行划痕测试(scratch test)以及胶带剥离测试而求出，所述划痕测试是以金属针或金刚石(diamond)针划过金属膜的表面，以确认金属膜是否剥离，所述胶带剥离测试是将胶带贴附于金属膜之后将胶带撕去，以确认金属膜是否剥离。图8的剥离率是金属膜发生剥离的个体数相对于测试对象的个体数的比例。
在形成速度为6.9μm/小时以及12.2μm/小时的情况下，当镍层的厚度TN为0.1pm～1μm时，剥离率微小。考虑其原因在于，当镍层的厚度TN薄时，镍层未完全固定于金属膜的表面。而且，在形成速度为6.9μm/小时的情况下，在厚度TN为1μm～3.5μm之间，剥离率为O％，当厚度TN达到3.5μm以上时，剥离率上升。在形成速度为12.2μm/小时的情况下，在厚度TN为1μm～3μm之间，剥离率为O％，当厚度TN达到3μm以上时，剥离率上升。在形成速度为19.Oμm/小时的情况下，当镍层的厚度TN为O.1μm～1μm时，剥离率微小。当厚度TN为1μm时，剥离率达到最低值，当厚度TN为1μm以上时，随着厚度TN变厚而剥离率变高。
根据图8的图表可知的是，当镍层的形成速度为6.9μm/小时至12.2μm/小时、且镍层的厚度TN为1.0ltm～3.0μm时，剥离率为O％，因而较佳。而且，由此可认为：若镍层的形成速度为5μm/小时至15μm/小时，则至少剥离率达到O％或接近O％的值，因而较佳。
返回图4，步骤S404中，切断盖晶片Wll0以及基底晶片W120。盖晶片Wll0以及基底晶片W120于划线171处通过切割(dicing)等而切断。
在形成有无电解镀敷膜的晶片中，会产生与该无电解镀敷膜的长度相应的应力。例如，当在图5(b)所示的基底晶片W120的第1金属膜151的表面形成有无电解镀敷膜153时，会因无电解镀敷膜153沿Z’轴方向形成得较长而对Z’轴方向施加强应力，从而基底晶片W120的-Y’轴侧的面将以凹陷的方式而翘曲。而且，该应力会因在步骤S404中切断晶片而发生变化，从而使压电装置产生变形。形成在压电装置的安装端子有时会因该变形而发生剥离。压电装置100中，在盖板110上也以与安装端子124相同的形状、相同面积而形成有盖膜113，因此，压电装置100的+Y’轴侧的面以及-Y’轴侧的面的应力得到均衡，压电装置100不会出现变形。因此，在压电装置100中，能够防止：在晶片切断后，因无电解镀敷膜的应力引起的安装端子的剥离。
而且，压电装置100中，将无电解镀敷膜153的镍层的形成速度设为5μm/小时～15μm/小时，将镍层的厚度TN设为1μm～3μm，由此降低无电解镀敷膜153的剥离率。
在压电装置100的盖板110的侧面的四角，也可形成有与基底板120的城堡形结构126同样的城堡形结构。此时，形成在盖板110的城堡形结构、与形成在基底板120的城堡形结构彼此沿Y’轴方向相连，通过在图4的步骤S403中形成的无电解镀敷膜153，安装端子124与盖膜113彼此电性连接。此种压电装置中，可将盖膜113用作安装端子，因此也可将压电装置上下颠倒地使用。
第2实施方式
对于压电振动片，也可使用以包围振动部的周围的方式而形成有框部的压电振动片。以下，对于使用具有框部的压电振动片的压电装置200进行说明。而且，在以下的说明中，对于与第1实施方式相同的部分标注相同的符号并省略其说明。
<压电装置200的结构>
图9是压电装置200的分解立体图。压电装置200包括：盖板210、基底板220及压电振动片230。压电装置200中，与第1实施方式同样地，对于压电振动片230使用AT切割的水晶振动片。
压电振动片230具有：振动部234，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；框部235，以包围振动部234的周围的方式而形成；以及连结部236，连结振动部234与框部235。在振动部234与框部235之间，形成有沿Y’轴方向贯穿压电振动片230的贯穿槽237，振动部234与框部235不直接接触。振动部234与框部235经由连结部236而连结，该连结部236连结至振动部234的-X轴侧的+Z’轴侧及-Z’轴侧。而且，在振动部234的+Y’轴侧的面以及-Y’轴侧的面形成有激振电极231，引出电极232分别从各激振电极231引出至框部235为止。从形成在振动部234的+Y’轴侧的面的激振电极231引出的引出电极232是：经由+Z’轴侧的连结部236而引出至框部235的-x轴侧，进而引出至框部235的-Y’轴侧的面的+x轴侧的+z’轴侧的角部为止。从形成在振动部234的-Y’轴侧的面的激振电极231引出的引出电极232是：经由-z’轴侧的连结部236而引出至框部235的-x轴侧，并引出至框部235的-Y’轴侧的面的-x轴侧的-z’轴侧的角部为止。
在基底板220，在+Y’轴侧的面的周围，形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图10(a)、图10(b)、图1O(c))而接合于盖板210。而且，在基底板220的+Y’轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y’轴方向凹陷的凹部121。在基底板220的-Y’轴侧的面形成有安装端子224，在基底板220的侧面的角部形成有城堡形结构126。而且，在接合面122的城堡形结构126的周围，形成有连接电极223。连接电极223经由形成在城堡形结构126的侧面电极225而电性连接于安装端子224。
盖板210中，在一Y’轴侧的面形成有凹部111，在凹部111的周围形成有接合面112。而且，在盖板210的+Y’轴侧的面的+X轴侧以及-X轴侧形成有盖膜213。盖膜213是形成为与安装端子224相同的形状、相同的面积。
图10(a)是图9的XA-XA剖面图。压电装置200中，盖板210的接合面112与框部235的+Y’轴侧的面经由密封材142而接合，基底板220的接合面122与框部235的-Y’轴侧的面经由密封材142而接合。而且，在压电振动片230与基底板220的接合时，引出电极232与连接电极223电性接合。由此，激振电极231电性连接于安装端子224。安装端子224是由第1金属膜151、第2金属膜152以及无电解镀敷膜153所形成。而且，盖膜213是由第2金属膜152以及无电解镀敷膜153所形成。
图10(b)是图10(a)的虚线163的放大图。图10(b)中表示出了安装端子224的放大剖面图。第1金属膜151是由第1层15la、第2层15lb以及第3层151c这三个层形成。如图2(b)中所说明的，第1层15la是由铬(Cr)所形成，第2层15lb是由镍钨(Ni-W)或铂(Pt)等所形成，第3层151c是由金(Au)所形成。
第2金属膜152是由第1层152a、第2层152b及第3层152c所形成，所述第1层152a形成在第1金属膜151的表面，所述第2层152b形成在第1层152a的表面，所述第3层152c形成在第2层152b的表面。第1层152a、第2层152b以及第3层152c是分别由与第1金属膜151的第1层15la、第2层15lb以及第3层151c相同的结构所形成。即，第2金属膜152是由与第1金属膜151相同的结构所形成。
无电解镀敷膜153是由第1层153a及第2层153b所形成，所述第1层153a形成在第2金属膜152的表面，所述第2层153b形成在第1层153a的表面。第1层153a为镍(Ni)的层，其厚度TN形成为1μm～3μm。而且，为了确实地进行安装端子224与焊料等的连接，在第1层153a的表面，通过金(Au)而形成第2层153b。
图10(c)是图10(a)的虚线164的放大图。图10(c)中表示出了盖膜213的放大剖面图。盖膜213是由第2金属膜152以及无电解镀敷膜153所形成，所述第2金属膜152形成在盖板210的基材的+Y’轴侧的面，所述无电解镀敷膜153形成在第2金属膜152的表面。形成盖膜213的第2金属膜152以及无电解镀敷膜153是：由与图2(c)所示的盖膜113的第1金属膜151以及无电解镀敷膜153相同的结构所形成。
<压电装置200的制造方法>
图11是表示出压电装置200的制造方法的流程图。以下，按照图11的流程图，对压电装置200的制造方法进行说明。
步骤S501中，准备压电晶片W230。在压电晶片W230，形成有多个压电振动片230。步骤S501为准备压电晶片的工序。
步骤S601中，准备基底晶片W220。在基底晶片W220，形成多个基底板220。步骤S601为准备基底晶片W220的工序。
步骤S602中，在基底晶片W220形成第1金属膜151。第1金属膜151如图10(a)所示，形成连接电极223及侧面电极225与安装端子224的一部分。步骤S602为基底用金属膜形成工序。
步骤S701中，准备盖晶片W210。在盖晶片W210，形成有多个盖板210。步骤S701为形成盖晶片W21O的工序。
步骤S801中，在基底晶片W220上载置压电晶片W230。步骤S801为如下所述的载置工序，即，以将压电晶片W230的各压电振动片230对应地载置于基底晶片W220的各基底板220的+Y’轴侧的面的方式，而将基底晶片W220与压电晶片W23O予以接合。该载置工序中，基底晶片W220的接合面122经由密封材142，而接合于压电晶片W230上形成的框部235的-Y’轴侧的面。
步骤S802中，将压电晶片W230与盖晶片W210予以接合。步骤S802为如下所述的接合工序，即，以对压电振动片230的振动部234进行密封的方式，将盖晶片W21O经由密封材142，而接合于压电晶片W230的+Y’轴侧的面。
图12(a)是压电晶片W230、盖晶片W210以及基底晶片W220的局部剖面图。图12(a)是包含图9的XA-XA剖面的剖面图。基底晶片W220是经由密封材142，而接合于压电晶片W230的框部235的-Y’轴侧的面。而且，连接电极223电性连接于引出电极232。盖晶片W210是经由密封材142，而接合于压电晶片W230的框部235的+Y’轴侧的面。由此，在晶片中形成空腔201，并将振动部234密封于该空腔201内。
步骤S803中，在盖晶片W210以及基底晶片W220形成第2金属膜152。
图12(b)是压电晶片W230以及形成有第2金属膜152的盖晶片W210、基底晶片W220的局部剖面图。形成在盖晶片W210的第2金属膜152与形成在基底晶片W220的第2金属膜152是：与图3(a)以及图3(b)所示的安装端子124以及盖膜113同样地，以x轴方向的长度相等的方式而形成。而且，与图5(b)所示的基底晶片W120的第1金属膜151以及图6所示的盖晶片W110形成的第1金属膜151同样地，第2金属膜152是在基底晶片W220的-Y’轴侧的面以及盖晶片W210的+Y’轴侧的面，以沿Z’轴方向延伸的方式而形成。
步骤S804中，在基底晶片W220以及盖晶片W21O形成无电解镀敷膜153。无电解镀敷膜153是形成在第2金属膜152的表面，该第2金属膜152形成在基底晶片W220以及盖晶片W210。
图12(c)是压电晶片W230以及形成有无电解镀敷膜153的盖晶片W210、基底晶片W220的局部剖面图。形成在盖晶片W210以及基底晶片W220的无电解镀敷膜153是：形成在第2金属膜152的表面。而且，形成无电解镀敷膜153的镍层是通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率，并以厚度TN为1μm～3μm的方式而形成。
步骤S805中，在划线171处切断基底晶片W220、盖晶片W210以及压电晶片W230。由此，形成各个压电装置200。
压电装置200中，与压电装置100同样地，在盖晶片W210上也以与安装端子224相同的形状、相同的面积而形成盖膜213，由此抑制压电装置200的变形，以防止安装端子224的剥离。而且，压电装置中，有时会因成为底层的金属膜表面的污染等而无法形成无电解镀敷膜，但在压电装置200中，通过在进行无电解镀敷之前，形成作为底层的第2金属膜152，从而能够将底层的污染等的影响抑制为最小限度。
压电装置200中，基底板220的安装端子224以及侧面电极225是由第1金属膜151、第2金属膜152以及无电解镀敷膜153所形成，但也可与压电装置100同样地，不含第2金属膜152，而由第1金属膜151及无电解镀敷膜153所形成。此时，在图11的流程图的步骤S803中，仅在盖晶片W21O形成第2金属膜152，而不在基底晶片W220形成第2金属膜152。
以上，对本发明的最佳实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员可明确的是，本发明可在其技术范围内对实施方式添加各种变更、变形而实施。
例如，也可在压电装置中装入振荡器而形成为压电振荡器。而且，在盖板上，为了形成无电解镀敷膜而形成有第1金属膜或者第2金属膜，但这些金属膜也可形成在比无电解镀敷膜宽的区域。例如，在盖板上，有时会形成有溅镀膜并在溅镀膜上通过激光(1aser)加工而印刷制造编号等，无电解镀敷膜也可形成在该溅镀膜的表面。
进而，上述实施方式中示出了压电振动片为AT切割的水晶振动片的情况，但即使是同样以厚度切变模式振动的BT切割的水晶振动片等，也可同样地适用。进而，压电振动片不仅可适用于水晶材，而且基本上能够适用于包含钽酸锂(1ithium tantalate)或铌酸锂(1ithium niobate)或者压电陶瓷的压电材。

Claims (10)

1.一种压电装置，为表面安装型的压电装置，所述压电装置的特征在于包括：
压电振动片，包含以规定的振动频率而振动的振动部；
基底板，在所述基底板的一方的主面形成一对安装端子，在所述基底板的另一方的主面载置所述压电振动片，所述安装端子包含通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜、以及形成在所述金属膜表面的无电解镀敷膜，且所述安装端子被用于所述压电装置的安装；以及
盖板，在所述盖板的一方的主面形成金属膜、以及在所述金属膜的表面通过无电解镀敷而形成的无电解镀敷膜，并以所述盖板的另一方的主面密封所述振动部，
在所述基底板的所述一方的主面形成的所述无电解镀敷膜、与在所述盖板的一方的主面形成的所述无电解镀敷膜是：形成为彼此相同的形状、相同的面积。
2.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于，
所述压电振动片具有：所述振动部、包围所述振动部的框部、及连结所述振动部与所述框部的连结部，
所述基底板与所述盖板经由所述框部而接合。
3.根据权利要求1所述的压电装置，其特征在于，
所述一对安装端子的所述金属膜形成为两层，进而在该金属膜的表面形成所述无电解镀敷膜。
4.根据权利要求1至3中任一所述的压电装置，其特征在于，
所述无电解镀敷膜包含镍层，所述镍层的膜厚为1μm～3μm。
5.根据权利要求4所述的压电装置，其特征在于，
在所述无电解镀敷膜的所述镍层的表面形成金层。
6.一种压电装置的制造方法，所述压电装置为表面安装型的压电装置，所述压电装置的制造方法的特征在于包括：
压电振动片准备工序，准备多个压电振动片，所述压电振动片包含以规定的振动频率而振动的振动部；
基底晶片准备工序，准备具有多个基底板的基底晶片；
基底用金属膜形成工序，在所述基底晶片的一方的主面，形成通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜；
盖晶片准备工序，准备具有多个盖板的盖晶片；
载置工序，在所述基底晶片的另一方的主面载置所述多个压电振动片；
接合工序，将所述盖晶片的另一方的主面以密封所述振动部的方式，接合于所述基底晶片的另一方的主面；
盖用金属膜形成工序，在所述盖晶片准备工序之后且所述载置工序之前、或者在所述接合工序之后，在所述盖晶片的一方的主面形成金属膜；以及
无电解镀敷工序，对所述基底晶片的所述金属膜以及所述盖晶片的所述金属膜实施无电解镀敷，
形成于所述盖晶片的无电解镀敷膜是：与所述基底晶片的无电解镀敷膜为相同的形状、相同的面积。
7.一种压电装置的制造方法，所述压电装置为表面安装型的压电装置，所述压电装置的制造方法的特征在于包括：
压电晶片准备工序，准备具有多个压电振动片的压电晶片，所述压电振动片包含：以规定的振动频率而振动的振动部、包围所述振动部的框部、及连结所述振动部与所述框部的连结部；
基底晶片准备工序，准备具有多个基底板的基底晶片；
基底用金属膜形成工序，在所述基底晶片的一方的主面，形成通过溅镀或者真空蒸镀而形成的金属膜；
盖晶片准备工序，准备具有多个盖板的盖晶片；
载置工序，以在所述各基底板的另一方的主面分别载置所述压电振动片的方式，将所述基底晶片与所述压电晶片予以接合；
接合工序，将所述盖晶片的另一方的主面以密封所述振动部的方式，接合于所述压电晶片的另一方的主面；
盖用金属膜形成工序，在所述盖晶片准备工序之后且所述载置工序之前、或者在所述接合工序之后，在所述盖晶片的一方的主面形成金属膜；以及
无电解镀敷工序，对所述基底晶片的一方的主面形成的所述金属膜以及所述盖晶片的所述金属膜实施无电解镀敷，
形成于所述盖晶片的无电解镀敷膜是：与所述基底晶片的无电解镀敷膜为相同的形状、相同的面积。
8.根据权利要求6或7所述的压电装置的制造方法，其特征在于还包括：
在所述接合工序之后且所述无电解镀敷工序之前，在所述基底晶片的另一方的主面再次形成所述金属膜。
9.根据权利要求6或7所述的压电装置的制造方法，其特征在于，
所述无电解镀敷膜包含镍层，所述镍层是通过5μm/小时～15μm/小时的成膜速率而形成。
10.根据权利要求9所述的压电装置的制造方法，其特征在于，
所述无电解镀敷膜的所述镍层的膜厚是形成为1μm～3μm。
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