JP2013172368A - 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】無電解メッキにより形成された電極の剥離を防止した圧電デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス（１００）は、励振電極（１３１）及び励振電極から引き出されている引出電極（１３２）を含む圧電振動片（１３０）と、一方の主面に引出電極に電気的に接続される接続電極（１２３）とが形成され、他方の主面に実装端子（１２４）が形成されるベース板（１２０）と、リッド板（１１０）と、を有する。ベース板の他方の主面の向かい合う辺には、一方の主面側に凹んだ段差部（１２７）と他方の主面から一方の主面まで貫通したキャスタレーション（１２６）とが形成され、段差部の一部とキャスタレーションとには実装端子からベース板の一方の主面に引き出されている配線電極（１２５）が形成される。配線電極と実装端子とは、金属膜（１５３）と該金属膜上に無電解メッキで形成される無電解メッキ膜（１５１）とから構成される。
【選択図】図２

Description

本発明は、無電解メッキにより形成された電極を有する圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関する。

所定の振動数で振動する圧電振動片を備える表面実装型の圧電デバイスが知られている。圧電デバイスの表面には電極として実装端子が形成され、圧電デバイスはこの実装端子を介してプリント基板等に実装される。実装端子は圧電デバイスの表面に形成されるため、ハンダによる加熱等により実装端子が剥離し、又は実装端子が損傷を受ける場合がある。そのため圧電デバイスでは、実装端子にメッキ等による厚膜が形成されて導通が確保される。また、メッキによる厚膜は、ハンダによる実装端子の金属が吸収されることを防止のバリア層としても形成される。

例えば、特許文献１では実装端子が導電性ペースト及び導電性ペーストの表面に形成されるメッキ層により形成される旨が記載されている。

特開２０００−２５２３７５号公報

しかし、メッキ層は厚く形成されるために、メッキ層が圧電デバイスに応力をかける場合がある。圧電デバイスにかかる応力は圧電デバイスを歪ませて、メッキ層、又はメッキ層を含む実装端子を剥離させることが問題となっている。このような剥離は、ウエハに複数の圧電デバイスを形成してウエハを切断することにより個々の圧電デバイスを形成する圧電デバイスの製造方法において特に発生する。ウエハの切断時には圧電デバイスにかかる応力が変化するため圧電デバイスの歪みが大きくなるためである。

本発明は、無電解メッキにより形成された電極の剥離を防止した圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

第１観点の圧電デバイスは、表面実装型の圧電デバイスであって、一対の励振電極が形成されて所定の振動数で振動する振動部及び一対の励振電極から引き出されている引出電極を含む圧電振動片と、一方の主面に引出電極に電気的に接続される一対の接続電極が形成され他方の主面に圧電デバイスが実装される一対の実装端子が形成される矩形形状のベース板と、振動部を密封するリッド板と、を有する。ベース板の他方の主面の向かい合う少なくとも一対の辺には、一方の主面側に凹んだ段差部と他方の主面から一方の主面まで貫通したキャスタレーションとが形成され、段差部の一部とキャスタレーションとには実装端子からベース板の一方の主面に引き出されている配線電極が形成され、配線電極と実装端子とは、スパッタ又は真空蒸着による金属膜と該金属膜上に無電解メッキで形成される無電解メッキ膜とから構成される。

第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、実装端子の金属膜が二重に形成され、その表面に無電解メッキ膜が形成されている。

第３観点の圧電デバイスは、第１観点及び第２観点において、接続電極が金属膜のみで形成されている。

第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、圧電振動片が、振動部と、振動部を囲む枠部と、振動部と枠部とを連結する連結部と、により構成され、ベース板とリッド板とが枠部を挟んで接合されている。

第５観点の圧電デバイスは、第１観点から第４観点において、無電解メッキ膜がニッケル層を含み、ニッケル層の膜厚が１〜３μｍである。

第６観点の圧電デバイスの製造方法は、表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、複数の圧電振動片を用意する工程と、矩形形状の複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、ベースウエハの互いに隣接するように配置されるベース板の境界の少なくとも一部にベースウエハの一方の主面側に凹んだ凹部及び凹部と接し且つ境界の少なくとも一部にベースウエハの一方の主面から他方の主面へ貫通する貫通孔を形成する凹部、貫通孔形成工程と、ベースウエハの凹部、貫通孔、及び圧電デバイスが実装される実装端子が形成される領域にスパッタ又は真空蒸着で形成される金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、ベースウエハの一方の主面に複数の圧電振動片を載置する載置工程と、複数のリッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、リッドウエハの一方の主面を振動部が密封されるようにベースウエハの他方の主面に接合する接合工程と、接合工程後、金属膜の表面に無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、無電解メッキ工程後、ベースウエハ及びリッドウエハを、境界で切断する切断工程と、を有する。

第７観点の圧電デバイスの製造方法は、表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、所定の振動数で振動する振動部と、振動部を囲む枠部と、振動部と枠部とを連結する連結部と、を含む複数の圧電振動片を有する圧電ウエハを用意する工程と、矩形形状の複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、ベースウエハの互いに隣接するように配置されるベース板の境界の少なくとも一部にベースウエハの一方の主面側に凹んだ凹部、及び凹部と接し且つ境界の少なくとも一部にベースウエハの一方の主面から他方の主面へ貫通する貫通孔を形成する凹部、貫通孔形成工程と、ベースウエハの凹部、貫通孔、及び圧電デバイスが実装される実装端子が形成される領域にスパッタ又は真空蒸着で形成される金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、各ベース板の一方の主面に圧電振動片がそれぞれ載置されるようにベースウエハと圧電ウエハとを接合する載置工程と、複数のリッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、リッドウエハの一方の主面を振動部が密封されるように圧電ウエハに接合する接合工程と、接合工程後、金属膜の表面に無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、無電解メッキ工程後、ベースウエハ、リッドウエハ、及び圧電ウエハを、境界で切断する切断工程と、を有する。

第８観点の圧電デバイスの製造方法は、第６観点及び第７観点において、接合工程の後であり、無電解メッキ工程の前に、ベースウエハの他方の主面に形成されている金属膜の表面に、さらに金属膜を形成する第２金属膜形成工程を有する。

第９観点の圧電デバイスの製造方法は、第６観点から第８観点において、金属膜が、クロム層と、クロム層の表面に形成されるニッケルタングステン層と、ニッケルタングステン層の表面に形成される金層と、により構成されている。

第１０観点の圧電デバイスの製造方法は、第６観点から第８観点において、金属膜は、クロム層と、クロム層の表面に形成されるプラチナ層と、プラチナ層の表面に形成される金層と、により構成されている。

第１１観点の圧電デバイスの製造方法は、第６観点から第１０観点において、無電解メッキ膜がニッケル層を含み、ニッケル層が５〜１５μｍ／ｈoｕｒの成膜レートにより形成される。

第１２観点の圧電デバイスの製造方法は、第１１観点において、無電解メッキ膜のニッケル層の膜厚が１〜３μｍに形成される。

本発明の圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法によれば、無電解メッキにより形成された電極の剥離を防ぐことができる。

圧電デバイス１００の分解斜視図である。 （ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。 （ｂ）は、図２（ａ）の点線１６１の拡大図である。 （ａ）は、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 リッドウエハＷ１１０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ａ）は、圧電振動片１３０が載置されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｂ）は、リッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及びベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｃ）は、無電解メッキ膜１５３が形成されたリッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 無電解メッキ膜１５３のニッケル（Ｎｉ）層の厚さＴＮと、無電解メッキ膜１５３の剥離率との関係が示されたグラフである。 （ａ）は、ベース板１２０ａの−Ｙ’軸側の平面図である。 （ｂ）は、複数のベース板１２０ａが形成されているベースウエハＷ１２０ａの−Ｙ’軸側の面の平面図である。 圧電デバイス２００の分解斜視図である。 （ａ）は、図１０のＣ−Ｃ断面図である。 （ｂ）は、図１１（ａ）の点線１６２の拡大図である。 圧電デバイス２００の製造方法が示されたフローチャートである。 圧電ウエハＷ２３０の平面図である。 （ａ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及びベースウエハＷ２２０の部分断面図である。 （ｂ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び第２金属膜１５２が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。 （ｃ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は、リッド板１１０と、ベース板１２０と、圧電振動片１３０と、により構成されている。圧電振動片１３０には例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００においては圧電デバイス１００の長辺方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。

圧電振動片１３０は、所定の振動数で振動し、矩形形状に形成される振動部１３４と、振動部１３４の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１３１と、各励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出された引出電極１３２と、を有している。振動部１３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３１から引き出される引出電極１３２は、励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出され、さらに振動部１３４の＋Ｚ’軸側の側面を介して振動部１３４の−Ｙ’軸側の面にまで引き出されている。振動部１３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３１から引き出される引出電極１３２は、励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出され、振動部１３４の−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角にまで形成されている。

ベース板１２０は、水晶又はガラス等を基材とし、この基材の表面に電極が形成される。ベース板１２０には、＋Ｙ’軸側の面の周囲に封止材１４２（図２参照）を介してリッド板１１０に接合される接合面１２２が形成されている。また、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には、接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１２１が形成されている。凹部１２１には一対の接続電極１２３が形成されており、各接続電極１２３は導電性接着剤１４１（図２参照）を介して圧電振動片１３０の引出電極１３２に電気的に接続される。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面には、圧電デバイス１００をプリント基板等へ実装するための実装端子１２４が形成されている。また、ベース板１２０の側面の四隅には、ベース板１２０の内側に凹んだキャスタレーション１２６が形成されており、キャスタレーション１２６の側面には配線電極１２５が形成されている。実装端子１２４は配線電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続されている。

リッド板１１０は、−Ｙ’軸側の面に＋Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１１１が形成されている。また、凹部１１１を囲むように接合面１１２が形成されている。接合面１１２は封止材１４２（図２参照）を介してベース板１２０の接合面１２２に接合される。

図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。ベース板１２０の接合面１２２とリッド板１１０の接合面１１２とが封止材１４２を介して接合されることにより、圧電デバイス１００内には密閉されたキャビティ１０１が形成される。圧電振動片１３０はキャビティ１０１内に配置されており、引出電極１３２が導電性接着剤１４１を介してベース板１２０の接続電極１２３に電気的に接続されている。これにより、励振電極１３１は実装端子１２４に電気的に接続される。また実装端子１２４は、ベース板１２０の基材の−Ｙ’軸側の面の表面に形成される第１金属膜１５１及び第１金属膜１５１の表面に形成される無電解メッキ膜１５３により形成されている。

図２（ｂ）は、図２（ａ）の点線１６１の拡大図である。図２（ｂ）では、実装端子１２４の拡大断面図が示されている。第１金属膜１５１は、第１層１５１ａ、第２層１５１ｂ、及び第３層１５１ｃの３つの層により形成されている。第１層１５１ａはベース板１２０の基材の表面に形成される層であり、クロム（Ｃｒ）により形成される。クロム（Ｃｒ）はベース板１２０の基材である水晶及びガラス等に良く密着するため第１層１５１ａの素材として用いられる。また、金属膜１５１の表面に形成される第３層１５１ｃは、金（Ａｕ）により形成される。クロム（Ｃｒ）は水晶及びガラスなどには良く密着するが、ハンダ等にはなじまないため、第１金属膜１５１の表面はハンダ等に良くなじむ金（Ａｕ）で覆われる。さらに、第１金属膜１５１では、第１層１５１ａと第３層１５１ｃとの間に第２層１５１ｂが形成される。第１層１５１ａを構成するクロム（Ｃｒ）は、製造工程中に熱などがかかった場合に他の層に拡散し、クロム（Ｃｒ）とベース板１２０との密着が弱くなる。また、クロム（Ｃｒ）が第１金属膜１５１の表面に拡散した場合には、クロム（Ｃｒ）が酸化して無電解メッキ膜１５３等の成膜が困難になる。このようなクロム（Ｃｒ）の拡散を防ぐために第２層１５１ｂが設けられ、クロム（Ｃｒ）が金（Ａｕ）層に拡散することが防がれている。

第２層１５１ｂは、例えばニッケルタングステン（Ｎｉ―Ｗ）により形成することができる。また第２層１５１ｂは、プラチナ（白金、Ｐｔ）により形成してもよい。例えば、プラチナ（Ｐｔ）が用いられる場合は、第１層１５１ａを３００〜５００Å、第２層１５１ｂを１０００〜２０００Å、第３層１５１ｃを１０００〜２０００Åに形成する。無電解メッキ膜１５３を含む電極は、無電解メッキ膜１５３を含まない電極よりも、無電解メッキ膜１５３により生じる応力によりベース板１２０に歪みが生じるため剥離しやすくなる。第１金属膜１５１では第２層１５１ｂが設けられることによりクロム（Ｃｒ）の拡散が防がれており、第１金属膜１５１とベース板１２０の基材との密着が強く保持される。そのため、第１金属膜１５１の剥離を防ぐことができる。

無電解メッキ膜１５３は、第１金属膜１５１の表面に形成される第１層１５３ａと、第１層１５３ａの表面に形成される第２層１５３ｂとにより形成される。第１層１５３ａはニッケル（Ｎｉ）の層であり、その厚さＴＮは１〜３μｍに形成される。また、実装端子１２４とハンダ等との接続を確実に行うために、第１層１５３ａの表面に金（Ａｕ）により第２層１５３ｂが形成される。

図３（ａ）は、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板１２０の四隅の側面にはキャスタレーション１２６が形成されている。また、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の辺には＋Ｙ’軸側に凹んだ段差部１２７が形成されている。段差部１２７にはキャスタレーション１２６と同じ配線電極１２５が形成されている。

図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。ベース板１２０の段差部１２７には配線電極１２５が形成されており、配線電極１２５は実装端子１２４に電気的に接続されている。また、段差部１２７が接し、キャスタレーション１２６ではないベース板１２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の側面１２９には、第１金属膜１５１及び無電解メッキ膜１５３が形成されていない。

＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図４は、圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図４のフローチャートに従って、圧電デバイス１００の製造方法について説明する。

ステップＳ１０１では、複数の圧電振動片１３０が用意される。ステップＳ１０１は、圧電振動片を用意する工程である。ステップＳ１０１では、まず圧電材により形成された圧電ウエハに複数の圧電振動片１３０の外形がエッチング等により形成される。さらに各圧電振動片１３０にスパッタ又は真空蒸着等により励振電極１３１及び引出電極１３２が形成される。複数の圧電振動片１３０は、圧電振動片１３０が圧電ウエハから折り取られることにより用意される。

ステップＳ２０１では、ベースウエハＷ１２０が用意される。ステップＳ２０１は、ベースウエハを用意する工程である。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成される。ステップＳ２０１で用意されるベースウエハＷ１２０は平板状であり、水晶又はガラス等を基材としている。

ステップＳ２０２では、ベースウエハＷ１２０に凹部１２１、ベースウエハＷ１２０が切断されてキャスタレーション１２６となる貫通孔１７２（図５（ａ）参照）、及びベースウエハＷ１２０が切断されて段差部１２７となる凹部１７３（図５（ｂ）参照）が形成される。ステップＳ２０２は、凹部、貫通孔形成工程である。

ステップＳ２０３では、ベースウエハＷ１２０に第１金属膜１５１が形成される。ステップＳ２０３は第１金属膜形成工程である。ベースウエハＷ１２０に形成される第１金属膜１５１は、例えば図２（ｂ）に示されるように、第１層１５１ａを構成するクロム（Ｃｒ）、第２層１５１ｂを構成するニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、及び第３層１５１ｃを構成する金（Ａｕ）により形成される。これらの層は、スパッタ又は真空蒸着により形成される。ステップＳ２０２では、第１金属膜１５１が形成されることにより、各ベース板１２０に接続電極１２３、配線電極１２５の一部、及び実装端子１２４の一部が形成される。

図５（ａ）は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。図５（ａ）に示されたベースウエハＷ１２０には、第１金属膜１５１により形成される接続電極１２３が示されている。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成されており、各ベース板１２０はＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また、図５（ａ）では、互いに隣接したベース板１２０の境界にスクライブライン１７１が示されている。スクライブライン１７１は後述されるステップＳ４０４でウエハが切断される位置を示す線である。Ｘ軸方向に伸びるスクライブライン１７１と、Ｚ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１とが交差する位置には、ベースウエハＷ１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通孔１７２が形成されている。貫通孔１７２は、後述されるステップＳ４０４でウエハが切断された後にキャスタレーション１２６となる。また、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には凹部１２１が形成されており、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には接続電極１２３が形成されている。

図５（ｂ）は、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。図５（ｂ）に示されるベースウエハＷ１２０には、貫通孔１７２及びＸ軸方向に伸びるスクライブライン１７１を含むようにＺ’軸方向に伸びる凹みである凹部１７３が示されている。また図５（ｂ）では、実装端子１２４の一部となり、凹部１７３に形成されて配線電極１２５の一部となる第１金属膜１５１が示されている。貫通孔１７２及び凹部１７３には配線電極１２５の一部となる第１金属膜１５１が形成され、この配線電極１２５を形成する第１金属膜１５１は接続電極１２３に電気的に接続される。

図４に戻って、ステップＳ３０１では、リッドウエハＷ１１０が用意される。ステップＳ３０１は、リッドウエハＷ１１０を用意する工程である。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成される。各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１が形成される。

図６は、リッドウエハＷ１１０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。リッドウエハＷ１１０には複数のリッド板１１０が形成され、各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１及び接合面１１２が形成される。図６では、隣接する各リッド板１１０の間が二点鎖線で示されており、この二点鎖線はスクライブライン１７１となる。

ステップＳ４０１では、ベースウエハＷ１２０に圧電振動片１３０が載置される。ステップＳ４０１は載置工程である。圧電振動片１３０は、ベースウエハＷ１２０の各凹部１２１に導電性接着剤１４１により載置される。

図７（ａ）は、圧電振動片１３０が載置されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ａ）には、図５（ａ）及び図５（ｂ）のＣ−Ｃ断面に相当する断面を含む断面図が示されている。引出電極１３２と接続電極１２３とを導電性接着剤１４１を介して電気的に接続することにより、圧電振動片１３０がベースウエハＷ１２０の凹部１２１に載置される。また、これにより励振電極１３１とベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面に形成される第１金属膜１５１とが電気的に接続される。

ステップＳ４０２では、ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ステップＳ４０２は、接合工程である。ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とは、ベースウエハＷ１２０の接合面１２２又はリッドウエハＷ１１０の接合面１１２に封止材１４２（図２参照）が塗布された後に、ベースウエハＷ１２０の接合面１２２とリッドウエハＷ１１０の接合面１１２とが封止材１４２を挟んで互いに向かい合うように接合される。

図７（ｂ）は、リッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及びベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ｂ）には、図５（ａ）、図５（ｂ）及び図６のＣ−Ｃ断面に相当する断面を含む断面図が示されている。リッドウエハＷ１１０とベースウエハＷ１２０とが封止材１４２を介して接合されることにより、密封されたキャビティ１０１が形成される。キャビティ１０１には、圧電振動片１３０が載置されている。

ステップＳ４０３では、無電解メッキ膜１５３が形成される。ステップＳ４０３は、無電解メッキ工程である。ステップＳ４０３では、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面、凹部１７３、及び貫通孔１７２に形成される第１金属膜１５１の表面に無電解メッキ膜１５３が形成される。

図７（ｃ）は、圧電振動片１３０、リッドウエハＷ１１０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ｃ）には、図７（ｂ）と同様の断面の断面図が示されている。無電解メッキ膜１５３の形成は、まず図２（ｂ）に示されるように、無電解メッキによりニッケル（Ｎｉ）の厚膜を第１金属膜１５１の表面に形成して第１層１５３ａを形成する。さらに第１層１５３ａの表面に金（Ａｕ）の無電解メッキを行うことにより第２層１５３ｂを形成する。

図８は、無電解メッキ膜１５３のニッケル（Ｎｉ）層の厚さＴＮと、無電解メッキ膜１５３の剥離率との関係が示されたグラフである。図８には、無電解メッキ膜１５３のニッケル（Ｎｉ）層を６．９μｍ／ｈoｕｒ、１２．２μｍ／ｈoｕｒ、及び１９．０μｍ／ｈoｕｒの３種類の速度で形成した結果が示されている。グラフ中の黒塗りの四角は形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒ、黒塗りの三角形は１２．２μｍ／ｈoｕｒ、黒塗りの丸は１９．０μｍ／ｈoｕｒの場合を示している。形成速度は、例えば温度条件により調節することができる。形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒの場合には温度を４５℃〜５５℃、形成速度が１２．２μｍ／ｈoｕｒの場合には温度を６０℃〜７０℃、形成速度が１９．０μｍ／ｈoｕｒの場合には温度を７０℃〜８０℃としている。また剥離率は、金属膜の表面を金属針又はダイヤモンド針で引っかいて金属膜が剥離するか否かを確認するスクラッチテスト、及びテープを金属膜に貼り付けた後に剥がすことで金属膜が剥離するか否かを確認するテープ剥離テストを行うことにより求めている。図８の剥離率は、テスト対象の個体数に対する金属膜が剥離した個体数の割合である。

形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒ及び１２．２μｍ／ｈoｕｒの場合では、ニッケル層の厚さＴＮが０．１〜１μｍのときに剥離率は僅かにある。これは、ニッケル層の厚さＴＮが薄い場合は、ニッケル層が金属膜の表面に完全に定着していないためであると考えられる。また剥離率は、形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒの場合では厚さＴＮが１〜３．５μｍの間で０％になっており、３．５μｍ以上になると剥離率が上昇する。形成速度が１２．２μｍ／ｈoｕｒの場合では厚さＴＮが１〜３μｍの間で０％になっており、厚さＴＮが３μｍ以上になると剥離率が上昇する。形成速度が１９．０μｍ／ｈoｕｒの場合では、ニッケル層の厚さＴＮが０．１〜１μｍのときに剥離率が僅かにある。厚さＴＮが１μｍのときに剥離率が最低値となり、１μｍ以上では厚さＴＮが厚くなるに従って剥離率が高くなる。

図８のグラフより、ニッケル層の形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒから１２．２μｍ／ｈoｕｒでニッケル層の厚さＴＮが１．０〜３．０μｍとなる場合に剥離率が０％となり好ましいことが分かる。またこれにより、ニッケル層の形成速度は５μｍ／ｈoｕｒから１５μｍ／ｈoｕｒであれば少なくとも剥離率が０％又は０％に近い値となると考えられるため好ましいと考えられる。

図４に戻って、ステップＳ４０４では、リッドウエハＷ１１０及びベースウエハＷ１２０が切断される。リッドウエハＷ１１０及びベースウエハＷ１２０は、スクライブライン１７１において、ダイシング等により切断される。ステップＳ４０４は、切断工程である。

無電解メッキ膜が形成されたウエハには、その無電解メッキ膜の長さに応じた応力が発生する。例えば、図５（ｂ）に示されたベースウエハＷ１２０のように第１金属膜１５１はＸ軸方向に連続して長く形成される場合がある。さらにこの第１金属膜１５１の表面に無電解メッキ膜１５３が形成された場合には、無電解メッキ膜１５３がＸ軸方向に長く形成されるため無電解メッキ膜１５３のＸ軸方向の長さに応じた応力がＸ軸方向にかかり、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面が凹むように反る。また、この応力はウエハがステップＳ４０４で切断されることにより変化し、圧電デバイスに歪みを生じさせる。圧電デバイスに形成される実装端子はこの歪みにより剥離してしまう場合がある。圧電デバイス１００では、Ｘ軸方向に長く形成される無電解メッキ膜１５３を遮るようにＺ’軸方向に伸びる凹部１７３が形成される。そのため、ベースウエハＷ１２０のＸ軸方向に発生する応力が分散されて小さくなり、ウエハをステップＳ４０４で切断しても圧電デバイス１００に発生する歪みが小さくなる。そのため、圧電デバイス１００ではウエハ切断後に無電解メッキ膜１５３の応力に起因した実装端子の剥離を防ぐことができる。

また、圧電デバイス１００では、無電解メッキ膜１５３のニッケル層の形成速度を５〜１５μｍ／ｈoｕｒ、ニッケル層の厚さＴＮを１〜３μｍとすることにより、無電解メッキ膜１５３の剥離率が下げられている。

＜ベース板１２０の変形例＞
図９（ａ）は、ベース板１２０ａの−Ｙ’軸側の平面図である。ベース板１２０ａは、ベース板１２０の変形例である。ベース板１２０ａは、側面の角にキャスタレーション１２６ａが形成されており、また、−Ｙ’軸側の面の外周を囲むように段差部１２７ａが形成されている。段差部１２７ａは図３（ｂ）に示されるように、＋Ｙ’軸側に凹んで形成されている。ベース板１２０ａの−Ｙ’軸側の面には実装端子１２４ａが形成され、キャスタレーション１２６ａの側面及び段差部１２７ａには配線電極１２５ａが形成されている。

図９（ｂ）は、複数のベース板１２０ａが形成されているベースウエハＷ１２０ａの−Ｙ’軸側の面の平面図である。図９（ｂ）には、図４のステップ４０３の後のベースウエハＷ１２０ａが示されている。ベースウエハＷ１２０ａでは、Ｘ軸方向に伸びるスクライブライン１７１とＺ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１との交点に貫通孔１７２ａが形成されている。また、Ｘ軸方向に伸びるスクライブライン１７１とＺ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１とに沿って、＋Ｙ’軸側に凹んだ凹部１７３ａが形成されている。すなわち、凹部１７３ａは、各ベース板１２０ａの周囲を囲むように形成されている。また、ベースウエハＷ１２０ａの−Ｙ’軸側の面に形成される無電解メッキ膜１５３は、Ｚ’軸方向に連続して伸びるように形成されている。

ベースウエハＷ１２０ａに形成される無電解メッキ膜１５３は、ベースウエハＷ１２０と同様にＸ軸方向に幅を持って形成されると共にＺ’軸方向に長く伸びるように形成される。そのためベースウエハＷ１２０ａには、Ｘ軸方向のみならずＺ’軸方向にも強い応力がかかりやすい。しかし、ベースウエハＷ１２０ａではスクライブライン１７１に沿って凹部１７３ａが形成されることにより、無電解メッキ膜１５３により発生する応力が分散され緩和されている。そのため、ベースウエハＷ１２０ａには強い応力がかからず、ベースウエハＷ１２０ａの切断後に圧電デバイスに大きな歪みが発生しない。これにより、無電解メッキ膜１５３の応力に起因した実装端子の剥離を防ぐことができる。また、スクライブライン１７１は凹部１７３ａに重なることから、ウエハの切断部分が薄くなるため、ウエハの切断が容易になる。

（第２実施形態）
圧電振動片には、振動部の周囲を囲むように枠部が形成された圧電振動片を用いてもよい。以下に枠部を有する圧電振動片が用いられた圧電デバイス２００について説明する。また、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス２００の構成＞
図１０は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、リッド板１１０と、ベース板２２０と、圧電振動片２３０と、により構成されている。圧電デバイス２００では、第１実施形態と同様に、圧電振動片２３０にＡＴカットの水晶振動片が用いられている。

圧電振動片２３０は、所定の振動数で振動し、矩形形状に形成される振動部２３４と、振動部２３４の周囲を囲むように形成されている枠部２３５と、振動部２３４と枠部２３５とを連結する連結部２３６と、を有している。振動部２３４と枠部２３５との間には圧電振動片２３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝２３７が形成されており、振動部２３４と枠部２３５とは直接接触していない。振動部２３４の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側に連結されている連結部２３６を介して振動部２３４と枠部２３５とは連結されている。また、振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には励振電極２３１が形成されており、各励振電極２３１からはそれぞれ引出電極２３２が枠部２３５にまで引き出されている。振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１から引き出される引出電極２３２は、＋Ｚ’軸側の連結部２３６を介して枠部２３５の−Ｘ軸側に引き出され、さらに枠部２３５の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角にまで引き出されている。振動部２３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１から引き出される引出電極２３２は、−Ｚ’軸側の連結部２３６を介して枠部２３５の−Ｘ軸側に引き出され、枠部２３５の−Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角にまで引き出されている。

ベース板２２０には、＋Ｙ’軸側の面の周囲に封止材１４２（図１１参照）を介してリッド板１１０に接合される接合面１２２が形成されている。また、ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には、接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１２１が形成されている。ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面には実装端子２２４が形成されており、ベース板２２０の側面の角にはキャスタレーション１２６が形成されている。また、ベース板２２０の接合面１２２のキャスタレーション１２６の周囲には、接続電極２２３が形成されている。接続電極２２３はキャスタレーション１２６に形成される配線電極２２５を介して実装端子２２４に電気的に接続される。

図１１（ａ）は、図１０のＤ−Ｄ断面図である。圧電デバイス２００は、リッド板１１０の接合面１１２と枠部２３５の＋Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合され、ベース板２２０の接合面１２２と枠部２３５の−Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合される。また、圧電振動片２３０とベース板２２０との接合時に、引出電極２３２と接続電極２２３とが電気的に接合される。これにより、励振電極２３１は実装端子２２４に電気的に接続される。また、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示されるベース板１２０と同様に、ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の辺には段差部１２７が形成されており、段差部１２７には配線電極２２５が形成されている。実装端子２２４及び配線電極２２５は、第１金属膜１５１、第２金属膜１５２、及び無電解メッキ膜１５３により形成される。

図１１（ｂ）は、図１１（ａ）の点線１６２の拡大図である。図１１（ｂ）には、実装端子２２４の拡大断面図が示されている。第１金属膜１５１は、第１層１５１ａ、第２層１５１ｂ、及び第３層１５１ｃの３つの層により形成されている。図２（ｂ）で説明されたように、第１層１５１ａはクロム（Ｃｒ）により形成され、第２層１５１ｂはニッケルタングステン（Ｎｉ―Ｗ）又はプラチナ（Ｐｔ）等により形成され、第３層１５１ｃは金（Ａｕ）により形成される。

第２金属膜１５２は、第１金属膜１５１の表面に形成される第１層１５２ａ、第１層１５２ａの表面に形成される第２層１５２ｂ、及び第２層１５２ｂの表面に形成される第３層１５２ｃにより形成されている。第１層１５２ａ、第２層１５２ｂ、及び第３層１５２ｃは、それぞれ第１金属膜１５１の第１層１５１ａ、第２層１５１ｂ、及び第３層１５１ｃと同一の構成により形成される。すなわち、第２金属膜１５２は第１金属膜１５１と同一の構成で形成される。

無電解メッキ膜１５３は、第２金属膜１５２の表面に形成される第１層１５３ａと、第１層１５３ａの表面に形成される第２層１５３ｂとにより形成される。第１層１５３ａはニッケル（Ｎｉ）の層であり、その厚さＴＮは１〜３μｍに形成される。また、実装端子２２４とハンダ等との接続を確実に行うために、第１層１５３ａの表面に金（Ａｕ）により第２層１５３ｂが形成される。

＜圧電デバイス２００の製造方法＞
図１２は、圧電デバイス２００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図１２のフローチャートに従って、圧電デバイス２００の製造方法について説明する。

ステップＳ５０１では、圧電ウエハＷ２３０が用意される。圧電ウエハＷ２３０には複数の圧電振動片２３０が形成されている。ステップＳ５０１は、圧電ウエハを用意する工程である。

図１３は、圧電ウエハＷ２３０の平面図である。圧電ウエハＷ２３０には複数の圧電振動片２３０が形成されている。図１３では、互いに隣接した圧電振動片２３０の境界にスクライブライン１７１が示されている。圧電ウエハＷ２３０には、エッチングにより貫通溝２３７が形成され、励振電極２３１及び引出電極２３２が形成されることにより複数の圧電振動片２３０が形成される。

ステップＳ６０１では、ベースウエハＷ２２０が用意される。ベースウエハＷ２２０には、複数のベース板２２０が形成される。ステップＳ６０１は、ベースウエハを用意する工程である。ステップＳ６０１で用意されるベースウエハＷ２２０は平板状であり、水晶又はガラス等を基材としている。

ステップＳ６０２では、ベースウエハＷ２２０に凹部１２１、ベースウエハＷ２２０が切断されてキャスタレーション１２６となる貫通孔１７２（図５（ｂ）参照）、及びベースウエハＷ２２０が切断されて段差部１２７となる凹部１７３（図５（ｂ）参照）が形成される。ステップＳ６０２は、凹部、貫通孔形成工程である。

ステップＳ６０３では、ベースウエハＷ２２０に第１金属膜１５１が形成される。第１金属膜１５１は、図１１（ａ）に示されたように、接続電極２２３及び配線電極２２５と実装端子２２４との一部を形成する。ステップＳ６０３は、第１金属膜形成工程である。このステップＳ６０３により、ベースウエハＷ２３０の−Ｙ’軸側の面は、図５（ｂ）と同様の形状に形成される。

ステップＳ７０１では、リッドウエハＷ１１０が用意される。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成されている。ステップＳ７０１はリッドウエハを用意する工程である。

ステップＳ８０１では、ベースウエハＷ２２０に圧電ウエハＷ２３０が載置される。ステップＳ８０１は、ベースウエハＷ２２０の各ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面に、圧電ウエハＷ２３０の各圧電振動片２３０が対応して載置されるようにベースウエハＷ２２０と圧電ウエハＷ２３０とを接合する載置工程である。この載置工程では、ベースウエハＷ２２０の接合面１２２が圧電ウエハＷ２３０に形成される枠部２３５の−Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合される。

ステップＳ８０２では、圧電ウエハＷ２３０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ステップＳ８０２は、圧電振動片２３０の振動部２３４を密封するように、リッドウエハＷ１１０を、圧電ウエハＷ２３０の＋Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合する接合工程である。

図１４（ａ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及びベースウエハＷ２２０の部分断面図である。図１４（ａ）は図１３のＥ−Ｅ断面を含む断面図である。ベースウエハＷ２２０は、圧電ウエハＷ２３０の枠部２３５の−Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合されている。また、接続電極２２３が引出電極２３２に電気的に接続されている。リッドウエハＷ１１０は、圧電ウエハＷ２３０の枠部２３５の＋Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合されている。これによりウエハにキャビティ２０１が形成され、振動部２３４がこのキャビティ２０１に密封される。

ステップＳ８０３では、ベースウエハＷ２２０に第２金属膜１５２が形成される。ステップＳ８０３は、第２金属膜形成工程である。

図１４（ｂ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び第２金属膜１５２が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。ベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面に形成される第２金属膜１５２は、ベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面に形成される第１金属膜１５１の表面に形成される。

ステップＳ８０４は、ベースウエハＷ２２０に無電解メッキ膜１５３が形成される。無電解メッキ膜１５３は、ベースウエハＷ２２０に形成される第２金属膜１５２の表面に形成される。ステップＳ８０４は、無電解メッキ工程である。

図１４（ｃ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。ベースウエハＷ２２０に形成される無電解メッキ膜１５３は、第２金属膜１５２の表面に形成される。また、無電解メッキ膜１５３を形成するニッケル層は、図８で示されたように、５〜１５μｍ／ｈoｕｒの成膜レートにより厚さＴＮが１〜３μｍとなるように形成される。

ステップＳ８０５では、ベースウエハＷ２２０、リッドウエハＷ１１０、及び圧電ウエハＷ２３０がスクライブライン１７１で切断される。これにより、個々の圧電デバイス２００が形成される。

圧電デバイス２００では、圧電デバイス１００と同様に、凹部１７３が形成されることにより、圧電デバイス２００の歪みが抑えられ、実装端子２２４の剥離が防がれている。また、無電解メッキ膜１５３は下地となる金属膜表面の汚染等により形成することができない場合があるが、圧電デバイス２００では無電解メッキを行う直前に下地となる第２金属膜１５２を形成することで、無電解メッキを行うときの下地の汚染等の影響を最小限に抑えることができる。そのため、下地の汚染等により無電解メッキ膜１５３が形成されなくなることが防がれている。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。

例えば、圧電デバイスには発振器が組み込まれて圧電発振器として形成されても良い。また、上記の実施形態では圧電振動片にＡＴカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカットの水晶振動片などであっても同様に適用できる。さらに圧電振動片は水晶材のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材に基本的に適用できる。

１００、２００ … 圧電デバイス
１０１ … キャビティ
１１０ … リッド板
１１１ … 凹部
１１２ … 接合面
１２０、２２０ … ベース板
１２１ … 凹部
１２２ … 接合面
１２３、２２３ … 接続電極
１２４、２２４ … 実装端子
１２５、２２５ … 配線電極
１２６ … キャスタレーション
１３０、２３０ … 圧電振動片
１３１、２３１ … 励振電極
１３２、２３２ … 引出電極
１３４、２３４ … 振動部
１４１ … 導電性接着剤
１４２ … 封止材
１５１ … 第１金属膜
１５１ａ … 第１層、 １５１ｂ … 第２層、 １５１ｃ … 第３層
１５２ … 第２金属膜
１５２ａ … 第１層、 １５２ｂ … 第２層、 １５２ｃ … 第３層
１５３ … 無電解メッキ膜
１５３ａ … 第１層、 １５３ｂ … 第２層
１７１ … スクライブライン
１７２ … 貫通孔
１７３ … 凹部
２３５ … 枠部
２３６ … 連結部
２３７ … 貫通溝

Claims (12)

1. 表面実装型の圧電デバイスであって、
   一対の励振電極が形成されて所定の振動数で振動する振動部及び前記一対の励振電極から引き出されている引出電極を含む圧電振動片と、
   一方の主面に前記引出電極に電気的に接続される一対の接続電極が形成され、他方の主面に前記圧電デバイスが実装される一対の実装端子が形成される矩形形状のベース板と、
   前記振動部を密封するリッド板と、を有し、
   前記ベース板の他方の主面の向かい合う少なくとも一対の辺に、前記一方の主面側に凹んだ段差部と他方の主面から一方の主面まで貫通したキャスタレーションとが形成され、前記段差部の一部と前記キャスタレーションとには前記実装端子から前記ベース板の一方の主面に引き出されている配線電極が形成され、
   前記配線電極と前記実装端子とは、スパッタ又は真空蒸着による金属膜と該金属膜上に無電解メッキで形成される無電解メッキ膜とから構成される圧電デバイス。
2. 前記実装端子は、前記金属膜が二重に形成され、その表面に前記無電解メッキ膜が形成されている請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記接続電極は、前記金属膜のみが形成されている請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記圧電振動片は、前記振動部と、前記振動部を囲む枠部と、前記振動部と前記枠部とを連結する連結部と、により構成され、
   前記ベース板と前記リッド板とは前記枠部を挟んで接合されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
5. 前記無電解メッキ膜はニッケル層を含み、前記ニッケル層の膜厚が１〜３μｍである請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
6. 表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、
   複数の圧電振動片を用意する工程と、
   矩形形状の複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、
   前記ベースウエハの互いに隣接するように配置される前記ベース板の境界の少なくとも一部に前記ベースウエハの一方の主面側に凹んだ凹部、及び前記凹部と接し且つ前記境界の少なくとも一部に前記ベースウエハの一方の主面から他方の主面へ貫通する貫通孔を形成する凹部、貫通孔形成工程と、
   前記ベースウエハの前記凹部、前記貫通孔、及び前記圧電デバイスが実装される実装端子が形成される領域にスパッタ又は真空蒸着で形成される金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
   前記ベースウエハの前記一方の主面に前記複数の圧電振動片を載置する載置工程と、
   複数の前記リッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、
   前記リッドウエハの一方の主面を、前記振動部が密封されるように前記ベースウエハの他方の主面に接合する接合工程と、
   前記接合工程後、前記金属膜の表面に無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、
   前記無電解メッキ工程後、前記ベースウエハ及び前記リッドウエハを、前記境界で切断する切断工程と、
   を有する圧電デバイスの製造方法。
7. 表面実装型の圧電デバイスの製造方法であって、
   所定の振動数で振動する振動部と、前記振動部を囲む枠部と、前記振動部と前記枠部とを連結する連結部と、を含む複数の圧電振動片を有する圧電ウエハを用意する工程と、
   矩形形状の複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、
   前記ベースウエハの互いに隣接するように配置される前記ベース板の境界の少なくとも一部に前記ベースウエハの一方の主面側に凹んだ凹部、及び前記凹部と接し且つ前記境界の少なくとも一部に前記ベースウエハの一方の主面から他方の主面へ貫通する貫通孔を形成する凹部、貫通孔形成工程と、
   前記ベースウエハの前記凹部、前記貫通孔、及び前記圧電デバイスが実装される実装端子が形成される領域にスパッタ又は真空蒸着で形成される金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
   前記各ベース板の一方の主面に前記圧電振動片がそれぞれ載置されるように、前記ベースウエハと前記圧電ウエハとを接合する載置工程と、
   複数の前記リッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、
   前記リッドウエハの一方の主面を、前記振動部が密封されるように前記圧電ウエハに接合する接合工程と、
   前記接合工程後、前記金属膜の表面に無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、
   前記無電解メッキ工程後、前記ベースウエハ、前記リッドウエハ、及び前記圧電ウエハを、前記境界で切断する切断工程と、
   を有する圧電デバイスの製造方法。
8. 前記接合工程の後であり、前記無電解メッキ工程の前に、前記ベースウエハの他方の主面に形成されている前記金属膜の表面に、さらに前記金属膜を形成する第２金属膜形成工程を有する請求項６又は請求項７に記載の圧電デバイスの製造方法。
9. 前記金属膜は、クロム層と、前記クロム層の表面に形成されるニッケルタングステン層と、前記ニッケルタングステン層の表面に形成される金層と、により構成されている請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
10. 前記金属膜は、クロム層と、前記クロム層の表面に形成されるプラチナ層と、前記プラチナ層の表面に形成される金層と、により構成されている請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
11. 前記無電解メッキ膜はニッケル層を含み、前記ニッケル層は５〜１５μｍ／ｈoｕｒの成膜レートにより形成される請求項６から請求項１０のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
12. 前記無電解メッキ膜の前記ニッケル層の膜厚が１〜３μｍに形成される請求項１１に記載の圧電デバイスの製造方法。