JP2013172369A - 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、無電解メッキにより形成された電極の剥離を防止した圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】表面実装型の圧電デバイス（１００）が、所定の振動数で振動する振動部を含む圧電振動片（１３０）と、矩形形状に形成され一方の主面に圧電振動片が載置されるベース板（１２０）と、振動部を密封するリッド板（１１０）と、を有する。ベース板の他方の主面には、金属膜（１５１）と金属膜の表面に形成された無電解メッキ膜（１５３）とにより構成され圧電デバイスを実装するための実装端子（１２４ａ、１２４ｂ）が形成される。実装端子は、レーザー又はダイシングにより無電解メッキ膜の一部が除去された跡（１２８）を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、無電解メッキにより形成された電極を有する圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関する。

所定の振動数で振動する圧電振動片を備える表面実装型の圧電デバイスが知られている。圧電デバイスの表面には電極として実装端子が形成され、圧電デバイスはこの実装端子を介してプリント基板等に実装される。実装端子は圧電デバイスの表面に形成されるため、ハンダによる加熱等により実装端子が剥離し、又は実装端子が損傷を受ける場合がある。そのため圧電デバイスでは、実装端子にメッキ等による厚膜が形成されて導通が確保される。また、メッキによる厚膜はハンダによる実装端子の金属が吸収されることを防止のバリア層としても形成される。

例えば、特許文献１では実装端子が導電性ペースト及び導電性ペーストの表面に形成されるメッキ層により形成される旨が記載されている。

特開２０００−２５２３７５号公報

しかし、メッキ層は厚く形成されるために、メッキ層が圧電デバイスに応力をかける場合がある。圧電デバイスにかかる応力は圧電デバイスを歪ませて、メッキ層、又はメッキ層を含む実装端子を剥離させることが問題となっている。このような剥離は、ウエハに複数の圧電デバイスを形成してウエハを切断することにより個々の圧電デバイスを形成する圧電デバイスの製造方法において特に発生する。ウエハの切断時には圧電デバイスにかかる応力が変化するため圧電デバイスの歪みが大きくなるためである。

本発明は、無電解メッキにより形成された電極の剥離を防止した圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

第１観点の圧電デバイスは、表面実装型の圧電デバイスであって、所定の振動数で振動する振動部を含む圧電振動片と、矩形形状に形成され一方の主面に圧電振動片が載置されるベース板と、振動部を密封するリッド板と、を有する。ベース板の他方の主面には、金属膜と金属膜の表面に形成された無電解メッキ膜とにより構成され圧電デバイスを実装するための一対の実装端子が形成される。実装端子は、レーザー又はダイシングにより無電解メッキ膜の一部が除去された跡を含む。

第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、無電解メッキ膜の一部が除去された跡がベース板の短辺又は長辺が伸びる方向に伸びている。

第３観点の圧電デバイスは、第２観点において、無電解メッキ膜の一部が除去された跡がベース板の短辺又は長辺の少なくとも一部に接している。

第４観点の圧電デバイスは、第２観点において、無電解メッキ膜の一部が除去された跡が実装端子の外周から実装端子の内側に向かって伸びている。

第５観点の圧電デバイスの製造方法は、複数の圧電振動片を用意する工程と、矩形形状に形成された複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、複数のリッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、ベースウエハの両主面の所定の領域に金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、ベースウエハの一方の主面に複数の圧電振動片を載置する載置工程と、リッドウエハを圧電振動片が密封されるようにベースウエハの一方の主面に接合する接合工程と、ベースウエハの他方の主面に形成される金属膜の表面に無電解メッキを施して無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、無電解メッキ膜の一部をレーザー又はダイシングにより除去する除去工程と、ベースウエハ及びリッドウエハが互いに隣接するベース板の境界を含むように切断される切断工程と、を備え、ベースウエハの他方の主面に形成される金属膜が、境界の少なくとも一部をまたいで形成される。

第６観点の圧電デバイスの製造方法は、所定の振動数で振動する振動部と、振動部を囲む枠部と、振動部と枠部とを連結する連結部と、を含む複数の圧電振動片を有する圧電ウエハを用意する工程と、矩形形状に形成された複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、複数のリッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、ベースウエハの両主面の所定の領域に金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、各ベース板の一方の主面に圧電振動片がそれぞれ載置されるようにベースウエハと圧電ウエハとを接合する載置工程と、リッドウエハを振動部が密封されるように圧電ウエハに接合する接合工程と、ベースウエハの他方の主面に形成される金属膜の表面に無電解メッキを施して無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、無電解メッキ膜の一部をレーザー又はダイシングにより除去する除去工程と、ベースウエハ及びリッドウエハが互いに隣接するベース板の境界を含むように切断される切断工程と、を備え、ベースウエハの他方の主面に形成される金属膜が境界の少なくとも一部をまたいで形成される。

第７観点の圧電デバイスの製造方法は、第５観点及び第６観点において、除去工程では、互いに隣接するベース板の境界が伸びる方向に無電解メッキ膜の一部を除去する。

第８観点の圧電デバイスの製造方法は、第７観点において、除去工程では、互いに隣接するベース板の境界上の少なくとも一部の無電解メッキ膜の一部を除去する。

第９観点の圧電デバイスの製造方法は、第７観点において、除去工程では、無電解メッキ膜の一部を実装端子の外周から実装端子の内側に向かって除去する。

第１０観点の圧電デバイスの製造方法は、第５観点から第９観点において、接合工程の後であり無電解メッキ工程の前に、ベースウエハの他方の主面に形成されている金属膜の表面に、さらに金属膜を形成する第２金属膜形成工程を有する。

第１１観点の圧電デバイスの製造方法は、第５観点から第１０観点において、金属膜が、クロム層と、クロム層の表面に形成されるニッケルタングステン層と、ニッケルタングステン層の表面に形成される金層と、により構成されている。

第１２観点の圧電デバイスの製造方法は、第５観点から第１０観点において、金属膜が、クロム層と、クロム層の表面に形成されるプラチナ層と、プラチナ層の表面に形成される金層と、により構成されている。

第１３観点の圧電デバイスの製造方法は、第５観点から第１２観点において、無電解メッキ膜がニッケル層を含み、ニッケル層が５〜１５μｍ／ｈoｕｒの成膜レートにより形成される。

第１４観点の圧電デバイスは、表面実装型の圧電デバイスであって、所定の振動数で振動する振動部を含む圧電振動片と、矩形形状に形成され一方の主面に圧電振動片が載置されるベース板と、振動部を密封するリッド板と、を有し、ベース板の他方の主面には圧電デバイスを実装するための一対の実装端子が形成される。実装端子は、金属膜と金属膜の表面に形成された無電解メッキ膜とにより構成される領域と、金属膜と無電解メッキ膜とにより構成される領域に挟まれてベース板の短辺又は長辺に平行に実装端子の外周から実装端子の内側に向かって伸びる金属膜及び無電解メッキ膜が形成されない領域と、を含む。

本発明の圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法によれば、無電解メッキにより形成された電極の剥離を防ぐことができる。

圧電デバイス１００の分解斜視図である。 （ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。 （ｂ）は、図２（ａ）の点線１６１の拡大図である。 （ａ）は、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 リッドウエハＷ１１０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ａ）は、圧電振動片１３０が載置されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｂ）は、リッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及びベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｃ）は、リッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 無電解メッキ膜１５３のニッケル（Ｎｉ）層の厚さＴＮと、無電解メッキ膜１５３の剥離率との関係が示されたグラフである。 （ａ）は、無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。 （ｂ）は、無電解メッキ膜１５３の一部が除去されたベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。 （ｃ）は、図９（ｂ）の点線１６２の拡大平面図である。 （ｄ）は、ベースウエハＷ１２０ａの−Ｙ’軸側の面の拡大平面図である。 （ａ）は、無電解メッキ膜１５３が除去される前のベースウエハＷ１２０ｂの−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。 （ｂ）は、無電解メッキ膜１５３が除去された後のベースウエハＷ１２０ｂの−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。 （ｃ）は、図１０（ｂ）の点線１６３の拡大平面図である。 圧電デバイス２００の分解斜視図である。 （ａ）は、図１０のＣ−Ｃ断面図である。 （ｂ）は、図１０（ａ）の点線１６３の拡大図である。 圧電デバイス２００の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及びベースウエハＷ２２０の部分断面図である。 （ｂ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び第２金属膜１５２が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。 （ｃ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は、リッド板１１０と、ベース板１２０と、圧電振動片１３０と、により構成されている。圧電振動片１３０には例えばＡＴカットの水晶振動片が用いられる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００においては圧電デバイス１００の長辺方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。

圧電振動片１３０は、所定の振動数で振動し矩形形状に形成される振動部１３４と、振動部１３４の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１３１と、各励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出された引出電極１３２と、を有している。振動部１３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３１から引き出される引出電極１３２は、励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出され、さらに振動部１３４の＋Ｚ’軸側の側面を介して振動部１３４の−Ｙ’軸側の面にまで引き出されている。振動部１３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３１から引き出される引出電極１３２は、励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出され、振動部１３４の−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角にまで形成されている。

ベース板１２０は、水晶又はガラス等を基材とし、この基材の表面に電極が形成される。ベース板１２０には、＋Ｙ’軸側の面の周囲に封止材１４２（図２参照）を介してリッド板１１０に接合される接合面１２２が形成されている。また、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には、接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１２１が形成されている。凹部１２１には一対の接続電極１２３が形成されており、各接続電極１２３は導電性接着剤１４１（図２参照）を介して圧電振動片１３０の引出電極１３２に電気的に接続される。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面には、圧電デバイス１００をプリント基板等へ実装するための実装端子が形成されている。ベース板１２０では、実装端子は外部電源等に電気的に接続されて圧電デバイス１００に電圧を印加するための端子であるホット端子１２４ａとアース端子１２４ｂとにより構成されている。ベース板１２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側には、ベース板１２０の内側に凹んだキャスタレーション１２６が形成されており、キャスタレーション１２６の側面には側面電極１２５が形成されている。ホット端子１２４ａは側面電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続されている。

リッド板１１０は、−Ｙ’軸側の面に＋Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１１１が形成されている。また、凹部１１１を囲むように接合面１１２が形成されている。接合面１１２は封止材１４２（図２参照）を介してベース板１２０の接合面１２２に接合される。

図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。ベース板１２０の接合面１２２とリッド板１１０の接合面１１２とが封止材１４２を介して接合されることにより、圧電デバイス１００内には密閉されたキャビティ１０１が形成される。圧電振動片１３０はキャビティ１０１内に配置されており、引出電極１３２が導電性接着剤１４１を介してベース板１２０の接続電極１２３に電気的に接続されている。これにより、励振電極１３１はホット端子１２４ａに電気的に接続される。また、ホット端子１２４ａ、アース端子１２４ｂ及びキャスタレーション１２６に形成される側面電極１２５は、ベース板１２０の基材の−Ｙ’軸側の面の表面に形成される第１金属膜１５１、及び第１金属膜１５１の表面に形成される無電解メッキ膜１５３により形成されている。また、ホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂがベース板１２０の−Ｘ軸側又は＋Ｘ軸側の辺に接する領域には、無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８が残っている。

図２（ｂ）は、図２（ａ）の点線１６１の拡大図である。図２（ｂ）では、ホット端子１２４ａの拡大断面図が示されている。図２（ｂ）ではホット端子１２４ａの構成が説明されるが、アース端子１２４ｂの構成もホット端子１２４ａと同様である。第１金属膜１５１は、第１層１５１ａ、第２層１５１ｂ、及び第３層１５１ｃの３つの層により形成されている。第１層１５１ａはベース板１２０の基材の表面に形成される層であり、クロム（Ｃｒ）により形成される。クロム（Ｃｒ）はベース板１２０の基材である水晶及びガラス等に良く密着するため第１層１５１ａの素材として用いられる。また、第１金属膜１５１の表面に形成される第３層１５１ｃは、金（Ａｕ）により形成される。クロム（Ｃｒ）は水晶及びガラスなどには良く密着するが、ハンダ等にはなじまないため、第１金属膜１５１の表面はハンダ等に良くなじむ金（Ａｕ）で覆われる。さらに、第１金属膜１５１では、第１層１５１ａと第３層１５１ｃとの間に第２層１５１ｂが形成される。第１層１５１ａを構成するクロム（Ｃｒ）は、製造工程中に熱などがかかった場合に他の層に拡散し、クロム（Ｃｒ）とベース板１２０との密着が弱くなる。また、クロム（Ｃｒ）が第１金属膜１５１の表面に拡散した場合には、クロム（Ｃｒ）が酸化して無電解メッキ膜１５３等の成膜が困難になる。このようなクロム（Ｃｒ）の拡散を防ぐために第２層１５１ｂを設け、クロム（Ｃｒ）が金（Ａｕ）層に拡散することが防がれている。

第２層１５１ｂは、例えばニッケルタングステン（Ｎｉ―Ｗ）により形成することができる。また第２層１５１ｂは、プラチナ（白金、Ｐｔ）により形成してもよい。例えば、プラチナ（Ｐｔ）が用いられる場合は、第１層１５１ａを３００〜５００Å、第２層１５１ｂを１０００〜２０００Å、第３層１５１ｃを１０００〜２０００Åに形成する。無電解メッキ膜１５３を含む電極は、無電解メッキ膜１５３を含まない電極よりも、無電解メッキ膜１５３により生じる応力によりベース板１２０に歪みが生じるため剥離しやすくなる。第１金属膜１５１では第２層１５１ｂが設けられることによりクロム（Ｃｒ）の拡散が防がれており、第１金属膜１５１とベース板１２０の基材との密着が強く保持される。そのため、第１金属膜１５１の剥離を防ぐことができる。

無電解メッキ膜１５３は、第１金属膜１５１の表面に形成される第１層１５３ａと、第１層１５３ａの表面に形成される第２層１５３ｂとにより形成される。第１層１５３ａはニッケル（Ｎｉ）の層であり、その厚さＴＮは１〜３μｍに形成される。また、ホット端子１２４ａとハンダ等との接続を確実に行うために、第１層１５３ａの表面に金（Ａｕ）により第２層１５３ｂが形成される。

図３（ａ）は、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の周囲には接合面１２２が形成され、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には接合面１２２から−Ｙ’軸側に凹んだ凹部１２１が形成されている。ベース板１２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側には、ベース板１２０の内側に凹んだキャスタレーション１２６が形成されている。また、ベース板１２０の凹部１２１には一対の接続電極１２３が形成されており、各接続電極１２３は＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側のキャスタレーション１２６に形成されている側面電極１２５にそれぞれ電気的に接続されている。

図３（ｂ）は、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面には、ホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂが形成されている。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側にはホット端子１２４ａが形成され、＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側にはアース端子１２４ｂが形成されている。ホット端子１２４ａはキャスタレーション１２６に形成されている側面電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続されている。また、ホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂがベース板１２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の辺に接した領域には、無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８が残っている。

＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図４は、圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図４のフローチャートに従って、圧電デバイス１００の製造方法について説明する。

ステップＳ１０１では、複数の圧電振動片１３０が用意される。ステップＳ１０１は、圧電振動片を用意する工程である。ステップＳ１０１では、まず圧電材により形成された圧電ウエハに複数の圧電振動片１３０の外形がエッチング等により形成される。さらに各圧電振動片１３０にスパッタ又は真空蒸着等により励振電極１３１及び引出電極１３２が形成される。複数の圧電振動片１３０は、圧電振動片１３０が圧電ウエハから折り取られることにより用意される。

ステップＳ２０１では、ベースウエハＷ１２０が用意される。ステップＳ２０１はベースウエハを用意する工程である。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成される。ベースウエハＷ１２０は水晶又はガラス等を基材としており、ベースウエハＷ１２０にはエッチングにより凹部１２１及びウエハが切断されてキャスタレーション１２６となる貫通孔１７２（図５（ａ）参照）が形成される。

ステップＳ２０２では、ベースウエハＷ１２０に第１金属膜１５１が形成される。ステップＳ２０２は第１金属膜形成工程である。ベースウエハＷ１２０に形成される第１金属膜１５１は、例えば図２（ｂ）に示されるように、第１層１５１ａを構成するクロム（Ｃｒ）、第２層１５１ｂを構成するニッケルタングステン（Ｎｉ−Ｗ）、及び第３層１５１ｃを構成する金（Ａｕ）により形成される。これらの層は、スパッタ又は真空蒸着により形成される。ステップＳ２０２では、第１金属膜１５１が形成されることにより、各ベース板１２０に接続電極１２３、側面電極１２５の一部、ホット端子１２４ａの一部、及びアース端子１２４ｂの一部が形成される。

図５（ａ）は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成されており、各ベース板１２０はＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また、図５（ａ）では、互いに隣接したベース板１２０の境界にスクライブライン１７１が示されている。スクライブライン１７１は後述されるステップＳ４０５でウエハが切断される位置を示す線である。Ｘ軸方向に伸びるスクライブライン１７１上にはベースウエハＷ１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通孔１７２が形成されている。貫通孔１７２は、後述されるステップＳ４０５でウエハが切断された後にキャスタレーション１２６となる。また、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には凹部１２１が形成されており、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には第１金属膜１５１で形成された接続電極１２３が形成されている。

図５（ｂ）は、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には、ホット端子１２４ａの一部及びアース端子１２４ｂの一部となる第１金属膜１５１が形成されている。ホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂを構成する第１金属膜１５１は貫通孔１７２に形成される側面電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続される。１つの貫通孔１７２に形成される側面電極１２５は、１つのホット端子１２４ａ及び１つのアース端子１２４ｂに接続されている。

図４に戻って、ステップＳ３０１では、リッドウエハＷ１１０が用意される。ステップＳ３０１は、リッドウエハＷ１１０を用意する工程である。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成される。各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１が形成される。

図６は、リッドウエハＷ１１０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。リッドウエハＷ１１０には複数のリッド板１１０が形成され、各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１及び接合面１１２が形成される。図６では、隣接する各リッド板１１０の間が二点鎖線で示されており、この二点鎖線はスクライブライン１７１となる。

ステップＳ４０１では、ベースウエハＷ１２０に圧電振動片１３０が載置される。ステップＳ４０１は載置工程である。圧電振動片１３０は、ベースウエハＷ１２０の各凹部１２１に導電性接着剤１４１により載置される。

図７（ａ）は、圧電振動片１３０が載置されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ａ）には、図５（ａ）及び図５（ｂ）のＢ−Ｂ断面を含む断面図が示されている。引出電極１３２と接続電極１２３とを導電性接着剤１４１を介して電気的に接続することにより、圧電振動片１３０がベースウエハＷ１２０の凹部１２１に載置される。これにより、励振電極１３１とベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面に形成される第１金属膜１５１とが電気的に接続される。

ステップＳ４０２では、ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ステップＳ４０２は、接合工程である。ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とは、ベースウエハＷ１２０の接合面１２２又はリッドウエハＷ１１０の接合面１１２に封止材１４２（図２参照）が塗布された後に、ベースウエハＷ１２０の接合面１２２とリッドウエハＷ１１０の接合面１１２とが封止材１４２を挟んで互いに向かい合うように接合される。

図７（ｂ）は、リッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及びベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ｂ）には、図５（ａ）、図５（ｂ）、及び図６のＢ−Ｂ断面を含む断面図が示されている。リッドウエハＷ１１０とベースウエハＷ１２０とが封止材１４２を介して接合されることにより、密封されたキャビティ１０１が形成される。キャビティ１０１には、圧電振動片１３０が載置される。

ステップＳ４０３では、無電解メッキ膜１５３が形成される。ステップＳ４０３は、無電解メッキ工程である。ステップＳ４０３では、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面に形成される第１金属膜１５１の表面に無電解メッキがかけられることにより、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面及び貫通孔１７２の側面に無電解メッキ膜１５３が形成される。

図７（ｃ）は、リッドウエハＷ１１０、圧電振動片１３０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ｃ）には、図７（ｂ）と同じ断面の断面図が示されている。無電解メッキ膜１５３の形成は、まず図２（ｂ）に示されるように、無電解メッキによりニッケル（Ｎｉ）の厚膜を第１金属膜１５１の表面に形成して第１層１５３ａを形成する。さらに第１層１５３ａの表面に金（Ａｕ）の無電解メッキを行うことにより第２層１５３ｂを形成する。

図８は、無電解メッキ膜１５３のニッケル（Ｎｉ）層の厚さＴＮと、無電解メッキ膜１５３の剥離率との関係が示されたグラフである。図８には、無電解メッキ膜１５３のニッケル（Ｎｉ）層を６．９μｍ／ｈoｕｒ、１２．２μｍ／ｈoｕｒ、及び１９．０μｍ／ｈoｕｒの３種類の速度で形成した結果が示されている。グラフ中の黒塗りの四角は形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒ、黒塗りの三角形は１２．２μｍ／ｈoｕｒ、黒塗りの丸は１９．０μｍ／ｈoｕｒの場合を示している。形成速度は、例えば温度条件により調節することができる。形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒの場合には温度を４５℃〜５５℃、形成速度が１２．２μｍ／ｈoｕｒの場合には温度を６０℃〜７０℃、形成速度が１９．０μｍ／ｈoｕｒの場合には温度を７０℃〜８０℃としている。また剥離率は、金属膜の表面を金属針又はダイヤモンド針で引っかいて金属膜が剥離するか否かを確認するスクラッチテスト、及びテープを金属膜に貼り付けた後に剥がすことで金属膜が剥離するか否かを確認するテープ剥離テストを行うことにより求めている。図８の剥離率は、テスト対象の個体数に対する金属膜が剥離した個体数の割合である。

形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒ及び１２．２μｍ／ｈoｕｒの場合では、ニッケル層の厚さＴＮが０．１〜１μｍのときに剥離率が僅かにある。これは、ニッケル層の厚さＴＮが薄い場合は、ニッケル層が金属膜の表面に完全に定着していないためであると考えられる。また剥離率は、形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒの場合では厚さＴＮが１〜３．５μｍの間で０％になっており、３．５μｍ以上になると剥離率が上昇する。形成速度が１２．２μｍ／ｈoｕｒの場合では厚さＴＮが１〜３μｍの間で０％になっており、厚さＴＮが３μｍ以上になると剥離率が上昇する。形成速度が１９．０μｍ／ｈoｕｒの場合では、ニッケル層の厚さＴＮが０．１〜１μｍのときに剥離率が僅かにある。厚さＴＮが１μｍのときに剥離率が最低値となり、１μｍ以上では厚さＴＮが厚くなるに従って剥離率が高くなる。

図８のグラフより、ニッケル層の形成速度が６．９μｍ／ｈoｕｒから１２．２μｍ／ｈoｕｒで、ニッケル層の厚さＴＮが１．０〜３．０μｍとなる場合に剥離率が０％となり好ましいことが分かる。またこれにより、ニッケル層の形成速度は５μｍ／ｈoｕｒから１５μｍ／ｈoｕｒであれば少なくとも剥離率が０％又は０％に近い値となると考えられるため好ましい。

図４に戻って、ステップＳ４０４では、無電解メッキ膜１５３の一部が除去される。無電解メッキ膜１５３の除去は、無電解メッキ膜１５３にレーザーを照射すること、又はダイシングにより無電解メッキ膜１５３を削り取ること等により行われる。

図９（ａ）は、無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。図９（ａ）は、ステップＳ４０４の前の状態が示されている。ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には、複数の無電解メッキ膜１５３が形成される。一つの無電解メッキ膜１５３は、Ｚ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１をまたいでＸ軸方向に長く形成される。

図９（ｂ）は、無電解メッキ膜１５３の一部が除去されたベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。図９（ｂ）は、ステップＳ４０４の後の状態が示されている。図９（ｂ）に示されるベースウエハＷ１２０では、Ｘ軸方向に伸びる無電解メッキ膜１５３が、無電解メッキ膜１５３の中央をＺ’軸方向に横切るスクライブライン１７１に沿って分断されるように除去されている。この無電解メッキ膜１５３が除去された領域には、無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８が残る。無電解メッキ膜１５３の除去では、無電解メッキ膜１５３の下に形成される第１金属膜１５１も除去されても良い。

図９（ｃ）は、図９（ｂ）の点線１６２の拡大平面図である。一つの無電解メッキ膜１５３はＸ軸方向に長く形成されており、Ｚ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１は無電解メッキ膜１５３の中央を横切るように形成されている。すなわち、Ｚ’軸方向に沿って形成されている無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８は、無電解メッキ膜１５３のＸ軸方向の長さを約半分にするように形成される。

無電解メッキ膜１５３は形成される長さに比例した応力をベースウエハＷ１２０に与える。ベースウエハＷ１２０では無電解メッキ膜１５３がＸ軸方向に長く形成されるため、ベースウエハＷ１２０にはＸ軸方向に強い応力がかかり、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面が凹むように反る。無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８は、１つの無電解メッキ膜１５３の中央を横切るように形成されている。そのため、無電解メッキ膜１５３はＸ軸方向に短くなり、ベースウエハＷ１２０にかかる応力も小さくなる。

ステップＳ４０５では、リッドウエハＷ１１０及びベースウエハＷ１２０が切断される。リッドウエハＷ１１０及びベースウエハＷ１２０は、スクライブライン１７１において、ダイシング等により切断される。ステップＳ４０５は、切断工程である。

無電解メッキ膜１５３によりベースウエハＷ１２０にかかる応力はウエハがステップＳ４０４で切断されることにより変化し、圧電デバイスに歪みを生じさせる。圧電デバイスに形成される実装端子又は無電解メッキ膜１５３は、この歪みにより剥離してしまう場合がある。圧電デバイス１００では、ウエハの切断前に無電解メッキ膜１５３の一部が除去されることにより、ウエハに発生する応力が小さくされている。そのため、ウエハの切断後の圧電デバイスの歪みの発生が小さく抑えられ、実装端子又は無電解メッキ膜１５３の剥離が抑えられる。

また、圧電デバイス１００では、無電解メッキ膜１５３のニッケル層の形成速度を５〜１５μｍ／ｈoｕｒ、ニッケル層の厚さＴＮを１〜３μｍとすることにより、無電解メッキ膜１５３の剥離率が下げられている。

＜圧電デバイス１００の変形例＞
図９（ｄ）は、ベースウエハＷ１２０ａの−Ｙ’軸側の面の拡大平面図である。ステップＳ４０４では、スクライブライン１７１上以外の無電解メッキ膜１５３が除去されても良い。ベースウエハＷ１２０ａでは、スクライブライン１７１上以外の領域に形成されている無電解メッキ膜１５３が除去されている。図９（ｄ）に示される無電解メッキ膜１５３は、Ｘ軸方向に長く形成されている。そのため、図９（ｄ）に示される無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８ａは、無電解メッキ膜１５３のＸ軸方向の長さが短くなるように形成されている。これにより、無電解メッキ膜１５３によるＸ軸方向への応力が緩和されている。

図１０（ａ）は、無電解メッキ膜１５３が除去される前のベースウエハＷ１２０ｂの−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。ベースウエハＷ１２０ｂでは、無電解メッキ膜１５３がＸ軸方向及びＺ’軸方向に長く形成されている。圧電デバイスは小型化される傾向にあり、そのため実装端子の面積も小さくなっている。それに伴い、第１金属膜１５１を形成するためのマスクの線幅も狭くなり、マスクが破損しやすいという問題があった。図１０（ａ）に示されるベースウエハＷ１２０ｂでは実装端子の面積を広く形成することでマスクの線幅が狭くなる部分を無くしているため、マスクが破損しにくくなっている。ベースウエハＷ１２０ｂでは、無電解メッキ膜１５３を、Ｘ軸方向に伸びるスクライブライン１７１及びＺ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１がそれぞれＸ軸方向及びＺ’軸方向に分割するように形成されている。図１０（ａ）では、ベースウエハＷ１２０ｂの図４のステップＳ４０３で無電解メッキ膜１５３が形成された後の状態が示されている。

図１０（ｂ）は、無電解メッキ膜１５３が除去された後のベースウエハＷ１２０ｂの−Ｙ’軸側の面の部分平面図である。ベースウエハＷ１２０ｂでは無電解メッキ膜１５３がＸ軸方向及びＺ’軸方向に長く形成されているため、ベースウエハＷ１２０ｂに形成される無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８ｂは、Ｘ軸方向及びＺ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１に沿って形成されている。

図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）の点線１６３の拡大平面図である。ベースウエハＷ１２０ｂに形成される無電解メッキ膜１５３が除去された跡１２８ｂは、Ｘ軸方向及びＺ’軸方向に伸びて無電解メッキ膜１５３をＺ’軸方向及びＸ軸方向に分割するように形成されている。そのため、無電解メッキ膜１５３が発生させるＸ軸方向及びＺ’軸方向への応力が小さくなっている。

（第２実施形態）
圧電振動片には、振動部の周囲を囲むように枠部が形成された圧電振動片を用いてもよい。以下に枠部を有する圧電振動片が用いられた圧電デバイス２００について説明する。また、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。

＜圧電デバイス２００の構成＞
図１１は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、リッド板１１０と、ベース板２２０と、圧電振動片２３０と、により構成されている。圧電デバイス２００では、第１実施形態と同様に、圧電振動片２３０にＡＴカットの水晶振動片が用いられている。

圧電振動片２３０は、所定の振動数で振動し、矩形形状に形成される振動部２３４と、振動部２３４の周囲を囲むように形成されている枠部２３５と、振動部２３４と枠部２３５とを連結する連結部２３６と、を有している。振動部２３４と枠部２３５との間には圧電振動片２３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝２３７が形成されており、振動部２３４と枠部２３５とは直接接触していない。振動部２３４の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側に連結されている連結部２３６を介して振動部２３４と枠部２３５とは連結されている。また、振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には励振電極２３１が形成されており、各励振電極２３１からはそれぞれ引出電極２３２が枠部２３５にまで引き出されている。振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１から引き出される引出電極２３２は、＋Ｚ’軸側の連結部２３６を介して枠部２３５の−Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側に引き出されている。振動部２３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１から引き出される引出電極２３２は、−Ｚ’軸側の連結部２３６を介して枠部２３５の−Ｘ軸側に引き出され、さらに枠部２３５の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側にまで引き出されている。

ベース板２２０には、＋Ｙ’軸側の面の周囲に封止材１４２（図１２（ａ）参照）を介してリッド板１１０に接合される接合面１２２が形成されている。また、ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１２１が形成されており、ベース板２２０の側面にはキャスタレーション１２６が形成されている。さらに、キャスタレーション１２６の側面には側面電極２２５が形成され、接合面１２２のキャスタレーション１２６の周囲には接続電極２２３が形成され、ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面にはホット端子２２４ａ及びアース端子２２４ｂが形成されている。ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面の形状は図３（ｂ）と同じであり、ホット端子２２４ａ及びアース端子２２４ｂはホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂと同一の形状に形成されている。また、接合面１２２のキャスタレーション１２６の周囲には接続電極２２３が形成されており、接続電極２２３はキャスタレーション１２６に形成される側面電極２２５を介してホット端子２２４ａに電気的に接続される。

図１２（ａ）は、図１１のＣ−Ｃ断面図である。圧電デバイス２００は、リッド板１１０の接合面１１２と枠部２３５の＋Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合され、ベース板２２０の接合面１２２と枠部２３５の−Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合される。また、圧電振動片２３０とベース板２２０との接合時に、引出電極２３２と接続電極２２３とが電気的に接合される。これにより、励振電極２３１はホット端子２２４ａに電気的に接続される。ベース板２２０に形成されるホット端子２２４ａ及びアース端子２２４ｂは、第１金属膜１５１、第２金属膜１５２、及び無電解メッキ膜１５３により形成される。また、図２（ａ）及び図３（ｂ）に示されるホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂと同様に、ホット端子２２４ａ及びアース端子２２４ｂは、ベース板２２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の辺に接する領域の無電解メッキ膜１５３が削られている。

図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の点線１６４の拡大図である。図１２（ｂ）では、ホット端子２２４ａの拡大断面図が示されている。第１金属膜１５１は、第１層１５１ａ、第２層１５１ｂ、及び第３層１５１ｃの３つの層により形成されている。図２（ｂ）で説明されたように、第１層１５１ａはクロム（Ｃｒ）により形成され、第２層１５１ｂはニッケルタングステン（Ｎｉ―Ｗ）又はプラチナ（Ｐｔ）等により形成され、第３層１５１ｃは金（Ａｕ）により形成される。

第２金属膜１５２は、第１金属膜１５１の表面に形成される第１層１５２ａ、第１層１５２ａの表面に形成される第２層１５２ｂ、及び第２層１５２ｂの表面に形成される第３層１５２ｃにより形成されている。第１層１５２ａ、第２層１５２ｂ、及び第３層１５２ｃは、それぞれ第１金属膜１５１の第１層１５１ａ、第２層１５１ｂ、及び第３層１５１ｃと同一の構成により形成される。すなわち、第２金属膜１５２は第１金属膜１５１と同一の構成で形成される。

無電解メッキ膜１５３は、第２金属膜１５２の表面に形成される第１層１５３ａと、第１層１５３ａの表面に形成される第２層１５３ｂとにより形成される。第１層１５３ａはニッケル（Ｎｉ）の層であり、その厚さＴＮは１〜３μｍに形成される。また、実装端子２２４とハンダ等との接続を確実に行うために、第１層１５３ａの表面に金（Ａｕ）により第２層１５３ｂが形成される。

＜圧電デバイス２００の製造方法＞
図１３は、圧電デバイス２００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図１３のフローチャートに従って、圧電デバイス２００の製造方法について説明する。

ステップＳ５０１では、圧電ウエハＷ２３０が用意される。圧電ウエハＷ２３０には複数の圧電振動片２３０が形成されている。ステップＳ５０１は、圧電ウエハを用意する工程である。

ステップＳ６０１では、ベースウエハＷ２２０が用意される。ステップＳ６０１は、ベースウエハＷ２２０を用意する工程である。ベースウエハＷ２２０には複数のベース板２２０が形成される。ベースウエハＷ２２０は水晶又はガラス等を基材としており、ベースウエハＷ２２０にはエッチングにより凹部１２１及びウエハが切断されてキャスタレーション１２６となる貫通孔１７２が形成される。

ステップＳ６０２では、ベースウエハＷ２２０に第１金属膜１５１が形成される。第１金属膜１５１は、図１２（ａ）に示されたように、側面電極２２５、ホット端子２２４ａ、アース端子２２４ｂの一部、及び接続電極２２３を形成する。ステップＳ６０２は、第１金属膜形成工程である。

ステップＳ７０１では、リッドウエハＷ１１０が用意される。ステップＳ７０１は、リッドウエハＷ１１０を用意する工程である。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成されており、各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１が形成される。

ステップＳ８０１では、ベースウエハＷ２２０に圧電ウエハＷ２３０が載置される。ステップＳ８０１は、ベースウエハＷ２２０の各ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面に、圧電ウエハＷ２３０の各圧電振動片２３０が対応して載置されるようにベースウエハＷ２２０と圧電ウエハＷ２３０とを接合する載置工程である。この載置工程では、ベースウエハＷ２２０の接合面１２２が圧電ウエハＷ２３０に形成される枠部２３５の−Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合される。

ステップＳ８０２では、圧電ウエハＷ２３０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ステップＳ８０２は、圧電振動片２３０の振動部２３４を密封するように、リッドウエハＷ１１０を、圧電ウエハＷ２３０の＋Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合する接合工程である。

図１４（ａ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及びベースウエハＷ２２０の部分断面図である。図１４（ａ）は図１１のＣ−Ｃ断面を含む断面図である。ベースウエハＷ２２０は、圧電ウエハＷ２３０の枠部２３５の−Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合されている。また、接続電極２２３が引出電極２３２に電気的に接続されている。リッドウエハＷ１１０は、圧電ウエハＷ２３０の枠部２３５の＋Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合されている。これによりキャビティ２０１が形成され、振動部２３４がこのキャビティ２０１に密封される。

ステップＳ８０３では、ベースウエハＷ２２０に第２金属膜１５２が形成される。ステップＳ８０３は、第２金属膜形成工程である。第２金属膜１５２は、ベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面及び貫通孔１７２に形成されている第１金属膜１５１の表面に形成される。

図１４（ｂ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び第２金属膜１５２が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。

ステップＳ８０４では、ベースウエハＷ２２０に無電解メッキ膜１５３が形成される。無電解メッキ膜１５３は、ベースウエハＷ２２０に形成される第２金属膜１５２の表面に形成される。無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面は、図９（ａ）に示されるベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面と同様の形状に形成される。ステップＳ８０４は、無電解メッキ工程である。

図１４（ｃ）は、圧電ウエハＷ２３０、リッドウエハＷ１１０、及び無電解メッキ膜１５３が形成されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。リッドウエハＷ１１０及びベースウエハＷ２２０に形成される無電解メッキ膜１５３は、第２金属膜１５２の表面に形成される。また、無電解メッキ膜１５３を形成するニッケル層は、５〜１５μｍ／ｈoｕｒの成膜レートにより厚さＴＮが１〜３μｍとなるように形成される。

ステップＳ８０５では、無電解メッキ膜１５３の一部が除去される。図９（ｂ）及び図９（ｃ）と同様に、Ｚ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１上に形成される無電解メッキ膜１５３が除去される。ステップＳ８０６は、無電解メッキ膜１５３の一部をレーザー又はダイシングにより除去する除去工程である。

ステップＳ８０６では、ベースウエハＷ２２０、リッドウエハＷ１１０、及び圧電ウエハＷ２３０がスクライブライン１７１で切断される。これにより、個々の圧電デバイス２００が形成される。ステップＳ８０６は、切断工程である。

圧電デバイス２００では、圧電デバイス１００と同様に、無電解メッキ膜１５３の一部を除去することによりベースウエハＷ２２０にかかる応力を小さくし、切断工程において応力の緩和による圧電デバイス２００の歪みが抑えられており、実装端子２２４の剥離が防がれている。また、圧電デバイスでは無電解メッキ膜の下地となる金属膜表面の汚染等により無電解メッキ膜を形成することができない場合があるが、圧電デバイス２００では無電解メッキを行う直前に下地となる第２金属膜１５２を形成することで、下地の汚染等の影響を最小限に抑えることができる。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。

例えば、圧電デバイスには発振器が組み込まれて圧電発振器として形成されても良い。また、上記の実施形態では圧電振動片にＡＴカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカットの水晶振動片などであっても同様に適用できる。さらに圧電振動片は水晶材のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材に基本的に適用できる。

また例えば、図９（ｄ）では、跡１２８ａの部分に第１金属膜１５１及び第２金属膜１５２を形成しないことにより跡１２８ａの部分に無電解メッキ膜１５３を形成しなくてもよい。この場合においても、無電解メッキ膜１５３によるＸ軸方向への応力を緩和することができる。

１００、２００ … 圧電デバイス
１０１ … キャビティ
１１０ … リッド板
１１１ … 凹部
１１２ … 接合面
１２０、２２０ … ベース板
１２１ … 凹部
１２２ … 接合面
１２３、２２３ … 接続電極
１２４ａ … ホット端子
１２４ｂ … アース端子
１２５、２２５ … 側面電極
１２６ … キャスタレーション
１２８、１２８ａ、１２８ｂ … 無電解メッキ膜が除去された跡
１３０、２３０ … 圧電振動片
１３１、２３１ … 励振電極
１３２、２３２ … 引出電極
１３４、２３４ … 振動部
１４１ … 導電性接着剤
１４２ … 封止材
１５１ … 第１金属膜
１５１ａ … 第１層、 １５１ｂ … 第２層、 １５１ｃ … 第３層
１５２ … 第２金属膜
１５２ａ … 第１層、 １５２ｂ … 第２層、 １５２ｃ … 第３層
１５３ … 無電解メッキ膜
１５３ａ … 第１層、 １５３ｂ … 第２層
１７１ … スクライブライン
１７２ … 貫通孔
２３５ … 枠部
２３６ … 連結部
２３７ … 貫通溝
ＴＮ … ニッケル層の厚さ

Claims (14)

1. 表面実装型の圧電デバイスであって、
   所定の振動数で振動する振動部を含む圧電振動片と、
   矩形形状に形成され、一方の主面に前記圧電振動片が載置されるベース板と、
   前記振動部を密封するリッド板と、を有し、
   前記ベース板の他方の主面には、金属膜と前記金属膜の表面に形成された無電解メッキ膜とにより構成され前記圧電デバイスを実装するための一対の実装端子が形成され、
   前記実装端子は、レーザー又はダイシングにより前記無電解メッキ膜の一部が除去された跡を含む圧電デバイス。
2. 前記無電解メッキ膜の一部が除去された跡は、前記ベース板の短辺又は長辺が伸びる方向に伸びている請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記無電解メッキ膜の一部が除去された跡は、前記ベース板の短辺又は長辺の少なくとも一部に接している請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記無電解メッキ膜の一部が除去された跡は、前記実装端子の外周から前記実装端子の内側に向かって伸びている請求項２に記載の圧電デバイス。
5. 複数の圧電振動片を用意する工程と、
   矩形形状に形成された複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、
   複数のリッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、
   前記ベースウエハの両主面の所定の領域に金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
   前記ベースウエハの一方の主面に前記複数の圧電振動片を載置する載置工程と、
   前記リッドウエハを、前記圧電振動片が密封されるように前記ベースウエハの一方の主面に接合する接合工程と、
   前記ベースウエハの他方の主面に形成される前記金属膜の表面に無電解メッキを施して無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、
   前記無電解メッキ膜の一部をレーザー又はダイシングにより除去する除去工程と、
   前記ベースウエハ及び前記リッドウエハが、前記互いに隣接するベース板の境界を含むように切断される切断工程と、を備え、
   前記ベースウエハの他方の主面に形成される前記金属膜は、前記境界の少なくとも一部をまたいで形成される圧電デバイスの製造方法。
6. 所定の振動数で振動する振動部と、前記振動部を囲む枠部と、前記振動部と前記枠部とを連結する連結部と、を含む複数の圧電振動片を有する圧電ウエハを用意する工程と、
   矩形形状に形成された複数のベース板を有するベースウエハを用意する工程と、
   複数のリッド板を有するリッドウエハを用意する工程と、
   前記ベースウエハの両主面の所定の領域に金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
   前記各ベース板の一方の主面に前記圧電振動片がそれぞれ載置されるように、前記ベースウエハと前記圧電ウエハとを接合する載置工程と、
   前記リッドウエハを、前記振動部が密封されるように前記圧電ウエハに接合する接合工程と、
   前記ベースウエハの他方の主面に形成される前記金属膜の表面に無電解メッキを施して無電解メッキ膜を形成する無電解メッキ工程と、
   前記無電解メッキ膜の一部をレーザー又はダイシングにより除去する除去工程と、
   前記ベースウエハ及び前記リッドウエハが、前記互いに隣接するベース板の境界を含むように切断される切断工程と、を備え、
   前記ベースウエハの他方の主面に形成される前記金属膜は、前記境界の少なくとも一部をまたいで形成される圧電デバイスの製造方法。
7. 前記除去工程は、前記互いに隣接するベース板の境界が伸びる方向に前記無電解メッキ膜の一部を除去する請求項５又は請求項６に記載の圧電デバイスの製造方法。
8. 前記除去工程は、前記互いに隣接するベース板の境界上の少なくとも一部の前記無電解メッキ膜の一部を除去する請求項７に記載の圧電デバイスの製造方法。
9. 前記除去工程は、前記無電解メッキ膜の一部を前記実装端子の外周から前記実装端子の内側に向かって除去する請求項７に記載の圧電デバイスの製造方法。
10. 前記接合工程の後であり、前記無電解メッキ工程の前に、前記ベースウエハの他方の主面に形成されている前記金属膜の表面に、さらに前記金属膜を形成する第２金属膜形成工程を有する請求項５から請求項９に記載の圧電デバイスの製造方法。
11. 前記金属膜は、クロム層と、前記クロム層の表面に形成されるニッケルタングステン層と、前記ニッケルタングステン層の表面に形成される金層と、により構成されている請求項５から請求項１０のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
12. 前記金属膜は、クロム層と、前記クロム層の表面に形成されるプラチナ層と、前記プラチナ層の表面に形成される金層と、により構成されている請求項５から請求項１０のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
13. 前記無電解メッキ膜はニッケル層を含み、前記ニッケル層は５〜１５μｍ／ｈoｕｒの成膜レートにより形成される請求項５から請求項１２のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
14. 表面実装型の圧電デバイスであって、
    所定の振動数で振動する振動部を含む圧電振動片と、
    矩形形状に形成され、一方の主面に前記圧電振動片が載置されるベース板と、
    前記振動部を密封するリッド板と、を有し、
    前記ベース板の他方の主面には、前記圧電デバイスを実装するための一対の実装端子が形成され、
    前記実装端子は、金属膜と前記金属膜の表面に形成された無電解メッキ膜とにより構成される領域と、前記金属膜と無電解メッキ膜とにより構成される領域に挟まれて前記ベース板の短辺又は長辺に平行に前記実装端子の外周から前記実装端子の内側に向かって伸びる前記金属膜及び前記無電解メッキ膜が形成されない領域と、を含む圧電デバイス。