JP2020136659A - 発光装置の製造方法、発光装置、又は、基部 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置を精度良く実装する。【解決手段】発光装置の製造方法は、半導体レーザ素子２０の光の出射端面が、配置面を有する基部に設けられた複数のアライメントマーク１８に基づいて得られる第１直線１Ｌと平行となるように、半導体レーザ素子２０を配置面に配置する工程と、光反射部材４０の所定の領域に基づいて得られる、光反射部材４０を配置するときの位置合わせの基準となる基準線が、第１直線１Ｌを所定の角度回転させた第２直線と平行となるように光反射部材４０を配置面に配置する工程と、を含む。【選択図】図７

Description

本発明は、発光装置の製造方法、発光装置、又は、発光装置に利用可能な基部に関する。

従来より、実装面に、発光素子などの構成要素を実装するときに、アライメントマークを設け、このアライメントマークに基づいて実装する方法が知られている。例えば、特許文献１には、半導体発光素子を取り付ける第１面にアライメントマークを形成したサブマウントが開示されている。

特開２０１２−１６４７３７

特許文献１は、実装面に実装される構成要素として１つの半導体発光素子の実装精度を考慮すればよい。しかしながら、１つの実装面に複数の構成要素を実装して光学系を形成する場合には、総合的な観点から実装精度を高めるための工夫が求められる。

本明細書において開示される発光装置の製造方法は、第１半導体レーザ素子の光の出射端面が、配置面を有する基部に設けられた複数のアライメントマークに基づいて得られる第１直線と平行となるように、前記第１半導体レーザ素子を前記配置面に配置する工程と、第１光反射部材の所定の領域に基づいて得られる、前記第１光反射部材を配置するときの位置合わせの基準となる基準線が、前記第１直線を所定の角度回転させた第２直線と平行となるように前記第１光反射部材を前記配置面に配置する工程と、を含む。

また、本明細書において開示される発光装置は、配置面を有し、複数のアライメントマークが設けられた基部と、前記配置面に配置される半導体レーザ素子と、前記配置面に配置される光反射部材と、を有し、前記半導体レーザ素子及び前記光反射部材は、上面視で、前記半導体レーザ素子の光の出射端面と、前記光反射部材の光反射面の上端または下端とが、垂直及び平行を除く所定の角度となるように、前記配置面に配置され、前記複数のアライメントマークを結ぶ直線と、前記半導体レーザ素子の光の出射端面とが、平行である。

また、本明細書において開示される基部は、底面と、上面視で、前記底面を囲い、矩形の枠を形成する上面と、前記上面において、矩形の枠を形成する４辺のうちの第１辺に係る領域から前記第１辺と交わる第２辺に係る領域に亘って設けられた第１金属膜と、４辺のうちの前記第１辺と対向する第３辺に係る領域から前記第３辺と交わる第４辺に係る領域に亘って設けられた第２金属膜と、を有し、前記第１金属膜は、前記第１辺に係る領域に電気的な接続のための第１導通領域が、前記第２辺に係る領域にアライメントマークのための第１アライメント領域が設けられ、前記第２金属膜は、前記第３辺に係る領域に電気的な接続のための第２導通領域が、前記第４辺に係る領域にアライメントマークのための第２アライメント領域が設けられている。

本明細書に基づき開示される発明によれば、発光装置を精度良く実装することができる。またあるいは、精度良く実装可能な発光装置が実現される。またあるいは、精度良く実装するための基部が提供される。

図１は、第１実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図２は、図１に対応する上面図である。 図３は、図２のIII-III線における発光装置の断面図である。 図４は、第１実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図５は、図４に対応する上面図である。 図６は、第１実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。 図７は、図６に対応する上面図である。 図８は、図７において基部の底面（配置面）を拡大した上面図である。 図９は、第１実施形態に係る透光性部材と波長変換部材が接合された状態の斜視図である。 図１０は、図９に対応する上面図である。 図１１は、第１実施形態に係る透光性部材と波長変換部材との接合面を説明するために波長変換部材を透過した上面図である。 図１２は、第１実施形態に係る波長変換部材の下面図である。 図１３は、第２実施形態に係る発光装置の斜視図である。 図１４は、図１３に対応する上面図である。 図１５は、第２実施形態に係る発光装置の内部構造を説明するための斜視図である。

本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースにして加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。

また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈は加工された部分も含む。なお、意図的な加工が加えられていない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。

また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素に関し、これに該当するものが複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。このとき、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象や観点が異なっていれば、本明細書における付記の態様と、特許請求の範囲における付記の態様と、が一致しないことがある。

以下に、図面を参照しながら、本明を実施するための形態を説明する。ただし、示される形態は、本発明の技術思想が具体化されたものではあるが、本発明を限定するものではない。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、重複した説明は適宜省略することがある。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る発光装置１の斜視図である。図２は、図１に対応する発光装置１の上面図である。図３は、図２のIII-III線における発光装置１の断面図である。図４は、内部構造を説明するために発光装置１から遮光部材１００を除いた状態の斜視図である。図５は、図４と同様の状態における上面図である。図６は、内部構造を説明するために発光装置１からさらに透光性部材と波長変換部材を除いた状態の斜視図である。図７は、図６と同様の状態における上面図である。図８は、図７において基部１０の底面１２（配置面）の領域を拡大した上面図である。なお、図８では、半導体レーザ素子２０と光反射部材４０との配置関係がわかり易いように、一部の構成要素を除いた状態で記してある。図９は、透光性部材８０と波長変換部材９０が接合された状態の斜視図である。図１０は、図９と同様の状態における上面図である。図１１は、透光性部材８０と波長変換部材９０との接合面を説明するために波長変換部材９０を透過した上面図である。図１２は、第１実施形態に係る波長変換部材９０の下面図である。

発光装置１は、構成要素として、基部１０、２つの半導体レーザ素子２０、２つのサブマウント３０、２つの光反射部材４０、保護素子５０、温度測定素子６０、配線７０、透光性部材８０、波長変換部材９０、及び、遮光部材１００を有する。

基部１０は、上面から下面の方向に窪んだ凹形状を有する。また、上面視で外形が矩形であり、窪みはこの外形の内側に形成される。基部１０は、上面１１、底面１２、下面１３、内側面１４、及び、外側面１５を有しており、内側面１４と底面１２とが窪んだ空間を作り上げる。また、上面視で、上面１１と交わる外側面１５によって矩形の外形が形成される。上面視で、上面１１と交わる内側面１４によって矩形の枠が形成され、窪んだ空間がこの枠に囲まれる。

矩形の外形を形成する４辺（上面視外側面１５）の各辺は、矩形の枠を形成する４辺（上面視内側面１４）のうちの最も近い辺と平行である。なお、外形に係る辺と枠に係る辺の距離とは、各辺の中点に基づいて、中点間の距離を指すものとしてもよい。つまり、中点間の距離が最も小さくなる外形の１辺と枠の１辺との組合せにおいて、平行関係が成り立つ。ここでの平行は、５度以下の差を含むものとする。

また、基部１０は、枠の内側において２つの段差部１６を形成する。ここで、段差部１６は、上面と、この上面と交わり下方に進む側面と、で構成される部分を指すものとする。そのため、基部１０の内側面１４は、基部１０の上面１１と交わる側面と、段差部の側面と、を含んで構成される。

ここでは、２つの段差部１６を、底面１２に近い方から第１段差部１６１、第２段差部１６２、と呼ぶものとする。なお、基部１０において、２つの段差部１６を有していなくてもよい。例えば、段差部１６は１つであってもよい。

面と面との交差については、図面から特定することができる。例えば、外側面１５は、上面１１及び下面１３と交わる、といえる。また例えば、第１段差部１６１の上面は、この上面から上方に進む側面として、一部において第２段差部１６２の側面と交わり、他の一部において上面１１に交わる側面と交わる、といえる。なお、辺と辺との交差についても同様である。

基部１０は、セラミックを主材料として形成することができる。例えば、セラミックとして、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素を用いることができる。なお、セラミックに限らず、絶縁性を有する他の材料を主材料に用いて形成してもよい。

また、基部１０には複数の金属膜１７が設けられる。基部１０の上面１１には６つの金属膜１７１が、底面１２には５つの金属膜１７２が、第２段差部１６２の上面には２つの金属膜１７３が設けられる。また、底面１２における４つの金属膜１７２、及び、第２段差部１６２の上面における２つの金属膜１７３、のそれぞれが、基部１０の内部を通る金属を介して、上面１１に設けられた６つの金属膜１７１のいずれかと繋がる。また、第１段差部１６１の上面にも金属膜が設けられる。

上面１１には、上面視で、１辺に係る領域に３つの金属膜１７１が配置される。ここで、１辺に係る領域とは、上述した最も近い関係にある外形の１辺と枠の1辺との間の領域である。また、２辺との間の領域とは、一方の辺の任意の点と他方の辺の任意の点を結ぶどんな直線も含むことのできる領域をいうものとする。上面１１には、対向する２辺に係る領域にそれぞれ３つの金属膜１７１が配置される。また、この３つの金属膜１７１は並べて配置される。

ここで、３つの金属膜１７１が配置される一方の辺に係る領域を第１領域１１１、第１領域１１１と交わる２辺に係る領域のうちの一方の辺に係る領域を第２領域１１２、３つの金属膜１７１が配置される他方の辺に係る領域を第３領域１１３、第３領域１１３と交わる２辺に係る領域のうち第２領域ではない方の辺に係る領域を第４領域１１４、と呼ぶものとする。図２では、これらの領域をハッチングで記している。

第１領域１１１に設けられた３つの金属膜１７１のうちの１つは、第１領域１１１から第２領域１１２に亘って設けられる。第３領域１１３に設けられた３つの金属膜１７１のうちの１つは、第３領域１１３から第４領域１１４に亘って設けられる。

第２領域１１２に亘る金属膜１７１は、第２領域１１２においてアライメントマーク１８を形成する。第４領域１１４に亘る金属膜１７１は、第４領域１１４においてアライメントマーク１８を形成する。ここでは、第２領域１１２に設けられたアライメントマーク１８を第１アライメントマーク１８１、第４領域１１４に設けられたアライメントマーク１８を第２アライメントマーク１８２、と呼ぶものとする。

なお、アライメントマーク１８は、並べて配置される３つの金属膜１７１のいずれとも繋がっていなくてよい。つまり、３つの金属膜１７１とは別にアライメントマークを形成してもよい。また、アライメントマークは金属膜を設ける以外の方法で形成されてもよい。

第１アライメントマーク１８１は、上面視で、第１領域１１１における枠に係る辺（内側面１４）を含む直線と、この直線に平行で、第２領域１１２における枠に係る辺（内側面１４）の中点ＣＰを通る直線と、の間に設けられる。第２アライメントマーク１８２は、上面視で、第３領域１１３における枠に係る辺（内側面１４）を含む直線と、この直線に平行で、第４領域１１４における枠に係る辺（内側面１４）の中点ＣＰを通る直線と、の間に設けられる。

上面視で、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線は、基部１０の外形を形成する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、枠を形成する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、いずれの辺との間にも、１０度以上の角度差を有する。つまり、基部１０の外形または枠を形成する４辺のいずれに対しても斜めの直線である。

基部１０の底面１２には、２つのアライメントマーク１８が形成される。２つの金属膜１７２に１つずつアライメントマーク１８が形成される。２つのアライメントマーク１８をそれぞれ、第３アライメントマーク１８３、第４アライメントマーク１８４、と呼ぶものとする。

上面視で、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマーク１８４を結ぶ直線は、基部１０の外形を形成する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、枠を形成する４辺のいずれとも垂直及び平行ではない。また、いずれの辺との間にも、１０度以上の角度差を有する。また、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線と重なる。ここでの重なるとは、交点を軸に４度以下のずれを含むものとする。

なお、金属膜１７が設けられる領域（場所）や数はこれに限らない。上面１１や底面１２に設ける金属膜の数を変えるなどしてもよい。例えば、上面１１に、対向する２辺に係る領域に２つずつ、あるいは、１つずつ、金属膜を設けてもよい。発光装置１では、基部１０の底面１２、第２段差部１６２の上面、及び、基部１０の上面１１に、複数の金属膜が設けられているといえる。

半導体レーザ素子２０は、上面視で長方形の外形を有する。また、長方形の２つの短辺のうちの一辺と交わる側面が、半導体レーザ素子２０から放射される光の出射端面２１となる。また、半導体レーザ素子２０の上面及び下面は、出射端面２１よりも面積が大きい。

なお、半導体レーザ素子から放射される光（レーザ光）は拡がりを有し、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ここで、ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布を示す。

半導体レーザ素子２０から出射される光のＦＦＰの形状は、活性層を含む複数の半導体層の層方向よりも、それに垂直な積層方向の方が長い楕円形状である。この層方向をＦＦＰの水平方向、積層方向をＦＦＰの垂直方向というものとする。

また、半導体レーザ素子２０のＦＦＰの光強度分布に基づいて、ピーク強度値に対する１／ｅ^２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。また、この光強度分布の半値全幅に相当する角度を拡がり角と呼ぶものとする。ＦＦＰの垂直方向における拡がり角は垂直方向の拡がり角と呼び、ＦＦＰの水平方向における拡がり角は水平方向の拡がり角と呼ぶものとする。

半導体レーザ素子２０には、例えば、青色の光を放射する半導体レーザ素子を採用することができる。ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ〜４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。青色の光を発する半導体レーザ素子として、窒化物半導体を含む半導体レーザ素子が挙げられる。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮを用いることができる。

サブマウント３０は、直方体の形状で構成され、下面、上面、及び、側面を有する。また、サブマウント３０は上下方向の幅が最も小さい。なお、形状は直方体に限らなくてよい。サブマウント３０は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又は炭化ケイ素を用いて形成される。なお、他の材料を用いてもよい。また、サブマウント３０の上面には金属膜が設けられている。

光反射部材４０は、光を反射する２つの光反射面４１を有する。光反射面には、例えば、照射された光のピーク波長に対する光反射率が９９％以上となる面が設けられる。ここでの光反射率は１００％以下あるいは１００％未満とすることができる。

２つの光反射面４１は平面形状で、下面に対して傾斜しており、互いに下面に対する傾斜角が異なる。つまり、２つの光反射面４１はいずれも、下面からみた配置関係が垂直でも平行でもない。また、２つの光反射面４１は連続して繋がっており、一体的な１つの反射領域を形成する。

ここでは、下面に近い方の光反射面を第１反射面４１１、遠い方の光反射面を第２反射面４１２と呼ぶものとする。光反射部材４０では、第２反射面４１２の傾斜角の方が、第１反射面４１１の傾斜角よりも大きい。例えば、第１反射面４１１と第２反射面４１２との傾斜角の差は、１０度以上から６０度以下の範囲にある。

なお、一体的な１つの反射領域を形成する３つ以上の光反射面４１を有していてもよい。また、１つの光反射面４１で１つの反射領域を形成してもよい。また、連続して繋がっていない光反射面をさらに有していてもよい。また、光反射面４１の形状は、平面形状でなく曲面形状であってもよい。

光反射部材４０は、その外形を形成する主材料に、ガラスや金属などを用いることができる。主材料は熱に強い材料がよく、例えば、石英若しくはＢＫ７（硼珪酸ガラス）等のガラス、アルミニウム等の金属、又はＳｉを用いることができる。また、光反射面は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属やＴａ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５／ＳｉＯ_２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。

保護素子５０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）に過剰な電流が流れて破壊されてしまうことを防ぐためのものである。保護素子５０としては、例えば、Ｓｉで形成されたツェナーダイオードを用いることができる。

温度測定素子６０は、周辺の温度を測定するための温度センサとして利用される素子である。温度測定素子６０としては、例えば、サーミスタを用いることができる。

配線７０は、特定の素子（例えば半導体レーザ素子）の電気的な接続に用いられる。配線７０としては、例えば、金属のワイヤを用いることができる。

透光性部材８０は、直方体の平板形状で構成され、下面と、上面と、側面とを有する。透光性部材は、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。なお、形状は直方体に限らない。

透光性部材８０は、サファイアを主材料に用いて形成することができる。サファイアは、比較的屈折率が高く、比較的強度も高い材料である。なお、主材料には、サファイアの他に、例えば、石英、炭化ケイ素、又は、ガラス等を用いることもできる。

透光性部材８０の上面には、２つの金属膜が設けられる。また、透光性部材８０の下面には、金属膜が設けられる。上面及び下面のいずれの面においても、外周領域に金属膜は設けられる。そのため、透光性部材８０には、上面視または下面視で、透光性を有する領域と、透光性を有さない領域と、がある。また、中央部に透光性を有する領域が設けられる。

波長変換部材９０は、直方体の平板形状で構成され、下面と、上面と、側面とを有する。また、波長変換部材９０は、透光性の波長変換部９１と、包囲部９２と、を有する。また、波長変換部９１と包囲部９２とが一体的に形成されている。包囲部９２の内側面が波長変換部９１の側面と接しており、包囲部９２の外側面が波長変換部材９０の側面に相当する。

波長変換部９１は直方体の形状である。また、波長変換部９１は、波長変換部９１に入射した光を波長の異なる光に変換する。波長変換部材９０は、光の照射により分解されにくい無機材料を主材料に用いて形成することができる。なお、無機材料でなくてもよい。

また、波長変換部９１は、セラミックスを主材料とし、蛍光体を含有させて形成することができる。これに限らず、ガラスを主材料とする、あるいは、蛍光体の単結晶で形成するなどしてもよい。なお、波長変換部９１における発熱を考慮して、融点が１３００℃〜２５００℃の材料を主材料に用いるのが好ましい。

例えば、波長変換部９１の主材料にセラミックスを用いる場合、蛍光体と酸化アルミニウム等の透光性材料とを焼結させて形成することができる。蛍光体の含有量は、セラミックスの総体積に対して０．０５体積％〜５０体積％とすることができる。また例えば、蛍光体の紛体を焼結させた、実質的に蛍光体のみからなるセラミックスを用いてもよい。

蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙ
ＡＧ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウ
ロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ
₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂）、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）₂ＳｉＯ₄）、
αサイアロン蛍光体、βサイアロン蛍光体等が挙げられる。なかでも、耐熱性が良好な蛍
光体であるＹＡＧ蛍光体を用いることが好ましい。

包囲部９２は、直方体の平板の中央部分に貫通孔を有する形状である。貫通孔の領域に波長変換部９１が設けられる。また、貫通孔の形状は、波長変換部９１の形状に対応しており、包囲部９２は波長変換部９１の側面を囲う。

包囲部９２は、セラミックスを主材料に用いて形成することができる。また、これに限らず、金属や、セラミックスと金属の複合体などを用いてもよい。また、包囲部９２には、波長変換部９１による熱を排熱する高熱伝導率の材料を用いるのが好ましい。高熱伝導率の材料が主材料に用いられた包囲部９２は、波長変換部９１における熱を排熱する放熱機能を有し、この観点から包囲部９２に代えて放熱部材と捉えることができる。

また、包囲部９２には、半導体レーザ素子２０が出射した光及び蛍光体が発する蛍光を高反射率で反射する材料を用いるのが好ましい。高反射率の材料が主材料に用いられた包囲部９２は、照射された光を反射する高反射性を有し、この観点から包囲部９２に代えて光反射部材と捉えることができる。なお、高反射率及び高熱伝導率を有する材料としては、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）セラミックスが挙げられる。

包囲部９２の下面には、導電膜が設けられる。導電膜は、線状で、下面視で波長変換部９１に重なるように設けられる。線状の導電膜の両端は、包囲部９２の下面に設けられた金属膜に繋がる。また、両端は互いに異なる金属膜に繋がる。なお、波長変換部９１に重ならず、波長変換部９１の近傍に設けられてもよい。

なお、導電膜は細い線状で形成されるのが好ましい。細い線状とは、例えば、下面視で、波長変換部９１の幅よりも小さい線幅となっている部分の線の長さが波長変換部９１の外周よりも長いことを示す。ここでの波長変換部９１の幅は、例えば外形が矩形の場合は短辺の幅であり、例えば外形が楕円形の場合は短径の幅である。また、これ以外の形状の場合は、これらの例示に基づき、実質的に幅が特定される。

波長変換部材９０は、例えば、焼結体等の成形品からなる波長変換部９１と、包囲部９２を形成する粉粒の材料と、を一体的に成形して焼結し形成することができる。または、焼結体等の成形品からなる包囲部９２と、波長変換部９１を形成する粉粒の材料と、を一体的に成形して焼結し形成することができる。焼結には、例えば、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ法）やホットプレス焼結法（ＨＰ法）等を用いることができる。

導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用いて形成することができる。ＩＴＯは可視光による透過率が高い。ＩＴＯで形成された導電膜は透光性を有し、この観点から透光性導電膜と捉えることができる。

遮光部材１００は、中央部に貫通孔が形成された形状を有する。また、下面側には、貫通孔を囲う凸形状が形成される。言い換えると、下面側において、中央部が窪んだ凹形状が形成される。

遮光部材１００は、遮光性を有する樹脂によって形成される。ここで、遮光性とは光を透過しない性質を示し、光を遮る性質の他、吸収する性質や反射する性質などを利用して、遮光性を実現してもよい。例えば、樹脂に、光拡散材及び／又は光吸収材等のフィラーを含有させることで形成できる。

遮光部材１００を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＢＴレジン等が挙げられる。また、光吸収性のフィラーとしては、カーボンブラック等の暗色系の顔料等が挙げられる。

次に、これらの構成要素を用いて発光装置１を製造する工程について説明する。
まず、基部１０の底面１２に２つの光反射部材４０が配置される。従って、基部１０の底面１２は光反射部材４０が配置される配置面といえる。２つの光反射部材４０は、それぞれ異なる金属膜１７２の上に配置され、その下面が基部１０の底面１２に接合される。各光反射部材４０の配置位置は、アライメントマーク１８と、光反射部材４０の基準線ＳＬと、に基づいて決定される。

光反射部材４０の基準線ＳＬとは、光反射部材４０を配置するときの位置合わせの基準となる線である。また、この基準線ＳＬは、光反射部材４０の所定の領域に設けられるか、所定の領域に有する特徴から導き出すことができる。つまり、光反射部材４０の所定の領域に基づいて得ることができる。

発光装置１では、上面視で、光反射面４１の上端に相当する辺を通る直線が、光反射部材４０の基準線ＳＬとなる。これに限らず、例えば、光反射面４１の下端に相当する辺を通る直線を基準線としてもよく、また例えば、光反射部材４０の矩形の上面のうち２つの頂点を特徴点として、この２つの特徴点を通る直線を基準線としてもよい。

各光反射部材４０は、上面視で、基準線ＳＬが、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を通る直線を所定の角度回転させた直線と、平行となるように配置される。ここで、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を通る直線を第１直線１Ｌ、第１直線１Ｌを所定の角度回転させた直線を第２直線２Ｌ、と呼ぶものとする。

また、２つの光反射部材４０は点対称に配置される。第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線の中点ＣＰに対して、２つの光反射部材４０は対称となるように配置される。

詳細には、実装機において、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２に基づいて中点ＣＰを決定し、この中点ＣＰを軸にして第１直線１Ｌを所定の角度回転させた第２直線２Ｌを規定する。上面視で、第２直線２ＬをＸ方向、第２直線２Ｌに垂直な方向をＹ方向とし、中点ＣＰの座標を（０，０）としたＸＹ平面に基づき、基準線ＳＬが第２直線２Ｌと平行になり、かつ、２つの光反射部材４０が座標（０，０）で点対称となるように配置する。

上面視で、第２直線２Ｌは、第１領域１１１または第３領域１１３の枠に係る辺（内側面１４）と平行である。また、第２領域１１２または第４領域１１４の枠に係る辺（内側面１４）と垂直である。ここでの平行または垂直は、６度以下の差を含むものとする。

つまり、第１直線１Ｌを回転させる所定の角度は、設計上の第１直線１Ｌと基部１０の枠に係る辺を通る直線とが成す角度から得られる。なお、平行及び垂直ではなく、斜めとなるように所定の角度を設計してもよい。

なお、第１直線１Ｌは、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマーク１８４を通る直線であってもよい。またあるいは、任意の２つのアライメントマーク１８を通る直線であってもよく、３つ以上のアライメントマーク１８を通る直線であってもよい。従って、第１直線１Ｌは、複数のアライメントマーク１８に基づいて得られる直線といえる。

また、２つの光反射部材４０は、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマーク１８４を結ぶ直線の中点ＣＰに対して対称に配置されてもよい。

また、上面視で、２つの光反射部材４０と、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４とは重ならない。従って、この段階で、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４は上面側から見ることができる。

次に、基部１０の底面１２に、保護素子５０と温度測定素子６０とが配置される。保護素子５０は、２つの光反射部材４０のうちの一方が配置されている金属膜１７２に配置され、接合される。温度測定素子６０は、２つの光反射部材４０が配置された金属膜１７２とは異なる金属膜１７２の上に配置され、接合される。

次に、基部１０の底面１２に２つのサブマウント３０が配置される。各サブマウント３０は、上面視で、上面のいずれかの辺が、第１直線と平行となるように配置される。また、２つのサブマウント３０は、それぞれ異なる金属膜１７２の上に配置され、その下面が基部１０の底面１２に接合される。また、２つのサブマウント３０はそれぞれ、光反射部材４０が配置されている金属膜１７２に配置される。

なお、サブマウント３０と光反射部材４０は、異なる金属膜１７２に配置されていてもよい。また、上面視で、２つのサブマウント３０と、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４とは重ならない。従って、この段階で、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４は上面側から見ることができる。

次に、半導体レーザ素子２０がサブマウント３０に配置される。２つの半導体レーザ素子２０は、それぞれ異なるサブマウント３０の上面に配置され、その下面が接合される。各半導体レーザ素子２０の配置位置は、アライメントマーク１８と、半導体レーザ素子２０の光の出射端面２１と、に基づいて決定される。

各半導体レーザ素子２０は、上面視で、出射端面２１が、第１直線１Ｌと平行となるように配置される。また、２つの半導体レーザ素子２０は、点対称に配置される。第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２を結ぶ直線の中点ＣＰに対して、２つの半導体レーザ素子２０は対称となるように配置される。

詳細には、実装機において、第１アライメントマーク１８１と第２アライメントマーク１８２に基づいて第１直線１Ｌを規定し、中点ＣＰを決定する。上面視で、第１直線１ＬをＸ方向、第１直線１Ｌに垂直な方向をＹ方向とし、中点ＣＰの座標を（０，０）としたＸＹ平面に基づき、出射端面２１が第１直線１Ｌと平行になり、かつ、２つの半導体レーザ素子２０が座標（０，０）で点対称となるように配置する。

従って、２つの半導体レーザ素子２０と、２つの光反射部材４０とは、同じ点に基づいて、対称に配置されている。なお、２つの半導体レーザ素子２０は、第３アライメントマーク１８３と第４アライメントマーク１８４を結ぶ直線の中点ＣＰに対して対称に配置されてもよい。

また、上面視で、２つの半導体レーザ素子２０と、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４とは重ならない。従って、この段階で、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４は上面側から見ることができる。

２つの半導体レーザ素子２０は、上面視で、出射端面２１が、基部１０の内側面１４または外側面１５と平行及び垂直にならない。そのため、光反射面４１の上端とも、平行及び垂直にならない。つまり、半導体レーザ素子２０は、上面視で、基部１０の内側面１４及び外側面１５、または、光反射面４１の上端、に対して出射端面２１が斜めになるように配置される。

発光装置１では、上面視で、半導体レーザ素子２０の出射端面２１を含む直線と、光反射面４１の上端を含む直線と、が成す斜角は、２５度以上３５度以下の範囲にある。なお、ここでの斜角は、図８に示す角度αであり、角度βではない。また、斜角は１０度以上８０度以下の範囲でもよい。なお、光反射部材４０への光の照射を考慮すると、斜角は４５度以下で設計するのがよい。

２つの半導体レーザ素子２０のそれぞれで、出射端面２１から出射された光は、対応する光反射部材４０に照射される。対応する光反射部材４０とは、同じ金属膜に配置されている光反射部材４０である。少なくとも主要部分の光が光反射面４１に照射されるように、半導体レーザ素子２０は配置される。

アライメントマーク１８から直接的に得られる第１直線１Ｌと、この第１直線１Ｌを中点ＣＰで回転させて得られる第２直線２Ｌとでは、第１直線１Ｌに合わせて実装する方が確度がよい。そのため、斜めの配置関係にある半導体レーザ素子２０と光反射部材４０において、出射端面２１を第１直線に合わせ、光反射部材４０を第２直線に合わせる方が、光反射部材４０によって反射される光の進行方向を精度良く実装することができる。

また、光反射部材４０を、上面視で、基部１０の内側面１４または外側面１５の所定の辺に合わせて実装するよりも、第１直線から所定の角度回転させた第２直線に合わせて実装する方が、半導体レーザ素子２０と光反射部材４０の間の斜角を精度良く実装することができる。

対応する半導体レーザ素子２０と光反射部材４０との間で、光反射部材４０よりも半導体レーザ素子２０の方が中点から遠い位置にある。従って、半導体レーザ素子２０から出射された光は、中点に近付く方向に進む。なお、２つの半導体レーザ素子２０のうちの少なくとも一方は温度測定素子６０に近い位置に配される。配置の対称性から、一方の半導体レーザ素子２０の温度と他方の半導体レーザ素子２０の温度に大きな差はないと考えられるためである。

半導体レーザ素子２０が配されたサブマウント３０は、発光装置１において、半導体レーザ素子２０から発生した熱を逃がす放熱部材としての役割を果たしている。サブマウント３０を放熱部材として機能させるには、半導体レーザ素子２０よりも熱伝導率の良い材料で形成すればよい。また、基部の底面よりも熱伝導率の良い材料で形成すると、より高い放熱効果を得ることができる。

また、サブマウント３０は、発光装置１において、半導体レーザ素子の光の出射位置を調整する役割を果たすことができる。例えば、光軸を通る光が底面１２と水平になるようにし、かつ、光反射面４１の所定の位置に照射させたい場合に、サブマウントを調整部材として用いることができる。

次に、半導体レーザ素子２０の電気的な接続、保護素子５０の電気的な接続、及び、温度測定素子６０の電気的な接続を確立するために複数の配線７０が接合される。電気的な接続には、基部１０の底面１２に設けられた金属膜１７２を利用する。そのため、基部１０の底面１２に設けられた金属膜１７２は、電気的に接続のために設けられた導通領域としての役割を果たしている。

配線７０は、２つの半導体レーザ素子と保護素子５０とが直列に接続するように接合される。また、温度測定素子６０が、２つの半導体レーザ素子及び保護素子５０とは別で、電気的に接続するように接合される。

いくつかの配線７０は、その一端を半導体レーザ素子２０の上面に接合し、他端を基部１０の底面１２に設けられた金属膜１７２に接合する。そのため、配線７０の一端を半導体レーザ素子２０の上面に接合するときの配置位置は、第１直線に基づいて決定される。これにより、細い幅の上面に精度良く配線７０を接合することができる。

次に、透光性部材８０が基部１０の上面に配置される。透光性部材８０は、その下面が基部１０の段差部１６の上面に配置され接合される。より詳細には、第１段差部１６１の上面に接合される。透光性部材８０の下面の外周領域に設けられた金属膜と、第１段差部１６１の上面に設けられた金属膜と、がＡｕ−Ｓｎ等を介して接合し固定される。

透光性部材８０が基部１０に接合されることで、半導体レーザ素子２０が配された閉空間が形成される。このように、発光装置１では、透光性部材８０は蓋部材としての役割を果たすことができる。また、この閉空間は気密封止された状態で形成される。気密封止されることで、半導体レーザ素子２０の光の出射端面に有機物等が集塵することを抑制できる。

上面視で、透光性部材８０は、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４と重なる。一方で、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２とは重ならない。従って、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２は、基部１０の透光性部材８０と接合する接合領域の外側に設けられる。

ここで、透光性部材８０は、上面に波長変換部材９０が接合された状態で、基部１０に接合される。つまり、透光性部材８０が基部１０の上面に配され、波長変換部材９０が透光性部材８０の上面に配される。そのため、波長変換部材９０が、底面１２に配置された半導体レーザ素子２０及び光反射部材４０の上方に配置される。

２つの半導体レーザ素子２０より出射された光、特に主要部分の光は、それぞれに対応する光反射部材４０の光反射面４１によって反射され、透光性部材８０を透過し、波長変換部９１の下面に入射する。

波長変換部９１に入射した光の一部あるいは全部は、波長変換部９１によって異なる波長の光に変換される。レーザ光または波長変換された光が、波長変換部９１の上面から発光装置１の外部に出射される。つまり、波長変換部９１の上面が、発光装置１の光取出面となる。

上面視で、第１アライメントマークと第２アライメントマークを結ぶ直線の中点ＣＰは、波長変換部が設けられる領域内にある。このように配置することで、２つの半導体レーザ素子２０から出射された光を効果的に波長変換部９１に入射させることができる。

なお、波長変換により生じる熱が特定の箇所に集中すると波長変換部９１が劣化しやすいため、波長変換部９１に入射する光の分布は拡散している方がよい。例えば、２つの半導体レーザ素子２０のそれぞれから出射されたレーザ光の光強度の強い部分が重ならないようにするとよい。発光装置１では、光軸を通る光が、波長変換部の中心を通らないようにしている。

波長変換部材９０は、包囲部９２と、透光性部材８０とを接合させることにより、透光性部材８０と接合する。また、包囲部９２において導電膜の一端に繋がる金属膜と、透光性部材８０の２つの金属膜のうちの一方とが接合し、他端に繋がる金属膜と、２つの金属膜のうちの他方の金属膜とが接合する。これにより、透光性部材８０の２つの金属膜を電極として、電気的に接続することができるようになる。

また、導電膜は、波長変換部９１の下面に細い線状の膜を這わせるようにして設けられる。そのため、波長変換部９１に割れなどの異常が発生すると、その衝撃に対応して導電膜にも亀裂が入るなどして電気的な接続状態に変化を与える。従って、この変化（例えば、抵抗値の大幅な上昇）を検知することで波長変換部９１の異常を検知することができる。導電膜は、波長変換部９１の異常を検知するセンサである異常検知素子９３といえる。

透光性部材８０の上面の方が、波長変換部材９０の下面よりも大きい。また、上面視で、透光性部材８０の上面は、波長変換部材９０の下面を囲う。あるいは、波長変換部材９０を囲う。上面視で、透光性部材８０の上面の２つの金属膜はそれぞれ、波長変換部材９０の下面と重なる領域から重ならない領域に亘って設けられる。

次に、異常検知素子９３を電気的に接続するための配線７０が接合される。電気的な接続には、基部１０の第２段差部１６２に設けられた金属膜１７３と、透光性部材８０の金属膜の波長変換部材９０の下面と重ならない領域と、が利用される。そのため、これらの金属膜は、電気的に接続のために設けられた導通領域としての役割を果たしている。配線７０は、その一端が透光性部材８０の上面の金属膜に、他端が第２段差部１６２の上面の金属膜１７３に、接合される。

ここでは、半導体レーザ素子２０、保護素子５０，及び、温度測定素子６０を電気的に接続するための配線７０を第１配線７１、異常検知素子９３を電気的に接続するための配線７０を第２配線７２、と呼ぶものとする。

基部１０の上面１１の６つの金属膜１７１は、半導体レーザ素子２０に電源を供給するための２つの金属膜と、温度測定素子６０に電源を供給するための２つの金属膜と、異常検知素子９３に電源を供給するための２つの金属膜と、で構成される。そのため、基部１０の上面１１に設けられた金属膜１７１は、電気的に接続のために設けられた導通領域としての役割を果たしている。

なお、電源供給の態様はこれに限らなくてよい。例えば、温度測定素子６０や異常検知素子９３を有さない場合は、係る金属膜も有さなくてよい。また例えば、他の目的で金属膜が利用されてもよい。

また、第１アライメントマーク１８１を形成する金属膜１７１は、第１領域１１１に導通領域を有し、第２領域１１２にアライメントマーク１８のためのアライメント領域を有する。少なくとも、第１アライメントマーク１８１は、第１領域１１１には形成されない。

また、第２アライメントマークを形成する金属膜１７１は、第３領域１１３に導通領域を有し、第４領域１１４にアライメントマーク１８のためのアライメント領域を有する。少なくとも、第２アライメントマーク１８２は、第３領域１１３には形成されない。

次に、遮光部材１００が、基部１０の上面１１による枠の内側に形成される。遮光部材１００は、基部１０と波長変換部材９０との隙間を埋めるようにして形成される。遮光部材１００は、樹脂を流し込み、これを熱で硬化させることで形成できる。樹脂が隙間に入り込むことで、定型化された遮光部材１００を嵌め込むよりも良好な遮光性を得ることができる。なお、半導体レーザ素子２０が配される閉空間には樹脂は侵入しない。

遮光部材１００は、基部１０の上面１１と交わる内側面１４、基部１０の段差部１６の上面、透光性部材８０の側面、透光性部材８０の上面、及び、波長変換部材９０の側面、に接する。また、波長変換部材９０の上面には達さない。あるいは、包囲部９２の上面に達したとしても、波長変換部９１の上面には達さない。これにより、半導体レーザ素子２０からの光が、波長変換部９１以外の場所から漏れることを抑制できる。

また、遮光部材１００は、第２配線７２を内包する。つまり、遮光部材１００が形成された時点で、発光装置１において第２配線７２は露出しない。これにより、第２配線７２を水滴等の付着から保護することができる。なお、必ずしも内包していなくてよい。

遮光部材１００が形成する貫通孔には、波長変換部材９０が貫通する。また、遮光部材１００の下面側に形成される凸形状の突出部分は、透光性部材８０の側面と、基部１０の内側面１４と、の間の溝に嵌る。

遮光部材１００は、上面視で、基部１０の上面１１による枠の内側に露出していた金属領域を隠す。発光装置１において、遮光部材１００は絶縁性の材料によって形成されており、絶縁部材としての役割を果たしている。これにより、外部電源による発光装置１への給電のための導通領域は、凹形状の窪んだ空間の外側に限定することができる。

また、上面視で、遮光部材１００は、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２とは重ならない。つまり、遮光部材１００は、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を隠さない。

以上の工程で発光装置１を製造することができる。発光装置１は、その外形において、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を有する。そのため、製造された発光装置１を他の部材に実装するなどの際に、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を利用した精度の良い実装が可能となる。

第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４を、基部１０の底面１２に配置される構成要素の実装に利用し、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を、他の構成要素の実装に利用するなどしてもよい。実装機の性能によっては、配置面である底面１２と同じ平面に設けられたアライメントマーク１８の方が精度良く実装できる場合がある。

また、第１アライメントマーク１８１及び第２アライメントマーク１８２を、発光装置１以外の部材との実装に利用し、第３アライメントマーク１８３及び第４アライメントマーク１８４を、発光装置１の構成要素の実装に利用するなどしてもよい。また、これに限らず、工程に応じて上面１１のアライメントマーク１８と、底面１２のアライメントマーク１８とを使い分けてよい。

なお、ここで説明した工程は一例であり、一部で工程の順番を入れ替えるなどしてもよい。例えば、光反射部材４０を配置する前に、サブマウント３０と半導体レーザ素子２０を配置してもよい。また例えば、サブマウント３０に半導体レーザ素子２０を配置してから、底面１２にサブマウント３０を配置してもよい。その他、明らかに実現不可能な工程順でなければ、柔軟な変更が可能である。なお、明らかに実現不可能な工程順とは、例えば、蓋部材により閉空間を形成した後に半導体レーザ素子２０を閉空間に配置するなどの工程順である。

＜第２実施形態＞
図１３は、第２実施形態に係る発光装置２の斜視図である。図１４は、図１３に対応する発光装置２の上面図である。図１５は、内部構造を説明するために発光装置２から遮光部材１０１を除いた状態の斜視図である。

第２実施形態に係る発光装置２は、基部の形状と、これに伴って形成される遮光部材の形状と、が第１実施形態に係る発光装置１と異なる。また、発光装置１では、アライメントマークとしたい領域に金属膜を設けることでアライメントマークを形成したが、発光装置２では、アライメントマークとしたい領域の周囲に金属膜を設けることでアライメントマークを形成する。

発光装置１の基部１０では、第２段差部１６２が、上面視で、第２領域１１２及び第４領域１１４における枠に係る辺の全長に亘って形成されていたが、発光装置２の基部２１０では、第２段差部１６３が、上面視で、第２領域１１２における枠に係る辺の一部と、第４領域１１４における枠に係る辺の一部とに形成される。なお、第１領域乃至第４領域については、第１実施形態で説明したものと同義のため、図１３乃至図１５においては符号を省略している。

また、上面視で、第２領域１１２における枠に係る辺の他の一部には、第２段差部１６３が形成されず、第４領域１１４における枠に係る辺の他の一部には、第２段差部１６３が形成されない。具体的には、第２領域１１２及び第４領域における枠に係る辺のそれぞれにおいて、中央部分に第２段差部１６３は形成され、その両側部分には第２段差部１６３は形成されない。

第２段差部１６３が形成されない部分では、第１段差部１６１の上面が、上面１１に交わる側面と交わる。そのため、上面１１の第２領域１１２及び第４領域１１４のそれぞれは、上面視で内側面１４と交わる部分が凹形状となる。また、上面１１の幅（内側面１４から外側面１５までの距離）でいえば、凹形状の窪みにあたる部分よりも凹形状の窪みの両側にあたる部分の方が大きい。

ここで、前者の幅の狭い部分を上面１１の幅狭部、後者の幅の広い部分を上面１１の幅広部というものとする。第２領域１１２及び第４領域のそれぞれに関し、第２段差部１６３は、上面視で、幅広部における内側面１４を通る直線と、外側面１１５を通る直線との間に形成される。

発光装置２において、アライメントマーク１９が上面１１の幅広部に設けられる。また、第１アライメントマーク１９１及び第２アライメントマーク１９２の各アライメントマークは、アライメントマークを設ける領域の周囲を金属膜が囲うことで形成される。具体的な形成方法としては、例えば、アライメントマークを設ける領域にマスクをした上で金属膜を設け、それからマスクを除去するといった方法がある。また例えば、金属膜を設けてから、アライメントマークを設ける領域部分だけ金属膜を取り除くといった方法を採ってもよい。

金属膜１７１を利用してアライメントマークを形成する場合に、発光装置１のように、そのアライメントマークの形状の金属膜を形成するよりも、発光装置２のように、アライメントマークを設ける領域の周囲に金属膜を形成する方が、安定して製造できる場合がある。一方で、前者の場合と後者の場合とでは、後者の方がアライメントマークの形成のために広い領域を確保する必要がある。

発光装置１のように第２段差部が枠に係る辺の全長に亘って形成される基部の形状では、後者のアライメントマークを形成するために基部の外形を大きくする必要がある。そこで、発光装置２のように、第２段差部を部分的に形成することで、基部の外形を大きくしなくても後者の方法でアライメントマークを形成することができる。

そのため、上面視で、第１領域１１１または第３領域１１３における枠に係る辺と平行な直線であって、第１アライメントマーク１９１または第２アライメントマーク１９２を通る直線は、第２段差部１６３とは交わらない。また、第２段差部１６３は、この第１アライメントマーク１９１を通る直線と、第２アライメントマーク１９２を通る直線と、で挟まれる領域内に形成され、この領域外においては形成されない。また、第１アライメントマーク１９１と第２アライメントマーク１９２を結ぶ直線は、第２段差部１６３とは交わらない。

発光装置２では、第２領域１１２における枠に係る辺の方向に関して、第２段差部１６３の長さよりも、第１段差部１６１の長さの方が長い。また、発光装置１よりも、第１段差部１６１の長さと第２段差部１６３の長さの差が大きくなる。また、第２段差部１６３の上面の金属膜に第２配線７２が接合される。

遮光部材１０１は、例えば、樹脂を流し込み、これを熱で効果させることで形成できる。樹脂は、絶縁性の材料によって形成され、装置外部の要因によって第２配線７２が意図せず通電してしまうことから保護する絶縁部材としての役割を果たす。この役割を果たすには、第２配線７２が露出しないように絶縁部材を形成することが求められる。上述したように、発光装置２の第２段差部１６３は第１段差部１６１よりも長さが短いため、樹脂の流し込みを制御しやすくなる。

以上、説明してきたが、明細書により開示された技術的特徴を有した本発明は、明細書の各実施形態で説明した発光装置の構造に限られるわけではない。例えば、実施形態に開示のない構成要素を有する発光装置においても本発明は適用され得るものであり、開示された発光装置と違いがあることは本発明を適用できないことの根拠とはならない。

このことはつまり、実施形態により開示された発光装置の全ての構成要素を必要十分に備えることを必須としないものであっても、本発明が適用され得ることを示す。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の一部の製造工程や一部の構成要素が記載されていなかった場合、その構成要素については、本実施形態に開示されたものに限らず、代替、省略、形状の変形、材料の変更などといった当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを請求するものである。

各実施形態に記載の発光装置は、車載ヘッドライト、照明、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、その他ディスプレイのバックライト等の光源に使用することができる。

１、２ 発光装置
１０、２１０ 基部
１１ 上面
１１１ 第１領域
１１２ 第２領域
１１３ 第３領域
１１４ 第４領域
１２ 底面
１３ 下面
１４ 内側面
１５ 外側面
１６ 段差部
１６１ 第１段差部
１６２、１６３ 第２段差部
１７ 金属膜
１７１ 金属膜（上面）
１７２ 金属膜（底面）
１７３ 金属膜（第２段差部）
１８、１９ アライメントマーク
１８１、１９１ 第１アライメントマーク
１８２、１９２ 第２アライメントマーク
１８３ 第３アライメントマーク
１８４ 第４アライメントマーク
２０ 半導体レーザ素子
２１ 出射端面
３０ サブマウント
４０ 光反射部材
４１ 光反射面
４１１ 第１反射面
４１２ 第２反射面
５０ 保護素子
６０ 温度測定素子
７０ 配線
７１ 第１配線
７２ 第２配線
８０ 透光性部材
９０ 波長変換部材
９１ 波長変換部
９２ 包囲部
９３ 異常検知素子
１００、１０１ 遮光部材

Claims (7)

1. 発光装置の製造方法であって、
   第１半導体レーザ素子の光の出射端面が、配置面を有する基部に設けられた複数のアライメントマークに基づいて得られる第１直線と平行となるように、前記第１半導体レーザ素子を前記配置面に配置する工程と、
   第１光反射部材の所定の領域に基づいて得られる、前記第１光反射部材を配置するときの位置合わせの基準となる基準線が、前記第１直線を所定の角度回転させた第２直線と平行となるように前記第１光反射部材を前記配置面に配置する工程と、
   を含む製造方法。
2. 前記所定の角度は、１０度以上８０度以下の角度である請求項１に記載の製造方法。
3. 前記第１直線と第２半導体レーザ素子の光の出射端面とに基づき、当該出射端面が前記第１直線と平行となるように、かつ、前記複数のアライメントマークの位置から特定される前記第１直線の中点ＣＰに基づき、前記第１半導体レーザ素子と前記第２半導体レーザ素子とが対称となるように、前記第２半導体レーザ素子を前記配置面に配置する工程と、
   前記第１直線と第２光反射部材における基準線とに基づき、当該基準線が前記第２直線と平行となるように、かつ、前記中点ＣＰに基づき、前記第１光反射部材と前記第２光反射部材とが対称となるように、前記第２光反射部材を前記配置面に配置する工程と、
   をさらに含む請求項１または２に記載の製造方法。
4. 波長変換部と、波長変換部の側面を囲う包囲部と、を有する波長変換部材を、上面視で前記波長変換部が設けられる領域内に前記中点ＣＰが含まれるように、前記第１半導体レーザ素子の上方に配置する工程、
   をさらに含む請求項３に記載の製造方法。
5. 前記光反射部材を前記配置面に配置する工程の後に、前記半導体レーザ素子を前記配置面に配置する工程を行う請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 配置面を有し、複数のアライメントマークが設けられた基部と、
   前記配置面に配置される半導体レーザ素子と、
   前記配置面に配置される光反射部材と、を有し、
   前記半導体レーザ素子及び前記光反射部材は、上面視で、前記半導体レーザ素子の光の出射端面と、前記光反射部材の光反射面の上端または下端とが、垂直及び平行を除く所定の角度となるように、前記配置面に配置され、
   前記複数のアライメントマークを結ぶ直線と、前記半導体レーザ素子の光の出射端面とが、平行である発光装置。
7. 底面と、
   上面視で、前記底面を囲い、矩形の枠を形成する上面と、
   前記上面において、矩形の枠を形成する４辺のうちの第１辺に係る領域から前記第１辺と交わる第２辺に係る領域に亘って設けられた第１金属膜と、
   ４辺のうちの前記第１辺と対向する第３辺に係る領域から前記第３辺と交わる第４辺に係る領域に亘って設けられた第２金属膜と、
   を有し、
   前記第１金属膜は、前記第１辺に係る領域に電気的な接続のための第１導通領域が、前記第２辺に係る領域にアライメントマークのための第１アライメント領域が設けられ、
   前記第２金属膜は、前記第３辺に係る領域に電気的な接続のための第２導通領域が、前記第４辺に係る領域にアライメントマークのための第２アライメント領域が設けられた基部。

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