JP2015031739A - Ldモジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】レーザビームの結合効率を低下させることなく、LDモジュールの小型化を実現すること。
【解決手段】複数の半導体レーザダイオードLD1〜LD10は、互いに隣接するレーザビーム同士の間隔が徐々に広がるように、複数のレーザビームを複数のミラーM1〜M10に向けて出射し、複数のミラーM1〜M10は、互いに隣接するレーザビーム同士の間隔が徐々に狭まるように、複数のレーザビームを速軸集束レンズFLに向けて反射する。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数のレーザビームを出射および合波するLDモジュールに関する。
従来、複数のレーザダイオードから出射された複数のレーザビームを光ファイバに結合することにより、レーザビームを高出力化および高輝度化することが可能な、LDモジュールが広く用いられている。例えば、下記特許文献1には、互いに平行な複数のレーザビームを、プリズムによって反射させることにより伝搬方向を変換した後、集束レンズによって集束し、光ファイバに入射するマイクロ光学装置が開示されている。
特開2004−252428号公報(公開日:2004年9月9日)
LDモジュールの小型化を図るためには、速軸集束レンズの曲率半径を小さくすることによって、速軸集束レンズの焦点距離を短くすればよい。これにより、光ファイバの入射端面を速軸集束レンズに近づけることができるからである。しかしながら、速軸集束レンズの曲率半径を小さくすると、速軸集束レンズを透過したレーザビームの光ファイバへの入射角が大きくなり、その結果、レーザビームの結合効率が低下するという問題が生じる。速軸集束レンズを透過したレーザビームのうち、入射角が光ファイバの受光角を超えるレーザビームは、光ファイバのコアに閉じ込められることなく、損失となるからである。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、レーザビームの結合効率を低下させることなく、LDモジュールの小型化を実現することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係るLDモジュールは、レーザダイオード列をなす複数のレーザダイオードと、前記複数のレーザダイオードから出射された複数のレーザビームの各々を、当該レーザビームの遅軸方向に反射する複数のミラーと、前記複数のミラーによって反射された前記複数のレーザビームを集束する集束レンズと、を備え、前記複数のレーザダイオードは、互いに隣接するレーザビーム同士の間隔が徐々に広がるように、前記複数のレーザビームを前記複数のミラーに向けて出射し、前記複数のミラーは、互いに隣接するレーザビーム同士の間隔が徐々に狭まるように、前記複数のレーザビームを前記集束レンズに向けて反射し、前記複数のミラーの各々は、当該ミラーへ入射されてきたレーザビームを速軸方向に反射する第1のミラーと、前記第1のミラーから反射されてきたレーザビームを遅軸方向に反射する第2のミラーと、を備えて構成されており、前記複数のレーザビームの各々について、当該レーザビームが対応する前記第1のミラーへ入射する時の当該レーザビームの速軸と、当該レーザビームが対応する前記第2のミラーから出射された時の当該レーザビームの遅軸とが、互いに平行であることを特徴とする。
上記LDモジュールによれば、複数のレーザビームの各々について、第1のミラーに入射される該レーザビームの速軸と、第2のミラーから出射された該レーザビームの遅軸とが、互いに平行であるため、該レーザビームに後述する捻じれを生じさせることなく、該レーザビームを第2のミラーから出射させることができる。すなわち、上記LDモジュールによれば、複数のミラーから出射された複数のレーザビームは、いずれも捻じれが生じることなく、互いに遅軸が平行な状態で整列する。このため、上記LDモジュールによれば、レーザビーム同士が干渉したり、レーザビームの一部が隣接するミラーによって遮られたり、一部のレーザビームが集束されない、等の不具合を防止しつつ、複数のレーザビームの間隔が密となるように複数のミラーを密に配置することができる。よって、上記LDモジュールによれば、レーザビームの結合効率の低下を抑制しつつ、LDモジュールの小型化を実現することができる。
例えば、上記構成以外の構成(すなわち、第1のミラーに入射されるレーザビームの速軸と、第2のミラーから出射されたレーザビームの遅軸とが、互いに平行とならない構成)を採用した場合、レーザビームの捻じれが生じることにより、第2のミラーから出射されたレーザビームのビーム幅は、〔第1のミラーに入射される速軸方向のビーム幅×sinθ(θは、第2のミラーによる出射方向の補正角度)〕となり、この場合、複数のレーザビームの間隔を密にしてしまうと、上述の不具合が生じる虞がある。そこで、上記構成(すなわち、第1のミラーに入射されるレーザビームの速軸と、第2のミラーから出射されたレーザビームの遅軸とが、互いに平行となる構成)を採用することにより、レーザビームの捻じれが生じないため、第2のミラーから出射されたレーザビームのビーム幅を、第1のミラーに入射される速軸方向のビーム幅と略同一とすることができる。このため、複数のレーザビームの間隔を密にした場合でも、上述の不具合が生じる虞がない。
また、上記LDモジュールによれば、複数のレーザビームを集束気味に集束レンズへ伝搬する構成を採用しているため、速軸集束レンズの曲率半径を小さくしなくとも、複数のレーザビームを互いに平行な状態で集束レンズへ伝搬する構成と比べて、複数のレーザビームの焦点を、集束レンズに近い位置に形成することができる。したがって、上記LDモジュールによれば、速軸集束レンズの曲率半径を小さくしなくとも、光ファイバの入射端面をより集束レンズに近い位置とすることができ、よって、レーザビームの結合効率を低下させることなく、LDモジュールの小型化を実現することができる。
上記LDモジュールにおいて、前記複数のミラーの各々は、当該ミラーに入射されるレーザビームと、当該ミラーから出射されるレーザビームとが、双方のレーザビームに対して垂直な方向から見たときに、直角をなすように構成されていることが好ましい。
上記の構成によれば、各ミラーを比較的単純な構成とすることができるため、上記不具合の発生を抑制することができる。特に、複数の反射面を組み合わせて構成されたミラーを用いる場合には、上記構成を採用することにより、上記不具合の抑制効果がより顕著なものとなる。
上記LDモジュールにおいて、前記第1のミラーは、当該ミラーに入射されてくるレーザビームの遅軸に対して平行な面であって、前記レーザビームの光軸に対して45°の角度をなす第1の反射面を有し、前記第2のミラーは、前記第1の反射面によって反射されたレーザビームの速軸に対して平行な面であって、前記レーザビームの光軸に対して45°の角度をなす第2の反射面を有することが好ましい。
上記の構成によれば、上記第1のミラーおよび上記第2のミラーの反射による、ビームの捻じれをより生じ難くすることができる。
上記LDモジュールにおいて、前記複数のレーザダイオードは、前記レーザダイオード列のより外側に配置されるにつれて、レーザビームの出射方向がより外側となるように、各々の出射方向が設定されていることが好ましい。
上記の構成によれば、複数の半導体レーザダイオードから出射された複数のレーザビームは、その中央(ビーム束の中心)から外側に広がりつつ伝搬するものとなり、反対に、複数のミラーから出射された複数のレーザビームは、その中央(ビーム束の中心)に集束しつつ伝搬するものとなる。このようなレーザビームを光ファイバに入射することで、レーザビームの結合効率をより高めることができる。
上記LDモジュールにおいて、前記複数のレーザダイオードから出射された前記複数のレーザビームの各々の光路上に配置された複数の速軸コリメートレンズをさらに備えており、前記複数の速軸コリメートレンズの各々は、対応するレーザビームの速軸方向のビーム広がりをコリメートする位置を基準として、該レーザビームの伝播方向にオフセットされており、該オフセットの量が、該レーザビームの速軸方向のビーム径を、前記集束レンズによって集束された複数のレーザビームの交差点において最小化するように設定されている、ことが好ましい。
上記の構成によれば、上記交差点において、各レーザビームのビーム径が最小化されるので、上記複数のレーザビームからなるビーム束を光ファイバに入射させる際の結合効率を更に高めることができる。
上記LDモジュールにおいて、前記第2のミラーの下面および前記第1のミラーの上面は、互いに接着されており、前記第2のミラーの下面および前記第1のミラーの上面の各々は、前記複数のミラーから出射された前記複数のレーザビームの速軸に対して平行であることが好ましい。
上記の構成によれば、第2のミラーの下面と第1のミラーの上面との間に形成される接着剤層の厚みが均一であれば、これらの接着剤層が収縮又は膨張した場合でも、出力ビームの伝播方向が傾いたり出力ビームの光軸の配置が崩れたりするといった事態の発生を回避することができる。
本発明によれば、レーザビームの結合効率を低下させることなく、LDモジュールの小型化を実現することができる。
本実施形態に係るLDモジュールの構成を示す上面図である。 本実施形態に係るLDモジュールが備える単位光学系の構成を示す斜視図である。 本実施形態に係るLDモジュールが備えるミラーの構成を示す斜視図である。 本実施形態に係るLDモジュールにおける、半導体レーザダイオードの各々の出射方向を示す平面図である。 速軸集束レンズFLの曲率半径と、ビーム束が光ファイバOFの入射端面に入射する際の結合効率との関係を示すグラフである。 ファイバ位置と、ビーム束が光ファイバOFの入射端面に入射する際の結合効率との関係を示すグラフである。 本実施形態の実施例におけるLDモジュールの概略構成を示す。 本実施形態の比較例におけるLDモジュールの概略構成を示す。
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係るLDモジュールについて説明する。
〔LDモジュールの構成〕
まず、図1を参照して、本実施形態に係るLDモジュール1の構成について説明する。図1は、本実施形態に係るLDモジュール1の構成を示す上面図である。図1に示すLDモジュール1は、複数の半導体レーザダイオードから複数のレーザビームを出射し、当該複数のレーザビームを、より高い結合効率で光ファイバに結合するものである。特に、図1では、10本のレーザビームを光ファイバに結合する構成を例示している。
このため、LDモジュール1は、図1に示すように、半導体レーザダイオードLD1〜LD10、速軸コリメートレンズFAC1〜FAC10、遅軸コリメートレンズSAC1〜SAC10、ミラーM1〜M10、速軸集束レンズFL、および、遅軸集光レンズSLを備えて構成されている。
(半導体レーザダイオード)
半導体レーザダイオードLD1〜LD10は、各々が独立したチップ上に形成されている。半導体レーザダイオードLD1〜LD10は、サブマウントBの表面上において、図中x軸方向に沿って、概ね等間隔で並んだ状態に配置されている。すなわち、半導体レーザダイオードLD1〜LD10は、サブマウントBの表面上において、半導体レーザダイオード列をなしている。
半導体レーザダイオードLD1〜LD10の各々は、活性層がxz平面と平行になるように、かつ、出射端面が概ねz軸正方向を向くように、サブマウントBの表面上に配置されている。これにより、半導体レーザダイオードLD1〜LD10から出射された複数のレーザビームは、各々が、サブマウントBの表面上の空間において、xz平面に対して平行に、且つ、概ねz軸正方向に向かって、伝搬することとなる。特に、図1に示すように、半導体レーザダイオードLD1〜LD10は、x軸に沿って並べられているため、上記複数のレーザビームは、概ね、等間隔且つ互いに平行なレーザビーム列を形成した状態で、z軸正方向に向かって伝搬することとなる。上記において、レーザビームの伝搬方向を「概ねz軸正方向」としているのは、後述するように、各半導体レーザダイオードの出射方向を、z軸正方向に対し、僅かにx軸方向(遅軸方向)に傾けているためである。
〔単位光学系の構成〕
LDモジュール1は、レーザビーム毎の、複数の単位工学系を備えて構成されている。すなわち、図1に示す例では、LDモジュール1は、10本のレーザビームを出射する構成としたことに応じて、10個の単位工学系を備えて構成されている。各単位光学系Si(i=1〜10の整数)は、半導体レーザダイオードLDi(i=1〜10の整数)と、速軸コリメートレンズFACi(i=1〜10の整数)と、遅軸コリメートレンズSACi(i=1〜10の整数)と、ミラーMi(i=1〜10の整数)とを備えて構成されている。以下、図2を参照して、各単位工学系の具体的な構成について説明する。
図2は、本実施形態に係るLDモジュール1が備える単位光学系の構成を示す斜視図である。図2では、LDモジュール1が備える複数の単位工学系のうちの1つについて、その構成を示しているが、上記複数の単位工学系は、いずれも図2に示す単位工学系Siと同様の構成を有している。
図2に示すように、単位光学系Siにおいて、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザビームの光路上には、順に、速軸コリメートレンズFACi、遅軸コリメートレンズSACi、および、ミラーMiが、直線状に並べて配置されている。単位光学系Siを構成する各部材は、何れも、直接、又は、不図示のマウントを介してサブマウントBの表面上に設置される。
速軸コリメートレンズFACiは、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザビームの速軸方向の広がりをコリメートするためのものである。遅軸コリメートレンズSACiは、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザビームの遅軸方向の広がりをコリメートするためのものである。速軸コリメートレンズFACiおよび遅軸コリメートレンズSACiを透過したレーザビームは、伝搬方向がz軸正方向に収斂されたコリメートビームとなり、ミラーMiへ伝搬する。なお、半導体レーザダイオードLDiから出射されるレーザビームの遅軸方向の広がりが十分に小さい場合、遅軸コリメートレンズSACiを省略しても構わない。
ミラーMiは、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザビームを速軸集束レンズFLへ導くために、上記レーザビームの伝搬方向を、概ねz軸正方向から概ねx軸負方向に変換するためのものである。ミラーMiには、従来から知られている各種ミラーを用いることができる。本実施形態では、ミラーMiとして、上記レーザビームの伝搬方向をz軸正方向からy軸正方向へ変換する第1のミラー(いわゆる「跳ね上げミラー」)と、上記レーザビームの伝搬方向をy軸正方向からx軸負方向へ変換する第2のミラー(いわゆる「折り返しミラー」)とを備えて構成されたものを用いている。
ここで、図1に示すように、ミラーM1〜M10から出射される複数のレーザビームが互いに重なり合わないように、ミラーM1〜M10のz軸方向の位置は、互いに異なっている。
特に、ミラーM1〜M10のz軸方向の位置は、速軸集束レンズFLから離間するにつれて(すなわち、ミラーM1,M2,・・・,M10の順に)、順次、半導体レーザダイオードに近づく方向(z軸負方向)に所定量ずつシフトしている。これは、図1に示すように、ミラーM1〜M10へ伝搬する複数のレーザビームにおいては、速軸集束レンズFLに近いレーザビームほど、より速軸集束レンズFL側に傾いているためである。より速軸集束レンズFL側に傾いているレーザビームを、ミラーによって反射し、速軸集束レンズFLに伝搬させるためには、半導体レーザダイオードからミラーまでの距離を、他のレーザビームよりも長くする必要があるためである。
なお、上記シフト量は、複数のミラーM1〜M10に入射される複数のレーザビームの間隔よりも、小さくなっている。これにより、半導体レーザダイオードLD1〜LD10から出射された複数のレーザビームは、ミラーM1〜M10によってその間隔がより狭められた状態で、速軸集束レンズFLに向けて伝搬することとなる。
〔ミラーの構成〕
次に、図3を参照して、本実施形態のLDモジュール1が備えるミラーMiの構成ついて説明する。図3は、本実施形態に係るLDモジュール1が備えるミラーMiの構成を示す斜視図である。図3では、LDモジュール1が備えるミラーM1〜M10のうちの1つについて、その構成を示しているが、ミラーM1〜M10は、いずれも図3に示すミラーMiと同様の構成を有している。
図3に示すように、ミラーMiは、第1のミラーMi1と、第2のミラーMi2とを備えて構成されている。ミラーMiは、第1のミラーMi1の上面B1と、第2のミラーMi2の下面A2とが互いに重なり合うように、第1のミラーMi1と第2のミラーMi2とが積み重ねられた構造を有している。第1のミラーMi1は、その下面A1が、xz平面に対して平行となるように、サブマウントBの表面上に対し、直接的または間接的に設置される。なお、第1のミラーMi1の上面B1および第2のミラーMi2の下面A2は、下面A1に対して平行な面である。また、第1のミラーMi1と第2のミラーMi2は、互いに別体化されているものであってもよく、互いに一体化されたものであってもよい。
第1のミラーMi1は、第1の反射面S1を有する。第1の反射面S1は、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザビームの伝搬方向を、z軸正方向からy軸正方向へ変換する。このため、第1の反射面S1は、上記レーザビームの遅軸に対して概ね平行な面であって、上記レーザビームの光軸に対して45°の角度をなす(すなわち、下面A1に対して45°の角度をなす)ように構成されている。
ミラーMiは、上記レーザビームに対する向きが調整可能な場合、上記第1の反射面S1が上記レーザビームの遅軸に対して概ね平行な面となるように、その向きが調整されることが好ましい。これにより、ミラーMiは、上記レーザビームに対し、意図しない回転を生じさせたり、意図しない方向への反射を生じさせたりすることなく、上記レーザビームを所定の方向へ反射することができる。
第2のミラーMi2は、第2の反射面S2を有する。第2の反射面S2は、第1のミラーMi1によって反射されたレーザビームの伝搬方向を、y軸正方向からx軸負方向へ変換する。このため、第2の反射面S2は、前記第1の反射面によって反射されたレーザビームの速軸に対して概ね平行な面であって、上記レーザビームの光軸に対して45°の角度をなすように構成されている。
ミラーMiは、上記のとおり2つの反射面を組み合わせた比較的簡単な構成により、予め定められた入射角でレーザビームが入射されるようにレーザビームに対する向きが設定された場合(上記第1の反射面S1がレーザビームの遅軸に対して平行な面となる場合)において、当該ミラーに入射されるレーザビームと、当該ミラーから出射されるレーザビームとが、y軸正方向から見たときに直角をなすように、レーザビームを反射することができる。
特に、本実施形態のLDモジュール1において、ミラーMiの第1の反射面S1は、レーザビームの遅軸に対して概ね平行となるため、第1の反射面S1とレーザビームの遅軸とが概ね平行でない構成と比べて、レーザビームの意図しない回転や、意図しない方向への反射等といった不具合が生じ難くなっている。
同様に、本実施形態のLDモジュール1において、ミラーMiの第2の反射面S2は、レーザビームの速軸に対して概ね平行となるため、第2の反射面S2とレーザビームの速軸とが概ね平行でない構成と比べて、レーザビームの意図しない回転や、意図しない方向への反射等といった不具合が生じ難くなっている。
本実施形態のLDモジュール1において、ミラーM1〜M10のいずれも、上述したミラーMiと同一の構成を採用している。すなわち、LDモジュール1は、ミラーM1〜M10の各々に対し、互いに同一の構成のミラーMiを用いることができるため、ミラーM1〜M10において、互いに異なる構成を用いたり、互いに異なる調整を行ったりする必要はない。よって、本実施形態のLDモジュール1は、該LDモジュール1に係るコストを削減することができ、該LDモジュール1を安価で実現することができる。
なお、ミラーMiにおいて、第2のミラーの下面および前記第1のミラーの上面は、接着剤によって互いに接着されていることが好ましく、特に、第2のミラーの下面および第1のミラーの上面の各々が、当該ミラーMiから出射されたレーザビームの速軸(すなわち、xz平面)に対して平行であることが好ましい。具体的には、第2のミラーの下面と第1のミラーの上面との間に接着剤を塗布した後、当該接着剤の硬化が完了するまでの間、第2のミラーの下面および第1のミラーの上面の各々が、複数のミラーから出射された複数のレーザビームの速軸に対して平行になる状態を保つことが好ましい。これにより、第2のミラーの下面と第1のミラーの上面との間の接着剤層の厚みを均一化することができる。この接着剤層の厚みが均一であれば、この接着剤層が収縮又は膨張した場合でも、出力ビームの伝播方向が傾いたり出力ビームの光軸の配置が崩れたりするといった事態の発生を回避することができる。なお、この接着剤層に生じ得る収縮又は膨張としては、接着剤を硬化する際に生じ得る硬化収縮や、接着剤を硬化した後に生じ得る熱膨張、熱収縮、膨潤などが想定される。
〔レーザビームの出射方向〕
次に、図4を参照して、半導体レーザダイオードLD1〜LD10の各々の出射方向について説明する。図4は、本実施形態に係るLDモジュール1における、半導体レーザダイオードLD1〜LD10の各々の出射方向を示す平面図である。なお、以下の説明においては、半導体レーザダイオードLDiの出射方向のz軸に対する傾きを、y軸を回転軸とする回転角θi(i=1〜10の整数)によって表す。但し、x軸負方向への傾きについては回転角θiを正の値で表し、x軸正方向への傾きについては回転角θiを負の値で表すこととする。
本実施形態のLDモジュール1においては、ミラーM1〜M10の各々は、予め定められた入射角であって、互いに同一の入射角でレーザビームが入射されるように、レーザビームに対する向きが設定されている。具体的には、ミラーM1〜M10の各々は、第1の反射面S1(図3参照)がレーザビームの遅軸に対して概ね平行な面となるように、レーザビームに対する向きが設定されている。さらに、ミラーM1〜M10の各々は、上記のとおり向きが設定された状態において、当該ミラーに入射されるレーザビームと、当該ミラーから出射されるレーザビームとが、y軸正方向から見たときに直角をなすように構成されている(図3参照)。
すなわち、本実施形態のLDモジュール1において、ミラーM1〜M10から出射される複数のレーザビームの各々の出射方向は、各ミラーの調整によって決定付けられるのではなく、ミラーM1〜M10へ入射される複数のレーザビームの各々の伝搬方向によって決定付けられる。
特に、本実施形態のLDモジュール1は、複数のレーザビームを集束気味にFLへ伝搬させる構成を採用している。これを実現するため、本実施形態のLDモジュール1は、図1および図4に示すように、複数のレーザビームが拡散気味にミラーM1〜M10へ伝搬するように、半導体レーザダイオードLD1〜LD10の各々の出射方向が設定されている。この結果、ミラーM1〜M10から出射された複数のレーザビームは、集束気味に速軸集束レンズFLへ伝搬し、従来技術と比べてより速軸集束レンズFLに近い位置で集束することとなる。
これにより、本実施形態のLDモジュール1は、速軸集束レンズFLの曲率半径を小さくしなくとも、光ファイバOFの入射端面をより速軸集束レンズFLに近い位置とすることができ、よって、レーザビームの結合効率を低下させることなく、LDモジュールの小型化を実現することができる。
また、本実施形態のLDモジュール1は、互いに平行な複数のレーザビームを速軸集束レンズFLに入射させる構成と比べて、速軸集束レンズFLに入射されるビーム束(本書において、「ビーム束」とは、複数のレーザビームによって形成される光束のことを意味する。)の最大幅を小さくすることができる。これにより、速軸集束レンズFLの収差の影響を軽減し、よって、レーザビームの結合効率の低下を抑制することができる。
さらに、本実施形態のLDモジュール1は、速軸集束レンズFLの曲率半径を小さくすることによって速軸集束レンズFLの焦点距離を短くする構成と比べて、速軸集束レンズから出射された各レーザビームの、光ファイバOFに対する入射角が小さくなる。このため、結合効率の低下を招来することなく、光ファイバOFの入射端面をより速軸集束レンズFLに近い位置とすることができる。
特に、本実施形態のLDモジュール1は、ミラーの調整を行わなくとも、複数のレーザビームを集束気味に速軸集束レンズFLへ伝搬させることができるため、上記ミラーの調整による生じ得る各種不具合の発生を防止することができる。よって、本実施形態のLDモジュール1は、レーザビームの結合効率を低下させることなく、LDモジュールの小型化を実現することができる。
例えば、本実施形態(図4)のLDモジュール1において、ミラーM1〜M10の各々の回転角θiを、以下のように設定することにより、複数のレーザビームを集束気味に速軸集束レンズFLへ伝搬させることができる。
θ1 :1.000°
θ2 :0.666°
θ3 :0.371°
θ4 :0.109°
θ5 :−0.125°
θ6 :−0.335°
θ7 :−0.525°
θ8 :−0.698°
θ9 :−0.856°
θ10:−1.000°
この例では、半導体レーザダイオードLD1〜LD10は、レーザダイオード列のより中央側に配置されたものについては、回転角θiの絶対値がより小さくなるように、すなわち、レーザダイオード列のより外側に配置されたものについては、回転角θiの絶対値がより大きくなるように(すなわち、出射方向がより外側を向くように)、各々の出射方向が設定されている。
これにより、図4に示すように、半導体レーザダイオードLD1〜LD10から出射された複数のレーザビームは、その中央から外側に広がりつつ伝搬するものとなる。反対に、図1および図4に示すように、ミラーM1〜M10から出射された複数のレーザビームは、その中央に集束しつつ伝搬するものとなる。このようなレーザビームを光ファイバに入射することで、レーザビームの結合効率をより高めることができる。
なお、本実施形態のLDモジュール1においては、ミラーMiに入射されるレーザビームとミラーMiから出射されるレーザビームとが直角をなすため、ミラーMiに入射されるレーザビームの、z軸に対して広がる方向の傾き(遅軸方向の傾き)θiと、ミラーMiから出射されるレーザビームの、x軸に対して集束する方向の傾き(速軸方向の傾き)θi´とが、同角度となる。
〔効果の検証〕
以下、図5および図6を参照して、複数のレーザビームを集束気味に速軸集束レンズFLへ伝搬させる構成を採用することにより、得られる効果について説明する。
図5は、速軸集束レンズFLの曲率半径と、ビーム束が光ファイバOFの入射端面に入射する際の結合効率との関係を示すグラフである。図5に示すグラフにおいて、横軸は、速軸集束レンズFLの曲率半径(単位はmm)を表し、縦軸は、ビーム束を光ファイバOFに入射させる際の結合効率(単位は%)を表す。図5においては、上記回転角θiの最大値(以下、「最大回転角θ」と示す。)を0°、0.5°、1°、1.5°とした場合の結合効率を示している。
図5に示すように、最大回転角θが0°の場合、すなわち、複数のレーザビームが平行に並ぶ場合、速軸集束レンズFLの曲率半径を小さくしていくと、ビーム束の光ファイバOFへの結合効率が低下していく。このような結合効率の低下が生じる原因としては、各レーザビームの光ファイバOFへの入射角が大きくなり、光ファイバOFの受光角を超える成分が増えることが挙げられる。
一方、最大回転角θが0°よりも大きい場合、すなわち、複数のレーザビームが一点で交差する場合も、速軸集束レンズFLの曲率半径を小さくしていくと、ビーム束の光ファイバOFへの結合効率が低下していく。しかしながら、最大回転角θが0°である場合と比べて、結合効率の低下の度合いは小さくなっている。特に、最大回転角θを1°とした場合、速軸集束レンズFLの曲率半径が10mmのときの結合効率は、最大回転角θを0°とした場合と比べて約3%も高い値を示している。これは、各レーザビームの光ファイバOFへの入射角が、最大回転角θを0°とした場合と比べて小さくなっているためであると考えられる。
図6は、ファイバ位置と、ビーム束が光ファイバOFの入射端面に入射する際の結合効率との関係を示すグラフである。ここで、ファイバ位置とは、半導体レーザダイオードLD1の中心を通るz軸に平行な直線から、光ファイバOFの入射端面までの距離のことを指す。図6に示すグラフにおいて、横軸は、ファイバ位置(単位はmm)を表し、縦軸は、出力ビーム束を光ファイバOFに入射させる際の結合効率(単位は%)を表す。図6においても、最大回転角θを0°、0.5°、1°、1.5°とした場合の結合効率を示している。
図6に示すように、最大回転角θが0°の場合、すなわち、各出力ビームの光軸が平行に並ぶ場合、光ファイバOFの入射端面を速軸集束レンズFLに近づけていくと、ビーム束の光ファイバOFへの結合効率が低下していく。このような結合効率の低下が生じる原因としては、各出力ビームが光ファイバOFの入射端面に入射する際の入射角が大きくなり、ファイバの受光角を超える成分が増えることが挙げられる。
一方、最大回転角θが0°よりも大きい場合、すなわち、各出力ビームの光軸が一点で交差する場合も、光ファイバOFの入射端面を速軸集束レンズFLに近づけていくと、出力ビーム束の光ファイバOFへの結合効率が低下していく。しかしながら、最大回転角θが0°の場合と比べて、結合効率の低下の度合いは小さくなっている。特に、最大回転角θを1°として場合、結合効率の低下を1%未満に抑えながら、光ファイバOFの入射端面を速軸集束レンズFLの出射面に7mmも近づけ得ることが分かる。これは、各レーザビームの光ファイバOFへの入射角が、最大回転角θを0°とした場合と比べて小さくなっているためであると考えられる。
以下、図7および図8を参照して、本実施形態に係るLDモジュール1の実施例および比較例について説明する。
〔実施例〕
図7は、本実施形態の実施例におけるLDモジュールの概略構成を示す。
本実施例では、図7に示すLDモジュールを用いて、複数のレーザビームを集束させるまでに必要な距離(すなわち、光ファイバOFの入射端面の位置までに要する距離)を測定した。
本実施例のLDモジュールは、図7に示すように、半導体レーザダイオードLD1〜LD3、速軸コリメートレンズFAC1〜FAC3、遅軸コリメートレンズSAC1〜SAC3、ミラーM1〜M3、速軸集束レンズFL、および、遅軸集光レンズSLを備えて構成されている。すなわち、本実施例(図7)のLDモジュールは、3本のレーザビームを光ファイバOFに結合する構成とした点で、本実施形態(図1)のLDモジュール1と異なる。
図7に示すLDモジュールでは、各構成部材のパラメータを以下のとおり設定した。
半導体レーザダイオードLD1の回転角θ:−1°
半導体レーザダイオードLD2の回転角θ: 0°
半導体レーザダイオードLD3の回転角θ:+1°
速軸集束レンズFLの曲率半径 :6.9mm
遅軸集光レンズSLの曲率半径 :3.5mm
すなわち、本実施例のLDモジュールでは、本実施形態(図1)のLDモジュール1と同様に、複数のレーザビームが拡散気味に複数のミラーへ伝搬し、複数のレーザビームが集束気味に速軸集束レンズFLへ伝搬する構成を用いた。
〔比較例〕
図8は、本実施形態の比較例におけるLDモジュールの概略構成を示す。図8に示すLDモジュールは、各半導体レーザダイオードの回転角θが、上記実施例(図7)のLDモジュールと異なる。その他の点については、上記実施例(図7)のLDモジュールと同様である。
図8に示すLDモジュールでは、各構成部材のパラメータを以下のとおり設定した。
半導体レーザダイオードLD1の回転角θ: 0°
半導体レーザダイオードLD2の回転角θ: 0°
半導体レーザダイオードLD3の回転角θ: 0°
速軸集束レンズFLの曲率半径 :6.9mm
遅軸集光レンズSLの曲率半径 :3.5mm
すなわち、本実施例のLDモジュールでは、本実施形態(図1)のLDモジュール1と異なり、複数のレーザビームが互いに平行に複数のミラーへ伝搬し、複数のレーザビームが互いに平行に速軸集束レンズFLへ伝搬する構成を用いた。
〔実施結果〕
上記実施例を実施した結果、図7に示すLDモジュールでは、速軸集束レンズFLの入射面から、光ファイバOFの入射端面まで、12.3mmの距離を要することが分かった。一方、上記比較例を実施した結果、図8に示すLDモジュールでは、速軸集束レンズFLの入射面から、光ファイバOFの入射端面まで、15.6mmの距離を要することが分かった。すなわち、複数のレーザビームを集束気味に速軸集束レンズFLへ伝搬させることにより、速軸集束レンズFLの入射面から、光ファイバOFの入射端面までの距離を大幅に短縮できることが分かった。
なお、上記実施例のLDモジュールにおいては、速軸コリメートレンズFACiの位置を、半導体レーザダイオードLDiの出射端面から、z軸正方向(すなわち、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザ光の伝播方向)に、僅かに(3μm)オフセットする構成が採用されている。これにより、速軸コリメートレンズFACiから出射されたレーザビームは、速軸方向のビーム径を徐々に小さくしながら、光ファイバOFの入射端面に向かって伝搬することとなる。これにより、本実施例のLDモジュール1は、光ファイバOFの入射端面において、レーザビームを集光させることができ、よって、各半導体レーザダイオードLDiから出射されるレーザビームを更に効率よく光ファイバOFに結合させることが可能となっている。
〔付記事項〕
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
(単位光学系(レーザビーム)の数について)
本実施形態のLDモジュール1は、10本のレーザビームを結合すべく、10個の単位光学系を備えているが、これに限らない。すなわち、LDモジュール1は、9個以下の単位光学系を備えたものとして実施してもよく、11個以上の単位光学系を備えたものとして実施してもよい。
(各構成部材の設置場所について)
本実施形態のLDモジュール1は、図1に示すように、各構成部材が1枚のサブマウントBの表面上に設けられているが、これに限らない。例えば、上記各構成部材の一部が、サブマウントBの外部に設けられている構成とすることもできる。例えば、速軸集束レンズFLと遅軸集光レンズSLとが、サブマウントBの外部(例えば、第2のサブマウント等)に設けられている構成や、遅軸集光レンズSLが、サブマウントBの外部に設けられている構成とすることもできる。
本実施形態に係るLDモジュール1において、速軸コリメートレンズFACiの位置を、z軸正方向(すなわち、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザ光の伝播方向)に、基準位置からオフセットする構成を採用してもよい。ここで、基準位置とは、速軸コリメートレンズFACiが半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザ光の速軸方向のビーム広がりを平行化(コリメート)する作用を発揮する位置のことを指す。基準位置からレーザ光の伝播方向にオフセットされた速軸コリメートレンズFACiは、半導体レーザダイオードLDiから出射されたレーザ光を集光する作用、すなわち、ビーム径を次第に小さくする作用を発揮することになる。
特に、本実施形態に係るLDモジュール1において、各速軸コリメートレンズFACiのオフセット量を個別に設定することにより、各出力ビームのビーム径を出力ビーム束の交差点において最少化させることが好ましい。例えば、各速軸コリメートレンズFACiのオフセット量Δiを、Δ1>Δ2>・・・>Δ10となるように設定することにより、各出力ビームのビーム径を上記交差点において最少化させることが好ましい。
従来のLDモジュールでは、各出力ビームのビーム径を最適化するため、該ビーム径を調整するためのさらなるレンズを用いていた。一方、上述のとおり、本実施形態のLDモジュール1は、各速軸コリメートレンズFACiのオフセット量を調整することにより、各出力ビームのビーム径を最適化するため、ビーム径を調整するためのさらなるレンズを設ける必要はない。よって、本実施形態のLDモジュール1は、該LDモジュール1に係るコストを削減することができ、該LDモジュール1を安価で実現することができる。
本発明は、LDモジュールに好適に利用することができる。特に、半導体レーザダイオードを光源とするLDモジュールに好適に利用することができる。
1 LDモジュール
LD1〜LD10 半導体レーザダイオード(レーザダイオード)
FAC1〜FAC10 速軸コリメートレンズ
SAC1〜SAC10 遅軸コリメートレンズ
M1〜M10 ミラー
Mi1 第1のミラー
S1 反射面(第1の反射面)
Mi2 第2のミラー
S2 反射面(第2の反射面)
B サブマウント(基板)
FL 速軸集束レンズ(集束レンズ)
SL 遅軸集光レンズ
OF 光ファイバ

Claims (6)

  1. レーザダイオード列をなす複数のレーザダイオードと、
    前記複数のレーザダイオードから出射された複数のレーザビームの各々を、当該レーザビームの遅軸方向に反射する複数のミラーと、
    前記複数のミラーによって反射された前記複数のレーザビームを集束する集束レンズと、
    を備え、
    前記複数のレーザダイオードは、
    互いに隣接するレーザビーム同士の間隔が徐々に広がるように、前記複数のレーザビームを前記複数のミラーに向けて出射し、
    前記複数のミラーは、
    互いに隣接するレーザビーム同士の間隔が徐々に狭まるように、前記複数のレーザビームを前記集束レンズに向けて反射し、
    前記複数のミラーの各々は、
    当該ミラーへ入射されてきたレーザビームを速軸方向に反射する第1のミラーと、前記第1のミラーから反射されてきたレーザビームを遅軸方向に反射する第2のミラーと、を備えて構成されており、
    前記複数のレーザビームの各々について、
    当該レーザビームが対応する前記第1のミラーへ入射する時の当該レーザビームの速軸と、当該レーザビームが対応する前記第2のミラーから出射された時の当該レーザビームの遅軸とが、互いに平行である
    ことを特徴とするLDモジュール。
  2. 前記複数のミラーの各々は、
    当該ミラーに入射されるレーザビームと、当該ミラーから出射されるレーザビームとが、双方のレーザビームに対して垂直な方向から見たときに、直角をなすように構成されている
    ことを特徴とする請求項1に記載のLDモジュール。
  3. 前記第1のミラーは、
    当該ミラーに入射されてくるレーザビームの遅軸に対して平行な面であって、前記レーザビームの光軸に対して45°の角度をなす第1の反射面を有し、
    前記第2のミラーは、
    前記第1の反射面によって反射されたレーザビームの速軸に対して平行な面であって、前記レーザビームの光軸に対して45°の角度をなす第2の反射面を有する
    を備えることを特徴とする請求項2に記載のLDモジュール。
  4. 前記複数のレーザダイオードは、
    前記レーザダイオード列のより外側に配置されるにつれて、レーザビームの出射方向がより外側となるように、各々の出射方向が設定されている
    ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のLDモジュール。
  5. 前記複数のレーザダイオードから出射された前記複数のレーザビームの各々の光路上に配置された複数の速軸コリメートレンズをさらに備えており、
    前記複数の速軸コリメートレンズの各々は、
    対応するレーザビームの速軸方向のビーム広がりをコリメートする位置を基準として、該レーザビームの伝播方向にオフセットされており、該オフセットの量が、該レーザビームの速軸方向のビーム径を、前記集束レンズによって集束された複数のレーザビームの交差点において最小化するように設定されている、
    ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のLDモジュール。
  6. 前記第2のミラーの下面および前記第1のミラーの上面は、互いに接着されており、
    前記第2のミラーの下面および前記第1のミラーの上面の各々は、前記複数のミラーから出射された前記複数のレーザビームの速軸に対して平行である
    ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のLDモジュール。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136659A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置、又は、基部
JP2020145327A (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 株式会社島津製作所 半導体レーザモジュール及びその装置
JP2021019053A (ja) * 2019-07-18 2021-02-15 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール、光源ユニット、光源装置および光ファイバレーザ
US11774666B2 (en) 2021-10-13 2023-10-03 Nichia Corporation Light-emitting device and light-emitting module
WO2024070857A1 (ja) * 2022-09-29 2024-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光モジュール

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018059757A (ja) * 2016-10-04 2018-04-12 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 投光光学系、物体検出装置
US11025031B2 (en) 2016-11-29 2021-06-01 Leonardo Electronics Us Inc. Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods
CN111919352B (zh) 2018-02-06 2024-04-26 恩耐公司 具有fac透镜面外波束转向的二极管激光设备
US11406004B2 (en) 2018-08-13 2022-08-02 Leonardo Electronics Us Inc. Use of metal-core printed circuit board (PCB) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver
US11296481B2 (en) * 2019-01-09 2022-04-05 Leonardo Electronics Us Inc. Divergence reshaping array
EP3706262B1 (en) 2019-02-15 2022-01-26 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member
US11752571B1 (en) 2019-06-07 2023-09-12 Leonardo Electronics Us Inc. Coherent beam coupler
JP7052921B2 (ja) * 2019-09-25 2022-04-12 三菱電機株式会社 受光素子モジュール
CN115494593A (zh) * 2022-09-29 2022-12-20 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种轻重量的光纤耦合激光器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5513201A (en) * 1993-04-30 1996-04-30 Nippon Steel Corporation Optical path rotating device used with linear array laser diode and laser apparatus applied therewith
JP3071360B2 (ja) * 1993-04-30 2000-07-31 新日本製鐵株式会社 リニアアレイレーザダイオードに用いる光路変換器及びそれを用いたレーザ装置及びその製造方法
US5418880A (en) * 1994-07-29 1995-05-23 Polaroid Corporation High-power optical fiber amplifier or laser device
DE19537265C1 (de) * 1995-10-06 1997-02-27 Jenoptik Jena Gmbh Anordnung zur Zusammenführung und Formung der Strahlung mehrerer Laserdiodenzeilen
US6028722A (en) * 1996-03-08 2000-02-22 Sdl, Inc. Optical beam reconfiguring device and optical handling system for device utilization
US5629791A (en) * 1996-05-31 1997-05-13 Eastman Kodak Company Optical compensation for laser emitter array non-linearity
JP2001215443A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Hamamatsu Photonics Kk 光学装置
JP2003309309A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Itaru Watanabe 高密度・高出力レーザー装置
JP4153438B2 (ja) * 2003-01-30 2008-09-24 富士フイルム株式会社 レーザ光合波方法および装置
JP4226482B2 (ja) * 2003-02-03 2009-02-18 富士フイルム株式会社 レーザ光合波装置
ATE405976T1 (de) * 2004-07-19 2008-09-15 Trumpf Laser Gmbh & Co Kg Diodenlaseranordnung und strahlformungseinheit dafür
JP2006171348A (ja) * 2004-12-15 2006-06-29 Nippon Steel Corp 半導体レーザ装置
US7733932B2 (en) * 2008-03-28 2010-06-08 Victor Faybishenko Laser diode assemblies
WO2010089638A2 (en) 2009-01-19 2010-08-12 Oclaro Technology Plc High power multi-chip pump modules with protection filter for 1060nm, and pump modules including the same
DE102010038571A1 (de) * 2010-07-28 2012-02-02 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Strahlformung
CN203071399U (zh) * 2012-12-28 2013-07-17 西安炬光科技有限公司 一种窄光谱高功率半导体激光器耦合装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020136659A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置、又は、基部
JP7206494B2 (ja) 2019-02-15 2023-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法、発光装置
JP2020145327A (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 株式会社島津製作所 半導体レーザモジュール及びその装置
JP2021019053A (ja) * 2019-07-18 2021-02-15 古河電気工業株式会社 半導体レーザモジュール、光源ユニット、光源装置および光ファイバレーザ
JP7370753B2 (ja) 2019-07-18 2023-10-30 古河電気工業株式会社 光源ユニット、光源装置および光ファイバレーザ
US11774666B2 (en) 2021-10-13 2023-10-03 Nichia Corporation Light-emitting device and light-emitting module
WO2024070857A1 (ja) * 2022-09-29 2024-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光モジュール

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